JP2008166548A - Pasting apparatus and pasting method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、サポートプレートとウエハとを貼り合せる装置及び貼り合わせ方法に関する。 The present invention relates to an apparatus and a bonding method for bonding a support plate and a wafer.
近年、ＩＣチップの集積化・小パッケージ化の要求が厳しくなるにつれ、ウエハを薄化する開発も発展してきた。ウエハは、ある程度薄化されると面の強度が低下して面全体に撓みが発生し、搬送時の取り扱い等において他の支持部材によるサポートが必要になってくる。そのため、ある程度薄化される予定のウエハは、予めガラス板等の支持板（本明細書において「サポートプレート」と呼ぶ）を貼り付ける等して面の強度を補強してから、取り扱われる。 In recent years, developments for thinning wafers have been developed as demands for integration and small packaging of IC chips become strict. When the wafer is thinned to some extent, the strength of the surface is lowered and the entire surface is bent, and support by another support member is required for handling during transportation. For this reason, a wafer to be thinned to some extent is handled after reinforcing the strength of the surface by attaching a support plate such as a glass plate (referred to as “support plate” in this specification) in advance.
ウエハにサポートプレートを貼り付ける手段として、装置を利用したものがある。
従来、この装置（本明細書において「貼り合わせ装置」と呼ぶ」）は、接着剤をウエハに塗布する塗布ユニット、接着剤を加熱して硬化するベークユニット、ウエハとサポートプレートとを重ね合わせる重ね合わせユニット、及び重ね合わせたウエハとサポートプレートとを加熱しながら押し合わせる貼り合わせユニット等から構成されている。
As means for attaching a support plate to a wafer, there is a method using an apparatus.
Conventionally, this apparatus (referred to as “bonding apparatus” in this specification) includes an application unit that applies adhesive to a wafer, a bake unit that heats and cures the adhesive, and a stack that overlaps the wafer and the support plate. It is composed of a bonding unit, a bonding unit for pressing the stacked wafer and the support plate while heating.
上記貼り合わせ装置においてウエハは、サポートプレートと貼り合わされるまで、回路が形成されている面（本明細書において「回路形成面」と呼ぶ）を上に向けた状態のまま搬送される。また、サポートプレートは表裏面に違いが無いためウエハの回路形成面への貼り付けにどちらの面も利用される。そのため、貼り合わせ装置におけるウエハとサポートプレートの貼りあわせは、先ずウエハの回路形成面に接着剤を塗り広げ、次に接着剤が塗り広げられてできた層（本明細書において「接着層」と呼ぶ）の上にサポートプレートの片面を重ね合わせ、そして、ウエハとサポートプレートの間に挟まれた接着層を加熱しながら互いの面を押し合わせるなどして行われる。 In the bonding apparatus, the wafer is transported with the surface on which the circuit is formed (referred to as “circuit formation surface” in this specification) facing upward until it is bonded to the support plate. In addition, since there is no difference between the front and back surfaces of the support plate, both surfaces are used for attaching the wafer to the circuit forming surface. Therefore, bonding of the wafer and the support plate in the bonding apparatus is performed by first spreading the adhesive on the circuit forming surface of the wafer and then spreading the adhesive (referred to as “adhesive layer” in this specification). The one side of the support plate is overlaid on top of each other, and the other side is pressed against each other while heating the adhesive layer sandwiched between the wafer and the support plate.
なお、上記の塗布ユニットについて、スピン方式の回転カップ式塗布装置を開示している文献がある（例えば特許文献１等）。
ウエハ上に形成されている回路のパターンには様々なものがある。回路形成面において高い凹凸差を伴うものも数多く存在している。そのため、昨今では、粘性度が比較的高い接着剤が回路形成面上に塗布された場合に、回路形成面内の窪みのあるところで空気が閉じ込められて、これが後に回路形成面と接着層との間に部分的に残ること又は接着層に混入して気泡として残ることが以前よりも多く見受けられるようになってきている。 There are various circuit patterns formed on the wafer. There are many things with high unevenness on the circuit forming surface. Therefore, nowadays, when an adhesive having a relatively high viscosity is applied on the circuit forming surface, air is trapped in a recess in the circuit forming surface, and this is later connected between the circuit forming surface and the adhesive layer. It has become more common than before to remain partially in between or to remain in the adhesive layer as bubbles.
このように回路形成面と接着層との間に残った空気や接着層内に混入した気泡は、ウエハの回路形成面と接着層との密着度を低くする、また、後工程におけるウエハの加熱時に膨張して、ウエハの回路形成面を変形させる或いはウエハに孔を開ける等の破損を生じさせる等、問題を引き起こす。 Thus, air remaining between the circuit forming surface and the adhesive layer and bubbles mixed in the adhesive layer reduce the degree of adhesion between the circuit forming surface of the wafer and the adhesive layer, and also heat the wafer in a subsequent process. It sometimes expands, causing problems such as deformation of the circuit forming surface of the wafer or damage such as opening a hole in the wafer.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、ウエハとサポートプレートとの接着剤による貼り合わせを空気を噛まないようにして行う貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a bonding apparatus and a bonding method for performing bonding of a wafer and a support plate with an adhesive without biting air.
本発明は上記課題を解決するために以下のように構成する。
本発明の貼り合わせ装置の態様の一つは、サポートプレート上に接着層を形成する接着層形成手段と、上記サポートプレートを反転させる反転手段と、ウエハの回路形成面と上記サポートプレートとを上記接着層を介して貼り合わせる貼り合わせ手段と、を備え、上記貼り合わせ手段は、真空中にて、上記ウエハの回路形成面と上記反転手段により反転されたサポートプレートとを上記接着層を介して貼り合わせる、ように構成する。
In order to solve the above problems, the present invention is configured as follows.
One aspect of the bonding apparatus of the present invention includes an adhesive layer forming means for forming an adhesive layer on a support plate, an inversion means for inverting the support plate, a circuit forming surface of the wafer, and the support plate. A bonding means for bonding via an adhesive layer, wherein the bonding means connects the circuit forming surface of the wafer and the support plate inverted by the reversing means via the adhesive layer in a vacuum. It is configured so that they are pasted together.
本発明の貼り合わせ方法の態様の一つは、ウエハの回路形成面とサポートプレートとの貼り合わせ方法であって、上記サポートプレートに接着層を設け、上記接着層を設けたサポートプレートを反転し、真空中にて、上記ウエハの回路形成面と上記サポートプレートとを上記接着層を介して貼り合わせる、ようにする。 One aspect of the bonding method of the present invention is a method for bonding a circuit forming surface of a wafer and a support plate, wherein an adhesive layer is provided on the support plate, and the support plate provided with the adhesive layer is inverted. The circuit forming surface of the wafer and the support plate are bonded together through the adhesive layer in a vacuum.
なお、上記サポートプレートに貫通孔が設けられている場合は、上記サポートプレートに接着層を設ける面の反対面にテープが貼り付けられていることが好ましい。 In addition, when the support plate is provided with a through hole, it is preferable that a tape is attached to the surface opposite to the surface on which the adhesive layer is provided on the support plate.
本発明の貼り合わせ装置においては、ウエハとサポートプレートとの接着剤による貼り合わせを空気を噛まないようにして行うことが可能になる。そのため、上記接着剤で形成された接着層とウエハの回路形成面との密着状態は良好に保たれる。また、空気の混入によるウエハの変形又は破損を大幅に減らすことができる。更に、サポートプレートの面に接着層を設けるようにしたため回路形成面の回路パターンの違いによる影響を受けずに済む。そのため、接着剤を塗布する際の設定条件を回路パターンに応じて変更する手間が省け、生産タクトが上がる。 In the bonding apparatus of the present invention, the bonding between the wafer and the support plate by the adhesive can be performed without biting air. Therefore, the adhesion state between the adhesive layer formed of the adhesive and the circuit forming surface of the wafer is kept good. In addition, deformation or breakage of the wafer due to air mixing can be greatly reduced. Furthermore, since the adhesive layer is provided on the surface of the support plate, it is not affected by the difference in the circuit pattern on the circuit forming surface. For this reason, it is possible to save time and labor to change the setting conditions for applying the adhesive in accordance with the circuit pattern, thereby increasing the production tact.
本発明の貼り合わせ方法では、ウエハとサポートプレートとの接着剤による貼り合わせを空気を噛まないようにして行うことが可能になる。そのため、上記接着剤で形成された接着層とウエハの回路形成面との密着状態は良好に保たれる。また、空気の混入によるウエハの変形又は破損を大幅に減らすことができる。 In the bonding method of the present invention, the bonding between the wafer and the support plate by the adhesive can be performed without biting air. Therefore, the adhesion state between the adhesive layer formed of the adhesive and the circuit forming surface of the wafer is kept good. In addition, deformation or breakage of the wafer due to air mixing can be greatly reduced.
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明に係る、ウエハとサポートプレートの貼り合わせ方の概念的説明図である。本実施の形態においては、同図に示されるように、サポートプレートＳの片面に接着層ＡＤを設けて、この接着層ＡＤをウエハＷの回路形成面Ｗ−１に重ねるようにして、ウエハＷとサポートプレートＳとを貼り合わせる。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a conceptual explanatory view of a method of bonding a wafer and a support plate according to the present invention. In the present embodiment, as shown in the figure, an adhesive layer AD is provided on one side of the support plate S, and this adhesive layer AD is overlaid on the circuit formation surface W-1 of the wafer W, so that the wafer W And support plate S are bonded together.
上記の貼り合わせ方に従って実際にウエハとサポートプレートとを貼り合わせる場合の貼り合わせ順序は次の通りである。
即ち、ウエハＷは、本来、回路形成面が剥き出しになっている場合において、回路形成面Ｗ−１を傷付けないようにするために上向きにして搬送される。そのため、先ず、サポートプレートＳの片面を上に向けて、続いて、サポートプレートＳの片面（上を向けた面）に、接着剤を塗り広げて接着層ＡＤを設ける。それから、接着層ＡＤが設けられたサポートプレートＳを上下に反転させて接着層ＡＤを下向きにして、ウエハＷの回路形成面Ｗ−１にサポートプレートＳを重ね合わせるようにして貼り付ける。
The bonding order when the wafer and the support plate are actually bonded in accordance with the bonding method described above is as follows.
That is, the wafer W is transported upward so as not to damage the circuit formation surface W-1 when the circuit formation surface is originally exposed. Therefore, first, the adhesive layer AD is provided by spreading an adhesive on one side of the support plate S facing upward, and then on the one side of the support plate S (surface facing upward). Then, the support plate S provided with the adhesive layer AD is turned upside down so that the adhesive layer AD faces downward, and the support plate S is attached to the circuit forming surface W-1 of the wafer W so as to overlap.
なお、上記サポートプレートＳが、貫通孔が空いている孔あきサポートプレートである場合においては、サポートプレートに塗布した接着剤が上記貫通孔から流れ出ないようにするために、接着剤を塗布する反対側の面にテープを貼り付けておき、それから、テープを貼り付けた面を下にしてサポートプレートの上向きの面に接着剤を塗り広げるようにする。 In the case where the support plate S is a perforated support plate having a through hole, the adhesive applied to the support plate is not applied from the through hole. Tape is applied to the side surface, and then the adhesive is spread on the upward surface of the support plate with the surface to which the tape is applied facing down.
このような貼り合わせ手順によると、第一に、回路形成面Ｗ−１と比べてサポートプレートＳ上の面は平らである（貫通孔のない孔なしサポートプレートの場合は特に平らである）ため、サポートプレートＳとの間に空気を噛ませずに接着層ＡＤを設けることは容易である。それゆえ、サポートプレートＳと接着層ＡＤとの間から接着層ＡＤ内に空気が気泡として混入することも回避できる。第二に、サポートプレートＳをウエハＷの回路形成面Ｗ−１に重ねるときに、サポートプレートＳ上の接着層ＡＤが回路形成面Ｗ−１の窪みに入り込み、回路形成面Ｗ−１上に接着層を設ける場合と比較すると、接着層ＡＤが入り込んだ窪みに元々あった空気をその接着層ＡＤが効率よく外部に押し出すため、回路形成面Ｗ−１と接着層ＡＤとの間に空気を噛ませる確率を小さくすることができる。 According to such a bonding procedure, first, the surface on the support plate S is flat compared to the circuit forming surface W-1 (particularly flat in the case of a support plate without holes without through holes). It is easy to provide the adhesive layer AD between the support plate S without biting air. Therefore, it is possible to avoid air from being mixed into the adhesive layer AD from between the support plate S and the adhesive layer AD. Secondly, when the support plate S is overlaid on the circuit formation surface W-1 of the wafer W, the adhesive layer AD on the support plate S enters the recess of the circuit formation surface W-1, and on the circuit formation surface W-1. Compared with the case where the adhesive layer is provided, the air that was originally in the depression in which the adhesive layer AD has entered is effectively pushed out to the outside by the adhesive layer AD, so that air is blown between the circuit forming surface W-1 and the adhesive layer AD. The probability of biting can be reduced.
なお、接着層ＡＤが設けられたサポートプレートＳをウエハＷの回路形成面Ｗ−１に重ね合わせるようにして貼り付ける工程を減圧された雰囲気下で行うと、上記効果は更に増大する。減圧された雰囲気下では、上述のように回路形成面Ｗ−１の窪みに元々入り込んでいる空気が外部に押し出されて少ない状態になっているため、回路形成面Ｗ−１と接着層ＡＤとの間に空気を噛ませる確率をより小さくすることができる。更に、上記工程を真空雰囲気下で行えば、回路形成面Ｗ−１と接着層ＡＤとの間に空気を噛ませることを完全に回避することができる。 In addition, if the process of attaching the support plate S provided with the adhesive layer AD so as to overlap the circuit formation surface W-1 of the wafer W is performed in a reduced pressure atmosphere, the above effect is further increased. Under the reduced pressure atmosphere, the air originally entering the depression of the circuit formation surface W-1 is pushed out to the outside as described above, and therefore the circuit formation surface W-1 and the adhesive layer AD It is possible to reduce the probability that air is chewed between the two. Further, if the above process is performed in a vacuum atmosphere, it is possible to completely avoid air from being caught between the circuit forming surface W-1 and the adhesive layer AD.
図２は、上記貼り合わせ方法によりサポートプレートＳとウエハＷとが真空中で貼り合わされた場合の、サポートプレートＳと接着層ＡＤとウエハＷが貼りあわされてなる重層体ＳＷの厚み方向の断面図である。同図（ａ）は、重層体ＳＷの全体の断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の破線部Ｃで囲まれた領域の部分拡大図である。ただし、接着層ＡＤ内の状態が理解しやすいように、各図（ａ）及び（ｂ）においては、実際とは異なる比率で重曹体ＳＷを示している。 FIG. 2 is a cross section in the thickness direction of the multilayer body SW formed by bonding the support plate S, the adhesive layer AD, and the wafer W when the support plate S and the wafer W are bonded together in a vacuum by the bonding method. FIG. FIG. 4A is a sectional view of the entire multilayer body SW, and FIG. 4B is a partially enlarged view of a region surrounded by a broken line portion C in FIG. However, in order to make it easy to understand the state in the adhesive layer AD, each of the drawings (a) and (b) shows the baking soda SW at a different ratio from the actual one.
同図（ｂ）においては、ウエハＷの上を向いた面Ｗ−１に、回路パターンが凸部と窪みを構成する凹部との組み合わせ（凸部Ｈ１、凸部Ｈ２、凸部Ｈ３、凹部Ｌ１、凹部Ｌ２、凹部Ｌ３）により概略的に示されている。同図（ｂ）に示すように、本発明によれば、接着層ＡＤは接着剤により満たされており、接着層ＡＤの内部、サポートプレートＳと接着層ＡＤの境界、及びウエハＷと接着層ＡＤの境界に気泡や空気層が存在しない貼り合わせ状態が得られる。 In FIG. 6B, a combination of a convex portion and a concave portion that forms a depression (a convex portion H1, a convex portion H2, a convex portion H3, and a concave portion L1) on the surface W-1 facing upward of the wafer W. , Recess L2, recess L3). As shown in FIG. 4B, according to the present invention, the adhesive layer AD is filled with an adhesive, and the inside of the adhesive layer AD, the boundary between the support plate S and the adhesive layer AD, and the wafer W and the adhesive layer. A bonded state in which no bubbles or air layers exist at the boundary of AD is obtained.
次に、上記貼り合わせ手順でウエハとサポートプレートとを貼り合わせられるようにした貼り合わせ装置の構成について説明する。
図３は、本発明に係る貼り合わせ装置の構成図である。同図は、貼り合わせ装置を真上から見て模式的に示した図である。
Next, the configuration of a bonding apparatus that can bond the wafer and the support plate by the bonding procedure will be described.
FIG. 3 is a configuration diagram of the bonding apparatus according to the present invention. This figure is a diagram schematically showing the bonding apparatus as viewed from directly above.
同図の貼り合わせ装置１は、搬送手段１０、ウエハストッカ（ウエハカセットステーションとも呼ばれる）１１、サポートプレートストッカ１２、アライメント調整ユニット１３、塗布ユニット１４、ベークユニット１５、クールユニット１６、反転ユニット１７、及び貼り合わせユニット１８から構成されている。 The laminating apparatus 1 in the figure includes a transport means 10, a wafer stocker (also called a wafer cassette station) 11, a support plate stocker 12, an alignment adjustment unit 13, a coating unit 14, a bake unit 15, a cool unit 16, a reversing unit 17, And a bonding unit 18.
同図において、搬送手段１０は貼り合わせ装置１の中央部に配置されており、ウエハストッカ１１、サポートプレートストッカ１２、アライメント調整ユニット１３、塗布ユニット１４、ベークユニット１５、クールユニット１６、反転ユニット１７、及び貼り合わせユニット１８は搬送手段１０の周囲に並べて配置されている。 In the figure, the conveying means 10 is disposed at the center of the bonding apparatus 1, and includes a wafer stocker 11, a support plate stocker 12, an alignment adjustment unit 13, a coating unit 14, a bake unit 15, a cool unit 16, and a reversing unit 17. , And the bonding unit 18 are arranged side by side around the conveying means 10.
貼り合わせ装置１には、上記の各部の制御を司る制御回路（図示せず）が内蔵されている。この制御回路は、例えば演算部と制御部と記憶部等から構成されており、所定の貼り合わせ手順（この貼り合わせ手順については後述することにする）が記述されたプログラム及び、動作温度又は動作時間等の各部の設定データが記憶部に記憶されている。オペレータによりキーボード等の入力装置（図示せず）から制御回路（図示せず）に開始指示を出すことで、所定の貼り合わせ手順のプログラムが起動され、各部の制御処理が開始される。 The laminating apparatus 1 incorporates a control circuit (not shown) that controls the above-described units. This control circuit includes, for example, a calculation unit, a control unit, a storage unit, and the like. A program in which a predetermined bonding procedure (the bonding procedure will be described later) and an operating temperature or an operation are described. Setting data of each part such as time is stored in the storage part. When an operator issues a start instruction to a control circuit (not shown) from an input device (not shown) such as a keyboard, a program for a predetermined bonding procedure is started and control processing of each unit is started.
各部の個別の構成及び動作は以下の通りである。
搬送手段１０は、ウエハ又はサポートプレートを搬送するための手段である。ここでは一例として、ウエハ又はサポートプレート（図示せず）を下から支持するための支持部１０−１を備えた多間接ロボットを示している。この多間接ロボット１０は、内蔵されている複数のモータ（図示せず）により支持部１０−１の水平移動、高さ可変、及び水平面内の向きの可変等を行い、下部に接続された位置決め装置（図示せず）により各ユニット間を同図の点線矢印に沿って移動する。多間接ロボット１０はそのような動作を組み合わせ、各ユニットにおいてウエハ又はサポートプレートのロード処理又はアンロード処理を行う。
The individual configuration and operation of each part are as follows.
The transfer means 10 is a means for transferring a wafer or a support plate. Here, as an example, a multi-indirect robot including a support portion 10-1 for supporting a wafer or a support plate (not shown) from below is shown. This multi-indirect robot 10 performs horizontal movement, variable height, variable orientation in a horizontal plane, etc. by a plurality of built-in motors (not shown), and positioning connected to the lower part. An apparatus (not shown) moves between the units along the dotted arrows in the figure. The multi-indirect robot 10 combines such operations, and loads or unloads wafers or support plates in each unit.
塗布ユニット１４は、サポートプレートに接着剤を塗り広げるための装置である。接着剤の塗り広げ方式は様々にある。例えば、回転チャックを備え、スピン方式を採用したものがある。このスピン方式を採用した装置では、サポートプレートを回転チャックの上面に載せて、サポートプレートの上を向いた面に接着剤を滴下する。それから、真空吸着方式等によりサポートプレートを回転チャックに吸着させながら回転チャックを回転することにより、遠心力により接着剤をサポートプレートの上を向いた面に塗り広げる。 The application unit 14 is a device for spreading an adhesive on the support plate. There are various methods for spreading the adhesive. For example, some have a rotating chuck and employ a spin method. In an apparatus employing this spin method, the support plate is placed on the upper surface of the rotating chuck, and the adhesive is dropped on the surface facing the support plate. Then, by rotating the rotary chuck while adsorbing the support plate to the rotary chuck by a vacuum suction method or the like, the adhesive is spread on the surface facing the support plate by centrifugal force.
ベークユニット１５は、サポートプレートの片面に塗り広げられた接着剤の層（本明細書では、「接着層」と呼ぶ）を硬化させるための装置である。具体的には、サポートプレートを所定温度に加熱して接着剤の溶剤を飛ばすことにより接着層を硬化させる。 The bake unit 15 is an apparatus for curing a layer of adhesive (referred to herein as an “adhesive layer”) spread on one side of a support plate. Specifically, the adhesive layer is cured by heating the support plate to a predetermined temperature to drive off the adhesive solvent.
クールユニット１６は、加熱されたサポートプレートを冷却するための装置である。加熱されたサポートプレートを他のユニットに移送する際にクールユニット１６において冷却処理を行わせるように設定することにより、自然冷却させるよりも早く適切な温度に冷却されたサポートプレートを各ユニットへ移送することができるようになる。 The cool unit 16 is a device for cooling the heated support plate. By setting the cooling unit 16 to perform the cooling process when the heated support plate is transferred to another unit, the support plate cooled to an appropriate temperature is transferred to each unit faster than natural cooling. Will be able to.
反転ユニット１７はサポートプレートを上下反転させるためのものである。反転ユニット１７には従来の反転式の装置を使用してもよいが、ここでは次に示す、サポートプレート上の接着面に余計な負荷を加えないように独自に構成したものを使用する。 The reversing unit 17 is for turning the support plate upside down. A conventional reversing device may be used as the reversing unit 17, but here, a reversing unit that is uniquely configured so as not to apply an extra load to the bonding surface on the support plate is used.
図４は、反転ユニット１７の構造図である。同図（ａ）は反転ユニット１７の平面図、同図（ｂ）は反転ユニット１７の側面図、同図（ｃ）は反転ユニット１７の正面図、同図（ｄ）は同図（ａ）のＡ-Ａ´線における断面図である。なお、各図において、反転ユニット１７と共にサポートプレートＳを示している。 FIG. 4 is a structural diagram of the reversing unit 17. 2A is a plan view of the reversing unit 17, FIG. 2B is a side view of the reversing unit 17, FIG. 2C is a front view of the reversing unit 17, and FIG. It is sectional drawing in the AA 'line. In each figure, the support plate S is shown together with the reversing unit 17.
図４の各図において、反転ユニット１７は、一辺が開口したコの字型の形状（同図（ａ）に示すように左辺が開口したコの字型の形状をしている）の一組の挟持部材１０Ｂ及び１１Ｂと、挟持部材１０Ｂと挟持部材１１Ｂとの間の距離を変化させる昇降装置１２Ｂと、一組の挟持部材１０Ｂ及び１１Ｂを上下の向きに一体に反転する回転装置１３Ｂとからなる。 In each drawing of FIG. 4, the reversing unit 17 is a pair of U-shapes that are open on one side (as shown in FIG. 4A, which is a U-shape that is open on the left side). The sandwiching members 10B and 11B, the lifting device 12B that changes the distance between the sandwiching member 10B and the sandwiching member 11B, and the rotating device 13B that reverses the pair of sandwiching members 10B and 11B integrally in the vertical direction. Become.
一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂには、各々、サポートプレートＳとエッジ近傍において接触する接触領域がある。この接触領域は、ここでは各挟持部材１０Ｂ、１１Ｂ上の相互の対面位置に二箇所、即ち挟持部材１０Ｂ上の位置１０Ｂ−１と１０Ｂ−２、及び挟持部材１１Ｂ上の位置１１Ｂ−１と１１Ｂ−２にある。また、同図（ｂ）において下側に配置されている挟持部材１１Ｂの四隅に突起部１１Ｂ−３〜１１Ｂ−６が設けられている。これらの突起部１１Ｂ−３〜１１Ｂ−６は、サポートプレートＳがある所定の間隔を下回った位置にまで挟み込まれないように、昇降装置１２Ｂによる下降動作を所定位置で停止するためのストッパーとして設けられている。具体的には、それらの突起部１１Ｂ−３〜１１Ｂ−６を、各挟持部材１０Ｂ及び１１Ｂ上の接触位置１０Ｂ−１、１０Ｂ−２、１１Ｂ−１、１１Ｂ−２においてサポートプレートＳに所定の押圧力が加わる程度の高さにして設けることにより、サポートプレートＳが適切な押圧力で挟み込まれるようにしている。上記の所定の押圧力の目安としては、挟持部材１０Ｂ及び１１Ｂの反転時に挟持部材１０Ｂ及び１１Ｂの間においてサポートプレートＳを横ズレさせず、且つ挟み込みの力によってサポートプレートＳに余計な負荷を加えない程度の力であるものとする。 Each of the pair of holding members 10B and 11B has a contact area that contacts the support plate S in the vicinity of the edge. Here, the contact regions are located at two positions facing each other on the holding members 10B and 11B, that is, positions 10B-1 and 10B-2 on the holding member 10B, and positions 11B-1 and 11B on the holding member 11B. -2. Further, protrusions 11B-3 to 11B-6 are provided at the four corners of the holding member 11B arranged on the lower side in FIG. These protrusions 11B-3 to 11B-6 are provided as stoppers for stopping the lowering operation by the elevating device 12B at a predetermined position so that the support plate S is not sandwiched to a position below a predetermined interval. It has been. Specifically, the protrusions 11B-3 to 11B-6 are placed on the support plate S at the contact positions 10B-1, 10B-2, 11B-1, and 11B-2 on the holding members 10B and 11B. The support plate S is sandwiched with an appropriate pressing force by providing it with a height sufficient to apply a pressing force. As a guideline for the predetermined pressing force, the support plate S is not laterally displaced between the clamping members 10B and 11B when the clamping members 10B and 11B are reversed, and an extra load is applied to the support plate S by the clamping force. It is assumed that there is no power.
上記一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂは、昇降装置１２Ｂにより相互間隔が一定に保持されている。昇降装置１２Ｂは、内蔵の昇降用モータ（図示せず）の駆動により、同図（ｂ）において上側に配置された狭持部材１０Ｂから下側に配置された狭持部材１１Ｂを下方へ遠のけ（下降させ）、折り返し、下側に配置された狭持部材１１Ｂを上側に配置された狭持部材１０Ｂへ接近させる（上昇させる）。 The pair of sandwiching members 10B and 11B is held at a constant interval by the lifting device 12B. The elevating device 12B moves the nipping member 11B arranged on the lower side downward from the nipping member 10B arranged on the upper side in FIG. 5B by driving a built-in elevating motor (not shown). Then, the holding member 11B arranged on the lower side is moved closer (raised) to the holding member 10B arranged on the upper side.
昇降装置１２Ｂにより相互間隔が一定に保持された一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂは、内蔵の回転用モータ（図示せず）の駆動により回転する回転装置１３Ｂの回転軸１３Ｂ−１に、一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの反転軸（同図（ｃ）に示した矢印記号（紙面の奥から手前方向へ向かう矢印記号）Ｏ）を一致させて取り付けられている。それにより、一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂは矢印記号Ｏを中心に左回り（又は右回り）に軸回転する。 A pair of clamping members 10B and 11B, whose mutual distance is kept constant by the lifting device 12B, is set on a rotating shaft 13B-1 of a rotating device 13B that is rotated by driving a built-in rotating motor (not shown). The reversing shafts of the holding members 10B and 11B (the arrow symbol shown in FIG. 3C (the arrow symbol heading from the back of the paper to the front side) O) are attached to match. As a result, the pair of clamping members 10B and 11B rotate in the counterclockwise direction (or clockwise direction) about the arrow symbol O.
次に反転ユニット１７の動作を説明する。
図５は、反転ユニット１７の反転動作状態を経過順に示した図である。なお、図の左側に反転ユニット１７の正面状態を示し、これに対応する側面状態を図の右側に示している。ただし、左側の図において、回転装置１３Ｂは省略している。
Next, the operation of the reversing unit 17 will be described.
FIG. 5 is a diagram showing the reversing operation states of the reversing unit 17 in order of progress. In addition, the front side state of the reversing unit 17 is shown on the left side of the figure, and the side state corresponding to this is shown on the right side of the figure. However, in the figure on the left side, the rotating device 13B is omitted.
同図（ａ）は、反転ユニット１７の待機時の状態を示す。ここにおいて反転ユニット１７は、挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの姿勢が水平位置に保たれ且つ挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの互いの間隔が最も遠ざけられた状態にある。反転ユニット１７をこのような待機時の状態にするには、貼り合わせ装置（図３の貼り合わせ装置１）の起動時等に回転装置１３Ｂを駆動して一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂを水平の状態に移行させると共に昇降装置１２Ｂを駆動して挟持部材を互いに最も遠ざかった状態に移行させればよい。 FIG. 4A shows a state where the reversing unit 17 is on standby. Here, the reversing unit 17 is in a state where the posture of the sandwiching members 10B and 11B is maintained at the horizontal position and the distance between the sandwiching members 10B and 11B is farthest away. In order to set the reversing unit 17 in such a standby state, the rotating device 13B is driven when the bonding device (the bonding device 1 in FIG. 3) is started, and the pair of clamping members 10B and 11B are horizontally moved. What is necessary is just to drive the raising / lowering device 12B and to move to the state which kept the clamping member furthest away from each other.
同図（ｂ）は、挟持部材１１Ｂ上にサポートプレートＳをロードしたときの反転ユニット１７の状態を示す。サポートプレートＳのロードは次のようにして行われる。即ち、サポートプレートＳの下を向いた面を多間接ロボットの支持部（図３の多間接ロボット１０の支持部１０−１）で支持しながら一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの間に水平に挿入し、そしてサポートプレートＳの端部下面が狭持部材１１Ｂ上の位置１１Ｂ−１、１１Ｂ−２と一致する位置で、上記支持部を低速度で下降させて、狭持部材１１Ｂの開口領域を通じて挟持部材１１Ｂの上側から下側に移動させると共にサポートプレートＳを挟持部材１１Ｂ上に載せ変える。こうして、サポートプレートＳの端部下面が挟持部材１１Ｂに位置１１Ｂ−１、１１Ｂ−２で下方から支持されるようになる。 FIG. 5B shows the state of the reversing unit 17 when the support plate S is loaded on the holding member 11B. The loading of the support plate S is performed as follows. That is, the surface facing the support plate S is supported by the support part of the multi-indirect robot (support part 10-1 of the multi-indirect robot 10 in FIG. 3) and horizontally between the pair of clamping members 10B and 11B. The support plate S is lowered at a low speed at a position where the lower surface of the end portion of the support plate S coincides with the positions 11B-1 and 11B-2 on the holding member 11B, and the opening region of the holding member 11B The support plate S is moved onto the sandwiching member 11B while being moved from the upper side to the lower side of the sandwiching member 11B. In this manner, the lower surface of the end portion of the support plate S is supported by the clamping member 11B from below at the positions 11B-1 and 11B-2.
同図（ｃ）は、下側の挟持部材１１Ｂ上にロードされたサポートプレートＳを上側の挟持部材１０Ｂに押し当てて一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの間に挟みこんだときの反転ユニット１７の状態を示す。サポートプレートＳを挟み込むまでの動作は、昇降装置１２Ｂの昇降用モータを駆動して下側の挟持部材１１Ｂを上側の挟持部材１０Ｂに接近させることにより行われる。そして、その挟み込み動作は、サポートプレートＳの端部上面が上側の挟持部材１０Ｂ上の位置１０Ｂ−１、１０Ｂ−２に接触することにより、或いは、更に、下側の挟持部材１１Ｂに設けられた４つの突起部１１Ｂ−３〜６が上側の挟持部材１０Ｂと接触することにより止められる。いずれにしても、サポートプレートＳと挟持部材１０Ｂ、１１Ｂとの接触箇所（即ち位置１０Ｂ−１、１０Ｂ−２、１１Ｂ−１、１１Ｂ−２）においてサポートプレートＳが横ズレしない摩擦力が生じ、且つ二つの挟持部材１０Ｂ、１１ＢからサポートプレートＳに接着層を傷つける等の余計な力が加わらない距離で挟み込みの動作を止める。 FIG. 6C shows the reversing unit 17 when the support plate S loaded on the lower clamping member 11B is pressed against the upper clamping member 10B and sandwiched between the pair of clamping members 10B and 11B. Shows the state. The operation until the support plate S is sandwiched is performed by driving the lifting motor of the lifting device 12B to bring the lower sandwiching member 11B closer to the upper sandwiching member 10B. Then, the sandwiching operation is provided when the upper surface of the end portion of the support plate S comes into contact with the positions 10B-1 and 10B-2 on the upper sandwiching member 10B, or is further provided on the lower sandwiching member 11B. The four protrusions 11B-3 to 6-6 are stopped by coming into contact with the upper clamping member 10B. In any case, a frictional force that does not cause the lateral displacement of the support plate S occurs at the contact portion between the support plate S and the clamping members 10B and 11B (that is, positions 10B-1, 10B-2, 11B-1, and 11B-2). In addition, the sandwiching operation is stopped at a distance where an extra force such as damaging the adhesive layer from the two sandwiching members 10B and 11B to the support plate S is not applied.
同図（ｄ）及び同図（ｅ）は、それぞれ、反転ユニット１７の反転途中の状態及び反転完了状態を示す。同図（ｃ）の状態を基点に、回転装置１３Ｂの反転用モータを駆動することにより一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの上下配置を反転させる。なお、同図（ｄ）においては、一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの反転の順序を破線、実線の順で示した。 FIG. 4D and FIG. 4E show a state in the middle of reversal and a state in which reversal is completed, respectively. The vertical arrangement of the pair of clamping members 10B and 11B is reversed by driving the reversing motor of the rotating device 13B based on the state shown in FIG. In addition, in the same figure (d), the order of inversion of one set of clamping member 10B, 11B was shown in the order of the broken line and the continuous line.
同図（ｆ）は、一組の挟持部材１０Ｂ、１１ＢからサポートプレートＳをアンロードするときの反転ユニット１７の状態を示す。サポートプレートＳのアンロードの手順は次の如くである。即ち、同図（ｅ）の状態を基点に昇降装置１２Ｂの昇降用モータを駆動することにより挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの互いの距離を遠ざける。これにより、この時点で下側に配置されている挟持部材即ち１０Ｂ上の位置１０Ｂ−１、１０Ｂ−２においてサポートプレートＳが下方から支持されるようになる。それから、多間接ロボットの支持部（図３の多間接ロボット１０の支持部１０−１）を挟持部材１０Ｂの下方から挟持部材１０Ｂの開口領域を通じて挟持部材１０Ｂの上方側へ上昇させ、この動作と共にサポートプレートＳを挟持部材１０Ｂ上から上記多間接ロボットの支持部に載せ変える。そして、サポートプレートＳを一組の挟持部材１０Ｂ、１１Ｂの間から水平に引き抜く。 FIG. 5F shows the state of the reversing unit 17 when the support plate S is unloaded from the pair of sandwiching members 10B and 11B. The procedure for unloading the support plate S is as follows. That is, the distance between the holding members 10B and 11B is increased by driving the lifting motor of the lifting device 12B based on the state shown in FIG. As a result, the support plate S is supported from below at the positions 10B-1 and 10B-2 on the holding member, that is, 10B, which is disposed on the lower side at this time. Then, the support part of the multi-indirect robot (support part 10-1 of the multi-indirect robot 10 in FIG. 3) is raised from below the holding member 10B to the upper side of the holding member 10B through the opening region of the holding member 10B. The support plate S is transferred from the holding member 10B to the support portion of the multi-indirect robot. Then, the support plate S is pulled out horizontally between the pair of clamping members 10B and 11B.
ここで、図３の貼り合わせ装置に構成される残りのユニットの説明に戻る。
貼り合わせユニット１８は、ウエハとサポートプレートとを貼り合わせる装置である。ウエハとサポートプレートとの貼り合わせは、ウエハとサポートプレートとを重ね合わせて、それから、ウエハとサポートプレートとを貼り合わせるのが一般的である。そのため、ここでは、ウエハとサポートプレートとを重ね合わせるための重ね合わせ装置１８Ａを貼り合わせユニット１８内に設けている。上記の貼り合わせユニット１８は、真空ポンプ等により処理室を真空雰囲気にする真空チャンバ１８−１を備えており、真空チャンバ１８−１内に上記重ね合わせ装置１８Ａ及びウエハとサポートプレートとを貼り合わせる機構（図示せず）が設けられている。
Returning to the description of the remaining units configured in the bonding apparatus of FIG.
The bonding unit 18 is a device for bonding the wafer and the support plate. In general, the wafer and the support plate are bonded together by overlapping the wafer and the support plate, and then bonding the wafer and the support plate. Therefore, here, an overlaying device 18A for overlaying the wafer and the support plate is provided in the bonding unit 18. The bonding unit 18 includes a vacuum chamber 18-1 that places the processing chamber in a vacuum atmosphere using a vacuum pump or the like, and the stacking device 18A, the wafer, and the support plate are bonded in the vacuum chamber 18-1. A mechanism (not shown) is provided.
同図に示した重ね合わせ装置１８Ａは、上段の台を引き抜いてサポートプレートを下段の台（下段の台は、後述の下側のプレスプレートと一致する）上のウエハと重ね合わせる従来方式のものである。 The superimposing apparatus 18A shown in the figure is a conventional system that pulls out the upper stage and superimposes the support plate with the wafer on the lower stage (the lower stage coincides with the lower press plate described later). It is.
貼り合わせ機構は、上下にプレスプレートを備え、これらのプレスプレート間に配置されたプレス対象物を所定の圧力で挟み込む装置からなる。
上記プレスプレートは隣接して配置されているセラミックヒータ等の加熱装置からの熱がプレス対象物に伝導するように高い伝導率を有する材料が使用されており、プレス対象物の加熱温度を検出するために熱伝対等が埋め込まれている。また、プレス対象物に加える圧力を検出するために圧力センサ等が設けられている。
The laminating mechanism includes a device that includes press plates on the upper and lower sides and sandwiches a press object disposed between these press plates with a predetermined pressure.
The press plate is made of a material having high conductivity so that heat from a heating device such as a ceramic heater disposed adjacent to the press target is conducted to the press target, and detects the heating temperature of the press target. For this purpose, a thermocouple or the like is embedded. In addition, a pressure sensor or the like is provided to detect the pressure applied to the press object.
この構成下におけるウエハとサポートプレートとの貼り合わせの処理は、ウエハが回路形成面を上に向けた状態で下側のプレスプレート上に置かれているとした場合においては、先ず、サポートプレートの接着層を図５（ａ）〜（ｆ）に示したように反転して下に向けたものをウエハ上に重ね合わせて（ステップＳ１）、続いて真空ポンプ５４４によりチャンバー５４０内を減圧して真空状態にして（ステップＳ２）、それから、上側のプレスプレート５４３を押し下げてサポートプレートの上を向いた面に当接させて（ステップＳ３）、ウエハとサポートプレートとの間の接着層にプレスプレートから熱を加えると共に上側のプレスプレートを下側のプレスプレートに向けて所定の押圧力で押し下げる（ステップＳ４）ようにして行われる。この処理の際、接着層の温度は、熱伝対等の温度検出手段を通じてモニタされ、加熱装置の制御により適切な温度（例えば、ステップＳ４においては、接着層が軟化して接着力が再生する温度）に保たれる。また、上側のプレスプレートがサポートプレートに加える圧力は、接着層がウエハの凹凸の窪みに完全に食込み、サポートプレートの下側の面が回路形成面を傷つけない等の、予め測定により求められた所定の押圧力になるように、圧力センサから圧力を検出して制御される。 When the wafer is placed on the lower press plate with the circuit forming surface facing upward, the process of bonding the wafer and the support plate under this configuration is performed first. As shown in FIGS. 5 (a) to 5 (f), the adhesive layer is turned upside down and overlaid on the wafer (step S 1), and then the inside of the chamber 540 is decompressed by the vacuum pump 544. The vacuum state is set (step S2), and then the upper press plate 543 is pushed down to contact the surface facing the support plate (step S3), and the press plate is applied to the adhesive layer between the wafer and the support plate. Heat is applied and the upper press plate is pushed down with a predetermined pressing force toward the lower press plate (step S4).During this process, the temperature of the adhesive layer is monitored through temperature detection means such as a thermocouple, and is controlled by a heating device to an appropriate temperature (for example, the temperature at which the adhesive layer softens and the adhesive force is regenerated in step S4). ). In addition, the pressure applied by the upper press plate to the support plate was determined in advance by measurement such that the adhesive layer completely bites into the concave and convex recesses of the wafer, and the lower surface of the support plate does not damage the circuit forming surface. Control is performed by detecting the pressure from the pressure sensor so as to obtain a predetermined pressing force.
なお、既に説明したが、図３の貼り合わせ装置１はウエハストッカ１１、サポートプレートストッカ１２、及びアライメント調整ユニット１３を装備している。ウエハストッカ１１は多間接ロボット１０にウエハを供給するための手段として構成されており、サポートプレートストッカ１２は多間接ロボット１０にサポートプレートを供給するための手段として構成されている。また、アライメント調整ユニット１３は、各々のユニットへサポートプレート（又はウエハ）をセットする際にサポートプレート及びウエハのＸＹ方向及びθ方向のアライメントを微調整するための手段として構成されている。 As already described, the bonding apparatus 1 shown in FIG. 3 includes a wafer stocker 11, a support plate stocker 12, and an alignment adjustment unit 13. The wafer stocker 11 is configured as means for supplying a wafer to the multi-indirect robot 10, and the support plate stocker 12 is configured as means for supplying a support plate to the multi-indirect robot 10. The alignment adjustment unit 13 is configured as means for finely adjusting the alignment of the support plate and the wafer in the XY direction and θ direction when setting the support plate (or wafer) to each unit.
以上のように貼り合わせ装置１は、サポートプレートに接着層を形成する塗布ユニット１４、サポートプレートを反転させる反転ユニット１７、及び接着層を設けたサポートプレートをウエハの回路形成面に重ねて貼り合わせる貼り合せユニット１８を備えている。そのため、上記貼り合わせ装置１においては、サポートプレート及びウエハの処理の順序を適宜変更することにより、ウエハの回路パターンに応じた処理をその都度行うことができるようになる。この処理の順序は、例えば、オペレータが１回ごとに手動でウエハ又はサポートプレートを希望のユニットにセットして処理を実行させる、又は、貼り合わせ装置全体の制御を司る制御回路内の記憶部に複数パターンの処理手順や各部の設定データ等が記述されたプログラムを記憶させておき、オペレータにキーボード等の入力装置から一つのパターンを選択させて希望の処理手順を実行させるというようにして、オペレータが複数の処理パターンの中から最適な処理パターンを選択することができる。 As described above, the bonding apparatus 1 has the coating unit 14 for forming the adhesive layer on the support plate, the reversing unit 17 for inverting the support plate, and the support plate provided with the adhesive layer stacked on the circuit formation surface of the wafer. A bonding unit 18 is provided. For this reason, in the bonding apparatus 1, the processing according to the circuit pattern of the wafer can be performed each time by appropriately changing the order of processing of the support plate and the wafer. The order of this processing is, for example, that an operator manually sets a wafer or a support plate in a desired unit every time and executes the processing, or stores it in a storage unit in a control circuit that controls the entire bonding apparatus. A program in which processing procedures for multiple patterns, setting data for each part, and the like are stored is stored, and an operator can select a pattern from an input device such as a keyboard and execute a desired processing procedure. Can select an optimum processing pattern from a plurality of processing patterns.
貼り合わせ装置１の各ユニットがウエハとサポートプレートとで兼用できるものであれば、ウエハの回路パターンに応じて設定を変更して処理順序を適切な順序に変更することにより、回路パターンの異なる複数種類のウエハとサポートプレートの精度の高い貼り合わせが一つの貼り合わせ装置で実施できるようにもなる。 If each unit of the bonding apparatus 1 can be used as both a wafer and a support plate, a plurality of different circuit patterns can be obtained by changing the setting according to the circuit pattern of the wafer and changing the processing order to an appropriate order. It is also possible to perform high-precision bonding of different types of wafers and support plates with a single bonding apparatus.
よって、本貼り合わせ装置でウエハとサポートプレートとの貼り合わせを行えば、回路パターンに制約されずに、空気を噛ませずにウエハとサポートプレートとを貼り合わせることができるようになる。 Therefore, if the wafer and the support plate are bonded together by the bonding apparatus, the wafer and the support plate can be bonded without being restricted by the circuit pattern and without biting air.
また、上記の貼り合わせ方法は、回路パターンに応じて変更するというようなことを行わずに、常に同一の順序で実施してもよい。そのような場合は、塗布ユニットの設定条件を一つにでき、回路パターンに応じて塗布ユニットの設定を変更するようなことが避けられるため、生産タクトを上げることができる。 Moreover, you may always implement the said bonding method in the same order, without performing such a thing as changing according to a circuit pattern. In such a case, the setting condition of the coating unit can be made one, and changing the setting of the coating unit according to the circuit pattern can be avoided, so that the production tact can be increased.
なお、図３の貼り合わせ装置１の塗布ユニット１４、反転ユニット１７、そして貼り合わせユニット１８という順番でサポートプレートを処理させる場合には、ウエハストッカ１１から回路形成面が上を向いたウエハの供給を受けると共に、サポートプレートストッカ１２から接着層を設ける面が上に向いたサポートプレートの供給を受けるようにする。貫通孔のない孔無しサポートプレートを使用する場合は表裏の区別がないため供給時にどちらの面が上を向いていてもよいが、孔あきサポートプレートを使用する場合はサポートプレートの片面に孔を塞ぐためのテープ（ＢＧテープ）を貼り付ける必要があり、テープが付いていない面が接着層を設ける面となる。 When the support plates are processed in the order of the coating unit 14, the reversing unit 17, and the bonding unit 18 of the bonding apparatus 1 in FIG. 3, the wafer is supplied from the wafer stocker 11 with the circuit formation surface facing upward. In addition, the support plate stocker 12 receives the supply of the support plate with the surface on which the adhesive layer is provided facing upward. When using a support plate without holes with no through holes, there is no distinction between the front and the back, so either side may face upward during supply, but when using a perforated support plate, a hole is provided on one side of the support plate. It is necessary to affix a tape (BG tape) for closing, and the surface without the tape is the surface on which the adhesive layer is provided.
塗布ユニット１４、反転ユニット１７、そして貼り合わせユニット１８という順番でサポートプレートを処理させる場合の既述の制御回路における各ユニットの制御例は次の通りである。
先ず、多間接ロボット１０を駆動して、サポートストッカ１１内のサポートプレートを塗布ユニット１４にセットする（ステップＳＢ１）。
A control example of each unit in the control circuit described above when the support plate is processed in the order of the coating unit 14, the reversing unit 17, and the bonding unit 18 is as follows.
First, the multi-indirect robot 10 is driven and the support plate in the support stocker 11 is set in the coating unit 14 (step SB1).
次に、塗布ユニット１４を駆動して、所定の設定条件下で、サポートプレートの上を向いた面に接着剤を塗布する（ステップＳＢ２）。この処理により、サポートプレートの上を向いた面に接着層が形成される。凹凸差が大きい回路パターンに接着剤を塗布する場合に比べサポートプレートは表面が平らであるため、空気を噛ますことなく均等な厚みの接着層を設けることができる。 Next, the coating unit 14 is driven to apply the adhesive to the surface facing the upper side of the support plate under predetermined setting conditions (step SB2). By this treatment, an adhesive layer is formed on the surface facing the upper side of the support plate. Since the surface of the support plate is flat compared to the case where an adhesive is applied to a circuit pattern having a large unevenness difference, an adhesive layer having a uniform thickness can be provided without biting air.
次に、多間接ロボット１０を駆動して、サポートプレートを塗布ユニット１４からベークユニット１５に移動する（ステップＳＢ３）。
次に、ベークユニット１５を駆動して、所定の設定条件下でサポートプレートを加熱する（ステップＳＢ４）。この処理により、サポートプレートに設けられた接着層が硬化する。
Next, the multi-indirect robot 10 is driven to move the support plate from the coating unit 14 to the bake unit 15 (step SB3).
Next, the bake unit 15 is driven to heat the support plate under predetermined setting conditions (step SB4). By this treatment, the adhesive layer provided on the support plate is cured.
次に、多間接ロボット１０を駆動して、サポートプレートをベークユニット１５からクールユニット１６に移動する（ステップＳＢ５）。
次に、クールユニット１６を駆動して、所定の設定条件下でサポートプレートを冷却する（ステップＳＢ６）。この処理により、高温になっているサポートプレートが適正な温度まで冷却される。
Next, the multi-indirect robot 10 is driven to move the support plate from the bake unit 15 to the cool unit 16 (step SB5).
Next, the cool unit 16 is driven to cool the support plate under predetermined setting conditions (step SB6). By this treatment, the support plate that is at a high temperature is cooled to an appropriate temperature.
次に、多間接ロボット１０を駆動して、サポートプレートをクールユニット１６から反転ユニット１７に移動する（ステップＳＢ７）。この処理では、硬化した接着層が上に向けられているサポートプレートが図４（ｂ）に示されるようにして反転ユニット１７にロードされる。 Next, the multi-indirect robot 10 is driven to move the support plate from the cool unit 16 to the reversing unit 17 (step SB7). In this process, the support plate with the hardened adhesive layer facing upward is loaded into the reversing unit 17 as shown in FIG. 4 (b).
次に、反転ユニット１７を駆動して、サポートプレートを上下に反転する（ステップＳＢ８）。この処理では、図５（ｃ）〜図５（ｅ）に示されるようにしてサポートプレートが上下に反転され、サポートプレートの接着層が下向きになる。
次に、多間接ロボット１０を駆動して、ウエハストッカ１１内のウエハを支持部１０−１上に載せる（ステップＳＢ９）。
Next, the inversion unit 17 is driven to invert the support plate up and down (step SB8). In this process, as shown in FIGS. 5C to 5E, the support plate is turned upside down, and the adhesive layer of the support plate faces downward.
Next, the multi-indirect robot 10 is driven to place the wafer in the wafer stocker 11 on the support unit 10-1 (step SB9).
次に、支持部１０−１上のウエハを重ね合わせ装置１８Ａの下段の台にセットする（ステップＳＢ１０）。なお、このときのウエハの回路形成面は、上を向いた状態にある。
次に、多間接ロボット１０を駆動して、図５（ｆ）に示す状態の反転ユニット１７内のサポートプレートを支持部１０−１上に載せる（ステップＳＢ１１）。
Next, the wafer on the support unit 10-1 is set on the lower stage of the superposing apparatus 18A (step SB10). At this time, the circuit forming surface of the wafer is in an upward state.
Next, the multi-indirect robot 10 is driven, and the support plate in the reversing unit 17 in the state shown in FIG. 5F is placed on the support portion 10-1 (step SB11).
次に、多間接ロボット１０を駆動して、サポートプレートを反転ユニット１７から重ね合わせ装置１８Ａの上段の台に移動する（ステップＳＢ１２）。
そして、貼り合わせユニット１８内でウエハとサポートプレートとの貼り合わせの処理を既述したステップＳ１からステップＳ４のように実行する（ステップＳＢ１３）。
Next, the multi-indirect robot 10 is driven to move the support plate from the reversing unit 17 to the upper stage of the superimposing device 18A (step SB12).
Then, the bonding process between the wafer and the support plate is performed in the bonding unit 18 as in Steps S1 to S4 described above (Step SB13).
その後、多間接ロボット１０を駆動して、互いに貼り合わされたウエハ及びサポートプレートを真空チャンバ１８−１内から取り出す（ステップＳＢ１４）。
このようにウエハとサポートプレートを貼り合わせることにより、ウエハとサポートプレートとの間の接着層、接着層とサポートプレートとの境界及び、接着層とウエハとの境界を図２に示したような空気及び気泡のない状態にすることができる。
Thereafter, the multi-indirect robot 10 is driven to take out the wafer and the support plate bonded together from the vacuum chamber 18-1 (step SB14).
By bonding the wafer and the support plate in this manner, the adhesive layer between the wafer and the support plate, the boundary between the adhesive layer and the support plate, and the boundary between the adhesive layer and the wafer as shown in FIG. And no bubbles.
以上のように、本発明の実施の形態においては、サポートプレートに接着層を設けて、サポートプレート上の接着層をウエハの回路形成面に貼り合わせるという手順でウエハとサポートプレートを貼り合わせるようにしている。そのため、凹凸差の激しい回路パターンのウエハに接着剤を塗布する場合に比べると、サポートプレート上の面は平らである（孔なしサポートプレートの場合は特に平らである）ため、サポートプレートとの間に空気を噛ませずに接着層を設けることが容易に行える。それゆえ、接着層に空気が気泡として混入することも回避できる。また、ウエハに直接接着層を設ける場合と比較すると、上記の方法では、サポートプレートをウエハの回路形成面に重ねるときに、その接着層が、窪みに元々あった空気を効率よく外部に押し出すため、回路形成面と接着層との間に空気を噛ませる確率を小さくすることができる。以上のような結果、ウエハの回路形成面と接着層との密着状態が良好に保たれ、空気の混入によるウエハの変形又は破損を大幅に減らすことができる。 As described above, in the embodiment of the present invention, an adhesive layer is provided on the support plate, and the wafer and the support plate are bonded together in the procedure of bonding the adhesive layer on the support plate to the circuit formation surface of the wafer. ing. Therefore, the surface on the support plate is flat (particularly flat in the case of a support plate without holes) compared to the case where adhesive is applied to a wafer with a circuit pattern with a large unevenness. It is easy to provide an adhesive layer without biting air. Therefore, it can be avoided that air is mixed into the adhesive layer as bubbles. Compared with the case where the adhesive layer is directly provided on the wafer, in the above method, when the support plate is overlaid on the circuit forming surface of the wafer, the adhesive layer efficiently pushes the air originally in the depression to the outside. In addition, it is possible to reduce the probability of air being caught between the circuit forming surface and the adhesive layer. As a result, the contact state between the circuit forming surface of the wafer and the adhesive layer can be maintained well, and deformation or breakage of the wafer due to air mixing can be greatly reduced.
また、接着層が設けられたサポートプレートをウエハの回路形成面に重ね合わせるようにして貼り付ける工程を減圧された雰囲気下で行うと、上記効果はより増大する。即ち、減圧された雰囲気下では、回路形成面の窪みに元々入り込んでいる気体も少ないため、回路形成面と接着層との間に空気を噛ませる確率をより小さくすることができる。 In addition, if the step of attaching the support plate provided with the adhesive layer so as to overlap the circuit formation surface of the wafer is performed under a reduced pressure atmosphere, the above effect is further increased. In other words, in a reduced pressure atmosphere, the amount of gas originally entering the depressions on the circuit formation surface is small, so that the probability of air being caught between the circuit formation surface and the adhesive layer can be further reduced.
更に、上記工程を真空雰囲気下で行えば、回路形成面と接着層との間に空気を噛ませることを完全に回避することができる。 Furthermore, if the above process is performed in a vacuum atmosphere, it is possible to completely avoid air from being caught between the circuit forming surface and the adhesive layer.
Ｓ サポートプレート
ＡＤ 接着層
Ｗ ウエハ
Ｓ−１ ウエハＷの上側の面
S Support plate AD Adhesive layer W Wafer S-1 Wafer W upper surface
Claims (3)
前記サポートプレートを反転させる反転手段と、
ウエハの回路形成面と前記サポートプレートとを前記接着層を介して貼り合わせる貼り合わせ手段と、
を備え、
前記貼り合わせ手段は、
真空中にて、前記ウエハの回路形成面と前記反転手段により反転されたサポートプレートとを前記接着層を介して貼り合わせる、
ことを特徴とする貼り合わせ装置。 An adhesive layer forming means for forming an adhesive layer on the support plate;
Reversing means for reversing the support plate;
A bonding means for bonding the circuit forming surface of the wafer and the support plate through the adhesive layer;
With
The bonding means includes
In a vacuum, the circuit forming surface of the wafer and the support plate inverted by the inverting means are bonded together via the adhesive layer.
A bonding apparatus characterized by that.
前記サポートプレートに接着層を設け、
前記接着層を設けたサポートプレートを反転し、
真空中にて、前記ウエハの回路形成面と前記サポートプレートとを前記接着層を介して貼り合わせる、
ことを特徴とする貼り合わせ方法。 A method for bonding a circuit forming surface of a wafer and a support plate,
An adhesive layer is provided on the support plate,
Invert the support plate provided with the adhesive layer,
In a vacuum, the circuit forming surface of the wafer and the support plate are bonded together via the adhesive layer.
A bonding method characterized by that.
貫通孔が設けられており且つ前記サポートプレートに接着層を設ける面の反対面にテープが貼り付けられている、
ことを特徴とする請求項２に記載の貼り合わせ方法。 The support plate is
A through hole is provided and a tape is attached to the surface opposite to the surface on which the adhesive layer is provided on the support plate.
The bonding method according to claim 2.
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