JP2005158686A - カーボンナノチューブの形成方法 - Google Patents
カーボンナノチューブの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005158686A JP2005158686A JP2004217573A JP2004217573A JP2005158686A JP 2005158686 A JP2005158686 A JP 2005158686A JP 2004217573 A JP2004217573 A JP 2004217573A JP 2004217573 A JP2004217573 A JP 2004217573A JP 2005158686 A JP2005158686 A JP 2005158686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- electrode
- carbon nanotube
- polyimide
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 51
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/36—Diameter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
Abstract
【課題】CNTの形成方法が開示される。
【解決手段】基板上に電極を蒸着する段階と、電極上にポリイミド層を形成する段階と、ポリイミド層と電極表面とをエッチングして電極の表面に多数の突起部を形成する段階と、突起部間の電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、触媒金属層の表面にCNTを形成する段階とを含むCNTの形成方法である。 本発明に係るCNTの形成方法によれば、プラズマを利用して電極の表面に多数の突起部を形成し、前記突起部間にCNTを成長させることによって微細な直径のCNTを得られる。したがって、本発明に係る方法によって形成されたCNTが素子に利用されれば、駆動電圧を引き下げ、電界放出特性を向上させうる。
【選択図】図3F
【解決手段】基板上に電極を蒸着する段階と、電極上にポリイミド層を形成する段階と、ポリイミド層と電極表面とをエッチングして電極の表面に多数の突起部を形成する段階と、突起部間の電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、触媒金属層の表面にCNTを形成する段階とを含むCNTの形成方法である。 本発明に係るCNTの形成方法によれば、プラズマを利用して電極の表面に多数の突起部を形成し、前記突起部間にCNTを成長させることによって微細な直径のCNTを得られる。したがって、本発明に係る方法によって形成されたCNTが素子に利用されれば、駆動電圧を引き下げ、電界放出特性を向上させうる。
【選択図】図3F
Description
本発明は、カーボンナノチューブの形成方法に係り、詳細にはプラズマを利用して微細な直径のカーボンナノチューブを形成できる方法に関する。
従来の情報伝達媒体の重要部分である表示装置の代表的な活用分野としては、個人用コンピュータやテレビのモニターなどを挙げられる。このような表示装置は、高速熱電子放出を利用する陰極線管(CRT;Cathode Ray Tube)と、最近急速に発展している平板表示装置とに大きく分類されうる。前記平板表示装置としては、液晶表示素子(LCD;Liquid Crystal Display)、プラズマディスプレーパネル(PDP;Plasma Display Panel)、電界放出表示素子(FED;Field Emission Display)などがある。
FEDは、陰極電極上に一定の間隔で配列された電界放出源にゲート電極から強い電気場を印加することで前記電界放出源から電子を放出させ、この電子を正極電極の蛍光物質に衝突させて発光させる表示装置である。このようなFEDの電界放出源として、従来にはモリブデン(Mo)のような金属からなるマイクロチップが多く使われたが、最近にはカーボンナノチューブ(CNT;Carbon Nano Tube)が主に使われている。このようなCNTを電界放出源として使用するFEDは、広い視野角、高い解像度、低電力及び温度安定性等において長所を有するので、自動車航法装置、電子的な映像装置のビューファインダーなどの多様な分野に利用可能性がある。特に、個人用コンピュータ、PDA(Personal Data Assistants)端末機、医療機器、HDTV(High Definition Television)等で代替ディスプレー装置として利用されうる。そして、LCD等に使われるバックライトでも電界放出源としてCNTが使われうる。
このようなCNTを形成するためには、化学気相蒸着(CVD;Chemical Vapor Deposition)が一般的に使われる。具体的に、まず基板上に形成された電極の表面にマグネトロンスパッタリグや電子ビーム蒸着によって触媒金属を所定の厚さに蒸着してCNTが成長できる触媒金属層を形成する。次に、ほぼ500〜900℃の温度を維持する反応炉内にメタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、エチレン(C2H4)、エタン(C2H6)、一酸化炭素(CO)または二酸化炭素(CO2)のような炭素含有ガスとH2、N2またはArガスとを共に注入しながら、触媒金属層の表面から垂直方向にCNTを成長させる。前記のような工程で、熱処理された状態の触媒金属層の表面及び前記触媒金属層の表面から成長されたCNTを撮ったSEM(Scanning Electron Microsope;走査電子顕微鏡)写真が図1A及び図1Bに図示されている。図1A及び図1Bを参照すれば、触媒金属層には熱処理によって数十nm程度の比較的大きい粒子が形成され、このような粒子各々に対応する大きさの直径を有するCNTが形成される。
一方、CNTは、プラズマ補強(エンハンスド)化学気相蒸着(PECVD;Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)によって形成されうるので、この場合、CNTが成長される前の触媒金属層の表面を撮ったSEM写真が図2に図示されている。図2を参照すれば、触媒金属層には図1Aに図示された粒子と同じような大きさの粒子が形成される。そして、このような粒子各々に対応する大きさの直径を有するCNTが形成される。
以上のように、従来のCVDによってCNTを形成する場合には、比較的大きい直径を有するCNTが形成される。このようにCNTの直径が大きくなると、このCNTを利用した素子を駆動させるためにその駆動電圧を上げなければならない問題点がある。
本発明は、前記のような問題点を解決するために案出されたものであり、プラズマを利用して微細な直径のCNTを形成できる方法を提供することにその目的がある。
前述した目的を達成するために、本発明に係るCNTの形成方法は、基板上に電極を蒸着する段階と、前記電極上にポリイミド層を形成する段階と、前記ポリイミド層と前記電極表面とをエッチングして前記電極の表面に多数の突起部を形成する段階と、前記突起部間の前記電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、及び前記触媒金属層の表面にCNTを形成する段階とを含む。
前記電極は、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)またはタングステン(W)からなることが望ましく、この時、前記電極は電子ビーム蒸着方法またはスパッタリグ方法によって蒸着されうる。そして、前記電極の厚さは1000〜10000Åであることが望ましい。
前記ポリイミド層は、前記電極上にポリイミドをコーティングし、これをソフトベーキングした後、硬化させて形成することが望ましい。この時、前記ポリイミドはスピンコーティング方法または表面張力を利用する方法によって前記電極上にコーティングでき、前記ポリイミドは95℃でソフトベーキングがなされ、350℃で硬化されることが望ましい。そして、前記ポリイミド層の厚さは数μmであることが望ましい。
前記電極上に形成された前記ポリイミド層の表面には多数の突起部が形成される。そして、前記電極表面の突起部は、前記ポリイミド層と前記電極表面とをエッチングすることで前記ポリイミド層表面の突起部に対応する形状に形成される。この時、前記電極表面の突起部間の間隔は数nmであることが望ましい。
前記ポリイミド層と前記電極の表面とは、反応イオンエッチング(RIE、Reactive Ion Etching)方法によってエッチングされる。ここで、前記RIE方法は,反応ガスから発生されたプラズマを利用してエッチングする方法が望ましく、この時前記反応ガスは六フッ化硫黄(SF6)ガス、酸素(O2)ガス及びフッ化メタン(CHF3、Trifluoromethane)ガスを含まれうる。
前記触媒金属層を形成する段階以前に、前記電極の表面に残っているポリイミドを除去する段階がさらに含まれうる。
前記触媒金属層は、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、イトリウム(Y)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)及び金(Au)のグループから選択された少なくとも一つからなることが望ましい。前記触媒金属層は、スパッタリグ方法または電子ビーム蒸着方法によって形成でき、この時前記触媒金属層の厚さは0.5nm〜2nmであることが望ましい。
前記CNTは、熱CVD方法またはプラズマ補強CVD方法によって形成されることが望ましい。この時、前記CNTは、炭素を含有したガスによって前記触媒金属層の表面から成長形成され、前記炭素を含有したガスはCH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO及びCO2のグループから選択された少なくとも一つのガスになりうる。
本発明に係るCNTの形成方法によれば、プラズマを利用して電極の表面に多数の突起部を形成し、前記突起部間にCNTを成長させることによって微細な直径のCNTを得られる。したがって、本発明に係る方法によって形成されたCNTが素子に利用されれば、駆動電圧を引き下げ、電界放出特性を向上させうる。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例に係るCNTの形成方法を詳細に説明する。以下の図面で同じ参照符号は同じ構成要素を意味する。
図3Aないし図3Fは、本発明の実施例に係るCNTの形成方法を説明するための図面である。
まず、図3Aに図示されたように、基板100上に電極102を形成する。前記基板100には、一般的に硝子基板が使われる。そして、前記電極102は、モリブデン、クロムまたはタングステンからなることが望ましい。前記電極102は、電子ビーム蒸着やスパッタリグによってほぼ1000〜10000Å程度の厚さに蒸着できる。
続いて、図3Bに図示されたように、前記電極102上にポリイミド層104を形成する。具体的に、前記ポリイミド層104は、モリブデンからなる電極102上にポリイミドを所定の厚さにコーティングし、このコーティングされたポリイミドをソフトベーキングした後、硬化させることで形成される。ここで、前記ポリイミドは、スピンコーティング方法または表面張力を利用する方法によってほぼ数μm程度の厚さに電極102上にコーティングできる。そして、電極上にコーティングされたポリイミドは、ほぼ95℃でソフトベーキングがなされ、ほぼ350℃で硬化がなされる。この過程でポリイミドに含まれた有機物が除去される。
図4は、基板100上の電極102上にポリイミド層104が形成された状態の断面を示すSEM写真である。図4を参照すれば、電極102上にコーティングされて硬化工程を経たポリイミド層104の表面には、微細に突出された部分が多数形成されていることが確認できる。
次に、図3Cに図示されたように、前記ポリイミド層104をエッチングし始めれば、前記ポリイミド層104の表面には多数の突起部104aが形成される。ここで、前記ポリイミド層104は、RIE方法によってエッチングされることが望ましい。具体的に、反応室内部に反応ガスを注入し、この反応ガスから発生されるプラズマを利用することによって前記ポリイミド層104の表面をエッチングし始める。前記反応室内部には,反応ガスとしてSF6ガス、O2ガス及びCHF3ガスを各々7.5、92.5、7.5sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)の流量で流し、この時前記反応ガスの圧力はほぼ67.5mtorrに維持されることが望ましい。ここで、入力電力はほぼ325Wであることが望ましい。このように、ポリイミド層104の表面がエッチングされ始めれば、前記ポリイミド層104の表面には多数の突起部104aが形成される。
前記のようなエッチング工程は、ポリイミド層104を経て前記電極102の表面がエッチングされる時まで続く。この過程で、エッチングされているポリイミド層104の表面には図3cに図示された突起部104aに対応される形状の突起部が続いて維持され、前記電極102の表面がエッチングされ始めれば、前記電極102の表面にも図3Dに図示されたようにポリイミド層104の表面に形成された突起部104aに対応する多数の突起部102aが形成される。この時、前記電極102表面の突起部102a間の間隔は数nm程度になる。
図5は、電極102の表面に多数の突起部102aが形成された状態を示すSEM写真である。図5を参照すれば、電極102の表面には、ポリイミド層104の表面に形成された突起部104aに対応する多数の突起部102aが形成されていることが確認できる。
続いて、前記電極102表面の突起部102a間に残っているポリイミドを除去して電極102の表面をクリニングする。
次に、図3Eに図示されたように、前記電極102表面の突起部102a間に触媒金属層106を形成する。具体的に、スパッタリグまたは電子ビーム蒸着方法によって前記電極102の表面に触媒金属を蒸着してCNTが成長できる触媒金属層106を形成する。ここで、前記触媒金属層106はほぼ0.5〜2nm程度の比較的薄く形成されるため、前記電極102表面の突起部102a間にだけ触媒金属層106が形成される。前記触媒金属は、W、Ni、Fe、Co、Y、Pd、Pt及びAuのグループから選択された少なくとも一つからなりうる。
最後に、図3Fに図示されたように、電極102表面の突起部102a間にある触媒金属層106の表面にCNT108を形成する。このようなCNT108は、熱CVD方法またはプラズマ補強CVD方法によって成長させて形成できる。詳細には、ほぼ500〜900℃の温度を維持する反応炉内に炭素を含有したガスを注入しながら、電極表面の突起部間にある触媒金属層の表面から垂直方向に多数のCNTを成長させる。前記炭素を含有したガスはCH4、C2H2、C2H4、C2H6、CO及びCO2のグループから選択された少なくとも一つのガスになりうる。この時、成長されるCNT108は、ほぼ数nm程度の直径を有する。
以上、本発明に係る望ましい実施例が説明されたが、これは例示に過ぎず、当業者なら多様な変形及び均等な他実施例が可能であることを理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求範囲により決まるべきである。
本発明のCNTの形成方法は、FEDなどの電界放出源の製造に適用できる。
100 基板
102 電極
102a 突起部
104 ポリイミド層
104a 突起部
106 触媒金属層
108 CNT
102 電極
102a 突起部
104 ポリイミド層
104a 突起部
106 触媒金属層
108 CNT
Claims (21)
- 基板上に電極を蒸着する段階と、
前記電極上にポリイミド層を形成する段階と、
前記ポリイミド層と前記電極表面とをエッチングして前記電極の表面に多数の突起部を形成する段階と、
前記突起部間の前記電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、
前記触媒金属層の表面にカーボンナノチューブを形成する段階とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。 - 前記電極は、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)またはタングステン(W)のいずれか一つからなることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記電極は、電子ビーム蒸着方法またはスパッタリグ方法によって蒸着されることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記電極の厚さは、1000〜10000Åであることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記ポリイミド層は、前記電極上にポリイミドをコーティングし、これをソフトベーキングした後、硬化させて形成されることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記ポリイミドは、スピンコーティング方法または表面張力を利用する方法によって前記電極上にコーティングされることを特徴とする請求項5に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記ポリイミドは、95℃でソフトベーキングがなされ、350℃で硬化がなされることを特徴とする請求項5に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記ポリイミド層の厚さは、数μmであることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記電極上に形成された前記ポリイミド層の表面には、多数の突起部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記電極表面の突起部は、前記ポリイミド層と前記電極表面とをエッチングすることにより、前記ポリイミド層表面の突起部に対応する形状に形成されることを特徴とする請求項8に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記電極表面の突起部間の間隔は、数nmであることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記ポリイミド層と前記電極の表面とは、反応イオンエッチング(RIE)方法によってエッチングされることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記RIE方法は、反応ガスから発生されたプラズマを利用してエッチングする方法であることを特徴とする請求項12に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記反応ガスは、六フッ化硫黄(SF6)ガス、酸素(O2)ガス及びフッ化メタン(CHF3)ガスを含むことを特徴とする請求項13に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒金属層を形成する段階以前に、前記電極の表面に残っているポリイミドを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒金属層は、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、イトリウム(Y)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)及び金(Au)のグループから選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒金属層は、スパッタリグ方法または電子ビーム蒸着方法によって形成されることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記触媒金属層の厚さは、0.5nm〜2nmであることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記カーボンナノチューブは、熱化学気相蒸着方法またはプラズマエンハンスド化学気相蒸着方法によって形成されることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記カーボンナノチューブは、炭素を含有したガスによって前記触媒金属層の表面から成長させて形成されることを特徴とする請求項19に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
- 前記炭素を含有したガスは、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、エチレン(C2H4)、エタン(C2H6)、一酸化炭素(CO)及び二酸化炭素(CO2)のグループから選択された少なくとも一つのガスであることを特徴とする請求項20に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030084726A KR20050051041A (ko) | 2003-11-26 | 2003-11-26 | 카본나노튜브의 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005158686A true JP2005158686A (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=34737844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004217573A Withdrawn JP2005158686A (ja) | 2003-11-26 | 2004-07-26 | カーボンナノチューブの形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060008584A1 (ja) |
JP (1) | JP2005158686A (ja) |
KR (1) | KR20050051041A (ja) |
CN (1) | CN100396602C (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1775261A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-18 | Stabilimenti Tessili Ozella S.p.A. | Synthesis of carbon nanotubes and/or nanofibres on a polymer substrate |
CN100500554C (zh) * | 2005-09-29 | 2009-06-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 碳纳米管制备方法 |
JP2011110587A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Toyota Motor Corp | 表面処理済金型と、その製造方法 |
JP2011146322A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Tohoku Univ | 電界電子放出源用部材及びその製造方法 |
JP2012166988A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Taiyo Nippon Sanso Corp | Cnt製造用の四層型触媒基体、基板炭化層付きcnt、炭化層付きcnt、cnt製法、cnt回収方法及びcnt連続製造装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100664562B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2007-01-03 | 김성훈 | 내열 금속 촉매를 이용한 탄소 나노 필라멘트의 선택성장방법 |
KR100738060B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브의 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의배선 형성 방법 |
KR100917466B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-09-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 전계 방출 면광원 소자 및 그 제조 방법 |
US9506194B2 (en) | 2012-09-04 | 2016-11-29 | Ocv Intellectual Capital, Llc | Dispersion of carbon enhanced reinforcement fibers in aqueous or non-aqueous media |
KR101510597B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2015-04-08 | 전북대학교산학협력단 | 탄소나노튜브 배열구조를 이용한 플렉서블 마이크로 가스센서 및 그 제조방법 |
CN109545637B (zh) * | 2018-12-20 | 2022-01-11 | 上海联影医疗科技股份有限公司 | 一种冷阴极及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3740295B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 |
JP3902883B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2007-04-11 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
JP4536866B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
US6306313B1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Selective etching of thin films |
JP3502082B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2004-03-02 | シャープ株式会社 | 電子源およびその製造方法、並びに、表示装置 |
TWI225556B (en) * | 2000-09-13 | 2004-12-21 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of reflective liquid crystal display |
DE60201689T2 (de) * | 2001-01-05 | 2005-11-03 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung einer Kohlenstoffnanoröhren-Feldemissionsanordnung mit Triodenstruktur |
KR20020060422A (ko) * | 2001-01-11 | 2002-07-18 | 엘지전자 주식회사 | 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 및 그제조방법 |
CN1325372C (zh) * | 2001-07-27 | 2007-07-11 | 萨里大学 | 碳纳米管的制备 |
US6784028B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-08-31 | Nantero, Inc. | Methods of making electromechanical three-trace junction devices |
KR100685924B1 (ko) * | 2002-07-29 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
-
2003
- 2003-11-26 KR KR1020030084726A patent/KR20050051041A/ko not_active Application Discontinuation
-
2004
- 2004-07-26 JP JP2004217573A patent/JP2005158686A/ja not_active Withdrawn
- 2004-07-26 CN CNB2004100549496A patent/CN100396602C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-04 US US10/910,565 patent/US20060008584A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100500554C (zh) * | 2005-09-29 | 2009-06-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 碳纳米管制备方法 |
EP1775261A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-18 | Stabilimenti Tessili Ozella S.p.A. | Synthesis of carbon nanotubes and/or nanofibres on a polymer substrate |
JP2011110587A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Toyota Motor Corp | 表面処理済金型と、その製造方法 |
JP2011146322A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Tohoku Univ | 電界電子放出源用部材及びその製造方法 |
JP2012166988A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Taiyo Nippon Sanso Corp | Cnt製造用の四層型触媒基体、基板炭化層付きcnt、炭化層付きcnt、cnt製法、cnt回収方法及びcnt連続製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060008584A1 (en) | 2006-01-12 |
CN1621340A (zh) | 2005-06-01 |
CN100396602C (zh) | 2008-06-25 |
KR20050051041A (ko) | 2005-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7682973B2 (en) | Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure | |
US6062931A (en) | Carbon nanotube emitter with triode structure | |
US7811625B2 (en) | Method for manufacturing electron-emitting device | |
US7259520B2 (en) | Electron emission device, electron source, and image display having dipole layer | |
JP2002150922A (ja) | 電子放出装置、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法 | |
JP2006224296A (ja) | カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP2006114494A (ja) | カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及びその製造方法 | |
JP2006169097A (ja) | 電気泳動法を利用した炭素ナノチューブの垂直整列方法 | |
US20040099208A1 (en) | Method for forming carbon nanotubes | |
JP2005158686A (ja) | カーボンナノチューブの形成方法 | |
US7160169B2 (en) | Method of forming carbon nanotube emitters and field emission display (FED) including such emitters | |
JP3502804B2 (ja) | カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法 | |
JP2001068016A (ja) | 電子銃及びその製造方法並びにフィールドエミッションディスプレイ | |
US7432217B1 (en) | Method of achieving uniform length of carbon nanotubes (CNTS) and method of manufacturing field emission device (FED) using such CNTS | |
US6882098B2 (en) | Cold cathode electron source | |
EP1455376B1 (en) | Electron-emitting device, electron source, and image display apparatus | |
KR100846480B1 (ko) | 전계방출소자의 제조방법 | |
JP2007280949A (ja) | カーボンナノチューブを利用した電界放出電極及びその製造方法 | |
KR100493696B1 (ko) | 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 표시 소자의 제조 방법 | |
JP2005150091A (ja) | カーボンナノファイバを形成しやすい金属板およびナノカーボンエミッタ | |
JP2005158704A (ja) | カーボンナノファイバを形成しやすい金属板を用いたナノカーボンエミッタおよびその製造方法ならびにフィールドエミッションディスプレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070523 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090529 |