JP2005136149A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題の解決手段】 ウェハ1の裏面側に、各チップ形成予定部分2の中央に一つずつ対応するよう、穴3を形成する第1の工程と、水素アニールを施す第2の工程とからなる半導体素子の製造方法であり、穴3の底部が半導体形成領域を形成するウェハ1の表面側に近づくので、ウェハ1の各チップ形成予定部分2に対して、水素が裏面側から十分に侵入し、半導体素子形成領域に生じている界面準位を回復して、少なくすることができる。
【選択図】 図1
Description
1×1mmのチップを得る場合に、断面円形の穴3を形成するのであれば、各穴3の深さは400〜600μm程度、断面の最大径は300〜600μm程度が好適である。
2 チップ形成予定部分
3 穴
Claims (2)
- ウェハの裏面側に、各チップ形成予定部分に対応するよう凹部を形成する第1の工程と、水素アニールを施す第2の工程とからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
- ウェハの裏面側に、各チップ形成予定部分の中央部に対応するよう穴を形成する第1の工程と、水素アニールを施す第2の工程とからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
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