JP2005136149A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウェハ表面の界面準位を十分に回復し、少なくすることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【課題の解決手段】 ウェハ１の裏面側に、各チップ形成予定部分２の中央に一つずつ対応するよう、穴３を形成する第１の工程と、水素アニールを施す第２の工程とからなる半導体素子の製造方法であり、穴３の底部が半導体形成領域を形成するウェハ１の表面側に近づくので、ウェハ１の各チップ形成予定部分２に対して、水素が裏面側から十分に侵入し、半導体素子形成領域に生じている界面準位を回復して、少なくすることができる。
【選択図】 図１
【課題の解決手段】 ウェハ１の裏面側に、各チップ形成予定部分２の中央に一つずつ対応するよう、穴３を形成する第１の工程と、水素アニールを施す第２の工程とからなる半導体素子の製造方法であり、穴３の底部が半導体形成領域を形成するウェハ１の表面側に近づくので、ウェハ１の各チップ形成予定部分２に対して、水素が裏面側から十分に侵入し、半導体素子形成領域に生じている界面準位を回復して、少なくすることができる。
【選択図】 図１
Description
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に、ウェハの界面準位を回復して、少なくすることができる半導体素子の製造方法に関する。
一般に、ＭＯＳ型の半導体素子においては、シリコン基板等のシリコンと酸化シリコンとの界面に存在する準位、すなわち界面準位が、しきい値電圧の不安定化要因となったり、暗電流の発生原因になる。また、アモルファスシリコンで半導体素子を形成したものにおいては、シリコングレインの表面の界面準位が移動度を低下させる原因となる。このような事態を生じるのは、界面準位は各シリコンの持つ手のうちの少なくとも一つが空きとなり、そこにエレクトロンが入ってクーロン力によりキャリアのパスに影響を及ぼす可能性があるからである。この界面準位は一般に、１〜２×１０１０／ｃｍ２程度までは許容されるが、それより多くなると許容されないものである。
したがって、電気的特性に優れた半導体素子をウェハに形成するには、素子を形成する前に、ウェハ表面（半導体素子を形成する面）の界面準位を十分に回復し、少なくしておくことが必要である。そのために、界面準位、すなわち界面の活性なシリコンの手に、水素を結合することにより、水素とシリコンとを共有結合させ、キャリアのパスに影響を及ぼすクーロン力の発生をなくす技術として、水素雰囲気中でウェハに高温の熱処理を行う水素アニール法が知られている。
特開平８−７８４２７号公報
しかしながら、従来一般に行われている水素アニール法では、ウェハの表裏面が窒化シリコン膜や金属膜で覆われているような場合には、被膜によって水素の侵入が妨げられ、十分に界面準位を回復して、少なくすることができなかった。本発明は、このような従来の不都合を解消し、ウェハ表面の界面準位を十分に回復して、少なくすることができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、本発明の請求項１に係る半導体素子の製造方法は、ウェハの裏面側に、各チップ形成予定部分の一つずつに対応するよう、穴や溝などの凹部を形成する第１の工程と、水素アニールを施す第２の工程とからなるものである。前記凹部の深さは、ウェハの強度を損なわない厚さを残すように設定する。
同じく上記目的を達成するために、本発明の請求項２に係る半導体素子の製造方法は、ウェハの裏面側に、各チップ形成予定部分の中央部に対応するよう穴を形成する第１の工程と、水素アニールを施す第２の工程とからなるものである。
本発明の請求項１に係る半導体素子の製造方法によれば、ウェハ裏面側に、各チップ形成予定部分の一つずつに対応するように設けた凹部から、水素が侵入することにより、半導体素子形成領域に生じている界面準位を十分に回復して、少なくすることができるという効果を奏する。
本発明の請求項２に係る半導体素子の製造方法によれば、ウェハ裏面側に、各チップ形成予定部分の中央部に対応するよう設けた穴から、水素が侵入することにより、半導体素子形成領域に生じている界面準位を、より一層十分に回復して、少なくすることができるという効果を奏する。
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。はじめに、第１の工程として、図１及び図２に示すように、ウェハ１の裏面側に、各チップ形成予定部分２の中央部に対応するよう穴３を形成する。この穴３の形成は、通常のフォトリソグラフィーとエッチングとによって行うもので、穴３の断面形状は特に限定されない。
各穴３の深さと断面の大きさは、ウェハ１の厚み及び各チップ形成予定部分２の大きさに応じて設定する。例えば、厚さ６２５μｍのウェハ１から、縦横
１×１ｍｍのチップを得る場合に、断面円形の穴３を形成するのであれば、各穴３の深さは４００〜６００μｍ程度、断面の最大径は３００〜６００μｍ程度が好適である。
１×１ｍｍのチップを得る場合に、断面円形の穴３を形成するのであれば、各穴３の深さは４００〜６００μｍ程度、断面の最大径は３００〜６００μｍ程度が好適である。
次に、第２の工程として、通常の水素アニールを施す。この水素アニールは４００〜４５０℃で０．５〜１時間行う。この際、穴３の底部が半導体形成領域を形成するウェハ１の表面側に近づくので、ウェハ１の各チップ形成予定部分２に対して、水素が裏面側から十分に侵入し、半導体素子形成領域に生じている界面準位を回復して、少なくすることができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、例えば、穴３の断面形状は、円形のほか、多角形や楕円形などでもよい。また、穴３に換えて、溝を形成してもよい。
１ ウェハ
２ チップ形成予定部分
３ 穴
２ チップ形成予定部分
３ 穴
Claims (2)
- ウェハの裏面側に、各チップ形成予定部分に対応するよう凹部を形成する第１の工程と、水素アニールを施す第２の工程とからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
- ウェハの裏面側に、各チップ形成予定部分の中央部に対応するよう穴を形成する第１の工程と、水素アニールを施す第２の工程とからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| JPH01225130A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04287365A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0878427A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Toshiba Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
| JP2000223674A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2001244270A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-09-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 重水素の貯蔵領域および進入パス |
| JP2003303966A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01225130A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04287365A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0878427A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Toshiba Corp | 半導体基板及びその製造方法 |
| JP2000223674A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2001244270A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-09-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 重水素の貯蔵領域および進入パス |
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