JPH0620984A - 半導体装置の裏面電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の裏面電極形成方法Info
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- JPH0620984A JPH0620984A JP19649492A JP19649492A JPH0620984A JP H0620984 A JPH0620984 A JP H0620984A JP 19649492 A JP19649492 A JP 19649492A JP 19649492 A JP19649492 A JP 19649492A JP H0620984 A JPH0620984 A JP H0620984A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の裏面電極の接着強度およびオー
ミック特性を向上せしめた裏面電極形成方法を得るこ
と。 【構成】 半導体装置の裏面電極形成方法において、半
導体基板例えばシリコンウェーハ１の裏面１２の一部を
エッチングすることにより、エッチングした部分が前記
裏面１２の凹部となるので、前記裏面１２に形成した電
極３ａにもこの凹部と同様の凹部が生じるため、この電
極３ａを半田７３等によりパッケージの電極７２に接着
したとき、機械的アンカー効果により接着を強固にする
ことができる。さらに、上述のエッチング後前記シリコ
ンウェーハ１の裏面１２に不純物層としてリン拡散層５
３を形成すると、前記電極のオーミック特性を向上せし
めることができる。
ミック特性を向上せしめた裏面電極形成方法を得るこ
と。 【構成】 半導体装置の裏面電極形成方法において、半
導体基板例えばシリコンウェーハ１の裏面１２の一部を
エッチングすることにより、エッチングした部分が前記
裏面１２の凹部となるので、前記裏面１２に形成した電
極３ａにもこの凹部と同様の凹部が生じるため、この電
極３ａを半田７３等によりパッケージの電極７２に接着
したとき、機械的アンカー効果により接着を強固にする
ことができる。さらに、上述のエッチング後前記シリコ
ンウェーハ１の裏面１２に不純物層としてリン拡散層５
３を形成すると、前記電極のオーミック特性を向上せし
めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の裏面電極
形成方法に関するものであり、特に裏面電極の接着強度
およびオーミック特性を向上せしめた半導体装置の裏面
電極形成方法に関するものである。
形成方法に関するものであり、特に裏面電極の接着強度
およびオーミック特性を向上せしめた半導体装置の裏面
電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の裏面電極形成方法に
おいて次のような方法が開示されている。即ち、特開昭
５９−２２０９３７号公報においては、半導体ウェーハ
の裏面をプラズマエッチングして粗面化し、この粗面化
した面に裏面電極を蒸着形成することにより、製造歩留
りの向上及び前記ウェーハと裏面電極との接着強度の向
上を図っていた。また特開昭５２−１３５６６８号公報
においては、半導体基板の裏面をガスプラズマエッチン
グ法により所望の厚さだけ除去した後に、前記裏面に金
属膜を付着せしめる方法が開示されている。また前記半
導体ウェーハの厚さを所望の値にするとき、機械研磨等
で研磨し、その後上述のように裏面電極を形成する方法
がある。この方法を図２１〜図２３に示す。図２１にお
いて、Ｎ型シリコンウェーハ９１の裏面に不純物拡散層
９１ａが形成されている。このシリコンウェーハ９１の
厚みが厚すぎるときには、裏面の側から所望の厚みＴと
なるまで研磨する。なおこのときの研磨面はＹ−Ｙ面で
ある。この結果、図２２に示すように不純物拡散層９１
ａは消失する。その後図２３に示すように、この研磨面
９１ｂに裏面電極９２を形成する。
おいて次のような方法が開示されている。即ち、特開昭
５９−２２０９３７号公報においては、半導体ウェーハ
の裏面をプラズマエッチングして粗面化し、この粗面化
した面に裏面電極を蒸着形成することにより、製造歩留
りの向上及び前記ウェーハと裏面電極との接着強度の向
上を図っていた。また特開昭５２−１３５６６８号公報
においては、半導体基板の裏面をガスプラズマエッチン
グ法により所望の厚さだけ除去した後に、前記裏面に金
属膜を付着せしめる方法が開示されている。また前記半
導体ウェーハの厚さを所望の値にするとき、機械研磨等
で研磨し、その後上述のように裏面電極を形成する方法
がある。この方法を図２１〜図２３に示す。図２１にお
いて、Ｎ型シリコンウェーハ９１の裏面に不純物拡散層
９１ａが形成されている。このシリコンウェーハ９１の
厚みが厚すぎるときには、裏面の側から所望の厚みＴと
なるまで研磨する。なおこのときの研磨面はＹ−Ｙ面で
ある。この結果、図２２に示すように不純物拡散層９１
ａは消失する。その後図２３に示すように、この研磨面
９１ｂに裏面電極９２を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにプラズマ
エッチングで半導体ウェーハの裏面を粗面化すると、前
記半導体ウェーハ表面の保護膜も削られるので、前記半
導体ウェーハ表面にダメージが生じ、半導体装置の特性
が劣化する可能性がある。またプラズマエッチングでは
前記粗面の高さは最大数nmのため、前記裏面電極の接着
強度は十分でなかった。また半導体ウェーハと裏面電極
との間でオーミック特性を得ようとした場合、半導体ウ
ェーハに不純物を導入するのが最も効果的である。例え
ばＮ形シリコンウェーハの場合、このＮ形シリコンウェ
ーハの裏面にリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等を導入し、不
純物濃度を１０18個／ｃｍ3 以上にすると、容易にオー
ミック特性がえられる。しかし所望のウェーハ厚とする
ときに、図２１の不純物拡散層９１ａが削られるため、
オーミック特性が得られないという欠点がある。また、
所望のウェーハ厚とした後に、拡散もしくはイオン注入
により不純物導入を行う方法は、半導体装置の製造の途
中で研磨するため、その後の製造工程を研磨粉等で汚染
することになりやすく良策ではない。したがって、本発
明の課題は、上述の欠点をなくし、半導体ウェーハの表
面にダメージが生じなくて、半導体装置の特性が劣化せ
ず、かつ裏面電極の接着強度が十分となる半導体装置の
裏面電極形成方法を提供することである。
エッチングで半導体ウェーハの裏面を粗面化すると、前
記半導体ウェーハ表面の保護膜も削られるので、前記半
導体ウェーハ表面にダメージが生じ、半導体装置の特性
が劣化する可能性がある。またプラズマエッチングでは
前記粗面の高さは最大数nmのため、前記裏面電極の接着
強度は十分でなかった。また半導体ウェーハと裏面電極
との間でオーミック特性を得ようとした場合、半導体ウ
ェーハに不純物を導入するのが最も効果的である。例え
ばＮ形シリコンウェーハの場合、このＮ形シリコンウェ
ーハの裏面にリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等を導入し、不
純物濃度を１０18個／ｃｍ3 以上にすると、容易にオー
ミック特性がえられる。しかし所望のウェーハ厚とする
ときに、図２１の不純物拡散層９１ａが削られるため、
オーミック特性が得られないという欠点がある。また、
所望のウェーハ厚とした後に、拡散もしくはイオン注入
により不純物導入を行う方法は、半導体装置の製造の途
中で研磨するため、その後の製造工程を研磨粉等で汚染
することになりやすく良策ではない。したがって、本発
明の課題は、上述の欠点をなくし、半導体ウェーハの表
面にダメージが生じなくて、半導体装置の特性が劣化せ
ず、かつ裏面電極の接着強度が十分となる半導体装置の
裏面電極形成方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本出願の第一の発明では、半導体基板の裏面に、こ
の基板の一部を露出する開口部を有する耐エッチング性
膜を形成する第一の工程と、この耐エッチング性膜をエ
ッチングマスクとして前記半導体基板の裏面をエッチン
グする第二の工程と、前記耐エッチング性膜を除去する
第三の工程と、前記基板の裏面に電極を形成する第四の
工程とを含む半導体装置の裏面電極形成方法を創りだし
た。また第二の発明では、半導体基板の裏面に、この基
板の一部を露出する開口部を有する耐エッチング性膜を
形成する第一の工程と、この耐エッチング性膜をエッチ
ングマスクとして前記半導体基板の裏面をエッチングす
る第二の工程と、前記耐エッチング性膜を除去する第三
の工程と、前記半導体基板の裏面に不純物を拡散する第
四の工程と、前記基板の裏面に電極を形成する第五の工
程とを含む半導体装置の裏面電極形成方法を創りだし
た。
め、本出願の第一の発明では、半導体基板の裏面に、こ
の基板の一部を露出する開口部を有する耐エッチング性
膜を形成する第一の工程と、この耐エッチング性膜をエ
ッチングマスクとして前記半導体基板の裏面をエッチン
グする第二の工程と、前記耐エッチング性膜を除去する
第三の工程と、前記基板の裏面に電極を形成する第四の
工程とを含む半導体装置の裏面電極形成方法を創りだし
た。また第二の発明では、半導体基板の裏面に、この基
板の一部を露出する開口部を有する耐エッチング性膜を
形成する第一の工程と、この耐エッチング性膜をエッチ
ングマスクとして前記半導体基板の裏面をエッチングす
る第二の工程と、前記耐エッチング性膜を除去する第三
の工程と、前記半導体基板の裏面に不純物を拡散する第
四の工程と、前記基板の裏面に電極を形成する第五の工
程とを含む半導体装置の裏面電極形成方法を創りだし
た。
【０００５】
【作用】上記構成の半導体装置の裏面電極形成方法にお
いて、半導体基板の裏面の一部をエッチングすることに
より、エッチングした部分が前記裏面の凹部となる。そ
のため前記裏面に形成した電極にもこの凹部と同様の凹
部が生じるので、この電極をハンダ等によりパッケージ
の電極に接着したとき、機械的アンカー効果により接着
を強固にすることができる。さらに、上述のエッチング
後半導体基板の裏面に不純物を拡散することによって基
板内部に不純物を導入することができ、その後研磨工程
で基板裏面を研磨して、基板を所望の厚さにしても、先
に導入した不純物を基板に残すことができる。したがっ
てその後上述の電極を形成すると、上述の機械的アンカ
ー効果に加え、前記電極のオーミック特性を向上するこ
とができる。
いて、半導体基板の裏面の一部をエッチングすることに
より、エッチングした部分が前記裏面の凹部となる。そ
のため前記裏面に形成した電極にもこの凹部と同様の凹
部が生じるので、この電極をハンダ等によりパッケージ
の電極に接着したとき、機械的アンカー効果により接着
を強固にすることができる。さらに、上述のエッチング
後半導体基板の裏面に不純物を拡散することによって基
板内部に不純物を導入することができ、その後研磨工程
で基板裏面を研磨して、基板を所望の厚さにしても、先
に導入した不純物を基板に残すことができる。したがっ
てその後上述の電極を形成すると、上述の機械的アンカ
ー効果に加え、前記電極のオーミック特性を向上するこ
とができる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第一の実施例の裏面図、図２
は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図２の続きを示す断面
図、図４は図３の続きを示す断面図である。図１〜図４
において、半導体基板の一種のシリコンウェーハ１の裏
面１２に、このシリコンウェーハ１の一部を露出する開
口部２１ａを有する耐エッチング性膜としてのシリコン
酸化膜２ａを形成し、次にこのシリコン酸化膜２ａをエ
ッチングマスクとして前記シリコンウェーハ１の裏面１
２をエッチングし、その後前記シリコン酸化膜２ａを除
去し、さらに前記シリコンウェーハ１の裏面１２に電極
３ａを形成している。すなわち、図１および図２におい
て、Ｎ型シリコンウェーハ１の表面１１にトランジスタ
等の回路素子を形成する前に、このＮ形シリコンウェー
ハ１の（１００）裏面１２にシリコン酸化膜２ａを１μ
m 厚に形成し、その後このシリコン酸化膜２ａに一辺が
１０〜１００μm の正四角形状の複数の開口部２１ａを
エッチングして形成する。なお真空引きしてシリコンウ
ェーハ１を固定する作業の妨げにならないように、前記
裏面１２の周辺部には前記開口部２１ａを形成しないよ
うにする。またシリコンウェーハ１の表面１１は、図示
しない保護膜例えば酸化膜、窒化膜により被われてい
る。次に、図３に示すように、前記開口部２１ａによ
り、有機アルカリエッチング液（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド２０％）にて、シリコンウェー
ハ１の裏面１２を異方性エッチングする。このようにす
ると、エッチング面が（１００）面１２ａおよび（１１
１）面１２ｂとなる。ここで（１１１）面１２ｂがエッ
チング面となるのは、この（１１１）面１２ｂは原子核
の密度が高いためである。なお前記異方性エッチングで
は、シリコンウェーハ１の深さ方向へのエッチング速度
に比して側方へのエッチング速度が相対的に小さいの
で、シリコン酸化膜２ａのパターンに忠実にプラズマエ
ッチングより深いエッチング加工ができる。このときの
エッチング深さは、図３に示すように開口部２１ａの上
述の一辺の長さより短い程度である。また、前記異方性
エッチングによれば、シリコンウェーハ１の表面１１へ
のダメージがなく、シリコンウェーハ１の裏面１２に均
一で再現性のよい凹凸を形成できることになる。さら
に、図４に示すように、シリコン酸化膜２ａを除去し、
シリコンウェーハ１の裏面１２に裏面電極チタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）層３ａを蒸着す
る。
説明する。図１は本発明の第一の実施例の裏面図、図２
は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図２の続きを示す断面
図、図４は図３の続きを示す断面図である。図１〜図４
において、半導体基板の一種のシリコンウェーハ１の裏
面１２に、このシリコンウェーハ１の一部を露出する開
口部２１ａを有する耐エッチング性膜としてのシリコン
酸化膜２ａを形成し、次にこのシリコン酸化膜２ａをエ
ッチングマスクとして前記シリコンウェーハ１の裏面１
２をエッチングし、その後前記シリコン酸化膜２ａを除
去し、さらに前記シリコンウェーハ１の裏面１２に電極
３ａを形成している。すなわち、図１および図２におい
て、Ｎ型シリコンウェーハ１の表面１１にトランジスタ
等の回路素子を形成する前に、このＮ形シリコンウェー
ハ１の（１００）裏面１２にシリコン酸化膜２ａを１μ
m 厚に形成し、その後このシリコン酸化膜２ａに一辺が
１０〜１００μm の正四角形状の複数の開口部２１ａを
エッチングして形成する。なお真空引きしてシリコンウ
ェーハ１を固定する作業の妨げにならないように、前記
裏面１２の周辺部には前記開口部２１ａを形成しないよ
うにする。またシリコンウェーハ１の表面１１は、図示
しない保護膜例えば酸化膜、窒化膜により被われてい
る。次に、図３に示すように、前記開口部２１ａによ
り、有機アルカリエッチング液（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド２０％）にて、シリコンウェー
ハ１の裏面１２を異方性エッチングする。このようにす
ると、エッチング面が（１００）面１２ａおよび（１１
１）面１２ｂとなる。ここで（１１１）面１２ｂがエッ
チング面となるのは、この（１１１）面１２ｂは原子核
の密度が高いためである。なお前記異方性エッチングで
は、シリコンウェーハ１の深さ方向へのエッチング速度
に比して側方へのエッチング速度が相対的に小さいの
で、シリコン酸化膜２ａのパターンに忠実にプラズマエ
ッチングより深いエッチング加工ができる。このときの
エッチング深さは、図３に示すように開口部２１ａの上
述の一辺の長さより短い程度である。また、前記異方性
エッチングによれば、シリコンウェーハ１の表面１１へ
のダメージがなく、シリコンウェーハ１の裏面１２に均
一で再現性のよい凹凸を形成できることになる。さら
に、図４に示すように、シリコン酸化膜２ａを除去し、
シリコンウェーハ１の裏面１２に裏面電極チタン（Ｔ
ｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）層３ａを蒸着す
る。
【０００７】図５は本発明の第二の実施例の裏面図、図
６は図５のＢ−Ｂ断面図である。図５・図６において、
前記第一の実施例の場合と異なり、前記シリコン酸化膜
２ａの開口部２１ａが１個の場合が示されている。この
場合開口部２１ａの一辺は２ｍｍ位となる。その他は、
前記第一の実施例と同じである。すなわちシリコンウェ
ーハ４の裏面４２に裏面電極３ｂが形成されている。な
お、４１はシリコンウェーハ４の表面、４２ａは前記裏
面４２の（１００）面、４２ｂは前記裏面４２の（１１
１）面である。
６は図５のＢ−Ｂ断面図である。図５・図６において、
前記第一の実施例の場合と異なり、前記シリコン酸化膜
２ａの開口部２１ａが１個の場合が示されている。この
場合開口部２１ａの一辺は２ｍｍ位となる。その他は、
前記第一の実施例と同じである。すなわちシリコンウェ
ーハ４の裏面４２に裏面電極３ｂが形成されている。な
お、４１はシリコンウェーハ４の表面、４２ａは前記裏
面４２の（１００）面、４２ｂは前記裏面４２の（１１
１）面である。
【０００８】図７は本発明の第三の実施例の裏面図、図
８は図７のＣ−Ｃ断面図、図９は図８の続きを示す断面
図、図１０は図９の続きを示す断面図、図１１は図１０
の続きを示す断面図、図１２は図１１の続きを示す断面
図、図１３は図１２の続きを示す断面図である。図７〜
図１３において、半導体基板の一種であるシリコンウェ
ーハ５の裏面５２に、このシリコンウェーハ５の一部を
露出する複数の開口部２１ｂを有する耐エッチング性膜
としてのシリコン酸化膜２ｂを形成し、その後このシリ
コン酸化膜２ｂをエッチングマスクとして前記シリコン
ウェーハ５の裏面５２をエッチングし、次に前記シリコ
ン酸化膜２ｂを除去し、その後前記シリコンウェーハ５
の裏面５２に不純物拡散層としてのリン拡散層５３を形
成し、そして裏面研磨工程においてシリコンウェーハ５
を所望厚さまで研磨した後、前記シリコンウェーハ５の
裏面５２に電極３ｃを形成している。すなわち、図７・
図８において、Ｎ形シリコンウェーハ５の（１００）裏
面５２にシリコン酸化膜２ｂを１μm 形成し、その後こ
のシリコン酸化膜２ｂに一辺が１０〜１００μm の正四
角形状の複数の開口部２１ｂをエッチングして形成す
る。なおシリコンウェーハ５の表面５１は図示しない保
護膜例えば酸化膜・窒化膜にて被われている。
８は図７のＣ−Ｃ断面図、図９は図８の続きを示す断面
図、図１０は図９の続きを示す断面図、図１１は図１０
の続きを示す断面図、図１２は図１１の続きを示す断面
図、図１３は図１２の続きを示す断面図である。図７〜
図１３において、半導体基板の一種であるシリコンウェ
ーハ５の裏面５２に、このシリコンウェーハ５の一部を
露出する複数の開口部２１ｂを有する耐エッチング性膜
としてのシリコン酸化膜２ｂを形成し、その後このシリ
コン酸化膜２ｂをエッチングマスクとして前記シリコン
ウェーハ５の裏面５２をエッチングし、次に前記シリコ
ン酸化膜２ｂを除去し、その後前記シリコンウェーハ５
の裏面５２に不純物拡散層としてのリン拡散層５３を形
成し、そして裏面研磨工程においてシリコンウェーハ５
を所望厚さまで研磨した後、前記シリコンウェーハ５の
裏面５２に電極３ｃを形成している。すなわち、図７・
図８において、Ｎ形シリコンウェーハ５の（１００）裏
面５２にシリコン酸化膜２ｂを１μm 形成し、その後こ
のシリコン酸化膜２ｂに一辺が１０〜１００μm の正四
角形状の複数の開口部２１ｂをエッチングして形成す
る。なおシリコンウェーハ５の表面５１は図示しない保
護膜例えば酸化膜・窒化膜にて被われている。
【０００９】次に、図９に示すように、前記開口部２１
ｂにより、有機アルカリエッチング液（テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド２０％）にて、シリコン
ウェーハ５の裏面５２を異方性エッチングする。このよ
うにすると、エッチング面が（１００）面５２ａおよび
（１１１）面５２ｂとなる。ここで（１１１）面５２ｂ
がエッチング面となるのは、前記第一の実施例と同様に
（１１１）面５２ｂは原子核の密度が高いためである。
またこのときのエッチング深さは上述の図３の場合と同
様である。さらに、図１０に示すように、シリコン酸化
膜２ｂを除去し、その後図１１に示すようにシリコンウ
ェーハ５の裏面５２にリン拡散層５３を形成する。次に
図１２に示すように、Ｘ−Ｘ面で機械研磨して、シリコ
ンウェーハ５の厚さを所望の値にする。この場合前記機
械研磨後も前記エッチングした箇所にリン拡散層５３が
残る。次に図１３に示すようにシリコンウェーハ５の裏
面５２に裏面電極Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ層３ｃを蒸着する。
なお５４は前記機械研磨面である。この場合、上述のよ
うにリン拡散層５３が残るため、優れたオーミック特性
を持つ裏面電極３ｃを形成できる。また、研磨後に不純
物拡散層を形成する必要がないので、半導体装置の製造
工程の汚染がない。
ｂにより、有機アルカリエッチング液（テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド２０％）にて、シリコン
ウェーハ５の裏面５２を異方性エッチングする。このよ
うにすると、エッチング面が（１００）面５２ａおよび
（１１１）面５２ｂとなる。ここで（１１１）面５２ｂ
がエッチング面となるのは、前記第一の実施例と同様に
（１１１）面５２ｂは原子核の密度が高いためである。
またこのときのエッチング深さは上述の図３の場合と同
様である。さらに、図１０に示すように、シリコン酸化
膜２ｂを除去し、その後図１１に示すようにシリコンウ
ェーハ５の裏面５２にリン拡散層５３を形成する。次に
図１２に示すように、Ｘ−Ｘ面で機械研磨して、シリコ
ンウェーハ５の厚さを所望の値にする。この場合前記機
械研磨後も前記エッチングした箇所にリン拡散層５３が
残る。次に図１３に示すようにシリコンウェーハ５の裏
面５２に裏面電極Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ層３ｃを蒸着する。
なお５４は前記機械研磨面である。この場合、上述のよ
うにリン拡散層５３が残るため、優れたオーミック特性
を持つ裏面電極３ｃを形成できる。また、研磨後に不純
物拡散層を形成する必要がないので、半導体装置の製造
工程の汚染がない。
【００１０】図１４は本発明の第四の実施例の裏面図、
図１５は図１４のＤ−Ｄ断面図である。図１４・図１５
において、前記第三の実施例の場合と異なり、前記シリ
コン酸化膜２ｂの開口部２１ｂが１個の場合が示されて
いる。その他は、前記第三の実施例と同じである。すな
わちシリコンウェーハ６の裏面６２に裏面電極３ｄが形
成されている。なお、６１はシリコンウェーハ６の表
面、６２ａは前記裏面６２の（１００）面、６２ｂは前
記裏面６２の（１１１）面、６３はリン拡散層、６４は
機械研磨面である。
図１５は図１４のＤ−Ｄ断面図である。図１４・図１５
において、前記第三の実施例の場合と異なり、前記シリ
コン酸化膜２ｂの開口部２１ｂが１個の場合が示されて
いる。その他は、前記第三の実施例と同じである。すな
わちシリコンウェーハ６の裏面６２に裏面電極３ｄが形
成されている。なお、６１はシリコンウェーハ６の表
面、６２ａは前記裏面６２の（１００）面、６２ｂは前
記裏面６２の（１１１）面、６３はリン拡散層、６４は
機械研磨面である。
【００１１】図１６は前記各実施例の第一の応用例の裏
面図、図１７は図１６のＥ−Ｅ断面図である。図１６・
図１７において、縦形パワーＭ０ＳＦＥＴ７ａの裏面電
極の表面７１はパッケージの電極７２にハンダ層７３に
より接着されている。この場合、前記裏面電極の表面７
１に１個の凹部７１ａが形成されているので、機械的ア
ンカー効果が生じるため、接着の信頼性が向上する。こ
のため半導体装置の電力損失による発熱・周囲温度の変
化等により、前記裏面電極の表面７１およびハンダ層７
３が膨張もしくは収縮しても、両者の接着が強固で容易
には剥離しないようになる。なお、前記ハンダ層７３は
導電性ペーストで置き換えてもよい。また前記裏面電極
の表面７１は前記凹部７１ａにより接触面積が増大する
ので、オーミック特性が向上することになる。
面図、図１７は図１６のＥ−Ｅ断面図である。図１６・
図１７において、縦形パワーＭ０ＳＦＥＴ７ａの裏面電
極の表面７１はパッケージの電極７２にハンダ層７３に
より接着されている。この場合、前記裏面電極の表面７
１に１個の凹部７１ａが形成されているので、機械的ア
ンカー効果が生じるため、接着の信頼性が向上する。こ
のため半導体装置の電力損失による発熱・周囲温度の変
化等により、前記裏面電極の表面７１およびハンダ層７
３が膨張もしくは収縮しても、両者の接着が強固で容易
には剥離しないようになる。なお、前記ハンダ層７３は
導電性ペーストで置き換えてもよい。また前記裏面電極
の表面７１は前記凹部７１ａにより接触面積が増大する
ので、オーミック特性が向上することになる。
【００１２】図１８は前記各実施例の第二の応用例の裏
面図、図１９は図１８のＦ−Ｆ断面図である。図１８・
図１９において、縦形パワーＭ０ＳＦＥＴ７ｂの裏面電
極の表面７６はパッケージの電極７７にハンダ層７８に
より接着されている。この場合において、前記裏面電極
の表面７６に４個の凹部７６ａが形成されているので、
前記第一の応用例と同様に機械的アンカー効果が生じる
ため、接着の信頼性が向上するとともに、オーミック特
性が向上する。なお、前記ハンダ層７８は導電性ペース
トで置き換えてもよい。またこの場合、上述のように４
個の凹部７６ａが形成されているので、前記第一の応用
例よりも前記接着の強度およびオーミック特性が向上す
る。
面図、図１９は図１８のＦ−Ｆ断面図である。図１８・
図１９において、縦形パワーＭ０ＳＦＥＴ７ｂの裏面電
極の表面７６はパッケージの電極７７にハンダ層７８に
より接着されている。この場合において、前記裏面電極
の表面７６に４個の凹部７６ａが形成されているので、
前記第一の応用例と同様に機械的アンカー効果が生じる
ため、接着の信頼性が向上するとともに、オーミック特
性が向上する。なお、前記ハンダ層７８は導電性ペース
トで置き換えてもよい。またこの場合、上述のように４
個の凹部７６ａが形成されているので、前記第一の応用
例よりも前記接着の強度およびオーミック特性が向上す
る。
【００１３】図２０は本発明の第五の実施例の縦断面図
であり、前記図１０に対応するものである。図２０にお
いて、シリコンウェーハ８の（１１０）裏面８２に、Ｋ
ＯＨ水溶液を使用したエッチングにより、複数の深溝８
２ａが形成されている。（１１０）面をＫＯＨ水溶液で
エッチングすると、極めて良好な異方性エッチングが行
われ、深い溝が形成される。この深溝８２ａは前記裏面
電極の表面７１・７６の凹部７１ａ・７６ａと同様ない
しそれ以上の機械的アンカー効果がある。なお８１はシ
リコンウェーハ８の表面である。この第五の実施例の半
導体装置の裏面電極形成方法はバイポーラトランジスタ
に応用しうるものである。
であり、前記図１０に対応するものである。図２０にお
いて、シリコンウェーハ８の（１１０）裏面８２に、Ｋ
ＯＨ水溶液を使用したエッチングにより、複数の深溝８
２ａが形成されている。（１１０）面をＫＯＨ水溶液で
エッチングすると、極めて良好な異方性エッチングが行
われ、深い溝が形成される。この深溝８２ａは前記裏面
電極の表面７１・７６の凹部７１ａ・７６ａと同様ない
しそれ以上の機械的アンカー効果がある。なお８１はシ
リコンウェーハ８の表面である。この第五の実施例の半
導体装置の裏面電極形成方法はバイポーラトランジスタ
に応用しうるものである。
【００１４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体の裏面電極形成方法によれば、半導体装置の裏面電
極をパッケージの電極にハンダ等により接着したときの
接着強度を著しく強固にし、さらにこの電極のオーミッ
ク特性を向上せしめることができる。
導体の裏面電極形成方法によれば、半導体装置の裏面電
極をパッケージの電極にハンダ等により接着したときの
接着強度を著しく強固にし、さらにこの電極のオーミッ
ク特性を向上せしめることができる。
【図１】本発明の第一の実施例の裏面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】前記第一の実施例の断面図であり、図２の続き
を示すものである。
を示すものである。
【図４】前記第一の実施例の断面図であり、図３の続き
を示すものである。
を示すものである。
【図５】本発明の第二の実施例の裏面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】本発明の第三の実施例の裏面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ断面図である。
【図９】前記第三の実施例の断面図であり、図８の続き
を示すものである。
を示すものである。
【図１０】前記第三の実施例の断面図であり、図９の続
きを示すものである。
きを示すものである。
【図１１】前記第三の実施例の断面図であり、図１０の
続きを示すものである。
続きを示すものである。
【図１２】前記第三の実施例の断面図であり、図１１の
続きを示すものである。
続きを示すものである。
【図１３】前記第三の実施例の断面図であり、図１２の
続きを示すものである。
続きを示すものである。
【図１４】本発明の第四の実施例の裏面図である。
【図１５】図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【図１６】前記各実施例の第一の応用例の裏面図であ
る。
る。
【図１７】図１６のＥ−Ｅ断面図である。
【図１８】前記各実施例の第二の応用例の裏面図であ
る。
る。
【図１９】図１８のＦ−Ｆ断面図である。
【図２０】本発明の第五の実施例の断面図である。
【図２１】従来例の断面図である。
【図２２】従来例の断面図であり、図２１の続きを示す
ものである。
ものである。
【図２３】従来例の断面図であり、図２２の続きを示す
ものである。
ものである。
１、４、５、６、８ シリコンウェーハ １２、４２、５２、６２、８２ シリコンウェーハの裏
面 ２ａ、２ｂ シリコン酸化膜 ２１ａ、２１ｂ シリコン酸化膜の開口部 ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ 裏面電極 ５３、６３ リン拡散層
面 ２ａ、２ｂ シリコン酸化膜 ２１ａ、２１ｂ シリコン酸化膜の開口部 ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ 裏面電極 ５３、６３ リン拡散層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の裏面に、この基板の一部を
露出する開口部を有する耐エッチング性膜を形成する第
一の工程と、この耐エッチング性膜をエッチングマスク
として前記半導体基板の裏面をエッチングする第二の工
程と、前記耐エッチング性膜を除去する第三の工程と、
前記基板の裏面に電極を形成する第四の工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の裏面電極形成方法。 - 【請求項２】 半導体基板の裏面に、この基板の一部を
露出する開口部を有する耐エッチング性膜を形成する第
一の工程と、この耐エッチング性膜をエッチングマスク
として前記半導体基板の裏面をエッチングする第二の工
程と、前記耐エッチング性膜を除去する第三の工程と、
前記半導体基板の裏面に不純物を拡散する第四の工程
と、前記基板の裏面に電極を形成する第五の工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の裏面電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19649492A JPH0620984A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 半導体装置の裏面電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19649492A JPH0620984A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 半導体装置の裏面電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620984A true JPH0620984A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16358709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19649492A Pending JPH0620984A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 半導体装置の裏面電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620984A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003163375A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP2006302940A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JP2008511435A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-17 | ジェン−エックス パワー コーポレイション | 電気化学的装置 |
| JP2015056533A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP19649492A patent/JPH0620984A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003163375A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| JP2008511435A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-17 | ジェン−エックス パワー コーポレイション | 電気化学的装置 |
| JP2006302940A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JP2015056533A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9679976B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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