JP2005134145A - 温度センサ回路 - Google Patents
温度センサ回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005134145A JP2005134145A JP2003367444A JP2003367444A JP2005134145A JP 2005134145 A JP2005134145 A JP 2005134145A JP 2003367444 A JP2003367444 A JP 2003367444A JP 2003367444 A JP2003367444 A JP 2003367444A JP 2005134145 A JP2005134145 A JP 2005134145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- temperature sensor
- sensor circuit
- base
- bipolar transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 任意の値の出力電圧が設定でき、所望の出力電圧に対して高精度な出力電圧を得ることができる温度センサ回路を提供する。
【解決手段】 ベース・エミッタ間電圧増倍回路により任意の値の出力電圧を設定し、それにより発生したベース電流誤差をベース電流誤差補償回路で補償する。
【選択図】 図1
【解決手段】 ベース・エミッタ間電圧増倍回路により任意の値の出力電圧を設定し、それにより発生したベース電流誤差をベース電流誤差補償回路で補償する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体集積回路で構成された温度センサ回路に関する。
半導体集積回路で構成された従来の温度センサ回路を図6に示す。一般に温度センサ回路ではバイポーラトランジスタ12のコレクタとベースを同電位にし、エミッタを定電流源11に接続する。すなわちバイポーラトランジスタ12をダイオード接続することにより、バイポーラトランジスタ12のベース・エミッタ間電圧(以下VBEと記載する)が出力端子10に出力される。この場合、一般にVBEは定電流源11の電流値によらず、ある一定の電圧値であることが知られているため、出力端子10に任意の電圧を出力する要求がある場合、その要求に答えることは困難となる。
次にベース・エミッタ間電圧増倍回路(以下VBE増倍回路と記載する)で構成された温度センサ回路を図7に示す。VBE増倍回路18の構成として、バイポーラトランジスタ12のエミッタを定電流源11と抵抗13に接続し、抵抗13と抵抗14を直列に接続する。また抵抗14の他端とバイポーラトランジスタ12のコレクタを同電位にし、バイポーラトランジスタ12のベースを抵抗13と抵抗14に接続する。この場合、出力端子10に出力される電圧をVOUT、抵抗13をR1、抵抗14をR2とし、抵抗13と抵抗14に流れる電流が等しければ、VOUT=VBE・(R1+R2)/R2となる。
以上のことから温度センサ回路を図7の構成にすることで、抵抗13と抵抗14の抵抗比によってVOUTを任意の電圧値に設定できることが知られている(例えば、非特許文献1参照)。
P.R.グレイ/R.G.メイヤ著「Analysis and Design of Analog Integrated Circuits」(第268−270 頁、4.27(a)図)
以上のことから温度センサ回路を図7の構成にすることで、抵抗13と抵抗14の抵抗比によってVOUTを任意の電圧値に設定できることが知られている(例えば、非特許文献1参照)。
P.R.グレイ/R.G.メイヤ著「Analysis and Design of Analog Integrated Circuits」(第268−270 頁、4.27(a)図)
しかしながら、現実問題としてバイポーラトランジスタのベース電流IBが抵抗14に流れる。このとき抵抗13に流れる電流をI1とすると抵抗14に流れる電流I2はI2=I1+IBとなり、抵抗13と抵抗14に流れる電流にベース電流分の誤差が生じるため、狙いどおりのVOUTを設定するのが困難である。またバイポーラトランジスタと抵抗の特性のバラツキにより、狙いどおりのVOUTを設定するのが困難である。
上記問題を達成するために、本発明温度センサ回路において、少なくとも定電流源と、バイポーラトランジスタと抵抗で構成されたベース・エミッタ間電圧増倍回路と、ベース電流誤差補償回路を有することを特徴とする温度センサ回路を提供する。
本発明は、以上説明したように構成されるため、以下に記載されるような効果がある。
半導体集積回路で構成された温度センサ回路において、少なくとも定電流源と、バイポーラトランジスタと抵抗で構成されたベース・エミッタ間電圧増倍回路と、ベース電流誤差補償回路を有することで、任意の値の出力電圧が設定でき、所望の出力電圧に対して高精度な出力電圧を得ることができる。
本発明の第1の実施例の温度センサ回路を図1に示す。図1は図7の温度センサ回路にベース電流誤差補償回路19を設けた温度センサ回路である。ベース電流誤差補償回路19は、例えば図2のようにバイポーラトランジスタ27のベースがMOSトランジスタ26のドレインと接続された状態で、MOSトランジスタ25、26から成るカレントミラー回路28で構成される。なおバイポーラトランジスタ12と27の特性とエミッタ面積サイズは同等のものであり、MOSトランジスタ25と26の特性とトランジスタサイズは同等のものとする。バイポーラトランジスタ27のエミッタをバイポーラトランジスタ12のコレクタに接続し、カレントミラー回路28の一部を構成するMOSトランジスタ25を抵抗13、14に接続する。この場合、バイポーラトランジスタ12と27には等しいコレクタ電流が流れるため、互いに等しいベース電流IBが生じる。これによりバイポーラトランジスタ27で生じたベース電流IBはMOSトランジスタ26に流れる。 一方、カレントミラー回路によりMOSトランジスタ25にはMOSトランジスタ26と同じ電流IBを流そうとするため、バイポーラトランジスタ12で生じたベース電流IBがMOSトランジスタ25に流れる。このことから抵抗13と抵抗14に流れる電流は等しくなり、狙いどおりのVOUTを設定することができる。
本発明の第2の実施例の温度センサ回路を図3に示す。第1の実施例記載の温度センサ回路では、第一の抵抗及び第二の抵抗を固定抵抗として考えているが、バイポーラトランジスタと抵抗の特性のバラツキによる出力電圧VOUTのズレを考慮すると、出力電圧VOUTの微調整が必要不可欠である。この場合、第一の抵抗または第二の抵抗を可変抵抗にすることで出力電圧VOUTを微調整することができ、固定抵抗の場合と比べ、より高精度な出力電圧VOUTを設定することができる。
本発明の第3の実施例の温度センサ回路を図4に示す。図4に示した温度センサ回路は、第2の実施例に記載した温度センサ回路の可変抵抗がMOSスイッチで構成されたものである。この回路構成にすることで、MOSスイッチのON、OFFにより第一の抵抗または第二の抵抗の抵抗値を回路製造後の段階で微調整することができ、高精度な出力電圧VOUTを設定することができる。
本発明の第4の実施例の温度センサ回路を図5に示す。図5に示した温度センサ回路は、第2の実施例に記載した温度センサ回路の可変抵抗がFUSEトリミングで構成されたものである。FUSEのカット、ノンカットにより第3の実施例と同様の効果が得られることは明白である。
10 出力端子
11 定電流源
12,27 バイポーラトランジスタ
13,14,43,44,53,54 抵抗
33,34 可変抵抗
25,26 MOSトランジスタ
18,38,48,58 VBE増倍回路
28 カレントミラー回路
19 ベース電流誤差補償回路
45,46 MOSスイッチ
55,56 FUSE
11 定電流源
12,27 バイポーラトランジスタ
13,14,43,44,53,54 抵抗
33,34 可変抵抗
25,26 MOSトランジスタ
18,38,48,58 VBE増倍回路
28 カレントミラー回路
19 ベース電流誤差補償回路
45,46 MOSスイッチ
55,56 FUSE
Claims (4)
- 少なくとも定電流源と、前記定電流源がエミッタに接続されコレクタが接地されたバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのエミッタとベース間に接続された第一の抵抗と、前記バイポーラトランジスタのベースに接続され片側が接地された第二の抵抗とで構成されたベース・エミッタ間電圧増倍回路からなる温度センサ回路において、第二の抵抗に流れるベース電流による誤差を補償するベース電流誤差補償回路を有する温度センサ回路。
- 前記第一の抵抗または前記第二の抵抗が、可変抵抗である請求項1記載の温度センサ回路。
- 前記第一の抵抗または前記第二の抵抗が、MOSスイッチで可変できるよう構成された請求項1記載の温度センサ回路。
- 前記第一の抵抗または前記第二の抵抗が、FUSEトリミングで可変できるよう構成された請求項1記載の温度センサ回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003367444A JP2005134145A (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 温度センサ回路 |
US10/965,125 US7368973B2 (en) | 2003-10-28 | 2004-10-14 | Temperature sensor circuit |
TW093131578A TW200521417A (en) | 2003-10-28 | 2004-10-18 | Temperature sensor circuit |
KR1020040086709A KR20050040797A (ko) | 2003-10-28 | 2004-10-28 | 온도 센서 회로 |
CNA2004100877787A CN1611922A (zh) | 2003-10-28 | 2004-10-28 | 温度传感器电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003367444A JP2005134145A (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 温度センサ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005134145A true JP2005134145A (ja) | 2005-05-26 |
Family
ID=34567034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003367444A Pending JP2005134145A (ja) | 2003-10-28 | 2003-10-28 | 温度センサ回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7368973B2 (ja) |
JP (1) | JP2005134145A (ja) |
KR (1) | KR20050040797A (ja) |
CN (1) | CN1611922A (ja) |
TW (1) | TW200521417A (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4641164B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2011-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 過熱検出回路 |
US20060262829A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Manlove Gregory J | Infrared temperature sensing device |
US7809519B2 (en) * | 2005-07-18 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | System and method for automatically calibrating a temperature sensor |
US7622903B2 (en) * | 2005-09-02 | 2009-11-24 | Standard Microsystems Corporation | EMI rejection for temperature sensing diodes |
JP4863818B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-01-25 | セイコーインスツル株式会社 | 温度センサ回路 |
US7686508B2 (en) * | 2006-10-21 | 2010-03-30 | Intersil Americas Inc. | CMOS temperature-to-digital converter with digital correction |
US7821320B2 (en) * | 2007-02-07 | 2010-10-26 | Denso Corporation | Temperature detection circuit |
JP4829143B2 (ja) * | 2007-02-17 | 2011-12-07 | セイコーインスツル株式会社 | 温度検出回路 |
US7880459B2 (en) * | 2007-05-11 | 2011-02-01 | Intersil Americas Inc. | Circuits and methods to produce a VPTAT and/or a bandgap voltage |
US7863882B2 (en) * | 2007-11-12 | 2011-01-04 | Intersil Americas Inc. | Bandgap voltage reference circuits and methods for producing bandgap voltages |
JP2010048628A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度センサ回路 |
WO2011014206A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Process, voltage, and temperature sensor |
US8330445B2 (en) * | 2009-10-08 | 2012-12-11 | Intersil Americas Inc. | Circuits and methods to produce a VPTAT and/or a bandgap voltage with low-glitch preconditioning |
US8446140B2 (en) * | 2009-11-30 | 2013-05-21 | Intersil Americas Inc. | Circuits and methods to produce a bandgap voltage with low-drift |
US8278905B2 (en) * | 2009-12-02 | 2012-10-02 | Intersil Americas Inc. | Rotating gain resistors to produce a bandgap voltage with low-drift |
US8864377B2 (en) * | 2012-03-09 | 2014-10-21 | Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Company Limited | CMOS temperature sensor with sensitivity set by current-mirror and resistor ratios without limiting DC bias |
US9335223B2 (en) * | 2012-09-05 | 2016-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Circuits and methods for determining the temperature of a transistor |
US10024153B2 (en) * | 2013-12-16 | 2018-07-17 | Sondex Wireline Limited | Wide temperature range peak hold circuit |
KR102075990B1 (ko) | 2014-01-16 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 온도 감지 회로 |
US11169033B2 (en) * | 2018-05-15 | 2021-11-09 | Microchip Technology Incorporated | Base resistance cancellation method and related methods, systems, and devices |
CN111240391B (zh) * | 2020-01-16 | 2021-09-07 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 一种低电源电压大斜率温度传感器电路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3417211A1 (de) * | 1984-05-10 | 1985-11-14 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Temperatursensor |
US4749889A (en) * | 1986-11-20 | 1988-06-07 | Rca Licensing Corporation | Temperature compensation apparatus |
JPH08222966A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nec Corp | サンプル・ホールド回路 |
US5589792A (en) * | 1995-04-19 | 1996-12-31 | Analog Devices, Inc. | Resistor programmable temperature switch |
US5923208A (en) * | 1996-09-12 | 1999-07-13 | Telecom Semiconductor, Inc. | Low voltage temperature-to-voltage converter |
US6128172A (en) * | 1997-02-12 | 2000-10-03 | Infineon Technologies Ag | Thermal protection circuit with thermally dependent switching signal |
US6956428B1 (en) * | 2004-03-02 | 2005-10-18 | Marvell International Ltd. | Base current compensation for a bipolar transistor current mirror circuit |
-
2003
- 2003-10-28 JP JP2003367444A patent/JP2005134145A/ja active Pending
-
2004
- 2004-10-14 US US10/965,125 patent/US7368973B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-18 TW TW093131578A patent/TW200521417A/zh unknown
- 2004-10-28 KR KR1020040086709A patent/KR20050040797A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-10-28 CN CNA2004100877787A patent/CN1611922A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1611922A (zh) | 2005-05-04 |
TW200521417A (en) | 2005-07-01 |
US7368973B2 (en) | 2008-05-06 |
US20050105586A1 (en) | 2005-05-19 |
KR20050040797A (ko) | 2005-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005134145A (ja) | 温度センサ回路 | |
US7636009B2 (en) | Bias current generating apparatus with adjustable temperature coefficient | |
KR101353199B1 (ko) | 밴드갭 기준 전압 회로 | |
US6384586B1 (en) | Regulated low-voltage generation circuit | |
US20070296392A1 (en) | Bandgap reference circuits | |
US7616050B2 (en) | Power supply circuit for producing a reference current with a prescribable temperature dependence | |
US20150207497A1 (en) | Low-offset bandgap circuit and offset-cancelling circuit therein | |
JP4522299B2 (ja) | 定電流回路 | |
WO2019150744A1 (ja) | 補正電流出力回路及び補正機能付き基準電圧回路 | |
JP2009146116A (ja) | 電子回路 | |
US10228713B1 (en) | Large range current mirror | |
JP2008058015A (ja) | 温度センサ回路 | |
JP2005182113A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP3349047B2 (ja) | 定電圧回路 | |
US9727074B1 (en) | Bandgap reference circuit and method therefor | |
JP4677735B2 (ja) | 定電流源回路 | |
JP2007219901A (ja) | 基準電流源回路 | |
JP2006065439A (ja) | バンドギャップ型基準電圧発生回路 | |
US9547325B2 (en) | Low power bandgap circuit device with zero temperature coefficient current generation | |
JP6716918B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US11762410B2 (en) | Voltage reference with temperature-selective second-order temperature compensation | |
JP2018061115A (ja) | イネーブル信号生成回路 | |
JP2008166905A (ja) | カレントミラー回路 | |
JP2772069B2 (ja) | 定電流回路 | |
US9588538B2 (en) | Reference voltage generation circuit |