JP2005119915A - 半導体プラズマ処理装置用多結晶アルミナセラミックス部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】純度99.5〜99.8重量%のアルミナ原料を用いて焼結される焼結体で、D10が5μm以上、D90が35μm以下の結晶粒径の分布を有することを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
まず、平均粒径が0.1μm以下の水酸化アルミニウム微粒子を大気雰囲気下、1100℃の温度で熱処理することにより不純物が均一な量で含まれる純度99.5重量%のアルミナ原料粒子(一次粒子が多数集合した二次粒子)を作った。
アルミナ原料粒子として住友化学社製商品名AES−11を用い、かつ焼成条件を大気雰囲気中、1600℃にした以外、実施例1と同様な方法により多結晶アルミナ焼結体を製造した。
アルミナ原料粒子として住友化学社製商品名AES−11を用い、かつ焼成条件を大気雰囲気中、1700℃にした以外、実施例1と同様な方法により多結晶アルミナ焼結体を製造した。
アルミナ原料粒子として住友化学社製商品名AES−11を用い、かつ焼成条件を水素雰囲気中、1780℃にした以外、実施例1と同様な方法により多結晶アルミナ焼結体を製造した。
純度99.99重量%のアルミナ原料粒子を用い、かつ焼成条件を水素雰囲気中、1800℃にした以外、実施例1と同様な方法により多結晶アルミナ焼結体を製造した。
Claims (2)
- 純度99.5〜99.8重量%のアルミナ原料を用いて焼成される焼結体で、D10が5μm以上、D90が35μm以下の結晶粒径の分布を有することを特徴とする半導体プラズマ処理装置用多結晶アルミナセラミックス部品。
- 嵩密度が3.97g/cm3以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体プラズマ処理装置用多結晶アルミナセラミックス部品。
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JP2007081382A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-29 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用シリコンリング |
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JP2012201578A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置およびその製造方法 |
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2003
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