JP4356403B2 - 電気光学装置、およびそれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。

マトリクス型の液晶表示装置や有機エレクトロルミネセンス型表示装置などといった電気光学装置では、図１２に示すように、各色（赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂ）に対応する同一サイズのサブ画素１１がマトリクス状に多数、等ピッチで配列されている。ここに示す色配列は、ストライプ配列であり、各色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するサブ画素１１が縦方向に並んでいる（例えば、特許文献１参照）。

このような電気光学装置は、一般に、遮光膜で形成された枠状の見切り５０によって矩形の画像表示領域１ａが規定され、画像表示領域１ａの外周側は、額縁領域１ｂと称せられ、画像の表示には直接、寄与することはない。
特開２００２−２０７２１０号公報

このように構成した電気光学装置では、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３つのサブ画素１１が一つの画素を構成しており、各色のサブ画素１１から出射された色光が合成される結果、カラー画像を表示する。

しかながら、画像表示領域１ａの周縁１ｃ（見切り５０の内周縁５５）に位置するサブ画素１１′では、画像表示領域１ａの中央側のサブ画素１１と違って、３方にしかサブ画素１１が存在しない。このため、画像表示領域１ａの周縁１ｃに位置するサブ画素１１′から出射された色光は、隣接するサブ画素１１から出射された色光と十分、合成されないことになる。その結果、白色画面を表示したとき、図１２に示すカラー配列の例では、画像表示領域１ａの周縁１ｃのうち、左側の端に緑色のスジが見え、右側の端に青色のスジが見えてしまうという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画像表示領域の周縁にスジが見えることを防止可能な電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置において、前記多数のサブ画素はいずれも、透過表示用の光透過窓が形成された反射表示用の光反射層を有し、少なくとも前記光透過窓と平面的に重なる領域に前記透過表示用の透明電極層を有しており、前記多数のサブ画素はいずれも、周囲が遮光膜によって囲まれており、前記画像表示領域の周縁のうち、少なくとも対向する２辺に沿って並ぶ前記サブ画素は、一列分が全て同一の色に対応しており、その他のサブ画素と比較して光反射膜の露出面積が狭く、かつ、光透過窓の面積も狭く、表示光の出射光量が低いことを特徴とする。

本発明は、前記２辺に沿って並ぶサブ画素は、一列分がすべて同一の色に対応している電気光学装置に適用すると特に効果的である。

本発明において、前記多数のサブ画素は、通常、いずれも同一サイズで構成される。

本発明において、前記多数のサブ画素のいずれもが、周囲が遮光膜によって囲まれている場合、前記２辺に沿って並ぶサブ画素の出射光量を低下させるには、前記２辺に沿って並ぶサブ画素については、その他のサブ画素に比較して、前記遮光膜で囲まれた領域を狭くすればよい。

本発明において、前記多数のサブ画素のいずれにも、反射表示用の光反射層が配置されていれば、電気光学装置を反射型電気光学装置として構成できる。

本発明において、前記多数のサブ画素はいずれも、反射表示用の光反射層が配置された領域と、透過表示用の前記光反射層が配置されていない領域とを有し、少なくとも前記光反射層が配置されていない領域と平面的に重なる領域に透過表示用の透明電極層を有することとすれば、半透過反射型の電気光学装置を構成することができる。この場合、前記２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記光反射層が配置されていない領域の面積が狭く、かつ、前記遮光膜で囲まれた前記光反射膜の面積が狭くすれば、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、前記２辺に沿って並ぶサブ画素の出射光量を低下させることができる。

本発明において、電気光学装置を透過電気光学装置として構成する場合、前記多数のサブ画素のいずれにも、透過表示用の透明電極層を形成すればよい。

本発明において、電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記多数のサブ画素のいずれにも、光変調用の液晶セルを形成する。

本発明において、電気光学装置をエレクトロルミネッセンス装置として構成する場合、前記多数のサブ画素のいずれにも、光変調用のエレクトロルミネッセンス素子を構成する。

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器において表示部として用いることができる。

本発明では、画像表示領域内でマトリクス状に配列されたサブ画素のうち、画像表示領域の周縁の少なくとも対向する２辺に沿って並ぶサブ画素については、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量を低くしてあるため、このようなサブ画素から出射された色光が隣接するサブ画素から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１および図２は、本形態の電気光学装置の全体構成を示す平面図、およびその電気的構成を示すブロック図である。図３および図４はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の構成を示す分解斜視図、およびその一部を拡大して示す拡大断面図である。図５は、電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図６は、そのＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。なお、図４および図５には、電気光学装置の画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、およびその他のサブ画素を図示してある。

図１に示す電気光学装置１００は、ネマチック液晶を用いたアクティブマトリクス型の半透過反射型液晶装置であり、各色（赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂ）に対応する同一サイズのサブ画素１１がマトリクス状に多数、配列されている。ここに示す色配列は、ストライプ配列であり、各色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するサブ画素１１が縦方向に並んでいる。

このような電気光学装置１００では、一般に、遮光膜で形成された見切り５０によって、矩形の画像表示領域１ａが規定されており、画像表示領域１ａの外周側は、額縁領域１ｂと称せられ、画像の表示には直接、寄与することはない。

図２に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数本の走査線３１が行（Ｘ）方向に形成され、複数本のデータ線２１が列（Ｙ）方向に形成されている。また、走査線３１とデータ線２１との各交差部分には、サブ画素１１が形成されている。各サブ画素１１では、ネマチック液晶からなる液晶層１２（液晶セル）と、二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ素子４０とが直列接続している。ここに示す例では、液晶層１２が走査線３１の側に接続され、ＴＦＤ素子４０がデータ線２１の側に接続されている。各走査線３１は、走査線駆動回路３５０によって駆動される一方、各データ線２１は、データ線駆動回路２５０によって駆動される構成となっている。

図３に示すように、電気光学装置１００では、一対の透光性基板を所定の間隙を介して貼り合わされた液晶パネル１０が用いられているとともに、上側偏光板２、第１の上側位相差板３、第２の上側位相差板４、液晶パネル１０、第１の下側位相差板５、第２の下側位相差板６、およびバックライト装置９が上方から下方にこの順に重ねて配置されている。

液晶パネル１０において、一方の透光性基板は、アクティブ素子が形成される素子側基板２０であり、他方の透光性基板は、素子側基板２０に対向する対向基板３０である。素子側基板２０と対向基板３０とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１４によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶層１２が封入、保持された構成となっている。

電気光学装置１００では、例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）技術により、素子側基板２０の表面に直接、データ線駆動回路２５０を構成する液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）が実装され、対向基板３０の表面にも直接、走査線駆動回路３５０を構成する液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）が実装されている。なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ＩＣチップと電気光学装置とが接続された構成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボンディングするＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）技術を用いても良い。

図４および図５に示すように、素子側基板２０の内側表面には下地膜２５が形成されているとともに、この下地膜２５の表面には、複数本のデータ線２１と、それらのデータ線２１に接続された複数のＴＦＤ素子４０と、それらのＴＦＤ素子４０と１対１に接続される画素電極２３とが形成されている。画素電極２３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電膜から形成されている。各データ線２１は、直線的に延びている一方、ＴＦＤ素子４０および画素電極２３は、ドットマトリクス状に配列されている。画素電極２３などの表面には、ラビング処理が施された配向膜２４が形成されている。この配向膜２４は、一般にポリイミド樹脂等から形成される。

一方、対向基板３０の内側表面には、凹凸形成層３２の上層側に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などの単層膜、あるいは複層膜からなる光反射層３３と、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層３４１Ｒ、３４２Ｒ、３４１Ｇ、３４２Ｇ、３４１Ｂ、３４２Ｂと、オーバーコート層３５と、ＩＴＯなどの透光性導電膜からなる帯状の対向電極３６と、ポリイミド樹脂等から配向膜３７とが形成されている。光反射層３３は、反射モードでの表示用であり、この光反射層３３には、透過モードでの表示を可能とする光透過窓３３０が形成されている。また、色の異なるカラーフィルタ層の隙間には、遮光膜からなるブラックマトリクス３８が形成されており、カラーフィルタ層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。オーバーコート層３５は、カラーフィルタ層３４１Ｒ、３４２Ｒ、３４１Ｇ、３４２Ｇ、３４１Ｂ、３４２Ｂ、およびブラックマトリクス３８の表面において平滑性を高めている。ここで、対向電極３６は、走査線３１として機能し、データ線２１と直交する方向に形成されている。

図５および図６に示すように、ＴＦＤ素子４０は、第１のＴＦＤ素子４０ａおよび第２のＴＦＤ素子４０ｂからなり、素子基板２０の表面に形成された絶縁膜２５上において、第１金属膜４２と、この第１金属膜４２の表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜４４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜４６ａ、４６ｂとから構成されている。また、第２金属膜４６ａは、そのままデータ線２１となる一方、第２金属膜４６ｂは、画素電極２３に接続されている。

第１のＴＦＤ素子４０ａは、データ線２１の側からみると順番に、第２金属膜４６ａ／酸化膜４４／第１金属膜４２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子４０ｂは、データ線２１の側からみると順番に、第１金属膜４２／酸化膜４４／第２金属膜４６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子４０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、ＴＦＤ素子４０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子４０のみを用いても良い。

なお、ＴＦＤ素子４０は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）バリスタや、ＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などを用いた素子や、これらの素子を、単体、または、逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。

（各サブ画素の詳細な構成）
図３および図４において、本形態の電気光学装置１００では、バックライト装置９から出射された光は、矢印Ｌ１で示すように、液晶パネル１０に入射した後、光反射層３３の光透過窓３３０から液晶層１２に入射し、素子基板２０の側から出射される。その際に、表示光は、各サブ画素１１において液晶層１２によって光変調されて、透過モードでの画像を表示する。

一方、素子基板２０の側から入射した外光は、矢印Ｌ２で示すように、液晶層１２を通って光反射層３３で反射し、再び、液晶層１２を通って素子基板２０の側から出射される。その際に、表示光は、各サブ画素１１において液晶層１２によって光変調されて、反射モードでの画像を表示する。

また、光反射層３３で反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てしまう。そこで、対向基板３０の表面側には、光反射層３３の下層側に凹凸形成層３２が形成され、この凹凸形成層３２によって、光反射層３３の表面には光散乱用の微小な凹凸が形成されている。このような凹凸形成層３２は、２層あるいは１層の感光性樹脂層により形成される。

ここで、反射モードではカラーフィルタ層を２度、通過するが、透過モードでは光がカラーフィルタ層を１度しか通過しない。このため、透過モードでカラー画像を表示すると、反射モードでカラー画像を表示した場合と比較して、色が薄くなるおそれがある。そこで、いずれのサブ画素１１においても、光反射層３３と重なる領域には、反射表示用のカラーフィルタ層３４２Ｒ、３４２Ｇ、３４２Ｂが形成され、光透過窓３３０と平面的に重なる領域には、透過表示用のカラーフィルタ層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂが形成されている。

（各サブ画素の開口率）
図１、図４および図５に示すように、本形態の電気光学装置１００では、いずれのサブ画素１１も等ピッチ、かつ、同一サイズに形成してあるが、画像表示領域１ａの周縁１ｃ（見切り５０の内周縁５５）のうち、少なくとも対向する２辺に沿って並ぶサブ画素１１′については、その他のサブ画素１１と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率（開口率）を小さくして、表示光の出射光量を低くしてある。本形態では、カラーフィルタ層の配列に対応して、画像表示領域１ａの周縁１ｃで縦方向に並ぶサブ画素１１′について開口率を小さくして、これらのサブ画素１１′からの表示光の出射光量を低くしてある。

このように構成するにあたって、電気光学装置１００の対向基板３０では、いずれのサブ画素１１も周囲が遮光膜からなるブラックマトリクス３８、あるいはブラックマトリクス３８と見切り５０とによって囲まれており、本形態では、画像表示領域１ａの周縁１ｃで縦方向に並ぶサブ画素１１′を囲むブラックマトリクス３８および見切り５０を構成する遮光膜については、その縦方向に延びた部分を太くして、サブ画素１１′では、ブラックマトリクス３８および見切り５０で囲まれた領域の面積を狭くしてある。

また、本形態では、画像表示領域１ａの周縁１ｃで縦方向に並ぶサブ画素１１′については、光反射層３３に形成されている光透過窓３３０の面積を狭くしてある。

このため、本形態の電気光学装置１００では、画像表示領域１ａの周縁１ｃに沿って縦方向に並ぶサブ画素１１′については、その他のサブ画素１１と比較して、光反射膜３３の露出面積（光反射層３３のうち、ブラックマトリクス３８あるいは見切り５０で覆われていない領域の面積）が狭く、かつ、光透過窓３３０の面積も狭い。従って、サブ画素１１′については、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、その他のサブ画素１１と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率が小さく、表示光の出射光量が低い。それ故、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、画像表示領域１ａで白表示を行ったとき、画像表示領域１ａの周縁１ｃに沿って縦方向に並ぶサブ画素１１′から出射された色光が、隣接するサブ画素１１から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。すなわち、図１において、画像表示領域１ａの左端に緑のスジが見えることも、右端に青のスジが見えることもない。

［実施の形態２］
実施の形態１では、半透過反射型の電気光学装置に対して本発明を適用した例であるが、反射型の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。

図７は、本形態の反射型の電気光学装置において、画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、およびその他のサブ画素の断面図である。なお、本形態の電気光学装置は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図７において、本形態の電気光学装置１００の対向基板３０には、実施の形態１と同様、光反射層３３の上層に、遮光膜からなるブラックマトリクス３８、およびカラーフィルタ層３４２Ｒ、３４２Ｇ、３４２Ｂが形成されている。但し、本形態の電気光学装置１００は、反射型の液晶装置であり、光反射層３３には、透過モードでの表示を可能とする光透過窓が形成されていない。

このような電気光学装置１００においても、本形態では、いずれのサブ画素１１も等ピッチ、かつ、同一サイズに形成してあるが、画像表示領域１ａの周縁１ｃ（見切り５０の内周縁５５）で縦方向に沿って並ぶサブ画素１１′については、その他のサブ画素１１と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率（開口率）を小さくして、表示光の出射光量を低くしてある。

このように構成するにあたって、本形態の電気光学装置１００では、実施の形態１と同様、いずれのサブ画素１１も周囲が遮光膜からなるブラックマトリクス３８、あるいはブラックマトリクス３８と見切り５０とによって囲まれているが、画像表示領域１ａの周縁１ｃに沿って縦方向に並ぶサブ画素１１′については、それを囲むブラックマトリクス３８および見切り５０の縦方向に延びた部分を太くして、ブラックマトリクス３８および見切り５０で囲まれた領域の面積を狭くしてある。従って、画素１１′については、その他のサブ画素１１と比較して、開口率が小さく、表示光の出射光量が低い。それ故、反射モードにおいて、画像表示領域１ａで白表示を行ったとき、画像表示領域１ａの周縁１ｃに沿って縦方向に並ぶサブ画素１１′から出射された色光が、隣接するサブ画素１１から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。

［実施の形態３］
実施の形態１では、半透過反射型の電気光学装置に対して本発明を適用した例であるが、透過型の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。

図８は、本形態の透過型の電気光学装置において、画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、およびその他の画素の断面図である。なお、本形態の電気光学装置は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図８において、本形態の電気光学装置１００の対向基板３０には、実施の形態１と同様、遮光膜からなるブラックマトリクス３８、およびカラーフィルタ層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂが形成されている。但し、本形態の電気光学装置１００は、透過型の液晶装置であり、光反射層が形成されていない。

このような電気光学装置１００においても、本形態では、いずれのサブ画素１１も等ピッチ、かつ、同一サイズに形成してあるが、画像表示領域１ａの周縁１ｃで縦方向に沿って並ぶサブ画素１１′については、その他のサブ画素１１と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率（開口率）を小さくして、表示光の出射光量を低くしてある。

このように構成するにあたって、電気光学装置１００では、いずれのサブ画素１１も周囲が遮光膜からなるブラックマトリクス３８、あるいはブラックマトリクス３８と見切り５０とによって囲まれており、本形態では、画像表示領域１ａの周縁１ｃ（見切り５０の内周縁５５）で縦方向に並ぶサブ画素１１′については、それを囲むブラックマトリクス３８および見切り５０の縦方向に延びた部分を太くして、ブラックマトリクス３８および見切り５０で囲まれた領域の面積を狭くしてある。従って、サブ画素１１′については、その他のサブ画素１１と比較して、開口率が小さく、表示光の出射光量が低い。それ故、透過モードにおいて、画像表示領域１ａで白表示を行ったとき、画像表示領域１ａの周縁１ｃに沿って縦方向に並ぶサブ画素１１′から出射された色光が、隣接するサブ画素１１から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。

［その他の実施の形態］
上記実施の形態では、カラーフィルタがストライプ配列された電気光学装置１００において、画像表示領域１ａの周縁１ｃで縦方向に並ぶサブ画素１１′について、その他のサブ画素１１と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率（開口率）を小さくして、表示光の出射光量を低くしたが、必要に応じて、横方向に並ぶサブ画素についても、表示光の出射光量を低くしてもよい。

また、上記形態では、カラーフィルタがストライプ配列された対向基板３０に本発明を適用したが、カラーフィルタがデルタ配列あるいはモザイク配列された対向基板３０に本発明を適用してもよい。

また、サブ画素１１、１１′の開口率を規定する遮光膜（ブラックマトリクス３８および見切り５０）については、液晶を保持する一対の基板のいずれの側に形成されている電気光学装置であっても、本発明を適用することができる。

さらに、上記形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ素子４０を用いた例であったが、パッシブマトリクス型の電気光学装置、さらには、図９に示すように、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた電気光学装置、さらには、図１０に示すようなエレクトロルミネッセンス表示装置や、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイなどといった電子放出素子を用いた表示装置等々の電気光学装置に本発明を適用してもよい。

図９は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１０は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。

図９に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数のサブ画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画像信号を各サブ画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。

このように構成した電気光学装置１００ｂでも、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列されるので、本発明を適用してもよい。

図１０に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。

ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応するサブ画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。

また、サブ画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。

ここで、発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数のサブ画素１１５ｐにわたって形成されている。

このように構成した電気光学装置１００ｂでも、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列されるので、本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
図１１は、本形態の電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。

図１１において、携帯電話１４００は、複数の操作ボタン１４０２のほか、受話口１４０４、送話口１４０６とともに、電気光学装置１００、１００ｂ、１００ｐを備えるものである。

なお、本形態の電気光学装置１００、１００ｂ、１００ｐを搭載可能な電子機器としては、携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。

本発明では、画像表示領域内でマトリクス状に配列されたサブ画素のうち、画像表示領域の周縁の少なくとも対向する２辺に沿って並ぶサブ画素については、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量を低くしてあるため、このようなサブ画素から出射された色光が隣接するサブ画素から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。

本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。 図１に示す電気光学装置の構成を示す分解斜視図である。 図１に示す電気光学装置の一部を拡大して示す拡大断面図である。 図１に示す電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数サブ画素分のレイアウトを示す平面図である。 図５のＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る反射型の電気光学装置において、画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、額縁領域に位置するサブ画素、およびその他の画素の断面図である。 本発明の実施の形態３に係る透過型の電気光学装置において、画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、額縁領域に位置するサブ画素、およびその他の画素の断面図である。 画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。 本発明を適用した電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。 従来の電気光学装置の説明図である。

符号の説明

１００、１００ｂ、１００ｐ 電気光学装置、１ａ 画像表示領域、１１、１１′ サブ画素、１２ 液晶層、２０ 素子側基板、２３ 画素電極、３０ 対向基板、３１ 走査線、３３ 光反射層、３６ 対向電極、３８ ブラックマトリクス（遮光膜）４０ ＴＦＤ素子（アクティブ素子）、５０ 凹凸形成層、３３０ 光透過窓、３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂ、３４２Ｒ、３４２Ｇ、３４２Ｂ カラーフィルタ層

Claims (5)

1. 画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置において、
   前記多数のサブ画素はいずれも、透過表示用の光透過窓が形成された反射表示用の光反射層を有し、少なくとも前記光透過窓と平面的に重なる領域に前記透過表示用の透明電極層を有しており、
   前記多数のサブ画素はいずれも、周囲が遮光膜によって囲まれており、
   前記画像表示領域の周縁のうち、少なくとも対向する２辺に沿って並ぶ前記サブ画素は、
   一列分が全て同一の色に対応しており、
   その他のサブ画素と比較して光反射膜の露出面積が狭く、かつ、光透過窓の面積も狭く、
   表示光の出射光量が低いことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、前記多数のサブ画素はいずれも、サイズが等しいことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１ないし２のいずれかにおいて、前記多数のサブ画素はいずれも、周囲が遮光膜によって囲まれており、前記２辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記遮光膜で囲まれた領域が狭いことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記多数のサブ画素はいずれも、光変調用の液晶セルを備えていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１ないし４のいずれかに規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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