JP2005044963A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005044963A JP2005044963A JP2003202413A JP2003202413A JP2005044963A JP 2005044963 A JP2005044963 A JP 2005044963A JP 2003202413 A JP2003202413 A JP 2003202413A JP 2003202413 A JP2003202413 A JP 2003202413A JP 2005044963 A JP2005044963 A JP 2005044963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- module
- multilayer substrate
- diode module
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】シングルモード半導体レーザダイオード（ＬＤ）の優れた特性を保ちつつ、光ピックアップの設計者にとってマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さが得られるＬＤモジュールを提供する。
【解決手段】ＬＤ１２と、ＬＤに高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、高周波重畳回路から生じる電磁波ノイズを低減するＥＭＣ対策部品とを一つのモジュールとして一体化する。多層基板２１の表面にＬＤを実装し、多層基板の内部に高周波重畳回路及びＥＭＣ対策部品の少なくとも一部を内蔵する。ＬＤを除く基板表面の実装部品１８を樹脂モールドする。該樹脂モールド部３１は、モジュールを取付けるときの位置決めガイドとなる。ＬＤの実装部には放熱用スルーホール２０を設ける。
【選択図】 図６
【解決手段】ＬＤ１２と、ＬＤに高周波電流を重畳する高周波重畳回路と、高周波重畳回路から生じる電磁波ノイズを低減するＥＭＣ対策部品とを一つのモジュールとして一体化する。多層基板２１の表面にＬＤを実装し、多層基板の内部に高周波重畳回路及びＥＭＣ対策部品の少なくとも一部を内蔵する。ＬＤを除く基板表面の実装部品１８を樹脂モールドする。該樹脂モールド部３１は、モジュールを取付けるときの位置決めガイドとなる。ＬＤの実装部には放熱用スルーホール２０を設ける。
【選択図】 図６
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザダイオードモジュールに係り、特にＤＶＤやＣＤ、ＭＯドライブ等の光ディスク装置に使用する半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＶＤやＭＯなどの光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置は、半導体レーザダイオード（以下、ＬＤという）を内蔵した光ピックアップを備え、ＬＤにより発生される光をディスクに照射して情報の記録再生を行う。
【０００３】
再生情報を含むディスクからの反射光は、ビームスプリッタによりフォトディテクタ（以下、ＰＤという）に導かれるが、反射光のすべてをＰＤに反射させることは難しく、反射光の一部がＬＤに入射してこれが戻り光ノイズとして再生信号を劣化させる原因となる。
【０００４】
このため、従来の光ピックアップでは、一般に高周波重畳回路によってＬＤの駆動電流に数百ＭＨｚの高周波電流を重畳し、ＬＤのスペクトル線幅を広げて（マルチモード化する）戻り光の影響を排除している。また、高周波電流の重畳に伴い電磁波ノイズが発生することから、これを低減するＥＭＣ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策回路を設ける。
【０００５】
また、このような光ピックアップ装置を開示するものとして、下記特許文献がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２３０８１２号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開平６−２５９７９８号公報
【０００８】
【特許文献３】
特開２００１−３０７３７２号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光ディスク装置ないし光ピックアップをメーカーが設計し製造する場合には通常、ＬＤチップと高周波重畳回路、さらにＥＭＣ対策部品（回路）をそれぞれ用意しこれらを組み合わせて光ディスク装置を構成している。
【００１０】
ところが、高周波重畳回路やＥＭＣ対策部品をＬＤに付加する作業は、装置メーカーの設計者にとって煩わしい作業であり、光ディスク装置の設計および製品化を遅らせる原因となっている。なぜなら、これら高周波重畳回路やＥＭＣ対策部品は、それぞれ単独でその構成を決定できるものではなく、使用するＬＤの種類や特性（波長、入力インピーダンス等）、あるいはＬＤを搭載する基板の回路パターンの如何等々によって最適な回路構成が様々に変わるからである。したがって、光ピックアップを設計するたびごとにかかる重畳回路とＥＭＣ対策部品を設計し、重畳量の調整やＬＤの動作確認、放射ノイズの検査等を行う必要があり、これらに時間と労力を要していた。
【００１１】
また、前記特許文献もこのような高周波重畳およびＥＭＣ対策に伴う問題を解決できる技術を開示するものではない。
【００１２】
一方、ＬＤ自身が自励振動し、したがって高周波重畳回路を必要としないマルチモード（自励式）レーザダイオードを使用することも考えられる。
【００１３】
ところが、マルチモードＬＤは、現状では歩留り良く量産することが難しいうえにシングルモードＬＤと較べて安定した振動を得られる温度範囲が狭く、電力消費量並びに発熱量も多く信頼性に欠ける難がある。特に、波長が短くなるほど（例えばより波長が短いＤＶＤ用等では）エネルギ密度が高くなって発熱量が増大し、安定した制御が難しい。また、大規模な放熱構造が必要となって小型化も困難である。
【００１４】
近年、電子機器から発生されあるいは電子機器が受ける電磁波ノイズを一定レベル以下に抑えること目的としたＥＭＣ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）規制が国際的に強化される一方で、電子機器のライフサイクルは益々短くなる傾向にある。このため、小型化や高機能多機能化と同時に製品の開発、設計に要する期間の短縮が求められている。したがって、重畳回路の設計やＥＭＣ対策に貴重な技術的・資本的あるいは人的な開発資源が裂かれることは、光ディスク装置の製造メーカーにとって好ましい状況とは言えない。
【００１５】
そこで本発明の目的は、シングルモードＬＤの優れた特性を保持しつつ、光ピックアップの設計者にとってマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さを実現することが出来るＬＤモジュールを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成して課題を解決するため、本発明の第一のレーザダイオードモジュール（請求項１）は、ＬＤ（シングルモード半導体レーザダイオード）と、該ＬＤの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路とを一つのモジュールとして一体化したものである。
【００１７】
本発明の第一のモジュールでは、ＬＤと高周波重畳回路とを予め一つのモジュールに組み込み、一つの部品ユニットとして提供する。モジュール内に組み込む高周波重畳回路は、当該ＬＤに対応した（当該ＬＤに適合するよう設計した）ものとする。したがって、光ピックアップの設計者は、高周波重畳回路の回路設計や重畳量の調整作業等に煩わされることなく、当該モジュールをそのまま組み込んで光ピックアップを構成することが出来る。
【００１８】
さらに、本発明の第二のレーザダイオードモジュール（請求項２）は、かかる第一のモジュールにおいて、高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するＥＭＣ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策部品をモジュール内に設ける。
【００１９】
このような第二のモジュール構造によれば、光ピックアップの設計者はＥＭＣ対策についても考慮する必要がないから、光ピックアップの設計をより一層簡便に行うことが出来る。したがって、本発明によれば、シングルモードＬＤが持つ良好な特性（例えば低消費電力、広範な動作温度範囲が得られ安定した動作が可能である点、量産性に優れ、光ピックアップの低コスト化が可能な点等）を保持しつつ、光ピックアップの開発および設計時においてマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さを得ることが出来る。
【００２０】
本発明におけるＥＭＣ対策部品は、使用するＬＤの種類や特性（例えば入力インピーダンス）に応じて最適な部品素子あるいは回路構成を適宜設計するため具体的に特定することは出来ないが、例えばインダクタ（コイル）、キャパシタ（コンデンサ）および抵抗等の受動素子、あるいはこれらの受動素子を複数個組み合わせた回路により構成する。
【００２１】
また、本発明のモジュールは、ＤＶＤ、ＣＤ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ Ｄｉｓｋ）、ＭＯ（光磁気ディスク）、光ビデオディスク、光ＰＣＭオーディオディスクその他の各種の光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置に適用することが可能である。
【００２２】
前記第一および第二のモジュールでは、多層基板の表面にシングルモードＬＤを実装し、該多層基板の内部に高周波重畳回路を構成する回路素子の少なくとも一部を内蔵することが望ましい（請求項３）。
【００２３】
高周波重畳回路を構成する回路素子の少なくとも一部を多層基板の内部に配置することで、モジュールの小型化を図ることが出来るからである。
【００２４】
さらに同様の理由から、好ましくは多層基板の表面にシングルモードＬＤを実装するとともに、ＥＭＣ対策部品を構成する回路素子の少なくとも一部についてもこれを該多層基板に内蔵する（請求項４）。
【００２５】
また、前記多層基板が互いに対向する一対の端辺と互いに対向する一対の側辺とを備える略方形の平面形状を有するものとし、シングルモードＬＤを該一対の側辺の間の略中央でかつ該一対の端辺のうちの一方の端辺の近傍位置に実装することがある（請求項５）。
【００２６】
このように平面略方形の多層基板の両側辺間の中央にＬＤを配置すれば、本モジュールを光ピックアップに組み込み、例えばＬＤの光軸を位置合わせするときにモジュール（基板）のセンタ（中心線）を基準としてこれを行うことが可能となるから、本モジュールを含む光ピックアップの機構設計（部品配置）並びに取付け作業が容易となる。さらに、基板の端辺近くにＬＤを配置すれば、基板表面にＬＤを搭載したときに基板の端部によってレーザ光の進路（光路）が妨げられ、あるいは反射・散乱されることを防ぐことが出来る。
【００２７】
また本発明では、前記多層基板が互いに対向する一対の端辺と互いに対向する一対の側辺とを備える略方形の平面形状を有するものとし、該一対の端辺のうちのいずれか一方の端辺側に外部接続端子を形成することがある（請求項６）。
【００２８】
基板の端辺にまとめて外部接続端子を形成することにより、ＬＤモジュールと該ＬＤモジュールへの各種入出力ライン（例えばＬＤの駆動電流を供給する入力ライン、グランドラインおよびＬＤ制御用ＰＤへの出力ライン）の接続を容易にするためである。
【００２９】
さらに、前記多層基板の表面に表面実装部品を設け、ＬＤを除く該表面実装部品の少なくとも一部を樹脂モールドすることがある（請求項７）。
【００３０】
これにより、表面実装部品の電気的絶縁性を確保し、また表面実装部品を機械的物理的に保護して例えば組立作業時における表面実装部品の破損を防ぐことが出来る。
【００３１】
さらに、表面実装部品をモールドしたかかる樹脂部の外面の少なくとも一部がＬＤモジュールを取り付ける装着部の壁面（例えば光ピックアップの筐体フレームの内壁面等）に当接し、これにより該ＬＤモジュールの位置決めを可能とすることがある（請求項８）。
【００３２】
このようなモジュール構造によれば、モールドに係る樹脂部がさらに位置決めガイドとして機能するから、光ピックアップへのＬＤモジュールの組込み作業をより簡便に効率よく行うことが可能となる。
【００３３】
また、前記多層基板には、ＬＤの放熱を行うスルーホールを形成することがある（請求項９）。
【００３４】
基板表面に実装したＬＤの放熱性を確保するためである。具体的には、例えばＬＤ実装部に、ＬＤと例えば基板裏面のグランドを熱伝導可能に接続する放熱用のビアホールを形成することによりＬＤの放熱を行うことが出来る。かかる放熱用のスルーホールは、例えばめっきスルーホールの内部に熱伝導性材料（例えば導電性樹脂ペースト）を充填した構造とすることが出来る。また、より高い放熱性を確保する必要がある場合には、スルーホール内を埋めるようにめっき金属を析出させ、柱状にめっき金属を形成する所謂フィルドビアとすることが放熱効率の点から好ましい。
【００３５】
本発明の他の目的、特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施の形態（以下、本実施形態という）を説明する。
【００３７】
図１から図６は、本発明に係るＬＤモジュールの一例を示すものである。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【００３８】
図１に示すようにこのＬＤモジュール１１は、光ディスクに対して情報の読み書きを行うためレーザ光を発生させるシングルモードＬＤ１２と、該ＬＤ１２の駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路１３と、ＥＭＣ対策回路１４とを多層基板２１（図２以降参照）を使用してモジュールとして一体化したものである。
【００３９】
ＬＤ１２は、ＬＤ１２の電極パッドと多層基板２１の導体パターンとをワイヤボンディングすることにより多層基板２１の表面に実装してあり、該多層基板２１に形成した導体パターン（図示せず）を介して高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４に接続され、これら高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を介して外部接続端子１５に接続されている。
【００４０】
外部接続端子１５としては、ＬＤ１２に駆動電流を供給するための入力端子１５ｂと、グランド端子１５ｃと、ＬＤ１２を制御するＰＤ（フォトディテクタ）への出力端子１５ａとを備えている。これら外部接続端子１５ａ〜１５ｃは、ＬＤモジュール１１への入出力ラインの接続を容易にするため、基板２１の一端にまとめて設けてある。ＥＭＣ対策回路１４は、インダクタやコンデンサ等の受動素子により構成し、高周波重畳回路１３およびＬＤ１２と外部接続端子１５との間に設ける。
【００４１】
多層基板２１は、例えば絶縁層にセラミックを使用したセラミック多層基板により構成することが出来るが、有機樹脂基板あるいは有機材料に無機フィラーを混入した複合材料からなる複合材料基板とすることも可能である。また多層基板２１は、大きな基板材料を切断し分割することにより個々の基板を形成する、いわゆる集合基板により形成することが出来る。導体パターンは、例えばセラミック板上に導体ペーストを印刷する厚膜法により形成しても良いし、スパッタ等の薄膜法で形成しても構わない。
【００４２】
また、多層基板２１は、略直方体（平面略長方形）の形状を有し、上面から見た場合（図２参照）に互いに対向する一対の端辺２１ａ，２１ｂと互いに対向する一対の側辺２１ｃ，２１ｄとを備える。そしてＬＤ１２は、該一対の側辺２１ｃ，２１ｄの間の略中央（基板２１の長手方向に沿った中心線２０上）でかつ一対の端辺２１ａ，２１ｂのうちの一方の端辺２１ａ（前記外部接続端子１５と反対側の端）の近傍位置に配置する。ＬＤモジュール１１を光ピックアップに組み込むときにＬＤ１２の光軸の位置合わせを容易にするとともに、基板２１の端辺近くにＬＤを配置することで基板端部によってレーザの光路が妨げられることを防ぐためである。
【００４３】
さらに、ＬＤ１２から出射されるレーザ光は、完全な平行光ではなく一定の広がりを持つが、この広がりは水平方向と垂直方向とで同一ではない。このため、後段の光学系の構成あるいはディスクとの配置関係等によって、光軸を中心としてＬＤ１２を若干（数度程度）回転させて取り付ける必要が生じることがある。このような場合、本実施形態のようにＬＤ１２をモジュール１１の中心（長手方向に沿った中心線２０上）に搭載し、ＬＤ１２の光軸とモジュール１１（基板２１）の中心線とを一致させておけば、ＬＤ１２の光軸の位置ずれを生じることなくモジュール１１の中心線２０を基準としてモジュール１１を回転させることが可能となるから、ユーザ（光ディスク装置の製造メーカー）にとって設計し易く、使い勝手の良いＬＤモジュールを提供することが出来る。
【００４４】
尚、ＬＤ１２は、基板２１の端辺２１ａに接する位置（端辺２１ａぎりぎりの位置）ではなく、これより内方に後退させた位置に配置することが望ましい。ＬＤモジュール１１の取付けあるいは取扱い時等にＬＤ１２をぶつけて破損するような事故を防ぐとともに基板長手方向に位置ずれ誤差が生じたとしても基板上に確実にＬＤ１２を載せる（実装する）ことが出来るようにするためである。
【００４５】
多層基板２１の表面には、ＬＤ１２のほか、高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を構成するトランジスタ等の能動素子やチップコンデンサや抵抗のような表面実装部品１８を実装する。そして、これら表面実装部品１８を樹脂モールドして封止する。このモールド部分（樹脂部）３１は、基板表面の表面実装部品１８を物理的機械的な破損から保護しかつ電気的絶縁性を確保するものであるが、同時に、本ＬＤモジュール１１を光ピックアップ（光ディスク装置）に取り付けるときの位置決めガイドとしての機能をも奏するものである。
【００４６】
すなわち、樹脂部３１は、図３〜図６から明らかなように略平坦な上面を有しかつ一定の肉厚ｚ１を有する。このため、ＬＤモジュール１１は、一定の厚さ寸法ｚ０を有することとなる。したがって、図２、図３および図５に示すように、モジュール１１の幅方向をｘ軸、長手方向をｙ軸、厚さ方向をｚ軸とする３次元直交座標を考えると、ｘ方向の位置決めは例えば基板２１の幅ｘ０によって、ｙ方向の位置決めは例えば基板２１の端辺２１ａを当接させることにより、さらにｚ方向の位置決めは例えばモジュール１１の厚さｚ０によって、それぞれ位置規制し本ＬＤモジュール１１を位置決めすることが可能となる。
【００４７】
ＬＤモジュール１１を受け入れこれを固定する光ピックアップ（光ディスク装置）側の固定部の構造は特に問わない。例えばＬＤモジュール１１がちょうど嵌まり込む穴や凹部等を光ピックアップ（光ディスク装置）の筐体フレームに形成し、該固定部にＬＤモジュール１１を挿入し嵌合させるようにすることが出来る。この場合、該固定部の内面寸法を、幅がＬＤモジュール１１の幅寸法ｘ０に、高さがＬＤモジュール１１の厚さ寸法ｚ０となるよう設定しておけば良い。
【００４８】
さらに樹脂部３１は、その高さｚ１（厚さ）がＬＤ１２の高さより大きく（図３参照）、またＬＤ１２の左右を取り囲むように２本のアーム部３１ａ（図２参照）を有する。これにより、ＬＤモジュール１１の取り扱い時にＬＤ１２が損傷を受けることを防ぐことが出来る。
【００４９】
基板２１の内部には、高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を構成する受動素子（インダクタ、コンデンサ）や導体パターン（図６において符号１９で示す）を形成する。このように高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を構成する受動素子の一部を多層基板２１の内部に形成すれば、ＬＤモジュール１１を小型化することが出来る。
【００５０】
さらに、多層基板２１のＬＤ１２を搭載した部分には、放熱のための導体パターンとスルーホール２０を設け、ＬＤ１２から発生される熱をこれら導体パターンおよびスルーホール２０を通じて基板裏面のグランドパターン３５に逃がして放熱を行う。この放熱用スルーホール２０は、既に述べたように、例えばめっきスルーホールの内部に熱伝導性材料を充填した構造としても良いし、より高い放熱性を確保するため、柱状にめっき金属を析出させスルーホール内を充填した所謂フィルドビアとすることも可能である。
【００５１】
表１は、本実施形態に係るＬＤモジュールの利点を従来のシングルモードＬＤおよびマルチモードＬＤと対比して示す表である。
【表１】
【００５２】
同表に示すように、シングルモードＬＤは、使用温度範囲、レーザの発熱量、消費電流、信頼性および入手性の各面で優れるが、ＬＤに外付けで高周波重畳回路を設け、ＥＭＣ対策回路を配して放射ノイズ対策を行わなければならない難点がある。また、マルチモードＬＤは、高周波重畳回路を設ける必要がなく、ＥＭＣ対策を考慮する必要はないという利点を有する一方で、安定した振動を得られる温度範囲が狭く、シングルモードＬＤに較べて発熱量とレーザの動作（消費）電流が大きく、発熱および温度特性に起因して信頼性が低いという問題がある。さらに歩留り良く量産することが難しく、市場に対し十分な供給量がなく入手が容易でないという難点がある。
【００５３】
これに対して本発明（本実施形態）のＬＤモジュールは、モジュール内に高周波重畳回路を内蔵させ、かつモジュール内で予めＥＭＣ対策を施すから、光ピックアップの設計者はＥＭＣ対策を考慮する必要がなく、その設計および調整の煩わしさから解放される。加えてシングルモードＬＤの優れた特性、すなわち放射ノイズ対策、使用温度範囲、レーザの発熱量、消費電流、信頼性並びに入手性におけるすべての利点を享受することが出来る。また、コスト面においても同程度の価格を維持することが可能である。このように、本実施形態によれば、光ピックアップの設計を容易にすることができ、マルチモードＬＤ並みの扱い易さと、シングルモードＬＤの優れた特性とを同時に得ることが可能となる。
【００５４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者にとって明らかである。例えば、本発明のＬＤモジュールに搭載するＬＤは、高周波重畳回路を必要とするシングルモードＬＤであれば、波長の長短を問わない。例えば可視光ＬＤであっても良いし、より波長の短い青紫色ＬＤであっても構わない。さらに、モジュールに搭載（一体化）するＬＤの数は、必ずしも１個に限定されることはなく、例えば、波長の異なる複数（例えば２個）のＬＤを本発明のモジュールに組み込み、例えばＣＤとＤＶＤの記録再生を兼ね備えたＬＤモジュールを構成することも可能である。また、使用する光ディスク装置は、その種類を限定されず、例えばＤＶＤ、ＣＤ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ Ｄｉｓｋ）、ＭＯ（光磁気ディスク）、光ビデオディスク、光ＰＣＭオーディオディスクその他の光ディスク装置に使用可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のＬＤモジュールによれば、シングルモードＬＤの優れた特性を保持しつつ、光ピックアップの設計者にとってマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＬＤモジュールの一例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す正面図（ＬＤ搭載側の面）である。
【図４】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す背面図（外部接続端子形成側の面）である。
【図５】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す側面図である。
【図６】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す断面図（図２のＡ−Ａ断面）である。
【符号の説明】
１１ ＬＤモジュール
１２ シングルモードＬＤ
１３ 高周波重畳回路
１４ ＥＭＣ対策回路
１５ 外部接続端子
１８ 表面実装部品
１９ 受動素子および導体パターン
２０ 放熱用スルーホール
２１ 多層基板
３１ 樹脂部
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザダイオードモジュールに係り、特にＤＶＤやＣＤ、ＭＯドライブ等の光ディスク装置に使用する半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＶＤやＭＯなどの光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置は、半導体レーザダイオード（以下、ＬＤという）を内蔵した光ピックアップを備え、ＬＤにより発生される光をディスクに照射して情報の記録再生を行う。
【０００３】
再生情報を含むディスクからの反射光は、ビームスプリッタによりフォトディテクタ（以下、ＰＤという）に導かれるが、反射光のすべてをＰＤに反射させることは難しく、反射光の一部がＬＤに入射してこれが戻り光ノイズとして再生信号を劣化させる原因となる。
【０００４】
このため、従来の光ピックアップでは、一般に高周波重畳回路によってＬＤの駆動電流に数百ＭＨｚの高周波電流を重畳し、ＬＤのスペクトル線幅を広げて（マルチモード化する）戻り光の影響を排除している。また、高周波電流の重畳に伴い電磁波ノイズが発生することから、これを低減するＥＭＣ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策回路を設ける。
【０００５】
また、このような光ピックアップ装置を開示するものとして、下記特許文献がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２３０８１２号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開平６−２５９７９８号公報
【０００８】
【特許文献３】
特開２００１−３０７３７２号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光ディスク装置ないし光ピックアップをメーカーが設計し製造する場合には通常、ＬＤチップと高周波重畳回路、さらにＥＭＣ対策部品（回路）をそれぞれ用意しこれらを組み合わせて光ディスク装置を構成している。
【００１０】
ところが、高周波重畳回路やＥＭＣ対策部品をＬＤに付加する作業は、装置メーカーの設計者にとって煩わしい作業であり、光ディスク装置の設計および製品化を遅らせる原因となっている。なぜなら、これら高周波重畳回路やＥＭＣ対策部品は、それぞれ単独でその構成を決定できるものではなく、使用するＬＤの種類や特性（波長、入力インピーダンス等）、あるいはＬＤを搭載する基板の回路パターンの如何等々によって最適な回路構成が様々に変わるからである。したがって、光ピックアップを設計するたびごとにかかる重畳回路とＥＭＣ対策部品を設計し、重畳量の調整やＬＤの動作確認、放射ノイズの検査等を行う必要があり、これらに時間と労力を要していた。
【００１１】
また、前記特許文献もこのような高周波重畳およびＥＭＣ対策に伴う問題を解決できる技術を開示するものではない。
【００１２】
一方、ＬＤ自身が自励振動し、したがって高周波重畳回路を必要としないマルチモード（自励式）レーザダイオードを使用することも考えられる。
【００１３】
ところが、マルチモードＬＤは、現状では歩留り良く量産することが難しいうえにシングルモードＬＤと較べて安定した振動を得られる温度範囲が狭く、電力消費量並びに発熱量も多く信頼性に欠ける難がある。特に、波長が短くなるほど（例えばより波長が短いＤＶＤ用等では）エネルギ密度が高くなって発熱量が増大し、安定した制御が難しい。また、大規模な放熱構造が必要となって小型化も困難である。
【００１４】
近年、電子機器から発生されあるいは電子機器が受ける電磁波ノイズを一定レベル以下に抑えること目的としたＥＭＣ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）規制が国際的に強化される一方で、電子機器のライフサイクルは益々短くなる傾向にある。このため、小型化や高機能多機能化と同時に製品の開発、設計に要する期間の短縮が求められている。したがって、重畳回路の設計やＥＭＣ対策に貴重な技術的・資本的あるいは人的な開発資源が裂かれることは、光ディスク装置の製造メーカーにとって好ましい状況とは言えない。
【００１５】
そこで本発明の目的は、シングルモードＬＤの優れた特性を保持しつつ、光ピックアップの設計者にとってマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さを実現することが出来るＬＤモジュールを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成して課題を解決するため、本発明の第一のレーザダイオードモジュール（請求項１）は、ＬＤ（シングルモード半導体レーザダイオード）と、該ＬＤの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路とを一つのモジュールとして一体化したものである。
【００１７】
本発明の第一のモジュールでは、ＬＤと高周波重畳回路とを予め一つのモジュールに組み込み、一つの部品ユニットとして提供する。モジュール内に組み込む高周波重畳回路は、当該ＬＤに対応した（当該ＬＤに適合するよう設計した）ものとする。したがって、光ピックアップの設計者は、高周波重畳回路の回路設計や重畳量の調整作業等に煩わされることなく、当該モジュールをそのまま組み込んで光ピックアップを構成することが出来る。
【００１８】
さらに、本発明の第二のレーザダイオードモジュール（請求項２）は、かかる第一のモジュールにおいて、高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するＥＭＣ（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）対策部品をモジュール内に設ける。
【００１９】
このような第二のモジュール構造によれば、光ピックアップの設計者はＥＭＣ対策についても考慮する必要がないから、光ピックアップの設計をより一層簡便に行うことが出来る。したがって、本発明によれば、シングルモードＬＤが持つ良好な特性（例えば低消費電力、広範な動作温度範囲が得られ安定した動作が可能である点、量産性に優れ、光ピックアップの低コスト化が可能な点等）を保持しつつ、光ピックアップの開発および設計時においてマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さを得ることが出来る。
【００２０】
本発明におけるＥＭＣ対策部品は、使用するＬＤの種類や特性（例えば入力インピーダンス）に応じて最適な部品素子あるいは回路構成を適宜設計するため具体的に特定することは出来ないが、例えばインダクタ（コイル）、キャパシタ（コンデンサ）および抵抗等の受動素子、あるいはこれらの受動素子を複数個組み合わせた回路により構成する。
【００２１】
また、本発明のモジュールは、ＤＶＤ、ＣＤ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ Ｄｉｓｋ）、ＭＯ（光磁気ディスク）、光ビデオディスク、光ＰＣＭオーディオディスクその他の各種の光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置に適用することが可能である。
【００２２】
前記第一および第二のモジュールでは、多層基板の表面にシングルモードＬＤを実装し、該多層基板の内部に高周波重畳回路を構成する回路素子の少なくとも一部を内蔵することが望ましい（請求項３）。
【００２３】
高周波重畳回路を構成する回路素子の少なくとも一部を多層基板の内部に配置することで、モジュールの小型化を図ることが出来るからである。
【００２４】
さらに同様の理由から、好ましくは多層基板の表面にシングルモードＬＤを実装するとともに、ＥＭＣ対策部品を構成する回路素子の少なくとも一部についてもこれを該多層基板に内蔵する（請求項４）。
【００２５】
また、前記多層基板が互いに対向する一対の端辺と互いに対向する一対の側辺とを備える略方形の平面形状を有するものとし、シングルモードＬＤを該一対の側辺の間の略中央でかつ該一対の端辺のうちの一方の端辺の近傍位置に実装することがある（請求項５）。
【００２６】
このように平面略方形の多層基板の両側辺間の中央にＬＤを配置すれば、本モジュールを光ピックアップに組み込み、例えばＬＤの光軸を位置合わせするときにモジュール（基板）のセンタ（中心線）を基準としてこれを行うことが可能となるから、本モジュールを含む光ピックアップの機構設計（部品配置）並びに取付け作業が容易となる。さらに、基板の端辺近くにＬＤを配置すれば、基板表面にＬＤを搭載したときに基板の端部によってレーザ光の進路（光路）が妨げられ、あるいは反射・散乱されることを防ぐことが出来る。
【００２７】
また本発明では、前記多層基板が互いに対向する一対の端辺と互いに対向する一対の側辺とを備える略方形の平面形状を有するものとし、該一対の端辺のうちのいずれか一方の端辺側に外部接続端子を形成することがある（請求項６）。
【００２８】
基板の端辺にまとめて外部接続端子を形成することにより、ＬＤモジュールと該ＬＤモジュールへの各種入出力ライン（例えばＬＤの駆動電流を供給する入力ライン、グランドラインおよびＬＤ制御用ＰＤへの出力ライン）の接続を容易にするためである。
【００２９】
さらに、前記多層基板の表面に表面実装部品を設け、ＬＤを除く該表面実装部品の少なくとも一部を樹脂モールドすることがある（請求項７）。
【００３０】
これにより、表面実装部品の電気的絶縁性を確保し、また表面実装部品を機械的物理的に保護して例えば組立作業時における表面実装部品の破損を防ぐことが出来る。
【００３１】
さらに、表面実装部品をモールドしたかかる樹脂部の外面の少なくとも一部がＬＤモジュールを取り付ける装着部の壁面（例えば光ピックアップの筐体フレームの内壁面等）に当接し、これにより該ＬＤモジュールの位置決めを可能とすることがある（請求項８）。
【００３２】
このようなモジュール構造によれば、モールドに係る樹脂部がさらに位置決めガイドとして機能するから、光ピックアップへのＬＤモジュールの組込み作業をより簡便に効率よく行うことが可能となる。
【００３３】
また、前記多層基板には、ＬＤの放熱を行うスルーホールを形成することがある（請求項９）。
【００３４】
基板表面に実装したＬＤの放熱性を確保するためである。具体的には、例えばＬＤ実装部に、ＬＤと例えば基板裏面のグランドを熱伝導可能に接続する放熱用のビアホールを形成することによりＬＤの放熱を行うことが出来る。かかる放熱用のスルーホールは、例えばめっきスルーホールの内部に熱伝導性材料（例えば導電性樹脂ペースト）を充填した構造とすることが出来る。また、より高い放熱性を確保する必要がある場合には、スルーホール内を埋めるようにめっき金属を析出させ、柱状にめっき金属を形成する所謂フィルドビアとすることが放熱効率の点から好ましい。
【００３５】
本発明の他の目的、特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施の形態（以下、本実施形態という）を説明する。
【００３７】
図１から図６は、本発明に係るＬＤモジュールの一例を示すものである。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【００３８】
図１に示すようにこのＬＤモジュール１１は、光ディスクに対して情報の読み書きを行うためレーザ光を発生させるシングルモードＬＤ１２と、該ＬＤ１２の駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路１３と、ＥＭＣ対策回路１４とを多層基板２１（図２以降参照）を使用してモジュールとして一体化したものである。
【００３９】
ＬＤ１２は、ＬＤ１２の電極パッドと多層基板２１の導体パターンとをワイヤボンディングすることにより多層基板２１の表面に実装してあり、該多層基板２１に形成した導体パターン（図示せず）を介して高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４に接続され、これら高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を介して外部接続端子１５に接続されている。
【００４０】
外部接続端子１５としては、ＬＤ１２に駆動電流を供給するための入力端子１５ｂと、グランド端子１５ｃと、ＬＤ１２を制御するＰＤ（フォトディテクタ）への出力端子１５ａとを備えている。これら外部接続端子１５ａ〜１５ｃは、ＬＤモジュール１１への入出力ラインの接続を容易にするため、基板２１の一端にまとめて設けてある。ＥＭＣ対策回路１４は、インダクタやコンデンサ等の受動素子により構成し、高周波重畳回路１３およびＬＤ１２と外部接続端子１５との間に設ける。
【００４１】
多層基板２１は、例えば絶縁層にセラミックを使用したセラミック多層基板により構成することが出来るが、有機樹脂基板あるいは有機材料に無機フィラーを混入した複合材料からなる複合材料基板とすることも可能である。また多層基板２１は、大きな基板材料を切断し分割することにより個々の基板を形成する、いわゆる集合基板により形成することが出来る。導体パターンは、例えばセラミック板上に導体ペーストを印刷する厚膜法により形成しても良いし、スパッタ等の薄膜法で形成しても構わない。
【００４２】
また、多層基板２１は、略直方体（平面略長方形）の形状を有し、上面から見た場合（図２参照）に互いに対向する一対の端辺２１ａ，２１ｂと互いに対向する一対の側辺２１ｃ，２１ｄとを備える。そしてＬＤ１２は、該一対の側辺２１ｃ，２１ｄの間の略中央（基板２１の長手方向に沿った中心線２０上）でかつ一対の端辺２１ａ，２１ｂのうちの一方の端辺２１ａ（前記外部接続端子１５と反対側の端）の近傍位置に配置する。ＬＤモジュール１１を光ピックアップに組み込むときにＬＤ１２の光軸の位置合わせを容易にするとともに、基板２１の端辺近くにＬＤを配置することで基板端部によってレーザの光路が妨げられることを防ぐためである。
【００４３】
さらに、ＬＤ１２から出射されるレーザ光は、完全な平行光ではなく一定の広がりを持つが、この広がりは水平方向と垂直方向とで同一ではない。このため、後段の光学系の構成あるいはディスクとの配置関係等によって、光軸を中心としてＬＤ１２を若干（数度程度）回転させて取り付ける必要が生じることがある。このような場合、本実施形態のようにＬＤ１２をモジュール１１の中心（長手方向に沿った中心線２０上）に搭載し、ＬＤ１２の光軸とモジュール１１（基板２１）の中心線とを一致させておけば、ＬＤ１２の光軸の位置ずれを生じることなくモジュール１１の中心線２０を基準としてモジュール１１を回転させることが可能となるから、ユーザ（光ディスク装置の製造メーカー）にとって設計し易く、使い勝手の良いＬＤモジュールを提供することが出来る。
【００４４】
尚、ＬＤ１２は、基板２１の端辺２１ａに接する位置（端辺２１ａぎりぎりの位置）ではなく、これより内方に後退させた位置に配置することが望ましい。ＬＤモジュール１１の取付けあるいは取扱い時等にＬＤ１２をぶつけて破損するような事故を防ぐとともに基板長手方向に位置ずれ誤差が生じたとしても基板上に確実にＬＤ１２を載せる（実装する）ことが出来るようにするためである。
【００４５】
多層基板２１の表面には、ＬＤ１２のほか、高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を構成するトランジスタ等の能動素子やチップコンデンサや抵抗のような表面実装部品１８を実装する。そして、これら表面実装部品１８を樹脂モールドして封止する。このモールド部分（樹脂部）３１は、基板表面の表面実装部品１８を物理的機械的な破損から保護しかつ電気的絶縁性を確保するものであるが、同時に、本ＬＤモジュール１１を光ピックアップ（光ディスク装置）に取り付けるときの位置決めガイドとしての機能をも奏するものである。
【００４６】
すなわち、樹脂部３１は、図３〜図６から明らかなように略平坦な上面を有しかつ一定の肉厚ｚ１を有する。このため、ＬＤモジュール１１は、一定の厚さ寸法ｚ０を有することとなる。したがって、図２、図３および図５に示すように、モジュール１１の幅方向をｘ軸、長手方向をｙ軸、厚さ方向をｚ軸とする３次元直交座標を考えると、ｘ方向の位置決めは例えば基板２１の幅ｘ０によって、ｙ方向の位置決めは例えば基板２１の端辺２１ａを当接させることにより、さらにｚ方向の位置決めは例えばモジュール１１の厚さｚ０によって、それぞれ位置規制し本ＬＤモジュール１１を位置決めすることが可能となる。
【００４７】
ＬＤモジュール１１を受け入れこれを固定する光ピックアップ（光ディスク装置）側の固定部の構造は特に問わない。例えばＬＤモジュール１１がちょうど嵌まり込む穴や凹部等を光ピックアップ（光ディスク装置）の筐体フレームに形成し、該固定部にＬＤモジュール１１を挿入し嵌合させるようにすることが出来る。この場合、該固定部の内面寸法を、幅がＬＤモジュール１１の幅寸法ｘ０に、高さがＬＤモジュール１１の厚さ寸法ｚ０となるよう設定しておけば良い。
【００４８】
さらに樹脂部３１は、その高さｚ１（厚さ）がＬＤ１２の高さより大きく（図３参照）、またＬＤ１２の左右を取り囲むように２本のアーム部３１ａ（図２参照）を有する。これにより、ＬＤモジュール１１の取り扱い時にＬＤ１２が損傷を受けることを防ぐことが出来る。
【００４９】
基板２１の内部には、高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を構成する受動素子（インダクタ、コンデンサ）や導体パターン（図６において符号１９で示す）を形成する。このように高周波重畳回路１３およびＥＭＣ対策回路１４を構成する受動素子の一部を多層基板２１の内部に形成すれば、ＬＤモジュール１１を小型化することが出来る。
【００５０】
さらに、多層基板２１のＬＤ１２を搭載した部分には、放熱のための導体パターンとスルーホール２０を設け、ＬＤ１２から発生される熱をこれら導体パターンおよびスルーホール２０を通じて基板裏面のグランドパターン３５に逃がして放熱を行う。この放熱用スルーホール２０は、既に述べたように、例えばめっきスルーホールの内部に熱伝導性材料を充填した構造としても良いし、より高い放熱性を確保するため、柱状にめっき金属を析出させスルーホール内を充填した所謂フィルドビアとすることも可能である。
【００５１】
表１は、本実施形態に係るＬＤモジュールの利点を従来のシングルモードＬＤおよびマルチモードＬＤと対比して示す表である。
【表１】
同表に示すように、シングルモードＬＤは、使用温度範囲、レーザの発熱量、消費電流、信頼性および入手性の各面で優れるが、ＬＤに外付けで高周波重畳回路を設け、ＥＭＣ対策回路を配して放射ノイズ対策を行わなければならない難点がある。また、マルチモードＬＤは、高周波重畳回路を設ける必要がなく、ＥＭＣ対策を考慮する必要はないという利点を有する一方で、安定した振動を得られる温度範囲が狭く、シングルモードＬＤに較べて発熱量とレーザの動作（消費）電流が大きく、発熱および温度特性に起因して信頼性が低いという問題がある。さらに歩留り良く量産することが難しく、市場に対し十分な供給量がなく入手が容易でないという難点がある。
【００５３】
これに対して本発明（本実施形態）のＬＤモジュールは、モジュール内に高周波重畳回路を内蔵させ、かつモジュール内で予めＥＭＣ対策を施すから、光ピックアップの設計者はＥＭＣ対策を考慮する必要がなく、その設計および調整の煩わしさから解放される。加えてシングルモードＬＤの優れた特性、すなわち放射ノイズ対策、使用温度範囲、レーザの発熱量、消費電流、信頼性並びに入手性におけるすべての利点を享受することが出来る。また、コスト面においても同程度の価格を維持することが可能である。このように、本実施形態によれば、光ピックアップの設計を容易にすることができ、マルチモードＬＤ並みの扱い易さと、シングルモードＬＤの優れた特性とを同時に得ることが可能となる。
【００５４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者にとって明らかである。例えば、本発明のＬＤモジュールに搭載するＬＤは、高周波重畳回路を必要とするシングルモードＬＤであれば、波長の長短を問わない。例えば可視光ＬＤであっても良いし、より波長の短い青紫色ＬＤであっても構わない。さらに、モジュールに搭載（一体化）するＬＤの数は、必ずしも１個に限定されることはなく、例えば、波長の異なる複数（例えば２個）のＬＤを本発明のモジュールに組み込み、例えばＣＤとＤＶＤの記録再生を兼ね備えたＬＤモジュールを構成することも可能である。また、使用する光ディスク装置は、その種類を限定されず、例えばＤＶＤ、ＣＤ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ Ｄｉｓｋ）、ＭＯ（光磁気ディスク）、光ビデオディスク、光ＰＣＭオーディオディスクその他の光ディスク装置に使用可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のＬＤモジュールによれば、シングルモードＬＤの優れた特性を保持しつつ、光ピックアップの設計者にとってマルチモードＬＤに匹敵する扱い易さを実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＬＤモジュールの一例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す正面図（ＬＤ搭載側の面）である。
【図４】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す背面図（外部接続端子形成側の面）である。
【図５】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す側面図である。
【図６】本発明に係るＬＤモジュールの一例を模式的に示す断面図（図２のＡ−Ａ断面）である。
【符号の説明】
１１ ＬＤモジュール
１２ シングルモードＬＤ
１３ 高周波重畳回路
１４ ＥＭＣ対策回路
１５ 外部接続端子
１８ 表面実装部品
１９ 受動素子および導体パターン
２０ 放熱用スルーホール
２１ 多層基板
３１ 樹脂部
Claims (9)
- シングルモード半導体レーザダイオードと、該レーザダイオードの駆動電流に高周波電流を重畳する高周波重畳回路とを一つのモジュールとして一体化したことを特徴とするレーザダイオードモジュール。
- 前記高周波重畳回路から発生される電磁波ノイズを低減するＥＭＣ対策部品を前記モジュール内にさらに設けたことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードモジュール。
- 多層基板の表面に前記シングルモード半導体レーザダイオードを実装する一方、
該多層基板の内部に前記高周波重畳回路を構成する回路素子の少なくとも一部を内蔵した
ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザダイオードモジュール。 - 多層基板の表面に前記シングルモード半導体レーザダイオードを実装する一方、
該多層基板の内部に前記ＥＭＣ対策部品を構成する回路素子の少なくとも一部を内蔵した
ことを特徴とする請求項２に記載のレーザダイオードモジュール。 - 前記多層基板が、互いに対向する一対の端辺と互いに対向する一対の側辺とを備える略方形の平面形状を有し、
前記シングルモード半導体レーザダイオードを、該一対の側辺の間の略中央でかつ該一対の端辺のうちの一方の端辺の近傍位置に実装した
ことを特徴とする請求項３または４に記載のレーザダイオードモジュール。 - 前記多層基板が、互いに対向する一対の端辺と互いに対向する一対の側辺とを備える略方形の平面形状を有し、
該一対の端辺のうちのいずれか一方の端辺側に外部接続端子を形成した
ことを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュール。 - 前記多層基板の表面に表面実装部品を備え、
前記シングルモード半導体レーザダイオードを除く該表面実装部品の少なくとも一部を樹脂モールドした
ことを特徴とする請求項３から６のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュール。 - 前記表面実装部品をモールドした樹脂部の外面の少なくとも一部が、前記レーザダイオードモジュールを取り付ける装着部の壁面に当接し、これにより該レーザダイオードモジュールの位置決めを可能とした
ことを特徴とする請求項７に記載のレーザダイオードモジュール。 - 前記シングルモード半導体レーザダイオードの放熱を行うスルーホールを前記多層基板に形成した
請求項３から８のいずれか一項に記載のレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003202413A JP2005044963A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | レーザダイオードモジュール |
| US10/891,193 US20050047455A1 (en) | 2003-07-28 | 2004-07-15 | Laser diode module |
| CNB2004100713999A CN100397733C (zh) | 2003-07-28 | 2004-07-27 | 激光二极管模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003202413A JP2005044963A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005044963A true JP2005044963A (ja) | 2005-02-17 |
Family
ID=34208941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003202413A Pending JP2005044963A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050047455A1 (ja) |
| JP (1) | JP2005044963A (ja) |
| CN (1) | CN100397733C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159742A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Opnext Japan Inc | 光モジュール |
| JP2016028450A (ja) * | 2015-10-23 | 2016-02-25 | 株式会社日立製作所 | 光モジュール |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007140033A2 (en) * | 2006-03-07 | 2007-12-06 | The Regents Of The University Of California | Optical injection locking of vcsels for wavelength division multiplexed passive optical networks (wdm-pons) |
| US7646988B2 (en) * | 2006-08-04 | 2010-01-12 | Finisar Corporation | Linear amplifier for use with laser driver signal |
| US7734184B2 (en) * | 2006-08-04 | 2010-06-08 | Finisar Corporation | Optical transceiver module having an active linear optoelectronic device |
| US20100030040A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-04 | Masimo Laboratories, Inc. | Multi-stream data collection system for noninvasive measurement of blood constituents |
| US8577431B2 (en) | 2008-07-03 | 2013-11-05 | Cercacor Laboratories, Inc. | Noise shielding for a noninvasive device |
| US10459157B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-10-29 | Analog Devices, Inc. | Optical emitter packages |
| CN112970198A (zh) * | 2018-10-30 | 2021-06-15 | 埃赛力达加拿大有限公司 | 高速开关电路配置 |
| WO2020133381A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种激光器封装结构 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215612A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ−モジユ−ル |
| JPS63276720A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Hitachi Ltd | 光デイスク装置 |
| JPH0220088A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 半導体レーザモジュール |
| JP2000208822A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
| EP1146591A2 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-17 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| JP2001307360A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 重畳デバイス |
| JP2001307372A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
| JP2002230812A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Tdk Corp | 高周波重畳モジュール |
| JP2002251763A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 光ピックアップ用高周波重畳モジュールと光ピックアップ |
| US6808316B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-10-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical communication module |
| JP3786348B2 (ja) * | 2001-08-08 | 2006-06-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 光ピックアップ用高周波重畳モジュール |
| JP4197234B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-12-17 | 三菱電機株式会社 | 光通信器 |
| JP3947406B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2007-07-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体レーザモジュール |
-
2003
- 2003-07-28 JP JP2003202413A patent/JP2005044963A/ja active Pending
-
2004
- 2004-07-15 US US10/891,193 patent/US20050047455A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-27 CN CNB2004100713999A patent/CN100397733C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159742A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Opnext Japan Inc | 光モジュール |
| JP2016028450A (ja) * | 2015-10-23 | 2016-02-25 | 株式会社日立製作所 | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100397733C (zh) | 2008-06-25 |
| CN1578022A (zh) | 2005-02-09 |
| US20050047455A1 (en) | 2005-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005044963A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| JP3972814B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
| JP3069840U (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP2003234550A (ja) | フレキシブルプリント回路 | |
| US8589964B2 (en) | Cooling arrangement for an optical pick-up | |
| JP4709144B2 (ja) | 光ピックアップおよび光ディスク装置 | |
| US6931650B2 (en) | Pickup device and disk drive | |
| US20060092642A1 (en) | Light emitting module, optical head, and optical disc recording and reproducing apparatus | |
| CN100334629C (zh) | 激光二极管模块多层电路板和激光二极管模块 | |
| US20010028621A1 (en) | Optical pickup apparatus | |
| TW202108934A (zh) | 結合增強安全特徵及熱管理之發光模組 | |
| US20060067199A1 (en) | Laser diode module multi-layer board and laser diode module | |
| JP2007318075A (ja) | 光学デバイス，光学デバイスの製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置 | |
| JP2006080227A (ja) | 回路基板およびそれを備える光ピックアップ | |
| JP4329012B2 (ja) | 光ピックアップ、レーザ発光装置及び光ディスクドライブ | |
| JPH10233028A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| KR20050043219A (ko) | 광 픽업 모듈 및 그 제조 방법 | |
| US8619537B2 (en) | Optical pickup device and method of manufacturing the same | |
| JP4951691B2 (ja) | 光伝送モジュールおよびこれを用いた光通信装置 | |
| JP4692272B2 (ja) | レーザ集積装置及び光ピックアップ装置 | |
| JP2006066467A (ja) | レーザダイオードモジュール多層基板 | |
| WO2007049535A1 (ja) | 電子部品接続構造 | |
| KR20050083019A (ko) | 광학 헤드 장치의 배선부재 | |
| JP4100154B2 (ja) | Ｆｐｃ、ピックアップ装置及びディスク装置 | |
| JP2013093075A (ja) | 光ピックアップ、および光ディスク装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060310 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080402 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090210 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090610 |