JP2001307372A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JP2001307372A JP2001307372A JP2000125734A JP2000125734A JP2001307372A JP 2001307372 A JP2001307372 A JP 2001307372A JP 2000125734 A JP2000125734 A JP 2000125734A JP 2000125734 A JP2000125734 A JP 2000125734A JP 2001307372 A JP2001307372 A JP 2001307372A
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- pickup device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ駆動ICを光学ケースに搭載して、放
熱性と不要電磁波遮断性を両立させた光ピックアップ装
置を提供する。 【解決手段】 伝熱性を有する弾性樹脂材料116をレ
ーザ駆動IC115とシールドケース114の間で狭着
する事で、レーザ駆動IC115より発生した熱を伝熱
性を有する弾性樹脂材料116およびシールドケース1
14に伝搬させ空気中へ放熱させる。また、レーザ駆動
IC115より発生する不要電磁波は、伝熱性を有する
弾性樹脂材料116の厚さだけシールドケース114と
レーザ駆動IC115との距離を確保して不要電磁波の
遮断性を維持させる。
熱性と不要電磁波遮断性を両立させた光ピックアップ装
置を提供する。 【解決手段】 伝熱性を有する弾性樹脂材料116をレ
ーザ駆動IC115とシールドケース114の間で狭着
する事で、レーザ駆動IC115より発生した熱を伝熱
性を有する弾性樹脂材料116およびシールドケース1
14に伝搬させ空気中へ放熱させる。また、レーザ駆動
IC115より発生する不要電磁波は、伝熱性を有する
弾性樹脂材料116の厚さだけシールドケース114と
レーザ駆動IC115との距離を確保して不要電磁波の
遮断性を維持させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光源を用い
て情報記録媒体に対して情報を光学的に記録あるいは読
み出しする光ピックアップ装置に関する。
て情報記録媒体に対して情報を光学的に記録あるいは読
み出しする光ピックアップ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に従来の光ピックアップ装置の構成
を示す。この光ディスク装置において半導体レーザ30
4を発光させる場合、発光信号を回路基板301上に実
装されているレーザパワー制御IC315へ入力させ、
レーザパワー制御電流として出力させる。この出力され
た前記レーザパワー制御電流はコネクタ302及びコネ
クタ302に接続されているフレキシブル基板303を
通電して高周波重畳モジュール314へ入力される。前
記レーザパワー制御電流は高周波重畳モジュール314
により高周波重畳されて半導体レーザ304へ流入す
る。半導体レーザ304へ高周波重畳されたレーザ電流
が流入することにより直線偏光のレーザ光が出射され
る。
を示す。この光ディスク装置において半導体レーザ30
4を発光させる場合、発光信号を回路基板301上に実
装されているレーザパワー制御IC315へ入力させ、
レーザパワー制御電流として出力させる。この出力され
た前記レーザパワー制御電流はコネクタ302及びコネ
クタ302に接続されているフレキシブル基板303を
通電して高周波重畳モジュール314へ入力される。前
記レーザパワー制御電流は高周波重畳モジュール314
により高周波重畳されて半導体レーザ304へ流入す
る。半導体レーザ304へ高周波重畳されたレーザ電流
が流入することにより直線偏光のレーザ光が出射され
る。
【0003】前記レーザ光はZ方向に進み、コリメート
レンズ305により平行光に変換され、偏光ビームスプ
リッタ306に入射する。偏光ビームスプリッタ306
には、半導体レーザ304から出射された直線偏光の偏
光方向に対して高い効率で透過し、前記偏光方向に対し
て直交する方向の偏光方向を持つ直線偏光の光に対して
高い効率で反射するような特徴を持つ偏光膜を施してあ
る。このため、前記平行光は偏光ビームスプリッタ30
6を高い効率で透過し、1/4波長板307に入射す
る。1/4波長板307を透過する際、直線偏光だった
平行光は円偏光に変換され、反射ミラー308でY方向
に反射し対物レンズ309により集光されて光ディスク
310に照射される。
レンズ305により平行光に変換され、偏光ビームスプ
リッタ306に入射する。偏光ビームスプリッタ306
には、半導体レーザ304から出射された直線偏光の偏
光方向に対して高い効率で透過し、前記偏光方向に対し
て直交する方向の偏光方向を持つ直線偏光の光に対して
高い効率で反射するような特徴を持つ偏光膜を施してあ
る。このため、前記平行光は偏光ビームスプリッタ30
6を高い効率で透過し、1/4波長板307に入射す
る。1/4波長板307を透過する際、直線偏光だった
平行光は円偏光に変換され、反射ミラー308でY方向
に反射し対物レンズ309により集光されて光ディスク
310に照射される。
【0004】光ディスク310から反射された光は、対
物レンズ309により再び平行光に変換され反射ミラー
308でZ方向に反射し、1/4波長板307を通過す
ることで円偏光から直線偏光に変換され偏光ビームスプ
リッタ306に入る。この時、光ディスク310から反
射された光の偏光方向は、半導体レーザ304からの直
線偏光の偏光方向に対して直行する方向になっており、
偏光ビームスプリッタ306の偏光膜によりX方向に反
射させられて検出レンズ311で集光され光検出器31
2に入射する。
物レンズ309により再び平行光に変換され反射ミラー
308でZ方向に反射し、1/4波長板307を通過す
ることで円偏光から直線偏光に変換され偏光ビームスプ
リッタ306に入る。この時、光ディスク310から反
射された光の偏光方向は、半導体レーザ304からの直
線偏光の偏光方向に対して直行する方向になっており、
偏光ビームスプリッタ306の偏光膜によりX方向に反
射させられて検出レンズ311で集光され光検出器31
2に入射する。
【0005】ただし、光ディスク310から反射された
光の一部は偏光ビームスプリッタ306の偏光膜に反射
せずに透過して、コリメートレンズ305を透過し半導
体レーザ304に到達する。半導体レーザ304に光デ
ィスク310から反射された光が到達することで、半導
体レーザ304の内部ではレーザ光波長の変動を生じ
る。レーザ光波長の変動はノイズを誘引する為、光ピッ
クアップ装置の記録・再生特性を劣化させる要因であ
る。このレーザ光波長の変動を抑制するため、高周波重
畳モジュール314を半導体レーザ304に近接する箇
所で電気的接続を行い、高周波重畳したレーザパワー制
御電流を半導体レーザ304に流入させて高周波重畳さ
れたレーザ光を出射させる構成にしている。
光の一部は偏光ビームスプリッタ306の偏光膜に反射
せずに透過して、コリメートレンズ305を透過し半導
体レーザ304に到達する。半導体レーザ304に光デ
ィスク310から反射された光が到達することで、半導
体レーザ304の内部ではレーザ光波長の変動を生じ
る。レーザ光波長の変動はノイズを誘引する為、光ピッ
クアップ装置の記録・再生特性を劣化させる要因であ
る。このレーザ光波長の変動を抑制するため、高周波重
畳モジュール314を半導体レーザ304に近接する箇
所で電気的接続を行い、高周波重畳したレーザパワー制
御電流を半導体レーザ304に流入させて高周波重畳さ
れたレーザ光を出射させる構成にしている。
【0006】なお、高周波重畳モジュール314には高
周波を扱うため不要電磁波を放出する特性があり、この
不要電磁波を遮断するために金属薄板から成るシールド
ケースで高周波重畳回路を覆う構造にしている。また、
これら光学及び電子部品は光学ケース313に収納もし
くは取り付けられている。光学ケース313は光ディス
ク310の情報記録範囲を移動する必要がある為、Z方
向に摺動する機構を有しており、シャーシに固定されて
移動しない回路基板301とはフレキシブル基板303
を用いて電気接続を確保している。
周波を扱うため不要電磁波を放出する特性があり、この
不要電磁波を遮断するために金属薄板から成るシールド
ケースで高周波重畳回路を覆う構造にしている。また、
これら光学及び電子部品は光学ケース313に収納もし
くは取り付けられている。光学ケース313は光ディス
ク310の情報記録範囲を移動する必要がある為、Z方
向に摺動する機構を有しており、シャーシに固定されて
移動しない回路基板301とはフレキシブル基板303
を用いて電気接続を確保している。
【0007】現在、光ピックアップ装置の高密度記録化
の要求はますます大きく、そのためにレーザ光の明滅動
作である記録波形の高速制御が必要とされている。この
高速制御の一方法として、高周波重畳機能とレーザパワ
ー制御機能を一つのレーザ駆動ICを開発し、レーザ光
源と前記レーザ駆動ICを近接させて光学ケースに搭載
する方法がある。
の要求はますます大きく、そのためにレーザ光の明滅動
作である記録波形の高速制御が必要とされている。この
高速制御の一方法として、高周波重畳機能とレーザパワ
ー制御機能を一つのレーザ駆動ICを開発し、レーザ光
源と前記レーザ駆動ICを近接させて光学ケースに搭載
する方法がある。
【0008】図4(a)および(b)にレーザ駆動IC
を用いた光ディスク装置におけるシールドケース内部断
面の拡大図を示す。また、図中の矢印は熱の伝搬方向を
示し、その太さは熱量の大きさを表している。
を用いた光ディスク装置におけるシールドケース内部断
面の拡大図を示す。また、図中の矢印は熱の伝搬方向を
示し、その太さは熱量の大きさを表している。
【0009】光学的な作用は前述してあるので省くが、
半導体レーザ401よりレーザ光を出射させた際、レー
ザ駆動IC403は高周波を扱うため従来の高周波重畳
モジュール314と同様に不要電磁波を放出する。この
不要電磁波を遮断するためにレーザ駆動IC403全体
をシールドケース405で覆い、フレキシブル基板40
4に固定され、ねじにより光学ケース402に取り付け
る構成になっている。
半導体レーザ401よりレーザ光を出射させた際、レー
ザ駆動IC403は高周波を扱うため従来の高周波重畳
モジュール314と同様に不要電磁波を放出する。この
不要電磁波を遮断するためにレーザ駆動IC403全体
をシールドケース405で覆い、フレキシブル基板40
4に固定され、ねじにより光学ケース402に取り付け
る構成になっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】光ピックアップ装置の
レーザ光源として多く用いられている半導体レーザの寿
命は、一般に使用時における接合温度と密接な関係にあ
り、温度が高くなると指数関数的に寿命が短くなる事が
知られている。また、レーザ駆動ICも半導体レーザと
同様で温度が高くなると性能劣化や寿命が短くなる。そ
のためレーザ光源とレーザ駆動IC及びその周囲の放熱
は大変重要な問題であり、光ピックアップ装置において
レーザ光源とレーザ駆動ICの放熱及びその周囲の放熱
機構は必要不可欠なものとなっている。また、光ピック
アップ装置は高密度化された信号を扱う精密機器である
為、誤作動やエラーの原因となる不要電磁波を遮断する
必要がある。
レーザ光源として多く用いられている半導体レーザの寿
命は、一般に使用時における接合温度と密接な関係にあ
り、温度が高くなると指数関数的に寿命が短くなる事が
知られている。また、レーザ駆動ICも半導体レーザと
同様で温度が高くなると性能劣化や寿命が短くなる。そ
のためレーザ光源とレーザ駆動IC及びその周囲の放熱
は大変重要な問題であり、光ピックアップ装置において
レーザ光源とレーザ駆動ICの放熱及びその周囲の放熱
機構は必要不可欠なものとなっている。また、光ピック
アップ装置は高密度化された信号を扱う精密機器である
為、誤作動やエラーの原因となる不要電磁波を遮断する
必要がある。
【0011】図3に示す構成を用いる光ピックアップ装
置では、レーザパワー制御IC315で発生した熱は回
路基板301及び空気中に逃げるため問題にならない。
しかし、図4(a)に示す構成を用いる光ピックアップ
装置では、レーザ駆動IC403で発生した熱がシール
ドケース405内側の空気層により遮断され、レーザ駆
動IC403に熱影響を与えていた。更に、レーザ駆動
IC403から発生した熱の一部が、光学ケース402
及びフレキシブル基板404を介して半導体レーザ40
1にまで伝搬し、半導体レーザ401の寿命に影響を与
えていた。
置では、レーザパワー制御IC315で発生した熱は回
路基板301及び空気中に逃げるため問題にならない。
しかし、図4(a)に示す構成を用いる光ピックアップ
装置では、レーザ駆動IC403で発生した熱がシール
ドケース405内側の空気層により遮断され、レーザ駆
動IC403に熱影響を与えていた。更に、レーザ駆動
IC403から発生した熱の一部が、光学ケース402
及びフレキシブル基板404を介して半導体レーザ40
1にまで伝搬し、半導体レーザ401の寿命に影響を与
えていた。
【0012】また、シールドケース405の放熱性向上
を図る為、シールドケースを放熱板形状にした場合、シ
ールドケース加工費の高騰や設計変更時の制限が発生し
てしまっていた。
を図る為、シールドケースを放熱板形状にした場合、シ
ールドケース加工費の高騰や設計変更時の制限が発生し
てしまっていた。
【0013】ここで図4(b)に示すように、シールド
ケース404の形状変更によりレーザ駆動IC403背
面に直接接触させて放熱させた場合では、放熱効果はあ
るもののシールドケース405が不要電磁波放出用のア
ンテナとして作用してしまい、不要電磁波遮断性を確保
できなかった。図中の折れ曲がり矢印が不要電磁波放出
を表す。
ケース404の形状変更によりレーザ駆動IC403背
面に直接接触させて放熱させた場合では、放熱効果はあ
るもののシールドケース405が不要電磁波放出用のア
ンテナとして作用してしまい、不要電磁波遮断性を確保
できなかった。図中の折れ曲がり矢印が不要電磁波放出
を表す。
【0014】本発明は、以上の問題点に着目してなされ
たものであり、これによりレーザ駆動ICの放熱性と不
要電磁波遮断性を確保することができ、安価でより高密
度記録が可能な光ピックアップ装置を提供することを目
的とする。
たものであり、これによりレーザ駆動ICの放熱性と不
要電磁波遮断性を確保することができ、安価でより高密
度記録が可能な光ピックアップ装置を提供することを目
的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の光ピックアップ装置は、レーザ駆動ICの背
面とシールドケースの間で前記レーザ駆動IC背面とほ
ぼ同一な形状の伝熱性を有した弾性樹脂材料を狭着する
事を特徴とする。
に本発明の光ピックアップ装置は、レーザ駆動ICの背
面とシールドケースの間で前記レーザ駆動IC背面とほ
ぼ同一な形状の伝熱性を有した弾性樹脂材料を狭着する
事を特徴とする。
【0016】また、シールドケースに放熱板突出用の穴
を設けて放熱板を前記シールドケースと前記伝熱性を有
する弾性樹脂材料とで固定する構造を特徴とする。
を設けて放熱板を前記シールドケースと前記伝熱性を有
する弾性樹脂材料とで固定する構造を特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態の一例
を用いた光ピックアップ装置の構成を示す。本光ディス
ク装置において、半導体レーザ104を発光させる場合
発光信号は、回路基板101およびコネクタ102及び
フレキシブル基板103を通電してレーザ駆動IC11
5に入力される。レーザ駆動IC115から出力される
レーザパワー制御電流は高周波重畳されており、そのま
ま半導体レーザ104へ流入させる。
を用いた光ピックアップ装置の構成を示す。本光ディス
ク装置において、半導体レーザ104を発光させる場合
発光信号は、回路基板101およびコネクタ102及び
フレキシブル基板103を通電してレーザ駆動IC11
5に入力される。レーザ駆動IC115から出力される
レーザパワー制御電流は高周波重畳されており、そのま
ま半導体レーザ104へ流入させる。
【0018】半導体レーザ104へ電流が流入すること
により直線偏光のレーザ光が出射される。前記レーザ光
はZ方向に進み、コリメートレンズ105により平行光
に変換され、偏光ビームスプリッタ106に入射する。
偏光ビームスプリッタ106には、半導体レーザ104
から出射された直線偏光の偏光方向に対して高い効率で
透過し、前記偏光方向に対して直行する方向の偏光方向
を持つ直線偏光の光に対して高い効率で反射するような
特徴を持つ偏光膜を施してある。このため、前記平行光
は偏光ビームスプリッタ106を高い効率で透過し、1
/4波長板107に入射する。
により直線偏光のレーザ光が出射される。前記レーザ光
はZ方向に進み、コリメートレンズ105により平行光
に変換され、偏光ビームスプリッタ106に入射する。
偏光ビームスプリッタ106には、半導体レーザ104
から出射された直線偏光の偏光方向に対して高い効率で
透過し、前記偏光方向に対して直行する方向の偏光方向
を持つ直線偏光の光に対して高い効率で反射するような
特徴を持つ偏光膜を施してある。このため、前記平行光
は偏光ビームスプリッタ106を高い効率で透過し、1
/4波長板107に入射する。
【0019】1/4波長板107を透過する際、直線偏
光だった平行光は円偏光に変換され、反射ミラー108
でY方向に反射し、対物レンズ109により集光されて
光ディスク110に照射される。光ディスク110から
反射された光は、対物レンズ109により再び平行光に
変換され、反射1ラー308でZ方向に反射し、1/4
波長板107を通過することで円偏光から直線偏光に変
換され、偏光ビームスプリッタ106に入る。
光だった平行光は円偏光に変換され、反射ミラー108
でY方向に反射し、対物レンズ109により集光されて
光ディスク110に照射される。光ディスク110から
反射された光は、対物レンズ109により再び平行光に
変換され、反射1ラー308でZ方向に反射し、1/4
波長板107を通過することで円偏光から直線偏光に変
換され、偏光ビームスプリッタ106に入る。
【0020】この時、光ディスク110から反射された
光の偏光方向は、半導体レーザ104からの直線偏光の
偏光方向に対して直行する方向になっており、偏光ビー
ムスプリッタ106の偏光膜によりX方向に反射させら
れて、検出レンズ111で集光され、光検出器112に
入射する。レーザ駆動IC115の背面にレーザ駆動I
C115背面とほぼ同一サイズの伝熱性を有する弾性樹
脂材料116を載せる。
光の偏光方向は、半導体レーザ104からの直線偏光の
偏光方向に対して直行する方向になっており、偏光ビー
ムスプリッタ106の偏光膜によりX方向に反射させら
れて、検出レンズ111で集光され、光検出器112に
入射する。レーザ駆動IC115の背面にレーザ駆動I
C115背面とほぼ同一サイズの伝熱性を有する弾性樹
脂材料116を載せる。
【0021】次に、シールドケース114の内側から放
熱板117を、シールドケース114に設けられた放熱
板突出用穴に嵌通させ突出させる。このシールドケース
114に設けられた放熱板突出用穴は、放熱板117の
底面部より小さく開けられていて、放熱板117の底面
部はシールドケース114に掛かる構造になっている。
放熱板117を突出させた状態のシールドケース114
でレーザ駆動IC115を覆い、フレキシブル基板10
3に固定され、ねじにより光学ケース113に取り付け
る構造になっている。
熱板117を、シールドケース114に設けられた放熱
板突出用穴に嵌通させ突出させる。このシールドケース
114に設けられた放熱板突出用穴は、放熱板117の
底面部より小さく開けられていて、放熱板117の底面
部はシールドケース114に掛かる構造になっている。
放熱板117を突出させた状態のシールドケース114
でレーザ駆動IC115を覆い、フレキシブル基板10
3に固定され、ねじにより光学ケース113に取り付け
る構造になっている。
【0022】図2に本発明の一実施の形態によるシール
ドケース内部断面を示す。シールドケース205の不要
電磁波遮断効果は、レーザ駆動IC203とシールドケ
ース205との距離に依存し接近するほど減少する特性
の為、伝熱性を有する弾性樹脂材料206の厚さを2.
5mmの物を使用して距離を確保し、不要電磁波の遮断
性を従来通り維持している。
ドケース内部断面を示す。シールドケース205の不要
電磁波遮断効果は、レーザ駆動IC203とシールドケ
ース205との距離に依存し接近するほど減少する特性
の為、伝熱性を有する弾性樹脂材料206の厚さを2.
5mmの物を使用して距離を確保し、不要電磁波の遮断
性を従来通り維持している。
【0023】また、シールドケース205の高さは、レ
ーザ駆動IC203と伝熱性を有する弾性樹脂材料20
6と放熱板207底面部との合計高さより低く設計して
いる。これは、伝熱性を有する弾性樹脂材料206を変
形させてレーザ駆動IC203背面及び放熱板207底
面部に密着させて放熱性を高めている。この際、シール
ドケース205とレーザ駆動IC203と伝熱性を有す
る弾性樹脂材料206と放熱板207の接触面には、熱
伝導性の劣化を抑制するため接着剤等を塗布しない。こ
れにより、レーザ駆動IC203より発せられた熱は、
伝熱性を有する弾性樹脂材料206から放熱板207に
伝搬して空気中に放熱され、レーザ駆動IC203及び
半導体レーザ201の寿命並び性能への悪影響を回避す
る事ができる。
ーザ駆動IC203と伝熱性を有する弾性樹脂材料20
6と放熱板207底面部との合計高さより低く設計して
いる。これは、伝熱性を有する弾性樹脂材料206を変
形させてレーザ駆動IC203背面及び放熱板207底
面部に密着させて放熱性を高めている。この際、シール
ドケース205とレーザ駆動IC203と伝熱性を有す
る弾性樹脂材料206と放熱板207の接触面には、熱
伝導性の劣化を抑制するため接着剤等を塗布しない。こ
れにより、レーザ駆動IC203より発せられた熱は、
伝熱性を有する弾性樹脂材料206から放熱板207に
伝搬して空気中に放熱され、レーザ駆動IC203及び
半導体レーザ201の寿命並び性能への悪影響を回避す
る事ができる。
【0024】また、放熱板207とシールドケース20
5を別部品とする事で、シールドケース加工費の抑止及
び設計変更時の設計自由度の確保を達成している。しか
も伝熱性を有する弾性樹脂材料206を用いる事で、シ
ールドケース205とで挟着され固定できる為、固定手
段の設計時間や固定に要する工数の増加を抑止できる。
5を別部品とする事で、シールドケース加工費の抑止及
び設計変更時の設計自由度の確保を達成している。しか
も伝熱性を有する弾性樹脂材料206を用いる事で、シ
ールドケース205とで挟着され固定できる為、固定手
段の設計時間や固定に要する工数の増加を抑止できる。
【0025】伝熱性を有する弾性樹脂材料206が絶縁
性及び金属非浸食性を備える場合には、伝熱性を有する
弾性樹脂材料206のサイズを拡大してレーザ駆動IC
203のリードピンからの熱をも伝搬させる事で、更な
る放熱性の向上を図る事ができる。
性及び金属非浸食性を備える場合には、伝熱性を有する
弾性樹脂材料206のサイズを拡大してレーザ駆動IC
203のリードピンからの熱をも伝搬させる事で、更な
る放熱性の向上を図る事ができる。
【0026】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、伝熱性を
有する弾性樹脂材料をIC背面とシールドケースとの間
に狭着する事、及びシールドケースに放熱板突出用穴を
設ける構造にする事で、レーザ駆動ICの放熱性と不要
電磁波遮断性を確保してレーザ光源への近接実装が可能
となり、情報記録媒体の高密度化に記録波形を高速制御
する事で対応した安価な光ピックアップ装置の実現が可
能である。
有する弾性樹脂材料をIC背面とシールドケースとの間
に狭着する事、及びシールドケースに放熱板突出用穴を
設ける構造にする事で、レーザ駆動ICの放熱性と不要
電磁波遮断性を確保してレーザ光源への近接実装が可能
となり、情報記録媒体の高密度化に記録波形を高速制御
する事で対応した安価な光ピックアップ装置の実現が可
能である。
【図1】本発明の一実施の形態による光ピックアップ装
置の構成を示す概略図
置の構成を示す概略図
【図2】本発明の一実施の形態によるシールドケース内
部断面の拡大図
部断面の拡大図
【図3】従来の光ピックアップ装置の構成を示す概略図
【図4】レーザ駆動ICを用いた光ピックアップ装置に
おけるシールドケース内部断面の拡大図
おけるシールドケース内部断面の拡大図
101,301 回路基板 102,302 コネクタ 103,204,303,404 フレキシブル基板 104,201,304,401 半導体レーザ 105,305 コリメートレンズ 106,306 偏光ビームスプリッタ 107,307 1/4波長板 108,308 反射ミラー 109,309 対物レンズ 110,310 光ディスク 111,311 検出レンズ 112,312 光検出器 113,202,313,402 光学ケース 114,205,405 シールドケース 115,203,403 レーザ駆動IC 116,206 伝熱性を有する弾性樹脂材料 117,207 放熱板 314 高周波重畳モジュール 315 レーザパワー制御IC
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金丸 敏美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5D119 AA22 AA40 FA32 MA09 MA30 5F073 BA04 EA28 FA02 FA24 GA02 GA12
Claims (3)
- 【請求項1】レーザ光源と、前記レーザ光源を駆動する
レーザ駆動ICと、前記レーザ駆動ICの周囲を覆う金
属薄板から成るシールドケースと、前記レーザ光源から
の光を情報記録媒体へ集光すると共に前記情報記録媒体
から反射された光を光検出器に導く光学系と、前記光学
系を収納する光学ケースとを有する光ピックアップ装置
であって、 前記レーザ駆動ICの背面に伝熱性を有する弾性樹脂材
料を貼り付け前記シールドケースとで狭着する事を特徴
とする光ピックアップ装置。 - 【請求項2】前記伝熱性を有する弾性樹脂材料を用いて
放熱性と不要電磁波遮断性を兼ね備える請求項1記載の
光ピックアップ装置。 - 【請求項3】前記放熱板を放熱板突出用の穴を有した前
記シールドケースと前記伝熱性を有する弾性樹脂材料と
で固定する構造を特徴とする請求項2記載の光ピックア
ップ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000125734A JP2001307372A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000125734A JP2001307372A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 光ピックアップ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001307372A true JP2001307372A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18635634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000125734A Pending JP2001307372A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001307372A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7137130B2 (en) | 2002-10-08 | 2006-11-14 | Pioneer Corporation | Pickup device with heat-radiating mechanism |
CN100397733C (zh) * | 2003-07-28 | 2008-06-25 | Tdk株式会社 | 激光二极管模块 |
WO2021065163A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000125734A patent/JP2001307372A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7137130B2 (en) | 2002-10-08 | 2006-11-14 | Pioneer Corporation | Pickup device with heat-radiating mechanism |
CN100397733C (zh) * | 2003-07-28 | 2008-06-25 | Tdk株式会社 | 激光二极管模块 |
WO2021065163A1 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法 |
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