JP2004281329A

JP2004281329A - 電極パターン形成方法およびディスプレイパネルの製造方法

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Publication number: JP2004281329A
Application number: JP2003074475A
Authority: JP
Inventors: Sota Okamoto; 総太岡本; Kuniaki Amano; 邦晶天野
Original assignee: Pioneer Display Products Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp; Pioneer Display Products Corp
Priority date: 2003-03-18
Filing date: 2003-03-18
Publication date: 2004-10-07

Abstract

【課題】バリの発生および浮きによる隙間の発生の虞を解消し、信頼性を向上させた電極パターンの形成方法およびその電極パターンの形成方法を用いたディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、基板１に隣接する第１レジスト層２１と、第１レジスト層２１に隣接する第２レジスト層２２と、を積層する第１工程と、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２を、所定パターンのマスクを介して露光、現像し、内広がりの開口凹部２０Ｐを形成する第２工程と、開口凹部２０Ｐを介して、基板１上に金属膜３ａを成膜し、このとき、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着する金属膜３ｃと基板１上の金属膜３ａとを分離するように形成する第３工程と、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２を、基板１から剥離することで、基板１上の金属膜３ａを残す第４工程と、を含む電極パターンの形成方法。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極パターンの形成方法およびその電極パターンの形成方法を用いたディスプレイパネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスやディスプレイパネル等の電子デバイスを製造する際に、電極パターン等の金属膜の形成工程に用いられる方法として、リフトオフ法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来のリフトオフ法について図１を用いて説明する。従来のリフトオフ法では、まず図１の（ａ）に示すように、基板１０１上にレジスト層１０２を形成し、所定パターンのマスクを介してレジスト層１０２を露光、現像することにより、レジスト層１０２に所定の電極パターンに対応した開口部１０２Ｐを形成する。
【０００４】
次に、図１の（ｂ）に示すように、開口部１０２Ｐが形成されたレジスト層１０２の上から、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属材料を、スパッタまたは蒸着等の方法により堆積させて金属膜１０３を成膜する。その後、レジスト層１０２を剥離、除去することにより、図１の（ｃ）に示すように、開口部１０２Ｐの形状にパターニングされた電極パターン１０５が形成される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２００２−２７８４７４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のリフトオフ法を用いた電極パターン形成方法においては、図１の（ｂ）に示すように、レジスト層１０２の開口縁部１０２ａに付着した金属膜１０３ｃが、基板１０１上に堆積した金属膜１０３ａとつながっている。
【０００７】
そのため、レジスト層１０２の剥離時に、レジスト層１０２の開口縁部１０２ａに付着した金属膜１０３ｃが、図１の（ｃ）に示すように、完全に除去されずに、電極パターン１０５の端部にバリ１０６として残る虞があった。
【０００８】
また、レジスト層１０２の剥離時に、レジスト層１０２の開口縁部１０２ａに付着した金属膜１０３ｃに引きづられて、電極パターン１０５の端部が浮き上がるように剥離し、この浮きによって隙間１０７が生じてしまう虞があった。
【０００９】
また、上記電極パターン１０５が、プラズマディスプレイパネルの背面基板に形成される列電極（アドレス電極）である場合は、上記のようなバリ１０６や隙間１０７が残ったままパネルの組立を行うと、組立完了後に行われるエージング工程で絶縁破壊が生じる虞がある。
【００１０】
本発明が解決しようとする課題としては、上述した従来技術において生じているバリの発生および浮きによる隙間の発生の虞を解消し、信頼性を向上させた電極パターンの形成方法およびその電極パターンの形成方法を用いたディスプレイパネルの製造方法を提供することが一例として挙げられる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、請求項１に記載の電極パターンの形成方法は、基板上に、前記基板に隣接する第１レジスト層と、前記第１レジスト層に隣接する第２レジスト層と、を積層する第１工程と、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を、所定パターンのマスクを介して露光、現像し、内広がりの開口凹部を形成する第２工程と、前記開口凹部を介して、前記基板上に金属膜を成膜し、このとき、前記第２レジスト層の開口縁部に付着する金属膜と前記基板上の金属膜とを分離するように形成する第３工程と、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を、前記基板から剥離することで、前記基板上の金属膜を残す第４工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項６に記載の電極パターンの形成方法は、基板上に、前記基板に隣接するように第１レジスト層を形成する第１工程と、所定パターンのマスクを介して、前記第１レジスト層を露光、現像し、前記基板を露出させる第１開口部を形成する第２工程と、前記第１レジスト層に隣接するように、第２レジスト層を形成する第３工程と、所定パターンのマスクを介して、前記第２レジスト層を露光、現像し、前記第１開口部と連通するように、第２開口部を形成することにより、内広がりの開口凹部を形成する第４工程と、前記開口凹部を介して、前記基板上に金属膜を成膜し、このとき、前記第２レジスト層の開口縁部に付着する金属膜と前記基板上の金属膜とを分離するように形成する第５工程と、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を、前記基板から剥離することで、前記基板上の金属膜を残す第６工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項１３に記載の発明のディスプレイパネルの製造方法は、請求項１〜１２のいずれかに記載の電極パターンの形成方法を用いることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
以下の各実施の形態に係る電極パターン形成方法は、例えば、プラズマディスプレイなどのディスプレイパネルの背面基板に形成される列電極（アドレス電極）の電極パターン形成などに適用されるものであるが、適用分野はこれに限らず、一般的な電子デバイスの金属膜形成に適用できるものである。
なお、各実施の形態において同一又は相当する構成には同一の符号を付してある。
【００１５】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明に係る第１の実施の形態の電極パターン形成方法の工程説明図である。
まず最初に、図２の（ａ）に示すように、レジスト転写工程（第１工程）を行う。このレジスト転写工程（第１工程）では、フィルム状の多層レジスト２０（例えば２層）をローラ３０によって、基板１に圧着して貼り付けることによって、基板１上に第１レジスト層２１、第２レジスト層２２を積層する。これにより、複数のレジスト層（第１レジスト層２１、第２レジスト層２２）の形成が１回の転写工程によって容易に実現できる。
【００１６】
次に、図２の（ｂ）に示すように、レジスト露光・現像工程（第２工程）を行う。このレジスト露光・現像工程（第２工程）では、所定パターンのマスクを介して、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２に対して露光、現像を行うことによって、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２に連通した開口凹部２０Ｐを形成し、この部分の基板１を露出させる。
【００１７】
このレジスト露光・現像工程（第２工程）における現像は、レジスト露光後に現像液に浸すことによりレジストがエッチングされ、上記の開口凹部２０Ｐが形成される。
【００１８】
なお、一般的に、レジスト現像の際には使用するレジスト素材の種類や現像液の種類等の諸条件によって、所謂現像レート（レジストをエッチングする速度）が異なる。
そこで本実施の形態では、開口凹部２０Ｐを内広がりの形状にするべく、基板１に隣接する第１レジスト層２１の現像レートは、それより上層の第２レジスト層２２の現像レートよりも速くなるような条件を選定して現像を行うようにする。例えば、下層の現像レートが上層の現像レートよりも速くなるように、組成の異なる素材の層を積層した多層レジストを用いる。
このように現像レートを異ならせるためには、上層および下層にネガ型感光性樹脂を使用した場合は、感光硬化性の異なる素材を用いて、下層の現像レートを上層の現像レートよりも速くすることができる。
あるいは、上層および下層にポジ型感光性樹脂を使用した場合は、現像液に対する溶解速度が異なる素材を用いて、下層の現像レートを上層の現像レートよりも速くすることができる。
また、下層には感光性樹脂の代わりに非感光性樹脂を用いることにより、上層の感光性樹脂でパターニングされた開口部から浸透してくる現像液によって、下層の非感光性樹脂が溶解するので、このような場合でも下層の現像レートを上層の現像レートよりも速くすることができる。なお、この場合は、上層の感光性樹脂としては、ポジ型感光性樹脂またはネガ型感光性樹脂を用いることができる。
【００１９】
上述のように、第１レジスト層２１の現像レートが第２レジスト層２２の現像レートよりも速くなる条件を選定して現像を行うことにより、第１レジスト層２１の開口縁部２１ａよりも第２レジスト層２２の開口縁部２２ａが突出し、上記開口縁部２１ａが第２レジスト層２２によって覆われた内広がりの開口凹部２０Ｐ（図２の（ｂ）参照）が形成される。
【００２０】
次に、図２の（ｃ）に示すように、金属膜堆積工程（第３工程）を行う。
この金属膜堆積工程では、第２レジスト層２２上から、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの電極材料をスパッタまたは蒸着等の方法で堆積させ金属膜３（３ａ、３ｂ、３ｃ）を形成する。
【００２１】
これにより、基板１上に堆積した金属膜３ａと、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着した金属膜３ｃが分離された状態で形成され、さらに、第２レジスト層２２表面に堆積した金属膜３ｂが形成される。
【００２２】
すなわち、本実施の形態では、第１レジスト層２１の開口縁部２１ａが、第２レジスト層２２によって覆われた状態（内広がりの開口凹部２０Ｐ）であるので、金属膜３をスパッタ法または蒸着法等で堆積させる際に、第１レジスト層２１の開口縁部２１ａへの金属膜の付着が発生しない。
【００２３】
次に、図２の（ｄ）に示すように、レジスト剥離工程（第４工程）を行う。
このレジスト剥離工程では、例えば、アルカリ溶液（例えば、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン）等のレジスト剥離液を基板１上に供給する。これにより、第１レジスト層２１、第２レジスト層２２がレジスト剥離液を吸収して膨らみ基板１から剥離する。そして、このレジスト剥離液を洗い流すことにより、剥離したレジストが除去される。
【００２４】
このとき、第２レジスト層２２上の金属膜３ｂと開口縁部２２ａに付着した金属膜３ｃとが、剥離したレジストと共に除去されることにより、基板１上に形成された金属膜３ａのみが残り、この金属膜３ａを電極パターン５とする。
以上の第１〜第４工程を実施することにより、電極パターン５を形成することができる。
【００２５】
本実施の形態に係る電極パターン形成方法では、上述のように、基板１上に堆積した金属膜３ａと、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着した金属膜３ｃが分離された状態（不連続の状態）となり、次のレジスト剥離工程（第４工程）において全レジスト層（第１レジスト層２１、第２レジスト層２２）を剥離するとき基板１上の金属膜３ａに外力が加わらないので、従来のようにバリが残ったり、電極パターン５の端部が浮き上がるように剥離し隙間が生じてしまうことがない。
【００２６】
（第２の実施の形態）
図３は、第２の実施の形態に係る電極パターン形成方法の工程説明図である。本実施の形態では、複数のレジスト層（第１レジスト層２１、第２レジスト層２２）の形成を、液体レジストを使用して行う。
【００２７】
まず、第１レジスト層２１を形成するために、第１レジストの塗布・乾燥工程（第１工程の１）を行う。図３の（ａ）に示すように、基板１上にノズル３１から第１の液体レジスト２３を滴下するなどして塗布する。そして、乾燥させることにより、図３の（ｂ）に示すように、基板１上に第１レジスト層２１が形成される。
【００２８】
次に、第２レジスト層２２を形成するために、第２レジストの塗布・乾燥工程を行う（第１工程の２）。図３の（ｃ）に示すように、第１レジスト層２１上にノズル３１から第２の液体レジスト２４を滴下するなどして塗布する。そして、乾燥させることにより、図３の（ｄ）に示すように、第１レジスト層２１の上に第２レジスト層２２が積層される。
【００２９】
本実施の形態では、第１レジスト層２１を形成する第１の液体レジスト２３は、第２レジスト層２２を形成する第２の液体レジスト２４よりも現像レートの速い組成の素材を使用する。
【００３０】
次に、図３の（ｅ）に示すように、レジスト露光・現像工程（第２工程）を行う。このレジスト露光・現像工程（第２工程）では、所定パターンのマスクを介して、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２に対して露光、現像を行うことによって、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２に連通した開口凹部２０Ｐを形成し、この部分の基板１を露出させる。
【００３１】
本実施の形態も前述の第１の実施の形態と同様に、第１レジスト層２１の現像レートが第２レジスト層２２の現像レートよりも速くなる条件で、現像を行うことにより、第１レジスト層２１の開口縁部２１ａよりも第２レジスト層２２の開口縁部２２ａが突出し、上記開口縁部２１ａが第２レジスト層２２によって覆われた状態の内広がりの開口凹部２０Ｐ（図３の（ｅ）参照）が形成される。
【００３２】
以降は、図３の（ｆ）、図３の（ｇ）に示すように、前述の第１の実施の形態と同様に、金属膜堆積工程（第３工程）、レジスト剥離工程（第４工程）を実施することにより、基板１上に電極パターン５が形成される。
【００３３】
本実施の形態においても、前述の第１の実施の形態と同様に、基板１上に堆積した金属膜３ａと、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着した金属膜３ｃが分離された状態（不連続の状態）となり、次のレジスト剥離工程（第４工程）において全レジスト層（第１レジスト層２１、第２レジスト層２２）を剥離するとき基板１上の金属膜３ａに外力が加わらないので、従来のようにバリが残ったり、電極パターン５の端部が浮き上がるように剥離し隙間が生じてしまうことがない。
【００３４】
（第３の実施の形態）
図４は第３の実施の形態に係る電極パターン形成方法の工程説明図である。本実施の形態では、フィルム状の（単層）レジストを一層ずつ順次積層する。
【００３５】
本実施の形態は、まず最初に、図４の（ａ）に示すように、第１レジスト転写工程（第１工程）を行う。
この第１レジスト転写工程（第１工程）では、例えばローラ３０を回転させながら、フィルム状の第１レジスト２５を基板１に圧着することにより、基板１上に第１レジスト層２１を形成する。
【００３６】
次に、図４の（ｂ）に示すように、第１レジスト露光・現像工程（第２工程）を行う。この第１レジスト露光・現像工程（第２工程）では、所定パターンのマスクを介して第１レジスト層２１を露光、現像し、第１レジスト層２１に、基板１を露出させる第１開口部２１Ｐを形成する。
【００３７】
次に、図４の（ｃ）に示すように、第２レジスト転写工程（第３工程）を行う。この第２レジスト転写工程（第３工程）では、例えばローラ３０を回転させながら、フィルム状の第２レジスト２６を第１レジスト層２１に圧着することにより、第１レジスト層２１上に第２レジスト層２２を形成する。
【００３８】
次に、図４の（ｄ）に示すように、第２レジスト露光・現像工程（第４工程）を行う。
この第２レジスト露光・現像工程（第４工程）では、所定パターンのマスクを介して第２レジスト層２２を露光、現像し、第２レジスト層２２に、第１レジスト層２１の第１開口部２１Ｐと連通するように第２開口部２２Ｐを形成する。このとき、第２開口部２２Ｐは第１開口部２１Ｐよりも狭くなるように形成する。
【００３９】
これにより、第１レジスト層２１の開口縁部２１ａよりも第２レジスト層２２の開口縁部２２ａが突出し、上記開口縁部２１ａが第２レジスト層２２によって覆われた状態の内広がりの開口凹部２０Ｐ（図３の（ｅ）参照）が形成される。
【００４０】
以降は、図４の（ｅ）、図４の（ｆ）に示すように、第１の実施の形態と同様に、金属膜堆積工程（第５工程）、レジスト剥離工程（第６工程）を実施することにより、基板１上に電極パターン５が形成される。
【００４１】
本実施の形態においても、前述の第１、第２の実施の形態と同様に、基板１上に堆積した金属膜３ａと、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着した金属膜３ｃが分離された状態（不連続の状態）となり、次のレジスト剥離工程（第６工程）において全レジスト層（第１レジスト層２１、第２レジスト層２２）を剥離するとき基板１上の金属膜３ａに外力が加わらないので、従来のようにバリが残ったり、電極パターン５の端部が浮き上がるように剥離し隙間が生じてしまうことがない。
【００４２】
本実施の形態では、前述の内広がりの開口凹部２０Ｐを形成する方法として、第１、第２の実施の形態と同様に、現像レートの異なるレジストを用いる方法を適用することができる。
【００４３】
さらに、本実施の形態では、各レジスト層の現像工程において、第１レジスト層２１の現像工程の現像時間を、第２レジスト層２２の現像工程の現像時間よりも長く設定することによっても、上記現像レートの異なるレジストを用いる方法と同様の効果が得られる。
【００４４】
あるいは、第１レジスト層２１の現像工程の現像液を第２レジスト層２２の現像工程の現像液よりも溶解が速い種類の溶液とする方法によっても、上記現像レートの異なるレジストを用いる方法と同様の効果が得られる。
【００４５】
また、本実施の形態の第１レジスト転写工程（第１工程）および第２レジスト転写工程（第３工程）は、第２の実施の形態と同様に、液体レジストを塗布、乾燥させて、一層ずつ順次積層するようにしてもよい。
【００４６】
以上の各実施の形態の金属膜堆積工程において、金属膜３をスパッタ法または蒸着法等で堆積させる際に、第１レジスト層２１の開口縁部２１ａに金属が回り込んで付着するのを抑えるように、第１レジスト層２１の膜厚を２０μｍ以下とするとよい。さらに、より好ましくは、膜厚を１０μｍ以下とするとよい。
【００４７】
また、基板１に隣接する第１レジスト層２１は、レジスト層の剥離時（レジスト剥離工程）に、剥離の容易な組成の素材のレジストを使用することが好ましい。これにより、全てのレジスト層を剥離する際に、最下層の第１レジスト層２１が剥がれれば、当然その上層の第２レジスト層２２は剥がれるので、容易に全てのレジスト層を剥離できる。
【００４８】
また、第１、第３の実施の形態で使用されるフィルム状のレジストとしては、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）、コンポジットＤＦＲ等を用いることができる。
【００４９】
また、各実施の形態で使用されるフィルム状のレジストや液体レジストは、ポジ型、ネガ型のどちらの型のものを用いてもよい。
【００５０】
また、前述の各実施の形態は、レジスト層を２層積層する場合について述べているが、基板に隣接するレジスト層の開口縁部を、それよりも上層のレジスト層によって覆った状態で金属膜を堆積するならば、レジスト層を３層以上に積層してもよい。
【００５１】
以上説明したように、第１および第２の実施の形態に係る電極パターンの形成方法は、基板１上に、基板１に隣接する第１レジスト層２１と、第１レジスト層２１に隣接する第２レジスト層２２と、を積層する第１工程と、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２を、所定パターンのマスクを介して露光、現像し、内広がりの開口凹部２０Ｐを形成する第２工程と、開口凹部２０Ｐを介して、基板１上に金属膜３ａを成膜し、このとき、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着する金属膜３ｃと基板１上の金属膜３ａとを分離するように形成する第３工程と、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２を、基板１から剥離することで、基板１上の金属膜３ａを残す第４工程と、を含むので、レジスト剥離工程において全レジスト層を剥離するときに、従来のようなバリが残ったり、電極パターンの端部が浮き上がるように剥離し隙間が生じることがなくなり、信頼性の高い電極パターン形成が可能となる。
【００５２】
また、第３の実施の形態に係る電極パターンの形成方法は、基板１上に、基板１に隣接するように第１レジスト層２１を形成する第１工程と、所定パターンのマスクを介して、第１レジスト層２１を露光、現像し、基板１を露出させる第１開口部２１Ｐを形成する第２工程と、第１レジスト層２１に隣接するように、第２レジスト層２２を形成する第３工程と、所定パターンのマスクを介して、第２レジスト層２２を露光、現像し、第１開口部２１Ｐと連通するように、第２開口部２２Ｐを形成することにより、内広がりの開口凹部２０Ｐを形成する第４工程と、開口凹部２０Ｐを介して、基板１上に金属膜３ａを成膜し、このとき、第２レジスト層２２の開口縁部２２ａに付着する金属膜３ｃと基板１上の金属膜３ａとを分離するように形成する第５工程と、第１レジスト層２１および第２レジスト層２２を、基板１から剥離することで、基板１上の金属膜３ａを残す第６工程と、を含むので、レジスト剥離工程において全レジスト層を剥離するときに、従来のようなバリが残ったり、電極パターンの端部が浮き上がるように剥離し隙間が生じることがなくなり、信頼性の高い電極パターン形成が可能となる。
さらに、第１レジスト層２１の現像工程の現像時間を、第２レジスト層２２の現像工程の現像時間よりも長く設定する方法、あるいは、第１レジスト層２１の現像工程の現像液を第２レジスト層２２の現像工程の現像液よりも溶解が速い種類の溶液とする方法を用いれば、第１レジスト２５と第２レジスト２６とを同じ組成の素材のレジストとすることもできる。
【００５３】
さらに、前記各実施の形態の電極パターンの形成方法は、ディスプレイパネルの製造工程における電極パターン形成に適用できるので、列電極（アドレス電極）の電極パターン形成等に用いることができる。この場合、列電極（アドレス電極）の電極パターン形成において、バリや電極パターンの端部が浮き上がるように剥離し隙間が生じる虞がないので、パネルの組立完了後に行われるエージング工程で絶縁破壊が生じる虞がなくなるなど、信頼性が向上し、不良率が低くなり、製造歩留まりが上がるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のリフトオフ法による電極パターン形成方法の工程説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の電極パターン形成方法の工程説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の電極パターン形成方法の工程説明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の電極パターン形成方法の工程説明図である。
【符号の説明】
１基板
３、３ａ、３ｂ、３ｃ金属膜
５電極パターン
２０多層レジスト
２０ａ第１レジスト
２０ｂ第２レジスト
２０Ｐ（内広がりの）開口凹部
２１第１レジスト層
２１Ｐ第１開口部
２１ａ開口縁部
２２第２レジスト層
２２Ｐ第２開口部
２２ａ開口縁部

Claims

基板上に、前記基板に隣接する第１レジスト層と、前記第１レジスト層に隣接する第２レジスト層と、を積層する第１工程と、
前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を、所定パターンのマスクを介して露光、現像し、内広がりの開口凹部を形成する第２工程と、
前記開口凹部を介して、前記基板上に金属膜を成膜し、このとき、前記第２レジスト層の開口縁部に付着する金属膜と前記基板上の金属膜とを分離するように形成する第３工程と、
前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を、前記基板から剥離することで、前記基板上の金属膜を残す第４工程と、を含むことを特徴とする電極パターンの形成方法。
前記第１工程において、前記基板上にフィルム状の多層レジストを圧着することによって、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を積層することを特徴とする請求項１に記載の電極パターンの形成方法。
前記第１工程において、前記基板上に液状レジストの塗布、乾燥を複数回繰り返すことにより、前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を積層することを特徴とする請求項１に記載の電極パターンの形成方法。
前記第１レジスト層の現像レートを、前記第２レジスト層の現像レートよりも速くすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電極パターンの形成方法。
感光硬化性の異なる素材を用いて、前記第１レジスト層の現像レートを、前記第２レジスト層の現像レートよりも速くすることを特徴とする請求項４に記載の電極パターンの形成方法。
基板上に、前記基板に隣接するように第１レジスト層を形成する第１工程と、
所定パターンのマスクを介して、前記第１レジスト層を露光、現像し、前記基板を露出させる第１開口部を形成する第２工程と、
前記第１レジスト層に隣接するように、第２レジスト層を形成する第３工程と、
所定パターンのマスクを介して、前記第２レジスト層を露光、現像し、前記第１開口部と連通するように、第２開口部を形成することにより、内広がりの開口凹部を形成する第４工程と、
前記開口凹部を介して、前記基板上に金属膜を成膜し、このとき、前記第２レジスト層の開口縁部に付着する金属膜と前記基板上の金属膜とを分離するように形成する第５工程と、
前記第１レジスト層および前記第２レジスト層を、前記基板から剥離することで、前記基板上の金属膜を残す第６工程と、を含むことを特徴とする電極パターンの形成方法。
前記第１工程において、前記基板上にフィルム状の第１レジストを圧着して前記第１レジスト層を形成し、
前記第３工程において、前記第１レジスト層上にフィルム状の第２レジストを圧着して前記第２レジスト層を形成することを特徴とする請求項６に記載の電極パターンの形成方法。
前記第１工程において、前記基板上に第１液状レジストを塗布、乾燥することによって前記第１レジスト層を形成し、
前記第３工程において、前記第１レジスト層上に第２液状レジストを塗布、乾燥することによって前記第２レジスト層を形成することを特徴とする請求項６に記載の電極パターンの形成方法。
前記第１レジスト層の現像レートを、前記第２レジスト層の現像レートよりも速くすることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の電極パターンの形成方法。
前記第２工程における前記第１レジスト層の現像時間を、前記第４工程における前記第２レジスト層の現像時間よりも長く設定することを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の電極パターンの形成方法。
前記第２工程における前記第１レジスト層の現像液を、前記第４工程における前記第２レジスト層の現像液よりもレジストの溶解が速い溶液とすることを特徴とする請求項６〜１０のいずれかに記載の電極パターンの形成方法。
前記開口凹部を介して、前記基板上に金属膜を成膜させる成膜方法として、スパッタ法または蒸着法を用いることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の電極パターンの形成方法。
請求項１〜１２のいずれかに記載の電極パターンの形成方法を用いることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。