JPH09139564A - 厚膜配線及びその形成方法 - Google Patents
厚膜配線及びその形成方法Info
- Publication number
- JPH09139564A JPH09139564A JP29640895A JP29640895A JPH09139564A JP H09139564 A JPH09139564 A JP H09139564A JP 29640895 A JP29640895 A JP 29640895A JP 29640895 A JP29640895 A JP 29640895A JP H09139564 A JPH09139564 A JP H09139564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- glass
- glass substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短い工程で所望の電極パターンが形成でき、
比抵抗の低い配線を得るのを可能にする。 【解決手段】 転写用基板３上にメッキ法で電極材料の
パターンを形成し、ガラスフリット含有接着層６により
そのメッキ層４をガラス基板５に転写し、その後焼成し
て接着層６中のガラスフリットを溶かしてメッキ層４を
ガラス基板５に密着させる。電極ペーストを使用した厚
膜配線のようにフォトリソグラフィー法によるパターニ
ング処理が必要でないため、工程の短縮が図れる。ま
た、電極中にガラスフリットが存在しないので、比抵抗
の低い配線が得られる。
比抵抗の低い配線を得るのを可能にする。 【解決手段】 転写用基板３上にメッキ法で電極材料の
パターンを形成し、ガラスフリット含有接着層６により
そのメッキ層４をガラス基板５に転写し、その後焼成し
て接着層６中のガラスフリットを溶かしてメッキ層４を
ガラス基板５に密着させる。電極ペーストを使用した厚
膜配線のようにフォトリソグラフィー法によるパターニ
ング処理が必要でないため、工程の短縮が図れる。ま
た、電極中にガラスフリットが存在しないので、比抵抗
の低い配線が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板、
プラズマディスプレイパネル基板等における厚膜配線及
びその形成方法に関するものである。
プラズマディスプレイパネル基板等における厚膜配線及
びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】通常、上記の如き厚膜
配線は、それを形成しようとする基板の全面に電極ペー
ストを塗布して焼成することによって薄膜を形成し、そ
の薄膜をフォトリソグラフィー法（レジスト膜形成、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離）によりパターニ
ングすることで形成されている。しかしながらこの方法
では、フォトリソグラフィー法によるパターニング処理
に時間がかかり、このため工程が長くなるという欠点が
ある。また、ペースト材料には金属粉以外にガラスフリ
ットが存在し、単位体積当たりで言うと電極として担う
金属粉の割合が低いことから、電極として比抵抗の低い
材料は得にくいという問題点もある。
配線は、それを形成しようとする基板の全面に電極ペー
ストを塗布して焼成することによって薄膜を形成し、そ
の薄膜をフォトリソグラフィー法（レジスト膜形成、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離）によりパターニ
ングすることで形成されている。しかしながらこの方法
では、フォトリソグラフィー法によるパターニング処理
に時間がかかり、このため工程が長くなるという欠点が
ある。また、ペースト材料には金属粉以外にガラスフリ
ットが存在し、単位体積当たりで言うと電極として担う
金属粉の割合が低いことから、電極として比抵抗の低い
材料は得にくいという問題点もある。
【０００３】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、短い工程
で所望の電極パターンが形成でき、電極材料の比抵抗の
低下が起こらないようにした厚膜配線及びその形成方法
を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、短い工程
で所望の電極パターンが形成でき、電極材料の比抵抗の
低下が起こらないようにした厚膜配線及びその形成方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の厚膜配線は、電極材料からなるパターン状
のメッキ層がガラスペーストを介してガラス基板上に接
着されてなることを特徴とするものである。
め、本発明の厚膜配線は、電極材料からなるパターン状
のメッキ層がガラスペーストを介してガラス基板上に接
着されてなることを特徴とするものである。
【０００５】そして、上記構成の厚膜配線は、少なくと
も次の各工程からなる方法で形成することができる。 （１）導電性の板材上に、形成すべき電極とは相反する
パターンの絶縁層を形成して転写用基板を作製する工
程。 （２）前記転写用基板における前記絶縁層非形成部に電
極材料をメッキしてメッキ層を形成する工程。 （３）転写させるガラス基板の全面又は一部にガラスフ
リット含有接着層を形成する工程。 （４）前記転写用基板と前記ガラス基板とを圧着させ、
転写用基板とガラス基板を剥離して前記メッキ層を前記
接着層とともにガラス基板に転写させる工程。 （５）前記ガラス基板を焼成して前記接着層中のガラス
フリットを溶かし、メッキ層をガラス基板に融着させる
工程。
も次の各工程からなる方法で形成することができる。 （１）導電性の板材上に、形成すべき電極とは相反する
パターンの絶縁層を形成して転写用基板を作製する工
程。 （２）前記転写用基板における前記絶縁層非形成部に電
極材料をメッキしてメッキ層を形成する工程。 （３）転写させるガラス基板の全面又は一部にガラスフ
リット含有接着層を形成する工程。 （４）前記転写用基板と前記ガラス基板とを圧着させ、
転写用基板とガラス基板を剥離して前記メッキ層を前記
接着層とともにガラス基板に転写させる工程。 （５）前記ガラス基板を焼成して前記接着層中のガラス
フリットを溶かし、メッキ層をガラス基板に融着させる
工程。
【０００６】また、上記構成の厚膜配線は、少なくとも
次の各工程からなる方法でも形成することができる。 （１）導電性の板材上に、形成すべき電極とは相反する
パターンの絶縁層を形成して転写用基板を作製する工
程。 （２）前記転写用基板における前記絶縁層非形成部に電
極材料をメッキしてメッキ層を形成する工程。 （３）前記転写用基板の全面又は一部にガラスフリット
含有接着層を形成する工程。 （４）前記転写用基板と前記ガラス基板とを圧着させ、
転写用基板とガラス基板を剥離して前記メッキ層を前記
接着層とともにガラス基板に転写させる工程。 （５）前記ガラス基板を焼成して前記接着層中のガラス
フリットを溶かし、メッキ層をガラス基板に融着させる
工程。
次の各工程からなる方法でも形成することができる。 （１）導電性の板材上に、形成すべき電極とは相反する
パターンの絶縁層を形成して転写用基板を作製する工
程。 （２）前記転写用基板における前記絶縁層非形成部に電
極材料をメッキしてメッキ層を形成する工程。 （３）前記転写用基板の全面又は一部にガラスフリット
含有接着層を形成する工程。 （４）前記転写用基板と前記ガラス基板とを圧着させ、
転写用基板とガラス基板を剥離して前記メッキ層を前記
接着層とともにガラス基板に転写させる工程。 （５）前記ガラス基板を焼成して前記接着層中のガラス
フリットを溶かし、メッキ層をガラス基板に融着させる
工程。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る厚膜配線の実施形態をその形成手順を述べることによ
り説明する。
る厚膜配線の実施形態をその形成手順を述べることによ
り説明する。
【０００８】まず図１（ａ）に示すように、導電性を有
する板材１上に、形成すべき電極とは相反するパターン
の絶縁層２を形成して転写用基板３を作製する。
する板材１上に、形成すべき電極とは相反するパターン
の絶縁層２を形成して転写用基板３を作製する。
【０００９】この転写用基板３の板材１としては、表面
に導電層を設けたガラス板、ＳＵＳ、インバー３６（Ｆ
ｅ：Ｎｉ＝６４：３６）、インバー４２（Ｆｅ：Ｎｉ＝
５８：４２）、コバール（Ｆｅ：Ｎｉ：Ｃｏ＝５４：２
９：１７）、Ｔｉ等の材料が好ましい。また、その表面
粗さ（Ｒｍａｘ）を１０００Å以下に研磨したものが好
ましい。この研磨方法としては、ラッピング研磨法や電
界複合研磨法などがある。
に導電層を設けたガラス板、ＳＵＳ、インバー３６（Ｆ
ｅ：Ｎｉ＝６４：３６）、インバー４２（Ｆｅ：Ｎｉ＝
５８：４２）、コバール（Ｆｅ：Ｎｉ：Ｃｏ＝５４：２
９：１７）、Ｔｉ等の材料が好ましい。また、その表面
粗さ（Ｒｍａｘ）を１０００Å以下に研磨したものが好
ましい。この研磨方法としては、ラッピング研磨法や電
界複合研磨法などがある。
【００１０】絶縁層２は、板材１の上にフォトレジスト
を塗布した後、所定のマスクを介してフォトレジスト層
を密着露光し、現像することにより板材１のうちの配線
パターン部分１ａを露出させることで形成される。或い
は、板材１上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜をフォトリ
ソグラフィー法によりパターニングすることで得られ
る。この絶縁膜としては、ＣＶＤ法によるＳｉＮｘ膜
又はＳｉＯｘ膜、反応性蒸着膜によるＳｉＮｘ膜、Ｓ
ｉＯｘ膜又はショットガラス膜、コーティングガラ
ス、セラミック前駆体ポリマー、硬化型樹脂等の塗布膜
（必要により焼成）等が用いられる。セラミック前駆体
ポリマーとしては、シラザンポリマー、シラノール化合
物等がある。板材上に上記のような絶縁膜を形成した
後、具体的には、レジスト膜の形成、マスクを介しての
露光、現像の各工程を経た後、ドライエッチングにより
絶縁膜をエッチングする工程をとる。なお、ドライエッ
チングは反応性イオンエッチング法で行うことでアスペ
クト比の高いエッチングが可能となる。その後レジスト
を剥離することにより、図１に示す如く、板材１上に形
成すべき電極とは相反するパターンの絶縁層２が形成さ
れた転写用基板３が完成する。
を塗布した後、所定のマスクを介してフォトレジスト層
を密着露光し、現像することにより板材１のうちの配線
パターン部分１ａを露出させることで形成される。或い
は、板材１上に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜をフォトリ
ソグラフィー法によりパターニングすることで得られ
る。この絶縁膜としては、ＣＶＤ法によるＳｉＮｘ膜
又はＳｉＯｘ膜、反応性蒸着膜によるＳｉＮｘ膜、Ｓ
ｉＯｘ膜又はショットガラス膜、コーティングガラ
ス、セラミック前駆体ポリマー、硬化型樹脂等の塗布膜
（必要により焼成）等が用いられる。セラミック前駆体
ポリマーとしては、シラザンポリマー、シラノール化合
物等がある。板材上に上記のような絶縁膜を形成した
後、具体的には、レジスト膜の形成、マスクを介しての
露光、現像の各工程を経た後、ドライエッチングにより
絶縁膜をエッチングする工程をとる。なお、ドライエッ
チングは反応性イオンエッチング法で行うことでアスペ
クト比の高いエッチングが可能となる。その後レジスト
を剥離することにより、図１に示す如く、板材１上に形
成すべき電極とは相反するパターンの絶縁層２が形成さ
れた転写用基板３が完成する。
【００１１】また、転写用基板を作製する別の方法とし
て、予め板材の絶縁層形成予定部分をエッチングして凹
部を形成しておき、当該凹部に絶縁層を形成するように
してもよい。この場合、板材の上にフォトレジスト層を
パターン形成し、パターン開孔部に対応する板材表面を
エッチングして凹部を形成した後、全面に絶縁層を形成
してから、フォトレジスト層と共にその上の絶縁層を剥
離（リフトオフ法）する方法を採るとより簡便である。
て、予め板材の絶縁層形成予定部分をエッチングして凹
部を形成しておき、当該凹部に絶縁層を形成するように
してもよい。この場合、板材の上にフォトレジスト層を
パターン形成し、パターン開孔部に対応する板材表面を
エッチングして凹部を形成した後、全面に絶縁層を形成
してから、フォトレジスト層と共にその上の絶縁層を剥
離（リフトオフ法）する方法を採るとより簡便である。
【００１２】転写用基板３を作製した後、図１（ｂ）に
示すように、その転写用基板３における絶縁層２以外の
配線パターン部分１ａに電極材料をメッキしてメッキ層
４を形成する。この電極材料としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ等の金属材料が使用される。一方、図１（ｃ）に示す
ように、メッキ層４を転写させるべきガラス基板５の全
面に粘着性或いは接着性のガラスフリット含有接着層６
を形成する。この接着層６としては通常の金属ペースト
のバインダーに用いられる材料が使用される。具体的に
は、ＰｂＯを主成分とする低融点ガラスフリット（Ｐｂ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等）、バインダー
樹脂（例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、
アルカリ樹脂等）からなり、必要により溶剤、添加剤が
加えられたものである。なお、接着層６はメッキ層４部
分のみに形成してもよいし、転写用基板３のメッキ層４
上を含む全面又は一部に形成するようにしてもよい。メ
ッキ層４部分のみに形成すると接着層になるだけである
が、図示のように全面に形成すると転写時に下地層の役
目を果たすため、ガラス基板５の歪みの防止、ガラス基
板５よりのアルカリ成分の拡散防止等の効果も得られ
る。
示すように、その転写用基板３における絶縁層２以外の
配線パターン部分１ａに電極材料をメッキしてメッキ層
４を形成する。この電極材料としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ等の金属材料が使用される。一方、図１（ｃ）に示す
ように、メッキ層４を転写させるべきガラス基板５の全
面に粘着性或いは接着性のガラスフリット含有接着層６
を形成する。この接着層６としては通常の金属ペースト
のバインダーに用いられる材料が使用される。具体的に
は、ＰｂＯを主成分とする低融点ガラスフリット（Ｐｂ
Ｏ、Ａｌ2 Ｏ3、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等）、バインダー
樹脂（例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、
アルカリ樹脂等）からなり、必要により溶剤、添加剤が
加えられたものである。なお、接着層６はメッキ層４部
分のみに形成してもよいし、転写用基板３のメッキ層４
上を含む全面又は一部に形成するようにしてもよい。メ
ッキ層４部分のみに形成すると接着層になるだけである
が、図示のように全面に形成すると転写時に下地層の役
目を果たすため、ガラス基板５の歪みの防止、ガラス基
板５よりのアルカリ成分の拡散防止等の効果も得られ
る。
【００１３】また、転写用基板３をガラス基板５から剥
離する工程、すなわち転写工程において剥離性を向上さ
せる理由で、転写用基板３の形成すべき電極とは相反す
るパターンの絶縁層２の表面に剥離性樹脂層を設けてお
くのが好ましい。この剥離性樹脂層は、シリコーン樹
脂、ポリイミド樹脂、テフロン樹脂等により形成するこ
とができ、特に粘着剤に対する離型性を考慮した場合、
シリコーン樹脂が好ましく使用される。シリコーン樹脂
としては、熱硬化性シリコーン樹脂、紫外線硬化型シリ
コーン樹脂、電子線硬化型シリコーン樹脂のいずれであ
ってもよい。このような剥離性樹脂層の厚さは０．００
５〜１μｍ程度が好ましい。剥離性樹脂層の厚さが０．
００５μｍ未満であると、これ以上薄く形成するのが難
しく、絶縁層全面の保護が不十分となる。また、剥離性
樹脂層の厚さが１μｍを越えると、電着物質が凹部内に
形成されなかったり、凹部形状の変化が起こり好ましく
ない。剥離性樹脂層の形成方法としては、掛け流し法に
より塗布した後に硬化させる方法、スピンコート、ロー
ルコート等が挙げられる。
離する工程、すなわち転写工程において剥離性を向上さ
せる理由で、転写用基板３の形成すべき電極とは相反す
るパターンの絶縁層２の表面に剥離性樹脂層を設けてお
くのが好ましい。この剥離性樹脂層は、シリコーン樹
脂、ポリイミド樹脂、テフロン樹脂等により形成するこ
とができ、特に粘着剤に対する離型性を考慮した場合、
シリコーン樹脂が好ましく使用される。シリコーン樹脂
としては、熱硬化性シリコーン樹脂、紫外線硬化型シリ
コーン樹脂、電子線硬化型シリコーン樹脂のいずれであ
ってもよい。このような剥離性樹脂層の厚さは０．００
５〜１μｍ程度が好ましい。剥離性樹脂層の厚さが０．
００５μｍ未満であると、これ以上薄く形成するのが難
しく、絶縁層全面の保護が不十分となる。また、剥離性
樹脂層の厚さが１μｍを越えると、電着物質が凹部内に
形成されなかったり、凹部形状の変化が起こり好ましく
ない。剥離性樹脂層の形成方法としては、掛け流し法に
より塗布した後に硬化させる方法、スピンコート、ロー
ルコート等が挙げられる。
【００１４】次いで、図１（ｄ）に示すように、ガラス
基板５上に上記の転写用基板３を接着層６がガラス基板
５に当接するようにして圧着する。この圧着は、ローラ
圧着、プレート圧着、真空圧着等いずれの方法にしたが
ってもよい。また、接着層６が加熱により粘着性或いは
接着性を発現するバインダー樹脂を有する場合には、熱
圧着を行うこともできる。その後、図１（ｅ）に示すよ
うに、転写用基板３を剥離してメッキ層４をガラス基板
５上の接着層６とともに転写する。そして、この剥離し
た転写用基板３は再利用される。
基板５上に上記の転写用基板３を接着層６がガラス基板
５に当接するようにして圧着する。この圧着は、ローラ
圧着、プレート圧着、真空圧着等いずれの方法にしたが
ってもよい。また、接着層６が加熱により粘着性或いは
接着性を発現するバインダー樹脂を有する場合には、熱
圧着を行うこともできる。その後、図１（ｅ）に示すよ
うに、転写用基板３を剥離してメッキ層４をガラス基板
５上の接着層６とともに転写する。そして、この剥離し
た転写用基板３は再利用される。
【００１５】続いて、ガラス基板５を焼成してメッキ層
４をガラス基板に密着させる。すなわち、ガラスフリッ
ト含有接着層６は焼成するとバインダー成分である溶剤
やバインダー樹脂は焼却されてなくなり、残ったガラス
フリット成分が溶け、メッキ層４とガラス基板５とを接
着させることができる。これにより、図１（ｆ）に示す
ように、電極材料からなるパターン状のメッキ層４がガ
ラスペースト７を介してガラス基板５上に接着された厚
膜配線が形成される。
４をガラス基板に密着させる。すなわち、ガラスフリッ
ト含有接着層６は焼成するとバインダー成分である溶剤
やバインダー樹脂は焼却されてなくなり、残ったガラス
フリット成分が溶け、メッキ層４とガラス基板５とを接
着させることができる。これにより、図１（ｆ）に示す
ように、電極材料からなるパターン状のメッキ層４がガ
ラスペースト７を介してガラス基板５上に接着された厚
膜配線が形成される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
転写用基板上にメッキ法で電極材料からなるパターン状
のメッキ層を形成し、ガラスフリット含有接着層により
そのメッキ層をガラス基板に転写し、その後焼成して接
着層中のガラスフリットを溶かしてメッキ層をガラス基
板に密着させることで厚膜配線を形成するようにしたの
で、従来の電極ペーストを使用した厚膜配線のようにフ
ォトリソグラフィー法によるパターニング処理が必要で
ないため、工程の短縮を図ることができる。また、電極
ペーストを用いた場合のように電極中にガラスフリット
が存在することがないことから、電極材料の比抵抗の低
下が起こらない。
転写用基板上にメッキ法で電極材料からなるパターン状
のメッキ層を形成し、ガラスフリット含有接着層により
そのメッキ層をガラス基板に転写し、その後焼成して接
着層中のガラスフリットを溶かしてメッキ層をガラス基
板に密着させることで厚膜配線を形成するようにしたの
で、従来の電極ペーストを使用した厚膜配線のようにフ
ォトリソグラフィー法によるパターニング処理が必要で
ないため、工程の短縮を図ることができる。また、電極
ペーストを用いた場合のように電極中にガラスフリット
が存在することがないことから、電極材料の比抵抗の低
下が起こらない。
【図面の簡単な説明】
【図１】厚膜配線の形成手順を示す工程図である。
１ 板材 ２ 絶縁層 ３ 転写用基板 ４ メッキ層 ５ ガラス基板 ６ ガラスフリット含有接着層 ７ ガラスペースト
Claims (3)
- 【請求項１】 電極材料からなるパターン状のメッキ層
がガラスペーストを介してガラス基板上に接着されてな
ることを特徴とする厚膜配線。 - 【請求項２】 少なくとも次の各工程からなることを特
徴とする厚膜配線形成方法。 （１）導電性の板材上に、形成すべき電極とは相反する
パターンの絶縁層を形成して転写用基板を作製する工
程。 （２）前記転写用基板における前記絶縁層非形成部に電
極材料をメッキしてメッキ層を形成する工程。 （３）転写させるガラス基板の全面又は一部にガラスフ
リット含有接着層を形成する工程。 （４）前記転写用基板と前記ガラス基板とを圧着させ、
転写用基板とガラス基板を剥離して前記メッキ層を前記
接着層とともにガラス基板に転写させる工程。 （５）前記ガラス基板を焼成して前記接着層中のガラス
フリットを溶かし、メッキ層をガラス基板に融着させる
工程。 - 【請求項３】 少なくとも次の各工程からなることを特
徴とする厚膜配線形成方法。 （１）導電性の板材上に、形成すべき電極とは相反する
パターンの絶縁層を形成して転写用基板を作製する工
程。 （２）前記転写用基板における前記絶縁層非形成部に電
極材料をメッキしてメッキ層を形成する工程。 （３）前記転写用基板の全面又は一部にガラスフリット
含有接着層を形成する工程。 （４）前記転写用基板と前記ガラス基板とを圧着させ、
転写用基板とガラス基板を剥離して前記メッキ層を前記
接着層とともにガラス基板に転写させる工程。 （５）前記ガラス基板を焼成して前記接着層中のガラス
フリットを溶かし、メッキ層をガラス基板に融着させる
工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29640895A JPH09139564A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 厚膜配線及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29640895A JPH09139564A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 厚膜配線及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139564A true JPH09139564A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17833165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29640895A Pending JPH09139564A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 厚膜配線及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09139564A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005172496A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 荷重センサ及びその製造方法 |
| JP2008512019A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｒｆｉｄアンテナを製造する方法 |
| WO2022202552A1 (ja) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 配線転写版、配線付き配線転写版、配線体用中間材、及び、配線体の製造方法 |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP29640895A patent/JPH09139564A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005172496A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 荷重センサ及びその製造方法 |
| JP2008512019A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｒｆｉｄアンテナを製造する方法 |
| WO2022202552A1 (ja) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 配線転写版、配線付き配線転写版、配線体用中間材、及び、配線体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0361752B1 (en) | Selective solder formation on printed circuit boards | |
| JP2002520809A (ja) | 許容値が改善され処理が簡略化された集積薄膜金属抵抗 | |
| JPH05205640A (ja) | 外囲器の支柱形成方法 | |
| KR20070062971A (ko) | 세라믹 전자부품의 제조방법 | |
| US4963512A (en) | Method for forming conductor layers and method for fabricating multilayer substrates | |
| JPH04240792A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH09139564A (ja) | 厚膜配線及びその形成方法 | |
| US6150074A (en) | Method of forming electrically conductive wiring pattern | |
| JPH11251722A (ja) | 耐熱性配線基板 | |
| WO2000030420A1 (fr) | Procede de production de tableaux de connexions | |
| JP2000216522A (ja) | フレキシブル基板製造方法、及びフレキシブル基板 | |
| JP2002111185A (ja) | バンプ付き配線回路基板及びその製造方法 | |
| JPH07320543A (ja) | 異方導電性接着構造物及びその製造方法 | |
| JP2002151829A (ja) | 金属部パターン転写用基板、その製造方法及びそれを用いた耐熱性配線基板の製造方法 | |
| JP2000077823A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2004266078A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JP2000323839A (ja) | 多層基板の製造方法 | |
| JP2019525481A (ja) | 回路板およびその形成方法 | |
| JPH1041611A (ja) | プリント配線板の製造方法及びプリント配線板 | |
| JPS6356718B2 (ja) | ||
| JPS6364920B2 (ja) | ||
| JP3003119B2 (ja) | 表示素子用電極板およびその製造方法 | |
| JPH03173497A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0387089A (ja) | 回路パターン形成用フィルムおよび回路板の製造法 | |
| JP2720511B2 (ja) | ヴィアフィル形成方法 |