JP2004271294A - 回路基板検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像処理などの高価な設備を用いることなく、プローブをチップ部品に接触させるだけの操作で、バイパスコンデンサなどのチップ部品の実装状態を確実に検査可能とする。
【解決手段】チップ部品１のリード電極の上端縁に接触する傾斜面１０１を有する第１プローブ１００および通常のプローブピンからなる第２プローブ２００とを備え、第１プローブ１００の傾斜面１０１をチップ部品１の例えばリード電極３側の上端縁に接触させるとともに、第２プローブ２００をリード電極３が接続されている配線パターン５に接触させ、計測部３００にて各プローブ１００，２００間のショート・オープン検査により、チップ部品１の有無を判断する。
【選択図】 図３
【解決手段】チップ部品１のリード電極の上端縁に接触する傾斜面１０１を有する第１プローブ１００および通常のプローブピンからなる第２プローブ２００とを備え、第１プローブ１００の傾斜面１０１をチップ部品１の例えばリード電極３側の上端縁に接触させるとともに、第２プローブ２００をリード電極３が接続されている配線パターン５に接触させ、計測部３００にて各プローブ１００，２００間のショート・オープン検査により、チップ部品１の有無を判断する。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実際に部品が実装されている回路基板の検査装置（インサーキットテスタ）に関し、さらに詳しく言えば、回路基板の電源パターンとグランドパターンとの間に設けられるバイパスコンデンサの実装状態を検査するのに好適な回路基板検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
インサーキットテスタなどの回路基板検査装置において、回路素子の実装検査を行う場合には、例えば回路素子の規格値を基準として、得られた測定値がその規格値内にあるかどうかにより良否判定を行うようにしている。
【０００３】
一例として、１ｋΩの抵抗素子が実装されているかどうかを検査する場合、その抵抗素子の両端間の抵抗値を測定し、その測定値が１ｋΩ±α（許容値）の範囲内であれば良品と判定し、例えば１００ｋΩが測定されたときには誤実装と判定される。
【０００４】
この判定方法は、バイパスコンデンサには適用できない場合がある。すなわち、バイパスコンデンサは、直流電流と交流電流とが重ね合わさって流れている回路において、例えば負荷抵抗に直流電流のみを流したい場合に、その負荷抵抗と並列に接続されるものであるため、コンデンサ自体に余り精度が要求されず、また、その静電容量値もまちまちである。
【０００５】
多くの場合、バイパスコンデンサは回路基板の電源パターンとＧＮＤ（グランド）パターンとの間に、その複数個が並列的に接続される。例えば、電源パターンとＧＮＤパターンとの間にバイパスコンデンサとして、▲１▼１２０ｎＦ，▲２▼１５０ｎＦ，▲３▼１５０ｎＦ，▲４▼１００ｎＦ，▲５▼８０ｎＦの５個のコンデンサが並列に接続されているとする。
【０００６】
上記５個のコンデンサ群の電源パターンとＧＮＤパターンとの間の静電容量Ｃを測定すると、並列接続であるからＣ＝６００ｎＦが得られる。ここで仮に、▲４▼１００ｎＦのコンデンサが非実装で実際に実装されていないとすると、Ｃ＝５００ｎＦとなる。したがって、良品判定基準値を例えば５００ｎＦ±３０％としてコンデンサの有無を検出する場合、▲４▼１００ｎＦのコンデンサが非実装でもＯＫ（ＰＡＳＳ）判定となる。
【０００７】
そこで、上記のような特に多数の並列接続されたバイパスコンデンサの有無を検査するにあたっては、画像処理を採用するようにしている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−２４３２３５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、画像処理には高価な設備を必要とするため、その導入コスト負担が大きい。また、画像パターンによる対比検査であるため、特に小さなチップになると誤検出が生じやすい。さらには、電気的に導通していなくても、そこに部品があれば良品と判断してしまう、という問題がある。
【００１０】
したがって、本発明の課題は、画像処理によることなく、より低廉な設備で簡単かつ確実にバイパスコンデンサなどのチップ部品の有無を含めて、その実装状態を確実に検査できるようにすることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、上記第１プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同第１プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面を有し、上記第１プローブを上記傾斜面が上記チップ部品の一方のリード電極に接触する位置に配置するとともに、上記第２プローブを上記ハンダパッドのいずれか一方に連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記各プローブ間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００１２】
上記第１発明には、上記第１プローブが、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同第１プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の対向する２つの上端縁に接触し得るほぼＶ字溝からなる一対の傾斜面を備えている態様も含まれる。
【００１３】
上記チップ部品が回路基板に実装されていない場合、上記第１プローブの先端部が回路基板に接触することになるため、上記第１プローブの先端部には、電気絶縁処理が施されていることが好ましい。
【００１４】
また、上記課題を解決するため、本願の第２発明は、対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、上記第１プローブおよび上記第２プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、その各々の先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面をそれぞれ有し、上記第１プローブと上記第２プローブとを、それらの各傾斜面が上記チップ部品のリード電極の異なる上端縁に接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記各プローブ間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００１５】
上記第２発明には、上記第１プローブと上記第２プローブとを、上記チップ部品の異なるリード電極に接触させる態様のほかに、上記第１プローブと上記第２プローブとを、ともに上記チップ部品の同一側のリード電極の異なる上端縁に接触させる態様も含まれる。
【００１６】
また、上記第２発明には、第３プローブをさらに備え、上記第１プローブと上記第２プローブとを、それらの各傾斜面が上記チップ部品の異なるリード電極の上端縁に接触する位置に配置するとともに、上記第３プローブを上記一方のリード電極が接続される側の上記ハンダパッドに連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記第１プローブと上記第２プローブとの間の電気的状態と、上記第１，第２プローブのうち上記一方のリード電極に接触している側のプローブと上記第３プローブとの間の電気的状態とをそれぞれ計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査する態様も含まれる。
【００１７】
上記課題を解決するため、本願の第３発明は、対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、上記第１プローブは、スイッチ手段を介して上記計測手段に選択的に接続される筒状に形成された筒状プローブと、上記筒状プローブ内に挿通されていて、その先端部が上記筒状プローブの先端部より突出するようにバネ付勢されているプローブピンとを有し、上記筒状プローブには、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同筒状プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面が設けられており、上記スイッチ手段により上記筒状プローブを上記計測手段に接続し、上記筒状プローブを上記傾斜面が上記チップ部品の一方のリード電極に接触する位置に配置するとともに、上記第２プローブを上記ハンダパッドのいずれか一方に連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記第１および第２プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記筒状プローブと上記第２プローブとの間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００１８】
上記第１発明および上記第３発明には、上記第２プローブを上記一方のリード電極が接続される側の上記ハンダパッドに連なる配線パターンに接触させる態様が含まれる。
【００１９】
また、上記第３発明によれば、上記スイッチ手段により上記プローブピンを上記計測手段に接続して、上記プローブピンと上記第２プローブとの間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品以外の実装部品の実装状態をも検査することができる。
【００２０】
上記課題を解決するため、本願の第４発明は、チップ部品を検査対象として、そのチップ部品が回路基板上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能なプローブと、上記プローブに接続される計測手段とを含み、上記プローブは、上記チップ部品の対向する２辺の上端縁に当接し得るように同一の回転軸に開閉可能に支持された一対の接触子と、上記接触子の各々に反回路基板側に延びるように連設され、上記接触子の開閉に伴って回動する一対の従動子と、上記従動子間の間隔を電気信号として検出するセンサとを備え、上記計測手段は、上記センサからの信号に基づいて上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００２１】
上記第４発明によれば、上記一対の接触子の開閉に伴って上記一対の従動子も開閉するが、上記従動子間の間隔と上記接触子間の間隔は反比例関係、すなわち上記接触子間の間隔が広がる場合には上記従動子間の間隔が狭くなり、上記接触子間の間隔が狭くなる場合には上記従動子間の間隔が広くなるようにすることが検出精度上好ましい。なお、上記センサとして、近接スイッチ，マイクロスイッチ，歪みゲージが好ましく採用される。
【００２２】
【発明の実施形態】
次に、図面を参照して、本発明のいくつかの実施態様について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２３】
各実施形態での検査対象は、図１に示すバイパスコンデンサ１である。このバイパスコンデンサ１は、内部にコンデンサ素子を有する四角筒状の樹脂外装体２の対向する２辺にリード電極３，４が設けられたチップ型コンデンサである。なお、以下の説明において、バイパスコンデンサ１を単にコンデンサもしくはチップ部品ということがある。
【００２４】
図１には一つしか示されていないが、通常、バイパスコンデンサ１は、その複数個が回路基板Ｐに形成されている電源パターン５とグランドパターン６との間に並列にハンダ付けされる。そのため、電源パターン５とグランドパターン６は、バイパスコンデンサ１をハンダ付けするためのハンダパッド５ａ，６ａを備えている。
【００２５】
まず、図２および図３（ａ），（ｂ）を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。回路基板Ｐ上でのバイパスコンデンサ１の実装状態を検査するため、第１実施形態では、第１プローブ１００および第２プローブ２００と、これらの各プローブが接続される計測部３００とを備えている。
【００２６】
この例において、第１プローブ１００および第２プローブ２００は可動プローブで、図示しない駆動機構により、回路基板Ｐと平行なＸ−Ｙ軸方向と、回路基板Ｐに対して垂直なＺ軸方向とに自在に移動する。なお、第１プローブ１００および第２プローブ２００を図示しないピンボードに植設した固定プローブとし、回路基板ＰをＺ軸方向に可動としてもよい。
【００２７】
第１プローブ１００には、Ｚ軸に対して所定の角度で交差する傾斜面が形成されている。この例において、第１プローブ１００は、その先端部側がＶ字の突起状に形成されていて、Ｚ軸を中心として対称な２つの傾斜面１０１，１０１を備えている。
【００２８】
また、第１プローブ１００の先端部１０２は、電気絶縁体１０３によって被覆されている。電気絶縁体１０３には、例えば絶縁樹脂の塗膜や絶縁フィルムの貼着物を用いることができる。この例において、第１プローブ１００は平板材よりなるが、円錐体としてもよい。第２プローブ２００は、通常よく用いられているピンプローブであってよい。
【００２９】
バイパスコンデンサ１を検査するにあたって、第１プローブ１００を、その一方の傾斜面１０１が同プローブ１００の先端部１０２が回路基板Ｐに接触する手前側の位置で、コンデンサ１の例えばリード電極３側の上端縁（肩）３ａに接触する位置に配置する。また、第２プローブ２００を、リード電極３が接続される側の電源パターン５の任意の位置に接触するように配置する。
【００３０】
そして、第１プローブ１００と第２プローブ２００を下降させて回路基板Ｐにプロービングする。このとき、図３（ａ）に示すように、回路基板Ｐにバイパスコンデンサ１が実装されていれば、第１プローブ１００の傾斜面１０１がリード電極３の上端縁３ａに接触する。第２プローブ２００は電源パターン５に接触しているため、第１プローブ１００と第２プローブ２００は導通（ショート）状態となる。計測部３００は、この導通状態を検出して、コンデンサ１が実装されていると判断する。
【００３１】
これに対して、図３（ｂ）に示すように、回路基板Ｐにバイパスコンデンサ１が実装されていなければ、第１プローブ１００の傾斜面１０１はリード電極３と接触しない。仮に、第１プローブ１００の先端部１０２が電源パターン５にプロービングされたとしても、その先端部１０２は電気絶縁体１０３によって被覆されているため、第１プローブ１００は電源パターン５と導通しない。
【００３２】
したがって、第１プローブ１００と第２プローブ２００は非導通（オープン）状態となり、これにより計測部３００はコンデンサ１が実装されていないと判断する。また、見かけ上バイパスコンデンサ１が実装されているが、リード電極３がハンダパッド５ａから浮いている場合には、第１プローブ１００と第２プローブ２００は非導通状態となるため、このようなハンダ付け不良も検出できる。
【００３３】
なお、第２プローブ２００をグランドパターン６側に接触させてもよい。この場合、バイパスコンデンサ１が実装されていれば、計測部３００にてコンデンサ１の静電容量が測定され、バイパスコンデンサ１が非実装であれば、浮遊容量が測定されることになり、測定値はほぼ０〔Ｆ〕となる。また、この場合には、一度でリード電極３，４の両方のハンダ付け不良も検出することが可能となる。
【００３４】
上記第１実施形態の第１プローブ１００に代えて、図４に示す第１プローブ１１０を用いてもよい。この第１プローブ１１０は、その先端部側がＶ字状の凹溝に形成されていて、Ｚ軸を中心として対称な互いに向かい合う２つの傾斜面１１１，１１１を備えている。
【００３５】
この第１プローブ１１０は、二股状に分岐された２つの先端部１１２，１１２を持つが、上記第１プローブ１００と同じく、その各先端部１１２，１１２を電気絶縁体１１３，１１３によって被覆することが好ましい。
【００３６】
図５を参照して、この第１プローブ１１０は、２つの傾斜面１１１，１１１がバイパスコンデンサ１の例えばリード電極３側の対向する２辺の上端縁３ｂ，３ｃに接触するようにプロービングされる。この場合、傾斜面１１１，１１１の角度は、同プローブ１１０の先端部１１２，１１２が回路基板Ｐに接触する手前側の位置で、傾斜面１１１，１１１がリード電極３の上端縁３ｂ，３ｃに接触する角度に設定される。
【００３７】
次に、図６ないし図９を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態には、図６に示す第１プローブ１２０のみを使用する場合と、図９に示すように、第１プローブ１２０と第２プローブ２００とを併用する場合とが含まれる。
【００３８】
第１プローブ１２０は、先に説明した図４の第１プローブ１１０をＺ軸に沿って分割した格好のものである。すなわち、第１プローブ１２０は、Ｚ軸を中心として対称に形成された一対のプローブメンバ１２１，１２３を備えており、プローブメンバ１２１，１２３には、それらの間の間隔が回路基板Ｐ側に向けて漸次広くなる傾斜面１２２，１２４が形成されている。
【００３９】
プローブメンバ１２１，１２３は、それぞれ独立した配線を介して計測部３００に接続される。プローブメンバ１２１，１２３は、図示しない別々の支持体によって相互に無関係に移動できるように支持されてもよいが、検査対象の大きさが決まっていて、各プローブメンバの間隔などを調整する必要がない場合には、図６に示すように、プローブメンバ１２１，１２３を電気絶縁材１２６により一体に接合してもよい。また、図示しないが、プローブメンバ１２１，１２３の各先端部を上記第１実施形態と同じく電気絶縁体で被覆することが好ましい。
【００４０】
第１プローブ１２０のみによって、バイパスコンデンサ１の実装状態を検査する場合には、図７に例示するように、一方のプローブメンバ１２１の傾斜面１２２をコンデンサ１のリード電極３側の上端縁３ａに接触させ、他方のプローブメンバ１２３の傾斜面１２４をリード電極４側の上端縁４ａに接触させ、計測部３００にてプローブメンバ１２１，１２３間の静電容量を測定する。
【００４１】
回路基板Ｐ上にバイパスコンデンサ１が実装されている場合、コンデンサ１が有する静電容量が測定される。これに対して、バイパスコンデンサ１が非実装の場合には、プローブメンバ１２１，１２３間の浮遊容量が測定され、その測定値はほぼ０〔Ｆ〕となる。
【００４２】
また、図８に示すように、プローブメンバ１２１，１２３の各傾斜面１２２，１２４をバイパスコンデンサ１の同一側のリード電極、例えばリード電極３の対向する２辺の上端縁３ｂ，３ｃに接触させ、プローブメンバ１２１，１２３間のショート・オープン検査により、コンデンサ１の実装・非実装を検査することもできる。すなわち、ショートであればコンデンサ１が実装されていると判断でき、オープンであればコンデンサ１が実装されていないと判断できる。
【００４３】
ところで、図７の検査例においては、プローブメンバ１２１，１２３がバイパスコンデンサ１のリード電極３，４に接触しさえすれば、ハンダ付け不良であってもコンデンサ１の静電容量が測定される。そこで、ハンダ付け状態までも含めて検査をより確実なものとするには、図９に示すように、第２プローブ２００を使用する。
【００４４】
バイパスコンデンサ１のリード電極３が電源パターン５側に接続され、リード電極４がグランドパターン６側に接続され、かつ、プローブメンバ１２１がリード電極３に接触し、プローブメンバ１２３がリード電極４に接触しているものとして、まず、プローブメンバ１２１，１２３間の静電容量を測定し、コンタクトチェックとして、その測定値が０でなければ、プローブメンバ１２１，１２３が実装されているコンデンサ１に接触していると判断する。すなわち、プローブメンバ１２１，１２３間にコンデンサ１が存在していると判断する。
【００４５】
次に、第２プローブ２００を例えば電源パターン５に接触させて、プローブメンバ１２１と第２プローブ２００との間のショート・オープン検査を行い、ショートであればハンダ付け良好と判断し、引き続いて第２プローブ２００をグランドパターン６側に接触させてプローブメンバ１２３と第２プローブ２００との間のショート・オープン検査を行う。
【００４６】
このようにして、コンデンサの実装の有無のみならず、ハンダ付け状態までも検査することができる。なお、固定プローブを用いる場合には、第２プローブ２００としてのプローブピンを２本用意して、その各々を電源パターン５とグランドパターン６に同時に接触させるようにしてもよい。
【００４７】
次に、図１０ないし図１２を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、図１０に示す第１プローブ１３０と第２プローブ２００とを用いる。
【００４８】
この第１プローブ１３０には、筒状プローブ１３１と、その内部に挿通されるプローブピン１３５とが含まれている。筒状プローブ１３１は、先端が先細りとされており、その側面に一部に、同筒状プローブ１３１の先端部が回路基板Ｐに当接する手前側の位置で、バイパスコンデンサ１のリード電極３，４の上端縁に接触し得る傾斜面１３２を備えている。
【００４９】
プローブピン１３５は、バネ１３６により、その先端部が筒状プローブ１３１の先端部より突出するように付勢された状態で、筒状プローブ１３１内に保持されている。筒状プローブ１３１とプローブピン１３５は、互いに電気的に絶縁されており、スイッチＳＷを介して計測部３００に選択的に接続される。
【００５０】
図１１に示すように、回路基板Ｐ上におけるバイパスコンデンサ１の実装の有無を検査する場合には、スイッチＳＷを筒状プローブ１３１側に切り替えて、筒状プローブ１３１を計測部３００に接続し、筒状プローブ１３１の傾斜面１３２をコンデンサ１の例えばリード電極３側の上端縁に接触させるとともに、第２プローブ２００をリード電極３と接続されている電源パターン５に接触させて、上記第１実施形態と同様に、第１プローブ１３０と第２プローブ２００との間のショート・オープン検査を行う。
【００５１】
これに対して、図１２に示すように、バイパスコンデンサ１以外の実装部品、例えば抵抗素子Ｒの有無を検査するには、スイッチＳＷをプローブピン１３５側に切り替えて、プローブピン１３５を計測部３００に接続する。そして、プローブピン１３５を抵抗素子Ｒの一端側に接続されているパターンＰａに接触させ、第２プローブ２００を抵抗素子Ｒの他端側に接続されているパターンＰｂに接触させればよい。
【００５２】
次に、図１３および図１４により、本発明の第４実施形態について説明する。この第４実施形態においては、図１３に分解斜視図として示す洗濯ばさみのようなプローブ１４０が用いられる。
【００５３】
このプローブ１４０は、回転軸１と、回転軸１に回動可能に支持される左右一対の翼部材１４２，１４２とを備えている。回転軸１は、その軸線が図示しない駆動手段により回路基板Ｐに対して平行に支持され、回路基板Ｐに対して垂直のＺ軸方向に移動可能である。翼部材１４２，１４２は左右対称形で、その構成は同一であるため、その一方について説明する。
【００５４】
翼部材１４２は、回転軸１に対する軸受部１４３を有し、軸受部１４３の下端側には回路基板Ｐに実装されているチップ部品１の上端縁（肩）に当接する接触子１４４が連設されている。また、軸受部１４３の上端側には、接触子１４４に対して、ほぼくの字状の角度を有する従動子１４５が連設されている。翼部材１４２は板材から構成されることが好ましいが、線材により構成されてもよい。
【００５５】
翼部材１４２，１４２は、左右対称配置として回転軸１に支持され、この例において、従動子１４５，１４５間には、接触子１４４，１４４を閉じる方向に付勢する圧縮ばね１４６が介装されている。
【００５６】
この構成によれば、接触子１４４，１４４側が広がれば、従動子１４５，１４５側が狭くなり、接触子１４４，１４４側が狭くなれば、従動子１４５，１４５側が広がる。その動きを検出するため、従動子１４５，１４５間には、それらの間の距離（間隔）を電気信号に変換して計測部３００に与えるセンサが設けられている。
【００５７】
図示しないが、センサとしては、例えば静電容量型スイッチやリードスイッチなどの近接センサ，圧力センサ，マイクロスイッチもしくは歪みゲージなどを例示することができる。
【００５８】
このプローブ１４０によれば、回路基板Ｐにプロービングする場合、図１４（ａ）に示すように、回路基板Ｐ上に検出対象とするチップ部品１がないときには、従動子１４５，１４５間は初期状態としての広い間隔のままに維持されるため、計測部３００はチップ部品なしと判断する。
【００５９】
これに対して、図１４（ｂ）に示すように、回路基板Ｐ上にチップ部品１が実装されている場合には、プローブ１４０の下降に伴って、接触子１４４，１４４がチップ部品１の肩に当接して押し開かれ、これにより従動子１４５，１４５間の幅が狭くなるため、計測部３００は上記センサからその信号を受けてチップ部品ありと判断する。
【００６０】
このように、プローブ１４０は、チップ部品１に当接して機械的に変位する構成であるため、合成樹脂などの電気絶縁材によって形成されてよく、また、必ずしもチップ部品１のリード電極に当接させる必要もない。したがって、検査対象もパイパスコンデンサに限られるものでもない。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、画像処理などの高価な設備を用いることなく、プローブをチップ部品に接触させるだけの操作で、バイパスコンデンサなどのチップ部品の実装状態を確実に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が検査対象とする回路基板上のチップ部品の実装状態を示す斜視図。
【図２】本発明の第１実施形態で用いられる第１プローブを示した斜視図。
【図３】上記第１実施形態の動作説明図。
【図４】上記第１実施形態の別の例で用いられる第１プローブを示した斜視図。
【図５】上記第１実施形態の別の例の動作説明図。
【図６】本発明の第２実施形態で用いられる第１プローブを示した斜視図。
【図７】上記第２実施形態の動作説明図。
【図８】上記第２実施形態の動作説明図。
【図９】上記第２実施形態の動作説明図。
【図１０】本発明の第３実施形態で用いられる第１プローブを示した断面図。
【図１１】上記第３実施形態の動作説明図。
【図１２】上記第３実施形態の動作説明図。
【図１３】本発明の第４実施形態で用いられる第１プローブを示した分解斜視図。
【図１４】上記第４実施形態の動作説明図。
【符号の説明】
１ バイパスコンデンサ（チップ部品）
３，４ リード電極
５ 電源パターン
６ グランドパターン
５ａ，６ａ ハンダパッド
１００，１１０，１２０，１３０，１４０ 第１プローブ
２００ 第２プローブ
３００ 計測部
【発明の属する技術分野】
本発明は、実際に部品が実装されている回路基板の検査装置（インサーキットテスタ）に関し、さらに詳しく言えば、回路基板の電源パターンとグランドパターンとの間に設けられるバイパスコンデンサの実装状態を検査するのに好適な回路基板検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
インサーキットテスタなどの回路基板検査装置において、回路素子の実装検査を行う場合には、例えば回路素子の規格値を基準として、得られた測定値がその規格値内にあるかどうかにより良否判定を行うようにしている。
【０００３】
一例として、１ｋΩの抵抗素子が実装されているかどうかを検査する場合、その抵抗素子の両端間の抵抗値を測定し、その測定値が１ｋΩ±α（許容値）の範囲内であれば良品と判定し、例えば１００ｋΩが測定されたときには誤実装と判定される。
【０００４】
この判定方法は、バイパスコンデンサには適用できない場合がある。すなわち、バイパスコンデンサは、直流電流と交流電流とが重ね合わさって流れている回路において、例えば負荷抵抗に直流電流のみを流したい場合に、その負荷抵抗と並列に接続されるものであるため、コンデンサ自体に余り精度が要求されず、また、その静電容量値もまちまちである。
【０００５】
多くの場合、バイパスコンデンサは回路基板の電源パターンとＧＮＤ（グランド）パターンとの間に、その複数個が並列的に接続される。例えば、電源パターンとＧＮＤパターンとの間にバイパスコンデンサとして、▲１▼１２０ｎＦ，▲２▼１５０ｎＦ，▲３▼１５０ｎＦ，▲４▼１００ｎＦ，▲５▼８０ｎＦの５個のコンデンサが並列に接続されているとする。
【０００６】
上記５個のコンデンサ群の電源パターンとＧＮＤパターンとの間の静電容量Ｃを測定すると、並列接続であるからＣ＝６００ｎＦが得られる。ここで仮に、▲４▼１００ｎＦのコンデンサが非実装で実際に実装されていないとすると、Ｃ＝５００ｎＦとなる。したがって、良品判定基準値を例えば５００ｎＦ±３０％としてコンデンサの有無を検出する場合、▲４▼１００ｎＦのコンデンサが非実装でもＯＫ（ＰＡＳＳ）判定となる。
【０００７】
そこで、上記のような特に多数の並列接続されたバイパスコンデンサの有無を検査するにあたっては、画像処理を採用するようにしている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−２４３２３５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、画像処理には高価な設備を必要とするため、その導入コスト負担が大きい。また、画像パターンによる対比検査であるため、特に小さなチップになると誤検出が生じやすい。さらには、電気的に導通していなくても、そこに部品があれば良品と判断してしまう、という問題がある。
【００１０】
したがって、本発明の課題は、画像処理によることなく、より低廉な設備で簡単かつ確実にバイパスコンデンサなどのチップ部品の有無を含めて、その実装状態を確実に検査できるようにすることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、上記第１プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同第１プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面を有し、上記第１プローブを上記傾斜面が上記チップ部品の一方のリード電極に接触する位置に配置するとともに、上記第２プローブを上記ハンダパッドのいずれか一方に連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記各プローブ間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００１２】
上記第１発明には、上記第１プローブが、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同第１プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の対向する２つの上端縁に接触し得るほぼＶ字溝からなる一対の傾斜面を備えている態様も含まれる。
【００１３】
上記チップ部品が回路基板に実装されていない場合、上記第１プローブの先端部が回路基板に接触することになるため、上記第１プローブの先端部には、電気絶縁処理が施されていることが好ましい。
【００１４】
また、上記課題を解決するため、本願の第２発明は、対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、上記第１プローブおよび上記第２プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、その各々の先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面をそれぞれ有し、上記第１プローブと上記第２プローブとを、それらの各傾斜面が上記チップ部品のリード電極の異なる上端縁に接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記各プローブ間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００１５】
上記第２発明には、上記第１プローブと上記第２プローブとを、上記チップ部品の異なるリード電極に接触させる態様のほかに、上記第１プローブと上記第２プローブとを、ともに上記チップ部品の同一側のリード電極の異なる上端縁に接触させる態様も含まれる。
【００１６】
また、上記第２発明には、第３プローブをさらに備え、上記第１プローブと上記第２プローブとを、それらの各傾斜面が上記チップ部品の異なるリード電極の上端縁に接触する位置に配置するとともに、上記第３プローブを上記一方のリード電極が接続される側の上記ハンダパッドに連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記第１プローブと上記第２プローブとの間の電気的状態と、上記第１，第２プローブのうち上記一方のリード電極に接触している側のプローブと上記第３プローブとの間の電気的状態とをそれぞれ計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査する態様も含まれる。
【００１７】
上記課題を解決するため、本願の第３発明は、対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、上記第１プローブは、スイッチ手段を介して上記計測手段に選択的に接続される筒状に形成された筒状プローブと、上記筒状プローブ内に挿通されていて、その先端部が上記筒状プローブの先端部より突出するようにバネ付勢されているプローブピンとを有し、上記筒状プローブには、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同筒状プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面が設けられており、上記スイッチ手段により上記筒状プローブを上記計測手段に接続し、上記筒状プローブを上記傾斜面が上記チップ部品の一方のリード電極に接触する位置に配置するとともに、上記第２プローブを上記ハンダパッドのいずれか一方に連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記第１および第２プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記筒状プローブと上記第２プローブとの間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００１８】
上記第１発明および上記第３発明には、上記第２プローブを上記一方のリード電極が接続される側の上記ハンダパッドに連なる配線パターンに接触させる態様が含まれる。
【００１９】
また、上記第３発明によれば、上記スイッチ手段により上記プローブピンを上記計測手段に接続して、上記プローブピンと上記第２プローブとの間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品以外の実装部品の実装状態をも検査することができる。
【００２０】
上記課題を解決するため、本願の第４発明は、チップ部品を検査対象として、そのチップ部品が回路基板上に実装されていかどうかを検査するため、少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能なプローブと、上記プローブに接続される計測手段とを含み、上記プローブは、上記チップ部品の対向する２辺の上端縁に当接し得るように同一の回転軸に開閉可能に支持された一対の接触子と、上記接触子の各々に反回路基板側に延びるように連設され、上記接触子の開閉に伴って回動する一対の従動子と、上記従動子間の間隔を電気信号として検出するセンサとを備え、上記計測手段は、上記センサからの信号に基づいて上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴としている。
【００２１】
上記第４発明によれば、上記一対の接触子の開閉に伴って上記一対の従動子も開閉するが、上記従動子間の間隔と上記接触子間の間隔は反比例関係、すなわち上記接触子間の間隔が広がる場合には上記従動子間の間隔が狭くなり、上記接触子間の間隔が狭くなる場合には上記従動子間の間隔が広くなるようにすることが検出精度上好ましい。なお、上記センサとして、近接スイッチ，マイクロスイッチ，歪みゲージが好ましく採用される。
【００２２】
【発明の実施形態】
次に、図面を参照して、本発明のいくつかの実施態様について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２３】
各実施形態での検査対象は、図１に示すバイパスコンデンサ１である。このバイパスコンデンサ１は、内部にコンデンサ素子を有する四角筒状の樹脂外装体２の対向する２辺にリード電極３，４が設けられたチップ型コンデンサである。なお、以下の説明において、バイパスコンデンサ１を単にコンデンサもしくはチップ部品ということがある。
【００２４】
図１には一つしか示されていないが、通常、バイパスコンデンサ１は、その複数個が回路基板Ｐに形成されている電源パターン５とグランドパターン６との間に並列にハンダ付けされる。そのため、電源パターン５とグランドパターン６は、バイパスコンデンサ１をハンダ付けするためのハンダパッド５ａ，６ａを備えている。
【００２５】
まず、図２および図３（ａ），（ｂ）を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。回路基板Ｐ上でのバイパスコンデンサ１の実装状態を検査するため、第１実施形態では、第１プローブ１００および第２プローブ２００と、これらの各プローブが接続される計測部３００とを備えている。
【００２６】
この例において、第１プローブ１００および第２プローブ２００は可動プローブで、図示しない駆動機構により、回路基板Ｐと平行なＸ−Ｙ軸方向と、回路基板Ｐに対して垂直なＺ軸方向とに自在に移動する。なお、第１プローブ１００および第２プローブ２００を図示しないピンボードに植設した固定プローブとし、回路基板ＰをＺ軸方向に可動としてもよい。
【００２７】
第１プローブ１００には、Ｚ軸に対して所定の角度で交差する傾斜面が形成されている。この例において、第１プローブ１００は、その先端部側がＶ字の突起状に形成されていて、Ｚ軸を中心として対称な２つの傾斜面１０１，１０１を備えている。
【００２８】
また、第１プローブ１００の先端部１０２は、電気絶縁体１０３によって被覆されている。電気絶縁体１０３には、例えば絶縁樹脂の塗膜や絶縁フィルムの貼着物を用いることができる。この例において、第１プローブ１００は平板材よりなるが、円錐体としてもよい。第２プローブ２００は、通常よく用いられているピンプローブであってよい。
【００２９】
バイパスコンデンサ１を検査するにあたって、第１プローブ１００を、その一方の傾斜面１０１が同プローブ１００の先端部１０２が回路基板Ｐに接触する手前側の位置で、コンデンサ１の例えばリード電極３側の上端縁（肩）３ａに接触する位置に配置する。また、第２プローブ２００を、リード電極３が接続される側の電源パターン５の任意の位置に接触するように配置する。
【００３０】
そして、第１プローブ１００と第２プローブ２００を下降させて回路基板Ｐにプロービングする。このとき、図３（ａ）に示すように、回路基板Ｐにバイパスコンデンサ１が実装されていれば、第１プローブ１００の傾斜面１０１がリード電極３の上端縁３ａに接触する。第２プローブ２００は電源パターン５に接触しているため、第１プローブ１００と第２プローブ２００は導通（ショート）状態となる。計測部３００は、この導通状態を検出して、コンデンサ１が実装されていると判断する。
【００３１】
これに対して、図３（ｂ）に示すように、回路基板Ｐにバイパスコンデンサ１が実装されていなければ、第１プローブ１００の傾斜面１０１はリード電極３と接触しない。仮に、第１プローブ１００の先端部１０２が電源パターン５にプロービングされたとしても、その先端部１０２は電気絶縁体１０３によって被覆されているため、第１プローブ１００は電源パターン５と導通しない。
【００３２】
したがって、第１プローブ１００と第２プローブ２００は非導通（オープン）状態となり、これにより計測部３００はコンデンサ１が実装されていないと判断する。また、見かけ上バイパスコンデンサ１が実装されているが、リード電極３がハンダパッド５ａから浮いている場合には、第１プローブ１００と第２プローブ２００は非導通状態となるため、このようなハンダ付け不良も検出できる。
【００３３】
なお、第２プローブ２００をグランドパターン６側に接触させてもよい。この場合、バイパスコンデンサ１が実装されていれば、計測部３００にてコンデンサ１の静電容量が測定され、バイパスコンデンサ１が非実装であれば、浮遊容量が測定されることになり、測定値はほぼ０〔Ｆ〕となる。また、この場合には、一度でリード電極３，４の両方のハンダ付け不良も検出することが可能となる。
【００３４】
上記第１実施形態の第１プローブ１００に代えて、図４に示す第１プローブ１１０を用いてもよい。この第１プローブ１１０は、その先端部側がＶ字状の凹溝に形成されていて、Ｚ軸を中心として対称な互いに向かい合う２つの傾斜面１１１，１１１を備えている。
【００３５】
この第１プローブ１１０は、二股状に分岐された２つの先端部１１２，１１２を持つが、上記第１プローブ１００と同じく、その各先端部１１２，１１２を電気絶縁体１１３，１１３によって被覆することが好ましい。
【００３６】
図５を参照して、この第１プローブ１１０は、２つの傾斜面１１１，１１１がバイパスコンデンサ１の例えばリード電極３側の対向する２辺の上端縁３ｂ，３ｃに接触するようにプロービングされる。この場合、傾斜面１１１，１１１の角度は、同プローブ１１０の先端部１１２，１１２が回路基板Ｐに接触する手前側の位置で、傾斜面１１１，１１１がリード電極３の上端縁３ｂ，３ｃに接触する角度に設定される。
【００３７】
次に、図６ないし図９を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態には、図６に示す第１プローブ１２０のみを使用する場合と、図９に示すように、第１プローブ１２０と第２プローブ２００とを併用する場合とが含まれる。
【００３８】
第１プローブ１２０は、先に説明した図４の第１プローブ１１０をＺ軸に沿って分割した格好のものである。すなわち、第１プローブ１２０は、Ｚ軸を中心として対称に形成された一対のプローブメンバ１２１，１２３を備えており、プローブメンバ１２１，１２３には、それらの間の間隔が回路基板Ｐ側に向けて漸次広くなる傾斜面１２２，１２４が形成されている。
【００３９】
プローブメンバ１２１，１２３は、それぞれ独立した配線を介して計測部３００に接続される。プローブメンバ１２１，１２３は、図示しない別々の支持体によって相互に無関係に移動できるように支持されてもよいが、検査対象の大きさが決まっていて、各プローブメンバの間隔などを調整する必要がない場合には、図６に示すように、プローブメンバ１２１，１２３を電気絶縁材１２６により一体に接合してもよい。また、図示しないが、プローブメンバ１２１，１２３の各先端部を上記第１実施形態と同じく電気絶縁体で被覆することが好ましい。
【００４０】
第１プローブ１２０のみによって、バイパスコンデンサ１の実装状態を検査する場合には、図７に例示するように、一方のプローブメンバ１２１の傾斜面１２２をコンデンサ１のリード電極３側の上端縁３ａに接触させ、他方のプローブメンバ１２３の傾斜面１２４をリード電極４側の上端縁４ａに接触させ、計測部３００にてプローブメンバ１２１，１２３間の静電容量を測定する。
【００４１】
回路基板Ｐ上にバイパスコンデンサ１が実装されている場合、コンデンサ１が有する静電容量が測定される。これに対して、バイパスコンデンサ１が非実装の場合には、プローブメンバ１２１，１２３間の浮遊容量が測定され、その測定値はほぼ０〔Ｆ〕となる。
【００４２】
また、図８に示すように、プローブメンバ１２１，１２３の各傾斜面１２２，１２４をバイパスコンデンサ１の同一側のリード電極、例えばリード電極３の対向する２辺の上端縁３ｂ，３ｃに接触させ、プローブメンバ１２１，１２３間のショート・オープン検査により、コンデンサ１の実装・非実装を検査することもできる。すなわち、ショートであればコンデンサ１が実装されていると判断でき、オープンであればコンデンサ１が実装されていないと判断できる。
【００４３】
ところで、図７の検査例においては、プローブメンバ１２１，１２３がバイパスコンデンサ１のリード電極３，４に接触しさえすれば、ハンダ付け不良であってもコンデンサ１の静電容量が測定される。そこで、ハンダ付け状態までも含めて検査をより確実なものとするには、図９に示すように、第２プローブ２００を使用する。
【００４４】
バイパスコンデンサ１のリード電極３が電源パターン５側に接続され、リード電極４がグランドパターン６側に接続され、かつ、プローブメンバ１２１がリード電極３に接触し、プローブメンバ１２３がリード電極４に接触しているものとして、まず、プローブメンバ１２１，１２３間の静電容量を測定し、コンタクトチェックとして、その測定値が０でなければ、プローブメンバ１２１，１２３が実装されているコンデンサ１に接触していると判断する。すなわち、プローブメンバ１２１，１２３間にコンデンサ１が存在していると判断する。
【００４５】
次に、第２プローブ２００を例えば電源パターン５に接触させて、プローブメンバ１２１と第２プローブ２００との間のショート・オープン検査を行い、ショートであればハンダ付け良好と判断し、引き続いて第２プローブ２００をグランドパターン６側に接触させてプローブメンバ１２３と第２プローブ２００との間のショート・オープン検査を行う。
【００４６】
このようにして、コンデンサの実装の有無のみならず、ハンダ付け状態までも検査することができる。なお、固定プローブを用いる場合には、第２プローブ２００としてのプローブピンを２本用意して、その各々を電源パターン５とグランドパターン６に同時に接触させるようにしてもよい。
【００４７】
次に、図１０ないし図１２を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。この第３実施形態では、図１０に示す第１プローブ１３０と第２プローブ２００とを用いる。
【００４８】
この第１プローブ１３０には、筒状プローブ１３１と、その内部に挿通されるプローブピン１３５とが含まれている。筒状プローブ１３１は、先端が先細りとされており、その側面に一部に、同筒状プローブ１３１の先端部が回路基板Ｐに当接する手前側の位置で、バイパスコンデンサ１のリード電極３，４の上端縁に接触し得る傾斜面１３２を備えている。
【００４９】
プローブピン１３５は、バネ１３６により、その先端部が筒状プローブ１３１の先端部より突出するように付勢された状態で、筒状プローブ１３１内に保持されている。筒状プローブ１３１とプローブピン１３５は、互いに電気的に絶縁されており、スイッチＳＷを介して計測部３００に選択的に接続される。
【００５０】
図１１に示すように、回路基板Ｐ上におけるバイパスコンデンサ１の実装の有無を検査する場合には、スイッチＳＷを筒状プローブ１３１側に切り替えて、筒状プローブ１３１を計測部３００に接続し、筒状プローブ１３１の傾斜面１３２をコンデンサ１の例えばリード電極３側の上端縁に接触させるとともに、第２プローブ２００をリード電極３と接続されている電源パターン５に接触させて、上記第１実施形態と同様に、第１プローブ１３０と第２プローブ２００との間のショート・オープン検査を行う。
【００５１】
これに対して、図１２に示すように、バイパスコンデンサ１以外の実装部品、例えば抵抗素子Ｒの有無を検査するには、スイッチＳＷをプローブピン１３５側に切り替えて、プローブピン１３５を計測部３００に接続する。そして、プローブピン１３５を抵抗素子Ｒの一端側に接続されているパターンＰａに接触させ、第２プローブ２００を抵抗素子Ｒの他端側に接続されているパターンＰｂに接触させればよい。
【００５２】
次に、図１３および図１４により、本発明の第４実施形態について説明する。この第４実施形態においては、図１３に分解斜視図として示す洗濯ばさみのようなプローブ１４０が用いられる。
【００５３】
このプローブ１４０は、回転軸１と、回転軸１に回動可能に支持される左右一対の翼部材１４２，１４２とを備えている。回転軸１は、その軸線が図示しない駆動手段により回路基板Ｐに対して平行に支持され、回路基板Ｐに対して垂直のＺ軸方向に移動可能である。翼部材１４２，１４２は左右対称形で、その構成は同一であるため、その一方について説明する。
【００５４】
翼部材１４２は、回転軸１に対する軸受部１４３を有し、軸受部１４３の下端側には回路基板Ｐに実装されているチップ部品１の上端縁（肩）に当接する接触子１４４が連設されている。また、軸受部１４３の上端側には、接触子１４４に対して、ほぼくの字状の角度を有する従動子１４５が連設されている。翼部材１４２は板材から構成されることが好ましいが、線材により構成されてもよい。
【００５５】
翼部材１４２，１４２は、左右対称配置として回転軸１に支持され、この例において、従動子１４５，１４５間には、接触子１４４，１４４を閉じる方向に付勢する圧縮ばね１４６が介装されている。
【００５６】
この構成によれば、接触子１４４，１４４側が広がれば、従動子１４５，１４５側が狭くなり、接触子１４４，１４４側が狭くなれば、従動子１４５，１４５側が広がる。その動きを検出するため、従動子１４５，１４５間には、それらの間の距離（間隔）を電気信号に変換して計測部３００に与えるセンサが設けられている。
【００５７】
図示しないが、センサとしては、例えば静電容量型スイッチやリードスイッチなどの近接センサ，圧力センサ，マイクロスイッチもしくは歪みゲージなどを例示することができる。
【００５８】
このプローブ１４０によれば、回路基板Ｐにプロービングする場合、図１４（ａ）に示すように、回路基板Ｐ上に検出対象とするチップ部品１がないときには、従動子１４５，１４５間は初期状態としての広い間隔のままに維持されるため、計測部３００はチップ部品なしと判断する。
【００５９】
これに対して、図１４（ｂ）に示すように、回路基板Ｐ上にチップ部品１が実装されている場合には、プローブ１４０の下降に伴って、接触子１４４，１４４がチップ部品１の肩に当接して押し開かれ、これにより従動子１４５，１４５間の幅が狭くなるため、計測部３００は上記センサからその信号を受けてチップ部品ありと判断する。
【００６０】
このように、プローブ１４０は、チップ部品１に当接して機械的に変位する構成であるため、合成樹脂などの電気絶縁材によって形成されてよく、また、必ずしもチップ部品１のリード電極に当接させる必要もない。したがって、検査対象もパイパスコンデンサに限られるものでもない。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、画像処理などの高価な設備を用いることなく、プローブをチップ部品に接触させるだけの操作で、バイパスコンデンサなどのチップ部品の実装状態を確実に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が検査対象とする回路基板上のチップ部品の実装状態を示す斜視図。
【図２】本発明の第１実施形態で用いられる第１プローブを示した斜視図。
【図３】上記第１実施形態の動作説明図。
【図４】上記第１実施形態の別の例で用いられる第１プローブを示した斜視図。
【図５】上記第１実施形態の別の例の動作説明図。
【図６】本発明の第２実施形態で用いられる第１プローブを示した斜視図。
【図７】上記第２実施形態の動作説明図。
【図８】上記第２実施形態の動作説明図。
【図９】上記第２実施形態の動作説明図。
【図１０】本発明の第３実施形態で用いられる第１プローブを示した断面図。
【図１１】上記第３実施形態の動作説明図。
【図１２】上記第３実施形態の動作説明図。
【図１３】本発明の第４実施形態で用いられる第１プローブを示した分解斜視図。
【図１４】上記第４実施形態の動作説明図。
【符号の説明】
１ バイパスコンデンサ（チップ部品）
３，４ リード電極
５ 電源パターン
６ グランドパターン
５ａ，６ａ ハンダパッド
１００，１１０，１２０，１３０，１４０ 第１プローブ
２００ 第２プローブ
３００ 計測部
Claims (13)
- 対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、
少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、
上記第１プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同第１プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面を有し、
上記第１プローブを上記傾斜面が上記チップ部品の一方のリード電極に接触する位置に配置するとともに、上記第２プローブを上記ハンダパッドのいずれか一方に連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記各プローブ間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴とする回路基板検査装置。 - 上記第１プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同第１プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の対向する２つの上端縁に接触し得るほぼＶ字溝からなる一対の傾斜面を備えている請求項１に記載の回路基板検査装置。
- 上記第１プローブの先端部には、電気絶縁処理が施されている請求項１または２に記載の回路基板検査装置。
- 対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、
少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、
上記第１プローブおよび上記第２プローブは、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、その各々の先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面をそれぞれ有し、
上記第１プローブと上記第２プローブとを、それらの各傾斜面が上記チップ部品のリード電極の異なる上端縁に接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記各プローブ間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴とする回路基板検査装置。 - 上記第１プローブと上記第２プローブとを、ともに上記チップ部品の同一側のリード電極の異なる上端縁に接触させる請求項４に記載の回路基板検査装置。
- 第３プローブをさらに備え、上記第１プローブと上記第２プローブとを、それらの各傾斜面が上記チップ部品の異なるリード電極の上端縁に接触する位置に配置するとともに、上記第３プローブを上記一方のリード電極が接続される側の上記ハンダパッドに連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記各プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記第１プローブと上記第２プローブとの間の電気的状態と、上記第１，第２プローブのうち上記一方のリード電極に接触している側のプローブと上記第３プローブとの間の電気的状態とをそれぞれ計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査する請求項４に記載の回路基板検査装置。
- 対向する２辺にリード電極を備えているチップ部品が、回路基板側に一対として形成されている所定のハンダパッド上に実装されていかどうかを検査するため、
少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能な第１および第２の２つのプローブと、上記各プローブ間の電気的状態を計測する計測手段とを含み、
上記第１プローブは、スイッチ手段を介して上記計測手段に選択的に接続される筒状に形成された筒状プローブと、上記筒状プローブ内に挿通されていて、その先端部が上記筒状プローブの先端部より突出するようにバネ付勢されているプローブピンとを有し、
上記筒状プローブには、上記Ｚ軸方向に沿って上記回路基板側に近づく際に、同筒状プローブの先端部が上記回路基板に当接する手前側の位置で、上記チップ部品のリード電極の上端縁に接触し得る傾斜面が設けられており、
上記スイッチ手段により上記筒状プローブを上記計測手段に接続し、上記筒状プローブを上記傾斜面が上記チップ部品の一方のリード電極に接触する位置に配置するとともに、上記第２プローブを上記ハンダパッドのいずれか一方に連なる配線パターンに接触する位置に配置して、上記第１および第２プローブを上記回路基板にプロービングし、上記計測手段にて上記筒状プローブと上記第２プローブとの間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴とする回路基板検査装置。 - 上記第２プローブを上記一方のリード電極が接続される側の上記ハンダパッドに連なる配線パターンに接触させる請求項１または７に記載の回路基板検査装置。
- 上記スイッチ手段により上記プローブピンを上記計測手段に接続して、上記プローブピンと上記第２プローブとの間の電気的状態を計測することにより、上記チップ部品以外の実装部品の実装状態が検査可能である請求項７に記載の回路基板検査装置。
- チップ部品を検査対象として、そのチップ部品が回路基板上に実装されていかどうかを検査するため、
少なくとも上記回路基板に対して垂直のＺ軸方向に相対的に移動可能なプローブと、上記プローブに接続される計測手段とを含み、
上記プローブは、上記チップ部品の対向する２辺の上端縁に当接し得るように同一の回転軸に開閉可能に支持された一対の接触子と、上記接触子の各々に反回路基板側に延びるように連設され、上記接触子の開閉に伴って回動する一対の従動子と、上記従動子間の間隔を電気信号として検出するセンサとを備え、
上記計測手段は、上記センサからの信号に基づいて上記チップ部品の実装状態を検査することを特徴とする回路基板検査装置。 - 上記従動子間の間隔と上記接触子間の間隔は、反比例関係にある請求項１０に記載の回路基板検査装置。
- 上記センサとして、近接スイッチ，マイクロスイッチ，歪みゲージのいずれかが用いられる請求項１０または１１に記載の回路基板検査装置。
- 上記チップ部品が、回路基板の電源パターンとグランドパターン間に実装されるバイパスコンデンサである請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の回路基板検査装置。
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