JP2004266175A - 複数電極接着用の電子部品とその実装方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 152
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 148
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
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Abstract
【解決手段】絶縁性を有して放熱部を具えたチップカバーの下面に設けた収容部に半導体素子の複数の突起電極を裏面に配列させた電極面を有するフリップチップ片を収容する。このチップ片の電極面に前記突起電極を内部に埋設するように異方導電性接着剤を、また、前記チップカバーの下面で且つ前記チップ片の周囲に位置して設けた糊代部に絶縁接着剤を、該突起電極が内部に埋設されるように肉厚状にそれぞれ塗布又はスクリーン印刷し、該異方導電性接着剤および絶縁接着剤をそれぞれ加熱・加圧して仮硬化させてある。
【選択図】 図7
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイパネルや各種モジュールなどに使用する半導体素子からなるチップ片、特にフリップチップ片の接着力を高める複数電極接続用の電子部品とその実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子からなる各種の電子部品を、回路基板に実装させて種々な回路モジュールを形成している。しかし、電子部品はその構造によりその実装構造が相違し、足の長い端子やボーデイングワイヤなどを有するSIP型やQFP型をした各種のチップ片からなる電子部品を実装する場合、その多くははんだ接合によって行われている。
【0003】
近年の液晶パネルやICカードなどの電子機器の小型化・薄型化に伴い、半導体素子からなる電子部品の形状も小型化・薄型化が要求されることから、前記チップ片の代わりに平板状に形成したチップ片の裏面に複数の突起端子(バンプ)を露出させて設けたフリップチップ片(以下、チップ片という)が多く使用されている。
【0004】
このチップ片の実装は、従来と同じはんだ接続も可能であるが、各電極端子のピッチが短いとショートしやすい。さらにこのチップ片の実装は、回路基板の上面に設けた複数の基板電極と、チップ片に設けた複数の電極とを対向させて互いに複数の電極と電極とを合致させて接続している。しかし、電極と電極との位置が合致しなかったり、接点が多いため接続不良部分が生じるため製品の歩留まりが悪く、また、はんだが該部品に付着した不良部品の再利用も困難であることから不経済であるという問題点を有していた。そこで最近は、チップ片の実装に比較的接着が容易な異方導電性接着剤を使用した実装が行われている。
【0005】
図17に示す如く、異方導電性接着剤を使用して電極面51に設けた電極52を有するフリップ型チップ片50を回路基板55に実装する場合、あらかじめ、前記電極52と合致するように同じ間隔に位置させて回路基板55上に設けた基板電極56上に、ベースレジンとして異方導電性接着剤Sを塗布する。次いで、図18に示すごとく、チップ片50の電極52と、回路基板55上の基板電極56と対向して合致させ、該チップ片50の上方から公知の圧着冶具Xで加熱・加圧して異方導電性接着剤Sを上下方向に加圧して実装する。その結果、図19に示すように、前記した一連の工程を経て回路モジュールの製造が行われている。(例えば、特許文献1参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−299809号(第3頁、図3)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、異方導電性接着剤Sは、絶縁性を有したエポキシ系樹脂に導電性の金属微粉末、たとえば、金、銀、銅若しくはニッケルなどを添加して形成したものであるので、該接着剤を加圧するとその方向にのみ導電性を有し、圧力が加わらない方向は絶縁性を維持するという特性を有している。
【0008】
したがって、チップ片に設けた複数電極を接続する場合には接着剤として非常に有効であるが、接着剤中に導電性を有する金属微粉末を比較的多量(例えば体積で約75%)に添加したものもあり、接着力が不足してチップ片が剥離しやすいという問題点を有している。そのため、異方導電性接着剤を使用して実装したチップ片50は、取付けた機器に対する衝撃や温度変化あるいは長期間使用することによる経年変化などによって回路基板55から剥がれやすく、機器が故障を起こす原因となるなどの問題点を有している。
【0009】
回路基板55上のチップ片50を実装する所定位置に異方導電性接着剤Sを塗布する場合、接着力の弱さをカバーするには必要な接着面積の確保が必要である。しかし、高密度実装への要求から、充分な接着面積を確保することが困難であることが多い。さらに、チップ片を小型・薄厚に形成してICカードなどに実装した場合、外部からの衝撃や折り曲げなどの機械的外圧によって短絡したり、外部からの不純物イオンにより腐蝕しやすいなどの問題点を有している。
【0010】
本発明は、小型・薄厚に形成して複数電極を有した電子部品の回路基板への取付を簡略化して作業効率の向上を図り、該電子部品の接着力を高めて外部からの衝撃や腐蝕による短絡などを防止して不良品の発生を防ぎ、且つ、電子部品の保存・運搬を可能にすることを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、絶縁性を有したベースの所望個所に複数の電極と空間部とを設け、該電極上には異方導電性接着剤を塗布し、該空間部上には、前記異方導電性接着剤の硬化条件と略同じ硬化条件を有した絶縁接着剤を塗布して、それぞれの接着剤を仮硬化させてなることを特徴とする。このように、チップ片のベース上の電極部分には異方導電性接着剤を、また、ベース上の電極以外の部分には絶縁接着剤をそれぞれ塗布してあるため、チップカバーなどを用いることなく接着力の弱い異方導電性接着剤の接着力を絶縁接着剤で補強するため該チップ片を強力に接着保持することが出来る。
【0012】
請求項2の発明は、絶縁性を有して放熱部を具えたチップカバーの下面に設けた収容部に半導体素子の複数の電極を裏面に配列させたベースからなるフリップチップ片を収容し、該チップ片のベースの前記電極上には異方導電性接着剤を、また、前記チップカバーの下面で且つ前記チップ片の周囲に設けた糊代部には前記異方導電性接着剤の硬化条件と略同じ硬化条件を有した絶縁接着剤をそれぞれ塗布又はスクリーン印刷し、該異方導電性接着剤および絶縁接着剤を設定時間加熱・加圧して仮硬化させることを特徴とする。この場合、前記放熱部は、前記チップカバーの少なくとも一端面を外部に連通して設けた開口部でもよいし、さらに、前記絶縁接着剤は、前記異方導電性接着剤が仮硬化の状態から反応して硬化する加熱温度に近似した性質を有するものである。
【0013】
したがって、チップ片を回路基板に確実に実装することができ、外部からの衝撃によってチップ片が破壊されたり剥離するのを防止でき、また、電子部品としてすぐに使用できる状態で運搬や保存を可能にすることができる。
【0014】
請求項5の発明は、複数の電極を有した半導体素子を平面状に配列したフリップチップ片を、放熱部を設けた絶縁材からなるチップカバーの下面に設けた収容部内に取付ける工程と、前記チップ片のベースに設けた複数の電極上には異方導電性接着剤を、また前記チップカバーの糊代部には前記異方導電性接着剤と同じ硬化条件を有した絶縁接着剤をそれぞれ塗布又はスクリーン印刷する工程と、前記異方導電性接着剤と絶縁接着剤とをそれぞれ加熱しながら所定時間加圧して仮硬化させて電子部品を製造する工程と、前記チップ片の電極と合致するように配列させた基板電極を具えた回路基板上に前記電子部品を配して該電極と該基板電極とを位置決めする工程と、前記チップカバーに加熱・加圧させる圧着冶具を装着させて前記両接着剤を加熱溶融させながら該圧着冶具を降下させて該チップカバーを前記回路基板上に所定時間加圧して両電極を電気的に接続する工程とからなることを特徴とする。
【0015】
したがって、回路基板への実装・組立工程と、接着剤の塗布工程とを分離することができるため作業能率の向上を図ることができるし、直ちに実装可能な状態の電子部品を長期に保存することが可能になり、実装のため電子部品の運搬や移動が容易となって実装を能率的に行うことができる利点がある。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第1の実施形態を図面により説明すると、図1はフリップ型チップ片の底面図、図2はチップカバーの斜視図、図3は同底面図、図4は本発明に係る電子部品の仮硬化処理前状態を示す斜視図、図5は電子部品の底面図、図6は図5のA−A線断面図、図7は仮硬化処理した電子部品の斜視図である。
【0017】
電子部品は、フリップチップ片11と、該チップ片を保護するためのチップカバー20とで構成され、チップ片11の電極面をなすベース12には半硬化または仮硬化状態の異方導電性接着剤Sを塗布し、さらに、該チップカバー20の下面周囲に設けた糊代部24に絶縁接着剤Mを塗布して形成し、加熱・加圧処理して仮硬化する。
【0018】
図1において、半導体素子を内蔵したチップ片11のベース12に、該半導体素子に接続した複数の電極(バンプ)13を配列して設けてある。チップ片11は、電極13を図14に示した回路基板30の表面に設けた基板電極31に接続させるため、回路基板30上に占める面積は該チップ片11と同じ面積で済むため、回路基板30を小型軽量化できる。しかしながら、チップ片11に設けた複数の電極13の表面に塗布する異方導電性接着剤Sには多量の導電性金属微分末を添加してあるためその接着力は必然的に弱くなる性質がある。電極はベース面から多少突出している方が好ましいが同一面でもよい。
【0019】
図2、3において、チップカバー20は、絶縁性を有した素材、好ましくは絶縁性の合成樹脂材で形成してあり、該カバー20の底面に前記チップ片11を収容する収容部21を設け、該収容部21には外部に連通して熱を放散する放熱部22を形成し、さらに、該収容部の周面で且つチップカバーの下面の少なくとも両側底面には絶縁接着剤Mを塗布する糊代部24を設けてある。
【0020】
前記収容部21は、左右両面若しくは前後両面の少なくともいずれか一方を該チップカバーの外部に連通した開口部からなる放熱部22を設けてあり、該収容部に収容したチップ片11から発生した熱を前記放熱部22から外部に逃がして該チップ片の加熱を防止している。この場合、チップカバー20に放熱部22を設ける方法の他に、該カバーの表面に適宜の放熱用リブまたは突起など(図示せず)を設けて熱を放散できるようにしてもよい。
【0021】
チップカバー20の収容部21に収容するチップ片11は、該収容部内に接着または嵌合させて一体的に係合または保持させてある。そのため、仮硬化処理前の電子部品10aを回路基板30に装着又は接着させる場合、チップカバー20の位置を前後左右方向に移動調整してチップ片の位置を調整することができる。即ち、仮硬化の状態であるので通電チェックを行う時に前記チップ片11の突起電源13と回路基板30の基板電極31との位置を簡単に修正させて該電子部品10の不良品の発生を防止できる。
【0022】
前記チップカバー20の下面両側に設けた糊代部24の表面と、チップ片11の電極面であるベース12の表面とは略同一平面に形成してあり、該糊代部24には通常の絶縁接着剤M、またチップ片のベース12には異方導電性接着剤Sを同時または異なる時間に塗布又はスクリーン印刷により設けてある。
【0023】
異方導電性接着剤Sは、前記したように加圧方向にのみに導電性が生じ、圧力が加わらない方向には絶縁性を維持した性質を有する接着剤である。好ましくは、有限会社ファインケム技術研究所が製造販売する異方導電性接着剤(商品名:ファインエポシール5001)を使用し、チップ片11のベース12全体に、薄いもので20〜30ミクロン、厚いもので150〜200ミクロンにディスペンサーによって塗布またはスクリーン印刷(以下、塗布という)する。
【0024】
チップ片11のベース12に異方導電性接着剤Sを塗布した後、該異方導電性接着剤を圧着冶具Xにより所定の温度および任意の圧力で、所定時間加熱および加圧して両接着剤S、Mを仮硬化の状態に形成する。異方導電性接着剤の加熱は、比較的低温の約70℃の温度で、1〜3時間、任意の圧力で加圧することが好ましい。温度と加圧の継続時間が重要であるが圧力条件は重要ではないがその一例を示すと、0.7〜1.0kg/c■である。
【0025】
チップカバー20の糊代部24に塗布した絶縁接着剤Mは、電子部品10が回路基板30から剥離したりズレるのを防止している。絶縁接着剤Mは、異方導電性接着剤SのBステージ化の条件、即ち、仮硬化の条件に反応して硬化する際に加熱する温度が互いに近似した性質を有することが必要である。例えば、異方導電性接着剤Sが硬化の為の反応温度が例えば70℃の場合、該接着剤Mも同温度で反応する必要がある。これにより導電性金属微粉末を多量に添付して接着力が弱い異方導電性接着剤Sを絶縁接着剤Mによって補強することにより不良品が発生するのを防止できる。
【0026】
ここで、Bステージ型の接着剤とは、温度・圧力など一定の条件を与えると仮硬化(未反応だが見かけ上、硬化した状態)し、その間は搬送・保存・接合部以外との接触などに耐える接着剤をいう。そして、再び別の条件(一般的には高温・高圧)を継続して一定時間与えると液状に戻り(再軟化)、反応後に固形化して接着するものである。
【0027】
この異方導電性接着剤Sと同じ硬化条件を有した絶縁接着剤Mを使用することにより、異方導電性接着剤Sと絶縁接着剤Mを圧着冶具Xにより加熱・加圧して仮硬化させる。この絶縁接着剤Mの加圧力および加熱温度は、前記異方導電性接着剤Sと同じく約70℃の温度で、任意の圧力で1〜3時間継続して加えて仮硬化させる。その圧力は、例えば0.7〜1.0kg/c■程度であるが、この圧力は接着剤の種類や室温などにより異なるためこれに限るものではない。
【0028】
異なる二種類の接着剤S、Mの塗布および仮硬化は、チップ片11をチップカバー20に取付けた後でも、それぞれ独立した部品の状態の場合でも良い。好ましくは、チップ片11をチップカバー20に取付けた後に塗布を行う方が、接着剤の塗布および加熱・加圧工程を一度に連続した作業で行うことができるので便利である。さらに、小型・薄厚に形成した電子部品10を、たとえば、ICカードなどに実装させた場合、チップ片にチップカバー20を装着したことにより外部から衝撃や折り曲げなどの機械的外力が加わることによる破損や短絡などを防止することができと共に、不純物イオンなどの侵入を防止できる。
【0029】
本発明の第2の実施形態について、図8〜10に基づいて説明すると、半導体素子を内臓してやや大きいチップ片11aのベース12aの裏面周辺部分に複数の電極13aを設けた電極部60に、異方導電性接着剤Sを塗布又はスクリーン印刷する。また、該電極部60の内部に位置する空間部62内に前記異方導電性接着剤と硬化条件が略同じ絶縁接着剤Mを塗布又はスクリーン印刷してある。
【0030】
図11、12は、本発明に係る第3の実施形態を示したもので、前記と同様にチップ片11bのベース12bの中央部分に複数の電極13bを設けた電極部70内に異方導電性接着剤Sを塗布又はスクリーン印刷する。さらに、このベース12bの両側に位置する空間部72に前記異方導電性接着剤と硬化条件が同じ絶縁接着剤Mを塗布又はスクリーン印刷する。
【0031】
上記のようにチップ片のベース面12a、12bに設けた複数の電極13a、13bの位置する電極部60、70に異方導電性接着剤Sを塗布し、また、電極が位置しない余分な空間部62、72を利用して絶縁接着剤Mを塗布してそれぞれ仮硬化させた電子部品を回路基盤(図示せず)に、加熱硬化させて実装することもできる。この場合、チップ片がある程度の大きさを有しているため、電極を有しない空間部がある場合には、チップカバーを用いることなく該チップ片をそのまま実装できるので便利である。
【0032】
図13において、本発明の第4の実施形態について説明すると、80は市販のLSIソケットで、中央部分に設けた収容部82内にLSI83を装着し、このLSIの裏面に設けた複数の電極84の電極部に異方導電性接着剤Sを塗布し、LSIソケットのベース81上に絶縁接着剤Mを塗布し、両接着剤を仮硬化させる。このソケット80は、前記チップカバー20と略同様の機能を有するもので、LSI部分に塗布した異方導電性接着剤Sは接着力が弱いので、ソケットのベース81に塗布した絶縁接着剤で補強してLSIソケットハカバーを必要とすることなく、回路基盤に実装できる。
【0033】
両接着剤S、Mを仮硬化させた電子部品を回路基板に実装させるには、図14に示すように、チップ片11a、11b、80からなる電子部品10a、または、チップ片11とチップカバー20とからなる電子部品10のベース12に設けた電源13と、回路基板30に突設して設けた基板電極31とを対向させてから、矢印で示すように該回路基板30上に降下させて互いの電極位置が合致するように位置決めする。
【0034】
図15に示すように、両接着剤S、Mが仮硬化されている電子部品10を圧着冶具Xにより所定温度に加熱して前記接着剤S、Mを再軟化させる。ついで、圧着時具Xを下方に押圧させて軟化させた両接着剤S、Mの下面を回路基板30上に接着させる。この場合、電子部品10の下面中央部分に位置する異方導電性接着剤Sは、両電極13、31の間で圧着されて電気的に接続する。しかし、隣接する電極間には上下方向の圧力が加わらないため絶縁性を維持して電気的に接続しない。
【0035】
圧着冶具Xにより加熱されて再軟化した接着剤S、Mが、上下方向に押圧されると先ず上下方向に圧着され、ついで左右方向広がる。即ち、両電極13、31間に位置する接着剤Sは一定圧以上に加圧されると導通し、横方向は電気的に絶縁した状態で電極を包む。この異方導電性接着剤の外側に位置した絶縁接着剤Mは、異方導電性導電性接着剤Sによって左右方向に押し広げられ、該チップカバー20の下面から左右方向に押出されるため、その分、接着剤Mの接着面積が拡大して接着力は一段と高まる。
【0036】
圧着冶具Xによりチップ片11を保持して一定時間加圧した状態のまま例えば150℃まで加熱すると、両接着剤S、Mはそれぞれ再硬化して複数の両電極13、31を一括接続させる。即ち、上下方向のチップ片の電極13と回路基板の電極31との間で加圧されて両電極間は電気的に接続する。このように、回路基板30の表面の所定個所に異方導電性接着剤Sを塗布して仮硬化してあれば、簡単に電子部品10を実装することができる。
【0037】
次に、本発明に係る電子部品10の実装工程を図面により説明すると、第1の工程は、チップ片11をチップカバー20の収容部21内に固定し、チップカバーの収容部21に収容するチップ片1は、該収容部に接着又は係合させて一体的に保持し、且つ、該収容部は熱を外部に排出する放熱部22を有している。
【0038】
第2工程は、前記チップ片11のベース12に異方導電性接着剤Sを塗布し、さらにチップカバー20の糊代部24に絶縁接着剤Mを塗布する。この場合、異方導電性接着剤塗布用の第1の印刷パターン(図示せず)と、絶縁接着剤塗布用の第2の印刷パターン(図示せず)を用いて両接着剤S、Mを形成するが、この方法に限るものではなく、少なくとも接着剤Sは、両電極が内部に埋設されるように肉厚状に形成してある。接着剤はディスペンサーによる塗布またはスクリーン印刷により行う。ベース12面に塗布する異方導電性接着剤Sの厚さは、好ましくは、厚さ20〜30ミクロンから150〜200ミクロンまで種々である。
【0039】
前記接着剤S、Mを塗布する工程は、チップ片11のベース12に塗布する異方導電性接着剤Sと、チップカバー20の糊代部24に塗布する絶縁接着剤Mとを同時または順次にディスペンサー塗布又はスクリーン印刷しても良い。チップ片11のベース12に塗布した異方導電性接着剤Sと、また、チップカバー20の糊代部24に塗布した絶縁接着剤Mを公知の装置または圧着冶具Xで加熱・加圧して仮硬化して複数電極接着用の電子部品10を製造する。
【0040】
異方導電性接着剤Sと絶縁接着剤Mは、例えば、同じエポキシ系樹脂であれば加圧圧力・加熱温度が近似していることが必要である。また、両接着剤S、Mを仮硬化させるための加圧・加熱温度は、好ましくは、約70℃の温度で任意の圧力、例えば0.7〜1.0kg/c■の圧力で1〜3時間押圧し続けて硬化させるが、必ずしもこの圧力及び温度に限定されるものではない。
【0041】
第3工程は、図14に示すように、両接着剤S、Mを仮硬化させた電子部品10のチップ片11に複数設けた電極13と、回路基盤32に設けた基盤電極31とを合致させて位置決めする。この位置決めは、電子部品10を下降させて行うのが通常であるが、水平方向に移動させる方法も可能である。
【0042】
仮硬化した異方導電性接着剤Sの下面は位置決めの際に、図14に示す基板電極31上に合致させる。この場合、実装を早めるために電子部品10を位置決め用の降下の開始と同時に接着剤を加熱して仮硬化の状態から溶融させてもよいことは勿論である。さらに、電子部品10を位置決めして硬化させる場合、図15に示すように圧着冶具Xに当接させて加熱を開始する。
【0043】
第4工程は、図15に示すように、基板電極31上に合致させた電子部品10を圧着冶具Xによって高温、例えば150℃に加熱すれば溶融して再軟化し、その状態で上方から任意の圧力で1〜3時間継続して圧着させて電子部品10と回路基盤30の基板電極31を接着させると上下に位置する両電極13、31は異方導電性接着剤Sにより電気的に接続する。
【0044】
異方導電性接着剤S中には、比較的多量の導電性金属微粉末が添加されていて接着力が劣化しているので、該チップ片の電極面の周囲又は両側部分に位置させたチップカバー20と回路基板30と接着して電子部品10と回路基盤30の接着力を、従来の異方導電性接着剤Sのみを使用して接着させる場合に比べて一段と接着力を高めることができる。
【0045】
上記のように、チップ片およびチップカバーの糊代部にそれぞれ塗布した二種類の接着剤S、Mを仮硬化させて形成した電子部品10を用いて回路基板32に実装させるため、モジュール回路を製造する際、実装・組立と接着剤の塗布工程とを完全に分離することができ、作業能率の向上を図って製造方法およびロジスティックスの応用を拡大することができる。接着剤を仮硬化させた電子部品10は、そのままの状態で長期間保存が可能であり、その保存期間は、常温で3ヶ月、冷蔵で6ヶ月、冷凍で約1年間保存することが可能となり必要に応じて直ちに実装できるので便利である。
【0046】
この電子部品10は運搬可能なことから、商品として販売ルートで流通させることが可能である。そのため、実装の際に回路基板上に接着剤を塗布するという困難な作業が不要になるため、簡単に電子部品の実装作業を行うことができ、はんだ実装に比べ作業が簡単で歩留まりが少なく大変経済的である。
【0047】
【発明の効果】
本発明は、チップ片の一部またはチップカバーの糊代部に絶縁接着剤、チップ片のベース面に設けた複数の電極に異方導電性接着剤を塗布して仮硬化の状態に加工して形成した電子部品は、長期間の保存と運搬が可能なことから商品として販売ルートに流通させることが可能である。さらに、本発明は、実装・組立と接着剤の塗布工程とを分離でき、実装の際に回路基板への接着剤の塗布作業を省略できるため実装の作業性が一段と向上し、実装方法およびロジスティックスの応用を拡大させることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】フリップチップ片の底面図である。
【図2】チップカバーの斜視図である。
【図3】チップカバーの底面図である。
【図4】本発明に係る第1の実施形態の電子部品で仮硬化処理前状態の斜視図である。
【図5】図4の底面図である。
【図6】図4のA―A線断面図である。
【図7】仮硬化処理した電子部品の斜視図である。
【図8】本発明に係る第2の実施形態を示すチップ片の底面図である。
【図9】図8の平面図である。
【図10】図8のB−B線断面図である。
【図11】本発明に係る第3の実施形態を示すチップ片の底面図である。
【図12】図11の平面図である。
【図13】本発明に係る第4の実施形態のLSIの底面図である。
【図14】電子部品の回路基板への実装前及び実装状態を示す断面図である。
【図15】圧着冶具で電子部品を回路基板に加熱・圧着する状態を示す断面図である。
【図16】電子部品を回路基板に圧着して実装させた状態を示す断面ずある。
【図17】従来のチップ片を回路基板に実装する前の状態を示す正面図である。
【図18】従来の電子部品を回路基板に加熱・圧着する状態を示す正面図である。
【図19】従来の電子部品を回路基板に実装させた状態を示す正面図である。
【符号の説明】
10 仮硬化した電子部品
10a 仮硬化前の電子部品
11 チップ片
12 ベース
13 電極
20 チップカバー
21 収容部
22 放熱部
24 糊代部
30 回路基板
31 基礎電極
S 異方導電性接着剤
M 絶縁接着剤
X 圧着冶具
Claims (5)
- 絶縁性を有したベースの所望個所に複数の電極と空間部とを設け、該電極上には異方導電性接着剤を塗布し、該空間部上には、前記異方導電性接着剤の硬化条件と略同じ硬化条件を有した絶縁接着剤を塗布して、それぞれの接着剤を仮硬化させてなることを特徴とする複数電極接続用の電子部品。
- 絶縁性を有して放熱部を具えたチップカバーの下面に設けた収容部に半導体素子の複数の電極を裏面に配列させたベースからなるフリップチップ片を収容し、該チップ片のベースの電極上には異方導電性接着剤を、また、前記チップカバーの下面で且つ前記チップ片の周囲に設けた糊代部には前記異方導電性接着剤の硬化条件と略同じ硬化条件を有した絶縁接着剤をそれぞれ塗布又はスクリーン印刷し、該異方導電性接着剤および絶縁接着剤を所定時間加熱・加圧して仮硬化させることを特徴とする複数電極接着用の電子部品。
- 前記放熱部は、前記チップカバーの少なくとも一端面に外部に連通する開口部であることを特徴とする請求項2記載の電子部品。
- 前記絶縁接着剤は、前記異方導電性接着剤が仮硬化の状態から加熱温度に反応して硬化する温度に近似した性質を有することを特徴とする請求項2記載の電子部品。
- 複数の電極を有した半導体素子を平面状に配列したフリップチップ片を、放熱部を設けた絶縁材からなるチップカバーの下面に設けた収容部内に取付ける工程と、
前記チップ片のベースに設けた複数の電極上には異方導電性接着剤を、また前記チップカバーの糊代部には前記異方導電性接着剤と同じ硬化条件を有した絶縁接着剤をそれぞれ塗布又はスクリーン印刷する工程と、
前記異方導電性接着剤と絶縁接着剤とをそれぞれ加熱しながら所定時間加圧して仮硬化させた電子部品を製造する工程と、
前記チップ片の電極と合致するように配列させた基板電極を具えた回路基板上に前記電子部品を配して該電極と該基板電極とを位置決めする工程と、
前記チップカバーに加熱・加圧させる圧着冶具を装着させて、前記の両接着剤を加熱溶融させながら該圧着冶具を降下させて該チップカバーを前記回路基板上に所定時間加圧して両電極を電気的に接続する工程とからなることを特徴とする複数電極接続用の電子部品の実装方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003056587A JP3755824B2 (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 複数電極接着用の電子部品とその実装方法 |
KR1020040013848A KR100621053B1 (ko) | 2003-03-04 | 2004-03-02 | 복수전극접착용의 전자부품과 그 실장방법 |
DE102004010633A DE102004010633A1 (de) | 2003-03-04 | 2004-03-02 | Elektronisches Baulelement zum Verkleben einer Mehrzahl von Elektroden und Verfahren zum Montieren desselben |
US10/791,876 US6911606B2 (en) | 2003-03-04 | 2004-03-04 | Electronic component for adhesion of a plurality of electrodes and method of mounting the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003056587A JP3755824B2 (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 複数電極接着用の電子部品とその実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004266175A true JP2004266175A (ja) | 2004-09-24 |
JP3755824B2 JP3755824B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=32866665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003056587A Expired - Fee Related JP3755824B2 (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 複数電極接着用の電子部品とその実装方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6911606B2 (ja) |
JP (1) | JP3755824B2 (ja) |
KR (1) | KR100621053B1 (ja) |
DE (1) | DE102004010633A1 (ja) |
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-
2004
- 2004-03-02 DE DE102004010633A patent/DE102004010633A1/de not_active Ceased
- 2004-03-02 KR KR1020040013848A patent/KR100621053B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-03-04 US US10/791,876 patent/US6911606B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US6911606B2 (en) | 2005-06-28 |
DE102004010633A1 (de) | 2004-09-16 |
JP3755824B2 (ja) | 2006-03-15 |
US20040173372A1 (en) | 2004-09-09 |
KR100621053B1 (ko) | 2006-09-08 |
KR20040078556A (ko) | 2004-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040805 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041227 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20041227 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050405 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050920 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3755824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |