JP2004248039A - 電子部品の製造方法及びそのベース基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 75
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 75
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49133—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting
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- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
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- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
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Abstract
【解決手段】ベース基板10の中央付近に2次元配列されたキャビティ15の周りを取り囲むようにダミーキャビティ21を形成する。ダミーキャビティ21の深さはキャビティ15と同じか、例えば50μm以上とする。但し、ベース基板10を貫通していない。長さは、キャビティ15の配列方向での長さと同じか、例えばキャビティ15の側壁面からSAWフィルタ素子2までの長さ以上とする。キャビティ15とダミーキャビティ21との間の側壁の厚さは、SAWデバイス11の側壁に要求される強度及びダイシングにより除去される厚さmと、高集積化による製造効率の向上とを考慮して、例えば400μm以上とする。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂を用いてパッケージが封止された電子部品の製造方法及びそのベース基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、これに搭載された電子部品にも小型化及び高性能化が要求されている。例えば、電波を送信又は受信する電子機器におけるフィルタ,遅延線,発振器等の電子部品として使用される弾性表面波(Surface Acoustic Wave:以下、SAWと略す)デバイスにも、パッケージを含めて全体的な小型化及び高性能化が要求されている。
【0003】
一般的なSAWデバイスは、例えば圧電性素子基板上に形成された櫛歯型電極部の入力インターディジタルトランスデューサ(InterDigital Transducer:以下、IDTと略す)を有するSAWフィルタ素子が、底面に配線部を有するキャビティ内にフェイスダウン状態でフリップチップ実装された構成を有している(例えば、特許文献1における特に図3参照)。
【0004】
このようなSAWデバイスは、図1及び図2に示すように、1つのベース基板110に複数のSAWデバイス111を構成し、これらをレーザビーム又は回転切削刃(ダイシングブレード)等で個別に切断することで、一度に複数個が作成される(例えば、特許文献2における特に図7参照)。尚、図2は、図1におけるA−A断面図である。
【0005】
より詳細には、ベース基板110に2次元配列させて複数のキャビティ115を形成し、このキャビティ115の底面をメタライズすることでバンプ用電極パッド116を形成する。このバンプ用電極パッド116にフェイスダウン状態でSAWフィルタ素子113をボンディングし、この上から樹脂シート112を被せ、加圧・加熱して接着する。これにより、ベース基板110上に複数のSAWデバイス111が構成される。その後、このSAWデバイス111を個別に切断することで、樹脂により密閉された複数のSAWデバイス111が作成される。
【0006】
上記の製造方法において、ベース基板110の可能な限りの広範囲に、より多くのSAWデバイス111を集積して構成することで、SAWデバイス111の製造効率を向上し、且つ1つのSAWデバイス111を製造するために要するコストを低減することが可能となる。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−53577号公報
【特許文献1】
特開2001−110946号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような製造方法では、SAWフィルタ素子113がフリップチップ実装されたベース基板110を樹脂シート112で封止した際に、最外周に位置するSAWデバイス111のキャビティ115内部深くにまで樹脂が流れ込んでしまうという問題が発生する。このように、キャビティ115内部深くにまで樹脂が流入したSAWデバイス111は、フィルタ特性や耐環境特性が低下し、使用できない場合がある。また、SAWフィルタ素子112の櫛歯型電極部にまで樹脂が流入してしまった場合では、完全な不良品となる。このため、最外周に位置していたSAWデバイス111の多くが不良品となり、結局のところ、歩留りが低下して単価が増加してしまう。
【0009】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、低い製造コスト且つ高い歩留りで製造することができる電子部品の製造方法及びそのベース基板を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項1記載のように、複数のキャビティが2次元配列して形成されたベース基板を用いる電子部品の製造方法において、前記ベース基板は2次元配列したキャビティを取り囲むように形成された溝を有し、前記キャビティに電子素子を実装する第1の工程と、前記電子素子が実装された前記キャビティ及び前記溝を樹脂で覆う第2の工程とを有するように構成される。電子素子が実装されるキャビティを取り囲むように溝を形成することで、ベース基板上に形成する樹脂の膜がこの溝に流れ込むため、この溝に隣接する最外周のキャビティに大量に樹脂が流入することを防止できる。このように、最外周のキャビティに流入する樹脂の量を制御することで、この最外周に位置する電子部品の歩留りが向上し、結果として、電子部品1つ当たりの製造コストを低下させることができる。
【0011】
また、請求項1記載の前記第2の工程は、好ましくは請求項2記載のように、メタライズされていない前記溝に樹脂が供給されるように構成される。本来、樹脂の逃げ場として使用される溝には電子部品は構成されないため、この部分をメタライズすることは不要であり、コストの増加につながる。それ故、溝はメタライズされていないことが好ましい。
【0012】
また、請求項1又は2記載の前記第2の工程は、例えば請求項3記載のように、前記電子素子が実装された前記キャビティ及び前記溝上に樹脂シートを積載し、該樹脂シートを加熱しながら加圧することで該キャビティ及び該溝を密封するように構成されてもよい。熱により軟化する樹脂シートを用いることで、キャビティを封止する樹脂膜の形成が容易となり、製造を簡略化することができる。
【0013】
また、請求項1から3の何れか1項に記載の前記電子部品の製造方法は、例えば請求項4記載のように、前記樹脂による密封を保持しつつ前記キャビティを個別に分離することで、前記電子部品を切り出す第3の工程を有して構成される。
【0014】
また、請求項1から4の何れか1項に記載の前記溝と前記キャビティとの最短の距離は、請求項5記載のように、150μm以上とすることが好ましい。隣接するキャビティの間の側壁の厚さ、又はキャビティと溝との間の側壁の厚さは、ダイシング時及びダイシング後の電子部品の側壁に要求される強度及びダイシングにより除去される厚さと、高集積化による製造効率の向上及び電子部品1つ当たりのコスト低減とを考慮して、可能な限り薄くして設計されることが好ましい。これを満足する値の最小値が150μmである。従って、前記溝と前記キャビティとの最短の距離を150μm以上とすることが好ましい。
【0015】
また、請求項1から4の何れか1項に記載の前記溝と前記キャビティとの最短の距離は、請求項6記載のように、前記キャビティ同士の最短の距離と同一であることが好ましい。溝をキャビティ間の間隔と同じ距離離して形成することにより、最外周のキャビティにおける溝側に流入する樹脂の量を、他のキャビティへの流入量に近づけることが可能となる。即ち、全ての電子部品を均一な特性を有するように製造することができる。
【0016】
また、請求項1から6の何れか1項に記載の前記溝と該溝に隣接する前記キャビティとを結ぶ方向における前記溝の長さは、請求項7記載のように、前記キャビティの側壁と該キャビティに実装された前記電子素子との最短の距離以上であることが好ましい。溝の長さをキャビティと電子素子との間にできた隙間、即ち樹脂が流入する隙間と同程度以上とすることで、最外周のキャビティに内周側のキャビティと比較して多量の樹脂が流れ込むという問題を防止できる。尚、溝の長さをキャビティと電子素子との間にできた隙間と同程度とすることで、最外周のキャビティにおける溝側に流入する樹脂の量を、他のキャビティへの流入量に近づけることが可能となり、全ての電子部品を均一な特性を有するように製造することができる。
【0017】
また、請求項1から7の何れか1項に記載の前記溝は、例えば請求項8記載のように、前記2次元配列されたキャビティの列又は行に対して個別に形成されていてもよい。例えば溝と最外周のキャビティとを1対1とすることで、より配列の規則性を得ることが可能となり、最外周のキャビティに流入する樹脂の量を他のキャビティと同程度に制御することが可能となる。
【0018】
また、請求項1から7の何れか1項に記載の前記溝は、例えば請求項9記載のように、前記2次元配列されたキャビティの複数列又は複数行に対して共通に形成されていてもよい。このように、ベース基板を作成する際の溝のパターンを簡略化することができる。
【0019】
また、請求項1から7の何れか1項に記載の前記溝は、例えば請求項10記載のように、前記2次元配列されたキャビティを取り囲む囲い状の形状を有して形成されていてもよい。このように、ベース基板を作成する際の溝のパターンを簡略化することができる。
【0020】
また、請求項1から10の何れか1項に記載の前記溝の深さは、請求項11記載のように、50μm以上であることが好ましい。溝の深さは、最外周のキャビティに流入する樹脂を必要十分な量に制御し得る程度の深さが必要である。これを実現するための最小値が50μmである。従って、前記溝の深さを50μm以上とすることが好ましい。
【0021】
また、請求項1から11の何れか1項に記載の前記電子部品の製造方法は、例えば請求項12記載のように、前記キャビティの底部に前記ベース基板を貫通するビア配線を介して該ベース基板の裏面と電気的に接続された電極パッドが形成されており、前記ベース基板における前記キャビティが形成された面と反対面に、前記ビア配線と電気的に接続される基板配線を有する配線基板を着設する第4の工程を有するように構成されてもよい。このように、キャビティ内部に実装される電子素子と外部とを電気的に接続するための配線基板は、ベース基板と別に作成することができ、これを後に着設してもよい。
【0022】
また、請求項1から12の何れか1項に記載の前記電子素子は、例えば請求項13記載のように、弾性表面波素子とすることが可能である。この場合、製造される電子部品は弾性表面波デバイスである。このように、上記した電子部品の製造方法は、弾性表面波デバイスにも適用することが可能である。
【0023】
また、本発明は、請求項14記載のように、樹脂で密封された複数の電子部品を形成するためのベース基板であって、電子素子を実装するための2次元配列されたキャビティと、前記キャビティを取り囲むように形成された溝とを有するように構成される。電子素子が実装されるキャビティを取り囲むように溝を形成することで、ベース基板上に形成する樹脂の膜がこの溝に流れ込むため、この溝に隣接する最外周のキャビティに大量に樹脂が流入することを防止できる。このように、最外周のキャビティに流入する樹脂の量を制御するための溝を設けることで、最外周に位置する電子部品の歩留りを向上させることが可能となり、結果として、電子部品1つ当たりの製造コストを低下させることができる。
【0024】
また、請求項14記載の前記溝の底部は、請求項15記載のように、メタライズされていないことが好ましい。本来、樹脂の逃げ場として使用される溝には電子部品は構成されないため、この部分をメタライズすることは不要であり、コストの増加につながる。それ故、溝はメタライズされていないことが好ましい。
【0025】
また、請求項14又は15記載の前記溝と前記キャビティとの最短の距離は、請求項16記載のように、150μm以上であることが好ましい。隣接するキャビティの間の側壁の厚さ、又はキャビティと溝との間の側壁の厚さは、ダイシング時及びダイシング後の電子部品の側壁に要求される強度及びダイシングにより除去される厚さと、高集積化による製造効率の向上及び電子部品1つ当たりのコスト低減とを考慮して、可能な限り薄くして設計されることが好ましい。これを満足する値の最小値が150μmである。従って、前記溝と前記キャビティとの最短の距離を150μm以上とすることが好ましい。
【0026】
また、請求項14又は15記載の前記溝と前記キャビティとの最短の距離は、請求項17記載のように、前記キャビティ同士の最短の距離と同一であることが好ましい。溝をキャビティ間の間隔と同じ距離離して形成することにより、最外周のキャビティにおける溝側に流入する樹脂の量を、他のキャビティへの流入量に近づけることが可能となる。即ち、全ての電子部品を均一な特性を有するように製造することが可能となる。
【0027】
また、請求項14から17の何れか1項に記載の前記溝と該溝に隣接する前記キャビティとを結ぶ方向における前記溝の長さは、請求項18記載のように、前記キャビティの側壁と該キャビティに実装された前記電子素子との最短の距離以上であることが好ましい。溝の長さをキャビティと電子素子との間にできた隙間、即ち樹脂が流入する隙間と同程度以上とすることで、最外周のキャビティに内周側のキャビティと比較して多量の樹脂が流れ込むという問題を防止できる。尚、溝の長さをキャビティと電子素子との間にできた隙間と同程度とすることで、最外周のキャビティにおける溝側に流入する樹脂の量を、他のキャビティへの流入量に近づけることが可能となり、全ての電子部品を均一な特性を有するように製造することができる。
【0028】
また、請求項14から18の何れか1項に記載の前記溝は、例えば請求項19記載のように、前記2次元配列されたキャビティの列又は行に対して個別に形成されていてもよい。例えば溝と最外周のキャビティとを1対1とすることで、より配列の規則性を得ることが可能となり、最外周のキャビティに流入する樹脂の量を他のキャビティと同程度に制御することが可能となる。
【0029】
また、請求項14から18の何れか1項に記載の前記溝は、例えば請求項20記載のように、前記2次元配列されたキャビティの複数列又は複数行に対して共通に形成されていてもよい。このように、ベース基板を作成する際の溝のパターンを簡略化することができる。
【0030】
また、請求項14から18の何れか1項に記載の前記溝は、例えば請求項21記載のように、前記2次元配列されたキャビティを取り囲む囲い状の形状を有して形成されていてもよい。このように、ベース基板を作成する際の溝のパターンを簡略化することができる。
【0031】
また、請求項14から21の何れか1項に記載の前記溝の深さは、請求項22記載のように、50μm以上であることが好ましい。溝の深さは、最外周のキャビティに流入する樹脂を必要十分な量に制御し得る程度の深さが必要である。これを実現するための最小値が50μmである。従って、前記溝の深さを50μm以上とすることが好ましい。
【0032】
また、請求項14から22の何れか1項に記載の前記キャビティの底部には、例えば請求項23記載のように、前記ベース基板を貫通するビア配線を介して該ベース基板の裏面と電気的に接続された電極パッドが形成されていてもよい。予め電極パッドを構成しておくことで、製造過程を簡素化でき、製造効率を向上させることが可能となる。
【0033】
また、請求項23記載の前記ベース基板は、例えば請求項24記載のように、前記ベース基板における前記キャビティが形成された面と反対面に、前記ビア配線と電気的に接続される基板配線が形成された配線基板を有するように構成されていてもよい。このように、予めベース基板の裏面に配線基板を設けておくことで、製造過程を簡素化でき、製造効率を向上させることが可能となる。
【0034】
また、請求項14から24の何れか1項に記載の前記電子素子は、例えば請求項25記載のように、弾性表面波素子とすることが可能である。この場合、製造される電子部品は弾性表面波デバイスである。このように、上記した電子部品の製造方法は、弾性表面波デバイスにも適用することが可能である。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【0036】
〔第1の実施形態〕
まず、本発明の第1の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図3は、本実施形態によるベース基板10の概略構成を示す上面図である。但し、ベース基板10において、キャビティ15が形成された面、換言すればSAWフィルタ素子2が実装される側を上面(若しくは表面)とする。
【0037】
図3に示すように、本実施形態によるベース基板10には、中央付近に2次元配列されたキャビティ15が形成されており、これらの周りを取り囲むように、換言すれば、2次元配列されたキャビティ15が形成された領域の外周にダミーキャビティ21が形成されている。
【0038】
このダミーキャビティ21は、例えばSAWフィルタ素子2が実装されるキャビティ15と同一の形状を有した溝であり、2次元配列された複数のキャビティ15と同じピッチで配列されている。尚、本実施形態では、図面中、キャビティ15及びダミーキャビティ21を1.60×1.20mm四方の横長の長方形とし、2次元配列におけるピッチを0.90mmとする。
【0039】
このような構成を有するベース基板10のA−A断面図を図4(a)に示す。また、図4(a)における領域Bの拡大図を(b)に示す。
【0040】
図4(a)に示すように、キャビティ15内部における底面には、メタライズ処理が施されることにより、SAWフィルタ素子2をフェイスダウン状態でボンディング接続するためのバンプ用電極パッド16が形成されている。このバンプ用電極パッド16とSAWフィルタ2の圧電基板表面に形成された電極パッドとがバンプ14により電気的に接続され、且つ機械的に固定されることで、キャビティ15内部にSAWフィルタ素子2がフリップチップ実装される。尚、ダミーキャビティ21の底面は、メタライズされていてもよいが、製造工程の簡略化及びコスト削減を鑑みると、メタライズされていない方が好ましい。
【0041】
SAWフィルタ素子2を実装後、ベース基板10の上面には樹脂シート12を加熱しながら加圧する(加圧・加熱処理)ことで密着する。これにより、キャビティ15が封止される。換言すれば、SAWフィルタ素子2を構成する圧電基板における櫛歯型電極(InterDigital Transducer:IDT)が形成された面が密封される。
【0042】
この加圧・加熱処理による樹脂シート12の着設時に、外周に設けられたダミーキャビティ21には、軟化した樹脂シート12の一部が流入する。これにより、最外周のキャビティ15に必要以上の樹脂が流れ込むことを防止することができる。即ち、ダミーキャビティ21が軟化した樹脂の逃げ場として機能することで、最外周のキャビティ15に流入する樹脂の量を制御することができる。これにより、最外周に位置するSAWデバイス11のフィルタ特性や耐環境特性を他の(内側の)SAWデバイス11と同程度として作製することができ、SAWデバイス11の歩留りが向上できる。結果として、SAWデバイス11一つ当たりの製造コストを低下させることが達成できる。
【0043】
また、図4(b)に示すように、ダミーキャビティ21の深さd1は、例えば上述のようにキャビティ15の深さd2と同じであってもよいが、最外周のキャビティ15に流入する樹脂を必要十分な量に制御し得る程度の深さであれば、如何様にも変形することができる。例えばダミーキャビティ21の深さd1を50μm以上とすることで、必要以上の樹脂が最外周のキャビティ15に流入することを防止できる。但し、流入した樹脂が漏れ出すことを防止するために、ダミーキャビティ21がベース基板10を貫通していないことが好ましい。尚、本実施形態では、キャビティ21の深さd2を0.25mmとする。
【0044】
また、ダミーキャビティ21の配列方向での長さL1は、例えば上述のようにキャビティ15の配列方向での長さL2と同じであってもよいが、上述の深さd1と同じく、最外周のキャビティ15に流入する樹脂を必要十分な量に制御し得る程度の長さであれば、如何様にも変形することができる。例えばダミーキャビティ21の長さL1を、キャビティ15の側壁面(但し、配列方向に対して垂直に延在する面)からSAWフィルタ素子2までの長さl3以上とすることで、必要以上の樹脂が最外周のキャビティ15に流入することを防止できる。尚、最外周のキャビティ15への樹脂の流入量は、他の(内周に位置する)キャビティ15と同程度とすることが最もよい。
【0045】
また、隣接するキャビティ15の間の側壁の厚さl2、又はキャビティ15とダミーキャビティ21との間の側壁の厚さl1は、ダイシング時及びダイシング後のSAWデバイス11の側壁(この内壁の厚さl4は(l1−m)/2)となる)に要求される強度及びダイシングにより除去される厚さ(以下、ダイシングしろという)mと、高集積化による製造効率の向上及びSAWデバイス11当たりのコスト低減とを考慮して、可能な限り薄くして設計されるとよい。尚、本実施形態において、好ましくは、ダイシングしろm≧100μmとし、側壁の厚さl4≧150μmとすることで、上記の要素を満足することができる。この場合、キャビティ15間の側壁の厚さl1は400μm以上となる。
【0046】
また、上記の説明では、キャビティ15とダミーキャビティ21とのピッチを同一としたため、l1=l2≧400μmとなるが、これに限定されず、キャビティ15とダミーキャビティ21との間は、SAWデバイス11の側壁に要求される厚さl4以上、即ち150μm以上であって、軟化した樹脂が流入できる程度の距離となるのであれば、如何様にも変形することができる。
【0047】
次に、図5を用いて、本実施形態によるSAWデバイス11の製造プロセスを詳細に説明する。但し、以下の説明ではキャビティ15と同一形状のダミーキャビティ21を同一ピッチで形成した場合を例に挙げて説明する。
【0048】
図5(a)に示すように、まず、例えばセラミックス(アルミナ・セラミックスを含む)等を含んでなる基板を複数積層して接着することで、キャビティ15及びダミーキャビティ21を有するベース基板10を形成する。尚、ベース基板10の材料としては、上記のセラミックスの他、BT(ビスマレイミドドリアジン)レジンやフレキシブル基板等を用いることができる。
【0049】
次に、図5(b)に示すように、形成したキャビティ15の底部のみにメタライズ処理を施し、バンプ用電極パッド16を形成する。尚、ダミーキャビティ21の底部にバンプ用電極パッド16を形成しない場合、これがメタライズされないようにレジストを形成しておく。但し、ダミーキャビティ21の底部にバンプ用電極パッド16を形成してもよいため、上記レジストの形成は限定された要素ではない。
【0050】
また、上記の工程において、バンプ用電極パッド16とベース基板10裏面とを電気的に接続するためのビア配線(例えば図8の符号17参照)は、図5(a)において予め形成しておいても、図5(b)に示す工程において、バンプ用電極パッド16と共に形成してもよい。尚、予めビア配線17を形成しておく場合、積層する基板においてベース基板10の最下面(裏面)に位置する基板に予め形成し、この上にキャビティ15を形成するための2次元配列された開口を有する基板を積層する。同様に、バンプ用電極パッド16も、図5(a)において予め形成しておいてもよい。尚、予めバンプ用電極パッド16を形成しておく場合、積層する基板においてベース基板10の最下面(裏面)に位置する基板の上面を予め所定パターンによりメタライズしておき、この上にキャビティ15を形成するための2次元配列された開口を有する基板を積層する。
【0051】
次に、図5(c)に示すように、ベース基板10の裏面には、ベース基板10の裏面に現れたビア配線17と位置合わせされた基板配線(例えば図11の符号32参照)が形成された配線基板30が接着される。これにより、バンプ用電極パッド16と基板配線32とが電気的に接続される。基板配線32は、配線基板30を貫通するように設けられたビア配線33を介して、配線基板30の裏面に設けられた電気端子31と電気的に接続されている。即ち、キャビティ15の底面に形成されたバンプ用電極パッド16は配線基板30の裏面に設けられている電気端子31と電気的に接続される。
【0052】
その後、図5(d)に示すように、キャビティ15内部には、上面にIDT電極及びこれに電気的に接続された電極パッドとが形成されているSAWフィルタ素子2がフェイスダウン状態でフリップチップ実装される。これは、SAWフィルタ素子2上に形成された電極パッドとキャビティ15の底面に形成されたバンプ用電極パッド16とがバンプ14により電気的及び機械的に接続されることで実現される。尚、このバンプ14には、例えば金(Au)バンプ等が用いられる。
【0053】
このようにSAWフィルタ素子2を実装後、ベース基板10上面には、図5(e)に示すように、キャビティ15(SAWフィルタ素子2を含む)及びダミーキャビティ21を覆い被せるように樹脂シート12が積層され、これが図5(f)に示すように、ベース基板10に加圧・加熱処理されて接着される。尚、図5(c)で示した配線基板30の着設は、図5(d)で説明した工程又は図5(e)で説明した工程の後であってもよい。
【0054】
ここで、ベース基板10上に樹脂シート12を加圧・加熱処理することで密着させる際の構成を図6を用いて説明する。図6に示すように、樹脂シート12が重ねられたベース基板10は、下型71上に載置される。下型71は図示しないヒータ等で加熱されており、モータ72を動力として支柱73に沿って移動する。これにより、樹脂シート12が重ねられたベース基板10が加熱されつつ、下型71と上型74とで押圧され、樹脂シート12が軟化してベース基板10表面に密着する。
【0055】
このように、ベース基板10上に多面取り構成のSAWデバイス11を作成すると、図5(g)に示すように、これらをレーザビームや回転切削刃(ダイシングブレード)等を用いて個々に切断し、複数のSAWデバイス11に分離する。
【0056】
ここで、本実施形態によるベース基板10及び配線基板30の具体例を図面を用いて詳細に説明する。尚、以下に挙げる具体例における寸法は上記で例示した値と異なるが、その本質的要素は同一である。
【0057】
図7は、本具体例によるベース基板10Aの構成を示す上面図である。図7に示すように、本具体例では、キャビティ15の横方向及び縦方向の端に、キャビティ15間の間隔と同じ間隔を隔ててダミーキャビティ21が形成されている。キャビティ15の横方向の端に配列されたダミーキャビティ21は、縦方向の長さがキャビティ15と同じである。また、キャビティ15の縦方向の端に配列されたダミーキャビティ21は、横方向の長さがキャビティ15と同じである。
【0058】
各キャビティ15の底面には、図8に示すように、バンプ用電極パッド16が形成されており、これにSAWフィルタ素子2がバンプ接続される。尚、本具体例では、ダミーキャビティ21の底面がメタライズされていない場合を例に挙げている。
【0059】
図8を用いてキャビティ15の底面をより詳細に説明する。尚、図8では、破線で囲まれた領域にSAWフィルタ素子2が実装される。図8に示すように、キャビティ15の底面にはバンプ用電極パッド16が形成されており、これがベース基板10Aを貫通するビア配線17を介してベース基板10Aの裏面と接続されている。
【0060】
また、ベース基板10Aの裏面には、図9から図11に示すような配線基板30Aが電気的及び機械的に接続される。尚、図9は配線基板30Aの構成を示す裏面図であり、図10は配線基板30Aの裏面における各キャビティ対応領域35毎に形成された電気端子31の構成を示す図である。また、図11は配線基板30Aの上面における各キャビティ対応領域35毎に形成された基板配線32及びビア配線33の構成を示す図である。
【0061】
図9に示すように、配線基板30Aの裏面には、各キャビティ15と対応する領域(キャビティ対応領域35)、換言すれば、分割されたSAWデバイス11の裏面に相当する領域に、1組の電気端子31が形成されている。この電気端子31の詳細な構成を図10に示す。
【0062】
図10に示すように、配線基板30Aの裏面におけるキャビティ対応領域35には、配線基板30Aを貫通するビア配線33とそれぞれ接続された電気端子31が設けられている。従って、外部回路との電気的な接続は、この電気端子31を介して行われる。尚、電気端子31と外部回路(基板)とをはんだ等を用いて接続することで、電気的な接続の他に機械的な接続も達成することが可能である。
【0063】
また、配線基板30Aの上面におけるキャビティ対応領域35には、図11に示すように、上記のビア配線33とそれぞれ接続された基板配線32が形成されている。この基板配線32は、ベース基板10Aの裏面に露出したビア配線17と対応する位置に延在しており、ビア配線17とビア配線33とを電気的に接続している。
【0064】
このように構成されたベース基板10Aと配線基板30Aとを位置決めして接着することで、キャビティ15の底面に形成されたバンプ用電極パッド16と配線基板30Aの裏面(最終的にはSAWデバイス11の裏面)に形成された電気端子31とが接続される。換言すれば、電気端子31を介してSAWフィルタ素子2へ電気を導入することが可能なように構成される。
【0065】
尚、図7においてダミーキャビティ21が形成された領域及びこれに対応する配線基板30A上下面の領域には、バンプ用電極パッド16,ビア配線17,電気端子31,基板配線32及びビア配線33を形成する必要がない。
【0066】
以上のように構成・製造することで、本実施形態では、最外周に位置したSAWデバイス11の不良率を85%(従来)から0%(本実施形態)とすることが達成された。
【0067】
〔第2の実施形態〕
次に、本発明の第2の実施形態について、図面を用いて説明する。図12は、本実施形態によるベース基板40の概略構成を示す上面図である。
【0068】
本実施形態によるベース基板40では、第1の実施形態によるベース基板10において、隣接する2つのダミーキャビティ21が、図12に示すように、一体のダミーキャビティ41として形成されている。
【0069】
このように、キャビティ15を取り囲むように形成されるダミーキャビティは、複数列又は複数行に対して共通して形成することが可能である。これにより、第1の実施形態と同様に、最外周のキャビティ15に必要以上の樹脂が流れ込むことが防止される。即ち、ダミーキャビティ21が軟化した樹脂の逃げ場として機能することで、最外周のキャビティ15に流入する樹脂の量が制御される。これにより、最外周に位置するSAWデバイス11のフィルタ特性や耐環境特性を他の(内側の)SAWデバイス11と同程度として作製することができ、SAWデバイス11の歩留りが向上できる。結果として、SAWデバイス11一つ当たりの製造コストを低下させることが達成できる。尚、他の構成及び製造方法は、第1の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0070】
〔第3の実施形態〕
次に、本発明の第3の実施形態について、図面を用いて説明する。図13は、本実施形態によるベース基板50の概略構成を示す上面図である。
【0071】
本実施形態によるベース基板50では、第1の実施形態によるベース基板10において、縦/横一列に配列されたダミーキャビティ21が、図13に示すように、一体のダミーキャビティ51として形成されている。
【0072】
このように、キャビティ15を取り囲むように形成されるダミーキャビティは、縦/横それぞれを共通した1つとして形成することが可能である。これにより、第1の実施形態と同様に、最外周のキャビティ15に必要以上の樹脂が流れ込むことが防止される。即ち、ダミーキャビティ21が軟化した樹脂の逃げ場として機能することで、最外周のキャビティ15に流入する樹脂の量を制御することができる。これにより、最外周に位置するSAWデバイス11のフィルタ特性や耐環境特性を他の(内側の)SAWデバイス11と同程度として作製することができ、SAWデバイス11の歩留りが向上できる。結果として、SAWデバイス11一つ当たりの製造コストを低下させることが達成できる。尚、他の構成及び製造方法は、第1の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0073】
〔第4の実施形態〕
次に、本発明の第4の実施形態について、図面を用いて説明する。図14は、本実施形態によるベース基板60の概略構成を示す上面図である。
【0074】
本実施形態によるベース基板60では、第1の実施形態によるベース基板60において、複数のキャビティ15が1つの囲い状のダミーキャビティ61で取り囲まれるように形成されている。
【0075】
このように、キャビティ15を取り囲むダミーキャビティは、囲い状に形成することが可能である。これにより、第1の実施形態と同様に、最外周のキャビティ15に必要以上の樹脂が流れ込むことを防止することができる。即ち、ダミーキャビティ21が軟化した樹脂の逃げ場として機能することで、最外周のキャビティ15に流入する樹脂の量を制御することができる。これにより、最外周に位置するSAWデバイス11のフィルタ特性や耐環境特性を他の(内側の)SAWデバイス11と同程度として作製することができ、SAWデバイス11の歩留りが向上できる。結果として、SAWデバイス11一つ当たりの製造コストを低下させることが達成できる。尚、他の構成及び製造方法は、第1の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0076】
〔他の実施形態〕
以上、説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。また、上記の各実施形態では、電子素子としてSAWフィルタ素子2,電子部品としてSAWデバイス11を適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明ではこれに限定されず、2次元配列された電子素子が樹脂により封止された多面取り構成のベース基板から切り出す工程を経ることで作成される電子部品であれば、如何なるものも適用することが可能である。
【0077】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高い歩留りで製造でき、1つ当たりの製造コストが低減される電子部品の製造方法及びそのベース基板が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術によるベース基板110の構成を示す上面図である。
【図2】図1に示すベース基板110のA−A断面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態によるベース基板10の構成を示す上面図である。
【図4】図3に示すベース基板10のA−A断面図である。
【図5】本発明の第1の実施形態によるSAWデバイス11の製造プロセスを示す図である。
【図6】図5(e)において樹脂シート12をベース基板10上に加圧・加熱処理する際の装置の概略構成を示す図である。
【図7】本発明の第1の実施形態によるベース基板10の具体例の構成を示す上面図である。
【図8】図7に示すベース基板10に形成されたキャビティ15の構成を示す図である。
【図9】図7に示すベース基板10の裏面に接着される配線基板30の具体例の構成を示す上面図である。
【図10】図9に示す回路基板30の上面に形成された1つのSAWデバイス11に対する基板配線32の構成を示す図である。
【図11】図9に示す回路基板30の下面に形成された1つのSAWデバイス11に対する電子端子31の構成を示す図である。
【図12】本発明の第2の実施形態によるベース基板40の構成を示す上面図である。
【図13】本発明の第3の実施形態によるベース基板50の構成を示す上面図である。
【図14】本発明の第4の実施形態によるベース基板60の構成を示す上面図である。
【符号の説明】
2 SAWフィルタ素子
10、40、50、60 ベース基板
11 SAWデバイス
12 樹脂シート
14 バンプ
15 キャビティ
16 バンプ用電極パッド
17、33 ビア配線
21、41、51、61 ダミーキャビティ
30 配線基板
31 電気端子
32 基板配線
35 キャビティ対応領域
71 下型
72 モータ
73 支柱
74 上型
Claims (25)
- 複数のキャビティが2次元配列して形成されたベース基板を用いる電子部品の製造方法において、
前記ベース基板は2次元配列したキャビティを取り囲むように形成された溝を有し、
前記キャビティに電子素子を実装する第1の工程と、
前記電子素子が実装された前記キャビティ及び前記溝を樹脂で覆う第2の工程と
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記第2の工程はメタライズされていない前記溝に樹脂を供給することを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。
- 前記第2の工程は、前記電子素子が実装された前記キャビティ及び前記溝上に樹脂シートを積載し、該樹脂シートを加熱しながら加圧することで該キャビティ及び該溝を密封することを特徴とする請求項1又は2記載の電子部品の製造方法。
- 前記樹脂による密封を保持しつつ前記キャビティを個別に分離することで、前記電子部品を切り出す第3の工程を有することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝と前記キャビティとの最短の距離が、150μm以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝と前記キャビティとの最短の距離が、前記キャビティ同士の最短の距離と同一であることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝と該溝に隣接する前記キャビティとを結ぶ方向における前記溝の長さが、前記キャビティの側壁と該キャビティに実装された前記電子素子との最短の距離以上であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝は前記2次元配列されたキャビティの列又は行に対して個別に形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝は前記2次元配列されたキャビティの複数列又は複数行に対して共通に形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝は前記2次元配列されたキャビティを取り囲む囲い状の形状を有して形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記溝の深さは50μm以上であることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記キャビティの底部には前記ベース基板を貫通するビア配線を介して該ベース基板の裏面と電気的に接続された電極パッドが形成されており、
前記ベース基板における前記キャビティが形成された面と反対面に、前記ビア配線と電気的に接続される基板配線を有する配線基板を着設する第4の工程を有することを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。 - 前記電子素子は弾性表面波素子であり、前記電子部品は弾性表面波デバイスであることを特徴とする請求項1から12の何れか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 樹脂で密封された複数の電子部品を形成するためのベース基板であって、
電子素子を実装するための2次元配列されたキャビティと、
前記キャビティを取り囲むように形成された溝と
を有することを特徴とするベース基板。 - 前記溝の底部はメタライズされていないことを特徴とする請求項14記載のベース基板。
- 前記溝と前記キャビティとの最短の距離が、150μm以上であることを特徴とする請求項14又は15記載のベース基板。
- 前記溝と前記キャビティとの最短の距離が、前記キャビティ同士の最短の距離と同一であることを特徴とする請求項14又は15記載のベース基板。
- 前記溝と該溝に隣接する前記キャビティとを結ぶ方向における前記溝の長さが、前記キャビティの側壁と該キャビティに実装された前記電子素子との最短の距離以上であることを特徴とする請求項14から17のいずれか1項に記載のベース基板。
- 前記溝は前記2次元配列されたキャビティの列又は行に対して個別に形成されていることを特徴とする請求項14から18の何れか1項に記載のベース基板。
- 前記溝は前記2次元配列されたキャビティの複数列又は複数行に対して共通に形成されていることを特徴とする請求項14から18の何れか1項に記載のベース基板。
- 前記溝は前記2次元配列されたキャビティを取り囲む囲い状の形状を有して形成されていることを特徴とする請求項14から18の何れか1項に記載のベース基板。
- 前記溝の深さは50μm以上であることを特徴とする請求項14から21の何れか1項に記載のベース基板。
- 前記キャビティの底部に、前記ベース基板を貫通するビア配線を介して該ベース基板の裏面と電気的に接続された電極パッドを有することを特徴とする請求項14から22の何れか1項に記載のベース基板。
- 前記ベース基板における前記キャビティが形成された面と反対面に、前記ビア配線と電気的に接続される基板配線が形成された配線基板を有することを特徴とする請求項23記載のベース基板。
- 前記電子素子は弾性表面波素子であり、前記電子部品は弾性表面波デバイスであることを特徴とする請求項14から24の何れか1項に記載のベース基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003036749A JP4173024B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 電子部品の製造方法及びそのベース基板 |
US10/777,135 US7200924B2 (en) | 2003-02-14 | 2004-02-13 | Method of packaging electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003036749A JP4173024B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 電子部品の製造方法及びそのベース基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004248039A true JP2004248039A (ja) | 2004-09-02 |
JP4173024B2 JP4173024B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=32844421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003036749A Expired - Fee Related JP4173024B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 電子部品の製造方法及びそのベース基板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7200924B2 (ja) |
JP (1) | JP4173024B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007013573A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電デバイスの製造方法 |
US7248133B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-07-24 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004201285A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の製造方法および圧電部品 |
CN1670978B (zh) * | 2004-02-26 | 2010-12-29 | 京瓷株式会社 | 电子装置的制造方法 |
US7932471B2 (en) * | 2005-08-05 | 2011-04-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Capacitor for incorporation in wiring board, wiring board, method of manufacturing wiring board, and ceramic chip for embedment |
TWI285424B (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-11 | Princo Corp | Substrate including a multi-layer interconnection structure, methods of manufacturing and recycling the same, method of packaging electronic devices by using the same, and method of manufacturing an interconnection device |
JP2007207921A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型光半導体デバイスの製造方法 |
US8051557B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-11-08 | Princo Corp. | Substrate with multi-layer interconnection structure and method of manufacturing the same |
JP5064278B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2012-10-31 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
KR101067207B1 (ko) | 2009-04-16 | 2011-09-22 | 삼성전기주식회사 | 트렌치 기판 및 그 제조방법 |
US20120056228A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-08 | Phostek, Inc. | Led chip modules, method for packaging the led chip modules, and moving fixture thereof |
US8759153B2 (en) * | 2011-09-06 | 2014-06-24 | Infineon Technologies Ag | Method for making a sensor device using a graphene layer |
US11784625B2 (en) * | 2019-12-11 | 2023-10-10 | Guangdong Institute Of Semiconductor Industrial Technology | Packaging method and package structure for filter chip |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3328102B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
US5923958A (en) * | 1998-05-28 | 1999-07-13 | Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. | Method for semiconductor chip packaging |
JP2000114918A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
JP3408987B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2003-05-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP3860364B2 (ja) | 1999-08-11 | 2006-12-20 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP2001110946A (ja) | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Toshiba Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP4137356B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2008-08-20 | Tdk株式会社 | 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法 |
US6923958B2 (en) * | 2002-03-02 | 2005-08-02 | The Scripps Research Institute | DNA vaccines encoding CEA and a CD40 ligand and methods of use thereof |
-
2003
- 2003-02-14 JP JP2003036749A patent/JP4173024B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-13 US US10/777,135 patent/US7200924B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7200924B2 (en) | 2007-04-10 |
US20040160750A1 (en) | 2004-08-19 |
JP4173024B2 (ja) | 2008-10-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080812 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |