JP5340983B2 - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents

電子部品およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5340983B2
JP5340983B2 JP2010031726A JP2010031726A JP5340983B2 JP 5340983 B2 JP5340983 B2 JP 5340983B2 JP 2010031726 A JP2010031726 A JP 2010031726A JP 2010031726 A JP2010031726 A JP 2010031726A JP 5340983 B2 JP5340983 B2 JP 5340983B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal layer
substrate
layer
sheet
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010031726A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011171852A (ja
Inventor
剛 横山
和則 井上
一宏 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP2010031726A priority Critical patent/JP5340983B2/ja
Priority to PCT/JP2011/052987 priority patent/WO2011102307A1/ja
Publication of JP2011171852A publication Critical patent/JP2011171852A/ja
Priority to US13/565,150 priority patent/US8839502B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5340983B2 publication Critical patent/JP5340983B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16235Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49005Acoustic transducer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/4902Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/4908Acoustic transducer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49131Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by utilizing optical sighting device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、例えば弾性波素子を樹脂層で封止した電子部品およびその製造方法に関する。
弾性波デバイスは、移動体通信端末のフィルタやデュープレクサとして用いられる。弾性波デバイスには、弾性表面波素子や圧電薄膜共振子素子等の弾性波素子が用いられる。弾性波デバイスの小型化のため、弾性波素子が形成された基板を樹脂封止することが行われる。弾性波素子を樹脂封止する際は、弾性波素子の機能領域上に空洞を設けることになる。弾性波素子の機能領域としては、弾性表面波素子では、IDT(Interdigital Transducer)等の電極であり、圧電薄膜共振子素子では、圧電薄膜を挟みこむ上下電極の重なる領域である。
弾性波素子の機能領域を囲むように基板上にフレームを形成し、機能領域の上が空洞になるように、フレーム上に屋根となる部分を感光性樹脂と金属層とで形成することが知られている(例えば、特許文献1)。空洞となる凹部が形成された樹脂シートを弾性波素子が形成された基板に張り合わせることにより、機能領域上に空洞を形成することが知られている(例えば、特許文献2)。
特開2008−227748号公報 特開2005−175345号公報
感光性樹脂を用い屋根となる部分を形成する方法では、樹脂から発生するガスが空洞内に溜まってしまい、弾性波素子の特性を劣化させることがある。また、凹部が形成された樹脂シートを基板と張り合わせる方法では、屋根となる部分が樹脂であるため、例えば、弾性波デバイスをモジュール化する際に加わる圧力に耐えられず樹脂が変形してしまうことがある。
本電子部品およびその製造方法は、弾性波素子の劣化を抑制し、かつ圧力に耐える空洞構造を形成することを目的とする。
例えば、樹脂層と、前記樹脂層下に形成された金属層と、を備えるシートを形成する工程と、基板上に形成された弾性波素子の機能領域上に前記金属層が配置され、前記金属層と前記基板との間に前記機能領域を囲むフレーム部が形成され、前記金属層と前記フレーム部とで、前記機能領域上に空洞が形成され、前記金属層と前記フレーム部とを前記樹脂層が覆うように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法を用いる。
本電子部品およびその製造方法によれば、弾性波素子の劣化を抑制し、かつ圧力に耐える空洞構造を形成することができる。
図1(a)から図1(c)は、実施例1に係る電子部品の製造工程を示す断面図(その1)である。 図2(a)から図2(e)は、実施例1に係る電子部品の製造工程を示す断面図(その2)である。 図3(a)から図3(c)は、実施例1に係る電子部品の製造工程を示す上面図(その1)である。 図4(a)から図4(c)は、実施例1に係る電子部品の製造工程を示す上面図(その2)である。 図5(a)および図5(b)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図6(a)から図6(d)は、実施例3に係る電子部品の製造工程を示す断面図である。 図7(a)および図7(b)は、実施例4に係る電子部品の製造工程を示す断面図(その1)である。 図8(a)から図8(d)は、実施例4に係る電子部品の製造工程を示す断面図(その2)である。 図9(a)および図9(b)は、実施例4に係る電子部品の製造工程を示す平面図(その1)である。 図10(a)および図10(b)は、実施例4に係る電子部品の製造工程を示す平面図(その2)である。 図11(a)から図11(e)は、実施例5に係る電子部品の製造工程を示す断面図である。
以下、図面を参照し、実施例について説明する。
図1(a)から図2(e)は、実施例1に係る電子部品の製造工程を示す断面図であり、図4(c)のA−A断面に相当する。図3(a)から図4(c)は、実施例1に係る電子部品の製造工程を示す上面図である。図4(b)および図4(c)においては、機能領域12、金属層26およびフレーム部28を透視して破線を用い図示している。図4(a)においては、シート30は図3(c)とは上下が逆となっている。
図1(a)および図3(a)を参照し、支持層20上に仮固着層22、樹脂層24および金属層26を設ける。支持層20は、樹脂層24および金属層26を支持する板であり、例えばガラス等の透明なキャリアウエハである。仮固着層22は、支持層20と樹脂層24とを仮接着する層であり、熱または紫外線により粘着力が小さくなる材料を用いる。仮固着層22の膜厚は例えば10μmである。樹脂層24は、例えば熱可塑性樹脂であり、例えば熱可塑性ポリイミドまたは液晶ポリマーを用いることができる。樹脂層24の膜厚は例えば約50μmである。金属層26は、例えば銅箔であり、樹脂層24上に熱圧着される。金属層26は、他の金属でもよい。金属層26の膜厚は、例えば10μmであるが、弾性波デバイスをモジュール化する際に金属層26に加わる圧力および大きさにより、モジュール化する際に空洞が潰れないような膜厚に設計することができる。また、金属層26は、後述する図4(b)において少なくとも空洞13となるべき領域の上に設けられていればよい。
図1(b)および図3(b)を参照し、金属層26を露光技術およびエッチング技術を用い所定の形状とする。エッチングとしてはウェットエッチングを用いる。ドライエッチングを用いてもよい。
図1(c)および図3(c)を参照し、金属層26上に、フレーム部28を形成する。フレーム部28は空洞となるべき領域を囲むように形成されている。また、フレーム部28は金属層26の外周に沿って設けられている。フレーム部28としては、例えば熱硬化性樹脂を用いる。フレーム部28の膜厚は、例えば10μmである。以上により、支持層20、仮固着層22、樹脂層24、金属層26およびフレーム部28を含むシート30が形成される。
図4(a)を参照し、例えばLiNbOまたはLiTaO等の圧電基板10上に、金属膜を用い弾性波素子、配線14および電極15を形成する。弾性波素子のIDT等を機能領域12として図示している。
図2(a)および図4(b)を参照し、弾性波素子の機能領域12上に金属層26が配置されるように、シート30を基板10上に配置する。支持層20がガラス等の透明な材料の場合、容易に金属層26と機能領域12との位置あわせができる。
図2(b)を参照し、シート30を熱圧着により基板10に貼り付ける。例えば、真空度が1kPaの真空において、温度を300℃とし、2Mpaの圧力で熱圧着する。例えば、樹脂層24が熱可塑性樹脂の場合、フレーム部28が基板10(または、配線14)に当接した後、さらに圧力と熱が加わることにより、樹脂層24がフレーム部28と金属層26を覆うように変形する。フレーム部28と金属層26とにより、機能領域12上に空洞が形成される。さらに、樹脂層24と基板10とが圧着される。
図2(c)を参照し、例えば熱を加える、または、紫外線を照射することにより、仮固着層22から支持層20を除去する。
図2(d)および図(c)を参照し、電極15上の樹脂層24を除去し、電極15上に端子部40を形成する。端子部40は例えば半田等の金属を含む。端子部40は、樹脂層24を貫通し、かつ配線14を介し機能領域12と電気的に接続されている。樹脂層24の除去にはウェットエッチング等のエッチング法を用いることができる。また、レーザを用い樹脂層24の一部を除去することもできる。端子部40は、電極15上に例えば半田等を印刷することにより形成することができる。
図2(e)を参照し、樹脂層24および基板10を切断し個片化する。個片化には、ダイシング法等を用いることができる。以上により、実施例1に係る電子部品が完成する。
実施例1によれば、図1(a)から図1(c)のように、樹脂層24と、樹脂層24下(図1(a)から図1(c)では上)に形成された金属層26と、を備えるシート30を形成する。図2(a)および図4(b)のように、基板10上の機能領域12上に金属層26を配置する。図2(b)のように、金属層26と基板10との間に機能領域12を囲むフレーム部28が形成されるように、シート30を基板10に張り合わせる。このとき、金属層26とフレーム部28とで機能領域12上に空洞13が形成される。
このような工程により、空洞13の屋根となる部分は金属層26のため、樹脂層24を形成される際に、空洞13内に不要なガスが溜まり弾性波素子が劣化することを抑制できる。また、空洞13の屋根となる部分は金属層26のため、例えば、弾性波デバイスをモジュール化する際のトランスファモールドにより印加される圧力により、空洞13が潰れてしまうことを抑制できる。
また、樹脂層24は、熱可塑性樹脂を含み、フレーム部28は熱硬化性樹脂を含む。これにより、樹脂層24を基板10に熱圧着する際に、樹脂層24は容易に変形し、かつフレーム部28は硬化する。よって、図2(b)のように、空洞13を備えた中空構造を容易に形成することができる。樹脂層24を基板10に熱圧着する際に真空中で行うことにより、空洞13内に不要なガスが導入されることを抑制することができる。
さらに、図2(d)および図4(c)のように、金属層26およびフレーム部28の外側に、弾性波素子と電気的に接続し、かつ樹脂層24を貫通する端子部40を形成する。これにより、端子部40を介し、弾性波素子に樹脂層24の上面から電気的に接続することができる。また、金属層26の外側に端子部40を形成することにより、端子部40と金属層26とが接触することを抑制できる。
さらに、図1(a)のように、支持層20下に仮固着層22を介し樹脂層24を形成する。図2(c)のように、シート30を基板10に張り合わせた後に、仮固着層22から支持層20を除去する。これにより、樹脂層24を支持した状態で、樹脂層24を基板10に貼り付けることができる。
さらに、実施例1のように、図1(c)のように、シート30を形成する際に、金属層26下にフレーム部28を形成することもできる。
金属層26としてCu、樹脂層24として液晶ポリマーを用いることにより、金属層26と樹脂層24との線熱膨張係数を約16ppm/℃とすることができる。このように、金属層26と樹脂層24とは同じ線熱膨張係数(異方性がある場合は、平面方向の線膨張係数)を有することが好ましい。これにより、熱圧縮による金属層26と樹脂層との熱歪みを抑制できる。同様に、基板10と樹脂層24とは同じ線熱膨張係数(異方性がある場合は、平面方向の線膨張係数)を有することが好ましい。
実施例2は、フレーム部を基板側に形成する例である。図5(a)および図5(b)は、実施例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図5(a)のように、基板10側にフレーム部28を形成する。図5(b)のように、図2(b)と同様に、シート30を基板10に熱圧着する。その他の工程は実施例1と同じであり説明を省略する。実施例2のように、基板10上に機能領域12を囲むように形成されたフレーム部28上に金属層26を配置することもできる。
実施例3は、バンプを用いる例である。図6(a)から図6(d)は、実施例3に係る電子部品の製造工程を示す断面図である。図6(a)を参照に、基板10の電極15上に端子部42として、例えばバンプを形成する。
図6(b)を参照し、シート30を基板10に貼り付ける際に、端子部42が樹脂層24を貫通するように、樹脂層24が変形する。端子部42の高さは、シート30を基板10に貼り付けた際に、端子部42が樹脂層24を貫通する程度とする。
図6(c)のように、仮固着層22から支持層20を剥離する。図6(d)のように、個片化する。その他の工程は、実施例1と同じであり説明を省略する。
実施例のように、基板10に形成された端子部42を形成しておき、シート30を基板10に張り合わせる際に、端子部42が樹脂層24を貫通するようにしてもよい。これにより、実施例1のようにシート30を基板10に貼り付けた後に、樹脂層24を除去し端子部40を形成しなくともよい。また、端子部42として、スタッドバンプ等を用いたAuまたはAuを含む合金バンプを用いることができる。
実施例4は、端子部の少なくとも一部を金属層と接続する例である。図7(a)から図8(d)は、実施例4に係る電子部品の製造方法を示す断面図であり、図10(b)のA−A断面に相当する。図9(a)から図10(b)は、実施例4に係る電子部品の製造方法を示す上面図である。図10(b)においては、機能領域12、金属層26およびフレーム部28を透視して図示している。
図7(a)および図9(a)を参照し、樹脂層24上に金属層26を形成する。金属層26に、後に端子部42が貫通する開口部44を形成する。図7(b)および図9(b)のように、金属層26上にフレーム部28を形成する。開口部44は、フレーム部28で囲まれた領域の外側となるようにフレーム部28を形成する。
図10(a)を参照し、電極15上に端子部42を形成する。図8(a)を参照し、金属層26の開口部44が端子部42の少なくとも1つの上になるように金属層26を機能領域12上に配置する。図8(b)のように、シート30を基板10に貼り付ける際に、端子部42の少なくとも1つが金属層26の開口部44を貫通し、金属層26と端子部42とが電気的に接続するようにする。
図8(c)および図10(b)のように、仮固着層22から支持層20を剥離する。図(d)のように、個片化する。その他の工程は、実施例3と同じであり説明を省略する。
実施例4によれば、図8(b)のように、シート30を基板10に張り合わせる際に、金属層26が端子部42の少なくとも1つの上に配置され、金属層26と端子部42の少なくとも1つとを電気的に接続させる。これにより、金属層26を、端子部42と同じ電位(例えばグランド電位)とすることができる。
また、シート30を基板10に張り合わせる際に、金属層26に形成された開口部44に端子部42の少なくとも1つの先端を貫通させることにより、金属層26と端子部42の少なくとも1つとを電気的に接続させる。これにより、簡単な工程で、端子部42が樹脂層24を貫通し、かつ端子部42の少なくとも1つと金属層26とを電気的に接続させることができる。
さらに、図10(b)のように、金属層26とフレーム部28とから形成される1つの空洞13は、複数の弾性波素子の機能領域12上に形成されていてもよい。
実施例5は、端子部を2回に分けて形成する例である。図11(a)から図11(e)は、実施例5に係る電子部品の製造工程を示す断面図である。図11(a)を参照し、実施例4と異なり、金属層26には開口部が形成されていない。電極15上に下部端子部43が形成されている。下部端子部43は例えばバンプであり、例えばAuバンプである。図11(b)を参照し、シート30を基板10に貼り付ける際に、金属層26により下部端子部43の少なくとも1つの先端を潰す。金属層26により先端が潰された下部端子部43以外の下部端子部43は、樹脂層24を貫通する。下部端子部43は樹脂層24を貫通していなくてもよい。図11(c)を参照し、支持層20を仮固着層22から除去する。
図11(d)を参照し、金属層26の上面の一部、下部端子部43の上面が露出するように樹脂層24に開口45を設ける。開口45は、樹脂層24をウェットエッチング等のエッチングまたはレーザ光照射により除去することにより形成される。図11(e)を参照し、開口45に上部端子部46を設ける。上部端子部46は、例えば半田等の金属を印刷することにより形成する。これにより、下部端子部43と上部端子部46とから樹脂層24を貫通する端子部48が形成される。また、上部端子部46の一部は金属層26と電気的に接続する。
実施例5によれば、シート30を基板10に張り合わせる際に、金属層26に下部端子部43の少なくとも1つの先端を圧着することにより、金属層26と端子部48の少なくとも1つとを電気的に接続させる。これにより、実施例4のように、金属層26に開口を設ける工程を省略することができる。
また、下部端子部43上に上部端子部46を形成することにより、下部端子部43と上部端子部46とから樹脂層24を貫通する端子部48を形成する。さらに、金属層26の一部上面に接する上部端子部46を形成することにより金属層26と端子部48の少なくとも1つとを電気的に接続させる。これにより、端子部48は、上部端子部46と下部端子部43の2層構造とすることができる。さらに、金属層26に上部端子部46を介し電気的に接続することができる。
実施例1から実施例5において、弾性波素子として弾性表面波素子を例に説明したが、圧電薄膜共振子素子でもよい。この場合、機能領域は、圧電薄膜を挟みこむ上下電極の重なる領域である。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
以上、実施例1〜5を含む実施形態に関し、さらに、以下に付記を開示する。
(付記1):樹脂層と、前記樹脂層下に形成された金属層と、を備えるシートを形成する工程と、基板上に形成された弾性波素子の機能領域上に前記金属層が配置され、前記金属層と前記基板との間に前記機能領域を囲むフレーム部が形成され、前記金属層と前記フレーム部とで、前記機能領域上に空洞が形成され、前記金属層と前記フレーム部とを前記樹脂層が覆うように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
(付記2):前記樹脂層は、熱可塑性樹脂を含み、前記フレーム部は熱硬化性樹脂を含み、前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記樹脂層を前記基板に熱圧着する工程を含むことを特徴とする付記1記載の電子部品の製造方法。
(付記3):前記金属層および前記フレーム部の外側に、前記弾性波素子と電気的に接続し、前記樹脂層を貫通する端子部を形成する工程を含むことを特徴とする付記1または2記載の電子部品の製造方法。
(付記4):前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記基板に形成された前記端子部が、前記樹脂層を貫通するように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程を含むことを特徴とする付記3記載の電子部品の製造方法。
(付記5):前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記金属層が前記端子部の少なくとも1つの上に配置され、前記金属層と前記端子部の少なくとも1つとを電気的に接続させる工程を含むことを特徴とする付記3または4記載の電子部品の製造方法。
(付記6):前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記金属層に形成された開口部に前記端子部の少なくとも1つの先端を貫通させることにより、前記金属層と前記端子部の少なくとも1つとを電気的に接続させることを特徴とする付記5記載の電子部品の製造方法。
(付記7):前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記金属層に前記下部端子部の少なくとも1つの先端を圧着することにより、前記金属層と前記端子部の少なくとも1つとを電気的に接続させることを特徴とする付記5記載の電子部品の製造方法。
(付記8):下部端子部上に上部端子部を形成することにより、前記下部端子部と上部端子部とから前記樹脂層を貫通する端子部を形成する工程と、前記金属層の一部上面に接する上部端子部を形成することにより前記金属層と前記端子部の少なくとも1つとを電気的に接続させる工程と、を含むことを特徴とする付記7記載の電子部品の製造方法。
(付記9):前記樹脂シートを形成する工程は、支持層下に仮固着層を介し前記樹脂層を形成する工程を含み、前記シートを前記基板に張り合わせる工程の後に、前記仮固着層から前記支持層を除去する工程を含むことを特徴とする付記1から8のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
(付記10):前記シートを形成する工程は、前記金属層下に前記フレーム部を形成する工程を含むことを特徴とする付記1から9のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
(付記11):前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記基板上に前記機能領域を囲むように形成された前記フレーム部上に前記金属層を配置する工程を含むことを特徴とする付記1から9のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
(付記12):基板と、前記基板上に形成された弾性波素子と、前記弾性波素子の機能領域上に形成された金属層と、前記金属層と前記基板との間に前記機能領域を囲み、前記金属層と熱硬化性樹脂を含むフレーム部とで、前記機能領域上に空洞が形成されるように形成された前記フレーム部と、前記金属層と前記フレーム部とを覆う熱可塑性樹脂を含む樹脂層と、を具備することを特徴とする電子部品。
(付記13):前記金属層および前記フレーム部の外側に、前記弾性波素子と電気的に接続し、前記樹脂層を貫通する端子部を具備することを特徴とする付記12記載の電子部品。
(付記14):前記金属層は前記端子部の少なくとも1つと電気的に接続されていることを特徴とする付記13記載の電子部品。

10 基板
12 機能領域
13 空洞
14 配線
15 電極
20 支持層
22 仮固着層
24 樹脂層
26 金属層
28 フレーム部
30 シート
40、42、48端子部
43 下部端子部
44 開口
46 上部端子部

Claims (7)

  1. 樹脂層と、前記樹脂層下に形成された金属層と、を備えるシートを形成する工程と、
    基板上に形成された弾性波素子の機能領域上に前記金属層が配置され、前記金属層と前記基板との間に前記機能領域を囲むフレーム部が形成され、前記金属層と前記フレーム部とで、前記機能領域上に空洞が形成され、前記金属層と前記フレーム部とを前記樹脂層が覆うように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程と、
    を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
  2. 前記樹脂層は、熱可塑性樹脂を含み、前記フレーム部は熱硬化性樹脂を含み、
    前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記樹脂層を前記基板に熱圧着する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。
  3. 前記金属層および前記フレーム部の外側に、前記弾性波素子と電気的に接続し、前記樹脂層を貫通する端子部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1または2記載の電子部品の製造方法。
  4. 前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記基板に形成された前記端子部が、前記樹脂層を貫通するように、前記シートを前記基板に張り合わせる工程を含むことを特徴とする請求項3記載の電子部品の製造方法。
  5. 前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記金属層が前記端子部の少なくとも1つの上に配置され、前記金属層と前記端子部の少なくとも1つとを電気的に接続させる工程を含むことを特徴とする請求項3または4記載の電子部品の製造方法。
  6. 前記シートを前記基板に張り合わせる工程は、前記金属層に形成された開口部に前記端子部の少なくとも1つの先端を貫通させることにより、前記金属層と前記端子部の少なくとも1つとを電気的に接続させることを特徴とする請求項5記載の電子部品の製造方法。
  7. 前記樹脂シートを形成する工程は、支持層下に仮固着層を介し前記樹脂層を形成する工程を含み、
    前記シートを前記基板に張り合わせる工程の後に、前記仮固着層から前記支持層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
JP2010031726A 2010-02-16 2010-02-16 電子部品およびその製造方法 Expired - Fee Related JP5340983B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010031726A JP5340983B2 (ja) 2010-02-16 2010-02-16 電子部品およびその製造方法
PCT/JP2011/052987 WO2011102307A1 (ja) 2010-02-16 2011-02-14 電子部品およびその製造方法
US13/565,150 US8839502B2 (en) 2010-02-16 2012-08-02 Production method of electronic component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010031726A JP5340983B2 (ja) 2010-02-16 2010-02-16 電子部品およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011171852A JP2011171852A (ja) 2011-09-01
JP5340983B2 true JP5340983B2 (ja) 2013-11-13

Family

ID=44482892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010031726A Expired - Fee Related JP5340983B2 (ja) 2010-02-16 2010-02-16 電子部品およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8839502B2 (ja)
JP (1) JP5340983B2 (ja)
WO (1) WO2011102307A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112014006080B4 (de) 2013-12-27 2022-05-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung für elastische Wellen

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0794616B1 (en) 1996-03-08 2003-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An electronic part and a method of production thereof
JPH10270975A (ja) * 1996-03-08 1998-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JPH10163798A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Semiconductors Niino:Kk 弾性表面波素子とこれを用いた電子部品
US6423446B1 (en) * 1998-11-12 2002-07-23 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electrode plate for secondary battery with nonaqueous electrolyte and process for producing same
JP4377500B2 (ja) * 1999-12-24 2009-12-02 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法
JP2003264258A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品、電子部品の製造方法および電子回路装置の製造方法
JP2004248243A (ja) 2002-12-19 2004-09-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
JP2005153092A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Hitachi Chem Co Ltd フレキシブルプリント配線板穴あけ加工用下当て板シートおよびフレキシブルプリント配線板の製造方法
JP3845632B2 (ja) 2003-12-15 2006-11-15 Tdk株式会社 電子部品およびその製造方法
JP2005268297A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 高周波デバイスおよびその製造方法
JP4385145B2 (ja) * 2004-03-26 2009-12-16 京セラ株式会社 デバイス装置
JP4467403B2 (ja) * 2004-10-26 2010-05-26 京セラ株式会社 弾性表面波素子および通信装置
JP2007180919A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイス、及びその製造方法
JP4997928B2 (ja) * 2006-11-13 2012-08-15 パナソニック株式会社 弾性表面波装置の製造方法
JP5117083B2 (ja) 2007-03-09 2013-01-09 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011171852A (ja) 2011-09-01
US8839502B2 (en) 2014-09-23
US20120299665A1 (en) 2012-11-29
WO2011102307A1 (ja) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5117083B2 (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
US8436514B2 (en) Acoustic wave device comprising an inter-digital transducer electrode
US10593861B2 (en) Electronic component having a reinforced hollowed structure
JP2002261582A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
JP5113627B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2008182292A (ja) 弾性波デバイス
JP2004254287A (ja) 弾性表面波デバイス及びその製造方法
US8022594B2 (en) Surface acoustic wave device
WO2009157208A1 (ja) 回路モジュールおよびその製造方法、ならびに携帯機器
JP5797356B2 (ja) 弾性波装置および弾性波モジュール
JP2006245994A (ja) 弾性表面波デバイスのパッケージ構造及び弾性表面波デバイス
JP5340983B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
JP2004153412A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
JP6385883B2 (ja) モジュールおよびモジュールの製造方法
CN113196469B (zh) 电子部件模块的制造方法及电子部件模块
JP4556637B2 (ja) 機能素子体
JP5396780B2 (ja) 圧電デバイス
JPH09263082A (ja) Icモジュールの製造方法、icカードの製造方法及びicモジュール
JP5521016B2 (ja) 弾性波デバイス
WO2006123653A1 (ja) 圧電デバイス
JP2011109481A (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法
KR20120095110A (ko) 압전소자 및 압전소자의 제조방법
JP5510414B2 (ja) 圧電デバイス
JP4910953B2 (ja) 電子部品パッケージ構造
JP2024023057A (ja) 弾性波デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130709

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130730

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130807

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5340983

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees