JP2004228586A - 研磨された半導体ウェハ、該半導体ウェハの製造法及び該半導体ウェハを含む装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表側の面と裏側の面と周縁部Rとを有する研磨された半導体ウェハであって、該周縁部Rは半導体ウェハの中心から半径距離だけ離れており、かつ半導体ウェハの円周を形成し、かつ半導体ウェハの異形成形体を備えた縁部の部分である研磨された半導体ウェハにおいて、理想的な平坦面からの裏側の面の平坦性の最大のずれが、裏側の面のR−6mmとR−1mmとの間の領域において0.7μm以下であることを特徴とする、研磨された半導体ウェハ。
【選択図】なし
Description
シリコンから成る複数の半導体ウェハを、ワイヤソーを用いて単結晶から鋸断し、洗浄し、縁部の丸みづけを行った。引き続き半導体ウェハを研削し、ラッピングし、気泡に富む酸性エッチング剤の浴中で、群ごとに順に交替させながらエッチングした。半導体ウェハの縁部を、エッチング剤が縁部に直接流入するのを防止するシールドによりその都度カバーした。半導体ウェハとそのシールドとの装置を図5に示す。この公知技術水準に属する比較例の場合、シールドは、厚さtmaxを有する長方形の横断面を有しており、この厚さtmaxは半導体ウェハの厚さdに相当していた。
比較例と同じタイプの半導体ウェハの別の群を同様の条件下でエッチングしたが、但し、使用したシールドが図3に示した一般的な実施態様と一致するように形成されていたという点で異なる。使用した具体的な実施態様を図6〜12に示す。
Claims (9)
- 表側の面と裏側の面と周縁部Rとを有する研磨された半導体ウェハであって、該周縁部Rは半導体ウェハの中心から半径距離だけ離れており、かつ半導体ウェハの円周を形成し、かつ半導体ウェハの異形成形体を備えた縁部の部分である研磨された半導体ウェハにおいて、理想的な平坦面からの裏側の面の平坦性の最大のずれが、裏側の面のR−6mmとR−1mmとの間の領域において0.7μm以下であることを特徴とする、研磨された半導体ウェハ。
- 理想的な平坦面からの裏側の面の平坦性の最大のずれが、裏側の面のR−6mmとR−1mmとの間の領域内において0.5μm以下である、請求項1記載の半導体ウェハ。
- 表側の面がエピタキシー的に堆積された層から形成されている、請求項1又は2記載の半導体ウェハ。
- 液体エッチング剤を用いた半導体ウェハの少なくとも1つの処理と、半導体ウェハの少なくとも1つの表側の面の少なくとも1回の研磨とを含む、研磨された半導体ウェハの製造法であって、エッチング剤が処理の間に半導体ウェハの縁部に流入し、その際、エッチング剤が縁部に直接ぶつかることに対してエッチング剤が流れていく半導体ウェハの縁部を少なくとも部分的にカバーする、研磨された半導体ウェハの製造法において、半導体ウェハの厚さdの方向に延びかつ少なくともd+100μmの長さである距離に亘って半導体ウェハの縁部をカバーすることを特徴とする、研磨された半導体ウェハの製造法。
- 半導体ウェハとシールドとから成る装置であって、該シールドは半導体ウェハの縁部の前に配置されており、かつ縁部に流入する液体エッチング剤に対して半導体ウェハの縁部を少なくとも部分的にカバーする装置において、半導体ウェハの縁部は、内側の異形成形体端部Eから長さρに亘り半導体ウェハの周縁部Rまで延びている異形成形体を備えており、周縁部は半導体ウェハの中心から半径距離だけ離れており、かつ半導体ウェハの円周を形成しており、その際、該シールドは、内側の異形成形体端部Eまでの距離Δを有する半導体ウェハの縁部から最も近くに存在する境界部Sと、半導体ウェハの縁部から最も遠くに存在する境界部とを有しており、該シールドはエッチング剤が流れていく半導体ウェハの縁部を、半導体ウェハの厚さdの方向に延びかつ少なくともd+100μmの長さである距離に亘ってカバーしていることを特徴とする装置。
- 距離Δが最高で10mmである、請求項5記載の装置。
- 境界部Sが、くぼみの底部Gへの深さγにまで達するくぼみを有し、かつ半導体ウェハの縁部がくぼみ内へ達している、請求項5又は6記載の装置。
- 半導体ウェハの縁部から最も離れて存在するシールドの境界部が丸みづけされている、請求項5から7までのいずれか1項記載の装置。
- シールドが、シールドの境界部の少なくとも1つが先細りとなるように形成された本体を有する、請求項5から8までのいずれか1項記載の装置。
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