JP2006120865A - 半導体基板の製造方法及び半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法においては、シリコン単結晶基板10の少なくとも面取り部13に予めシリコン多結晶膜14を形成した上で、基板10の表面11にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶の薄膜11を形成する。基板の面取り部13には多結晶膜14が形成されているので、エピタキシャル成長を行う時にここでファセット成長が発生することはなく、面取り加工された周縁部の形状に沿って多結晶化したエピタキシャル膜16が形成される。その結果、エッヂクラウンの発生が防止され、均一な膜厚のエピタキシャル膜が形成される。
【選択図】 図3
Description
また、金属汚染のゲッタリング等を目的として、基板裏面に多結晶シリコン膜を成膜した基板を使用する場合がある。その場合には、図5に示すように、エッチング処理の後で多結晶シリコン膜を形成する(工程S45)。この場合は、面取り部の多結晶膜が剥離し発塵の原因となる可能性があるため、多結晶膜を成膜後、外周研磨等を行い面取り部の多結晶膜を除去するのが一般的である(工程S46)。
また、これにより基板60の周辺部にはエッヂクラウン66が生じ、エピタキシャル膜62の膜厚が不均一になり、基板表面の平坦性の悪化を生じるという問題もある。
また、本発明の他の目的は、高平坦度で膜厚均一性に優れた半導体基板を提供することにある。
好適には、前記単結晶膜及び前記第2の多結晶膜は、エピタキシャル膜である。
また好適には、前記基板の他方の面に第1の多結晶膜が連続的に形成されている。
また、高平坦度で膜厚均一性に優れた半導体基板を提供することができる。
図1は、そのエピタキシャルウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
また、図2及び図3は、本実施形態の方法により製造されるエピタキシャルウェーハの状態を示す図である。
まず、例えばCZ法により引き上げられたシリコンインゴットを、所定の厚さのウェーハにスライスする(工程S11)。
なお、工程S15において、ウェーハ10の裏面12に形成した多結晶シリコン膜14は、エピタキシャルウェーハ10においては、ゲッタリング層として作用する。
一方、面取り部13には多結晶膜14が成膜されているためファセット成長が発生せず、そのため、面取り形状の変化は小さく、平滑な面取り部の形状を得ることができる。その結果、ウェーハ10に割れや欠けが発生する可能性を低くすることができる。
また、これによりエッヂクラウンの発生も防止される。その結果、エピタキシャル膜の薄膜均一性及び平坦性が改善され、高い表面品質のエピタキシャル膜を形成することができる。
そしてこれらにより、半導体デバイスの製造工程における歩留まりを向上させることができる。
11…表面
12…裏面
13…面取り部
14…多結晶シリコン膜
15…エピタキシャル膜
16…多結晶化したエピタキシャル膜
17…酸化膜
60…基板
61…面取り部
62…エピタキシャル膜
63〜65…ファセット成長面
66…エッヂクラウン
67…縁部
Claims (7)
- 基板の周縁部に多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、
前記周縁部に多結晶膜が形成された前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長工程と
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記多結晶膜形成工程においては、前記基板の前記周縁部及び前記エピタキシャル成長面の裏面に前記多結晶膜を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記多結晶膜が形成された前記基板の前記エピタキシャル成長面を鏡面研磨する鏡面研磨工程をさらに有し、
前記エピタキシャル成長工程においては、前記鏡面研磨された前記エピタキシャル成長面に前記エピタキシャル膜を形成する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記基板の前記エピタキシャル成長面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、
前記鏡面研磨された前記エピタキシャル成長面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜を除去する保護膜除去工程とをさらに有し、
前記多結晶膜形成工程においては、前記エピタキシャル成長面に前記保護膜が形成された前記基板の少なくとも前記周縁部に前記多結晶膜を形成し、
前記保護膜除去工程においては、前記周縁部に前記多結晶膜が形成された前記基板の前記保護膜を除去し、
前記エピタキシャル成長工程においては、前記保護膜が除去された前記エピタキシャル成長面に前記エピタキシャル膜を形成する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板の製造方法。 - 基板の一方の面に単結晶膜が形成され、前記単結晶膜周辺の前記基板の周縁部に第1の多結晶膜及び第2の多結晶膜が積層された多結晶層が形成されていることを特徴とする半導体基板。
- 前記単結晶膜及び前記第2の多結晶膜は、エピタキシャル膜であることを特徴とする請求項5に記載の半導体基板。
- 前記基板の他方の面に前記第1の多結晶膜が連続的に形成されていることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体基板。
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