JP2004140346A - 材料表面を集束電子ビーム誘導化学反応によってエッチングするための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、材料表面を材料表面の集束電子ビーム誘導化学反応によってエッチングするための、a)エッチングを施す材料に、真空環境中で少なくとも1つの分子ビーム及び少なくとも1つの第1の電子ビームを照射する段階であって、それにより被照射材料及び分子ビームの分子が励起されて化学反応が生じ、気体でも揮発性でもない反応生成物が形成される反応段階を含む手順に関する。本発明は、b)反応生成物が、材料を反応生成物の蒸発温度より高い温度に局部的に加熱する第2の電子ビームによって前記表面から蒸発する除去段階を特徴としている。
【選択図】 図1
Description
1)アブソーバであるべき領域におけるアブソーバ材の欠落-透明欠陥
2)アブソーバであってはならない領域におけるアブソーバ材の存在-不透明欠陥
"MARS: Femtosecond laser mask advanced repair system in manufacturing" of R. Haight, D. Hayden, P. Longo, T. Neary and A. Wagner in Japanese Vacuum Science Technology, 17(6)、1999年11月/12月、3137〜3143頁 "A review of laser-microchemical processing" of D. J. Ehrlich and J. Y. Tsao, J. Vac. Sci. Technol. B1(4)、1983年10月〜12月
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a)エッチングを施す材料に、真空環境中で少なくとも1つの分子ビーム及び少なくとも1つの第1の電子ビームを照射し、それにより被照射材料及び分子ビームの分子が励起されて化学反応が生じ、気体でも揮発性でもない反応生成物が形成される反応段階。
b)反応生成物を、材料を反応生成物の蒸発温度より高い温度に局部的に加熱する第2の電子ビームによって前記表面から蒸発させる除去段階。
12 分子ビームシステム/ガス供給システム
14 電子ビーム系
16 コンピュータ制御システム
18 電子ビーム制御ユニット
20 ファラデーケージ
22 電子ビームデフレクタコイル
24 二次電子検出器
26 制御ユニット/電子ビーム切換えユニット
28 制御ユニット
30 ガス供給マルチジェット制御システム
32 CANオープンバス
34 マニホルドノズル
36 エンドバルブ
38 環境チャンバ
40 干渉計制御電動ステージ
42 修復すべきマスク
44 レーザ干渉計ステージ制御ユニット
46 ステージ
Claims (18)
- 材料表面を材料表面の集束電子ビーム誘導化学反応によってエッチングするための方法であって、
a)エッチングを施す材料に、真空環境中で少なくとも1つの分子ビーム及び少なくとも1つの第1の電子ビームを照射し、それにより被照射材料及び分子ビームの分子が励起されて化学反応が生じ、気体でも揮発性でもない反応生成物が形成される反応段階を備える方法において、
b)前記反応生成物が、材料を反応生成物の蒸発温度より高い温度に局部的に加熱する第2の電子ビームによって前記表面から蒸発する除去段階を更に備えることを特徴とする方法。 - 前記第1及び前記第2の電子ビームを生成する、電子ビーム生成電子ビームコラムが形成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の電子ビームが、同一レンズ系を使用し、また、ビーム偏向によって異なる開口を電気的に選択し、かつ、相互作用のタイミングをμsec〜msecの間隔にすることにより前記第1の電子ビームとは異なる設定で生成されることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記第2の電子ビームが、パルス方式及び/又は集束方式で生成されることを特徴とする、請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の方法。
- 最初に、エッチングを施す材料の表面が、電子ビーム加熱による熱脱着によって洗浄される洗浄段階を備えることを特徴とする、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記洗浄段階が、表面層の汚れ、酸化物あるいは他の物質を除去するための他の反応生成物を形成する他の化学反応によって実現されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 他の化学反応が、少なくとも1つの追加分子ビームによって誘導されることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 表面層を覆う物質が炭素汚染によって形成され、前記少なくとも1つの追加分子ビームが、表面層からの炭素と反応させるために、励起ハロゲン原子を放出する水、過酸化水素、塩素または他のハロゲン化合物からなることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 他の化学反応が、少なくとも1つの追加分子ビーム及び電流密度が高く、かつ、十分に集束した第3の電子ビームによって誘導されることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 表面層を覆っている物質が、ケイ素上の酸化ケイ素によって形成され、前記少なくとも1つの追加分子ビームが、前記他の反応生成物に対する電子ビーム励起の下で酸化ケイ素及び被覆層と反応する励起ハロゲン原子を、前記第3の電子ビームの照射の下で放出する塩素または他のハロゲン化合物からなることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 他の反応生成物が、気体でも揮発性でもない場合、他の反応生成物が、洗浄すべき領域の表面を、表面を他の反応生成物の蒸発温度より高い温度に加熱するだけの十分なパワー密度すなわちエネルギー密度を有する第4の集束電子ビームを使用して加熱することによって蒸発することを特徴とする、請求項6から請求項10までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記第3及び/又は第4の電子ビームが、前記第1及び/又は第2の電子ビームとは異なる設定で生成されることを特徴とする、請求項9から請求項11までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記電子ビーム生成電子ビームコラムが、第3及び第4の電子ビームを生成することを特徴とする、請求項9から請求項12までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの分子ビームが、前記反応段階の間、ガス供給システムから材料表面に流出する化学量論組成の選択化学化合物からなることを特徴とする、請求項1から請求項13までのいずれか1項に記載の方法。
- さらに、化学反応を促進し、かつ、後続するエッチング段階で、熱脱着によって除去することができるか、あるいは自ら揮発性である反応生成物を生成させるための触媒が入ったマルチジェット供給装置を使用して分子を流出させることを特徴とする、請求項1から請求項14までのいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から請求項15までのいずれか1項に記載の方法を実施するための電子ビーム生成電子ビームコラムを有し、電子ビーム生成電子ビームコラムが、前記電子ビーム生成電子ビームコラムに異なるパワーを供給する所定の位置と位置の間を切り換え、それにより前記電子ビームの様々な強度を切り換える制御デバイスを備えたデバイス。
- 前記制御デバイスが、異なる電子ビームの開口をさらに制御することを特徴とする、請求項16に記載のデバイス。
- 前記制御デバイスが、異なる電子ビームの偏向手段をさらに制御することを特徴とする、請求項16または請求項17に記載のデバイス。
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