JP4481592B2 - 集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 - Google Patents
集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4481592B2 JP4481592B2 JP2003139417A JP2003139417A JP4481592B2 JP 4481592 B2 JP4481592 B2 JP 4481592B2 JP 2003139417 A JP2003139417 A JP 2003139417A JP 2003139417 A JP2003139417 A JP 2003139417A JP 4481592 B2 JP4481592 B2 JP 4481592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- photon
- molecular
- electron
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
- H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
- H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、請求項１の前段の特徴に係る、表面に集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いて表面で材料をエッチングするための方法に関する。一般に本発明は、集束された電子ビームによって誘導された化学反応、及びこれらの材料処理への応用に関する。特に本発明は、電子ビームによって誘導されたエッチングを用いて高空間分解能で材料を除去することに関する。本発明はまた、フォトマスクを修復すること、並びにナノメートルスケールで集積回路及び他の素子を改良・改造することにも関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
そのほとんどが集束された粒子又は光子ビームに基づく、多くの直接書き込み技術（direct writing technology）は、ナノメートルスケールでの材料の改良・改造を可能にすることを開発してきた。半導体産業でこれらの技術が応用される場所の例は、フォトマスクの修復と集積回路の改良・改造とを含む。これらの応用のほとんどにおいて、マイクロメーター未満の精度で材料を除去及び添加することのできる技術が要求されている。材料を添加する上では、特定の化学的及び物理的性質を有する複数の材料を堆積させることが必要となる可能性がある。材料を除去する上では、複数の材料の組み合わせから選択的に一つの材料を、残りの材料に損傷を与えることなく除去することが要求される可能性がある。他に要求されることとしては、得られるプロセスの位置決め精度及び最小機能サイズ、例えば分解能が含まれる。これら要求されることのうちのいくつかは、この発明の好ましい応用の一つであるフォトリソグラフィック・マスクの修復に対して以下に図示されている。
【０００３】
この目的のために、光子ビーム・アブレーション（photon beam ablation）、光子ビームによって誘導された化学エッチング（photon beam induced chemical etching）、イオンビームスパッタリング、及びイオンビームによって支援された化学エッチング（ion beam assisted chemical etching）が、半導体製造プロセスにおいてフォトマスクに使用される材料をエッチングするために用いられるか、又は部分的に用いられる可能性がある。
【０００４】
フォトリソグラフィック・マスクは通常、１００ｎｍの厚さの構造化したクロム金属層を有する光透過性基板、例えばガラス、石英からなる。マスクのある区域には、これら区域における光の透過を遮断するために、クロムのような光吸収材料、すなわち吸収材を用いてパターンが形成されている。これらマスクは、光感受性の基板、例えばフォトレジストで覆われたウエハ上のマスクに配置されたパターンを投影するために、半導体産業で使用されている。これらのマスクは、修復する必要のある欠陥を少なくとも２種類有することがある。
【０００５】
１）吸収材があるべき場所で吸収材料が欠けている、すなわち透明欠陥と、
２）吸収材がないはずの区域に吸収材料がある、すなわち不透明欠陥とである。
【０００６】
現在、一般的なマスク修復ツールは、レーザビーム又は集束されたイオンビーム（focussed ion beam）、すなわちＦＩＢに基づいている。これらのツールに必要とされるか、又は必要とされる可能性のある化学的及び／又は物理的プロセスは、光子ビーム・アブレーション、光子ビームによって誘導された化学エッチング、イオンビームスパッタリング、並びにイオンビームによって支援された化学反応、堆積、及びエッチングである。
【０００７】
集束されたレーザビームによってクロムのような吸収材を除去することは、最先端のことである。通常、高エネルギーのショートパルスレーザビームが用いられる。レーザビームと材料との間の相互作用は、例えば光熱又は光化学であり得る。マスクを修復するためにレーザアブレーションが用いられ、レーザアブレーションではレーザビームを用いてマスクを局所的に加熱することによって材料が蒸発する。レーザによって誘導された化学反応はまた潜在的に、マスクを修復するためにも用いることができ、ここではレーザビームがエネルギーを供給して材料と塩素のような適切なガスとの間で反応を起こさせ、その結果脱着する揮発性生成物を生成する。この内容は、R. Haight, D. Hayden, P. Long, T. Neary and A. Wagner による非特許文献１「ＭＡＲＳ：Femtosecond laser mask advanced repair system in manufacturing」、及び D. J. Ehrlich and J. Y. Tsao による非特許文献２「A review of laser-microchemical processing」に引用されている。
【０００８】
【非特許文献１】
Japanese Vacuum Science Technology, 17(6), Nov./Dec. 1999, 3137-3143.
【非特許文献２】
J. Vac. Sci. Technol. B 1 (4), Oct.-Dec. 1983.
【０００９】
しかしながら、処理をベースにした全ての光子ビームは、得られる分解能が使用している光の波長の略０．５倍であることを教えているアッベの回折分解能規準（Abbe diffraction resolution criterion）のために、分解能が限定されるという難点がある。
【００１０】
イオンビームスパッタリングは、潜在的に１０ｎｍの分解能を有する有効な方法であるが、いくつかの適用に対しては耐えられない損傷を基板に与えてしまう。化学エッチングによって支援されたイオンビームはまた、いくぶん低い分解能を有する有効な方法であるが、これまたいくつかの適用に対しては耐えられない損傷を基板に与えてしまう。両者の方法は、フォトマスクを修復する時に、不透明な欠陥をエッチングするために適用されている。
【００１１】
次世代のチップ製造に対するフォトマスクの分解能要求が増加するにつれて、かつ光学近接効果の構造（optical proximity effect structure）又は位相シフトマスク、及びＥＵＶ−多層マスクのような所望の分解能を得るためのマスクパターンの技術がさらに改良・改造されるにつれて、半導体産業は今日、レーザアブレーション及び堆積、イオンビームスパッタリング、並びに化学的に支援されたイオンビームエッチング及び堆積といった定評ある方法がもはや限界に来ているという状況にある。というのも、修復後の基板の分解能及び透過性が欠如しているからである。したがって、非破壊的な柔軟かつ清潔な化学エッチング方法を、フォトマスク及びＥＵＶマスクのような「次世代マスク」の不透明な欠陥に適用する必要がある。化学エッチング方法は、金属イオンを基板へ注入せず、かつイオン衝突によって導入された構造上の損傷を引き起こす原因となる下の材料の混合といったものも生じない。
【００１２】
現在は、集束された電子ビームのみが、吸収材料を局所的に添加することによって透明な欠陥を修復するために用いられている。修復は、電子ビームを用いて選択された局所的な区域を露出し、それと同時にこの区域へ前駆気体の流れを供給することによって行われる。次いで電子ビームは、前駆気体、例えば炭化水素、無機又は有機金属分子を分解し、電子ビームによって走査された区域には堆積物が後に残る。電子は集束されたイオンビームのようには基板原子を追い出す、例えばスパッタリングするのに十分な運動量を放出しないので、材料の除去はより困難である。今、電子ビームエッチングについては、集束された電子ビームによって活性化された化学反応が誘発され、これにより揮発性生成物が生じ、かくして材料除去がなされる２，３の材料装置を説明したのみである。
【００１３】
電子ビームによって誘導されたエッチング反応に関する研究はほんの僅かに行われているに過ぎないが、反応は確かに、いくつかの反応単位からなる複合シーケンスであり、前駆気体分子の吸着、すなわち物理吸着（physisorption）及び／又は化学吸着、前駆物質分子又はそれらの断片の基板への拡散、これら前駆物質分子と基板原子との間の一つ又は複数の反応、及び最後に反応生成物の堆積、のような複数のステップを含む。集束された電子ビームに露出されることで本プロセスの高空間分解能を提供する区域にエッチングプロセスを閉じ込めるために、エッチングプロセスは自発的に起こらず、かつこの反応シーケンスにおける少なくとも一つのステップが電子ビーム露光によって誘導されねばならないということが要求される。電子ビームによって誘導されたエッチングの例は、ＸｅＦ２による二酸化ケイ素、すなわちＳｉＯ２の除去である。このエッチングは電子ビーム及びＸｅＦ２分子に同時に露出されてきた区域のみで生ずる。例えば、Ted Liang, A. Stivers, G. Liu, G. Dao, V. Liberman, M. Rothschild, S.T. Palmacci and L. Scipioni による非特許文献３「Damage-free Mask Repair Using Electron Beam Induced Chemical Reactions」を参照されたい。
【００１４】
【非特許文献３】
2nd Int’l. Symp. on 157nm Lithography, Dana Point, CA (May 2001)
【００１５】
半導体産業は、紫外線光波長以下の構造を備える新しい回路およびマスクに対するフォトマスク補償及び回路転写工程における非常に高い解像度及び材料エッチング精度を実現する上で、そのような構造を補償するために新しい技術を用いる必要がある。
【００１６】
したがって、この発明の目的は、引用された欠点を克服するように、表面に集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いて材料の表面をエッチングするための方法を改善すること、及び高空間分解能で材料を局所的に除去するための方法を提出することにある。
【００１７】
特に本発明の目的は、時にはたった数１０ｎｍの厚さしかない金属及び絶縁体の層を混合せずに多層構造をエッチングすることにある。
【００１８】
この目的は、請求項１の前段部分の構成要素と結合した、請求項１に規定されたような特徴的な構成要素によって達成される。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の下には、集束された電子ビーム、分子ビーム、及び光子ビームの組み合わせが高空間分解能と化学反応のための所望の活性化エネルギーとを提供することで、除去され得る反応生成物を形成するという理解が横たわっている。これにより、前記反応のみが、前記電子ビームによって露出されかつ化学的に又は物理的に変異された区域で起こる。
【００２０】
本発明によれば、方法は次のステップを備えている。
【００２１】
エッチングすべき材料を真空雰囲気で、少なくとも一つの分子ビーム、少なくとも一つの光子ビーム、及び少なくとも一つの電子ビームを用いて照射し、照射された材料と前記分子ビームの分子とを、前記材料及び前記分子の組成による所定の化学反応が起こって反応生成物が形成されるように励起し、前記反応生成物を前記材料の表面から除去する。これは照射及び除去ステップである。
【００２２】
特に、エッチングすべき前記材料と前記分子ビームの気体との間の前記化学反応は、電子ビーム露光によって選択的に誘導された少なくとも一つの基本的な化学反応又は少なくとも一つの基本的な物理反応からなる。さらに、反応シーケンスにおける少なくとも一つの基本的な化学反応又は少なくとも一つの基本的な物理反応は、該化学反応を誘導して前記照射及び除去ステップで前記反応生成物を得るために、適切に指定されたエネルギー及び持続時間を有する前記光子ビームによって誘導されるか又は高められる。
【００２３】
一方で、前記光子ビームによって供給されたエネルギーは、特にレーザの強度及び波長によって制御されたような所定量だけ、局所的にかつ一時的にエッチングすべき前記材料の表面温度を上昇させるために、光熱とすることができる。
【００２４】
他方で、前記光子ビームによって供給されたエネルギーは光化学反応を引き起こすことができ、特にこれによってレーザ光の波長が、前記材料で、又は先立つ電子ビーム露光によって生成された中間化学種内で、共鳴電子励起を引き起こす波長に調整される。
【００２５】
特に、光子ビームによって誘導された前記基本的な反応は、反応生成物の蒸発温度よりも高い温度まで局所的に材料を加熱する、前記パルス化されかつ集束された光子ビームによって表面から反応生成物を蒸発させることができる。
【００２６】
前記光子ビームは、赤外から可視、すなわち２０００ｎｍから２５０ｎｍの波長を有する半導体ダイオードレーザのような連続レーザ源か、あるいは２０００ｎｍから１５７ｎｍの波長を有するエキシマレーザ又はイオンレーザのようなパルスレーザ装置によって供給する。
【００２７】
特に、前記照射及び除去ステップで、前記分子ビームに由来する反応相手分子に吸着サイトの密度分布を生成するために、０．１〜１０００ｎｍのスポットサイズを有する集束された走査電子ビーム装置により前記電子ビームを供給する。
【００２８】
一つ又は複数のガスからなる前記分子ビームは、前記照射及び除去ステップの間、ガス供給装置から化学量論の組成で材料の表面へ供給することができる。
【００２９】
本発明の一実施形態のよれば、最初はエッチングすべき材料の表面を洗浄する。これは洗浄ステップである。
【００３０】
好適には、前記洗浄ステップは、表面層を覆っている不純物、酸化物、又は他の材料を除去するために化学反応によって達成する。一方で、前記表面層を覆っている材料が炭素不純物によって形成されている場合、さらなる反応生成物を形成する前記化学反応は、励起された酸素及び／又はハロゲン原子を解放して前記表面層の炭素と反応する水、過酸化水素、塩素、又は他のハロゲン化合物を含む付加的な分子ビームにより開始する。
【００３１】
さらに又はあるいは、前記洗浄ステップは、前記表面をさらなる反応生成物の蒸発温度よりも高い温度まで加熱するために十分なエネルギー密度を有する集束された光子ビームを用いて洗浄すべき区域の表面を加熱し、次いで蒸発させることによって達成する。
【００３２】
本発明の一実施形態によれば、前記分子ビームは異なる前駆気体を含む。
【００３３】
好適には、前記ガス供給装置は、０．１〜１００００モノレイヤー／秒の流速を有する複噴射装置により形成されている。
【００３４】
例えば、前記ガス供給装置によって供給された少なくとも一つの前記前駆気体は、自発的に又は光子ビームに露出されたときに反応しないが、前記電子ビームによって活性化され得る分子からなる。
【００３５】
その上、前記前駆気体はハロゲンを含むことができ、解離電子付着として知られているプロセスで前記電子ビームに露出されたとき、前記ハロゲンを解放する。
【００３６】
本発明の一実施形態によれば、前記分子ビーム、前記光子ビーム、及び前記電子ビームを、所定の供給時間と様々な露光の間の遅延とを用いて同期されかつ適時に制御された状態で、同時に供給するか又は続けて供給する。
【００３７】
前記ビームを続けて供給する場合には、露光のサイクルを、所望のエッチング深さに達するまで繰り返す。繰り返すループの時間は、次の露出シーケンスを開始する前に所定のタイムラグを生成するのに必要な適時のシーケンスにおいて隣接する又は他のピクセルを露出することによって、又は所定の時間電子ビームをオフにする、例えばビームブランキングをすることによって制御することができる。
【００３８】
この結合関係には、次の可能性がある。
【００３９】
一つは、まず所定線量の前記分子ビーム（Ａ）を供給し、次いで前記電子ビームにより露光し、次いで所定線量の前記分子ビーム（Ｂ）を供給することである。
【００４０】
もう一つは、まず所定線量の前記分子ビーム（Ａ）を供給し、次いで所定の持続時間、強度、及び波長の前記光子ビームのパルスを供給し、次いで所定線量の前記分子ビーム（Ｂ）を供給することである。
【００４１】
本発明の一実施形態によれば、エッチングすべき前記材料はクロムであり、かつ前記分子ビームは、ＸｅＦ２，Ｃｌ２，Ｂｒ２，又はＩ２のようなハロゲンを含むことができ、すなわちハロゲンビームを含むことができる。さらに、前記分子ビームは、Ｏ２，Ｈ２Ｏ，又はＨ２Ｏ２のような酸素を含むことができ、すなわち酸素ビームを含むことができ、かつ前記ハロゲンビームに加えて用いられる。前記ハロゲン及び酸素を含むビームは同時に供給する。すなわち、もし続けて供給する場合には、前記分子ビーム（Ａ）はハロゲンビームであり、かつ前記分子ビーム（Ｂ）は酸素ビームである、又は、前記分子ビーム（Ａ）は酸素ビームであり、かつ前記分子ビーム（Ｂ）はハロゲンビームである。
【００４２】
要するにこの発明は、除去すべき区域を画定するために集束された電子ビームを用いて高空間分解能で材料を除去する方法を述べたものである。材料は基板材料とハロゲンのような適切な前駆気体との間の反応によって除去される。反応の結果、表面から揮発性の化合物が脱着する。集束された電子ビームとレーザビームとの組み合わせが、前駆物質分子の吸着から始まって反応生成物の堆積で終わる反応シーケンスを開始するために用いられる。反応シーケンス内で電子ビームは、一つ又は複数の反応ステップを誘導する共に、プロセスの空間分解能を提供する。レーザビームは、電子ビームのみによっては活性化され得ない一つ又は複数の反応ステップに対して所望の活性化エネルギーを供給する。しかしながら、レーザビームによって誘導された反応は、電子ビームによって露出されかつ「活性化された」すなわち変異された区域でのみ起こる。
【００４３】
本発明のさらなる利点及び特徴は、添付の図面を参照して次の実施形態の説明から明らかとなろう。
【００４４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る方法のための公知の分子ビーム供給装置を有するマスク修復装置（mask repair system）１０の概略図を示し、以下にガス供給装置１２と、公知の電子ビーム装置１４と、公知の光子ビーム装置と、レーザビーム装置１６と、分子ビーム、光子ビーム、及び電子ビームといったこれらビームを適時にトリガーして協働させるためのコンピュータ制御装置１８と、が参照されている。
【００４５】
ガス共有装置１２は、ペルチェ冷却された液体又は固体前駆物質のための供給源２０と、気体前駆物質の供給器２２と、加圧空気２４の供給器と、バルブ制御装置２６と、圧力ゲージ２８と、供給源２０のための温度制御装置３０とを備えている。バルブ制御装置２６と圧力ゲージ２８と温度ゲージとは、制御するためにＣＡＮオープンバス３２を介してコンピュータ制御装置１８へ接続されている。
【００４６】
供給源２０は、複数のノズル３６を有する供給器３４を介してノズル・マニホルド３８へ接続されている。また、複数のノズル３６を有する供給器２２は、ノズル・マニホルド３８へ接続されている。ノズル・マニホルド３８は、各ノズルにエンドバルブ４０を有する。ノズル３６は、加圧空気と共に供給器２２及び３４内でバルブを操作するためのバルブ制御装置２６と接続されている。
【００４７】
電子ビーム装置１４は電子ビーム制御ユニット４２を備えている。
【００４８】
レーザビーム装置１６は、レーザ電力供給装置４４とレーザユニット４６とトリガーユニット７２とを備えている。レーザユニットは、修復すべきマスク５２上でレーザビーム５０を偏向させるためにミラー４８と協働する。あるいは、レーザビームは、真空チャンバ（不図示）内部の集束レンズ装置へ接続された光ファイバ装置を用いることによって、マスク上に向けられかつ集束され得る。
【００４９】
電子ビーム制御ユニット４２は、電流を測定するためのファラデーケージ５４と、第２電子検出器５６と、対応する制御ユニット６８及び７０と、ビーム偏向コイル７６とビーム・ブランカ（beam blanker）とを備えている。
【００５０】
以下に述べる本発明に係る方法を実施する環境チャンバ５８が設けられている。本発明はまた、電子ビーム装置を用いることによっても達成する（なぞらえる）ことができる。電子ビーム装置は、機器製造業者によって供給されたような、様々な圧力又は環境真空圧力の制御装置を用いて高圧でサンプルチャンバを稼動することを可能にする。これらの装置はまた、電子ビームを稼動不能とすることなく、サンプルチャンバ内の圧力を１５ｔｏｒｒまで上昇させることができる。ガス供給装置１２と電子ビーム装置１４とレーザビーム装置１６とは、環境チャンバ５８内で稼動する。モータ付ステージ５９で制御された干渉計がマスク５２の位置を定めるために設けられている。
【００５１】
コンピュータ制御装置１８は、マスク修復装置１０を制御するために４つの窓、すなわち複噴射窓６０と電子ビーム窓６２と修復制御窓６４と顕微鏡窓６６とを備えている。さらに、ビーム制御コンピュータ６８が電子ビームユニット４２を制御するために設けられている。したがって、電子ビームコンピュータユニット６０が、電流を測定するためのファラデーケージに接続され、ビームコントロール７０が、従来技術の電子ビームユニット４２に接続されている。
【００５２】
時間に依存した制御をするために、ビームコントロール７０とレーザ電力供給装置４４とに接続されたトリガー７２が設けられている。
【００５３】
さらに、レーザ干渉計ステージ制御ユニット７４が、ステージ５９とコンピュータ制御装置１８とに接続されている。
【００５４】
マスク修復装置１０を用いた方法を以下に述べる。
【００５５】
もっとも明るくかつ長時間安定している電子供給源と、熱電解放出陰極（thermal field emission cathode）とを用いた高分解能走査ビーム装置の電子ビームを使用する。適切に開発された電子光学装置は、１００ｅＶから４０ｋｅＶ又はさらに２００ｋｅＶまでのエネルギーを有する２ｎｍのスポット径に電子ビームの焦点に合わせることができる。ビームの交差路における電子の分布は、レンズ収差が低い、電子源のエネルギー幅が低い、かつビーム路が特殊化している、ある場合には（ビームのエネルギー幅が電子のクーロン相互作用によって拡がる場所で）交差路がないために、非常にシャープに規定されている。原理的には電子ビーム装置は、分解能及びエネルギー密度の点で、イオンビーム又は光子ビーム装置よりもほぼそれぞれの大きさのオーダーだけ、よりよい性能を発揮する。
【００５６】
電子ビームは、エネルギー密度の点で大きさのオーダーだけイオンビームよりも優れている。しかしながら、電子の部材の原子への運動量移行が低いために、同一の作用に対してイオンよりもかなり多くの電子が必要とされる。通常イオンと比べて５０〜２５０倍多くの電子が必要とされる。これはまた、電子よりもイオンの質量数の平方根の４８倍遅い、遅いイオンの散乱断面積がかなり大きく、それ故に原子とより相互作用する結果でもある。さらに、プロセスにおける衝突のためのクーロン相互作用はイオンの核電荷の因子だけより強い。しかしながら、イオン衝突によって、プロセスにおいて一連の衝突が集中して生じ、これによってイオンの運動量がサンプルの深さ方向へ移行し、そこで材料に損傷を与える。イオン自身は、サンプルの表面付近の浅い領域に注入され、不純物として作用し、そして深紫外光子、特に１５７ｎｍを吸収する。
【００５７】
清潔かつ非破壊の方法は、化学物質の吸収を使用し、基板材料と反応させて固体、液体、又は気体の化合物を形成するために吸収された化学物質を活性化させ、反応生成物が液体又は固体である場合には、熱によって表面を化学物質の昇華又は蒸発温度よりも高い温度まで加熱する巧みに集束された高エネルギーレーザパルスを用いて、これらの分子を表面から追い払うことである。
【００５８】
本発明に係る方法は、独国特許発明第１００４２０９８号明細書及び国際公開第／０２１９５７５号パンフレットに述べられているような、ガスフラックス・スイッチング容量の大きいガス供給装置１２を使用する。これらの文書は、本発明と関連してこの明細書の開示内容の一部をなす。これによって部材の表面に前駆物質の単一の単分子層を堆積させることが可能となる。適切に規定されたドウェルタイム及び電流密度を用いて部材の表面にパターンを形成するために、走査電子顕微鏡又はリソグラフィ装置のような走査電子ビーム装置が必要とされる。
【００５９】
付加的なナノリソグラフィの方法は、H.W.P. Koops, J. Kertz, M. Rodolph, M. Weber, G. Dahm, and K. Lee の文献「Characterization and application of materials grown by electron beam induced deposition」, Jpn. J. Appl. Phys Vol. 33 (1994) 7099-7107. に記載されている。この文献は、本発明と関連してこの明細書の開示内容の一部をなす。
【００６０】
電子ビームは潜在的に、反応性の高い分子、例えばハロゲンを標的となる物質上に化学的に吸着させることができるか、又は電子ビームによって誘導された活性の下でいくつかの他の方法により化学組成を変えることができる。その一方で、電子ビームに露出されていない区域では化学吸着又は組成の変更は起こらない。
【００６１】
いかなる場合でも、局所的な電子ビーム露光によって、露出された区域がある化学的に活性化された状態となり、レーザビームによって選択的に誘導された場合には、例えば光熱又は光化学活性によって、これらの区域がさらに反応して標的となる材料のエッチングプロセスを引き起こすという効果がもたらされるであろう（図２参照）。活性化エネルギーを与え、かつ電子ビームによって露出されない区域での自発的な反応を防止するために、レーザ波長及び光強度を、電子ビームによって変異された区域内でのみ選択的に反応を引き起こすように調整する必要があろう。レーザ光は、プロセス全体を通して照射され得るか、又は電子ビーム露光サイクルが終了した後に照射され得る。
【００６２】
本発明に係る方法の新しい特徴の一つは、電子ビームによって誘導された反応が起こる前又は後に、吸着された化学物質の基板表面との化学反応を誘導するためにスイッチがオンにされる、パルス化されたレーザ光子ビームを適時に結合させることである。この連動には、サンプルに対して特殊化したトリガーと光のレーザパルス放出とが要求される。
【００６３】
この「層ごとのエッチング」という構成において、電子ビームは、表面で一単分子層又は数単分子層の化学的変異を引き起こすだけ十分に長い区域に亘って走査されるか又はラスタされたい。次いで短いレーザパルスが、この変異した層を、例えば熱的に、又は変異した層に存在するのみである分子の電子励起を引き起こすことによって光化学的に、選択的に脱着させるであろう。熱的な脱着は、文献ではレーザ誘導・熱脱着（laser induced thermal desorption）として知られている。次いで材料が所望の深さに除去されるまで、電子ビーム露光及びレーザパルスのサイクルを繰り返す（図３参照）。
【００６４】
この発明で使用された実施可能なイベント及びアクションは、表１に列挙されている。以下において、この発明の概念は例として、フォトリソグラフィック・マスクに一般的に使用された吸収材料であるクロムのエッチングを用いて図示されている。しかしながら、記述された方法は、記述されたステップの性質及び順序を含み、使用された化学物質は図示の目的のみのためであり、かつこの発明の範囲をこの特定の方法に限定するものではないということを理解されたい。
【００６５】
エッチングプロセスを開始する前に、表面を加熱するために短いレーザパルスを照射することによってクロム表面を洗浄する。あるいは、又はレーザパルスと組み合わせて、有機不純物から表面を洗浄するために適切なガス例えば水蒸気と、電子ビーム露光とを用いることができる。
【００６６】
エッチングサイクルの第１のステップでは、表面はハロゲンのような適切な前駆気体に、単独で又は酸素もしくは水蒸気と組み合わせて、露出される。一つ以上の気体、例えばＣｌ２及びＯ２が必要な場合には、これらの気体は同時に又は別々に、正確に制御された順序及び持続時間で供給することができる。
【００６７】
第２のステップでは、除去すべき区域を電子ビームに露出し、これによって吸着された前駆気体とクロム基板との間の反応が引き起こされる。
【００６８】
あるいは、ステップ１で単一のハロゲンを供給する代わりに、フルオロカーボン又はクロロカーボンのような非反応性ガスを用いることができる。これらの化合物は、解離電子付着として知られているプロセスにより、電子ビーム露光の下で分解し、これによってハロゲンが解放されることが知られている。このプロセスは電子によってのみ選択的に誘導されるので、解放されたハロゲンを、電子ビームによって露出された区域のみで標的とする材料上に吸着させることができる。
【００６９】
第３のステップでは、反応生成物、例えば不揮発性のオキシ塩化クロムを、レーザビームで表面を加熱することによって脱着させる。あるエッチング化学に対しては、反応生成物の脱着温度よりも高い温度に局所的に上昇させるために、プロセス全体に亘ってレーザ光を照射する。しかしながら、電子ビーム露光サイクルの最後では、短いレーザパルスを適用することが好ましい。この「層ごとのエッチング」という構成において、電子ビームは、表面で一単分子層又は数単分子層の化学的な変異を起こすだけ十分に長い区域に亘ってラスタされたい。次いで短いレーザパルスがこの変異した層を、例えば熱的に、又は変異した層に存在するのみである分子の電子励起を引き起こすことによって光化学的に、選択的に脱着するであろう。熱的な脱着は、文献ではレーザ誘導・熱脱着として知られている。次いで材料が所望の深さまで除去されるまで、前駆気体吸着、電子ビーム露光、及びレーザパルスのサイクルを繰り返す。
【００７０】
金属をエッチングするときには化学的な選択性があるが石英基板をエッチングするときには化学的な選択性がない場合には、エッチングの終点は化学的に決定される。この場合、材料の除去は、ひとたび石英表面に到達すれば停止される。この終点はまた、変化している第２電子又はエッチングされた箇所で後方散乱した電子放出によって検出することができる。あるいは、脱着及び蒸発は適切に定められた時間間隔で起こるので、脱着された単分子層の材料はエッチングプロセスの間、ＤＣ質量分光計又はロック・イン法（lock in method）を用いてモニタすることができる。エッチングプロセスの終点の検出はまた分光学的に、基板から放射された光と、電子によって及び／又はレーザビームにより誘導されたルミネッセンスによって生成された化学的な反応生成物とを評価することによっても行うことができる。
【００７１】
表１はエッチング方法の概略的なステップを示す。
【表１】
【００７２】
要するにこの発明は、電子ビーム露光のみでは完全な反応シーケンスを誘導するのに十分でない箇所で材料をエッチングするよう意図されている。これらの場合、電子ビーム露光によって活性化され得る一つ又は複数の初歩的な反応ステップに加えて、室温では十分な速度で進行しない一つ又は複数の反応ステップが設けられているということが想定されている。この場合、さらなる活性化エネルギーを与えるために、好ましくはレーザ源からの光子ビームが用いられる。光子と材料との間の相互作用は、光熱、例えば基板の局所的な加熱とするか、又は光化学、例えば中間反応生成物を活性化するために共鳴電子遷移を誘導する光子ビームとすることができる。
【００７３】
集束された電子ビームの書き込みによって与えられる所望の空間分解を維持するために、反応シーケンスにおける少なくとも一つのステップは電子ビームによって活性化される必要がある。電子ビーム露光には、露出された区域がある化学的に活性化された状態にあり、レーザビームによって選択的に誘導された場合に、これらの区域はさらに変異して標的とする材料のエッチングプロセスを引き起こす、という効果がある。活性化エネルギーを与え、かつ電子ビームに露出されていない区域での自発的な反応を防止するために、レーザ波長及び光強度を、電子ビームによって変異された区域内のみで選択的に反応が起こるように調整する必要があろう。
【００７４】
本発明の好ましい実施形態において、電子ビーム及び光子ビーム露光と一つ又は複数の分子ビームへの露光とは、同時であるか、又は所定の露光時間と様々な露光の間の遅延とを用いて制御された順序とすることができる（図３参照）。この融通性があることによって、エッチングすべき材料と前駆化学物質との特定の要求に本方法を適応させることができる。エッチングプロセスに含まれているであろういくつかのステップは、上述の表１に列挙されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るマスク修復装置の概略図である。
【図２】 本方法の主なステップ、すなわち照射及び除去ステップを示す概略図である。
【図３】 本発明に係る電子、光子、及び分子の連続ビームを示す概略図である。
【符号の説明】
１０ マーク修復装置
１２ 分子ビーム装置／ガス供給装置
１４ 電子ビーム装置
１６ 光子ビーム装置／レーザビーム装置
１８ コンピュータ制御装置
２０ 液体又は固体前駆物質のための供給源
２２ 気体前駆物質の供給器
２４ 加圧空気の供給器
２６ バルブコントロール
２８ 圧力ゲージ
３０ 温度制御
３２ ＣＡＮオープンバス
３４ 供給器
３６ ノズル
３８ マニホルドノズル
４０ エンドバルブ
４２ 電子ビームユニット
４４ レーザ電力供給装置
４６ レーザユニット
４８ ミラー
５０ レーザビーム
５２ 修復すべきマスク
５４ ファラデーケージ
５６ 第２電子検出器
５８ 環境チャンバ
５９ 制御モータ付ステージ干渉計
６０ 複噴射窓
６２ 電子ビーム窓
６４ 修復制御窓
６６ マイクロスコープ窓
６８ ビーム制御コンピュータ
７０ ビームコントロール
７２ トリガー
７４ レーザ干渉計ステージ制御
７６ 電子ビーム検出器コイル及びビーム・ブランカ
【発明の属する技術分野】
本発明は、請求項１の前段の特徴に係る、表面に集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いて表面で材料をエッチングするための方法に関する。一般に本発明は、集束された電子ビームによって誘導された化学反応、及びこれらの材料処理への応用に関する。特に本発明は、電子ビームによって誘導されたエッチングを用いて高空間分解能で材料を除去することに関する。本発明はまた、フォトマスクを修復すること、並びにナノメートルスケールで集積回路及び他の素子を改良・改造することにも関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
そのほとんどが集束された粒子又は光子ビームに基づく、多くの直接書き込み技術（direct writing technology）は、ナノメートルスケールでの材料の改良・改造を可能にすることを開発してきた。半導体産業でこれらの技術が応用される場所の例は、フォトマスクの修復と集積回路の改良・改造とを含む。これらの応用のほとんどにおいて、マイクロメーター未満の精度で材料を除去及び添加することのできる技術が要求されている。材料を添加する上では、特定の化学的及び物理的性質を有する複数の材料を堆積させることが必要となる可能性がある。材料を除去する上では、複数の材料の組み合わせから選択的に一つの材料を、残りの材料に損傷を与えることなく除去することが要求される可能性がある。他に要求されることとしては、得られるプロセスの位置決め精度及び最小機能サイズ、例えば分解能が含まれる。これら要求されることのうちのいくつかは、この発明の好ましい応用の一つであるフォトリソグラフィック・マスクの修復に対して以下に図示されている。
【０００３】
この目的のために、光子ビーム・アブレーション（photon beam ablation）、光子ビームによって誘導された化学エッチング（photon beam induced chemical etching）、イオンビームスパッタリング、及びイオンビームによって支援された化学エッチング（ion beam assisted chemical etching）が、半導体製造プロセスにおいてフォトマスクに使用される材料をエッチングするために用いられるか、又は部分的に用いられる可能性がある。
【０００４】
フォトリソグラフィック・マスクは通常、１００ｎｍの厚さの構造化したクロム金属層を有する光透過性基板、例えばガラス、石英からなる。マスクのある区域には、これら区域における光の透過を遮断するために、クロムのような光吸収材料、すなわち吸収材を用いてパターンが形成されている。これらマスクは、光感受性の基板、例えばフォトレジストで覆われたウエハ上のマスクに配置されたパターンを投影するために、半導体産業で使用されている。これらのマスクは、修復する必要のある欠陥を少なくとも２種類有することがある。
【０００５】
１）吸収材があるべき場所で吸収材料が欠けている、すなわち透明欠陥と、
２）吸収材がないはずの区域に吸収材料がある、すなわち不透明欠陥とである。
【０００６】
現在、一般的なマスク修復ツールは、レーザビーム又は集束されたイオンビーム（focussed ion beam）、すなわちＦＩＢに基づいている。これらのツールに必要とされるか、又は必要とされる可能性のある化学的及び／又は物理的プロセスは、光子ビーム・アブレーション、光子ビームによって誘導された化学エッチング、イオンビームスパッタリング、並びにイオンビームによって支援された化学反応、堆積、及びエッチングである。
【０００７】
集束されたレーザビームによってクロムのような吸収材を除去することは、最先端のことである。通常、高エネルギーのショートパルスレーザビームが用いられる。レーザビームと材料との間の相互作用は、例えば光熱又は光化学であり得る。マスクを修復するためにレーザアブレーションが用いられ、レーザアブレーションではレーザビームを用いてマスクを局所的に加熱することによって材料が蒸発する。レーザによって誘導された化学反応はまた潜在的に、マスクを修復するためにも用いることができ、ここではレーザビームがエネルギーを供給して材料と塩素のような適切なガスとの間で反応を起こさせ、その結果脱着する揮発性生成物を生成する。この内容は、R. Haight, D. Hayden, P. Long, T. Neary and A. Wagner による非特許文献１「ＭＡＲＳ：Femtosecond laser mask advanced repair system in manufacturing」、及び D. J. Ehrlich and J. Y. Tsao による非特許文献２「A review of laser-microchemical processing」に引用されている。
【０００８】
【非特許文献１】
Japanese Vacuum Science Technology, 17(6), Nov./Dec. 1999, 3137-3143.
【非特許文献２】
J. Vac. Sci. Technol. B 1 (4), Oct.-Dec. 1983.
【０００９】
しかしながら、処理をベースにした全ての光子ビームは、得られる分解能が使用している光の波長の略０．５倍であることを教えているアッベの回折分解能規準（Abbe diffraction resolution criterion）のために、分解能が限定されるという難点がある。
【００１０】
イオンビームスパッタリングは、潜在的に１０ｎｍの分解能を有する有効な方法であるが、いくつかの適用に対しては耐えられない損傷を基板に与えてしまう。化学エッチングによって支援されたイオンビームはまた、いくぶん低い分解能を有する有効な方法であるが、これまたいくつかの適用に対しては耐えられない損傷を基板に与えてしまう。両者の方法は、フォトマスクを修復する時に、不透明な欠陥をエッチングするために適用されている。
【００１１】
次世代のチップ製造に対するフォトマスクの分解能要求が増加するにつれて、かつ光学近接効果の構造（optical proximity effect structure）又は位相シフトマスク、及びＥＵＶ−多層マスクのような所望の分解能を得るためのマスクパターンの技術がさらに改良・改造されるにつれて、半導体産業は今日、レーザアブレーション及び堆積、イオンビームスパッタリング、並びに化学的に支援されたイオンビームエッチング及び堆積といった定評ある方法がもはや限界に来ているという状況にある。というのも、修復後の基板の分解能及び透過性が欠如しているからである。したがって、非破壊的な柔軟かつ清潔な化学エッチング方法を、フォトマスク及びＥＵＶマスクのような「次世代マスク」の不透明な欠陥に適用する必要がある。化学エッチング方法は、金属イオンを基板へ注入せず、かつイオン衝突によって導入された構造上の損傷を引き起こす原因となる下の材料の混合といったものも生じない。
【００１２】
現在は、集束された電子ビームのみが、吸収材料を局所的に添加することによって透明な欠陥を修復するために用いられている。修復は、電子ビームを用いて選択された局所的な区域を露出し、それと同時にこの区域へ前駆気体の流れを供給することによって行われる。次いで電子ビームは、前駆気体、例えば炭化水素、無機又は有機金属分子を分解し、電子ビームによって走査された区域には堆積物が後に残る。電子は集束されたイオンビームのようには基板原子を追い出す、例えばスパッタリングするのに十分な運動量を放出しないので、材料の除去はより困難である。今、電子ビームエッチングについては、集束された電子ビームによって活性化された化学反応が誘発され、これにより揮発性生成物が生じ、かくして材料除去がなされる２，３の材料装置を説明したのみである。
【００１３】
電子ビームによって誘導されたエッチング反応に関する研究はほんの僅かに行われているに過ぎないが、反応は確かに、いくつかの反応単位からなる複合シーケンスであり、前駆気体分子の吸着、すなわち物理吸着（physisorption）及び／又は化学吸着、前駆物質分子又はそれらの断片の基板への拡散、これら前駆物質分子と基板原子との間の一つ又は複数の反応、及び最後に反応生成物の堆積、のような複数のステップを含む。集束された電子ビームに露出されることで本プロセスの高空間分解能を提供する区域にエッチングプロセスを閉じ込めるために、エッチングプロセスは自発的に起こらず、かつこの反応シーケンスにおける少なくとも一つのステップが電子ビーム露光によって誘導されねばならないということが要求される。電子ビームによって誘導されたエッチングの例は、ＸｅＦ２による二酸化ケイ素、すなわちＳｉＯ２の除去である。このエッチングは電子ビーム及びＸｅＦ２分子に同時に露出されてきた区域のみで生ずる。例えば、Ted Liang, A. Stivers, G. Liu, G. Dao, V. Liberman, M. Rothschild, S.T. Palmacci and L. Scipioni による非特許文献３「Damage-free Mask Repair Using Electron Beam Induced Chemical Reactions」を参照されたい。
【００１４】
【非特許文献３】
2nd Int’l. Symp. on 157nm Lithography, Dana Point, CA (May 2001)
【００１５】
半導体産業は、紫外線光波長以下の構造を備える新しい回路およびマスクに対するフォトマスク補償及び回路転写工程における非常に高い解像度及び材料エッチング精度を実現する上で、そのような構造を補償するために新しい技術を用いる必要がある。
【００１６】
したがって、この発明の目的は、引用された欠点を克服するように、表面に集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いて材料の表面をエッチングするための方法を改善すること、及び高空間分解能で材料を局所的に除去するための方法を提出することにある。
【００１７】
特に本発明の目的は、時にはたった数１０ｎｍの厚さしかない金属及び絶縁体の層を混合せずに多層構造をエッチングすることにある。
【００１８】
この目的は、請求項１の前段部分の構成要素と結合した、請求項１に規定されたような特徴的な構成要素によって達成される。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の下には、集束された電子ビーム、分子ビーム、及び光子ビームの組み合わせが高空間分解能と化学反応のための所望の活性化エネルギーとを提供することで、除去され得る反応生成物を形成するという理解が横たわっている。これにより、前記反応のみが、前記電子ビームによって露出されかつ化学的に又は物理的に変異された区域で起こる。
【００２０】
本発明によれば、方法は次のステップを備えている。
【００２１】
エッチングすべき材料を真空雰囲気で、少なくとも一つの分子ビーム、少なくとも一つの光子ビーム、及び少なくとも一つの電子ビームを用いて照射し、照射された材料と前記分子ビームの分子とを、前記材料及び前記分子の組成による所定の化学反応が起こって反応生成物が形成されるように励起し、前記反応生成物を前記材料の表面から除去する。これは照射及び除去ステップである。
【００２２】
特に、エッチングすべき前記材料と前記分子ビームの気体との間の前記化学反応は、電子ビーム露光によって選択的に誘導された少なくとも一つの基本的な化学反応又は少なくとも一つの基本的な物理反応からなる。さらに、反応シーケンスにおける少なくとも一つの基本的な化学反応又は少なくとも一つの基本的な物理反応は、該化学反応を誘導して前記照射及び除去ステップで前記反応生成物を得るために、適切に指定されたエネルギー及び持続時間を有する前記光子ビームによって誘導されるか又は高められる。
【００２３】
一方で、前記光子ビームによって供給されたエネルギーは、特にレーザの強度及び波長によって制御されたような所定量だけ、局所的にかつ一時的にエッチングすべき前記材料の表面温度を上昇させるために、光熱とすることができる。
【００２４】
他方で、前記光子ビームによって供給されたエネルギーは光化学反応を引き起こすことができ、特にこれによってレーザ光の波長が、前記材料で、又は先立つ電子ビーム露光によって生成された中間化学種内で、共鳴電子励起を引き起こす波長に調整される。
【００２５】
特に、光子ビームによって誘導された前記基本的な反応は、反応生成物の蒸発温度よりも高い温度まで局所的に材料を加熱する、前記パルス化されかつ集束された光子ビームによって表面から反応生成物を蒸発させることができる。
【００２６】
前記光子ビームは、赤外から可視、すなわち２０００ｎｍから２５０ｎｍの波長を有する半導体ダイオードレーザのような連続レーザ源か、あるいは２０００ｎｍから１５７ｎｍの波長を有するエキシマレーザ又はイオンレーザのようなパルスレーザ装置によって供給する。
【００２７】
特に、前記照射及び除去ステップで、前記分子ビームに由来する反応相手分子に吸着サイトの密度分布を生成するために、０．１〜１０００ｎｍのスポットサイズを有する集束された走査電子ビーム装置により前記電子ビームを供給する。
【００２８】
一つ又は複数のガスからなる前記分子ビームは、前記照射及び除去ステップの間、ガス供給装置から化学量論の組成で材料の表面へ供給することができる。
【００２９】
本発明の一実施形態のよれば、最初はエッチングすべき材料の表面を洗浄する。これは洗浄ステップである。
【００３０】
好適には、前記洗浄ステップは、表面層を覆っている不純物、酸化物、又は他の材料を除去するために化学反応によって達成する。一方で、前記表面層を覆っている材料が炭素不純物によって形成されている場合、さらなる反応生成物を形成する前記化学反応は、励起された酸素及び／又はハロゲン原子を解放して前記表面層の炭素と反応する水、過酸化水素、塩素、又は他のハロゲン化合物を含む付加的な分子ビームにより開始する。
【００３１】
さらに又はあるいは、前記洗浄ステップは、前記表面をさらなる反応生成物の蒸発温度よりも高い温度まで加熱するために十分なエネルギー密度を有する集束された光子ビームを用いて洗浄すべき区域の表面を加熱し、次いで蒸発させることによって達成する。
【００３２】
本発明の一実施形態によれば、前記分子ビームは異なる前駆気体を含む。
【００３３】
好適には、前記ガス供給装置は、０．１〜１００００モノレイヤー／秒の流速を有する複噴射装置により形成されている。
【００３４】
例えば、前記ガス供給装置によって供給された少なくとも一つの前記前駆気体は、自発的に又は光子ビームに露出されたときに反応しないが、前記電子ビームによって活性化され得る分子からなる。
【００３５】
その上、前記前駆気体はハロゲンを含むことができ、解離電子付着として知られているプロセスで前記電子ビームに露出されたとき、前記ハロゲンを解放する。
【００３６】
本発明の一実施形態によれば、前記分子ビーム、前記光子ビーム、及び前記電子ビームを、所定の供給時間と様々な露光の間の遅延とを用いて同期されかつ適時に制御された状態で、同時に供給するか又は続けて供給する。
【００３７】
前記ビームを続けて供給する場合には、露光のサイクルを、所望のエッチング深さに達するまで繰り返す。繰り返すループの時間は、次の露出シーケンスを開始する前に所定のタイムラグを生成するのに必要な適時のシーケンスにおいて隣接する又は他のピクセルを露出することによって、又は所定の時間電子ビームをオフにする、例えばビームブランキングをすることによって制御することができる。
【００３８】
この結合関係には、次の可能性がある。
【００３９】
一つは、まず所定線量の前記分子ビーム（Ａ）を供給し、次いで前記電子ビームにより露光し、次いで所定線量の前記分子ビーム（Ｂ）を供給することである。
【００４０】
もう一つは、まず所定線量の前記分子ビーム（Ａ）を供給し、次いで所定の持続時間、強度、及び波長の前記光子ビームのパルスを供給し、次いで所定線量の前記分子ビーム（Ｂ）を供給することである。
【００４１】
本発明の一実施形態によれば、エッチングすべき前記材料はクロムであり、かつ前記分子ビームは、ＸｅＦ２，Ｃｌ２，Ｂｒ２，又はＩ２のようなハロゲンを含むことができ、すなわちハロゲンビームを含むことができる。さらに、前記分子ビームは、Ｏ２，Ｈ２Ｏ，又はＨ２Ｏ２のような酸素を含むことができ、すなわち酸素ビームを含むことができ、かつ前記ハロゲンビームに加えて用いられる。前記ハロゲン及び酸素を含むビームは同時に供給する。すなわち、もし続けて供給する場合には、前記分子ビーム（Ａ）はハロゲンビームであり、かつ前記分子ビーム（Ｂ）は酸素ビームである、又は、前記分子ビーム（Ａ）は酸素ビームであり、かつ前記分子ビーム（Ｂ）はハロゲンビームである。
【００４２】
要するにこの発明は、除去すべき区域を画定するために集束された電子ビームを用いて高空間分解能で材料を除去する方法を述べたものである。材料は基板材料とハロゲンのような適切な前駆気体との間の反応によって除去される。反応の結果、表面から揮発性の化合物が脱着する。集束された電子ビームとレーザビームとの組み合わせが、前駆物質分子の吸着から始まって反応生成物の堆積で終わる反応シーケンスを開始するために用いられる。反応シーケンス内で電子ビームは、一つ又は複数の反応ステップを誘導する共に、プロセスの空間分解能を提供する。レーザビームは、電子ビームのみによっては活性化され得ない一つ又は複数の反応ステップに対して所望の活性化エネルギーを供給する。しかしながら、レーザビームによって誘導された反応は、電子ビームによって露出されかつ「活性化された」すなわち変異された区域でのみ起こる。
【００４３】
本発明のさらなる利点及び特徴は、添付の図面を参照して次の実施形態の説明から明らかとなろう。
【００４４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る方法のための公知の分子ビーム供給装置を有するマスク修復装置（mask repair system）１０の概略図を示し、以下にガス供給装置１２と、公知の電子ビーム装置１４と、公知の光子ビーム装置と、レーザビーム装置１６と、分子ビーム、光子ビーム、及び電子ビームといったこれらビームを適時にトリガーして協働させるためのコンピュータ制御装置１８と、が参照されている。
【００４５】
ガス共有装置１２は、ペルチェ冷却された液体又は固体前駆物質のための供給源２０と、気体前駆物質の供給器２２と、加圧空気２４の供給器と、バルブ制御装置２６と、圧力ゲージ２８と、供給源２０のための温度制御装置３０とを備えている。バルブ制御装置２６と圧力ゲージ２８と温度ゲージとは、制御するためにＣＡＮオープンバス３２を介してコンピュータ制御装置１８へ接続されている。
【００４６】
供給源２０は、複数のノズル３６を有する供給器３４を介してノズル・マニホルド３８へ接続されている。また、複数のノズル３６を有する供給器２２は、ノズル・マニホルド３８へ接続されている。ノズル・マニホルド３８は、各ノズルにエンドバルブ４０を有する。ノズル３６は、加圧空気と共に供給器２２及び３４内でバルブを操作するためのバルブ制御装置２６と接続されている。
【００４７】
電子ビーム装置１４は電子ビーム制御ユニット４２を備えている。
【００４８】
レーザビーム装置１６は、レーザ電力供給装置４４とレーザユニット４６とトリガーユニット７２とを備えている。レーザユニットは、修復すべきマスク５２上でレーザビーム５０を偏向させるためにミラー４８と協働する。あるいは、レーザビームは、真空チャンバ（不図示）内部の集束レンズ装置へ接続された光ファイバ装置を用いることによって、マスク上に向けられかつ集束され得る。
【００４９】
電子ビーム制御ユニット４２は、電流を測定するためのファラデーケージ５４と、第２電子検出器５６と、対応する制御ユニット６８及び７０と、ビーム偏向コイル７６とビーム・ブランカ（beam blanker）とを備えている。
【００５０】
以下に述べる本発明に係る方法を実施する環境チャンバ５８が設けられている。本発明はまた、電子ビーム装置を用いることによっても達成する（なぞらえる）ことができる。電子ビーム装置は、機器製造業者によって供給されたような、様々な圧力又は環境真空圧力の制御装置を用いて高圧でサンプルチャンバを稼動することを可能にする。これらの装置はまた、電子ビームを稼動不能とすることなく、サンプルチャンバ内の圧力を１５ｔｏｒｒまで上昇させることができる。ガス供給装置１２と電子ビーム装置１４とレーザビーム装置１６とは、環境チャンバ５８内で稼動する。モータ付ステージ５９で制御された干渉計がマスク５２の位置を定めるために設けられている。
【００５１】
コンピュータ制御装置１８は、マスク修復装置１０を制御するために４つの窓、すなわち複噴射窓６０と電子ビーム窓６２と修復制御窓６４と顕微鏡窓６６とを備えている。さらに、ビーム制御コンピュータ６８が電子ビームユニット４２を制御するために設けられている。したがって、電子ビームコンピュータユニット６０が、電流を測定するためのファラデーケージに接続され、ビームコントロール７０が、従来技術の電子ビームユニット４２に接続されている。
【００５２】
時間に依存した制御をするために、ビームコントロール７０とレーザ電力供給装置４４とに接続されたトリガー７２が設けられている。
【００５３】
さらに、レーザ干渉計ステージ制御ユニット７４が、ステージ５９とコンピュータ制御装置１８とに接続されている。
【００５４】
マスク修復装置１０を用いた方法を以下に述べる。
【００５５】
もっとも明るくかつ長時間安定している電子供給源と、熱電解放出陰極（thermal field emission cathode）とを用いた高分解能走査ビーム装置の電子ビームを使用する。適切に開発された電子光学装置は、１００ｅＶから４０ｋｅＶ又はさらに２００ｋｅＶまでのエネルギーを有する２ｎｍのスポット径に電子ビームの焦点に合わせることができる。ビームの交差路における電子の分布は、レンズ収差が低い、電子源のエネルギー幅が低い、かつビーム路が特殊化している、ある場合には（ビームのエネルギー幅が電子のクーロン相互作用によって拡がる場所で）交差路がないために、非常にシャープに規定されている。原理的には電子ビーム装置は、分解能及びエネルギー密度の点で、イオンビーム又は光子ビーム装置よりもほぼそれぞれの大きさのオーダーだけ、よりよい性能を発揮する。
【００５６】
電子ビームは、エネルギー密度の点で大きさのオーダーだけイオンビームよりも優れている。しかしながら、電子の部材の原子への運動量移行が低いために、同一の作用に対してイオンよりもかなり多くの電子が必要とされる。通常イオンと比べて５０〜２５０倍多くの電子が必要とされる。これはまた、電子よりもイオンの質量数の平方根の４８倍遅い、遅いイオンの散乱断面積がかなり大きく、それ故に原子とより相互作用する結果でもある。さらに、プロセスにおける衝突のためのクーロン相互作用はイオンの核電荷の因子だけより強い。しかしながら、イオン衝突によって、プロセスにおいて一連の衝突が集中して生じ、これによってイオンの運動量がサンプルの深さ方向へ移行し、そこで材料に損傷を与える。イオン自身は、サンプルの表面付近の浅い領域に注入され、不純物として作用し、そして深紫外光子、特に１５７ｎｍを吸収する。
【００５７】
清潔かつ非破壊の方法は、化学物質の吸収を使用し、基板材料と反応させて固体、液体、又は気体の化合物を形成するために吸収された化学物質を活性化させ、反応生成物が液体又は固体である場合には、熱によって表面を化学物質の昇華又は蒸発温度よりも高い温度まで加熱する巧みに集束された高エネルギーレーザパルスを用いて、これらの分子を表面から追い払うことである。
【００５８】
本発明に係る方法は、独国特許発明第１００４２０９８号明細書及び国際公開第／０２１９５７５号パンフレットに述べられているような、ガスフラックス・スイッチング容量の大きいガス供給装置１２を使用する。これらの文書は、本発明と関連してこの明細書の開示内容の一部をなす。これによって部材の表面に前駆物質の単一の単分子層を堆積させることが可能となる。適切に規定されたドウェルタイム及び電流密度を用いて部材の表面にパターンを形成するために、走査電子顕微鏡又はリソグラフィ装置のような走査電子ビーム装置が必要とされる。
【００５９】
付加的なナノリソグラフィの方法は、H.W.P. Koops, J. Kertz, M. Rodolph, M. Weber, G. Dahm, and K. Lee の文献「Characterization and application of materials grown by electron beam induced deposition」, Jpn. J. Appl. Phys Vol. 33 (1994) 7099-7107. に記載されている。この文献は、本発明と関連してこの明細書の開示内容の一部をなす。
【００６０】
電子ビームは潜在的に、反応性の高い分子、例えばハロゲンを標的となる物質上に化学的に吸着させることができるか、又は電子ビームによって誘導された活性の下でいくつかの他の方法により化学組成を変えることができる。その一方で、電子ビームに露出されていない区域では化学吸着又は組成の変更は起こらない。
【００６１】
いかなる場合でも、局所的な電子ビーム露光によって、露出された区域がある化学的に活性化された状態となり、レーザビームによって選択的に誘導された場合には、例えば光熱又は光化学活性によって、これらの区域がさらに反応して標的となる材料のエッチングプロセスを引き起こすという効果がもたらされるであろう（図２参照）。活性化エネルギーを与え、かつ電子ビームによって露出されない区域での自発的な反応を防止するために、レーザ波長及び光強度を、電子ビームによって変異された区域内でのみ選択的に反応を引き起こすように調整する必要があろう。レーザ光は、プロセス全体を通して照射され得るか、又は電子ビーム露光サイクルが終了した後に照射され得る。
【００６２】
本発明に係る方法の新しい特徴の一つは、電子ビームによって誘導された反応が起こる前又は後に、吸着された化学物質の基板表面との化学反応を誘導するためにスイッチがオンにされる、パルス化されたレーザ光子ビームを適時に結合させることである。この連動には、サンプルに対して特殊化したトリガーと光のレーザパルス放出とが要求される。
【００６３】
この「層ごとのエッチング」という構成において、電子ビームは、表面で一単分子層又は数単分子層の化学的変異を引き起こすだけ十分に長い区域に亘って走査されるか又はラスタされたい。次いで短いレーザパルスが、この変異した層を、例えば熱的に、又は変異した層に存在するのみである分子の電子励起を引き起こすことによって光化学的に、選択的に脱着させるであろう。熱的な脱着は、文献ではレーザ誘導・熱脱着（laser induced thermal desorption）として知られている。次いで材料が所望の深さに除去されるまで、電子ビーム露光及びレーザパルスのサイクルを繰り返す（図３参照）。
【００６４】
この発明で使用された実施可能なイベント及びアクションは、表１に列挙されている。以下において、この発明の概念は例として、フォトリソグラフィック・マスクに一般的に使用された吸収材料であるクロムのエッチングを用いて図示されている。しかしながら、記述された方法は、記述されたステップの性質及び順序を含み、使用された化学物質は図示の目的のみのためであり、かつこの発明の範囲をこの特定の方法に限定するものではないということを理解されたい。
【００６５】
エッチングプロセスを開始する前に、表面を加熱するために短いレーザパルスを照射することによってクロム表面を洗浄する。あるいは、又はレーザパルスと組み合わせて、有機不純物から表面を洗浄するために適切なガス例えば水蒸気と、電子ビーム露光とを用いることができる。
【００６６】
エッチングサイクルの第１のステップでは、表面はハロゲンのような適切な前駆気体に、単独で又は酸素もしくは水蒸気と組み合わせて、露出される。一つ以上の気体、例えばＣｌ２及びＯ２が必要な場合には、これらの気体は同時に又は別々に、正確に制御された順序及び持続時間で供給することができる。
【００６７】
第２のステップでは、除去すべき区域を電子ビームに露出し、これによって吸着された前駆気体とクロム基板との間の反応が引き起こされる。
【００６８】
あるいは、ステップ１で単一のハロゲンを供給する代わりに、フルオロカーボン又はクロロカーボンのような非反応性ガスを用いることができる。これらの化合物は、解離電子付着として知られているプロセスにより、電子ビーム露光の下で分解し、これによってハロゲンが解放されることが知られている。このプロセスは電子によってのみ選択的に誘導されるので、解放されたハロゲンを、電子ビームによって露出された区域のみで標的とする材料上に吸着させることができる。
【００６９】
第３のステップでは、反応生成物、例えば不揮発性のオキシ塩化クロムを、レーザビームで表面を加熱することによって脱着させる。あるエッチング化学に対しては、反応生成物の脱着温度よりも高い温度に局所的に上昇させるために、プロセス全体に亘ってレーザ光を照射する。しかしながら、電子ビーム露光サイクルの最後では、短いレーザパルスを適用することが好ましい。この「層ごとのエッチング」という構成において、電子ビームは、表面で一単分子層又は数単分子層の化学的な変異を起こすだけ十分に長い区域に亘ってラスタされたい。次いで短いレーザパルスがこの変異した層を、例えば熱的に、又は変異した層に存在するのみである分子の電子励起を引き起こすことによって光化学的に、選択的に脱着するであろう。熱的な脱着は、文献ではレーザ誘導・熱脱着として知られている。次いで材料が所望の深さまで除去されるまで、前駆気体吸着、電子ビーム露光、及びレーザパルスのサイクルを繰り返す。
【００７０】
金属をエッチングするときには化学的な選択性があるが石英基板をエッチングするときには化学的な選択性がない場合には、エッチングの終点は化学的に決定される。この場合、材料の除去は、ひとたび石英表面に到達すれば停止される。この終点はまた、変化している第２電子又はエッチングされた箇所で後方散乱した電子放出によって検出することができる。あるいは、脱着及び蒸発は適切に定められた時間間隔で起こるので、脱着された単分子層の材料はエッチングプロセスの間、ＤＣ質量分光計又はロック・イン法（lock in method）を用いてモニタすることができる。エッチングプロセスの終点の検出はまた分光学的に、基板から放射された光と、電子によって及び／又はレーザビームにより誘導されたルミネッセンスによって生成された化学的な反応生成物とを評価することによっても行うことができる。
【００７１】
表１はエッチング方法の概略的なステップを示す。
【表１】
要するにこの発明は、電子ビーム露光のみでは完全な反応シーケンスを誘導するのに十分でない箇所で材料をエッチングするよう意図されている。これらの場合、電子ビーム露光によって活性化され得る一つ又は複数の初歩的な反応ステップに加えて、室温では十分な速度で進行しない一つ又は複数の反応ステップが設けられているということが想定されている。この場合、さらなる活性化エネルギーを与えるために、好ましくはレーザ源からの光子ビームが用いられる。光子と材料との間の相互作用は、光熱、例えば基板の局所的な加熱とするか、又は光化学、例えば中間反応生成物を活性化するために共鳴電子遷移を誘導する光子ビームとすることができる。
【００７３】
集束された電子ビームの書き込みによって与えられる所望の空間分解を維持するために、反応シーケンスにおける少なくとも一つのステップは電子ビームによって活性化される必要がある。電子ビーム露光には、露出された区域がある化学的に活性化された状態にあり、レーザビームによって選択的に誘導された場合に、これらの区域はさらに変異して標的とする材料のエッチングプロセスを引き起こす、という効果がある。活性化エネルギーを与え、かつ電子ビームに露出されていない区域での自発的な反応を防止するために、レーザ波長及び光強度を、電子ビームによって変異された区域内のみで選択的に反応が起こるように調整する必要があろう。
【００７４】
本発明の好ましい実施形態において、電子ビーム及び光子ビーム露光と一つ又は複数の分子ビームへの露光とは、同時であるか、又は所定の露光時間と様々な露光の間の遅延とを用いて制御された順序とすることができる（図３参照）。この融通性があることによって、エッチングすべき材料と前駆化学物質との特定の要求に本方法を適応させることができる。エッチングプロセスに含まれているであろういくつかのステップは、上述の表１に列挙されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るマスク修復装置の概略図である。
【図２】 本方法の主なステップ、すなわち照射及び除去ステップを示す概略図である。
【図３】 本発明に係る電子、光子、及び分子の連続ビームを示す概略図である。
【符号の説明】
１０ マーク修復装置
１２ 分子ビーム装置／ガス供給装置
１４ 電子ビーム装置
１６ 光子ビーム装置／レーザビーム装置
１８ コンピュータ制御装置
２０ 液体又は固体前駆物質のための供給源
２２ 気体前駆物質の供給器
２４ 加圧空気の供給器
２６ バルブコントロール
２８ 圧力ゲージ
３０ 温度制御
３２ ＣＡＮオープンバス
３４ 供給器
３６ ノズル
３８ マニホルドノズル
４０ エンドバルブ
４２ 電子ビームユニット
４４ レーザ電力供給装置
４６ レーザユニット
４８ ミラー
５０ レーザビーム
５２ 修復すべきマスク
５４ ファラデーケージ
５６ 第２電子検出器
５８ 環境チャンバ
５９ 制御モータ付ステージ干渉計
６０ 複噴射窓
６２ 電子ビーム窓
６４ 修復制御窓
６６ マイクロスコープ窓
６８ ビーム制御コンピュータ
７０ ビームコントロール
７２ トリガー
７４ レーザ干渉計ステージ制御
７６ 電子ビーム検出器コイル及びビーム・ブランカ
Claims (22)
- 表面に集束された電子ビームによって誘導された化学反応により材料の表面をエッチングする方法であって、エッチングすべき材料を真空雰囲気で、少なくとも一つの分子ビーム、少なくとも一つの光子ビーム、及び少なくとも一つの電子ビームを用いて照射し、照射された材料と前記分子ビームの分子とを、前記材料及び前記分子による所定の化学反応が起こって反応生成物が形成されるように励起し、前記反応生成物を、前記材料を局所的に前記反応生成物の蒸発温度よりも高い温度まで加熱するパルス化されかつ集束された前記光子ビームによって前記表面から蒸発させ、
前記分子ビーム、前記光子ビーム、及び前記電子ビームは、所定の供給時間と前記各々のビームによる露光の間の遅延とを用いて制御された順序で供給されることを特徴とする方法。 - 表面に集束された電子ビームによって誘導された化学反応により材料の表面をエッチングする方法であって、エッチングすべき材料を真空雰囲気で、少なくとも一つの分子ビーム、少なくとも一つの光子ビーム、及び少なくとも一つの電子ビームを用いて照射し、照射された材料と前記分子ビームの分子とを、前記材料及び前記分子による所定の化学反応が起こって反応生成物が形成されるように前記電子ビームによって励起し、前記反応生成物が前記表面から蒸発するように前記光子ビームが反応生成物に光化学反応を起こさせ、
前記分子ビーム、前記光子ビーム、及び前記電子ビームは、所定の供給時間と前記各々のビームによる露光の間の遅延とを用いて制御された順序で供給されることを特徴とする方法。 - 請求項１又は２記載の方法において、
最初はエッチングすべき前記材料の前記表面を洗浄する、洗浄ステップを備えることを特徴とする方法。 - 請求項３記載の方法において、
前記洗浄ステップは、表面層を覆っている不純物、酸化物、又は他の材料を除去するために化学反応によって達成することを特徴とする方法。 - 請求項４記載の方法において、
前記表面層を覆っている材料が炭素不純物によって形成されている場合、さらなる反応生成物を形成する前記化学反応は、励起されたハロゲン原子を解放して前記表面層の炭素と反応する水、過酸化水素、塩素、又は他のハロゲン化合物を含む付加的な分子ビームにより開始することを特徴とする方法。 - 請求項３から５のうちいずれか一項に記載の方法において、
前記洗浄ステップは、前記表面をさらなる反応生成物の蒸発温度よりも高い温度まで加熱するために十分なエネルギー密度を有する付加的な集束された光子ビームを用いて洗浄すべき区域の表面を加熱し、次いで蒸発させることによって達成することを特徴とする方法。 - 請求項１から６のうちいずれか一項に記載の方法において、
前記照射及び除去ステップで、前記電子ビームを、前記分子ビームに由来する反応相手分子に吸着サイトの密度分布を生成するために、０．１〜１０００ｎｍのスポットサイズを有する集束された走査電子ビーム装置を用いて供給することを特徴とする方法。 - 請求項１から７のうちいずれか一項に記載の方法において、
前記分子ビームの気体は、前記照射及び除去ステップで前記反応生成物を得る化学反応を誘導するために、適切に指定されたエネルギー及び持続時間を有する前記光子ビームによって励起することを特徴とする方法。 - 請求項１から８のいずれか一項に記載の方法において、
前記光子ビームは、赤外から可視、すなわち２０００ｎｍから２５０ｎｍの波長を有する連続レーザ源か、あるいは２０００ｎｍから１５７ｎｍの波長を有するパルスレーザ装置によって供給することを特徴とする方法。 - 請求項９記載の方法において、
前記光子ビームによって供給されたエネルギーは、特にレーザの強度及び波長によって制御されたような所定量だけ、局所的にかつ一時的にエッチングすべき前記材料の表面温度を上昇させるために、光熱であることを特徴とする方法。 - 請求項９又は１０記載の方法において、
前記光子ビームによって供給されたエネルギーは光化学反応を引き起こし、特にこれによってレーザ光の波長が、前記材料で、又は先立つ電子ビーム露光によって生成された中間化学種内で、共鳴電子励起を引き起こす波長に調整されることを特徴とする方法。 - 請求項１から１１のうちいずれか一項に記載の方法において、
前記分子ビームは、異なる前駆気体を含むことを特徴とする方法。 - 請求項８から１２のうちいずれか一項に記載の方法において、
前記ガス供給装置は、０．１〜１００００モノレイヤー／秒の流速を有する複噴射装置により形成されていることを特徴とする方法。 - 請求項１２又は１３記載の方法において、
前記除去ステップに必要でありかつ前記ガス供給装置によって供給された少なくとも一つの前記前駆気体は、自発的に又は前記光子ビームに露出されたときに反応しないが、前記電子ビームによって活性化され得る分子からなることを特徴とする方法。 - 請求項１４記載の方法において、
前記前駆気体はハロゲンを含み、解離電子付着として知られているプロセスで前記電子ビームに露出されたとき、前記ハロゲンを解放することを特徴とする方法。 - 請求項１から１５のうちいずれか一項に記載の方法において、
露光のサイクルを、所望のエッチング深さに達するまで繰り返すことを特徴とする方法。 - 請求項１から１６のうちいずれか一項に記載の方法において、
まず所定線量の前記分子ビーム（Ａ）を供給し、次いで前記電子ビームにより露光し、次いで所定線量の前記分子ビーム（Ｂ）を供給することを特徴とする方法。 - 請求項１から１６のうちいずれか一項に記載の方法において、
まず所定線量の前記分子ビーム（Ａ）を供給し、次いで所定の持続時間、強度、及び波長の前記光子ビームのパルスを供給し、次いで所定線量の前記分子ビーム（Ｂ）を供給することを特徴とする方法。 - 請求項１から１８のうちいずれか一項に記載の方法において、エッチングすべき前記材料はクロムであり、かつ前記分子ビームは、ＸｅＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、又はＩ２を含む、すなわちハロゲンビームを含むことを特徴とする方法。
- 請求項１９記載の方法において、前記分子ビームは、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、又はＨ２Ｏ２を含み、すなわち酸素ビームを含み、かつ前記ハロゲンビームに加えて用いられることを特徴とする方法。
- 請求項２０記載の方法において、
前記ハロゲン及び酸素を含むビームを同時に供給することを特徴とする方法。 - 請求項１７から２０のうちいずれか一項に記載の方法において、
前記分子ビーム（Ａ）はハロゲンビームであり、かつ前記分子ビーム（Ｂ）は酸素ビームである、又は前記分子ビーム（Ａ）は酸素ビームであり、かつ前記分子ビーム（Ｂ）はハロゲンビームであることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02010233.1 | 2002-05-16 | ||
| EP20020010233 EP1363164B1 (en) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003328161A JP2003328161A (ja) | 2003-11-19 |
| JP4481592B2 true JP4481592B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=29265914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003139417A Expired - Fee Related JP4481592B2 (ja) | 2002-05-16 | 2003-05-16 | 集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7238294B2 (ja) |
| EP (1) | EP1363164B1 (ja) |
| JP (1) | JP4481592B2 (ja) |
| CN (1) | CN1479175B (ja) |
| SG (1) | SG118187A1 (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1363164B1 (en) | 2002-05-16 | 2015-04-29 | NaWoTec GmbH | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
| ATE497250T1 (de) * | 2002-10-16 | 2011-02-15 | Zeiss Carl Sms Gmbh | Verfahren für durch einen fokussierten elektronenstrahl induziertes ätzen |
| DE10302794A1 (de) * | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Korpuskularstrahlsystemen |
| DE10353591A1 (de) * | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum lokal begrenzten Ätzen einer Chromschicht |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US20060022136A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Moore Thomas M | Multiple gas injection system for charged particle beam instruments |
| US7674389B2 (en) * | 2004-10-26 | 2010-03-09 | The Regents Of The University Of California | Precision shape modification of nanodevices with a low-energy electron beam |
| US7435353B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-10-14 | President And Fellows Of Harvard College | Patterning by energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers and solid state chemical reactions produced with such layers |
| US7524431B2 (en) * | 2004-12-09 | 2009-04-28 | President And Fellows Of Harvard College | Lift-off patterning processing employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers |
| US7868304B2 (en) * | 2005-02-07 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7670956B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-02 | Fei Company | Beam-induced etching |
| JP4849829B2 (ja) * | 2005-05-15 | 2012-01-11 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | センタ装置 |
| US8052885B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-11-08 | Kla-Tencor Corporation | Structural modification using electron beam activated chemical etch |
| US7879730B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-02-01 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Etch selectivity enhancement in electron beam activated chemical etch |
| US7709792B2 (en) | 2006-01-12 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Three-dimensional imaging using electron beam activated chemical etch |
| US7945086B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-05-17 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Tungsten plug deposition quality evaluation method by EBACE technology |
| WO2007100933A2 (en) * | 2006-01-12 | 2007-09-07 | Kla Tencor Technologies Corporation | Etch selectivity enhancement, deposition quality evaluation, structural modification and three-dimensional imaging using electron beam activated chemical etch |
| SI22288A (sl) * | 2006-06-06 | 2007-12-31 | Institut "JoĹľef Stefan" | Metoda in naprava za selektivno jedkanje kompozitnih materialov z lasersko ablacijo |
| DE102006040308A1 (de) * | 2006-07-06 | 2008-01-31 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Bildes |
| US7892978B2 (en) | 2006-07-10 | 2011-02-22 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching for device level diagnosis |
| US7791055B2 (en) | 2006-07-10 | 2010-09-07 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching/deposition for enhanced detection of surface defects |
| US7807062B2 (en) | 2006-07-10 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching and deposition for local circuit repair |
| US7833427B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-11-16 | Micron Technology, Inc. | Electron beam etching device and method |
| US7791071B2 (en) | 2006-08-14 | 2010-09-07 | Micron Technology, Inc. | Profiling solid state samples |
| US7718080B2 (en) * | 2006-08-14 | 2010-05-18 | Micron Technology, Inc. | Electronic beam processing device and method using carbon nanotube emitter |
| US8541066B2 (en) * | 2007-11-26 | 2013-09-24 | University Of North Carolina At Charlotte | Light-induced directed self-assembly of periodic sub-wavelength nanostructures |
| TWI479570B (zh) * | 2007-12-26 | 2015-04-01 | Nawotec Gmbh | 從樣本移除材料之方法及系統 |
| US8907277B2 (en) * | 2008-03-07 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Reducing particle implantation |
| US8394454B2 (en) * | 2008-03-08 | 2013-03-12 | Omniprobe, Inc. | Method and apparatus for precursor delivery system for irradiation beam instruments |
| CN102149509B (zh) * | 2008-07-09 | 2014-08-20 | Fei公司 | 用于激光加工的方法和设备 |
| DE102009045008A1 (de) | 2008-10-15 | 2010-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske |
| AU2010206592A1 (en) * | 2009-01-26 | 2011-07-28 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including controlled tip loading vapor deposition |
| US20100221505A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-09-02 | Nanolnk, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including homogeneous substrates |
| US8214916B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-03 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including leveling with use of bright spots |
| EP2389615A1 (en) | 2009-01-26 | 2011-11-30 | Nanoink, Inc. | Large area, homogeneous array fabrication including substrate temperature control |
| US8054558B2 (en) * | 2009-02-11 | 2011-11-08 | Omniprobe, Inc. | Multiple magnification optical system with single objective lens |
| EP2226830B1 (en) | 2009-03-06 | 2014-01-08 | FEI Company | Charged particle beam processing |
| DE102009015341A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Ag | Verfahren und Vorrichtungen zur optischen Untersuchung von Proben |
| DE102009033319B4 (de) | 2009-07-15 | 2019-02-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahl-Mikroskopiesystem und Verfahren zum Betreiben desselben |
| JP5650234B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2015-01-07 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | ビーム処理システムに対するガス送達 |
| US9671030B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-06-06 | General Electric Company | Metallic seal assembly, turbine component, and method of regulating airflow in turbo-machinery |
| US9587632B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-03-07 | General Electric Company | Thermally-controlled component and thermal control process |
| US9169567B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-10-27 | General Electric Company | Components having tab members |
| JP6267698B2 (ja) | 2012-07-13 | 2018-01-24 | オムニプローブ、インコーポレイテッド | エネルギビーム機器のためのガス注入システム |
| US8999610B2 (en) * | 2012-12-31 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography mask repairing process |
| JP6490917B2 (ja) | 2013-08-23 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 修正装置 |
| US9466464B1 (en) | 2015-01-23 | 2016-10-11 | Multibeam Corporation | Precision substrate material removal using miniature-column charged particle beam arrays |
| US10312091B1 (en) | 2015-10-13 | 2019-06-04 | Multibeam Corporation | Secure permanent integrated circuit personalization |
| US9881817B1 (en) | 2016-06-02 | 2018-01-30 | Multibeam Corporation | Precision substrate material multi-processing using miniature-column charged particle beam arrays |
| US10523433B1 (en) | 2016-12-09 | 2019-12-31 | Multibeam Corporation | Secure intra-chip hardware micro-segmentation using charged particle beam processing |
| US10446369B1 (en) * | 2017-06-14 | 2019-10-15 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Systems and methods for interferometric end point detection for a focused ion beam fabrication tool |
| CN109226102A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-01-18 | 江苏大学 | 一种激光清洗用含能涂层及其激光清洗工艺 |
| US20210106860A1 (en) * | 2019-10-09 | 2021-04-15 | Chevron U.S.A. Inc. | Systems and methods for treating contaminated solid material |
| DE102020216518B4 (de) * | 2020-12-22 | 2023-08-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Endpunktbestimmung mittels Kontrastgas |
| DE102021206564A1 (de) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Endpunktbestimmung durch induzierte desorption von gasen und analyse der wiederbedeckung |
| CN114654097B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-03-07 | 苏州大学 | 基于分子束外延原位激光干涉光刻方法 |
| DE102022202061A1 (de) * | 2022-03-01 | 2023-09-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur maskenreparatur |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4226666A (en) * | 1978-08-21 | 1980-10-07 | International Business Machines Corporation | Etching method employing radiation and noble gas halide |
| JPS60167316A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 被膜の形成方法 |
| JPS60198827A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Nec Corp | レ−ザ−ビ−ムエツチング法 |
| JPS61234038A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6276521A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-08 | Nec Corp | 電子ビ−ムエツチング方法 |
| JPS6276251A (ja) | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 空気電池 |
| JP2650930B2 (ja) | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 超格子構作の素子製作方法 |
| JPH0262039A (ja) | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
| JPH0793284B2 (ja) * | 1989-01-10 | 1995-10-09 | 光技術研究開発株式会社 | 半導体素子の作製方法 |
| JPH02205682A (ja) | 1989-02-02 | 1990-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム式加工装置 |
| JPH0354824A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Nec Corp | 半導体加工方法と半導体加工装置 |
| US5267884A (en) | 1990-01-29 | 1993-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microminiature vacuum tube and production method |
| US5683547A (en) | 1990-11-21 | 1997-11-04 | Hitachi, Ltd. | Processing method and apparatus using focused energy beam |
| JPH04213819A (ja) * | 1990-12-11 | 1992-08-04 | Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk | 化合物半導体のエッチング方法 |
| US5145436A (en) | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Little Robert W | Foldable beehive foundation frame |
| US5145438A (en) | 1991-07-15 | 1992-09-08 | Xerox Corporation | Method of manufacturing a planar microelectronic device |
| JP3235144B2 (ja) | 1991-08-02 | 2001-12-04 | ソニー株式会社 | 量子箱列の作製方法 |
| DE4416597B4 (de) | 1994-05-11 | 2006-03-02 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Bildpunkt-Strahlungsquellen für flache Farb-Bildschirme |
| JPH0817704A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | パターン描画方法およびパターン描画装置 |
| DE4435043B4 (de) | 1994-09-30 | 2005-09-08 | Nawotec Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Miniaturlinse |
| DE19609234A1 (de) | 1996-03-09 | 1997-09-11 | Deutsche Telekom Ag | Röhrensysteme und Herstellungsverfahren hierzu |
| US5849371A (en) * | 1996-07-22 | 1998-12-15 | Beesley; Dwayne | Laser and laser-assisted free electron beam deposition apparatus and method |
| US6261938B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-07-17 | Quantiscript, Inc. | Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor structures using resistless electron beam lithography |
| US6783643B2 (en) | 1999-06-22 | 2004-08-31 | President And Fellows Of Harvard College | Control of solid state dimensional features |
| US6387530B1 (en) | 1999-08-27 | 2002-05-14 | Seagate Technology Llc | Patterned magnetic media via thermally induced phase transition |
| JP2001242300A (ja) | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Sony Corp | 電子ビーム照射装置 |
| US6921722B2 (en) * | 2000-05-30 | 2005-07-26 | Ebara Corporation | Coating, modification and etching of substrate surface with particle beam irradiation of the same |
| US6751516B1 (en) | 2000-08-10 | 2004-06-15 | Richardson Technologies, Inc. | Method and system for direct writing, editing and transmitting a three dimensional part and imaging systems therefor |
| DE10042098A1 (de) | 2000-08-26 | 2002-03-14 | Deutsche Telekom Ag | Gasversorgung für Additive Lithographie |
| US20030000921A1 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Ted Liang | Mask repair with electron beam-induced chemical etching |
| EP1363164B1 (en) * | 2002-05-16 | 2015-04-29 | NaWoTec GmbH | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reactions at said surface |
| US6677586B1 (en) | 2002-08-27 | 2004-01-13 | Kla -Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for electron beam inspection of samples |
| US6843927B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for endpoint detection in electron beam assisted etching |
| US6943350B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-09-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for electron beam inspection of samples |
| ATE497250T1 (de) | 2002-10-16 | 2011-02-15 | Zeiss Carl Sms Gmbh | Verfahren für durch einen fokussierten elektronenstrahl induziertes ätzen |
| DE10300473A1 (de) | 2003-01-09 | 2004-07-22 | Valeo Sicherheitssysteme Gmbh | Vorrichtung zur Verriegelung der Lenkspindel eines Kraftfahrzeuges |
| DE10302794A1 (de) | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Korpuskularstrahlsystemen |
-
2002
- 2002-05-16 EP EP20020010233 patent/EP1363164B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-28 SG SG200302500A patent/SG118187A1/en unknown
- 2003-05-02 US US10/428,269 patent/US7238294B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-16 CN CN031311636A patent/CN1479175B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-16 JP JP2003139417A patent/JP4481592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-02 US US11/772,755 patent/US7537708B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003328161A (ja) | 2003-11-19 |
| US20040033425A1 (en) | 2004-02-19 |
| CN1479175A (zh) | 2004-03-03 |
| US20080011718A1 (en) | 2008-01-17 |
| EP1363164B1 (en) | 2015-04-29 |
| US7238294B2 (en) | 2007-07-03 |
| CN1479175B (zh) | 2010-04-28 |
| US7537708B2 (en) | 2009-05-26 |
| EP1363164A1 (en) | 2003-11-19 |
| SG118187A1 (en) | 2006-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4481592B2 (ja) | 集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 | |
| EP1411538B1 (en) | Method for focussed electron beam induced etching | |
| EP1710327B1 (en) | Method of beam-induced selective etching of a material from a quartz substrate | |
| US10732501B2 (en) | Method and device for permanently repairing defects of absent material of a photolithographic mask | |
| KR101683959B1 (ko) | 입자 빔에 의한 처리 동안 기판을 보호하는 방법 및 장치 | |
| US6753538B2 (en) | Electron beam processing | |
| EP1829088B1 (en) | Lift-off patterning processes employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers | |
| KR102639026B1 (ko) | 패턴화된 재료의 층을 형성하기 위한 방법 및 장치 | |
| KR20040055694A (ko) | 리소그래피 투영장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법,리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 및 세정 시스템 | |
| US20230350301A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of material | |
| KR100882055B1 (ko) | 표면에 화학반응을 유도하는 초점전자빔에 의해 표면에재료를 에칭하기 위한 공정 | |
| JP5581648B2 (ja) | 炭素汚染除去処理方法及び炭素汚染除去処理装置 | |
| JP2666734B2 (ja) | 無機レジスト描画装置及び描画方法 | |
| EP3722457A1 (en) | Method and apparatus for forming a patterned layer of material | |
| CN116057468A (zh) | 用于蚀刻光刻掩模的方法与设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060324 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080522 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080819 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080822 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081219 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090317 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090323 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091020 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091023 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100216 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100318 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4481592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |