JP2004031502A - 静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置 - Google Patents
静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004031502A JP2004031502A JP2002183157A JP2002183157A JP2004031502A JP 2004031502 A JP2004031502 A JP 2004031502A JP 2002183157 A JP2002183157 A JP 2002183157A JP 2002183157 A JP2002183157 A JP 2002183157A JP 2004031502 A JP2004031502 A JP 2004031502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction
- electrodes
- electrode portions
- present
- electrostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の静電チャック4の静電チャックプレート5は、誘電体中に複数の吸着電極6、7が設けられている。吸着電極6、7は、面積のほぼ等しい一対の幅広電極部61、71を有している。吸着電極6、7の幅広電極部61、71は、その面積比が、4:6〜6:4である。幅広電極部61、71の幅は、2mm以上とすることが好ましい。幅広電極部61、71の間隔は、1mmより大きいことが好ましい。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して成膜等の処理を行う装置において基板を静電気力で吸着保持する静電吸着装置に関し、特に絶縁性の基板を吸着保持する静電吸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体プロセスでは、例えば基板に対して温度制御を行う手段として、静電吸着装置(静電チャック)が用いられている。
近年、シリコンウェハ等の半導体基板のみならず、絶縁性基板を吸着する静電吸着装置が案出されている。
【0003】
このような静電吸着装置の場合、基板の吸着力は、微細なパターンによる吸着電極を形成してグラディエント力を強くすることができるが、グラディエント力を強くするには電場勾配を大きくする必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにデバイスパターンが形成されていない絶縁性基板、たとえば素ガラスでは、電場を大きくすることに支障はないが、微細なMOSなどのデバイスパターンが形成された基板に対しては、電場勾配を必要以上に高くするとゲートの絶縁破壊やゲートの電圧しきい値が変わるなどの問題を生じることがわかってきた。
【0005】
その一方、電場を弱くすると絶縁破壊等は回避できても、肝心の吸着力が弱くなり実用に供せないという問題を生じてしまう。
【0006】
本発明は、基板上のデバイスパターン等の処理対象領域に対して影響を与えることなく、しかも効果的な吸着力を発揮しうる静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意努力を重ねた結果、誘電体中に設けられる一対の吸着電極の電極部を、面積をほぼ等しくするとともに幅広にすることによって前記課題を解決しうることを見い出し本発明を完成するに至った。
【0008】
上記目的を達成するためになされた請求項1記載の発明は、誘電体中に複数の吸着電極が設けられた装置本体を有する静電吸着装置であって、前記吸着電極が、面積のほぼ等しい一対の幅広電極部を有している静電吸着装置である。
請求項2記載の発明は、請求項1において、前記一対の幅広電極部の面積比が、4:6〜6:4であるものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2において、前記一対の幅広電極部の幅が、2mm以上であるものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記一対の幅広電極部の間隔が、1mmより大きいものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記装置本体における吸着領域が、吸着対象物のデバイスパターンが形成された領域に対応するデバイス領域と、前記吸着対象物のデバイスパターンが形成されていない領域に対応する非デバイス領域とを有し、前記デバイス領域には、前記吸着電極の幅広電極部が設けられているものである。
請求項6記載の発明は、真空槽と、前記真空槽内に設けられた請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の静電吸着装置とを備え、前記静電吸着装置によって吸着される処理対象物に対して所定の処理を行うように構成されている真空処理装置である。
【0009】
本発明においては、誘電体中に設けられた複数の吸着電極が一対の幅広電極部を有していることから、電場勾配が必要以上に大きくなることはなく、また、これら一対の幅広電極部の面積がほぼ等しいことから、必要な吸着力を確保することが可能になる。
【0010】
その結果、本発明によれば、吸着対象物に形成された種々のデバイスパターンに対する影響を抑える一方で、適切な吸着力で吸着対象物を吸着することが可能になる。
【0011】
また、本発明においては、吸着電極の一対の幅広電極部の面積比が4:6〜6:4であること、一対の幅広電極部の幅が2mm以上であること、一対の幅広電極部の間隔が1mmより大きくすることによって、吸着対象物に形成された種々のデバイスパターンに対する影響を最小限に抑える一方で、より適切な吸着力で吸着対象物を吸着することが可能になる。
【0012】
さらに、本発明においては、装置本体における吸着領域がデバイス領域と非デバイス領域とを有し、デバイス領域に吸着電極の幅広電極部を設けるようにすれば、吸着対象物に形成された種々のデバイスパターンに対する影響を最小限に抑える一方で、より大きな吸着力で吸着対象物を吸着することが可能になる。
【0013】
このように、本発明によれば、デバイスパターン等の処理対象領域に対して影響を与えることなく、しかも効果的な吸着力を発揮して円滑な処理を行うことが可能な真空処理装置を提供することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る静電吸着装置の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明に係る真空処理装置の一実施の形態の概略構成を示す図である。
図1に示すように、本実施の形態の真空処理装置1は、図示しない真空排気系に接続された真空処理槽2を有している。
【0015】
真空処理槽2内の下部には、サセプタ3が設けられており、このサセプタ3の上部には、後述する基板(吸着対象物)10を吸着保持する静電チャック(静電吸着装置)4が固定されている。
【0016】
静電チャック4は、誘電体である例えばセラミックス材料を用いて所定形状に形成された静電チャックプレート(装置本体)5を有し、この静電チャックプレート5の内部には、後述する一対の双極型の吸着電極6、7が設けられている。
【0017】
ここで、吸着電極6、7は、真空処理槽2の外部に配設された静電チャック電源8の図示しない接続端子に接続されている。
【0018】
図2は、本実施の形態の静電チャックと吸着する基板の要部構成を示す斜視図、図3(a)は、同静電チャックの要部構成を示す平面図、図3(b)は、同静電チャックの吸着電極の電極部の寸法関係を示す説明図である。
【0019】
図2に示すように、本実施の形態の静電チャック4は、例えばガラス基板11上に複数のデバイスパターン(処理対象領域)12が形成された例えば矩形の基板10を吸着するもので、この静電チャックプレート5は、基板10と同様の形状で基板10より若干大きく形成されている。
【0020】
本実施の形態の吸着電極6、7は、正負一対の幅広電極部61、71を有している。
この幅広電極部61、71は、細長の長方形形状に形成され、静電チャックプレート5の長手方向に沿って一定の間隔をおいて複数設けられている。
【0021】
本発明の場合、幅広電極部61、71の幅Wは特に限定されるものではないが、基板10のデバイスパターン12に対する影響を回避する観点からは、2mm以上にすることが好ましく、より好ましくは、後述する吸着電極6、7の電極部61、71の間隔Dだけ離間させて、デバイス領域51の面積の1/2程度となるように大きさを定めるとよい。
【0022】
また、幅広電極部61、71の間隔Dは特に限定されるものではないが、基板10のデバイスパターン12に対する影響を回避する観点からは、1mmより大きくすることが好ましく、より好ましくは、0.1〜0.5mmである。
【0023】
そして、幅広電極部61、71は、それぞれの面積がほぼ等しくなるように構成されている。
【0024】
本発明の場合、幅広電極部61、71の面積比については特に限定されるものではないが、吸着力を確保する観点からは、4:6〜6:4とすることが好ましく、より好ましくは5:5である。
【0025】
さらに、吸着電極6、7の総面積についても特に限定されるものではないが、吸着力を確保する観点からは、基板10のデバイスパターン12の総面積の70%以上にすることが好ましい。
【0026】
さらにまた、吸着電極6、7の幅広電極部61、71は、基板10を吸着する際に吸着力が偏らないように、例えば回転対称形に配置することが好ましい。
【0027】
なお、通常の場合、吸着電極6、7の表面には保護層が形成される。この場合、保護層の厚さについては特に限定されるものではないが、吸着力を確保する観点からは、500μm以下にすることが好ましく、より好ましくは、5〜100μmである。
【0028】
以上述べたように本実施の形態によれば、誘電体中に設けられた複数の吸着電極6、7が一対の幅広電極部61、71を有していることから、電場勾配が必要以上に大きくなることはなく、また、これら一対の幅広電極部61、71の面積がほぼ等しいことから、必要な吸着力を確保することができる。
【0029】
その結果、本実施の形態によれば、基板10に形成された種々のデバイスパターン12に対する影響を抑える一方で、適切な吸着力で基板10を吸着することができる。
【0030】
そして、本実施の形態によれば、基板10のデバイスパターン12等の処理対象領域に対して影響を与えることなく、しかも効果的な吸着力を発揮して円滑な処理を行うことが可能な真空処理装置1を提供することができる。
【0031】
図4は、本発明の他の実施の形態における電極の構成を示す平面図であり、以下、上記実施の形態と対応する部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【0032】
図4に示すように、本実施の形態の場合は、吸着電極6、7の幅広電極部61A、71Aを入れ子形状に形成したものである。
【0033】
本実施の形態の場合、吸着電極6、7の幅広電極部61A、71Aの幅及び間隔等については上記実施の形態と同一の条件である。
【0034】
このような構成を有する本実施の形態によれば、吸着電極6、7の電極部61A、71Aが入れ子形状に形成されているので、正負の吸着電極6、7の存在に起因する吸着力の差あるいは残留吸着力の差を平均化することができるというメリットがある。その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【0035】
図5は、本発明のさらに他の実施の形態における電極の構成を示す平面図であり、以下、上記実施の形態と対応する部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【0036】
図5に示すように、本実施の形態の場合は、リング状に形成した幅広電極部61Bと、この幅広電極部61Bの内側に形成した矩形状の幅広電極部71Bとを有している。
【0037】
本実施の形態の場合、吸着電極6、7の幅広電極部61B、71Bの幅及び間隔等については上記実施の形態と同一の条件である。
【0038】
このような構成を有する本実施の形態によれば、電極構造が単純であるため、製造が容易になるというメリットがある。その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【0039】
図6(a)は、本発明のさらに他の実施の形態の要部構成を示す平面図、図6(b)は、同実施の形態の電極の構成を示す概略図であり、以下上記実施の形態と対応する部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【0040】
図7(a)は、同静電チャックの非デバイス領域における幅広電極部の寸法関係を示す説明図で、図6(b)の一点鎖線で示す部分Aを拡大して示す図、図7(b)は、同静電チャックのデバイス領域における幅広電極部の寸法関係を示す説明図である。
【0041】
図6(a)に示すように、本実施の形態の静電チャック4Cは、基板10のデバイスパターン12に対応する領域(以下「デバイス領域」という。)51と、基板10のデバイスパターン12が形成されていない領域に対応する領域(以下「非デバイス領域」という。)52とに分けられた静電チャックプレート5Cを有している。
【0042】
そして、図6(b)に示すように、本実施の形態の静電チャックプレート5は、デバイス領域51と非デバイス領域52とにおける吸着電極6、7の粗密構造が異なるように構成されている。すなわち、デバイス領域51における電場勾配が、非デバイス領域52における電場勾配より小さくなるように、デバイス領域51に、上述した幅広電極部61C、71Cが形成されている。
【0043】
この場合、各吸着電極6、7は、それぞれデバイス領域51と非デバイス領域52において直列に接続されており、デバイス領域51における吸着電極6、7の幅広電極部61C、71Cの幅Wが非デバイス領域52における電極部62C、72Cの幅wより大きくなるように形成されている。
【0044】
図7(a)(b)に示すように、本発明の場合、デバイス領域51における幅広電極部61C、71Cの幅Wは特に限定されるものではないが、上記実施の形態と同様に、基板10のデバイスパターン12に対する影響を回避する観点から、1mm以上にすることが好ましく、より好ましくは、1〜3mmである。
【0045】
また、非デバイス領域52における電極部62C、72Cの幅wも特に限定されるものではないが、吸着力を確保する観点からは、1mm以下にすることが好ましく、より好ましくは、0.1〜0.3mmである。
【0046】
一方、デバイス領域51における幅広電極部61C、71Cの形状は特に限定されるものではないが、図6(b)に示す例のように矩形形状に形成すると、デバイス領域51の面積に対応させて製作しやすいというメリットがある。
【0047】
一方、非デバイス領域52における電極部62C、72Cの形状は特に限定されるものではないが、図6(b)に示す例のように入れ子形状に形成すると、より大きな吸着力を確保できるというメリットがある。
【0048】
また、本実施の形態においては、デバイス領域51における幅広電極部61C、71Cの間隔Dが非デバイス領域52における電極部の間隔dより大きくなるように形成されている。
【0049】
本発明の場合、デバイス領域51における幅広電極部61C、71Cの間隔Dは特に限定されるものではないが、基板10のデバイスパターン12に対する影響を回避する観点からは、1mmより大きくすることが好ましく、より好ましくは、1〜3mmである。
【0050】
一方、非デバイス領域52における電極部62C、72Cの間隔dも特に限定されるものではないが、吸着力を確保する観点からは、1mm以下にすることが好ましく、より好ましくは、0.1〜0.3mmである。
【0051】
このような構成を有する本実施の形態によれば、吸着電極6、7のデバイス領域51における電場勾配が小さくなるため、基板10のデバイスパターン12に対する影響を最小限に抑える一方で、適切な吸着力で基板10を吸着することが可能になる。その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【0052】
図8は、本発明のさらに他の実施の形態における電極の構成を示す平面図であり、以下上記実施の形態と対応する部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【0053】
図8に示すように、本実施の形態の場合は、静電チャック4のデバイス領域51において、吸着電極6、7の電極部61D、71Dを入れ子形状に形成したものである。
【0054】
本実施の形態の場合、デバイス領域51における電極部61D、71Dの幅及び間隔については上記実施の形態と同一の条件である。
【0055】
また、非デバイス領域52における電極部62D、72Dの幅及び間隔についても上記実施の形態と同一の条件である。
【0056】
このような構成を有する本実施の形態によれば、吸着電極6、7の電極部61D、71Dが入れ子形状に形成されているので、正負の吸着電極6、7の存在に起因する吸着力の差あるいは残留吸着力の差を平均化することができるというメリットがある。その他の構成及び作用効果については上述の実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【0057】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、吸着電極の幅広電極部の形状、大きさ、数等については、上述した実施の形態のものに限られず、基板の処理対象領域に応じて適宜変更することができる。
【0058】
さらに、本発明は、種々のデバイスパターンが形成された基板に対して適用することができ、また、基板の種類も種々の基板に適用することができる。
【0059】
さらにまた、本発明は、スパッタリング装置、CVD装置をはじめとして種々の真空処理装置に適用することができるものである。
【0060】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、静電吸着時に必要な吸着力を確保する一方で、基板のデバイスパターン等の処理対象領域への影響を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る真空処理装置の一実施の形態の概略構成図
【図2】同実施の形態の静電チャックと吸着する基板の要部構成を示す斜視図
【図3】(a):同静電チャックの要部構成を示す平面図
(b):同静電チャックの吸着電極の電極部の寸法関係を示す説明図
【図4】本発明の他の実施の形態における電極の構成を示す平面図
【図5】本発明のさらに他の実施の形態における電極の構成を示す平面図
【図6】(a):本発明のさらに他の実施の形態の要部構成を示す平面図
(b):同実施の形態の電極の構成を示す概略図
【図7】(a):同静電チャックの非デバイス領域における幅広電極部の寸法関係を示す説明図で、図6(b)の一点鎖線で示す部分Aの拡大図
(b):同静電チャックのデバイス領域における幅広電極部の寸法関係を示す説明図
【図8】本発明のさらに他の実施の形態における電極の構成を示す平面図
【符号の説明】
1…真空処理装置 2…真空槽 4…静電チャック(静電吸着装置) 5…静電チャックプレート(装置本体) 6、7…吸着電極 10…基板(吸着対象物)
61、71…幅広電極部
Claims (6)
- 誘電体中に複数の吸着電極が設けられた装置本体を有する静電吸着装置であって、
前記吸着電極が、面積のほぼ等しい一対の幅広電極部を有している静電吸着装置。 - 請求項1において、前記一対の幅広電極部の面積比が、4:6〜6:4である静電吸着装置。
- 請求項1又は2において、前記一対の幅広電極部の幅が、2mm以上である静電吸着装置。
- 請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記一対の幅広電極部の間隔が、1mmより大きい静電吸着装置。
- 請求項1乃至4のいずれかにおいて、前記装置本体における吸着領域が、吸着対象物のデバイスパターンが形成された領域に対応するデバイス領域と、前記吸着対象物のデバイスパターンが形成されていない領域に対応する非デバイス領域とを有し、前記デバイス領域には、前記吸着電極の幅広電極部が設けられている静電吸着装置。
- 真空槽と、
前記真空槽内に設けられた請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の静電吸着装置とを備え、
前記静電吸着装置によって吸着される処理対象物に対して所定の処理を行うように構成されている真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002183157A JP4030361B2 (ja) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | 静電吸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002183157A JP4030361B2 (ja) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | 静電吸着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004031502A true JP2004031502A (ja) | 2004-01-29 |
JP4030361B2 JP4030361B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=31179463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002183157A Expired - Fee Related JP4030361B2 (ja) | 2002-06-24 | 2002-06-24 | 静電吸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4030361B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223185A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toto Ltd | 静電チャックとその製造方法 |
JP2008153543A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック |
JP2009141003A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nhk Spring Co Ltd | 静電チャック |
DE112009002174T5 (de) | 2008-08-27 | 2011-06-30 | ULVAC, Inc., Kanagawa | Elektrostatische Haltevorrichtung und Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung |
DE112009001988T5 (de) | 2008-08-20 | 2011-07-28 | ULVAC, Inc., Kanagawa | Verfahren zur Bestimmung einer Anwendungsgrenze einer elektrostatischen Haltevorrichtung |
WO2012165250A1 (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電吸着体及びこれを用いた静電吸着装置 |
WO2013118765A1 (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置並びに蒸着装置を用いた成膜方法 |
US9287806B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
JP6511212B1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-15 | 株式会社アルバック | 真空装置、吸着装置、導電性薄膜製造方法 |
KR20200004940A (ko) * | 2018-07-04 | 2020-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전척 유닛 및 그것을 이용한 박막 증착 장치 |
JP2020090721A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
-
2002
- 2002-06-24 JP JP2002183157A patent/JP4030361B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223185A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Toto Ltd | 静電チャックとその製造方法 |
JP2008153543A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック |
JP2009141003A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nhk Spring Co Ltd | 静電チャック |
DE112009001988T5 (de) | 2008-08-20 | 2011-07-28 | ULVAC, Inc., Kanagawa | Verfahren zur Bestimmung einer Anwendungsgrenze einer elektrostatischen Haltevorrichtung |
DE112009002174T5 (de) | 2008-08-27 | 2011-06-30 | ULVAC, Inc., Kanagawa | Elektrostatische Haltevorrichtung und Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung |
US8724288B2 (en) | 2008-08-27 | 2014-05-13 | Ulvac, Inc. | Electrostatic chuck and vacuum processing apparatus |
DE112009002174B4 (de) | 2008-08-27 | 2021-08-19 | Ulvac, Inc. | Elektrostatische Haltevorrichtung und Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung |
WO2012165250A1 (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電吸着体及びこれを用いた静電吸着装置 |
WO2013118765A1 (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸着装置並びに蒸着装置を用いた成膜方法 |
US9287806B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US10982323B2 (en) | 2017-11-10 | 2021-04-20 | Ulv Ac, Inc. | Conductive thin film manufacturing method |
JP6511212B1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-15 | 株式会社アルバック | 真空装置、吸着装置、導電性薄膜製造方法 |
CN110088887A (zh) * | 2017-11-10 | 2019-08-02 | 株式会社爱发科 | 真空装置、吸附装置、导电性薄膜制造方法 |
KR102248322B1 (ko) | 2017-11-10 | 2021-05-04 | 가부시키가이샤 알박 | 진공 장치, 흡착 장치, 도전성 박막 제조 방법 |
WO2019093362A1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 株式会社アルバック | 真空装置、吸着装置、導電性薄膜製造方法 |
TWI700774B (zh) * | 2017-11-10 | 2020-08-01 | 日商愛發科股份有限公司 | 真空裝置、吸附裝置、導電性薄膜製造方法 |
KR20200080198A (ko) * | 2017-11-10 | 2020-07-06 | 가부시키가이샤 알박 | 진공 장치, 흡착 장치, 도전성 박막 제조 방법 |
KR20200004940A (ko) * | 2018-07-04 | 2020-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전척 유닛 및 그것을 이용한 박막 증착 장치 |
KR102584518B1 (ko) * | 2018-07-04 | 2023-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전척 유닛 및 그것을 이용한 박막 증착 장치 |
KR20200069817A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-17 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 정전척, 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
CN111293067A (zh) * | 2018-12-07 | 2020-06-16 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、静电吸盘***、成膜装置及方法、吸附方法、电子器件的制造方法 |
JP2020090721A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP7278193B2 (ja) | 2018-12-07 | 2023-05-19 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
CN111293067B (zh) * | 2018-12-07 | 2023-09-12 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置 |
KR102661368B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2024-04-25 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 정전척, 정전척 시스템, 성막 장치, 흡착 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4030361B2 (ja) | 2008-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5283699B2 (ja) | 双極型静電チャック | |
JP2022550482A (ja) | 基板支持体のための一体化された電極及び接地面 | |
US8196594B2 (en) | Apparatus for removing foreign material from substrate and method for removing foreign material from substrate | |
US10236201B2 (en) | Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces | |
JP4030361B2 (ja) | 静電吸着方法 | |
CN114762097A (zh) | 一种吸附抓取装置及客体表面加工方法 | |
GB2381374A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
JP2003282690A (ja) | 静電チャック | |
JPS63283037A (ja) | 静電吸着装置 | |
JPH09223729A (ja) | 静電チャック | |
JPH0473950A (ja) | 静電チャック | |
JP4030360B2 (ja) | 静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置 | |
JP4231362B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
TWI278953B (en) | Apparatus for manufacturing semiconductor device | |
JPH1027780A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2851766B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2000183143A (ja) | 静電チャック | |
JP4342691B2 (ja) | 静電吸着装置及び真空処理装置 | |
JP4026702B2 (ja) | プラズマエッチング装置およびプラズマアッシング装置 | |
JPS62115723A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR101087141B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법 | |
KR101791675B1 (ko) | 마스크 제어가 가능한 정전척 | |
CN109068467A (zh) | 一种除静电装置及除静电方法 | |
JP3862676B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2514255B2 (ja) | 静電チャック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070622 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4030361 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |