TWI700774B - 真空裝置、吸附裝置、導電性薄膜製造方法 - Google Patents

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Abstract

一面將介電質之吸附對象物作豎立設置，一面使導電性薄膜成長。在被設置於吸附板(14)之上部處的第1區域(21)中，配置第1正、負電極(31)、(41)，並在被設置於旋轉軸線(10)與第1區域(21)之間之第2區域中，配置較第1正、負電極(31)、(41)而更為廣寬幅並且間隔亦為廣之第2正、負電極(32)、(42)。一面對於第1正、負電極(31)、(41)施加第1電壓而藉由梯度力來吸附介電質之吸附對象物，一面將吸附板(14)從橫向設置姿勢而設為豎立設置姿勢，並一面對於第2正、負電極(32)、(42)施加第2電壓，一面在吸附對象物(8)之表面上使導電性薄膜成長。由於吸附對象物(8)係持續被作吸附，因此係不會有從吸附板(14)而脫落的情形。在藉由靜電力而開始了吸附之後，若是對於吸附對象物與吸附板(14)之間導入熱媒氣體，則係能夠進行吸附對象物之溫度控制。

Description

真空裝置、吸附裝置、導電性薄膜製造方法
本發明，係有關於真空裝置，特別是有關於在真空裝置中所使用之吸附裝置。
為了將大型基板水平地配置在吸附裝置上並作吸附並且在熱傳導率為高之狀態下而於大型基板之表面上形成薄膜，係存在有使用讓吸附裝置之電極與大型基板之背面作接觸並對於電極施加高電壓而將大型基板作吸附之吸附裝置的技術，為了將在表面上被形成有導電體薄膜之大型基板作吸附，係使用有使靜電力(亦稱作靜電吸附力)產生之吸附裝置，為了將由介電質所成之大型基板作吸附，係使用有使梯度力產生之靜電吸附裝置。
液晶顯示裝置等之顯示裝置係日益大型化，伴隨於此，顯示裝置之基板亦係日益大型化，在被設為水平之基板上而使薄膜成長的真空裝置，其之設置面積係會變得過大，因此，近年來，係使用有使被作了水平配置的基板在真空氛圍內而被吸附於吸附裝置上並藉由使吸附裝置直立來將基板直立而在基板上使薄膜成長之真空裝置。
然而，若是將介電質基板藉由梯度力來作吸附並使金屬薄膜成長，則係會觀察到梯度力變弱的現象，因此，係可推測到會有藉由梯度力而被作了直立的介電質基板從吸附裝置而剝離的情況、或者是起因於基板之自身重量而有所彎曲並導致一部分發生剝離的情況。
因此，例如係存在有將大型基板之背面藉由接著劑來貼附在保持用板上並將大型基板作豎立設置而於其之表面上形成薄膜之技術，但是，由於係使用有接著劑，因此，大型基板之溫度的上限係為低溫，而有著無法使薄膜之成長速度增快的問題。
近年來，無法自立之大型的介電質基板係增加，若是其從吸附裝置脫落，則會發生裂痕或缺角的情形，因此，係對於維持被設為略鉛直之大型基板之背面的保持之技術有所需求。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-153543號公報 [專利文獻2]WO2010/024146號公報 [專利文獻3]WO2016/167233號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其之應解決之課題，係在於提供一種能夠將基板作豎立設置並形成導電性薄膜之技術。 [用以解決課題之手段]
針對本發明之吸附原理作說明。
在圖6(a)中，係針對於在吸附板114a上以狹小寬幅狹小間隔所形成的正負電極131、141之間而被形成有高密度而大幅度彎曲的電力線100a之情況作展示，在圖6(b)中，係針對於在吸附板114b上以長大寬幅長大間隔所形成的正負電極132、142之間而被形成有低密度而彎曲程度為小的電力線100b之情況作展示。
由於正負電極131、141間之電力線的密度係為高，並且彎曲亦為大，因此，藉由在狹小寬幅狹小間隔的正負電極131、141之間所形成之梯度力，介電質之吸附對象物108係被作吸附。
相對於此，在圖6(c)中，係對於在圖6(a)之正負電極131、141上配置被形成有導電性薄膜109之介電質之吸附對象物108的情況作展示，在圖6(d)中，係對於在圖6(b)之正負電極132、142上配置被形成有導電性薄膜109之介電質之吸附對象物108的情況作展示。
由於被形成於圖6(c)之狹小寬幅狹小間隔之正負電極131、141之間的電力線100a其總數係較被形成於圖6(d)之長大寬幅長大間隔之正負電極132、142之間的電力線100b更多，並且電極面積係以圖6(d)之正負電極132、142為更大，因此，被形成於圖6(d)之長大寬幅長大間隔之正負電極132、142與導電性薄膜109之間的電力線101b，係成為較被形成於圖6(c)之狹小寬幅狹小間隔之正負電極131、141與導電性薄膜109之間的電力線101a而更多，被形成有導電性薄膜109之介電質之吸附對象物108，係以圖6(d)之正負電極132、142之靜電力作為支配性之力而被作吸附。
為了解決上述課題所進行之本發明，係為一種真空裝置，其係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽之內部之吸附裝置，前述吸附裝置，係具備有吸附板、和身為前述吸附板之單面之吸附面、和在被設置於前述吸附面之上之第1區域中而被相互分離地作了配置的第1正電極和第1負電極、以及在被設置於前述吸附面上之與前述第1區域相分離的場所處之第2區域中而被相互分離地作了配置的第2正電極和第2負電極，該真空裝置，其特徵為，係設置有：旋轉裝置，係使前述吸附裝置旋轉並成為將前述吸附裝置作了豎立設置的豎立設置姿勢與作了橫向設置的橫向設置姿勢；和薄膜形成裝置，係對於被與前述吸附裝置一同設為豎立設置姿勢的前述吸附對象物形成導電性薄膜；和吸附電源，係對於前述第1正電極和前述第1負電極之間施加第1吸附電壓，而將被配置在前述吸附裝置處的吸附對象物之介電質藉由梯度力來作吸附，並且對於前述第2正電極和前述第2負電極之間施加較前述第1吸附電壓而更低電壓之第2吸附電壓，而將被形成於前述吸附對象物處之前述導電性薄膜藉由靜電吸附力來作吸附，前述第1區域，係構成為若是前述吸附裝置被設為豎立設置姿勢則會位置在前述第2區域之上方處，前述吸附電源和前述旋轉裝置，係構成為能夠一面對於前述第1正電極和前述第1負電極之間施加前述第1吸附電壓一面將前述吸附裝置從橫向設置姿勢而設為豎立設置姿勢。 本發明，係為一種真空裝置，其中，前述吸附裝置，係具備有被與前述吸附板之其中一邊相互平行地作設置之旋轉軸，前述旋轉裝置，係使前述吸附裝置以前述旋轉軸作為中心而旋轉。 本發明，係為一種真空裝置，其中，前述第1正電極之側面與前述第1負電極之側面，係以第1距離而分離，前述第2正電極之側面與前述第2負電極之側面，係以較前述第1距離而更長之第2距離而分離。 本發明，係為一種真空裝置，其中，前述第1正電極之寬幅與前述第1負電極之寬幅，係被形成為較前述第2正電極之寬幅與前述第2負電極之寬幅而更小。 本發明，係為一種真空裝置，其中，前述薄膜形成裝置，係被配置有和被與前述吸附裝置一同設為豎立設置姿勢的前述吸附對象物相對面之導電性之濺鍍靶材，若是前述濺鍍靶材被濺鍍，則前述導電性薄膜係成長。 本發明，係為一種真空裝置，其中，係被設置有將前述第1正電極和前述第1負電極和前述第2正電極以及前述第2負電極作包圍的環狀形狀之環狀電極，在前述環狀電極處，係被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之值的電壓。 本發明，係為一種真空裝置，其係為具備有對於前述吸附裝置供給熱媒氣體的熱媒氣體供給裝置，其特徵為：在前述吸附裝置之前述吸附面上，係被設置有於前述吸附裝置之表面上而露出的保護膜，在前述保護膜處，係被形成有由溝所成之氣體用溝、和被形成於前述環狀電極之正上方位置處並且使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的環狀突條、和位置於前述氣體用溝與前述氣體用溝之間並使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的支持突起、以及被與前述氣體用溝作連接並將前述熱媒氣體導入至前述氣體用溝中之氣體導入孔，在前述真空槽處，係被設置有檢測出前述熱媒氣體之檢測裝置。 本發明，係為一種真空裝置，其中，被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之電壓之輔助電極，係被配置在前述第1區域中。 本發明，係為一種真空裝置，其中，前述輔助電極係藉由前述環狀電極而被作包圍。 本發明，係為一種真空裝置，其中，使側面以前述第1距離而相互分離的第3正電極和第3負電極，係被設置在前述第2區域中，前述吸附電源，係在前述第3正電極與前述第3負電極之間，係施加與前述第1吸附電壓相同之值的第3吸附電壓。 本發明，係為一種真空裝置，其中，前述第3正電極和前述第3負電極，係藉由前述環狀電極而被作包圍。 本發明，係為一種吸附裝置，其特徵為，係具備有：吸附板；和身為前述吸附板之單面之吸附面，在前述吸附面上，係被設置有當前述吸附板被設為豎立設置姿勢時會位置在上方之第1區域、和位置在前述第1區域之下方之第2區域，在前述第1區域中，係被設置有被相互分離地作了配置的第1正電極和第1負電極、在前述第2區域中，係被設置有被相互分離地作了配置的第2正電極和第2負電極，在前述第1正電極和前述第1負電極之間，係被施加有將涵蓋前述第1區域上與前述第2區域上地而被作配置之吸附對象物之介電質藉由梯度力來作吸附之第1吸附電壓，在前述第2正電極和前述第2負電極之間，係被施加有較前述第1吸附電壓而更低電壓並將被形成於前述吸附對象物處之導電性薄膜藉由靜電吸附力來作吸附之第2吸附電壓。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，係具備有被與前述吸附板之其中一邊相互平行地作設置之旋轉軸，該吸附裝置，係以前述旋轉軸作為中心而旋轉，並在被作了豎立設置之豎立設置姿勢與被作了橫向設置之橫向設置姿勢下而靜止。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，前述第1正電極之側面與前述第1負電極之側面，係以第1距離而分離，前述第2正電極之側面與前述第2負電極之側面，係以較前述第1距離而更長之第2距離而分離。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，係被設置有將前述第1正電極和前述第1負電極和前述第2正電極以及前述第2負電極作包圍的環狀形狀之環狀電極，在前述環狀電極處，係被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之值的電壓。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，在前述吸附裝置之前述吸附面上，係被設置有露出於前述吸附裝置之表面上的保護膜。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，在前述保護膜處，係被形成有由溝所成之氣體用溝、和被形成於前述環狀電極之正上方位置處並且使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的環狀突條、和位置於前述氣體用溝與前述氣體用溝之間並使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的支持突起、以及被與前述氣體用溝作連接並將熱媒氣體導入至前述氣體用溝中之氣體導入孔。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之電壓之輔助電極，係被配置在前述第1區域中。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，前述輔助電極係藉由前述環狀電極而被作包圍。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，使側面以前述第1距離而相互分離的第3正電極和第3負電極，係被設置在前述第2區域中。 本發明，係為一種吸附裝置，其中，前述第3正電極和前述第3負電極，係藉由前述環狀電極而被作包圍。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其係為在真空氛圍中將介電質之吸附對象物配置在橫向設置姿勢之吸附裝置處，並將前述吸附對象物設為豎立設置姿勢而在前述吸附對象物之表面上使導電性薄膜成長之導電性薄膜製造方法，其特徵為：在被設置於前述吸附裝置之吸附板的第1區域中之第1正電極和第1負電極之間，施加使梯度力產生之第1吸附電壓之大小的電壓，並一面吸附介電質之前述吸附對象物一面使前述吸附裝置旋轉，而將前述吸附對象物與前述吸附裝置一同設為豎立設置姿勢，並且在被設置於位置在前述第1區域之下方的第2區域中之第2正電極和第2負電極之間，施加使靜電力產生之第2吸附電壓，並將於前述吸附裝置處而成長中之前述導電性薄膜作吸附。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，係在被設為豎立設置姿勢之前述吸附裝置之前述第1正電極與前述第1負電極之間，施加在被設為豎立設置姿勢之前述吸附對象物之前述導電性薄膜與前述第2正電極之間和前述導電性薄膜與前述第2負電極之間而使靜電吸附力產生之第2吸附電壓，而將前述導電性薄膜藉由前述第2正、負電極來作了吸附，之後，使被施加於前述第1正、負電極之間之電壓減少。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，在使被施加於前述第1正電極和前述第1負電極之間之電壓減少之後，係對於分別被設為豎立設置姿勢之前述吸附對象物與前述吸附裝置之間而從前述吸附裝置之氣體導入孔來導入熱媒氣體，並檢測出前述真空氛圍中之熱媒氣體。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，係對於與設為豎立設置姿勢的前述吸附對象物相對面之濺鍍靶材進行濺鍍，而使前述導電性薄膜成長。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，係在開始了前述熱媒氣體之導入之後，將供給至前述濺鍍靶材處之電力，設為較在從開始從前述氣體導入孔而導入前述熱媒氣體之前所供給至前述濺鍍靶材處之電力更大。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，係對於將前述第1正電極和前述第1負電極和前述第2正電極以及前述第2負電極作包圍之環狀電極，施加與被施加於前述第2正電極或前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之值的電壓，而藉由靜電力來將前述導電性薄膜吸附在前述環狀電極處，並一面將前述吸附對象物推壓附著於被配置在前述環狀電極上之環狀突條處，一面從被配置在藉由前述環狀突條而被作包圍的區域內之前述氣體導入孔來導入前述熱媒氣體。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，在對於前述第1正電極和前述第1負電極之間施加前述第1吸附電壓時，係對於被設置在前述第2區域中之第3正電極與第3負電極之間施加前述第1吸附電壓。 本發明，係為一種導電性薄膜製造方法，其中，在對於前述第2正電極和前述第2負電極施加前述第2吸附電壓時，係對於被設置在前述第1區域中之輔助電極與前述第2正電極或前述第2負電極中之其中一方之電極之間，施加前述第2吸附電壓。 [發明之效果]
由於就算是在吸附對象物上使導電性薄膜成長，也能夠持續將吸附對象物作吸附，因此，係並不會在吸附對象物處發生碎屑(chipping)或者是碎裂。
由於並不存在有與吸附對象物之表面作接觸的裝置，因此係並不會發生表面的污染。
由於係將熱媒氣體導入至吸附對象物與吸附裝置之間，因此熱傳導率係變大。
由於在進行導入時係對於包圍第1、第2正負電極之環狀電極與第2正電極或第2負電極之間施加第2吸附電壓，並將吸附對象物推壓附著於環狀電極上之環狀突條處，因此，被導入至吸附對象物與吸附裝置之間之熱媒氣體的流出之量係變少。
若是藉由熱媒氣體之導入而使熱導電率增大，則係能夠將對於濺鍍靶材進行濺鍍的電力設為較熱媒氣體之導入前而更大。
由於係構成為先並不對於第1正負電極之間或第3正負電極之間施加高電壓，之後再將熱媒氣體導入，因此，係成為不會發生放電。
由於係先在第2正負電極與導電性薄膜之間使靜電力產生，之後再使施加於第1正負電極處之電壓減少，因此，係在梯度力消滅之前便藉由靜電力來使導電性薄膜被吸附，而不會有吸附對象物落下的情形。
本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其目的，係在於提供一種能夠在介電質基板上使導電膜安定地成長之技術。
圖1之元件符號2，係代表本發明之真空裝置，並具備有真空槽11、和吸附裝置12、以及靶材裝置13。
在真空槽11之外部，係被配置有馬達等之旋轉裝置26、和濺鍍電源23。
靶材裝置13，係具備有被作濺鍍之濺鍍靶材17、和濺鍍靶材17所被作安裝之陰極電極16，陰極電極16，係被與濺鍍電源23作連接。
吸附裝置12，係具備有長方形或正方形形狀之吸附板14、和被設置於吸附板14之其中一邊處之棒狀之旋轉軸15，旋轉軸15係被與旋轉裝置26作連接，若是旋轉裝置26動作，則旋轉軸15係旋轉。藉由此旋轉，吸附裝置12，係以通過旋轉軸15之剖面中心並且與旋轉軸15之長邊方向相平行的旋轉軸線10作為中心而在旋轉軸線10之周圍旋轉。
靶材裝置13，係以使濺鍍靶材17之被作濺鍍的表面會成為略鉛直的方式，而被設置在真空槽11之側壁處。元件符號19，係代表身為被作濺鍍之表面的濺鍍面。濺鍍靶材17係身為導電性物質，於此係藉由被成形為板狀之金屬所構成，在濺鍍面19處，構成濺鍍靶材17之金屬係露出。
在吸附裝置12作了旋轉時，吸附板14，係構成為能夠在使身為吸附板14之單側之表面的吸附面18朝向上方並被設為略水平之橫向設置姿勢以及將吸附面18設為略垂直並與濺鍍靶材17相對面的豎立設置姿勢中之至少其中一者的姿勢下而靜止。
在圖1中，係對於吸附板14被設為橫向設置姿勢的模樣作展示，在圖2中，係對於吸附板14被設為豎立設置姿勢的模樣作展示。吸附面18從鉛直之狀態起而以未滿±10deg之角度θ來傾斜的姿勢，亦係被包含於豎立設置姿勢中。又，吸附面18從水平之狀態起而以特定之角度來傾斜的姿勢，亦係被包含於橫向設置姿勢中。
圖5(a)，係為吸附面18之平面圖，在吸附面18處，係被設置有第1區域21、和與第1區域21相分離之第2區域22。
圖5(a)，係為吸附面18之平面圖，圖5(b)，係為其之A-A線截斷剖面圖。如同此圖5(a)、(b)中所示一般，在第1區域21中，係被配置有第1正電極31和第1負電極41，在第2區域22中，係被配置有第2正電極32和第2負電極42。
第1正電極31和第1負電極41和第2正電極32以及第2負電極42，係藉由使被配置在吸附面18上之複數之細長之導電材料被形成為梳子之梳齒狀而被構成，第1正電極31和第1負電極41係被交互作配置，第2正電極32和第2負電極42係被交互作配置。
而，第1正電極31之側面和第1負電極41之側面，係分離有第1距離D1 地而被作平行配置，同樣的，第2正電極32之側面和第2負電極42之側面，係分離有較第1距離D1 而更長之第2距離D2 地而被作配置。
第1正電極31之寬幅P1 和第1負電極41之寬幅M1 ，係被形成為會成為較第2正電極32之寬幅P2 而更短並且亦較第2負電極42之寬幅M2 而更短。
在真空槽11之外部，係被配置有吸附電源24。真空槽11，係被與接地電位作連接，藉由吸附電源24，在複數之第1正電極31處係被施加有相同大小的正電壓。又，當第2正電極32為存在有複數的情況時，係被施加有相同之大小且較第1正電極31而更小之值的正電壓。以下，係將絕對值與極性為相等一事，表現為「相同值」。
同樣的，在複數之第1負電極41處，係被附加有相同大小之負電壓，在第2負電極42處，係成為被施加有相同之大小且絕對值為較被施加於第1負電極41處之負電壓之絕對值而更小的負電壓。
身為以第1負電極41作為基準的第1正電極31和第1負電極41之間之電壓之第1吸附電壓，係被設為較身為以第2負電極42作為基準的第2正電極32和第2負電極42之間之電壓之第2吸附電壓而更大之值。
基於此吸附電壓之大小和第1、第2距離D1 、D2 之大小，被形成於第1正電極31和第1負電極41之間之電力線之彎曲率，係成為較被形成於第2正電極32和第2負電極42之間之電力線的彎曲率而更大，在第1正電極31與第1負電極41之間係被形成有不平等電場。故而，若是對於介電質被配置在被形成於第1正電極31與第1負電極41之間之電力線之中時和介電質被配置在被形成於第2正電極32與第2負電極42之間之電力線之中時作比較，則係以介電質被配置在被形成於第1正電極31與第1負電極41之間之電力線之中時所發生的梯度力為更大，故而，係成為被強力地作吸附。
接著，在第1正負電極31、41和第2正負電極32、42之上，係成為被配置有吸附對象物，若是將在第1正負電極31、41之表面和第2正負電極32、42之表面中的相互鄰接之細長之第1正負電極31、41的與吸附對象物相對面之部分之表面和相互鄰接之細長之第2正負電極32、42的與吸附對象物相對面之部分之表面作為電極表面，則第2區域22中之每單位面積之電極表面的面積(單位面積中之第2正電極之電極表面之面積與第2負電極之電極表面之面積的合計值)，係被設為較第1區域21中之每單位面積之電極表面的面積(單位面積中之第1正電極之電極表面之面積與第1負電極之電極表面之面積的合計值)而更大，故而，當在被配置於第1正負電極31、41和第2正負電極32、42之上之吸附對象物處係被設置有導電性薄膜時，被形成於第2正負電極32、42與導電性薄膜之間之電力線的數量，係成為較被形成於第1正負電極31、41與導電性薄膜之間之電力線的數量而更大，因此，由在第2正負電極32、42與吸附對象物之間所產生的靜電力(亦稱作庫倫力)所致之吸附力，係成為較由在第1正負電極31、41與吸附對象物之間所產生的靜電力所致之吸附力而更大。
在真空槽11處，係被連接有真空排氣裝置27，藉由真空排氣裝置27，真空槽11之內部係被作真空排氣，並被形成有真空氛圍。
在圖3中，係一面維持真空槽11之中之真空氛圍，一面涵蓋橫向設置姿勢之吸附板14之第1正負電極31、41與第2正負電極32、42地而被配置有由介電質之板所成之吸附對象物8。吸附對象物8，例如係為玻璃基板。
當在此吸附對象物8之表面上形成導電性薄膜時，首先，若是一面對於第1正、負電極31、41之間施加第1吸附電壓，一面對於第2正、負電極32、42之間施加第2吸附電壓，則在第1正、負電極31、41之間係產生大的梯度力，吸附對象物8係被吸附在第1正、負電極31、41上。
在該狀態下，藉由旋轉裝置26，吸附裝置12係被作約90度的旋轉，吸附板14係從橫向設置姿勢而被設為豎立設置姿勢。此時，由於第1區域21係位置在較第2區域22而更上方處，因此，吸附對象物8，係一面被承載於吸附板14上，一面藉由第1區域21內之第1正、負電極31、41而被懸吊，吸附對象物8係並不會從吸附板14脫落，吸附板14之姿勢係從橫向設置姿勢而被變更為豎立設置姿勢。
就算是被設為豎立設置姿勢之吸附對象物8有一面與吸附裝置12作接觸一面朝向下方移動的情況，亦由於在吸附板14之下端處係被設置有從吸附面18起而突出之擋止構件20，因此，吸附對象物8係被承載於擋止構件20上，而並不會有從吸附板14脫落的情形。
如同圖4中所示一般，當吸附板14係身為豎立設置姿勢時，吸附對象物8係與濺鍍靶材17相對面，若是從氣體導入裝置25而導入稀有氣體等之濺鍍氣體並藉由濺鍍電源23來對於陰極電極16施加電壓而對濺鍍靶材17進行濺鍍，則在吸附對象物8之與濺鍍靶材17相對面的表面上，導電性薄膜之成長係開始。
若是所成長的導電性薄膜之膜厚增加，則在第1正、負電極31、41之間之梯度力係減少，並且第2正、負電極32、42之間之靜電力係增大，吸附對象物8係成為藉由靜電力而被吸附在吸附板14處的狀態。
此時，吸附對象物8之4邊中的相對於旋轉軸線10而相垂直之方向之邊中的與第1區域21相對面之部分的長度，係被設為未滿與第2區域22相對面之部分的長度之四分之一的比例，並被設為吸附對象物8係成為鉛直或者是被作特定之角度θ之傾斜並朝向斜上方的豎立設置姿勢，在此姿勢下，由於吸附對象物8之與第2區域22相對面的部分係藉由以第2正、負電極32、42所致之靜電力而被吸附在吸附板14上，因此，就算是吸附對象物8之上部的與第1區域21相對面的部分係成為並未被吸附在吸附板14上，與第1區域21相對面之部分也不會有垂下至下方的情形。
在藉由於分別被施加有正電壓和負電壓的第2正、負電極32、42與吸附對象物8表面之導電性薄膜之間之靜電吸附而使吸附對象物8成為被吸附在吸附板14處並被作保持之後，對於第1正、負電極31、41之電壓施加係停止。
在藉由以第2正、負電極32、42所致之靜電吸附而被吸附在吸附板14處的狀態下，導電性薄膜係成長，在形成了特定之膜厚的導電性薄膜之後，係從豎立設置姿勢而被設為橫向設置姿勢，被形成有導電性薄膜之吸附對象物8係被搬出至真空槽11之外部。
在上述例中，雖係構成為將並未被形成有導電性薄膜之介電質之吸附對象物8配置於水平姿勢之吸附板14上，並一面對於第1正、負電極31、41和第2正、負電極32、42之雙方施加電壓一面將吸附板14從橫向設置姿勢而設為豎立設置姿勢，但是，係亦可一面僅對於第1正、負電極31、41施加第1電壓，一面從橫向設置姿勢而設為豎立設置姿勢。
又，在第2正、負電極32、42處，係可在設為豎立設置姿勢之後立即施加第2電壓，亦可在導電性薄膜之形成被開始而第1正、負電極31、41之梯度力開始減少之後，再施加第2電壓。
另外，當第1正、負電極31、41之圖案係如同上述一般而為梳齒狀的情況時，由於在梳齒之柄的部分處，磁力線之密度係較梳齒之齒的部分而更低，磁力線之密度係為不均勻，因此，在對於第1正、負電極31、41之間施加有高電壓的情況時，係會產生放電，而會有使吸附裝置12故障之虞。
為了消除梳齒之柄的部分並成為能夠施加高電壓，例如，若是如同圖7中所示一般，將第1正、負電極31a、41a配置為雙重螺旋狀，而成為使磁力線被以均勻之密度而形成，則為理想。
又，如同圖8中所示一般，由於就算是在將第1正、負電極31b、41b以同心狀來交互的圖案時，也會使磁力線被以均勻之密度而形成，因此，係成為能夠並不使放電產生地而施加高電壓。在同心狀之圖案的情況時，係設置貫通吸附板14之厚度方向的貫通配線，並將背面側之端子和表面側之第1正、負電極31b、41b藉由貫通配線來作電性連接。
在上述第1正電極31、31a、31b和第1負電極41、41a、41b之間的位置處，係被形成有溝，而能夠構成為使溫度控制用之熱媒氣體在溝中流動。例如，若是形成寬幅400μm、深度400μm之溝，則為理想。
於此情況，在圖8之第1正、負電極31b、41b的圖案中，若是吸附對象物8密著於吸附裝置12處，則第1正電極31b與第1負電極41b之間之空間的上部係成為被封蓋，第1正、負電極31b、41b之間之空間係被從藉由吸附對象物8與吸附裝置12所形成的空間之外部而遮斷。亦即是，若是對於第1正、負電極31b、41b之間之空間供給熱媒氣體，則被作了供給的熱媒氣體，係成為難以從第1正、負電極31b、41b之間而漏出至真空槽11之內部氛圍中，第1正、負電極31b、41b之間之空間的壓力係上升，因此，熱傳導率係變大。
圖8之第1正、負電極31b、41b之間之空間，係藉由第1正電極31b或第1負電極41b之中的位置於最外周處的電極而被作包圍，但是，就算是構成為使第1正電極31c與第1負電極41c之間之空間並不會被第1正電極31c或第1負電極41c之任一者的電極所包圍，亦只要如同在圖9(a)、(b)中所示之吸附裝置12c一般地，將第1正、負電極31c、41c之間之空間藉由被施加有與第2正電極32c或第2負電極42c中之任一者相同之電壓的環狀形狀之環狀電極52c來作包圍，便能夠不使熱媒氣體流出。
圖9(a)、(b)之環狀電極52c，係與第2負電極42c作接觸，並被施加有與第2負電極42c相同之電壓。
在第1正電極31c和第1負電極41c之間，係被形成有氣體用溝26c，環狀電極52c係包圍第1正、負電極31c、41c。故而，第1正、負電極31c、41c間之氣體用溝26c，亦係被環狀電極52c所包圍。
當在第2正、負電極32c、42c處被施加有使靜電力在第2正、負電極32c、42c與導電性薄膜之間而產生之第2吸附電壓時，於環狀電極52c與第2正電極32c之間亦係被施加有第2吸附電壓，並產生靜電力。在此例中，環狀電極52c係與第2負電極42c作接觸，而可視為一體。
若是被作了配置的吸附對象物8在第2正、負電極32c、42c和環狀電極52c處藉由靜電力而被作吸附，則吸附對象物8與吸附裝置12c係相互密著，第1正、負電極31c、41c之間之空間係藉由吸附對象物8與環狀電極52c而被作閉塞。
若是在此狀態下而從被形成於吸附板14處之貫通孔來對於第1正、負電極31c、41c之間導入熱媒氣體，則從吸附對象物8與吸附裝置12c之間所流出至真空槽11之內部氛圍中的熱媒氣體係變少，熱媒氣體係成為充滿於吸附對象物8與吸附板14之間，因此，吸附對象物8與吸附板14之間之熱傳導率係提升。
於此情況，若是在吸附板14之內部設置使熱媒液流動之流路46，並在流路46中流動作了溫度控制的熱媒液，則係能夠進行吸附對象物8之溫度控制。例如，若是在流路46中流動作了冷卻的熱媒液，則係能夠進行吸附對象物8之冷卻。
另外，在圖9(a)、(b)中，元件符號32c係代表第2正電極、元件符號42c係代表第2負電極，但是，係亦可將元件符號32c所代表之電極作為第2負電極，並將元件符號42c所代表之電極作為第2正電極，並藉由第2正電極42c來將第1正、負電極31c、41c作包圍。
此吸附裝置12c，係以使第1區域21c會位置在較第2區域22c而更上部處的方式，來從橫向設置姿勢而被變更為豎立設置姿勢，在豎立設置姿勢下，第1正、負電極31c、41c係被設為會位置在第2正、負電極32c、42c之上方處。
若是在橫向設置姿勢之吸附裝置12c處，配置於表面上並未被形成有導電性之薄膜之吸附對象物8，則在第1正、負電極31c、41c之間係被施加有身為高電壓之第1吸附電壓，藉由在第1正、負電極31c、41c之間所形成的不平等電場，吸附對象物8之介電質之部分係藉由梯度力而被吸附在第1正、負電極31c、41c處。在該狀態下，若是吸附裝置12c作旋轉，則被作了吸附的吸附對象物8係與吸附裝置12c一同地從橫向設置姿勢而被設為豎立設置姿勢。
與上述之吸附裝置12c相同的，由於吸附對象物8之上部係藉由梯度力而被吸附於第1正、負電極31c、41c處，因此，係並不會有被設為豎立設置姿勢的吸附對象物8之上部下垂的情況。
若是在豎立設置姿勢之吸附對象物8之表面上被形成有導電性薄膜，則在第2正、負電極32c、42c之間係被施加有使靜電力在第2正、負電極32c、42c與導電性薄膜之間而產生之第2吸附電壓，導電性薄膜係被吸附在第2正、負電極32c、42c處。
此時，在吸附對象物8中之位置於較第1正、負電極31c、41c而更上部處的上端附近處，係位置有環狀電極52c，於環狀電極52c與第2正電極32c之間亦係被施加有第2吸附電壓，吸附對象物8之上端係被作靜電吸附。
故而，就算是被施加於第1正、負電極31c、41c處之電壓被縮小，梯度力消滅而吸附對象物8之介電質成為並未被第1正、負電極31c、41c所吸附之狀態，吸附對象物8之上端也並不會下垂。
在圖5之吸附裝置12中，雖係構成為在藉由第2正、負電極32、42來將吸附對象物8作靜電吸附並作了保持之後，停止對於第1正、負電極31、41之電壓施加，但是，係亦可並不停止對於第1正、負電極31、41之電壓施加地而僅將施加電壓縮小。係亦可構成為對於第1正、負電極31、41施加並不會發生異常放電之範圍的大小之電壓，並在第1正、負電極31、41與導電性薄膜之間而使靜電力產生。
於此情況，由於在第1區域21處亦係產生吸附力，在豎立設置姿勢之吸附對象物8之上方位置處也會被吸附於吸附板14處，因此，吸附對象物8與吸附板14之間之熱導電性係提升。
在上述例中，旋轉軸線10，係通過旋轉軸15之中心，在豎立設置姿勢下，旋轉軸線10與旋轉軸15係位置在第1、第2區域21、22之下方處，但是，本發明之吸附裝置12、12c，只要是以第1區域21、21c會位置於較第2區域22、22c更上方處的方式來設為豎立設置姿勢，則旋轉軸線10和旋轉軸15，係亦可構成為位置在吸附裝置12、12c之上方處。
接著，針對本發明之其他例作說明。
若是將使用圖1~圖9所作了說明的真空裝置2和吸附裝置12、12c作為第1例，則圖10之元件符號3，係代表本發明之第2例之真空裝置，元件符號212，係代表第2例之吸附裝置。在圖10以及後述之圖11~圖19之說明中，針對與圖1、2之真空裝置2相同之構件，係附加相同的元件符號，並將說明省略。另外，第1例和第2例之真空裝置2、3，係具備有形成導電性薄膜之薄膜形成裝置，作為其之例子，係將磁控管濺鍍裝置作為薄膜形成裝置來進行說明。在陰極電極16之背面處，係被配置有磁控管磁石，但是，磁控管磁石係被作省略。
第2例之吸附裝置212，係具備有包含長方形形狀或正方形形狀之四邊形狀的吸附板214、和被設置於吸附板214之其中一邊處之棒狀之旋轉軸215，旋轉軸215係被與旋轉裝置26作連接，若是旋轉裝置26動作，則旋轉軸215係旋轉。
該旋轉，係為以通過旋轉軸215之剖面中心並且與旋轉軸215之長邊方向相平行的旋轉軸線210作為中心的旋轉，藉由旋轉軸215之旋轉，吸附裝置212係以旋轉軸線210作為中心而旋轉。
於此，吸附裝置212，係被構成為僅進行未滿360度之特定角度之旋轉，藉由旋轉，吸附裝置212，係構成為能夠在吸附板214為水平之橫向設置姿勢與吸附板214被設為接近鉛直之角度的豎立設置姿勢之間而改變姿勢並靜止。
若是將吸附板214之表面作為吸附面218，則在橫向設置姿勢下，吸附板214係使吸附面218朝向上方並被設為略水平，在豎立設置姿勢下，吸附板214係以使吸附面18朝向斜上方的方式而靜止。
在圖10中，係對於被設為橫向設置姿勢的吸附裝置212作展示，在圖11中，係對於被設為豎立設置姿勢的吸附裝置212作展示。吸附面218從鉛直之狀態起而以未滿±10deg之角度θ來傾斜的姿勢，亦係被包含於豎立設置姿勢中。又，吸附面218從水平之狀態起而以特定之角度來傾斜的姿勢，亦係被包含於橫向設置姿勢中。第2例之吸附裝置212，在此些之構成上，亦係與第1例之吸附裝置12、12c相同。
在第1例之吸附裝置12、12c中，第1正、負電極31、31a、31b、31c、41、41a、41b、41c之表面與第2正、負電極32、32c、42、42c之表面係露出，處理對象物8，係被設為與各電極31、31a、31b、31c、41、41a、41b、41c、32、32c、42、42c之上端作接觸，但是，在第2例之吸附裝置212之吸附面218上，係被設置有介電質之保護膜224，保護膜224之表面228係構成為會露出。
圖16(a)，係為第2例之吸附裝置212之平面圖，在圖16(a)中，位置於保護膜224之下層並被形成於吸附板214上之電極，係以點線來作標示。
圖15(b)、圖16(b)、圖17(b)，係為圖15(a)之吸附裝置212之C-C線截斷剖面圖，圖15(c)、圖16(c)、圖17(c)，係為圖15(a)之吸附裝置212之E-E線截斷剖面圖。元件符號224，係代表保護膜。
圖17(a)，係為將代表電極之點線作了省略的平面圖，保護膜224和位置於較保護膜224而更下層處的構件係被作省略。
參考此些圖面，針對第2例之吸附裝置212和第2例之真空裝置3作說明。在吸附面218上，係被設置有當吸附裝置212被設為豎立設置姿勢時會位置於吸附裝置212之上部處的第1區域221、和在豎立設置姿勢時會位置在較第1區域221而更下方處的第2區域222。
在第1區域221之吸附面218上，係被設置有第1正電極231a、231b和第1負電極241a、241b以及輔助電極262，在第2區域222之吸附面218上，係被設置有第2正電極232和第2負電極242。
於此，第1正電極231a、231b，係具備有相互作了分離的左方之第1正電極231a和右方之第1正電極231b，又，第1負電極241a、241b，亦係具備有相互作了分離的左方之第1負電極241a和右方之第1負電極241b。
第1正電極231a、231b和第1負電極241a、241b，係藉由使被配置在吸附面218上之複數之細長之導電材料被形成為梳子之梳齒狀而被構成，左方之成為第1正電極231a之梳子之梳齒狀的部分、和左方之成為第1負電極241a之梳子之梳齒狀的部分，係以一定間隔而被交互作配置，同樣的，右方之成為第1正電極231b之梳子之梳齒狀的部分、和右方之成為第1負電極241b之梳子之梳齒狀的部分，亦係與左方相同地以一定間隔而被交互作配置。
輔助電極262，係被配置在第1區域221中之左方之第1正、負電極231a、241a和右方之第1正、負電極231b、241b之間的場所處。在吸附對象物8所被作配置之吸附裝置212處，於橫向設置姿勢時和被從橫向設置姿勢而設為豎立設置姿勢時，吸附對象物8之上部之部分係成為與第1正、負電極231a、241a、231b、241b以及輔助電極262相對面。
第2正電極232和第2負電極242，係以使電極面積變大的方式，來並非為形成為梳子之梳齒之形狀地而被形成為廣寬幅，當在吸附對象物8處被形成有導電性薄膜時，係構成為能夠以低電壓來產生大的靜電力。
在第2區域222中之與第1區域221相鄰接的場所處，係被配置有第2正電極232或負電極，當在吸附對象物8處被形成有導電性薄膜時，係構成為在豎立設置姿勢之吸附對象物8的盡可能上方位置處而於第2正電極232或負電極與吸附對象物8之間產生靜電力，在此例中，於第2區域222中之與第1區域221相分離並和豎立設置姿勢之吸附對象物8之下部相對面的位置處，係被配置有相對於與第1區域221相鄰接之第2正電極232或第2負電極242而極性為相反的第2正電極232或第2負電極242。
於此，在第2正電極232中之與第1正、負電極231a、241a、231b、241b相鄰接之鄰接部分和在將吸附裝置212設為豎立設置姿勢時會位置在較鄰接部分而更下方處的第2負電極242之間，係被配置有第3正電極233a、233b和第3負電極243a、243b。
第3正電極233a、233b和第3負電極243a、243b，係與第1正、負電極231a、231b、241a、241b相同的，而構成為使被配置在吸附面218上之複數之細長的導電材料被形成為梳子之梳齒狀，左方之第3正電極233a之梳子之梳齒狀的部分和左方之第3負電極243a之梳子之梳齒狀的部分，係與第1正、負電極231a、231b、241a、241b同樣的以一定間隔而被交互作配置，又，右方之第3正電極233b之梳子之梳齒狀的部分和右方之第3負電極243b之梳子之梳齒狀的部分，亦係與第1正、負電極231a、231b、241a、241b同樣的以一定間隔而被交互作配置。
第1正、負電極231a、231b、241a、241b之梳子之梳齒狀之部分和第3正、負電極233a、233b、243a、243b之梳子之梳齒狀的部分之間之寬幅，係被設為相等。
在吸附板214之邊緣附近之表面處，係被設置有身為環狀之電極的環狀電極252。環狀電極252，係在吸附板214之邊緣附近與邊緣相平行地而延伸，第1區域221和第2區域222，係被配置在環狀電極252之內側處，並被環狀電極252所包圍。
故而，第1正、負電極231a、231b、241a、241b和第2正、負電極232、242和第3正、負電極233a、233b、243a、243b以及輔助電極262，係被環狀電極252所包圍。
與第1例之吸附裝置12、12c相同的，第1正電極231a、231b之側面和第1負電極241a、241b之側面，係分離有第1距離D1 地而被作平行配置，第2正電極232之側面和第2負電極242之側面，係分離有較第1距離D1 而更長之第2距離(最短之部分的距離)地而被作配置。
第1正電極231a、231b之寬幅P1 和第1負電極241a、241b之寬幅M1 ，係被形成為會成為較第2正電極232之寬幅(第2正電極之最為狹窄之部分的寬幅)而更短並且亦較第2負電極242之寬幅(第2負電極之最為狹窄之部分的寬幅)而更短，在此點上，亦係與第1例之吸附裝置12、12c相同。
又，第3正電極233a、233b之側面和第3負電極243a、243b之側面，係分離有大小為與第1距離D1 相等之第3距離D3 地而被作平行配置，如同上述一般，第3正電極233a、233b之寬幅P3 和第3負電極243a、243b之寬幅M3 ，係分別被設為與第1正、負電極231a、231b、241a、241b之寬幅P1 、M1 相等。
第1距離D1 和第3距離D3 ，係被設為較第2距離而更短。
真空槽11，係被與接地電位作連接，藉由被配置在真空槽11之外部處的吸附電源24，在第1正電極231a、231b和第3正電極233a、233b處，係被施加有大小為相等之電壓，在第1負電極241a、241b和第3負電極243a、243b處，亦係被施加有大小為相等之電壓。
於此，在第1正電極231a、231b和第3正電極233a、233b處，係被施加有相同之值的正電壓，在第1負電極241a、241b和第3負電極243a、243b處，係被施加有相同之值的負電壓。特別是，被施加於第1正電極231a、231b和第3正電極233a、233b處之電壓與被施加於第1負電極241a、241b和第3負電極243a、243b處之電壓，係被施加有絕對值為相同而極性為相異之電壓。
又，於第2正電極232和第2負電極242處，係被施加有絕對值為相同而極性為相異之電壓。於第2正電極232處係被施加有正電壓，於第2負電極242處係被施加有負電壓。
於此，輔助電極262係與第2正電極232作接觸，在輔助電極262處係成為被施加有與第2正電極232相同極性且相同大小之電壓。
若是將被施加於第1正電極231a、231b和第1負電極241a、241b之間之正電壓作為第1吸附電壓，並將被施加於第2正電極232和第2負電極242之間之正電壓作為第2吸附電壓，並且將被施加於第3正電極233a、233b和第3負電極243a、243b之間之正電壓作為第3吸附電壓，則第1吸附電壓和第3吸附電壓係為相等之大小，第1、第3吸附電壓係被設為較第2吸附電壓而更大。
被形成於第1正、負電極231a、231b、241a、241b之間與第3正、負電極233a、233b、243a、243b之間之電場的強度與電力線之彎曲率，係成為較被形成於第2正、負電極232、242之間之電場的強度與電力線之彎曲率更大，而被形成有不平等電場。
梯度力，係以將介電質配置在被形成於第1正、負電極231a、231b、241a、241b之間的電力線中或者是被形成於第3正、負電極233a、233b、243a、243b之間的電力線中的情況時，會成為較將介電質配置在被形成於第2正、負電極232、242之間之電力線中的情況時而更大，藉由強的吸附力，介電質係被作吸附。
在吸附板214上，於各電極231a、231b、232、233a、233b、241a、241b、242、243a、243b、252、262之表面和露出於各電極231a、231b、232、233a、233b、241a、241b、242、243a、243b、252、262之間之吸附面218上，係被形成有保護膜224，在吸附裝置212之表面上，保護膜224係成為會露出。
故而，在將吸附對象物8配置在吸附裝置212處時，吸附對象物8之背面係成為與保護膜224作接觸，各電極231a、231b、232、233a、233b、241a、241b、242、243a、243b、252、262之表面，係成為於中間位置有保護膜224地而與吸附對象物8之背面相對面。
如同圖15(c)~圖19(c)中所示一般，在吸附裝置212、212a、212b處，係被形成有由被形成於保護膜224處之溝所成的氣體用溝226，在氣體用溝226處，係成為被導入有後述之熱媒氣體。
在氣體用溝226與氣體用溝226之間，係被形成有上端為較氣體用溝226之底面而更高的支持突起225，在環狀電極252之正上方位置處，係沿著環狀電極252所延伸之方向而被形成有環狀形狀之環狀突條227。
環狀突條227，係與環狀電極252一同地位置於吸附板214之邊緣附近，環狀電極252之正上方的環狀突條227所位置之部分，係被設為環狀，氣體用溝226和支持突起225，係被環狀突條227所包圍。
吸附面218之表面，係被設為平坦，從吸附板214之表面起直到保護膜224之上端為止的高度之關係，係成為直到支持突起225之上端為止的高度為直到環狀突條227之上端為止的高度以下之值。
故而，在將吸附對象物8配置於吸附裝置212處時，環狀突條227之上端係對於吸附對象物8而以環狀來作接觸。
如同後述一般，若是對於環狀電極252施加電壓而環狀電極252藉由靜電力來將被形成於吸附對象物8處之導電性薄膜作吸附並使吸附對象物8密著於吸附裝置212上，則吸附對象物8與環狀突條227所相互密著之部分係成為環狀，環狀突條227之內側的空間，係成為被吸附對象物8所封蓋的狀態，因此，被形成於環狀突條227與吸附裝置212之間之空間，係從真空槽11之內部氛圍而分離。
在第2例之吸附裝置212中，於氣體用溝226之底面的保護膜224與吸附板214處，係被形成有複數個的氣體導入孔238，各氣體導入孔238係貫通保護膜224和吸附板214，並被與被配置在真空槽11之外部處的氣體供給裝置28作連接，而構成為通過氣體導入孔238來從氣體供給裝置28而對於氣體用溝226供給熱媒氣體。
位置於支持突起225之間之氣體用溝226，係藉由位置在支持突起225與環狀突條227之間之氣體用溝226，而以使內部相互通連的方式而被作連接。
若是環狀電極252以靜電力而吸附被配置在吸附裝置212處之吸附對象物8的導電性薄膜，則吸附對象物8之背面與環狀突條227之上端係相互密著。
此時，相互通連之氣體用溝226，係成為藉由吸附對象物8而被作了封蓋的狀態，氣體用溝226係被環狀突條227所包圍，並被與真空槽11之內部氛圍相互分離，因此，從氣體導入孔238而被導入至各氣體用溝226中的熱媒氣體，係充滿於吸附對象物8與吸附裝置212之間。其結果，係產生起因於對流所致的熱移動，吸附裝置212與吸附對象物8之間之熱傳導率係增大。
接著，針對藉由第2例之真空裝置3來與第1例之真空裝置2同樣的而將吸附對象物8作吸附並形成導電性薄膜的處理程序作說明。
在真空槽11處，係被連接有真空排氣裝置27，藉由真空排氣裝置27，真空槽11之內部係被作真空排氣，並被形成有真空氛圍。此時，氣體用溝226之內部亦係被作真空排氣。
首先，一面維持真空槽11中之真空氛圍，一面將吸附對象物8搬入至真空槽11之內部，並如同圖12中所示一般，配置在橫向設置姿勢之吸附板214上。此時，第1正、負電極231a、231b、241a、241b之表面和第2正、負電極232、242之表面和第3正、負電極233a、233b、243a、243b之表面和輔助電極262之表面以及環狀電極252之表面，係在於中間位置有保護膜224的狀態下而與吸附對象物8之背面相對面。
在該狀態下，對於第1正、負電極231a、231b、241a、241b之間施加第1吸附電壓，並對於第3正、負電極233a、233b、243a、243b之間施加第3吸附電壓。此時，在第2正、負電極232、242之間，係可施加第2吸附電壓，亦可並不施加。
在吸附對象物8處，係並未被形成有導電性薄膜，在第1正、負電極231a、231b、241a、241b之間和第3正、負電極233a、233b、243a、243b之間係分別被形成有不平等電場，吸附對象物8之介電質係藉由所產生的梯度力而被吸附在第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b處。
在吸附對象物8被作了吸附的狀態下，藉由旋轉裝置26，旋轉軸215係被作旋轉。於此，吸附裝置212係在旋轉軸線210之周圍被作約90度的旋轉，吸附裝置212，係從橫向設置姿勢而被設為第1區域221會位置在較第2區域222而更上方的位置處之豎立設置姿勢。吸附對象物8，係一面藉由第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b而被吸附於吸附板214上，一面並不脫落地而與吸附板214一同旋轉，而從橫向設置姿勢而被設為豎立設置姿勢。
在豎立設置姿勢之吸附板214之下方處，係被設置有從吸附面218起而突出之擋止構件220，假設就算是被設為豎立設置姿勢之吸附對象物8有一面與吸附裝置12、12c、212之表面228作接觸一面朝向下方移動的情況，吸附對象物8也會與擋止構件220作抵接並使朝向下方之移動停止，因此，吸附對象物8係並不會有從吸附板214脫落的情形。
在吸附對象物8與擋止構件220作了抵接時，係會有起因於吸附對象物8之重量而導致吸附對象物8發生彎曲現象之虞。為了不使彎曲現象發生，係藉由使與吸附對象物8和吸附裝置12、12c、212之表面228之間的摩擦係數相對應之梯度力(垂直抵抗力)產生，來防止從吸附面218之部分性的脫落(浮起)。
圖13，係對於吸附板214和吸附對象物8被設為豎立設置姿勢的狀態作展示。
在真空槽11之內部，係作為薄膜形成裝置之一部分而被設置有濺鍍靶材17，被設為豎立設置姿勢之吸附對象物8之表面，係與濺鍍靶材17相對面。在真空槽11之內部的真空氛圍中，係從氣體導入裝置25而導入稀有氣體等之濺鍍氣體並藉由濺鍍電源23來對於陰極電極16施加濺鍍電壓，而對濺鍍靶材17進行濺鍍。
此時，從濺鍍電源23所輸出至濺鍍靶材17處之電力係被作控制，在特定之大小的電力被供給至濺鍍靶材17處的狀態下，濺鍍靶材17係被作濺鍍，在吸附對象物8之與濺鍍靶材17相對面的表面上，導電性薄膜之成長係開始。
圖14之元件符號203，係代表導電性薄膜。
在對於第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b而分別施加有第1吸附電壓和第3吸附電壓並產生有梯度力的狀態下，若是成長中之導電性薄膜203之膜厚增加，則梯度力係減少。
成長中之導電性薄膜203之膜厚，係藉由膜厚感測器而被作測定，若是檢測出導電性薄膜203係成長至特定之膜厚，則係對於第2正、負電極232、242之間而施加第2吸附電壓，在輔助電極262處，係被施加有與第2正、負電極232、242中之其中一方之電極相同之值的電壓，又，在環狀電極252處，係被施加有與第2正、負電極232、242中之其中一方之電極相同之值的電壓。
於此，第2正電極232和輔助電極262係被施加有相同的正電壓，在第2負電極242和環狀電極252處，係被施加有相同的負電壓，相對於第2負電極242與環狀電極252之第2正電極232與輔助電極262之電壓，係身為第2吸附電壓。
另外，係亦可構成為預先求取出供給至濺鍍靶材17處之電力之大小與導電性薄膜203之成長速度之間的關係，並根據濺鍍時間來求取出導電性薄膜203之膜厚。
於剛開始成長時的導電性薄膜203之膜厚為小的情況時，靜電力係為弱，但是，若是起因於導電性薄膜203之膜厚的增加，而藉由第2正、負電極232、242和輔助電極262和環狀電極252以及導電性薄膜203所產生的吸附力成為由第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b所致之梯度力以上，則就算是停止對於第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b之電壓施加，或者是使對於第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b所施加之電壓減少，並使梯度力消滅，亦能夠藉由靜電力來維持吸附對象物8之吸附。
由於第1、第3吸附電壓係身為高電壓，因此，若是在對於第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b之間施加有第1、第3吸附電壓的狀態下而對於氣體用溝226導入熱媒氣體，則第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b之間之耐電壓係會降低，並發生異常放電。
故而，熱媒氣體，係構成為在使施加於第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b之間之電壓的大小減少至不會使異常放電發生的程度之值之後，再開始導入。使電壓減少一事，係代表將電壓之絕對值縮小。
另外，係亦可在導電性薄膜203成長為特定膜厚之前、或者是在開始成長之前，對於第2正、負電極232、242和輔助電極262以及環狀電極252之間開始第2吸附電壓之施加。
又，係亦可構成為在使施加於第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b處之電壓減少時，對於第1正、負電極231a、231b、241a、241b和第3正、負電極233a、233b、243a、243b之間施加第2吸附電壓，並在成長中之導電性薄膜203與第1、第3正、負電極231a、231b、233a、233b、241a、241b、243a、243b之間使靜電力產生。
吸附對象物8，係藉由較由梯度力所致之吸附力而更強的吸附力之靜電力，而被作吸附，在吸附對象物8與吸附裝置212之間係被導入有熱媒氣體。在真空槽11處，係被設置有檢測出熱媒氣體之壓力的檢測裝置38，若是熱媒氣體被導入，則首先係藉由檢測裝置38而檢測出真空槽11之內部的熱媒氣體之壓力。
當被檢測出之壓力之值為較特定之基準值而更大的情況時，係視為由靜電力所致之吸附為不良，並在藉由梯度力而被作了吸附的狀態下，一旦與吸附裝置212一同地而設為橫向設置姿勢，之後，將吸附對象物8從吸附裝置212上除去，並將異物等之吸附不良之原因去除，之後重新配置吸附對象物8。之後，吸附對象物8係在再度藉由梯度力而被作了吸附之後，被設為豎立設置姿勢。
當檢測結果為正常的情況時，由於吸附對象物8與吸附裝置212之間之熱傳導率係變高，因此係前進至下一工程。
另外，由於熱媒氣體之種類係為已知，因此，若是構成為在檢測出真空槽11之內部之壓力時對於熱媒氣體之種類的氣體之分壓作測定，則由於感度(S/N比)係提升，因此係為理想。進而，在真空槽11之內部，由於相對於在真空槽11內所進行之真空處理，漏洩之熱媒氣體之量所賦予的影響係為少，因此，藉由對於身為容積為小之部位的吸附對象物8與吸附裝置212之間之空間(與藉由吸附對象物8和環狀電極252而被作了閉塞的空間相通連之任一場所)的壓力作測定來替換為真空槽11之內部之壓力一事，由於係能夠使感度(S/N比)提升，因此係為更理想。
又，亦可將熱媒氣體以一定之壓力來作供給並測定其流量，並且當判斷出測定值為較特定值而更大時，判定為漏洩至真空槽11中之熱媒氣體之量為多並身為吸附不良。也就是說，係只要間接性或直接性地對於漏洩至真空槽11之內部的熱媒氣體之量作測定，並當判斷為漏洩之量為多時，決定為吸附不良即可。
在吸附裝置212之吸附板214之內部，係被設置有循環路徑246，循環路徑246，係被與被設置在真空槽11之外部的溫度調節裝置29作連接。
在循環路徑246處，係從溫度調節裝置29而被供給有被作了溫度調節的熱媒液，並構成為在吸附板214內部之循環路徑246中流動而與吸附板214進行熱交換。
於此，溫度調節裝置29係為冷卻裝置，將被作了冷卻的熱媒液供給至循環路徑246處，熱媒液係在吸附板214之內部的循環路徑246中流動，並與吸附板214進行熱交換，而將吸附板214冷卻。熱媒液係被升溫，並回到溫度調節裝置29處而被冷卻，並被供給至吸附裝置212處。
如此這般，熱媒液係藉由冷卻吸附裝置212而將吸附對象物8冷卻，熱媒液，係反覆在吸附板214之循環路徑246中流動並將被吸附在吸附裝置212處之成膜對象物8冷卻。
當溫度調節裝置29係為將熱媒液加熱之加熱裝置並使吸附對象物8升溫的情況時，亦係被包含在本發明中。
另外，係亦可在吸附板214之與吸附面218相反側之面處設置管，並將管之內部作為循環路徑246而使熱媒液流動。
如此這般，藉由靜電力而被吸附在吸附裝置212處的吸附對象物8，係藉由熱媒氣體和熱媒液而被作溫度控制，在導電性薄膜203之成長中，吸附對象物8係成為被維持於所期望之溫度，例如在吸附對象物8被冷卻的情況時，係能夠並不使被設置在吸附對象物8處之薄膜或電性元件等劣化地而使導電性薄膜203成長。
環狀突條227之上端，係被設為會位置在支持突起225之上端以上的高度處，吸附對象物8之背面係與環狀突條227作接觸，吸附對象物8係藉由環狀電極252之靜電力而被推壓附著於環狀突條227之上端處，吸附對象物8與環狀突條227之間係相互密著，並成為接近於氣密之狀態，因此，從氣體導入孔238而被導入至被環狀突條227所包圍的空間中之熱媒氣體，係成為難以流出至環狀突條227之外部。支持突起225之高度和環狀突條227之高度之差係為小，吸附對象物8之背面係成為與支持突起225相接觸。
在上述吸附裝置212中，於第1區域221處係被設置有輔助電極262，就算是第1正、負電極231a、241a、231b、241b所產生的梯度力消滅，吸附對象物8之上部亦係藉由在輔助電極262與導電性薄膜203之間所產生的靜電力和在環狀電極252與導電性薄膜203之間所產生的靜電力而被作吸附，因此，就算是梯度力消滅，也不會有使上部垂下的情形，並且也不會發生起因於彎曲現象所導致的浮起。
又，在被施加於吸附對象物8處之吸附力從靜電力而被切換為梯度力時，係存在有在吸附對象物8處被施加有靜電力與梯度力之雙方之吸附力的期間。
各電極，係相對於吸附對象物8之中心線而被對稱地作配置，就算是在被施加有雙方之吸附力的期間中，也不會發生起因於靜電力與梯度力之間之不均等所導致的旋轉力或者是起因於吸附力與吸附對象物8之重量之合力所導致的旋轉力，而並不會發生起因於旋轉力所導致的位置偏移。
又，在上述吸附裝置212中，係在第2區域222處設置第3正、負電極233a、233b、243a、243b，並將吸附對象物8之與第2區域222相對面之部分藉由梯度力來作吸附，而構成為在由靜電力所致之吸附力產生之前便將吸附對象物8之第2區域222之部分藉由梯度力來吸附在吸附裝置212處，因此，在設為豎立設置姿勢時，係不會有吸附對象物8從吸附裝置212而偏移的情況。
但是，在梳齒狀形狀之根數被設為多等的第1正、負電極231a、231b、241a、241b之梯度力會變強的情況時，係如同圖18之吸附裝置212a一般地，亦可並不在第2區域222處設置第3正、負電極。
另外，圖7、圖8之平面形狀之電極，係亦可使用在第2例之吸附裝置的第1、第3正、負電極中。
又，在上述第2例之吸附裝置212中，係構成為輔助電極262為與第2正電極232作接觸，在輔助電極262和第2正電極232處係被施加有相同之值的正電壓，但是，係亦可構成為在圖15(a)之被附加有元件符號232之電極與輔助電極262處施加負電壓，並在被附加有元件符號242之電極與環狀電極252處施加正電壓，而使靜電力產生。
又，係亦可將輔助電極262和元件符號232之電極分離，並對於輔助電極262和元件符號232之電極施加相異極性之電壓。
又，在上述第2例之吸附裝置212中，係構成為環狀電極252為與第2負電極242作接觸，在環狀電極252和第2負電極242處係被施加有相同之值的電壓，但是，係亦可如同圖19(a)~(c)之吸附裝置212b一般地，使環狀電極252和被附加有元件符號242之電極(第2負電極)相互分離，並在環狀電極252與被附加有元件符號242之電極處施加相異之值或相異極性之電壓。
另外，第1正、負電極231a、231b、241a、241b和第3正、負電極233a、233b、243a、243b中之被施加有正電壓之電極的面積和被施加有負電壓之電極的面積之間之差，係以小為理想。
又，在環狀電極252處，係被施加有與第2正電極232或第2負電極242相同之值的電壓，在輔助電極262處，係被施加有與第2正電極232或第2負電極242相同之值的電壓，但是，環狀電極252與輔助電極262之間之電壓的極性，係可為相同，亦可為相異。但是，在第2正、負電極232、242和輔助電極262與環狀電極252之間，亦同樣的，被施加有正電壓之電極的面積和被施加有負電壓之電極的面積之間之差，係以小為理想。
2~3‧‧‧真空裝置 10、210‧‧‧旋轉軸線 11‧‧‧真空槽 12、12c、212‧‧‧吸附裝置 14、214‧‧‧吸附板 15、215‧‧‧旋轉軸 17‧‧‧濺鍍靶材 18、218‧‧‧吸附面 21、221‧‧‧第1區域 22、222‧‧‧第2區域 24‧‧‧吸附電源 26‧‧‧旋轉裝置 26c‧‧‧氣體用溝 31、31a、31b、31c、231a、231b‧‧‧第1正電極 32、32c、232‧‧‧第2正電極 41、41a、41b、41c、241a、241b‧‧‧第1負電極 42、42c、242‧‧‧第2負電極 203‧‧‧導電性薄膜 224‧‧‧保護膜 226‧‧‧氣體用溝 227‧‧‧環狀突條 233a、233b‧‧‧第3正電極 238‧‧‧氣體導入孔 243a、243b‧‧‧第3負電極 252‧‧‧環狀電極 262‧‧‧輔助電極 D1‧‧‧第1距離 D2‧‧‧第2距離 P1‧‧‧第1正電極之寬幅 P2‧‧‧第2正電極之寬幅 M1‧‧‧第1負電極之寬幅 M2‧‧‧第2負電極之寬幅
[圖1]係為用以對於橫向設置姿勢之吸附板作說明的圖。 [圖2]係為用以對於豎立設置姿勢之吸附板作說明的圖。 [圖3]係為用以對於被吸附在橫向設置姿勢之吸附板上的吸附對象物作說明的圖。 [圖4]係為用以對於被吸附在豎立設置姿勢之吸附板上的吸附對象物作說明的圖。 [圖5](a)：係為用以對於吸附板表面之電極圖案作說明的圖；(b)：係為其之A-A線截斷剖面圖。 [圖6](a)~(d)：係為用以對於藉由梯度力來進行吸附之電極和藉由靜電力來進行吸附之電極作比較之圖。 [圖7]係為對於具有雙重螺旋狀之圖案的第1正負電極作展示之圖。 [圖8]係為對於具有被以同心狀而交互作了配置之圖案的第1正負電極作展示之圖。 [圖9]係為第1正負電極之間並不會被第1之正或負電極所包圍的吸附裝置之例，(a)：平面圖，(b)：B-B線截斷剖面圖。 [圖10]係為用以對於第2例之吸附裝置為成為橫向設置姿勢之第2例之真空裝置之內部作說明之圖。 [圖11]係為用以對於第2例之吸附裝置為成為豎立設置姿勢之第2例之真空裝置之內部作說明之圖。 [圖12]係為用以對於存在有使吸附對象物被作了配置的橫向設置姿勢之第2例之吸附裝置的第2例之真空裝置之內部作說明之圖。 [圖13]係為用以對於存在有使吸附對象物被作了配置的豎立設置姿勢之第2例之吸附裝置的第2例之真空裝置之內部作說明之圖。 [圖14]係為用以對於存在有吸附導電性薄膜正在成長中之吸附對象物的豎立設置姿勢之第2例之吸附裝置的第2例之真空裝置之內部作說明之圖。 [圖15]係對於第2例之吸附裝置的電極作展示，(a)：平面圖，(b)：C-C線截斷剖面圖，(c)：E-E線截斷剖面圖。 [圖16]係對於第2例之吸附裝置的氣體用溝和環狀突條以及電極之間之相對位置之關係作展示，(a)：平面圖，(b)：圖15(a)之C-C線截斷剖面圖，(c)：圖15(a)之E-E線截斷剖面圖。 [圖17]係對於第2例之吸附裝置的氣體用溝和環狀突條作展示，(a)：平面圖，(b)：圖15(a)之C-C線截斷剖面圖，(c)：圖15(a)之E-E線截斷剖面圖。 [圖18]係對於具有輔助電極和環狀電極並且並不具有第3正負電極之吸附裝置的電極作展示，(a)：平面圖，(b)：F-F線截斷剖面圖，(c)：G-G線截斷剖面圖。 [圖19]係對於使環狀電極和第2正負電極作了分離的吸附裝置之電極作展示，(a)：平面圖，(b)：H-H線截斷剖面圖，(c)：I-I線截斷剖面圖。
10‧‧‧旋轉軸線
12‧‧‧吸附裝置
14‧‧‧吸附板
15‧‧‧旋轉軸
18‧‧‧吸附面
20‧‧‧擋止構件
21‧‧‧第1區域
22‧‧‧第2區域
31‧‧‧第1正電極
32‧‧‧第2正電極
41‧‧‧第1負電極
42‧‧‧第2負電極
D1‧‧‧第1距離
D2‧‧‧第2距離
P1‧‧‧第1正電極之寬幅
P2‧‧‧第2正電極之寬幅
M1‧‧‧第1負電極之寬幅
M2‧‧‧第2負電極之寬幅

Claims (29)

  1. 一種真空裝置，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽之內部之吸附裝置，前述吸附裝置，係具備有：吸附板、和身為前述吸附板之單面之吸附面、和在被設置於前述吸附面之上之第1區域中而被相互分離地作了配置的第1正電極和第1負電極、以及在被設置於前述吸附面上之與前述第1區域相分離的場所處之第2區域中而被相互分離地作了配置的第2正電極和第2負電極，該真空裝置，其特徵為，係設置有：旋轉裝置，係使前述吸附裝置旋轉並成為將前述吸附裝置作了豎立設置的豎立設置姿勢與作了橫向設置的橫向設置姿勢；和薄膜形成裝置，係對於被與前述吸附裝置一同設為豎立設置姿勢的吸附對象物形成導電性薄膜；和吸附電源，係對於前述第1正電極和前述第1負電極之間施加第1吸附電壓，而將被配置在前述吸附裝置處的前述吸附對象物之介電質藉由梯度力來作吸附，並且對於前述第2正電極和前述第2負電極之間施加較前述第1吸附電壓而更低電壓之第2吸附電壓，而將被形成於前述吸附對象物處之前述導電性薄膜藉由靜電吸附力來作吸附， 前述第1區域，係構成為若是前述吸附裝置被設為豎立設置姿勢則會位置在前述第2區域之上方處，前述吸附電源和前述旋轉裝置，係構成為能夠一面對於前述第1正電極和前述第1負電極之間施加前述第1吸附電壓一面將前述吸附裝置從橫向設置姿勢而設為豎立設置姿勢。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之真空裝置，其中，前述吸附裝置，係具備有被與前述吸附板之其中一邊相互平行地作設置之旋轉軸，前述旋轉裝置，係使前述吸附裝置以前述旋轉軸作為中心而旋轉。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之真空裝置，其中，前述第1正電極之側面與前述第1負電極之側面，係以第1距離而分離，前述第2正電極之側面與前述第2負電極之側面，係以較前述第1距離而更長之第2距離而分離。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之真空裝置，其中，前述第1正電極之寬幅與前述第1負電極之寬幅，係被形成為較前述第2正電極之寬幅與前述第2負電極之寬幅而更小。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之真空裝置，其中，前述薄膜形成裝置，係被配置有和被與前述吸附裝置一同設為豎立設置姿勢的前述吸附對象物相對面之導電性之濺鍍靶材，若是前述濺鍍靶材被濺鍍，則前述導電性薄膜係成長。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中之任一項所記載之真空裝置，其中，係被設置有將前述第1正電極和前述第1負電極和前述第2正電極以及前述第2負電極作包圍的環狀形狀之環狀電極，在前述環狀電極處，係被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之值的電壓。
  7. 一種真空裝置，係為具備有對於前述吸附裝置供給熱媒氣體的熱媒氣體供給裝置之如申請專利範圍第6項所記載之真空裝置，其特徵為：在前述吸附裝置之前述吸附面上，係被設置有於前述吸附裝置之表面上而露出的保護膜，在前述保護膜處，係被形成有由溝所成之氣體用溝、和被形成於前述環狀電極之正上方位置處並且使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的環狀突條、和位置於前述 氣體用溝與前述氣體用溝之間並使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的支持突起、以及被與前述氣體用溝作連接並將前述熱媒氣體導入至前述氣體用溝中之氣體導入孔，在前述真空槽處，係被設置有檢測出前述熱媒氣體之檢測裝置。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之真空裝置，其中，被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之電壓之輔助電極，係被配置在前述第1區域中。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之真空裝置，其中，前述輔助電極係藉由前述環狀電極而被作包圍。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之真空裝置，其中，使側面以前述第1距離而相互分離的第3正電極和第3負電極，係被設置在前述第2區域中，前述吸附電源，係在前述第3正電極與前述第3負電極之間，係施加與前述第1吸附電壓相同之值的第3吸附電壓。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之真空裝置，其中，前述第3正電極和前述第3負電極，係藉由前述環狀電極而被作包圍。
  12. 一種吸附裝置，其特徵為，係具備有：吸附板；和身為前述吸附板之單面之吸附面，在前述吸附面上，係被設置有當前述吸附板被設為豎立設置姿勢會位置在上方之第1區域、和位置在前述第1區域之下方之第2區域，在前述第1區域中，係被設置有被相互分離地作了配置的第1正電極和第1負電極，在前述第2區域中，係被設置有被相互分離地作了配置的第2正電極和第2負電極，在前述第1正電極和前述第1負電極之間，係被施加有將涵蓋前述第1區域上與前述第2區域上地而被作配置之吸附對象物之介電質藉由梯度力來作吸附之第1吸附電壓，在前述第2正電極和前述第2負電極之間，係被施加有較前述第1吸附電壓而更低電壓並將被形成於前述吸附對象物處之導電性薄膜藉由靜電吸附力來作吸附之第2吸附電壓。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之吸附裝置，其中，係具備有被與前述吸附板之其中一邊相互平行地作設置之旋轉軸，該吸附裝置，係以前述旋轉軸作為中心而旋轉，並在被作了豎立設置之豎立設置姿勢與被作了橫向設置之橫向 設置姿勢下而靜止。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之吸附裝置，其中，前述第1正電極之側面與前述第1負電極之側面，係以第1距離而分離，前述第2正電極之側面與前述第2負電極之側面，係以較前述第1距離而更長之第2距離而分離。
  15. 如申請專利範圍第12~14項中之任一項所記載之吸附裝置，其中，係被設置有將前述第1正電極和前述第1負電極和前述第2正電極以及前述第2負電極作包圍的環狀形狀之環狀電極，在前述環狀電極處，係被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之值的電壓。
  16. 如申請專利範圍第15項所記載之吸附裝置，其中，在前述吸附裝置之前述吸附面上，係被設置有露出於前述吸附裝置之表面上的保護膜。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之吸附裝置，其中，在前述保護膜處，係被形成有由溝所成之氣體用溝、和被形成於前述環狀電極之正上方位置處並且使上端成為 較前述氣體用溝之底面而更高的環狀突條、和位置於前述氣體用溝與前述氣體用溝之間並使上端成為較前述氣體用溝之底面而更高的支持突起、以及被與前述氣體用溝作連接並將熱媒氣體導入至前述氣體用溝中之氣體導入孔。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之吸附裝置，其中，被施加有與被施加於前述第2正電極和前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之電壓之輔助電極，係被配置在前述第1區域中。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之吸附裝置，其中，前述輔助電極係藉由前述環狀電極而被作包圍。
  20. 如申請專利範圍第19項所記載之吸附裝置，其中，使側面以前述第1距離而相互分離的第3正電極和第3負電極，係被設置在前述第2區域中。
  21. 如申請專利範圍第20項所記載之吸附裝置，其中，前述第3正電極和前述第3負電極，係藉由前述環狀電極而被作包圍。
  22. 一種導電性薄膜製造方法，係為在真空氛圍中將介電質之吸附對象物配置在橫向設置姿勢之吸附裝置處，並將前述吸附對象物設為豎立設置姿勢而在前述吸附對象物之 表面上使導電性薄膜成長之導電性薄膜製造方法，其特徵為：在被設置於前述吸附裝置之吸附板的第1區域中之第1正電極和第1負電極之間，施加使梯度力產生之第1吸附電壓之大小的電壓，並一面吸附介電質之前述吸附對象物一面使前述吸附裝置旋轉，而將前述吸附對象物與前述吸附裝置一同設為豎立設置姿勢，並且在被設置於位置在前述第1區域之下方的第2區域中之第2正電極和第2負電極之間，施加使靜電力產生之第2吸附電壓，並將於前述吸附裝置處而成長中之前述導電性薄膜作吸附。
  23. 如申請專利範圍第22項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，係在被設為豎立設置姿勢之前述吸附裝置之前述第1正電極與前述第1負電極之間，施加在被設為豎立設置姿勢之前述吸附對象物之前述導電性薄膜與前述第2正電極之間和前述導電性薄膜與前述第2負電極之間而使靜電吸附力產生之第2吸附電壓，而將前述導電性薄膜藉由前述第2正、負電極來作了吸附，之後，使被施加於前述第1正、負電極之間之電壓減少。
  24. 如申請專利範圍第23項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，在使被施加於前述第1正電極和前述第1負電極之間之 電壓減少之後，係對於分別被設為豎立設置姿勢之前述吸附對象物與前述吸附裝置之間而從前述吸附裝置之氣體導入孔來導入熱媒氣體，並檢測出前述真空氛圍中之熱媒氣體。
  25. 如申請專利範圍第24項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，係對於與設為豎立設置姿勢的前述吸附對象物相對面之濺鍍靶材進行濺鍍，而使前述導電性薄膜成長。
  26. 如申請專利範圍第25項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，係在開始了前述熱媒氣體之導入之後，將供給至前述濺鍍靶材處之電力，設為較在從開始從前述氣體導入孔而導入前述熱媒氣體之前所供給至前述濺鍍靶材處之電力更大。
  27. 如申請專利範圍第24~26項中之任一項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，係對於將前述第1正電極和前述第1負電極和前述第2正電極以及前述第2負電極作包圍之環狀電極，施加與被施加於前述第2正電極或前述第2負電極中之其中一方之電極處的電壓相同之值的電壓，而藉由靜電力來將前述導電性薄膜吸附在前述環狀電極處，並一面將前述吸附對象物 推壓附著於被配置在前述環狀電極上之環狀突條處，一面從被配置在藉由前述環狀突條而被作包圍的區域內之前述氣體導入孔來導入前述熱媒氣體。
  28. 如申請專利範圍第27項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，在對於前述第1正電極和前述第1負電極之間施加前述第1吸附電壓時，係對於被設置在前述第2區域中之第3正電極與第3負電極之間施加前述第1吸附電壓。
  29. 如申請專利範圍第27項所記載之導電性薄膜製造方法，其中，在對於前述第2正電極和前述第2負電極施加前述第2吸附電壓時，係對於被設置在前述第1區域中之輔助電極與前述第2正電極或前述第2負電極中之其中一方之電極之間，施加前述第2吸附電壓。
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