DE112009002174B4 - Elektrostatische Haltevorrichtung und Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung - Google Patents

Elektrostatische Haltevorrichtung und Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung Download PDF

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Abstract

Elektrostatische Haltevorrichtung (6), umfassend:eine Halteplatte (61) aus dielektrischem Material; undeine erste Elektrode (631) und eine zweite Elektrode (632), wobei beide Elektroden (631, 632) in der Halteplatte (61) so angeordnet sind, dass eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (631, 632) angelegt wird, um dadurch ein zu bearbeitendes Substrat (S) an eine Oberfläche der Halteplatte (61) anzuziehen,wobei die elektrostatische Haltevorrichtung (6) weiter auf einem Teil der Fläche der Halteplatte (61) einen Substrathalteabschnitt (64) mit einer Haftkraft bezüglich des zu bearbeitenden Substrats (S) umfasst,wobei eine Oberfläche des Substrathalteabschnitts (64) in einem freien Zustand davon um eine vorgegebene Höhe aus der Oberfläche der Halteplatte (61) herausragt und, wenn das zu bearbeitende Substrat (S) durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (631, 632) an die Oberfläche der Halteplatte (61) angezogen wird, der Substrathalteabschnitt (64) so zusammengedrückt wird, dass die Oberfläche des Substrathalteabschnitts (64) bündig mit der Oberfläche der Halteplatte (61) wird.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine elektrostatische Haltevorrichtung, die geeignet ist zum Halten eines lichtdurchlässigen Substrats, das bearbeitet werden soll (nachstehend bezeichnet als zu bearbeitendes Substrat), z. B. hauptsächlich eines Glassubstrats, eines Saphirsubstrats und dergleichen. Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung, die diese elektrostatische Haltevorrichtung benutzt.
  • [Stand der Technik]
  • Als elektrostatische Haltevorrichtung ist herkömmlich eine solche bekannt, an der vorgesehen sind: eine Halteplatte aus dielektrischem Material; und eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, wobei beide Elektroden in der Halteplatte so angeordnet sind, dass eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angelegt wird, um dadurch ein zu bearbeitendes Substrat an die Oberfläche der Halteplatte anzuziehen (siehe z. B. Patentdokument 1). Falls das zu bearbeitende Substrat ein isolierendes Substrat ist, wird das zu bearbeitende Substrat an die Oberfläche der Halteplatte aufgrund einer Gradientenkraft angezogen, die durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode erzeugt wird. Falls das zu bearbeitende Substrat ein nicht isolierendes Substrat ist, wird das zu bearbeitende Substrat an die Oberfläche der Halteplatte aufgrund einer Coulombkraft angezogen, die durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode erzeugt wird.
  • Im Übrigen wird, wenn ein Substrat mit Lichtdurchlässigkeit, wie etwa ein Glassubstrat, ein Saphirsubstrat und dergleichen einer Plasma-Ätzbearbeitung oder Plasma-CVD-Bearbeitung unterzogen wird, Licht von dem Plasma auf das zu bearbeitende Substrat gestrahlt, und dieses Licht fällt durch das zu bearbeitende Substrat in die Halteplatte. Dann wird ein Teil des dielektrischen Materials, das die Halteplatte bildet, aufgrund des photoelektrischen Effekts elektrisch leitend, was zur Verringerung der Anziehungs-(oder Ansaug-)kraft führt.
  • Jedoch wurden herkömmlich keine Maßnahmen gegen diese Art der Verringerung der Anziehungskraft unternommen. Die verringerte Anziehungskraft wurde zu einem Faktor beim Auftreten einer Positionsabweichung des zu bearbeitenden Substrats auf der elektrostatischen Haltevorrichtung.
  • [Dokumente zum Stand der Technik]
  • [Patentdokumente]
    • Patentdokument 1: JP 2004 - 31 502 A
    • Patentdokument 2: JP 2004 - 253 718 A beschreibt eine elektrostatische Halteplatte. Die Halteplatte ist aus Keramik und weist eine Adsorptionsoberfläche und eine interne Elektrode auf. Eine klebende Schicht wird auf der Adsorptionsoberfläche gebildet. Ein Spannungsversorgungsanschluss ist elektrisch an die interne Elektrode angeschlossen, um eine Gleichspannung anzulegen.
  • [Zusammenfassung der Erfindung]
  • [Durch die Erfindung zu lösende Probleme]
  • Angesichts der obigen Punkte weist diese Erfindung eine Aufgabe auf, eine elektrostatische Haltevorrichtung zu schaffen, die gestaltet ist, ein zu bearbeitendes Substrat fest zu halten, selbst wenn sich die Anziehungskraft aufgrund des photoelektrischen Effekts verringert haben mag, und weist auch eine Aufgabe auf, eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung zu schaffen, welche die oben erwähnte elektrostatische Haltevorrichtung benutzt.
  • [Mittel zum Lösen der Probleme]
  • Um die obigen Probleme zu lösen, umfasst eine elektrostatische Haltevorrichtung gemäß dieser Erfindung: eine Halteplatte aus dielektrischem Material; und eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode. Beide Elektroden sind in der Halteplatte so angeordnet, dass eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angelegt wird, um dadurch ein zu bearbeitendes Substrat an eine Oberfläche der Halteplatte anzuziehen. Die elektrostatische Haltevorrichtung umfasst weiter auf einem Teil der Fläche der Halteplatte einen Substrathalteabschnitt mit einer Haftkraft bezüglich des zu bearbeitenden Substrats. Dabei ragt eine Oberfläche des Substrathalteabschnitts in einem freien Zustand davon um eine vorgegebene Höhe aus der Oberfläche der Halteplatte heraus. Wenn das zu bearbeitende Substrat durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode an die Oberfläche der Halteplatte angezogen wird, wird der Substrathalteabschnitt so zusammengedrückt, dass die Oberfläche des Substrathalteabschnitts bündig mit der Oberfläche der Halteplatte wird.
  • Eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung gemäß dieser Erfindung umfasst: eine Unterdruck-Bearbeitungskammer; und eine innerhalb der Unterdruck-Bearbeitungskammer so angeordnete elektrostatische Haltevorrichtung, dass ein lichtdurchlässiges zu bearbeitendes Substrat durch die elektrostatische Haltevorrichtung gehalten wird, um dadurch das zu bearbeitende Substrat Bearbeitungsbehandlungen zu unterziehen, die von Lichteinstrahlung darauf begleitet sind. Als elektrostatische Haltevorrichtung wird diejenige benutzt, wie sie oben beschrieben ist.
  • Gemäß der elektrostatischen Haltevorrichtung nach dieser Erfindung kann das zu bearbeitende Substrat, selbst wenn sich die Anziehungskraft der elektrostatischen Haltevorrichtung aufgrund des photoelektrischen Effekts verringert, an der Oberfläche des Hauptkörpers der elektrostatischen Haltevorrichtung aufgrund der Haftkraft des Substrathalteabschnitts sicher gehalten werden. Daher kann in der Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung nach dieser Erfindung trotz der Tatsache, dass die Bearbeitungsbehandlungen von Lichteinstrahlung auf das lichtdurchlässige zu bearbeitende Substrat begleitet sind, verhindert werden, dass das zu bearbeitende Substrat auf der elektrostatischen Haltevorrichtung in der Position abweicht.
  • Gemäß dieser Anordnung wird der Substrathalteabschnitt, als Ergebnis des Zusammendrückens des Substrathalteabschnitts beim Anziehen des zu bearbeitenden Substrats, stark gegen das zu bearbeitende Substrat gedrängt. Das zu bearbeitende Substrat kann daher sicher an dem Substrathalteabschnitt anhaften.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein schematischer Schnitt, der eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung zeigt.
    • 2 ist eine vergrößerte Schnittansicht einer elektrostatischen Haltevorrichtung, die innerhalb der Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung von 1 angeordnet ist.
    • 3 ist eine Draufsicht der elektrostatischen Haltevorrichtung von 2.
  • [Ausführungsformen der Erfindung]
  • 1 zeigt eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung zum Durchführen einer Plasmaätz- (Trockenätz-)Bearbeitung an einem zu bearbeitenden Substrat S mit Lichtdurchlässigkeit, wie etwa einem Glassubstrat, einen Saphirsubstrat und dergleichen. An dieser Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung ist eine Unterdruck-Bearbeitungskammer 1 vorgesehen, deren Inneres durch eine Vakuumpumpe (nicht dargestellt) ausgepumpt wird. Ein oberer Teil der Unterdruck-Bearbeitungskammer 1 ist aus einer Seitenwand 1a aus einem dielektrischen Material ausgebildet. Mittels dreier entlang einer Außenseite dieser Seitenwand 1a angeordneter Magnetfeldspulen 21, 22, 23 werden innerhalb der Kammer ringförmige magnetische neutrale Linien ausgebildet. Zwischen der mittleren Magnetfeldspule 22 und der Seitenwand 1a aus dielektrischem Material ist eine Hochfrequenz-Antennenspule 3 zur Plasmaerzeugung angeordnet. Die Hochfrequenz-Antennenspule 3 ist mit einer Hochfrequenz-Stromversorgung 4 verbunden, und ein elektrisches Wechselfeld wird entlang der oben erwähnten magnetischen neutralen Linien angelegt, wodurch ein Entladungsplasma erzeugt wird.
  • An einem unteren Teil der Unterdruck-Bearbeitungskammer 1 ist über ein isolierendes Material 5a eine Substratelektrode 5 montiert. An der Oberseite dieser Substratelektrode 5 ist eine elektrostatische Haltevorrichtung 6 befestigt, die das zu bearbeitende Substrat S hält und kühlt. Die Substratelektrode 5 ist mit einer Hochfrequenz-Stromversorgung 7 verbunden, die über einen Blockkondensator 7a eine Hochfrequenz-Vorspannung an die Substratelektrode 5 anlegt. Eine obere Platte 1b der Unterdruck-Bearbeitungskammer 1 ist auf hermetisch abgedichtete Weise an einem oberen Flansch der Seitenwand 1a aus dielektrischem Material befestigt. Eine Gegenelektrode wird durch die obere Platte 1b gebildet, die potentialfrei wird. An einer unteren Fläche der oberen Platte 1b ist ein Gaseinleitungsteil 8 vorgesehen, der ein Ätzgas in die Unterdruck-Bearbeitungskammer 1 einleitet. Dann wird das Ätzgas in Plasma umgewandelt, um eine vorgegebene Ätzbearbeitung an dem zu bearbeitenden Substrat S durchzuführen, das auf die elektrostatische Haltevorrichtung 6 gelegt ist.
  • In der Substratelektrode 5 sind ein Durchlass 51, um dort hindurch Kühlwasser zirkulieren zu lassen, und ein Gasstrom-Durchlass 52 ausgebildet, um ein Kühlgas (z. B. Heliumgas) fließen zu lassen, um das zu bearbeitende Substrat S auf der elektrostatischen Haltevorrichtung 6 zu kühlen. Das Kühlgas wird von außerhalb der Vorrichtung über ein Einführungsrohr 53 zugeführt, das mit einer unteren Fläche der Substratelektrode 5 verbunden ist.
  • Die elektrostatische Haltevorrichtung 6 weist eine Halteplatte 61 auf, die unter Verwendung z. B. von Keramikmaterial ausgebildet ist, das ein dielektrisches Material ist. Mit Bezug auf die 2 und 3 ist in der Halteplatte 61 eine Vielzahl von Gasabgabelöchern 62 ausgebildet, die das Kühlgas aus dem Gasstrom Durchlass 52 zu einer Rückfläche des zu bearbeitenden Substrats S abgeben.
  • In die Halteplatte 61 sind eine erste Elektrode 631 und eine zweite Elektrode 632 eingebettet. Die erste Elektrode 631 und die zweite Elektrode 632 sind jeweils zur Form von Kammzähnen ausgebildet und sind so angeordnet, dass die Zähne so ineinander greifen, dass sie keinen Kontakt miteinander aufweisen. Durch Anlegen einer Gleichspannung zwischen der ersten Elektrode 631 und der zweiten Elektrode 632 aus einer Stromversorgung (nicht dargestellt) ist das zu bearbeitende Substrat S so angeordnet, dass es an die Oberfläche der Halteplatte 61 angezogen wird. Ein Glassubstrat und ein Saphir-Substrat sind isolierende Substrate und werden an die Halteplatte 61 durch die Gradientenkraft angezogen, die durch das Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 631 , 632 erzeugt wird.
  • Bei der Durchführung der Plasma-Ätzbearbeitung wird das Licht von dem Plasma auf das zu bearbeitende Substrat S gestrahlt, und dieses Licht fällt durch das zu bearbeitende Substrat S in die Halteplatte 61. Dann wird am Oberflächenbereich der Halteplatte 61 ein Teil des dielektrischen Materials, das die Halteplatte 61 bildet, durch den photoelektrischen Effekts elektrisch leitend. Demgemäß gibt es einen Fall, in dem sich die Anziehungskraft im Laufe der Ätzbearbeitung verringert.
  • Als Lösung ist auf einem Teil der Oberfläche der Halteplatte 61 ein Substrathalteabschnitt 64 vorgesehen, der eine Haftkraft bezüglich des zu bearbeitenden Substrats S aufweist. In dieser Ausführungsform ist auf dem umlaufenden Oberflächenbereich der Halteplatte 61 ein versenkter Bereich 65 ausgebildet. Ein an dem versenkten Bereich 65 angebrachtes Klebeband bildet den Substrathalteabschnitt 64. Die Oberfläche des Substrathalteabschnitts 64 ragt in einem freien Zustand davon um eine vorgegebene Höhe (z. B. 100 µm) über die Oberfläche der Halteplatte 61 hinaus, wie durch eine ima ginäre Linie in 2 gezeigt.
  • Gemäß dieser Anordnung wird die Oberfläche des Substrathalteab schnitts 64, wenn das zu bearbeitende Substrat S durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 631 , 632 an die Oberfläche der Halteplatte 61 angezogen wird, so zusammengedrückt, dass die Oberfläche des Substrathalteabschnitts 64 bündig mit der Oberfläche der Halteplatte 61 wird. Aufgrund des Zusammendrückens durch das zu bearbeitende Substrat S wird der Substrathalteabschnitt 64 stark gegen das zu bearbeitende Substrat S gedrängt oder gedrückt. Das zu bearbeitende Substrat S wird daher sicher an den Substrathalteabschnitt 64 geheftet. Als Ergebnis kann, selbst wenn die Anziehungskraft der elektrostatischen Haltevorrichtung 6 aufgrund des photoelektrischen Effekts im Laufe der Ätzbearbeitung verringert wird, das zu bearbeitende Substrat S durch die Haftkraft des Substrathalteabschnitts 64 sicher an der Oberfläche der Halteplatte 61 gehalten werden, ohne eine Positionsabweichung zu erleiden.
  • Der Außendurchmesser der Halteplatte 61 ist geringfügig kleiner als der Außendurchmesser des zu bearbeitenden Substrats S, und daher hängt der Umfangsbereich des zu bearbeitenden Substrats S über die Außenseite der Halteplatte 61 hinaus. In einer Weise, dass sie zur Rückseite dieses Umfangsbereichs des zu bearbeitenden Substrats S weisen, der über die Halteplatte 6 hinaus ragt, ist durch die Substratelektrode 5 eine Vielzahl von Hubstiften 54 so eingesetzt, dass sie auf und ab beweglich sind. Nach dem Beenden der Ätzbearbeitung werden die Hubstifte 54 durch eine Antriebsquelle (nicht dargestellt) nach oben bewegt, um das zu bearbeitende Substrat S von dem Substrathalteabschnitt 64 abzulösen. Das zu bearbeitende Substrat S wird daher über die elektrostatische Haltevorrichtung 6 gehoben, sodass es einem Überführungsroboter (nicht dargestellt) in einem Zustand, wie es ist, übergeben werden kann.
  • Bisher wurde eine Ausführungsform dieser Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben. Diese Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel war in der oben erwähnten Ausführungsform der Substrathalteabschnitt 64 in einem vorderen umlaufenden Oberflächenbereich der Halteplatte 61 angeordnet. Der Substrathalteabschnitt kann alternativ angeordnet sein, indem er in einer Vielzahl von Teilabschnitten auf der Oberfläche der Halteplatte 61 verteilt wird. Außerdem soll die elektrostatische Haltevorrichtung 6 in der oben erwähnten Ausführungsform ein einziges Stück zu bearbeitenden Substrats S auf der Halteplatte 61 halten. Diese Erfindung kann auch auf eine elektrostatische Haltevorrichtung mit der folgenden Konstruktion angewandt werden: eine Vielzahl von inselartigen Haltebereichen ist herausragend auf der oberen Fläche der Halteplatte angeordnet; und Elektroden sind in jedem der Haltebereiche eingebettet, sodass ein zu bearbeitendes Substrat in jedem der Haltebereiche gehalten werden kann, unter der Bedingung, dass an jedem der Haltebereiche auf einem Teil der Fläche jedes der Haltebereiche ein Substrathalteabschnitt vorgesehen ist.
  • Außerdem ist die oben erwähnte Ausführungsform eine Anwendung dieser Erfindung auf eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung, in der Plasma-Ätzbearbeitung durchgeführt wird. Diese Erfindung kann auch weitgehend auf eine Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung angewandt werden, in der das Bearbeiten mit einstrahlendem Licht an einem lichtdurchlässigen Substrat erfolgt, wie etwa einer Plasma-CVD-Vorrichtung und einer Vorrichtung mit einer Lampe zum Erwärmen eines zu bearbeitenden Substrats.
  • Bezugszeichenliste
    • S
    zu bearbeitendes Substrat
    1
    Unterdruck-Bearbeitungskammer
    6
    elektrostatische Haltevorrichtung
    61
    Halteplatte
    631
    erste Elektrode
    632
    zweite Elektrode
    64
    Substrathalteabschnitt

Claims (2)

  1. Elektrostatische Haltevorrichtung (6), umfassend: eine Halteplatte (61) aus dielektrischem Material; und eine erste Elektrode (631) und eine zweite Elektrode (632), wobei beide Elektroden (631, 632) in der Halteplatte (61) so angeordnet sind, dass eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (631, 632) angelegt wird, um dadurch ein zu bearbeitendes Substrat (S) an eine Oberfläche der Halteplatte (61) anzuziehen, wobei die elektrostatische Haltevorrichtung (6) weiter auf einem Teil der Fläche der Halteplatte (61) einen Substrathalteabschnitt (64) mit einer Haftkraft bezüglich des zu bearbeitenden Substrats (S) umfasst, wobei eine Oberfläche des Substrathalteabschnitts (64) in einem freien Zustand davon um eine vorgegebene Höhe aus der Oberfläche der Halteplatte (61) herausragt und, wenn das zu bearbeitende Substrat (S) durch Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (631, 632) an die Oberfläche der Halteplatte (61) angezogen wird, der Substrathalteabschnitt (64) so zusammengedrückt wird, dass die Oberfläche des Substrathalteabschnitts (64) bündig mit der Oberfläche der Halteplatte (61) wird.
  2. Unterdruck-Bearbeitungsvorrichtung, umfassend: eine Unterdruck-Bearbeitungskammer (1); und eine innerhalb der Unterdruck-Bearbeitungskammer (1) derart angeordnete elektrostatische Haltevorrichtung (6), dass ein lichtdurchlässiges zu bearbeitendes Substrat (S) durch die elektrostatische Haltevorrichtung (6) gehalten wird, um dadurch das zu bearbeitende Substrat (S) Bearbeitungsbehandlungen zu unterziehen, die von Lichteinstrahlung darauf begleitet sind, wobei als elektrostatische Haltevorrichtung (6) die elektrostatische Haltevorrichtung (6) gemäß Anspruch 1 benutzt wird.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5395798B2 (ja) * 2008-08-27 2014-01-22 株式会社アルバック 静電チャック及び真空処理装置
SG2014012371A (en) * 2011-08-19 2014-04-28 Ulvac Inc Vacuum processing device and vacuum processing method
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
CN103227083B (zh) * 2012-01-31 2015-08-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子体处理装置的载片台
CN104737282B (zh) * 2012-10-11 2017-06-20 创意科技股份有限公司 工件保持装置以及使用了该装置的工件的横向偏移检测方法
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
JP6132957B2 (ja) * 2015-10-13 2017-05-24 ヤス カンパニー リミテッド 帯電処理による基板チャッキング方法及びシステム
JP6690918B2 (ja) * 2015-10-16 2020-04-28 日本特殊陶業株式会社 加熱部材、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP7002302B2 (ja) * 2016-12-13 2022-02-10 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
US10633736B2 (en) 2016-12-13 2020-04-28 Shibaura Mechatronics Corporation Film formation apparatus
CN110088887B (zh) 2017-11-10 2020-06-16 株式会社爱发科 真空装置、吸附装置、导电性薄膜制造方法
JP7051379B2 (ja) * 2017-11-15 2022-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び埋込処理装置
JP7000129B2 (ja) * 2017-11-15 2022-01-19 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
CN108048798B (zh) * 2017-12-15 2020-06-30 信利（惠州）智能显示有限公司 蒸镀机及其冷板结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031502A (ja) 2002-06-24 2004-01-29 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置
JP2004253718A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック及びそれを備えた板状体貼り合わせ装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01241839A (ja) 1988-03-24 1989-09-26 Toshiba Corp 半導体ウエハ保持装置
US5636098A (en) * 1994-01-06 1997-06-03 Applied Materials, Inc. Barrier seal for electrostatic chuck
JPH09289201A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5870271A (en) * 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
JP2001241839A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Sanyo Electric Co Ltd 貯蔵庫
JP4141234B2 (ja) * 2002-11-13 2008-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP4002169B2 (ja) 2002-11-21 2007-10-31 日本碍子株式会社 静電チャック
JP4234479B2 (ja) 2003-04-02 2009-03-04 富士通株式会社 貼合せ基板製造装置及び貼合せ基板製造方法
JP2006332204A (ja) 2005-05-24 2006-12-07 Toto Ltd 静電チャック
US20070283891A1 (en) 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
KR101292802B1 (ko) * 2006-12-08 2013-08-02 엘아이지에이디피 주식회사 기판척 및 이를 이용한 기판합착장치
JP4117338B1 (ja) * 2007-11-05 2008-07-16 信越エンジニアリング株式会社 真空貼り合わせ装置及び真空貼り合わせ方法
JP5247245B2 (ja) * 2008-05-30 2013-07-24 キヤノン株式会社 情報処理装置及びインストール方法
JP5395798B2 (ja) * 2008-08-27 2014-01-22 株式会社アルバック 静電チャック及び真空処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031502A (ja) 2002-06-24 2004-01-29 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置
JP2004253718A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック及びそれを備えた板状体貼り合わせ装置

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