JP2003347173A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JP2003347173A JP2003347173A JP2002239254A JP2002239254A JP2003347173A JP 2003347173 A JP2003347173 A JP 2003347173A JP 2002239254 A JP2002239254 A JP 2002239254A JP 2002239254 A JP2002239254 A JP 2002239254A JP 2003347173 A JP2003347173 A JP 2003347173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- anode
- solid electrolytic
- capacitor element
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明はベンディング工程を省き、コンデン
サ素子側への熱伝達を最小化させ安定した電気特性が得
られ、製品信頼度を高めることができ、製造工程を簡素
化して製造原価をダウンさせる固体電解コンデンサを提
供する。 【解決手段】コンデンサ素子１０及び陽極、陰極リード
フレーム３０，４０を覆って保護するエポキシケース；
を含み、凹溝３２に載せられる陽極ワイヤ２０先端と相
応する陽極リードフレーム３０とを熱源により溶融し前
記陽極ワイヤ２０と陽極リードフレーム３０とを溶接連
結して、溶接の際コンデンサ素子側への熱伝達を最小化
し、製造工程を単純化させ、限られた内部空間において
コンデンサ素子が占める占有空間を広めてコンデンサ素
子の容量を拡大させ得るものである。
サ素子側への熱伝達を最小化させ安定した電気特性が得
られ、製品信頼度を高めることができ、製造工程を簡素
化して製造原価をダウンさせる固体電解コンデンサを提
供する。 【解決手段】コンデンサ素子１０及び陽極、陰極リード
フレーム３０，４０を覆って保護するエポキシケース；
を含み、凹溝３２に載せられる陽極ワイヤ２０先端と相
応する陽極リードフレーム３０とを熱源により溶融し前
記陽極ワイヤ２０と陽極リードフレーム３０とを溶接連
結して、溶接の際コンデンサ素子側への熱伝達を最小化
し、製造工程を単純化させ、限られた内部空間において
コンデンサ素子が占める占有空間を広めてコンデンサ素
子の容量を拡大させ得るものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ素子と
リードフレームの組立にあたってコンデンサ素子側への
熱伝達を最小化し、製造工程を単純化させ、限られた内
部空間にコンデンサ素子が占める占有空間を相対的に広
めてコンデンサ素子の容量を拡大するよう改善した固体
電解コンデンサに関するものである。
リードフレームの組立にあたってコンデンサ素子側への
熱伝達を最小化し、製造工程を単純化させ、限られた内
部空間にコンデンサ素子が占める占有空間を相対的に広
めてコンデンサ素子の容量を拡大するよう改善した固体
電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、固体電解コンデンサは電気を蓄
積する機能の他に直流電流を遮断して交流電流を通過さ
せる目的からも用いられる電子部品であり、こうした固
体電解コンデンサで最も代表的なタンタルコンデンサは
一般産業機器用はもちろん定格電圧使用範囲の低い応用
回路にも用いられ、とりわけ周波数特性が問題となる回
路や携帯通信機器の雑音(NOISE)減少のためによく使わ
れる。
積する機能の他に直流電流を遮断して交流電流を通過さ
せる目的からも用いられる電子部品であり、こうした固
体電解コンデンサで最も代表的なタンタルコンデンサは
一般産業機器用はもちろん定格電圧使用範囲の低い応用
回路にも用いられ、とりわけ周波数特性が問題となる回
路や携帯通信機器の雑音(NOISE)減少のためによく使わ
れる。
【０００３】かかるコンデンサ１００は図１２ないし図
１５に示すように、コンデンサの容量及び特性を決定す
る誘電体粉末素材から成るコンデンサ素子１１０、印刷
回路基板(Printed Circuit Board；ＰＣＢ)(以下、基板
という)に容易に装着されるよう前記コンデンサ素子１
１０に連結される陽極、陰極リードフレーム１３０、１
４０、及び前記コンデンサ素子１１０を外部環境から保
護するエポキシケース１５０から成る。
１５に示すように、コンデンサの容量及び特性を決定す
る誘電体粉末素材から成るコンデンサ素子１１０、印刷
回路基板(Printed Circuit Board；ＰＣＢ)(以下、基板
という)に容易に装着されるよう前記コンデンサ素子１
１０に連結される陽極、陰極リードフレーム１３０、１
４０、及び前記コンデンサ素子１１０を外部環境から保
護するエポキシケース１５０から成る。
【０００４】そして、前記コンデンサ１００を製造する
工程は、プレス工程において誘電体粉末を直方体状に成
形して焼結し、化成工程を施しながら外部面に誘電体皮
膜を形成した後、窒酸マンガン水溶液に含浸しその外部
面に固体電解質から成る二酸化マンガン層を熱分解によ
り形成させる。
工程は、プレス工程において誘電体粉末を直方体状に成
形して焼結し、化成工程を施しながら外部面に誘電体皮
膜を形成した後、窒酸マンガン水溶液に含浸しその外部
面に固体電解質から成る二酸化マンガン層を熱分解によ
り形成させる。
【０００５】前記のように製造されたコンデンサ素子１
１０に陽極、陰極リードフレーム１３０、１４０を連結
する工程は、前記コンデンサ素子１１０の一側面に一定
の長さが突出している棒状の陽極ワイヤ１２０と板状の
陽極リードフレーム１３０とを電気スポット(spot)溶接
方式で溶接し陽極端子を引出す作業と、前記コンデンサ
素子１１０の外部面に塗布したカーボン粉末、銀粉末の
ような導電性接着剤を介して陰極リードフレーム１４０
をハンダ付けし陰極端子を引出す作業とで成る。
１０に陽極、陰極リードフレーム１３０、１４０を連結
する工程は、前記コンデンサ素子１１０の一側面に一定
の長さが突出している棒状の陽極ワイヤ１２０と板状の
陽極リードフレーム１３０とを電気スポット(spot)溶接
方式で溶接し陽極端子を引出す作業と、前記コンデンサ
素子１１０の外部面に塗布したカーボン粉末、銀粉末の
ような導電性接着剤を介して陰極リードフレーム１４０
をハンダ付けし陰極端子を引出す作業とで成る。
【０００６】そして、前記陽極、陰極リードフレーム１
３０、１４０に各々電気的に連結されたコンデンサ素子
１１０は、外装工程においてエポキシパウダーにコーテ
ィングしてエポキシケース１５０を形成し、マーキング
工程を経てコンデンサ１００に完成される。
３０、１４０に各々電気的に連結されたコンデンサ素子
１１０は、外装工程においてエポキシパウダーにコーテ
ィングしてエポキシケース１５０を形成し、マーキング
工程を経てコンデンサ１００に完成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記陽極ワ
イヤ１２０と陽極リードフレーム１３０を上、下電極１
６１、１６２に接触させ溶接連結する従来の方法は、電
気溶接前に前記陽極ワイヤ１２０の外部面に偏平な圧空
面１２２を形成するベンディング工程が必ず伴うことに
なるが(これは陽極ワイヤ１２０と陽極リードフレーム
１３０との接触率を高めながら溶接の際の左右揺れを防
止するためにである)、かかるベンディング工程の際、
前記陽極ワイヤ１２０を通してコンデンサ素子１１０に
伝わる機械的な外部衝撃によって誘電体層が破壊され、
これにより製品の電気的特性であるＬＣ値が不良になる
一方、ベンディング工程によりコンデンサ１００の製造
原価が上昇してしまう問題があった。
イヤ１２０と陽極リードフレーム１３０を上、下電極１
６１、１６２に接触させ溶接連結する従来の方法は、電
気溶接前に前記陽極ワイヤ１２０の外部面に偏平な圧空
面１２２を形成するベンディング工程が必ず伴うことに
なるが(これは陽極ワイヤ１２０と陽極リードフレーム
１３０との接触率を高めながら溶接の際の左右揺れを防
止するためにである)、かかるベンディング工程の際、
前記陽極ワイヤ１２０を通してコンデンサ素子１１０に
伝わる機械的な外部衝撃によって誘電体層が破壊され、
これにより製品の電気的特性であるＬＣ値が不良になる
一方、ベンディング工程によりコンデンサ１００の製造
原価が上昇してしまう問題があった。
【０００８】また、前記陽極ワイヤ１２０と陽極リード
フレーム１３０とを鉛や錫など溶接母材を追加して電気
溶接してから製造したコンデンサをセット製品に装着し
て使用する過程で高温が発生するが、この際生じる高温
によりワイヤとフレームの間の溶接された溶接母材が溶
けてオープン不良を招く。
フレーム１３０とを鉛や錫など溶接母材を追加して電気
溶接してから製造したコンデンサをセット製品に装着し
て使用する過程で高温が発生するが、この際生じる高温
によりワイヤとフレームの間の溶接された溶接母材が溶
けてオープン不良を招く。
【０００９】さらに、前記コンデンサ素子１１０の下部
外部面と陰極リードフレーム１４０の上部面とを導電性
接着剤を介してハンダ付けする従来の方法は、予め設定
されるエポキシケース１５０の限られた空間内に載置さ
れた前記コンデンサ素子１１０の占有空間が前記導電性
接着剤の塗布厚さと前記陰極リードフレーム１４０の板
厚さとにより相対的に縮小され前記コンデンサ素子１１
０の体積が小さくなる。このことからコンデンサ１００
の静電容量が減少してインピーダンス値が高くなるとい
う問題が生じる。
外部面と陰極リードフレーム１４０の上部面とを導電性
接着剤を介してハンダ付けする従来の方法は、予め設定
されるエポキシケース１５０の限られた空間内に載置さ
れた前記コンデンサ素子１１０の占有空間が前記導電性
接着剤の塗布厚さと前記陰極リードフレーム１４０の板
厚さとにより相対的に縮小され前記コンデンサ素子１１
０の体積が小さくなる。このことからコンデンサ１００
の静電容量が減少してインピーダンス値が高くなるとい
う問題が生じる。
【００１０】一方、ベンディング工程を伴う電気スポッ
ト溶接方法の代わりに前記コンデンサ素子１１０の陽極
ワイヤ１２０と陽極リードフレーム１３０との溶接部を
レーザービームにより溶接するレーザー溶接法が知られ
ている。これは図１６（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、陽
極リードフレーム１３０の一端を垂直に設け、該上端に
Ｖ字形に切り取ったノッチ部１３２を形成し、前記コン
デンサ素子１１０の陽極ワイヤ１２０を該ノッチ部１３
２に載せてから、前記フレーム１３０の左右両翼部分を
レーザービームで溶かして溶接するものである。
ト溶接方法の代わりに前記コンデンサ素子１１０の陽極
ワイヤ１２０と陽極リードフレーム１３０との溶接部を
レーザービームにより溶接するレーザー溶接法が知られ
ている。これは図１６（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、陽
極リードフレーム１３０の一端を垂直に設け、該上端に
Ｖ字形に切り取ったノッチ部１３２を形成し、前記コン
デンサ素子１１０の陽極ワイヤ１２０を該ノッチ部１３
２に載せてから、前記フレーム１３０の左右両翼部分を
レーザービームで溶かして溶接するものである。
【００１１】しかし、かかる従来のレーザー溶接法を用
いて陽極リードフレーム１３０と陽極ワイヤ１２０とを
溶接する場合、前記フレーム１３０の左右両翼部分を溶
かすためにレーザービームを同時に両方に照射しなけれ
ばならず、溶接工程がとても複雑になる。また、前記レ
ーザービームの照射部位が陽極リードフレーム１３０の
厚さに該当する前記ノッチ部１３２の切断面に限られ溶
接面積が狭いため、溶接効率を高めるべくレーザー溶接
機のパワーを高くしなければならず、この際飛び散るス
パーク(spark)がコンデンサ素子１１０に付いて破損を
蒙る恐れがあった。更に、前記陽極リードフレーム１３
０の外部表面は通常濃い灰色となっておりレーザー溶接
の際にレーザービーム吸収率が高く溶接特性が良いが、
前記ノッチ部１３２を形成すべくＶ-カッティングした
部分は内部がメタリックな色を帯びるのでレーザー溶接
の際にレーザービーム吸収率は下がり反射率は高まって
溶接特性が低下するようになる。
いて陽極リードフレーム１３０と陽極ワイヤ１２０とを
溶接する場合、前記フレーム１３０の左右両翼部分を溶
かすためにレーザービームを同時に両方に照射しなけれ
ばならず、溶接工程がとても複雑になる。また、前記レ
ーザービームの照射部位が陽極リードフレーム１３０の
厚さに該当する前記ノッチ部１３２の切断面に限られ溶
接面積が狭いため、溶接効率を高めるべくレーザー溶接
機のパワーを高くしなければならず、この際飛び散るス
パーク(spark)がコンデンサ素子１１０に付いて破損を
蒙る恐れがあった。更に、前記陽極リードフレーム１３
０の外部表面は通常濃い灰色となっておりレーザー溶接
の際にレーザービーム吸収率が高く溶接特性が良いが、
前記ノッチ部１３２を形成すべくＶ-カッティングした
部分は内部がメタリックな色を帯びるのでレーザー溶接
の際にレーザービーム吸収率は下がり反射率は高まって
溶接特性が低下するようになる。
【００１２】こうして、レーザー溶接機のパワーを上げ
ることになるが、これは電源使用量を増加させ、増加し
ただけコンデンサ素子１１０に伝わる熱衝撃及びスパー
ク発生量が多くなり素子破損を加重させてしまう問題を
抱えていた。
ることになるが、これは電源使用量を増加させ、増加し
ただけコンデンサ素子１１０に伝わる熱衝撃及びスパー
ク発生量が多くなり素子破損を加重させてしまう問題を
抱えていた。
【００１３】したがって、本発明は、このような従来の
課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ベンデ
ィング工程を省き、コンデンサ素子側への熱伝達を最小
化させ安定した電気特性が得られ、製品信頼度を高める
ことができ、製造工程を簡素化して製造原価をダウンさ
せ得る固体電解コンデンサを提供することにある。
課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ベンデ
ィング工程を省き、コンデンサ素子側への熱伝達を最小
化させ安定した電気特性が得られ、製品信頼度を高める
ことができ、製造工程を簡素化して製造原価をダウンさ
せ得る固体電解コンデンサを提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、エポキシケース内部
の限られた内部空間においてコンデンサ素子が占める占
有空間を広めてコンデンサ素子の容量を充分拡大させ得
る固体電解コンデンサを提供することにある。
の限られた内部空間においてコンデンサ素子が占める占
有空間を広めてコンデンサ素子の容量を充分拡大させ得
る固体電解コンデンサを提供することにある。
【００１５】本発明のさらに異なる目的は、陽極ワイヤ
の左右揺れを安定的に防止してリードフレームと陽極ワ
イヤとの溶接効率性を向上させ得る固体電解コンデンサ
を提供することにある。
の左右揺れを安定的に防止してリードフレームと陽極ワ
イヤとの溶接効率性を向上させ得る固体電解コンデンサ
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、コンデンサ素子；前記コンデンサ素子の
一側から一定の長さが延長された陽極ワイヤ；前記陽極
ワイヤの先端一部を載せる凹溝が一端に凹設され、他端
は基板に実装されるよう陽極端子に引出される陽極リー
ドフレーム；前記コンデンサ素子の外部面に一端が付着
され、他端は基板に実装されるよう陰極端子に引出され
る陰極リードフレーム；前記コンデンサ素子及び陽極、
陰極リードフレームを覆って保護するエポキシケース；
を含み、前記凹溝に載せられる陽極ワイヤの先端と相応
する陽極リードフレームとを熱源により溶融して前記陽
極ワイヤと陽極リードフレームとを溶接連結することを
特徴とする固体電解コンデンサを具備する。前記熱源
は、前記凹溝の直上部に配置されたレーザー溶接機から
照射され前記陽極リードフレームを溶融させるレーザー
ビームであることを要旨とする。前記熱源は、前記陽極
リードフレームの下部に配置されたレーザー溶接機から
照射され前記陽極リードフレームを溶融させるレーザー
ビームであることを要旨とする。前記陽極リードフレー
ムは、前記陽極ワイヤの溶融点より低い溶融点を有する
金属材料から成ることを要旨とする。前記陰極リードフ
レームは、前記コンデンサ素子の他側垂直面と導電性接
着剤を介して面接触する接触板を一端に設けることを要
旨とする。前記接触板は、前記陰極リードフレームの一
端表面上に「コ」の字形で表れるカッティングラインに沿
って切取られた切断部位を９０°上方に折り曲げ、前記
カッティングラインの終端を境界に前記陰極リードフレ
ームの端部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断面状に構成
されることを要旨とする。前記凹溝は、陽極ワイヤの外
周面と面接触するよう円弧断面状に形成されることを要
旨とする。前記凹溝は、陽極ワイヤの外周面と少なくと
も二箇所以上点接触する多角断面状に形成されることを
要旨とする。前記凹溝の深さは、前記凹溝に載せられる
陽極ワイヤの上部外部面の一部が外部に突出するよう前
記陽極ワイヤの外径より小さい寸法に構成されることを
要旨とする。前記凹溝上に載せられる陽極ワイヤは、前
記凹溝の断面と同一断面状に成ることを要旨とする。
に、本発明は、コンデンサ素子；前記コンデンサ素子の
一側から一定の長さが延長された陽極ワイヤ；前記陽極
ワイヤの先端一部を載せる凹溝が一端に凹設され、他端
は基板に実装されるよう陽極端子に引出される陽極リー
ドフレーム；前記コンデンサ素子の外部面に一端が付着
され、他端は基板に実装されるよう陰極端子に引出され
る陰極リードフレーム；前記コンデンサ素子及び陽極、
陰極リードフレームを覆って保護するエポキシケース；
を含み、前記凹溝に載せられる陽極ワイヤの先端と相応
する陽極リードフレームとを熱源により溶融して前記陽
極ワイヤと陽極リードフレームとを溶接連結することを
特徴とする固体電解コンデンサを具備する。前記熱源
は、前記凹溝の直上部に配置されたレーザー溶接機から
照射され前記陽極リードフレームを溶融させるレーザー
ビームであることを要旨とする。前記熱源は、前記陽極
リードフレームの下部に配置されたレーザー溶接機から
照射され前記陽極リードフレームを溶融させるレーザー
ビームであることを要旨とする。前記陽極リードフレー
ムは、前記陽極ワイヤの溶融点より低い溶融点を有する
金属材料から成ることを要旨とする。前記陰極リードフ
レームは、前記コンデンサ素子の他側垂直面と導電性接
着剤を介して面接触する接触板を一端に設けることを要
旨とする。前記接触板は、前記陰極リードフレームの一
端表面上に「コ」の字形で表れるカッティングラインに沿
って切取られた切断部位を９０°上方に折り曲げ、前記
カッティングラインの終端を境界に前記陰極リードフレ
ームの端部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断面状に構成
されることを要旨とする。前記凹溝は、陽極ワイヤの外
周面と面接触するよう円弧断面状に形成されることを要
旨とする。前記凹溝は、陽極ワイヤの外周面と少なくと
も二箇所以上点接触する多角断面状に形成されることを
要旨とする。前記凹溝の深さは、前記凹溝に載せられる
陽極ワイヤの上部外部面の一部が外部に突出するよう前
記陽極ワイヤの外径より小さい寸法に構成されることを
要旨とする。前記凹溝上に載せられる陽極ワイヤは、前
記凹溝の断面と同一断面状に成ることを要旨とする。
【００１７】また、上記目的を達成するため、本発明
は、コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子の一側から
一定の長さが延長された陽極ワイヤと、前記陽極ワイヤ
の先端部に一端が接触し、他端が基板に実装されるよう
陽極端子に引出される陽極リードフレームと、前記コン
デンサ素子の他側垂直面と面接触する接触板を有し、他
端が基板に実装されるよう陰極端子に引出される陰極リ
ードフレームを含み、前記接触板は前記陰極リードフレ
ームの一端表面上に「コ」の字形で表われるカッティング
ラインに沿って切取られた切断部位を９０°上方に折り
曲げ、前記カッティングラインの終端を境界に前記陰極
リードフレームの端部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断
面状に構成され、前記コンデンサ素子及び陽・陰極リー
ドフレームを覆って保護するエポキシケースとを備えた
ことを要旨とする。
は、コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子の一側から
一定の長さが延長された陽極ワイヤと、前記陽極ワイヤ
の先端部に一端が接触し、他端が基板に実装されるよう
陽極端子に引出される陽極リードフレームと、前記コン
デンサ素子の他側垂直面と面接触する接触板を有し、他
端が基板に実装されるよう陰極端子に引出される陰極リ
ードフレームを含み、前記接触板は前記陰極リードフレ
ームの一端表面上に「コ」の字形で表われるカッティング
ラインに沿って切取られた切断部位を９０°上方に折り
曲げ、前記カッティングラインの終端を境界に前記陰極
リードフレームの端部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断
面状に構成され、前記コンデンサ素子及び陽・陰極リー
ドフレームを覆って保護するエポキシケースとを備えた
ことを要旨とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてより詳しく
説明する。図１は本発明による固体電解コンデンサの第
１実施の形態を示す斜視図、図２は本発明による固体電
解コンデンサの第１実施の形態を示す断面図、図３は本
発明による固体電解コンデンサの第１実施の形態を示す
平面図、図４は本発明による固体電解コンデンサの第１
実施の形態を示す製品図である。
説明する。図１は本発明による固体電解コンデンサの第
１実施の形態を示す斜視図、図２は本発明による固体電
解コンデンサの第１実施の形態を示す断面図、図３は本
発明による固体電解コンデンサの第１実施の形態を示す
平面図、図４は本発明による固体電解コンデンサの第１
実施の形態を示す製品図である。
【００１９】本発明の固体電解コンデンサ１は、図１な
いし図４に示すように、コンデンサ素子１０と陽極、陰
極リードフレーム３０、４０とを電気的に溶接連結する
構造を改善して前記コンデンサ素子１０の電気特性を安
定化し、限られた空間においてコンデンサ素子１０の容
積を相対的に広め容量を拡大させるものである。
いし図４に示すように、コンデンサ素子１０と陽極、陰
極リードフレーム３０、４０とを電気的に溶接連結する
構造を改善して前記コンデンサ素子１０の電気特性を安
定化し、限られた空間においてコンデンサ素子１０の容
積を相対的に広め容量を拡大させるものである。
【００２０】かかるコンデンサ素子１０はタンタル酸化
物(Ｔａ２Ｏ２)粉末を直方体状に圧縮成形して製造した
誘電体素子で、前記陽極、陰極リードフレーム３０、４
０は電気通電に優れた金属材料から成る端子部材であ
る。そして、前記コンデンサ素子１０の一側面中央には
そこから一定の長さが延長された陽極ワイヤ２０を設け
る。ここで、固体電解コンデンサに用いるコンデンサ素
子としては、ニオブ(Ｎｂ)酸化物など他の素材も選択的
に使用することができ、タンタル(Ｔａ)に限られるわけ
ではない。
物(Ｔａ２Ｏ２)粉末を直方体状に圧縮成形して製造した
誘電体素子で、前記陽極、陰極リードフレーム３０、４
０は電気通電に優れた金属材料から成る端子部材であ
る。そして、前記コンデンサ素子１０の一側面中央には
そこから一定の長さが延長された陽極ワイヤ２０を設け
る。ここで、固体電解コンデンサに用いるコンデンサ素
子としては、ニオブ(Ｎｂ)酸化物など他の素材も選択的
に使用することができ、タンタル(Ｔａ)に限られるわけ
ではない。
【００２１】さらに、前記陽極ワイヤ２０に対応する陽
極リードフレーム３０の一端には前記陽極ワイヤ２０の
先端一部を載せて安着する凹溝３２が凹設され、前記陽
極フレーム３０の他端は基板に実装されるよう陽極端子
に引出される。ここで、前記凹溝３２は陽極リードフレ
ーム成形の際に下方に凹むようプレス加工される。
極リードフレーム３０の一端には前記陽極ワイヤ２０の
先端一部を載せて安着する凹溝３２が凹設され、前記陽
極フレーム３０の他端は基板に実装されるよう陽極端子
に引出される。ここで、前記凹溝３２は陽極リードフレ
ーム成形の際に下方に凹むようプレス加工される。
【００２２】そして、前記陽極リードフレーム３０の正
反対側に設けられる陰極リードフレーム４０は前記コン
デンサ素子１０の外部面に導電性接着剤を介して一端が
付着され他端は基板に実装されるよう陰極端子に引出さ
れ、前記コンデンサ素子１０及び陽極、陰極リードフレ
ーム３０、４０はエポキシケース５０によって覆われ保
護される。
反対側に設けられる陰極リードフレーム４０は前記コン
デンサ素子１０の外部面に導電性接着剤を介して一端が
付着され他端は基板に実装されるよう陰極端子に引出さ
れ、前記コンデンサ素子１０及び陽極、陰極リードフレ
ーム３０、４０はエポキシケース５０によって覆われ保
護される。
【００２３】さらに、前記陽極ワイヤ２０は前記陽極リ
ードフレーム３０の垂直面に当接するよう前記凹溝３２
に載せられ、前記凹溝３２に陽極ワイヤ２０が載せられ
た状態でレーザー溶接機から発生したレーザービームを
前記陽極ワイヤ２０の先端部と相応する陽極リードフレ
ーム３０部位とに集中照射して高温の熱源を提供する。
ードフレーム３０の垂直面に当接するよう前記凹溝３２
に載せられ、前記凹溝３２に陽極ワイヤ２０が載せられ
た状態でレーザー溶接機から発生したレーザービームを
前記陽極ワイヤ２０の先端部と相応する陽極リードフレ
ーム３０部位とに集中照射して高温の熱源を提供する。
【００２４】続いて、前記陽極リードフレーム３０は、
前記陽極ワイヤ２０を構成するタンタル素材より溶融点
の低い鉄のような金属素材から成っているため、前記陽
極ワイヤ２０の先端と相応する陽極リードフレーム３０
とに照射される熱源により前記陽極リードフレーム３０
の垂直面一部が溶融され、溶融されたフレーム溶融物に
よって相互に向き合う陽極ワイヤ２０と陽極リードフレ
ーム３０とが簡便に溶接連結されるのである。
前記陽極ワイヤ２０を構成するタンタル素材より溶融点
の低い鉄のような金属素材から成っているため、前記陽
極ワイヤ２０の先端と相応する陽極リードフレーム３０
とに照射される熱源により前記陽極リードフレーム３０
の垂直面一部が溶融され、溶融されたフレーム溶融物に
よって相互に向き合う陽極ワイヤ２０と陽極リードフレ
ーム３０とが簡便に溶接連結されるのである。
【００２５】こうして、前記陽極ワイヤ２０の先端と陽
極リードフレーム３０とが鉛のような溶接母剤を必要と
せずに溶融されたフレーム溶融物により直接連結される
ことにより、本発明のコンデンサを用いたセット製品使
用の際に発生する高温によって溶けたり、ひいてはオー
プンされる不良を予め防止できるようになる。
極リードフレーム３０とが鉛のような溶接母剤を必要と
せずに溶融されたフレーム溶融物により直接連結される
ことにより、本発明のコンデンサを用いたセット製品使
用の際に発生する高温によって溶けたり、ひいてはオー
プンされる不良を予め防止できるようになる。
【００２６】さらに、レーザー溶接の際に発生する熱が
陽極ワイヤ２０の端部面を通してコンデンサ素子１０ま
で伝わる経路が長く、前記陽極ワイヤ２０の外部面ほと
んどが凹溝３２により覆われることから、溶接部位にお
いて発生した熱が吸収され前記コンデンサ素子１０側へ
伝われ難しくなり、 前記コンデンサ素子１０の熱衝撃
を最小化することができる。そして、エポキシケース５
０内部の限られた空間において陽極ワイヤ２０の先端部
が陽極リードフレーム３０上に電気溶接される従来構造
に比べて、前記陽極ワイヤ２０の長さを減らしただけコ
ンデンサ素子１０の形成長さを伸ばして容積を増大させ
ることで、同一条件においてコンデンサ素子１０の容量
を拡大させ得るのである。
陽極ワイヤ２０の端部面を通してコンデンサ素子１０ま
で伝わる経路が長く、前記陽極ワイヤ２０の外部面ほと
んどが凹溝３２により覆われることから、溶接部位にお
いて発生した熱が吸収され前記コンデンサ素子１０側へ
伝われ難しくなり、 前記コンデンサ素子１０の熱衝撃
を最小化することができる。そして、エポキシケース５
０内部の限られた空間において陽極ワイヤ２０の先端部
が陽極リードフレーム３０上に電気溶接される従来構造
に比べて、前記陽極ワイヤ２０の長さを減らしただけコ
ンデンサ素子１０の形成長さを伸ばして容積を増大させ
ることで、同一条件においてコンデンサ素子１０の容量
を拡大させ得るのである。
【００２７】また、前記レーザー溶接機は前記陽極ワイ
ヤ２０の中心(Ｏ)と直交する垂直線(Ｐ)上に配置され前
記陽極ワイヤ２０の先端に対応する陽極リードフレーム
３０の垂直面を溶融する熱源を提供する。この場合、前
記凹溝３２に載せられた陽極ワイヤ２０の中心(Ｏ)はレ
ーザー溶接機から照射される熱源であるレーザービーム
の中心と相互に一致して陽極リードフレーム３０を溶融
させる熱源集中度を高め溶接作業が精密に行えられる。
ヤ２０の中心(Ｏ)と直交する垂直線(Ｐ)上に配置され前
記陽極ワイヤ２０の先端に対応する陽極リードフレーム
３０の垂直面を溶融する熱源を提供する。この場合、前
記凹溝３２に載せられた陽極ワイヤ２０の中心(Ｏ)はレ
ーザー溶接機から照射される熱源であるレーザービーム
の中心と相互に一致して陽極リードフレーム３０を溶融
させる熱源集中度を高め溶接作業が精密に行えられる。
【００２８】さらに、前記レーザー溶接機は前記陽極ワ
イヤ２０の下方に配置され前記陽極ワイヤ２０の先端が
載せられる凹溝３２の下部外部面に矢印方向(Ｗ)に熱源
を与える。そうすると、レーザー溶接機から照射される
レーザービームの熱源により溶接にあたってスパークが
起きても前記コンデンサ素子１０側へ飛び散るのを陽極
リードフレーム３０が遮断して前記コンデンサ素子１０
の破損を防止できる。
イヤ２０の下方に配置され前記陽極ワイヤ２０の先端が
載せられる凹溝３２の下部外部面に矢印方向(Ｗ)に熱源
を与える。そうすると、レーザー溶接機から照射される
レーザービームの熱源により溶接にあたってスパークが
起きても前記コンデンサ素子１０側へ飛び散るのを陽極
リードフレーム３０が遮断して前記コンデンサ素子１０
の破損を防止できる。
【００２９】一方、前記凹溝３２は、上部から下部に加
圧される一定の強さの外力で押さえられ凹設され、レー
ザー溶接の際に前記陽極ワイヤ２０の左右揺れを防いで
より精密に溶接できるよう前記陽極ワイヤ２０の先端一
部が安着される構成要素であり、その形成位置はレーザ
ー溶接機のレーザービームのような熱源の中心と垂直線
上で一致する陽極リードフレーム３０の一端部の幅方向
中央に凹設されることが好ましい。
圧される一定の強さの外力で押さえられ凹設され、レー
ザー溶接の際に前記陽極ワイヤ２０の左右揺れを防いで
より精密に溶接できるよう前記陽極ワイヤ２０の先端一
部が安着される構成要素であり、その形成位置はレーザ
ー溶接機のレーザービームのような熱源の中心と垂直線
上で一致する陽極リードフレーム３０の一端部の幅方向
中央に凹設されることが好ましい。
【００３０】かかる凹溝３２は、図５(Ａ)、(Ｂ)に示す
ように、棒状の陽極ワイヤ２０の外周面と面接触するよ
う円弧断面状に形成するか、図６(Ａ)、(Ｂ)と図７
(Ａ)、(Ｂ)に示すように、棒状の陽極ワイヤ２０の外周
面と少なくとも二箇所以上点接触するよう三角または四
角形の多角断面状に形成する。さらに、前記凹溝３２に
載せられる陽極ワイヤ２０はその外部面と前記凹溝３２
の内部面との接触面積を広めて溶接の際の熱吸収能を向
上すべく前記凹溝３２の断面状とほぼ同じ断面状に形成
してもよい。
ように、棒状の陽極ワイヤ２０の外周面と面接触するよ
う円弧断面状に形成するか、図６(Ａ)、(Ｂ)と図７
(Ａ)、(Ｂ)に示すように、棒状の陽極ワイヤ２０の外周
面と少なくとも二箇所以上点接触するよう三角または四
角形の多角断面状に形成する。さらに、前記凹溝３２に
載せられる陽極ワイヤ２０はその外部面と前記凹溝３２
の内部面との接触面積を広めて溶接の際の熱吸収能を向
上すべく前記凹溝３２の断面状とほぼ同じ断面状に形成
してもよい。
【００３１】そして、前記凹溝３２の深さ(ｈ)は、これ
に載せられる陽極ワイヤ２０の上部外部面一部が外部に
突出するよう前記陽極ワイヤ２０の外径(ｄ)より小さい
寸法にする。また、前記陽極ワイヤ２０の外径(ｄ)は前
記凹溝３２の幅(ｂ)より小さい寸法とすることが好まし
い。そうすると、レーザー溶接の際、溶融されたフレー
ム溶融物が前記陽極ワイヤ２０の左右両側に溢れる溶接
不良が無く前記陽極ワイヤ２０と陽極リードフレーム３
０との間に円滑に流れ込み溶接性を向上できるのであ
る。
に載せられる陽極ワイヤ２０の上部外部面一部が外部に
突出するよう前記陽極ワイヤ２０の外径(ｄ)より小さい
寸法にする。また、前記陽極ワイヤ２０の外径(ｄ)は前
記凹溝３２の幅(ｂ)より小さい寸法とすることが好まし
い。そうすると、レーザー溶接の際、溶融されたフレー
ム溶融物が前記陽極ワイヤ２０の左右両側に溢れる溶接
不良が無く前記陽極ワイヤ２０と陽極リードフレーム３
０との間に円滑に流れ込み溶接性を向上できるのであ
る。
【００３２】図８は本発明による固体電解コンデンサの
第２実施の形態を示す斜視図、図９は本発明による固体
電解コンデンサの第２実施の形態を示す断面図、図１０
は本発明による固体電解コンデンサの第２実施の形態を
示す平面図、図１１は本発明による固体電解コンデンサ
の第２実施の形態を示す側面図である。
第２実施の形態を示す斜視図、図９は本発明による固体
電解コンデンサの第２実施の形態を示す断面図、図１０
は本発明による固体電解コンデンサの第２実施の形態を
示す平面図、図１１は本発明による固体電解コンデンサ
の第２実施の形態を示す側面図である。
【００３３】本発明の他の実施の形態である固体電解コ
ンデンサ１ａは、図８ないし図１１に示すように、陰極
端子に引出される陰極リードフレーム４０が前記コンデ
ンサ素子１０の他側端部におけるほぼ全ての垂直面と導
電性接着剤を介して面接触するよう偏平な接触板４２を
一端に設ける。そして、前記接触板４２は、前記陰極リ
ードフレーム４０の一端表面上に「コ」の字形で形成され
るカッティングライン４４に沿って切取られた切断部位
を９０°上方に折り曲げ、 前記カッティングライン４
４の終端を境界として前記陰極リードフレーム４０の端
部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断面状とする。
ンデンサ１ａは、図８ないし図１１に示すように、陰極
端子に引出される陰極リードフレーム４０が前記コンデ
ンサ素子１０の他側端部におけるほぼ全ての垂直面と導
電性接着剤を介して面接触するよう偏平な接触板４２を
一端に設ける。そして、前記接触板４２は、前記陰極リ
ードフレーム４０の一端表面上に「コ」の字形で形成され
るカッティングライン４４に沿って切取られた切断部位
を９０°上方に折り曲げ、 前記カッティングライン４
４の終端を境界として前記陰極リードフレーム４０の端
部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断面状とする。
【００３４】そうすると、前記接触板４２が前記コンデ
ンサ素子１０の他側端部のほぼ全ての垂直面と面接触し
て広い接触面積を形成することにより、短絡を防止する
ことができる。そして、エポキシケース５０内部の限ら
れた空間において陰極リードフレーム１４０の一端部が
コンデンサ素子１１０の水平下部面にハンダ付けされる
従来の構造に比して、前記コンデンサ素子１０の形成高
さを高め容積を増大させることにより同一条件において
コンデンサ素子１０の容量を拡大させ得るのである。
ンサ素子１０の他側端部のほぼ全ての垂直面と面接触し
て広い接触面積を形成することにより、短絡を防止する
ことができる。そして、エポキシケース５０内部の限ら
れた空間において陰極リードフレーム１４０の一端部が
コンデンサ素子１１０の水平下部面にハンダ付けされる
従来の構造に比して、前記コンデンサ素子１０の形成高
さを高め容積を増大させることにより同一条件において
コンデンサ素子１０の容量を拡大させ得るのである。
【００３５】また、前記陽極ワイヤ２０と陽極リードフ
レーム３０との溶接作業は前記コンデンサ素子１０と陰
極リードフレーム４０とのハンダ付け作業後に行うこと
が好ましく、その場合、溶接にあたって前記陽極ワイヤ
２０と陽極リードフレーム３０との間に流れ込んだフレ
ーム溶融物によって前記コンデンサ素子１０が長さ方向
に押され変形することを最小化して精密組立を可能にす
る。
レーム３０との溶接作業は前記コンデンサ素子１０と陰
極リードフレーム４０とのハンダ付け作業後に行うこと
が好ましく、その場合、溶接にあたって前記陽極ワイヤ
２０と陽極リードフレーム３０との間に流れ込んだフレ
ーム溶融物によって前記コンデンサ素子１０が長さ方向
に押され変形することを最小化して精密組立を可能にす
る。
【００３６】
【発明の効果】上述したとおり本発明によると、陽極ワ
イヤを陽極フレームの凹溝に左右揺れ無く載せレーザー
ビームなどの熱源で溶接することにより、従来の電気ス
ポット溶接に伴うベンディング作業を省き製造原価を下
げ、価格競争力を高めることができる。そして、溶接の
際に生じた熱を吸収してコンデンサ素子側への熱伝達を
最小化させて機械的な外部衝撃を防止することにより、
コンデンサ素子の電気特性を安定化させて製品の信頼性
を高めることができる。さらに、コンデンサ素子を保護
するエポキシケース内部の制限された内部空間において
コンデンサ素子が占める占有空間を広めることにより、
コンデンサ素子の内部容積率を相対的に高めて容量を充
分拡大させる効果を奏する。本発明は特定の実施の形態
に係り図示説明したが、前述の請求の範囲から具現され
る本発明の精神や分野を外れない範囲内において本発明
が多様に改造及び変化され得ることは当業界において通
常の知識を有する者にとっては明らかである。
イヤを陽極フレームの凹溝に左右揺れ無く載せレーザー
ビームなどの熱源で溶接することにより、従来の電気ス
ポット溶接に伴うベンディング作業を省き製造原価を下
げ、価格競争力を高めることができる。そして、溶接の
際に生じた熱を吸収してコンデンサ素子側への熱伝達を
最小化させて機械的な外部衝撃を防止することにより、
コンデンサ素子の電気特性を安定化させて製品の信頼性
を高めることができる。さらに、コンデンサ素子を保護
するエポキシケース内部の制限された内部空間において
コンデンサ素子が占める占有空間を広めることにより、
コンデンサ素子の内部容積率を相対的に高めて容量を充
分拡大させる効果を奏する。本発明は特定の実施の形態
に係り図示説明したが、前述の請求の範囲から具現され
る本発明の精神や分野を外れない範囲内において本発明
が多様に改造及び変化され得ることは当業界において通
常の知識を有する者にとっては明らかである。
【図１】本発明による固体電解コンデンサの第１実施の
形態を示す斜視図である。
形態を示す斜視図である。
【図２】本発明による固体電解コンデンサの第１実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図３】本発明による固体電解コンデンサの第１実施の
形態を示す平面図である。
形態を示す平面図である。
【図４】本発明による固体電解コンデンサの第１実施の
形態を示す製品図である。
形態を示す製品図である。
【図５】(Ａ)は本発明による固体電解コンデンサに用い
る円弧形凹溝を示す平面図であり、(Ｂ)は正面図であ
る。
る円弧形凹溝を示す平面図であり、(Ｂ)は正面図であ
る。
【図６】(Ａ)は本発明による固体電解コンデンサに用い
る四角形凹溝を示す平面図であり、(Ｂ)は正面図であ
る。
る四角形凹溝を示す平面図であり、(Ｂ)は正面図であ
る。
【図７】(Ａ)は本発明による固体電解コンデンサに用い
る三角形凹溝を示す平面図であり、(Ｂ)は正面図であ
る。
る三角形凹溝を示す平面図であり、(Ｂ)は正面図であ
る。
【図８】本発明による固体電解コンデンサの第２実施の
形態を示す斜視図である。
形態を示す斜視図である。
【図９】本発明による固体電解コンデンサの第２実施の
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図１０】本発明による固体電解コンデンサの第２実施
の形態を示す平面図である。
の形態を示す平面図である。
【図１１】本発明による固体電解コンデンサの第２実施
の形態を示す側面図である。
の形態を示す側面図である。
【図１２】従来技術による固体電解コンデンサを示す斜
視図である。
視図である。
【図１３】従来技術による固体電解コンデンサを示す断
面図である。
面図である。
【図１４】従来技術による固体電解コンデンサを示す平
面図である。
面図である。
【図１５】従来技術による固体電解コンデンサを示す製
品図である。
品図である。
【図１６】(Ａ)は従来技術による固体電解コンデンサを
ノッチ部を設けたリードフレームに仕組んだ平面図であ
り、(Ｂ)は正面図であり、(Ｃ)は側面図である。
ノッチ部を設けたリードフレームに仕組んだ平面図であ
り、(Ｂ)は正面図であり、(Ｃ)は側面図である。
１０ コンデンサ素子
２０ 陽極ワイヤ
３０ 陽極リードフレーム
３２ 凹溝
４０ 陰極リードフレーム
４２ 接触板
４４ カッティングライン
５０ エポキシケース
ｈ 高さ
ｄ 外径
Claims (11)
- 【請求項１】 コンデンサ素子と、 前記コンデンサ素子の一側から一定の長さが延長された
陽極ワイヤと、 前記陽極ワイヤの先端一部を載せる凹溝が一端に凹設さ
れ、他端は基板に実装されるよう陽極端子に引出される
陽極リードフレームと、 前記コンデンサ素子の外部面に一端が付着され、他端は
基板に実装されるよう陰極端子に引出される陰極リード
フレームと、 前記コンデンサ素子、陽極リードフレーム及び陰極リー
ドフレームを覆って保護するエポキシケースとを含み、 前記凹溝に載せられる陽極ワイヤの先端と相応する陽極
リードフレームとを熱源により溶融して前記陽極ワイヤ
と陽極リードフレームとを溶接連結することを特徴とす
る固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記熱源は、前記凹溝の直上部に配置さ
れたレーザー溶接機から照射され前記陽極リードフレー
ムを溶融させるレーザービームであることを特徴とする
請求項１に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項３】 前記熱源は、前記陽極リードフレームの
下部に配置されたレーザー溶接機から照射され前記陽極
リードフレームを溶融させるレーザービームであること
を特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項４】 前記陽極リードフレームは、前記陽極ワ
イヤの溶融点より低い溶融点を有する金属材料から成る
ことを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデン
サ。 - 【請求項５】 前記陰極リードフレームは、前記コンデ
ンサ素子の他側垂直面と導電性接着剤を介して面接触す
る接触板を一端に設けることを特徴とする請求項１に記
載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項６】 前記接触板は、前記陰極リードフレーム
の一端表面上に「コ」の字形で形成されるカッティングラ
インに沿って切取られた切断部位を９０°上方に折り曲
げ、前記カッティングラインの終端を境界に前記陰極リ
ードフレームの端部を９０°下方に折り曲げて「Ｔ」断面
状に構成されることを特徴とする請求項５に記載の固体
電解コンデンサ。 - 【請求項７】 前記凹溝は、陽極ワイヤの外周面と面接
触するよう円弧断面状に形成されることを特徴とする請
求項１または請求項５に記載の固体電解コンデンサ。 - 【請求項８】 前記凹溝は、陽極ワイヤの外周面と少な
くとも二箇所以上点接触する多角断面状に形成されるこ
とを特徴とする請求項１または請求項５に記載の固体電
解コンデンサ。 - 【請求項９】 前記凹溝の深さは、前記凹溝に載せられ
る陽極ワイヤの上部外部面の一部が外部に突出するよう
前記陽極ワイヤの外径より小さい寸法に形成されること
を特徴とする請求項１または請求項５に記載の固体電解
コンデンサ。 - 【請求項１０】 前記凹溝上に載せられる陽極ワイヤ
は、前記凹溝の断面と同一断面状であることを特徴とす
る請求項１または請求項５に記載の固体電解コンデン
サ。 - 【請求項１１】 コンデンサ素子と、 前記コンデンサ素子の一側から一定の長さが延長された
陽極ワイヤと、 前記陽極ワイヤの先端部に一端が接触し、他端が基板に
実装されるよう陽極端子に引出される陽極リードフレー
ムと、 前記コンデンサ素子の他側垂直面と面接触する接触板を
有し、他端が基板に実装されるよう陰極端子に引出され
る陰極リードフレームを含み、前記接触板は前記陰極リ
ードフレームの一端表面上に「コ」の字形で形成されるカ
ッティングラインに沿って切取られた切断部位を９０°
上方に折り曲げ、前記カッティングラインの終端を境界
に前記陰極リードフレームの端部を９０°下方に折り曲
げて「Ｔ」断面状に構成され、 前記コンデンサ素子、陽極リードフレーム及び陰極リー
ドフレームを覆って保護するエポキシケースと、 を備えたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0028358A KR100466071B1 (ko) | 2002-05-22 | 2002-05-22 | 고체전해 콘덴서 |
| KR2002-28358 | 2002-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347173A true JP2003347173A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29546331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002239254A Pending JP2003347173A (ja) | 2002-05-22 | 2002-08-20 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6665172B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003347173A (ja) |
| KR (1) | KR100466071B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004220A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Fujitsu Ltd | 固体電解コンデンサおよび電源回路 |
| JP2013251543A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Avx Corp | 固体電解コンデンサのためのノッチ付きリード |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199997B1 (en) * | 2000-06-09 | 2007-04-03 | U.S. Nanocorp, Inc. | Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof |
| JP4462830B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2010-05-12 | 三洋電機株式会社 | コンデンサ装置の製造方法 |
| JP2005093591A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| KR100568280B1 (ko) * | 2003-11-14 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
| KR20050071731A (ko) * | 2004-01-02 | 2005-07-08 | 삼성전기주식회사 | 다중 소자를 갖는 고체전해 콘덴서 |
| JP4688583B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-05-25 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2007049509A1 (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
| US8717777B2 (en) | 2005-11-17 | 2014-05-06 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor with a thin film fuse |
| JP4585459B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2010-11-24 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US8379369B2 (en) * | 2006-09-25 | 2013-02-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Base material for solid electrolytic capacitor, capacitor using the base material, and method for manufacturing the capacitor |
| US7532457B2 (en) * | 2007-01-15 | 2009-05-12 | Avx Corporation | Fused electrolytic capacitor assembly |
| JP4895035B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| KR100881138B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2009-02-02 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
| JP5004232B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2012-08-22 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 |
| US8730650B2 (en) * | 2007-11-13 | 2014-05-20 | Voltea Limited | Water purification device |
| JP4868601B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-02-01 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP5020052B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-09-05 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2009170897A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2009164412A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Kobe Steel Ltd | 多孔質金属薄膜およびその製造方法、ならびにコンデンサ |
| CN100528418C (zh) * | 2008-01-11 | 2009-08-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极 |
| US7826200B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-11-02 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse |
| KR101009850B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2011-01-19 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
| US8199462B2 (en) * | 2008-09-08 | 2012-06-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board |
| US8345406B2 (en) * | 2009-03-23 | 2013-01-01 | Avx Corporation | Electric double layer capacitor |
| US8441777B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-05-14 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with facedown terminations |
| US8279583B2 (en) | 2009-05-29 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste |
| TWI421888B (zh) * | 2010-03-05 | 2014-01-01 | Apaq Technology Co Ltd | 具有多端產品引出腳之堆疊式固態電解電容器 |
| US9103358B2 (en) * | 2010-03-16 | 2015-08-11 | Eaton Corporation | Corrosion-resistant position measurement system and method of forming same |
| US8947858B2 (en) * | 2012-04-24 | 2015-02-03 | Avx Corporation | Crimped leadwire for improved contact with anodes of a solid electrolytic capacitor |
| US9776281B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-10-03 | Avx Corporation | Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor |
| US8848343B2 (en) | 2012-10-12 | 2014-09-30 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| US9269499B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-02-23 | Avx Corporation | Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor |
| KR101548865B1 (ko) * | 2014-05-07 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
| JP2015230976A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
| KR20160013746A (ko) | 2014-07-28 | 2016-02-05 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 |
| US9837216B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-12-05 | Avx Corporation | Carrier wire for solid electrolytic capacitors |
| US9842704B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-12-12 | Avx Corporation | Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor |
| US9905368B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-02-27 | Avx Corporation | Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors |
| US9545008B1 (en) | 2016-03-24 | 2017-01-10 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for embedding into a circuit board |
| KR102527714B1 (ko) * | 2016-04-15 | 2023-05-02 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
| JP7215860B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-01-31 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335189A (ja) | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Nec Toyama Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3527531B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2004-05-17 | ローム株式会社 | パッケージ型固体電解コンデンサ |
| JPH08186060A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-07-16 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
| JPH08186061A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH08195330A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Nichicon Corp | チップ状電子部品 |
| JP3359459B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-12-24 | ニチコン株式会社 | チップ状電子部品の製造方法 |
| JP2001267180A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Hitachi Aic Inc | チップ形固体電解コンデンサ |
-
2002
- 2002-05-22 KR KR10-2002-0028358A patent/KR100466071B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-08-13 US US10/216,828 patent/US6665172B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-20 JP JP2002239254A patent/JP2003347173A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004220A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Fujitsu Ltd | 固体電解コンデンサおよび電源回路 |
| JP2013251543A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Avx Corp | 固体電解コンデンサのためのノッチ付きリード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030218858A1 (en) | 2003-11-27 |
| KR20030090303A (ko) | 2003-11-28 |
| KR100466071B1 (ko) | 2005-01-13 |
| US6665172B1 (en) | 2003-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003347173A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP5013772B2 (ja) | 電気二重層キャパシタ | |
| KR100568280B1 (ko) | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| US7453683B2 (en) | Chip-type aluminum electrolytic capacitor | |
| JP5442793B2 (ja) | 端子付電気化学セル | |
| JP2010278458A (ja) | 電気化学セル | |
| JP5108740B2 (ja) | 電気化学デバイス | |
| JP2000058401A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US4907131A (en) | Fused capacitor | |
| JP2007080908A (ja) | 金属化フィルムコンデンサ及びこれを用いたケースモールド型コンデンサ | |
| JP4352802B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2003289023A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2006100658A (ja) | チップ型コンデンサ | |
| JPH0315330B2 (ja) | ||
| KR100730083B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
| JP2006269946A (ja) | キャパシタおよびその製造方法 | |
| US20210287855A1 (en) | Capacitor | |
| JP5546919B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4481757B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP4315757B2 (ja) | パック電池とその製造方法 | |
| JP2002203747A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH113696A (ja) | 電池の端子 | |
| JP2008235412A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH1041193A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH1055938A (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051129 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060227 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060315 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |