JP2003289234A - 弾性表面波装置、通信装置 - Google Patents

弾性表面波装置、通信装置

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Yuichi Takamine
裕一 高峰
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化を図りながら、通過帯域の狭小化を抑
制できて広帯域化を図れる弾性表面波装置及びそれを有
する通信装置を提供する。 【解決手段】 圧電基板１０上に、弾性表面波フィルタ
１、２Ａを複数、互いに中心周波数を異ならせて設け
る。弾性表面波フィルタ１、２Ａの入力端１０１及び出
力端１０２、１０３の少なくとも一方を共通化する。弾
性表面波フィルタ１、２Ａのうち、相対的に中心周波数
の高い側の弾性表面波フィルタ２Ａを、相対的に中心周
波数が低い側の弾性表面波フィルタ１におけるフィルタ
特性の通過帯域内又は通過帯域外の高周波側近傍にてス
プリアスの発生を抑制する、例えばリフレクタが少なく
とも１箇所以上にて、周囲の電極に対して電極指の線幅
又は電極指間隔が異なるように設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタ機能及び
優れた伝送特性を有する弾性表面波装置、並びにそれを
有する通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信装置である携帯電話のフィル
タとして、通過帯域が高くなるに伴い、小型化が可能な
弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタと記す）の
使用が検討されてきた。上記ＳＡＷフィルタは、圧電基
板上に、複数の電極指を交叉させて有するくし型電極部
（すだれ状電極、又はインターディジタルトランスデュ
ーサといい、以下、ＩＤＴと記す）を、複数、弾性表面
波の伝搬方向に沿って有し、さらに上記各ＩＤＴにおけ
る上記伝搬方向に沿った両側（左右）にそれぞれ反射器
（リフレクタ）を備えている。
【０００３】また、近年、携帯電話の高性能化として、
２つ以上の通信システムを備えたマルチバンドに対応し
た携帯電話の検討がなされている。また、例えば日本の
ＰＤＣ８００ＭＨｚ帯の様に、加入者の増加に伴い、複
数の周波数帯を使用するシステムも出てきている。
【０００４】上記のような携帯電話には広帯域の段間用
フィルタが望まれるが、２つ以上のバンドをカバーする
低損失で広帯域なバンドパスフィルタを一つのＳＡＷフ
ィルタにて実現することは困難であった。
【０００５】一方で、複数のバンドバスフィルタとして
のＳＡＷフィルタを複数、例えば２つ組み合わせ、１パ
ッケージ化することにより、前記広帯域のバンドパスフ
ィルタと同等の機能を有する１つの電子部品とすること
が可能である。その際、携帯電話の無線信号部の部品点
数を削減するために、２つのＳＡＷフィルタの入力端及
び出力端の少なくとも一方を共通化する構成がよく用い
られる。
【０００６】本願発明者が出願した特開２００１−３２
６５５７号公報には、中心周波数が互いに異なる２つの
ＳＡＷフィルタの入力端及び出力端を共通化した、２つ
の通過帯域を有する１入力１出力のＰＤＣ８００ＭＨｚ
帯受信用の弾性表面波装置（以下、ＳＡＷデバイスと記
す）が開示されている。
【０００７】上記ＳＡＷデバイスにおいては、図２に示
すように、二つの第一及び第二ＳＡＷフィルタ１、２が
設けられ、第一ＳＡＷフィルタ１は８１０ＭＨｚ〜８４
３ＭＨｚをカバーするように中心周波数が８２６．５Ｍ
Ｈｚとされており、第二ＳＡＷフィルタ２は８７０ＭＨ
ｚ〜８８５ＭＨｚをカバーするように中心周波数が８７
７．５ＭＨｚとされている。つまり、第二ＳＡＷフィル
タ２の方が第一ＳＡＷフィルタ１に対して相対的に中心
周波数が高く設定されている。
【０００８】入力端子３と第一ＳＡＷフィルタ１の入力
端との問には、弾性表面波共振子（以下、ＳＡＷ共振子
と記す）５が第一ＳＡＷフィルタ１に対して直列に接続
されている。同様に、入力端子３と第二ＳＡＷフィルタ
２との間には、ＳＡＷ共振子６が第二ＳＡＷフィルタ２
に対して直列に接続されている。他方、第一及び第二Ｓ
ＡＷフィルタ１、２の出力端が共通接続されている接続
点８と、第二ＳＡＷフィルタ２の出力端との間には、Ｓ
ＡＷ共振子９が第二ＳＡＷフィルタ２に対して直列に接
続されている。
【０００９】入力端子３と接続点７との間の接続点１０
とアース電位との間に、インピーダンスを整合させるた
めのインダクタンス素子１１が接続されている。同様
に、接続点８と出力端子４との間の接続点１２とアース
電位との間に、同じくインピーダンス整合回路を構成す
るためのインダクタンス素子１３が接続されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−３２６５５７号公報（公
開日：２００１年１１月２２日）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記従来公報に記載の
構成においては、ＳＡＷフィルタ２の設計によっては、
相対的に中心周波数が低い側のＳＡＷフィルタ１におけ
るフィルタ特性の通過帯域幅が狭くなる場合があるとい
う問題を生じている。
【００１２】上記問題について、本発明者が種々検討し
たところ、その理由は、２つのＳＡＷフィルタ１、２の
フィルタ特性の中心周波数が互いに近い場合、中心周波
数が高い方のＳＡＷフィルタ２における通過帯域外の低
域側に発生するスプリアスが、中心周波数が低い方のＳ
ＡＷフィルタ１のフィルタ特性に影響することを新たに
見出した。
【００１３】本発明の目的は、２つの通過帯域を有し、
入力端及び出力端の少なくとも一方を共通化して小型化
が可能であり、かつ、上記ＳＡＷフィルタ２の通過帯域
外の低域側に発生するスプリアス発生を抑制して、相対
的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を
広くできるＳＡＷデバイスを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＡＷデバイス
は、以上の課題を解決するために、圧電基板上に、ＳＡ
Ｗフィルタが複数、互いに中心周波数を異ならせて設け
られ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の
少なくとも一方が共通化されているＳＡＷデバイスにお
いて、前記複数のＳＡＷフィルタのうち、相対的に中心
周波数の高い側のＳＡＷフィルタが、相対的に中心周波
数が低い側のＳＡＷフィルタにおけるフィルタ特性の通
過帯域内又は通過帯域外の高周波側近傍にて発生するス
プリアスを抑制する構造を有していることを特徴として
いる。
【００１５】上記構成によれば、前記複数のＳＡＷフィ
ルタのうち、相対的に中心周波数が低い側のＳＡＷフィ
ルタにおけるフィルタ特性の、通過帯域内、又は通過帯
域外の高周波側近傍における、相対的に中心周波数の高
い側のＳＡＷフィルタのスプリアス発生を抑制するよう
に設定したので、複数のＳＡＷフィルタの入力端及び出
力端の少なくとも一方を共通化して小型化を図りなが
ら、相対的に中心周波数が低い側のフィルタ特性が上記
スプリアス発生による狭帯域化を抑制できて、相対的に
中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を広く
できる。
【００１６】本発明の他のＳＡＷデバイスは、以上の課
題を解決するために、圧電基板上に、弾性表面波フィル
タが複数、互いに中心周波数を異ならせて設けられ、前
記複数の弾性表面波フィルタの入力端及び出力端の少な
くとも一方が共通化されている弾性表面波装置におい
て、前記複数の弾性表面波フィルタのうち、相対的に中
心周波数の高い側の弾性表面波フィルタが、該弾性表面
波フィルタの通過帯域外における低周波側のスプリアス
を抑制する構造を有していることを特徴としている。
【００１７】上記構成によれば、前記複数のＳＡＷフィ
ルタのうち、相対的に中心周波数の高い側の弾性表面波
フィルタが、該弾性表面波フィルタの通過帯域外におけ
る低周波側のスプリアスを抑制する構造を有しているの
で、複数のＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の少なく
とも一方を共通化して小型化を図りながら、相対的に中
心周波数が低い側のフィルタ特性が上記スプリアス発生
により狭帯域化することを抑制できて、相対的に中心周
波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を広くでき
る。
【００１８】上記弾性表面波装置においては、前記複数
の弾性表面波フィルタのうち、相対的に中心周波数の高
い側の弾性表面波フィルタが、縦結合共振子型弾性表面
波フィルタであることが好ましい。
【００１９】以後、本発明のＳＡＷデバイスの構成を、
具体的に説明する。
【００２０】本発明の第１のＳＡＷデバイスは、圧電基
板上に、ＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異
ならせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端
及び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷ
デバイスにおいて、前記２つのＳＡＷフィルタのうち、
相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィルタは、ＩＤ
Ｔと、上記ＩＤＴを挟み込むリフレクタとを有し、前記
リフレクタが少なくとも１箇所以上にて、他の部分（周
囲の電極）に対して電極指線幅及び電極指間隔の少なく
とも一方が互いに異なることを特徴とする。
【００２１】上記構成によれば、前記２つのＳＡＷフィ
ルタの内、相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィル
タは前記ＩＤＴを挟み込むリフレクタを有し、前記リフ
レクタが少なくとも１箇所以上、周囲の電極（つまり上
記リフレクタ内の近接した他の電極）に対して電極指線
幅及び電極指間隔の少なくとも一方が異なるので、相対
的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を
広くでき、かつ、中心周波数の異なる少なくとも２つの
ＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の少なくとも一方を
共通化して小型化できるＳＡＷデバイスが得られる。
【００２２】本発明第２のＳＡＷデバイスは、圧電基板
上に、ＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異な
らせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及
び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷデ
バイスにおいて、前記２つのＳＡＷフィルタのうち、相
対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィルタは、ＩＤＴ
と、上記ＩＤＴを挟み込むリフレクタとを有し、前記リ
フレクタが少なくとも２つの領域に分割され、前記分割
された領域の少なくとも１箇所以上で、他の領域に対し
てｄｕｔｙが異なることを特徴とする。
【００２３】上記構成によれば、前記２つのＳＡＷフィ
ルタのうち、相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィ
ルタは、ＩＤＴと前記ＩＤＴを挟み込むようにリフレク
タを有し、前記リフレクタが少なくとも２つの領域に分
割され、前記分割された領域の少なくとも１箇所以上
で、他の領域に対してｄｕｔｙが異なるので、相対的に
中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を広く
でき、かつ、中心周波数の異なる少なくとも２つのＳＡ
Ｗフィルタの入力端及び出力端の少なくとも一方を共通
化したＳＡＷデバイスが得られる。
【００２４】本発明第３のＳＡＷデバイスは、圧電基板
上に、ＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異な
らせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及
び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷデ
バイスにおいて、前記２つのＳＡＷフィルタのうち、相
対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィルタは、ＩＤＴ
と上記ＩＤＴを挟み込むリフレクタとを有し、前記リフ
レクタがＩＤＴから離れるにつれて、前記リフレクタの
電極指が変化していることを特徴とする。
【００２５】上記構成によれば、前記２つのＳＡＷフィ
ルタのうち、相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィ
ルタは前記ＩＤＴを挟み込むようにリフレクタを有し、
前記リフレクタがＩＤＴから離れるにつれて、前記リフ
レクタの電極指が変化、例えば長さが短くなっているの
で、相対的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過
帯域幅を広くでき、かつ中心周波数の異なる少なくとも
２つのＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の少なくとも
一方を共通化したＳＡＷデバイスが得られる。
【００２６】本発明第４のＳＡＷデバイスは、圧電基板
上に、ＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異な
らせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及
び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷデ
バイスにおいて、前記２つのＳＡＷフィルタのうち、相
対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィルタは、ＩＤＴ
と上記各ＩＤＴを挟み込むように第１、第２のリフレク
タとを有し、前記第１、第２のリフレクタの構造が互い
に異なることを特徴とする。
【００２７】上記構成によれば、前記２つのＳＡＷフィ
ルタのうち、相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィ
ルタは前記ＩＤＴを挟み込むように第１、第２のリフレ
クタを有し、前記第１、第２のリフレクタの構造が互い
に異なるので、相対的に中心周波数が低い側のフィルタ
特性の通過帯域幅を広くでき、かつ、中心周波数の異な
る少なくとも２つのＳＡＷフィルタの入力端及び出力端
の少なくとも一方を共通化したＳＡＷデバイスが得られ
る。
【００２８】第４の発明に係るＳＡＷデバイスの特定し
た構成は、前記第１、第２のリフレクタのｄｕｔｙが互
いに異なることを特徴とする。
【００２９】第４の発明に係るＳＡＷデバイスの別の特
定した構成は、前記第１、第２のリフレクタの本数が互
いに異なることを特徴とする。
【００３０】第４の発明に係るＳＡＷデバイスのさらに
別の特定した構成は、前記第１、第２のリフレクタのピ
ッチが互いに異なることを特徴とする。
【００３１】第４の発明に係るＳＡＷデバイスの他の特
定した構成は、前記第１、第２のリフレクタと各々隣り
合うＩＤＴとの最外電極指中心間距離が互いに異なるこ
とを特徴とする。上記第４の特定した各構成は、互いに
どのように組み合わせてもよい。
【００３２】本発明第５のＳＡＷデバイスは、圧電基板
上に、ＳＡＷフィルタが複数、互いに中心周波数を異な
らせて設けられ、前記複数のＳＡＷフィルタの入力端及
び出力端の少なくとも一方が共通化されているＳＡＷデ
バイスにおいて、前記２つのＳＡＷフィルタのうち相対
的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィルタは、ＩＤＴと
上記各ＩＤＴを挟み込むようにリフレクタとを有した２
つ以上のＳＡＷフィルタ部をカスケード接続した構成で
あり、前記リフレクタが前記カスケード接続したＳＡＷ
フィルタ部ごとに構造が互いに異なることを特徴とす
る。
【００３３】上記構成によれば、前記２つのＳＡＷフィ
ルタのうち相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィル
タは、前記ＩＤＴを挟み込むようにリフレクタを有した
２つ以上のＳＡＷフィルタ部をカスケード接続した構成
であり、前記リフレクタが前記カスケード接続したＳＡ
Ｗフィルタ部ごとに構造が互いに異なるので、相対的に
中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を広く
でき、かつ、中心周波数の異なる少なくとも２つのＳＡ
Ｗフィルタの入力端及び出力端の少なくとも一方を共通
化したＳＡＷデバイスが得られる。
【００３４】第５の発明に係るＳＡＷデバイスの特定し
た構成は、前記リフレクタのｄｕｔｙが、前記カスケー
ド接続したＳＡＷフィルタ部ごとに互いに異なることを
特徴とする。
【００３５】第５の発明に係るＳＡＷデバイスの別の特
定した構成は、前記リフレクタの本数が、前記カスケー
ド接続したＳＡＷフィルタ部ごとに互いに異なることを
特徴とする。
【００３６】第５の発明に係るＳＡＷデバイスのさらに
別の特定した構成は、前記リフレクタのピッチが、前記
カスケード接続したＳＡＷフィルタ部ごとに互いに異な
ることを特徴とする。
【００３７】第５の発明に係るＳＡＷデバイスの他の特
定した構成は、前記リフレクタと隣り合うＩＤＴとの最
外電極指中心間距離が、前記カスケード接続したＳＡＷ
フィルタ部ごとに互いに異なることを特徴とする。上記
第５の特定した各構成は、互いにどのように組み合わせ
てもよい。
【００３８】第１〜５の発明に係るＳＡＷデバイスは、
前記共通化した端子とＳＡＷフィルタの間に、少なくと
も１つのＳＡＷ共振子が接続されていることが望まし
い。
【００３９】第１〜５の発明に係るＳＡＷデバイスは、
前記共通化した端子に並列にインダクタンス素子を付加
することが好ましい。
【００４０】本発明の通信装置は、上記の何れかに記載
のＳＡＷデバイスを有していることを特徴としている。
【００４１】上記構成によれば、スプリアス特性が改善
されると共に通過帯域の狭小化の抑制されて、中心周波
数の低い方のＳＡＷフィルタの通過帯域を広くできるＳ
ＡＷデバイスを有するので、通信特性を改善できる。
【００４２】
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷデバイスにおける
実施の各形態について図１乃至図２４に基づいて説明す
れば、以下の通りである。本発明のＳＡＷデバイスにお
ける実施の各形態では、ＰＤＣ８００ＭＨｚ帯の受信側
周波数帯である８１０ＭＨｚ〜８４３ＭＨｚ、及び８７
０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ帯を同時にカバーするＳＡＷデ
バイスを用いて、説明を行う。
【００４３】図２は、従来の構成を説明するために用い
た図である。本発明の構成は、下記の本発明の特徴を除
いて図２に示す基本的な構成と同じである。本発明の特
徴を、図１を用いて説明する。
【００４４】本実施の各形態では、図２に示したＳＡＷ
フィルタ、ＳＡＷ共振子等の同一の機能を有する部材に
ついては、図２に用いた部材番号と同一の部材番号を図
１において付与してそれらの説明を省いた。ただし、Ｓ
ＡＷ共振子６は、設計の都合上２つに分けているので、
それぞれ６Ａ、６Ｂと示すこととする。また、以後の図
では簡単のため、また理解し易くするために、ＩＤＴや
リフレクタの電極指本数を、実際の本数よりも少なく表
示することとする。
【００４５】（実施の第一形態）実施の第一形態では、
圧電基板１０として、４０±５°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴ
ａＯ3 を用い、その上にＳＡＷフィルタ１、２Ａ及びＳ
ＡＷ共振子５、６Ａ、６Ｂ、９が、Ａｌ電極により形成
されている。実施の第一形態においては、ＳＡＷフィル
タ１、２Ａとして、３つのＩＤＴと、それらＩＤＴを挟
み込むように形成されたリフレクタを有する、３ＩＤＴ
型の縦結合共振子型ＳＡＷフィルタを用いている。ま
た、実施の第一形態では、ＳＡＷ共振子は、１つのＩＤ
Ｔと、それを挟み込むように形成されたリフレクタを有
する構造となっている。
【００４６】このＳＡＷ共振子は、ＩＤＴの両側にリフ
レクタを配置した構造の方がＱ値は高くなるので望まし
いが、リフレクタを省いた構造でも、動作上、問題はな
い。
【００４７】本実施の第一形態のＳＡＷデバイスにおい
ては、圧電基板１０上に形成された、ワイヤボンディン
グ用の各電極パッド１０１〜１０９と、圧電基板１０上
の各電極パッド１０１〜１０９とパッケージとの導通を
取るための、Ａｌなどの材質で作られているボンディン
グ用のワイヤ１１０〜１１８と、パッケージの各電極パ
ッド１１９〜１２８とが設けられている。上記ＳＡＷデ
バイスでは、電極パッド１０１は、ＳＡＷフィルタ１、
２Ａの入力端となっており、各電極パッド１０２、１０
３は、ＳＡＷフィルタ１、２Ａの出力端となっている。
【００４８】パッケージの各電極パッド１１９〜１２８
においては、電極パッド１２０がＳＡＷデバイスの入力
端子であり、電極パッド１２６が出力端子であり、その
他がアースに接続されている。図１ではＳＡＷフィルタ
１、２Ａの入力端を圧電基板１０上で共通化し、出力端
をパッケージの電極パッド１２６上で共通化している。
もちろんこれは逆でもよく、さらに両方を圧電基板１０
上で共通化するか、あるいはパッケージの電極パッド上
で共通にしてもよい。
【００４９】また、図１では、１つの圧電基板１０に２
つのＳＡＷフィルタ１、２Ａと４つのＳＡＷ共振子５、
６Ａ、６Ｂ、９を形成したが、これは２つやそれ以上の
圧電基板に分けて実装されていてもよい。さらに図１で
は、圧電基板１０とパッケージの各電極パッド１１９〜
１２８との導通をワイヤボンド法で確保する構成を示し
たが、これはバンプボンド法にて導通を確保する工法を
用いて、ＳＡＷデバイスを作製してもよい。
【００５０】図２におけるインダクタンス素子１１、１
３の値はそれぞれ１０ｎＨ、１２ｎＨであり、パッケー
ジの外部に接続されている。もちろんこれは、パッケー
ジ内に作り込まれていても、問題はない。
【００５１】実施の第一形態の特徴は、ＳＡＷフィルタ
２Ａの各リフレクタが、それぞれ１２９Ａ（Ｂ）〜１３
１Ａ（Ｂ）の３つに分割されている点である。表１に、
ＳＡＷフィルタ１、２Ａ及びＳＡＷ共振子５、６Ａ、６
Ｂ、９の詳細な設計を示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】表１における「間隔」とは、隣り合うＩＤ
ＴとＩＤＴ、又はＩＤＴとリフレクタの最外電極指同士
の中心間距離である。表１のλＩはＩＤＴ波長（μｍ）
を示し、表１のλＲはリフレクタ波長（μｍ）を示す。
【００５４】ちなみに、ＳＡＷ共振子６Ａ、６Ｂ、９で
は、図示していないが、ＩＤＴが間引き重み付けされて
いる。しかし、この間引き重み付けは通過帯域より高周
波側の急峻性を向上させるための手法であって、本発明
とは直接関係ない。よって、この間引き重み付けが実施
されていなくても、本発明の効果は得られる。
【００５５】表１ではＳＡＷフィルタ２Ａのリフレクタ
本数を６０本と表示したが、これは合計の本数であり、
実際はＩＤＴに近い側から順に５４本、４本、２
本と分割され、との最外電極指同士の中心間距離は
０．４６λＲ、とは０．４０λＲとされている。
【００５６】図１では、図３（ａ）にも示すように、分
割した形で表示したが、これは図３（ｂ）に示すよう
に、バスバーを共通化し、図３（ａ）における各リフレ
クタ１２９Ａ、１３０Ａの最外電極指同士の中心間距離
に相当する、互いに隣り合う電極指間距離２０１を０．
４６λＲ、図３（ａ）における各リフレクタ１３０Ａ、
１３１Ａの最外電極指同士の中心間距離に相当する、互
いに隣り合う電極指間距離２０２を０．４０λＲとした
ことと同じ意味である。つまり、リフレクタの一部の電
極指間隔が、他の電極指間隔と異なっているということ
になる。
【００５７】次に、本実施の形態に関する作用・効果に
ついて説明する。図４に、実施の第一形態の構成での、
周波数に対する伝送特性を示す。比較として図６に示
す、比較としての中心周波数の互いに異なる２つのＳＡ
Ｗフィルタの入力端及び出力端を共通化したＳＡＷデバ
イスの場合の周波数に対する伝送特性を図５に示す。図
６の比較例は、ＳＡＷフィルタ２のリフレクタを分割し
ていない以外は、図１に示すＳＡＷデバイスとすべて同
じ設計である。
【００５８】実施の第一形態と比較例との伝送特性を比
較すると、比較例では相対的に通過帯域の低い側のフィ
ルタ特性の高周波側近傍にスプリアスＡが発生している
が、実施の第一形態ではそのスプリアスがなくなってい
ることがわかる。
【００５９】この効果により、通過帯域の相対的に低い
側のフィルタ特性の通過帯域幅が、実施の第一形態の方
が比較例と比べて広くなっている。参考に通過帯域の相
対的に低い側のフィルタ特性のスルーレベルから４．０
ｄＢにおける帯域幅を比較すると、比較例では約３９．
５ＭＨｚであるのに対し、実施の第一形態では約４１．
０ＭＨｚと、１．５ＭＨｚも帯域幅が広くなっている。
これにより、実施の第一形態においては、製造のバラツ
キによる周波数バラツキに対する公差が広がるので、歩
留まりが向上する効果がある。
【００６０】実施の第一形態の効果が得られた理由を説
明する。図７（ａ）に実施の第一形態の、図７（ｂ）に
比較例のリフレクタの周波数に対する反射係数を、シミ
ュレーションで確認した結果をグラフにして示した。
【００６１】理想的なリフレクタ（無限本、伝搬損失な
し）においては、ある幅の周波数帯で１００％の反射係
数が得られ、それ以外の反射係数は０％となる。この反
射される周波数帯は、ストップバンドと呼ばれる。しか
し現実には、リフレクタ本数は有限であり、さらに伝搬
損失も存在するため、ストップバンド内での反射係数が
１００％にならず、さらにストップバンド外でも反射率
が０％とならない周波数帯が存在する。
【００６２】図７（ｂ）の比較例でのリフレクタの周波
数に対する反射係数のグラフを見ると、比較例の周波
数に対する伝送特性で見られたスプリアスＡの領域は、
反射率が大きいＢと一致する。つまりＳＡＷフィルタ２
において、この領域で弾性表面波の反射が起こるために
スプリアスが発生し、これが相対的に中心周波数が低い
側のＳＡＷフィルタ１のフィルタ特性（通過帯域）に近
い箇所で発生するために、ＳＡＷフィルタ１の通過帯域
幅が狭くなっていた。
【００６３】これに対し、実施の第一形態ではリフレク
タを分割して調整することで、図７（ａ）に示す反射係
数のグラフのように、このＢ’の領域の反射率を下げ
ている。これによりＳＡＷフィルタ２において、この領
域での弾性表面波の反射が小さくなったために、ＳＡＷ
フィルタ２Ａにおいてスプリアスは発生せず、相対的に
中心周波数が低い側のＳＡＷフィルタ１のフィルタ特性
への影響が小さくなったものである。
【００６４】以上のように実施の第一形態は、圧電基板
１０上に、中心周波数の異なる２つの３ＩＤＴ型の縦結
合共振子型ＳＡＷフィルタ１、２Ａにおける入力及び出
力端の少なくとも一方を共通化したＳＡＷデバイスにお
いて、前記２つのＳＡＷフィルタ１、２Ａのうち、相対
的に中心周波数の高い側のＳＡＷフィルタ２Ａのリフレ
クタを分割、つまり周囲の電極に対して電極指間隔が異
なる部分を形成した構成である。
【００６５】それゆえ、上記構成では、ＳＡＷフィルタ
２Ａのリフレクタを分割、つまり周囲の電極に対して電
極指間隔が異なる部分を形成することにより、相対的に
中心周波数が低い側のＳＡＷフィルタ１におけるフィル
タ特性の通過帯域幅が広がり、従来と比べて、歩留まり
が向上したＳＡＷデバイスが得られる。
【００６６】実施の第一形態では、中心周波数の異なる
２つのＳＡＷフィルタとして３ＩＤＴ型の縦結合共振子
型ＳＡＷフィルタを用いたが、本発明は３ＩＤＴ型の縦
結合共振子型ＳＡＷフィルタに限らず、例えば２ＩＤＴ
型の縦結合共振子型ＳＡＷフィルタや、５ＩＤＴ型や７
ＩＤＴ型など複数のＩＤＴを有する縦結合共振子型ＳＡ
Ｗフィルタを用いた場合でも、同様に効果が得られる。
【００６７】また、相対的に中心周波数が低い方のＳＡ
Ｗフィルタは、縦結合共振子型ＳＡＷフィルタである必
要はなく、相対的に中心周波数が低い方のＳＡＷフィル
タが、例えば、複数の弾性表面波共振子を梯子形に互い
に接続したラダー型フィルタやトランスバーサル型フィ
ルタ、その他のＳＡＷフィルタであっても、本発明の効
果は得られる。
【００６８】実施の第一形態では、周囲に対して電極指
間隔が異なる箇所を設ける例で説明したが、電極指自体
の幅を周囲の電極指と異ならせることでも、同様な効果
が得られる。もちろん、両方が混在されていてもよい。
【００６９】以後の実施の各形態では実施の第一形態と
は異なった、スプリアスを低減する構成・方法について
説明する。なお、以下の実施の各形態においては、図１
に示す実施の第一形態と相違する部分のみを示し、同一
部分については省略した。
【００７０】（実施の第二形態）実施の第二形態の構成
における、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィル
タ２Ｂを図８に示す。実施の第二形態の特徴は、相対的
に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタ２Ｂの各リフレ
クタを実施の第一形態と同様に、３つの各リフレクタ部
１２９Ｃ（Ｄ）〜１３１Ｃ（Ｄ）にそれぞれ分割し、そ
の領域ごとに電極指のｄｕｔｙを互いに異ならせている
ことである。
【００７１】つまり、上記リフレクタは、部分的に、電
極指のｄｕｔｙが異なる領域を有していることになる。
図８ではバスバーを領域ごとで分離させているが、図３
（ｂ）のように、バスバーは共通化させてもよい。
【００７２】以下に、本実施の形態に関する作用・効果
について説明する。図８で示したＳＡＷフィルタ２Ｂを
相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタとするこ
とで、実施の第一形態と同様に相対的に中心周波数が低
い側のフィルタ特性近傍に現れるスプリアスを低減で
き、相対的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過
帯域幅を広くできる。
【００７３】（実施の第三形態）実施の第三形態の構成
における、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィル
タ２Ｃを図９に示す。実施の第三形態の特徴は、相対的
に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタ２Ｃにおける各
リフレクタ１２９Ｅの電極指の長さが、挟んだＩＤＴか
ら離れるに従って、順次、変化すなわち短くなっている
ことである。
【００７４】また、各リフレクタ１２９Ｅの電極指の長
さは、各ＩＤＴの弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向に沿
った中心線に対して等距離を維持して、つまり上記中心
線に対して対称を維持して変化することが望ましい。な
お、上記では、各リフレクタ１２９Ｅの電極指の長さ
を、挟んだＩＤＴから離れるに従って、順次、短くした
例を挙げたが、順次長くしてもよい。
【００７５】次に、本実施の形態の作用・効果を説明す
る。図９で示したＳＡＷフィルタ２Ｃを相対的に中心周
波数が高い側のＳＡＷフィルタとすることで、実施の第
一形態と同様に、ＳＡＷフィルタ２Ｃにおける、相対的
に中心周波数が低い側のフィルタ特性近傍に現れるスプ
リアスを低減でき、相対的に中心周波数が低い側のＳＡ
Ｗフィルタ１におけるフィルタ特性の通過帯域幅を広く
できる。
【００７６】（実施の第四形態）実施の第四形態におけ
る構成の、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィル
タ２Ｄを図１０に示す。実施の第四形態の特徴は、相対
的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタ２Ｄにおける
左右の各リフレクタ１２９Ｇ、１２９Ｈのｄｕｔｙが互
いに異なっている、つまり左右のリフレクタ１２９Ｇ、
１２９Ｈで構造が互いに異なっていることである。
【００７７】以下に、本実施の形態の作用・効果につい
て説明する。図１０で示したＳＡＷフィルタ２Ｄを相対
的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタとすること
で、実施の第一形態と同様に相対的に中心周波数が低い
側のフィルタ特性近傍に現れるスプリアスを低減でき、
相対的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域
幅を広くできる。
【００７８】左右のリフレクタの構造を異ならせる他の
各例として、図１１のようにリフレクタ１２９Ｇ、１２
９Ｊの本数が左右で相異なる、図１２のようにリフレク
タのピッチ１２９Ｇ、１２９Ｋが左右で異なる構成も挙
げられる。また、図１３のように、各リフレクタ１２９
Ｇと、それらに隣り合うＩＤＴの最外電極指との各中心
間距離２１１、２１２が互いに異なっていても、同様な
効果が得られる。
【００７９】（実施の第五形態）実施の第五形態の、相
対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタ２Ｅを図１
４に示す。実施の第五形態の特徴は、相対的に中心周波
数が高い側のＳＡＷフィルタ２Ｅが２つのＳＡＷフィル
タ部２１Ｅ、２２Ｅをカスケード接続した構成となって
おり、この２つのＳＡＷフィルタ部２１Ｅ、２２Ｅで各
リフレクタ２１Ｅ、２２Ｅ１２９Ｇ、１２９Ｈのｄｕｔ
ｙが互いに異なっている、つまり２つのＳＡＷフィルタ
部２１Ｅ、２２Ｅで各リフレクタ２１Ｅ、２２Ｅの構造
が互いに異なっている点である。
【００８０】次に、本実施の形態の作用・効果について
説明する。図１４で示したＳＡＷフィルタ２Ｅを相対的
に中心周波数が高い側のＳＡＷフィルタとすることで、
実施の第一形態と同様に相対的に中心周波数が低い側の
フィルタ特性近傍に現れるスプリアスを低減でき、相対
的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅を
広くできる。
【００８１】２つのＳＡＷフィルタ部２１Ｅ、２２Ｅに
おけるリフレクタの構造を互いに異ならせる他の各例と
して、図１５のように各リフレクタ１２９Ｇ、１２９Ｊ
の本数が互いに異なる、図１６のように各リフレクタ１
２９Ｇ、１２９Ｋのピッチが互いに異なる構成も挙げら
れる。また、図１７のように各リフレクタ１２９Ｇと、
それらと隣り合うＩＤＴの最外電極指との各中心間距離
２１１、２１２が互いに異なっていても、同様な効果が
得られる。
【００８２】このように本発明は、中心周波数が低い方
のＳＡＷフィルタやＳＡＷフィルタ部の通過帯域又は通
過帯域外の高周波側の周波数帯域において、中心周波数
が高い方のＳＡＷフィルタやＳＡＷフィルタ部における
スプリアスの発生を抑制できるように、中心周波数が高
い方のＳＡＷフィルタやＳＡＷフィルタ部の左右のリフ
レクタ間やリフレクタ内部で構造を他の部分と変えてい
る構成である。
【００８３】言い換えると、本発明は、上記リフレクタ
の構造によって、相対的に中心周波数の高い側のＳＡＷ
フィルタやＳＡＷフィルタ部が、それらの通過帯域外に
おける低周波側のスプリアスを抑制する構造を有してい
る構成ともいえる。
【００８４】それゆえ、上記構成では、中心周波数が低
い方のＳＡＷフィルタやＳＡＷフィルタ部の通過帯域に
影響して、上記通過帯域を狭小化する、中心周波数が高
い方のＳＡＷフィルタやＳＡＷフィルタ部におけるスプ
リアスの発生を抑制して、上記狭小化を回避できる。
【００８５】なお、以上の実施の各形態では、ＳＡＷフ
ィルタやＳＡＷフィルタ部の例として３つのＩＤＴを有
する縦結合共振子型弾惟表面波フィルタを用いてきた
が、本発明の効果はこれに限らず、例えば２つのＩＤＴ
や４つ以上のＩＤＴを有する縦結合共振子型ＳＡＷフィ
ルタや、横結合共振子型ＳＡＷフィルタ、トランスバー
サル型フィルタを用いた場合においても、同様な効果が
得られる。ただし、相対的に中心周波数が高い方のＳＡ
Ｗフィルタは、複数のＩＤＴを有する縦結合共振子型Ｓ
ＡＷフィルタが好ましい。
【００８６】また、実施の各形態ではＳＡＷ共振子を直
列接続した例を示したが、これが並列接続されていても
よく、さらに２つ以上のＳＡＷ共振子が、並列、直列両
方に、接続されていてもよい。
【００８７】また、実施の各形態では圧電基板１０とし
て４０±５°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ3を用いたが、
本発明はこの圧電基板に限らず、カット角の異なるＬｉ
ＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3、基板、水晶基板などの別の
圧電基板においても、同様な効果が得られる。
【００８８】実施の第一形態では、２つのＳＡＷフィル
タの入力端及び出力端の両方を共通化したＳＡＷデバイ
スの例を示したが、本発明はそのほかの構成において
も、同様に効果が得られる。例えば図１８のように、２
つのＳＡＷフィルタの入力端及び出力端のどちらか一方
のみを共通化した構成、図１９や図２０のように、図１
の構成に対して入力端及び出力端の少なくとも一方を平
衡信号端子に変更した構成、図２１乃至図２４のよう
に、図１８の構成に対して、複数ある入力端及び出力端
の少なくとも１つを平衡信号端子にした構成において
も、本発明の効果は得られる。
【００８９】続いて、図２５を参照しながら、本発明の
ＳＡＷデバイスを搭載した通信装置６００について説明
する。上記通信装置６００は、受信を行うレシーバ側
（Ｒｘ側）として、アンテナ６０１、アンテナ共用部／
ＲＦＴｏｐフィルタ６０２、アンプ６０３、Ｒｘ段間フ
ィルタ６０４、ミキサ６０５、１ｓｔＩＦフィルタ６０
６、ミキサ６０７、２ｎｄＩＦフィルタ６０８、１ｓｔ
＋２ｎｄローカルシンセサイザ６１１、ＴＣＸＯ（temp
erature compensated crystal oscillator（温度補償型
水晶発振器））６１２、デバイダ６１３、ローカルフィ
ルタ６１４を備えて構成されている。Ｒｘ段間フィルタ
６０４からミキサ６０５へは、図２５に二本線で示した
ように、バランス性を確保するために各平衡信号にて送
信することが好ましい。
【００９０】また、上記通信装置６００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ６０１
及び上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ６０２を
共用すると共に、ＴｘＩＦフィルタ６２１、ミキサ６２
２、Ｔｘ段間フィルタ６２３、アンプ６２４、カプラ６
２５、アイソレータ６２６、ＡＰＣ（automatic power
control （自動出力制御））６２７を備えて構成されて
いる。
【００９１】そして、上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐ
フィルタ６０２、Ｒｘ段間フィルタ６０４、Ｔｘ段間フ
ィルタ６２３には、上述した本実施の各形態に記載のＳ
ＡＷデバイスが好適に利用できる。
【００９２】よって、上記通信装置は、用いたＳＡＷデ
バイスが多機能化や小型化されており、さらに良好な伝
送特性（通過帯域が広帯域、通過帯域外の大減衰量）を
備えていることにより、良好な送受信機能と共に小型化
を図れるものとなっている。
【００９３】
【発明の効果】本発明のＳＡＷデバイスは、以上のよう
に、圧電基板上に、中心周波数の異なる少なくとも２つ
のＳＡＷフィルタの入力端及び出力端の少なくとも一方
を共通化したＳＡＷデバイスにおいて、前記少なくとも
２つのＳＡＷフィルタのうち、相対的に中心周波数の高
い側のＳＡＷフィルタを、相対的に中心周波数が低い側
のＳＡＷフィルタにおけるフィルタ特性の通過帯域内、
又は通過帯域外の高周波側近傍にて、スプリアスの発生
を抑制するようにした構成である。
【００９４】それゆえ、上記構成は、中心周波数の異な
る少なくとも２つのＳＡＷフィルタの入力端及び出力端
の少なくとも一方を共通化して小型化を図りながら、相
対的に中心周波数が低い側のフィルタ特性の通過帯域幅
を広くできて、広帯域化が可能となるという効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第一形態にかかるＳＡＷデバイ
スの概略構成図である。
【図２】従来例としての２つのＳＡＷフィルタにおける
入力端及び出力端を共通化したＳＡＷデバイスの概略構
成図である。
【図３】実施の第一形態におけるＳＡＷデバイスのリフ
レクタを拡大して示す概略構成図であり、（ａ）は、分
割したリフレクタを示し、（ｂ）は、分割に代えて、電
極指間隔を変えたリフレクタを示す。
【図４】実施の第一形態の周波数−伝送特性を示すグラ
フである。
【図５】比較例の周波数−伝送特性を示すグラフであ
る。
【図６】比較例のＳＡＷデバイスの概略構成図である。
【図７】本発明の原理を説明するためのグラフであり、
（ａ）は、実施の第一形態におけるＳＡＷデバイスのリ
フレクタの反射特性を示し、（ｂ）は、比較例のＳＡＷ
デバイスにおけるリフレクタの反射特性を示す。
【図８】本発明に係る実施の第二形態のＳＡＷデバイス
における、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィル
タの概略構成図である。
【図９】本発明に係る実施の第三形態のＳＡＷデバイス
における、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィル
タの概略構成図である。
【図１０】本発明に係る実施の第四形態のＳＡＷデバイ
スにおける、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィ
ルタの概略構成図である。
【図１１】上記実施の第四形態におけるＳＡＷフィルタ
の一変形例を示す概略構成図である。
【図１２】上記実施の第四形態におけるＳＡＷフィルタ
の他の変形例を示す概略構成図である。
【図１３】上記実施の第四形態におけるＳＡＷフィルタ
のさらに他の変形例を示す概略構成図である。
【図１４】本発明に係る実施の第五形態のＳＡＷデバイ
スにおける、相対的に中心周波数が高い側のＳＡＷフィ
ルタの概略構成図である。
【図１５】上記実施の第五形態におけるＳＡＷフィルタ
の他の変形例を示す概略構成図である。
【図１６】上記実施の第五形態におけるＳＡＷフィルタ
のさらに他の変形例を示す概略構成図である。
【図１７】上記実施の第五形態におけるＳＡＷフィルタ
のさらに他の変形例を示す概略構成図である。
【図１８】本発明を適用できる、別のＳＡＷデバイスの
回路図である。
【図１９】本発明を適用できる、さらに別のＳＡＷデバ
イスの回路図である。
【図２０】本発明を適用できる、さらに別のＳＡＷデバ
イスの回路図である。
【図２１】本発明を適用できる、さらに別のＳＡＷデバ
イスの回路図である。
【図２２】本発明を適用できる、さらに別のＳＡＷデバ
イスの回路図である。
【図２３】本発明を適用できる、さらに別のＳＡＷデバ
イスの回路図である。
【図２４】本発明を適用できる、さらに別のＳＡＷデバ
イスの回路図である。
【図２５】本発明の通信装置の要部回路ブロック図であ
る。
【符号の説明】
１ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ） ２Ａ ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ） １０１ 電極パッド（入力端） １０２ 電極パッド（出力端） １０３ 電極パッド（出力端） １２９Ａ、１２９Ｂ、１３０Ａ、１３０Ｂ、１３１Ａ、
１３１Ｂ リフレクタ

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】圧電基板上に、弾性表面波フィルタが複
    数、互いに中心周波数を異ならせて設けられ、前記複数
    の弾性表面波フィルタの入力端及び出力端の少なくとも
    一方が共通化されている弾性表面波装置において、 前記複数の弾性表面波フィルタのうち、相対的に中心周
    波数の高い側の弾性表面波フィルタが、相対的に中心周
    波数が低い側の弾性表面波フィルタにおけるフィルタ特
    性の通過帯域内又は通過帯域外の高周波側近傍にて発生
    するスプリアスを抑制する構造を有していることを特徴
    とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項２】圧電基板上に、弾性表面波フィルタが複
    数、互いに中心周波数を異ならせて設けられ、前記複数
    の弾性表面波フィルタの入力端及び出力端の少なくとも
    一方が共通化されている弾性表面波装置において、 前記複数の弾性表面波フィルタのうち、相対的に中心周
    波数の高い側の弾性表面波フィルタが、該弾性表面波フ
    ィルタの通過帯域外における低周波側のスプリアスを抑
    制する構造を有していることを特徴とする弾性表面波装
    置。
  3. 【請求項３】請求項１又は２記載の弾性表面波装置にお
    いて、 前記複数の弾性表面波フィルタのうち、相対的に中心周
    波数の高い側の弾性表面波フィルタが、縦結合共振子型
    弾性表面波フィルタであることを特徴とする弾性表面波
    装置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３の何れか１項に記載の弾性
    表面波装置において、 前記構造は、前記相対的に中心周波数の高い側の弾性表
    面波フィルタが、くし型電極部と前記くし型電極部を挟
    み込むリフレクタとを有し、前記リフレクタが少なくと
    も１箇所以上、他の部分に対して電極指の線幅又は電極
    指間隔が異なっているものであることを特徴とする弾性
    表面波装置。
  5. 【請求項５】請求項１乃至４の何れか１項に記載の弾性
    表面波装置において、 前記構造は、前記相対的に中心周波数の高い側の弾性表
    面波フィルタが、くし型電極部と前記くし型電極部を挟
    み込むリフレクタとを有し、前記リフレクタが少なくと
    も２つの領域に分割され、前記分割された領域の少なく
    とも１箇所以上で、他の領域に対してｄｕｔｙが異なっ
    ているものであることを特徴とする弾性表面波装置。
  6. 【請求項６】請求項１乃至５の何れか１項に記載の弾性
    表面波装置において、 前記構造は、前記相対的に中心周波数の高い側の弾性表
    面波フィルタが、くし型電極部と前記くし型電極部を挟
    み込むリフレクタとを有し、前記リフレクタがくし型電
    極部からの距離に応じて、前記リフレクタの電極指の長
    さが変化しているものであることを特徴とする弾性表面
    波装置。
  7. 【請求項７】請求項６記載の弾性表面波装置において、 前記構造は、前記相対的に中心周波数の高い側の弾性表
    面波フィルタが、前記くし型電極部を挟み込むように第
    １、第２のリフレクタを有し、 前記第１、第２のリフレクタの構造が互いに異なるもの
    であることを特徴とする弾性表面波装置。
  8. 【請求項８】請求項６又は７記載の弾性表面波装置にお
    いて、 前記第１、第２のリフレクタのｄｕｔｙが互いに異なる
    ことを特徴とする弾性表面波装置。
  9. 【請求項９】請求項６乃至８の何れか１項に記載の弾性
    表面波装置において、 前記第１、第２のリフレクタの本数が互いに異なること
    を特徴とする弾性表面波装置。
  10. 【請求項１０】請求項６乃至９の何れか１項に記載の弾
    性表面波装置において、 前記第１、第２のリフレクタのピッチが互いに異なるこ
    とを特徴とする弾性表面波装置。
  11. 【請求項１１】請求項６乃至１０の何れか１項に記載の
    弾性表面波装置において、 前記第１、第２のリフレクタと各々隣り合うくし型電極
    部との最外電極指中心間距離が互いに異なることを特徴
    とする弾性表面波装置。
  12. 【請求項１２】請求項１乃至１１の何れか１項に記載の
    弾性表面波装置において、 前記複数の弾性表面波フィルタのうち相対的に中心周波
    数の高い側の弾性表面波フィルタは、くし型電極部と、
    前記くし型電極部を挟み込むようにリフレクタとを有し
    た弾性表面波フィルタ部を２つ以上カスケード接続した
    ものであり、前記リフレクタが前記カスケード接続した
    弾性表面波フィルタ部ごとに構造が相違していることを
    特徴とする弾性表面波装置。
  13. 【請求項１３】請求項１２記載の弾性表面波装置におい
    て、 前記リフレクタのｄｕｔｙが、前記カスケード接続した
    弾性表面波フィルタ部ごとに異なることを特徴とする弾
    性表面波装置。
  14. 【請求項１４】請求項１２又は１３に記載の弾性表面波
    装置において、 前記リフレクタの本数が、前記カスケード接続した弾性
    表面波フィルタ部ごとに異なることを特徴とする弾性表
    面波装置。
  15. 【請求項１５】請求項１１乃至１４の何れか１項に記載
    の弾性表面波装置において、 前記リフレクタのピッチが、前記カスケード接続した弾
    性表面波フィルタ部ごとに異なることを特徴とする弾性
    表面波装置。
  16. 【請求項１６】請求項１１乃至１５の何れか１項に記載
    の弾性表面波装置において、 前記リフレクタと、それに隣り合うくし型電極部との最
    外電極指中心間距離が、前記カスケード接続した弾性表
    面波フィルタ部ごとに異なることを特徴とする弾性表面
    波装置。
  17. 【請求項１７】請求項１乃至１６の何れか１項に記載の
    弾性表面波装置において、 前記共通化した端子と弾性表面波フィルタの間に、少な
    くとも１つの弾性表面波共振子を接続したことを特徴と
    する弾性表面波装置。
  18. 【請求項１８】請求項１乃至１７の何れか１項に記載の
    弾性表面波装置において、 前記共通化した端子に対して並列にインダクタンス素子
    を付加したことを特徴とする弾性表面波装置。
  19. 【請求項１９】請求項１乃至１８の何れか１項に記載の
    弾性表面波装置を有することを特徴とする通信装置。
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