JP2000151355A - ラダー型ｓａｗフィルタ - Google Patents
ラダー型ｓａｗフィルタInfo
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- JP2000151355A JP2000151355A JP10314241A JP31424198A JP2000151355A JP 2000151355 A JP2000151355 A JP 2000151355A JP 10314241 A JP10314241 A JP 10314241A JP 31424198 A JP31424198 A JP 31424198A JP 2000151355 A JP2000151355 A JP 2000151355A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電基板上に複数のＳＡＷ共振子を配置して
構成するラダー型ＳＡＷフィルタの減衰傾度を急峻にす
る手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
ＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配して
形成するＳＡＷ共振子を、複数個配設して構成するラダ
ー型ＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極及び前記
グレーティング反射器の電極指幅ＬとスペースＳとの関
係を ０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５ としたラダー型ＳＡＷフィルタである。
構成するラダー型ＳＡＷフィルタの減衰傾度を急峻にす
る手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
ＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配して
形成するＳＡＷ共振子を、複数個配設して構成するラダ
ー型ＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極及び前記
グレーティング反射器の電極指幅ＬとスペースＳとの関
係を ０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５ としたラダー型ＳＡＷフィルタである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はラダー型ＳＡＷフィ
ルタに関し、特に通過域近傍の減衰傾度を改善したラダ
ー型ＳＡＷフィルタに関する。
ルタに関し、特に通過域近傍の減衰傾度を改善したラダ
ー型ＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話器等に多く用いられている。携
帯電話器等のＲＦ段に用いらるＳＡＷフィルタの１種
に、同一圧電基板上に一端子対弾性表面波共振子（以
下、ＳＡＷ共振子と称す）複数個を並、直列に配置した
所謂ラダー型ＳＡＷフィルタである。ラダー型ＳＡＷフ
ィルタの特徴は、他の電子部品に比べてＱ値の高いＳＡ
Ｗ共振子のみで構成するため、低挿入損失であると共
に、急峻な減衰傾度のフィルタを実現できることから、
近年、携帯電話等のＲＦフィルタとして広く用いられる
ようになった。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話器等に多く用いられている。携
帯電話器等のＲＦ段に用いらるＳＡＷフィルタの１種
に、同一圧電基板上に一端子対弾性表面波共振子（以
下、ＳＡＷ共振子と称す）複数個を並、直列に配置した
所謂ラダー型ＳＡＷフィルタである。ラダー型ＳＡＷフ
ィルタの特徴は、他の電子部品に比べてＱ値の高いＳＡ
Ｗ共振子のみで構成するため、低挿入損失であると共
に、急峻な減衰傾度のフィルタを実現できることから、
近年、携帯電話等のＲＦフィルタとして広く用いられる
ようになった。
【０００３】図５は、ラダー型ＳＡＷフィルタを形成す
るＳＡＷ共振子１個の構成を示す電極パターンの平面図
であり、圧電基板１１上に表面波の伝搬方向に沿ってＩ
ＤＴ電極１２とその両側にグレーティング反射器１３
ａ、１３ｂを配置してＳＡＷ共振子を構成したものであ
る。ＩＤＴ電極１２はそれぞれ互いに間挿し合う複数本
の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、Ｉ
ＤＴ電極１２の一方のくし形電極は入力端子とし、他方
のくし形電極は出力端子として用いる。
るＳＡＷ共振子１個の構成を示す電極パターンの平面図
であり、圧電基板１１上に表面波の伝搬方向に沿ってＩ
ＤＴ電極１２とその両側にグレーティング反射器１３
ａ、１３ｂを配置してＳＡＷ共振子を構成したものであ
る。ＩＤＴ電極１２はそれぞれ互いに間挿し合う複数本
の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、Ｉ
ＤＴ電極１２の一方のくし形電極は入力端子とし、他方
のくし形電極は出力端子として用いる。
【０００４】図５（ｂ）に示すラダー型ＳＡＷフィルタ
は、圧電基板１１上に表面波の伝搬方向に沿って、図５
（ａ）に示すＳＡＷ共振子と同様なＳＡＷ共振子５個
（１４〜１８）を互いに影響を及ぼさない距離を置いて
配置し、それらを並列、直列、並列、・・と順次ラダー
構造になるように信号線１９、アース電極２０及びアー
ス線２１を用いて接続したものである。
は、圧電基板１１上に表面波の伝搬方向に沿って、図５
（ａ）に示すＳＡＷ共振子と同様なＳＡＷ共振子５個
（１４〜１８）を互いに影響を及ぼさない距離を置いて
配置し、それらを並列、直列、並列、・・と順次ラダー
構造になるように信号線１９、アース電極２０及びアー
ス線２１を用いて接続したものである。
【０００５】図５（ｂ）に示すラダー型ＳＡＷフィルタ
の電気的等価回路を、圧電共振子（ＳＡＷ共振子も圧電
共振子の１種）を表す符号を用いて模式的に表すと、図
６に示すラダー型回路となる。即ち、図５（ｂ）に示し
た各素子のうち、ＳＡＷ共振子１４、１８は入出力端子
に対し直列アームに、ＳＡＷ共振子１５、１６、１７は
並列アームに接続されている。図６に示す各ＳＡＷ共振
子の周波数と電気的諸定数とをフィルタ理論に従って設
定し、適当に終端すれば、有極構成の帯域濾波器として
機能することは良く知られている。
の電気的等価回路を、圧電共振子（ＳＡＷ共振子も圧電
共振子の１種）を表す符号を用いて模式的に表すと、図
６に示すラダー型回路となる。即ち、図５（ｂ）に示し
た各素子のうち、ＳＡＷ共振子１４、１８は入出力端子
に対し直列アームに、ＳＡＷ共振子１５、１６、１７は
並列アームに接続されている。図６に示す各ＳＡＷ共振
子の周波数と電気的諸定数とをフィルタ理論に従って設
定し、適当に終端すれば、有極構成の帯域濾波器として
機能することは良く知られている。
【０００６】ＳＡＷデバイスの改良は年々急速に進展し
ており、例えば特開平９−１６７９３６に開示されてい
るように、タンタル酸リチウム（LiTaO3）基板上にラダ
ー型ＳＡＷフィルタを形成する際の挿入損失、減衰傾度
等は、基板の切断方位と電極膜厚とに大きく依存するこ
とが開示されている。即ち、電極膜厚Ｈ／λ（λは励起
される表面波の波長）が０．０７≦Ｈ／λ≦０．１、基
板の切断方位Ｙが３８°≦Ｙ≦４４°の条件を満たすよ
うにラダー型ＳＡＷフィルタを形成すると、挿入損失が
低損失になると共に、通過域近傍の減衰傾度が急峻なラ
ダー型ＳＡＷフィルタが得られることが記述されてい
る。
ており、例えば特開平９−１６７９３６に開示されてい
るように、タンタル酸リチウム（LiTaO3）基板上にラダ
ー型ＳＡＷフィルタを形成する際の挿入損失、減衰傾度
等は、基板の切断方位と電極膜厚とに大きく依存するこ
とが開示されている。即ち、電極膜厚Ｈ／λ（λは励起
される表面波の波長）が０．０７≦Ｈ／λ≦０．１、基
板の切断方位Ｙが３８°≦Ｙ≦４４°の条件を満たすよ
うにラダー型ＳＡＷフィルタを形成すると、挿入損失が
低損失になると共に、通過域近傍の減衰傾度が急峻なラ
ダー型ＳＡＷフィルタが得られることが記述されてい
る。
【０００７】図７は、圧電基板に42°Y-X LiTaO3を用
い、電極にアルミニウム合金の膜厚H／λを0.08、ＩＤ
Ｔ電極対数を100対、反射器の本数をそれぞれ100本、電
極指の交差幅Wを30λ、共振周波数を880ＭＨｚ帯とした
ＳＡＷ共振子５個を図６に示すように並直列に接続した
フィルタの濾波特性をシミュレーションによりもとめた
図で、フィルタ特性について阻止域を含めて図示したも
のＢと、通過域のみを拡大して図示したものＡが重ね書
きされている。拡大したフィルタ特性のロス（Loss）は
右側の縦軸に、周波数（Freq.）は下段の数値に対応し
ている。尚、ハッチングで示すＡｓは通過域の規格を示
し、Ｂｓは減衰域の規格を示している。尚、電極指幅
（ライン幅）Ｌと電極指間スペースＳの寸法（以下、ス
ペース幅と称す）とを等しく設定している。
い、電極にアルミニウム合金の膜厚H／λを0.08、ＩＤ
Ｔ電極対数を100対、反射器の本数をそれぞれ100本、電
極指の交差幅Wを30λ、共振周波数を880ＭＨｚ帯とした
ＳＡＷ共振子５個を図６に示すように並直列に接続した
フィルタの濾波特性をシミュレーションによりもとめた
図で、フィルタ特性について阻止域を含めて図示したも
のＢと、通過域のみを拡大して図示したものＡが重ね書
きされている。拡大したフィルタ特性のロス（Loss）は
右側の縦軸に、周波数（Freq.）は下段の数値に対応し
ている。尚、ハッチングで示すＡｓは通過域の規格を示
し、Ｂｓは減衰域の規格を示している。尚、電極指幅
（ライン幅）Ｌと電極指間スペースＳの寸法（以下、ス
ペース幅と称す）とを等しく設定している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、米国の
AMPS方式では９００ＭＨｚ帯の周波数を用い、送受の周
波数間隔が２０ＭＨｚであり、比帯域が4.5％のＲＦフ
ィルタが必要であるに対し、新たなPCS方式では周波数
帯が１．９ＧＨｚ帯に移行したにも拘わらず送受の周波
数間隔が２０ＭＨｚのままであり、ＲＦフィルタとして
比帯域4.0％と狭帯域かつ通過域近傍の減衰傾度は従来
のものに比べてより急峻にする必要が生じている。上記
のラダー型ＳＡＷフィルタでは、新しい規格を満たすこ
とが極めて難しいという問題があった。本発明は上記問
題を解決するためになされたものであって、減衰傾度を
改善したラダー型ＳＡＷフィルタを提供することを目的
とする。
AMPS方式では９００ＭＨｚ帯の周波数を用い、送受の周
波数間隔が２０ＭＨｚであり、比帯域が4.5％のＲＦフ
ィルタが必要であるに対し、新たなPCS方式では周波数
帯が１．９ＧＨｚ帯に移行したにも拘わらず送受の周波
数間隔が２０ＭＨｚのままであり、ＲＦフィルタとして
比帯域4.0％と狭帯域かつ通過域近傍の減衰傾度は従来
のものに比べてより急峻にする必要が生じている。上記
のラダー型ＳＡＷフィルタでは、新しい規格を満たすこ
とが極めて難しいという問題があった。本発明は上記問
題を解決するためになされたものであって、減衰傾度を
改善したラダー型ＳＡＷフィルタを提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、ＩＤＴの電極指幅Ｌとスペース幅
Ｓとの関係を吟味した結果、以下のようにすれば目的を
達成し得ることを見出した。即ち、請求項１記載の発明
は、圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極
とその両側にグレーティング反射器を配してなるＳＡＷ
共振子を複数個配設して構成するラダー型ＳＡＷフィル
タにおいて、ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器の電
極指幅ＬとスペースＳとの関係を ０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５ としたことを特徴とするラダー型ＳＡＷフィルタであ
る。請求項２記載の発明は、切断角度θが３８°≦θ≦
４４°のタンタル酸リチウム基板を用いたことを特徴と
する請求項１記載のラダー型ＳＡＷフィルタである。
に本発明においては、ＩＤＴの電極指幅Ｌとスペース幅
Ｓとの関係を吟味した結果、以下のようにすれば目的を
達成し得ることを見出した。即ち、請求項１記載の発明
は、圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極
とその両側にグレーティング反射器を配してなるＳＡＷ
共振子を複数個配設して構成するラダー型ＳＡＷフィル
タにおいて、ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器の電
極指幅ＬとスペースＳとの関係を ０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５ としたことを特徴とするラダー型ＳＡＷフィルタであ
る。請求項２記載の発明は、切断角度θが３８°≦θ≦
４４°のタンタル酸リチウム基板を用いたことを特徴と
する請求項１記載のラダー型ＳＡＷフィルタである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るラ
ダー型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって、圧
電基板１上に図５で説明したようなＳＡＷ共振子５個
（ＳＡＷ共振子２〜６）を配し、リード電極７及び複数
の電極パッド８ａ〜ｅを用いて、並、直列に接続してラ
ダー型ＳＡＷフィルタを構成したものである。それぞれ
のＳＡＷ共振子２〜６は互いに影響を及ぼさない距離を
隔して配置されている。また、電極パッド８ａと入力端
子IN、電極パッド８ｂと出力端子OUTとをワイヤボンデ
ィングを用いて電気的に接続し、電極パッド８ｃ〜８ｅ
はそれぞれ接地してラダー型ＳＡＷフィルタを構成す
る。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るラ
ダー型ＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって、圧
電基板１上に図５で説明したようなＳＡＷ共振子５個
（ＳＡＷ共振子２〜６）を配し、リード電極７及び複数
の電極パッド８ａ〜ｅを用いて、並、直列に接続してラ
ダー型ＳＡＷフィルタを構成したものである。それぞれ
のＳＡＷ共振子２〜６は互いに影響を及ぼさない距離を
隔して配置されている。また、電極パッド８ａと入力端
子IN、電極パッド８ｂと出力端子OUTとをワイヤボンデ
ィングを用いて電気的に接続し、電極パッド８ｃ〜８ｅ
はそれぞれ接地してラダー型ＳＡＷフィルタを構成す
る。
【００１１】ラダー型ＳＡＷフィルタの挿入損失、通過
域近傍の減衰傾度を改善するには、フィルタを構成して
いるＳＡＷ共振子の特性、例えば電気的等価抵抗Ｒ、容
量比γ等を改善する必要がある。そこで発明者は、ＳＡ
Ｗ共振子の断面図の一部を示す図２のように、電極指幅
（ライン幅）Lとスペース幅Sとを定義したとき、両者の
和に対する電極指幅Lの比、即ちライン占有率L／(L+S)
とＳＡＷ共振子の電気的等価抵抗Ｒ及び容量比γの関係
を求めるべく、種々実験を重ねた。尚、同図においてλ
は一波長に相当し、Hは電極膜の厚みであり、一般にＳ
ＡＷ共振子の膜厚をH／λで表現する。圧電基板に42°Y
-X LiTaO3を用い、電極にアルミニウム合金の膜厚H／λ
を0.08、ＩＤＴ電極対数を100対、反射器の本数をそれ
ぞれ100本、電極指の交差幅Wを30λとし、周波数は900
ＭＨｚ帯とした。ライン占有率L／(L+S)を0.3から0.7ま
で0.1きざみで変化させ、その時の円線図と共振特性と
を測定して、共振周波数f s、***振周波数fa、容量比
γ、等価抵抗Ｒ及びスプリアスを測定した。
域近傍の減衰傾度を改善するには、フィルタを構成して
いるＳＡＷ共振子の特性、例えば電気的等価抵抗Ｒ、容
量比γ等を改善する必要がある。そこで発明者は、ＳＡ
Ｗ共振子の断面図の一部を示す図２のように、電極指幅
（ライン幅）Lとスペース幅Sとを定義したとき、両者の
和に対する電極指幅Lの比、即ちライン占有率L／(L+S)
とＳＡＷ共振子の電気的等価抵抗Ｒ及び容量比γの関係
を求めるべく、種々実験を重ねた。尚、同図においてλ
は一波長に相当し、Hは電極膜の厚みであり、一般にＳ
ＡＷ共振子の膜厚をH／λで表現する。圧電基板に42°Y
-X LiTaO3を用い、電極にアルミニウム合金の膜厚H／λ
を0.08、ＩＤＴ電極対数を100対、反射器の本数をそれ
ぞれ100本、電極指の交差幅Wを30λとし、周波数は900
ＭＨｚ帯とした。ライン占有率L／(L+S)を0.3から0.7ま
で0.1きざみで変化させ、その時の円線図と共振特性と
を測定して、共振周波数f s、***振周波数fa、容量比
γ、等価抵抗Ｒ及びスプリアスを測定した。
【００１２】図２（ｂ）、（ｃ）に示した円線図及び共
振特性は測定した一例であり、点αは共振周波数、点β
は***振周波数を示している。図３（ａ）、（ｂ）は、
以上の測定から得られたデータを、それぞれ容量比γと
電気的等価抵抗Ｒとに分け、ライン占有率L／(L+S)に対
してプロットした図である。図３（ａ）から容量比γは
ライン占有率L／(L+S)が約0.47のとき最小値となること
が分かる。また、図３（ｂ）からライン占有率の増加に
つれて電気的等価抵抗Ｒは概ね減少する傾向にある。
振特性は測定した一例であり、点αは共振周波数、点β
は***振周波数を示している。図３（ａ）、（ｂ）は、
以上の測定から得られたデータを、それぞれ容量比γと
電気的等価抵抗Ｒとに分け、ライン占有率L／(L+S)に対
してプロットした図である。図３（ａ）から容量比γは
ライン占有率L／(L+S)が約0.47のとき最小値となること
が分かる。また、図３（ｂ）からライン占有率の増加に
つれて電気的等価抵抗Ｒは概ね減少する傾向にある。
【００１３】発明者は容量比γが小さく、等価抵抗Ｒも
小さいＳＡＷ共振子を用いてラダー型ＳＡＷフィルタを
構成した場合に、挿入損失が小さく、通過域近傍の減衰
傾度が急峻になると考え実験してきたが、容量比γが最
小値よりも少し大きな値のＳＡＷ共振子を用いてラダー
型ＳＡＷフィルタを構成したところ、通過域帯域幅は容
量比γが最小なものと同等で、通過域近傍の減衰傾度は
むしろ急峻になることを見出した。
小さいＳＡＷ共振子を用いてラダー型ＳＡＷフィルタを
構成した場合に、挿入損失が小さく、通過域近傍の減衰
傾度が急峻になると考え実験してきたが、容量比γが最
小値よりも少し大きな値のＳＡＷ共振子を用いてラダー
型ＳＡＷフィルタを構成したところ、通過域帯域幅は容
量比γが最小なものと同等で、通過域近傍の減衰傾度は
むしろ急峻になることを見出した。
【００１４】そこで、上記のことを確認すべく圧電基板
に42°Y-X LiTaO3を用い、電極にアルミニウム合金の膜
厚H／λを0.08、ＩＤＴ電極対数を100対、反射器の本数
をそれぞれ100本、電極指の交差幅Wを30λ、共振周波数
を880ＭＨｚ帯としたＳＡＷ共振子５個を図６のによう
に並直列に接続したフィルタの濾波特性を、前記のＳＡ
Ｗ共振子の容量比γ、電気的等価抵抗Ｒ等の実験値を用
いて、シミュレーションによって求めた。図４は、ＳＡ
Ｗ共振子の容量比γが最小値より少し大きな値を呈する
ライン占有率0.7に設定した場合の濾波特性を示した図
で、フィルタ特性について阻止域を含めて図示したもの
Ｂと、通過域のみを拡大して図示したものＡが重ね書き
されている。拡大したフィルタ特性のロス（Loss）は右
側の縦軸に、周波数（Freq.）は下段に数値に対応して
いる。尚、ハッチングを施したＡｓは通過域の規格、Ｂ
ｓは減衰域の規格を示したものである。図４と図７とか
ら明らかなように、ライン占有率が0.7を用いたラダー
型ＳＡＷフィルタの方が通過域近傍の減衰傾度が急峻で
あることが分かる。
に42°Y-X LiTaO3を用い、電極にアルミニウム合金の膜
厚H／λを0.08、ＩＤＴ電極対数を100対、反射器の本数
をそれぞれ100本、電極指の交差幅Wを30λ、共振周波数
を880ＭＨｚ帯としたＳＡＷ共振子５個を図６のによう
に並直列に接続したフィルタの濾波特性を、前記のＳＡ
Ｗ共振子の容量比γ、電気的等価抵抗Ｒ等の実験値を用
いて、シミュレーションによって求めた。図４は、ＳＡ
Ｗ共振子の容量比γが最小値より少し大きな値を呈する
ライン占有率0.7に設定した場合の濾波特性を示した図
で、フィルタ特性について阻止域を含めて図示したもの
Ｂと、通過域のみを拡大して図示したものＡが重ね書き
されている。拡大したフィルタ特性のロス（Loss）は右
側の縦軸に、周波数（Freq.）は下段に数値に対応して
いる。尚、ハッチングを施したＡｓは通過域の規格、Ｂ
ｓは減衰域の規格を示したものである。図４と図７とか
ら明らかなように、ライン占有率が0.7を用いたラダー
型ＳＡＷフィルタの方が通過域近傍の減衰傾度が急峻で
あることが分かる。
【００１５】さらに、図４、７を詳細に検討すると最小
損失から1.5dB減衰した所の通過帯域幅は両者ともほぼ
同じ値を示すが、30dB減衰した所の帯域幅はライン占有
率0.7を用いたラダー型ＳＡＷフィルタの方が、ライン
占有率0.5のフィルタより約7％ほど狭くなっていること
が分かった。即ち、ライン占有率を0.7に設定したラダ
ー型ＳＡＷフィルタの方がライン占有率を0.5に設定し
たフィルタより通過域近傍の減衰傾度が急峻になるとい
うことである。さらに、容量比γ、電気的等価抵抗Ｒ等
に実験値を用い、ライン占有率をパラメータにしてラダ
ー型ＳＡＷフィルタの濾波特性をシミュレーションによ
り求めたところ、ライン占有率L／(L+S)が0.55≦ L／(L
+S) ≦0.75の関係を満たすときにライン占有率0.5とし
た従来のフィルタより減衰傾度が改善されることが分か
った。
損失から1.5dB減衰した所の通過帯域幅は両者ともほぼ
同じ値を示すが、30dB減衰した所の帯域幅はライン占有
率0.7を用いたラダー型ＳＡＷフィルタの方が、ライン
占有率0.5のフィルタより約7％ほど狭くなっていること
が分かった。即ち、ライン占有率を0.7に設定したラダ
ー型ＳＡＷフィルタの方がライン占有率を0.5に設定し
たフィルタより通過域近傍の減衰傾度が急峻になるとい
うことである。さらに、容量比γ、電気的等価抵抗Ｒ等
に実験値を用い、ライン占有率をパラメータにしてラダ
ー型ＳＡＷフィルタの濾波特性をシミュレーションによ
り求めたところ、ライン占有率L／(L+S)が0.55≦ L／(L
+S) ≦0.75の関係を満たすときにライン占有率0.5とし
た従来のフィルタより減衰傾度が改善されることが分か
った。
【００１６】以上の説明では圧電基板上に配列したＳＡ
Ｗ共振子のＩＤＴ電極及びグレーティング反射器のライ
ン占有率を同じ比で変化させた場合について、通過域近
傍の減衰傾度が改善される関係を求めたが、ライン占有
率を変化させると共振周波数も変化するため、グレーテ
ィング反射器が形成するストップバンドの中心地をフィ
ルタの帯域幅に対して最適になるようにグレーティング
反射器の波長を調整することはいうまでもない。
Ｗ共振子のＩＤＴ電極及びグレーティング反射器のライ
ン占有率を同じ比で変化させた場合について、通過域近
傍の減衰傾度が改善される関係を求めたが、ライン占有
率を変化させると共振周波数も変化するため、グレーテ
ィング反射器が形成するストップバンドの中心地をフィ
ルタの帯域幅に対して最適になるようにグレーティング
反射器の波長を調整することはいうまでもない。
【００１７】また、以上の説明では、タンタル酸リチウ
ム基板の切断角度θを42度を用いた場合について説明し
たが、切断角度が38°≦θ≦44°の範囲の切断角度を用
いても上記と同様な結果が得られた。また、電極膜厚Ｈ
／λについて0.08の場合について説明したが、この値に
限ることなく0.07≦ Ｈ／λ≦0.1の範囲に設定したもの
についても同様な結果が得られた。
ム基板の切断角度θを42度を用いた場合について説明し
たが、切断角度が38°≦θ≦44°の範囲の切断角度を用
いても上記と同様な結果が得られた。また、電極膜厚Ｈ
／λについて0.08の場合について説明したが、この値に
限ることなく0.07≦ Ｈ／λ≦0.1の範囲に設定したもの
についても同様な結果が得られた。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、通過域近傍の減衰傾度を急峻にすることが可能と
なった。従って、本発明になるフィルタを1.9GHz帯の携
帯電話等のＲＦフィルタに用いれば通信品質の優れた携
帯電話が実現できるという優れた効果を奏す。
ので、通過域近傍の減衰傾度を急峻にすることが可能と
なった。従って、本発明になるフィルタを1.9GHz帯の携
帯電話等のＲＦフィルタに用いれば通信品質の優れた携
帯電話が実現できるという優れた効果を奏す。
【図１】本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】（ａ）ライン占有率を説明する図、（ｂ）円線
図、（ｃ）共振特性を示す図である。
図、（ｃ）共振特性を示す図である。
【図３】（ａ）ライン占有率L／(L+S)と容量比γとの関
係を示す図、（ｂ）ライン占有率L／(L+S)と電気的等価
抵抗Ｒとの関係を示す図である。
係を示す図、（ｂ）ライン占有率L／(L+S)と電気的等価
抵抗Ｒとの関係を示す図である。
【図４】本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの濾波特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図５】（ａ）ＳＡＷ共振子の構成を示す図、（ｂ）ラ
ダー型ＳＡＷフィルタの構成を示す図である。
ダー型ＳＡＷフィルタの構成を示す図である。
【図６】ラダー型ＳＡＷフィルタの電気的等価回路であ
る。
る。
【図７】従来のラダー型ＳＡＷフィルタの濾波特性を示
す図である。
す図である。
１・・圧電基板 ２、３、４、５、６・・ＳＡＷ共振子 ７・・リード電極 ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ・・電極パッド L・・電極指幅（ライン幅） S・・スペース λ・・波長 H・・電極膜厚 α・・共振点 β・・***振点 Ａ・・通過域特性 Ｂ・・減衰域特性 Ａｓ・・通過帯域の規格 Ｂｓ・・減衰域の規格
Claims (2)
- 【請求項１】 タンタル酸リチウム基板上に表面波の伝
搬方向に沿ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング
反射器を配してなるＳＡＷ共振子を複数個配設して構成
するラダー型ＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極
及び前記グレーティング反射器の電極指幅Ｌとスペース
Ｓとの関係を ０．５５≦Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）≦０．７５ としたことを特徴とするラダー型ＳＡＷフィルタ。 - 【請求項２】 切断角度θが３８°≦θ≦４４°のタン
タル酸リチウム基板を用いたことを特徴とする請求項１
記載のラダー型ＳＡＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314241A JP2000151355A (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | ラダー型ｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314241A JP2000151355A (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | ラダー型ｓａｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151355A true JP2000151355A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18050996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314241A Pending JP2000151355A (ja) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | ラダー型ｓａｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000151355A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345675A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ |
| WO2005011117A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
| JP2008508821A (ja) * | 2004-08-04 | 2008-03-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 損失の小さい電気音響素子 |
| JP2008099339A (ja) * | 2008-01-11 | 2008-04-24 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 |
| US7589451B2 (en) | 2004-04-01 | 2009-09-15 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
-
1998
- 1998-11-05 JP JP10314241A patent/JP2000151355A/ja active Pending
Cited By (7)
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| JPWO2005011117A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2006-09-14 | 株式会社村田製作所 | １ポート型弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
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| JP4582150B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2010-11-17 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 |
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