WO2007040052A1 - 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an elastic wave filter device and a duplexer using surface acoustic waves, boundary acoustic waves, and the like, and more specifically, has a structure in which thinning weighting is applied to an IDT (interdigital transducer).
- the present invention relates to an elastic wave filter device and a duplexer provided. Background art
- Patent Document 1 shows a configuration in which first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections are connected in parallel to an input terminal.
- the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections are each configured by cascading two identically designed longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters. Yes.
- the electrode finger crossing width is set to 1Z2, and two longitudinally coupled acoustic wave filters are used.
- a coupled resonator type elastic wave filter is connected in parallel to the input terminal. Therefore, the resistance of the electrode finger can be 1Z4, and the insertion loss of the elastic wave filter device can be reduced.
- Patent Document 2 discloses a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device having the electrode structure shown in FIG.
- the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 501 described in this prior art includes first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 503, 504 is connected.
- Longitudinal coupled resonator type surface acoustic wave filters 503 and 504 are connected to first and second balanced signal terminals 505 and 506, respectively.
- one of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 503 and 504 connected in parallel is weighted with a bow I.
- the other longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 504 is weighted with a bow, and is ⁇ .
- cross-border weighting By applying cross-border weighting to a plurality of IDTs of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 503, the balance of the signal between the first and second balanced signal terminals 505 and 506 is improved. It is supposed to be.
- Patent Document 1 JP-A-8-181566
- Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-318700
- one longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 503 is weighted with a bow I. Although the balance was improved, the attenuation in the attenuation region near the passband was not sufficient.
- An object of the present invention includes a configuration in which a plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are connected in parallel. Shika also has a sufficiently large attenuation in the attenuation region near the passband. An object of the present invention is to provide an elastic wave filter device which can be used.
- the piezoelectric substrate includes a piezoelectric substrate and a plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters provided on the piezoelectric substrate, and each longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter includes: The input terminal, the output terminal, the IDT connected to the input terminal, and the IDT connected to the output terminal, and connected to the IDT and output terminal connected to the input terminal along the elastic wave propagation direction IDTs are alternately provided, a first terminal to which input terminals of the plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are connected, and the plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters.
- the weight of the space between the bows is the other longitudinally coupled resonator type elastic wave Characterized in that it differs from the filter decimation weighting and Ru is provided an acoustic wave filter device.
- the piezoelectric substrate and at least one first longitudinally coupled resonator type An acoustic wave filter and at least one second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter are provided, and the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is connected to an input terminal, an output terminal, and an input terminal An IDT connected to the input terminal and an IDT connected to the output terminal along the acoustic wave propagation direction on the piezoelectric substrate.
- the output terminal or the input terminal is connected to the first balanced signal terminal
- the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter includes an input terminal, an output terminal, and an input An IDT connected to the terminal and an IDT connected to the output terminal, and connected to the input terminal and the IDT connected to the input terminal along the elastic wave propagation direction on the piezoelectric substrate.
- IDTs that are A power terminal or an input terminal is connected to the second balanced signal terminal, and the phase is 180 ° different from that of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
- the input terminal or output terminal of the composite resonator type acoustic wave filter is connected to the unbalanced signal terminal, and the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are thinned out and weighted. At least one longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is different from the thinned weight of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
- An elastic wave filter device is provided.
- the piezoelectric substrate, the first to fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave filters provided on the piezoelectric substrate, the unbalanced signal terminal, and the first and second balanced signal terminals.
- the first to fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are formed on a piezoelectric substrate, and input terminals or outputs of the first to fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters.
- a first IDT connected to the terminal, and a second IDT provided on both sides of the first IDT in the elastic wave propagation direction and connected to the output terminal or the input terminal.
- the input terminals of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are connected to the unbalanced signal terminal, and the output terminal of the third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is the first terminal.
- the output terminal of the fourth longitudinally coupled resonator acoustic wave filter is connected to the first balanced signal terminal of the second balanced signal.
- the input terminal of the third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is connected to the output terminal of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
- An input terminal of the fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is connected to an output terminal of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, and the first to fourth longitudinally coupled resonators
- the phase of one longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is reversed to the phase of the remaining longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, and the first and second longitudinally coupled resonators are
- an elastic wave filter device characterized in that a thin acoustic wave filter is thinned and the thinning weight differs between the first and second longitudinally coupled resonator acoustic wave filters.
- the piezoelectric substrate, the first to fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters provided on the piezoelectric substrate, the unbalanced signal terminal, the first and first And the first to fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave filters are formed on a piezoelectric substrate, and the first to fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave filters are provided.
- the third longitudinally coupled resonator type elastic wave filter wherein the input terminal of the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filters is connected to the unbalanced signal terminal.
- Output terminal of the fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is the second balanced signal terminal.
- the second signal is connected to a balanced signal terminal
- the input terminal of the third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is connected to the output terminal of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter
- the second The input terminal of the fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is connected to the output terminal of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter of the first to fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters.
- phase of one longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is reversed from the phase of the remaining longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter, and the third and fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are There is provided an elastic wave filter device characterized in that the thinning weight is different and the thinning weight is different between the third and fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave filters.
- the decimation weight is relative to the center of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter to which the decimation weight is applied.
- the elastic wave propagation direction is asymmetrical.
- the number of electrode fingers to which the thinning weight is applied is between the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters to which the thinning weight is applied.
- the IDT to which the decimation weight is applied is a substantial IDT among a plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters.
- all IDTs may be thinned out.
- the duplexer according to the present invention is configured using an elastic wave filter device configured according to the present invention.
- the input terminals of a plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are connected to the first terminal, and a plurality of longitudinally coupled resonator type acoustic waves are connected.
- the output terminal of the filter is connected to the second terminal, and at least one longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is weighted by the crossbow I and the remaining longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is decimation weighted. Differently.
- the passband that hardly affects the characteristics in the passband of the filter by changing the thinning weighting mode It is possible to change the frequency of response peaks and valleys and the magnitude of response in the nearby attenuation region. Accordingly, in the first invention, since the weight of the bow of at least one longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is different from the decimation weight of the remaining longitudinally coupled resonator type elastic wave filters, these weights are different.
- the filter characteristics in the attenuation region near the passband can be controlled with little effect on the filter characteristics in the passband, and for example, the attenuation in the attenuation region can be easily expanded. Can be achieved.
- At least one longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is thinned out so that the amount of attenuation in the lower side of the passband becomes larger than the remaining longitudinally coupled resonator type.
- At least one first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and at least one second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter are input.
- the phase of the at least one second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is 180 ° with respect to the phase of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter. Therefore, a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter device having a balance-unbalance conversion function is provided.
- the thinning-out weighting of at least one longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters is applied to the remaining longitudinally coupled components. This is different from the I-weighting of the interresonator type elastic wave filter. Therefore, by adjusting the mode of the I-weighting of these I, the pass that hardly affects the filter characteristics in the passband.
- the amount of attenuation in the attenuation region near the band can be adjusted. For example, the amount of attenuation in the attenuation region near the pass band can be made sufficiently large.
- At least one longitudinally coupled resonator type of the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filters so that the amount of attenuation in the lower frequency range than the passband is increased. If the I-weighting of the elastic wave filter is different from the remaining I-weighting of the remaining longitudinally coupled resonator type elastic wave filter, it is near the passband on the lower frequency side of the passband. The attenuation in the attenuation region can be made sufficiently large.
- the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filters are connected in parallel to the unbalanced signal terminal, and the third and fourth longitudinally coupled resonators. Are connected to the subsequent stage of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters, and the third and fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are connected to the first and second balanced acoustic wave filters.
- the first and second longitudinally coupled resonator type elastic wave filters or the third and fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave devices Since the wave filter is weighted and the weight is different in the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters or the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters, It is possible to control the amount of attenuation in the attenuation region near the passband that has little effect on the bandwidth. A sufficient size for example the attenuation of the attenuation band at the lower frequency side of the pass band It becomes possible.
- the IDT When decimation weighting is applied and the IDT is a considerable IDT among a plurality of longitudinally coupled resonator-type elastic wave filters, the vicinity of the passband that does not further affect the passband is obtained.
- the amount of attenuation in the attenuation range can be adjusted by the thinning weighting mode.
- the duplexer according to the present invention is configured using the elastic wave filter device of the present invention, the attenuation in the vicinity of the pass band that hardly affects the filter characteristics of the pass band is made sufficiently large.
- the elastic wave filter device of the present invention for at least one of the band filters on the reception side and the transmission side, the filter characteristics on the reception side and Z or the transmission side can be effectively improved. Become.
- FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
- FIGS. 2 (a) to 2 (c) are schematic partial cutaway plan views for explaining thinning weighting performed in accordance with the present invention.
- FIG. 3 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of a surface acoustic wave filter device according to an embodiment of the present invention and a comparative example.
- FIG. 4 is a schematic diagram showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device prepared as a comparative example.
- FIG. 4 is a schematic diagram showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device prepared as a comparative example.
- FIG. 5 is a schematic plan view for explaining a surface acoustic wave filter device according to a second embodiment.
- FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to a third embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to a sixth embodiment of the present invention.
- FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to a modification of the present invention.
- FIG. 11 is a schematic plan view for explaining an example of a duplexer configured according to the present invention.
- FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure of a conventional surface acoustic wave filter device.
- FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device 1 according to the first embodiment of the present invention.
- the surface acoustic wave filter device 1 includes a piezoelectric substrate 2.
- the piezoelectric substrate 2 is composed of a 42 ° Y-cut X-propagation LiTaO substrate.
- the surface acoustic wave filter device 1 has an unbalanced signal terminal 3 as an input terminal and first and second balanced signal terminals 4 and 5 as output terminals.
- First and second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filters 7 and 8 are connected to the unbalanced signal terminal 3 via a one-terminal counter surface acoustic wave resonator 6. That is, the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 are respectively provided with first to third IDTs 11 to 13 and 21 to 23 arranged along the surface acoustic wave propagation direction. And reflectors 14, 15, 24, 25 disposed on both sides of the surface wave propagation direction of the region where IDTs 11-13, 21-23 are disposed. That is, the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 are all 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters having three IDTs.
- One end of the second IDT 12 located at the center of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 7 is connected to the common connection point 9.
- One end of the IDT 22 at the center of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8 is also connected to the common connection point 9.
- the common connection point 9 is connected to the unbalanced signal terminal 3 through the one-terminal-pair surface acoustic wave resonator 6.
- the other ends of the IDTs 12 and 22 are connected to a ground potential.
- each of the first and third IDTs 11 and 13 of the first longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 7 is connected to the ground potential, and the other ends are connected in common to each other.
- Elasticity table It is connected to the first balanced signal terminal 4 via the surface wave resonator 10a.
- one end of each of the first and third IDTs 21 and 23 of the second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter 8 is connected to the ground potential, and the other ends are connected in common to provide one-terminal elastic It is connected to the second balanced signal terminal 5 via the surface wave resonator 10b.
- the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 has a balance-unbalance conversion function.
- IDTs 11 to 13 and 21 to 23 are all subjected to thinning weighting.
- the center IDT 22 is serially weighted at both ends of the surface wave propagation direction as well as being subjected to thinning weighting.
- weighting is formed so that the dummy dummy electrode finger 22a extends across the outermost electrode finger and the region where the next outermost electrode finger is provided on one end of the IDT22. Is the method.
- dummy electrode fingers 22b are similarly provided on the other end side of the IDT 22, and are serially weighted. This serial weighting is applied to improve the balance.
- the feature of the present embodiment is that not only the balance is improved by the above series weighting, but also all IDTs 11 to 13, 21 to 23 are thinned and weighted, and the thinning weighting power in IDT12 This is because the thinning weight is different from that of IDT22. As a result, the amount of attenuation in the attenuation region near the passband is increased without significantly affecting the filter characteristics in the passband. This will be explained based on specific experimental examples.
- FIGS. 2A to 2C are schematic plan views for explaining thinning weighting.
- the electrode finger 3 Id shown in FIG. 2 (a) has a plurality of electrode fingers 31a to 31h and the fourth hatching from the left side of FIG. Is thinned out.
- Electrode finger 3 When Id is thinned out, that is, deleted, a gap A is formed in the portion where the electrode finger 31d is provided, as shown in FIG. 2 (b).
- the same potential is applied between the third electrode finger 31c and the fifth electrode finger 31e from the left side.
- This method is a weighting method called decimation weighting. Since the electrode finger 31c, the electrode finger 31x, and the electrode finger 31e are all connected to the same potential, the surface acoustic wave is not excited between these electrode fingers.
- the surface acoustic wave filter device 1 of the above-described embodiment was produced with the following specifications.
- a band-pass filter having a balanced-unbalanced change which is used as a receiving filter for a WCDMA mobile phone, is produced.
- the impedance on the unbalanced signal terminal 3 side is 50 ⁇
- the impedance on the balanced signal terminals 4 and 5 side is 100 ⁇ . That is, the neutral surface acoustic wave filter device 1 having a 1: 2 impedance changing function is configured.
- each electrode was formed in the following manner.
- Electrode film thickness 0.079 ⁇ ⁇
- the edge force of the IDT is the electrode finger pitch between the electrode fingers of the remaining electrode finger portions. Narrow-pitch electrode fingers, which are narrower than the pitch, are provided, thereby reducing the insertion loss.
- the number of electrode fingers of such narrow pitch electrode fingers is 4 at the IDT12 side end of IDT11, 4 at the IDT11 side end of IDT12, and 4 at the IDT13 side end. Book and There are four IDTs at the IDT12 end.
- IDT11 Reflector 14th electrode finger from end of 14 side
- FIG. 1 is a simplified diagram as described above, the position of the electrode finger that has been subjected to thinning weighting does not match the above specifications.
- the IDT22 is inverted in phase with respect to the IDT12, and the electrode finger force IDT21 side end portion subjected to thinning weighting in the IDT22
- the 9th electrode finger is different from the 9th electrode finger from the IDT23 side end.
- IDT22 is weighted in series at both ends.
- the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8 is configured in the same manner as the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 7.
- the surface acoustic wave resonator 6 was manufactured as follows. If the wavelength determined by the IDT pitch is ⁇ ⁇ ,
- Electrode film thickness 0.082 ⁇ ⁇
- the surface acoustic wave resonators 10a and 10b were designed as follows.
- Electrode film thickness 0.082 ⁇ ⁇
- FIG. 3 shows the amount of attenuation of the surface acoustic wave filter device of the present embodiment manufactured as described above. It is a figure which shows a frequency characteristic.
- the thinning weight is applied in the same manner as the IDT12 weighting force IDT22A of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8A.
- a surface acoustic wave filter device 32 configured in the same manner as in the above embodiment was manufactured, and attenuation frequency characteristics were measured. The result is shown by the broken line in Fig. 3.
- the passband of the receiving filter of the WCD MA mobile phone is 2110 to 2170 MHz, and the passband of the transmitting filter is 1920 to 1980 MHz. Therefore, in the reception-side filter, the passband of the transmission-side filter becomes an attenuation region, and as much attenuation as possible is required in this attenuation region.
- the insertion loss is about 37 dB in the vicinity of 1900 to 2000 MHz, particularly around 1970 MHz close to the pass band.
- the minimum insertion loss amount is 42 dB or more in the attenuation region near the pass band, particularly in the attenuation region on the low frequency side.
- the minimum insertion loss in the frequency range of 1900 to 2000 MHz exceeds 42 dB, indicating that the attenuation in the vicinity of the passband, especially in the low frequency side, is improved by about 5 dB. Also, at this time, the filter characteristics in the passband are almost changed.
- the attenuation amount in the attenuation region near the pass band that is, the minimum insertion loss amount in the attenuation region near the pass band can be increased is as follows. .
- the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 are connected in parallel as in the embodiment, the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 are similarly thinned and weighted. In some cases, the frequency of the peaks and valleys changes, but within a certain range. However, it cannot be changed, and the amount of attenuation in the desired attenuation region cannot always be increased.
- the weighting of the bow I in the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 7 and the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8 Since the decimation weighting positions are different, changes in peaks and valleys in the first and second longitudinally coupled resonator surface acoustic wave filters connected in parallel are superimposed. Accordingly, since the decimation weighting is different, the adjustment range of the frequency characteristic in the attenuation region according to the decimation weighting mode can be greatly expanded. For example, if the attenuation is increased, the attenuation is increased by weighting the arches so that there is no peak of the response in the frequency range, or by reducing the response. can do. That is, in the above-described embodiment, the positions where IDT12 decimation weighting and IDT22 decimation weighting are applied are changed so that the attenuation amount in the attenuation region lower than the passband is larger. Yes.
- IDT12 decimation weighting and IDT22 decimation weighting are thinned out so that the attenuation in the attenuation band near the passband on the lower frequency side than the passband can be expanded.
- the manner of weighting is different.
- the decimation weighting mode different between IDT12 and IDT22, the attenuation amount in the attenuation region on the lower frequency side than the passband has little effect on the filter characteristics in the passband. It was possible to expand. However, as described above, when the decimation weights of IDT12 and IDT22 are different, it is not always possible to increase the attenuation on the low side of the passband. However, by making it different from IDT12 weighting and IDT22 bowing weighting, it is possible to adjust the attenuation characteristics in the attenuation band near the passband that hardly affects the filter characteristics of the passband. Therefore, it suffices to change the thinning weighting mode according to the required attenuation characteristics.
- FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device according to the second embodiment of the present invention.
- the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 7 propagates the surface wave to the center of the center IDT 12.
- thinning weighting is applied to IDTs 11 to 13 of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 7 so as to be symmetrical.
- weighting is applied to the center IDT 22 so that both sides of the surface wave propagation direction are symmetrical.
- the surface wave propagation is performed with respect to the center of the center second IDT 12.
- the IDTs 11A and 13A are weighted so as to be asymmetric in the carrying direction.
- the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8A is set so that the thinning weighting mode of the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8A is asymmetric with respect to the center of the IDT22. Is weighted!
- the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 51 is configured in the same manner as the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 except for the points described above.
- the thinning weighting mode in each longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 7A, 8A is the longitudinally coupled resonance.
- the secondary surface acoustic wave filters 7A and 8A may be asymmetrical with respect to the center of the IDT in the center of the surface wave propagation direction. Therefore, by making it asymmetric in this way, the degree of freedom of design for obtaining attenuation characteristics can be further increased, and in some cases, the amount of attenuation in the attenuation region can be further increased.
- FIGS. 1 and 5 illustrate a structure having a balance-unbalance conversion function and a second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter connected in parallel to an unbalanced signal terminal.
- the present invention can also be applied to surface acoustic wave filter devices having other electrode structures. This will be described with reference to FIGS.
- FIG. 6 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device 55 according to the third embodiment of the present invention.
- the surface acoustic wave filter device 55 of the third embodiment does not have a pair of balanced signal terminals. That is, it has a first terminal 56 as an input terminal and a second terminal 57 as an output terminal. Except that the phase of the second longitudinally coupled resonator surface acoustic wave filter is the same as that of the first longitudinally coupled resonator surface acoustic wave filter, the first actual The input terminals of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 configured in the same manner as in the embodiment are commonly connected by a common connection point 9.
- the common connection point 9 is connected to the first terminal 56 via the terminal-to-surface acoustic wave resonator 6. Further, the output terminals of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 are connected in common, and are connected to the second terminal 57 via the one-terminal-pair surface acoustic wave resonator 58.
- the output terminals of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 do not have a balanced-unbalanced conversion function, and the output terminals of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 are connected in common.
- the surface acoustic wave filter device 55 is configured in the same manner as the surface acoustic wave filter device 1 except that the surface acoustic wave filter device 55 is connected to the second terminal 57 via the surface acoustic wave resonator 58.
- a parallel-connected type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device having no balanced-unbalanced conversion function is obtained. Even in this case, the first longitudinally coupled resonator is also provided. Since the decimation weight in the surface acoustic wave filter 7 is different from that in the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 8, the pass characteristic has almost no effect on the filter characteristics in the passband. It is possible to adjust the attenuation in the attenuation region on the lower frequency side than the band.
- the attenuation in the attenuation region on the lower side of the pass band is sufficiently large. It is also possible.
- the present invention can also be applied to a parallel-connected surface acoustic wave filter device that does not have a balanced-unbalanced conversion function.
- FIG. 7 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device 61 according to the fourth embodiment of the present invention.
- the illustrated electrode structure is connected between the unbalanced signal terminal 63 and the first and second balanced signal terminals 64 and 65.
- First and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 67 and 68 are connected in parallel to the unbalanced signal terminal 63 via a one-terminal-pair surface acoustic wave resonator 66.
- the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter section 67 is connected to the first balanced signal terminal 64 via one end-pair surface acoustic wave resonator 69a.
- the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 68 is connected to the second balanced signal terminal 65 via a one-terminal-pair surface acoustic wave resonator 69b.
- the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 67 is connected in parallel.
- the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 67A and 67B, and the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 68 are connected in parallel.
- Vertical coupled resonator type surface acoustic wave filters 68A and 68B that is, each of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8 of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 of the first embodiment has two longitudinally coupled resonator types connected in parallel. It is replaced with a structure that also has surface acoustic wave filter force.
- the thinning weighting mode in the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 67A and 67B is changed to the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter.
- At least one of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 67A and 67B of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter section 67 is thinned out by weighting the remaining longitudinal lengths. What is different from the I-weighting between coupled resonator type surface acoustic wave filters?
- FIG. 8 is a schematic plan view showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device according to the fifth embodiment.
- the illustrated electrode structure is connected between the unbalanced signal terminal 3 and the first and second balanced signal terminals 3 and 4.
- First and second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter units 1001 and 1002 are connected in parallel to the unbalanced signal terminal 3 via a one-terminal-pair surface acoustic wave resonator 6.
- IDT1 012, 1022 located at the center of each of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections 1001, 1002 is divided into IDT ⁇ 1012a and IDT ⁇ 1012b, IDT ⁇ 1022a, and IDT portion 1022b, respectively.
- the IDT unit 1012a and the IDT unit 1022a are connected to the balanced signal terminal 4, and the IDT unit 1012b and the IDT unit 1022b are connected to the balanced signal terminal 5.
- the thinning weighting mode in the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 1001 is changed to the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 100.
- FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure of the surface acoustic wave filter device according to the sixth embodiment.
- the illustrated electrode structure is connected between the unbalanced signal terminal 73 and the first and second balanced signal terminals 74 and 75.
- first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 77 and 78 are connected in parallel to the unbalanced signal terminal 73.
- the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 77 and the second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 78 are both IDTs 81 to 83, 91 to 93 arranged along the surface wave propagation direction.
- This is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter.
- one ends of the central IDTs 82 and 92 are connected in common and connected to the unbalanced signal terminal 73, and the other ends of the IDTs 82 and 92 are connected to the ground potential. Further, one end of each of IDTs 81 and 83 is connected to the ground potential, and the other end is connected to a third longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 79A described later. Similarly, one end of each of IDTs 91 and 93 is connected to a ground potential, and the other end is connected to a fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 79B described later.
- the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 79A and 79B have IDTs 101 to 103 and 111 to 113 arranged along the surface wave propagation direction, respectively.
- This is a resonator type surface acoustic wave filter.
- the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 79A is connected to the other end of each of IDT101 and 103, and the input terminal of the third longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 79A is connected to the other end of the IDT101 and 103. It is connected to 77 output terminals.
- the other ends of the IDTs 101 and 103 are connected to the ground potential. Further, the other end to one end force S ground potential IDT102 is connected to the first balanced signal terminal 7 4.
- the other ends of the IDTs 111 and 113 are connected to the ground potential. Further, each of the IDTs 111 and 113 is connected to each end end 3 and 91, 93. That is, the input terminal of the fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 79B is connected to the second longitudinally coupled resonator. This is connected to the output terminal of the type surface acoustic wave filter 78. Also, one end of IDT112 is connected to the ground potential, and the other end is connected to the second balanced signal terminal 75. It has been continued.
- the weighting force in IDT82 is different from the thinning weighting in IDT92.
- the decimation weighting power of one IDT is different from the decimation weighting of the remaining IDT.
- the thinning weighting force of at least one longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 77 is different from the thinning weighting of the remaining surface acoustic wave filters 78, 79A, 79B. Therefore, as in the case of the first embodiment, the amount of thinning weighting is devised to adjust the attenuation in the attenuation region near the passband that hardly affects the filter characteristics in the passband. Will be able to
- FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device according to a modification of the present invention.
- the surface acoustic wave filter device 121 according to the modified example includes a 5IDT type first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave instead of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters 7 and 8.
- the configuration is the same as that of the first embodiment except that the filters 122 and 123 are used. Accordingly, the same parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
- the first and second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filters 122 and 123 have first to fifth IDTs 131 to 135 and 141 to 145, respectively, positioned along the surface wave propagation direction.
- the decimation weighting force in IDTs 131 to 135 is different from the decimation weighting in IDTs 141 to 145. Therefore, as in the case of the first embodiment, it is possible to adjust the attenuation in the attenuation region near the passband that hardly affects the filter characteristics.
- the present invention can also be applied to a 2IDT type and longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters having other numbers of IDTs.
- FIG. 11 is a schematic plan view showing an electrode structure of a duplexer as another embodiment of the present invention.
- the duplexer 201 is configured by forming the illustrated electrode structure on one piezoelectric substrate (not shown).
- a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 and a transmission filter 202 are formed.
- the uncoupled signal terminal 3 is connected to the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 of the first embodiment, and a reception side filter is configured.
- a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 202 having a ladder type circuit configuration is connected to the unbalanced signal terminal 3 as a transmission side filter.
- the transmission-side filter 202 has series arm resonators SI, S2, S3 connected to a series arm extending between the unbalanced signal terminal 3 and the output terminal 203, and parallel arm resonators PI, P2. .
- the series arm resonators S1 to S3 and the parallel arm resonators PI and P2 are each composed of a one-terminal pair surface acoustic wave resonator.
- a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 is used as a reception side band filter, and a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 202 having a ladder circuit configuration is provided as a transmission side filter.
- a reception side band filter As a result, it is possible to increase the attenuation in the attenuation band lower than the pass band of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1, that is, in the pass band of the transmitting filter, and to improve the isolation characteristics. It becomes possible.
- the present invention not only the surface acoustic wave but also a boundary acoustic wave may be used as the elastic wave. That is, the present invention can also be applied to a boundary acoustic wave filter device that includes only a surface acoustic wave filter device.
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Abstract
通過帯域のフィルタ特性にほとんど影響を与えることなく、通過帯域近傍の減衰域における減衰量の調整及び減衰量の拡大を図り得る弾性波フィルタ装置を提供する。
圧電基板1上に、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ7,8が設けられており、第1,第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ7,8が並列に接続されており、第1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ7及び第2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ8が間引き重み付けされており、少なくとも1個の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ7の間引き重み付けが、残りの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ8の間引き重み付けと異なっている、弾性波フィルタ装置1。
Description
明 細 書
弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
技術分野
[0001] 本発明は、弾性表面波や弾性境界波などを利用した弾性波フィルタ装置及びデュ プレクサに関し、より詳細には、 IDT (インターデジタルトランスデューサ)に間引き重 み付けが施されている構造を備えた弾性波フィルタ装置及びデュプレクサに関する。 背景技術
[0002] 従来、移動体通信機器の帯域フィルタなどに、複数の縦結合共振子型弾性表面波 フィルタを並列接続してなる弾性表面波フィルタ装置が種々用いられて 、る。
[0003] 例えば、下記の特許文献 1には、入力端子に、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ部を並列に接続した構成が示されている。ここでは、第 1,第 2の縦結合 共振子型弾性表面波フィルタ部は、それぞれ、同一に設計された 2個の縦結合共振 子型弾性波フィルタを 2段縦続接続することにより構成されている。
[0004] この先行技術に記載の弾性波フィルタ装置では、 1個の縦結合共振子型弾性波フ ィルタを用いた場合に比べ、電極指交差幅を 1Z2とするようにして、 2個の縦結合共 振子型弾性波フィルタ部を入力端子に並列に接続している。そのため、電極指の抵 抗を 1Z4とすることができ、弾性波フィルタ装置の挿入損失を小さくすることができる
[0005] 他方、下記の特許文献 2には、図 12に示す電極構造を有する縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ装置が開示されている。図 12に示すように、この先行技術に記載 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 501は、入力端子 502に並列に、第 1, 第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 503, 504が接続されている。縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ 503, 504は、それぞれ、第 1,第 2の平衡信号端子 505 , 506に接続されている。
[0006] ここでは、並列接続されている縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 503, 504のう ち一方の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 503が間弓 Iき重み付けされて ヽる。他 方の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 504は間弓 Iき重み付けを施されて ヽな ヽ。
[0007] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 503の複数の IDTに間弓 |き重み付けを施すこ とにより、第 1,第 2の平衡信号端子 505, 506間の信号の平衡度が改善されるとされ ている。
特許文献 1 :特開平 8— 181566号公報
特許文献 2:特開 2003— 318700号公報
発明の開示
[0008] 特許文献 1に記載の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置では、挿入損失を低 減することができるものの、通過帯域近傍の減衰域における減衰量が十分な大きさと なり難かった。
[0009] 他方、特許文献 2に記載の縦結合共振子型弾性表面波フィルタにお ヽても、上記 のように一方の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 503に間弓 Iき重み付けが施され て平衡度は改善されて ヽるものの、通過帯域近傍の減衰域における減衰量は十分 ではなかった。
[0010] 本発明の目的は、複数の縦結合共振子型弾性波フィルタを並列に接続した構成を 備えており、しカゝも、通過帯域近傍の減衰域における減衰量を十分な大きさとするこ とが可能とされている、弾性波フィルタ装置を提供することにある。
[0011] 本願の第 1の発明によれば、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた複数個の 縦結合共振子型弾性波フィルタとを備え、各縦結合共振子型弾性波フィルタが、入 力端子と、出力端子と、入力端子に接続される IDTと、出力端子に接続される IDTと を有し、弾性波伝搬方向に沿って入力端子に接続される IDTと出力端子に接続され る IDTとが交互に設けられており、前記複数個の縦結合共振子型弾性波フィルタの 入力端子が接続されている第 1の端子と、前記複数個の縦結合共振子型弾性波フィ ルタの出力端子が接続されている第 2の端子とをさらに備え、複数個の前記縦結合 共振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、少なくとも 1個の前記縦結合 共振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けが、他の縦結合共振子型弾性波フィルタ の間引き重み付けと異なっていることを特徴とする、弾性波フィルタ装置が提供され る。
[0012] 本願の第 2の発明によれば、圧電基板と、少なくとも 1個の第 1の縦結合共振子型
弾性波フィルタと、少なくとも 1個の第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタとを備え、 前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタが、入力端子と、出力端子と、入力端子 に接続されている IDTと、出力端子に接続されている IDTとを有し、前記圧電基板上 において、弾性波伝搬方向に沿って入力端子に接続されている IDTと出力端子に 接続されている IDTとが交互に設けられており、前記出力端子または入力端子が第 1の平衡信号端子に接続されており、前記第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタが、 入力端子と、出力端子と、入力端子に接続されている IDTと、出力端子に接続されて いる IDTとを有し、前記圧電基板上において、弾性波伝搬方向に沿って入力端子に 接続されている IDTと出力端子に接続されている IDTとが交互に設けられており、出 力端子または入力端子が第 2の平衡信号端子に接続されており、位相が、前記第 1 の縦結合共振子型弾性波フィルタと 180° 異ならされており、前記第 1,第 2の縦結 合共振子型弾性波フィルタの入力端子または出力端子が不平衡信号端子に接続さ れており、前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされて おり、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタのうちの少なくとも 1個の縦結合共 振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けが、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタ の間引き重み付けと異なっていることを特徴とする、弾性波フィルタ装置が提供され る。
第 3の発明によれば、圧電基板と、前記圧電基板に設けられた第 1〜第 4の縦結合 共振子型弾性波フィルタと、不平衡信号端子と、第 1,第 2の平衡信号端子とを備え 、前記第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが、圧電基板上に形成されてお り、第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子または出力端子に接続 されている第 1の IDTと、該第 1の IDTの弾性波伝搬方向両側に設けられており、か つ前記出力端子または入力端子に接続されている第 2の IDTとを有し、前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力端子が前記不平衡信号端子に接続 されており、前記第 3の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子が前記第 1の平 衡信号端子に、前記第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記出力端子が前記 第 2の平衡信号端子に接続されており、前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタ の出力端子に前記第 3の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子が接続されて
おり、前記第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子に前記第 4の縦結合共 振子型弾性波フィルタの入力端子が接続されており、前記第 1〜第 4の縦結合共振 子型弾性波フィルタのうち 1個の縦結合共振子型弾性波フィルタの位相が、残りの縦 結合共振子型弾性波フィルタの位相と逆転されており、前記第 1,第 2の縦結合共振 子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、この間引き重み付けが第 1,第 2 の縦結合共振子型弾性波フィルタで異なって ヽることを特徴とする、弾性波フィルタ 装置が提供される。
[0014] 第 4の本発明によれば、圧電基板と、前記圧電基板に設けられた第 1〜第 4の縦結 合共振子型弾性波フィルタと、不平衡信号端子と、第 1,第 2の平衡信号端子とを備 え、前記第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが、圧電基板上に形成されて おり、第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子または出力端子に接 続されている第 1の IDTと、該第 1の IDTの弾性波伝搬方向両側に設けられており、 かつ前記出力端子または入力端子に接続されている第 2の IDTとを有し、前記第 1, 第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力端子が前記不平衡信号端子に接 続されており、前記第 3の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子が前記第 1の 平衡信号端子に、前記第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記出力端子が前 記第 2の平衡信号端子に接続されており、前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィル タの出力端子に前記第 3の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子が接続され ており、前記第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子に前記第 4の縦結合 共振子型弾性波フィルタの入力端子が接続されており、前記第 1〜第 4の縦結合共 振子型弾性波フィルタのうち 1個の縦結合共振子型弾性波フィルタの位相が、残りの 縦結合共振子型弾性波フィルタの位相と逆転されており、前記第 3,第 4の縦結合共 振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、この間引き重み付けが第 3,第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタで異なって 、ることを特徴とする、弾性波フィルタ 装置が提供される。
[0015] 第 1〜第 4の発明(以下、本発明と総称する。)のある特定の局面では、前記間引き 重み付けが、間引き重み付けが施された縦結合共振子型弾性波フィルタの中心に 対し、弾性波伝搬方向にぉ 、て非対称の形状となるように施されて 、る。
[0016] 本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記間引き重み 付けが施された電極指の本数が、間引き重み付けが施された縦結合共振子型弾性 波フィルタ間で等しくされている。
[0017] 本発明の別の特定の局面では、前記間引き重み付けが施されている IDTが、複数 の縦結合共振子型弾性波フィルタ間で相当の IDTである。
[0018] 本発明に係る弾性波フィルタ装置では、全ての IDTが間引き重み付けを施されて いてもよい。
[0019] また、本発明に係るデュプレクサは、本発明に従って構成された弾性波フィルタ装 置を用いて構成されて 、ることを特徴とする。
(発明の効果)
[0020] 第 1の発明に係る弾性波フィルタ装置では、第 1の端子に複数個の縦結合共振子 型弾性波フィルタの入力端子が接続されており、複数個の縦結合共振子型弾性波フ ィルタの出力端子が第 2の端子に接続されており、少なくとも 1個の縦結合共振子型 弾性波フィルタにおける間弓 Iき重み付けが、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタ の間引き重み付けと異なって 、る。
[0021] 縦結合共振子型弾性波フィルタに間引き重み付けが施されて 、る場合、間引き重 み付けの態様を異ならせることにより、フィルタの通過帯域内の特性にほとんど影響 を与えることなぐ通過帯域近傍の減衰域における応答の山や谷の周波数や応答の 大きさを変化させることができる。従って、第 1の発明では、少なくとも 1個の縦結合共 振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けが、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタ の間引き重み付けと異なって 、るため、これらの間弓 Iき重み付けの態様を調整するこ とにより、通過帯域のフィルタ特性にほとんど影響を与えることなく通過帯域近傍の減 衰域におけるフィルタ特性を制御でき、例えば減衰域における減衰量の拡大を容易 に図ることが可能となる。
[0022] そして、例えば通過帯域よりも低域側の減衰域の減衰量が大きくなるように少なくと も 1個の縦結合共振子型弾性波フィルタの間引き重み付けが、残りの縦結合共振子 型弾性波フィルタの間引き重み付けと異ならされている場合には、通過帯域よりも低 周波数側の通過帯域近傍の減衰域における減衰量を十分な大きさとすることが可能
となる。
[0023] 第 2の発明に係る弾性波フィルタ装置では、少なくとも 1個の第 1の縦結合共振子 型弾性波フィルタと、少なくとも 1個の第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタとが入力 端子と出力端子との間に並列に接続されており、少なくとも 1個の第 2の縦結合共振 子型弾性波フィルタの位相が、第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタの位相と 180 ° 異なっているため、平衡ー不平衡変換機能を有する縦結合共振子型の弾性波フ ィルタ装置が提供される。
[0024] そして、第 2の発明においても、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタのうち の少なくとも 1個の縦結合共振子型弾性波フィルタの間引き重み付けが、残りの縦結 合共振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けと異なって 、るので、これらの間弓 Iき重 み付けの態様を調整することにより、通過帯域におけるフィルタ特性にほとんど影響 を与えることなぐ通過帯域近傍の減衰域における減衰量を調整することができ、例 えば通過帯域近傍の減衰域における減衰量を十分な大きさとすることができる。
[0025] 従って、例えば通過帯域よりも低域側の減衰域の減衰量が大きくなるように、第 1, 第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタのうち少なくとも 1個の縦結合共振子型弾性波 フィルタの間弓 Iき重み付けが、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み 付けと異ならされて ヽる場合には、通過帯域よりも低周波数側の通過帯域近傍の減 衰域における減衰量を十分な大きさとすることができる。
[0026] 第 3,第 4の発明においても、不平衡信号端子に第 1,第 2の縦結合共振子型弾性 波フィルタが並列に接続されており、第 3,第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが、 第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの後段に接続されており、第 3,第 4の縦 結合共振子型弾性波フィルタが第 1,第 2の平衡信号端子に接続されている、平衡 ー不平衡変換機能を有する弾性波フィルタ装置において、第 1,第 2の縦結合共振 子型弾性波フィルタ、または第 3,第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが重み付け されており、該重み付けが、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタまたは 第 3,第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいて異なっているため、通過帯 域に影響をほとんど与えることなぐ通過帯域近傍の減衰域における減衰量を制御 でき、例えば通過帯域の低周波数側における減衰域の減衰量を十分な大きさとする
ことが可能となる。
[0027] 間引き重み付けが、間引き重み付けが施された縦結合共振子型弾性波フィルタの 中心に対し、弾性波伝搬方向にぉ 、て非対称の形状となるように施されて 、る場合 には、通過帯域近傍の減衰域における減衰量をより一層大きくすることが可能となる
[0028] 間弓 Iき重み付けが施された電極指の本数が、間引き重み付けが施された縦結合共 振子型弾性波フィルタ間で等しくされている場合には、通過帯域への影響をより一層 与えることなく、通過帯域近傍の減衰域における減衰量を間弓 Iき重み付けの態様に より調整することができる。
[0029] 間引き重み付けが施されて 、る IDTが複数の縦結合共振子型弾性波フィルタ間で 相当の IDTである場合には、通過帯域への影響をさらに一層与えることなぐ通過帯 域近傍の減衰域における減衰量を間引き重み付けの態様により調整することができ る。
[0030] 全ての IDTが間引き重み付けされている場合には、減衰量周波数特性をより効果 的に調整することが可能となる。
[0031] 本発明に係るデュプレクサは、本発明の弾性波フィルタ装置を用いて構成されてい るので、通過帯域のフィルタ特性にほとんど影響を与えることなぐ通過帯域近傍の 減衰量を十分な大きさとすることができ、受信側及び送信側の帯域フィルタの少なく とも一方に本発明の弾性波フィルタ装置を用いることにより、受信側及び Zまたは送 信側におけるフィルタ特性を効果的に改善することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0032] [図 1]図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る弾性境界波フィルタ装置の電極構造を 示す模式的平面図である。
[図 2]図 2 (a)〜(c)は、本発明に従って施される間引き重み付けを説明するための略 図的部分切欠平面図である。
[図 3]図 3は、本発明の一実施形態及び比較例の弾性表面波フィルタ装置の減衰量 周波数特性を示す図である。
[図 4]図 4は、比較例として用意した弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式
的平面図である。
[図 5]図 5は、第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置を説明するための模式的平 面図である。
[図 6]図 6は、本発明の第 3の実施形態の弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示 す模式的平面図である。
[図 7]図 7は、本発明の第 4の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を 示す模式的平面図である。
[図 8]図 8は、本発明の第 5の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を 示す模式的平面図である。
[図 9]図 9は、本発明の第 6の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を 示す模式的平面図である。
[図 10]図 10は、本発明の変形例に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す 模式的平面図である。
[図 11]図 11は、本発明に従って構成されたデュプレクサの一例を説明するための模 式的平面図である。
[図 12]図 12は、従来の弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図で ある。
符号の説明
1…弾性表面波フィルタ装置
2…圧電基板
3…不平衡信号端子
4, 5…第 1,第 2の平衡信号端子
6…一端子対弾性表面波共振子
7, 8…第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
7A, 8A…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
9…共通接続点
10a, 10b…一端子対弾性表面波共振子
11〜13· ··Π Γ
, 15…反射器
〜23···Π Γ
, 25…反射器
---IDT
a〜31h…電極指
x…電極指
…第 1の端子
…第 2の端子
···弾性表面波フィルタ装置
…不平衡信号端子
, 65···第 1,第 2の平衡信号端子
…一端子対弾性表面波共振子
, 68···第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部A, 67B, 68A, 68B…縦結合共振子型弾性表面波フィルタa, 69b…一端子対弾性表面波共振子
…弾性表面波フィルタ装置
…不平衡信号端子
, 75···第 1,第 2の平衡信号端子
, 78···第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタA, 79B…第 3,第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 〜83···Π Γ
〜93···Π Γ
1〜103'-'IDT
1〜113···Π3Τ
1…弾性表面波フィルタ装置
2, 123···縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
1〜135···Π Γ
1〜145"-IDT
201· ··デュプレクサ
202· ··送信フイノレタ
203…出力端子
A…ギャップ
S1〜S3…直列腕共振子
P1, Ρ2· ··並列腕共振子
発明を実施するための最良の形態
[0034] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明 を明らかにする。
[0035] 図 1は本発明の第 1の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置 1の電極構造を示 す模式的平面図である。弾性表面波フィルタ装置 1は、圧電基板 2を有する。圧電基 板 2は、本実施形態では、 42° Yカット X伝搬の LiTaO基板により構成されている。
3
[0036] 弾性表面波フィルタ装置 1は、入力端子としての不平衡信号端子 3と、出力端子と しての第 1,第 2の平衡信号端子 4, 5とを有する。不平衡信号端子 3に、一端子対弹 性表面波共振子 6を介して、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7, 8が 接続されている。すなわち、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7, 8は 、それぞれ、弾性表面波伝搬方向に沿って配置された第 1〜第 3の IDT11〜13, 2 1〜23と、 IDT11〜13, 21〜23が配置されている領域の表面波伝搬方向両側に 配置された反射器 14, 15, 24, 25とを有する。すなわち、縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ 7, 8は、いずれも 3個の IDTを有する 3IDT型の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタである。
[0037] 第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7の中央に位置している第 2の IDT12 の一端が、共通接続点 9に接続されている。共通接続点 9には、第 2の縦結合共振子 型弾性表面波フィルタ 8の中央の IDT22の一端も接続されて 、る。共通接続点 9が、 一端子対弾性表面波共振子 6を介して不平衡信号端子 3に接続されている。
[0038] IDT12, 22の他端は、グラウンド電位に接続されている。
[0039] 第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7の第 1及び第 3の IDT11、 13の各一 端がグラウンド電位に接続されており、各他端が共通接続されて、一端子対弾性表
面波共振子 10aを介して第 1の平衡信号端子 4に接続されている。また、第 2の縦結 合共振子型弾性表面波フィルタ 8の第 1及び第 3の IDT21, 23の各一端がアース電 位に接続され、各他端が共通接続されて、一端子対弾性表面波共振子 10bを介して 第 2の平衡信号端子 5に接続されている。
[0040] 他方、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7の第 2の IDT12の位相と、第 2 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 8の中央の第 2の IDT22の位相とは略 180° 異ならされている。従って、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1は、平衡ー不 平衡変換機能を有する。
[0041] 他方、本実施形態では、 IDT11〜13, 21〜23が、全て間引き重み付けを施され ている。また、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 8においては、中央の IDT 22は、間引き重み付けが施されているだけでなぐ表面波伝搬方向両端において、 直列重み付けが施されている。直列重み付けとは、 IDT22の一端側において、クラ ンク状のダミー電極指 22aが最外側の電極指と、最外側の次の電極指が設けられて いる領域にまたがるように形成されている、重み付け方法である。 IDT22では、 IDT 22の他端側においても、同様にダミー電極指 22bが設けられており、直列重み付け が施されている。この直列重み付けは、平衡度を改善するために施されている。
[0042] 本実施形態の特徴は、上記直列重み付けにより平衡度が改善されているだけでな く、全ての IDT11〜13, 21〜23が間引き重み付けされており、かつ IDT12におけ る間引き重み付け力 IDT22と異なる態様で間引き重み付けされている点にある。そ して、それによつて、通過帯域内におけるフィルタ特性にさほど影響を与えることなく 、通過帯域近傍の減衰域における減衰量の拡大が図られている。これを具体的な実 験例に基づき説明する。
[0043] なお、図 1を含む添付の図面に示した電極構造では、電極構造は簡略化されてお り、実際の電極指の本数よりも電極指の本数は少なく図示されていることを指摘して おく。
[0044] また、図 2 (a)〜(c)は、間引き重み付けを説明するための略図的平面図である。す なわち、図 2 (a)に示すように、 IDT31力 複数本の電極指 31a〜31hを有し、図 2 (a )の左側から 4本目のハッチングを付して示した電極指 3 Idを間引くとする。電極指 3
Idを間引くと、すなわち削除すると、図 2 (b)に示すように、電極指 31dが設けられて いる部分に空隙 Aが形成されることとなる。しかしながら、この場合には、電極指の連 続性が損なわれるので、図 2 (c)に示すように、左側から 3番目の電極指 31c及び 5本 目の電極指 31eの間に、同電位に接続される電極指 3 lxを配置する。このような方法 力 間引き重み付けと称されている重み付け法である。電極指 31c,電極指 31x及び 電極指 31eは、いずれも同電位に接続されているため、これらの電極指間において は弾性表面波は励振されな ヽ。
[0045] 上記実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1を下記の仕様で作製した。
[0046] なお、本実施形態では、 WCDMA方式の携帯電話機の受信用フィルタとして用い られている、平衡一不平衡変 能を有する帯域フィルタを作製した。ここでは、不 平衡信号端子 3側のインピーダンスは 50 Ωであり、平衡信号端子 4, 5側におけるィ ンピーダンスは 100 Ωである。すなわち、 1 : 2のインピーダンス変 «能を有する弹 性表面波フィルタ装置 1が構成されている。
[0047] 上述した圧電基板上に、電極材料として A1合金を用い、以下の要領で各電極を形 成した。
[0048] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7においては、 IDTの電極ピッチで定まる波長 を λ ΐとすると、
電極指交差幅 44. 9 1
IDTの電極指の本数(IDT11、 12及び 13の順): 35Z49Z35
反射器 14, 15におけるそれぞれの電極指の本数: 85本
メタライゼーシヨンレシオ: 0. 64
電極膜厚: 0. 079 λ ΐ
[0049] なお、図 1では特に図示はしていないが、 IDT同士が隣り合う部分においては、 ID Tの端部力 複数本の電極指間の電極指ピッチが残りの電極指部の電極指ピッチよ りも狭くされている、狭ピッチ電極指部が設けられており、それによつて挿入損失の低 減が図られている。
[0050] このような狭ピッチ電極指部の電極指の本数は、 IDT11の IDT12側端部にお!、て は 4本とし、 IDT12の IDT11側端部において 4本、 IDT13側端部において 4本とし、
IDT13の IDT12側端部では 4本とした。
[0051] また、 IDT11〜13の間引き重み付けは以下のように施した。
[0052] IDT11…反射器 14側端部から 6本目の電極指
IDT12 -IDT11側端部から 6本目の電極指と、 IDT13側端部から 6本目の電極 指
IDT13…反射器 15側端部から 6本目の電極指
[0053] なお、図 1は、上記のように簡略化した図であるため、間引き重み付けが施された電 極指の位置は、上記仕様と一致していない。
[0054] 第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 8においては、 IDT22を IDT12に対し て位相を反転させている点と、 IDT22における間引き重み付けが施されている電極 指力 IDT21側端部から 9本目の電極指と、 IDT23側端部から 9本目の電極指とさ れている点が異なっている。また、前述したように、 IDT22では、両端に直列重み付 けを施した。その他の点は、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 8は、第 1の 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7と同様に構成した。
[0055] 弾性表面波共振子 6については、以下のように作製した。 IDTのピッチで定まる波 長を λ ΐとすると、
交差幅: 37. 8 1
IDTの電極指の本数: 161本
反射器の電極指の本数: 15本
メタライゼーシヨンレシオ: 0. 58
電極膜厚: 0. 082 λ ΐ
[0056] また、弾性表面波共振子 10a, 10bは、それぞれ以下のように設計した。
交差幅: 35. I l l
IDTの電極指の本数: 161本
1つの反射器における電極指の本数: 15本
メタライゼーシヨンレシオ: 0. 58
電極膜厚: 0. 082 λ ΐ
[0057] 図 3は、上記のようにして作製した本実施形態の弾性表面波フィルタ装置の減衰量
周波数特性を示す図である。また、比較例として、図 4に示すように、第 2の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ 8Aの IDT22Aの間弓 |き重み付け力 IDT12と同様にし て間引き重み付けされていることを除いては、上記実施形態と同様にして構成された 弾性表面波フィルタ装置 32を作製し、減衰量周波数特性を測定した。結果を図 3〖こ 破線で示す。
[0058] 図 3の実線と破線とを比較すれば明らかなように、通過帯域内における周波数特性 は、上記実施形態及び比較例のいずれにおいても差異のないことがわかる。 WCD MA方式の携帯電話機の受信側フィルタにおける通過帯域は 2110〜2170MHzで あり、送信側フィルタの通過帯域は 1920〜 1980MHzである。従って、受信側フィル タでは、送信側フィルタの通過帯域が減衰域となり、この減衰域においてできるだけ 大きい減衰量が求められる。
[0059] 図 3から明らかなように、比較例の弾性表面波フィルタ装置では、 1900〜2000M Hz、特に通過帯域に近い 1970MHz付近において、挿入損失が 37dB程度になつ ていることがわかる。これに対して、上記実施形態の弾性表面波フィルタ装置では、 通過帯域近傍の減衰域、特に低周波数側の減衰域において、最小挿入損失量が 4 2dB以上であることがわかる。そして、 1900〜2000MHzの周波数域における最小 挿入損失量が、 42dBを上回っており、通過帯域近傍の減衰域、特に低周波数側の 減衰域における減衰量が約 5dB改善されていることがわかる。また、このとき、通過帯 域内のフィルタ特性はほとんど変化して ヽな 、。
[0060] 上記のように、実施形態において、通過帯域近傍の減衰域における減衰量の拡大 、すなわち通過帯域近傍の減衰域における最小挿入損失量を大きくし得たのは以下 の理由によると考えられる。
[0061] すなわち、間引き重み付けに際し、間引き重み付けの対象となる電極指の位置を 変更した場合、弾性表面波フィルタの通過帯域内の特性はほとんど変化せずに、通 過帯域よりも低周波数側に発生する応答の山の周波数、谷の周波数が変化すること となる。実施形態のように、 2つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7, 8が並列接 続されている構成において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7, 8を同様に間引 き重み付けした場合においても、上記山や谷の周波数は変化するが、一定の範囲で
しか変化させることはできず、所望の減衰域における減衰量の拡大を図り得るとは限 らない。
[0062] これに対して、本実施形態では、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7にお ける間弓 Iき重み付けと、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 8における間引き 重み付けの位置が異なっているため、並列接続されている第 1,第 2の縦結合共振 子型弾性表面波フィルタにおける山及び谷の変化が重ね合わされることになる。従つ て、上記間引き重み付けが異なっているため、間引き重み付けの態様による減衰域 の周波数特性の調整範囲を大幅に拡大することができる。例えば、減衰量を大きくし た 、周波数範囲にぉ 、て、上記応答の山が存在しな 、ように間弓 Iき重み付けを施し たり、上記応答を小さくしたりすることにより、減衰量を大きくすることができる。すなわ ち、上記実施形態では、通過帯域よりも低域側の減衰域における減衰量が大きくな るように、 IDT12の間引き重み付けと、 IDT22の間引き重み付けが施されている位 置が変更されている。
[0063] 言い換えれば、本実施形態では、 IDT12の間引き重み付けと、 IDT22の間引き重 み付けとは、通過帯域よりも低周波数側の通過帯域近傍の減衰域における減衰量を 拡大し得るように間引き重み付けの態様が異ならされている。
[0064] 上記のように、間引き重み付けの態様を、 IDT12と IDT22とで異ならせることにより 、通過帯域におけるフィルタ特性にほとんど影響を与えることなぐ通過帯域よりも低 周波数側の減衰域における減衰量の拡大を図ることが可能となった。もっとも、前述 したように、 IDT12と、 IDT22の間引き重み付けを異ならせた場合、必ずしも、通過 帯域低域側の減衰量の拡大を図ることができるわけではない。しかし、 IDT12の間 Iき重み付けと IDT22の間弓 Iき重み付けと異ならせることにより、通過帯域のフィル タ特性に影響をほとんど与えることなぐ通過帯域近傍の減衰域における減衰特性を 調整することができるので求められる減衰特性に応じて、間引き重み付けの態様を異 ならせればよい。
[0065] 図 5は、本発明の第 2の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示 す模式的平面図である。図 1に示した弾性表面波フィルタ装置 1では、縦結合共振 子型弾性表面波フィルタ 7においては、中央の IDT12の中心に対して、表面波伝搬
方向両側にお 、て対称となるように縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7の IDT11 〜13における間引き重み付けが施されていた。同様に、縦結合共振子型弾性表面 波フィルタ 8においても、中央の IDT22の中心に対して表面波伝搬方向両側が対称 となるように間弓 Iき重み付けが施されて 、た。
[0066] これに対して、図 5に示す弾性表面波フィルタ装置 51では、第 1の縦結合共振子型 弾性表面波フィルタ 7Aにおいては、中央の第 2の IDT12の中心に対して表面波伝 搬方向において非対称となるように IDT11A, 13Aが間引き重み付けされている。同 様に、 IDT22の中心に対し、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 8Aにおけ る間引き重み付けの態様が非対称となるように第 2の縦結合共振子型弾性表面波フ ィルタ 8Aが重み付けされて!、る。
[0067] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 51は、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 装置 1と、上記の点を除いては、同様に構成されている。
[0068] 第 2の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 51から明らかなように、本発明において は、各縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7A, 8Aにおける間引き重み付けの態様 は、各縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7A, 8Aの中央の IDTの中心に対し表面 波伝搬方向両側において対称とされる必要はなぐ非対称とされていてもよい。従つ て、このように、非対称とすることによって、さらに減衰特性を得るための設計の自由 度を高めることができ、場合によっては、減衰域における減衰量をより一層大きくする ことができる。
[0069] 図 1及び図 5は、平衡ー不平衡変換機能を有し、第 2の縦結合共振子型弾性表面 波フィルタが不平衡信号端子に並列に接続されている構造を説明したが、本発明は 、他の電極構造を有する弾性表面波フィルタ装置にも適用することができる。これを、 図 6〜図 10を参照して説明する。
[0070] 図 6は、本発明の第 3の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置 55の電極構造を 示す模式的平面図である。第 3の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 55は、一対の 平衡信号端子を有しない。すなわち、入力端子としての第 1の端子 56と、出力端子と しての第 2の端子 57とを有する。第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの位相 が第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタと同じにされたことを除いて、第 1の実
施形態と同様に構成された第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7, 8の 入力端子が共通接続点 9により共通接続されている。共通接続点 9がー端子対弾性 表面波共振子 6を介して第 1の端子 56に接続されている。また、縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ 7, 8の出力端子が共通接続され、一端子対弾性表面波共振子 58 を介して第 2の端子 57に接続されて 、る。
[0071] 上記のように、平衡ー不平衡変換機能を有せず、第 1,第 2の縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ 7, 8の出力端子が共通接続されて、一端子対弾性表面波共振子 58を介して第 2の端子 57に接続されていることを除いては、弾性表面波フィルタ装 置 55は弾性表面波フィルタ装置 1と同様に構成されている。
[0072] 本実施形態で、平衡ー不平衡変換機能を有しない並列接続型の縦結合共振子型 弾性表面波フィルタ装置が得られているが、この場合においても、第 1の縦結合共振 子型弾性表面波フィルタ 7における間引き重み付けが、第 2の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ 8の間弓 Iき重み付けと異なって 、るため、通過帯域におけるフィルタ 特性にほとんど影響を与えることなぐ通過帯域よりも低周波数側の減衰域における 減衰量を調整することができる。また、例えば、通過帯域よりも低域側の減衰域にお ける減衰量が拡大されるように、両者の重み付けを異ならせることにより、通過帯域低 域側の減衰域における減衰量を十分な大きさとすることも可能である。
[0073] 図 6から明らかなように、本発明は、平衡—不平衡変換機能を有しない並列接続型 の弾性表面波フィルタ装置にも適用することができる。
[0074] 図 7は、本発明の第 4の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置 61の電極構造を 示す模式的平面図である。不平衡信号端子 63及び第 1,第 2の平衡信号端子 64, 6 5間に図示の電極構造が接続されている。不平衡信号端子 63に、一端子対弾性表 面波共振子 66を介して第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 67, 68 が並列に接続されている。第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 67は、一端 子対弾性表面波共振子 69aを介して第 1の平衡信号端子 64に接続されている。第 2 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 68は、一端子対弾性表面波共振子 69bを 介して第 2の平衡信号端子 65に接続されている。
[0075] 本実施形態では、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 67が、並列に接続
された第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 67A, 67Bを有し、第 2の縦 結合共振子型弾性表面波フィルタ部 68が、並列に接続された第 1,第 2の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ 68A, 68Bを有する。すなわち、第 1の実施形態の縦結 合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7, 8 のそれぞれが、並列に接続された 2個の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ力もな る構造に置き換えられて 、る。
[0076] 本実施形態にお!ヽても、例えば、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 67A , 67Bにおける間引き重み付けの態様を、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィル タ 68A, 68Bにおける間引き重み付けの態様と異ならせることにより、通過帯域近傍 の減衰域における減衰特性を調整でき、減衰域における減衰量の拡大を図ることが 可能となる。
[0077] この場合、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 67の第 1,第 2の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ 67A, 67Bの少なくとも一方の間引き重み付けを、残りの 縦結合共振子型弾性表面波フィルタの間弓 Iき重み付けと異ならせればよ 、。
[0078] なお、第 4の実施形態においても、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 68A, 68 Bにおいては、中央の IDTの両端に直列重み付けがそれぞれ施されている。これは 、平衡度を改善するためである。
[0079] 図 8は、第 5の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的 平面図である。第 6の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置 1000では、不平衡信 号端子 3と第 1,第 2の平衡信号端子 3, 4間に図示の電極構造が接続されている。 不平衡信号端子 3に、一端子対弾性表面波共振器 6を介して第 1,第 2の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ部 1001, 1002が並列に接続されている。第 1,第 2の縦 結合共振子型弾性表面波フィルタ部 1001, 1002のそれぞれ中央に位置する IDT1 012, 1022の一端はそれぞれ IDT咅 1012aと IDT咅 1012b、 IDT咅 1022aと IDT 部 1022bに分割されており、 IDT部 1012aと IDT部 1022aとが平衡信号端子 4に、 I DT部 1012bと IDT部 1022bとが平衡信号端子 5に接続されている。
[0080] 本実施形態においても、例えば第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 1001 における間引き重み付けの態様を、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 100
2の態様と異ならせることにより、通過帯域近傍の減衰域における減衰特性を調整で き、減衰域における減衰量の拡大を図ることが可能となる。
[0081] 図 9は、第 6の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的 平面図である。第 6の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置 71では、不平衡信号 端子 73と、第 1,第 2の平衡信号端子 74, 75間に図示の電極構造が接続されている 。ここでは、不平衡信号端子 73に並列に、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波 フィルタ 77, 78が接続されている。第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 77及 び第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 78は、いずれも、表面波伝搬方向に 沿って配置された IDT81〜83, 91〜93を有する、 3IDT型の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタである。
[0082] ここでは、中央の IDT82, 92の一端が共通接続されて、不平衡信号端子 73に接 続されており、 IDT82, 92の他端はグラウンド電位に接続されている。また、 IDT81 , 83の各一端がグラウンド電位に接続され、各他端が、後述する第 3の縦結合共振 子型弾性表面波フィルタ 79Aに接続されている。同様に、 IDT91, 93の各一端がグ ラウンド電位に接続され、各他端が後述する第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィ ルタ 79Bに接続されている。
[0083] 第 3,第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 79A, 79Bは、それぞれ、表面波 伝搬方向に沿って配置された IDT101〜103, 111〜113を有する、 3IDT型の縦 結合共振子型弾性表面波フィルタである。 IDT101, 103の各一端力 IDT81, 83 の各他端に接続されて、第 3の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 79Aの入力端 子が、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 77の出力端子に接続されている。 IDT101, 103の各他端はグラウンド電位に接続されている。また、 IDT102の一端 力 Sグラウンド電位に他端が第 1の平衡信号端子 74に接続されている。
[0084] 同様に、第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 79Bでは、 IDT111, 113の各 他端がグラウンド電位に接続されている。また、 IDT111, 113の各ー端カ¾3丁91, 9 3に接続されており、すなわち、第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 79Bの入 力端子が、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 78の出力端子に接続されて いる。また、 IDT112の一端がグラウンド電位に、他端が第 2の平衡信号端子 75に接
続されている。
[0085] 第 6の実施形態の弾性表面波フィルタ装置 71においては、 IDT81〜83, 91-93 , 101-103, 111〜113の全てが間引き重み付けされている。もっとも、本発明に 従って、 IDT82における重み付け力 IDT92における間引き重み付けと異なってい る。すなわち、 1つの IDTの間引き重み付け力 残りの IDTの間引き重み付けと異な つている。言い換えれば、少なくとも 1つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 77の 間引き重み付け力 残りの弾性表面波フィルタ 78, 79A, 79Bの間引き重み付けと 異なっている。従って、第 1の実施形態の場合と同様に、これらの間引き重み付けの 異ならせ方を工夫することにより、通過帯域におけるフィルタ特性にほとんど影響を 与えることなぐ通過帯域近傍の減衰域における減衰量を調整することが可能となる
[0086] 図 10は、本発明の変形例に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式 的平面図である。変形例の弾性表面波フィルタ装置 121は、第 1,第 2の縦結合共振 子型弾性表面波フィルタ 7, 8に代えて、 5IDT型の第 1,第 2の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ 122, 123を用いたことを除いては、第 1の実施形態と同様に構成さ れている。従って、同一部分については同一の参照番号を付することにより説明を省 略する。
[0087] 第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 122, 123は、それぞれ、表面波 伝搬方向に沿って位置された第 1〜第 5の IDT131〜135, 141〜145を有する。こ こでは、 IDT131〜135における間引き重み付け力 IDT141〜145における間引 き重み付けと異なっている。従って、第 1の実施形態の場合と同様に、フィルタ特性に ほとんど影響を与えることなぐ通過帯域近傍の減衰域における減衰量の調整を図る ことができる。このように、本発明においては、 3IDT型に限らず、 5IDT型の縦結合 共振子型弾性表面波フィルタを用いてもよい。さらに、 2IDT型や、他の数の IDTを 有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにも本発明を適用することができる。
[0088] 図 11は、本発明の他の実施形態としてのデュプレクサの電極構造を示す模式的平 面図である。デュプレクサ 201は、 1つの圧電基板(図示せず)上に図示の電極構造 を形成することにより構成されている。ここでは、第 1の実施形態に従って構成された
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1と、送信側フィルタ 202とが形成されてい る。不平衡信号端子 3に、第 1の実施形態の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装 置 1が接続され、受信側フィルタが構成されている。他方、不平衡信号端子 3には、ラ ダー型回路構成を有する縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ 202が送信側フィ ルタとして接続されている。この送信側フィルタ 202は、不平衡信号端子 3と、出力端 子 203との間に延びる直列腕に接続された直列腕共振子 SI, S2, S3と、並列腕共 振子 PI, P2とを有する。直列腕共振子 S1〜S3及び並列腕共振子 PI, P2は、いず れも、一端子対弾性表面波共振子により構成されている。
[0089] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1を受信側帯域フィルタとして、ラダー型 回路構成の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 202を送信側フィルタとして備える デュプレクサ 201では、受信側帯域フィルタとしての縦結合共振子型弾性表面波フィ ルタ装置 1の通過帯域よりも低域側の減衰域、すなわち送信側フィルタの通過帯域 における減衰量を大きくすることができ、アイソレーション特性を高めることが可能とな る。
[0090] なお、本発明においては、弾性波として、弾性表面波に限らず弾性境界波を用い てもよい。すなわち、弾性表面波フィルタ装置だけでなぐ弾性境界波フィルタ装置 にも本発明を適用することができる。
Claims
[1] 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた複数個の縦結合共振子型弾性波フィルタとを備え、 各縦結合共振子型弾性波フィルタが、入力端子と、出力端子と、入力端子に接続さ れる IDTと、出力端子に接続される IDTとを有し、弾性波伝搬方向に沿って入力端 子に接続される IDTと出力端子に接続される IDTとが交互に設けられており、 前記複数個の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子が接続されている第 1の 端子と、
前記複数個の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子が接続されている第 2の 端子とをさらに備え、
複数個の前記縦結合共振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、少な くとも 1個の前記縦結合共振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けが、他の縦結合 共振子型弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けと異なつて 、ることを特徴とする、弾性波 フィルタ装置。
[2] 圧電基板と、
少なくとも 1個の第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタと、
少なくとも 1個の第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタとを備え、
前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタが、入力端子と、出力端子と、入力端子 に接続されている IDTと、出力端子に接続されている IDTとを有し、前記圧電基板上 において、弾性波伝搬方向に沿って入力端子に接続されている IDTと出力端子に 接続されている IDTとが交互に設けられており、前記出力端子または入力端子が第 1の平衡信号端子に接続されており、
前記第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタが、入力端子と、出力端子と、入力端子 に接続されている IDTと、出力端子に接続されている IDTとを有し、前記圧電基板上 において、弾性波伝搬方向に沿って入力端子に接続されている IDTと出力端子に 接続されている IDTとが交互に設けられており、出力端子または入力端子が第 2の平 衡信号端子に接続されており、位相が、前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタ と 180° 異ならされており、
前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子または出力端子が不 平衡信号端子に接続されており、
前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタのうちの少なくとも 1個の縦結合共振子型 弾性波フィルタの間弓 Iき重み付けが、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタの間弓 I き重み付けと異なって 、ることを特徴とする、弾性波フィルタ装置。
[3] 圧電基板と、
前記圧電基板に設けられた第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタと、不平 衡信号端子と、第 1,第 2の平衡信号端子とを備え、
前記第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが、圧電基板上に形成されてお り、第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子または出力端子に接続 されている第 1の IDTと、該第 1の IDTの弾性波伝搬方向両側に設けられており、か つ前記出力端子または入力端子に接続されている第 2の IDTとを有し、
前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力端子が前記不平衡信 号端子に接続されており、前記第 3の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子が 前記第 1の平衡信号端子に、前記第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記出 力端子が前記第 2の平衡信号端子に接続されており、
前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子に前記第 3の縦結合共振 子型弾性波フィルタの入力端子が接続されており、前記第 2の縦結合共振子型弾性 波フィルタの出力端子に前記第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子が接 続されており、
前記第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタのうち 1個の縦結合共振子型弹 性波フィルタの位相が、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタの位相と逆転されて おり、
前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、こ の間引き重み付けが第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタで異なって 、ること を特徴とする、弾性波フィルタ装置。
[4] 圧電基板と、
前記圧電基板に設けられた第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタと、不平 衡信号端子と、第 1,第 2の平衡信号端子とを備え、
前記第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが、圧電基板上に形成されてお り、第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子または出力端子に接続 されている第 1の IDTと、該第 1の IDTの弾性波伝搬方向両側に設けられており、か つ前記出力端子または入力端子に接続されている第 2の IDTとを有し、
前記第 1,第 2の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記入力端子が前記不平衡信 号端子に接続されており、前記第 3の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子が 前記第 1の平衡信号端子に、前記第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの前記出 力端子が前記第 2の平衡信号端子に接続されており、
前記第 1の縦結合共振子型弾性波フィルタの出力端子に前記第 3の縦結合共振 子型弾性波フィルタの入力端子が接続されており、前記第 2の縦結合共振子型弾性 波フィルタの出力端子に前記第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタの入力端子が接 続されており、
前記第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタのうち 1個の縦結合共振子型弹 性波フィルタの位相が、残りの縦結合共振子型弾性波フィルタの位相と逆転されて おり、
前記第 3,第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタが間引き重み付けされており、こ の間引き重み付けが第 3,第 4の縦結合共振子型弾性波フィルタで異なっていること を特徴とする、弾性波フィルタ装置。
[5] 前記間弓 Iき重み付けが、間弓 Iき重み付けが施された縦結合共振子型弾性波フィル タの中心に対し、弾性波伝搬方向にお!、て非対称の形状となるように施されて 、る、 請求項 1〜4のいずれか 1項に記載の弾性波フィルタ装置。
[6] 前記間弓 Iき重み付けが施された電極指の本数が、間引き重み付けが施された縦結 合共振子型弾性波フィルタ間で等しくされている、請求項 1〜5のいずれか 1項に記 載の弾性波フィルタ装置。
[7] 前記間引き重み付けが施されている IDTは、複数の縦結合共振子型弾性波フィル タ間で相当の IDTである、請求項 1〜6のいずれか 1項に記載の弾性波フィルタ装置
全ての IDTが間引き重み付けされている、請求項 1〜7のいずれ力 4項に記載の弹 性波フィルタ装置。
請求項:!〜 8の 、ずれか 1項に記載の弾性波フィルタ装置を用いて構成されて 、る ことを特徴とする、デュプレクサ。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260463A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波フィルタ装置 |
JPWO2008146552A1 (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
JP2010287966A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
EP2432123A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-21 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Duplexer |
JP2016192696A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子,分波器および通信装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007116760A1 (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | デュプレクサ |
KR20100130602A (ko) | 2008-03-14 | 2010-12-13 | 파나소닉 주식회사 | 탄성파 필터 및 이를 이용한 듀플렉서 및 전자 기기 |
DE102009032840B4 (de) * | 2009-07-13 | 2015-02-05 | Epcos Ag | SAW-Filterschaltung mit verbesserter ESD-Festigkeit |
JP2011087282A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-04-28 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波フィルタ及びそれを備える分波器 |
US10320363B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module |
JP6516072B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2019-05-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN106410338B (zh) * | 2016-11-18 | 2020-12-18 | 桂林电子科技大学 | 一种高温超导滤波器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131281A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Murata Mfg Co Ltd | 多電極形弾性表面波フィルタ |
JPH08181566A (ja) | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 弾性表面波フィルタ装置 |
JPH10135780A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 二重モードsawフィルタの構造 |
JP2003179458A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2003289234A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2003318700A (ja) | 2001-04-09 | 2003-11-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730364A (ja) | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波フィルタおよびそれを用いた無線通信装置 |
JP3324424B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-09-17 | 株式会社村田製作所 | 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ |
JPH09214281A (ja) | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Mitsumi Electric Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
JPH10261936A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波フィルタ |
CN2323515Y (zh) * | 1997-09-25 | 1999-06-09 | 中国科学院声学研究所 | 通信用低插损声表面波中频滤波器 |
JP3386999B2 (ja) * | 1998-01-16 | 2003-03-17 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3371849B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2003-01-27 | 株式会社村田製作所 | Saw共振子、複合sawフィルタ及びsawフィルタ |
CN1110133C (zh) * | 1999-07-16 | 2003-05-28 | 中国科学院声学研究所 | 声表面波无绳电话双工器 |
US6720842B2 (en) * | 2000-02-14 | 2004-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter device having first through third surface acoustic wave filter elements |
JP3435640B2 (ja) | 2000-05-22 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ |
JP3454239B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2003-10-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
US6815868B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-11-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus and communication unit |
JP3520420B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2004-04-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP3826877B2 (ja) | 2002-01-22 | 2006-09-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびそれを有する通信装置 |
JP4049034B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、通信装置 |
JP4273935B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2009-06-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
DE10352640B4 (de) * | 2003-11-11 | 2014-02-13 | Epcos Ag | DMS-Filter |
CN100546179C (zh) * | 2005-02-16 | 2009-09-30 | 株式会社村田制作所 | 平衡型声波滤波器件 |
EP2066026B1 (en) * | 2006-09-22 | 2016-04-13 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device |
-
2006
- 2006-09-20 EP EP06810325.8A patent/EP1933457B1/en active Active
- 2006-09-20 WO PCT/JP2006/318629 patent/WO2007040052A1/ja active Application Filing
- 2006-09-20 JP JP2007517667A patent/JP4557008B2/ja active Active
- 2006-09-20 KR KR1020077013744A patent/KR100869220B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-20 CN CN2006800015443A patent/CN101091310B/zh active Active
-
2007
- 2007-06-15 US US11/763,906 patent/US7532090B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07131281A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Murata Mfg Co Ltd | 多電極形弾性表面波フィルタ |
JPH08181566A (ja) | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 弾性表面波フィルタ装置 |
JPH10135780A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 二重モードsawフィルタの構造 |
JP2003318700A (ja) | 2001-04-09 | 2003-11-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2003179458A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2003289234A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008146552A1 (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
JP4868064B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-02-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波分波器 |
JP2009260463A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波フィルタ装置 |
JP2010287966A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
US8461942B2 (en) | 2009-06-09 | 2013-06-11 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
EP2432123A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-21 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Duplexer |
JP2016192696A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子,分波器および通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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