JP2003255305A - 液晶表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液
晶表示装置及びその駆動方法に関し、良好な視角特性の
得られる液晶表示装置及びその駆動方法を提供すること
ことを目的とする。 【解決手段】相対的に高レベルのデータ電圧がＴＦＴ７
２のゲート電極Ｇ２に印加されると、液晶層５７に駆動
電圧が長時間印加されて白表示が実現される。相対的に
低レベルのデータ電圧がＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に
印加されると、液晶層５７に駆動電圧が印加されず黒表
示が実現される。上記高レベルおよび低レベルの中間の
データ電圧がＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加される
と、ＴＦＴ７２は、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１により定まる時
定数で決まる時間だけオン状態を維持する。当該オン時
間だけ液晶層５７には駆動電圧が印加される。これによ
り、１フレーム期間中のＴＦＴ７２のオン時間の割合に
応じて、中間調表示が実現される。
晶表示装置及びその駆動方法に関し、良好な視角特性の
得られる液晶表示装置及びその駆動方法を提供すること
ことを目的とする。 【解決手段】相対的に高レベルのデータ電圧がＴＦＴ７
２のゲート電極Ｇ２に印加されると、液晶層５７に駆動
電圧が長時間印加されて白表示が実現される。相対的に
低レベルのデータ電圧がＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に
印加されると、液晶層５７に駆動電圧が印加されず黒表
示が実現される。上記高レベルおよび低レベルの中間の
データ電圧がＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加される
と、ＴＦＴ７２は、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１により定まる時
定数で決まる時間だけオン状態を維持する。当該オン時
間だけ液晶層５７には駆動電圧が印加される。これによ
り、１フレーム期間中のＴＦＴ７２のオン時間の割合に
応じて、中間調表示が実現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報機器等の表示
部に用いられる液晶表示装置及びその駆動方法に関す
る。
部に用いられる液晶表示装置及びその駆動方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は大型化、高階調化
及び高コントラスト化が図られ、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａ
ｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）のモニタやテレビジョン受像機
等に使用されるようになっている。これらの用途では、
表示画面をあらゆる方向から見ることができるような優
れた視角特性が要求される。
及び高コントラスト化が図られ、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａ
ｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）のモニタやテレビジョン受像機
等に使用されるようになっている。これらの用途では、
表示画面をあらゆる方向から見ることができるような優
れた視角特性が要求される。
【０００３】カラー液晶表示装置は、視角特性の点で未
だＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−ＲａｙＴｕｂｅ）に及ばな
いため、広視野角化の実現が望まれている。液晶表示装
置の広視野角化の手法として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄ
ｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
モードがある。図２７は、ＭＶＡモードの液晶表示装置
の概略の断面構成を示している。図２７（ａ）は液晶層
に電圧が印加されていない状態を示し、図２７（ｂ）は
液晶層に所定の電圧が印加された状態を示している。図
２７（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶表示装置は、対
向して配置された基板３０２、３０４を有している。両
基板３０２、３０４上には、透明電極（図示せず）が形
成されている。また、一方の基板３０２上には線状の突
起３０６が互いに平行に複数形成され、他方の基板３０
４上には線状の突起３０８が互いに平行に複数形成され
ている。突起３０６、３０８は、基板面に垂直方向に見
て、交互に配列するようになっている。
だＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−ＲａｙＴｕｂｅ）に及ばな
いため、広視野角化の実現が望まれている。液晶表示装
置の広視野角化の手法として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄ
ｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
モードがある。図２７は、ＭＶＡモードの液晶表示装置
の概略の断面構成を示している。図２７（ａ）は液晶層
に電圧が印加されていない状態を示し、図２７（ｂ）は
液晶層に所定の電圧が印加された状態を示している。図
２７（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶表示装置は、対
向して配置された基板３０２、３０４を有している。両
基板３０２、３０４上には、透明電極（図示せず）が形
成されている。また、一方の基板３０２上には線状の突
起３０６が互いに平行に複数形成され、他方の基板３０
４上には線状の突起３０８が互いに平行に複数形成され
ている。突起３０６、３０８は、基板面に垂直方向に見
て、交互に配列するようになっている。
【０００４】両基板３０２、３０４間には、負の誘電率
異方性を有する液晶層１６０が封止されている。図２７
（ａ）に示すように、液晶分子３１２は、両基板３０
２、３０４の対向面に形成された垂直配向膜（図示せ
ず）の配向規制力により基板面にほぼ垂直に配向してい
る。突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、突起
３０６、３０８により形成された斜面にほぼ垂直に配向
する。すなわち、突起３０６、３０８近傍の液晶分子３
１２は、基板面に対して傾いて配向している。
異方性を有する液晶層１６０が封止されている。図２７
（ａ）に示すように、液晶分子３１２は、両基板３０
２、３０４の対向面に形成された垂直配向膜（図示せ
ず）の配向規制力により基板面にほぼ垂直に配向してい
る。突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、突起
３０６、３０８により形成された斜面にほぼ垂直に配向
する。すなわち、突起３０６、３０８近傍の液晶分子３
１２は、基板面に対して傾いて配向している。
【０００５】図２７（ｂ）に示すように、両基板３０
２、３０４の透明電極間に所定の電圧が印加されると、
突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、突起３０
６、３０８の延伸方向に垂直な方向に傾斜する。その傾
斜は突起３０６、３０８の間の各液晶分子３１２に伝播
し、突起３０６、３０８間の領域の液晶分子３１２は同
一方向に傾斜する。
２、３０４の透明電極間に所定の電圧が印加されると、
突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、突起３０
６、３０８の延伸方向に垂直な方向に傾斜する。その傾
斜は突起３０６、３０８の間の各液晶分子３１２に伝播
し、突起３０６、３０８間の領域の液晶分子３１２は同
一方向に傾斜する。
【０００６】このように、突起３０６、３０８等の配向
規制用構造物を配置することにより、液晶分子３１２の
傾斜方向を領域毎に規制することができる。配向規制用
構造物を互いにほぼ垂直な２方向に形成すると、液晶分
子３１２は１画素内で４方向に傾斜する。各領域の視角
特性が混合される結果、白表示又は黒表示において広い
視野角が得られる。ＭＶＡモードの液晶表示装置では、
表示画面に垂直な方向から上下左右方向への角度８０°
以上においても１０以上のコントラスト比が得られてい
る。
規制用構造物を配置することにより、液晶分子３１２の
傾斜方向を領域毎に規制することができる。配向規制用
構造物を互いにほぼ垂直な２方向に形成すると、液晶分
子３１２は１画素内で４方向に傾斜する。各領域の視角
特性が混合される結果、白表示又は黒表示において広い
視野角が得られる。ＭＶＡモードの液晶表示装置では、
表示画面に垂直な方向から上下左右方向への角度８０°
以上においても１０以上のコントラスト比が得られてい
る。
【０００７】ＭＶＡモードの液晶表示装置は、高コント
ラスト及び高速応答を実現する垂直配向技術と、広視野
角を実現する配向分割技術とが組み合わされて用いられ
ている。配向分割技術では、線状の突起３０６、３０８
や電極の抜き部（スリット）等の配向規制用構造物が基
板上に形成される。これらの配向規制用構造物により液
晶分子３１２の配向方向が規制されるとともに、生産性
低下の大きな原因となるラビング処理が不要になるた
め、高生産性が実現される。
ラスト及び高速応答を実現する垂直配向技術と、広視野
角を実現する配向分割技術とが組み合わされて用いられ
ている。配向分割技術では、線状の突起３０６、３０８
や電極の抜き部（スリット）等の配向規制用構造物が基
板上に形成される。これらの配向規制用構造物により液
晶分子３１２の配向方向が規制されるとともに、生産性
低下の大きな原因となるラビング処理が不要になるた
め、高生産性が実現される。
【０００８】また、表示品位のさらに高いＭＶＡモード
の液晶表示装置を実現するため、液晶層１６０中に光硬
化物を形成することによって、液晶分子３１２の配向規
制力を高める技術がある。液晶表示パネル中に、光硬化
性組成物（樹脂）を含む液晶を注入し、電圧を印加した
状態で光硬化物を形成することにより、配向規制用構造
物で分割されたそれぞれの配向領域全体に所定のプレチ
ルト角を付与することができる。これにより、液晶分子
３１２の配向異常領域が減少して高透過率化を実現でき
るとともに、液晶分子３１２の傾斜の伝播がほとんど不
要になるため高速応答が実現できる。
の液晶表示装置を実現するため、液晶層１６０中に光硬
化物を形成することによって、液晶分子３１２の配向規
制力を高める技術がある。液晶表示パネル中に、光硬化
性組成物（樹脂）を含む液晶を注入し、電圧を印加した
状態で光硬化物を形成することにより、配向規制用構造
物で分割されたそれぞれの配向領域全体に所定のプレチ
ルト角を付与することができる。これにより、液晶分子
３１２の配向異常領域が減少して高透過率化を実現でき
るとともに、液晶分子３１２の傾斜の伝播がほとんど不
要になるため高速応答が実現できる。
【０００９】配向規制用構造物には、突起３０６、３０
８やスリット以外に微細電極パターンがある。図２８
は、微細電極パターンが形成された１画素を示してい
る。図２８に示すように、ＴＦＴ基板１０２上には、図
中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１０４（図
２８では１本のみ示している）と、不図示の絶縁膜を介
してゲートバスライン１０４に交差して図中上下方向に
延びる複数のドレインバスライン１０６（図２８では２
本示している）とが形成されている。ゲートバスライン
１０４とドレインバスライン１０６との交差位置近傍に
は、ＴＦＴ１１０が形成されている。また、ゲートバス
ライン１０４及びドレインバスライン１０６で画定され
た長方形状の画素領域のほぼ中央を横切って、蓄積容量
バスライン１０８が形成されている。
８やスリット以外に微細電極パターンがある。図２８
は、微細電極パターンが形成された１画素を示してい
る。図２８に示すように、ＴＦＴ基板１０２上には、図
中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１０４（図
２８では１本のみ示している）と、不図示の絶縁膜を介
してゲートバスライン１０４に交差して図中上下方向に
延びる複数のドレインバスライン１０６（図２８では２
本示している）とが形成されている。ゲートバスライン
１０４とドレインバスライン１０６との交差位置近傍に
は、ＴＦＴ１１０が形成されている。また、ゲートバス
ライン１０４及びドレインバスライン１０６で画定され
た長方形状の画素領域のほぼ中央を横切って、蓄積容量
バスライン１０８が形成されている。
【００１０】長方形状の画素領域内には、４つの同一形
状の長方形に分割する十字形状の接続電極１２０、１２
２が形成されている。接続電極１２２は画素領域中央で
ドレインバスライン１０６に平行に形成され、接続電極
１２０は蓄積容量バスライン１０８上に形成されてい
る。また、接続電極１２０、１２２から４５°の角度で
延出して、微細電極パターンとなる複数のストライプ状
電極１２４が形成されている。隣接するストライプ状電
極１２４間には、電極を抜いた状態のスペース１２６が
形成されている。接続電極１２０、１２２と複数のスト
ライプ状電極１２４とスペース１２６とで画素電極が構
成される。また、ストライプ状電極１２４とスペース１
２６とで配向規制用構造物が構成されている。ストライ
プ状電極１２４は幅Ｌ１で形成され、スペース１２６は
幅Ｓ１で形成されている。
状の長方形に分割する十字形状の接続電極１２０、１２
２が形成されている。接続電極１２２は画素領域中央で
ドレインバスライン１０６に平行に形成され、接続電極
１２０は蓄積容量バスライン１０８上に形成されてい
る。また、接続電極１２０、１２２から４５°の角度で
延出して、微細電極パターンとなる複数のストライプ状
電極１２４が形成されている。隣接するストライプ状電
極１２４間には、電極を抜いた状態のスペース１２６が
形成されている。接続電極１２０、１２２と複数のスト
ライプ状電極１２４とスペース１２６とで画素電極が構
成される。また、ストライプ状電極１２４とスペース１
２６とで配向規制用構造物が構成されている。ストライ
プ状電極１２４は幅Ｌ１で形成され、スペース１２６は
幅Ｓ１で形成されている。
【００１１】図２９及び図３０は、図２８のＢ−Ｂ線で
切断した液晶表示装置の断面を示している。図２９は液
晶層１６０に電圧が印加されていない状態を示し、図３
０は液晶層１６０に電圧が印加された状態を示してい
る。図２９及び図３０に示すように、ＴＦＴ基板１０２
は、ガラス基板１５０上にストライプ状電極１２４を有
している。ＴＦＴ基板１０２に対向配置されている対向
基板１０３は、ガラス基板１５１上に共通電極１５４を
有している。ＴＦＴ基板１０２及び共通電極１０３の液
晶層１６０に接する表面には、垂直配向膜１５２、１５
３がそれぞれ形成されている。
切断した液晶表示装置の断面を示している。図２９は液
晶層１６０に電圧が印加されていない状態を示し、図３
０は液晶層１６０に電圧が印加された状態を示してい
る。図２９及び図３０に示すように、ＴＦＴ基板１０２
は、ガラス基板１５０上にストライプ状電極１２４を有
している。ＴＦＴ基板１０２に対向配置されている対向
基板１０３は、ガラス基板１５１上に共通電極１５４を
有している。ＴＦＴ基板１０２及び共通電極１０３の液
晶層１６０に接する表面には、垂直配向膜１５２、１５
３がそれぞれ形成されている。
【００１２】液晶層１６０に電圧が印加されていない状
態では、図２９に示すように、液晶分子３１２は基板面
にほぼ垂直に配向する。液晶層１６０に電圧が印加され
た状態では、図３０に示すように、液晶分子３１２はス
トライプ状電極１２４の延伸方向の接続電極１２２、１
２４側に倒れ、基板面にほぼ平行に配向する。
態では、図２９に示すように、液晶分子３１２は基板面
にほぼ垂直に配向する。液晶層１６０に電圧が印加され
た状態では、図３０に示すように、液晶分子３１２はス
トライプ状電極１２４の延伸方向の接続電極１２２、１
２４側に倒れ、基板面にほぼ平行に配向する。
【００１３】図２８に示す構成によっても、液晶分子３
１２の配向方向を１画素内で４分割することにより、白
表示や黒表示において広い視野角が得られている。ただ
し、微細電極パターンのみでは液晶分子３１２の配向規
制力が小さいため、上記と同様に、液晶層１６０内に光
硬化物を形成して配向規制力が高められている。光硬化
物は、光により重合可能な光硬化性組成物（モノマー）
を液晶層１６０に混合し、所定の電圧を印加した状態で
紫外線（ＵＶ；ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）等
の光を照射することにより形成される。
１２の配向方向を１画素内で４分割することにより、白
表示や黒表示において広い視野角が得られている。ただ
し、微細電極パターンのみでは液晶分子３１２の配向規
制力が小さいため、上記と同様に、液晶層１６０内に光
硬化物を形成して配向規制力が高められている。光硬化
物は、光により重合可能な光硬化性組成物（モノマー）
を液晶層１６０に混合し、所定の電圧を印加した状態で
紫外線（ＵＶ；ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）等
の光を照射することにより形成される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図３１は、ＭＶＡモー
ドの液晶表示装置の透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）を示すグ
ラフである。横軸は液晶層１６０への印加電圧（Ｖ）を
表し、縦軸は光の透過率（％）を表している。グラフ中
に実線で示す曲線Ａは表示画面に垂直な方向（以下、
「正面方向」という）でのＴ−Ｖ特性を示し、△印でプ
ロットされた実線で示す曲線Ｂは表示画面に対して方位
角９０°、極角６０°の方向（以下、「斜め方向」とい
う）でのＴ−Ｖ特性を示している。ここで、方位角は、
表示画面のほぼ中心から水平方向を基準として反時計回
りに測った角度とする。また極角は、表示画面の中心に
立てた垂線となす角とする。液晶表示装置の表示モード
は、液晶層１６０への印加電圧を低下させて黒を表示さ
せ、印加電圧を上昇させて白を表示させるノーマリブラ
ックモードである。Ｔ−Ｖ特性は視野角によらず一定で
あることが望ましい。
ドの液晶表示装置の透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）を示すグ
ラフである。横軸は液晶層１６０への印加電圧（Ｖ）を
表し、縦軸は光の透過率（％）を表している。グラフ中
に実線で示す曲線Ａは表示画面に垂直な方向（以下、
「正面方向」という）でのＴ−Ｖ特性を示し、△印でプ
ロットされた実線で示す曲線Ｂは表示画面に対して方位
角９０°、極角６０°の方向（以下、「斜め方向」とい
う）でのＴ−Ｖ特性を示している。ここで、方位角は、
表示画面のほぼ中心から水平方向を基準として反時計回
りに測った角度とする。また極角は、表示画面の中心に
立てた垂線となす角とする。液晶表示装置の表示モード
は、液晶層１６０への印加電圧を低下させて黒を表示さ
せ、印加電圧を上昇させて白を表示させるノーマリブラ
ックモードである。Ｔ−Ｖ特性は視野角によらず一定で
あることが望ましい。
【００１５】しかしながら、図３１に示すように、正面
方向でのＴ−Ｖ特性を示す曲線Ａと斜め方向でのＴ−Ｖ
特性を示す曲線Ｂは、印加電圧約２．７Ｖ付近で交差し
ている。斜め方向の透過率は、２．７Ｖ以下の印加電圧
では正面方向の透過率より高く、２．７Ｖ以上の印加電
圧では正面方向の透過率より低くなっている。このた
め、印加電圧が１．５Ｖから２．７Ｖの範囲では、斜め
方向の透過率は正面方向より高くなっているために当該
斜め方向から見ると表示画像が白っぽく見えてしまうと
いう問題が生じる。また、斜め方向の透過率は、比較的
高い印加電圧の範囲で正面方向の透過率よりも低下して
いるため、斜め方向から見たときには表示画面全体とし
てコントラストが低下する。
方向でのＴ−Ｖ特性を示す曲線Ａと斜め方向でのＴ−Ｖ
特性を示す曲線Ｂは、印加電圧約２．７Ｖ付近で交差し
ている。斜め方向の透過率は、２．７Ｖ以下の印加電圧
では正面方向の透過率より高く、２．７Ｖ以上の印加電
圧では正面方向の透過率より低くなっている。このた
め、印加電圧が１．５Ｖから２．７Ｖの範囲では、斜め
方向の透過率は正面方向より高くなっているために当該
斜め方向から見ると表示画像が白っぽく見えてしまうと
いう問題が生じる。また、斜め方向の透過率は、比較的
高い印加電圧の範囲で正面方向の透過率よりも低下して
いるため、斜め方向から見たときには表示画面全体とし
てコントラストが低下する。
【００１６】透過率は、液晶層１６０のリタデーション
（Δｎ・ｄ）に依存して変動する。斜め方向から見る
と、当該斜め方向に傾く液晶分子３１２により液晶層１
６０の実質的なリタデーションが小さくなるために上記
の問題が生じる。また、色度についても、正面方向から
見たときと斜め方向から見たときとで各画素からの透過
率の比重が変化するため色度が変化するという問題が生
じている。
（Δｎ・ｄ）に依存して変動する。斜め方向から見る
と、当該斜め方向に傾く液晶分子３１２により液晶層１
６０の実質的なリタデーションが小さくなるために上記
の問題が生じる。また、色度についても、正面方向から
見たときと斜め方向から見たときとで各画素からの透過
率の比重が変化するため色度が変化するという問題が生
じている。
【００１７】図３２は、ＭＶＡモードの液晶表示装置の
表示画面を複数の視野角から観察したＴ−Ｖ特性を示す
グラフである。横軸は液晶層１６０への印加電圧（Ｖ）
を表し、縦軸は光の透過率（％）を表している。グラフ
中の曲線Ａは正面方向でのＴ−Ｖ特性を示している。曲
線Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは方位角９０°で極角がそれぞれ２０
°、４０°、６０°、８０°の方向でのＴ−Ｖ特性を示
している。図３２に示すように、領域Ｆで曲線Ｅにうね
りが生じており、印加電圧を高くしても透過率が低下し
てしまう範囲が存在する。このため、正面方向と極角８
０°の方向とで、表示画像が反転してしまうという問題
が生じる。
表示画面を複数の視野角から観察したＴ−Ｖ特性を示す
グラフである。横軸は液晶層１６０への印加電圧（Ｖ）
を表し、縦軸は光の透過率（％）を表している。グラフ
中の曲線Ａは正面方向でのＴ−Ｖ特性を示している。曲
線Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは方位角９０°で極角がそれぞれ２０
°、４０°、６０°、８０°の方向でのＴ−Ｖ特性を示
している。図３２に示すように、領域Ｆで曲線Ｅにうね
りが生じており、印加電圧を高くしても透過率が低下し
てしまう範囲が存在する。このため、正面方向と極角８
０°の方向とで、表示画像が反転してしまうという問題
が生じる。
【００１８】本発明の目的は、良好な視角特性の得られ
る液晶表示装置及びその駆動方法を提供することにあ
る。
る液晶表示装置及びその駆動方法を提供することにあ
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、１フレーム
期間内の所定時間だけ画素の液晶に駆動電圧を印加し、
前記駆動電圧の印加時間を変化させて前記画素に所定の
階調を表示させることを特徴とする液晶表示装置の駆動
方法によって達成される。
期間内の所定時間だけ画素の液晶に駆動電圧を印加し、
前記駆動電圧の印加時間を変化させて前記画素に所定の
階調を表示させることを特徴とする液晶表示装置の駆動
方法によって達成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】〔第１の実施の形態〕本発明の第
１の実施の形態による液晶表示装置及びその駆動方法に
ついて図１乃至図１５を用いて説明する。図１は、本実
施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴ
ＦＴ基板２とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉ
ｌｔｅｒ）等が形成された対向基板４とを対向させて貼
り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止した構造を有し
ている。
１の実施の形態による液晶表示装置及びその駆動方法に
ついて図１乃至図１５を用いて説明する。図１は、本実
施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴ
ＦＴ基板２とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉ
ｌｔｅｒ）等が形成された対向基板４とを対向させて貼
り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止した構造を有し
ている。
【００２１】ＴＦＴ基板２には、複数のバスラインを駆
動するドライバＩＣがそれぞれ実装されたゲートバスラ
イン駆動回路５及びデータバスライン駆動回路６が設け
られている。これらの駆動回路５、６は、制御回路７か
ら出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ
信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラ
インに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子
形成面と反対側の基板面には偏光板８が配置され、偏光
板８のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニ
ット３が取り付けられている。一方、対向基板４のＣＦ
形成面と反対側の面には、偏光板８とクロスニコルに配
置された偏光板９が貼り付けられている。
動するドライバＩＣがそれぞれ実装されたゲートバスラ
イン駆動回路５及びデータバスライン駆動回路６が設け
られている。これらの駆動回路５、６は、制御回路７か
ら出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ
信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラ
インに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子
形成面と反対側の基板面には偏光板８が配置され、偏光
板８のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニ
ット３が取り付けられている。一方、対向基板４のＣＦ
形成面と反対側の面には、偏光板８とクロスニコルに配
置された偏光板９が貼り付けられている。
【００２２】本実施の形態では、負の誘電率異方性を備
え電圧無印加時に垂直配向する液晶を封止したノーマリ
ブラックモードの液晶表示装置を用いている。図２を用
いて液晶分子の配向状態による視角特性の変化について
説明する。図２（ａ）は黒を表示しているときの液晶分
子の配向状態を示し、図２（ｂ）は白を表示していると
きの液晶分子の配向状態を示している。また、図２
（ｃ）は中間調を表示しているときの液晶分子の配向状
態を示している。図２（ａ）に示すように、ガラス基板
５８上に形成された画素電極６０と、ガラス基板５９上
に形成された共通電極６２との間に電圧が印加されてい
ない状態では、液晶分子５６は基板面にほぼ垂直に配向
している。この状態では、正面方向から見ると液晶層５
７で生じるリタデーションはほぼ０になるため黒が表示
される。また、斜め方向から見た場合も図３１に示すよ
うに、正面方向とほとんど同じ透過率の黒表示が得られ
る。
え電圧無印加時に垂直配向する液晶を封止したノーマリ
ブラックモードの液晶表示装置を用いている。図２を用
いて液晶分子の配向状態による視角特性の変化について
説明する。図２（ａ）は黒を表示しているときの液晶分
子の配向状態を示し、図２（ｂ）は白を表示していると
きの液晶分子の配向状態を示している。また、図２
（ｃ）は中間調を表示しているときの液晶分子の配向状
態を示している。図２（ａ）に示すように、ガラス基板
５８上に形成された画素電極６０と、ガラス基板５９上
に形成された共通電極６２との間に電圧が印加されてい
ない状態では、液晶分子５６は基板面にほぼ垂直に配向
している。この状態では、正面方向から見ると液晶層５
７で生じるリタデーションはほぼ０になるため黒が表示
される。また、斜め方向から見た場合も図３１に示すよ
うに、正面方向とほとんど同じ透過率の黒表示が得られ
る。
【００２３】図２（ｂ）に示すように、画素電極６０と
共通電極６２との間に所定の電圧が印加され、液晶分子
５６が基板面に平行に配向している状態では、正面方向
から見ると液晶層５７で生じるリタデーションはほぼλ
／２になるため白が表示される。また、斜め方向から見
た場合には正面方向より透過率がやや低下してグレー表
示となる（図３１参照）。
共通電極６２との間に所定の電圧が印加され、液晶分子
５６が基板面に平行に配向している状態では、正面方向
から見ると液晶層５７で生じるリタデーションはほぼλ
／２になるため白が表示される。また、斜め方向から見
た場合には正面方向より透過率がやや低下してグレー表
示となる（図３１参照）。
【００２４】また、図２（ｃ）に示すように、液晶分子
５６が基板面に対して所定の角度で傾いて配向している
状態では、液晶層５７のリタデーションは０からλ／２
の範囲で変化して、中間調が表示される。ところがこの
中間調表示は、正面方向から見た場合に適正となるが、
斜め方向から見た場合には視野角に依存して液晶層５７
のリタデーションが変化してしまうため所望の階調が得
られない。例えば、図２（ｃ）に示す斜め方向から見る
と、本来グレーを表示させるはずがより白っぽい表示に
なってしまう。
５６が基板面に対して所定の角度で傾いて配向している
状態では、液晶層５７のリタデーションは０からλ／２
の範囲で変化して、中間調が表示される。ところがこの
中間調表示は、正面方向から見た場合に適正となるが、
斜め方向から見た場合には視野角に依存して液晶層５７
のリタデーションが変化してしまうため所望の階調が得
られない。例えば、図２（ｃ）に示す斜め方向から見る
と、本来グレーを表示させるはずがより白っぽい表示に
なってしまう。
【００２５】図３１に示すＴ−Ｖ特性では、既に説明し
たように、印加電圧が１．５Ｖから２．７Ｖの範囲の中
間調表示では、斜め方向では透過率が正面方向より高く
なっているために表示画像が白っぽく見えてしまう。例
えば図３１において、２Ｖの電圧を印加して正面方向か
ら見て１％の透過率を得る場合には、斜め方向では概ね
その５倍の透過率となってしまっている。このように印
加電圧が１．５Ｖから２．７Ｖの範囲の中間調表示で
は、液晶層５７のリタデーションが視野角に依存して大
きく変化してしまう結果、表示される中間調が視野角に
応じて大きく変化してしまう。
たように、印加電圧が１．５Ｖから２．７Ｖの範囲の中
間調表示では、斜め方向では透過率が正面方向より高く
なっているために表示画像が白っぽく見えてしまう。例
えば図３１において、２Ｖの電圧を印加して正面方向か
ら見て１％の透過率を得る場合には、斜め方向では概ね
その５倍の透過率となってしまっている。このように印
加電圧が１．５Ｖから２．７Ｖの範囲の中間調表示で
は、液晶層５７のリタデーションが視野角に依存して大
きく変化してしまう結果、表示される中間調が視野角に
応じて大きく変化してしまう。
【００２６】それに対して白表示をさせた場合、すなわ
ち図３１に示すように最大階調電圧の５Ｖを液晶層５７
に印加して正面方向から見て３０％の透過率を得る場合
には、斜め方向では概ねその２／３倍程度の透過率が得
られる。この場合にはコントラストが幾分低下するだけ
で白っぽさは生じない。さらに図３１に示すように、黒
表示をさせた場合は視野角による透過率の変動はより少
なくなる。本実施の形態は、この点に着目して図３に示
すような駆動方法を採用している。
ち図３１に示すように最大階調電圧の５Ｖを液晶層５７
に印加して正面方向から見て３０％の透過率を得る場合
には、斜め方向では概ねその２／３倍程度の透過率が得
られる。この場合にはコントラストが幾分低下するだけ
で白っぽさは生じない。さらに図３１に示すように、黒
表示をさせた場合は視野角による透過率の変動はより少
なくなる。本実施の形態は、この点に着目して図３に示
すような駆動方法を採用している。
【００２７】図３は、本実施の形態によるノーマリブラ
ックモードの液晶表示装置の液晶層５７への印加電圧及
び透過率の時間変化を示すグラフである。図３の上方の
グラフ（ａ）はある画素における液晶層５７への印加電
圧の時間変化を示し、下方のグラフ（ｂ）は当該画素の
透過率の時間変化を示している。両グラフ（ａ）、
（ｂ）は共通の横軸（時間軸：ｍｓｅｃ）で表されてい
る。上方のグラフ（ａ）の縦軸は印加電圧（Ｖ）を表
し、下方のグラフ（ｂ）の縦軸は光の透過率（％）を表
している。グラフ（ａ）に示すように、フレームｆnの
周期は１６．７ｍｓｅｃ（１／６０ｓｅｃ）であり、液
晶層はフレームｆn毎に階調電圧の極性が反転するフレ
ーム反転駆動方式で駆動されるようになっている。画素
に印加される階調電圧Ｐは、正極性フレームｆnの例え
ば最初の５０％の期間（１／１２０ｓｅｃ）中連続して
＋５．０Ｖのオンレベルに維持される。次いで階調電圧
Ｐはオフレベルになり、残りの５０％の期間（１／１２
０ｓｅｃ）でコモン電位（例えば、０Ｖ）に維持され
る。
ックモードの液晶表示装置の液晶層５７への印加電圧及
び透過率の時間変化を示すグラフである。図３の上方の
グラフ（ａ）はある画素における液晶層５７への印加電
圧の時間変化を示し、下方のグラフ（ｂ）は当該画素の
透過率の時間変化を示している。両グラフ（ａ）、
（ｂ）は共通の横軸（時間軸：ｍｓｅｃ）で表されてい
る。上方のグラフ（ａ）の縦軸は印加電圧（Ｖ）を表
し、下方のグラフ（ｂ）の縦軸は光の透過率（％）を表
している。グラフ（ａ）に示すように、フレームｆnの
周期は１６．７ｍｓｅｃ（１／６０ｓｅｃ）であり、液
晶層はフレームｆn毎に階調電圧の極性が反転するフレ
ーム反転駆動方式で駆動されるようになっている。画素
に印加される階調電圧Ｐは、正極性フレームｆnの例え
ば最初の５０％の期間（１／１２０ｓｅｃ）中連続して
＋５．０Ｖのオンレベルに維持される。次いで階調電圧
Ｐはオフレベルになり、残りの５０％の期間（１／１２
０ｓｅｃ）でコモン電位（例えば、０Ｖ）に維持され
る。
【００２８】次のフレームｆn+1では、画素に印加され
る階調電圧Ｐはオンレベルになって最初の５０％の期間
（１／１２０ｓｅｃ）中連続して−５．０Ｖの負極性の
電圧レベルに維持される。次いで階調電圧Ｐは、残りの
５０％の期間（１／１２０ｓｅｃ）はオフレベルになっ
てコモン電位に維持される。この例では、１フレーム周
期の５０％（デューティ比５０％）の期間だけ階調電圧
Ｐがオンレベルになるようにしている。デューティ比を
変化させることにより、複数の階調を表示できる。この
ように本実施の形態による液晶表示装置の駆動方法は、
１フレーム期間内の所定時間だけ画素の液晶に駆動電圧
を印加し、駆動電圧の印加時間を変化させて画素に所定
の階調を表示させるようにしている。駆動電圧の印加時
間だけでなく駆動電圧の電圧レベルも変化させるように
してもよい。
る階調電圧Ｐはオンレベルになって最初の５０％の期間
（１／１２０ｓｅｃ）中連続して−５．０Ｖの負極性の
電圧レベルに維持される。次いで階調電圧Ｐは、残りの
５０％の期間（１／１２０ｓｅｃ）はオフレベルになっ
てコモン電位に維持される。この例では、１フレーム周
期の５０％（デューティ比５０％）の期間だけ階調電圧
Ｐがオンレベルになるようにしている。デューティ比を
変化させることにより、複数の階調を表示できる。この
ように本実施の形態による液晶表示装置の駆動方法は、
１フレーム期間内の所定時間だけ画素の液晶に駆動電圧
を印加し、駆動電圧の印加時間を変化させて画素に所定
の階調を表示させるようにしている。駆動電圧の印加時
間だけでなく駆動電圧の電圧レベルも変化させるように
してもよい。
【００２９】図３下方のグラフ（ｂ）中の曲線Ｃは正面
方向の透過率を示し、曲線Ｄは斜め方向の透過率を示し
ている。グラフ（ｂ）に示すように、正面方向及び斜め
方向の光の透過率は、階調電圧Ｐに応じて変化してい
る。階調電圧Ｐがオンレベル（±５．０Ｖ）のときに
は、曲線Ｃと曲線Ｄに示すように正面方向の透過率は斜
め方向の透過率より大きくなっている。階調電圧Ｐがオ
フレベル（０Ｖ）のときには、斜め方向の透過率は正面
方向の透過率より大きくなっている部分が存在するが、
１フレームｆnの全期間での平均透過率は、正面方向の
方が斜め方向より大きくなる。これにより、斜め方向の
透過率が正面方向の透過率より大きくなると生じてしま
う白っぽさを防止できる。したがって、各画素に印加す
る階調電圧Ｐの大きさを上記のように最大階調電圧（例
えば±５Ｖ）にして、階調電圧Ｐを印加するデューティ
比を変えることにより、白っぽさを抑えて各画素に階調
表示することができるようになる。
方向の透過率を示し、曲線Ｄは斜め方向の透過率を示し
ている。グラフ（ｂ）に示すように、正面方向及び斜め
方向の光の透過率は、階調電圧Ｐに応じて変化してい
る。階調電圧Ｐがオンレベル（±５．０Ｖ）のときに
は、曲線Ｃと曲線Ｄに示すように正面方向の透過率は斜
め方向の透過率より大きくなっている。階調電圧Ｐがオ
フレベル（０Ｖ）のときには、斜め方向の透過率は正面
方向の透過率より大きくなっている部分が存在するが、
１フレームｆnの全期間での平均透過率は、正面方向の
方が斜め方向より大きくなる。これにより、斜め方向の
透過率が正面方向の透過率より大きくなると生じてしま
う白っぽさを防止できる。したがって、各画素に印加す
る階調電圧Ｐの大きさを上記のように最大階調電圧（例
えば±５Ｖ）にして、階調電圧Ｐを印加するデューティ
比を変えることにより、白っぽさを抑えて各画素に階調
表示することができるようになる。
【００３０】また、階調電圧Ｐのオンレベルの大きさと
デューティ比とをパラメータとして階調を設定すること
により、図３１に示した任意の印加電圧における正面方
向と斜め方向の透過率の比率を適用することができる。
したがって、透過率特性や応答特性を考慮して、階調電
圧Ｐのオンレベルの大きさとデューティ比とを最適化す
ることにより、全ての階調にわたって良好な視角特性を
得ることができる。例えば、液晶層５７に印加する電圧
を、視角特性に優れる垂直配向状態及び平行配向状態と
なる電圧とし、それらの配向状態に対応する透過率特性
に基づいて電圧の印加時間を変化させて階調表示を行う
ことにより、中間調表示においても優れた視角特性が得
られる。
デューティ比とをパラメータとして階調を設定すること
により、図３１に示した任意の印加電圧における正面方
向と斜め方向の透過率の比率を適用することができる。
したがって、透過率特性や応答特性を考慮して、階調電
圧Ｐのオンレベルの大きさとデューティ比とを最適化す
ることにより、全ての階調にわたって良好な視角特性を
得ることができる。例えば、液晶層５７に印加する電圧
を、視角特性に優れる垂直配向状態及び平行配向状態と
なる電圧とし、それらの配向状態に対応する透過率特性
に基づいて電圧の印加時間を変化させて階調表示を行う
ことにより、中間調表示においても優れた視角特性が得
られる。
【００３１】また、本実施の形態は、正面方向及び斜め
方向から見たときの、階調による色度変化を抑える作用
を有している。図３下方のグラフ（ｂ）に示す例では、
上記の通り、５．０Ｖの電圧を印加したときの光学特性
（リタデーション）が全ての階調表示に反映される。し
たがって、５．０Ｖの電圧を印加したときに液晶層５７
に発生するリタデーションに対応する色度が全ての階調
において支配的となるため、階調による色度変化が大幅
に少なくなり優れた表示特性が得られる。また、印加電
圧の大きさとその電圧の印加時間とをパラメータとして
各階調を設定することにより、任意のリタデーションに
対応する色度を適用することができる。したがって、透
過率特性や応答特性を考慮して電圧の大きさとその電圧
の印加時間とを選択することにより、斜め方向から見て
も階調による色度変化の少ない良好な視角特性が得られ
る。
方向から見たときの、階調による色度変化を抑える作用
を有している。図３下方のグラフ（ｂ）に示す例では、
上記の通り、５．０Ｖの電圧を印加したときの光学特性
（リタデーション）が全ての階調表示に反映される。し
たがって、５．０Ｖの電圧を印加したときに液晶層５７
に発生するリタデーションに対応する色度が全ての階調
において支配的となるため、階調による色度変化が大幅
に少なくなり優れた表示特性が得られる。また、印加電
圧の大きさとその電圧の印加時間とをパラメータとして
各階調を設定することにより、任意のリタデーションに
対応する色度を適用することができる。したがって、透
過率特性や応答特性を考慮して電圧の大きさとその電圧
の印加時間とを選択することにより、斜め方向から見て
も階調による色度変化の少ない良好な視角特性が得られ
る。
【００３２】液晶分子５６の傾斜角度が変化する過程で
の光学特性の寄与を少なくするには、印加電圧の変化に
伴う透過率変化が急峻な液晶すなわち光学応答性に優れ
た液晶パネルを用いることが望ましい。したがって、高
速応答性に優れた液晶表示パネルに本実施の形態を適用
すると、より優れた階調視角特性を得ることができる。
同様の理由で、液晶が高速に応答可能な電圧又は電圧範
囲を駆動電圧範囲に用いる方が、より優れた階調視角特
性を得ることができる。以下、本実施の形態による液晶
表示装置及びその駆動方法について実施例１−１及び１
−２を用いてより具体的に説明する。
の光学特性の寄与を少なくするには、印加電圧の変化に
伴う透過率変化が急峻な液晶すなわち光学応答性に優れ
た液晶パネルを用いることが望ましい。したがって、高
速応答性に優れた液晶表示パネルに本実施の形態を適用
すると、より優れた階調視角特性を得ることができる。
同様の理由で、液晶が高速に応答可能な電圧又は電圧範
囲を駆動電圧範囲に用いる方が、より優れた階調視角特
性を得ることができる。以下、本実施の形態による液晶
表示装置及びその駆動方法について実施例１−１及び１
−２を用いてより具体的に説明する。
【００３３】（実施例１−１）本実施の形態の実施例１
−１による液晶表示装置及びその駆動方法について図４
及び図５を用いて説明する。まず、本実施例に用いる液
晶表示装置について図１及び図２７を参照しつつ説明す
る。ＴＦＴ基板２には、高さ１．２μｍで幅１０μｍの
絶縁性を有する線状の突起が７０μｍ周期で互いに平行
に複数形成されている。対向基板４には、幅１０μｍの
スリットが同じく７０μｍ周期で互いに平行に複数形成
されている。両基板２、４には垂直配向膜（例えばＪＳ
Ｒ社製）が塗布され、直径３．０μｍの球状スペーサを
散布して両基板２、４の配向規制用構造物が交互に配列
するように貼り合わされている。両基板２、４間には負
の誘電率異方性を有する液晶（例えばメルク社製）が封
止されている。
−１による液晶表示装置及びその駆動方法について図４
及び図５を用いて説明する。まず、本実施例に用いる液
晶表示装置について図１及び図２７を参照しつつ説明す
る。ＴＦＴ基板２には、高さ１．２μｍで幅１０μｍの
絶縁性を有する線状の突起が７０μｍ周期で互いに平行
に複数形成されている。対向基板４には、幅１０μｍの
スリットが同じく７０μｍ周期で互いに平行に複数形成
されている。両基板２、４には垂直配向膜（例えばＪＳ
Ｒ社製）が塗布され、直径３．０μｍの球状スペーサを
散布して両基板２、４の配向規制用構造物が交互に配列
するように貼り合わされている。両基板２、４間には負
の誘電率異方性を有する液晶（例えばメルク社製）が封
止されている。
【００３４】次に、本実施例による液晶表示装置の駆動
方法について説明する。上記の液晶表示装置に、フレー
ム反転の周波数が３０Ｈｚ（フレーム周期１／６０ｓｅ
ｃ）で、デューティ比を画素毎に変化させることにより
各画素の階調表示を行う。本実施例による液晶表示装置
の液晶分子５６は、電圧無印加状態で基板面にほぼ垂直
に配向し、±５．０Ｖの電圧を印加した状態で基板面に
ほぼ水平に配向する。
方法について説明する。上記の液晶表示装置に、フレー
ム反転の周波数が３０Ｈｚ（フレーム周期１／６０ｓｅ
ｃ）で、デューティ比を画素毎に変化させることにより
各画素の階調表示を行う。本実施例による液晶表示装置
の液晶分子５６は、電圧無印加状態で基板面にほぼ垂直
に配向し、±５．０Ｖの電圧を印加した状態で基板面に
ほぼ水平に配向する。
【００３５】図４は、本実施例による液晶表示装置の駆
動方法を用いた場合のデューティ比の変化に対する透過
率の変化を示すグラフである。横軸は液晶層５７へ印加
する階調電圧Ｐのデューティ比を表し、縦軸は光の透過
率（％）を表している。グラフ中の実線で示す曲線Ｅは
正面方向の透過率を示し、◇印でプロットされた実線で
示す曲線Ｆは斜め方向の透過率を示している。図４に示
すように、本実施例によれば、正面方向の透過率と斜め
方向の透過率の差が、図３１に示す従来の液晶表示装置
の駆動方法を用いたときと比較して極めて小さくなり、
良好な階調視角特性が得られている。
動方法を用いた場合のデューティ比の変化に対する透過
率の変化を示すグラフである。横軸は液晶層５７へ印加
する階調電圧Ｐのデューティ比を表し、縦軸は光の透過
率（％）を表している。グラフ中の実線で示す曲線Ｅは
正面方向の透過率を示し、◇印でプロットされた実線で
示す曲線Ｆは斜め方向の透過率を示している。図４に示
すように、本実施例によれば、正面方向の透過率と斜め
方向の透過率の差が、図３１に示す従来の液晶表示装置
の駆動方法を用いたときと比較して極めて小さくなり、
良好な階調視角特性が得られている。
【００３６】図５は、本実施例による液晶表示装置の駆
動方法を用いた場合の表示特性と従来のそれとを比較す
るグラフである。横軸は規格化透過率を表している。従
来の駆動方法については、階調電圧が５．０Ｖのときの
透過率で各透過率を規格化している。本実施例の駆動方
法については、１フレーム全てに５．０Ｖの階調電圧を
印加したときの透過率で各透過率を規格化している。縦
軸は、正面方向の透過率に対する斜め方向の透過率の比
率（透過率比）を対数で表している。グラフ中の△印で
プロットされた実線で示す曲線Ｇは従来の液晶表示装置
の駆動方法を用いた場合の透過率比を示し、◇印でプロ
ットされた実線で示す曲線Ｈは本実施例による液晶表示
装置の駆動方法を用いた場合の透過率比を示している。
図５に示すグラフでは、規格化透過率によらず透過率比
が一定、すなわちプロファイルが平坦である方が階調視
角特性に優れている。また、透過率比が１．０に近い方
がさらに階調視角特性に優れている。図５に示すよう
に、本実施例によれば、従来透過率比が高かった低透過
率での透過率比が低下してプロファイルがより平坦にな
っており、さらに全体的に透過率比が１．０に近くなっ
ている。したがって、従来と比較して優れた階調視角特
性が得られることがわかる。
動方法を用いた場合の表示特性と従来のそれとを比較す
るグラフである。横軸は規格化透過率を表している。従
来の駆動方法については、階調電圧が５．０Ｖのときの
透過率で各透過率を規格化している。本実施例の駆動方
法については、１フレーム全てに５．０Ｖの階調電圧を
印加したときの透過率で各透過率を規格化している。縦
軸は、正面方向の透過率に対する斜め方向の透過率の比
率（透過率比）を対数で表している。グラフ中の△印で
プロットされた実線で示す曲線Ｇは従来の液晶表示装置
の駆動方法を用いた場合の透過率比を示し、◇印でプロ
ットされた実線で示す曲線Ｈは本実施例による液晶表示
装置の駆動方法を用いた場合の透過率比を示している。
図５に示すグラフでは、規格化透過率によらず透過率比
が一定、すなわちプロファイルが平坦である方が階調視
角特性に優れている。また、透過率比が１．０に近い方
がさらに階調視角特性に優れている。図５に示すよう
に、本実施例によれば、従来透過率比が高かった低透過
率での透過率比が低下してプロファイルがより平坦にな
っており、さらに全体的に透過率比が１．０に近くなっ
ている。したがって、従来と比較して優れた階調視角特
性が得られることがわかる。
【００３７】本実施例によれば、階調による色度変化に
ついても大幅に改善される。例えば、白色の色度では、
従来はｘ−ｙ色度図上で０．０４程度の色度シフトが生
じるのに対し、本実施例では色度シフトを０．０１未満
に抑えることができる。また、改善が困難である赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）単色の色度変化について
も、同様の効果が得られる。
ついても大幅に改善される。例えば、白色の色度では、
従来はｘ−ｙ色度図上で０．０４程度の色度シフトが生
じるのに対し、本実施例では色度シフトを０．０１未満
に抑えることができる。また、改善が困難である赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）単色の色度変化について
も、同様の効果が得られる。
【００３８】本実施の形態では、ＭＶＡモードの液晶表
示装置を例に挙げたが、他のモードの液晶表示装置にお
いても同様に階調視角特性を改善できる。例えば、正の
誘電率異方性を有する液晶を封止したホモジニアス配向
の液晶表示装置においても、本実施の形態を適用するこ
とにより優れた階調視角特性が得られる。
示装置を例に挙げたが、他のモードの液晶表示装置にお
いても同様に階調視角特性を改善できる。例えば、正の
誘電率異方性を有する液晶を封止したホモジニアス配向
の液晶表示装置においても、本実施の形態を適用するこ
とにより優れた階調視角特性が得られる。
【００３９】（実施例１−２）次に、本実施の形態の実
施例１−２による液晶表示装置及びその駆動方法につい
て図６乃至図１５を用いて説明する。図６は、本実施例
による液晶表示装置の駆動方法を示す概念図である。図
６（ａ）は黒に近いグレーを表示する場合の駆動状態を
示し、図６（ｂ）は白に近いグレーを表示する場合の駆
動状態を示している。図６（ａ）、（ｂ）では、横方向
が１フレームの時間を表している。図６（ａ）に示すよ
うに、黒に近いグレーを表示する場合には、１フレーム
期間のうち例えば４分の１の期間は白を表示させ（デュ
ーティ比２５％）、残りの期間は黒を表示させる。ま
た。図６（ｂ）に示すように、白に近いグレーを表示す
る場合には、１フレーム期間のうち例えば６分の５の期
間は白を表示させ（デューティ比８３％）、残りの期間
は黒を表示させる。このように、本実施例では黒表示と
白表示のみを用いており、白を表示させる時間を１フレ
ーム期間内で変化させ時間分割（デューティ比）で中間
調表示を実現している。
施例１−２による液晶表示装置及びその駆動方法につい
て図６乃至図１５を用いて説明する。図６は、本実施例
による液晶表示装置の駆動方法を示す概念図である。図
６（ａ）は黒に近いグレーを表示する場合の駆動状態を
示し、図６（ｂ）は白に近いグレーを表示する場合の駆
動状態を示している。図６（ａ）、（ｂ）では、横方向
が１フレームの時間を表している。図６（ａ）に示すよ
うに、黒に近いグレーを表示する場合には、１フレーム
期間のうち例えば４分の１の期間は白を表示させ（デュ
ーティ比２５％）、残りの期間は黒を表示させる。ま
た。図６（ｂ）に示すように、白に近いグレーを表示す
る場合には、１フレーム期間のうち例えば６分の５の期
間は白を表示させ（デューティ比８３％）、残りの期間
は黒を表示させる。このように、本実施例では黒表示と
白表示のみを用いており、白を表示させる時間を１フレ
ーム期間内で変化させ時間分割（デューティ比）で中間
調表示を実現している。
【００４０】例えばＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ Ｐａｎｅｌ）では、輝度の相対比の異なる複数の
サブフィールド（例えば１、２、４、８、１６、３２）
を組み合わせて６４階調を実現している。しかし液晶表
示装置では、液晶の応答特性やＴＦＴの応答特性を考え
るとＰＤＰで用いられる方法の採用は極めて困難であ
る。それに対し本実施例のようにすれば、通常の液晶と
ＴＦＴとを用いて時間分割による多階調表示を容易に実
現できる。
ａｙ Ｐａｎｅｌ）では、輝度の相対比の異なる複数の
サブフィールド（例えば１、２、４、８、１６、３２）
を組み合わせて６４階調を実現している。しかし液晶表
示装置では、液晶の応答特性やＴＦＴの応答特性を考え
るとＰＤＰで用いられる方法の採用は極めて困難であ
る。それに対し本実施例のようにすれば、通常の液晶と
ＴＦＴとを用いて時間分割による多階調表示を容易に実
現できる。
【００４１】次に、本実施例による液晶表示装置の駆動
方法について説明する。図７は、本実施例による液晶表
示装置の１画素分の等価回路を示している。図７に示す
ように、図中上下方向には、データバスライン７４と駆
動電圧バスライン７６とが互いにほぼ平行にそれぞれ複
数本形成されている（図７ではそれぞれ１本のみ示して
いる）。不図示の絶縁膜を介してデータバスライン７４
及び駆動電圧バスライン７６にほぼ直交して複数のゲー
トバスライン１２が形成されている（図７では１本のみ
示している）。各データバスライン７４及び各駆動電圧
バスライン７６はデータバスライン駆動回路６により駆
動され、各ゲートバスライン１２はゲートバスライン駆
動回路５により駆動される。
方法について説明する。図７は、本実施例による液晶表
示装置の１画素分の等価回路を示している。図７に示す
ように、図中上下方向には、データバスライン７４と駆
動電圧バスライン７６とが互いにほぼ平行にそれぞれ複
数本形成されている（図７ではそれぞれ１本のみ示して
いる）。不図示の絶縁膜を介してデータバスライン７４
及び駆動電圧バスライン７６にほぼ直交して複数のゲー
トバスライン１２が形成されている（図７では１本のみ
示している）。各データバスライン７４及び各駆動電圧
バスライン７６はデータバスライン駆動回路６により駆
動され、各ゲートバスライン１２はゲートバスライン駆
動回路５により駆動される。
【００４２】１画素には２つのＴＦＴ７０、７２が形成
されている。第１のＴＦＴ７０のゲート電極Ｇ１は、ゲ
ートバスライン１２に接続されている。ＴＦＴ７０のド
レイン電極Ｄ１はデータバスライン７４に接続されてい
る。ＴＦＴ７０のソース電極Ｓ１は、並列接続された容
量（第１の容量）Ｃ１と抵抗（第１の抵抗）Ｒ１の一端
に接続されるとともに、第２のＴＦＴ７２のゲート電極
Ｇ２に接続されている。容量Ｃ１と抵抗Ｒ１の他端は不
図示の電源回路に接続されている。ＴＦＴ７２のドレイ
ン電極Ｄ２は駆動電圧バスライン７６に接続され、ソー
ス電極Ｓ２は画素電極６０に接続されている。画素電極
６０とコモン電極およびそれらに挟まれた液晶とで液晶
容量（第２の容量）Ｃｌｃが形成される。また、液晶層
で抵抗（第２の抵抗）Ｒ２が形成されている。これによ
り、ＴＦＴ７２のソース電極Ｓ２は、並列接続された液
晶容量Ｃｌｃと抵抗Ｒ２の一端に接続されている。液晶
容量Ｃｌｃと抵抗Ｒ２の他端はコモン電位に維持されて
いる。
されている。第１のＴＦＴ７０のゲート電極Ｇ１は、ゲ
ートバスライン１２に接続されている。ＴＦＴ７０のド
レイン電極Ｄ１はデータバスライン７４に接続されてい
る。ＴＦＴ７０のソース電極Ｓ１は、並列接続された容
量（第１の容量）Ｃ１と抵抗（第１の抵抗）Ｒ１の一端
に接続されるとともに、第２のＴＦＴ７２のゲート電極
Ｇ２に接続されている。容量Ｃ１と抵抗Ｒ１の他端は不
図示の電源回路に接続されている。ＴＦＴ７２のドレイ
ン電極Ｄ２は駆動電圧バスライン７６に接続され、ソー
ス電極Ｓ２は画素電極６０に接続されている。画素電極
６０とコモン電極およびそれらに挟まれた液晶とで液晶
容量（第２の容量）Ｃｌｃが形成される。また、液晶層
で抵抗（第２の抵抗）Ｒ２が形成されている。これによ
り、ＴＦＴ７２のソース電極Ｓ２は、並列接続された液
晶容量Ｃｌｃと抵抗Ｒ２の一端に接続されている。液晶
容量Ｃｌｃと抵抗Ｒ２の他端はコモン電位に維持されて
いる。
【００４３】ゲートバスライン１２を介してゲート電極
Ｇ１に所定のゲート電圧が印加されると、ＴＦＴ７０は
オン状態になる。ＴＦＴ７０がオン状態になると、デー
タバスライン７４に印加されているデータ電圧がＴＦＴ
７２のゲート電極Ｇ２に印加されるとともに容量Ｃ１に
所定の電荷が充電される。ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２
に閾値電圧を超えるデータ電圧が印加されるとＴＦＴ７
２がオン状態になり、画素電極６０に駆動電圧バスライ
ン７６からの駆動電圧が印加される。
Ｇ１に所定のゲート電圧が印加されると、ＴＦＴ７０は
オン状態になる。ＴＦＴ７０がオン状態になると、デー
タバスライン７４に印加されているデータ電圧がＴＦＴ
７２のゲート電極Ｇ２に印加されるとともに容量Ｃ１に
所定の電荷が充電される。ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２
に閾値電圧を超えるデータ電圧が印加されるとＴＦＴ７
２がオン状態になり、画素電極６０に駆動電圧バスライ
ン７６からの駆動電圧が印加される。
【００４４】ＴＦＴ７０がオフ状態になると、ゲート電
極Ｇ２のゲート電圧Ｖｇ２は容量Ｃ１と抵抗Ｒ１により
決定される時定数により時間の経過と共に低下する。ゲ
ート電圧Ｖｇ２が閾値電圧以下になるとＴＦＴ７２がオ
フ状態になる。ＴＦＴ７２がオフ状態になると、画素電
極６０に印加された駆動電圧は液晶容量Ｃｌｃと抵抗Ｒ
２により決定される時定数により時間の経過と共に低下
する。
極Ｇ２のゲート電圧Ｖｇ２は容量Ｃ１と抵抗Ｒ１により
決定される時定数により時間の経過と共に低下する。ゲ
ート電圧Ｖｇ２が閾値電圧以下になるとＴＦＴ７２がオ
フ状態になる。ＴＦＴ７２がオフ状態になると、画素電
極６０に印加された駆動電圧は液晶容量Ｃｌｃと抵抗Ｒ
２により決定される時定数により時間の経過と共に低下
する。
【００４５】データバスライン７４から相対的に高レベ
ルのデータ電圧がＴＦＴ７０を介して容量Ｃ１と抵抗Ｒ
１およびＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加されると、
ＴＦＴ７２は、比較的長時間オン状態を維持するので、
液晶層５７に駆動電圧が長時間印加されて白表示が実現
される。
ルのデータ電圧がＴＦＴ７０を介して容量Ｃ１と抵抗Ｒ
１およびＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加されると、
ＴＦＴ７２は、比較的長時間オン状態を維持するので、
液晶層５７に駆動電圧が長時間印加されて白表示が実現
される。
【００４６】データバスライン７４から相対的に低レベ
ル（ＴＦＴ７２の閾値電圧以下）のデータ電圧がＴＦＴ
７０を介して容量Ｃ１と抵抗Ｒ１およびＴＦＴ７２のゲ
ート電極Ｇ２に印加されると、ＴＦＴ７２はオフ状態を
維持するので、液晶層５７に駆動電圧が印加されず黒表
示が実現される。
ル（ＴＦＴ７２の閾値電圧以下）のデータ電圧がＴＦＴ
７０を介して容量Ｃ１と抵抗Ｒ１およびＴＦＴ７２のゲ
ート電極Ｇ２に印加されると、ＴＦＴ７２はオフ状態を
維持するので、液晶層５７に駆動電圧が印加されず黒表
示が実現される。
【００４７】データバスライン７４から上記高レベルお
よび低レベルの中間のデータ電圧がＴＦＴ７０を介して
容量Ｃ１と抵抗Ｒ１およびＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２
に印加されると、ＴＦＴ７２は、ＴＦＴ７０がオフにな
った後、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１により定まる時定数で決ま
る時間だけオン状態を維持する。当該オン時間だけ液晶
層５７には駆動電圧が印加される。これにより、１フレ
ーム期間中のＴＦＴ７２のオン時間の割合に応じて、中
間調表示が実現される。
よび低レベルの中間のデータ電圧がＴＦＴ７０を介して
容量Ｃ１と抵抗Ｒ１およびＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２
に印加されると、ＴＦＴ７２は、ＴＦＴ７０がオフにな
った後、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１により定まる時定数で決ま
る時間だけオン状態を維持する。当該オン時間だけ液晶
層５７には駆動電圧が印加される。これにより、１フレ
ーム期間中のＴＦＴ７２のオン時間の割合に応じて、中
間調表示が実現される。
【００４８】図８は、本実施例による液晶表示装置の１
画素の構成を示している。図９は図８のＣ−Ｃ線で切断
した断面図であり、図１０は図８のＤ−Ｄ線で切断した
断面図である。図８乃至図１０に示すように、ＴＦＴ基
板２上には、図８で左右方向に延びるゲートバスライン
１２とゲートバスライン１２にほぼ平行に延びるコモン
バスライン７８とが、所定の間隙を介して隣接して同一
の形成材料で形成されている。ゲートバスライン１２及
びコモンバスライン７８に絶縁膜を介してほぼ直交し
て、データバスライン７４と駆動電圧バスライン７６と
が画素領域を挟んで両側に形成されている。データバス
ライン７４と駆動電圧バスライン７６とは、同一の形成
材料で形成されている。
画素の構成を示している。図９は図８のＣ−Ｃ線で切断
した断面図であり、図１０は図８のＤ−Ｄ線で切断した
断面図である。図８乃至図１０に示すように、ＴＦＴ基
板２上には、図８で左右方向に延びるゲートバスライン
１２とゲートバスライン１２にほぼ平行に延びるコモン
バスライン７８とが、所定の間隙を介して隣接して同一
の形成材料で形成されている。ゲートバスライン１２及
びコモンバスライン７８に絶縁膜を介してほぼ直交し
て、データバスライン７４と駆動電圧バスライン７６と
が画素領域を挟んで両側に形成されている。データバス
ライン７４と駆動電圧バスライン７６とは、同一の形成
材料で形成されている。
【００４９】ゲートバスライン１２とデータバスライン
７４との交差位置近傍にはＴＦＴ７０が形成されてい
る。ＴＦＴ７０のドレイン電極Ｄ１は、データバスライ
ン７４に接続されている。またソース電極Ｓ１は、コモ
ンバスライン７８にほぼ平行に形成された接続配線８４
にコンタクトホール８２を介して接続されている。ソー
ス電極Ｓ１からは、コモンバスライン７８にほぼ平行な
ソース配線８６が延出している。ソース配線８６は、コ
ンタクトホール８０上に形成された比較的抵抗値の小さ
い誘電体９０を介してコモンバスライン７８に接続され
ている。誘電体９０の形成材料には、レジストや紫外線
硬化樹脂などが用いられる。接続配線８４は、ＴＦＴ７
２のゲート電極Ｇ２に接続されている。ＴＦＴ７２のド
レイン電極Ｄ２は駆動電圧バスライン７６に接続され、
ソース電極Ｓ２はコンタクトホール２２２を介して画素
電極６０に接続されている。本実施例では、誘電体９０
が抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１の誘電体として機能する。ま
た、液晶層５７は抵抗Ｒ２として機能する。
７４との交差位置近傍にはＴＦＴ７０が形成されてい
る。ＴＦＴ７０のドレイン電極Ｄ１は、データバスライ
ン７４に接続されている。またソース電極Ｓ１は、コモ
ンバスライン７８にほぼ平行に形成された接続配線８４
にコンタクトホール８２を介して接続されている。ソー
ス電極Ｓ１からは、コモンバスライン７８にほぼ平行な
ソース配線８６が延出している。ソース配線８６は、コ
ンタクトホール８０上に形成された比較的抵抗値の小さ
い誘電体９０を介してコモンバスライン７８に接続され
ている。誘電体９０の形成材料には、レジストや紫外線
硬化樹脂などが用いられる。接続配線８４は、ＴＦＴ７
２のゲート電極Ｇ２に接続されている。ＴＦＴ７２のド
レイン電極Ｄ２は駆動電圧バスライン７６に接続され、
ソース電極Ｓ２はコンタクトホール２２２を介して画素
電極６０に接続されている。本実施例では、誘電体９０
が抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１の誘電体として機能する。ま
た、液晶層５７は抵抗Ｒ２として機能する。
【００５０】次に、本実施例による液晶表示装置の駆動
方法を具体例に基づいて説明する。図１１は、本実施例
による液晶表示装置の２フレーム分の駆動波形等を示し
ている。図１１（ａ）はあるデータバスライン７４に印
加されるデータ電圧Ｖｄの波形を示し、図１１（ｂ）は
ＴＦＴ７０のゲート電極Ｇ１に印加されるゲート電圧Ｖ
ｇ１の波形を示している。図１１（ｃ）はＴＦＴ７２の
ゲート電極Ｇ２に印加されるゲート電圧Ｖｇ２の波形を
示し、図１１（ｄ）は駆動電圧バスライン７６に印加さ
れる液晶駆動電圧Ｖｄｄとコモン電圧Ｖｃｏｍの波形を
示している。また、図１１（ｅ）は画素電極６０に印加
される階調電圧Ｖｐの波形を示し、図１１（ｆ）は画素
の例えば正面方向の表示輝度Ｔｐの波形を示している。
図中横方向は時間を表している。図１１（ａ）〜（ｅ）
の縦方向は電圧レベルを表し、図１１（ｆ）の縦方向は
輝度レベルを表している。
方法を具体例に基づいて説明する。図１１は、本実施例
による液晶表示装置の２フレーム分の駆動波形等を示し
ている。図１１（ａ）はあるデータバスライン７４に印
加されるデータ電圧Ｖｄの波形を示し、図１１（ｂ）は
ＴＦＴ７０のゲート電極Ｇ１に印加されるゲート電圧Ｖ
ｇ１の波形を示している。図１１（ｃ）はＴＦＴ７２の
ゲート電極Ｇ２に印加されるゲート電圧Ｖｇ２の波形を
示し、図１１（ｄ）は駆動電圧バスライン７６に印加さ
れる液晶駆動電圧Ｖｄｄとコモン電圧Ｖｃｏｍの波形を
示している。また、図１１（ｅ）は画素電極６０に印加
される階調電圧Ｖｐの波形を示し、図１１（ｆ）は画素
の例えば正面方向の表示輝度Ｔｐの波形を示している。
図中横方向は時間を表している。図１１（ａ）〜（ｅ）
の縦方向は電圧レベルを表し、図１１（ｆ）の縦方向は
輝度レベルを表している。
【００５１】本実施例では、図１１（ｄ）に示すよう
に、コモン電圧Ｖｃｏｍ＝＋５Ｖとしている。そして、
駆動電圧バスライン７６には正極性駆動電圧Ｖｄｄｐ＝
＋１０Ｖと逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０Ｖとがフレーム
ｆ毎に交互に出力されるようになっている。これによ
り、液晶層５７が±５Ｖの駆動電圧でフレーム反転駆動
される。以下、駆動電圧バスライン７６に正極性駆動電
圧Ｖｄｄｐが印加されているフレーム期間を正極性フレ
ーム期間と呼び、駆動電圧バスライン７６に逆極性駆動
電圧Ｖｄｄｎが印加されているフレーム期間を逆極性フ
レーム期間と呼ぶことにする。
に、コモン電圧Ｖｃｏｍ＝＋５Ｖとしている。そして、
駆動電圧バスライン７６には正極性駆動電圧Ｖｄｄｐ＝
＋１０Ｖと逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０Ｖとがフレーム
ｆ毎に交互に出力されるようになっている。これによ
り、液晶層５７が±５Ｖの駆動電圧でフレーム反転駆動
される。以下、駆動電圧バスライン７６に正極性駆動電
圧Ｖｄｄｐが印加されているフレーム期間を正極性フレ
ーム期間と呼び、駆動電圧バスライン７６に逆極性駆動
電圧Ｖｄｄｎが印加されているフレーム期間を逆極性フ
レーム期間と呼ぶことにする。
【００５２】正極性フレーム期間での駆動電圧バスライ
ン７６には、正極性駆動電圧Ｖｄｄｐ＝＋１０Ｖが印加
される。この正極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実に
オフ状態にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２
は、ドレイン電圧の最小値（すなわち正極性駆動電圧Ｖ
ｄｄｐ＝＋１０Ｖ）より５Ｖ程度低くさせておく必要が
ある。また、正極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実に
オン状態にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２は
ドレイン電圧の最大値（すなわち正極性駆動電圧Ｖｄｄ
ｐ＝＋１０Ｖ）より高くさせる必要がある。そこで、図
１１（ａ）に示すように、正極性フレーム期間にはデー
タバスライン７４に印加するデータ電圧Ｖｄｐは＋５Ｖ
から＋１５Ｖまで（電圧幅１０Ｖ）の間の電圧を印加す
るようにしている。
ン７６には、正極性駆動電圧Ｖｄｄｐ＝＋１０Ｖが印加
される。この正極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実に
オフ状態にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２
は、ドレイン電圧の最小値（すなわち正極性駆動電圧Ｖ
ｄｄｐ＝＋１０Ｖ）より５Ｖ程度低くさせておく必要が
ある。また、正極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実に
オン状態にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２は
ドレイン電圧の最大値（すなわち正極性駆動電圧Ｖｄｄ
ｐ＝＋１０Ｖ）より高くさせる必要がある。そこで、図
１１（ａ）に示すように、正極性フレーム期間にはデー
タバスライン７４に印加するデータ電圧Ｖｄｐは＋５Ｖ
から＋１５Ｖまで（電圧幅１０Ｖ）の間の電圧を印加す
るようにしている。
【００５３】逆極性フレーム期間での駆動電圧バスライ
ン７６には、逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０Ｖが印加され
る。この逆極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実にオフ
状態にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２は、ド
レイン電圧の最小値（すなわち逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ
＝０Ｖ）より５Ｖ程度低くさせておく必要がある。ま
た、逆極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実にオン状態
にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２はドレイン
電圧の最大値（すなわち逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０
Ｖ）より高くさせる必要がある。そこで、図１１（ａ）
に示すように、逆極性フレーム期間にはデータバスライ
ン７４に印加するデータ電圧Ｖｄｎは−５Ｖから＋５Ｖ
まで（電圧幅１０Ｖ）の間の電圧を印加するようにして
いる。
ン７６には、逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０Ｖが印加され
る。この逆極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実にオフ
状態にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２は、ド
レイン電圧の最小値（すなわち逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ
＝０Ｖ）より５Ｖ程度低くさせておく必要がある。ま
た、逆極性フレーム期間でＴＦＴ７２を確実にオン状態
にするには、ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２はドレイン
電圧の最大値（すなわち逆極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０
Ｖ）より高くさせる必要がある。そこで、図１１（ａ）
に示すように、逆極性フレーム期間にはデータバスライ
ン７４に印加するデータ電圧Ｖｄｎは−５Ｖから＋５Ｖ
まで（電圧幅１０Ｖ）の間の電圧を印加するようにして
いる。
【００５４】従って、図１１（ａ）に示すように、デー
タ電圧Ｖｄは−５Ｖから＋１５Ｖまでの電圧幅２０Ｖで
変動する。このため、ＴＦＴ７０をスイッチング素子と
して確実に動作させるために、図１１（ｂ）に示すよう
に、ゲートバスライン１２に印加するゲート電圧Ｖｇ１
は、ＴＦＴ７０のオフ時電圧Ｖｇ１（ｏｆｆ）＝−１０
Ｖ、オン時電圧Ｖｇ１（ｏｎ）＝＋２０Ｖとしている。
タ電圧Ｖｄは−５Ｖから＋１５Ｖまでの電圧幅２０Ｖで
変動する。このため、ＴＦＴ７０をスイッチング素子と
して確実に動作させるために、図１１（ｂ）に示すよう
に、ゲートバスライン１２に印加するゲート電圧Ｖｇ１
は、ＴＦＴ７０のオフ時電圧Ｖｇ１（ｏｆｆ）＝−１０
Ｖ、オン時電圧Ｖｇ１（ｏｎ）＝＋２０Ｖとしている。
【００５５】次に、順を追って駆動動作について説明す
る。 （１）正極性フレーム期間の場合：例えば、階調電圧Ｖ
ｄｐ＝＋１２Ｖがデータバスライン７４に出力されてい
るものとする（図１１（ａ）参照）。次に、ゲートバス
ライン１２にゲートパルスＶｇ１（ｏｎ）が出力されて
ＴＦＴ７０がオン状態になる。ＴＦＴ７０がオン状態の
間、データ電圧ＶｄｐがＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に
印加されるとともに容量Ｃ１が充電される。ＴＦＴ７２
のゲート電極Ｇ２には、図１１（ｃ）に示すようにゲー
ト電圧Ｖｇ２（ｏｎｐ）（＝＋１２Ｖ）が印加されてＴ
ＦＴ７２がオン状態になる。
る。 （１）正極性フレーム期間の場合：例えば、階調電圧Ｖ
ｄｐ＝＋１２Ｖがデータバスライン７４に出力されてい
るものとする（図１１（ａ）参照）。次に、ゲートバス
ライン１２にゲートパルスＶｇ１（ｏｎ）が出力されて
ＴＦＴ７０がオン状態になる。ＴＦＴ７０がオン状態の
間、データ電圧ＶｄｐがＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に
印加されるとともに容量Ｃ１が充電される。ＴＦＴ７２
のゲート電極Ｇ２には、図１１（ｃ）に示すようにゲー
ト電圧Ｖｇ２（ｏｎｐ）（＝＋１２Ｖ）が印加されてＴ
ＦＴ７２がオン状態になる。
【００５６】次に、ゲート電圧がＶｇ１（ｏｆｆ）にな
ってＴＦＴ７０がオフ状態になると、所定の時定数で容
量Ｃ１の電荷が放電され、図１１（ｃ）に示すように、
ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧レベルが
徐々に減少する。この電圧レベルは、次第にＴＦＴ７２
の閾値電圧Ｖｔｈに近づいて遂にはそれより小さくな
り、最終的にはＶｇ２（ｏｆｆｐ）（＝Ｖｃｏｍ＝＋５
Ｖ）になる。
ってＴＦＴ７０がオフ状態になると、所定の時定数で容
量Ｃ１の電荷が放電され、図１１（ｃ）に示すように、
ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧レベルが
徐々に減少する。この電圧レベルは、次第にＴＦＴ７２
の閾値電圧Ｖｔｈに近づいて遂にはそれより小さくな
り、最終的にはＶｇ２（ｏｆｆｐ）（＝Ｖｃｏｍ＝＋５
Ｖ）になる。
【００５７】このように、ＴＦＴ７２のオン時間は、ゲ
ート電極Ｇ２に供給されるデータ電圧Ｖｄｐの大きさと
容量Ｃ１および抵抗Ｒ１による減衰の時定数で定まる。
ＴＦＴ７２がオン状態において、図１１（ｄ）に示す正
極性駆動電圧Ｖｄｄｐ＝＋１０Ｖが階調電圧Ｖｐとして
画素電極６０に書込まれ、ＴＦＴ７２のオン時間中当該
電圧レベルが維持される（図１１（ｅ）参照）。この期
間中、図１１（ｆ）に示すように液晶層には所定の透過
率Ｔｐが得られる。
ート電極Ｇ２に供給されるデータ電圧Ｖｄｐの大きさと
容量Ｃ１および抵抗Ｒ１による減衰の時定数で定まる。
ＴＦＴ７２がオン状態において、図１１（ｄ）に示す正
極性駆動電圧Ｖｄｄｐ＝＋１０Ｖが階調電圧Ｖｐとして
画素電極６０に書込まれ、ＴＦＴ７２のオン時間中当該
電圧レベルが維持される（図１１（ｅ）参照）。この期
間中、図１１（ｆ）に示すように液晶層には所定の透過
率Ｔｐが得られる。
【００５８】ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２が所定の閾
値電圧Ｖｔｈ以下になるとＴＦＴ７２はオフ状態にな
り、液晶容量Ｃｌｃと液晶抵抗Ｒ２とに基づく時定数で
階調電圧Ｖｐはコモン電圧Ｖｃｏｍにまで減少する（図
１１（ｅ）参照）。これにより、図１１（ｆ）に示すよ
うに液晶層の透過率Ｔｐは減少する。
値電圧Ｖｔｈ以下になるとＴＦＴ７２はオフ状態にな
り、液晶容量Ｃｌｃと液晶抵抗Ｒ２とに基づく時定数で
階調電圧Ｖｐはコモン電圧Ｖｃｏｍにまで減少する（図
１１（ｅ）参照）。これにより、図１１（ｆ）に示すよ
うに液晶層の透過率Ｔｐは減少する。
【００５９】（２）逆極性フレーム期間の場合：上述の
正極性フレームに続いて同一階調を表示させる場合を例
にとって説明する。まず、不図示の回路により容量Ｃ１
及び抵抗Ｒ１を介してＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２のゲ
ート電圧Ｖｇ２（ｏｆｆｎ）を−５Ｖに維持しておく。
次いで、逆極性の階調電圧Ｖｄｎ＝＋２Ｖがデータバス
ライン７４に出力される（図１１（ａ）参照）。次に、
ゲートバスライン１２にゲートパルスＶｇ１（ｏｎ）が
出力されてＴＦＴ７０がオン状態になる。ＴＦＴ７０が
オン状態の間、データ電圧ＶｄｎがＴＦＴ７２のゲート
電極Ｇ２に印加されるとともに容量Ｃ１が充電される。
ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２には、図１１（ｃ）に示す
ようにゲート電圧Ｖｇ２（ｏｎｎ）（＝＋２Ｖ）が印加
されてＴＦＴ７２がオン状態になる。
正極性フレームに続いて同一階調を表示させる場合を例
にとって説明する。まず、不図示の回路により容量Ｃ１
及び抵抗Ｒ１を介してＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２のゲ
ート電圧Ｖｇ２（ｏｆｆｎ）を−５Ｖに維持しておく。
次いで、逆極性の階調電圧Ｖｄｎ＝＋２Ｖがデータバス
ライン７４に出力される（図１１（ａ）参照）。次に、
ゲートバスライン１２にゲートパルスＶｇ１（ｏｎ）が
出力されてＴＦＴ７０がオン状態になる。ＴＦＴ７０が
オン状態の間、データ電圧ＶｄｎがＴＦＴ７２のゲート
電極Ｇ２に印加されるとともに容量Ｃ１が充電される。
ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２には、図１１（ｃ）に示す
ようにゲート電圧Ｖｇ２（ｏｎｎ）（＝＋２Ｖ）が印加
されてＴＦＴ７２がオン状態になる。
【００６０】次に、ゲート電圧がＶｇ１（ｏｆｆ）にな
ってＴＦＴ７０がオフ状態になると、所定の時定数で容
量Ｃ１の電荷が放電され、図１１（ｃ）に示すように、
ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧レベルが
徐々に減少する。この電圧レベルは、次第にＴＦＴ７２
の閾値電圧Ｖｔｈに近づいて遂にはそれより小さくな
り、最終的にはＶｇ２（ｏｆｆｎ）（＝−５Ｖ）にな
る。
ってＴＦＴ７０がオフ状態になると、所定の時定数で容
量Ｃ１の電荷が放電され、図１１（ｃ）に示すように、
ＴＦＴ７２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧レベルが
徐々に減少する。この電圧レベルは、次第にＴＦＴ７２
の閾値電圧Ｖｔｈに近づいて遂にはそれより小さくな
り、最終的にはＶｇ２（ｏｆｆｎ）（＝−５Ｖ）にな
る。
【００６１】このように、ＴＦＴ７２のオン時間は、ゲ
ート電極Ｇ２に供給されるデータ電圧Ｖｄｎの大きさと
容量Ｃ１および抵抗Ｒ１による減衰の時定数で定まる。
ＴＦＴ７２がオン状態において、図１１（ｄ）に示す逆
極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０Ｖが階調電圧Ｖｐとして画素
電極６０に書込まれ、ＴＦＴ７２のオン時間中当該電圧
レベルが維持される（図１１（ｅ）参照）。この期間
中、図１１（ｆ）に示すように液晶層には所定の透過率
Ｔｐが得られる。
ート電極Ｇ２に供給されるデータ電圧Ｖｄｎの大きさと
容量Ｃ１および抵抗Ｒ１による減衰の時定数で定まる。
ＴＦＴ７２がオン状態において、図１１（ｄ）に示す逆
極性駆動電圧Ｖｄｄｎ＝０Ｖが階調電圧Ｖｐとして画素
電極６０に書込まれ、ＴＦＴ７２のオン時間中当該電圧
レベルが維持される（図１１（ｅ）参照）。この期間
中、図１１（ｆ）に示すように液晶層には所定の透過率
Ｔｐが得られる。
【００６２】ＴＦＴ７２のゲート電圧Ｖｇ２が所定の閾
値電圧Ｖｔｈ以下になるとＴＦＴ７２はオフ状態にな
り、液晶容量Ｃｌｃと液晶抵抗Ｒ２とに基づく時定数で
階調電圧Ｖｐはコモン電圧Ｖｃｏｍにまで減少する（図
１１（ｅ）参照）。これにより、図１１（ｆ）に示すよ
うに液晶層の透過率Ｔｐは減少する。
値電圧Ｖｔｈ以下になるとＴＦＴ７２はオフ状態にな
り、液晶容量Ｃｌｃと液晶抵抗Ｒ２とに基づく時定数で
階調電圧Ｖｐはコモン電圧Ｖｃｏｍにまで減少する（図
１１（ｅ）参照）。これにより、図１１（ｆ）に示すよ
うに液晶層の透過率Ｔｐは減少する。
【００６３】このように本実施例によれば、データバス
ライン７４に出力するデータ電圧Ｖｄの大きさに応じて
ＴＦＴ７２のオン時間を制御できる。ＴＦＴ７２がオン
状態では液晶層５７には＋１０Ｖ又は０Ｖの駆動電圧Ｖ
ｄｄが印加され、オフ状態ではコモン電圧Ｖｃｏｍ＝＋
５Ｖに等しくなる。このため、データ電圧Ｖｄの大きさ
に応じて、１フレーム内で白を表示させる時間を制御す
ることができる。
ライン７４に出力するデータ電圧Ｖｄの大きさに応じて
ＴＦＴ７２のオン時間を制御できる。ＴＦＴ７２がオン
状態では液晶層５７には＋１０Ｖ又は０Ｖの駆動電圧Ｖ
ｄｄが印加され、オフ状態ではコモン電圧Ｖｃｏｍ＝＋
５Ｖに等しくなる。このため、データ電圧Ｖｄの大きさ
に応じて、１フレーム内で白を表示させる時間を制御す
ることができる。
【００６４】したがって、データ電圧Ｖｄを最大にする
と、ほぼ１フレーム期間中ＴＦＴ７２をオン状態に維持
して白表示を得ることができ、データ電圧Ｖｄを最小に
すると、ほぼ１フレーム期間中ＴＦＴ７２をオフ状態に
維持して黒表示を得ることができる。データ電圧を最大
と最小との間の任意の値に設定することにより、１フレ
ーム期間中でＴＦＴ７２を任意の時間だけオン状態に維
持してその後オフ状態にすることができる。これによ
り、中間調を表示させることができるようになる。本実
施例によれば、一般の液晶材料およびＴＦＴ構造を用い
て実施例１−１と同様の効果を得ることができる。
と、ほぼ１フレーム期間中ＴＦＴ７２をオン状態に維持
して白表示を得ることができ、データ電圧Ｖｄを最小に
すると、ほぼ１フレーム期間中ＴＦＴ７２をオフ状態に
維持して黒表示を得ることができる。データ電圧を最大
と最小との間の任意の値に設定することにより、１フレ
ーム期間中でＴＦＴ７２を任意の時間だけオン状態に維
持してその後オフ状態にすることができる。これによ
り、中間調を表示させることができるようになる。本実
施例によれば、一般の液晶材料およびＴＦＴ構造を用い
て実施例１−１と同様の効果を得ることができる。
【００６５】また、本実施例においては、液晶層５７に
印加された電圧を保持するのではなく放電させる必要が
あるので、抵抗値の大きい液晶を使用する必要はない。
このためシアノ系のような液晶を使用することができ、
液晶表示装置の応答速度を高めることが可能である。さ
らに、屈折率異方性Δｎは大きいが抵抗値の小さい塩素
系液晶を使うことが可能なため、セル厚ｄを薄くするこ
とができる。このため、さらに高速な応答の液晶表示装
置を実現できる。
印加された電圧を保持するのではなく放電させる必要が
あるので、抵抗値の大きい液晶を使用する必要はない。
このためシアノ系のような液晶を使用することができ、
液晶表示装置の応答速度を高めることが可能である。さ
らに、屈折率異方性Δｎは大きいが抵抗値の小さい塩素
系液晶を使うことが可能なため、セル厚ｄを薄くするこ
とができる。このため、さらに高速な応答の液晶表示装
置を実現できる。
【００６６】次に、本実施例による液晶表示装置の変形
例について説明する。図１２は、本変形例による液晶表
示装置の構成を示している。図１３は、図１２のＥ−Ｅ
線で切断した断面を示している。図１２及び図１３に示
すように、本変形例による液晶表示装置では、図８に示
す構成と異なりコモンバスライン７８が形成されていな
い。接続配線８４上には、絶縁膜８８が開口されたコン
タクトホール２０２が形成されている。ＴＦＴ７０のソ
ース電極Ｓ１は接続配線８４と、コンタクトホール２０
２上に形成された抵抗体９１とを介して対向基板４の共
通電極６２に接続されている。抵抗体９１は所定のセル
厚を保持する柱状スペーサになっている。抵抗体９１の
形成材料としては例えばレジストが好適である。本変形
例では、抵抗体９１は、抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１の誘電体
として機能する。本変形例によっても上記実施例と同様
の効果が得られる。
例について説明する。図１２は、本変形例による液晶表
示装置の構成を示している。図１３は、図１２のＥ−Ｅ
線で切断した断面を示している。図１２及び図１３に示
すように、本変形例による液晶表示装置では、図８に示
す構成と異なりコモンバスライン７８が形成されていな
い。接続配線８４上には、絶縁膜８８が開口されたコン
タクトホール２０２が形成されている。ＴＦＴ７０のソ
ース電極Ｓ１は接続配線８４と、コンタクトホール２０
２上に形成された抵抗体９１とを介して対向基板４の共
通電極６２に接続されている。抵抗体９１は所定のセル
厚を保持する柱状スペーサになっている。抵抗体９１の
形成材料としては例えばレジストが好適である。本変形
例では、抵抗体９１は、抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１の誘電体
として機能する。本変形例によっても上記実施例と同様
の効果が得られる。
【００６７】次に、本実施例による液晶表示装置の他の
変形例について説明する。図１４は、本変形例による液
晶表示装置の構成を示している。図１５は、図１４のＦ
−Ｆ線で切断した断面を示している。本変形例による液
晶表示装置では、図８に示す構成と同様にコモンバスラ
イン７８が形成されている。接続配線８４は、ゲートバ
スライン１２とコモンバスライン７８との間に形成され
ている。ＴＦＴ７０のソース電極Ｓ１は、接続配線８４
の一端にコンタクトホール２０６を介して接続されてい
る。コンタクトホール２０６近傍の断面構成は、図１０
に示すコンタクトホール８２近傍と同様である。接続配
線８４は、データバスライン７４及び駆動電圧バスライ
ン７６と同一の形成材料で形成された第２の接続配線８
５の一端に、コンタクトホール２０８上に形成された抵
抗体２１０を介して接続されている。コンタクトホール
２０８近傍の断面構成は、図９に示すコンタクトホール
８０近傍と同様である。第２の接続配線８５の他端は、
コンタクトホール２２０を介してコモンバスライン７８
に接続されている。画素電極６０は、コンタクトホール
２０４上に形成された抵抗体９２を介してコモンバスラ
イン７８に接続されている。本変形例では、抵抗体２１
０が抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１の誘電体として機能し、抵抗
体９２が抵抗Ｒ２として機能する。本変形例によっても
上記実施例と同様の効果が得られる。
変形例について説明する。図１４は、本変形例による液
晶表示装置の構成を示している。図１５は、図１４のＦ
−Ｆ線で切断した断面を示している。本変形例による液
晶表示装置では、図８に示す構成と同様にコモンバスラ
イン７８が形成されている。接続配線８４は、ゲートバ
スライン１２とコモンバスライン７８との間に形成され
ている。ＴＦＴ７０のソース電極Ｓ１は、接続配線８４
の一端にコンタクトホール２０６を介して接続されてい
る。コンタクトホール２０６近傍の断面構成は、図１０
に示すコンタクトホール８２近傍と同様である。接続配
線８４は、データバスライン７４及び駆動電圧バスライ
ン７６と同一の形成材料で形成された第２の接続配線８
５の一端に、コンタクトホール２０８上に形成された抵
抗体２１０を介して接続されている。コンタクトホール
２０８近傍の断面構成は、図９に示すコンタクトホール
８０近傍と同様である。第２の接続配線８５の他端は、
コンタクトホール２２０を介してコモンバスライン７８
に接続されている。画素電極６０は、コンタクトホール
２０４上に形成された抵抗体９２を介してコモンバスラ
イン７８に接続されている。本変形例では、抵抗体２１
０が抵抗Ｒ１及び容量Ｃ１の誘電体として機能し、抵抗
体９２が抵抗Ｒ２として機能する。本変形例によっても
上記実施例と同様の効果が得られる。
【００６８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば良好な視覚特性の得られる液晶表示装置を作製でき
る。
ば良好な視覚特性の得られる液晶表示装置を作製でき
る。
【００６９】〔第２の実施の形態〕次に、本発明の第２
の実施の形態による液晶表示装置について図１６乃至図
１９を用いて説明する。なお、第１の実施の形態による
液晶表示装置の構成要素と同一の機能作用を有する構成
要素については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。図１６は、本実施の形態による液晶表示装置を表示
画面側からみた２画素分の基本構成を示している。図１
７は、図１６に示すＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の
断面を示している。図１６に示すように、対向基板に形
成された遮光膜（ＢＭ）５０により図示縦長の長方形形
状の２つの画素領域が画定され、さらに各画素内が横方
向に２分されている。また、図１６および図１７に示す
ように、各画素領域の対向基板側には、画素領域端部に
対して斜めに延びる線状の突起５２が形成されている。
各画素領域のＴＦＴ基板側には、画素領域端部に対して
斜めに延びるスリット５４が突起５２と交互に配列する
ように形成されている。画素領域は、突起５２とスリッ
ト５４により、液晶分子５６の配向方向の異なる４つの
領域（配向領域）に分割されている。
の実施の形態による液晶表示装置について図１６乃至図
１９を用いて説明する。なお、第１の実施の形態による
液晶表示装置の構成要素と同一の機能作用を有する構成
要素については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。図１６は、本実施の形態による液晶表示装置を表示
画面側からみた２画素分の基本構成を示している。図１
７は、図１６に示すＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の
断面を示している。図１６に示すように、対向基板に形
成された遮光膜（ＢＭ）５０により図示縦長の長方形形
状の２つの画素領域が画定され、さらに各画素内が横方
向に２分されている。また、図１６および図１７に示す
ように、各画素領域の対向基板側には、画素領域端部に
対して斜めに延びる線状の突起５２が形成されている。
各画素領域のＴＦＴ基板側には、画素領域端部に対して
斜めに延びるスリット５４が突起５２と交互に配列する
ように形成されている。画素領域は、突起５２とスリッ
ト５４により、液晶分子５６の配向方向の異なる４つの
領域（配向領域）に分割されている。
【００７０】図１７に示すように、各画素は突起５２又
はスリット５４の配向規制用構造物が形成された領域近
傍の領域Ａと、２つの領域Ａの間の領域Ｂとを有してい
る。領域Ａと領域Ｂとでは、液晶分子のプレチルト角
（基板面からの角度）が異なっている。このため、局所
的に見れば２つの異なるＴ−Ｖ特性の領域Ａ、Ｂが１画
素内に存在している。しかしながら全体として観察され
る実際の表示ではそれぞれのＴ−Ｖ特性を平均したＴ−
Ｖ特性が得られる。
はスリット５４の配向規制用構造物が形成された領域近
傍の領域Ａと、２つの領域Ａの間の領域Ｂとを有してい
る。領域Ａと領域Ｂとでは、液晶分子のプレチルト角
（基板面からの角度）が異なっている。このため、局所
的に見れば２つの異なるＴ−Ｖ特性の領域Ａ、Ｂが１画
素内に存在している。しかしながら全体として観察され
る実際の表示ではそれぞれのＴ−Ｖ特性を平均したＴ−
Ｖ特性が得られる。
【００７１】複数に分割された領域Ａ、Ｂのうちの１つ
は、高コントラストを維持するためにプレチルト角がほ
ぼ９０°（配向方向が基板面にほぼ垂直）である必要が
ある。本例では領域Ｂのプレチルト角はほぼ９０°にな
っている。さらに、同じく高コントラストを維持するた
めに、領域Ａ、Ｂのプレチルト角は全て８０°以上であ
ることが望ましい。本例では、領域Ａでは液晶分子５６
のプレチルト角は８０°以上である。また、各領域Ａ、
ＢのＴ−Ｖ特性が均等に混合されて平均化されると全体
としてよりなだらかなＴ−Ｖ曲線を得ることができる。
全体としてなだらかなＴ−Ｖ曲線が得られると、正面方
向と斜め方向との透過率差を小さくすることができる。
したがって、領域Ａ、Ｂは、ほぼ均等に分割されるのが
望ましい。
は、高コントラストを維持するためにプレチルト角がほ
ぼ９０°（配向方向が基板面にほぼ垂直）である必要が
ある。本例では領域Ｂのプレチルト角はほぼ９０°にな
っている。さらに、同じく高コントラストを維持するた
めに、領域Ａ、Ｂのプレチルト角は全て８０°以上であ
ることが望ましい。本例では、領域Ａでは液晶分子５６
のプレチルト角は８０°以上である。また、各領域Ａ、
ＢのＴ−Ｖ特性が均等に混合されて平均化されると全体
としてよりなだらかなＴ−Ｖ曲線を得ることができる。
全体としてなだらかなＴ−Ｖ曲線が得られると、正面方
向と斜め方向との透過率差を小さくすることができる。
したがって、領域Ａ、Ｂは、ほぼ均等に分割されるのが
望ましい。
【００７２】次に、本実施例による液晶表示装置の製造
方法について説明する。幅１０μｍのスリット５４が互
いに平行に７０μｍ間隔で複数形成されたＴＦＴ基板２
と、高さ１．２μｍ、幅１０μｍの線状で絶縁性の突起
５２が互いに平行に７０μｍ間隔で複数形成された対向
基板４との対向面に、垂直配向膜（例えばＪＳＲ社製）
を塗布する。次に、例えば直径４．０μｍの球状スペー
サ（例えば積水ファインケミカル社製）を散布する。次
に、スリット５４と突起５２とが交互に配列するように
ＴＦＴ基板２と対向基板４とを貼り合わせ、光硬化性組
成物（例えばメルク社製）を０．３ｗｔ％添加したｎ型
液晶（例えばメルク社製）を封止する。図１６に示すよ
うに、スリット５４と突起５２は、１画素内で右上方４
５°と右下方４５°に延びて形成されている。スリット
５４と突起５２によって４方向に配向分割される配向領
域の液晶傾斜方向は、表示画面の上下方向又は左右方向
から４５°傾いた方向となる。各配向領域の面積は、１
画素内でほぼ均等になっている。
方法について説明する。幅１０μｍのスリット５４が互
いに平行に７０μｍ間隔で複数形成されたＴＦＴ基板２
と、高さ１．２μｍ、幅１０μｍの線状で絶縁性の突起
５２が互いに平行に７０μｍ間隔で複数形成された対向
基板４との対向面に、垂直配向膜（例えばＪＳＲ社製）
を塗布する。次に、例えば直径４．０μｍの球状スペー
サ（例えば積水ファインケミカル社製）を散布する。次
に、スリット５４と突起５２とが交互に配列するように
ＴＦＴ基板２と対向基板４とを貼り合わせ、光硬化性組
成物（例えばメルク社製）を０．３ｗｔ％添加したｎ型
液晶（例えばメルク社製）を封止する。図１６に示すよ
うに、スリット５４と突起５２は、１画素内で右上方４
５°と右下方４５°に延びて形成されている。スリット
５４と突起５２によって４方向に配向分割される配向領
域の液晶傾斜方向は、表示画面の上下方向又は左右方向
から４５°傾いた方向となる。各配向領域の面積は、１
画素内でほぼ均等になっている。
【００７３】ＴＦＴ基板と対向基板とで液晶を封止した
後、各配向規制用構造物を中心として幅１７．５μｍを
有する領域Ａのみに光が照射されるようにパターニング
されたフォトマスクを液晶表示パネルに重ねた状態で、
画素電極６０と共通電極６２との間に２０Ｖの直流電圧
を印加しながら液晶層に４０００ｍＪの照射エネルギー
でＵＶ光を照射する。これにより、領域Ａの光硬化性組
成物を選択的に硬化させる。続いて、電圧無印加状態
で、液晶表示パネル全面に４０００ｍＪの照射エネルギ
ーでＵＶ光を照射して、幅１７．５μｍを有する領域Ｂ
の光硬化性組成物を硬化させる。この工程により、領域
Ａでは液晶分子５６のプレチルト角は約８０°になり、
領域Ｂでは液晶分子５６のプレチルト角は約９０°にな
る。
後、各配向規制用構造物を中心として幅１７．５μｍを
有する領域Ａのみに光が照射されるようにパターニング
されたフォトマスクを液晶表示パネルに重ねた状態で、
画素電極６０と共通電極６２との間に２０Ｖの直流電圧
を印加しながら液晶層に４０００ｍＪの照射エネルギー
でＵＶ光を照射する。これにより、領域Ａの光硬化性組
成物を選択的に硬化させる。続いて、電圧無印加状態
で、液晶表示パネル全面に４０００ｍＪの照射エネルギ
ーでＵＶ光を照射して、幅１７．５μｍを有する領域Ｂ
の光硬化性組成物を硬化させる。この工程により、領域
Ａでは液晶分子５６のプレチルト角は約８０°になり、
領域Ｂでは液晶分子５６のプレチルト角は約９０°にな
る。
【００７４】図１８は、本実施例による液晶表示装置の
Ｔ−Ｖ特性を示している。横軸は液晶層５７への印加電
圧（Ｖ）を表し、縦軸は光の透過率（％）を表してい
る。グラフ中の実線で示す曲線Ａは正面方向でのＴ−Ｖ
特性を示し、◇印でプロットされた実線で示す曲線Ｂは
斜め方向でのＴ−Ｖ特性を示している。図１８に示すＴ
−Ｖ特性は図３１に示す従来の液晶表示装置のＴ−Ｖ特
性と比較すると、正面方向と斜め方向との透過率の差が
小さくなっているので、正面方向と斜め方向との間にお
ける表示画像の色度ずれの少ない良好な階調視角特性が
得られる。実際に液晶表示装置に画像を表示させ、表示
画面を斜め方向から見たところ、本実施の形態の方が正
面から見た表示画像との差が小さく、良好な階調視角特
性が得られることが確認できた。なお、比較に用いた従
来の液晶表示装置は、液晶中に光硬化性組成物が含まれ
ないことと、ＵＶ光照射処理を行わないこと以外は、本
実施の形態と同じ条件で製造されている。
Ｔ−Ｖ特性を示している。横軸は液晶層５７への印加電
圧（Ｖ）を表し、縦軸は光の透過率（％）を表してい
る。グラフ中の実線で示す曲線Ａは正面方向でのＴ−Ｖ
特性を示し、◇印でプロットされた実線で示す曲線Ｂは
斜め方向でのＴ−Ｖ特性を示している。図１８に示すＴ
−Ｖ特性は図３１に示す従来の液晶表示装置のＴ−Ｖ特
性と比較すると、正面方向と斜め方向との透過率の差が
小さくなっているので、正面方向と斜め方向との間にお
ける表示画像の色度ずれの少ない良好な階調視角特性が
得られる。実際に液晶表示装置に画像を表示させ、表示
画面を斜め方向から見たところ、本実施の形態の方が正
面から見た表示画像との差が小さく、良好な階調視角特
性が得られることが確認できた。なお、比較に用いた従
来の液晶表示装置は、液晶中に光硬化性組成物が含まれ
ないことと、ＵＶ光照射処理を行わないこと以外は、本
実施の形態と同じ条件で製造されている。
【００７５】本実施の形態では、液晶分子５６のプレチ
ルト角が異なる２つの領域Ａ、Ｂを形成したが、液晶分
子５６のプレチルト角が異なる領域を３つ以上形成して
も同様の、あるいはより優れた表示特性を得ることがで
きる。また、プレチルト角は小さい方がより優れた階調
視角特性が得られるが、コントラストが低下してしまう
というトレードオフの関係がある。よって、液晶表示装
置の使用環境等に基づいてプレチルト角を選択する必要
がある。
ルト角が異なる２つの領域Ａ、Ｂを形成したが、液晶分
子５６のプレチルト角が異なる領域を３つ以上形成して
も同様の、あるいはより優れた表示特性を得ることがで
きる。また、プレチルト角は小さい方がより優れた階調
視角特性が得られるが、コントラストが低下してしまう
というトレードオフの関係がある。よって、液晶表示装
置の使用環境等に基づいてプレチルト角を選択する必要
がある。
【００７６】図１９は、本実施の形態による液晶表示装
置の効果を示すグラフである。横軸は規格化透過率を表
しており、階調電圧が６．０Ｖのときの透過率で各透過
率を規格化している。縦軸は、正面方向の透過率に対す
る斜め方向の透過率の比率（透過率比）を対数で表して
いる。グラフ中の△印でプロットされた実線で示す曲線
Ｃは従来の液晶表示装置の透過率比を示し、◇印でプロ
ットされた実線で示す曲線Ｄは本実施の形態による液晶
表示装置の透過率比を示している。図１９に示すよう
に、本実施の形態によれば、従来透過率比が高かった低
透過率での透過率比が低下してプロファイルがより平坦
になっており、さらに全体的に透過率比が１．０に近く
なっている。したがって本実施の形態によれば、従来と
比較して優れた階調視角特性が得られる。
置の効果を示すグラフである。横軸は規格化透過率を表
しており、階調電圧が６．０Ｖのときの透過率で各透過
率を規格化している。縦軸は、正面方向の透過率に対す
る斜め方向の透過率の比率（透過率比）を対数で表して
いる。グラフ中の△印でプロットされた実線で示す曲線
Ｃは従来の液晶表示装置の透過率比を示し、◇印でプロ
ットされた実線で示す曲線Ｄは本実施の形態による液晶
表示装置の透過率比を示している。図１９に示すよう
に、本実施の形態によれば、従来透過率比が高かった低
透過率での透過率比が低下してプロファイルがより平坦
になっており、さらに全体的に透過率比が１．０に近く
なっている。したがって本実施の形態によれば、従来と
比較して優れた階調視角特性が得られる。
【００７７】〔第３の実施の形態〕次に、本発明の第３
の実施の形態による液晶表示装置について図２０乃至図
２６を用いて説明する。なお、第１及び第２の実施の形
態による液晶表示装置の構成要素と同一の機能作用を有
する構成要素については、同一の符号を付してその説明
を省略する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の
原理について説明する。図２０は、本実施の形態による
液晶表示装置の液晶分子の傾斜角度と視角方向との関係
を示している。図２０（ａ）は従来の液晶表示装置につ
いて示し、図２０（ｂ）は本実施の形態による液晶表示
装置について示している。図２０（ａ）に示すように、
従来の液晶表示装置では、液晶分子５６の傾斜角度によ
り斜め方向から見たときの液晶層５７のリタデーション
が変動することがある。例えば、図中矢印の視角方向に
分子の長軸が揃う液晶層は、当該視角方向のリタデーシ
ョンは最小になる。これに対し、本実施の形態による液
晶表示装置は、図２０（ｂ）に示す液晶分子５６、５
６’のように傾斜角度が徐々に異なる複数領域を１画素
内に設けることにより、斜め方向から見たときの実質的
なリタデーションの変動を抑えるようにしている。
の実施の形態による液晶表示装置について図２０乃至図
２６を用いて説明する。なお、第１及び第２の実施の形
態による液晶表示装置の構成要素と同一の機能作用を有
する構成要素については、同一の符号を付してその説明
を省略する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の
原理について説明する。図２０は、本実施の形態による
液晶表示装置の液晶分子の傾斜角度と視角方向との関係
を示している。図２０（ａ）は従来の液晶表示装置につ
いて示し、図２０（ｂ）は本実施の形態による液晶表示
装置について示している。図２０（ａ）に示すように、
従来の液晶表示装置では、液晶分子５６の傾斜角度によ
り斜め方向から見たときの液晶層５７のリタデーション
が変動することがある。例えば、図中矢印の視角方向に
分子の長軸が揃う液晶層は、当該視角方向のリタデーシ
ョンは最小になる。これに対し、本実施の形態による液
晶表示装置は、図２０（ｂ）に示す液晶分子５６、５
６’のように傾斜角度が徐々に異なる複数領域を１画素
内に設けることにより、斜め方向から見たときの実質的
なリタデーションの変動を抑えるようにしている。
【００７８】本実施の形態による液晶表示装置は、第２
の実施の形態と同様に、１画素内で液晶分子５６、５
６’のプレチルト角を異ならせることを特徴としてい
る。図２１は、本実施の形態による液晶表示装置の構成
を示している。図２１に示すように、ＴＦＴ基板２上に
は、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２
と、ゲートバスライン１２に不図示の絶縁膜を介して交
差して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン
１４とが形成されている。ゲートバスライン１２とドレ
インバスライン１４との交差位置近傍には、ＴＦＴ１６
が形成されている。また、ゲートバスライン１２及びド
レインバスライン１４で画定された長方形状の画素領域
のほぼ中央を横切って、蓄積容量バスライン２０が形成
されている。
の実施の形態と同様に、１画素内で液晶分子５６、５
６’のプレチルト角を異ならせることを特徴としてい
る。図２１は、本実施の形態による液晶表示装置の構成
を示している。図２１に示すように、ＴＦＴ基板２上に
は、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２
と、ゲートバスライン１２に不図示の絶縁膜を介して交
差して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン
１４とが形成されている。ゲートバスライン１２とドレ
インバスライン１４との交差位置近傍には、ＴＦＴ１６
が形成されている。また、ゲートバスライン１２及びド
レインバスライン１４で画定された長方形状の画素領域
のほぼ中央を横切って、蓄積容量バスライン２０が形成
されている。
【００７９】長方形状の画素領域内には、４つの同一形
状の長方形に分割する十字形状の接続電極２６、２８が
形成されている。接続電極２６は画素領域中央でドレイ
ンバスライン１４に平行に形成され、接続電極２８は蓄
積容量バスライン２０上に形成されている。接続電極２
６、２８から４５°の角度で延出して、微細電極パター
ンの複数のストライプ状電極２２、２２’が形成されて
いる。ストライプ状電極２２は幅Ｌ１で形成され、スト
ライプ状電極２２’は幅Ｌ２（＞Ｌ１）で形成されてい
る。隣接するストライプ状電極２２間には、電極を抜い
た状態のスペース２４が形成されている。また、隣接す
るストライプ状電極２２’間には、スペース２４’が形
成されている。スペース２４は幅Ｓ１で形成され、スペ
ース２４’は幅Ｓ２（＞Ｓ１）で形成されている。接続
電極２６、２８と複数のストライプ状電極２２、２２’
とスペース２４、２４’とで画素電極が構成され、一部
のストライプ状電極２２、２２’はＴＦＴ１６のソース
電極に電気的に接続されている。ストライプ状電極２
２、２２’とスペース２４、２４’とは配向規制用構造
物を構成している。
状の長方形に分割する十字形状の接続電極２６、２８が
形成されている。接続電極２６は画素領域中央でドレイ
ンバスライン１４に平行に形成され、接続電極２８は蓄
積容量バスライン２０上に形成されている。接続電極２
６、２８から４５°の角度で延出して、微細電極パター
ンの複数のストライプ状電極２２、２２’が形成されて
いる。ストライプ状電極２２は幅Ｌ１で形成され、スト
ライプ状電極２２’は幅Ｌ２（＞Ｌ１）で形成されてい
る。隣接するストライプ状電極２２間には、電極を抜い
た状態のスペース２４が形成されている。また、隣接す
るストライプ状電極２２’間には、スペース２４’が形
成されている。スペース２４は幅Ｓ１で形成され、スペ
ース２４’は幅Ｓ２（＞Ｓ１）で形成されている。接続
電極２６、２８と複数のストライプ状電極２２、２２’
とスペース２４、２４’とで画素電極が構成され、一部
のストライプ状電極２２、２２’はＴＦＴ１６のソース
電極に電気的に接続されている。ストライプ状電極２
２、２２’とスペース２４、２４’とは配向規制用構造
物を構成している。
【００８０】図２２は、本実施の形態による液晶表示装
置において、ストライプ状電極２２及びスペース２４の
幅の変化に対する透過率の変化を示すグラフである。横
軸はストライプ状電極２２の幅Ｌ（μｍ）を表し、縦軸
はスペース２４の幅Ｓ（μｍ）を表している。透過率
（％）は、液晶層５７に電圧３．４Ｖを印加した際の正
面での透過率を示している。
置において、ストライプ状電極２２及びスペース２４の
幅の変化に対する透過率の変化を示すグラフである。横
軸はストライプ状電極２２の幅Ｌ（μｍ）を表し、縦軸
はスペース２４の幅Ｓ（μｍ）を表している。透過率
（％）は、液晶層５７に電圧３．４Ｖを印加した際の正
面での透過率を示している。
【００８１】図２２に示すように、ストライプ状電極２
２、２２’の幅Ｌを広く、スペース２４、２４’の幅Ｓ
を狭く形成することにより、所定の電圧を印加した際の
透過率が高くなる。図２２から明らかなように、透過率
は、縦軸方向すなわちスペース２４、２４’の幅Ｓの変
化に対して高感度で変化する。
２、２２’の幅Ｌを広く、スペース２４、２４’の幅Ｓ
を狭く形成することにより、所定の電圧を印加した際の
透過率が高くなる。図２２から明らかなように、透過率
は、縦軸方向すなわちスペース２４、２４’の幅Ｓの変
化に対して高感度で変化する。
【００８２】このように、１画素内でストライプ状電極
２２、２２’とスペース２４、２４’とを異なる幅で形
成することにより、局所的に異なる複数のＴ−Ｖ特性を
１画素内で得ることができる。したがって、全体的には
それら複数のＴ−Ｖ特性を平均した１つのＴ−Ｖ特性と
して階調表示を得ることができるようになる。
２２、２２’とスペース２４、２４’とを異なる幅で形
成することにより、局所的に異なる複数のＴ−Ｖ特性を
１画素内で得ることができる。したがって、全体的には
それら複数のＴ−Ｖ特性を平均した１つのＴ−Ｖ特性と
して階調表示を得ることができるようになる。
【００８３】図２３は、本実施の形態による液晶表示装
置の変形例を示している。図２３に示すように、本変形
例では、異なる３つの幅Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３でストライプ
状電極２２、２２’、２２’’がそれぞれ形成され、異
なる３つの幅Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３でスペース２４、２
４’、２４’’がそれぞれ形成されている。
置の変形例を示している。図２３に示すように、本変形
例では、異なる３つの幅Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３でストライプ
状電極２２、２２’、２２’’がそれぞれ形成され、異
なる３つの幅Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３でスペース２４、２
４’、２４’’がそれぞれ形成されている。
【００８４】図２４は、本実施の形態による液晶表示装
置の他の変形例を示している。図２４に示すように、本
変形例では、ほぼ同じ幅Ｌ１でストライプ状電極２２が
形成され、異なる２つの幅Ｓ１、Ｓ２でスペース２４、
２４’がそれぞれ形成されている。
置の他の変形例を示している。図２４に示すように、本
変形例では、ほぼ同じ幅Ｌ１でストライプ状電極２２が
形成され、異なる２つの幅Ｓ１、Ｓ２でスペース２４、
２４’がそれぞれ形成されている。
【００８５】図２５は、本実施の形態による液晶表示装
置のさらに他の変形例を示している。図２５に示すよう
に、本変形例では、複数のストライプ状電極２３及び複
数のスペース２５、２５’がドレインバスライン１４に
平行に形成されている。ストライプ状電極２３はほぼ同
じ幅Ｌ１で形成され、スペース２５、２５’はそれぞれ
異なる幅Ｓ１、Ｓ２で形成されている。複数のストライ
プ状電極２３は、画素領域ほぼ中央でゲートバスライン
１２に平行に形成された接続電極２９により互いに電気
的に接続されている。ストライプ状電極２３の一部は、
ＴＦＴ１６のソース電極に電気的に接続されている。
置のさらに他の変形例を示している。図２５に示すよう
に、本変形例では、複数のストライプ状電極２３及び複
数のスペース２５、２５’がドレインバスライン１４に
平行に形成されている。ストライプ状電極２３はほぼ同
じ幅Ｌ１で形成され、スペース２５、２５’はそれぞれ
異なる幅Ｓ１、Ｓ２で形成されている。複数のストライ
プ状電極２３は、画素領域ほぼ中央でゲートバスライン
１２に平行に形成された接続電極２９により互いに電気
的に接続されている。ストライプ状電極２３の一部は、
ＴＦＴ１６のソース電極に電気的に接続されている。
【００８６】図２６は、本実施の形態による効果を示す
グラフである。図２６（ａ）は、本実施の形態による液
晶表示装置において、Ｔ−Ｖ特性の異なる３つの領域が
１画素内に形成されている場合の各領域での局所的なＴ
−Ｖ特性を示している。また、図２６（ｂ）は、Ｔ−Ｖ
特性の異なる３つの領域を１画素内にほぼ均等に形成し
た場合の平均化されたＴ−Ｖ特性を示している。ともに
横軸は印加電圧を表し、縦軸は透過率を表している。
グラフである。図２６（ａ）は、本実施の形態による液
晶表示装置において、Ｔ−Ｖ特性の異なる３つの領域が
１画素内に形成されている場合の各領域での局所的なＴ
−Ｖ特性を示している。また、図２６（ｂ）は、Ｔ−Ｖ
特性の異なる３つの領域を１画素内にほぼ均等に形成し
た場合の平均化されたＴ−Ｖ特性を示している。ともに
横軸は印加電圧を表し、縦軸は透過率を表している。
【００８７】図２６（ｂ）に示すように、Ｔ−Ｖ特性の
異なる３つの領域を１画素内にほぼ均等に形成すること
により、図２６（ａ）に示す３つのＴ−Ｖ特性が均等に
混在する結果、全体としてなだらかでうねりの生じない
１本のＴ−Ｖ曲線が得られる。したがって、図３２に示
したような階調反転の生じる視野角をなくすことができ
るようになり、液晶表示装置の表示特性を大幅に改善で
きる。
異なる３つの領域を１画素内にほぼ均等に形成すること
により、図２６（ａ）に示す３つのＴ−Ｖ特性が均等に
混在する結果、全体としてなだらかでうねりの生じない
１本のＴ−Ｖ曲線が得られる。したがって、図３２に示
したような階調反転の生じる視野角をなくすことができ
るようになり、液晶表示装置の表示特性を大幅に改善で
きる。
【００８８】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
製造方法について説明する。ＴＦＴ１６が形成されたガ
ラス基板上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）を成膜してパターニングし、図２１に示す微
細電極パターンを有する画素電極を形成する。次に、Ｔ
ＦＴ基板２及び対向基板４にポリイミド等からなる垂直
配向膜を形成する。次に、ＴＦＴ基板２と対向基板４と
を所定の位置に貼り合わせる。次に、負の誘電率異方性
を有する液晶と、ＵＶ光による重合が可能なモノマーと
を混合した液晶組成物を両基板２、４間に封止する。
製造方法について説明する。ＴＦＴ１６が形成されたガ
ラス基板上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）を成膜してパターニングし、図２１に示す微
細電極パターンを有する画素電極を形成する。次に、Ｔ
ＦＴ基板２及び対向基板４にポリイミド等からなる垂直
配向膜を形成する。次に、ＴＦＴ基板２と対向基板４と
を所定の位置に貼り合わせる。次に、負の誘電率異方性
を有する液晶と、ＵＶ光による重合が可能なモノマーと
を混合した液晶組成物を両基板２、４間に封止する。
【００８９】次に、液晶が封止された液晶表示パネルに
ゲート電圧（例えばＤＣ３０Ｖ）と階調電圧（例えばＤ
Ｃ５Ｖ）を印加する。このとき、対向基板４の共通電極
はグランド電位に維持される。液晶層５７に電圧が印加
されることにより、液晶分子５６は徐々に安定状態に配
向する。この状態でＵＶ光を照射して、液晶層５７内に
光硬化物を形成する。液晶表示パネルに、所定の光学軸
を有する偏光板を所定の配置で貼り付けることにより液
晶表示装置が完成する。
ゲート電圧（例えばＤＣ３０Ｖ）と階調電圧（例えばＤ
Ｃ５Ｖ）を印加する。このとき、対向基板４の共通電極
はグランド電位に維持される。液晶層５７に電圧が印加
されることにより、液晶分子５６は徐々に安定状態に配
向する。この状態でＵＶ光を照射して、液晶層５７内に
光硬化物を形成する。液晶表示パネルに、所定の光学軸
を有する偏光板を所定の配置で貼り付けることにより液
晶表示装置が完成する。
【００９０】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、ＭＶ
Ａモードの液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれ
に限らず、ＴＮモード等の他の液晶表示装置にも適用で
きる。
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、ＭＶ
Ａモードの液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれ
に限らず、ＴＮモード等の他の液晶表示装置にも適用で
きる。
【００９１】また、上記実施の形態では、ノーマリブラ
ックモードの液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこ
れに限らず、ノーマリホワイトモードの液晶表示装置に
も適用できる。
ックモードの液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこ
れに限らず、ノーマリホワイトモードの液晶表示装置に
も適用できる。
【００９２】さらに、上記実施の形態では、透過型の液
晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反
射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反
射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００９３】以上説明した上記実施の形態による液晶表
示装置及びその駆動方法は、以下のようにまとめられ
る。 （付記１）１フレーム期間内の所定時間だけ画素の液晶
に駆動電圧を印加し、前記駆動電圧の印加時間を変化さ
せて前記画素に所定の階調を表示させることを特徴とす
る液晶表示装置の駆動方法。
示装置及びその駆動方法は、以下のようにまとめられ
る。 （付記１）１フレーム期間内の所定時間だけ画素の液晶
に駆動電圧を印加し、前記駆動電圧の印加時間を変化さ
せて前記画素に所定の階調を表示させることを特徴とす
る液晶表示装置の駆動方法。
【００９４】（付記２）付記１記載の液晶表示装置の駆
動方法において、前記駆動電圧の電圧レベルを変化させ
ることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
動方法において、前記駆動電圧の電圧レベルを変化させ
ることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【００９５】（付記３）付記１又は２に記載の液晶表示
装置の駆動方法において、前記駆動電圧は、前記液晶が
高速応答可能な電圧又は電圧範囲に設定されていること
を特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
装置の駆動方法において、前記駆動電圧は、前記液晶が
高速応答可能な電圧又は電圧範囲に設定されていること
を特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【００９６】（付記４）付記１乃至３のいずれか１項に
記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記液晶は、
前記駆動電圧の印加時及び無印加時に、基板面に対して
ほぼ垂直又はほぼ平行に配向することを特徴とする液晶
表示装置の駆動方法。
記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記液晶は、
前記駆動電圧の印加時及び無印加時に、基板面に対して
ほぼ垂直又はほぼ平行に配向することを特徴とする液晶
表示装置の駆動方法。
【００９７】（付記５）対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された液晶と、一方の前記基板
上に形成されたゲートバスラインと、前記ゲートバスラ
インに絶縁膜を介して交差して形成され、所定の階調電
圧が印加されるデータバスラインと、前記ゲートバスラ
イン及び前記データバスラインの交差位置近傍に形成さ
れた第１の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トラン
ジスタのソース電極にゲート電極が接続された第２の薄
膜トランジスタと、前記第２の薄膜トランジスタのソー
ス電極に接続された画素電極と、前記第２の薄膜トラン
ジスタのドレイン電極に接続され、前記液晶を駆動する
駆動電圧が印加される駆動電圧バスラインとを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
前記一対の基板間に封止された液晶と、一方の前記基板
上に形成されたゲートバスラインと、前記ゲートバスラ
インに絶縁膜を介して交差して形成され、所定の階調電
圧が印加されるデータバスラインと、前記ゲートバスラ
イン及び前記データバスラインの交差位置近傍に形成さ
れた第１の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トラン
ジスタのソース電極にゲート電極が接続された第２の薄
膜トランジスタと、前記第２の薄膜トランジスタのソー
ス電極に接続された画素電極と、前記第２の薄膜トラン
ジスタのドレイン電極に接続され、前記液晶を駆動する
駆動電圧が印加される駆動電圧バスラインとを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【００９８】（付記６）付記５記載の液晶表示装置にお
いて、前記第１の薄膜トランジスタのソース電極側に並
列接続された第１の容量及び抵抗をさらに有することを
特徴とする液晶表示装置。
いて、前記第１の薄膜トランジスタのソース電極側に並
列接続された第１の容量及び抵抗をさらに有することを
特徴とする液晶表示装置。
【００９９】（付記７）付記５又は６に記載の液晶表示
装置において、前記第２の薄膜トランジスタのソース電
極側に並列接続された第２の容量及び抵抗をさらに有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
装置において、前記第２の薄膜トランジスタのソース電
極側に並列接続された第２の容量及び抵抗をさらに有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【０１００】（付記８）付記７記載の液晶表示装置にお
いて、前記第２の容量は液晶容量であることを特徴とす
る液晶表示装置。
いて、前記第２の容量は液晶容量であることを特徴とす
る液晶表示装置。
【０１０１】（付記９）対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された液晶と、マトリクス状に
複数配置され、前記液晶のプレチルト角が異なる複数の
領域を有する複数の配向領域を備えた画素領域とを有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
前記一対の基板間に封止された液晶と、マトリクス状に
複数配置され、前記液晶のプレチルト角が異なる複数の
領域を有する複数の配向領域を備えた画素領域とを有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【０１０２】（付記１０）付記９記載の液晶表示装置に
おいて、前記液晶は、光硬化性組成物を硬化させた光硬
化物を有し、少なくとも１つ以上の領域のプレチルト角
は、前記光硬化物により規定されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
おいて、前記液晶は、光硬化性組成物を硬化させた光硬
化物を有し、少なくとも１つ以上の領域のプレチルト角
は、前記光硬化物により規定されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
【０１０３】（付記１１）付記９又は１０に記載の液晶
表示装置において、前記プレチルト角は、ほぼ９０°を
含むことを特徴とする液晶表示装置。
表示装置において、前記プレチルト角は、ほぼ９０°を
含むことを特徴とする液晶表示装置。
【０１０４】（付記１２）付記９乃至１１のいずれか１
項に記載の液晶表示装置において、前記プレチルト角
は、８０°以上であることを特徴とする液晶表示装置。
項に記載の液晶表示装置において、前記プレチルト角
は、８０°以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【０１０５】（付記１３）付記９乃至１２のいずれか１
項に記載の液晶表示装置において、前記複数の領域は、
ほぼ均等に分割されていることを特徴とする液晶表示装
置。
項に記載の液晶表示装置において、前記複数の領域は、
ほぼ均等に分割されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【０１０６】（付記１４）対向配置された一対の基板
と、前記一対の基板間に封止された液晶と、マトリクス
状に配置された複数の画素領域と、前記画素領域に形成
され、複数のストライプ状電極と前記ストライプ状電極
間のスペースとを備え、前記ストライプ状電極及び／又
は前記スペースが異なる幅で形成された画素電極とを有
することを特徴とする液晶表示装置。
と、前記一対の基板間に封止された液晶と、マトリクス
状に配置された複数の画素領域と、前記画素領域に形成
され、複数のストライプ状電極と前記ストライプ状電極
間のスペースとを備え、前記ストライプ状電極及び／又
は前記スペースが異なる幅で形成された画素電極とを有
することを特徴とする液晶表示装置。
【０１０７】（付記１５）付記１４記載の液晶表示装置
において、前記液晶は、光硬化性組成物を硬化させた光
硬化物を有し、前記プレチルト角は、前記光硬化物によ
り規定されていることを特徴とする液晶表示装置。
において、前記液晶は、光硬化性組成物を硬化させた光
硬化物を有し、前記プレチルト角は、前記光硬化物によ
り規定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１０８】（付記１６）付記５乃至１５のいずれか１
項に記載の液晶表示装置において、前記一対の基板は対
向面にそれぞれ垂直配向膜を有し、前記液晶は負の誘電
率異方性を有することを特徴とする液晶表示装置。
項に記載の液晶表示装置において、前記一対の基板は対
向面にそれぞれ垂直配向膜を有し、前記液晶は負の誘電
率異方性を有することを特徴とする液晶表示装置。
【０１０９】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、良好な視
角特性の得られる液晶表示装置を実現できる。
角特性の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図２】液晶分子の配向状態による液晶表示装置の視角
特性を説明する図である。
特性を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の透過率の時間変化を示すグラフである。
の透過率の時間変化を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置のデューティ比の変化に対する透過率の
変化を示すグラフである。
る液晶表示装置のデューティ比の変化に対する透過率の
変化を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置の効果を示すグラフである。
る液晶表示装置の効果を示すグラフである。
【図６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２によ
る液晶表示装置の駆動方法を示す概念図である。
る液晶表示装置の駆動方法を示す概念図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２によ
る液晶表示装置の等価回路を示す図である。
る液晶表示装置の等価回路を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２によ
る液晶表示装置の構成を示す図である。
る液晶表示装置の構成を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２によ
る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置の構成を示す断面図である。
よる液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
よる液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す断面図である。
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
よる液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。
置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図１９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置の効果を示すグラフである。
置の効果を示すグラフである。
【図２０】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の原理を示す図である。
置の原理を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の効果を示すグラフである。
置の効果を示すグラフである。
【図２３】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の構成の変形例を示す図である。
置の構成の変形例を示す図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の構成の他の変形例を示す図である。
置の構成の他の変形例を示す図である。
【図２５】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の構成のさらに他の変形例を示す図である。
置の構成のさらに他の変形例を示す図である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置の効果を示すグラフである。
置の効果を示すグラフである。
【図２７】従来のＭＶＡモードの液晶表示装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２８】従来のＭＶＡモードの液晶表示装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２９】従来のＭＶＡモードの液晶表示装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３０】従来のＭＶＡモードの液晶表示装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３１】従来のＭＶＡモードの液晶表示装置のＴ−Ｖ
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
【図３２】従来のＭＶＡモードの液晶表示装置のＴ−Ｖ
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
２ ＴＦＴ基板
３ バックライトユニット
４ 対向基板
５ ゲートバスライン駆動回路
６ データバスライン駆動回路
７ 制御回路
８、９ 偏光板
１２ ゲートバスライン
１４ ドレインバスライン
１６、７０、７２ ＴＦＴ
２０ 蓄積容量バスライン
２２、２３ ストライプ状電極
２４、２５ スペース
２６、２８、２９ 接続電極
５０ ＢＭ
５２ 突起
５４ スリット
５６ 液晶分子
５８、５９ ガラス基板
６０ 画素電極
６２ 共通電極
７４ データバスライン
７６ 駆動電圧バスライン
７８ コモンバスライン
８０、８２、２０２、２０４、２０６、２０８、２２
０、２２２ コンタクトホール ８４、８５ 接続配線 ８６ ソース配線 ８８ 絶縁膜 ９０ 誘電体 ９１、９２ 抵抗体
０、２２２ コンタクトホール ８４、８５ 接続配線 ８６ ソース配線 ８８ 絶縁膜 ９０ 誘電体 ９１、９２ 抵抗体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｃ
６４１Ｋ
６４２ ６４２Ｃ
3/36 3/36
(72)発明者 吉田 秀史
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 井ノ上 雄一
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 小池 善郎
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2H090 KA05 LA01 LA02 LA04 MA01
MA11
2H092 JA24 JA46 JB05 JB22 JB31
JB61 NA01 PA02 PA03 PA06
QA07
2H093 NA16 NA33 NA51 NC03 NC16
NC34 NC35 ND06 NE03 NE04
NF05
5C006 AA01 AA15 AA16 AA17 AA22
AC28 AF44 AF51 BA19 BB16
BC06 FA14 FA18 FA55 GA04
5C080 AA10 BB05 CC03 DD05 DD08
EE17 EE29 EE30 FF11 GG08
JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06
KK02 KK43
Claims (10)
- 【請求項１】１フレーム期間内の所定時間だけ画素の液
晶に駆動電圧を印加し、 前記駆動電圧の印加時間を変化させて前記画素に所定の
階調を表示させることを特徴とする液晶表示装置の駆動
方法。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置の駆動方法に
おいて、 前記駆動電圧の電圧レベルを変化させることを特徴とす
る液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の液晶表示装置の駆
動方法において、 前記駆動電圧は、前記液晶が高速応答可能な電圧又は電
圧範囲に設定されていることを特徴とする液晶表示装置
の駆動方法。 - 【請求項４】対向配置された一対の基板と、 前記一対の基板間に封止された液晶と、 一方の前記基板上に形成されたゲートバスラインと、 前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成さ
れ、所定の階調電圧が印加されるデータバスラインと、 前記ゲートバスライン及び前記データバスラインの交差
位置近傍に形成された第１の薄膜トランジスタと、 前記第１の薄膜トランジスタのソース電極にゲート電極
が接続された第２の薄膜トランジスタと、 前記第２の薄膜トランジスタのソース電極に接続された
画素電極と、 前記第２の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続さ
れ、前記液晶を駆動する駆動電圧が印加される駆動電圧
バスラインとを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項４記載の液晶表示装置において、 前記第１の薄膜トランジスタのソース電極側に並列接続
された第１の容量及び抵抗をさらに有することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項４又は５に記載の液晶表示装置にお
いて、 前記第２の薄膜トランジスタのソース電極側に並列接続
された第２の容量及び抵抗をさらに有することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項７】対向配置された一対の基板と、 前記一対の基板間に封止された液晶と、 マトリクス状に複数配置され、前記液晶のプレチルト角
が異なる複数の領域を有する複数の配向領域を備えた画
素領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】請求項７記載の液晶表示装置において、 前記液晶は、光硬化性組成物を硬化させた光硬化物を有
し、 少なくとも１つ以上の領域のプレチルト角は、前記光硬
化物により規定されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項９】対向配置された一対の基板と、 前記一対の基板間に封止された液晶と、 マトリクス状に配置された複数の画素領域と、 前記画素領域に形成され、複数のストライプ状電極と前
記ストライプ状電極間のスペースとを備え、前記ストラ
イプ状電極及び／又は前記スペースが異なる幅で形成さ
れた画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１０】請求項９記載の液晶表示装置において、 前記液晶は、光硬化性組成物を硬化させた光硬化物を有
し、 前記プレチルト角は、前記光硬化物により規定されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。
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