JP2003248916A - 磁気記録媒体用ナノ粒子並びにそれを用いた磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体用ナノ粒子並びにそれを用いた磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/712—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by the surface treatment or coating of magnetic particles
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/842—Coating a support with a liquid magnetic dispersion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来における磁気記録媒体に比し、各種性能
を維持しつつ記録密度を向上させた磁気記録媒体、効率
的な該磁気記録媒体の製造方法、及びこれらに好適な磁
気記録媒体用ナノ粒子の提供。 【解決手段】 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生
成可能な有機化合物が表面に付着してなる磁気記録媒体
用ナノ粒子、数平均粒径が７ｎｍ以下である磁気記録媒
体用ナノ粒子、粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径
（Ｄ））が０．１以下である磁気記録媒体用ナノ粒子で
ある。これらの磁気記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を
有する磁気記録媒体である。これらの磁気記録媒体用ナ
ノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁場中で基板上
に塗布する塗布工程を含むことを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法である。
を維持しつつ記録密度を向上させた磁気記録媒体、効率
的な該磁気記録媒体の製造方法、及びこれらに好適な磁
気記録媒体用ナノ粒子の提供。 【解決手段】 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生
成可能な有機化合物が表面に付着してなる磁気記録媒体
用ナノ粒子、数平均粒径が７ｎｍ以下である磁気記録媒
体用ナノ粒子、粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径
（Ｄ））が０．１以下である磁気記録媒体用ナノ粒子で
ある。これらの磁気記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を
有する磁気記録媒体である。これらの磁気記録媒体用ナ
ノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁場中で基板上
に塗布する塗布工程を含むことを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い記録密度を可
能とした磁気記録媒体、効率的な該磁気記録媒体の製造
方法、及びこれらに好適な磁気記録媒体用ナノ粒子に関
する。
能とした磁気記録媒体、効率的な該磁気記録媒体の製造
方法、及びこれらに好適な磁気記録媒体用ナノ粒子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の記録密度を向上さ
せることによる大容量化が急速に進んでいる。一般に、
該磁気記録媒体における記録密度を向上させるために
は、該磁気記録媒体におけるノイズを低減することが必
須とされる。そのためには、該磁気記録媒体における記
録層に含まれる磁性体の結晶粒径を、微細化かつ均一化
することが要求される。ところで、従来においては、該
磁気記録媒体における記録密度を向上させるために、例
えば、特開昭６１−６３９２７号公報等では、垂直磁化
膜を形成可能な磁性塗料を円板表面に遠心塗布しなが
ら、垂直磁場及び水平磁場を組み合せて印加した後、垂
直磁場のみを印加することにより、垂直磁化磁気ディス
クを製造することが開示されている。しかし、近年、特
にＩＴ産業等における技術の急速成長に伴い、従来の磁
気記録媒体に比し、より記録密度の高い磁気記録媒体の
提供が望まれているのが現状である。
せることによる大容量化が急速に進んでいる。一般に、
該磁気記録媒体における記録密度を向上させるために
は、該磁気記録媒体におけるノイズを低減することが必
須とされる。そのためには、該磁気記録媒体における記
録層に含まれる磁性体の結晶粒径を、微細化かつ均一化
することが要求される。ところで、従来においては、該
磁気記録媒体における記録密度を向上させるために、例
えば、特開昭６１−６３９２７号公報等では、垂直磁化
膜を形成可能な磁性塗料を円板表面に遠心塗布しなが
ら、垂直磁場及び水平磁場を組み合せて印加した後、垂
直磁場のみを印加することにより、垂直磁化磁気ディス
クを製造することが開示されている。しかし、近年、特
にＩＴ産業等における技術の急速成長に伴い、従来の磁
気記録媒体に比し、より記録密度の高い磁気記録媒体の
提供が望まれているのが現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記要望に
応え、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、
本発明は、従来における磁気記録媒体に比し、各種性能
を維持しつつ記録密度を向上させた磁気記録媒体、効率
的な該磁気記録媒体の製造方法、及びこれらに好適な磁
気記録媒体用ナノ粒子、を提供することを課題とする。
応え、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、
本発明は、従来における磁気記録媒体に比し、各種性能
を維持しつつ記録密度を向上させた磁気記録媒体、効率
的な該磁気記録媒体の製造方法、及びこれらに好適な磁
気記録媒体用ナノ粒子、を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段としては、以下の通りである。即ち、 ＜１＞ 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生成可能
な有機化合物が表面に付着してなることを特徴とする磁
気記録媒体用ナノ粒子である。該磁気記録媒体用ナノ粒
子は、表面にカーボンを生成可能な有機化合物が付着し
ているので、磁気記録媒体における磁性層の形成に用い
られると、他の磁気記録媒体用ナノ粒子との分子間力
（粒子間引力、即ち、磁気双極子相互作用及びファンデ
ルワールス力の和）により容易に自己配列し、規則正し
く安定に配列可能である。 ＜２＞ 磁気記録媒体に用いられ、数平均粒径が７ｎｍ
以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子で
ある。該磁気記録媒体用ナノ粒子は、数平均粒径が７ｎ
ｍ以下であるので、磁気記録媒体における記録層の形成
に用いられると、規則正しく安定に配列可能であり、該
記録層のノイズが効果的に低減される。 ＜３＞ 磁気記録媒体に用いられ、粒度分布（分布幅
（σ）／粒子直径（Ｄ））が０．１以下であることを特
徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子である。該磁気記録媒
体用ナノ粒子は、粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径
（Ｄ））が０．１以下であるので、磁気記録媒体におけ
る記録層の形成に用いられると、規則正しく安定に配列
可能であり、該記録層のノイズが効果的に低減される。 ＜４＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気
記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有することを特徴と
する磁気記録媒体である。該磁気記録媒体は、前記磁気
記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有するので、該記録
層のノイズが効果的に低減される。 ＜５＞ 基板を有してなり、磁気記録媒体用ナノ粒子の
磁化容易軸が該基板に対し垂直又は水平方向に配向され
た前記＜４＞に記載の磁気記録媒体であるので、該磁気
記録媒体は記録密度に優れる。 ＜６＞ 磁気記録媒体用ナノ粒子が、ｆｃｔ構造を有す
る前記＜４＞又は＜５＞に記載の磁気記録媒体であるの
で、該磁気記録媒体は記録密度に優れる。 ＜７＞ 磁気記録媒体用ナノ粒子が、面内配向した前記
＜４＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気記録媒体であ
るので、該磁気記録媒体は記録密度に優れる。 ＜８＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気
記録媒体用ナノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁
場中で基板上に塗布する塗布工程を含むことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。該磁気記録媒体の製
造方法では、前記塗布工程において、前記ナノ粒子分散
液中の磁気記録媒体用ナノ粒子が面内配向した状態で基
板上に塗布される。このため、ノイズが低く、記録密度
の高い磁気記録媒体を効率良く製造される。 ＜９＞ 塗布工程と同時に及びその後のいずれかにおい
て、磁場中でアニールするアニール工程を含む前記＜８
＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。このため、
ノイズが低く、記録密度の高い磁気記録媒体を効率良く
製造される。 ＜１０＞ アニールが、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋ
ｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガス雰囲
気中で行われる前記＜９＞に記載の磁気記録媒体の製造
方法である。このため、ノイズが低く、記録密度の高い
磁気記録媒体を効率良く製造される。
の手段としては、以下の通りである。即ち、 ＜１＞ 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生成可能
な有機化合物が表面に付着してなることを特徴とする磁
気記録媒体用ナノ粒子である。該磁気記録媒体用ナノ粒
子は、表面にカーボンを生成可能な有機化合物が付着し
ているので、磁気記録媒体における磁性層の形成に用い
られると、他の磁気記録媒体用ナノ粒子との分子間力
（粒子間引力、即ち、磁気双極子相互作用及びファンデ
ルワールス力の和）により容易に自己配列し、規則正し
く安定に配列可能である。 ＜２＞ 磁気記録媒体に用いられ、数平均粒径が７ｎｍ
以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子で
ある。該磁気記録媒体用ナノ粒子は、数平均粒径が７ｎ
ｍ以下であるので、磁気記録媒体における記録層の形成
に用いられると、規則正しく安定に配列可能であり、該
記録層のノイズが効果的に低減される。 ＜３＞ 磁気記録媒体に用いられ、粒度分布（分布幅
（σ）／粒子直径（Ｄ））が０．１以下であることを特
徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子である。該磁気記録媒
体用ナノ粒子は、粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径
（Ｄ））が０．１以下であるので、磁気記録媒体におけ
る記録層の形成に用いられると、規則正しく安定に配列
可能であり、該記録層のノイズが効果的に低減される。 ＜４＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気
記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有することを特徴と
する磁気記録媒体である。該磁気記録媒体は、前記磁気
記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有するので、該記録
層のノイズが効果的に低減される。 ＜５＞ 基板を有してなり、磁気記録媒体用ナノ粒子の
磁化容易軸が該基板に対し垂直又は水平方向に配向され
た前記＜４＞に記載の磁気記録媒体であるので、該磁気
記録媒体は記録密度に優れる。 ＜６＞ 磁気記録媒体用ナノ粒子が、ｆｃｔ構造を有す
る前記＜４＞又は＜５＞に記載の磁気記録媒体であるの
で、該磁気記録媒体は記録密度に優れる。 ＜７＞ 磁気記録媒体用ナノ粒子が、面内配向した前記
＜４＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気記録媒体であ
るので、該磁気記録媒体は記録密度に優れる。 ＜８＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気
記録媒体用ナノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁
場中で基板上に塗布する塗布工程を含むことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法である。該磁気記録媒体の製
造方法では、前記塗布工程において、前記ナノ粒子分散
液中の磁気記録媒体用ナノ粒子が面内配向した状態で基
板上に塗布される。このため、ノイズが低く、記録密度
の高い磁気記録媒体を効率良く製造される。 ＜９＞ 塗布工程と同時に及びその後のいずれかにおい
て、磁場中でアニールするアニール工程を含む前記＜８
＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。このため、
ノイズが低く、記録密度の高い磁気記録媒体を効率良く
製造される。 ＜１０＞ アニールが、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋ
ｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガス雰囲
気中で行われる前記＜９＞に記載の磁気記録媒体の製造
方法である。このため、ノイズが低く、記録密度の高い
磁気記録媒体を効率良く製造される。
【０００５】
【発明の実施の形態】（磁気記録媒体）本発明の磁気記
録媒体は、記録層を有してなり、更に基板、必要に応じ
て適宜選択したその他の層を有してなる。
録媒体は、記録層を有してなり、更に基板、必要に応じ
て適宜選択したその他の層を有してなる。
【０００６】−記録層−
前記記録層は、以下に説明する本発明の磁気記録媒体用
ナノ粒子を含み、必要に応じてその他の成分等を含んで
なる。
ナノ粒子を含み、必要に応じてその他の成分等を含んで
なる。
【０００７】−−磁気記録媒体用ナノ粒子−−
前記磁気記録媒体用ナノ粒子としては、以下の三態様が
挙げられる。第一の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子は、
カーボンを生成可能な有機化合物が表面に付着してな
る。第二の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子は、数平均粒
径が７ｎｍ以下である。第三の態様の磁気記録媒体用ナ
ノ粒子は、粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径（Ｄ））
が０．１以下である。
挙げられる。第一の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子は、
カーボンを生成可能な有機化合物が表面に付着してな
る。第二の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子は、数平均粒
径が７ｎｍ以下である。第三の態様の磁気記録媒体用ナ
ノ粒子は、粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径（Ｄ））
が０．１以下である。
【０００８】前記第一の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子
において、前記カーボンを生成可能な有機化合物として
は、該カーボンを生成可能である限り特に制限はなく、
目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カーボ
ンそのもののほか、オレイン酸、オレイルアミン、ヘキ
サン酸、ヘキシルアミン、等が挙げられる。これらは、
１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよ
く、また、これらの中でも、アニール処理時に前記カー
ボンを生成可能なものが好ましい。
において、前記カーボンを生成可能な有機化合物として
は、該カーボンを生成可能である限り特に制限はなく、
目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カーボ
ンそのもののほか、オレイン酸、オレイルアミン、ヘキ
サン酸、ヘキシルアミン、等が挙げられる。これらは、
１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよ
く、また、これらの中でも、アニール処理時に前記カー
ボンを生成可能なものが好ましい。
【０００９】前記磁気記録媒体用ナノ粒子の数平均粒径
としては、前記第二の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子の
場合、７ｎｍ以下であることが必要であり、６．５ｎｍ
以下が好ましく、６ｎｍ以下がより好ましく、前記第一
の態様及び前記第三の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子の
場合、７ｎｍ以下が好ましく、６．５ｎｍ以下がより好
ましく、６ｎｍ以下が特に好ましい。前記磁気記録媒体
用ナノ粒子の数平均粒径が、７ｎｍを超えると、該磁気
記録媒体用ナノ粒子を用いた磁気記録媒体における記録
密度が十分でないことがある。
としては、前記第二の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子の
場合、７ｎｍ以下であることが必要であり、６．５ｎｍ
以下が好ましく、６ｎｍ以下がより好ましく、前記第一
の態様及び前記第三の態様の磁気記録媒体用ナノ粒子の
場合、７ｎｍ以下が好ましく、６．５ｎｍ以下がより好
ましく、６ｎｍ以下が特に好ましい。前記磁気記録媒体
用ナノ粒子の数平均粒径が、７ｎｍを超えると、該磁気
記録媒体用ナノ粒子を用いた磁気記録媒体における記録
密度が十分でないことがある。
【００１０】前記磁気記録媒体用ナノ粒子の粒度分布
（分布幅（σ）／粒径（Ｄ））としては、前記第三の態
様の磁気記録媒体用ナノ粒子の場合、０．１以下である
ことが必要であり、０．０９以下が好ましく、０．０８
以下がより好ましく、前記第一の態様及び前記第二の態
様の磁気記録媒体用ナノ粒子の場合、０．１以下が好ま
しく、０．０９以下がより好ましく、０．０８以下が特
に好ましい。前記磁気記録媒体用ナノ粒子の粒度分布
（分布幅（σ）／粒径（Ｄ））が、０．１を超えると、
該磁気記録媒体用ナノ粒子の均一性が劣り、該磁気記録
媒体用ナノ粒子を用いた磁気記録媒体における記録密度
が十分でないことがある。
（分布幅（σ）／粒径（Ｄ））としては、前記第三の態
様の磁気記録媒体用ナノ粒子の場合、０．１以下である
ことが必要であり、０．０９以下が好ましく、０．０８
以下がより好ましく、前記第一の態様及び前記第二の態
様の磁気記録媒体用ナノ粒子の場合、０．１以下が好ま
しく、０．０９以下がより好ましく、０．０８以下が特
に好ましい。前記磁気記録媒体用ナノ粒子の粒度分布
（分布幅（σ）／粒径（Ｄ））が、０．１を超えると、
該磁気記録媒体用ナノ粒子の均一性が劣り、該磁気記録
媒体用ナノ粒子を用いた磁気記録媒体における記録密度
が十分でないことがある。
【００１１】前記磁気記録媒体用ナノ粒子は、磁性体で
磁化を有しており、該磁気記録媒体用ナノ粒子として
は、特に制限はなく、１種単独の元素を含んでいてもよ
いし、２種以上の元素を含んでいてもよく、公知の組成
のものの中から適宜選択することができるが、ｄ−ブロ
ック元素及びｆ−ブロック元素（遷移元素）から選択さ
れる少なくとも１種の元素を含んでいるのが好ましい。
前記ｄ−ブロック元素としては、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｐｄ等が好適に挙げられる。前記ｆ
−ブロック元素としては、例えば、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ等
が好適に挙げられる。
磁化を有しており、該磁気記録媒体用ナノ粒子として
は、特に制限はなく、１種単独の元素を含んでいてもよ
いし、２種以上の元素を含んでいてもよく、公知の組成
のものの中から適宜選択することができるが、ｄ−ブロ
ック元素及びｆ−ブロック元素（遷移元素）から選択さ
れる少なくとも１種の元素を含んでいるのが好ましい。
前記ｄ−ブロック元素としては、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｍｎ、Ｐｔ、Ｐｄ等が好適に挙げられる。前記ｆ
−ブロック元素としては、例えば、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ等
が好適に挙げられる。
【００１２】前記磁気記録媒体用ナノ粒子が２種以上の
元素を含んでいる場合、該磁気記録媒体用ナノ粒子は合
金となるが、該合金としては、二元合金、三元合金、四
元合金等のいずれであってもよく、また、該合金は、ｄ
−ブロック元素及びｆ−ブロック元素（遷移元素）から
選択される少なくとも１種の元素のみを含んでいてもよ
いし、これらの元素と他の金属元素、非金属元素（Ｂ、
Ｎ等）、半金属元素等とを含んでいてもよく、また、該
合金の組織状態としては、金属間化合物であってもよい
し、混合物であってもよい。
元素を含んでいる場合、該磁気記録媒体用ナノ粒子は合
金となるが、該合金としては、二元合金、三元合金、四
元合金等のいずれであってもよく、また、該合金は、ｄ
−ブロック元素及びｆ−ブロック元素（遷移元素）から
選択される少なくとも１種の元素のみを含んでいてもよ
いし、これらの元素と他の金属元素、非金属元素（Ｂ、
Ｎ等）、半金属元素等とを含んでいてもよく、また、該
合金の組織状態としては、金属間化合物であってもよい
し、混合物であってもよい。
【００１３】前記磁気記録媒体用ナノ粒子の製造方法と
しては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択
することができるが、ポリオール法、熱プラズマ法、な
どが好適に挙げられ、これらの中でもポリオール法が特
に好適に挙げられる。
しては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択
することができるが、ポリオール法、熱プラズマ法、な
どが好適に挙げられ、これらの中でもポリオール法が特
に好適に挙げられる。
【００１４】前記ポリオール法によると、前記カーボン
を生成可能な有機化合物を前記磁気記録媒体用ナノ粒子
の表面に効率良く付着させることができ、自己配列によ
り規則正しく安定に配列可能であり、かつ均一で微細な
粒径の磁気記録媒体用ナノ粒子を効率良く製造できる点
で有利である。
を生成可能な有機化合物を前記磁気記録媒体用ナノ粒子
の表面に効率良く付着させることができ、自己配列によ
り規則正しく安定に配列可能であり、かつ均一で微細な
粒径の磁気記録媒体用ナノ粒子を効率良く製造できる点
で有利である。
【００１５】前記ポリオール法は、Ｓｃｉｅｎｃｅ ２
８７，１９８９（２０００）．や特開２０００−５４０
１２号公報等においてＳｕｎらにより開示されている化
学合成方法である。該ポリオール法においては、例え
ば、前記磁気記録媒体用ナノ粒子としてＦｅＰｔナノ粒
子を製造する場合には、Ｐｔ錯体及び還元剤を含む成分
を溶媒中に溶解させた後、これにＦｅ錯体及び安定剤
（オレイン酸、オレイルアミン等）を加え、還流・撹拌
しながら加熱することにより金属前駆体溶液を作製した
後、得られた金属前駆体溶液を加熱・撹拌し、ＦｅＰｔ
ナノ粒子を成長させる。
８７，１９８９（２０００）．や特開２０００−５４０
１２号公報等においてＳｕｎらにより開示されている化
学合成方法である。該ポリオール法においては、例え
ば、前記磁気記録媒体用ナノ粒子としてＦｅＰｔナノ粒
子を製造する場合には、Ｐｔ錯体及び還元剤を含む成分
を溶媒中に溶解させた後、これにＦｅ錯体及び安定剤
（オレイン酸、オレイルアミン等）を加え、還流・撹拌
しながら加熱することにより金属前駆体溶液を作製した
後、得られた金属前駆体溶液を加熱・撹拌し、ＦｅＰｔ
ナノ粒子を成長させる。
【００１６】前記ＦｅＰｔナノ粒子の成長は、前記安定
剤の影響により、ナノ粒子径制御及び粒間制御が行われ
る。即ち具体的には、前記安定剤としてのオレイルアミ
ンにより、前記ＦｅＰｔナノ粒子の成長が抑制され、前
記安定剤としてのオレイン酸により前記ＦｅＰｔナノ粒
子の表面が覆われ、有機化合物が表面に付着したＦｅＰ
ｔナノ粒子が得られる。このため、前記ポリオール法に
おいては、前記安定剤の種類により、得られるＦｅＰｔ
ナノ粒子の粒径が決まり、前記安定剤の種類（該安定剤
におけるアルキル鎖長）によってＦｅＰｔナノ粒子間の
幅（粒間）も決まる。例えば、前記安定剤として、オレ
イルアミン及びオレイン酸を用いた場合には、得られる
ＦｅＰｔナノ粒子の数平均粒径は６ｎｍとなり、Ｆｅ
５０Ｐｔ５ ０ナノ粒子で粒間が４ｎｍとなる。また、前
記安定剤として、ヘキシルアミン及びヘキサン酸を用い
た場合には、得られるＦｅＰｔナノ粒子の数平均粒径は
６ｎｍとなり、Ｆｅ５０Ｐｔ５０ナノ粒子ので粒間が１
ｎｍとなる。
剤の影響により、ナノ粒子径制御及び粒間制御が行われ
る。即ち具体的には、前記安定剤としてのオレイルアミ
ンにより、前記ＦｅＰｔナノ粒子の成長が抑制され、前
記安定剤としてのオレイン酸により前記ＦｅＰｔナノ粒
子の表面が覆われ、有機化合物が表面に付着したＦｅＰ
ｔナノ粒子が得られる。このため、前記ポリオール法に
おいては、前記安定剤の種類により、得られるＦｅＰｔ
ナノ粒子の粒径が決まり、前記安定剤の種類（該安定剤
におけるアルキル鎖長）によってＦｅＰｔナノ粒子間の
幅（粒間）も決まる。例えば、前記安定剤として、オレ
イルアミン及びオレイン酸を用いた場合には、得られる
ＦｅＰｔナノ粒子の数平均粒径は６ｎｍとなり、Ｆｅ
５０Ｐｔ５ ０ナノ粒子で粒間が４ｎｍとなる。また、前
記安定剤として、ヘキシルアミン及びヘキサン酸を用い
た場合には、得られるＦｅＰｔナノ粒子の数平均粒径は
６ｎｍとなり、Ｆｅ５０Ｐｔ５０ナノ粒子ので粒間が１
ｎｍとなる。
【００１７】前記磁気記録媒体用ナノ粒子は、前記カー
ボンを生成可能な有機化合物、即ち前記安定剤が表面に
付着していることから、安定性が高く空気中でも容易に
取り扱うことが可能であり、また、ヘキサン等の所定溶
媒に容易に再分散可能であるので、これを所定溶媒中に
再分散させた後、別の所定溶媒を入れて沈殿させ、この
沈殿を遠心分離し上清を除去することにより、合成副産
物や未反応試薬を除去し、効率的に精製することができ
る。
ボンを生成可能な有機化合物、即ち前記安定剤が表面に
付着していることから、安定性が高く空気中でも容易に
取り扱うことが可能であり、また、ヘキサン等の所定溶
媒に容易に再分散可能であるので、これを所定溶媒中に
再分散させた後、別の所定溶媒を入れて沈殿させ、この
沈殿を遠心分離し上清を除去することにより、合成副産
物や未反応試薬を除去し、効率的に精製することができ
る。
【００１８】前記記録層に含まれた前記磁気記録媒体用
ナノ粒子は、３次元ランダムに配向しているが、その磁
化容易軸が、該記録層（該記録層を有する前記磁気記録
媒体）の面に対し、垂直方向及び水平方向のいずれかに
配向しているのが好ましい。該磁気記録媒体用ナノ粒子
がこのように面内配向している場合、該磁気記録媒体用
ナノ粒子を用いた前記磁気記録媒体の記録密度を向上さ
せることができる点で有利である。
ナノ粒子は、３次元ランダムに配向しているが、その磁
化容易軸が、該記録層（該記録層を有する前記磁気記録
媒体）の面に対し、垂直方向及び水平方向のいずれかに
配向しているのが好ましい。該磁気記録媒体用ナノ粒子
がこのように面内配向している場合、該磁気記録媒体用
ナノ粒子を用いた前記磁気記録媒体の記録密度を向上さ
せることができる点で有利である。
【００１９】−−その他の成分−−
前記その他の成分としては、本発明の効果を害さない範
囲内で適宜選択することができ、例えば、一般に磁気記
録媒体の記録層に含まれる公知の磁性粒子等が挙げられ
る。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上
を併用してもよい。
囲内で適宜選択することができ、例えば、一般に磁気記
録媒体の記録層に含まれる公知の磁性粒子等が挙げられ
る。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上
を併用してもよい。
【００２０】前記記録層の厚みとしては、特に制限はな
く、目的に応じて適宜選択することができるが、５〜１
００ｎｍ程度が好ましく、５〜５０ｎｍがより好まし
い。
く、目的に応じて適宜選択することができるが、５〜１
００ｎｍ程度が好ましく、５〜５０ｎｍがより好まし
い。
【００２１】−基板−
前記基板としては、その形状、構造、大きさ、材質等に
ついて特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すること
ができるが、例えば、前記形状としては、前記磁気記録
媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合に
は、円板状であり、また、前記材質としては、アルミニ
ウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン表面に熱酸化
膜を形成してなるＳｉＯ２／Ｓｉ、等が挙げられる。
ついて特に制限はなく、目的に応じて適宜選択すること
ができるが、例えば、前記形状としては、前記磁気記録
媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合に
は、円板状であり、また、前記材質としては、アルミニ
ウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン表面に熱酸化
膜を形成してなるＳｉＯ２／Ｓｉ、等が挙げられる。
【００２２】−その他の層−
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じ
て適宜選択することができ、例えば、前記記録層及び前
記基板の間に設けられるシード層、前記記録層を保護す
る保護層、等が挙げられる。
て適宜選択することができ、例えば、前記記録層及び前
記基板の間に設けられるシード層、前記記録層を保護す
る保護層、等が挙げられる。
【００２３】前記シード層としては、特に制限はなく、
目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｃｒ、
Ｃｏ等を含む非磁性シード層、等が挙げられる。
目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｃｒ、
Ｃｏ等を含む非磁性シード層、等が挙げられる。
【００２４】前記保護層としては、特に制限はなく、目
的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）を含む層、等が挙げら
れる。該保護層は、例えば、前記記録層上に、プラズマ
ＣＶＤ法によりＤＬＣを堆積させて形成することがで
き、更に表面に潤滑油をディッピング等により塗布して
もよい。
的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）を含む層、等が挙げら
れる。該保護層は、例えば、前記記録層上に、プラズマ
ＣＶＤ法によりＤＬＣを堆積させて形成することがで
き、更に表面に潤滑油をディッピング等により塗布して
もよい。
【００２５】上述の本発明の磁気記録媒体は、従来にお
ける磁気記録媒体に比し、各種性能を維持しつつ優れた
記録密度を有するので、各種記録分野において好適に使
用することができ、ハードディスク等の磁気ディスク等
の磁気記録媒体として特に好適に使用することができ
る。本発明の磁気記録媒体は、適宜選択した方法により
製造することができるが、以下に説明する本発明の磁気
記録媒体の製造方法により好適に製造することができ
る。
ける磁気記録媒体に比し、各種性能を維持しつつ優れた
記録密度を有するので、各種記録分野において好適に使
用することができ、ハードディスク等の磁気ディスク等
の磁気記録媒体として特に好適に使用することができ
る。本発明の磁気記録媒体は、適宜選択した方法により
製造することができるが、以下に説明する本発明の磁気
記録媒体の製造方法により好適に製造することができ
る。
【００２６】（磁気記録媒体の製造方法）本発明の磁気
記録媒体の製造方法は、前記本発明の磁気記録媒体用ナ
ノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁場中で上述の
基板上に塗布する塗布工程を少なくとも含み、必要に応
じて該塗布工程と同時に及びその後のいずれかにおいて
磁場中でアニールするアニール工程を更に含み、また、
目的に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
記録媒体の製造方法は、前記本発明の磁気記録媒体用ナ
ノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁場中で上述の
基板上に塗布する塗布工程を少なくとも含み、必要に応
じて該塗布工程と同時に及びその後のいずれかにおいて
磁場中でアニールするアニール工程を更に含み、また、
目的に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
【００２７】−塗布工程−
前記塗布工程は、前記本発明の磁気記録媒体用ナノ粒子
を分散してなるナノ粒子分散液を磁場中で上述の基板上
に塗布する工程である。
を分散してなるナノ粒子分散液を磁場中で上述の基板上
に塗布する工程である。
【００２８】前記塗布工程において、前記磁気記録媒体
用ナノ粒子は、表面に有機化合物が付着しているため、
前記ナノ粒子分散液を上述の基板上に塗布した後、該ナ
ノ粒子分散液中に含まれる溶媒を飛ばしていく過程にお
いて、粒子間引力（磁気双極子相互作用とファン・デル
・ワールス力との和）によって自己組織化し、多層テラ
ス状の超格子構造となる。また、前記磁気記録媒体用ナ
ノ粒子は、磁性体であり磁化を有しており、前記ナノ粒
子分散液中で自由に動くことができる。このため、前記
基板上に前記ナノ粒子分散液を塗布する際、該基板に対
し垂直方向の磁場を印加すると、磁化容易軸が該基板の
厚み方向に対し垂直方面に配向した、記録密度の高い磁
気記録媒体を効率的に製造することができる。また、前
記基板上に前記ナノ粒子分散液を塗布する際、該基板に
対し水平方向の磁場を印加すると、磁化容易軸が基板の
水平方向（画内方向）に配向した、記録密度の高い磁気
記録媒体を効率的に製造することができる。
用ナノ粒子は、表面に有機化合物が付着しているため、
前記ナノ粒子分散液を上述の基板上に塗布した後、該ナ
ノ粒子分散液中に含まれる溶媒を飛ばしていく過程にお
いて、粒子間引力（磁気双極子相互作用とファン・デル
・ワールス力との和）によって自己組織化し、多層テラ
ス状の超格子構造となる。また、前記磁気記録媒体用ナ
ノ粒子は、磁性体であり磁化を有しており、前記ナノ粒
子分散液中で自由に動くことができる。このため、前記
基板上に前記ナノ粒子分散液を塗布する際、該基板に対
し垂直方向の磁場を印加すると、磁化容易軸が該基板の
厚み方向に対し垂直方面に配向した、記録密度の高い磁
気記録媒体を効率的に製造することができる。また、前
記基板上に前記ナノ粒子分散液を塗布する際、該基板に
対し水平方向の磁場を印加すると、磁化容易軸が基板の
水平方向（画内方向）に配向した、記録密度の高い磁気
記録媒体を効率的に製造することができる。
【００２９】前記ナノ粒子分散液の塗布方法としては、
特に制限はなく目的に応じて、適宜選択することがで
き、例えば、スピンコート法、ディップ法、等が挙げら
れる。
特に制限はなく目的に応じて、適宜選択することがで
き、例えば、スピンコート法、ディップ法、等が挙げら
れる。
【００３０】ここで、前記塗布工程を図面を参照しなが
ら説明する。図１は、磁気ディスク用の円板状の基板に
対し垂直方向の磁場を印加しつつ、スピンコート法によ
り該基板上にナノ粒子分散液を塗布している状態を示す
概略説明図である。図１に示す場合、磁石のＳ極及びＮ
極を用い、これらを基板に対し上下方向に配置すること
により、該基板に対し垂直方向であって、かつ磁束方向
が該垂直方向である磁場が印加されている。この状態
で、該基板上に前記ナノ粒子分散液を滴下してスピンコ
ートすると、該基板上に形成される記録層においては、
前記磁気記録媒体用ナノ粒子の磁化容易軸が、該基板に
対し垂直方向に配向する。
ら説明する。図１は、磁気ディスク用の円板状の基板に
対し垂直方向の磁場を印加しつつ、スピンコート法によ
り該基板上にナノ粒子分散液を塗布している状態を示す
概略説明図である。図１に示す場合、磁石のＳ極及びＮ
極を用い、これらを基板に対し上下方向に配置すること
により、該基板に対し垂直方向であって、かつ磁束方向
が該垂直方向である磁場が印加されている。この状態
で、該基板上に前記ナノ粒子分散液を滴下してスピンコ
ートすると、該基板上に形成される記録層においては、
前記磁気記録媒体用ナノ粒子の磁化容易軸が、該基板に
対し垂直方向に配向する。
【００３１】図２及び図３は、基板に対し水平方向の磁
場を印加しつつ、スピンコート法により該基板上にナノ
粒子分散液を塗布している状態を示す概略説明図であ
る。図２に示す場合、磁石のＳ極及びＮ極を用い、これ
らを基板に対し水平にかつ該基板上に近接して配置する
ことにより、該基板に対し水平方向（即ち面内方向）で
あって、かつ磁束方向が該基板の半径方向である磁場が
印加されている。この状態で、該基板上に前記ナノ粒子
分散液を滴下してスピンコートすると、該基板上に形成
される記録層においては、前記磁気記録媒体用ナノ粒子
の磁化容易軸が、該基板に対し水平方向（面内方向）で
あって、かつ該基板の半径方向に配向する。また、図３
に示す場合、磁石のＳ極及びＮ極を用い、これらを基板
に対し水平にかつ該基板上に所定距離を保って該基板を
挟むようにして対向配置することにより、該基板に対し
水平方向（即ち面内方向）であって、かつ磁束方向が該
基板の半径方向と略直行方向（円周方向）である磁場が
印加されている。この状態で、該基板上に前記ナノ粒子
分散液を滴下してスピンコートすると、該基板上に形成
される記録層においては、前記磁気記録媒体用ナノ粒子
の磁化容易軸が、該基板に対し水平方向（面内方向）で
あって、かつ該基板の半径方向と略直行方向（円周方
向）に配向する。
場を印加しつつ、スピンコート法により該基板上にナノ
粒子分散液を塗布している状態を示す概略説明図であ
る。図２に示す場合、磁石のＳ極及びＮ極を用い、これ
らを基板に対し水平にかつ該基板上に近接して配置する
ことにより、該基板に対し水平方向（即ち面内方向）で
あって、かつ磁束方向が該基板の半径方向である磁場が
印加されている。この状態で、該基板上に前記ナノ粒子
分散液を滴下してスピンコートすると、該基板上に形成
される記録層においては、前記磁気記録媒体用ナノ粒子
の磁化容易軸が、該基板に対し水平方向（面内方向）で
あって、かつ該基板の半径方向に配向する。また、図３
に示す場合、磁石のＳ極及びＮ極を用い、これらを基板
に対し水平にかつ該基板上に所定距離を保って該基板を
挟むようにして対向配置することにより、該基板に対し
水平方向（即ち面内方向）であって、かつ磁束方向が該
基板の半径方向と略直行方向（円周方向）である磁場が
印加されている。この状態で、該基板上に前記ナノ粒子
分散液を滴下してスピンコートすると、該基板上に形成
される記録層においては、前記磁気記録媒体用ナノ粒子
の磁化容易軸が、該基板に対し水平方向（面内方向）で
あって、かつ該基板の半径方向と略直行方向（円周方
向）に配向する。
【００３２】図４は、基板に対し垂直方向の磁場を印加
しつつ、ディップ法により該基板上にナノ粒子分散液を
塗布している状態を示す概略説明図である。図４に示す
場合、電磁石を用い、これらをナノ粒子分散液を収容し
た容器に対し、これを挟むようにして、かつ該ナノ粒子
分散液の液面よりも上方にその一部が位置するようにし
て対向配置することにより、該対向方向であって、かつ
磁束方向が該対向方向である磁場が印加されている。こ
の状態で、前記基板を、その基板面が前記電磁石の対向
方向に対し略直交方向になるようにして該ナノ粒子分散
液中に浸漬した後、該基板を上方に引き上げると、該基
板上に記録層が形成され、該記録層においては、前記磁
気記録媒体用ナノ粒子の磁化容易軸が、該基板に対し垂
直方向に配向する。
しつつ、ディップ法により該基板上にナノ粒子分散液を
塗布している状態を示す概略説明図である。図４に示す
場合、電磁石を用い、これらをナノ粒子分散液を収容し
た容器に対し、これを挟むようにして、かつ該ナノ粒子
分散液の液面よりも上方にその一部が位置するようにし
て対向配置することにより、該対向方向であって、かつ
磁束方向が該対向方向である磁場が印加されている。こ
の状態で、前記基板を、その基板面が前記電磁石の対向
方向に対し略直交方向になるようにして該ナノ粒子分散
液中に浸漬した後、該基板を上方に引き上げると、該基
板上に記録層が形成され、該記録層においては、前記磁
気記録媒体用ナノ粒子の磁化容易軸が、該基板に対し垂
直方向に配向する。
【００３３】前記塗布工程において印加する磁場の強さ
としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択する
ことができるが、１０ｋＯｅ以上が好ましく、１５ｋＯ
ｅ以上がより好ましい。前記磁場の強さが、１０ｋＯｅ
未満であると、前記磁気記録媒体用ナノ粒子の磁化容易
軸の配向が十分でないことがある。
としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択する
ことができるが、１０ｋＯｅ以上が好ましく、１５ｋＯ
ｅ以上がより好ましい。前記磁場の強さが、１０ｋＯｅ
未満であると、前記磁気記録媒体用ナノ粒子の磁化容易
軸の配向が十分でないことがある。
【００３４】−アニール工程−
前記アニール工程は、前記塗布工程と同時に及びその後
のいずれかにおいて、磁場中でアニールする工程であ
る。前記アニール工程において、前記磁気記録媒体用ナ
ノ粒子、例えばＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ等の合金、が規則化
され、該磁気記録媒体用ナノ粒子における磁化容易軸の
配向がより一層強められる。
のいずれかにおいて、磁場中でアニールする工程であ
る。前記アニール工程において、前記磁気記録媒体用ナ
ノ粒子、例えばＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ等の合金、が規則化
され、該磁気記録媒体用ナノ粒子における磁化容易軸の
配向がより一層強められる。
【００３５】前記アニール工程において印加される磁場
の強さとしては、前記塗布工程における場合と同様であ
る。前記アニール工程において印加される磁場の方向と
しては、前記塗布工程における方向と同方向であるのが
好ましい。
の強さとしては、前記塗布工程における場合と同様であ
る。前記アニール工程において印加される磁場の方向と
しては、前記塗布工程における方向と同方向であるのが
好ましい。
【００３６】前記アニールは、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガ
ス雰囲気中で行われるのが好ましい。前記アニールの方
法としては、特に制限はなく、公知のアニール処理方法
の中から適宜選択することができるが、例えば、前記磁
気記録媒体用ナノ粒子がＦｅＰｔナノ粒子である場合、
前記塗布工程により磁場中で前記ナノ粒子分散液を塗布
した後、Ｎ２雰囲気下、３００〜６００℃にて３０分間
保持する方法、等が挙げられる。
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガ
ス雰囲気中で行われるのが好ましい。前記アニールの方
法としては、特に制限はなく、公知のアニール処理方法
の中から適宜選択することができるが、例えば、前記磁
気記録媒体用ナノ粒子がＦｅＰｔナノ粒子である場合、
前記塗布工程により磁場中で前記ナノ粒子分散液を塗布
した後、Ｎ２雰囲気下、３００〜６００℃にて３０分間
保持する方法、等が挙げられる。
【００３７】前記アニールを行うことにより、磁性粒径
が微細かつ均一で、磁化容易軸が強く垂直方向及び水平
配向のいずれかに配向した前記磁気記録媒体用ナノ粒子
を含む高性能な磁気記録媒体が得られる。
が微細かつ均一で、磁化容易軸が強く垂直方向及び水平
配向のいずれかに配向した前記磁気記録媒体用ナノ粒子
を含む高性能な磁気記録媒体が得られる。
【００３８】ここで、前記アニール工程を経て得られた
前記磁気記録媒体における前記記録層の基板面に水平な
断面における前記磁気記録媒体用ナノ粒子の配向状態を
図面を参照しながら説明する。図５に示すように、前記
磁気記録媒体用ナノ粒子は、その磁化容易軸が磁化方向
に配向されており、その表面には、前記アニール工程に
おける前記アニールによって生成した非磁性体カーボン
が付着しているため、該非磁性体カーボンにより一定の
粒間で規則正しく自己配列されている。
前記磁気記録媒体における前記記録層の基板面に水平な
断面における前記磁気記録媒体用ナノ粒子の配向状態を
図面を参照しながら説明する。図５に示すように、前記
磁気記録媒体用ナノ粒子は、その磁化容易軸が磁化方向
に配向されており、その表面には、前記アニール工程に
おける前記アニールによって生成した非磁性体カーボン
が付着しているため、該非磁性体カーボンにより一定の
粒間で規則正しく自己配列されている。
【００３９】前記アニールは、例えば、真空中、窒素
中、アルゴン−窒素中等で、ランプヒータ、ＰＢＮヒー
タ等の加熱装置などを用いて行うことができ、具体的に
は、図６に示すように、磁気ディスク用の円板状の基板
の上下に、ヒータを配置することによって行うことがで
きる。図６の場合、前記塗布工程においては、電磁石及
び超電動磁石を用い、これらを前記基板に対し上下方向
に配置することにより、該基板に対し垂直方向であっ
て、かつ磁束方向が該垂直方向である磁場が印加されて
いる。この状態で、前記アニールを行うと、該基板上に
形成される記録層においては、前記磁気記録媒体用ナノ
粒子は、その磁化容易軸が該基板に対し垂直方向に高い
配向率で配向した状態で、一定の粒間で規則正しく自己
配列する。
中、アルゴン−窒素中等で、ランプヒータ、ＰＢＮヒー
タ等の加熱装置などを用いて行うことができ、具体的に
は、図６に示すように、磁気ディスク用の円板状の基板
の上下に、ヒータを配置することによって行うことがで
きる。図６の場合、前記塗布工程においては、電磁石及
び超電動磁石を用い、これらを前記基板に対し上下方向
に配置することにより、該基板に対し垂直方向であっ
て、かつ磁束方向が該垂直方向である磁場が印加されて
いる。この状態で、前記アニールを行うと、該基板上に
形成される記録層においては、前記磁気記録媒体用ナノ
粒子は、その磁化容易軸が該基板に対し垂直方向に高い
配向率で配向した状態で、一定の粒間で規則正しく自己
配列する。
【００４０】また、前記アニールは、上述の図２に示す
ような前記塗布工程の場合には、図７に示すように、上
述の図３に示すような前記塗布工程の場合には、図８に
示すように、それぞれ、前記基板の上方にヒータ等の加
熱装置を配置することにより行うことができる。このア
ニールにより、該基板上に形成される記録層において、
前記磁気記録媒体用ナノ粒子は、その磁化容易軸が、よ
り高い配向率で該基板に対し水平方向（面内方向）に、
かつ該基板の半径方向（図７の場合）又は円周方向（図
８の場合）に高い配向率で配向し、規則正しく自己配列
する。
ような前記塗布工程の場合には、図７に示すように、上
述の図３に示すような前記塗布工程の場合には、図８に
示すように、それぞれ、前記基板の上方にヒータ等の加
熱装置を配置することにより行うことができる。このア
ニールにより、該基板上に形成される記録層において、
前記磁気記録媒体用ナノ粒子は、その磁化容易軸が、よ
り高い配向率で該基板に対し水平方向（面内方向）に、
かつ該基板の半径方向（図７の場合）又は円周方向（図
８の場合）に高い配向率で配向し、規則正しく自己配列
する。
【００４１】前記アニールを行うと、例えば、前記磁気
記録媒体用ナノ粒子がＦｅＰｔナノ粒子である場合、該
アニールを行う前の該ＦｅＰｔナノ粒子における不規則
相は、ｆｃｃ構造であり＜１００＞が磁化容易軸であ
る。前記塗布工程により、例えば、前記基板に対し垂直
方向に磁場を印加して前記ナノ粒子分散液を塗布する
と、該基板に対し垂直方向に磁化容易軸＜１００＞を揃
えることができる。その後、前記アニール工程におい
て、該基板に対し垂直方向に印加した磁場中で前記アニ
ールを行うと、該基板に対し垂直方向に磁化容易軸を配
向させたままの状態で該ＦｅＰｔナノ粒子を規則合金化
させることができ、該ＦｅＰｔナノ粒子をｆｃｔ構造に
することができる。
記録媒体用ナノ粒子がＦｅＰｔナノ粒子である場合、該
アニールを行う前の該ＦｅＰｔナノ粒子における不規則
相は、ｆｃｃ構造であり＜１００＞が磁化容易軸であ
る。前記塗布工程により、例えば、前記基板に対し垂直
方向に磁場を印加して前記ナノ粒子分散液を塗布する
と、該基板に対し垂直方向に磁化容易軸＜１００＞を揃
えることができる。その後、前記アニール工程におい
て、該基板に対し垂直方向に印加した磁場中で前記アニ
ールを行うと、該基板に対し垂直方向に磁化容易軸を配
向させたままの状態で該ＦｅＰｔナノ粒子を規則合金化
させることができ、該ＦｅＰｔナノ粒子をｆｃｔ構造に
することができる。
【００４２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。以
下の実施例は、本発明の磁気記録媒体用ナノ粒子を用い
た本発明の磁気記録媒体を、本発明の磁気記録媒体の製
造方法により製造する実施例である。
本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。以
下の実施例は、本発明の磁気記録媒体用ナノ粒子を用い
た本発明の磁気記録媒体を、本発明の磁気記録媒体の製
造方法により製造する実施例である。
【００４３】（１）金属前駆体溶液の調製
まず、前記磁気記録媒体用ナノ粒子としてのＦｅＰｔナ
ノ粒子を前記ポリオール法により作製する。図９に示す
ように、Ｐｔ錯体（アセチルアセトナト白金Ｐｔ（Ｃ５
Ｈ７Ｏ２）２；１９７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、及び還
元剤（１，２−ヘキサデカンジオール；３９０ｍｇ、
１．５ｍｍｏｌ）を、Ｎ２雰囲気中、１００℃の条件下
で、溶媒（ジオクチルエーテル；２０ｍｌ）に溶解させ
た後、これに、Ｆｅ錯体（ペンタカルボニル鉄Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）５；０．１３ｍｌ、１ｍｍｏｌ）、及び安定剤（オ
レイン酸；０．１６ｍｌ、０．５ｍｍｏｌ、オレイルア
ミン：０．１７ｍｌ、０．５ｍｍｏｌ）を加え、還流・
撹拌しながら、２９７℃まで加熱し、金属前駆体溶液を
調製した。
ノ粒子を前記ポリオール法により作製する。図９に示す
ように、Ｐｔ錯体（アセチルアセトナト白金Ｐｔ（Ｃ５
Ｈ７Ｏ２）２；１９７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、及び還
元剤（１，２−ヘキサデカンジオール；３９０ｍｇ、
１．５ｍｍｏｌ）を、Ｎ２雰囲気中、１００℃の条件下
で、溶媒（ジオクチルエーテル；２０ｍｌ）に溶解させ
た後、これに、Ｆｅ錯体（ペンタカルボニル鉄Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）５；０．１３ｍｌ、１ｍｍｏｌ）、及び安定剤（オ
レイン酸；０．１６ｍｌ、０．５ｍｍｏｌ、オレイルア
ミン：０．１７ｍｌ、０．５ｍｍｏｌ）を加え、還流・
撹拌しながら、２９７℃まで加熱し、金属前駆体溶液を
調製した。
【００４４】（２）磁気記録媒体用ナノ粒子の製造
次に、得られた金属前駆体溶液を、２９７℃で３０分間
攪拌し、ＦｅＰｔナノ粒子を成長させた。 （３）磁気記録媒体用ナノ粒子の精製 次に、得られたＦｅＰｔナノ粒子を、ヘキサン中に再分
散させた後、エタノールを入れて該ＦｅＰｔナノ粒子を
沈殿させ、遠心分離し、上清を除去することにより、合
成副産物や未反応の試薬を除去し、ＦｅＰｔナノ粒子を
精製した。
攪拌し、ＦｅＰｔナノ粒子を成長させた。 （３）磁気記録媒体用ナノ粒子の精製 次に、得られたＦｅＰｔナノ粒子を、ヘキサン中に再分
散させた後、エタノールを入れて該ＦｅＰｔナノ粒子を
沈殿させ、遠心分離し、上清を除去することにより、合
成副産物や未反応の試薬を除去し、ＦｅＰｔナノ粒子を
精製した。
【００４５】（４）塗布工程
次に、該ＦｅＰｔナノ粒子をヘキサン中に再分散させた
ナノ粒子分散液を、上述の図２に示すようにして、スピ
ンコート法により１０ｋＯｅの磁場中で、ディスク状の
基板上に塗布し、溶媒を飛ばして成膜することにより記
録層を形成した。 （５）アニール工程 次に、該記録層に対し、図７に示すようにして、３００
〜６５０℃で３０分間熱処理を行い、アニールを行い、
磁気記録媒体を製造した。
ナノ粒子分散液を、上述の図２に示すようにして、スピ
ンコート法により１０ｋＯｅの磁場中で、ディスク状の
基板上に塗布し、溶媒を飛ばして成膜することにより記
録層を形成した。 （５）アニール工程 次に、該記録層に対し、図７に示すようにして、３００
〜６５０℃で３０分間熱処理を行い、アニールを行い、
磁気記録媒体を製造した。
【００４６】ここで、本発明の好ましい態様を付記する
と、以下の通りである。 （付記１） 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生成
可能な有機化合物が表面に付着してなることを特徴とす
る磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記２） カーボンが表面に付着してなる付記１に記
載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記３） 数平均粒径が７ｎｍ以下である付記１又は
２に記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記４） 粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径
（Ｄ））が０．１以下である付記１から３のいずれかに
記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記５） ｄ−ブロック元素及びｆ−ブロック元素か
ら選択される少なくとも１種の元素を含有してなる付記
１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記６） ｄ−ブロック元素及びｆ−ブロック元素
が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｐｔ
及びＰｄである付記５に記載の磁気記録媒体用ナノ粒
子。 （付記７） ポリオール法により製造される付記１から
６のいずれかに記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記８） 磁気記録媒体に用いられ、数平均粒径が７
ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒
子。 （付記９） 磁気記録媒体に用いられ、粒度分布（分布
幅（σ）／粒子直径（Ｄ））が０．１以下であることを
特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記１０） 付記１から９のいずれかに記載の磁気記
録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有することを特徴とす
る磁気記録媒体。 （付記１１） 基板を有してなり、磁気記録媒体用ナノ
粒子の磁化容易軸が該基板に対し垂直又は水平方向に配
向された付記１０に記載の磁気記録媒体。 （付記１２） 磁気記録媒体用ナノ粒子が、ｆｃｔ構造
を有する付記１０又は１１に記載の磁気記録媒体。 （付記１３） 磁気記録媒体用ナノ粒子が、面内配向し
た付記１０から１２のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （付記１４） 付記１から９のいずれかに記載の磁気記
録媒体用ナノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁場
中で基板上に塗布する塗布工程を含むことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 （付記１５） 塗布工程と同時に及びその後のいずれか
において、磁場中でアニールするアニール工程を含む付
記１４に記載の磁気記録媒体の製造方法。 （付記１６） アニールが、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガス雰
囲気中で行われる付記１４に記載の磁気記録媒体の製造
方法。
と、以下の通りである。 （付記１） 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生成
可能な有機化合物が表面に付着してなることを特徴とす
る磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記２） カーボンが表面に付着してなる付記１に記
載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記３） 数平均粒径が７ｎｍ以下である付記１又は
２に記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記４） 粒度分布（分布幅（σ）／粒子直径
（Ｄ））が０．１以下である付記１から３のいずれかに
記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記５） ｄ−ブロック元素及びｆ−ブロック元素か
ら選択される少なくとも１種の元素を含有してなる付記
１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記６） ｄ−ブロック元素及びｆ−ブロック元素
が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｐｔ
及びＰｄである付記５に記載の磁気記録媒体用ナノ粒
子。 （付記７） ポリオール法により製造される付記１から
６のいずれかに記載の磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記８） 磁気記録媒体に用いられ、数平均粒径が７
ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒
子。 （付記９） 磁気記録媒体に用いられ、粒度分布（分布
幅（σ）／粒子直径（Ｄ））が０．１以下であることを
特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子。 （付記１０） 付記１から９のいずれかに記載の磁気記
録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有することを特徴とす
る磁気記録媒体。 （付記１１） 基板を有してなり、磁気記録媒体用ナノ
粒子の磁化容易軸が該基板に対し垂直又は水平方向に配
向された付記１０に記載の磁気記録媒体。 （付記１２） 磁気記録媒体用ナノ粒子が、ｆｃｔ構造
を有する付記１０又は１１に記載の磁気記録媒体。 （付記１３） 磁気記録媒体用ナノ粒子が、面内配向し
た付記１０から１２のいずれかに記載の磁気記録媒体。 （付記１４） 付記１から９のいずれかに記載の磁気記
録媒体用ナノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁場
中で基板上に塗布する塗布工程を含むことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 （付記１５） 塗布工程と同時に及びその後のいずれか
において、磁場中でアニールするアニール工程を含む付
記１４に記載の磁気記録媒体の製造方法。 （付記１６） アニールが、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガス雰
囲気中で行われる付記１４に記載の磁気記録媒体の製造
方法。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、従来における磁気記録
媒体に比し、各種性能を維持しつつ記録密度を向上させ
た磁気記録媒体、効率的な該磁気記録媒体の製造方法、
及びこれらに好適な磁気記録媒体用ナノ粒子、を提供す
ることができる。
媒体に比し、各種性能を維持しつつ記録密度を向上させ
た磁気記録媒体、効率的な該磁気記録媒体の製造方法、
及びこれらに好適な磁気記録媒体用ナノ粒子、を提供す
ることができる。
【図１】図１は、磁気ディスク用の円板状の基板に対し
垂直方向の磁場を印加しつつ、スピンコート法により該
基板上にナノ粒子分散液を塗布している状態を示す概略
説明図である。
垂直方向の磁場を印加しつつ、スピンコート法により該
基板上にナノ粒子分散液を塗布している状態を示す概略
説明図である。
【図２】図２は、基板に対し水平方向の磁場を印加しつ
つ、スピンコート法により該基板上にナノ粒子分散液を
塗布している状態を示す概略説明図である。
つ、スピンコート法により該基板上にナノ粒子分散液を
塗布している状態を示す概略説明図である。
【図３】図３は、基板に対し水平方向の磁場を印加しつ
つ、スピンコート法により該基板上にナノ粒子分散液を
塗布している状態を示す概略説明図である。
つ、スピンコート法により該基板上にナノ粒子分散液を
塗布している状態を示す概略説明図である。
【図４】図４は、基板に垂直方向の磁場を印加しつつ、
ディップ法により該基板上にナノ粒子分散液を塗布して
いるところを説明する概略図である。
ディップ法により該基板上にナノ粒子分散液を塗布して
いるところを説明する概略図である。
【図５】図５は、第二の工程を経て得られた磁気記録媒
体における記録層の概略断面図である。
体における記録層の概略断面図である。
【図６】図６は、第二の工程において、基板に垂直方向
の磁場を印加しつつ、アニール処理しているところを説
明する概略図である。
の磁場を印加しつつ、アニール処理しているところを説
明する概略図である。
【図７】図７は、第二の工程において、基板の水平方向
に磁場を印加しつつ、アニール処理しているところ説明
する概略図である。
に磁場を印加しつつ、アニール処理しているところ説明
する概略図である。
【図８】図８は、第二の工程において、基板の水平方向
に磁場を印加しつつ、アニール処理しているところ説明
する概略図である。
に磁場を印加しつつ、アニール処理しているところ説明
する概略図である。
【図９】図９は、本発明の磁気記録媒体の製造例を説明
するための図である。
するための図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 渦巻 拓也
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 BA02 BA04 BA05 BA07 BA08
BA19 EA05
5D112 AA05 BB01 BB02 BB05 BB06
BB12 CC06 DD03 DD04 GB02
Claims (10)
- 【請求項１】 磁気記録媒体に用いられ、カーボンを生
成可能な有機化合物が表面に付着してなることを特徴と
する磁気記録媒体用ナノ粒子。 - 【請求項２】 磁気記録媒体に用いられ、数平均粒径が
７ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ナノ
粒子。 - 【請求項３】 磁気記録媒体に用いられ、粒度分布（分
布幅（σ）／粒子直径（Ｄ））が０．１以下であること
を特徴とする磁気記録媒体用ナノ粒子。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の磁気
記録媒体用ナノ粒子を含む記録層を有することを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項５】 基板を有してなり、磁気記録媒体用ナノ
粒子の磁化容易軸が該基板に対し垂直又は水平方向に配
向された請求項４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 磁気記録媒体用ナノ粒子が、ｆｃｔ構造
を有する請求項４又は５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 磁気記録媒体用ナノ粒子が、面内配向し
た請求項４から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１から３のいずれかに記載の磁気
記録媒体用ナノ粒子を分散してなるナノ粒子分散液を磁
場中で基板上に塗布する塗布工程を含むことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 塗布工程と同時に及びその後のいずれか
において、磁場中でアニールするアニール工程を含む請
求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 アニールが、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅ及びＡｒの少なくともいずれかの混合ガ
ス雰囲気中で行われる請求項９に記載の磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043879A JP2003248916A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 磁気記録媒体用ナノ粒子並びにそれを用いた磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US10/368,614 US20030157371A1 (en) | 2002-02-20 | 2003-02-20 | Nanoparticle for magnetic recording medium, magnetic recording medium using the same, and process for manufacturing magnetic recording medium |
| US11/154,536 US20050260340A1 (en) | 2002-02-20 | 2005-06-17 | Nanoparticle for magnetic recording medium, magnetic recording medium using the same, and process for manufacturing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043879A JP2003248916A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 磁気記録媒体用ナノ粒子並びにそれを用いた磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003248916A true JP2003248916A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=27678433
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002043879A Pending JP2003248916A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 磁気記録媒体用ナノ粒子並びにそれを用いた磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20030157371A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003248916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7189438B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-03-13 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, method of producing magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| JP2008071455A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法、および、磁気記録媒体の記録再生装置と記録再生方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004220670A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Hitachi Ltd | 磁化容易軸の向きが揃ったナノ粒子膜の作成方法とこれを用いた磁気記録媒体及びその製造方法及びその製造装置 |
| US7208134B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-04-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Bioprocesses enhanced by magnetic nanoparticles |
| US20070259133A1 (en) * | 2004-12-27 | 2007-11-08 | Kyoto University | Ordered Alloy Phase Nanoparticle, Method of Manufacturing the Same Ultra-High-Density Magnetic Recording Medium, and Method of Manufacturing the Same |
| CN100426383C (zh) * | 2005-09-02 | 2008-10-15 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 磁记录介质及其制作方法 |
| RU2319948C2 (ru) * | 2006-04-07 | 2008-03-20 | Юрий Владимирович Микляев | Способ получения изображения повышенной разрешающей способности |
| US8110021B2 (en) * | 2008-07-28 | 2012-02-07 | Honda Motor Co., Ltd. | Synthesis of PtCo nanoparticles |
| TWI389107B (zh) * | 2009-11-03 | 2013-03-11 | Sheng Chi Chen | 具垂直磁異向性之單層鐵磁性合金薄膜 |
| US11031268B2 (en) * | 2017-07-18 | 2021-06-08 | Purdue Research Foundation | Device for in situ thermal control and transfer of a monolayer or thin film |
| US11322177B2 (en) * | 2018-03-16 | 2022-05-03 | Sony Corporation | Orientation device, production method for magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
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|---|---|---|---|---|
| US5643686A (en) * | 1994-01-06 | 1997-07-01 | Tokyo Magnetic Printing Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
| JPH09185822A (ja) * | 1995-12-30 | 1997-07-15 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US6262129B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Method for producing nanoparticles of transition metals |
| US6162532A (en) * | 1998-07-31 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Magnetic storage medium formed of nanoparticles |
| US6254662B1 (en) * | 1999-07-26 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Chemical synthesis of monodisperse and magnetic alloy nanocrystal containing thin films |
| TW569195B (en) * | 2001-01-24 | 2004-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Micro-particle arranged body, its manufacturing method, and device using the same |
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2002
- 2002-02-20 JP JP2002043879A patent/JP2003248916A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-20 US US10/368,614 patent/US20030157371A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-06-17 US US11/154,536 patent/US20050260340A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7189438B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-03-13 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, method of producing magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| JP2008071455A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法、および、磁気記録媒体の記録再生装置と記録再生方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050260340A1 (en) | 2005-11-24 |
| US20030157371A1 (en) | 2003-08-21 |
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