JP2003243607A - 電力用半導体モジュール - Google Patents
電力用半導体モジュールInfo
- Publication number
- JP2003243607A JP2003243607A JP2002036457A JP2002036457A JP2003243607A JP 2003243607 A JP2003243607 A JP 2003243607A JP 2002036457 A JP2002036457 A JP 2002036457A JP 2002036457 A JP2002036457 A JP 2002036457A JP 2003243607 A JP2003243607 A JP 2003243607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- case
- semiconductor module
- power semiconductor
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
数を削減して、より少ない作業工数で周辺装置に組み込
むことができる、より小型の電力用半導体モジュールを
提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の電力用半導体モジュールは、表
面および裏面を有する樹脂製ケースと、樹脂製ケースに
収納された絶縁基板と、絶縁基板の対向する主面上に形
成された金属箔と、絶縁基板の一方の金属箔上に搭載さ
れた電力用半導体素子と、樹脂製ケースの表面から内部
に延びた、電力用半導体素子に電源供給するための外部
接続部とを備える。樹脂製ケースは、その表面から裏面
まで貫通するケース貫通孔を有する。また外部接続部
は、ケース貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成
された接続部貫通孔を有する。
Description
どの大電流を用いる電子機器を制御するための電力用半
導体モジュールに関する。
の産業機器において、その動きが円滑で快適になってい
るが、これは電力を制御するパワーデバイスの貢献によ
るところが大きい。こうしたパワーデバイスにおいて
は、一般に、大容量の電流を制御して生じた熱を、放熱
フィンなどを用いて、半導体モジュールの外部へ効率的
に放熱することが必要である。
従来のパワーデバイス(電力用半導体モジュール)につ
いて以下に説明する。図8に示すパワーデバイス101
は、概略、樹脂などの絶縁材料からなるケース110
と、良好な熱伝導性を有する銅などの金属板からなるベ
ース板130とを備えている。ケース110は、その底
面において、金属ねじまたは接着剤(図示せず)を用い
て、ベース板130上に固定されている。また、このパ
ワーデバイス101は、図9に示すように、ケース11
0の上面から内部に延びる複数の主電極111を有し、
さらに、ケース110の内部において、銅などの金属パ
ターン114a,114bが両面に形成された絶縁基板
115と、上側の金属パターン114aの上に半田11
6を介して搭載された電力用半導体素子120とを有す
る。この半導体素子120は、主電極111からアルミ
などの金属ワイヤ123を介して電源供給される。絶縁
基板115の下側の金属パターン114bは、同様に、
半田117を介して、ベース板130上に接着される。
上方には、半導体素子120を保護するために、シリコ
ンゲル124が充填され(分かりやすくするために、ハ
ッチングを省略した。)、エポキシ樹脂125を用いて
その上方を封止し、さらにその上方に蓋126を設け
る。
1が周辺装置に組み込まれるとき、図9に示すように、
複数のブスバー(通電部)140が、対応する主電極1
11上に配置され、金属ねじ145を用いてこれらと電
気的に接続される。さらに、このパワーデバイス101
において、電力用半導体素子120が生じる不要な熱
を、ベース板130を介して効率よく外部に放熱するた
めに、図9の破線で示すような複数の金属ねじ147を
用いて、ベース板130が放熱フィン150に密着する
ように接合される。したがって、ベース板130におい
ては、これを放熱フィン150に密着させるために、4
本の金属ねじ147を受容する貫通孔148を4箇所の
角部に設けておくことが必要である。
た金属ねじ147を用いて、ベース板130を放熱フィ
ン150に取り付けるとき、ベース板130の貫通孔1
48の上方の空間には、ケース110を延長して形成す
ることができない。すなわち、貫通孔148の上方にお
いて、利用できないデッドスペースが形成され、これ
は、パワーデバイス101の小型化を阻害するものであ
った。さらに、このパワーデバイス101を周辺装置に
実際に組み立てる際、図8に明確に示すように、2組の
ブスバー140と主電極111を電気的に接続するため
の4本の金属ねじ145と、ベース板130を放熱フィ
ン150に接合させるための4本の金属ねじ147が必
須であり、部品点数および作業工数を削減することが不
可能であった。
ることなく、ベース板を放熱フィンに接合できる、より
小型の電力用半導体モジュールを提供することを目的と
する。また、本発明は、より少ない作業工数で、ブスバ
ーと主電極を電気的に接続すると同時に、ベース板を放
熱フィンに接合できる電力用半導体モジュールを提供す
ることを目的とする。さらに、本発明は、ベース板を省
略した電力用半導体モジュールを提供することを目的と
する。
によれば、表面および裏面を有する樹脂製ケースと、樹
脂製ケースに収納された絶縁基板と、絶縁基板の対向す
る主面上に形成された金属箔と、絶縁基板の一方の金属
箔上に搭載された電力用半導体素子と、樹脂製ケースの
表面に沿って延び、裏面に向かって折り曲げられた、電
力用半導体素子に電源供給するための外部接続部とを備
え、樹脂製ケースは、その表面から裏面まで貫通するケ
ース貫通孔を有し、外部接続部は、ケース貫通孔と位置
合わせされ、かつ同軸上に形成された接続部貫通孔を有
する電力用半導体モジュールを提供することができる。
これにより、ケース貫通孔および接続部貫通孔を貫通す
る取り付けねじを用いて、この電力用半導体モジュール
を放熱金属部に取り付けると同時に、通電部を外部接続
部に接続することができるので、周辺装置へのアセンブ
リ、および通電部と外部接続部の間の外部接続に要する
時間を半減させることができる。また、従来の電力用半
導体モジュールに比べて、デッドスペースをなくすとと
もに、部品点数を削減したので、小型で、構造がより簡
単で、しかも製造コストが安価な電力用半導体モジュー
ルを提供することができる。
板の他方の金属箔を支持し、樹脂製ケースの裏面に固定
された支持金属板をさらに備え、支持金属板は、ケース
貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成された金属
板貫通孔を有する電力用半導体モジュールを提供するこ
とができる。これにより、金属板貫通孔、ケース貫通
孔、および接続部貫通孔を貫通する取り付けねじを用い
て、この電力用半導体モジュールを放熱金属部に取り付
けるとともに、通電部を外部接続部に接続することがで
きる。同様に、周辺装置へのアセンブリ、および通電部
と外部接続部の間の外部接続に要する時間を半減できる
とともに、小型で、構造がより簡単で、しかも製造コス
トが安価な電力用半導体モジュールを提供することがで
きる。
ケースの裏面において、絶縁基板の他方の金属箔が樹脂
製ケースに固定された電力用半導体モジュールを提供す
ることができる。こうして、この電力用半導体モジュー
ルは、支持金属板を省略したので、厚み方向においても
より小型化することができる。
貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成された通電
部貫通孔を有する通電部と、通電部貫通孔、接続部貫通
孔、およびケース貫通孔を貫通して延びる金属製取り付
けねじと、金属製取り付けねじおよび通電部の間を電気
的に絶縁するための絶縁手段とをさらに備える電力用半
導体モジュールを提供することができる。絶縁手段によ
り、金属製取り付けねじと、通電部の間を電気的に絶縁
しつつ、取り付けねじを金属で構成して、その強度を確
保することができる。
貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成された通電
部貫通孔を有する通電部と、通電部貫通孔、接続部貫通
孔、およびケース貫通孔を貫通して延びる金属製取り付
けねじと、金属製取り付けねじの一端部を保持する絶縁
性の保持部が埋設された放熱金属部とをさらに備える電
力用半導体モジュールを提供することができる。金属取
り付けねじの一端部を保持する絶縁性の保持部が、放熱
金属部に埋設されているので、金属製取り付けねじと、
放熱金属部の間を電気的に絶縁しつつ、取り付けねじを
金属で構成して、その強度を確保することができる。
貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成された通電
部貫通孔を有する通電部と、通電部貫通孔、接続部貫通
孔、およびケース貫通孔を貫通して延びる絶縁性を有す
る絶縁取り付けねじとをさらに備える電力用半導体モジ
ュールを提供することができる。取り付けねじが絶縁性
を有するので、別体の絶縁部品が不要となり、組み立て
が容易となるだけでなく、アセンブリ時の絶縁部品の取
り付け忘れによる事故の可能性を排除することができ
る。このように、事故防止に関する信頼性を高めること
ができる極めて優れて電力用半導体モジュールを提供す
ることができる。
に係る電力用半導体モジュールの実施の形態を説明す
る。各実施の形態の説明において、理解を容易にするた
めに方向を表す用語(例えば、「上側」、「下側」およ
び「上下方向」など)を適宜用いるが、これは説明のた
めのものであって、これらの用語は本発明を限定するも
のでない。
照しながら、本発明に係るパワーデバイス(電力用半導
体モジュール)の実施の形態1について以下に説明す
る。図1に示すパワーデバイス1は、概略、樹脂などの
絶縁材料からなる樹脂ケース10と、良好な熱伝導性を
有する銅などの金属板からなるベース板30とを備えて
いる。ケース10は、その底面において、金属ねじまた
は接着剤(図示せず)を用いて、ベース板30上に固定
されている。また、このパワーデバイス1は、図2に示
すように、ケース10の上面に沿って延び、底面に向か
って折り曲げられた複数の主電極11(外部接続部とも
いう。)を有する。さらに、パワーデバイス1は、ケー
ス10の内部において、銅などの金属パターン14a,
14bが両面に形成された絶縁基板15と、上側の金属
パターン14aの上に半田16を介して搭載された電力
用半導体素子20とを有する。この電力用半導体素子2
0は、主電極11からアルミなどの金属ワイヤ23を介
して電源供給される。下側の金属パターン14bは、同
様に、半田17を介して、ベース板30上に接着され
る。
の上方には、電力用半導体素子20を保護するために、
シリコンゲル24が充填され(分かりやすくするため
に、ハッチングを省略した。)、エポキシ樹脂25を用
いてその上方を封止し、さらにその上方に蓋26を設け
る。
電極11は、上下方向に延びる主電極貫通孔2a(接続
部貫通孔ともいう。)を有し、同様に、ケース10とベ
ース板(支持金属板)30は、上下方向に延び、各主電
極貫通孔2aと位置合わせされ、かつ同軸上に形成され
たケース貫通孔2bおよびベース板貫通孔2c(金属板
貫通孔ともいう。)をそれぞれ有する。こうして、パワ
ーデバイス1は、主電極11の主電極貫通孔2a、ケー
ス10のケース貫通孔2b、およびベース板30のベー
ス板貫通孔2cにより形成される貫通孔2を有する。
周辺装置に組み込むときの手順について、図2および図
3を参照しながら以下に説明する。複数のブスバー(通
電部)40は、それぞれ上下方向に延びるブスバー貫通
孔42(通電部貫通孔ともいう。)を有し、対応する主
電極11上に配置される。放熱フィン50は、ベース板
30の底面31と接触する接触面51と、パワーデバイ
ス1の貫通孔2に対応する位置に埋設されたナットなど
のねじ山付きの保持部52とを有し、パワーデバイス1
の下方に配置される。そして、それぞれのブスバー貫通
孔42および保持部52を、対応するパワーデバイス1
の貫通孔2と位置合わせした後、図3に示すように、絶
縁材料からなる複数の細長い取り付けねじ60を貫通孔
2に挿入して、ブスバー40を主電極11に接続すると
ともに、ベース板30を放熱フィン50に固定する。
20が生じる不要な熱を、ベース板30を介して効率よ
くパワーデバイス1の外部に放熱するために、ベース板
30に固定されるので、ベース板30とできるだけ広い
面積で接触することが好ましい。また、より好適には、
ベース板30と放熱フィン50の間の接触面に、熱伝導
性のよいグリース(図示せず)を100μmないし20
0μm程度、均一に塗布しておく。
ているので、主電極11と放熱フィン50が電気的に導
通することを防止することができる。そのような絶縁材
料として、例えば、エンジニアリング・プラスチックお
よびセラミックなどが挙げられる。
ス1と、ブスバー40および放熱フィン50を同時に固
定することができるので、図4に示すように、パワーデ
バイス1が2組の主電極11を有する場合、合計4本の
絶縁ねじ60を用いて、パワーデバイス1を周辺装置に
組み込むことができる。したがって、本発明によれば、
従来のパワーデバイスに比べて、取り付けねじの数を半
減させ、作業工数も同様に半減できる。さらに、本発明
によれば、従来技術のように、ベース板30と放熱フィ
ン50を接合するための貫通孔の上方に形成されるデッ
ドスペース(ケース10を延長して形成することができ
ない空間)を排除することができるので、パワーデバイ
ス1をより小型化することができる。
ら、本発明に係るパワーデバイスの実施の形態2につい
て以下に説明する。図5に示すパワーデバイス1は、ベ
ース板を有さない点以外は、実施の形態1と同様の構成
を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略
する。
は、実施の形態1と同様に、金属パターン14a,14
bが形成されているが、下側の金属パターン14bを絶
縁基板15よりも大きくして、段差部18が形成されて
いる。一方、実施の形態2のケース10は、この段差部
18と対応する形状と大きさを有し、段差部18に当接
する当接部28を有する。また、上述のように、実施の
形態2のパワーデバイス1はベース板30を有さず、絶
縁基板15の下側の金属パターン14bは、ベース板3
0を介することなく、段差部18と当接部28の間に配
置された接着剤(図示せず)を用いて、ケース10に直
接的に固定される。
実施の形態1のそれと比べて、ベース板30を省略した
分だけ薄くすることができ、厚み方向においてもより小
型化することができる。
縁材料で構成された取り付けねじ60の代わりに、金属
ねじと、絶縁材料からなる軸受(ブッシュ)を用いた変
形例1について、図6を参照しながら説明する。上述の
ように、取り付けねじ60は、主電極11と放熱フィン
50の間の電気的導通を防止できれば、任意の形態を有
することができる。図6において、変形例1のねじ64
は、金属で構成されており、ブスバー40との間に、平
座金(ワッシャ)65と、エンジニアリング・プラスチ
ック、セラミックまたはゴムなどの絶縁材料で構成され
た絶縁ブッシュ66とが配置されている。また、この絶
縁ブッシュ66は、主電極11を超えて下方向に延びて
おり、金属ねじ64と主電極11の間、および金属ねじ
64とブスバー40の間を電気的に絶縁するので、主電
極11と放熱フィン50の間の電気的導通を阻止するこ
とができる。なお、当業者には容易に理解されるが、変
形例1は、上述の実施の形態1および2の両方に適用す
ることができる。
おいて絶縁材料で構成された絶縁ねじ60の代わりに、
金属ねじと、絶縁材料からなる保持部を用いた変形例2
について、図7を参照しながら以下に説明する。図7に
おいて、取り付けねじ64は金属からなるが、これを保
持するナット54は絶縁材料で構成されている。また、
この絶縁ナット54は、放熱フィン50に埋め込まれて
おり、図示しない接着剤でこれに固定されている。この
絶縁ナット54は、金属ねじ64と放熱フィン50の間
を電気的に絶縁できるので、主電極11と放熱フィン5
0の間の電気的導通を防止する。
施の形態1および2の両方に適用することができるが、
これを実施の形態1に適用する場合、金属ねじ64とベ
ース板30が接触しないように、ベース板30のベース
板貫通孔2cを金属ねじ64の直径に比して十分大きく
設計する必要がある。
ス貫通孔および接続部貫通孔を貫通する取り付けねじを
用いて、この電力用半導体モジュールを放熱金属部に取
り付けると同時に、通電部を外部接続部に接続すること
ができるので、周辺装置へのアセンブリ、および通電部
と外部接続部の間の外部接続に要する時間を半減させる
ことができる。また、従来の電力用半導体モジュールに
比べて、デッドスペースをなくすとともに、部品点数を
削減したので、小型で、構造がより簡単で、しかも製造
コストが安価な電力用半導体モジュールを提供すること
ができる。
貫通孔、ケース貫通孔、および接続部貫通孔を貫通する
取り付けねじを用いて、この電力用半導体モジュールを
放熱金属部に取り付けるとともに、通電部を外部接続部
に接続することができる。同様に、周辺装置へのアセン
ブリ、および通電部と外部接続部の間の外部接続に要す
る時間を半減できるとともに、小型で、構造がより簡単
で、しかも製造コストが安価な電力用半導体モジュール
を提供することができる。
属板を省略したので、厚み方向においてもより小型化し
た電力用半導体モジュールを提供することができる。
段により、金属製取り付けねじと、通電部の間を電気的
に絶縁しつつ、取り付けねじを金属で構成して、その強
度を確保することができる。
り付けねじの一端部を保持する絶縁性の保持部が、放熱
金属部に埋設されているので、金属製取り付けねじと、
放熱金属部の間を電気的に絶縁しつつ、取り付けねじを
金属で構成して、その強度を確保することができる。
けねじが絶縁性を有するので、別体の絶縁部品が不要と
なり、組み立てが容易となるだけでなく、アセンブリ時
の絶縁部品の取り付け忘れによる事故の可能性を排除す
ることができる。このように、事故防止に関する信頼性
を高めることができる極めて優れて電力用半導体モジュ
ールを提供することができる。
半導体モジュールの斜視図である。
って、この電力用半導体モジュールがブスバーおよび放
熱フィンに組み込まれる前の状態を示す。
電力用半導体モジュールがブスバーおよび放熱フィンに
組み込まれた後の状態を示す。
まれた後の電力用半導体モジュールの平面図である。
半導体モジュールを示す図2と同様の断面図である。
ジュールの金属ねじおよび絶縁スペーサを示す断面図で
ある。
ジュールの金属ねじおよび絶縁保持部を示す断面図であ
る。
視図である。
って、この電力用半導体モジュールがブスバーおよび放
熱フィンに組み込まれた後の状態を示す。
み込まれた後の電力用半導体モジュールの平面図であ
る。
貫通孔、2a…主電極貫通孔、2b…ケース貫通孔、2
c…ベース板貫通孔、10…ケース、11…主電極(外
部接続部)、14a,14b…金属パターン、15…絶
縁基板、16,17…半田、18…段差部、20…電力
用半導体素子、23…金属ワイヤ、24…シリコンゲ
ル、25…エポキシ樹脂、26…蓋、28…当接部、3
0…ベース板(通電部)、40…ブスバー(通電部)、
42…ブスバー貫通孔、50…放熱フィン、52…保持
部、54…絶縁受容部(ナット)、60…絶縁ねじ、6
4…金属ねじ、65…平座金(ワッシャ)、66…絶縁
軸受(ブッシュ)。
Claims (6)
- 【請求項1】 電力用半導体モジュールであって、 表面および裏面を有する樹脂製ケースと、 前記樹脂製ケースに収納された絶縁基板と、 前記絶縁基板の対向する主面上に形成された金属箔と、
前記絶縁基板の一方の金属箔上に搭載された電力用半導
体素子と、 前記樹脂製ケースの表面に沿って延び、裏面に向かって
折り曲げられた、前記電力用半導体素子に電源供給する
ための外部接続部とを備え、 前記樹脂製ケースは、その表面から裏面まで貫通するケ
ース貫通孔を有し、 前記外部接続部は、前記ケース貫通孔と位置合わせさ
れ、かつ同軸上に形成された接続部貫通孔を有すること
を特徴とする電力用半導体モジュール。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電力用半導体モジュー
ルであって、 前記絶縁基板の他方の金属箔を支持し、前記樹脂製ケー
スの裏面に固定された支持金属板をさらに備え、 前記支持金属板は、前記ケース貫通孔と位置合わせさ
れ、かつ同軸上に形成された金属板貫通孔を有すること
を特徴とする電力用半導体モジュール。 - 【請求項3】 請求項1に記載の電力用半導体モジュー
ルであって、 前記樹脂製ケースの裏面において、前記絶縁基板の他方
の金属箔が該樹脂製ケースに固定されたことを特徴とす
る電力用半導体モジュール。 - 【請求項4】 請求項1に記載の電力用半導体モジュー
ルであって、 前記ケース貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成
された通電部貫通孔を有する通電部と、 前記通電部貫通孔、接続部貫通孔、およびケース貫通孔
を貫通して延びる金属製取り付けねじと、 前記金属製取り付けねじおよび前記通電部の間を電気的
に絶縁するための絶縁手段とをさらに備えることを特徴
とする電力用半導体モジュール。 - 【請求項5】 請求項1に記載の電力用半導体モジュー
ルであって、 前記ケース貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成
された通電部貫通孔を有する通電部と、 前記通電部貫通孔、接続部貫通孔、およびケース貫通孔
を貫通して延びる金属製取り付けねじと、 前記金属製取り付けねじの一端部を保持する絶縁性の保
持部が埋設された放熱金属部とをさらに備えることを特
徴とする電力用半導体モジュール。 - 【請求項6】 請求項1に記載の電力用半導体モジュー
ルであって、 前記ケース貫通孔と位置合わせされ、かつ同軸上に形成
された通電部貫通孔を有する通電部と、 前記通電部貫通孔、接続部貫通孔、およびケース貫通孔
を貫通して延びる絶縁性を有する絶縁取り付けねじとを
さらに備えることを特徴とする電力用半導体モジュー
ル。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002036457A JP3813098B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 電力用半導体モジュール |
US10/212,686 US6703699B2 (en) | 2002-02-14 | 2002-08-07 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002036457A JP3813098B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 電力用半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003243607A true JP2003243607A (ja) | 2003-08-29 |
JP3813098B2 JP3813098B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=27655036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002036457A Expired - Lifetime JP3813098B2 (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 電力用半導体モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6703699B2 (ja) |
JP (1) | JP3813098B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140317A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008061375A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Daikin Ind Ltd | 電力変換装置 |
JP2010282999A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Keihin Corp | グラウンド端子を有する電子装置 |
JP2011238725A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及び電力用半導体装置 |
JP2013058445A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 車両用電気回路遮断装置 |
WO2014013883A1 (ja) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014033119A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2014207387A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
JPWO2013002249A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2015-02-23 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
WO2016009725A1 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016503969A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-02-08 | シーメンス リサーチ センター リミテッド ライアビリティ カンパニーSiemens Research Center Limited Liability Company | チップパッケージアッセンブリ |
JP6486579B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2023157482A1 (ja) * | 2022-02-21 | 2023-08-24 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004228352A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
JP2006060138A (ja) | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JP4583122B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8018056B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-09-13 | International Rectifier Corporation | Package for high power density devices |
JP4884830B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-02-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4242401B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2009-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4720756B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2011-07-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体電力変換装置およびその製造方法 |
JP2013055150A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN103930991B (zh) | 2011-12-08 | 2018-05-22 | 富士电机株式会社 | 半导体器件及半导体器件制造方法 |
US8907467B2 (en) * | 2012-03-28 | 2014-12-09 | Infineon Technologies Ag | PCB based RF-power package window frame |
EP2854174B1 (en) * | 2012-05-22 | 2019-02-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US9263356B2 (en) * | 2012-05-28 | 2016-02-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
JP6129605B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-05-17 | 本田技研工業株式会社 | 電力変換装置の製造方法及びそれに用いられる治具 |
JP6133093B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-05-24 | 本田技研工業株式会社 | 電力変換装置 |
CN105765716B (zh) * | 2014-05-15 | 2018-06-22 | 富士电机株式会社 | 功率半导体模块和复合模块 |
US10468399B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-11-05 | Cree, Inc. | Multi-cavity package having single metal flange |
US9629246B2 (en) | 2015-07-28 | 2017-04-18 | Infineon Technologies Ag | PCB based semiconductor package having integrated electrical functionality |
US9997476B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-06-12 | Infineon Technologies Ag | Multi-die package having different types of semiconductor dies attached to the same thermally conductive flange |
US10438865B2 (en) * | 2016-02-04 | 2019-10-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US10225922B2 (en) | 2016-02-18 | 2019-03-05 | Cree, Inc. | PCB based semiconductor package with impedance matching network elements integrated therein |
JP6750416B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
DE102016223477A1 (de) * | 2016-11-25 | 2018-05-30 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Schaltungs-Anordnung mit Leistungstransistor und Verfahren zur Montage eines Leistungstransistors |
DE102017110722B4 (de) * | 2017-05-17 | 2021-03-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Anordnung und elektrisches Fahrzeug hiermit |
DE102017115883B4 (de) * | 2017-07-14 | 2020-04-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronisches Submodul mit Gleich- und Wechselspannungsanschlusselementen und Anordnung hiermit |
DE102021127641A1 (de) | 2021-10-25 | 2023-04-27 | Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co Kg | Leiterplattenanordnung und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4266267A (en) * | 1979-11-19 | 1981-05-05 | General Electric Company | Mounting arrangement for transistors and the like |
US5126830A (en) * | 1989-10-31 | 1992-06-30 | General Electric Company | Cryogenic semiconductor power devices |
US5592021A (en) * | 1995-04-26 | 1997-01-07 | Martin Marietta Corporation | Clamp for securing a power device to a heatsink |
JP3357220B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-12-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3201270B2 (ja) | 1996-07-17 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
WO1998008256A1 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and semiconductor module |
JP4151209B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2008-09-17 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002036457A patent/JP3813098B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-07 US US10/212,686 patent/US6703699B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006140317A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP4615289B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2008061375A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Daikin Ind Ltd | 電力変換装置 |
JP2010282999A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Keihin Corp | グラウンド端子を有する電子装置 |
JP2011238725A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及び電力用半導体装置 |
JPWO2013002249A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2015-02-23 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
JP2013058445A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 車両用電気回路遮断装置 |
WO2014013883A1 (ja) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5854140B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-02-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9196566B2 (en) | 2012-07-18 | 2015-11-24 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device fabrication method |
JP2014033119A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2016503969A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-02-08 | シーメンス リサーチ センター リミテッド ライアビリティ カンパニーSiemens Research Center Limited Liability Company | チップパッケージアッセンブリ |
JP2014207387A (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-30 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
WO2016009725A1 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2016009725A1 (ja) * | 2014-07-17 | 2017-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9704776B2 (en) | 2014-07-17 | 2017-07-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having semiconductor module and cooler coupled with bolt |
JP6486579B1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-03-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2019187125A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2023157482A1 (ja) * | 2022-02-21 | 2023-08-24 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3813098B2 (ja) | 2006-08-23 |
US20030151128A1 (en) | 2003-08-14 |
US6703699B2 (en) | 2004-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003243607A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
JP7204770B2 (ja) | 両面冷却型パワーモジュールおよびその製造方法 | |
JP4361486B2 (ja) | 電気モータの電力用電子部品及び制御用電子部品を搭載する装置構造 | |
US6704201B2 (en) | Power feed and heat dissipating device for power semiconductor devices | |
JP5936310B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びその取り付け構造 | |
JP5701377B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びパワーユニット装置 | |
JP4492695B2 (ja) | 半導体モジュールの実装構造 | |
US7151661B2 (en) | Capacitor module and semiconductor device using the same | |
KR101444550B1 (ko) | 반도체 모듈 | |
JP2006237429A (ja) | 半導体装置、電極用部材および電極用部材の製造方法 | |
JP2010225720A (ja) | パワーモジュール | |
JP2008118067A (ja) | パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置 | |
WO2000068992A1 (en) | Semiconductor device | |
CN109995246B (zh) | 开关电源装置 | |
WO2017145784A1 (ja) | 回路構成体 | |
JP5101971B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6094197B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP5846824B2 (ja) | 電動パワーステアリングコントロールユニット | |
JP4715283B2 (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
JP2015069982A (ja) | パワーモジュール | |
JP3855726B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP4745925B2 (ja) | 自動車用モータの制御用コネクタ一体型半導体モジュール | |
JPH10229149A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008270528A (ja) | 半導体モジュールの構造 | |
JP2011066281A (ja) | 発熱デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3813098 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |