JP3201270B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は内部絶縁型の半導体
モジュールに係り、特に比較的大電流容量のパッケージ
型パワー半導体モジュールに好適な半導体装置に関す
る。
モジュールに係り、特に比較的大電流容量のパッケージ
型パワー半導体モジュールに好適な半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の構造を図２
に示す。
に示す。
【０００３】この図において、１は半導体素子、２はソ
ルダー、３は絶縁基板、４は金属層、５は金属支持基
板、６は配線端子１１を有する樹脂体、７は金属ワイ
ヤ、８はケース、９はゲル充填物、１０はレジン、１１
は配線端子、１２は接着剤、１３は外部配線、１４は外
部冷却フィン、１５はネジである。
ルダー、３は絶縁基板、４は金属層、５は金属支持基
板、６は配線端子１１を有する樹脂体、７は金属ワイ
ヤ、８はケース、９はゲル充填物、１０はレジン、１１
は配線端子、１２は接着剤、１３は外部配線、１４は外
部冷却フィン、１５はネジである。
【０００４】絶縁基板３は、アルミナなどの絶縁材で作
られ、その一方の面には、配線パターンが形成された金
属層４ａが、他方の面には、半田などのろう材による接
合を可能とする為の金属層４ｂがそれぞれ設けられてい
る。
られ、その一方の面には、配線パターンが形成された金
属層４ａが、他方の面には、半田などのろう材による接
合を可能とする為の金属層４ｂがそれぞれ設けられてい
る。
【０００５】そして、複数個の半導体素子１は、絶縁基
板３の一方の面に形成されている金属層４ａの所定の部
分にソルダー２ｃにより接着され、さらに絶縁基板３の
もう一方の面に形成されている金属層４ｂが金属支持基
板５にソルダー２ａにより、積層される。そして、これ
らの半導体素子１は、金属ワイヤ７により、金属層４ａ
の所定の部分に対して配線が施されている。
板３の一方の面に形成されている金属層４ａの所定の部
分にソルダー２ｃにより接着され、さらに絶縁基板３の
もう一方の面に形成されている金属層４ｂが金属支持基
板５にソルダー２ａにより、積層される。そして、これ
らの半導体素子１は、金属ワイヤ７により、金属層４ａ
の所定の部分に対して配線が施されている。
【０００６】金属支持基板５は、半導体素子１で発生し
た熱を拡散させるヒートシンクを兼ねているが、実装状
態では外部冷却フィン１４に取りつけられる。
た熱を拡散させるヒートシンクを兼ねているが、実装状
態では外部冷却フィン１４に取りつけられる。
【０００７】電流入出力用の配線端子１１ａおよび電流
制御信号入力用の配線端子１１ｃを有する樹脂体６は、
金属層４ａに形成されている配線パターンの所定の部分
と外部配線１３を接続するものである。
制御信号入力用の配線端子１１ｃを有する樹脂体６は、
金属層４ａに形成されている配線パターンの所定の部分
と外部配線１３を接続するものである。
【０００８】ケース８は半導体装置の容器を構成するも
ので、絶縁材により、側板部を有する底のない箱形に作
られており、金属支持基板５に接着剤１２を用いて接着
することにより内部が封止されるようになっている。こ
のとき、ケース内部には、半導体素子１を保護するため
のゲル９が封入され、その上をレジン１０を注入し固化
を行う。さらに半導体装置の外部冷却フィン１４への取
り付けは、ネジ１５ａをケース穴８ａ、支持基板の穴５
ａに通し、外部冷却フィンの穴１４ａに締め付けること
で行い、半導体装置の配線端子１１と外部配線１３との
接続はネジ15ｂを外部配線の穴１３ａと配線端子の穴１
１ａに通し、樹脂体６の内部にあるナット１１ｂに締め
付けることで行う。
ので、絶縁材により、側板部を有する底のない箱形に作
られており、金属支持基板５に接着剤１２を用いて接着
することにより内部が封止されるようになっている。こ
のとき、ケース内部には、半導体素子１を保護するため
のゲル９が封入され、その上をレジン１０を注入し固化
を行う。さらに半導体装置の外部冷却フィン１４への取
り付けは、ネジ１５ａをケース穴８ａ、支持基板の穴５
ａに通し、外部冷却フィンの穴１４ａに締め付けること
で行い、半導体装置の配線端子１１と外部配線１３との
接続はネジ15ｂを外部配線の穴１３ａと配線端子の穴１
１ａに通し、樹脂体６の内部にあるナット１１ｂに締め
付けることで行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
方法では、樹脂体とケースを別々に金属支持基板に接着
しているので樹脂体には樹脂体を絶縁基板に接着する際
に用いる治具によるずれ、ケースにはケースと金属支持
基板の隙間によるずれがそれぞれ発生し、ケースに対す
る配線端子の位置決めはこれらのずれの和より小さい範
囲では正確に決めることができない。その為、半導体装
置を使用する装置へ半導体装置を実装する際、半導体装
置の取り付け位置はケースに設けられた穴により決ま
り、外部配線と配線端子との接続位置は配線端子の位置
により決まるので、それらの位置関係にズレが生ずる。
このズレが大きい場合、決められた位置に実装する機械
による実装は行うことができず人手に頼らざるを得ない
が、その場合作業効率の低下及び作業コストの上昇を伴
う。
方法では、樹脂体とケースを別々に金属支持基板に接着
しているので樹脂体には樹脂体を絶縁基板に接着する際
に用いる治具によるずれ、ケースにはケースと金属支持
基板の隙間によるずれがそれぞれ発生し、ケースに対す
る配線端子の位置決めはこれらのずれの和より小さい範
囲では正確に決めることができない。その為、半導体装
置を使用する装置へ半導体装置を実装する際、半導体装
置の取り付け位置はケースに設けられた穴により決ま
り、外部配線と配線端子との接続位置は配線端子の位置
により決まるので、それらの位置関係にズレが生ずる。
このズレが大きい場合、決められた位置に実装する機械
による実装は行うことができず人手に頼らざるを得ない
が、その場合作業効率の低下及び作業コストの上昇を伴
う。
【００１０】本発明は、従来のこのような問題点を解決
するためのもので、その目的は、半導体素子のケース穴
に対する配線端子の位置を正確に決めることで半導体装
置の取り付けを容易化することである。
するためのもので、その目的は、半導体素子のケース穴
に対する配線端子の位置を正確に決めることで半導体装
置の取り付けを容易化することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明においては、ケー
スに穴や溝を設け、その穴や溝に配線端子及びこれを支
持する樹脂体を有する配線端子支持体を挿入する。
スに穴や溝を設け、その穴や溝に配線端子及びこれを支
持する樹脂体を有する配線端子支持体を挿入する。
【００１２】この発明はケースに穴や溝を設け、その穴
や溝に配線端子支持体の配線端子部分あるいは樹脂体の
部分を挿入することにより、ケースに対する配線端子の
位置ずれをケースに設けた穴や溝とその穴や溝に挿入す
る樹脂体との間の隙間の範囲内にすることができる。従
って、従来の方法に比べてケースに対する配線端子や樹
脂体の位置ずれを低減でき半導体装置の取付を容易とす
る事が出来る。
や溝に配線端子支持体の配線端子部分あるいは樹脂体の
部分を挿入することにより、ケースに対する配線端子の
位置ずれをケースに設けた穴や溝とその穴や溝に挿入す
る樹脂体との間の隙間の範囲内にすることができる。従
って、従来の方法に比べてケースに対する配線端子や樹
脂体の位置ずれを低減でき半導体装置の取付を容易とす
る事が出来る。
【００１３】さらに、半導体素子やワイヤ等の配線を施
した絶縁基板を接着した金属基板に対し本発明によるケ
ースを接着し次にこのケースに前記樹脂体を挿入すれば
支持基板に対する樹脂体の位置決めに用いる治具を不要
とする事もできる。
した絶縁基板を接着した金属基板に対し本発明によるケ
ースを接着し次にこのケースに前記樹脂体を挿入すれば
支持基板に対する樹脂体の位置決めに用いる治具を不要
とする事もできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図１を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１５】図１に外部冷却フィン及び外部配線を接続
した本発明による半導体装置を示す。
した本発明による半導体装置を示す。
【００１６】絶縁基板４は両面に金属層４ａ，４ｂを有
し、金属層４ａは所定の形状にパターンニングされる。
あるパターン上には半導体素子１が接着される。金属層
４ａの他のパターンと半導体素子１とは金属ワイヤ７に
よって接続される。他方の金属層４ｂは金属支持基板５
に接着されている。
し、金属層４ａは所定の形状にパターンニングされる。
あるパターン上には半導体素子１が接着される。金属層
４ａの他のパターンと半導体素子１とは金属ワイヤ７に
よって接続される。他方の金属層４ｂは金属支持基板５
に接着されている。
【００１７】金属支持基板５はヒートシンクの役目を果
たすもので図１ではネジ１５ａをケース８の穴８ａおよ
び金属支持基板５に設けた穴５ａに通し外部冷却フィン
１４に設けた穴１４ａにネジ止めすることにより、外部
冷却フィン１４との接続を行っている。
たすもので図１ではネジ１５ａをケース８の穴８ａおよ
び金属支持基板５に設けた穴５ａに通し外部冷却フィン
１４に設けた穴１４ａにネジ止めすることにより、外部
冷却フィン１４との接続を行っている。
【００１８】樹脂体６は配線端子１１ａ，１１ｃ、配線
端子接続用のナット１１ｂを固定するためのもので、そ
の金属支持基板５側では絶縁基板４上の金属層４ａの所
定のパターンに配線端子１１ａ（主端子）の下部が接続
されている。一方、外部配線１３側では、樹脂体６上の
配線端子１１ｃ（補助端子、例えばゲート端子）を実装
基板１６に設けた穴１６ｂを通して実装基板上の接続端
子１７に挿入することで、配線端子１１ｃと接続端子１
７を接続する。さらに、配線端子１１ａと外部配線１３
をネジ１５ｂとナット１１ｂにより締め付けることで、
配線端子１１ａの上部と外部配線１３を接続している。
この樹脂体６の金属支持基板５に対する位置決めは、支
持基板５の穴５ａと樹脂体６の一部を治具にはめ込むこ
とで行うが、このとき、支持基板５に対する樹脂体６の
水平方向に関するズレは、樹脂体６を金属支持基板５に
接着する際に用いる治具と樹脂体６あるいは金属支持基
板５との隙間により生じ、治具の形状の寸法精度が±
０.１mm 、樹脂体６および金属支持基板５の形状の寸法
精度が±０.１mm とすると、治具の樹脂体挿入部が０.
１mm小さく作られ、樹脂体６が０.１mm大きく作られ
る、あるいは金属支持基板の穴５ａが０.１mm小さく作
られ、治具が０.１mm大きく作られることを考慮し０.２
mm としている。この寸法精度は小さくすることもでき
るが、コストアップにつながったり、治具に樹脂体６が
挿入しにくくなることから作業性が悪くなるなどの弊害
も大きくなる。
端子接続用のナット１１ｂを固定するためのもので、そ
の金属支持基板５側では絶縁基板４上の金属層４ａの所
定のパターンに配線端子１１ａ（主端子）の下部が接続
されている。一方、外部配線１３側では、樹脂体６上の
配線端子１１ｃ（補助端子、例えばゲート端子）を実装
基板１６に設けた穴１６ｂを通して実装基板上の接続端
子１７に挿入することで、配線端子１１ｃと接続端子１
７を接続する。さらに、配線端子１１ａと外部配線１３
をネジ１５ｂとナット１１ｂにより締め付けることで、
配線端子１１ａの上部と外部配線１３を接続している。
この樹脂体６の金属支持基板５に対する位置決めは、支
持基板５の穴５ａと樹脂体６の一部を治具にはめ込むこ
とで行うが、このとき、支持基板５に対する樹脂体６の
水平方向に関するズレは、樹脂体６を金属支持基板５に
接着する際に用いる治具と樹脂体６あるいは金属支持基
板５との隙間により生じ、治具の形状の寸法精度が±
０.１mm 、樹脂体６および金属支持基板５の形状の寸法
精度が±０.１mm とすると、治具の樹脂体挿入部が０.
１mm小さく作られ、樹脂体６が０.１mm大きく作られ
る、あるいは金属支持基板の穴５ａが０.１mm小さく作
られ、治具が０.１mm大きく作られることを考慮し０.２
mm としている。この寸法精度は小さくすることもでき
るが、コストアップにつながったり、治具に樹脂体６が
挿入しにくくなることから作業性が悪くなるなどの弊害
も大きくなる。
【００１９】ケース８は半導体素子の内部を封止するた
めのもので、底のない箱形構造をしており、その金属支
持基板５側には金属支持基板５を接着するための凹部及
び半導体装置を外部冷却フィン１４に固定するために用
いられる穴８ａが設けられ、この凹部に金属支持基板５
をはめ込むことでケース８の金属支持基板５に対する位
置決めを行う。このケース８の金属支持基板５側に設け
た凹部と金属支持基板５との隙間は前記樹脂体６と金属
支持基板５の位置ズレと同様、それらの寸法精度を±
０.１mmとすると０.２mm必要でさらに接着材の厚み０.
３mmを加え０.５mmとしている。この接着剤の厚みは金
属支持基板５とケース８を接着する際に必要な厚みであ
り、これを下回るとケース８が金属支持基板５より剥が
れ、後述するゲル９が漏れ出す恐れがある。また、ケー
ス８の外部配線１３側で絶縁基板４に接着してある樹脂
体６の上面より高い位置には、配線端子１１ｃが挿入で
きる穴８ｂが設けられている上蓋があり、ケース８を金
属支持基板５に接着する際、配線端子１１ｃをケース穴
８ｂに通すことで、樹脂体６に対するケース８の位置決
めを行うことができる。このとき、配線端子１１ｃとケ
ース穴８ｂとの直径の差をケース８の凹部と支持基板５
との隙間０.５mmより小さい０.１mmとすると、樹脂体６
の金属支持基板５に対する位置ズレ０.２mm をケース８
の凹部と支持基板５との隙間０.５mm で吸収すること
で、樹脂体６に対するケース８の位置ズレを０.１mm と
することができ、ケース８の樹脂体６に対する位置ズレ
を低減できる。
めのもので、底のない箱形構造をしており、その金属支
持基板５側には金属支持基板５を接着するための凹部及
び半導体装置を外部冷却フィン１４に固定するために用
いられる穴８ａが設けられ、この凹部に金属支持基板５
をはめ込むことでケース８の金属支持基板５に対する位
置決めを行う。このケース８の金属支持基板５側に設け
た凹部と金属支持基板５との隙間は前記樹脂体６と金属
支持基板５の位置ズレと同様、それらの寸法精度を±
０.１mmとすると０.２mm必要でさらに接着材の厚み０.
３mmを加え０.５mmとしている。この接着剤の厚みは金
属支持基板５とケース８を接着する際に必要な厚みであ
り、これを下回るとケース８が金属支持基板５より剥が
れ、後述するゲル９が漏れ出す恐れがある。また、ケー
ス８の外部配線１３側で絶縁基板４に接着してある樹脂
体６の上面より高い位置には、配線端子１１ｃが挿入で
きる穴８ｂが設けられている上蓋があり、ケース８を金
属支持基板５に接着する際、配線端子１１ｃをケース穴
８ｂに通すことで、樹脂体６に対するケース８の位置決
めを行うことができる。このとき、配線端子１１ｃとケ
ース穴８ｂとの直径の差をケース８の凹部と支持基板５
との隙間０.５mmより小さい０.１mmとすると、樹脂体６
の金属支持基板５に対する位置ズレ０.２mm をケース８
の凹部と支持基板５との隙間０.５mm で吸収すること
で、樹脂体６に対するケース８の位置ズレを０.１mm と
することができ、ケース８の樹脂体６に対する位置ズレ
を低減できる。
【００２０】ゲル９は半導体素子１を保護するためのも
ので、レジン１０により半導体装置内部に封止される。
ので、レジン１０により半導体装置内部に封止される。
【００２１】実装基板１６は、さまざまな部品の配置及
び配線がなされており、複数個の半導体装置及びコンデ
ンサ等の電子部品を接続するとモーター制御などの機能
を果たすものである。
び配線がなされており、複数個の半導体装置及びコンデ
ンサ等の電子部品を接続するとモーター制御などの機能
を果たすものである。
【００２２】この実装基板１６と外部冷却フィン１４は
ネジ１８を実装基板１６の穴１６ｃに通し外部冷却フィ
ンの穴１４ｂにネジ止めすることで接続されている。こ
のとき外部冷却フィン１４に対する実装基板１６の水平
方向に関するズレは実装基板１６の穴１６ｃの直径とネ
ジ１８の直径との差により生じ、このズレにより実装基
板１６の外部冷却フィン１４に対する水平方向の位置ズ
レを吸収する。ところで、この実装基板１６の外部冷却
フィン１４に対する水平方向の位置ズレは外部冷却フィ
ン１４に設けた半導体装置取付用の穴１４ａと実装基板
１６に設けた配線端子１１ｃ挿入用の穴１６ｂの水平方
向に関する位置ズレと等しく、さらには、半導体装置の
ケース穴８ａと配線端子１１ｃの水平方向に関する位置
ずれに等しい。本発明による半導体装置ではこのズレを
０.１mm にすることができたので実装基板１６の外部冷
却フィン１４に対する水平方向の位置ズレも０.１mm と
なり、外部冷却フィン１４に対する実装基板の位置ズレ
を小さくすることができ、半導体装置及びコンデンサ等
の電子部品と外部冷却フィン、実装基板の位置の精度が
よくなり機械による実装を容易に行うことができ、実装
作業の効率化及び作業コストの低減を図ることができ
る。
ネジ１８を実装基板１６の穴１６ｃに通し外部冷却フィ
ンの穴１４ｂにネジ止めすることで接続されている。こ
のとき外部冷却フィン１４に対する実装基板１６の水平
方向に関するズレは実装基板１６の穴１６ｃの直径とネ
ジ１８の直径との差により生じ、このズレにより実装基
板１６の外部冷却フィン１４に対する水平方向の位置ズ
レを吸収する。ところで、この実装基板１６の外部冷却
フィン１４に対する水平方向の位置ズレは外部冷却フィ
ン１４に設けた半導体装置取付用の穴１４ａと実装基板
１６に設けた配線端子１１ｃ挿入用の穴１６ｂの水平方
向に関する位置ズレと等しく、さらには、半導体装置の
ケース穴８ａと配線端子１１ｃの水平方向に関する位置
ずれに等しい。本発明による半導体装置ではこのズレを
０.１mm にすることができたので実装基板１６の外部冷
却フィン１４に対する水平方向の位置ズレも０.１mm と
なり、外部冷却フィン１４に対する実装基板の位置ズレ
を小さくすることができ、半導体装置及びコンデンサ等
の電子部品と外部冷却フィン、実装基板の位置の精度が
よくなり機械による実装を容易に行うことができ、実装
作業の効率化及び作業コストの低減を図ることができ
る。
【００２３】次に、図３に本発明の別の実施例を示す。
図３は本発明による半導体装置を外部配線側から見たも
のである。ケース８の下部は図１と同様、金属支持基板
５に接着するための凹部を有しており、その凹部は、金
属支持基板５に接着されている。また、ケース８の長手
方向に対する両端には上蓋が設けられており、その上蓋
には、溝８ｃが４カ所設けられている。一方、樹脂体６
の長手方向に対する両端には凸部６ａが４カ所設けられ
ており、樹脂体６の金属支持基板５に対する水平方向の
接着の位置決めは金属支持基板５にケース８を接着し、
次に、ケース８の上蓋に設けられた溝８ｃに、樹脂体６
に設けられた凸部６ａを挿入することで行うことができ
る。
図３は本発明による半導体装置を外部配線側から見たも
のである。ケース８の下部は図１と同様、金属支持基板
５に接着するための凹部を有しており、その凹部は、金
属支持基板５に接着されている。また、ケース８の長手
方向に対する両端には上蓋が設けられており、その上蓋
には、溝８ｃが４カ所設けられている。一方、樹脂体６
の長手方向に対する両端には凸部６ａが４カ所設けられ
ており、樹脂体６の金属支持基板５に対する水平方向の
接着の位置決めは金属支持基板５にケース８を接着し、
次に、ケース８の上蓋に設けられた溝８ｃに、樹脂体６
に設けられた凸部６ａを挿入することで行うことができ
る。
【００２４】そこで、樹脂体６とケース８との隙間を
０.１mm とすれば、金属支持基板５とケース８の凹部と
の隙間による金属支持基板５に対するケース８の位置ズ
レによらず、ケース穴８ａに対する配線端子１１ｃの位
置ずれも０.１mm となり、図１の実施例と同様機械によ
る実装を容易に行うことができる。また、樹脂体６を金
属支持基板５に接着する際に用いる治具も不要とするこ
とができ、半導体装置組立時の作業性を改善できる。
０.１mm とすれば、金属支持基板５とケース８の凹部と
の隙間による金属支持基板５に対するケース８の位置ズ
レによらず、ケース穴８ａに対する配線端子１１ｃの位
置ずれも０.１mm となり、図１の実施例と同様機械によ
る実装を容易に行うことができる。また、樹脂体６を金
属支持基板５に接着する際に用いる治具も不要とするこ
とができ、半導体装置組立時の作業性を改善できる。
【００２５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ケース
の穴や溝に配線端子を有する樹脂体の一部を挿入するこ
とでケースに対し配線端子の位置決めを行うことが出来
る。さらにケースに樹脂体と同じ程度の大きさの穴をあ
け、このケースを金属支持基板に接着した後、このケー
スを治具として樹脂体と支持基板を接着すれば、ケース
に対する配線端子の位置ぎめが治具なしで容易におこな
え、作業性を改善できる。
の穴や溝に配線端子を有する樹脂体の一部を挿入するこ
とでケースに対し配線端子の位置決めを行うことが出来
る。さらにケースに樹脂体と同じ程度の大きさの穴をあ
け、このケースを金属支持基板に接着した後、このケー
スを治具として樹脂体と支持基板を接着すれば、ケース
に対する配線端子の位置ぎめが治具なしで容易におこな
え、作業性を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の一実施例を示す。
【図２】本発明による半導体装置の従来例を示す。
【図３】本発明による半導体装置の別の実施例を示す。
１…半導体素子、２，２ａ，２ｂ，２ｃ…ソルダー、３
…絶縁基板、４，４ａ，４ｂ…金属層、５…金属支持基
板、６…樹脂体、７…金属ワイヤ、８…ケース、９…ゲ
ル、１０…レジン、１１，１１ａ，１１ｃ…配線端子、
１１ｂ…ナット、１２…接着剤、１３…外部配線、１４
…外部冷却フィン、１５,１５ａ,１５ｂ，１８…ネジ、
１６…実装基板、１７…接続端子。
…絶縁基板、４，４ａ，４ｂ…金属層、５…金属支持基
板、６…樹脂体、７…金属ワイヤ、８…ケース、９…ゲ
ル、１０…レジン、１１，１１ａ，１１ｃ…配線端子、
１１ｂ…ナット、１２…接着剤、１３…外部配線、１４
…外部冷却フィン、１５,１５ａ,１５ｂ，１８…ネジ、
１６…実装基板、１７…接続端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−7956（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−203565（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 25/04
Claims (3)
- 【請求項１】両面に金属層を有する絶縁基板と、一方の
面の金属層に固着された半導体素子と、他方の面の金属
層に固着された金属基板と、一方の面の金属層に固着さ
れた配線端子及び該配線端子を支持する樹脂体を有する
配線端子支持体と、前記金属基板上に接着されたケース
部とを有する半導体装置において、該ケース部が側壁部と上蓋部とを備えていて、該上蓋部
に配置した配線端子挿入穴に、 前記配線端子支持体の配
線端子を挿入することにより前記ケース部に対する前記
配線端子の位置決めを行うことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１の半導体装置において、前記配線
端子挿入穴に入れる端子が補助端子であることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項３】 請求項２の半導体装置において、前記配線
端子支持体に主端子と補助端子とを配置したことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18719796A JP3201270B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18719796A JP3201270B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032308A JPH1032308A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3201270B2 true JP3201270B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=16201802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18719796A Expired - Fee Related JP3201270B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201270B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3813098B2 (ja) | 2002-02-14 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
| JP6162643B2 (ja) | 2014-05-21 | 2017-07-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP18719796A patent/JP3201270B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1032308A (ja) | 1998-02-03 |
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