JP2003152320A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板及び配線基板の製造方法Info
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- JP2003152320A JP2003152320A JP2001344918A JP2001344918A JP2003152320A JP 2003152320 A JP2003152320 A JP 2003152320A JP 2001344918 A JP2001344918 A JP 2001344918A JP 2001344918 A JP2001344918 A JP 2001344918A JP 2003152320 A JP2003152320 A JP 2003152320A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
- H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 搭載する電子部品の端子などと接続されるパ
ッドを有し、その上に金属層が形成された配線基板につ
いて、接続信頼性が高いハンダバンプを形成することが
できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 配線基板101は、主面側第2絶縁層1
24と、主面側開口128を有する主面側ソルダーレジ
スト層127とを備える。また、主面側第2絶縁層12
4の表面に形成され、一部が主面側開口128の底面を
なす主面側パッド147と、この主面側パッド147上
に形成された主面側Niメッキ層149とを備える。そ
して、主面側Niメッキ層149の表面149Hは粗化
されている。
ッドを有し、その上に金属層が形成された配線基板につ
いて、接続信頼性が高いハンダバンプを形成することが
できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 配線基板101は、主面側第2絶縁層1
24と、主面側開口128を有する主面側ソルダーレジ
スト層127とを備える。また、主面側第2絶縁層12
4の表面に形成され、一部が主面側開口128の底面を
なす主面側パッド147と、この主面側パッド147上
に形成された主面側Niメッキ層149とを備える。そ
して、主面側Niメッキ層149の表面149Hは粗化
されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、搭載する電子部品
の端子などと接続されるパッドを有する配線基板及び配
線基板の製造方法に関し、特に、パッド上に金属層が形
成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
の端子などと接続されるパッドを有する配線基板及び配
線基板の製造方法に関し、特に、パッド上に金属層が形
成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、搭載する電子部品の端子など
と接続されるパッドを有し、そのパッド上に金属層が形
成された配線基板が知られている。例えば、図10に基
板主面902側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板
901が挙げられる。この配線基板901は、ICチッ
プを搭載する基板主面902と、基板裏面(図示しな
い)とを有する略板形状である。配線基板901は、図
に示すように、基板主面902側に樹脂絶縁層905を
備える。そして、この樹脂絶縁層905上には、所定の
位置に多数の開口909が形成されたソルダーレジスト
層907が積層されている。
と接続されるパッドを有し、そのパッド上に金属層が形
成された配線基板が知られている。例えば、図10に基
板主面902側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板
901が挙げられる。この配線基板901は、ICチッ
プを搭載する基板主面902と、基板裏面(図示しな
い)とを有する略板形状である。配線基板901は、図
に示すように、基板主面902側に樹脂絶縁層905を
備える。そして、この樹脂絶縁層905上には、所定の
位置に多数の開口909が形成されたソルダーレジスト
層907が積層されている。
【0003】また、樹脂絶縁層905の表面905Hに
は、ICチップの端子と接続されるパッド911が多数
形成されている。これらのパッド911は、Cuからな
り、平面視略円形状で平板形状である。各々のパッド9
11は、ソルダーレジスト層907の開口909の下に
位置し、その中央部911Tが開口909の底面をな
し、周縁部911Sがソルダーレジスト層907で覆わ
れている。パッド911のうち開口909の底面をなす
中央部911T上には、パッド911のCuが後述する
ハンダバンプ915に拡散するのを防止するため、Ni
メッキ層(金属層)913が形成されている。そして、
このNiメッキ層913上に、開口909の内部からソ
ルダーレジスト層907の表面907H(基板主面90
2)を越えて膨出するハンダバンプ915がそれぞれ形
成されている。
は、ICチップの端子と接続されるパッド911が多数
形成されている。これらのパッド911は、Cuからな
り、平面視略円形状で平板形状である。各々のパッド9
11は、ソルダーレジスト層907の開口909の下に
位置し、その中央部911Tが開口909の底面をな
し、周縁部911Sがソルダーレジスト層907で覆わ
れている。パッド911のうち開口909の底面をなす
中央部911T上には、パッド911のCuが後述する
ハンダバンプ915に拡散するのを防止するため、Ni
メッキ層(金属層)913が形成されている。そして、
このNiメッキ層913上に、開口909の内部からソ
ルダーレジスト層907の表面907H(基板主面90
2)を越えて膨出するハンダバンプ915がそれぞれ形
成されている。
【0004】このような配線基板901は、次のように
して製造する。即ち、樹脂絶縁層905と、開口909
を有するソルダーレジスト層907と、パッド911と
を形成した基板を用意する。そして、この基板にNiメ
ッキを施し、ソルダーレジスト層907の開口909内
に露出するパッド911の中央部911T上に、Niメ
ッキ層913を形成する。その後、Auメッキを施し
て、このNiメッキ層913上に、酸化防止のため、A
uメッキ層を形成する。次に、ソルダーレジスト層90
7の開口909に対応した所定パターンの印刷マスクを
用いて、各開口909にハンダペーストを印刷し、その
後、これをリフローしてハンダバンプ915を形成す
る。その際、Auメッキは、ハンダ内に拡散するので、
ハンダバンプ915は、上述したようにNiメッキ層9
13上に形成される。
して製造する。即ち、樹脂絶縁層905と、開口909
を有するソルダーレジスト層907と、パッド911と
を形成した基板を用意する。そして、この基板にNiメ
ッキを施し、ソルダーレジスト層907の開口909内
に露出するパッド911の中央部911T上に、Niメ
ッキ層913を形成する。その後、Auメッキを施し
て、このNiメッキ層913上に、酸化防止のため、A
uメッキ層を形成する。次に、ソルダーレジスト層90
7の開口909に対応した所定パターンの印刷マスクを
用いて、各開口909にハンダペーストを印刷し、その
後、これをリフローしてハンダバンプ915を形成す
る。その際、Auメッキは、ハンダ内に拡散するので、
ハンダバンプ915は、上述したようにNiメッキ層9
13上に形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな配線基板901は、ハンダバンプ915とNiメッ
キ層913との接合強度が十分でなく、ハンダバンプ9
15の接続信頼性に劣るという問題があった。
うな配線基板901は、ハンダバンプ915とNiメッ
キ層913との接合強度が十分でなく、ハンダバンプ9
15の接続信頼性に劣るという問題があった。
【0006】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、搭載する電子部品の端子などと接続されるパ
ッドを有し、その上に金属層が形成された配線基板につ
いて、接続信頼性が高いハンダバンプを形成することが
できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
であって、搭載する電子部品の端子などと接続されるパ
ッドを有し、その上に金属層が形成された配線基板につ
いて、接続信頼性が高いハンダバンプを形成することが
できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、絶縁層と、上記絶縁層上に積層され、開口を有
するソルダーレジスト層と、上記絶縁層の表面にまたは
上記絶縁層を貫通して形成され、少なくとも一部が上記
開口の底面をなすパッドと、上記パッドのうち上記開口
の底面をなす部分の上に形成された金属層と、を備える
配線基板であって、上記金属層の表面が粗化されている
配線基板である。
手段は、絶縁層と、上記絶縁層上に積層され、開口を有
するソルダーレジスト層と、上記絶縁層の表面にまたは
上記絶縁層を貫通して形成され、少なくとも一部が上記
開口の底面をなすパッドと、上記パッドのうち上記開口
の底面をなす部分の上に形成された金属層と、を備える
配線基板であって、上記金属層の表面が粗化されている
配線基板である。
【0008】本発明によれば、パッド上に形成された金
属層の表面が粗化されている。このため、この金属層上
にハンダバンプを形成したときに、金属層とハンダバン
プとの接合強度を、アンカー効果により高くすることが
できる。従って、接続信頼性の高いハンダバンプを形成
することができる。
属層の表面が粗化されている。このため、この金属層上
にハンダバンプを形成したときに、金属層とハンダバン
プとの接合強度を、アンカー効果により高くすることが
できる。従って、接続信頼性の高いハンダバンプを形成
することができる。
【0009】金属層は、上記の構成を満たすものであれ
ばいずれのものでもよく、例えば、Ni層、Sn層、C
u層、Pd層、Au層や、これらを主成分とする金属層
などが挙げられる。また、1層からなる金属層の他、2
層以上からなる金属層であってもよい。但し、金属層の
酸化防止のために形成されるごく薄いAu層など、ハン
ダバンプを形成したときにハンダ中に拡散するものは、
本発明の金属層に含まれない。従って、例えば、パッド
上にNi層が形成され、さらにその上にごく薄くAu層
が形成されている場合は、Ni層が本発明にいう金属層
であり、この金属層の表面が粗化されていればよい。絶
縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即ち、絶縁
体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミッ
ク、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、エポキ
シ樹脂、BT樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材料など
の複合材料などであってもよい。
ばいずれのものでもよく、例えば、Ni層、Sn層、C
u層、Pd層、Au層や、これらを主成分とする金属層
などが挙げられる。また、1層からなる金属層の他、2
層以上からなる金属層であってもよい。但し、金属層の
酸化防止のために形成されるごく薄いAu層など、ハン
ダバンプを形成したときにハンダ中に拡散するものは、
本発明の金属層に含まれない。従って、例えば、パッド
上にNi層が形成され、さらにその上にごく薄くAu層
が形成されている場合は、Ni層が本発明にいう金属層
であり、この金属層の表面が粗化されていればよい。絶
縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即ち、絶縁
体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミッ
ク、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、エポキ
シ樹脂、BT樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材料など
の複合材料などであってもよい。
【0010】また、他の解決手段は、絶縁層と、上記絶
縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジスト層
と、上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形
成され、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッド
と、上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に
形成された金属層と、上記金属層の表面上に形成され、
この金属層と溶着するハンダバンプと、を備える配線基
板であって、上記金属層の表面が粗化されている配線基
板である。
縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジスト層
と、上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形
成され、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッド
と、上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に
形成された金属層と、上記金属層の表面上に形成され、
この金属層と溶着するハンダバンプと、を備える配線基
板であって、上記金属層の表面が粗化されている配線基
板である。
【0011】本発明によれば、パッド上に形成された金
属層の表面が粗化され、その表面上にハンダバンプが溶
着している。このため、金属層とハンダバンプとの接合
強度を、アンカー効果により高くすることができる。従
って、ハンダバンプの接続信頼性を高くすることができ
る。
属層の表面が粗化され、その表面上にハンダバンプが溶
着している。このため、金属層とハンダバンプとの接合
強度を、アンカー効果により高くすることができる。従
って、ハンダバンプの接続信頼性を高くすることができ
る。
【0012】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記金属層は、NiまたはNiを主成分とす
る配線基板とすると良い。
であって、前記金属層は、NiまたはNiを主成分とす
る配線基板とすると良い。
【0013】本発明によれば、金属層は、NiまたはN
iを主成分とする。Niは、ハンダとの接続が良好な
上、ハンダ内に拡散することもないことから、金属層が
ハンダバンプに食われたり、ハンダバンプの組成が変わ
ってその融点が変化するなどの問題が生じない。さら
に、生産性や生産コストの面で優れ、配線基板を安価に
することができる。
iを主成分とする。Niは、ハンダとの接続が良好な
上、ハンダ内に拡散することもないことから、金属層が
ハンダバンプに食われたり、ハンダバンプの組成が変わ
ってその融点が変化するなどの問題が生じない。さら
に、生産性や生産コストの面で優れ、配線基板を安価に
することができる。
【0014】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記金属層の表面が前記ソルダーレジスト層
の表面と面一であるか、または、上記金属層が上記ソル
ダーレジスト層の表面を越えて突出している配線基板と
すると良い。
であって、前記金属層の表面が前記ソルダーレジスト層
の表面と面一であるか、または、上記金属層が上記ソル
ダーレジスト層の表面を越えて突出している配線基板と
すると良い。
【0015】本発明によれば、金属層の表面がソルダー
レジスト層の表面と面一であるか、金属層がソルダーレ
ジスト層よりも突出している。ここで、金属層の表面が
ソルダーレジスト層の表面と面一であるとは、これらの
面がほぼ同一であることをいい、金属層の表面が場所に
よっては多少ソルダーレジスト層の表面よりも凹んでい
る部分があってもよい。このような配線基板は、ハンダ
バンプが開口内に形成されず、ハンダバンプの底面がソ
ルダーレジスト層の表面と面一であるか、ソルダーレジ
スト層の表面よりも上にある。このため、ハンダバンプ
に外力が加わったときに、開口内にもハンダバンプが形
成されているものに比べ、ハンダバンプが金属層から取
れやすい。従って、ハンダバンプの接続信頼性が、特に
低くなりやすい。しかし、上述したように、金属層の表
面が粗化され、金属層とハンダバンプとの接合強度がア
ンカー効果により高くされている。従って、ハンダバン
プがソルダーレジスト層よりも上部に形成されているに
も拘わらず、ハンダバンプの接続信頼性を高くすること
ができる。
レジスト層の表面と面一であるか、金属層がソルダーレ
ジスト層よりも突出している。ここで、金属層の表面が
ソルダーレジスト層の表面と面一であるとは、これらの
面がほぼ同一であることをいい、金属層の表面が場所に
よっては多少ソルダーレジスト層の表面よりも凹んでい
る部分があってもよい。このような配線基板は、ハンダ
バンプが開口内に形成されず、ハンダバンプの底面がソ
ルダーレジスト層の表面と面一であるか、ソルダーレジ
スト層の表面よりも上にある。このため、ハンダバンプ
に外力が加わったときに、開口内にもハンダバンプが形
成されているものに比べ、ハンダバンプが金属層から取
れやすい。従って、ハンダバンプの接続信頼性が、特に
低くなりやすい。しかし、上述したように、金属層の表
面が粗化され、金属層とハンダバンプとの接合強度がア
ンカー効果により高くされている。従って、ハンダバン
プがソルダーレジスト層よりも上部に形成されているに
も拘わらず、ハンダバンプの接続信頼性を高くすること
ができる。
【0016】また、他の解決手段は、絶縁層と、上記絶
縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジスト層
と、上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形
成され、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッド
と、上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に
形成された金属層と、を備える配線基板の製造方法であ
って、上記金属層の表面を粗化する金属層粗化工程を備
える配線基板の製造方法である。
縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジスト層
と、上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形
成され、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッド
と、上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に
形成された金属層と、を備える配線基板の製造方法であ
って、上記金属層の表面を粗化する金属層粗化工程を備
える配線基板の製造方法である。
【0017】本発明によれば、パッド上に形成された金
属層の表面を粗化する金属層粗化工程を備える。このた
め、この金属層にハンダバンプを形成したときに、金属
層とハンダバンプとの接合強度を、アンカー効果により
高くすることができる。従って、ハンダバンプの接続信
頼性を向上させることができる。
属層の表面を粗化する金属層粗化工程を備える。このた
め、この金属層にハンダバンプを形成したときに、金属
層とハンダバンプとの接合強度を、アンカー効果により
高くすることができる。従って、ハンダバンプの接続信
頼性を向上させることができる。
【0018】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記開口にメッキにより前記金属層を形成する金属
層形成工程であって、上記金属層の表面が前記ソルダー
レジスト層の表面と面一となるか、または、上記金属層
が上記ソルダーレジスト層の表面を越えて突出するま
で、上記メッキを施し、上記金属層を形成する金属層形
成工程を備える配線基板の製造方法とすると良い。
て、前記開口にメッキにより前記金属層を形成する金属
層形成工程であって、上記金属層の表面が前記ソルダー
レジスト層の表面と面一となるか、または、上記金属層
が上記ソルダーレジスト層の表面を越えて突出するま
で、上記メッキを施し、上記金属層を形成する金属層形
成工程を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【0019】本発明では、金属層形成工程において、金
属層の表面がソルダーレジスト層の表面と面一となる
か、または、金属層がソルダーレジスト層の表面を越え
て突出するまで、メッキを施し、金属層を形成する。こ
のため、金属層上にハンダバンプを形成すれば、ハンダ
バンプはソルダーレジスト層よりも上部に形成されるの
で、ハンダバンプに外力が加わったときに、ハンダバン
プが金属層から取れやすくなる。しかし、前述したよう
に、金属層の表面を粗化し、金属層とハンダバンプとの
接合強度を向上させることができるので、ハンダバンプ
がソルダーレジスト層よりも上部に形成されるにもかか
わらず、ハンダバンプの接続信頼性を高くすることがで
きる。
属層の表面がソルダーレジスト層の表面と面一となる
か、または、金属層がソルダーレジスト層の表面を越え
て突出するまで、メッキを施し、金属層を形成する。こ
のため、金属層上にハンダバンプを形成すれば、ハンダ
バンプはソルダーレジスト層よりも上部に形成されるの
で、ハンダバンプに外力が加わったときに、ハンダバン
プが金属層から取れやすくなる。しかし、前述したよう
に、金属層の表面を粗化し、金属層とハンダバンプとの
接合強度を向上させることができるので、ハンダバンプ
がソルダーレジスト層よりも上部に形成されるにもかか
わらず、ハンダバンプの接続信頼性を高くすることがで
きる。
【0020】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記メッキは、NiまたはNiを主成分とする配線
基板の製造方法とすると良い。
て、前記メッキは、NiまたはNiを主成分とする配線
基板の製造方法とすると良い。
【0021】本発明では、金属層形成工程を、Niメッ
キまたはNiを主成分とするメッキで行う。Niは、ハ
ンダとの接続が良好な上、ハンダ内に拡散することもな
いことから、ハンダバンプを形成したときに、金属層が
ハンダバンプに食われたり、ハンダバンプの組成が変わ
ってその融点が変化するなどの問題が生じない。さら
に、生産性や生産コストの面で優れ、安価に配線基板を
製造することができる。
キまたはNiを主成分とするメッキで行う。Niは、ハ
ンダとの接続が良好な上、ハンダ内に拡散することもな
いことから、ハンダバンプを形成したときに、金属層が
ハンダバンプに食われたり、ハンダバンプの組成が変わ
ってその融点が変化するなどの問題が生じない。さら
に、生産性や生産コストの面で優れ、安価に配線基板を
製造することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】(実施形態)以下、本発明の実施
の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の配
線基板101について、図1に部分断面図を、図2に基
板主面102側の要部の部分拡大断面図を示す。この配
線基板101は、図1中に破線で示すICチップICが
搭載される基板主面102と、基板裏面103とを有す
る略矩形の略板形状である。配線基板101は、その中
心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約800μmの
コア基板111を備える。そして、このコア基板111
のコア主面112上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ
約35μmの主面側第1絶縁層121が積層され、その
上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約35μm
の主面側第2絶縁層124が積層され、さらにその上に
は、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約21μmの主
面側ソルダーレジスト層127が積層されている。また
同様に、コア基板111のコア裏面113上には、エポ
キシ樹脂等からなる厚さ約35μmの裏面側第1絶縁層
131が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等
からなる厚さ約35μmの裏面側第2絶縁層134が積
層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等から
なる厚さ約21μmの裏面側ソルダーレジスト層137
が積層されている。
の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の配
線基板101について、図1に部分断面図を、図2に基
板主面102側の要部の部分拡大断面図を示す。この配
線基板101は、図1中に破線で示すICチップICが
搭載される基板主面102と、基板裏面103とを有す
る略矩形の略板形状である。配線基板101は、その中
心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約800μmの
コア基板111を備える。そして、このコア基板111
のコア主面112上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ
約35μmの主面側第1絶縁層121が積層され、その
上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約35μm
の主面側第2絶縁層124が積層され、さらにその上に
は、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約21μmの主
面側ソルダーレジスト層127が積層されている。また
同様に、コア基板111のコア裏面113上には、エポ
キシ樹脂等からなる厚さ約35μmの裏面側第1絶縁層
131が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等
からなる厚さ約35μmの裏面側第2絶縁層134が積
層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等から
なる厚さ約21μmの裏面側ソルダーレジスト層137
が積層されている。
【0023】このうちコア基板111には、これを貫通
する直径約350μmのスルーホール115が所定の位
置に多数形成され、その内周面には、Cuからなる略筒
状の厚さ約20μmのスルーホール導体116がそれぞ
れ形成されている。そして、スルーホール導体116内
には、エポキシ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体
117がそれぞれ形成されている。また、主面側第1絶
縁層121には、これを貫通するビア孔122が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Cuからなる椀
状のビア導体123がそれぞれ形成されている。また、
主面側第2絶縁層124にも、これを貫通するビア孔1
25が所定の位置に多数形成され、その内壁面には、C
uからなる椀状のビア導体126がそれぞれ形成されて
いる。また、主面側ソルダーレジスト層127には、こ
れを貫通する直径約60μmの主面側開口128が所定
の位置に多数形成されている。
する直径約350μmのスルーホール115が所定の位
置に多数形成され、その内周面には、Cuからなる略筒
状の厚さ約20μmのスルーホール導体116がそれぞ
れ形成されている。そして、スルーホール導体116内
には、エポキシ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体
117がそれぞれ形成されている。また、主面側第1絶
縁層121には、これを貫通するビア孔122が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Cuからなる椀
状のビア導体123がそれぞれ形成されている。また、
主面側第2絶縁層124にも、これを貫通するビア孔1
25が所定の位置に多数形成され、その内壁面には、C
uからなる椀状のビア導体126がそれぞれ形成されて
いる。また、主面側ソルダーレジスト層127には、こ
れを貫通する直径約60μmの主面側開口128が所定
の位置に多数形成されている。
【0024】また同様に、裏面側第1絶縁層131に
も、これを貫通するビア孔132が所定の位置に多数形
成され、その内壁面には、Cuからなる椀状のビア導体
133がそれぞれ形成されている。また、裏面側第2絶
縁層134にも、これを貫通するビア孔135が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Cuからなる椀
状のビア導体136がそれぞれ形成されている。また、
裏面側ソルダーレジスト層137には、これを貫通する
直径約95μmの裏面側開口138が所定の位置に多数
形成されている。
も、これを貫通するビア孔132が所定の位置に多数形
成され、その内壁面には、Cuからなる椀状のビア導体
133がそれぞれ形成されている。また、裏面側第2絶
縁層134にも、これを貫通するビア孔135が所定の
位置に多数形成され、その内壁面には、Cuからなる椀
状のビア導体136がそれぞれ形成されている。また、
裏面側ソルダーレジスト層137には、これを貫通する
直径約95μmの裏面側開口138が所定の位置に多数
形成されている。
【0025】コア基板111と主面側第1絶縁層121
との層間には、配線やパッドを有し、コア基板111の
スルーホール導体116及び主面側第1絶縁層121の
ビア導体123と接続する主面側第1導体層141が形
成されている。また、主面側第1絶縁層121と主面側
第2絶縁層124との層間には、配線やパッドを有し、
主面側第1絶縁層121のビア導体123及び主面側第
2絶縁層124のビア導体126と接続する主面側第2
導体層143が形成されている。また、主面側第2絶縁
層124と主面側ソルダーレジスト層127との層間に
は、配線やパッドを有し、主面側第2絶縁層124のビ
ア導体126と接続する主面側第3導体層145が形成
されている。
との層間には、配線やパッドを有し、コア基板111の
スルーホール導体116及び主面側第1絶縁層121の
ビア導体123と接続する主面側第1導体層141が形
成されている。また、主面側第1絶縁層121と主面側
第2絶縁層124との層間には、配線やパッドを有し、
主面側第1絶縁層121のビア導体123及び主面側第
2絶縁層124のビア導体126と接続する主面側第2
導体層143が形成されている。また、主面側第2絶縁
層124と主面側ソルダーレジスト層127との層間に
は、配線やパッドを有し、主面側第2絶縁層124のビ
ア導体126と接続する主面側第3導体層145が形成
されている。
【0026】この主面側第3導体層145の一部の主面
側パッド147は、主面側ソルダーレジスト層127の
主面側開口128の下にそれぞれ位置している。具体的
には、図2に示すように、これらの主面側パッド147
は、平面視略円形状の略板形状であり、その中央部14
7Tが主面側開口128の底面をなし、その周縁部14
7Sが主面側ソルダーレジスト層127に覆われてい
る。そして、主面側パッド147のうち主面側開口12
8の底面をなす中央部147T上には、直径約60μ
m、厚さ(高さ)約30μmの略円柱形状で、主面側ソ
ルダーレジスト層127の表面127H(基板主面10
2)を越えて突出する主面側Niメッキ層(金属層)1
49がそれぞれ形成されている。この主面側Niメッキ
層149のうち、主面側ソルダーレジスト層127の表
面127Hから突出する突出部149Pの高さは、約1
0μmである。また、主面側Niメッキ層149の表面
149Hは、表面粗さRa=約0.2〜0.5μmに粗
化されている。さらに、この主面側Niメッキ層149
の表面149Hには、略半球状に突出するハンダバンプ
151がそれぞれ溶着している。これらのハンダバンプ
151は、主面側Niメッキ層149と高い強度で接合
している。
側パッド147は、主面側ソルダーレジスト層127の
主面側開口128の下にそれぞれ位置している。具体的
には、図2に示すように、これらの主面側パッド147
は、平面視略円形状の略板形状であり、その中央部14
7Tが主面側開口128の底面をなし、その周縁部14
7Sが主面側ソルダーレジスト層127に覆われてい
る。そして、主面側パッド147のうち主面側開口12
8の底面をなす中央部147T上には、直径約60μ
m、厚さ(高さ)約30μmの略円柱形状で、主面側ソ
ルダーレジスト層127の表面127H(基板主面10
2)を越えて突出する主面側Niメッキ層(金属層)1
49がそれぞれ形成されている。この主面側Niメッキ
層149のうち、主面側ソルダーレジスト層127の表
面127Hから突出する突出部149Pの高さは、約1
0μmである。また、主面側Niメッキ層149の表面
149Hは、表面粗さRa=約0.2〜0.5μmに粗
化されている。さらに、この主面側Niメッキ層149
の表面149Hには、略半球状に突出するハンダバンプ
151がそれぞれ溶着している。これらのハンダバンプ
151は、主面側Niメッキ層149と高い強度で接合
している。
【0027】一方、コア基板111と裏面側第1絶縁層
131との層間にも、配線やパッドを有し、コア基板1
11のスルーホール導体116及び裏面側第1絶縁層1
31のビア導体133と接続する裏面側第1導体層16
1が形成されている。また、裏面側第1絶縁層131と
裏面側第2絶縁層134との層間には、配線やパッドを
有し、裏面側第1絶縁層131のビア導体133及び裏
面側第2絶縁層134のビア導体136と接続する裏面
側第2導体層163が形成されている。また、裏面側第
2絶縁層134と裏面側ソルダーレジスト層137との
層間には、配線やパッドを有し、裏面側第2絶縁層13
4のビア導体136と接続する裏面側第3導体層165
が形成されている。
131との層間にも、配線やパッドを有し、コア基板1
11のスルーホール導体116及び裏面側第1絶縁層1
31のビア導体133と接続する裏面側第1導体層16
1が形成されている。また、裏面側第1絶縁層131と
裏面側第2絶縁層134との層間には、配線やパッドを
有し、裏面側第1絶縁層131のビア導体133及び裏
面側第2絶縁層134のビア導体136と接続する裏面
側第2導体層163が形成されている。また、裏面側第
2絶縁層134と裏面側ソルダーレジスト層137との
層間には、配線やパッドを有し、裏面側第2絶縁層13
4のビア導体136と接続する裏面側第3導体層165
が形成されている。
【0028】この裏面側第3導体層165の一部の裏面
側パッド167は、裏面側ソルダーレジスト層137の
裏面側開口138の下にそれぞれ位置している。具体的
には、この裏面側パッド167も、平面視略円形状の略
板形状であり、その中央部が裏面側開口138の底面を
なし、その周縁部が裏面側ソルダーレジスト層137に
覆われている。そして、裏面側パッド167のうち裏面
側開口138の底面をなす中央部上には、直径約95μ
m、厚さ(高さ)約30μmの略円柱形状で、裏面側ソ
ルダーレジスト層137の表面137H(基板裏面10
3)を越えて突出する裏面側Niメッキ層169がそれ
ぞれ形成されている。この裏面側Niメッキ層169の
うち、裏面側ソルダーレジスト層137の表面137H
から突出する突出部の高さは、約10μmである。ま
た、裏面側Niメッキ層169の表面も、表面粗さRa
=約0.2〜0.5μmに粗化されている。さらに、こ
の裏面側Niメッキ層169上には、酸化防止のため、
厚さ約0.05μmのごく薄い裏面側Auメッキ層17
0がそれぞれ形成されている。
側パッド167は、裏面側ソルダーレジスト層137の
裏面側開口138の下にそれぞれ位置している。具体的
には、この裏面側パッド167も、平面視略円形状の略
板形状であり、その中央部が裏面側開口138の底面を
なし、その周縁部が裏面側ソルダーレジスト層137に
覆われている。そして、裏面側パッド167のうち裏面
側開口138の底面をなす中央部上には、直径約95μ
m、厚さ(高さ)約30μmの略円柱形状で、裏面側ソ
ルダーレジスト層137の表面137H(基板裏面10
3)を越えて突出する裏面側Niメッキ層169がそれ
ぞれ形成されている。この裏面側Niメッキ層169の
うち、裏面側ソルダーレジスト層137の表面137H
から突出する突出部の高さは、約10μmである。ま
た、裏面側Niメッキ層169の表面も、表面粗さRa
=約0.2〜0.5μmに粗化されている。さらに、こ
の裏面側Niメッキ層169上には、酸化防止のため、
厚さ約0.05μmのごく薄い裏面側Auメッキ層17
0がそれぞれ形成されている。
【0029】以上で説明したように、本実施形態の配線
基板101は、主面側パッド147上に形成された主面
側Niメッキ層(金属層)149の表面149Hが粗化
されている。そして、この表面149H上にハンダバン
プ151が溶着している。このため、主面側Niメッキ
層149とハンダバンプ151との接合強度を、アンカ
ー効果により高くすることができる。従って、ハンダバ
ンプ151の接続信頼性を向上させることができる。
基板101は、主面側パッド147上に形成された主面
側Niメッキ層(金属層)149の表面149Hが粗化
されている。そして、この表面149H上にハンダバン
プ151が溶着している。このため、主面側Niメッキ
層149とハンダバンプ151との接合強度を、アンカ
ー効果により高くすることができる。従って、ハンダバ
ンプ151の接続信頼性を向上させることができる。
【0030】さらに、本実施形態では、金属層149が
Niメッキ層であるので、ハンダバンプ151との接合
強度を高くすることができる。また、Niがハンダ内に
拡散することがないことから、金属層149がハンダバ
ンプ151に食われたり、ハンダバンプ151の組成が
変わってその融点が変化するなどの問題が生じない。さ
らに、生産性や生産コストの面で優れ、配線基板101
を安価にすることができる。
Niメッキ層であるので、ハンダバンプ151との接合
強度を高くすることができる。また、Niがハンダ内に
拡散することがないことから、金属層149がハンダバ
ンプ151に食われたり、ハンダバンプ151の組成が
変わってその融点が変化するなどの問題が生じない。さ
らに、生産性や生産コストの面で優れ、配線基板101
を安価にすることができる。
【0031】また、本実施形態では、主面側Niメッキ
層149が主面側ソルダーレジスト層127よりも突出
し、ハンダバンプ151が主面側ソルダーレジスト層1
27よりも上部に形成されている。このため、ハンダバ
ンプ151に外力が加わったときに、ハンダバンプ15
1が主面側Niメッキ層149から取れやすい。しか
し、上述したように、主面側Niメッキ層149の表面
149Hが粗化され、主面側Niメッキ層149とハン
ダバンプ151との接合強度がアンカー効果により高く
されている。従って、ハンダバンプ151が主面側ソル
ダーレジスト層127よりも上部に形成されているにも
拘わらず、ハンダバンプ151の接続信頼性を高くする
ことができる。
層149が主面側ソルダーレジスト層127よりも突出
し、ハンダバンプ151が主面側ソルダーレジスト層1
27よりも上部に形成されている。このため、ハンダバ
ンプ151に外力が加わったときに、ハンダバンプ15
1が主面側Niメッキ層149から取れやすい。しか
し、上述したように、主面側Niメッキ層149の表面
149Hが粗化され、主面側Niメッキ層149とハン
ダバンプ151との接合強度がアンカー効果により高く
されている。従って、ハンダバンプ151が主面側ソル
ダーレジスト層127よりも上部に形成されているにも
拘わらず、ハンダバンプ151の接続信頼性を高くする
ことができる。
【0032】次いで、この配線基板101の製造方法に
ついて説明する。まず、コア基板111を用意する(図
3参照)。そして、これにドリル等で所定の位置にスル
ーホール115を穿孔する。次に、Cu無電解メッキと
Cu電解メッキを順次施し、スルーホール115の内周
面に略筒状のスルーホール導体116を形成すると共
に、コア主面112とコア裏面113の略全面にベタ状
導体層を形成する。次に、スルーホール導体116内に
樹脂充填体117を形成する。具体的には、スルーホー
ル導体116の孔に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、スルーホール導体116内に樹脂ペーストを
印刷充填し、その後、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹
脂充填体117を形成する。そして、樹脂充填体117
の端部を研磨除去し、コア主面112及びコア裏面11
3を面一にする。さらに、Cu無電解メッキとCu電解
メッキを順次施し、樹脂充填体117上に蓋メッキ層を
形成する。次に、コア主面112とコア裏面113のベ
タ状導体層上にそれぞれ所定パターンのエッチングレジ
スト層を、公知のフォトリソグラフィ技術により形成す
る。そして、エッチングレジスト層から露出する導体層
をエッチング除去し、導体層をパターン化する。その
後、エッチングレジスト層を除去すれば、図3に示すよ
うに、コア主面112に所定パターンの主面側第1導体
層141が、コア裏面113に所定パターンの裏面側第
1導体層161が形成される。
ついて説明する。まず、コア基板111を用意する(図
3参照)。そして、これにドリル等で所定の位置にスル
ーホール115を穿孔する。次に、Cu無電解メッキと
Cu電解メッキを順次施し、スルーホール115の内周
面に略筒状のスルーホール導体116を形成すると共
に、コア主面112とコア裏面113の略全面にベタ状
導体層を形成する。次に、スルーホール導体116内に
樹脂充填体117を形成する。具体的には、スルーホー
ル導体116の孔に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、スルーホール導体116内に樹脂ペーストを
印刷充填し、その後、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹
脂充填体117を形成する。そして、樹脂充填体117
の端部を研磨除去し、コア主面112及びコア裏面11
3を面一にする。さらに、Cu無電解メッキとCu電解
メッキを順次施し、樹脂充填体117上に蓋メッキ層を
形成する。次に、コア主面112とコア裏面113のベ
タ状導体層上にそれぞれ所定パターンのエッチングレジ
スト層を、公知のフォトリソグラフィ技術により形成す
る。そして、エッチングレジスト層から露出する導体層
をエッチング除去し、導体層をパターン化する。その
後、エッチングレジスト層を除去すれば、図3に示すよ
うに、コア主面112に所定パターンの主面側第1導体
層141が、コア裏面113に所定パターンの裏面側第
1導体層161が形成される。
【0033】次に、主面側第1絶縁層形成工程におい
て、コア主面112及び主面側第1導体層141上に、
所定の位置に多数のビア孔122を有する主面側第1絶
縁層121を形成する(図4参照)。具体的には、コア
主面112及び主面側第1導体層141上に、エポキシ
樹脂等からなる半硬化の主面側第1絶縁層を形成し、ビ
ア孔122に対応した所定パターンのマスクを用いて露
光し、その後現像する。その後、さらに加熱処理し硬化
させて、所定パターンの主面側第1絶縁層121を形成
する。また同様にして、裏面側第1絶縁層形成工程にお
いて、コア裏面113及び裏面側第1導体層161上
に、所定の位置に多数のビア孔132を有する裏面側第
1絶縁層131を形成する。
て、コア主面112及び主面側第1導体層141上に、
所定の位置に多数のビア孔122を有する主面側第1絶
縁層121を形成する(図4参照)。具体的には、コア
主面112及び主面側第1導体層141上に、エポキシ
樹脂等からなる半硬化の主面側第1絶縁層を形成し、ビ
ア孔122に対応した所定パターンのマスクを用いて露
光し、その後現像する。その後、さらに加熱処理し硬化
させて、所定パターンの主面側第1絶縁層121を形成
する。また同様にして、裏面側第1絶縁層形成工程にお
いて、コア裏面113及び裏面側第1導体層161上
に、所定の位置に多数のビア孔132を有する裏面側第
1絶縁層131を形成する。
【0034】次に、ビア導体・主面側第2導体層・裏面
側第2導体層形成工程において、図4に示すように、主
面側第1絶縁層121のビア孔122にビア導体123
を形成すると共に、裏面側第1絶縁層131のビア孔1
32にビア導体133を形成する。また、主面側第1絶
縁層121上に主面側第2導体層143を形成し、裏面
側第1絶縁層131上に裏面側第2導体層163を形成
する。具体的には、Cu無電解メッキを施し、主面側第
1絶縁層121上及びそのビア孔122内、裏面側第1
絶縁層131上及びそのビア孔132内に、無電解メッ
キ層を形成する。次に、主面側第1絶縁層121上の無
電解メッキ層上に、所定パターンのメッキレジスト層
を、公知のフォトリソグラフィー技術により形成する。
また、裏面側第1絶縁層131上の無電解メッキ層上に
も、同様に所定パターンのメッキレジスト層を形成す
る。次に、Cu電解メッキを施し、各々のメッキレジス
ト層から露出する無電解メッキ層上に電解メッキ層を形
成する。その後、メッキレジスト層をそれぞれ剥離し
て、露出した無電解メッキ層をエッチングにより除去
し、所定パターンの主面側第2導体層143と裏面側第
2導体層163を形成する。
側第2導体層形成工程において、図4に示すように、主
面側第1絶縁層121のビア孔122にビア導体123
を形成すると共に、裏面側第1絶縁層131のビア孔1
32にビア導体133を形成する。また、主面側第1絶
縁層121上に主面側第2導体層143を形成し、裏面
側第1絶縁層131上に裏面側第2導体層163を形成
する。具体的には、Cu無電解メッキを施し、主面側第
1絶縁層121上及びそのビア孔122内、裏面側第1
絶縁層131上及びそのビア孔132内に、無電解メッ
キ層を形成する。次に、主面側第1絶縁層121上の無
電解メッキ層上に、所定パターンのメッキレジスト層
を、公知のフォトリソグラフィー技術により形成する。
また、裏面側第1絶縁層131上の無電解メッキ層上に
も、同様に所定パターンのメッキレジスト層を形成す
る。次に、Cu電解メッキを施し、各々のメッキレジス
ト層から露出する無電解メッキ層上に電解メッキ層を形
成する。その後、メッキレジスト層をそれぞれ剥離し
て、露出した無電解メッキ層をエッチングにより除去
し、所定パターンの主面側第2導体層143と裏面側第
2導体層163を形成する。
【0035】次に、主面側第2絶縁層形成工程におい
て、主面側第1絶縁層形成工程と同様にして、主面側第
1絶縁層121及び主面側第2導体層143上に、所定
の位置に多数のビア孔125を有する主面側第2絶縁層
124を形成する(図5参照)。また同様に、裏面側第
2絶縁層形成工程において、裏面側第1絶縁層131及
び裏面側第2導体層163上に、所定の位置に多数のビ
ア孔135を有する裏面側第2絶縁層134を形成す
る。
て、主面側第1絶縁層形成工程と同様にして、主面側第
1絶縁層121及び主面側第2導体層143上に、所定
の位置に多数のビア孔125を有する主面側第2絶縁層
124を形成する(図5参照)。また同様に、裏面側第
2絶縁層形成工程において、裏面側第1絶縁層131及
び裏面側第2導体層163上に、所定の位置に多数のビ
ア孔135を有する裏面側第2絶縁層134を形成す
る。
【0036】次に、ビア導体・主面側第3導体層・裏面
側第3導体層形成工程において、図5に示すように、主
面側第2絶縁層124のビア孔125にビア導体126
を形成すると共に、裏面側第2絶縁層134のビア孔1
35にビア導体136を形成する。また、主面側第2絶
縁層121上に主面側第3導体層145を形成し、裏面
側第1絶縁層134上に裏面側第2導体層165を形成
する。この工程は、上記のビア導体・主面側第2導体層
・裏面側第2導体層形成工程と同様に行えばよい。
側第3導体層形成工程において、図5に示すように、主
面側第2絶縁層124のビア孔125にビア導体126
を形成すると共に、裏面側第2絶縁層134のビア孔1
35にビア導体136を形成する。また、主面側第2絶
縁層121上に主面側第3導体層145を形成し、裏面
側第1絶縁層134上に裏面側第2導体層165を形成
する。この工程は、上記のビア導体・主面側第2導体層
・裏面側第2導体層形成工程と同様に行えばよい。
【0037】次に、主面側ソルダーレジスト層形成工程
において、主面側第1絶縁層形成工程と同様にして、図
6に示すように、主面側第2絶縁層124及び主面側第
3導体層145上に、所定の位置に多数の主面側開口1
28を有する主面側ソルダーレジスト層127を、公知
のフォトリソグラフィ技術により形成する。また同様
に、裏面側ソルダーレジスト層形成工程において、裏面
側第2絶縁層134及び裏面側第3導体層165上に、
所定の位置に多数の裏面側開口138を有する裏面側ソ
ルダーレジスト層137を、公知のフォトリソグラフィ
技術により形成する。
において、主面側第1絶縁層形成工程と同様にして、図
6に示すように、主面側第2絶縁層124及び主面側第
3導体層145上に、所定の位置に多数の主面側開口1
28を有する主面側ソルダーレジスト層127を、公知
のフォトリソグラフィ技術により形成する。また同様
に、裏面側ソルダーレジスト層形成工程において、裏面
側第2絶縁層134及び裏面側第3導体層165上に、
所定の位置に多数の裏面側開口138を有する裏面側ソ
ルダーレジスト層137を、公知のフォトリソグラフィ
技術により形成する。
【0038】次に、Niメッキ工程(金属層形成工程)
において、Niメッキを施し、主面側ソルダーレジスト
層127の主面側開口128内に露出する主面側パッド
147上に主面側Niメッキ層149を形成すると共
に、裏面側ソルダーレジスト層137の裏面側開口13
8内に露出する裏面側パッド167上に裏面側Niメッ
キ層169を形成する(図1、図2及び図7参照)。具
体的には、主面側Niメッキ層149が主面側ソルダー
レジスト層127の表面127Hを越えて約10μm突
出するまで、Niメッキを施し、厚さ約30μmの主面
側Niメッキ層149及び裏面側Niメッキ層169を
形成する。なお、上記Niメッキは、無電解Niメッキ
を用いたが、これに限らず電解Niメッキを用いてもよ
い。また、Niメッキを主成分とするNi−Pメッキを
施してもよい。
において、Niメッキを施し、主面側ソルダーレジスト
層127の主面側開口128内に露出する主面側パッド
147上に主面側Niメッキ層149を形成すると共
に、裏面側ソルダーレジスト層137の裏面側開口13
8内に露出する裏面側パッド167上に裏面側Niメッ
キ層169を形成する(図1、図2及び図7参照)。具
体的には、主面側Niメッキ層149が主面側ソルダー
レジスト層127の表面127Hを越えて約10μm突
出するまで、Niメッキを施し、厚さ約30μmの主面
側Niメッキ層149及び裏面側Niメッキ層169を
形成する。なお、上記Niメッキは、無電解Niメッキ
を用いたが、これに限らず電解Niメッキを用いてもよ
い。また、Niメッキを主成分とするNi−Pメッキを
施してもよい。
【0039】次に、Niメッキ層粗化工程(金属層粗化
工程)において、主面側Niメッキ層149の表面14
9H及び裏面側Niメッキ層169の表面を、表面粗さ
Ra=約0.2〜0.5μmに粗化する。具体的には、
ニッケル表面粗化剤(例えば、メック社製メックニッケ
ルラフナーNR−1870)により、主面側Niメッキ
層149の表面149H及び裏面側Niメッキ層169
の表面を荒らす。
工程)において、主面側Niメッキ層149の表面14
9H及び裏面側Niメッキ層169の表面を、表面粗さ
Ra=約0.2〜0.5μmに粗化する。具体的には、
ニッケル表面粗化剤(例えば、メック社製メックニッケ
ルラフナーNR−1870)により、主面側Niメッキ
層149の表面149H及び裏面側Niメッキ層169
の表面を荒らす。
【0040】次に、Auメッキ工程において、Auメッ
キを施し、主面側Niメッキ層149上に厚さ約0.0
5μmのごく薄い主面側Auメッキ層150を形成する
と共に、裏面側Niメッキ層169上にも厚さ約0.0
5μmのごく薄い裏面側Auメッキ層170を形成する
(図1及び図7参照)。
キを施し、主面側Niメッキ層149上に厚さ約0.0
5μmのごく薄い主面側Auメッキ層150を形成する
と共に、裏面側Niメッキ層169上にも厚さ約0.0
5μmのごく薄い裏面側Auメッキ層170を形成する
(図1及び図7参照)。
【0041】次に、ハンダバンプ形成工程において、主
面側Niメッキ層149上にハンダバンプ151を形成
する。具体的には、主面側ソルダーレジスト層127の
主面側開口128に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、主面側Auメッキ層150上にハンダペース
トをそれぞれ印刷する。その後、これをリフローすれ
ば、Auメッキがハンダ内に拡散し、主面側Niメッキ
層149上にハンダバンプ151が形成される(図1及
び図2参照)。以上のようにして、配線基板101が完
成する。
面側Niメッキ層149上にハンダバンプ151を形成
する。具体的には、主面側ソルダーレジスト層127の
主面側開口128に対応した所定パターンの印刷マスク
を用いて、主面側Auメッキ層150上にハンダペース
トをそれぞれ印刷する。その後、これをリフローすれ
ば、Auメッキがハンダ内に拡散し、主面側Niメッキ
層149上にハンダバンプ151が形成される(図1及
び図2参照)。以上のようにして、配線基板101が完
成する。
【0042】以上で説明したように、本実施形態の配線
基板101の製造方法では、主面側パッド147上に形
成された主面側Niメッキ層149の表面149Hを粗
化する粗化工程を備える。このため、ハンダバンプ形成
工程で主面側Niメッキ層149上にハンダバンプ15
1を形成したときに、主面側Niメッキ層149とハン
ダバンプ151との接合強度を、アンカー効果により高
くすることができる。従って、ハンダバンプ151の接
続信頼性を向上させることができる。
基板101の製造方法では、主面側パッド147上に形
成された主面側Niメッキ層149の表面149Hを粗
化する粗化工程を備える。このため、ハンダバンプ形成
工程で主面側Niメッキ層149上にハンダバンプ15
1を形成したときに、主面側Niメッキ層149とハン
ダバンプ151との接合強度を、アンカー効果により高
くすることができる。従って、ハンダバンプ151の接
続信頼性を向上させることができる。
【0043】さらに、本実施形態では、金属層形成工程
を、Niメッキで行う。このため、金属層(主面側Ni
メッキ層)149とハンダバンプ151との接合強度を
向上させることができる。また、Niはハンダ内に拡散
することもないことから、ハンダバンプ151を形成し
たときに、金属層149がハンダバンプ151に食われ
たり、ハンダバンプ151の組成が変わってその融点が
変化するなどの問題が生じない。さらに、生産性や生産
コストの面で優れ、安価に配線基板101を製造するこ
とができる。
を、Niメッキで行う。このため、金属層(主面側Ni
メッキ層)149とハンダバンプ151との接合強度を
向上させることができる。また、Niはハンダ内に拡散
することもないことから、ハンダバンプ151を形成し
たときに、金属層149がハンダバンプ151に食われ
たり、ハンダバンプ151の組成が変わってその融点が
変化するなどの問題が生じない。さらに、生産性や生産
コストの面で優れ、安価に配線基板101を製造するこ
とができる。
【0044】また、本実施形態では、Niメッキ工程に
おいて、主面側Niメッキ層149が主面側ソルダーレ
ジスト層127の表面127Hを越えて突出するまで、
メッキを施し、主面側Niメッキ層149を形成する。
このため、ハンダバンプ151は主面側ソルダーレジス
ト層127の表面127Hよりも上部に形成されるの
で、ハンダバンプ151に外力が加わったときに、ハン
ダバンプ151が主面側Niメッキ層149から取れや
すくなる。しかし、上述したように、主面側Niメッキ
層149の表面149Hは粗化され、主面側Niメッキ
層149とハンダバンプ151との接合強度が高くされ
ているので、ハンダバンプ151が主面側ソルダーレジ
スト層127よりも上部に形成されるにもかかわらず、
ハンダバンプ151の接続信頼性を高くすることができ
る。
おいて、主面側Niメッキ層149が主面側ソルダーレ
ジスト層127の表面127Hを越えて突出するまで、
メッキを施し、主面側Niメッキ層149を形成する。
このため、ハンダバンプ151は主面側ソルダーレジス
ト層127の表面127Hよりも上部に形成されるの
で、ハンダバンプ151に外力が加わったときに、ハン
ダバンプ151が主面側Niメッキ層149から取れや
すくなる。しかし、上述したように、主面側Niメッキ
層149の表面149Hは粗化され、主面側Niメッキ
層149とハンダバンプ151との接合強度が高くされ
ているので、ハンダバンプ151が主面側ソルダーレジ
スト層127よりも上部に形成されるにもかかわらず、
ハンダバンプ151の接続信頼性を高くすることができ
る。
【0045】(変形形態1)次いで、上記実施形態の変
形形態1について説明する。なお、上記実施形態と同様
な部分の説明は、省略または簡略化する。本変形形態1
の配線基板は、上記配線基板101のハンダバンプ15
1を形成する前の状態のものである(図7参照)。即
ち、主面側パッド147上には、主面側Niメッキ層
(金属層)149が形成され、さらにその表面149H
には主面側Auメッキ層150が被着し、ハンダバンプ
151は存在しない。その他の部分は、上記実施形態の
配線基板101と同様である。
形形態1について説明する。なお、上記実施形態と同様
な部分の説明は、省略または簡略化する。本変形形態1
の配線基板は、上記配線基板101のハンダバンプ15
1を形成する前の状態のものである(図7参照)。即
ち、主面側パッド147上には、主面側Niメッキ層
(金属層)149が形成され、さらにその表面149H
には主面側Auメッキ層150が被着し、ハンダバンプ
151は存在しない。その他の部分は、上記実施形態の
配線基板101と同様である。
【0046】このような配線基板は、主面側パッド14
7上に形成された主面側Niメッキ層(金属層)149
の表面149Hが粗化されている。このため、この表面
149H上にハンダバンプ151を形成したときに、主
面側Niメッキ層149とハンダバンプ151との接続
を、アンカー効果により高くすることができる。従っ
て、ハンダバンプ151の接続信頼性を向上させること
ができる。その他、上記実施形態の配線基板101と同
様な部分については、同様な効果を奏する。
7上に形成された主面側Niメッキ層(金属層)149
の表面149Hが粗化されている。このため、この表面
149H上にハンダバンプ151を形成したときに、主
面側Niメッキ層149とハンダバンプ151との接続
を、アンカー効果により高くすることができる。従っ
て、ハンダバンプ151の接続信頼性を向上させること
ができる。その他、上記実施形態の配線基板101と同
様な部分については、同様な効果を奏する。
【0047】(変形形態2)次いで、上記実施形態の第
2の変形形態について、図を参照しつつ説明する。な
お、上記実施形態等と同様な部分の説明は、省略または
簡略化する。本変形形態2の配線基板201について、
図8に基板主面102側の要部の部分拡大断面図を示
す。この配線基板201では、ビア導体がすべてフィル
ドビアである。即ち、主面側第1絶縁層121には、こ
れを貫通するビア孔222が所定の位置に多数形成さ
れ、このビア孔222にはCuメッキで充填されたフィ
ルドビア223がそれぞれ形成されている。また、主面
側第2絶縁層124にも、これを貫通するビア孔225
が所定の位置に多数形成され、このビア孔225にはC
uメッキで充填されたフィルドビア226がそれぞれ形
成されている。基板裏面103側のビア導体についても
同様である。
2の変形形態について、図を参照しつつ説明する。な
お、上記実施形態等と同様な部分の説明は、省略または
簡略化する。本変形形態2の配線基板201について、
図8に基板主面102側の要部の部分拡大断面図を示
す。この配線基板201では、ビア導体がすべてフィル
ドビアである。即ち、主面側第1絶縁層121には、こ
れを貫通するビア孔222が所定の位置に多数形成さ
れ、このビア孔222にはCuメッキで充填されたフィ
ルドビア223がそれぞれ形成されている。また、主面
側第2絶縁層124にも、これを貫通するビア孔225
が所定の位置に多数形成され、このビア孔225にはC
uメッキで充填されたフィルドビア226がそれぞれ形
成されている。基板裏面103側のビア導体についても
同様である。
【0048】このうち、主面側第2絶縁層124に形成
されたフィルドビア226の一部は、主面側パッド24
7として、主面側ソルダーレジスト層127の主面側開
口128の下にそれぞれ位置している。具体的には、こ
れらのフィルドビア(主面側パッド)247は、主面側
第2絶縁層124を貫通して形成され、その表面の中央
部が主面側開口128の底面をなし、その周縁部が主面
側ソルダーレジスト層127に覆われている。そして、
主面側パッド247のうち、主面側開口128の底面を
なす中央部上には、主面側ソルダーレジスト層127の
表面127Hを越えて突出する、上記実施形態と同様な
表面149Hが粗化された主面側Niメッキ層(金属
層)149がそれぞれ形成されている。さらに、この主
面側Niメッキ層149の表面149上には、略半球状
に突出するハンダバンプ151がそれぞれ溶着してい
る。これらのハンダバンプ151は、主面側Niメッキ
層149との接合強度がアンカー効果により高くなって
いる。
されたフィルドビア226の一部は、主面側パッド24
7として、主面側ソルダーレジスト層127の主面側開
口128の下にそれぞれ位置している。具体的には、こ
れらのフィルドビア(主面側パッド)247は、主面側
第2絶縁層124を貫通して形成され、その表面の中央
部が主面側開口128の底面をなし、その周縁部が主面
側ソルダーレジスト層127に覆われている。そして、
主面側パッド247のうち、主面側開口128の底面を
なす中央部上には、主面側ソルダーレジスト層127の
表面127Hを越えて突出する、上記実施形態と同様な
表面149Hが粗化された主面側Niメッキ層(金属
層)149がそれぞれ形成されている。さらに、この主
面側Niメッキ層149の表面149上には、略半球状
に突出するハンダバンプ151がそれぞれ溶着してい
る。これらのハンダバンプ151は、主面側Niメッキ
層149との接合強度がアンカー効果により高くなって
いる。
【0049】このような配線基板201も、主面側Ni
メッキ層(金属層)149の表面149Hが粗化され、
この表面149H上にハンダバンプ151が溶着してい
る。このため、主面側Niメッキ層149とハンダバン
プ151との接続を、アンカー効果により高くすること
ができる。従って、ハンダバンプ151の接続信頼性を
向上させることができる。その他、上記実施形態の配線
基板101と同様な部分については、同様な効果を奏す
る。
メッキ層(金属層)149の表面149Hが粗化され、
この表面149H上にハンダバンプ151が溶着してい
る。このため、主面側Niメッキ層149とハンダバン
プ151との接続を、アンカー効果により高くすること
ができる。従って、ハンダバンプ151の接続信頼性を
向上させることができる。その他、上記実施形態の配線
基板101と同様な部分については、同様な効果を奏す
る。
【0050】なお、本変形形態2の配線基板201は、
公知のフィルドビア用メッキ液を利用することにより製
造することができる。即ち、ビア導体・主面側第2導体
層・裏面側第2導体層形成工程において、椀状ビア導体
を形成するときに用いる電解メッキ液の代わりに、フィ
ルドビア形成用の電解メッキ液を使用する。また、ビア
導体・主面側第3導体層・裏面側第3導体層形成工程に
ついても同様である。
公知のフィルドビア用メッキ液を利用することにより製
造することができる。即ち、ビア導体・主面側第2導体
層・裏面側第2導体層形成工程において、椀状ビア導体
を形成するときに用いる電解メッキ液の代わりに、フィ
ルドビア形成用の電解メッキ液を使用する。また、ビア
導体・主面側第3導体層・裏面側第3導体層形成工程に
ついても同様である。
【0051】(変形形態3)次いで、上記実施形態の第
3の変形形態について、図を参照しつつ説明する。な
お、上記実施形態等と同様な部分の説明は、省略または
簡略化する。本変形形態3の配線基板301について、
図9に基板主面102側の要部の部分拡大断面図を示
す。この配線基板301では、主面側第2絶縁層124
に形成されたビア導体126の一部が、主面側パッド3
47として、主面側ソルダーレジスト層127の主面側
開口128の下にそれぞれ位置している。具体的には、
これらのビア導体126(主面側パッド347)は、主
面側第2絶縁層124を貫通して形成され、その椀状に
凹んだ中央部が主面側開口128の底面をなし、その周
縁部が主面側ソルダーレジスト層127に覆われてい
る。
3の変形形態について、図を参照しつつ説明する。な
お、上記実施形態等と同様な部分の説明は、省略または
簡略化する。本変形形態3の配線基板301について、
図9に基板主面102側の要部の部分拡大断面図を示
す。この配線基板301では、主面側第2絶縁層124
に形成されたビア導体126の一部が、主面側パッド3
47として、主面側ソルダーレジスト層127の主面側
開口128の下にそれぞれ位置している。具体的には、
これらのビア導体126(主面側パッド347)は、主
面側第2絶縁層124を貫通して形成され、その椀状に
凹んだ中央部が主面側開口128の底面をなし、その周
縁部が主面側ソルダーレジスト層127に覆われてい
る。
【0052】そして、主面側パッド347のうち、主面
側開口128の底面をなす中央部上には、主面側パッド
(ビア導体)347の内壁面に沿って厚さ約7μmの主
面側Niメッキ層(金属層)349がそれぞれ形成され
ている。この主面側Niメッキ層349も、その表面3
49Hが上記実施形態等と同様に粗化されている。ま
た、主面側Niメッキ層349の表面349H上には、
主面側開口128の内部からソルダーレジスト層127
の表面127Hを越えて略半球状に突出するハンダバン
プ351がそれぞれ溶着している。これらのハンダバン
プ351は、主面側Niメッキ層349との接合強度が
アンカー効果により高くなっている。
側開口128の底面をなす中央部上には、主面側パッド
(ビア導体)347の内壁面に沿って厚さ約7μmの主
面側Niメッキ層(金属層)349がそれぞれ形成され
ている。この主面側Niメッキ層349も、その表面3
49Hが上記実施形態等と同様に粗化されている。ま
た、主面側Niメッキ層349の表面349H上には、
主面側開口128の内部からソルダーレジスト層127
の表面127Hを越えて略半球状に突出するハンダバン
プ351がそれぞれ溶着している。これらのハンダバン
プ351は、主面側Niメッキ層349との接合強度が
アンカー効果により高くなっている。
【0053】このような配線基板301も、主面側Ni
メッキ層(金属層)349の表面349Hが粗化され、
この表面349H上にハンダバンプ351が溶着してい
る。このため、主面側Niメッキ層349とハンダバン
プ351との接合強度を、アンカー効果により高くする
ことができる。従って、ハンダバンプ351の接続信頼
性を向上させることができる。その他、上記実施形態の
配線基板101と同様な部分については、同様な効果を
奏する。なお、本変形形態3の配線基板301は、上記
実施形態1の配線基板101と同様にして製造すること
ができる。
メッキ層(金属層)349の表面349Hが粗化され、
この表面349H上にハンダバンプ351が溶着してい
る。このため、主面側Niメッキ層349とハンダバン
プ351との接合強度を、アンカー効果により高くする
ことができる。従って、ハンダバンプ351の接続信頼
性を向上させることができる。その他、上記実施形態の
配線基板101と同様な部分については、同様な効果を
奏する。なお、本変形形態3の配線基板301は、上記
実施形態1の配線基板101と同様にして製造すること
ができる。
【0054】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形
態及び変形形態1,2では、主面側パッド147,24
7上の主面側Niメッキ層149が主面側ソルダーレジ
スト層127の表面127Hを越えて突出するものを示
したが、主面側Niメッキ層149の表面149Hと主
面側ソルダーレジスト層127の表面127Hを面一と
してもよい。
説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形
態及び変形形態1,2では、主面側パッド147,24
7上の主面側Niメッキ層149が主面側ソルダーレジ
スト層127の表面127Hを越えて突出するものを示
したが、主面側Niメッキ層149の表面149Hと主
面側ソルダーレジスト層127の表面127Hを面一と
してもよい。
【図1】実施形態に係る配線基板の部分断面図である。
【図2】実施形態に係る配線基板の基板主面側の部分拡
大断面図である。
大断面図である。
【図3】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、コ
ア基板にスルーホール導体や主面側第1導体層、裏面側
第1導体層等を形成した様子を示す説明図である。
ア基板にスルーホール導体や主面側第1導体層、裏面側
第1導体層等を形成した様子を示す説明図である。
【図4】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第1絶縁層、裏面側第1絶縁層、主面側第2導体
層、裏面側第2導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。
面側第1絶縁層、裏面側第1絶縁層、主面側第2導体
層、裏面側第2導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。
【図5】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側第2絶縁層、裏面側第2絶縁層、主面側第3導体
層、裏面側第3導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。
面側第2絶縁層、裏面側第2絶縁層、主面側第3導体
層、裏面側第3導体層等を形成した様子を示す説明図で
ある。
【図6】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側ソルダーレジスト層と裏面側ソルダーレジスト層を
形成した様子を示す説明図である。
面側ソルダーレジスト層と裏面側ソルダーレジスト層を
形成した様子を示す説明図である。
【図7】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、主
面側Niメッキ層と主面側Auメッキ層を形成した様子
を示す説明図である。
面側Niメッキ層と主面側Auメッキ層を形成した様子
を示す説明図である。
【図8】変形形態2に係る配線基板の基板主面側の部分
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図9】変形形態3に係る配線基板の基板主面側の部分
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図10】従来技術に係る配線基板の基板主面側の部分
拡大断面図である。
拡大断面図である。
101,201,301 配線基板
111 コア基板
121 主面側第1絶縁層
124 主面側第2絶縁層
127 主面側ソルダーレジスト層
127H (主面側ソルダーレジスト層の)表面
128 主面側開口
147,247,347 主面側パッド
149,349 主面側Niメッキ層(金属層)
149H,349H (主面側Niメッキ層の)表面
150 主面側Auメッキ層
151,351 ハンダバンプ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 橋本 浩幸
愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日
本特殊陶業株式会社内
(72)発明者 山崎 耕三
愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日
本特殊陶業株式会社内
Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 AC01 AC15 AC16
AC17 BB04 GG03 GG09 GG20
Claims (7)
- 【請求項1】絶縁層と、 上記絶縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジス
ト層と、 上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形成さ
れ、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッドと、 上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に形成
された金属層と、を備える配線基板であって、 上記金属層の表面が粗化されている配線基板。 - 【請求項2】絶縁層と、 上記絶縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジス
ト層と、 上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形成さ
れ、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッドと、 上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に形成
された金属層と、 上記金属層の表面上に形成され、この金属層と溶着する
ハンダバンプと、を備える配線基板であって、 上記金属層の表面が粗化されている配線基板。 - 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の配線基板
であって、 前記金属層は、NiまたはNiを主成分とする配線基
板。 - 【請求項4】請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載
の配線基板であって、 前記金属層の表面が前記ソルダーレジスト層の表面と面
一であるか、または、上記金属層が上記ソルダーレジス
ト層の表面を越えて突出している配線基板。 - 【請求項5】絶縁層と、 上記絶縁層上に積層され、開口を有するソルダーレジス
ト層と、 上記絶縁層の表面にまたは上記絶縁層を貫通して形成さ
れ、少なくとも一部が上記開口の底面をなすパッドと、 上記パッドのうち上記開口の底面をなす部分の上に形成
された金属層と、を備える配線基板の製造方法であっ
て、 上記金属層の表面を粗化する金属層粗化工程を備える配
線基板の製造方法。 - 【請求項6】請求項5に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記開口にメッキにより前記金属層を形成する金属層形
成工程であって、上記金属層の表面が前記ソルダーレジ
スト層の表面と面一となるか、または、上記金属層が上
記ソルダーレジスト層の表面を越えて突出するまで、上
記メッキを施し、上記金属層を形成する金属層形成工程
を備える配線基板の製造方法。 - 【請求項7】請求項6に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記メッキは、NiまたはNiを主成分とする配線基板
の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001344918A JP2003152320A (ja) | 2001-11-09 | 2001-11-09 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007028856A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電気接続箱 |
JP2011204730A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Hitachi Chem Co Ltd | モジュール基板およびその製造方法 |
JP2014501451A (ja) * | 2010-12-24 | 2014-01-20 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
JP2014239200A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | ツーハイ アドバンスド チップ キャリアーズ アンド エレクトロニック サブストレート ソリューションズ テクノロジーズ カンパニー リミテッド | 新規な終端部およびチップと基板との間の連結部 |
-
2001
- 2001-11-09 JP JP2001344918A patent/JP2003152320A/ja active Pending
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