JP2003332716A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板及び配線基板の製造方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィルドビア導体上に接続端子が形成された
配線基板について、ハンダにボイドが生じるのを防止
し、信頼性を向上させることができる配線基板及び配線
基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 配線基板１０１は、ビアホール１２５を
有する主面側第２絶縁層１２４と、このビアホール１２
５に形成されたフィルドビア導体１２８と、このフィル
ドビア導体１２８の表面に被着した主面側Ｎｉメッキ層
１３６とを備える。このうちフィルドビア導体１２８
は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とさ
れ、また、主面側Ｎｉメッキ層１３６も、フィルドビア
導体１２８の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされている。
配線基板について、ハンダにボイドが生じるのを防止
し、信頼性を向上させることができる配線基板及び配線
基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 配線基板１０１は、ビアホール１２５を
有する主面側第２絶縁層１２４と、このビアホール１２
５に形成されたフィルドビア導体１２８と、このフィル
ドビア導体１２８の表面に被着した主面側Ｎｉメッキ層
１３６とを備える。このうちフィルドビア導体１２８
は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とさ
れ、また、主面側Ｎｉメッキ層１３６も、フィルドビア
導体１２８の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や他の基
板の端子などと接続される接続端子を有する配線基板及
び配線基板の製造方法に関し、特に、ビア導体上に接続
端子が形成された、あるいは、ビア導体自体が接続端子
とされた配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
板の端子などと接続される接続端子を有する配線基板及
び配線基板の製造方法に関し、特に、ビア導体上に接続
端子が形成された、あるいは、ビア導体自体が接続端子
とされた配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ビア導体上に接続端子が形成
された配線基板が知られている。例えば、図１８に基板
主面９０２側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板９
０１が挙げられる。この配線基板９０１は、ＩＣチップ
を搭載する基板主面９０２と、基板裏面（図示しない）
とを有する略板形状である。配線基板９０１は、図１８
に示すように、第１樹脂絶縁層９０５を備える。その上
には、所定の位置にビアホール９０８を有する第２樹脂
絶縁層９０７が積層されている。さらにその上には、所
定の位置に開口９１０を有するソルダーレジスト層９０
９が積層されている。
された配線基板が知られている。例えば、図１８に基板
主面９０２側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板９
０１が挙げられる。この配線基板９０１は、ＩＣチップ
を搭載する基板主面９０２と、基板裏面（図示しない）
とを有する略板形状である。配線基板９０１は、図１８
に示すように、第１樹脂絶縁層９０５を備える。その上
には、所定の位置にビアホール９０８を有する第２樹脂
絶縁層９０７が積層されている。さらにその上には、所
定の位置に開口９１０を有するソルダーレジスト層９０
９が積層されている。
【０００３】第１樹脂絶縁層９０５と第２樹脂絶縁層９
０７との層間には、板状のパッド９１１が形成されてい
る。このパッド９１１の中央部上には、第２樹脂絶縁層
９０７のビアホール９０８が位置し、ビアホール９０８
には、パッド９１１に接続するフィルドビア導体９１３
（ビアホール９０８が導体で充填されたビア導体）が形
成されている。このフィルドビア導体９１３の表面の中
央部上には、ソルダーレジスト層９０９の開口９１０が
位置し、開口９１０内には、フィルドビア導体９１３に
接続する板状のＮｉメッキ層（金属層）９１５が形成さ
れている。さらに、このＮｉメッキ層９１５には、ハン
ダバンプ９１６が溶着し、開口９１０内からソルダーレ
ジスト層９０９の表面を越えて突出している。これらＮ
ｉメッキ層９１５とハンダバンプ９１６が、ＩＣチップ
の端子と接続される接続端子９１７である。
０７との層間には、板状のパッド９１１が形成されてい
る。このパッド９１１の中央部上には、第２樹脂絶縁層
９０７のビアホール９０８が位置し、ビアホール９０８
には、パッド９１１に接続するフィルドビア導体９１３
（ビアホール９０８が導体で充填されたビア導体）が形
成されている。このフィルドビア導体９１３の表面の中
央部上には、ソルダーレジスト層９０９の開口９１０が
位置し、開口９１０内には、フィルドビア導体９１３に
接続する板状のＮｉメッキ層（金属層）９１５が形成さ
れている。さらに、このＮｉメッキ層９１５には、ハン
ダバンプ９１６が溶着し、開口９１０内からソルダーレ
ジスト層９０９の表面を越えて突出している。これらＮ
ｉメッキ層９１５とハンダバンプ９１６が、ＩＣチップ
の端子と接続される接続端子９１７である。
【０００４】このような配線基板９０１は、次のように
製造する。即ち、第１樹脂絶縁層９０５とパッド９１１
とビアホール９０８を有する第２樹脂絶縁層９０７とが
形成された基板を用意する。そして、この基板に、フィ
ルドビア導体形成用の電解メッキ液を用いてＣｕメッキ
を施し、ビアホール９０８をメッキで充填してフィルド
ビア導体９１３を形成する。このとき、フィルドビア導
体９１３の表面は、通常、若干凹むか平らになる。次
に、第２樹脂絶縁層９０７上に、開口９１０を有するソ
ルダーレジスト層９０９を形成する。その後、Ｎｉメッ
キを施し、開口９１０内に露出するフィルドビア導体９
１３の表面に、Ｎｉメッキ層９１５を被着させる。その
際、Ｎｉメッキ層９１５の表面も、フィルドビア導体９
１３の表面に倣って、若干凹むか平らになる。その後さ
らに、Ａｕメッキを施し、Ｎｉメッキ層９１５上にＡｕ
メッキ層を被着させる。次に、開口９１０に対応した所
定パターンの印刷マスクを用いて、あるいは、ディスペ
ンサー等を用いて、開口９１０にハンダペーストを塗布
し、その後、これをリフローしてハンダバンプ９１６を
形成する。その際、Ａｕメッキは、ハンダ内に拡散する
ので、ハンダバンプ９１６は、上述したようにＮｉメッ
キ層９１５上に形成される。なお、このような技術に関
連する文献として、例えば、特許文献１が挙げられる。
製造する。即ち、第１樹脂絶縁層９０５とパッド９１１
とビアホール９０８を有する第２樹脂絶縁層９０７とが
形成された基板を用意する。そして、この基板に、フィ
ルドビア導体形成用の電解メッキ液を用いてＣｕメッキ
を施し、ビアホール９０８をメッキで充填してフィルド
ビア導体９１３を形成する。このとき、フィルドビア導
体９１３の表面は、通常、若干凹むか平らになる。次
に、第２樹脂絶縁層９０７上に、開口９１０を有するソ
ルダーレジスト層９０９を形成する。その後、Ｎｉメッ
キを施し、開口９１０内に露出するフィルドビア導体９
１３の表面に、Ｎｉメッキ層９１５を被着させる。その
際、Ｎｉメッキ層９１５の表面も、フィルドビア導体９
１３の表面に倣って、若干凹むか平らになる。その後さ
らに、Ａｕメッキを施し、Ｎｉメッキ層９１５上にＡｕ
メッキ層を被着させる。次に、開口９１０に対応した所
定パターンの印刷マスクを用いて、あるいは、ディスペ
ンサー等を用いて、開口９１０にハンダペーストを塗布
し、その後、これをリフローしてハンダバンプ９１６を
形成する。その際、Ａｕメッキは、ハンダ内に拡散する
ので、ハンダバンプ９１６は、上述したようにＮｉメッ
キ層９１５上に形成される。なお、このような技術に関
連する文献として、例えば、特許文献１が挙げられる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１３４８６２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、開口９
１０に塗布したハンダペーストをリフローしたときに、
図１８中に破線で示すように、ハンダバンプ９１６に気
泡（ボイド）ＢＤを生じることがある。ハンダペースト
を塗布する際に、空気が巻き込まれやすいためであり、
また、リフロー時にフラックスが逃げ切れず、ハンダ内
に残るためであると考えられる。このようにハンダバン
プ９１６にボイドＢＤが内包されると、配線基板９０１
に熱ストレスが掛かったときなどに、このボイドＢＤを
起点としたクラックが発生しやすい。つまり、接続端子
９１７に電気的な接続不良が生じやすく、配線基板９０
１の信頼性に劣る。
１０に塗布したハンダペーストをリフローしたときに、
図１８中に破線で示すように、ハンダバンプ９１６に気
泡（ボイド）ＢＤを生じることがある。ハンダペースト
を塗布する際に、空気が巻き込まれやすいためであり、
また、リフロー時にフラックスが逃げ切れず、ハンダ内
に残るためであると考えられる。このようにハンダバン
プ９１６にボイドＢＤが内包されると、配線基板９０１
に熱ストレスが掛かったときなどに、このボイドＢＤを
起点としたクラックが発生しやすい。つまり、接続端子
９１７に電気的な接続不良が生じやすく、配線基板９０
１の信頼性に劣る。
【０００７】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、フィルドビア導体上に接続端子が形成された
配線基板、あるいは、フィルドビア導体自体が接続端子
とされた配線基板について、ハンダにボイドが生じるの
を防止し、信頼性を向上させることができる配線基板及
び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
であって、フィルドビア導体上に接続端子が形成された
配線基板、あるいは、フィルドビア導体自体が接続端子
とされた配線基板について、ハンダにボイドが生じるの
を防止し、信頼性を向上させることができる配線基板及
び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、ビアホールを有する絶縁層と、上記ビアホール
に形成されたフィルドビア導体と、上記フィルドビア導
体の表面に被着した金属層と、を備える配線基板であっ
て、上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされ、上記金属層も、上記フィ
ルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らん
だ形状とされている配線基板である。
手段は、ビアホールを有する絶縁層と、上記ビアホール
に形成されたフィルドビア導体と、上記フィルドビア導
体の表面に被着した金属層と、を備える配線基板であっ
て、上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされ、上記金属層も、上記フィ
ルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らん
だ形状とされている配線基板である。
【０００９】この配線基板は、ＩＣチップ等の電子部品
の端子やマザーボード等の他の基板の端子（以下、これ
らを外部の端子とも言う）などと接続される接続端子と
して、フィルドビア導体の表面に形成された金属層を備
える。そして、本発明では、フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、ま
た、その表面に被着した金属層も、フィルドビア導体の
表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされて
いる。このような配線基板は、金属層にハンダを形成す
るときに、ハンダにボイドが生じにくい。その理由は、
金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダペース
トを塗布したときに、空気の巻き込みが減るためである
と考えられる。また、リフロー時にフラックス成分がハ
ンダの重心に集まりやすいところ、金属層の表面が膨ら
んでいることにより、ハンダの重心からハンダの表面ま
での距離が短くなるため、フラックス成分が表面に移動
しやすくなり、ボイドとしての内包が低減されるためで
あると考えられる。従って、配線基板に熱ストレスが掛
かったときなどにも、応力がボイド部分に局所的に集中
することがなくなるので、ハンダのクラック耐性が向上
する。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、ハン
ダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向
上させることができる。
の端子やマザーボード等の他の基板の端子（以下、これ
らを外部の端子とも言う）などと接続される接続端子と
して、フィルドビア導体の表面に形成された金属層を備
える。そして、本発明では、フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、ま
た、その表面に被着した金属層も、フィルドビア導体の
表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされて
いる。このような配線基板は、金属層にハンダを形成す
るときに、ハンダにボイドが生じにくい。その理由は、
金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダペース
トを塗布したときに、空気の巻き込みが減るためである
と考えられる。また、リフロー時にフラックス成分がハ
ンダの重心に集まりやすいところ、金属層の表面が膨ら
んでいることにより、ハンダの重心からハンダの表面ま
での距離が短くなるため、フラックス成分が表面に移動
しやすくなり、ボイドとしての内包が低減されるためで
あると考えられる。従って、配線基板に熱ストレスが掛
かったときなどにも、応力がボイド部分に局所的に集中
することがなくなるので、ハンダのクラック耐性が向上
する。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、ハン
ダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向
上させることができる。
【００１０】なお、フィルドビア導体は、その表面が凸
状に膨らんだ膨出部を有する形状であればよく、表面全
体が膨らんだものでも、表面の一部（例えば中央部）が
膨らんだものでもよい。また、金属層は、上記の要件を
満たすものであればいずれのものでもよく、例えば、Ｎ
ｉ層、Ｓｎ層、Ｃｕ層、Ｐｄ層、Ａｕ層や、これらを主
成分とする金属層などが挙げられる。また、１層からな
る金属層の他、例えば、Ｎｉ層上にＡｕ層が形成された
Ｎｉ／Ａｕ層など２層以上からなる金属層でもよい。ま
た、絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即
ち、絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセ
ラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、
エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材
料などの複合材料などであってもよい。
状に膨らんだ膨出部を有する形状であればよく、表面全
体が膨らんだものでも、表面の一部（例えば中央部）が
膨らんだものでもよい。また、金属層は、上記の要件を
満たすものであればいずれのものでもよく、例えば、Ｎ
ｉ層、Ｓｎ層、Ｃｕ層、Ｐｄ層、Ａｕ層や、これらを主
成分とする金属層などが挙げられる。また、１層からな
る金属層の他、例えば、Ｎｉ層上にＡｕ層が形成された
Ｎｉ／Ａｕ層など２層以上からなる金属層でもよい。ま
た、絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即
ち、絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセ
ラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、
エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材
料などの複合材料などであってもよい。
【００１１】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、を備える配線基板であって、上記フィルドビア
導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状
とされている配線基板である。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、を備える配線基板であって、上記フィルドビア
導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状
とされている配線基板である。
【００１２】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子としてのフィルドビア導体を備える。そし
て、本発明では、このフィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。この
ような配線基板は、フィルドビア導体上にハンダを形成
するときに、フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、ハン
ダのクラック耐性を向上させることができる。よって、
接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の
信頼性を向上させることができる。またさらに、フィル
ドビア導体の表面が膨らんでいることにより、ハンダと
の接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向上さ
せることができる。
れる接続端子としてのフィルドビア導体を備える。そし
て、本発明では、このフィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。この
ような配線基板は、フィルドビア導体上にハンダを形成
するときに、フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、ハン
ダのクラック耐性を向上させることができる。よって、
接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の
信頼性を向上させることができる。またさらに、フィル
ドビア導体の表面が膨らんでいることにより、ハンダと
の接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向上さ
せることができる。
【００１３】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層
と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備
える配線基板であって、上記フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、上記
金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、その
表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板であ
る。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層
と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備
える配線基板であって、上記フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、上記
金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、その
表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板であ
る。
【００１４】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に形成さ
れた金属層とこれに溶着したハンダバンプとを備える。
そして、本発明では、フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、また、その
表面に被着した金属層も、フィルドビア導体の表面に倣
って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている。こ
のような配線基板は、その製造にあたり、金属層にハン
ダバンプを形成するときに、金属層の表面が凸状に膨ら
んでいるため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従
って、ハンダバンプのクラック耐性を向上させることが
できる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じに
くく、配線基板の信頼性を向上させることができる。ま
たさらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、ハ
ンダバンプとの接合面積が増加するので、ハンダバンプ
の接合強度を向上させることができる。
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に形成さ
れた金属層とこれに溶着したハンダバンプとを備える。
そして、本発明では、フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、また、その
表面に被着した金属層も、フィルドビア導体の表面に倣
って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている。こ
のような配線基板は、その製造にあたり、金属層にハン
ダバンプを形成するときに、金属層の表面が凸状に膨ら
んでいるため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従
って、ハンダバンプのクラック耐性を向上させることが
できる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じに
くく、配線基板の信頼性を向上させることができる。ま
たさらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、ハ
ンダバンプとの接合面積が増加するので、ハンダバンプ
の接合強度を向上させることができる。
【００１５】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダ
バンプと、を備える配線基板であって、上記フィルドビ
ア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形
状とされている配線基板である。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダ
バンプと、を備える配線基板であって、上記フィルドビ
ア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形
状とされている配線基板である。
【００１６】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に溶着し
たハンダバンプを備える。そして、本発明では、フィル
ドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有す
る形状とされている。このような配線基板は、その製造
にあたり、フィルドビア導体上にハンダバンプを形成す
るときに、フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんでい
るため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従って、
ハンダバンプのクラック耐性を向上させることができ
る。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、フィルドビア導体の表面が膨らんでいることに
より、ハンダバンプとの接合面積が増加するので、ハン
ダバンプの接合強度を向上させることができる。
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に溶着し
たハンダバンプを備える。そして、本発明では、フィル
ドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有す
る形状とされている。このような配線基板は、その製造
にあたり、フィルドビア導体上にハンダバンプを形成す
るときに、フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんでい
るため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従って、
ハンダバンプのクラック耐性を向上させることができ
る。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、フィルドビア導体の表面が膨らんでいることに
より、ハンダバンプとの接合面積が増加するので、ハン
ダバンプの接合強度を向上させることができる。
【００１７】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記開口内において上記フィ
ルドビア導体の表面に被着した金属層と、を備える配線
基板であって、上記フィルドビア導体は、上記開口内に
おいてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状と
され、上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣
って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線
基板である。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記開口内において上記フィ
ルドビア導体の表面に被着した金属層と、を備える配線
基板であって、上記フィルドビア導体は、上記開口内に
おいてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状と
され、上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣
って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線
基板である。
【００１８】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いてフィルドビア導体の表面に形成された金属層を備え
る。そして、本発明では、フィルドビア導体は、ソルダ
ーレジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされ、また、その表面に被着し
た金属層も、フィルドビア導体の表面に倣って、その表
面が凸状に膨らんだ形状とされている。このような配線
基板は、金属層にハンダを形成するときに、金属層の表
面が凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じに
くい。従って、ハンダのクラック耐性を向上させること
ができる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じ
にくく、配線基板の信頼性を向上させることができる。
またさらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、
ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度
を向上させることができる。
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いてフィルドビア導体の表面に形成された金属層を備え
る。そして、本発明では、フィルドビア導体は、ソルダ
ーレジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされ、また、その表面に被着し
た金属層も、フィルドビア導体の表面に倣って、その表
面が凸状に膨らんだ形状とされている。このような配線
基板は、金属層にハンダを形成するときに、金属層の表
面が凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じに
くい。従って、ハンダのクラック耐性を向上させること
ができる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じ
にくく、配線基板の信頼性を向上させることができる。
またさらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、
ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度
を向上させることができる。
【００１９】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記開口内において上記フィ
ルドビア導体の表面に被着した金属層と、上記金属層の
表面に溶着したハンダバンプと、を備える配線基板であ
って、上記フィルドビア導体は、上記開口内においてそ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、上
記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、そ
の表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板であ
る。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記開口内において上記フィ
ルドビア導体の表面に被着した金属層と、上記金属層の
表面に溶着したハンダバンプと、を備える配線基板であ
って、上記フィルドビア導体は、上記開口内においてそ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、上
記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、そ
の表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板であ
る。
【００２０】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いてフィルドビア導体の表面に形成された金属層とこれ
に溶着したハンダバンプとを備える。そして、本発明で
は、フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内
においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状
とされ、また、その表面に被着した金属層も、フィルド
ビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形
状とされている。このような配線基板は、その製造にあ
たり、金属層にハンダバンプを形成するときに、金属層
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプにボイ
ドが生じにくい。従って、ハンダバンプのクラック耐性
を向上させることができる。よって、接続端子に電気的
な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上させ
ることができる。またさらに、金属層の表面が膨らんで
いることにより、ハンダバンプとの接合面積が増加する
ので、ハンダバンプの接合強度を向上させることができ
る。
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いてフィルドビア導体の表面に形成された金属層とこれ
に溶着したハンダバンプとを備える。そして、本発明で
は、フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内
においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状
とされ、また、その表面に被着した金属層も、フィルド
ビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形
状とされている。このような配線基板は、その製造にあ
たり、金属層にハンダバンプを形成するときに、金属層
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプにボイ
ドが生じにくい。従って、ハンダバンプのクラック耐性
を向上させることができる。よって、接続端子に電気的
な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上させ
ることができる。またさらに、金属層の表面が膨らんで
いることにより、ハンダバンプとの接合面積が増加する
ので、ハンダバンプの接合強度を向上させることができ
る。
【００２１】上記のいずれかに記載の配線基板であっ
て、前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表
面よりも低位にある配線基板とすると良い。
て、前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表
面よりも低位にある配線基板とすると良い。
【００２２】前述の通り、ハンダにボイドが生じるのを
抑制するためには、フィルドビア導体の表面を膨らま
せ、金属層の表面を膨らませるのがよい。しかし、金属
層の表面がソルダーレジスト層の表面を越えると、例え
ば、搭載するＩＣチップやチップコンデンサ等の電子部
品の端子と接触するため、電子部品のマウント状態に悪
影響を及ぼすことがある。これに対し、本発明では、金
属層の表面がソルダーレジスト層の表面よりも低位であ
るので、電子部品等の端子を接続端子に接続したとき
に、電子部品等を良好な状態で搭載することができる。
一方、金属層の表面は膨らんでいるので、前述したよう
に、ハンダにボイドが生じるのを抑制することができ
る。
抑制するためには、フィルドビア導体の表面を膨らま
せ、金属層の表面を膨らませるのがよい。しかし、金属
層の表面がソルダーレジスト層の表面を越えると、例え
ば、搭載するＩＣチップやチップコンデンサ等の電子部
品の端子と接触するため、電子部品のマウント状態に悪
影響を及ぼすことがある。これに対し、本発明では、金
属層の表面がソルダーレジスト層の表面よりも低位であ
るので、電子部品等の端子を接続端子に接続したとき
に、電子部品等を良好な状態で搭載することができる。
一方、金属層の表面は膨らんでいるので、前述したよう
に、ハンダにボイドが生じるのを抑制することができ
る。
【００２３】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、を備える配線基板であって、
上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板である。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、を備える配線基板であって、
上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板である。
【００２４】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子としてのフィルドビア導体を備える。そし
て、本発明では、このフィルドビア導体は、ソルダーレ
ジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている。このような配線基板
は、フィルドビア導体上にハンダを形成するときに、フ
ィルドビア導体の表面が凸状に膨らんでいるため、ハン
ダにボイドが生じにくい。従って、ハンダのクラック耐
性を向上させることができる。よって、接続端子に電気
的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上さ
せることができる。またさらに、フィルドビア導体の表
面が膨らんでいることにより、ハンダとの接合面積が増
加するので、ハンダの接合強度を向上させることができ
る。
れる接続端子としてのフィルドビア導体を備える。そし
て、本発明では、このフィルドビア導体は、ソルダーレ
ジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている。このような配線基板
は、フィルドビア導体上にハンダを形成するときに、フ
ィルドビア導体の表面が凸状に膨らんでいるため、ハン
ダにボイドが生じにくい。従って、ハンダのクラック耐
性を向上させることができる。よって、接続端子に電気
的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上さ
せることができる。またさらに、フィルドビア導体の表
面が膨らんでいることにより、ハンダとの接合面積が増
加するので、ハンダの接合強度を向上させることができ
る。
【００２５】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記フィルドビア導体の表面
に溶着したハンダバンプと、を備える配線基板であっ
て、上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている
配線基板である。
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記フィルドビア導体の表面
に溶着したハンダバンプと、を備える配線基板であっ
て、上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている
配線基板である。
【００２６】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に溶着し
たハンダバンプを備える。そして、本発明では、フィル
ドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内においてそ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされてい
る。このような配線基板は、その製造にあたり、フィル
ドビア導体上にハンダバンプを形成するときに、フィル
ドビア導体の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバ
ンプにボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプのク
ラック耐性を向上させることができる。よって、接続端
子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性
を向上させることができる。またさらに、フィルドビア
導体の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプと
の接合面積が増加するので、ハンダバンプの接合強度を
向上させることができる。
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に溶着し
たハンダバンプを備える。そして、本発明では、フィル
ドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内においてそ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされてい
る。このような配線基板は、その製造にあたり、フィル
ドビア導体上にハンダバンプを形成するときに、フィル
ドビア導体の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバ
ンプにボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプのク
ラック耐性を向上させることができる。よって、接続端
子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性
を向上させることができる。またさらに、フィルドビア
導体の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプと
の接合面積が増加するので、ハンダバンプの接合強度を
向上させることができる。
【００２７】上記のいずれかに記載の配線基板であっ
て、前記フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジ
スト層の表面よりも低位にある配線基板とすると良い。
て、前記フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジ
スト層の表面よりも低位にある配線基板とすると良い。
【００２８】本発明では、フィルドビア導体の表面がソ
ルダーレジスト層の表面よりも低位である。このため、
電子部品等の端子を接続端子に接続したときに、電子部
品等を良好な状態で搭載することができる。一方、フィ
ルドビア導体の表面は膨らんでいるので、前述したよう
に、ハンダにボイドが生じるのを抑制することができ
る。
ルダーレジスト層の表面よりも低位である。このため、
電子部品等の端子を接続端子に接続したときに、電子部
品等を良好な状態で搭載することができる。一方、フィ
ルドビア導体の表面は膨らんでいるので、前述したよう
に、ハンダにボイドが生じるのを抑制することができ
る。
【００２９】また、他の解決手段は、第１ビアホールと
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第１フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、を備える配線基板であって、上記第１フィルド
ビア導体は、上記開口内においてその表面が凸状に膨ら
んだ膨出部を有する形状とされ、上記金属層も、上記第
１フィルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に
膨らんだ形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、そ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされてい
る配線基板である。
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第１フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、を備える配線基板であって、上記第１フィルド
ビア導体は、上記開口内においてその表面が凸状に膨ら
んだ膨出部を有する形状とされ、上記金属層も、上記第
１フィルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に
膨らんだ形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、そ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされてい
る配線基板である。
【００３０】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いて第１フィルドビア導体の表面に形成された金属層を
備える。そして、本発明では、第１フィルドビア導体
は、ソルダーレジスト層の開口内においてその表面が凸
状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、また、その表
面に被着した金属層も、第１フィルドビア導体の表面に
倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている。
このような配線基板は、金属層にハンダを形成するとき
に、金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダに
ボイドが生じにくい。従って、ハンダのクラック耐性を
向上させることができる。よって、接続端子に電気的な
接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上させる
ことができる。またさらに、金属層の表面が膨らんでい
ることにより、ハンダとの接合面積が増加するので、ハ
ンダの接合強度を向上させることができる。
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いて第１フィルドビア導体の表面に形成された金属層を
備える。そして、本発明では、第１フィルドビア導体
は、ソルダーレジスト層の開口内においてその表面が凸
状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、また、その表
面に被着した金属層も、第１フィルドビア導体の表面に
倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている。
このような配線基板は、金属層にハンダを形成するとき
に、金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダに
ボイドが生じにくい。従って、ハンダのクラック耐性を
向上させることができる。よって、接続端子に電気的な
接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上させる
ことができる。またさらに、金属層の表面が膨らんでい
ることにより、ハンダとの接合面積が増加するので、ハ
ンダの接合強度を向上させることができる。
【００３１】他方、この配線基板は、ソルダーレジスト
層の覆われた第２フィルドビア導体を備える。このよう
なビア導体を有する配線基板は、その製造にあたり、ソ
ルダーレジスト層を形成したとき、ビア導体上にボイド
が生じる可能性がある。ボイドが生じると、その部分か
らソルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対
し、本発明では、第２フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。この
ため、ソルダーレジスト層を形成したときに、第２フィ
ルドビア導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基
板の信頼性を向上させることができる。
層の覆われた第２フィルドビア導体を備える。このよう
なビア導体を有する配線基板は、その製造にあたり、ソ
ルダーレジスト層を形成したとき、ビア導体上にボイド
が生じる可能性がある。ボイドが生じると、その部分か
らソルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対
し、本発明では、第２フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。この
ため、ソルダーレジスト層を形成したときに、第２フィ
ルドビア導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基
板の信頼性を向上させることができる。
【００３２】また、他の解決手段は、第１ビアホールと
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第１フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、
を備える配線基板であって、上記第１フィルドビア導体
は、上記開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出
部を有する形状とされ、上記金属層も、上記第１フィル
ドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線基
板である。
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第１フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、
を備える配線基板であって、上記第１フィルドビア導体
は、上記開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出
部を有する形状とされ、上記金属層も、上記第１フィル
ドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線基
板である。
【００３３】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いて第１フィルドビア導体の表面に形成された金属層と
これに溶着したハンダバンプとを備える。そして、本発
明では、第１フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層
の開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有
する形状とされ、また、その表面に被着した金属層も、
第１フィルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状
に膨らんだ形状とされている。このような配線基板は、
その製造にあたり、金属層にハンダバンプを形成すると
きに、金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダ
バンプにボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプの
クラック耐性を向上させることができる。よって、接続
端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼
性を向上させることができる。またさらに、金属層の表
面が膨らんでいることにより、ハンダバンプとの接合面
積が増加するので、ハンダバンプの接合強度を向上させ
ることができる。
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いて第１フィルドビア導体の表面に形成された金属層と
これに溶着したハンダバンプとを備える。そして、本発
明では、第１フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層
の開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有
する形状とされ、また、その表面に被着した金属層も、
第１フィルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状
に膨らんだ形状とされている。このような配線基板は、
その製造にあたり、金属層にハンダバンプを形成すると
きに、金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダ
バンプにボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプの
クラック耐性を向上させることができる。よって、接続
端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼
性を向上させることができる。またさらに、金属層の表
面が膨らんでいることにより、ハンダバンプとの接合面
積が増加するので、ハンダバンプの接合強度を向上させ
ることができる。
【００３４】他方、本発明では、ソルダーレジスト層の
覆われた第２フィルドビア導体を備えるが、この第２フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第２フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
覆われた第２フィルドビア導体を備えるが、この第２フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第２フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
【００３５】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト
層の表面よりも低位にある配線基板とすると良い。
であって、前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト
層の表面よりも低位にある配線基板とすると良い。
【００３６】本発明では、金属層の表面がソルダーレジ
スト層の表面よりも低位である。このため、電子部品等
の端子を接続端子に接続したときに、電子部品等を良好
な状態で搭載することができる。一方、金属層の表面は
膨らんでいるので、前述したように、ハンダにボイドが
生じるのを抑制することができる。
スト層の表面よりも低位である。このため、電子部品等
の端子を接続端子に接続したときに、電子部品等を良好
な状態で搭載することができる。一方、金属層の表面は
膨らんでいるので、前述したように、ハンダにボイドが
生じるのを抑制することができる。
【００３７】また、他の解決手段は、第１ビアホールと
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、を備える配
線基板であって、上記第１フィルドビア導体は、上記開
口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する
形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線基
板である。
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、を備える配
線基板であって、上記第１フィルドビア導体は、上記開
口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する
形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線基
板である。
【００３８】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子としての第１フィルドビア導体を備える。
そして、本発明では、この第１フィルドビア導体は、ソ
ルダーレジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨
らんだ膨出部を有する形状とされている。このような配
線基板は、第１フィルドビア導体上にハンダを形成する
ときに、第１フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、ハン
ダのクラック耐性を向上させることができる。よって、
接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の
信頼性を向上させることができる。またさらに、第１フ
ィルドビア導体の表面が膨らんでいることにより、ハン
ダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向
上させることができる。
れる接続端子としての第１フィルドビア導体を備える。
そして、本発明では、この第１フィルドビア導体は、ソ
ルダーレジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨
らんだ膨出部を有する形状とされている。このような配
線基板は、第１フィルドビア導体上にハンダを形成する
ときに、第１フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、ハン
ダのクラック耐性を向上させることができる。よって、
接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の
信頼性を向上させることができる。またさらに、第１フ
ィルドビア導体の表面が膨らんでいることにより、ハン
ダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向
上させることができる。
【００３９】他方、本発明では、ソルダーレジスト層の
覆われた第２フィルドビア導体を備えるが、この第２フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第２フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
覆われた第２フィルドビア導体を備えるが、この第２フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第２フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
【００４０】また、他の解決手段は、第１ビアホールと
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記第１フ
ィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプと、を備
える配線基板であって、上記第１フィルドビア導体は、
上記開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている
配線基板である。
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記第１フ
ィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプと、を備
える配線基板であって、上記第１フィルドビア導体は、
上記開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされ、上記第２フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている
配線基板である。
【００４１】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、第１フィルドビア導体の表面に溶
着したハンダバンプを備える。そして、本発明では、第
１フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内に
おいてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状と
されている。このような配線基板は、その製造にあた
り、第１フィルドビア導体上にハンダバンプを形成する
ときに、第１フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従っ
て、ハンダバンプのクラック耐性を向上させることがで
きる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、第１フィルドビア導体の表面が膨らんでいるこ
とにより、ハンダバンプとの接合面積が増加するので、
ハンダバンプの接合強度を向上させることができる。
れる接続端子として、第１フィルドビア導体の表面に溶
着したハンダバンプを備える。そして、本発明では、第
１フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内に
おいてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状と
されている。このような配線基板は、その製造にあた
り、第１フィルドビア導体上にハンダバンプを形成する
ときに、第１フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従っ
て、ハンダバンプのクラック耐性を向上させることがで
きる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、第１フィルドビア導体の表面が膨らんでいるこ
とにより、ハンダバンプとの接合面積が増加するので、
ハンダバンプの接合強度を向上させることができる。
【００４２】他方、本発明では、ソルダーレジスト層の
覆われた第２フィルドビア導体を備えるが、この第２フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第２フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
覆われた第２フィルドビア導体を備えるが、この第２フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第２フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
【００４３】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記第１フィルドビア導体の表面は、前記ソ
ルダーレジスト層の表面よりも低位にある配線基板とす
ると良い。
であって、前記第１フィルドビア導体の表面は、前記ソ
ルダーレジスト層の表面よりも低位にある配線基板とす
ると良い。
【００４４】本発明では、第１フィルドビア導体の表面
がソルダーレジスト層の表面よりも低位である。このた
め、電子部品等の端子を接続端子に接続したときに、電
子部品等を良好な状態で搭載することができる。一方、
第１フィルドビア導体の表面は膨らんでいるので、前述
したように、ハンダにボイドが生じるのを抑制すること
ができる。
がソルダーレジスト層の表面よりも低位である。このた
め、電子部品等の端子を接続端子に接続したときに、電
子部品等を良好な状態で搭載することができる。一方、
第１フィルドビア導体の表面は膨らんでいるので、前述
したように、ハンダにボイドが生じるのを抑制すること
ができる。
【００４５】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記ソルダーレジスト層のうち、前記第２フ
ィルドビア導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、
５μｍ以上である配線基板とすると良い。
であって、前記ソルダーレジスト層のうち、前記第２フ
ィルドビア導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、
５μｍ以上である配線基板とすると良い。
【００４６】第２フィルドビア導体の表面を凸状に膨ら
ませると、第２フィルドビア導体上にボイドが生じるの
を防止することができる。しかし、この膨出部の高さが
高くなり、その上のソルダーレジスト層の厚みが薄くな
り過ぎると、配線基板の外観が損なわれる。これに対
し、本発明では、ソルダーレジスト層のうち、第２フィ
ルドビア導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、５
μｍ以上であるので、第２フィルドビア導体上にボイド
が生じるのを防止することができる上、配線基板の外観
も良好とすることができる。
ませると、第２フィルドビア導体上にボイドが生じるの
を防止することができる。しかし、この膨出部の高さが
高くなり、その上のソルダーレジスト層の厚みが薄くな
り過ぎると、配線基板の外観が損なわれる。これに対
し、本発明では、ソルダーレジスト層のうち、第２フィ
ルドビア導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、５
μｍ以上であるので、第２フィルドビア導体上にボイド
が生じるのを防止することができる上、配線基板の外観
も良好とすることができる。
【００４７】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記第２フィルドビア導体は、その表面全面
が粗化面である配線基板とすると良い。
であって、前記第２フィルドビア導体は、その表面全面
が粗化面である配線基板とすると良い。
【００４８】第２フィルドビア導体の表面のうち凸状に
膨出した部分が粗化されていない場合には、この膨出部
からソルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対
し、本発明では、膨出部を含め、第２フィルドビア導体
の表面全面が粗化面である。従って、第２フィルドビア
導体とソルダーレジスト層との密着強度を向上させるこ
とができる。
膨出した部分が粗化されていない場合には、この膨出部
からソルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対
し、本発明では、膨出部を含め、第２フィルドビア導体
の表面全面が粗化面である。従って、第２フィルドビア
導体とソルダーレジスト層との密着強度を向上させるこ
とができる。
【００４９】さらに、上記の配線基板であって、前記ソ
ルダーレジスト層は、真空ラミネートにより形成されて
なり、前記第２フィルドビア導体の膨出部の高さは、１
５μｍ以下である配線基板とするのが好ましい。
ルダーレジスト層は、真空ラミネートにより形成されて
なり、前記第２フィルドビア導体の膨出部の高さは、１
５μｍ以下である配線基板とするのが好ましい。
【００５０】ソルダーレジスト層が真空ラミネートによ
り形成される場合には、第２フィルドビア導体の膨出部
の高さが高いと、搬送ローラや真空シールローラにより
膨出部が擦れて潰れ、粗化面の表面粗度が低下し、なめ
らかな面になる。このようになると、この膨出部からソ
ルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対し、本
発明では、この膨出部の高さが１５μｍ以下であるの
で、導体粗化後にソルダーレジスト層を形成したとき
に、真空シールローラ等により膨出部が多少潰れること
はあっても、その表面粗度はある程度維持される。従っ
て、第２フィルドビア導体とソルダーレジスト層との密
着強度を向上させ、配線基板の信頼性を向上させること
ができる。
り形成される場合には、第２フィルドビア導体の膨出部
の高さが高いと、搬送ローラや真空シールローラにより
膨出部が擦れて潰れ、粗化面の表面粗度が低下し、なめ
らかな面になる。このようになると、この膨出部からソ
ルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対し、本
発明では、この膨出部の高さが１５μｍ以下であるの
で、導体粗化後にソルダーレジスト層を形成したとき
に、真空シールローラ等により膨出部が多少潰れること
はあっても、その表面粗度はある程度維持される。従っ
て、第２フィルドビア導体とソルダーレジスト層との密
着強度を向上させ、配線基板の信頼性を向上させること
ができる。
【００５１】さらに、上記の配線基板であって、前記第
２フィルドビア導体の膨出部の高さは、５μｍ以下であ
る配線基板とするのが好ましい。
２フィルドビア導体の膨出部の高さは、５μｍ以下であ
る配線基板とするのが好ましい。
【００５２】本発明によれば、第２フィルドビア導体の
膨出部の高さが５μｍ以下とさらに低いので、ソルダー
レジスト層を形成したときに、膨出部自体が潰れにくく
なり、その表面粗度が維持される。従って、第２フィル
ドビア導体とソルダーレジスト層との密着強度をさらに
向上させ、さらに配線基板の信頼性を向上させることが
できる。
膨出部の高さが５μｍ以下とさらに低いので、ソルダー
レジスト層を形成したときに、膨出部自体が潰れにくく
なり、その表面粗度が維持される。従って、第２フィル
ドビア導体とソルダーレジスト層との密着強度をさらに
向上させ、さらに配線基板の信頼性を向上させることが
できる。
【００５３】また、他の解決手段は、第１ビアホールと
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第１フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、
を備え、上記第１フィルドビア導体は、上記開口内にお
いてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とさ
れ、上記金属層も、上記第１フィルドビア導体の表面に
倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、上記第
２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出
部を有する形状とされている配線基板の製造方法であっ
て、電解メッキにより、上記膨出部を有する第１フィル
ドビア導体と上記膨出部を有する第２フィルドビア導体
とを同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上
記膨出部の高さが１５μｍ以下の上記第２フィルドビア
導体を形成するフィルドビア形成工程と、上記第２フィ
ルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工程と、真空ラ
ミネートにより、前記絶縁層上に前記ソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を備える
配線基板の製造方法である。
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第１フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、
を備え、上記第１フィルドビア導体は、上記開口内にお
いてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とさ
れ、上記金属層も、上記第１フィルドビア導体の表面に
倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、上記第
２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出
部を有する形状とされている配線基板の製造方法であっ
て、電解メッキにより、上記膨出部を有する第１フィル
ドビア導体と上記膨出部を有する第２フィルドビア導体
とを同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上
記膨出部の高さが１５μｍ以下の上記第２フィルドビア
導体を形成するフィルドビア形成工程と、上記第２フィ
ルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工程と、真空ラ
ミネートにより、前記絶縁層上に前記ソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を備える
配線基板の製造方法である。
【００５４】前述したように、第２フィルドビア導体の
表面のうち凸状に膨出した部分が粗化されていない場合
には、この膨出部からソルダーレジスト層が剥がれやす
くなるので、第２フィルドビア導体の表面全面を粗化す
るのがよい。しかし、ソルダーレジスト層を真空ラミネ
ートにより形成する場合には、膨出部の高さが高いと、
搬送ローラや真空シールローラにより膨出部が擦れて潰
れ、粗化面の表面粗度が低下し、なめらかな面になる。
このようになると、この膨出部からソルダーレジスト層
が剥がれやすくなる。
表面のうち凸状に膨出した部分が粗化されていない場合
には、この膨出部からソルダーレジスト層が剥がれやす
くなるので、第２フィルドビア導体の表面全面を粗化す
るのがよい。しかし、ソルダーレジスト層を真空ラミネ
ートにより形成する場合には、膨出部の高さが高いと、
搬送ローラや真空シールローラにより膨出部が擦れて潰
れ、粗化面の表面粗度が低下し、なめらかな面になる。
このようになると、この膨出部からソルダーレジスト層
が剥がれやすくなる。
【００５５】これに対し、本発明では、電解メッキによ
り、膨出部を有する第１フィルドビア導体と膨出部を有
する第２フィルドビア導体とを同時に形成するフィルド
ビア形成工程において、膨出部の高さが１５μｍ以下の
第２フィルドビア導体を形成する。そして、第２フィル
ドビア導体の表面全面を粗化し、その後、真空ラミネー
トにより、絶縁層及び第２フィルドビア導体上にソルダ
ーレジスト層を形成する。このように第２フィルドビア
導体の膨出部の高さを１５μｍ以下と抑えれば、導体の
粗化後、ソルダーレジスト層を形成したときに、膨出部
が多少潰れることはあっても、その表面粗度はある程度
維持される。従って、第２フィルドビア導体とソルダー
レジスト層との密着強度を向上させ、信頼性を向上させ
ることができる。
り、膨出部を有する第１フィルドビア導体と膨出部を有
する第２フィルドビア導体とを同時に形成するフィルド
ビア形成工程において、膨出部の高さが１５μｍ以下の
第２フィルドビア導体を形成する。そして、第２フィル
ドビア導体の表面全面を粗化し、その後、真空ラミネー
トにより、絶縁層及び第２フィルドビア導体上にソルダ
ーレジスト層を形成する。このように第２フィルドビア
導体の膨出部の高さを１５μｍ以下と抑えれば、導体の
粗化後、ソルダーレジスト層を形成したときに、膨出部
が多少潰れることはあっても、その表面粗度はある程度
維持される。従って、第２フィルドビア導体とソルダー
レジスト層との密着強度を向上させ、信頼性を向上させ
ることができる。
【００５６】また、他の解決手段は、第１ビアホールと
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記第１フ
ィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプと、を備
え、上記第１フィルドビア導体は、上記開口内において
その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、
上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、電解メッキにより、上記膨出部を有する第１
フィルドビア導体と上記膨出部を有する第２フィルドビ
ア導体とを同時に形成するフィルドビア形成工程であっ
て、上記膨出部の高さが１５μｍ以下の上記第２フィル
ドビア導体を形成するフィルドビア形成工程と、上記第
２フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工程と、
真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法である。
第２ビアホールを有する絶縁層と、上記第１ビアホール
に形成された第１フィルドビア導体と、上記第２ビアホ
ールに形成された第２フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第１フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第２フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記第１フ
ィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプと、を備
え、上記第１フィルドビア導体は、上記開口内において
その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、
上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、電解メッキにより、上記膨出部を有する第１
フィルドビア導体と上記膨出部を有する第２フィルドビ
ア導体とを同時に形成するフィルドビア形成工程であっ
て、上記膨出部の高さが１５μｍ以下の上記第２フィル
ドビア導体を形成するフィルドビア形成工程と、上記第
２フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工程と、
真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法である。
【００５７】本発明では、電解メッキにより、膨出部を
有する第１フィルドビア導体と膨出部を有する第２フィ
ルドビア導体とを同時に形成するフィルドビア形成工程
において、膨出部の高さが１５μｍ以下の第２フィルド
ビア導体を形成する。そして、第２フィルドビア導体の
表面全面を粗化し、その後、真空ラミネートにより、絶
縁層及び第２フィルドビア導体上にソルダーレジスト層
を形成する。このように第２フィルドビア導体の膨出部
の高さを１５μｍ以下と抑えれば、導体の粗化後、ソル
ダーレジスト層を形成したときに、膨出部が多少潰れる
ことはあっても、その表面粗度はある程度維持される。
従って、第２フィルドビア導体とソルダーレジスト層と
の密着強度を向上させ、信頼性を向上させることができ
る。
有する第１フィルドビア導体と膨出部を有する第２フィ
ルドビア導体とを同時に形成するフィルドビア形成工程
において、膨出部の高さが１５μｍ以下の第２フィルド
ビア導体を形成する。そして、第２フィルドビア導体の
表面全面を粗化し、その後、真空ラミネートにより、絶
縁層及び第２フィルドビア導体上にソルダーレジスト層
を形成する。このように第２フィルドビア導体の膨出部
の高さを１５μｍ以下と抑えれば、導体の粗化後、ソル
ダーレジスト層を形成したときに、膨出部が多少潰れる
ことはあっても、その表面粗度はある程度維持される。
従って、第２フィルドビア導体とソルダーレジスト層と
の密着強度を向上させ、信頼性を向上させることができ
る。
【００５８】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記フィルドビア形成工程において、前記膨出部の
高さが５μｍ以下の前記第２フィルドビア導体を形成す
る配線基板の製造方法とすると良い。
て、前記フィルドビア形成工程において、前記膨出部の
高さが５μｍ以下の前記第２フィルドビア導体を形成す
る配線基板の製造方法とすると良い。
【００５９】本発明によれば、第２フィルドビア導体の
膨出部の高さを５μｍ以下とさらに低くしている。この
ようにすれば、ソルダーレジスト層を形成したときに、
膨出部自体が潰れにくくなり、その表面粗度が維持され
る。従って、第２フィルドビア導体とソルダーレジスト
層との密着強度をさらに向上させ、さらに信頼性を向上
させることができる。
膨出部の高さを５μｍ以下とさらに低くしている。この
ようにすれば、ソルダーレジスト層を形成したときに、
膨出部自体が潰れにくくなり、その表面粗度が維持され
る。従って、第２フィルドビア導体とソルダーレジスト
層との密着強度をさらに向上させ、さらに信頼性を向上
させることができる。
【００６０】
【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の
配線基板１０１について、図１に部分断面図を示す。ま
た、図２に主面側接続端子１３５近傍の部分拡大断面図
を、図３に主面側第２絶縁層１２４の第２フィルドビア
導体１３０近傍の部分拡大断面図を、図４に裏面側接続
端子１５５近傍の部分拡大断面図を示す。
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の
配線基板１０１について、図１に部分断面図を示す。ま
た、図２に主面側接続端子１３５近傍の部分拡大断面図
を、図３に主面側第２絶縁層１２４の第２フィルドビア
導体１３０近傍の部分拡大断面図を、図４に裏面側接続
端子１５５近傍の部分拡大断面図を示す。
【００６１】この配線基板１０１は、図１中に破線で示
すＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０２と、図示
しないマザーボードに接続される基板裏面１０３とを有
する略矩形の略板形状である。配線基板１０１は、その
中心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約８００μｍ
のコア基板１１１を備える。このコア基板１１１のコア
主面１１２上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５
μｍの主面側第１絶縁層１２１が積層され、その上に
は、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主
面側第２絶縁層１２４が積層され、さらにその上には、
同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの主面側
ソルダーレジスト層１３３が積層されている。また同様
に、コア基板１１１のコア裏面１１３上には、エポキシ
樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第１絶縁層１４
１が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等から
なる厚さ約３５μｍの裏面側第２絶縁層１４４が積層さ
れ、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる
厚さ約２５μｍの裏面側ソルダーレジスト層１５３が積
層されている。
すＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０２と、図示
しないマザーボードに接続される基板裏面１０３とを有
する略矩形の略板形状である。配線基板１０１は、その
中心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約８００μｍ
のコア基板１１１を備える。このコア基板１１１のコア
主面１１２上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５
μｍの主面側第１絶縁層１２１が積層され、その上に
は、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主
面側第２絶縁層１２４が積層され、さらにその上には、
同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの主面側
ソルダーレジスト層１３３が積層されている。また同様
に、コア基板１１１のコア裏面１１３上には、エポキシ
樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第１絶縁層１４
１が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等から
なる厚さ約３５μｍの裏面側第２絶縁層１４４が積層さ
れ、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる
厚さ約２５μｍの裏面側ソルダーレジスト層１５３が積
層されている。
【００６２】主面側第１絶縁層１２１の表面及び主面側
第２絶縁層１２４の表面、並びに、裏面側第１絶縁層１
４１の表面及び裏面側第２絶縁層１４４の表面は、それ
ぞれ表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化面とされている
（図２〜図４参照）。絶縁層同士の密着性や絶縁層とソ
ルダーレジスト層との密着性、また、絶縁層と後述する
導体層等との密着性を向上させるためである。
第２絶縁層１２４の表面、並びに、裏面側第１絶縁層１
４１の表面及び裏面側第２絶縁層１４４の表面は、それ
ぞれ表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化面とされている
（図２〜図４参照）。絶縁層同士の密着性や絶縁層とソ
ルダーレジスト層との密着性、また、絶縁層と後述する
導体層等との密着性を向上させるためである。
【００６３】コア基板１１１には、これを貫通する直径
約３５０μｍの多数のスルーホール１１５が所定の位置
に形成され、その内周面には、Ｃｕからなる略筒状の厚
さ約２０μｍのスルーホール導体１１６がそれぞれ形成
されている。各スルーホール導体１１６内には、エポキ
シ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体１１７がそれ
ぞれ形成されている。
約３５０μｍの多数のスルーホール１１５が所定の位置
に形成され、その内周面には、Ｃｕからなる略筒状の厚
さ約２０μｍのスルーホール導体１１６がそれぞれ形成
されている。各スルーホール導体１１６内には、エポキ
シ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体１１７がそれ
ぞれ形成されている。
【００６４】主面側第１絶縁層１２１には、これを貫通
する開口径約６５μｍの多数のビアホール１２２が所定
の位置に形成され、その内部及びその上には、Ｃｕから
なるフィルドビア導体１２３がそれぞれ形成されてい
る。具体的には、各々のフィルドビア導体１２３は、ビ
アホール１２２内に形成された略円錐台状の円錐台部
と、その上に形成された直径約１２５μｍ、厚さ約１
４．５μｍの円盤状の円盤部とを有する。さらに、円盤
部の中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μ
ｍ、高さが約５μｍの膨出部を有する。つまり、このフ
ィルドビア導体１２３は、表面が凸状に膨らんだ膨出部
を有する形状とされている。また、フィルドビア導体１
２３の表面全面は、主面側第２絶縁層１２７との密着性
を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化
面とされている。
する開口径約６５μｍの多数のビアホール１２２が所定
の位置に形成され、その内部及びその上には、Ｃｕから
なるフィルドビア導体１２３がそれぞれ形成されてい
る。具体的には、各々のフィルドビア導体１２３は、ビ
アホール１２２内に形成された略円錐台状の円錐台部
と、その上に形成された直径約１２５μｍ、厚さ約１
４．５μｍの円盤状の円盤部とを有する。さらに、円盤
部の中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μ
ｍ、高さが約５μｍの膨出部を有する。つまり、このフ
ィルドビア導体１２３は、表面が凸状に膨らんだ膨出部
を有する形状とされている。また、フィルドビア導体１
２３の表面全面は、主面側第２絶縁層１２７との密着性
を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化
面とされている。
【００６５】また、図１〜図３に示すように、主面側第
２絶縁層１２４にも、これを貫通する開口径約６５μｍ
の多数のビアホール１２５が所定の位置に形成され、そ
の内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体
１２８がそれぞれ形成されている。具体的には、ビアホ
ール１２５は、ＩＣチップＩＣを搭載する領域下に配置
された第１ビアホール１２６と、それ以外の領域下に配
置された第２ビアホール１２７に分類することができ
る。第１ビアホール１２６には第１フィルドビア導体１
２９が、第２ビアホール１２７には第２フィルドビア導
体１３０が形成されている。第１フィルドビア導体１２
９も第２フィルドビア導体１３０も、第１ビアホール１
２６または第２ビアホール１２７内に形成された略円錐
台状の円錐台部１２９Ｐ，１３０Ｐと、その上に形成さ
れた直径約１２５μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤状の
円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑとを有する（図２及び図３参
照）。さらに、円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑの中央上に
は、凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約
５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒを有する。つまり、
これら第１，第２フィルドビア導体１２９，１３０は、
表面が凸状に膨らんだ膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒを有す
る形状とされている。また、第１，第２フィルドビア導
体１２９，１３０の表面全面は、主面側ソルダーレジス
ト層１３３との密着性を向上させるため、表面粗さＲａ
＝約０．５μｍの粗化面とされている。
２絶縁層１２４にも、これを貫通する開口径約６５μｍ
の多数のビアホール１２５が所定の位置に形成され、そ
の内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体
１２８がそれぞれ形成されている。具体的には、ビアホ
ール１２５は、ＩＣチップＩＣを搭載する領域下に配置
された第１ビアホール１２６と、それ以外の領域下に配
置された第２ビアホール１２７に分類することができ
る。第１ビアホール１２６には第１フィルドビア導体１
２９が、第２ビアホール１２７には第２フィルドビア導
体１３０が形成されている。第１フィルドビア導体１２
９も第２フィルドビア導体１３０も、第１ビアホール１
２６または第２ビアホール１２７内に形成された略円錐
台状の円錐台部１２９Ｐ，１３０Ｐと、その上に形成さ
れた直径約１２５μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤状の
円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑとを有する（図２及び図３参
照）。さらに、円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑの中央上に
は、凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約
５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒを有する。つまり、
これら第１，第２フィルドビア導体１２９，１３０は、
表面が凸状に膨らんだ膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒを有す
る形状とされている。また、第１，第２フィルドビア導
体１２９，１３０の表面全面は、主面側ソルダーレジス
ト層１３３との密着性を向上させるため、表面粗さＲａ
＝約０．５μｍの粗化面とされている。
【００６６】主面側ソルダーレジスト層１３３には、図
１及び図２に示すように、これを貫通する直径約６０μ
ｍの多数の主面側開口１３４がＩＣチップＩＣを搭載す
る領域に平面視略格子状に形成されている。これら主面
側開口１３４の内側には、主面側第２絶縁層１２４に形
成された第１フィルドビア導体１２９の中央部、具体的
には、第１フィルドビア導体１２９の膨出部１２９Ｒが
位置している。そして、各主面側開口１３４には、第１
フィルドビア導体１２９に接続し、他方で搭載するＩＣ
チップＩＣの端子と接続される主面側接続端子１３５が
それぞれ形成されている。これらの主面側接続端子１３
５は、主面側開口１３４内において第１フィルドビア導
体１２９の表面に被着した厚さ約７μｍの主面側Ｎｉメ
ッキ層１３６と、この主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面
に溶着し、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面を越
えて突出するハンダバンプ１３８とからなる。
１及び図２に示すように、これを貫通する直径約６０μ
ｍの多数の主面側開口１３４がＩＣチップＩＣを搭載す
る領域に平面視略格子状に形成されている。これら主面
側開口１３４の内側には、主面側第２絶縁層１２４に形
成された第１フィルドビア導体１２９の中央部、具体的
には、第１フィルドビア導体１２９の膨出部１２９Ｒが
位置している。そして、各主面側開口１３４には、第１
フィルドビア導体１２９に接続し、他方で搭載するＩＣ
チップＩＣの端子と接続される主面側接続端子１３５が
それぞれ形成されている。これらの主面側接続端子１３
５は、主面側開口１３４内において第１フィルドビア導
体１２９の表面に被着した厚さ約７μｍの主面側Ｎｉメ
ッキ層１３６と、この主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面
に溶着し、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面を越
えて突出するハンダバンプ１３８とからなる。
【００６７】このうち主面側Ｎｉメッキ層１３６は、ほ
ぼ均一な厚さ（約７μｍ）であるので、第１フィルドビ
ア導体１２９の表面に倣って、その表面が凸状に膨らん
だ形状とされている。また、主面側開口１３４の深さ
（主面側ソルダーレジスト層１３３の厚さ）は約２５μ
ｍであるところ、第１フィルドビア導体１２９の膨出部
１２９Ｒの高さが約５μｍであり、主面側Ｎｉメッキ層
１３６の厚さが約７μｍであるから、主面側Ｎｉメッキ
層１３６の表面は、主面側開口１３４の底面から約１２
μｍの高さにある。従って、主面側Ｎｉメッキ層１３６
の表面は、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面より
も低位にある。一方、主面側第２絶縁層１２４に形成さ
れた第２フィルドビア導体１３０は、その表面全面がこ
の主面側ソルダーレジスト層１３３に覆われている（図
１及び図３参照）。主面側ソルダーレジスト層１３３の
うち、第２フィルドビア導体１３０の膨出部１３０Ｒ上
に積層された部分の厚さは、約５．５μｍである。
ぼ均一な厚さ（約７μｍ）であるので、第１フィルドビ
ア導体１２９の表面に倣って、その表面が凸状に膨らん
だ形状とされている。また、主面側開口１３４の深さ
（主面側ソルダーレジスト層１３３の厚さ）は約２５μ
ｍであるところ、第１フィルドビア導体１２９の膨出部
１２９Ｒの高さが約５μｍであり、主面側Ｎｉメッキ層
１３６の厚さが約７μｍであるから、主面側Ｎｉメッキ
層１３６の表面は、主面側開口１３４の底面から約１２
μｍの高さにある。従って、主面側Ｎｉメッキ層１３６
の表面は、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面より
も低位にある。一方、主面側第２絶縁層１２４に形成さ
れた第２フィルドビア導体１３０は、その表面全面がこ
の主面側ソルダーレジスト層１３３に覆われている（図
１及び図３参照）。主面側ソルダーレジスト層１３３の
うち、第２フィルドビア導体１３０の膨出部１３０Ｒ上
に積層された部分の厚さは、約５．５μｍである。
【００６８】図１に示すように、裏面側第１絶縁層１４
１にも、これを貫通する開口径約６５μｍの多数のビア
ホール１４２が所定の位置に形成され、その内部及びそ
の上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体１４３がそれ
ぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビア
導体１４３は、フィルドビア導体１２３，１２８と同様
に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表面が凸状
に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。また、そ
の表面全面は、裏面側第２絶縁層１４４との密着性を向
上させるため、粗化面とされている。
１にも、これを貫通する開口径約６５μｍの多数のビア
ホール１４２が所定の位置に形成され、その内部及びそ
の上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体１４３がそれ
ぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビア
導体１４３は、フィルドビア導体１２３，１２８と同様
に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表面が凸状
に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。また、そ
の表面全面は、裏面側第２絶縁層１４４との密着性を向
上させるため、粗化面とされている。
【００６９】また、図１及び図４に示すように、裏面側
第２絶縁層１４４にも、これを貫通する開口径約６５μ
ｍの多数のビアホール１４５が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導
体１４８がそれぞれ形成されている。具体的には、各々
のフィルドビア導体１４８は、フィルドビア導体１２
３，１２８，１４３と同様に、ビアホール１４５内に形
成された略円錐台状の円錐台部１４８Ｐと、その上に形
成された直径約８００μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤
状の円盤部１４８Ｑと、その中央上に凸状に膨らみ、底
面の直径が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１４８
Ｒとからなる（図４参照）。従って、このフィルドビア
導体１４８も、表面が凸状に膨らんだ膨出部１４８Ｒを
有する形状とされている。また、フィルドビア導体１４
８の表面全面は、裏面側ソルダーレジスト層１５３との
密着性を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍ
の粗化面とされている。
第２絶縁層１４４にも、これを貫通する開口径約６５μ
ｍの多数のビアホール１４５が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導
体１４８がそれぞれ形成されている。具体的には、各々
のフィルドビア導体１４８は、フィルドビア導体１２
３，１２８，１４３と同様に、ビアホール１４５内に形
成された略円錐台状の円錐台部１４８Ｐと、その上に形
成された直径約８００μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤
状の円盤部１４８Ｑと、その中央上に凸状に膨らみ、底
面の直径が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１４８
Ｒとからなる（図４参照）。従って、このフィルドビア
導体１４８も、表面が凸状に膨らんだ膨出部１４８Ｒを
有する形状とされている。また、フィルドビア導体１４
８の表面全面は、裏面側ソルダーレジスト層１５３との
密着性を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍ
の粗化面とされている。
【００７０】裏面側ソルダーレジスト層１５３には、こ
れを貫通する直径約６５０μｍの多数の裏面側開口１５
４が平面視略格子状に形成されている（図１及び図４参
照）。これら裏面側開口１５４の内側には、裏面側第２
絶縁層１４４に形成されたフィルドビア導体１４８の中
央部、具体的には、フィルドビア導体１４８の膨出部１
４８Ｒと円盤部１４８Ｑの一部が位置している。そし
て、各裏面側開口１５４には、フィルドビア導体１４８
と接続し、他方でマザーボードの端子と接続される裏面
側接続端子１５５がそれぞれ形成されている。これらの
裏面側接続端子１５５は、裏面側開口１５４内において
フィルドビア導体１４８の表面に被着した厚さ約７μｍ
の裏面側Ｎｉメッキ層１５６と、この裏面側Ｎｉメッキ
層１５６の表面に被着した厚さ約０．０５μｍの裏面側
Ａｕメッキ層１５７とからなる。
れを貫通する直径約６５０μｍの多数の裏面側開口１５
４が平面視略格子状に形成されている（図１及び図４参
照）。これら裏面側開口１５４の内側には、裏面側第２
絶縁層１４４に形成されたフィルドビア導体１４８の中
央部、具体的には、フィルドビア導体１４８の膨出部１
４８Ｒと円盤部１４８Ｑの一部が位置している。そし
て、各裏面側開口１５４には、フィルドビア導体１４８
と接続し、他方でマザーボードの端子と接続される裏面
側接続端子１５５がそれぞれ形成されている。これらの
裏面側接続端子１５５は、裏面側開口１５４内において
フィルドビア導体１４８の表面に被着した厚さ約７μｍ
の裏面側Ｎｉメッキ層１５６と、この裏面側Ｎｉメッキ
層１５６の表面に被着した厚さ約０．０５μｍの裏面側
Ａｕメッキ層１５７とからなる。
【００７１】このうち裏面側Ｎｉメッキ層１５６は、ほ
ぼ均一な厚さ（約７μｍ）であるので、フィルドビア導
体１４８の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形
状とされている。また、裏面側開口１５４の深さ（裏面
側ソルダーレジスト層１５３の厚さ）は約２５μｍであ
るところ、フィルドビア導体１４８の膨出部１４８Ｒの
高さが約５μｍであり、裏面側Ｎｉメッキ層１５６の厚
さが約７μｍ、裏面側Ａｕメッキ層１５７の厚さが約
０．０５μｍであるから、金属層の表面（裏面側Ａｕメ
ッキ層１５６の表面）は、裏面側開口１５４の底面から
約１２μｍの高さにある。従って、金属層の表面は、裏
面ソルダーレジスト層１５３の表面よりも低位にある。
ぼ均一な厚さ（約７μｍ）であるので、フィルドビア導
体１４８の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形
状とされている。また、裏面側開口１５４の深さ（裏面
側ソルダーレジスト層１５３の厚さ）は約２５μｍであ
るところ、フィルドビア導体１４８の膨出部１４８Ｒの
高さが約５μｍであり、裏面側Ｎｉメッキ層１５６の厚
さが約７μｍ、裏面側Ａｕメッキ層１５７の厚さが約
０．０５μｍであるから、金属層の表面（裏面側Ａｕメ
ッキ層１５６の表面）は、裏面側開口１５４の底面から
約１２μｍの高さにある。従って、金属層の表面は、裏
面ソルダーレジスト層１５３の表面よりも低位にある。
【００７２】コア基板１１１と主面側第１絶縁層１２１
との層間には、図１に示すように、Ｃｕからなる厚さ約
３５μｍの主面側第１導体層１６１が形成されている。
この主面側第１導体層１６１は、電源電位とされる電源
プレーン層であり、略ベタ状に形成されている。主面側
第１導体層１６１は、コア基板１１１のスルーホール導
体１１６の一部及び主面側第１絶縁層１２１のフィルド
ビア導体１２３の一部と接続している。また、主面側第
１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４との層間に
は、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μｍの主面側第２導体
層１６３が形成されている。この主面側第２導体層１６
３は、配線等を有する所定パターンの配線層である。主
面側第２導体層１６３は、主面側第１絶縁層１２１のフ
ィルドビア導体１２３及び主面側第２絶縁層１２４のフ
ィルドビア導体１２８と接続している。また、主面側第
２絶縁層１２４と主面側ソルダーレジスト層１３３との
層間には、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μｍの主面側第
３導体層１６５が形成されている。この主面側第３導体
層１６５は、配線等を一部に有する所定パターンの導体
層である。主面側第３導体層１６５は、主面側第２絶縁
層１２４のフィルドビア導体１２８及び主面側接続端子
１３５と接続している。
との層間には、図１に示すように、Ｃｕからなる厚さ約
３５μｍの主面側第１導体層１６１が形成されている。
この主面側第１導体層１６１は、電源電位とされる電源
プレーン層であり、略ベタ状に形成されている。主面側
第１導体層１６１は、コア基板１１１のスルーホール導
体１１６の一部及び主面側第１絶縁層１２１のフィルド
ビア導体１２３の一部と接続している。また、主面側第
１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４との層間に
は、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μｍの主面側第２導体
層１６３が形成されている。この主面側第２導体層１６
３は、配線等を有する所定パターンの配線層である。主
面側第２導体層１６３は、主面側第１絶縁層１２１のフ
ィルドビア導体１２３及び主面側第２絶縁層１２４のフ
ィルドビア導体１２８と接続している。また、主面側第
２絶縁層１２４と主面側ソルダーレジスト層１３３との
層間には、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μｍの主面側第
３導体層１６５が形成されている。この主面側第３導体
層１６５は、配線等を一部に有する所定パターンの導体
層である。主面側第３導体層１６５は、主面側第２絶縁
層１２４のフィルドビア導体１２８及び主面側接続端子
１３５と接続している。
【００７３】他方、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層
１４１との層間には、Ｃｕからなる厚さ約３５μｍの裏
面側第１導体層１７１が形成されている。この裏面側第
１導体層１７１は、接地電位とされる接地プレーン層で
あり、略ベタ状に形成されている。裏面側第１導体層１
７１は、コア基板１１１のスルーホール導体１１６の一
部及び裏面側第１絶縁層１４１のフィルドビア導体１４
３の一部と接続している。また、裏面側第１絶縁層１４
１と裏面側第２絶縁層１４４との層間には、Ｃｕからな
る厚さ約１４．５μｍの裏面側第２導体層１７３が形成
されている。この裏面側第２導体層１７３は、配線等を
有する所定パターンの配線層であり、裏面側第１絶縁層
１４１のフィルドビア導体１４３及び裏面側第２絶縁層
１４４のフィルドビア導体１４８と接続している。ま
た、裏面側第２絶縁層１４４と裏面側ソルダーレジスト
層１５３との層間には、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μ
ｍの裏面側第３導体層１７５が形成されている。この裏
面側第３導体層１７５は、配線等を一部に有する所定パ
ターンの導体層であり、裏面側第２絶縁層１４４のフィ
ルドビア導体１４８及び裏面側接続端子１５５と接続し
ている。
１４１との層間には、Ｃｕからなる厚さ約３５μｍの裏
面側第１導体層１７１が形成されている。この裏面側第
１導体層１７１は、接地電位とされる接地プレーン層で
あり、略ベタ状に形成されている。裏面側第１導体層１
７１は、コア基板１１１のスルーホール導体１１６の一
部及び裏面側第１絶縁層１４１のフィルドビア導体１４
３の一部と接続している。また、裏面側第１絶縁層１４
１と裏面側第２絶縁層１４４との層間には、Ｃｕからな
る厚さ約１４．５μｍの裏面側第２導体層１７３が形成
されている。この裏面側第２導体層１７３は、配線等を
有する所定パターンの配線層であり、裏面側第１絶縁層
１４１のフィルドビア導体１４３及び裏面側第２絶縁層
１４４のフィルドビア導体１４８と接続している。ま
た、裏面側第２絶縁層１４４と裏面側ソルダーレジスト
層１５３との層間には、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μ
ｍの裏面側第３導体層１７５が形成されている。この裏
面側第３導体層１７５は、配線等を一部に有する所定パ
ターンの導体層であり、裏面側第２絶縁層１４４のフィ
ルドビア導体１４８及び裏面側接続端子１５５と接続し
ている。
【００７４】このような配線基板１０１は、その製造に
あたり、主面側Ｎｉメッキ層１３６にハンダバンプ１３
８を形成するときに、主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面
が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ１３８にボイ
ドが生じにくい。従って、配線基板１０１に熱ストレス
が掛かったときなどにも、応力がボイド部分に局所的に
集中することがなくなるので、ハンダバンプ１３８のク
ラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子１３５
に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、主面側Ｎｉメッキ層１３６の表
面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ１３８との
接合面積が増加するので、ハンダバンプ１３８の接合強
度を向上させることができる。
あたり、主面側Ｎｉメッキ層１３６にハンダバンプ１３
８を形成するときに、主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面
が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ１３８にボイ
ドが生じにくい。従って、配線基板１０１に熱ストレス
が掛かったときなどにも、応力がボイド部分に局所的に
集中することがなくなるので、ハンダバンプ１３８のク
ラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子１３５
に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、主面側Ｎｉメッキ層１３６の表
面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ１３８との
接合面積が増加するので、ハンダバンプ１３８の接合強
度を向上させることができる。
【００７５】また、この配線基板１０１をマザーボード
に接続するにあたり、裏面側Ｎｉメッキ層１５６にハン
ダを付けるときに、裏面側Ｎｉメッキ層１５６の表面が
凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにく
い。従って、配線基板１０１に熱ストレスが掛かったと
きなどにも、応力がボイド部分に局所的に集中すること
がなくなるので、ハンダのクラック耐性が向上する。よ
って、裏面側接続端子１５５に電気的な接続不良が生じ
にくく、信頼性を向上させることができる。さらに、裏
面側Ｎｉメッキ層１５６の表面が膨らんでいることによ
り、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合
強度を向上させることができる。
に接続するにあたり、裏面側Ｎｉメッキ層１５６にハン
ダを付けるときに、裏面側Ｎｉメッキ層１５６の表面が
凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにく
い。従って、配線基板１０１に熱ストレスが掛かったと
きなどにも、応力がボイド部分に局所的に集中すること
がなくなるので、ハンダのクラック耐性が向上する。よ
って、裏面側接続端子１５５に電気的な接続不良が生じ
にくく、信頼性を向上させることができる。さらに、裏
面側Ｎｉメッキ層１５６の表面が膨らんでいることによ
り、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合
強度を向上させることができる。
【００７６】さらに、本実施形態では、主面側Ｎｉメッ
キ層１３６の表面（金属層の表面）が主面側ソルダーレ
ジスト層１３３の表面よりも低位とされているので、主
面側Ｎｉメッキ層１３６の表面が膨らんでいるにも拘わ
らず、ＩＣチップＩＣを良好な状態で搭載することがで
きる。また、裏面側Ａｕメッキ層１５７の表面（金属層
の表面）が裏面側ソルダーレジスト層１５３の表面より
も低位とされているので、裏面側Ａｕメッキ層１５７の
表面が膨らんでいるにも拘わらず、マザーボードに接続
したときに、マザーボードとの接続状態を良好にするこ
とができる。
キ層１３６の表面（金属層の表面）が主面側ソルダーレ
ジスト層１３３の表面よりも低位とされているので、主
面側Ｎｉメッキ層１３６の表面が膨らんでいるにも拘わ
らず、ＩＣチップＩＣを良好な状態で搭載することがで
きる。また、裏面側Ａｕメッキ層１５７の表面（金属層
の表面）が裏面側ソルダーレジスト層１５３の表面より
も低位とされているので、裏面側Ａｕメッキ層１５７の
表面が膨らんでいるにも拘わらず、マザーボードに接続
したときに、マザーボードとの接続状態を良好にするこ
とができる。
【００７７】さらに、本実施形態では、主面側ソルダー
レジスト層１３３に覆われた第２フィルドビア導体１３
０の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層１３３を形成するとき
に、第２フィルドビア導体１３０上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板１０１の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第２フィルドビア導体１３０の膨出
部１３０Ｒ上に積層された主面側ソルダーレジスト層１
３３の厚さ（約５．５μｍ）は、５μｍ以上あるので、
第２フィルドビア１３０上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板１０１の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部１３０Ｒを含め、第２フィ
ルドビア導体１３０の表面全面が粗化面である。従っ
て、第２フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジ
スト層１３３との密着強度を向上させることができる。
レジスト層１３３に覆われた第２フィルドビア導体１３
０の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層１３３を形成するとき
に、第２フィルドビア導体１３０上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板１０１の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第２フィルドビア導体１３０の膨出
部１３０Ｒ上に積層された主面側ソルダーレジスト層１
３３の厚さ（約５．５μｍ）は、５μｍ以上あるので、
第２フィルドビア１３０上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板１０１の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部１３０Ｒを含め、第２フィ
ルドビア導体１３０の表面全面が粗化面である。従っ
て、第２フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジ
スト層１３３との密着強度を向上させることができる。
【００７８】次いで、この配線基板１０１の製造方法に
ついて図を参照しつつ説明する。まず、コア基板１１１
を用意し、これにドリル等で所定の位置にスルーホール
１１５を穿孔する（図５参照）。
ついて図を参照しつつ説明する。まず、コア基板１１１
を用意し、これにドリル等で所定の位置にスルーホール
１１５を穿孔する（図５参照）。
【００７９】次に、Ｃｕ無電解メッキとＣｕ電解メッキ
を順次施し、スルーホール１１５の内周面に略筒状のス
ルーホール導体１１６を形成すると共に、コア主面１１
２とコア裏面１１３の略全面にベタ状導体層を形成す
る。その後、スルーホール導体１１６内に樹脂ペースト
を印刷充填し、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹脂充填
体１１７を形成する。そして、この樹脂充填体１１７の
端部を研磨除去し、コア主面１１２及びコア裏面１１３
を面一にする。さらに、Ｃｕ無電解メッキとＣｕ電解メ
ッキを順次施し、樹脂充填体１１７上に蓋メッキ層を形
成する。その後、コア主面１１２とコア裏面１１３のベ
タ状導体層上に、公知のフォトリソグラフィ法により所
定パターンのエッチングレジスト層をそれぞれ形成す
る。そして、エッチングレジスト層から露出する導体層
をエッチング除去し、ベタ状導体層から主面側第１導体
層１６１と裏面側第１導体層１７１を形成する。
を順次施し、スルーホール１１５の内周面に略筒状のス
ルーホール導体１１６を形成すると共に、コア主面１１
２とコア裏面１１３の略全面にベタ状導体層を形成す
る。その後、スルーホール導体１１６内に樹脂ペースト
を印刷充填し、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹脂充填
体１１７を形成する。そして、この樹脂充填体１１７の
端部を研磨除去し、コア主面１１２及びコア裏面１１３
を面一にする。さらに、Ｃｕ無電解メッキとＣｕ電解メ
ッキを順次施し、樹脂充填体１１７上に蓋メッキ層を形
成する。その後、コア主面１１２とコア裏面１１３のベ
タ状導体層上に、公知のフォトリソグラフィ法により所
定パターンのエッチングレジスト層をそれぞれ形成す
る。そして、エッチングレジスト層から露出する導体層
をエッチング除去し、ベタ状導体層から主面側第１導体
層１６１と裏面側第１導体層１７１を形成する。
【００８０】次に、第１導体粗化工程において、公知の
化学的粗化処理、例えば、ＣｕＣｌ2 等を含む粗化処理
液等を用いて粗化することにより、主面側第１導体層１
６１の表面と裏面側第１導体層１７１の表面を、表面粗
さＲａ＝約０．７μｍに粗化する。
化学的粗化処理、例えば、ＣｕＣｌ2 等を含む粗化処理
液等を用いて粗化することにより、主面側第１導体層１
６１の表面と裏面側第１導体層１７１の表面を、表面粗
さＲａ＝約０．７μｍに粗化する。
【００８１】次に、第１絶縁層形成工程において、コア
主面１１２及び主面側第１導体層１６１上に、公知のフ
ォトリソグラフィ法により、ビアホール１２２を所定の
位置に有する主面側第１絶縁層１２１を形成する。また
同様にして、コア裏面１１３及び裏面側第１導体層１７
１上に、ビアホール１４２を所定の位置に有する裏面側
第１絶縁層１４１を形成する。
主面１１２及び主面側第１導体層１６１上に、公知のフ
ォトリソグラフィ法により、ビアホール１２２を所定の
位置に有する主面側第１絶縁層１２１を形成する。また
同様にして、コア裏面１１３及び裏面側第１導体層１７
１上に、ビアホール１４２を所定の位置に有する裏面側
第１絶縁層１４１を形成する。
【００８２】次に、第１絶縁層粗化工程において、公知
の化学的粗化処理、例えば、ＫＭｎＯ4 等を含む粗化処
理液等を用いて粗化することにより、主面側第１絶縁層
１２１の表面と裏面側第１絶縁層１４１の表面を、表面
粗さＲａ＝約０．５μｍに粗化する。
の化学的粗化処理、例えば、ＫＭｎＯ4 等を含む粗化処
理液等を用いて粗化することにより、主面側第１絶縁層
１２１の表面と裏面側第１絶縁層１４１の表面を、表面
粗さＲａ＝約０．５μｍに粗化する。
【００８３】次に、第１フィルドビア形成工程におい
て、Ｃｕメッキにより、主面側第１絶縁層１２１のビア
ホール１２２にフィルドビア導体１２３を形成すると共
に、裏面側第１絶縁層１４１のビアホール１４２にフィ
ルドビア導体１４３を形成する。また、主面側第１絶縁
層１２１上に主面側第２導体層１６３を形成し、裏面側
第１絶縁層１４１上に裏面側第２導体層１７３を形成す
る。具体的には、Ｃｕ無電解メッキを施し、主面側第１
絶縁層１２１上及びそのビアホール１２２内、裏面側第
１絶縁層１４１上及びそのビアホール１４２内に、無電
解メッキ層を形成する。その後、主面側第１絶縁層１２
１上の無電解メッキ層上と裏面側第１絶縁層１４１上の
無電解メッキ層上に、公知のフォトリソグラフィ法によ
り所定パターンのメッキレジスト層を形成する。次に、
Ｃｕ電解メッキを施し、各々のメッキレジスト層から露
出する無電解メッキ層上に、フィルドビア導体１２３，
１４３を含む所定パターンの電解メッキを形成する。そ
の際、フィルドビア導体１２３，１４３の表面が膨ら
み、高さ約５μｍの膨出部がそれぞれできるまでＣｕ電
解メッキを施す。その後、メッキレジスト層をそれぞれ
剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングにより
除去し、所定パターンの主面側第２導体層１６３と裏面
側第２導体層１７３を形成する。なお、Ｃｕ電解メッキ
の際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用す
る。
て、Ｃｕメッキにより、主面側第１絶縁層１２１のビア
ホール１２２にフィルドビア導体１２３を形成すると共
に、裏面側第１絶縁層１４１のビアホール１４２にフィ
ルドビア導体１４３を形成する。また、主面側第１絶縁
層１２１上に主面側第２導体層１６３を形成し、裏面側
第１絶縁層１４１上に裏面側第２導体層１７３を形成す
る。具体的には、Ｃｕ無電解メッキを施し、主面側第１
絶縁層１２１上及びそのビアホール１２２内、裏面側第
１絶縁層１４１上及びそのビアホール１４２内に、無電
解メッキ層を形成する。その後、主面側第１絶縁層１２
１上の無電解メッキ層上と裏面側第１絶縁層１４１上の
無電解メッキ層上に、公知のフォトリソグラフィ法によ
り所定パターンのメッキレジスト層を形成する。次に、
Ｃｕ電解メッキを施し、各々のメッキレジスト層から露
出する無電解メッキ層上に、フィルドビア導体１２３，
１４３を含む所定パターンの電解メッキを形成する。そ
の際、フィルドビア導体１２３，１４３の表面が膨ら
み、高さ約５μｍの膨出部がそれぞれできるまでＣｕ電
解メッキを施す。その後、メッキレジスト層をそれぞれ
剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングにより
除去し、所定パターンの主面側第２導体層１６３と裏面
側第２導体層１７３を形成する。なお、Ｃｕ電解メッキ
の際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用す
る。
【００８４】次に、第２導体粗化工程において、公知の
化学的粗化処理、例えば、ＣｕＣｌ2 等を含む粗化処理
液等を用いて粗化することにより、フィルドビア導体１
２３，１４３の表面と主面側第２導体層１６３の表面と
裏面側第２導体層１７３の表面を、表面粗さＲａ＝約
０．５μｍに粗化する。
化学的粗化処理、例えば、ＣｕＣｌ2 等を含む粗化処理
液等を用いて粗化することにより、フィルドビア導体１
２３，１４３の表面と主面側第２導体層１６３の表面と
裏面側第２導体層１７３の表面を、表面粗さＲａ＝約
０．５μｍに粗化する。
【００８５】次に、第２絶縁層形成工程において、主面
側第１絶縁層１２１及び主面側第２導体層１６３上に、
公知のフォトリソグラフィ法により、ビアホール１２５
を所定の位置に有する主面側第２絶縁層１２４を形成す
る。また同様にして、裏面側第１絶縁層１４１及び裏面
側第２導体層１７３上に、ビアホール１４５を所定の位
置に有する裏面側第２絶縁層１４４を形成する。
側第１絶縁層１２１及び主面側第２導体層１６３上に、
公知のフォトリソグラフィ法により、ビアホール１２５
を所定の位置に有する主面側第２絶縁層１２４を形成す
る。また同様にして、裏面側第１絶縁層１４１及び裏面
側第２導体層１７３上に、ビアホール１４５を所定の位
置に有する裏面側第２絶縁層１４４を形成する。
【００８６】次に、第２絶縁層粗化工程において、公知
の化学的粗化処理、例えば、ＫＭｎＯ4 等を含む粗化処
理液等を用いて粗化することにより、主面側第２絶縁層
１２４の表面と裏面側第２絶縁層１４４の表面を、表面
粗さＲａ＝約０．５μｍに粗化する。このようにして、
図５に示す基板ができる。
の化学的粗化処理、例えば、ＫＭｎＯ4 等を含む粗化処
理液等を用いて粗化することにより、主面側第２絶縁層
１２４の表面と裏面側第２絶縁層１４４の表面を、表面
粗さＲａ＝約０．５μｍに粗化する。このようにして、
図５に示す基板ができる。
【００８７】次に、第２フィルドビア形成工程におい
て、Ｃｕメッキにより、図６に示すように、主面側第２
絶縁層１２４のビアホール１２５にフィルドビア導体１
２８を形成すると共に、裏面側第２絶縁層１４４のビア
ホール１４５にフィルドビア導体１４８を形成する。ま
た、主面側第２絶縁層１２４上に主面側第３導体層１６
５を形成し、裏面側第１絶縁層１４４上に裏面側第３導
体層１７５を形成する。具体的には、Ｃｕ無電解メッキ
を施し、主面側第２絶縁層１２４上及びそのビアホール
１２５（第１ビアホール１２６及び第２ビアホール１２
７）内、裏面側第２絶縁層１４４上及びそのビアホール
１４５内に、無電解メッキ層を形成する。その後、主面
側第２絶縁層１２４上の無電解メッキ層上と裏面側第２
絶縁層１４４上の無電解メッキ層上に、公知のフォトリ
ソグラフィ法により所定パターンのメッキレジスト層を
形成する。次に、Ｃｕ電解メッキを施し、各々のメッキ
レジスト層から露出する無電解メッキ層上に、フィルド
ビア導体１２８（第１フィルドビア導体１２９及び第２
フィルドビア導体１３０）並びにフィルドビア導体１４
８を含む所定パターンの電解メッキを形成する。その
際、フィルドビア導体１２８（第１フィルドビア導体１
２９及び第２フィルドビア導体１３０）並びにフィルド
ビア導体１４８の表面が膨らみ、高さ約５μｍの膨出部
１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８ＲがそれぞれできるまでＣ
ｕ電解メッキを施す。次に、メッキレジスト層をそれぞ
れ剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングによ
り除去し、所定パターンの主面側第３導体層１６５と裏
面側第３導体層１７５を形成する。なお、Ｃｕ電解メッ
キの際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用す
る。
て、Ｃｕメッキにより、図６に示すように、主面側第２
絶縁層１２４のビアホール１２５にフィルドビア導体１
２８を形成すると共に、裏面側第２絶縁層１４４のビア
ホール１４５にフィルドビア導体１４８を形成する。ま
た、主面側第２絶縁層１２４上に主面側第３導体層１６
５を形成し、裏面側第１絶縁層１４４上に裏面側第３導
体層１７５を形成する。具体的には、Ｃｕ無電解メッキ
を施し、主面側第２絶縁層１２４上及びそのビアホール
１２５（第１ビアホール１２６及び第２ビアホール１２
７）内、裏面側第２絶縁層１４４上及びそのビアホール
１４５内に、無電解メッキ層を形成する。その後、主面
側第２絶縁層１２４上の無電解メッキ層上と裏面側第２
絶縁層１４４上の無電解メッキ層上に、公知のフォトリ
ソグラフィ法により所定パターンのメッキレジスト層を
形成する。次に、Ｃｕ電解メッキを施し、各々のメッキ
レジスト層から露出する無電解メッキ層上に、フィルド
ビア導体１２８（第１フィルドビア導体１２９及び第２
フィルドビア導体１３０）並びにフィルドビア導体１４
８を含む所定パターンの電解メッキを形成する。その
際、フィルドビア導体１２８（第１フィルドビア導体１
２９及び第２フィルドビア導体１３０）並びにフィルド
ビア導体１４８の表面が膨らみ、高さ約５μｍの膨出部
１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８ＲがそれぞれできるまでＣ
ｕ電解メッキを施す。次に、メッキレジスト層をそれぞ
れ剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングによ
り除去し、所定パターンの主面側第３導体層１６５と裏
面側第３導体層１７５を形成する。なお、Ｃｕ電解メッ
キの際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用す
る。
【００８８】次に、第３導体粗化工程において、フィル
ドビア導体１２８（第１フィルドビア導体１２９及び第
２フィルドビア導体１３０）の表面全面並びにフィルド
ビア導体１４８の表面全面と、主面側第３導体層１６５
の表面全面及び裏面側第３導体層１７５の表面全面とを
粗化する。具体的には、公知の化学的粗化処理、例え
ば、ＣｕＣｌ2 等を含む粗化処理液等を用いて粗化する
ことにより、これらの表面を表面粗さＲａ＝約０．５μ
ｍに粗化する。
ドビア導体１２８（第１フィルドビア導体１２９及び第
２フィルドビア導体１３０）の表面全面並びにフィルド
ビア導体１４８の表面全面と、主面側第３導体層１６５
の表面全面及び裏面側第３導体層１７５の表面全面とを
粗化する。具体的には、公知の化学的粗化処理、例え
ば、ＣｕＣｌ2 等を含む粗化処理液等を用いて粗化する
ことにより、これらの表面を表面粗さＲａ＝約０．５μ
ｍに粗化する。
【００８９】次に、ソルダーレジスト層形成工程におい
て、図７に示すように、主面側第２絶縁層１２４及び主
面側第３導体層１６５上に、公知の真空ラミネート法及
びフォトリソグラフィ法により、主面側開口１３４を所
定の位置に有する主面側ソルダーレジスト層１３３を形
成する。また同様にして、裏面側第２絶縁層１４４及び
裏面側第３導体層１７５上に、裏面側開口１５４を所定
の位置に有する裏面側ソルダーレジスト層１５３を形成
する。具体的には、真空ラミネートにより、主面側第２
絶縁層１２４及び主面側第３導体層１６５上に未硬化の
主面側ソルダーレジスト層を積層すると共に、裏面側第
２絶縁層１４４及び裏面側第３導体層１７５上に未硬化
の裏面側ソルダーレジスト層を積層する。その際、搬送
ローラや真空シールローラが、基板の表裏面に接触する
ので、フィルドビア導体１２９，１３０，１４８の頂部
にもそれぞれ接触するが、膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，
１４８Ｒの高さが５μｍ以下に抑えられているので、膨
出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒは潰れず、表面粗さ
が低下するのが防止される。その後、フォトリソグラフ
ィ法により、主面側開口１３４を有する所定パターンの
主面側ソルダーレジスト層１３３と、裏面側開口１５４
を有する所定パターンの裏面側ソルダーレジスト層１５
３を形成する。
て、図７に示すように、主面側第２絶縁層１２４及び主
面側第３導体層１６５上に、公知の真空ラミネート法及
びフォトリソグラフィ法により、主面側開口１３４を所
定の位置に有する主面側ソルダーレジスト層１３３を形
成する。また同様にして、裏面側第２絶縁層１４４及び
裏面側第３導体層１７５上に、裏面側開口１５４を所定
の位置に有する裏面側ソルダーレジスト層１５３を形成
する。具体的には、真空ラミネートにより、主面側第２
絶縁層１２４及び主面側第３導体層１６５上に未硬化の
主面側ソルダーレジスト層を積層すると共に、裏面側第
２絶縁層１４４及び裏面側第３導体層１７５上に未硬化
の裏面側ソルダーレジスト層を積層する。その際、搬送
ローラや真空シールローラが、基板の表裏面に接触する
ので、フィルドビア導体１２９，１３０，１４８の頂部
にもそれぞれ接触するが、膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，
１４８Ｒの高さが５μｍ以下に抑えられているので、膨
出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒは潰れず、表面粗さ
が低下するのが防止される。その後、フォトリソグラフ
ィ法により、主面側開口１３４を有する所定パターンの
主面側ソルダーレジスト層１３３と、裏面側開口１５４
を有する所定パターンの裏面側ソルダーレジスト層１５
３を形成する。
【００９０】次に、図８に示すように、無電解Ｎｉメッ
キを施し、主面側ソルダーレジスト層１３３の主面側開
口１３４内に露出するフィルドビア導体１２８（第１フ
ィルドビア導体１２９）上に、主面側Ｎｉメッキ層１３
６を被着させる。またこれと共に、裏面側ソルダーレジ
スト層１５３の裏面側開口１５４内に露出するフィルド
ビア導体１４８上にも、裏面側Ｎｉメッキ層１５６を被
着させる。その後、Ａｕメッキを施し、酸化防止のた
め、主面側Ｎｉメッキ層１３６上に、ごく薄い約０．０
５μｍの主面側Ａｕメッキ層１３７を形成すると共に、
裏面側Ｎｉメッキ層１５６上にも、ごく薄い約０．０５
μｍの裏面側Ａｕメッキ層１５７を形成し、裏面側接続
端子１５５とする。
キを施し、主面側ソルダーレジスト層１３３の主面側開
口１３４内に露出するフィルドビア導体１２８（第１フ
ィルドビア導体１２９）上に、主面側Ｎｉメッキ層１３
６を被着させる。またこれと共に、裏面側ソルダーレジ
スト層１５３の裏面側開口１５４内に露出するフィルド
ビア導体１４８上にも、裏面側Ｎｉメッキ層１５６を被
着させる。その後、Ａｕメッキを施し、酸化防止のた
め、主面側Ｎｉメッキ層１３６上に、ごく薄い約０．０
５μｍの主面側Ａｕメッキ層１３７を形成すると共に、
裏面側Ｎｉメッキ層１５６上にも、ごく薄い約０．０５
μｍの裏面側Ａｕメッキ層１５７を形成し、裏面側接続
端子１５５とする。
【００９１】次に、主面側Ｎｉメッキ層１３３上にハン
ダバンプ１３８を形成し、主面側接続端子１３５とする
（図１参照）。具体的には、まず、主面側開口１３４に
対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各々の主
面側開口１３４にハンダペーストを印刷する。その後、
これをリフローし、ハンダバンプ１３８を形成する。そ
の際、主面側Ａｕメッキ層１３７のＡｕは、ハンダ内に
拡散するので、ハンダバンプ１３５は、前述したように
主面側Ｎｉメッキ層１３６に溶着する。以上のようにし
て、配線基板１０１が完成する。
ダバンプ１３８を形成し、主面側接続端子１３５とする
（図１参照）。具体的には、まず、主面側開口１３４に
対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各々の主
面側開口１３４にハンダペーストを印刷する。その後、
これをリフローし、ハンダバンプ１３８を形成する。そ
の際、主面側Ａｕメッキ層１３７のＡｕは、ハンダ内に
拡散するので、ハンダバンプ１３５は、前述したように
主面側Ｎｉメッキ層１３６に溶着する。以上のようにし
て、配線基板１０１が完成する。
【００９２】以上で説明したように、本実施形態では、
フィルドビア形成工程において、第２フィルドビア導体
１３０の膨出部１３０Ｒの高さ（約５μｍ）を、５μｍ
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層１３３を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第２フィルドビア１３０
の膨出部１３０Ｒに接触しても、膨出部１３０Ｒが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第２
フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジスト層１
３３との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
フィルドビア形成工程において、第２フィルドビア導体
１３０の膨出部１３０Ｒの高さ（約５μｍ）を、５μｍ
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層１３３を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第２フィルドビア１３０
の膨出部１３０Ｒに接触しても、膨出部１３０Ｒが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第２
フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジスト層１
３３との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
【００９３】（調査結果）本実施形態の配線基板１０１
について、ハンダバンプ１３８内のボイド発生率と、ハ
ンダバンプ１３８内のボイドの最大の大きさを調査し
た。また、比較のため、従来技術に係る配線基板につい
ても、同様な調査を行った。具体的には、従来形態１の
配線基板は、第１フィルドビア１２９の表面を５〜２０
μｍ凹ませたものである。また、比較形態２の配線基板
は、第１フィルドビア１２９の表面を０〜５μｍ凹ませ
たものである。その結果をまとめて表１に示す。
について、ハンダバンプ１３８内のボイド発生率と、ハ
ンダバンプ１３８内のボイドの最大の大きさを調査し
た。また、比較のため、従来技術に係る配線基板につい
ても、同様な調査を行った。具体的には、従来形態１の
配線基板は、第１フィルドビア１２９の表面を５〜２０
μｍ凹ませたものである。また、比較形態２の配線基板
は、第１フィルドビア１２９の表面を０〜５μｍ凹ませ
たものである。その結果をまとめて表１に示す。
【００９４】
【表１】
【００９５】表１から判るように、比較形態１の配線基
板では、ボイド発生率が５７．６％、比較形態２の配線
基板では、ボイド発生率が５０．０％であったのに対
し、本実施形態の配線基板１０１では、ボイド発生率が
２０．０％まで大幅に抑制されている。また、ボイドを
大きさ（最大サイズ）について見ても、比較形態１の配
線基板では１３．０μｍ、比較形態２の配線基板では１
０．１μｍであったのに対し、本実施形態の配線基板１
０１では４．６μｍまで小さくなっている。以上の結果
から、本発明を適用することにより、ハンダバンプ１３
８内のボイドの発生を抑制することができ、配線基板の
信頼性を向上させることができる。
板では、ボイド発生率が５７．６％、比較形態２の配線
基板では、ボイド発生率が５０．０％であったのに対
し、本実施形態の配線基板１０１では、ボイド発生率が
２０．０％まで大幅に抑制されている。また、ボイドを
大きさ（最大サイズ）について見ても、比較形態１の配
線基板では１３．０μｍ、比較形態２の配線基板では１
０．１μｍであったのに対し、本実施形態の配線基板１
０１では４．６μｍまで小さくなっている。以上の結果
から、本発明を適用することにより、ハンダバンプ１３
８内のボイドの発生を抑制することができ、配線基板の
信頼性を向上させることができる。
【００９６】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分
の説明は、省略または簡略化する。本実施形態の配線基
板２０１について、図９に部分断面図を示す。また、図
１０に主面側接続端子２３５近傍の部分拡大断面図を、
図１１に主面側第２絶縁層１２４の第２フィルドビア導
体１３０近傍の部分拡大断面図を、図１２に裏面側接続
端子２５５近傍の部分拡大断面図を示す。
について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分
の説明は、省略または簡略化する。本実施形態の配線基
板２０１について、図９に部分断面図を示す。また、図
１０に主面側接続端子２３５近傍の部分拡大断面図を、
図１１に主面側第２絶縁層１２４の第２フィルドビア導
体１３０近傍の部分拡大断面図を、図１２に裏面側接続
端子２５５近傍の部分拡大断面図を示す。
【００９７】この配線基板２０１は、上記実施形態１と
同様に、ＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０２
と、マザーボードに接続される基板裏面１０３とを有す
る略矩形の略板形状である。また、配線基板２０１は、
その中心にコア基板１１１を備え、コア主面１１２側に
は、主面側第１絶縁層１２１、主面側第２絶縁層１２
４、及び、主面側ソルダーレジスト層１３３が積層さ
れ、コア裏面１１３側には、裏面側第１絶縁層１４１、
裏面側第２絶縁層１４４、及び、裏面側ソルダーレジス
ト層１５３が積層されている。
同様に、ＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０２
と、マザーボードに接続される基板裏面１０３とを有す
る略矩形の略板形状である。また、配線基板２０１は、
その中心にコア基板１１１を備え、コア主面１１２側に
は、主面側第１絶縁層１２１、主面側第２絶縁層１２
４、及び、主面側ソルダーレジスト層１３３が積層さ
れ、コア裏面１１３側には、裏面側第１絶縁層１４１、
裏面側第２絶縁層１４４、及び、裏面側ソルダーレジス
ト層１５３が積層されている。
【００９８】また、コア基板１１１には、多数のスルー
ホール１１５が所定の位置に形成され、その内周面に
は、スルーホール導体１１６がそれぞれ形成され、さら
に、各スルーホール導体１１６内には、樹脂充填体１１
７が形成されている。また、主面側第１絶縁層１２１に
は、多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、フィルドビア導体１２３がそ
れぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビ
ア導体１２３は、ビアホール１２２内に形成された略円
錐台状の円錐台部と、その上に形成された円盤状の円盤
部とを有する。さらに、円盤部の中央上には、凸状に膨
らむ膨出部を有する。
ホール１１５が所定の位置に形成され、その内周面に
は、スルーホール導体１１６がそれぞれ形成され、さら
に、各スルーホール導体１１６内には、樹脂充填体１１
７が形成されている。また、主面側第１絶縁層１２１に
は、多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、フィルドビア導体１２３がそ
れぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビ
ア導体１２３は、ビアホール１２２内に形成された略円
錐台状の円錐台部と、その上に形成された円盤状の円盤
部とを有する。さらに、円盤部の中央上には、凸状に膨
らむ膨出部を有する。
【００９９】また、図９〜図１１に示すように、主面側
第２絶縁層１２４にも、多数のビアホール１２５が所定
の位置に形成され、その内部及びその上には、フィルド
ビア導体１２８がそれぞれ形成されている。具体的に
は、ビアホール１２５は、ＩＣチップＩＣを搭載する領
域下に配置された第１ビアホール１２６と、それ以外の
領域下に配置された第２ビアホール１２７に分類するこ
とができる。第１ビアホール１２６には第１フィルドビ
ア導体１２９が、第２ビアホール１２７には第２フィル
ドビア導体１３０が形成されている。第１フィルドビア
導体１２９も第２フィルドビア導体１３０も、第１ビア
ホール１２６または第２ビアホール１２７内に形成され
た略円錐台状の円錐台部１２９Ｐ，１３０Ｐと、その上
に形成された円盤状の円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑとを有
する（図１０及び図１１参照）。さらに、円盤部１２９
Ｑ，１３０Ｑの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径
が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３
０Ｒを有する。また、第１，第２フィルドビア導体１２
９，１３０の表面全面は、表面粗さＲａ＝約０．５μｍ
の粗化面とされている。
第２絶縁層１２４にも、多数のビアホール１２５が所定
の位置に形成され、その内部及びその上には、フィルド
ビア導体１２８がそれぞれ形成されている。具体的に
は、ビアホール１２５は、ＩＣチップＩＣを搭載する領
域下に配置された第１ビアホール１２６と、それ以外の
領域下に配置された第２ビアホール１２７に分類するこ
とができる。第１ビアホール１２６には第１フィルドビ
ア導体１２９が、第２ビアホール１２７には第２フィル
ドビア導体１３０が形成されている。第１フィルドビア
導体１２９も第２フィルドビア導体１３０も、第１ビア
ホール１２６または第２ビアホール１２７内に形成され
た略円錐台状の円錐台部１２９Ｐ，１３０Ｐと、その上
に形成された円盤状の円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑとを有
する（図１０及び図１１参照）。さらに、円盤部１２９
Ｑ，１３０Ｑの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径
が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３
０Ｒを有する。また、第１，第２フィルドビア導体１２
９，１３０の表面全面は、表面粗さＲａ＝約０．５μｍ
の粗化面とされている。
【０１００】主面側ソルダーレジスト層１３３には、図
９及び図１０に示すように、多数の主面側開口１３４が
ＩＣチップＩＣを搭載する領域に平面視略格子状に形成
されている。これら主面側開口１３４の内側には、主面
側第２絶縁層１２４に形成された第１フィルドビア導体
１２９の中央部、具体的には、第１フィルドビア導体１
２９の膨出部１２９Ｒが位置している。そして、各主面
側開口１３４には、第１フィルドビア導体１２９に接続
し、他方で搭載するＩＣチップＩＣの端子と接続される
主面側接続端子２３５がそれぞれ形成されている。これ
らの主面側接続端子２３５は、主面側開口１３４内にお
いて第１フィルドビア導体１２９の表面に溶着し、主面
側ソルダーレジスト層１３３の表面を越えて突出するハ
ンダバンプ２３５からなる。
９及び図１０に示すように、多数の主面側開口１３４が
ＩＣチップＩＣを搭載する領域に平面視略格子状に形成
されている。これら主面側開口１３４の内側には、主面
側第２絶縁層１２４に形成された第１フィルドビア導体
１２９の中央部、具体的には、第１フィルドビア導体１
２９の膨出部１２９Ｒが位置している。そして、各主面
側開口１３４には、第１フィルドビア導体１２９に接続
し、他方で搭載するＩＣチップＩＣの端子と接続される
主面側接続端子２３５がそれぞれ形成されている。これ
らの主面側接続端子２３５は、主面側開口１３４内にお
いて第１フィルドビア導体１２９の表面に溶着し、主面
側ソルダーレジスト層１３３の表面を越えて突出するハ
ンダバンプ２３５からなる。
【０１０１】主面側開口１３４の深さ（主面側ソルダー
レジスト層１３３の厚さ）は約２５μｍであるところ、
第１フィルドビア導体１２９の膨出部１２９Ｒの高さが
約５μｍであるから、第１フィルドビア導体１２９の表
面は、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面よりも低
位にある。一方、主面側第２絶縁層１２４に形成された
第２フィルドビア導体１３０は、その表面全面がこの主
面側ソルダーレジスト層１３３に覆われている（図９及
び図１１参照）。主面側ソルダーレジスト層１３３のう
ち、第２フィルドビア導体１３０の膨出部１３０Ｒ上に
積層された部分の厚さは、約５．５μｍである。
レジスト層１３３の厚さ）は約２５μｍであるところ、
第１フィルドビア導体１２９の膨出部１２９Ｒの高さが
約５μｍであるから、第１フィルドビア導体１２９の表
面は、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面よりも低
位にある。一方、主面側第２絶縁層１２４に形成された
第２フィルドビア導体１３０は、その表面全面がこの主
面側ソルダーレジスト層１３３に覆われている（図９及
び図１１参照）。主面側ソルダーレジスト層１３３のう
ち、第２フィルドビア導体１３０の膨出部１３０Ｒ上に
積層された部分の厚さは、約５．５μｍである。
【０１０２】図９に示すように、裏面側第１絶縁層１４
１にも、多数のビアホール１４２が所定の位置に形成さ
れ、その内部及びその上には、フィルドビア導体１４３
がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィル
ドビア導体１４３は、フィルドビア導体１２３，１２８
と同様に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。
１にも、多数のビアホール１４２が所定の位置に形成さ
れ、その内部及びその上には、フィルドビア導体１４３
がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィル
ドビア導体１４３は、フィルドビア導体１２３，１２８
と同様に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。
【０１０３】また、図９及び図１２に示すように、裏面
側第２絶縁層１４４にも、多数のビアホール１４５が所
定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィル
ドビア導体１４８がそれぞれ形成されている。具体的に
は、各々のフィルドビア導体１４８は、フィルドビア導
体１２３，１２８，１４３と同様に、ビアホール１４５
内に形成された略円錐台状の円錐台部１４８Ｐと、その
上に形成された円盤状の円盤部１４８Ｑと、その中央上
に凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約５
μｍの膨出部１４８Ｒとからなる（図１２参照）。ま
た、フィルドビア導体１４８の表面全面は、表面粗さＲ
ａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。
側第２絶縁層１４４にも、多数のビアホール１４５が所
定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィル
ドビア導体１４８がそれぞれ形成されている。具体的に
は、各々のフィルドビア導体１４８は、フィルドビア導
体１２３，１２８，１４３と同様に、ビアホール１４５
内に形成された略円錐台状の円錐台部１４８Ｐと、その
上に形成された円盤状の円盤部１４８Ｑと、その中央上
に凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約５
μｍの膨出部１４８Ｒとからなる（図１２参照）。ま
た、フィルドビア導体１４８の表面全面は、表面粗さＲ
ａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。
【０１０４】裏面側ソルダーレジスト層１５３には、多
数の裏面側開口１５４が平面視略格子状に形成されてい
る（図９及び図１２参照）。これら裏面側開口１５４の
内側には、裏面側第２絶縁層１４４に形成されたフィル
ドビア導体１４８の中央部、具体的には、フィルドビア
導体１４８の膨出部１４８Ｒと円盤部１４８Ｑの一部が
位置している。そして、各裏面側開口１５４には、フィ
ルドビア導体１４８と接続し、他方でマザーボードの端
子と接続される裏面側接続端子２５５がそれぞれ形成さ
れている。これらの裏面側接続端子２５５は、裏面側開
口１５４内においてフィルドビア導体１４８の表面に被
着した厚さ約０．０５μｍの裏面側Ａｕメッキ層２５５
からなる。
数の裏面側開口１５４が平面視略格子状に形成されてい
る（図９及び図１２参照）。これら裏面側開口１５４の
内側には、裏面側第２絶縁層１４４に形成されたフィル
ドビア導体１４８の中央部、具体的には、フィルドビア
導体１４８の膨出部１４８Ｒと円盤部１４８Ｑの一部が
位置している。そして、各裏面側開口１５４には、フィ
ルドビア導体１４８と接続し、他方でマザーボードの端
子と接続される裏面側接続端子２５５がそれぞれ形成さ
れている。これらの裏面側接続端子２５５は、裏面側開
口１５４内においてフィルドビア導体１４８の表面に被
着した厚さ約０．０５μｍの裏面側Ａｕメッキ層２５５
からなる。
【０１０５】この裏面側Ａｕメッキ層２５５は、ほぼ均
一な厚さ（約０．０５μｍ）であるので、フィルドビア
導体１４８の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされている。また、裏面側開口１５４の深さ（裏
面側ソルダーレジスト層１５３の厚さ）は約２５μｍで
あるところ、フィルドビア導体１４８の膨出部１４８Ｒ
の高さが約５μｍであり、裏面側Ａｕメッキ層２５５の
厚さが約０．０５μｍであるから、金属層の表面（裏面
側Ａｕメッキ層２５５の表面）は、裏面側開口１５４の
底面から約５μｍの高さにある。従って、金属層の表面
は、裏面ソルダーレジスト層１５３の表面よりも低位に
ある。
一な厚さ（約０．０５μｍ）であるので、フィルドビア
導体１４８の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされている。また、裏面側開口１５４の深さ（裏
面側ソルダーレジスト層１５３の厚さ）は約２５μｍで
あるところ、フィルドビア導体１４８の膨出部１４８Ｒ
の高さが約５μｍであり、裏面側Ａｕメッキ層２５５の
厚さが約０．０５μｍであるから、金属層の表面（裏面
側Ａｕメッキ層２５５の表面）は、裏面側開口１５４の
底面から約５μｍの高さにある。従って、金属層の表面
は、裏面ソルダーレジスト層１５３の表面よりも低位に
ある。
【０１０６】また、上記実施形態１と同様に、コア基板
１１１と主面側第１絶縁層１２１との層間には、図９に
示すように、主面側第１導体層１６１が形成され、主面
側第１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４との層間
には、主面側第２導体層１６３が形成され、また、主面
側第２絶縁層１２４と主面側ソルダーレジスト層１３３
との層間には、主面側第３導体層１６５が形成されてい
る。また、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層１４１と
の層間には、裏面側第１導体層１７１が形成され、裏面
側第１絶縁層１４１と裏面側第２絶縁層１４４との層間
には、裏面側第２導体層１７３が形成され、また、裏面
側第２絶縁層１４４と裏面側ソルダーレジスト層１５３
との層間には、裏面側第３導体層１７５が形成されてい
る。
１１１と主面側第１絶縁層１２１との層間には、図９に
示すように、主面側第１導体層１６１が形成され、主面
側第１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４との層間
には、主面側第２導体層１６３が形成され、また、主面
側第２絶縁層１２４と主面側ソルダーレジスト層１３３
との層間には、主面側第３導体層１６５が形成されてい
る。また、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層１４１と
の層間には、裏面側第１導体層１７１が形成され、裏面
側第１絶縁層１４１と裏面側第２絶縁層１４４との層間
には、裏面側第２導体層１７３が形成され、また、裏面
側第２絶縁層１４４と裏面側ソルダーレジスト層１５３
との層間には、裏面側第３導体層１７５が形成されてい
る。
【０１０７】このような配線基板２０１は、その製造に
あたり、第１フィルドビア導体１２９上にハンダバンプ
２３５を形成するときに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ２３５
にボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプ２３５の
クラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子２３
５に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させ
ることができる。さらに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ２３５
との接合面積が増加するので、ハンダバンプ２３５の接
合強度を向上させることができる。
あたり、第１フィルドビア導体１２９上にハンダバンプ
２３５を形成するときに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ２３５
にボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプ２３５の
クラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子２３
５に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させ
ることができる。さらに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ２３５
との接合面積が増加するので、ハンダバンプ２３５の接
合強度を向上させることができる。
【０１０８】また、この配線基板２０１をマザーボード
に接続するにあたり、裏面側Ａｕメッキ層２５５にハン
ダを付けるときに、裏面側Ａｕメッキ層２５５の表面が
凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにく
い。従って、ハンダのクラック耐性が向上する。よっ
て、裏面側接続端子２５５に電気的な接続不良が生じに
くく、信頼性を向上させることができる。さらに、裏面
側Ａｕメッキ層２５５の表面が膨らんでいることによ
り、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合
強度を向上させることができる。
に接続するにあたり、裏面側Ａｕメッキ層２５５にハン
ダを付けるときに、裏面側Ａｕメッキ層２５５の表面が
凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにく
い。従って、ハンダのクラック耐性が向上する。よっ
て、裏面側接続端子２５５に電気的な接続不良が生じに
くく、信頼性を向上させることができる。さらに、裏面
側Ａｕメッキ層２５５の表面が膨らんでいることによ
り、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合
強度を向上させることができる。
【０１０９】さらに、本実施形態では、第１フィルドビ
ア導体１２９の表面が主面側ソルダーレジスト層１３３
の表面よりも低位とされているので、ＩＣチップＩＣを
良好な状態で搭載することができる。また、裏面側Ａｕ
メッキ層２５５の表面（金属層の表面）が裏面側ソルダ
ーレジスト層１５３の表面よりも低位とされているの
で、マザーボードに接続したときに、マザーボードとの
接続状態を良好にすることができる。
ア導体１２９の表面が主面側ソルダーレジスト層１３３
の表面よりも低位とされているので、ＩＣチップＩＣを
良好な状態で搭載することができる。また、裏面側Ａｕ
メッキ層２５５の表面（金属層の表面）が裏面側ソルダ
ーレジスト層１５３の表面よりも低位とされているの
で、マザーボードに接続したときに、マザーボードとの
接続状態を良好にすることができる。
【０１１０】さらに、本実施形態では、主面側ソルダー
レジスト層１３３に覆われた第２フィルドビア導体１３
０の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層１３３を形成するとき
に、第２フィルドビア導体１３０上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板２０１の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第２フィルドビア導体１３０の膨出
部１３０Ｒ上に積層された主面側ソルダーレジスト層１
３３の厚さ（約５．５μｍ）は、５μｍ以上あるので、
第２フィルドビア１３０上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板２０１の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部１３０Ｒを含め、第２フィ
ルドビア導体１３０の表面全面が粗化面である。従っ
て、第２フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジ
スト層１３３との密着強度を向上させることができる。
レジスト層１３３に覆われた第２フィルドビア導体１３
０の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層１３３を形成するとき
に、第２フィルドビア導体１３０上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板２０１の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第２フィルドビア導体１３０の膨出
部１３０Ｒ上に積層された主面側ソルダーレジスト層１
３３の厚さ（約５．５μｍ）は、５μｍ以上あるので、
第２フィルドビア１３０上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板２０１の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部１３０Ｒを含め、第２フィ
ルドビア導体１３０の表面全面が粗化面である。従っ
て、第２フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジ
スト層１３３との密着強度を向上させることができる。
【０１１１】次いで、この配線基板２０１の製造方法に
ついて図を参照しつつ説明する。まず、上記実施形態１
と同様にして、図５に示す基板を製造する。次に、上記
実施形態１と同様に、第２フィルドビア形成工程におい
て、図６に示すように、主面側第２絶縁層１２４のビア
ホール１２５にフィルドビア導体１２８を形成すると共
に、裏面側第２絶縁層１４４のビアホール１４５にフィ
ルドビア導体１４８を形成する。また、主面側第２絶縁
層１２４上に主面側第３導体層１６５を形成し、裏面側
第１絶縁層１４４上に裏面側第３導体層１７５を形成す
る。その際、フィルドビア導体１２８（第１フィルドビ
ア導体１２９及び第２フィルドビア導体１３０）並びに
フィルドビア導体１４８の表面が膨らみ、高さ約５μｍ
の膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒがそれぞれでき
るまでＣｕ電解メッキを施す。次に、第３導体粗化工程
において、フィルドビア導体１２８（第１フィルドビア
導体１２９及び第２フィルドビア導体１３０）の表面全
面並びにフィルドビア導体１４８の表面全面と、主面側
第３導体層１６５の表面全面及び裏面側第３導体層１７
５の表面全面とを、表面粗さＲａ＝約０．５μｍに粗化
する。
ついて図を参照しつつ説明する。まず、上記実施形態１
と同様にして、図５に示す基板を製造する。次に、上記
実施形態１と同様に、第２フィルドビア形成工程におい
て、図６に示すように、主面側第２絶縁層１２４のビア
ホール１２５にフィルドビア導体１２８を形成すると共
に、裏面側第２絶縁層１４４のビアホール１４５にフィ
ルドビア導体１４８を形成する。また、主面側第２絶縁
層１２４上に主面側第３導体層１６５を形成し、裏面側
第１絶縁層１４４上に裏面側第３導体層１７５を形成す
る。その際、フィルドビア導体１２８（第１フィルドビ
ア導体１２９及び第２フィルドビア導体１３０）並びに
フィルドビア導体１４８の表面が膨らみ、高さ約５μｍ
の膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒがそれぞれでき
るまでＣｕ電解メッキを施す。次に、第３導体粗化工程
において、フィルドビア導体１２８（第１フィルドビア
導体１２９及び第２フィルドビア導体１３０）の表面全
面並びにフィルドビア導体１４８の表面全面と、主面側
第３導体層１６５の表面全面及び裏面側第３導体層１７
５の表面全面とを、表面粗さＲａ＝約０．５μｍに粗化
する。
【０１１２】次に、上記実施形態１と同様に、ソルダー
レジスト層形成工程において、図７に示すように、主面
側第２絶縁層１２４及び主面側第３導体層１６５上に、
主面側開口１３４を所定の位置に有する主面側ソルダー
レジスト層１３３を形成する。また同様にして、裏面側
第２絶縁層１４４及び裏面側第３導体層１７５上に、裏
面側開口１５４を所定の位置に有する裏面側ソルダーレ
ジスト層１５３を形成する。具体的には、真空ラミネー
トにより、主面側第２絶縁層１２４及び主面側第３導体
層１６５上に未硬化の主面側ソルダーレジスト層を積層
すると共に、裏面側第２絶縁層１４４及び裏面側第３導
体層１７５上に未硬化の裏面側ソルダーレジスト層を積
層する。その際、搬送ローラや真空シールローラが、基
板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体１２９，
１３０，１４８の頂部にもそれぞれ接触するが、膨出部
１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒの高さが５μｍ以下に抑
えられているので、膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８
Ｒは潰れず、表面粗さが低下するのが防止される。
レジスト層形成工程において、図７に示すように、主面
側第２絶縁層１２４及び主面側第３導体層１６５上に、
主面側開口１３４を所定の位置に有する主面側ソルダー
レジスト層１３３を形成する。また同様にして、裏面側
第２絶縁層１４４及び裏面側第３導体層１７５上に、裏
面側開口１５４を所定の位置に有する裏面側ソルダーレ
ジスト層１５３を形成する。具体的には、真空ラミネー
トにより、主面側第２絶縁層１２４及び主面側第３導体
層１６５上に未硬化の主面側ソルダーレジスト層を積層
すると共に、裏面側第２絶縁層１４４及び裏面側第３導
体層１７５上に未硬化の裏面側ソルダーレジスト層を積
層する。その際、搬送ローラや真空シールローラが、基
板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体１２９，
１３０，１４８の頂部にもそれぞれ接触するが、膨出部
１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒの高さが５μｍ以下に抑
えられているので、膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８
Ｒは潰れず、表面粗さが低下するのが防止される。
【０１１３】次に、本実施形態では、Ｎｉメッキを施す
ことなく、図１３に示すように、Ａｕメッキを施し、主
面側ソルダーレジスト層１３３の主面側開口１３４内に
露出するフィルドビア導体１２８（第１フィルドビア導
体１２９）上に、厚さ約０．０５μｍの主面側Ａｕメッ
キ層２３７を被着させる。またこれと共に、裏面側ソル
ダーレジスト層１５３の裏面側開口１５４内に露出する
フィルドビア導体１４８上にも、厚さ約０．０５μｍの
裏面側Ａｕメッキ層２５５を被着させ、これを裏面側接
続端子２５５とする。
ことなく、図１３に示すように、Ａｕメッキを施し、主
面側ソルダーレジスト層１３３の主面側開口１３４内に
露出するフィルドビア導体１２８（第１フィルドビア導
体１２９）上に、厚さ約０．０５μｍの主面側Ａｕメッ
キ層２３７を被着させる。またこれと共に、裏面側ソル
ダーレジスト層１５３の裏面側開口１５４内に露出する
フィルドビア導体１４８上にも、厚さ約０．０５μｍの
裏面側Ａｕメッキ層２５５を被着させ、これを裏面側接
続端子２５５とする。
【０１１４】次に、第１フィルドビア導体１２９上にハ
ンダバンプ２３５を形成し、主面側接続端子２３５とす
る（図９参照）。その際、主面側Ａｕメッキ層２３７の
Ａｕは、ハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ２３５
は、前述したように第１フィルドビア導体１２９に溶着
する。以上のようにして、配線基板２０１が完成する。
ンダバンプ２３５を形成し、主面側接続端子２３５とす
る（図９参照）。その際、主面側Ａｕメッキ層２３７の
Ａｕは、ハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ２３５
は、前述したように第１フィルドビア導体１２９に溶着
する。以上のようにして、配線基板２０１が完成する。
【０１１５】以上で説明したように、本実施形態でも、
フィルドビア形成工程において、第２フィルドビア導体
１３０の膨出部１３０Ｒの高さ（約５μｍ）を、５μｍ
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層１３３を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第２フィルドビア１３０
の膨出部１３０Ｒに接触しても、膨出部１３０Ｒが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第２
フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジスト層１
３３との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
フィルドビア形成工程において、第２フィルドビア導体
１３０の膨出部１３０Ｒの高さ（約５μｍ）を、５μｍ
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層１３３を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第２フィルドビア１３０
の膨出部１３０Ｒに接触しても、膨出部１３０Ｒが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第２
フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジスト層１
３３との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
【０１１６】（実施形態３）次いで、第３の実施の形態
について説明する。なお、上記実施形態１または実施形
態２と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態の配線基板３０１について、図１４に部分断面
図を示す。また、図１５に主面側接続端子３３５近傍の
部分拡大断面図を、図１６に主面側第２絶縁層１２４の
第２フィルドビア導体１３０近傍の部分拡大断面図を、
図１７に裏面側接続端子１４８近傍の部分拡大断面図を
示す。
について説明する。なお、上記実施形態１または実施形
態２と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態の配線基板３０１について、図１４に部分断面
図を示す。また、図１５に主面側接続端子３３５近傍の
部分拡大断面図を、図１６に主面側第２絶縁層１２４の
第２フィルドビア導体１３０近傍の部分拡大断面図を、
図１７に裏面側接続端子１４８近傍の部分拡大断面図を
示す。
【０１１７】この配線基板３０１は、上記実施形態１，
２と同様に、ＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０
２と、マザーボードに接続される基板裏面１０３とを有
する略矩形の略板形状である。また、配線基板３０１
は、その中心にコア基板１１１を備え、コア主面１１２
側には、主面側第１絶縁層１２１、主面側第２絶縁層１
２４、及び、主面側ソルダーレジスト層１３３が積層さ
れ、コア裏面１１３側には、裏面側第１絶縁層１４１、
裏面側第２絶縁層１４４、及び、裏面側ソルダーレジス
ト層１５３が積層されている。
２と同様に、ＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０
２と、マザーボードに接続される基板裏面１０３とを有
する略矩形の略板形状である。また、配線基板３０１
は、その中心にコア基板１１１を備え、コア主面１１２
側には、主面側第１絶縁層１２１、主面側第２絶縁層１
２４、及び、主面側ソルダーレジスト層１３３が積層さ
れ、コア裏面１１３側には、裏面側第１絶縁層１４１、
裏面側第２絶縁層１４４、及び、裏面側ソルダーレジス
ト層１５３が積層されている。
【０１１８】また、コア基板１１１には、多数のスルー
ホール１１５が所定の位置に形成され、その内周面に
は、スルーホール導体１１６がそれぞれ形成され、さら
に、各スルーホール導体１１６内には、樹脂充填体１１
７が形成されている。また、主面側第１絶縁層１２１に
は、多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、フィルドビア導体１２３がそ
れぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビ
ア導体１２３は、ビアホール１２２内に形成された略円
錐台状の円錐台部と、その上に形成された円盤状の円盤
部とを有する。さらに、円盤部の中央上には、凸状に膨
らむ膨出部を有する。
ホール１１５が所定の位置に形成され、その内周面に
は、スルーホール導体１１６がそれぞれ形成され、さら
に、各スルーホール導体１１６内には、樹脂充填体１１
７が形成されている。また、主面側第１絶縁層１２１に
は、多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、フィルドビア導体１２３がそ
れぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビ
ア導体１２３は、ビアホール１２２内に形成された略円
錐台状の円錐台部と、その上に形成された円盤状の円盤
部とを有する。さらに、円盤部の中央上には、凸状に膨
らむ膨出部を有する。
【０１１９】また、図１４〜図１６に示すように、主面
側第２絶縁層１２４にも、多数のビアホール１２５が所
定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィル
ドビア導体１２８がそれぞれ形成されている。具体的に
は、ビアホール１２５は、ＩＣチップＩＣを搭載する領
域下に配置された第１ビアホール１２６と、それ以外の
領域下に配置された第２ビアホール１２７に分類するこ
とができる。第１ビアホール１２６には第１フィルドビ
ア導体１２９が、第２ビアホール１２７には第２フィル
ドビア導体１３０が形成されている。第１フィルドビア
導体１２９も第２フィルドビア導体１３０も、第１ビア
ホール１２６または第２ビアホール１２７内に形成され
た略円錐台状の円錐台部１２９Ｐ，１３０Ｐと、その上
に形成された円盤状の円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑとを有
する（図１５及び図１６参照）。さらに、円盤部１２９
Ｑ，１３０Ｑの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径
が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３
０Ｒを有する。また、第１，第２フィルドビア導体１２
９，１３０の表面全面は、表面粗さＲａ＝約０．５μｍ
の粗化面とされている。
側第２絶縁層１２４にも、多数のビアホール１２５が所
定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィル
ドビア導体１２８がそれぞれ形成されている。具体的に
は、ビアホール１２５は、ＩＣチップＩＣを搭載する領
域下に配置された第１ビアホール１２６と、それ以外の
領域下に配置された第２ビアホール１２７に分類するこ
とができる。第１ビアホール１２６には第１フィルドビ
ア導体１２９が、第２ビアホール１２７には第２フィル
ドビア導体１３０が形成されている。第１フィルドビア
導体１２９も第２フィルドビア導体１３０も、第１ビア
ホール１２６または第２ビアホール１２７内に形成され
た略円錐台状の円錐台部１２９Ｐ，１３０Ｐと、その上
に形成された円盤状の円盤部１２９Ｑ，１３０Ｑとを有
する（図１５及び図１６参照）。さらに、円盤部１２９
Ｑ，１３０Ｑの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径
が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３
０Ｒを有する。また、第１，第２フィルドビア導体１２
９，１３０の表面全面は、表面粗さＲａ＝約０．５μｍ
の粗化面とされている。
【０１２０】主面側ソルダーレジスト層１３３には、図
１４及び図１５に示すように、多数の主面側開口１３４
がＩＣチップＩＣを搭載する領域に平面視略格子状に形
成されている。これら主面側開口１３４の内側には、主
面側第２絶縁層１２４に形成された第１フィルドビア導
体１２９の中央部、具体的には、第１フィルドビア導体
１２９の膨出部１２９Ｒが位置している。そして、各主
面側開口１３４には、第１フィルドビア導体１２９に接
続し、他方で搭載するＩＣチップＩＣの端子と接続され
る主面側接続端子３３５がそれぞれ形成されている。こ
れらの主面側接続端子３３５は、主面側開口１３４内に
おいて第１フィルドビア導体１２９の表面に溶着し、主
面側ソルダーレジスト層１３３の表面を越えて突出する
ハンダバンプ３３５からなる。
１４及び図１５に示すように、多数の主面側開口１３４
がＩＣチップＩＣを搭載する領域に平面視略格子状に形
成されている。これら主面側開口１３４の内側には、主
面側第２絶縁層１２４に形成された第１フィルドビア導
体１２９の中央部、具体的には、第１フィルドビア導体
１２９の膨出部１２９Ｒが位置している。そして、各主
面側開口１３４には、第１フィルドビア導体１２９に接
続し、他方で搭載するＩＣチップＩＣの端子と接続され
る主面側接続端子３３５がそれぞれ形成されている。こ
れらの主面側接続端子３３５は、主面側開口１３４内に
おいて第１フィルドビア導体１２９の表面に溶着し、主
面側ソルダーレジスト層１３３の表面を越えて突出する
ハンダバンプ３３５からなる。
【０１２１】主面側開口１３４の深さ（主面側ソルダー
レジスト層１３３の厚さ）は約２５μｍであるところ、
第１フィルドビア導体１２９の膨出部１２９Ｒの高さが
約５μｍであるから、第１フィルドビア導体１２９の表
面は、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面よりも低
位にある。一方、主面側第２絶縁層１２４に形成された
第２フィルドビア導体１３０は、その表面全面がこの主
面側ソルダーレジスト層１３３に覆われている（図１４
及び図１６参照）。主面側ソルダーレジスト層１３３の
うち、第２フィルドビア導体１３０の膨出部１３０Ｒ上
に積層された部分の厚さは、約５．５μｍである。
レジスト層１３３の厚さ）は約２５μｍであるところ、
第１フィルドビア導体１２９の膨出部１２９Ｒの高さが
約５μｍであるから、第１フィルドビア導体１２９の表
面は、主面側ソルダーレジスト層１３３の表面よりも低
位にある。一方、主面側第２絶縁層１２４に形成された
第２フィルドビア導体１３０は、その表面全面がこの主
面側ソルダーレジスト層１３３に覆われている（図１４
及び図１６参照）。主面側ソルダーレジスト層１３３の
うち、第２フィルドビア導体１３０の膨出部１３０Ｒ上
に積層された部分の厚さは、約５．５μｍである。
【０１２２】図１４に示すように、裏面側第１絶縁層１
４１にも、多数のビアホール１４２が所定の位置に形成
され、その内部及びその上には、フィルドビア導体１４
３がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィ
ルドビア導体１４３は、フィルドビア導体１２３，１２
８と同様に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表
面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。
４１にも、多数のビアホール１４２が所定の位置に形成
され、その内部及びその上には、フィルドビア導体１４
３がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィ
ルドビア導体１４３は、フィルドビア導体１２３，１２
８と同様に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表
面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。
【０１２３】また、図１４及び図１７に示すように、裏
面側第２絶縁層１４４にも、多数のビアホール１４５が
所定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィ
ルドビア導体１４８がそれぞれ形成されている。具体的
には、各々のフィルドビア導体１４８は、フィルドビア
導体１２３，１２８，１４３と同様に、ビアホール１４
５内に形成された略円錐台状の円錐台部１４８Ｐと、そ
の上に形成された円盤状の円盤部１４８Ｑと、その中央
上に凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約
５μｍの膨出部１４８Ｒとからなる（図１７参照）。ま
た、フィルドビア導体１４８の表面全面は、表面粗さＲ
ａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。
面側第２絶縁層１４４にも、多数のビアホール１４５が
所定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィ
ルドビア導体１４８がそれぞれ形成されている。具体的
には、各々のフィルドビア導体１４８は、フィルドビア
導体１２３，１２８，１４３と同様に、ビアホール１４
５内に形成された略円錐台状の円錐台部１４８Ｐと、そ
の上に形成された円盤状の円盤部１４８Ｑと、その中央
上に凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約
５μｍの膨出部１４８Ｒとからなる（図１７参照）。ま
た、フィルドビア導体１４８の表面全面は、表面粗さＲ
ａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。
【０１２４】裏面側ソルダーレジスト層１５３には、多
数の裏面側開口１５４が平面視略格子状に形成されてい
る（図１４及び図１７参照）。これら裏面側開口１５４
の内側には、裏面側第２絶縁層１４４に形成されたフィ
ルドビア導体１４８の中央部、具体的には、フィルドビ
ア導体１４８の膨出部１４８Ｒと円盤部１４８Ｑの一部
が位置している。そして、このフィルドビア導体１４８
自体が、マザーボードの端子と接続される裏面接続端子
１４８となっている。裏面側開口１５４の深さ（裏面側
ソルダーレジスト層１５３の厚さ）は約２５μｍである
ところ、フィルドビア導体１４８の膨出部１４８Ｒの高
さが約５μｍであるから、フィルドビア導体１４８の表
面は、裏面ソルダーレジスト層１５３の表面よりも低位
にある。
数の裏面側開口１５４が平面視略格子状に形成されてい
る（図１４及び図１７参照）。これら裏面側開口１５４
の内側には、裏面側第２絶縁層１４４に形成されたフィ
ルドビア導体１４８の中央部、具体的には、フィルドビ
ア導体１４８の膨出部１４８Ｒと円盤部１４８Ｑの一部
が位置している。そして、このフィルドビア導体１４８
自体が、マザーボードの端子と接続される裏面接続端子
１４８となっている。裏面側開口１５４の深さ（裏面側
ソルダーレジスト層１５３の厚さ）は約２５μｍである
ところ、フィルドビア導体１４８の膨出部１４８Ｒの高
さが約５μｍであるから、フィルドビア導体１４８の表
面は、裏面ソルダーレジスト層１５３の表面よりも低位
にある。
【０１２５】また、上記実施形態１，２と同様に、コア
基板１１１と主面側第１絶縁層１２１との層間には、図
１４に示すように、主面側第１導体層１６１が形成さ
れ、主面側第１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４
との層間には、主面側第２導体層１６３が形成され、ま
た、主面側第２絶縁層１２４と主面側ソルダーレジスト
層１３３との層間には、主面側第３導体層１６５が形成
されている。また、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層
１４１との層間には、裏面側第１導体層１７１が形成さ
れ、裏面側第１絶縁層１４１と裏面側第２絶縁層１４４
との層間には、裏面側第２導体層１７３が形成され、ま
た、裏面側第２絶縁層１４４と裏面側ソルダーレジスト
層１５３との層間には、裏面側第３導体層１７５が形成
されている。
基板１１１と主面側第１絶縁層１２１との層間には、図
１４に示すように、主面側第１導体層１６１が形成さ
れ、主面側第１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４
との層間には、主面側第２導体層１６３が形成され、ま
た、主面側第２絶縁層１２４と主面側ソルダーレジスト
層１３３との層間には、主面側第３導体層１６５が形成
されている。また、コア基板１１１と裏面側第１絶縁層
１４１との層間には、裏面側第１導体層１７１が形成さ
れ、裏面側第１絶縁層１４１と裏面側第２絶縁層１４４
との層間には、裏面側第２導体層１７３が形成され、ま
た、裏面側第２絶縁層１４４と裏面側ソルダーレジスト
層１５３との層間には、裏面側第３導体層１７５が形成
されている。
【０１２６】このような配線基板３０１は、その製造に
あたり、第１フィルドビア導体１２９上にハンダバンプ
３３５を形成するときに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ３３５
にボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプ３３５の
クラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子３３
５に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させ
ることができる。さらに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ３３５
との接合面積が増加するので、ハンダバンプ２３５の接
合強度を向上させることができる。
あたり、第１フィルドビア導体１２９上にハンダバンプ
３３５を形成するときに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ３３５
にボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプ３３５の
クラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子３３
５に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させ
ることができる。さらに、第１フィルドビア導体１２９
の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ３３５
との接合面積が増加するので、ハンダバンプ２３５の接
合強度を向上させることができる。
【０１２７】また、この配線基板３０１をマザーボード
に接続するにあたり、フィルドビア導体１４８にハンダ
を付けるときに、フィルドビア導体１４８の表面が凸状
に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにくい。従
って、ハンダのクラック耐性が向上する。よって、電気
的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させることが
できる。さらに、フィルドビア導体１４８の表面が膨ら
んでいることにより、ハンダとの接合面積が増加するの
で、ハンダの接合強度を向上させることができる。
に接続するにあたり、フィルドビア導体１４８にハンダ
を付けるときに、フィルドビア導体１４８の表面が凸状
に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにくい。従
って、ハンダのクラック耐性が向上する。よって、電気
的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させることが
できる。さらに、フィルドビア導体１４８の表面が膨ら
んでいることにより、ハンダとの接合面積が増加するの
で、ハンダの接合強度を向上させることができる。
【０１２８】さらに、本実施形態では、第１フィルドビ
ア導体１２９の表面が主面側ソルダーレジスト層１３３
の表面よりも低位とされているので、ＩＣチップＩＣを
良好な状態で搭載することができる。また、フィルドビ
ア導体１４８の表面が裏面側ソルダーレジスト層１５３
の表面よりも低位とされているので、マザーボードに接
続したときに、マザーボードとの接続状態を良好にする
ことができる。
ア導体１２９の表面が主面側ソルダーレジスト層１３３
の表面よりも低位とされているので、ＩＣチップＩＣを
良好な状態で搭載することができる。また、フィルドビ
ア導体１４８の表面が裏面側ソルダーレジスト層１５３
の表面よりも低位とされているので、マザーボードに接
続したときに、マザーボードとの接続状態を良好にする
ことができる。
【０１２９】さらに、本実施形態では、主面側ソルダー
レジスト層１３３に覆われた第２フィルドビア導体１３
０の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層１３３を形成するとき
に、第２フィルドビア導体１３０上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板３０１の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第２フィルドビア導体１３０の膨出
部１３０Ｒ上に積層された主面側ソルダーレジスト層１
３３の厚さ（約５．５μｍ）は、５μｍ以上あるので、
第２フィルドビア１３０上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板３０１の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部１３０Ｒを含め、第２フィ
ルドビア導体１３０の表面全面が粗化面である。従っ
て、第２フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジ
スト層１３３との密着強度を向上させることができる。
レジスト層１３３に覆われた第２フィルドビア導体１３
０の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層１３３を形成するとき
に、第２フィルドビア導体１３０上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板３０１の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第２フィルドビア導体１３０の膨出
部１３０Ｒ上に積層された主面側ソルダーレジスト層１
３３の厚さ（約５．５μｍ）は、５μｍ以上あるので、
第２フィルドビア１３０上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板３０１の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部１３０Ｒを含め、第２フィ
ルドビア導体１３０の表面全面が粗化面である。従っ
て、第２フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジ
スト層１３３との密着強度を向上させることができる。
【０１３０】次いで、この配線基板３０１の製造方法に
ついて図を参照しつつ説明する。まず、上記実施形態
１，２と同様にして、図５に示す基板を製造する。次
に、上記実施形態１，２と同様に、第２フィルドビア形
成工程において、図６に示すように、主面側第２絶縁層
１２４のビアホール１２５にフィルドビア導体１２８を
形成すると共に、裏面側第２絶縁層１４４のビアホール
１４５にフィルドビア導体１４８を形成する。また、主
面側第２絶縁層１２４上に主面側第３導体層１６５を形
成し、裏面側第１絶縁層１４４上に裏面側第３導体層１
７５を形成する。その際、フィルドビア導体１２８（第
１フィルドビア導体１２９及び第２フィルドビア導体１
３０）並びにフィルドビア導体１４８の表面が膨らみ、
高さ約５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒが
それぞれできるまでＣｕ電解メッキを施す。次に、第３
導体粗化工程において、フィルドビア導体１２８（第１
フィルドビア導体１２９及び第２フィルドビア導体１３
０）の表面全面並びにフィルドビア導体１４８の表面全
面と、主面側第３導体層１６５の表面全面及び裏面側第
３導体層１７５の表面全面とを、表面粗さＲａ＝約０．
５μｍに粗化する。
ついて図を参照しつつ説明する。まず、上記実施形態
１，２と同様にして、図５に示す基板を製造する。次
に、上記実施形態１，２と同様に、第２フィルドビア形
成工程において、図６に示すように、主面側第２絶縁層
１２４のビアホール１２５にフィルドビア導体１２８を
形成すると共に、裏面側第２絶縁層１４４のビアホール
１４５にフィルドビア導体１４８を形成する。また、主
面側第２絶縁層１２４上に主面側第３導体層１６５を形
成し、裏面側第１絶縁層１４４上に裏面側第３導体層１
７５を形成する。その際、フィルドビア導体１２８（第
１フィルドビア導体１２９及び第２フィルドビア導体１
３０）並びにフィルドビア導体１４８の表面が膨らみ、
高さ約５μｍの膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒが
それぞれできるまでＣｕ電解メッキを施す。次に、第３
導体粗化工程において、フィルドビア導体１２８（第１
フィルドビア導体１２９及び第２フィルドビア導体１３
０）の表面全面並びにフィルドビア導体１４８の表面全
面と、主面側第３導体層１６５の表面全面及び裏面側第
３導体層１７５の表面全面とを、表面粗さＲａ＝約０．
５μｍに粗化する。
【０１３１】次に、上記実施形態１，２と同様に、ソル
ダーレジスト層形成工程において、図７に示すように、
主面側第２絶縁層１２４及び主面側第３導体層１６５上
に、主面側開口１３４を所定の位置に有する主面側ソル
ダーレジスト層１３３を形成する。また同様にして、裏
面側第２絶縁層１４４及び裏面側第３導体層１７５上
に、裏面側開口１５４を所定の位置に有する裏面側ソル
ダーレジスト層１５３を形成する。具体的には、真空ラ
ミネートにより、主面側第２絶縁層１２４及び主面側第
３導体層１６５上に未硬化の主面側ソルダーレジスト層
を積層すると共に、裏面側第２絶縁層１４４及び裏面側
第３導体層１７５上に未硬化の裏面側ソルダーレジスト
層を積層する。その際、搬送ローラや真空シールローラ
が、基板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体１
２９，１３０，１４８の頂部にもそれぞれ接触するが、
膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒの高さが５μｍ以
下に抑えられているので、膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，
１４８Ｒは潰れず、表面粗さが低下するのが防止され
る。
ダーレジスト層形成工程において、図７に示すように、
主面側第２絶縁層１２４及び主面側第３導体層１６５上
に、主面側開口１３４を所定の位置に有する主面側ソル
ダーレジスト層１３３を形成する。また同様にして、裏
面側第２絶縁層１４４及び裏面側第３導体層１７５上
に、裏面側開口１５４を所定の位置に有する裏面側ソル
ダーレジスト層１５３を形成する。具体的には、真空ラ
ミネートにより、主面側第２絶縁層１２４及び主面側第
３導体層１６５上に未硬化の主面側ソルダーレジスト層
を積層すると共に、裏面側第２絶縁層１４４及び裏面側
第３導体層１７５上に未硬化の裏面側ソルダーレジスト
層を積層する。その際、搬送ローラや真空シールローラ
が、基板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体１
２９，１３０，１４８の頂部にもそれぞれ接触するが、
膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，１４８Ｒの高さが５μｍ以
下に抑えられているので、膨出部１２９Ｒ，１３０Ｒ，
１４８Ｒは潰れず、表面粗さが低下するのが防止され
る。
【０１３２】次に、本実施形態では、ＮｉメッキやＡｕ
メッキを施すことなく、第１フィルドビア導体１２９上
にハンダバンプ３３５を形成し、主面側接続端子３３５
とする（図１５参照）。以上のようにして、配線基板３
０１が完成する。
メッキを施すことなく、第１フィルドビア導体１２９上
にハンダバンプ３３５を形成し、主面側接続端子３３５
とする（図１５参照）。以上のようにして、配線基板３
０１が完成する。
【０１３３】以上で説明したように、本実施形態でも、
フィルドビア形成工程において、第２フィルドビア導体
１３０の膨出部１３０Ｒの高さ（約５μｍ）を、５μｍ
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層１３３を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第２フィルドビア１３０
の膨出部１３０Ｒに接触しても、膨出部１３０Ｒが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第２
フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジスト層１
３３との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
フィルドビア形成工程において、第２フィルドビア導体
１３０の膨出部１３０Ｒの高さ（約５μｍ）を、５μｍ
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層１３３を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第２フィルドビア１３０
の膨出部１３０Ｒに接触しても、膨出部１３０Ｒが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第２
フィルドビア導体１３０と主面側ソルダーレジスト層１
３３との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
【０１３４】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記各実施形態１〜３に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
実施形態１では、主面側Ｎｉメッキ層１３６上にハンダ
バンプ１３８を形成しているが、ハンダバンプ１３８の
ない配線基板を製品とすることもできる。即ち、図８に
示す状態の配線基板とすることもできる。このような配
線基板は、主面側Ｎｉメッキ層１３６にハンダを付ける
ときに、主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面が凸状に膨ら
んでいるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、
ハンダのクラック耐性を向上させることができる。よっ
て、主面側接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、
配線基板の信頼性を向上させることができる。さらに、
主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面が膨らんでいることに
より、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接
合強度が向上させることができる。また、その他、上記
実施形態と同様な部分は、同様な効果を奏する。なお、
これと同様に、上記実施形態２及び実施形態３において
も、ハンダバンプ２３５，３３５のない状態の配線基板
を製品としてもよい。
説明したが、本発明は上記各実施形態１〜３に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
実施形態１では、主面側Ｎｉメッキ層１３６上にハンダ
バンプ１３８を形成しているが、ハンダバンプ１３８の
ない配線基板を製品とすることもできる。即ち、図８に
示す状態の配線基板とすることもできる。このような配
線基板は、主面側Ｎｉメッキ層１３６にハンダを付ける
ときに、主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面が凸状に膨ら
んでいるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、
ハンダのクラック耐性を向上させることができる。よっ
て、主面側接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、
配線基板の信頼性を向上させることができる。さらに、
主面側Ｎｉメッキ層１３６の表面が膨らんでいることに
より、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接
合強度が向上させることができる。また、その他、上記
実施形態と同様な部分は、同様な効果を奏する。なお、
これと同様に、上記実施形態２及び実施形態３において
も、ハンダバンプ２３５，３３５のない状態の配線基板
を製品としてもよい。
【０１３５】また、上記各実施形態１〜３では、ハンダ
を介して裏面側接続端子１５５，２５５，１４８とマザ
ーボードを接続する配線基板１０１，２０１，３０１に
ついて示したが、裏面側接続端子１５５等にハンダを介
してピンを立設することもできる。
を介して裏面側接続端子１５５，２５５，１４８とマザ
ーボードを接続する配線基板１０１，２０１，３０１に
ついて示したが、裏面側接続端子１５５等にハンダを介
してピンを立設することもできる。
【図１】実施形態１に係る配線基板の部分断面図であ
る。
る。
【図２】実施形態１に係る配線基板のうち主面側接続端
子近傍を示す部分拡大断面図である。
子近傍を示す部分拡大断面図である。
【図３】実施形態１に係る配線基板のうち主面側第２絶
縁層の第２フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面図
である。
縁層の第２フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面図
である。
【図４】実施形態１に係る配線基板のうち裏面側接続端
子近傍を示す部分拡大断面図である。
子近傍を示す部分拡大断面図である。
【図５】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側第２絶縁層及び裏面側第２絶縁層まで形成した基
板を示す説明図である。
主面側第２絶縁層及び裏面側第２絶縁層まで形成した基
板を示す説明図である。
【図６】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側第２絶縁層のフィルドビア導体及び裏面側第２絶
縁層のフィルドビア導体等を形成した様子を示す説明図
である。
主面側第２絶縁層のフィルドビア導体及び裏面側第２絶
縁層のフィルドビア導体等を形成した様子を示す説明図
である。
【図７】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側ソルダーレジスト層及び裏面側ソルダーレジスト
層を形成した様子を示す説明図である。
主面側ソルダーレジスト層及び裏面側ソルダーレジスト
層を形成した様子を示す説明図である。
【図８】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側Ｎｉメッキ層、主面側Ａｕメッキ層、裏面側Ｎｉ
メッキ層、裏面側Ａｕメッキ層を形成した様子を示す説
明図である。
主面側Ｎｉメッキ層、主面側Ａｕメッキ層、裏面側Ｎｉ
メッキ層、裏面側Ａｕメッキ層を形成した様子を示す説
明図である。
【図９】実施形態２に係る配線基板の部分断面図であ
る。
る。
【図１０】実施形態２に係る配線基板のうち主面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
【図１１】実施形態２に係る配線基板のうち主面側第２
絶縁層の第２フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面
図である。
絶縁層の第２フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面
図である。
【図１２】実施形態２に係る配線基板のうち裏面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
【図１３】実施形態２に係る配線基板の製造方法に関
し、主面側Ａｕメッキ層及び裏面側Ａｕメッキ層を形成
した様子を示す説明図である。
し、主面側Ａｕメッキ層及び裏面側Ａｕメッキ層を形成
した様子を示す説明図である。
【図１４】実施形態３に係る配線基板の部分断面図であ
る。
る。
【図１５】実施形態３に係る配線基板のうち主面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
【図１６】実施形態３に係る配線基板のうち主面側第２
絶縁層の第２フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面
図である。
絶縁層の第２フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面
図である。
【図１７】実施形態３に係る配線基板のうち裏面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
【図１８】従来形態に係る配線基板の要部の部分拡大断
面図である。
面図である。
１０１，２０１，３０１ 配線基板
１２１ 主面側第１絶縁層
１２２，１２５，１４２，１４５ ビアホール
１２３，１２８，１４３，１４８ フィルドビア導体
１２４ 主面側第２絶縁層
１２６ 第１ビアホール
１２７ 第２ビアホール
１２９ 第１フィルドビア導体
１３０ 第２フィルドビア導体
１３３ 主面側ソルダーレジスト層
１３４ 主面側開口
１３５，２３５，３３５ 主面側接続端子
１３６ 主面側Ｎｉメッキ層
１３８，２３５，３３５ ハンダバンプ
１４１ 裏面側第１絶縁層
１４４ 裏面側第２絶縁層
１５３ 裏面側ソルダーレジスト層
１５４ 裏面側開口
１５５，２５５，１４８ 裏面側接続端子
１５６ 裏面側Ｎｉメッキ層
１５７，２５５ 裏面側Ａｕメッキ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 伴 典高
愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日
本特殊陶業株式会社内
(72)発明者 山崎 耕三
愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日
本特殊陶業株式会社内
Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 AC02 AC11 BB04
CC33 CD26 GG03 GG11
5E343 AA17 BB17 BB23 BB24 BB44
DD33 DD43 EE53 GG02 GG18
5E346 AA15 AA32 AA43 BB16 CC09
CC32 CC37 CC38 DD13 DD25
DD47 EE18 FF07 FF09 FF10
FF15 FF18 FF22 FF45 GG06
GG15 GG17 GG25 HH07 HH11
HH33
Claims (21)
- 【請求項１】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層と、を備
える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。 - 【請求項２】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、を備
える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている配線基板。 - 【請求項３】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備える
配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。 - 【請求項４】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプ
と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている配線基板。 - 【請求項５】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、 上記開口内において上記フィルドビア導体の表面に被着
した金属層と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。 - 【請求項６】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、 上記開口内において上記フィルドビア導体の表面に被着
した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備える
配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。 - 【請求項７】請求項５または請求項６に記載の配線基板
であって、 前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表面よ
りも低位にある配線基板。 - 【請求項８】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板。 - 【請求項９】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、 上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプ
と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板。 - 【請求項１０】請求項８または請求項９に記載の配線基
板であって、 前記フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジスト
層の表面よりも低位にある配線基板。 - 【請求項１１】第１ビアホールと第２ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第１ビアホールに形成された第１フィルドビア導体
と、 上記第２ビアホールに形成された第２フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第１フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第２フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記開口内において上記第１フィルドビア導体の表面に
被着した金属層と、を備える配線基板であって、 上記第１フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記第１フィルドビア導体の表面に倣っ
て、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、 上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。 - 【請求項１２】第１ビアホールと第２ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第１ビアホールに形成された第１フィルドビア導体
と、 上記第２ビアホールに形成された第２フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第１フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第２フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記開口内において上記第１フィルドビア導体の表面に
被着した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備える
配線基板であって、 上記第１フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記第１フィルドビア導体の表面に倣っ
て、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、 上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。 - 【請求項１３】請求項１１または請求項１２に記載の配
線基板であって、 前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表面よ
りも低位にある配線基板。 - 【請求項１４】第１ビアホールと第２ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第１ビアホールに形成された第１フィルドビア導体
と、 上記第２ビアホールに形成された第２フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第１フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第２フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、
を備える配線基板であって、 上記第１フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。 - 【請求項１５】第１ビアホールと第２ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第１ビアホールに形成された第１フィルドビア導体
と、 上記第２ビアホールに形成された第２フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第１フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第２フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記第１フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバン
プと、を備える配線基板であって、 上記第１フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。 - 【請求項１６】請求項１４または請求項１５に記載の配
線基板であって、 前記第１フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジ
スト層の表面よりも低位にある配線基板。 - 【請求項１７】請求項１１〜請求項１６のいずれか一項
に記載の配線基板であって、 前記ソルダーレジスト層のうち、前記第２フィルドビア
導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、５μｍ以上
である配線基板。 - 【請求項１８】請求項１１〜請求項１７のいずれか一項
に記載の配線基板であって、 前記第２フィルドビア導体は、その表面全面が粗化面で
ある配線基板。 - 【請求項１９】第１ビアホールと第２ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第１ビアホールに形成された第１フィルドビア導体
と、 上記第２ビアホールに形成された第２フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第１フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第２フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記開口内において上記第１フィルドビア導体の表面に
被着した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備え、 上記第１フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記第１フィルドビア導体の表面に倣っ
て、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、 上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、 電解メッキにより、上記膨出部を有する第１フィルドビ
ア導体と上記膨出部を有する第２フィルドビア導体とを
同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上記膨
出部の高さが１５μｍ以下の上記第２フィルドビア導体
を形成するフィルドビア形成工程と、 上記第２フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工
程と、 真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法。 - 【請求項２０】第１ビアホールと第２ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第１ビアホールに形成された第１フィルドビア導体
と、 上記第２ビアホールに形成された第２フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第１フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第２フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記第１フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバン
プと、 を備え、 上記第１フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記第２フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、 電解メッキにより、上記膨出部を有する第１フィルドビ
ア導体と上記膨出部を有する第２フィルドビア導体とを
同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上記膨
出部の高さが１５μｍ以下の上記第２フィルドビア導体
を形成するフィルドビア形成工程と、 上記第２フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工
程と、 真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法。 - 【請求項２１】請求項１９または請求項２０に記載の配
線基板の製造方法であって、 前記フィルドビア形成工程において、前記膨出部の高さ
が５μｍ以下の前記第２フィルドビア導体を形成する配
線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002348107A JP2003332716A (ja) | 2002-03-04 | 2002-11-29 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2002-57350 | 2002-03-04 | ||
| JP2002057350 | 2002-03-04 | ||
| JP2002348107A JP2003332716A (ja) | 2002-03-04 | 2002-11-29 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332716A true JP2003332716A (ja) | 2003-11-21 |
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|---|---|---|---|
| JP2002348107A Pending JP2003332716A (ja) | 2002-03-04 | 2002-11-29 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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