JP2012060178A - 投影露光系、このような投影露光系の補助により微細構造の構成部材を製造する方法、このような系において使用するために適応させた偏光光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系に関する。本発明に係る投影露光系は、EUV領域の光を発生させるための光源(18)を備えている。投影露光系はさらに、光源(18)の光によってマスク(25)を照明するための第1の光学系(19、20、21、22、23、24)と、部材(32)にマスク(25)を結像するための第2の光学系(26、27、28、29、30、31)とを備えている。光源(18)と部材(32)との間のビーム経路に、少なくとも一つの偏光光学素子(1)が配置されている。
【選択図】図13
Description
Claims (24)
- EUV領域の光を発生させるための光源(18)と、当該光源(18)の光によってマスク(25)を照明するための第1の光学系(19、20、21、22、23、24)と、構成部材(32)に前記マスク(25)を結像するための第2の光学系(26、27、28、29、30)とを備える、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系であって、前記光源(18)と前記構成部材(32)との間のビーム経路にEUV領域用の少なくとも一つの偏光光学素子(1)が配置され、当該少なくとも一つの偏光光学素子が少なくとも一つの反射円錐面(3、7、12、14)を備え、前記光源によって発せられた光に偏光作用を及ぼす、投影露光系。
- 前記偏光光学素子は、
0゜から前記円錐面(3)が偏光作用をもたらす最大傾斜角までの傾斜角αの領域に円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するEUV光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する外側円錐面(3)を有する少なくとも一つの円錐体(2)を備え、および
前記円錐体(2)の外側円錐面(3)で反射されたEUV光を集束する少なくとも一つの別のEUV光用反射要素(4、11、13)を有する、請求項1に記載の投影露光系。 - 前記偏光光学素子は、
0゜から最大傾斜角までの傾斜角αの領域に別の円錐体(6)の円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するEUV光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する外側円錐面(3)を有する少なくとも一つの別の円錐体(6)を備え、
両円錐体(2、6)の底面領域が相互に向かい合い、両円錐面(3、7)の回転対称軸が一致している、請求項1または2に記載の投影露光系。 - 前記少なくとも一つの別の要素(4)が中空円筒体として形成され、その内面(5)が反射性を有し、前記中空円筒体の回転対称軸が前記少なくとも一つの円錐体(2、6)の回転対称軸と一致するように配置された、請求項2または3に記載の投影露光系。
- 前記少なくとも一つの偏光光学素子の少なくとも一つの別の反射要素が、0゜から最大傾斜角までの傾斜角αの領域に円錐面の回転対称軸への傾斜角αを下回って入射するEUV光の少なくとも所定の偏光成分に対して反射性を有する二つの内側円錐面(12、14)を有している投影露光系であって、
両内側円錐面(12、14)が相互に向かい合い、両内側円錐面(12、14)の回転対称軸が一致しており、
入射したEUV光が初めに前記偏光外側円錐面(3)によって反射され、その後続いて両内側円錐面(12、14)によって反射され、その後前記別の外側円錐面によって反射されるように前記円錐面(3、7、12、14)が配置された、請求項2または3に記載の投影露光系。 - 前記偏光光学素子の前記外側円錐面(3、7)および前記内側円錐面(12、14)が同一の円錐角を有する、請求項5に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子の円錐角が45゜である、請求項5に記載の投影露光系。
- EUV領域の光を発生させるための光源(18)と、当該光源(18)の光によってマスク(25)を照明するための第1の光学系(19、20、21、22、23、24)と、構成部材(32)に前記マスク(25)を結像するための第2の光学系(26、27、28、29、30)とを備える、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光系であって、前記光源(18)と前記構成部材(32)との間のビーム経路にEUV領域用の少なくとも一つの偏光光学素子(1)が配置され、当該少なくとも一つの偏光光学素子が、
所定の傾斜角αを下回って入射するEUV光の第1の偏光状態に対して少なくとも部分的に透明である基板を有し、
前記基板に配置され、かつEUV光の第2の偏光状態に対して反射性を有する層構造を有する、投影露光系。 - 約45゜のEUV光の入射角αで、透明でかつ反射する光学作用を有するように、前記偏光光学素子の基板および層構造が配置された、請求項8に記載の投影露光系。
- 前記基板が1μm未満の厚さを有し、好ましくはシリコン基板である、請求項8または9に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子の基板が、当該基板よりも機械的安定性の高い局所的に孔の開いたキャリヤ構成物に配置されている、請求項10に記載の投影露光系。
- 前記層構造が、交互に連続するモリブデン層とシリコン層を備える、請求項8〜11のいずれか一項に記載の投影露光系。
- 前記層構造が交互に連続する複数の層を有する、請求項12に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子が交互に連続する80層未満の層、好ましくは交互に連続する約40層の層を備える、請求項13に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子のモリブデン層の層厚が2,478nm/cosαであり、前記偏光光学素子のシリコン層の層厚が4,406nm/cosαである請求項12〜14のいずれか一項に記載の投影露光系。
- EUV光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも10%となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項8〜15のいずれか一項に記載の投影露光系。
- EUV光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも15%となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項16に記載の投影露光系。
- EUV光の透過成分の強度が反射成分の強度の少なくとも20%となるように前記偏光光学素子が配置された、請求項17に記載の投影露光系。
- 前記偏光光学素子の層構造が少なくとも一つの不均一な厚さの層を有し、または、
前記層構造の層のうち少なくとも一つがEUV光ビームにさらされる面を有し、その面が相互に傾斜した数個の部分面を有する、請求項8〜18のいずれか一項に記載の投影露光系。 - 偏光されたEUV領域の光によって投影露光系を少なくとも部分的に操作し、構成部材(32)の感光性被膜にマスク(25)を結像する、微細構造の構成部材(32)を製造する方法。
- EUV領域で操作される投影露光系の補助により構成部材(32)の感光性被膜にマスク(25)を結像し、このために用いる光の偏光状態を修正する、微細構造の構成部材(32)を製造する方法。
- 請求項1〜19のいずれか一項に記載の投影露光系で動作するように適応させた、EUV領域用の偏光光学素子。
- 少なくとも一つの構成要素(2、4、6、11、13、16、17)を備え、伝播方向を斜めに空間的に広がる光ビームの偏光状態に及ぼす前記構成要素の作用が光ビームの断面にわたって異なる、請求項21に記載の偏光光学素子。
- 伝播方向を斜めに空間的に広がる光ビームの場合、光ビームの断面にわたって不均一な偏光分布を形成する少なくとも一つの構成要素(2、4、6、11、13、16、17)を備える、請求項21に記載の偏光光学素子。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013239709A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Euvリソグラフィ用の光学アセンブリ |
JP2016503186A (ja) * | 2012-12-14 | 2016-02-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 |
JP2016509259A (ja) * | 2013-02-19 | 2016-03-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置に使用される出力ビームを発生させるためのeuv光源 |
JP2019197127A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7817250B2 (en) * | 2007-07-18 | 2010-10-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus |
DE102008002749A1 (de) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie |
DE102009045135A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie |
DE102010001336B3 (de) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems |
EP2622609A1 (en) | 2010-09-27 | 2013-08-07 | Carl Zeiss SMT GmbH | Mirror, projection objective comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective |
DE102011078928A1 (de) | 2011-07-11 | 2013-01-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
JP6137179B2 (ja) | 2011-07-26 | 2017-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法 |
DE102012203959A1 (de) | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102011086328A1 (de) | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie |
DE102012202057B4 (de) | 2012-02-10 | 2021-07-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement |
DE102012203950A1 (de) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012206153A1 (de) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012208521A1 (de) | 2012-05-22 | 2013-06-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102012217769A1 (de) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
DE102012219936A1 (de) | 2012-10-31 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013200394A1 (de) | 2013-01-14 | 2014-07-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarisationsmessvorrichtung, Lithographieanlage, Messanordnung, und Verfahren zur Polarisationsmessung |
DE102013201133A1 (de) * | 2013-01-24 | 2014-07-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013202645A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-02-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013203294A1 (de) | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe zur Polarisationsdrehung |
WO2014139814A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical unit for projection lithography |
DE102013205957A1 (de) | 2013-04-04 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014205579A1 (de) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle für eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014224822A1 (de) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für eine lithographieanlage, projektionssystem für eine lithographieanlage und lithographieanlage |
DE102016211993B4 (de) * | 2016-07-01 | 2018-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung und Verfahren zum Vermessen eines Polarisationsgrades und wellenlängenselektiver Polarisator |
DE102021202847A1 (de) | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Lithografie |
DE102022100591B9 (de) | 2022-01-12 | 2023-10-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie, und Strahlteiler zur Verwendung in einem solchen optischen System |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5759330A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-09 | Ibm | Silicon structure |
US4870648A (en) * | 1987-08-07 | 1989-09-26 | The United States Department Of Energy | X-ray beamsplitter |
JPH03181900A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Toshiba Corp | X線用ビームスプリッター及びその製造方法 |
JPH03196000A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-27 | Toshiba Corp | 軟x線用ビームスプリッタ |
JPH0555107A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 微細パターン転写方法およびその装置 |
JPH06181153A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光描画装置 |
JPH0794396A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Nikon Corp | X線投影露光装置 |
JPH07283116A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Nikon Corp | X線投影露光装置 |
JP2003035822A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-02-07 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 偏光器および偏光器を備えたマイクロリソグラフィー投影システム |
JP2003506747A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | 照明光学系用の多重反射鏡光学系 |
JP2003133212A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Canon Inc | 光学装置 |
JP2003227914A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Canon Inc | Euv光用の波面分割素子及びそれを有する位相測定装置 |
JP2004088075A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-03-18 | Asml Netherlands Bv | 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法 |
JP2004258670A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asml Netherlands Bv | 高開口数システムの固定および動的ラジアル横方向電気偏光器 |
WO2004100236A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Nikon Corporation | 照明光学系、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法、照明装置の製造方法、投影露光装置の調整方法、及び投影露光装置の製造方法 |
US20040263974A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Optical Coating Laboratory Inc., A Jds Unipahse Company And A Corporation Of The State Of Delware | Flat polarization conversion system with patterned retarder |
JP2005303084A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、露光装置の調整方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2006511967A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-04-06 | エーエスエムエル ホールディング ナームローゼ フェンノートシャップ | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3523641C1 (de) * | 1985-07-02 | 1986-12-18 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung |
US5222112A (en) | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
US6404482B1 (en) * | 1992-10-01 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
DE19535392A1 (de) * | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
US6438199B1 (en) * | 1998-05-05 | 2002-08-20 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illumination system particularly for microlithography |
DE10138313A1 (de) * | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
EP1035445B1 (de) * | 1999-02-15 | 2007-01-31 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US7053988B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-05-30 | Carl Zeiss Smt Ag. | Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine |
JP3689681B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 測定装置及びそれを有する装置群 |
DE10327963A1 (de) * | 2003-06-19 | 2005-01-05 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Polarisationsstrahlteiler |
US7408616B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
-
2006
- 2006-04-12 US US11/911,454 patent/US7982854B2/en active Active
- 2006-04-12 EP EP06753384A patent/EP1872176A2/en not_active Withdrawn
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- 2006-04-12 WO PCT/EP2006/003401 patent/WO2006111319A2/en not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-06-15 US US13/161,011 patent/US8854606B2/en active Active
- 2011-12-20 JP JP2011278378A patent/JP5480232B2/ja active Active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5759330A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-09 | Ibm | Silicon structure |
US4870648A (en) * | 1987-08-07 | 1989-09-26 | The United States Department Of Energy | X-ray beamsplitter |
JPH03181900A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Toshiba Corp | X線用ビームスプリッター及びその製造方法 |
JPH03196000A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-27 | Toshiba Corp | 軟x線用ビームスプリッタ |
JPH0555107A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 微細パターン転写方法およびその装置 |
JPH06181153A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光描画装置 |
JPH0794396A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Nikon Corp | X線投影露光装置 |
JPH07283116A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Nikon Corp | X線投影露光装置 |
JP2003506747A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | 照明光学系用の多重反射鏡光学系 |
JP2003035822A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-02-07 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 偏光器および偏光器を備えたマイクロリソグラフィー投影システム |
JP2003133212A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Canon Inc | 光学装置 |
JP2003227914A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Canon Inc | Euv光用の波面分割素子及びそれを有する位相測定装置 |
JP2004088075A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-03-18 | Asml Netherlands Bv | 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法 |
JP2006511967A (ja) * | 2003-02-21 | 2006-04-06 | エーエスエムエル ホールディング ナームローゼ フェンノートシャップ | 偏光された光によるリソグラフィ印刷 |
JP2004258670A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asml Netherlands Bv | 高開口数システムの固定および動的ラジアル横方向電気偏光器 |
WO2004100236A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Nikon Corporation | 照明光学系、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法、照明装置の製造方法、投影露光装置の調整方法、及び投影露光装置の製造方法 |
US20040263974A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Optical Coating Laboratory Inc., A Jds Unipahse Company And A Corporation Of The State Of Delware | Flat polarization conversion system with patterned retarder |
JP2005303084A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、露光装置の調整方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN5008004959; KJORNRATTANAWANICH: APPLIED OPTICS V43 N5, 20040210, P1082-1090 * |
JPN5008004960; DELMOTTE: APPLIED OPTICS V41 N28, 20021001, P5905-5912 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013239709A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Euvリソグラフィ用の光学アセンブリ |
JP2016503186A (ja) * | 2012-12-14 | 2016-02-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 |
JP2016509259A (ja) * | 2013-02-19 | 2016-03-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置に使用される出力ビームを発生させるためのeuv光源 |
JP2019197127A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
JP7102218B2 (ja) | 2018-05-09 | 2022-07-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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