JP2003075850A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2003075850A JP2003075850A JP2001261744A JP2001261744A JP2003075850A JP 2003075850 A JP2003075850 A JP 2003075850A JP 2001261744 A JP2001261744 A JP 2001261744A JP 2001261744 A JP2001261744 A JP 2001261744A JP 2003075850 A JP2003075850 A JP 2003075850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- substrate
- crystal display
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2007—Display of intermediate tones
- G09G3/2011—Display of intermediate tones by amplitude modulation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3659—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix the addressing of the pixel involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependant on signal of two data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133776—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers having structures locally influencing the alignment, e.g. unevenness
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0434—Flat panel display in which a field is applied parallel to the display plane
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/028—Improving the quality of display appearance by changing the viewing angle properties, e.g. widening the viewing angle, adapting the viewing angle to the view direction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Geometry (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶応答が高速であると同時に、駆動電圧の
変化に伴う色調変化が抑制されたＩＰＳ表示モードによ
る液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板と、第１基板に対向配置された
第２基板と、第１基板と第２基板とで狭持された液晶層
と、第１基板上に配置された複数の走査線と、第１基板
上に走査線と交差して配置された信号線と、走査線と信
号線とに囲まれた領域に対応して構成される画素と、第
１基板上に配置され、信号線に対応した画素電極と、第
１基板上に配置され、画素電極に対応した共通電極と、
走査線と信号線との交点に対応して配置され、信号線と
走査線と画素電極とに電気的に接続された第１アクティ
ブ素子と、第１基板上に配置された絶縁膜とを有する液
晶表示装置において、同一の画素内の光の透過領域で、
第１基板と第２基板との少なくともどちらか一方に、液
晶層の厚みを変動させる凹凸が設けられている液晶表示
装置を構成する。
変化に伴う色調変化が抑制されたＩＰＳ表示モードによ
る液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１基板と、第１基板に対向配置された
第２基板と、第１基板と第２基板とで狭持された液晶層
と、第１基板上に配置された複数の走査線と、第１基板
上に走査線と交差して配置された信号線と、走査線と信
号線とに囲まれた領域に対応して構成される画素と、第
１基板上に配置され、信号線に対応した画素電極と、第
１基板上に配置され、画素電極に対応した共通電極と、
走査線と信号線との交点に対応して配置され、信号線と
走査線と画素電極とに電気的に接続された第１アクティ
ブ素子と、第１基板上に配置された絶縁膜とを有する液
晶表示装置において、同一の画素内の光の透過領域で、
第１基板と第２基板との少なくともどちらか一方に、液
晶層の厚みを変動させる凹凸が設けられている液晶表示
装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な構成を持つ液
晶表示装置に関する。
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置は、ツイステッドネ
マチック（ＴＮ）表示モードに代表されるように、基板
面に対してほぼ垂直な電界を印加する表示モードを採用
している。しかし、ＴＮ表示モードでは、視野角特性が
不十分であるという問題がある。一方、インプレーン・
スイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇ：ＩＰＳ）表示モードが、特公昭６３−２１９０７
号、ＵＳＰ４３４５２４９号、ＷＯ９１／１０９３６
号、特開平６−１６０８７８号等の公報により提案され
ている。
マチック（ＴＮ）表示モードに代表されるように、基板
面に対してほぼ垂直な電界を印加する表示モードを採用
している。しかし、ＴＮ表示モードでは、視野角特性が
不十分であるという問題がある。一方、インプレーン・
スイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇ：ＩＰＳ）表示モードが、特公昭６３−２１９０７
号、ＵＳＰ４３４５２４９号、ＷＯ９１／１０９３６
号、特開平６−１６０８７８号等の公報により提案され
ている。
【０００３】このＩＰＳ表示モードでは、液晶駆動用の
電極が液晶を挟持する一対の基板のうち一方の基板上に
形成され、液晶には基板面に対して平行な成分を持つ電
界が印加される。このＩＰＳ表示モードでは、ＴＮ表示
モードに比較して広い視野角が得られる。しかしなが
ら、ＩＰＳ表示モードにおいても色調が視角に応じて変
化するという問題を持っている。この問題を解決するマ
ルチドメインＩＰＳ表示モードが特開平９−２５８２６
９等の公報により提案されている。このマルチドメイン
ＩＰＳ表示モードによる液晶表示装置を図２、図３、お
よび図４を用いて説明する。
電極が液晶を挟持する一対の基板のうち一方の基板上に
形成され、液晶には基板面に対して平行な成分を持つ電
界が印加される。このＩＰＳ表示モードでは、ＴＮ表示
モードに比較して広い視野角が得られる。しかしなが
ら、ＩＰＳ表示モードにおいても色調が視角に応じて変
化するという問題を持っている。この問題を解決するマ
ルチドメインＩＰＳ表示モードが特開平９−２５８２６
９等の公報により提案されている。このマルチドメイン
ＩＰＳ表示モードによる液晶表示装置を図２、図３、お
よび図４を用いて説明する。
【０００４】図２はマルチドメインＩＰＳ表示モードに
よる液晶表示装置の構成を示す図である。画素電極３５
に信号電位を供給する信号ドライバ５１と、画素を選択
する電位を供給する走査ドライバ５２と、共通電極３６
に電位を供給する共通電極ドライバ５４と、信号ドライ
バ５１および走査ドライバ５２および共通電極ドライバ
５４とを制御する表示制御装置５３とを有している。
よる液晶表示装置の構成を示す図である。画素電極３５
に信号電位を供給する信号ドライバ５１と、画素を選択
する電位を供給する走査ドライバ５２と、共通電極３６
に電位を供給する共通電極ドライバ５４と、信号ドライ
バ５１および走査ドライバ５２および共通電極ドライバ
５４とを制御する表示制御装置５３とを有している。
【０００５】基板１には、走査ドライバ５２に接続され
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続され、
かつ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と
信号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３
２と信号線３１と電気的に接続された第１ＴＦＴ３３
と、第１ＴＦＴ３３に電気的に接続され、信号線３１に
対応した画素電極３５と、画素電極３５に対応した共通
電極３６と、共通電極３６と共通電極ドライバ５４とに
電気的に接続された共通電極接続部３６’が備えられて
いる。信号線３１と走査線３２とに囲まれた領域に対応
して画素１１が形成され、複数の画素１１によって表示
部２２が形成されている。
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続され、
かつ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と
信号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３
２と信号線３１と電気的に接続された第１ＴＦＴ３３
と、第１ＴＦＴ３３に電気的に接続され、信号線３１に
対応した画素電極３５と、画素電極３５に対応した共通
電極３６と、共通電極３６と共通電極ドライバ５４とに
電気的に接続された共通電極接続部３６’が備えられて
いる。信号線３１と走査線３２とに囲まれた領域に対応
して画素１１が形成され、複数の画素１１によって表示
部２２が形成されている。
【０００６】図３はマルチドメインＩＰＳ表示モードに
よる液晶表示装置の画素近傍の回路配置パタン構成を示
す図である。走査線３２と信号線３１とは互いに交差
し、走査線３２と信号線３１とに囲まれた領域に対応し
て画素１１が形成されている。第１ＴＦＴ３３は走査線
３２と信号線３１との交点付近に対応して配置され、走
査線３２と信号線３１と画素電極３５とに電気的に接続
されている。共通電極３６は画素電極３５に対応して配
置され、共通電極３６と画素電極３５とで基板面に対し
て平行な成分を持つ電界を発生する。画素電極３５と共
通電極３６と信号線３１は一つの画素内で１回以上折れ
曲がり、マルチドメインを形成している。電界印加時の
液晶の回転方向を隣合うドメイン同士で反対方向とし、
視野角を広げるためである。
よる液晶表示装置の画素近傍の回路配置パタン構成を示
す図である。走査線３２と信号線３１とは互いに交差
し、走査線３２と信号線３１とに囲まれた領域に対応し
て画素１１が形成されている。第１ＴＦＴ３３は走査線
３２と信号線３１との交点付近に対応して配置され、走
査線３２と信号線３１と画素電極３５とに電気的に接続
されている。共通電極３６は画素電極３５に対応して配
置され、共通電極３６と画素電極３５とで基板面に対し
て平行な成分を持つ電界を発生する。画素電極３５と共
通電極３６と信号線３１は一つの画素内で１回以上折れ
曲がり、マルチドメインを形成している。電界印加時の
液晶の回転方向を隣合うドメイン同士で反対方向とし、
視野角を広げるためである。
【０００７】図４は、図３のＡ−Ａ’断面の断面図であ
る。材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対向配置さ
れ、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基板２とで
狭持された液晶層３４とを有する。 基板１は、共通電
極３６と、第１絶縁膜８１を介し共通電極３６よりも上
層に配置された信号線３１と、共通電極３６に対応し、
基板１面に対して平行な成分を持つ電界を発生する画素
電極３５と、画素電極３５上に備えられた保護膜８２
と、保護膜８２上に備えられた配向膜８５と、基板１の
液晶に面しない側の面上に備えられ、液晶の配向状態に
応じて光学特性を変える手段である偏光板６とを有す
る。基板２は、不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜
５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した色
を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィルタ４上に
備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平坦化膜上
３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しない
側の面上に備えられた偏光板６とを有する。
る。材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対向配置さ
れ、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基板２とで
狭持された液晶層３４とを有する。 基板１は、共通電
極３６と、第１絶縁膜８１を介し共通電極３６よりも上
層に配置された信号線３１と、共通電極３６に対応し、
基板１面に対して平行な成分を持つ電界を発生する画素
電極３５と、画素電極３５上に備えられた保護膜８２
と、保護膜８２上に備えられた配向膜８５と、基板１の
液晶に面しない側の面上に備えられ、液晶の配向状態に
応じて光学特性を変える手段である偏光板６とを有す
る。基板２は、不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜
５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した色
を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィルタ４上に
備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平坦化膜上
３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しない
側の面上に備えられた偏光板６とを有する。
【０００８】配向膜８５には液晶を配向させるためのラ
ビング処理が施されている。ラビング方向は信号線の延
伸方向ＤＬａに平行である。屈曲した画素電極の一辺と
ラビング方向とのなす角は１５度であり、ＩＰＳ表示モ
ードに対応している。偏光板６の透過軸は、それぞれの
偏光板が配置されている基板上の配向膜のラビング方向
に対して平行あるいは垂直に向けられており、基板１の
偏光板と基板２の偏光板はクロスニコルに配置され、ノ
ーマリーブラックモードに対応している。画像表示は、
基板１面と平行な成分を持つ電界を共通電極３６と画素
電極３５とによって液晶３４に印加し、液晶３４を基板
１とほぼ平行な面内で回転させることによって行う。
ビング処理が施されている。ラビング方向は信号線の延
伸方向ＤＬａに平行である。屈曲した画素電極の一辺と
ラビング方向とのなす角は１５度であり、ＩＰＳ表示モ
ードに対応している。偏光板６の透過軸は、それぞれの
偏光板が配置されている基板上の配向膜のラビング方向
に対して平行あるいは垂直に向けられており、基板１の
偏光板と基板２の偏光板はクロスニコルに配置され、ノ
ーマリーブラックモードに対応している。画像表示は、
基板１面と平行な成分を持つ電界を共通電極３６と画素
電極３５とによって液晶３４に印加し、液晶３４を基板
１とほぼ平行な面内で回転させることによって行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶表示装置へ
の期待はＰＣ（Personal Computer）モニターのみに向
けたものではなく、動画に対応した液晶テレビへと拡大
している。液晶テレビとしては、複数人で鑑賞できるよ
うに視野角の広いＩＰＳ表示モードが適していると考え
られる。このＩＰＳ表示モードによる液晶表示装置にお
いて、より美しく動画を表示するためには、液晶の応答
時間の短縮が望まれる。また、ＩＰＳ表示モードでは、
駆動電圧によって色調が変化するという問題もあり、こ
れを解決することが望まれる。さらに、近年、液晶表示
装置において、動画像の輪郭が不鮮明になるといった問
題が指摘されている。
の期待はＰＣ（Personal Computer）モニターのみに向
けたものではなく、動画に対応した液晶テレビへと拡大
している。液晶テレビとしては、複数人で鑑賞できるよ
うに視野角の広いＩＰＳ表示モードが適していると考え
られる。このＩＰＳ表示モードによる液晶表示装置にお
いて、より美しく動画を表示するためには、液晶の応答
時間の短縮が望まれる。また、ＩＰＳ表示モードでは、
駆動電圧によって色調が変化するという問題もあり、こ
れを解決することが望まれる。さらに、近年、液晶表示
装置において、動画像の輪郭が不鮮明になるといった問
題が指摘されている。
【００１０】よって、本発明の第1の目的は、新規な画
素構造により液晶の応答時間の短縮を図ることにある。
また、本発明の第２の目的は、駆動電圧に伴う色調変化
の生じない液晶表示装置を提供することにある。さら
に、本発明の第３の目的は、動画像の輪郭が鮮明な液晶
表示装置を提供することにある。
素構造により液晶の応答時間の短縮を図ることにある。
また、本発明の第２の目的は、駆動電圧に伴う色調変化
の生じない液晶表示装置を提供することにある。さら
に、本発明の第３の目的は、動画像の輪郭が鮮明な液晶
表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下に示す手
段により達成される。請求項１記載の発明は、第１基板
と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第
１基板と前記第２基板とで狭持された液晶層と、前記第
１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１基板上
に前記走査線と交差して配置された信号線と、前記走査
線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成される
画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線に対応
した画素電極と、前記第１基板上に配置され、前記画素
電極に対応した共通電極と、前記走査線と前記信号線と
の交点に対応して配置され、前記信号線と前記走査線と
前記画素電極とに電気的に接続された第１アクティブ素
子と、前記第１基板上に配置された絶縁膜とを有する液
晶表示装置において、同一の前記画素内の光の透過領域
で、前記第１基板と前記第２基板との少なくともどちら
か一方に、前記液晶層の厚みを変動させる凹凸が設けら
れていることを特徴とする。
段により達成される。請求項１記載の発明は、第１基板
と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第
１基板と前記第２基板とで狭持された液晶層と、前記第
１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１基板上
に前記走査線と交差して配置された信号線と、前記走査
線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成される
画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線に対応
した画素電極と、前記第１基板上に配置され、前記画素
電極に対応した共通電極と、前記走査線と前記信号線と
の交点に対応して配置され、前記信号線と前記走査線と
前記画素電極とに電気的に接続された第１アクティブ素
子と、前記第１基板上に配置された絶縁膜とを有する液
晶表示装置において、同一の前記画素内の光の透過領域
で、前記第１基板と前記第２基板との少なくともどちら
か一方に、前記液晶層の厚みを変動させる凹凸が設けら
れていることを特徴とする。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１に記載の
液晶表示装置において、前記凹凸は、液晶の応答速度を
短縮することを目的として意図的に形成されたものであ
ることを特徴とする。すなわち、通常の液晶表示装置の
製造工程に加えて、凹凸を形成する工程が追加されてい
る。請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の液
晶表示装置において、前記凹凸が絶縁膜によって形成さ
れていることを特徴とする。
液晶表示装置において、前記凹凸は、液晶の応答速度を
短縮することを目的として意図的に形成されたものであ
ることを特徴とする。すなわち、通常の液晶表示装置の
製造工程に加えて、凹凸を形成する工程が追加されてい
る。請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の液
晶表示装置において、前記凹凸が絶縁膜によって形成さ
れていることを特徴とする。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項３に記載の
液晶表示装置において、前記絶縁膜が、前記第１基板上
に形成される第１絶縁膜と、前記第１膜上かつ少なくと
も前記共通電極または前記画素電極上に、これらを絶縁
保護するために形成される保護膜と、前記保護膜上に形
成される第２絶縁膜とを有し、前記凹凸は前記第２絶縁
膜により形成されることを特徴とする。
液晶表示装置において、前記絶縁膜が、前記第１基板上
に形成される第１絶縁膜と、前記第１膜上かつ少なくと
も前記共通電極または前記画素電極上に、これらを絶縁
保護するために形成される保護膜と、前記保護膜上に形
成される第２絶縁膜とを有し、前記凹凸は前記第２絶縁
膜により形成されることを特徴とする。
【００１４】請求項５記載の発明は、請求項１ないし４
に記載の液晶表示装置において、それぞれの前記画素
で、光の透過領域における前記液晶層の凹部と凸部との
面積比、および凹凸の高さの平均値が等しいことを特徴
とする。請求項６記載の発明は、請求項１ないし５に記
載の液晶表示装置において、前記凹凸に伴う段差が、前
記画素電極と前記共通電極との間に一つだけあることを
特徴とする。
に記載の液晶表示装置において、それぞれの前記画素
で、光の透過領域における前記液晶層の凹部と凸部との
面積比、および凹凸の高さの平均値が等しいことを特徴
とする。請求項６記載の発明は、請求項１ないし５に記
載の液晶表示装置において、前記凹凸に伴う段差が、前
記画素電極と前記共通電極との間に一つだけあることを
特徴とする。
【００１５】請求項７記載の発明は、請求項６に記載の
液晶表示装置において、前記画素電極が前記凹凸に伴う
凹部あるいは凸部のどちらか一方に重畳して配置され、
前記共通電極が前記凹部あるいは凸部のうち前記画素電
極が重畳していないもう一方の部分に重畳して配置され
ていることを特徴とする。請求項８記載の発明は、請求
項１ないし７に記載の液晶表示装置において、前記凹凸
が前記第１基板上に形成されていることを特徴とする。
液晶表示装置において、前記画素電極が前記凹凸に伴う
凹部あるいは凸部のどちらか一方に重畳して配置され、
前記共通電極が前記凹部あるいは凸部のうち前記画素電
極が重畳していないもう一方の部分に重畳して配置され
ていることを特徴とする。請求項８記載の発明は、請求
項１ないし７に記載の液晶表示装置において、前記凹凸
が前記第１基板上に形成されていることを特徴とする。
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項８に記載の
液晶表示装置において、前記画素電極と前記共通電極と
のうち少なくとも一部が、前記凹凸を形成している前記
絶縁膜よりも上に配置されていることを特徴とする。請
求項１０記載の発明は、請求項１ないし７に記載の液晶
表示装置において、前記凹凸が前記第２基板上に形成さ
れていることを特徴とする。請求項１１記載の発明は、
請求項１ないし１０に記載の液晶表示装置において、前
記凹凸がストライプ状あるいはジグザグ状に配置され、
前記凹凸の延伸方向が、前記画素電極あるいは前記共通
電極の延伸方向からずれていることを特徴とする。
液晶表示装置において、前記画素電極と前記共通電極と
のうち少なくとも一部が、前記凹凸を形成している前記
絶縁膜よりも上に配置されていることを特徴とする。請
求項１０記載の発明は、請求項１ないし７に記載の液晶
表示装置において、前記凹凸が前記第２基板上に形成さ
れていることを特徴とする。請求項１１記載の発明は、
請求項１ないし１０に記載の液晶表示装置において、前
記凹凸がストライプ状あるいはジグザグ状に配置され、
前記凹凸の延伸方向が、前記画素電極あるいは前記共通
電極の延伸方向からずれていることを特徴とする。
【００１７】請求項１２記載の発明は、請求項１ないし
１０に記載の液晶表示装置において、前記凹凸がストラ
イプ状であり、前記凹凸に伴う段差の延伸方向が、前記
液晶の初期配向方向と一致していることを特徴とする。
請求項１３記載の発明は、請求項１ないし１２に記載の
液晶表示装置において、前記信号線と前記走査線と前記
画素電極と前記共通電極の少なくとも一つが、前記凹凸
に伴う段差を乗り越えていないことを特徴とする。
１０に記載の液晶表示装置において、前記凹凸がストラ
イプ状であり、前記凹凸に伴う段差の延伸方向が、前記
液晶の初期配向方向と一致していることを特徴とする。
請求項１３記載の発明は、請求項１ないし１２に記載の
液晶表示装置において、前記信号線と前記走査線と前記
画素電極と前記共通電極の少なくとも一つが、前記凹凸
に伴う段差を乗り越えていないことを特徴とする。
【００１８】請求項１４記載の発明は、請求項１ないし
１３に記載の液晶表示装置において、前記凹凸に伴う段
差の少なくとも一部が、前記画素電極あるいは前記共通
電極と重畳していることを特徴とする。請求項１５記載
の発明は、請求項１ないし１４に記載の液晶表示装置に
おいて、前記信号線と前記共通電極の少なくとも一部
が、前記凹凸を形成している前記絶縁膜を介して重畳し
ていることを特徴とする。
１３に記載の液晶表示装置において、前記凹凸に伴う段
差の少なくとも一部が、前記画素電極あるいは前記共通
電極と重畳していることを特徴とする。請求項１５記載
の発明は、請求項１ないし１４に記載の液晶表示装置に
おいて、前記信号線と前記共通電極の少なくとも一部
が、前記凹凸を形成している前記絶縁膜を介して重畳し
ていることを特徴とする。
【００１９】請求項１６記載の発明は、請求項１５に記
載の液晶表示装置において、前記絶縁膜が、前記信号線
と前記共通電極との重畳している部分で、前記共通電極
より小さい幅で選択的に形成されていることを特徴とす
る。請求項１７記載の発明は、請求項１５又は１６に記
載の液晶表示装置において、前記液晶層を配向させるた
めの配向膜が前記液晶層に接して配置され、前記信号線
と前記絶縁膜とが重畳している部分で、前記絶縁膜の上
に前記共通電極と前記配向膜とが配置されており、前記
信号線の一部分に前記共通電極が重畳していることを特
徴とする。すなわち、共通電極にスリットを設けること
によって信号線との間の容量を調節できる。
載の液晶表示装置において、前記絶縁膜が、前記信号線
と前記共通電極との重畳している部分で、前記共通電極
より小さい幅で選択的に形成されていることを特徴とす
る。請求項１７記載の発明は、請求項１５又は１６に記
載の液晶表示装置において、前記液晶層を配向させるた
めの配向膜が前記液晶層に接して配置され、前記信号線
と前記絶縁膜とが重畳している部分で、前記絶縁膜の上
に前記共通電極と前記配向膜とが配置されており、前記
信号線の一部分に前記共通電極が重畳していることを特
徴とする。すなわち、共通電極にスリットを設けること
によって信号線との間の容量を調節できる。
【００２０】請求項１８記載の発明は、請求項１ないし
１７に記載の液晶表示装置において、前記信号線と前記
走査線上の少なくとも一部に、前記凹凸を形成している
前記絶縁膜が配置されていることを特徴とする。請求項
１９記載の発明は、請求項４ないし１８に記載の液晶表
示装置において、前記凹凸を形成する前記第２絶縁膜と
は別に、前記保護膜が前記第１基板上に凹凸を有して配
置され、前記第２絶縁膜の凸部と前記保護膜の凹部とが
重畳していることを特徴とする。
１７に記載の液晶表示装置において、前記信号線と前記
走査線上の少なくとも一部に、前記凹凸を形成している
前記絶縁膜が配置されていることを特徴とする。請求項
１９記載の発明は、請求項４ないし１８に記載の液晶表
示装置において、前記凹凸を形成する前記第２絶縁膜と
は別に、前記保護膜が前記第１基板上に凹凸を有して配
置され、前記第２絶縁膜の凸部と前記保護膜の凹部とが
重畳していることを特徴とする。
【００２１】請求項２０記載の発明は、請求項１ないし
１９に記載の液晶表示装置において、１画像を表示する
１周期期間中に、前記画素電極の電位と前記共通電極の
電位とを等しくする手段を有することを特徴とする。請
求項２１記載の発明は、請求項２０に記載の液晶表示装
置において、前記１周期期間中に前記走査線が２回走査
され、どちらか一方の前記走査によって前記画素電極に
は前記共通電極と同じ電位が供給され、他方の前記走査
によって画像を表示するための電位が前記画素電極に供
給されることを特徴とする。
１９に記載の液晶表示装置において、１画像を表示する
１周期期間中に、前記画素電極の電位と前記共通電極の
電位とを等しくする手段を有することを特徴とする。請
求項２１記載の発明は、請求項２０に記載の液晶表示装
置において、前記１周期期間中に前記走査線が２回走査
され、どちらか一方の前記走査によって前記画素電極に
は前記共通電極と同じ電位が供給され、他方の前記走査
によって画像を表示するための電位が前記画素電極に供
給されることを特徴とする。
【００２２】請求項２２記載の発明は、請求項２０に記
載の液晶表示装置において、前記第１アクティブ素子が
接続されている前記走査線と異なる走査線と前記画素電
極と前記共通電極とに電気的に接続された第２アクティ
ブ素子を有し、前記１周期期間中に前記画素電極の電位
と前記共通電極の電位とを等しくすることを特徴とす
る。
載の液晶表示装置において、前記第１アクティブ素子が
接続されている前記走査線と異なる走査線と前記画素電
極と前記共通電極とに電気的に接続された第２アクティ
ブ素子を有し、前記１周期期間中に前記画素電極の電位
と前記共通電極の電位とを等しくすることを特徴とす
る。
【００２３】請求項２３記載の発明は、請求項２０ない
し２２に記載の液晶表示装置において、光源を備え、前
記１周期期間中に前記画素電極の電位と前記共通電極の
電位とを等しくした後に、前記走査線が走査されて前記
画素電極に画像を表示するための電位が印加された後
に、光源が点灯されることを特徴とする。請求項２４記
載の発明は、請求項１ないし２３に記載の液晶表示装置
において、前記液晶層と接する部分の少なくとも一部
に、光反応性の材料層が配置されていることを特徴とす
る。
し２２に記載の液晶表示装置において、光源を備え、前
記１周期期間中に前記画素電極の電位と前記共通電極の
電位とを等しくした後に、前記走査線が走査されて前記
画素電極に画像を表示するための電位が印加された後
に、光源が点灯されることを特徴とする。請求項２４記
載の発明は、請求項１ないし２３に記載の液晶表示装置
において、前記液晶層と接する部分の少なくとも一部
に、光反応性の材料層が配置されていることを特徴とす
る。
【００２４】請求項２５記載の発明は、光源、及び第１
基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前
記第１基板と前記第２基板とで狭持された液晶層と、前
記第１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１基
板上に前記走査線と交差して配置された信号線と、前記
走査線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成さ
れる画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線に
対応した画素電極と、前記第１基板上または前記第２基
板上に配置され、前記画素電極に対応した共通電極と、
前記走査線と前記信号線との交点に対応して配置され、
前記信号線と前記走査線と前記画素電極とに電気的に接
続された第１アクティブ素子と、前記第１基板上に配置
された絶縁膜とを有し、１画像を表示する１周期期間中
に、前記走査線に順次パルス電圧を印加して、前記画素
電極の全てに画像を表示するための電位を印加し、保持
させた後、一定期間を置いて光源が点灯される液晶表示
装置において、前記１周期期間中の最後にパルス電圧が
印加される走査線に対応する画素の液晶の前記パルス電
圧が印加される直前の状態が、その状態から各階調への
応答時間の最大値が前記一定期間よりも短い状態である
ようにする状態調整手段を設けたことを特徴とする。
基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前
記第１基板と前記第２基板とで狭持された液晶層と、前
記第１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１基
板上に前記走査線と交差して配置された信号線と、前記
走査線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成さ
れる画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線に
対応した画素電極と、前記第１基板上または前記第２基
板上に配置され、前記画素電極に対応した共通電極と、
前記走査線と前記信号線との交点に対応して配置され、
前記信号線と前記走査線と前記画素電極とに電気的に接
続された第１アクティブ素子と、前記第１基板上に配置
された絶縁膜とを有し、１画像を表示する１周期期間中
に、前記走査線に順次パルス電圧を印加して、前記画素
電極の全てに画像を表示するための電位を印加し、保持
させた後、一定期間を置いて光源が点灯される液晶表示
装置において、前記１周期期間中の最後にパルス電圧が
印加される走査線に対応する画素の液晶の前記パルス電
圧が印加される直前の状態が、その状態から各階調への
応答時間の最大値が前記一定期間よりも短い状態である
ようにする状態調整手段を設けたことを特徴とする。
【００２５】光源が点灯される前の一定期間内に、全て
の画素電極に画像を表示するための電位が正しく印加さ
れるので、動画像の輪郭が鮮明になる。請求項２６記載
の発明は、請求項２５に記載の液晶表示装置において、
前記状態調整手段が、前記走査線に順次前記パルス電圧
を印加する前に、前記画素電極の全てに同一の電圧を印
加する手段であることを特徴とする。予め画素電極の全
てに同一の電圧を印加することにより、各画素電極周辺
の液晶を各階調への応答時間の最大値が前記一定期間よ
りも短い状態になるような状態にしておく。例えば、一
定期間が５ｍｓであればその状態は０に近い階調であれ
ば良く、一定期間が６ｍｓであれば、その状態は階調０
〜６３であれば良い。
の画素電極に画像を表示するための電位が正しく印加さ
れるので、動画像の輪郭が鮮明になる。請求項２６記載
の発明は、請求項２５に記載の液晶表示装置において、
前記状態調整手段が、前記走査線に順次前記パルス電圧
を印加する前に、前記画素電極の全てに同一の電圧を印
加する手段であることを特徴とする。予め画素電極の全
てに同一の電圧を印加することにより、各画素電極周辺
の液晶を各階調への応答時間の最大値が前記一定期間よ
りも短い状態になるような状態にしておく。例えば、一
定期間が５ｍｓであればその状態は０に近い階調であれ
ば良く、一定期間が６ｍｓであれば、その状態は階調０
〜６３であれば良い。
【００２６】請求項２７記載の発明は、請求項２５又は
２６に記載の液晶表示装置において、前記状態調整手段
が、前記走査線に順次前記パルス電圧を印加する前に、
前記画素電極の電位と前記共通電極の電位とを等しくす
る手段を有することを特徴とする。一定期間が５ｍｓで
あれば、共通電極の電位を０に近い階調に対応する電位
に、一定期間が６ｍｓであれば、共通電極の電位を階調
０〜６３に対応する電位にして印加すれば良い。
２６に記載の液晶表示装置において、前記状態調整手段
が、前記走査線に順次前記パルス電圧を印加する前に、
前記画素電極の電位と前記共通電極の電位とを等しくす
る手段を有することを特徴とする。一定期間が５ｍｓで
あれば、共通電極の電位を０に近い階調に対応する電位
に、一定期間が６ｍｓであれば、共通電極の電位を階調
０〜６３に対応する電位にして印加すれば良い。
【００２７】請求項２８記載の発明は、液晶表示装置の
駆動方法であって、光源、及び第１基板と、前記第１基
板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第
２基板とで狭持された液晶層と、前記第１基板上に配置
された複数の走査線と、前記第１基板上に前記走査線と
交差して配置された信号線と、前記走査線と前記信号線
とに囲まれた領域に対応して構成される画素と、前記第
１基板上に配置され、前記信号線に対応した画素電極
と、前記第１基板上または前記第２基板上に配置され、
前記画素電極に対応した共通電極と、前記走査線と前記
信号線との交点に対応して配置され、前記信号線と前記
走査線と前記画素電極とに電気的に接続された第１アク
ティブ素子と、前記第１基板上に配置された絶縁膜とを
有し、１画像を表示する１周期期間中に、前記走査線に
順次パルス電圧を印加して、前記画素電極の全てに画像
を表示するための電位を印加し、保持させた後、一定期
間を置いて光源が点灯される液晶表示装置の駆動方法に
おいて、前記１周期期間中の最後にパルス電圧が印加さ
れる走査線に対応する画素の液晶の状態を、その状態か
ら各階調への応答時間の最大値が前記一定期間よりも短
い状態であるように状態調整をした後に、前記走査線に
順次パルス電圧を印加することを特徴とする。請求項２
５記載の液晶表示装置に対応する駆動方法である。
駆動方法であって、光源、及び第１基板と、前記第１基
板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第
２基板とで狭持された液晶層と、前記第１基板上に配置
された複数の走査線と、前記第１基板上に前記走査線と
交差して配置された信号線と、前記走査線と前記信号線
とに囲まれた領域に対応して構成される画素と、前記第
１基板上に配置され、前記信号線に対応した画素電極
と、前記第１基板上または前記第２基板上に配置され、
前記画素電極に対応した共通電極と、前記走査線と前記
信号線との交点に対応して配置され、前記信号線と前記
走査線と前記画素電極とに電気的に接続された第１アク
ティブ素子と、前記第１基板上に配置された絶縁膜とを
有し、１画像を表示する１周期期間中に、前記走査線に
順次パルス電圧を印加して、前記画素電極の全てに画像
を表示するための電位を印加し、保持させた後、一定期
間を置いて光源が点灯される液晶表示装置の駆動方法に
おいて、前記１周期期間中の最後にパルス電圧が印加さ
れる走査線に対応する画素の液晶の状態を、その状態か
ら各階調への応答時間の最大値が前記一定期間よりも短
い状態であるように状態調整をした後に、前記走査線に
順次パルス電圧を印加することを特徴とする。請求項２
５記載の液晶表示装置に対応する駆動方法である。
【００２８】請求項２９記載の発明は、請求項２８に記
載の液晶表示装置の駆動方法において、前記状態調整
を、前記走査線に順次前記パルス電圧を印加する前に、
前記画素電極の全てに同一の電圧を印加して行うことを
特徴とする。請求項２６記載の液晶表示装置に対応する
駆動方法である。
載の液晶表示装置の駆動方法において、前記状態調整
を、前記走査線に順次前記パルス電圧を印加する前に、
前記画素電極の全てに同一の電圧を印加して行うことを
特徴とする。請求項２６記載の液晶表示装置に対応する
駆動方法である。
【００２９】請求項３０記載の発明は、請求項２８又は
２９に記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記状
態調整を、前記走査線に順次前記パルス電圧を印加する
前に、前記画素電極の電位と前記共通電極の電位とを等
しくすることにより行うことを特徴とする。請求項２７
記載の液晶表示装置に対応する駆動方法である。なお、
従来の液晶表示装置には段差があったとしても、電極や
コンタクトホールや遮光膜等を形成する際の段差が残っ
ているだけで、本願明細書で説明するように、液晶の応
答時間を短縮するために意図的に形成されたことはなか
った。
２９に記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記状
態調整を、前記走査線に順次前記パルス電圧を印加する
前に、前記画素電極の電位と前記共通電極の電位とを等
しくすることにより行うことを特徴とする。請求項２７
記載の液晶表示装置に対応する駆動方法である。なお、
従来の液晶表示装置には段差があったとしても、電極や
コンタクトホールや遮光膜等を形成する際の段差が残っ
ているだけで、本願明細書で説明するように、液晶の応
答時間を短縮するために意図的に形成されたことはなか
った。
【００３０】
【発明の実施の形態】従来のＩＰＳ表示モードを用いた
液晶表示装置では、図４に示すように、液晶層３４の厚
みはほぼ一定である。この液晶層を図６（ａ）に示すよ
うに、厚みを変化させると、液晶の応答時間を短縮でき
ることを見出した。ここで、図６（ａ）では、図４に比
較して、保護膜８２上に第２絶縁膜８６を選択的に配置
し、凹凸を設けたことのみが異なる。このことによる高
速化の原理を次に記述する。ＩＰＳ表示モードにおける
液晶配向変化のしきい値電圧（Ｖth）は、一般に次式
〔１〕で表される。
液晶表示装置では、図４に示すように、液晶層３４の厚
みはほぼ一定である。この液晶層を図６（ａ）に示すよ
うに、厚みを変化させると、液晶の応答時間を短縮でき
ることを見出した。ここで、図６（ａ）では、図４に比
較して、保護膜８２上に第２絶縁膜８６を選択的に配置
し、凹凸を設けたことのみが異なる。このことによる高
速化の原理を次に記述する。ＩＰＳ表示モードにおける
液晶配向変化のしきい値電圧（Ｖth）は、一般に次式
〔１〕で表される。
【００３１】
Ｖth＝（π・Ｌ／ｄ）・〔Ｋ2／（ε0・｜Δε｜）〕1/2 〔１〕
〔但し、Ｌ：電極間ギャップ、ｄ：液晶層の厚み、
Ｋ2：液晶のツイストの弾性定数、ε0：真空誘電率、Δ
ε：液晶の誘電率異方性〕。
Ｋ2：液晶のツイストの弾性定数、ε0：真空誘電率、Δ
ε：液晶の誘電率異方性〕。
【００３２】すなわち、液晶層の厚みｄが厚い方がしき
い値電圧Ｖthが低くなる。これは、次のように解釈でき
る。ＩＰＳ表示モードでは、電界を印加することによる
電界エネルギーと、捩れた液晶が初期配向状態に戻ろう
とする弾性エネルギーとのバランスによってスイッチン
グが行われる。液晶層の厚みｄが厚くなると、液晶の回
転を固定している配向膜同士の距離が離れるため、弾性
エネルギーが低下する。その結果、より少ない電界エネ
ルギーで液晶の捩れを誘起することができ、しきい値電
圧Ｖthが低下する。
い値電圧Ｖthが低くなる。これは、次のように解釈でき
る。ＩＰＳ表示モードでは、電界を印加することによる
電界エネルギーと、捩れた液晶が初期配向状態に戻ろう
とする弾性エネルギーとのバランスによってスイッチン
グが行われる。液晶層の厚みｄが厚くなると、液晶の回
転を固定している配向膜同士の距離が離れるため、弾性
エネルギーが低下する。その結果、より少ない電界エネ
ルギーで液晶の捩れを誘起することができ、しきい値電
圧Ｖthが低下する。
【００３３】したがって、液晶層の厚みに変動がある場
合には次のようにスイッチングが起こる。液晶層が厚い
凹部では弾性エネルギーが低く、液晶層が薄い凸部では
弾性エネルギー高い。そのため、図６（ｂ）は液晶を透
過する光の透過率の時間的変化をに示すが、電界が印加
されると、液晶層の厚い凹部からスイッチングが始ま
り、その後から液晶層の薄い凸部でスイッチングが行わ
れる。また、低い電圧のときは、液晶層の厚い凹部付近
のみでスイッチングが行われる。
合には次のようにスイッチングが起こる。液晶層が厚い
凹部では弾性エネルギーが低く、液晶層が薄い凸部では
弾性エネルギー高い。そのため、図６（ｂ）は液晶を透
過する光の透過率の時間的変化をに示すが、電界が印加
されると、液晶層の厚い凹部からスイッチングが始ま
り、その後から液晶層の薄い凸部でスイッチングが行わ
れる。また、低い電圧のときは、液晶層の厚い凹部付近
のみでスイッチングが行われる。
【００３４】以上のようにして、黒階調から中間調への
スイッチングでは、液晶層の厚い凹部付近の高速なスイ
ッチングが支配的となるため、液晶の応答時間が短縮さ
れる。図７は、凹凸形成による液晶の応答時間の短縮の
様相を示す図である。横軸はスイッチング後の階調であ
り、縦軸が応答時間である。ここで、スイッチング前の
階調はゼロである。図７が示すように、凹凸がない従来
の液晶表示装置では、ゼロ階調から中間調へのスイッチ
ングが遅い。一方、凹凸を設けた液晶表示装置では、ゼ
ロ階調から中間調へのスイッチングが高速化されてい
る。さらに、本発明により、駆動電圧の増減に伴う色調
変化を抑制することができる。それは、次に記述する原
理による。ＩＰＳ表示モードにおける透過率（Ｔ）は、
一般に次式〔２〕で表される。
スイッチングでは、液晶層の厚い凹部付近の高速なスイ
ッチングが支配的となるため、液晶の応答時間が短縮さ
れる。図７は、凹凸形成による液晶の応答時間の短縮の
様相を示す図である。横軸はスイッチング後の階調であ
り、縦軸が応答時間である。ここで、スイッチング前の
階調はゼロである。図７が示すように、凹凸がない従来
の液晶表示装置では、ゼロ階調から中間調へのスイッチ
ングが遅い。一方、凹凸を設けた液晶表示装置では、ゼ
ロ階調から中間調へのスイッチングが高速化されてい
る。さらに、本発明により、駆動電圧の増減に伴う色調
変化を抑制することができる。それは、次に記述する原
理による。ＩＰＳ表示モードにおける透過率（Ｔ）は、
一般に次式〔２〕で表される。
【００３５】
Ｔ＝Ｔ0・ｓｉｎ2（２χ）・ｓｉｎ2（π・ｄ・Δｎeff／λ） 〔２〕
〔但し、Ｔ0：補正係数、χ：液晶の実効的な光軸と入
射光の偏光方向とのなす角、Δｎeff：液晶の実効的な
屈折率異方性、λ：入射光の波長〕。
射光の偏光方向とのなす角、Δｎeff：液晶の実効的な
屈折率異方性、λ：入射光の波長〕。
【００３６】したがって、液晶の実効的な配向方向と入
射光の偏光方向とのなす角χがπ／４ラジアン（４５
度）のとき、実効的なリターデーションｄｅｆｆ・Δｎ
ｅｆｆの２倍の波長λの光が最大の透過率を示す。つま
り、実効的なリターデーションｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが
変化すると、透過率が最大となる波長が変化するため、
色調が変化する。
射光の偏光方向とのなす角χがπ／４ラジアン（４５
度）のとき、実効的なリターデーションｄｅｆｆ・Δｎ
ｅｆｆの２倍の波長λの光が最大の透過率を示す。つま
り、実効的なリターデーションｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが
変化すると、透過率が最大となる波長が変化するため、
色調が変化する。
【００３７】ここで本発明によれば、電界が印加された
とき、液晶層が厚み（ｄｅｆｆ）が厚い領域、すなわ
ち、実効的なリターデーションｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが
大きい領域からスイッチングが始まる。すなわち、駆動
電圧が低いときでもすでに、ｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが大
きくなり、透過率が最大となる波長が長く、黄色が強調
される。そのため、図２ないし図４に示した液晶層に厚
みの変化のない従来の液晶表示装置における、駆動電圧
の増大に伴って色調が青色から黄色へと変化するという
問題を補正することができる。
とき、液晶層が厚み（ｄｅｆｆ）が厚い領域、すなわ
ち、実効的なリターデーションｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが
大きい領域からスイッチングが始まる。すなわち、駆動
電圧が低いときでもすでに、ｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが大
きくなり、透過率が最大となる波長が長く、黄色が強調
される。そのため、図２ないし図４に示した液晶層に厚
みの変化のない従来の液晶表示装置における、駆動電圧
の増大に伴って色調が青色から黄色へと変化するという
問題を補正することができる。
【００３８】本発明は、部分的に弾性エネルギーの低い
領域があると、その領域からスイッチングが始まるとい
う原理に基づいている。そのため、本発明を適用するた
めには、光の透過領域で液晶層の厚みの変動があれば良
く、凹凸の形状は一切限定されない。凹凸は尖っていて
もよいし、丸まっていてもよい。また、凹部と凸部の面
積比も限定されない。ただし、凹凸の形状や凹部と凸部
の面積比が変更されると、高速化の効果の大きさや高速
化される階調、および駆動電圧の増減に伴う色調変化を
抑制する効果の大きさが変化する。ただし、効果を大に
するには、液晶層の厚みがある程度以上であることが好
適である。次に、本発明の実施形態を図面に基づき、よ
り具体的に説明する。
領域があると、その領域からスイッチングが始まるとい
う原理に基づいている。そのため、本発明を適用するた
めには、光の透過領域で液晶層の厚みの変動があれば良
く、凹凸の形状は一切限定されない。凹凸は尖っていて
もよいし、丸まっていてもよい。また、凹部と凸部の面
積比も限定されない。ただし、凹凸の形状や凹部と凸部
の面積比が変更されると、高速化の効果の大きさや高速
化される階調、および駆動電圧の増減に伴う色調変化を
抑制する効果の大きさが変化する。ただし、効果を大に
するには、液晶層の厚みがある程度以上であることが好
適である。次に、本発明の実施形態を図面に基づき、よ
り具体的に説明する。
【００３９】〔実施形態１〕本発明の実施形態１の構成
を図１、図２および図５を用いて説明する。本実施形態
は請求項１ないし５および１８に相応する。なお、各実
施形態で「相応する」としているものは代表例を挙げて
いるので、他の請求項に相応しないという意味ではな
い。例えば実施形態１は請求項８にも相応する。
を図１、図２および図５を用いて説明する。本実施形態
は請求項１ないし５および１８に相応する。なお、各実
施形態で「相応する」としているものは代表例を挙げて
いるので、他の請求項に相応しないという意味ではな
い。例えば実施形態１は請求項８にも相応する。
【００４０】本実施形態１の液晶表示装置は、図２に示
すように、画素電極３５に信号電位を供給する信号ドラ
イバ５１と、画素を選択する電位を供給する走査ドライ
バ５２と、共通電極３６に電位を供給する共通電極ドラ
イバ５４と、信号ドライバ５１および走査ドライバ５２
および共通電極ドライバ５４とを制御する表示制御装置
５３とを有している。
すように、画素電極３５に信号電位を供給する信号ドラ
イバ５１と、画素を選択する電位を供給する走査ドライ
バ５２と、共通電極３６に電位を供給する共通電極ドラ
イバ５４と、信号ドライバ５１および走査ドライバ５２
および共通電極ドライバ５４とを制御する表示制御装置
５３とを有している。
【００４１】基板１には、走査ドライバ５２に接続され
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続され、
かつ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と
信号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３
２と信号線３１と電気的に接続された第１ＴＦＴ３３
と、第１ＴＦＴ３３に電気的に接続され、信号線３１に
対応した画素電極３５と、画素電極３５に対応した共通
電極３６と、共通電極３６と共通電極ドライバ５４とに
電気的に接続された共通電極接続部３６’が備えられて
いる。信号線３１と走査線３２とに囲まれた１つの領域
に対応して１つの画素１１が形成され、複数の画素１１
によって表示部２２が形成されている。
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続され、
かつ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と
信号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３
２と信号線３１と電気的に接続された第１ＴＦＴ３３
と、第１ＴＦＴ３３に電気的に接続され、信号線３１に
対応した画素電極３５と、画素電極３５に対応した共通
電極３６と、共通電極３６と共通電極ドライバ５４とに
電気的に接続された共通電極接続部３６’が備えられて
いる。信号線３１と走査線３２とに囲まれた１つの領域
に対応して１つの画素１１が形成され、複数の画素１１
によって表示部２２が形成されている。
【００４２】図１は実施形態１の画素近傍の回路配置パ
タン構成を示す図である。走査線３２と信号線３１とは
互いに交差し、走査線３２と信号線３１とに囲まれた領
域に対応して画素１１が形成されている。第１ＴＦＴ３
３は走査線３２と信号線３１との交点付近に対応して配
置され、走査線３２と信号線３１と画素電極３５とに電
気的に接続されている。共通電極３６は画素電極３５に
対応して配置され、共通電極３６と画素電極３５とで基
板面に対して平行な成分を持つ電界を発生する。画素電
極３５と共通電極３６と信号線３１は一つの画素内で１
回以上折れ曲がり、マルチドメインを形成している。第
２絶縁膜８６は、画素電極３５と共通電極３６の間の光
の透過領域に配置され、液晶層３４の厚みを変動させて
いる。
タン構成を示す図である。走査線３２と信号線３１とは
互いに交差し、走査線３２と信号線３１とに囲まれた領
域に対応して画素１１が形成されている。第１ＴＦＴ３
３は走査線３２と信号線３１との交点付近に対応して配
置され、走査線３２と信号線３１と画素電極３５とに電
気的に接続されている。共通電極３６は画素電極３５に
対応して配置され、共通電極３６と画素電極３５とで基
板面に対して平行な成分を持つ電界を発生する。画素電
極３５と共通電極３６と信号線３１は一つの画素内で１
回以上折れ曲がり、マルチドメインを形成している。第
２絶縁膜８６は、画素電極３５と共通電極３６の間の光
の透過領域に配置され、液晶層３４の厚みを変動させて
いる。
【００４３】図５は、図１のＡ−Ａ’断面の断面図であ
る。材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対向配置さ
れ、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基板２とで
狭持された液晶層３４とを有する。基板１は、共通電極
３６と、走査線３２（図５に示されない）と、第１絶縁
膜８１を介し共通電極３６よりも上層に配置された信号
線３１と、共通電極３６に対応し、基板１面に対して平
行な成分を持つ電界を発生する画素電極３５と、画素電
極３５上に備えられた保護膜８２と、保護膜上８２に備
えられ、液晶層３４の厚みを変動させる凹凸を形成して
いる第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６上に備えられた
配向膜８５と、基板１の液晶に面しない側の面上に備え
られ、液晶の配向状態に応じて光学特性を変える手段で
ある偏光板６とを有する。
る。材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対向配置さ
れ、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基板２とで
狭持された液晶層３４とを有する。基板１は、共通電極
３６と、走査線３２（図５に示されない）と、第１絶縁
膜８１を介し共通電極３６よりも上層に配置された信号
線３１と、共通電極３６に対応し、基板１面に対して平
行な成分を持つ電界を発生する画素電極３５と、画素電
極３５上に備えられた保護膜８２と、保護膜上８２に備
えられ、液晶層３４の厚みを変動させる凹凸を形成して
いる第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６上に備えられた
配向膜８５と、基板１の液晶に面しない側の面上に備え
られ、液晶の配向状態に応じて光学特性を変える手段で
ある偏光板６とを有する。
【００４４】共通電極３６、画素電極３５、信号線３１
は膜厚が０．２μｍ程度の導電体であり、ＣｒＭｏやＡ
ｌやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など
を用いることができる。第１絶縁膜８１、保護膜８２は
膜厚がそれぞれ０．３μｍ、０．８μｍ程度の絶縁体で
あり、窒化珪素などを用いることができる。第２絶縁膜
８６は膜厚が１μｍ程度の絶縁体であり、凹凸による段
差をつけるために形成されたものである。無機物質も有
機物質も用いることができる。なお、本発明が上記の膜
厚や材質に限定されるものではないことは、いうまでも
ない。
は膜厚が０．２μｍ程度の導電体であり、ＣｒＭｏやＡ
ｌやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など
を用いることができる。第１絶縁膜８１、保護膜８２は
膜厚がそれぞれ０．３μｍ、０．８μｍ程度の絶縁体で
あり、窒化珪素などを用いることができる。第２絶縁膜
８６は膜厚が１μｍ程度の絶縁体であり、凹凸による段
差をつけるために形成されたものである。無機物質も有
機物質も用いることができる。なお、本発明が上記の膜
厚や材質に限定されるものではないことは、いうまでも
ない。
【００４５】基板２は、不要な間隙部からの光を遮光す
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対
応した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィル
タ４上に備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平
坦化膜上３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に
面しない側の面上に備えられた偏光板６とを有する。配
向膜８５には液晶を配向させるためのラビング処理が施
されている。ラビング方向は信号線の延伸方向ＤＬａに
平行である。屈曲した画素電極の一辺とラビング方向と
のなす角は１５度であり、ＩＰＳ表示モードに対応して
いる。
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対
応した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィル
タ４上に備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平
坦化膜上３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に
面しない側の面上に備えられた偏光板６とを有する。配
向膜８５には液晶を配向させるためのラビング処理が施
されている。ラビング方向は信号線の延伸方向ＤＬａに
平行である。屈曲した画素電極の一辺とラビング方向と
のなす角は１５度であり、ＩＰＳ表示モードに対応して
いる。
【００４６】偏光板６の透過軸は、それぞれの偏光板６
が配置されている基板上の配向膜８５のラビング方向に
対して平行あるいは垂直に向けられており、基板１の偏
光板と基板２の偏光板はクロスニコルに配置され、ノー
マリーブラックモードに対応している。なお、本発明が
上記のラビング角度に限定されるものではないこと、ま
た、ノーマリーホワイトモードにも適用できることは、
いうまでもない。
が配置されている基板上の配向膜８５のラビング方向に
対して平行あるいは垂直に向けられており、基板１の偏
光板と基板２の偏光板はクロスニコルに配置され、ノー
マリーブラックモードに対応している。なお、本発明が
上記のラビング角度に限定されるものではないこと、ま
た、ノーマリーホワイトモードにも適用できることは、
いうまでもない。
【００４７】基板１と基板２との間にはビーズが分散さ
れ、液晶層３４の厚みを確保している。ビーズは凸部に
も存在するため、凸部上のビーズによって液晶層の厚み
が決定される。そのため、各画素の液晶層の厚みの平均
値をパネル全体に渡って均一にするためには、凸部の面
積が広い方が望ましい。そのため、信号線３１上や走査
線３２上のように、画素内の表示領域外にも、凹凸を形
成するための第２絶縁膜８６が配置されている。なお、
第２絶縁膜の代わりに柱状スペーサーが適用できること
はいうまでもない。
れ、液晶層３４の厚みを確保している。ビーズは凸部に
も存在するため、凸部上のビーズによって液晶層の厚み
が決定される。そのため、各画素の液晶層の厚みの平均
値をパネル全体に渡って均一にするためには、凸部の面
積が広い方が望ましい。そのため、信号線３１上や走査
線３２上のように、画素内の表示領域外にも、凹凸を形
成するための第２絶縁膜８６が配置されている。なお、
第２絶縁膜の代わりに柱状スペーサーが適用できること
はいうまでもない。
【００４８】ビーズの直径は３μｍ程度、したがって液
晶層３４の厚みは４μｍ程度、液晶層３４の屈折率異方
性は０．１程度であり、この組み合わせによってレター
デーションが調整される。なお、本発明が上記のレター
デーションに限定されるものではないことは、いうまで
もない。バックライト（図示せず）に対する制約はなく
直下型方式の物もサイドライト方式の物も使用すること
ができる。駆動はアクティブマトリクス駆動によって行
われる。
晶層３４の厚みは４μｍ程度、液晶層３４の屈折率異方
性は０．１程度であり、この組み合わせによってレター
デーションが調整される。なお、本発明が上記のレター
デーションに限定されるものではないことは、いうまで
もない。バックライト（図示せず）に対する制約はなく
直下型方式の物もサイドライト方式の物も使用すること
ができる。駆動はアクティブマトリクス駆動によって行
われる。
【００４９】本発明によれば、液晶層の厚みが変動して
いるため、液晶層が厚い凹部では弾性エネルギーが低
く、画素電極３５と共通電極３６との間に電界が印加さ
れたときに、凹部の領域からスイッチングが始まる。そ
のため、ゼロ階調から中間調へのスイッチングを高速化
することができ、動画表示品質の優れた液晶表示装置を
提供することができる。なお、凹凸の形成に第２絶縁膜
８６を用いず、保護膜８２で凹凸を形成しても本発明が
適用できることはいうまでもない。さらに、第２絶縁膜
８６の有無によって凹凸を形成するのではなく、凹凸の
ある第２絶縁膜を表示部２２全面に形成することによっ
て、液晶層３４の厚みを光の透過領域で変動させた場合
にも本発明が適用できることはいうまでもない。
いるため、液晶層が厚い凹部では弾性エネルギーが低
く、画素電極３５と共通電極３６との間に電界が印加さ
れたときに、凹部の領域からスイッチングが始まる。そ
のため、ゼロ階調から中間調へのスイッチングを高速化
することができ、動画表示品質の優れた液晶表示装置を
提供することができる。なお、凹凸の形成に第２絶縁膜
８６を用いず、保護膜８２で凹凸を形成しても本発明が
適用できることはいうまでもない。さらに、第２絶縁膜
８６の有無によって凹凸を形成するのではなく、凹凸の
ある第２絶縁膜を表示部２２全面に形成することによっ
て、液晶層３４の厚みを光の透過領域で変動させた場合
にも本発明が適用できることはいうまでもない。
【００５０】〔比較例１〕本発明の比較例１は、実施形
態１に比較して、第２絶縁膜８６が形成されず、液晶層
３４の厚みが光の透過領域でほぼ一定であることのみが
異なる。図３は比較例１の画素近傍の回路配置パタン構
成を示す図である。実施形態１と異なり第２絶縁膜が形
成されていない。図４は、図３のＡ−Ａ’断面の断面図
である。実施形態１と異なり第２絶縁膜がなく、液晶層
の厚みがほぼ一定である。そのため、ゼロ階調から中間
調への液晶の応答時間が、実施形態１に比較して遅い。
態１に比較して、第２絶縁膜８６が形成されず、液晶層
３４の厚みが光の透過領域でほぼ一定であることのみが
異なる。図３は比較例１の画素近傍の回路配置パタン構
成を示す図である。実施形態１と異なり第２絶縁膜が形
成されていない。図４は、図３のＡ−Ａ’断面の断面図
である。実施形態１と異なり第２絶縁膜がなく、液晶層
の厚みがほぼ一定である。そのため、ゼロ階調から中間
調への液晶の応答時間が、実施形態１に比較して遅い。
【００５１】〔実施形態２〕実施形態２は、実施形態１
に比較して、第２絶縁膜８６の形状が異なるだけであ
る。よって、これについて図８および図９を用いて説明
する。本実施形態は請求項１及び５に相応する。図８は
実施形態２の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図で
ある。実施形態１と異なり、第２絶縁膜の形状と配置と
がランダムに形成されている。
に比較して、第２絶縁膜８６の形状が異なるだけであ
る。よって、これについて図８および図９を用いて説明
する。本実施形態は請求項１及び５に相応する。図８は
実施形態２の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図で
ある。実施形態１と異なり、第２絶縁膜の形状と配置と
がランダムに形成されている。
【００５２】図９は、図８のＡ−Ａ’断面の断面図であ
る。実施形態１と異なり第２絶縁膜の形状と配置と凹凸
の高さがランダムに形成されている。ただし、一つの画
素内の凹部と凸部の面積比や、凹凸の高さの平均値は、
各画素間で一致していることが望ましい。不一致である
場合には、各画素毎に高速化の効果の大きさが変化する
ことになり、輝度ムラ等の不具合を生じる原因となる。
る。実施形態１と異なり第２絶縁膜の形状と配置と凹凸
の高さがランダムに形成されている。ただし、一つの画
素内の凹部と凸部の面積比や、凹凸の高さの平均値は、
各画素間で一致していることが望ましい。不一致である
場合には、各画素毎に高速化の効果の大きさが変化する
ことになり、輝度ムラ等の不具合を生じる原因となる。
【００５３】本発明によれば、実施形態１と同様に、液
晶層の厚みが変動しているため、液晶層が厚い凹部では
弾性エネルギーが低く、画素電極３５と共通電極３６と
の間に電界が印加されたときに、凹部の領域からスイッ
チングが始まる。そのため、ゼロ階調から中間調へのス
イッチングを高速化することができ、動画表示品質の優
れた液晶表示装置を提供することができる。
晶層の厚みが変動しているため、液晶層が厚い凹部では
弾性エネルギーが低く、画素電極３５と共通電極３６と
の間に電界が印加されたときに、凹部の領域からスイッ
チングが始まる。そのため、ゼロ階調から中間調へのス
イッチングを高速化することができ、動画表示品質の優
れた液晶表示装置を提供することができる。
【００５４】〔実施形態３〕実施形態３は、実施形態１
に比較して、第２絶縁膜の形状と配置が異なる。これに
ついて図１０および図１１を用いて説明する。本実施形
態は請求項６，７に相応する。図１０は実施形態３の画
素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。また、図
１１は、図１０のＡ−Ａ’断面の断面図である。
に比較して、第２絶縁膜の形状と配置が異なる。これに
ついて図１０および図１１を用いて説明する。本実施形
態は請求項６，７に相応する。図１０は実施形態３の画
素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。また、図
１１は、図１０のＡ−Ａ’断面の断面図である。
【００５５】本実施形態は実施形態１と異なり、第２絶
縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差が、画素電
極３５と共通電極３６との間に一つだけある。また、画
素電極３５が凸部に重畳して配置され、共通電極３６は
凹部に重畳している。これにより、凹凸のパタン幅が実
施形態１に比較して大きくなり、第２絶縁膜８６の加工
が容易になる。
縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差が、画素電
極３５と共通電極３６との間に一つだけある。また、画
素電極３５が凸部に重畳して配置され、共通電極３６は
凹部に重畳している。これにより、凹凸のパタン幅が実
施形態１に比較して大きくなり、第２絶縁膜８６の加工
が容易になる。
【００５６】〔実施形態４〕実施形態４は、実施形態３
に比較して、電極と第２絶縁膜の配置が異なる。これに
ついて図１２および図１３を用いて説明する。本実施形
態は請求項９に相応する。図１２は実施形態４の画素近
傍の回路配置パタン構成を示す図である。また、図１３
は、図１２のＡ−Ａ’断面の断面図である。
に比較して、電極と第２絶縁膜の配置が異なる。これに
ついて図１２および図１３を用いて説明する。本実施形
態は請求項９に相応する。図１２は実施形態４の画素近
傍の回路配置パタン構成を示す図である。また、図１３
は、図１２のＡ−Ａ’断面の断面図である。
【００５７】実施形態４は実施形態３と異なり、画素電
極３５及び信号線３１が第２絶縁膜８６より上層に配置
されている。なお、共通電極３６は走査線３２（図１３
に示されない）と共に基板１上に配置されている。ここ
で、実施形態３では、図１１から分かるように、画素電
極３５と共通電極３６との間に発生する電界の電気力線
２１のうち、液晶層を通る電気力線２１の大部分は第２
絶縁膜８６も通る。換言すれば、液晶層３４は第２絶縁
膜８６を介して電界が印加される。一方、実施形態４で
は、図１３から分かるように、画素電極３５が第２絶縁
膜８６より上層に配置されているため、第２絶縁膜８６
を介することなく液晶層３４に電界が印加される。その
ため、実施形態４では実施形態３より駆動電圧を低下さ
せることができる。
極３５及び信号線３１が第２絶縁膜８６より上層に配置
されている。なお、共通電極３６は走査線３２（図１３
に示されない）と共に基板１上に配置されている。ここ
で、実施形態３では、図１１から分かるように、画素電
極３５と共通電極３６との間に発生する電界の電気力線
２１のうち、液晶層を通る電気力線２１の大部分は第２
絶縁膜８６も通る。換言すれば、液晶層３４は第２絶縁
膜８６を介して電界が印加される。一方、実施形態４で
は、図１３から分かるように、画素電極３５が第２絶縁
膜８６より上層に配置されているため、第２絶縁膜８６
を介することなく液晶層３４に電界が印加される。その
ため、実施形態４では実施形態３より駆動電圧を低下さ
せることができる。
【００５８】なお、保護膜８２が形成されていない場
合、保護膜８２と第２絶縁膜８６が一括加工されている
場合、保護膜８２と第２絶縁膜８６が同一材料で一体化
されている場合においても、液晶層３４の厚みを変動さ
せることができるため、本発明が適用できることはいう
までもない。
合、保護膜８２と第２絶縁膜８６が一括加工されている
場合、保護膜８２と第２絶縁膜８６が同一材料で一体化
されている場合においても、液晶層３４の厚みを変動さ
せることができるため、本発明が適用できることはいう
までもない。
【００５９】〔実施形態 ５〕実施形態５は、実施形態
４に比較して、第２絶縁膜の配置が異なる。これについ
て図１４、図１５および図１６を用いて説明する。本実
施形態は請求項１０に相応する。図１４は実施形態５の
基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図１５は実施形態５の基板２上の画素近傍の
回路配置パタン構成を示す図である。図１６は、図１４
のＡ−Ａ’断面の断面図である。
４に比較して、第２絶縁膜の配置が異なる。これについ
て図１４、図１５および図１６を用いて説明する。本実
施形態は請求項１０に相応する。図１４は実施形態５の
基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図１５は実施形態５の基板２上の画素近傍の
回路配置パタン構成を示す図である。図１６は、図１４
のＡ−Ａ’断面の断面図である。
【００６０】基板１は、共通電極３６と、走査線３２
（図１６に示されない）と、第１絶縁膜８１を介し共通
電極３６よりも上層に配置された信号線３１と、画素電
極３５を備え、基板１面に対して平行な成分を持つ電界
を発生する画素電極３５と、画素電極３５上に備えられ
た保護膜８２と、保護膜８２上に備えられた配向膜８５
と、基板１の液晶に面しない側の面上に備えられ、液晶
の配向状態に応じて光学特性を変える手段である偏光板
６とを有する。
（図１６に示されない）と、第１絶縁膜８１を介し共通
電極３６よりも上層に配置された信号線３１と、画素電
極３５を備え、基板１面に対して平行な成分を持つ電界
を発生する画素電極３５と、画素電極３５上に備えられ
た保護膜８２と、保護膜８２上に備えられた配向膜８５
と、基板１の液晶に面しない側の面上に備えられ、液晶
の配向状態に応じて光学特性を変える手段である偏光板
６とを有する。
【００６１】基板２は、不要な間隙部からの光を遮光す
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対
応した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィル
タ４上に備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平
坦化膜上３に備えられ、液晶層３４の厚みを変動させる
凹凸を形成している第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６
上に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しない
側の面上に備えられた偏光板６とを有する。
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対
応した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィル
タ４上に備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平
坦化膜上３に備えられ、液晶層３４の厚みを変動させる
凹凸を形成している第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６
上に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しない
側の面上に備えられた偏光板６とを有する。
【００６２】実施形態５は実施形態４と異なり、液晶層
の厚みを変動させる凹凸を形成する第２絶縁膜８６が基
板２上に配置されている。そのため、画素電極３５や共
通電極３６や信号線３１や走査線３２等の配線あるいは
電極と第２絶縁膜８６とが離れているため、第２絶縁膜
８６の膜厚が変動する場合にも、画素電極３５と共通電
極３６との間などの浮遊容量が変動することなく、表示
ムラ等を誘発しにくくなる。
の厚みを変動させる凹凸を形成する第２絶縁膜８６が基
板２上に配置されている。そのため、画素電極３５や共
通電極３６や信号線３１や走査線３２等の配線あるいは
電極と第２絶縁膜８６とが離れているため、第２絶縁膜
８６の膜厚が変動する場合にも、画素電極３５と共通電
極３６との間などの浮遊容量が変動することなく、表示
ムラ等を誘発しにくくなる。
【００６３】〔実施形態６〕実施形態６は、実施形態５
に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。これに
ついて図１４、図１７、図１８および図１９を用いて説
明する。本実施形態は請求項１１に相応する。実施形態
６の基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図
は図１４と同様である。また、図１７は実施形態６の基
板２上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。図１８は、図１７のＡ−Ａ’断面の断面図である。
図１９は、図１４及び図１７のＢ−Ｂ’断面の断面図で
ある。
に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。これに
ついて図１４、図１７、図１８および図１９を用いて説
明する。本実施形態は請求項１１に相応する。実施形態
６の基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図
は図１４と同様である。また、図１７は実施形態６の基
板２上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。図１８は、図１７のＡ−Ａ’断面の断面図である。
図１９は、図１４及び図１７のＢ−Ｂ’断面の断面図で
ある。
【００６４】実施形態６では、第２絶縁膜８６によって
形成される凹凸の延伸方向ＤＬｂが、画素電極の延伸方
向ＤＬｃからずれており、ほぼ垂直に交わっている。そ
のため、基板１と基板２との間に合わせずれが生じた場
合にも、遮光膜５に対する第２絶縁膜８６の位地関係は
画素毎に変化せず、画素電極３５と共通電極３６との間
の領域一つ一つで、凹部と凸部の面積比が変動せず、液
晶の応答時間の短縮の効果が変動しない。
形成される凹凸の延伸方向ＤＬｂが、画素電極の延伸方
向ＤＬｃからずれており、ほぼ垂直に交わっている。そ
のため、基板１と基板２との間に合わせずれが生じた場
合にも、遮光膜５に対する第２絶縁膜８６の位地関係は
画素毎に変化せず、画素電極３５と共通電極３６との間
の領域一つ一つで、凹部と凸部の面積比が変動せず、液
晶の応答時間の短縮の効果が変動しない。
【００６５】〔実施形態７〕実施形態７は、実施形態６
に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。これに
ついて図１４、図２０および図２１を用いて説明する。
本実施形態は請求項１２に相応する。実施形態７の基板
１上の画素近傍の回路配置パタン構成は図１４と同様で
ある。また、図２０は実施形態７の基板２上の画素近傍
の回路配置パタン構成を示す図である。図２１は、図２
０のＡ−Ａ’断面の断面図である。実施形態７では、第
２絶縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差の延伸
方向ＤＬｄが、液晶の初期配向方向ＤＬｅと一致してい
る。そのため、配向膜８５にラビング処理を施すとき
に、光の透過領域において凹凸に伴う段差を乗り越える
ことがなく、均一にラビング処理を施すができ、配向不
良等を誘発しにくい。
に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。これに
ついて図１４、図２０および図２１を用いて説明する。
本実施形態は請求項１２に相応する。実施形態７の基板
１上の画素近傍の回路配置パタン構成は図１４と同様で
ある。また、図２０は実施形態７の基板２上の画素近傍
の回路配置パタン構成を示す図である。図２１は、図２
０のＡ−Ａ’断面の断面図である。実施形態７では、第
２絶縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差の延伸
方向ＤＬｄが、液晶の初期配向方向ＤＬｅと一致してい
る。そのため、配向膜８５にラビング処理を施すとき
に、光の透過領域において凹凸に伴う段差を乗り越える
ことがなく、均一にラビング処理を施すができ、配向不
良等を誘発しにくい。
【００６６】〔実施形態８〕実施形態８は、実施形態７
に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。これに
ついて図２２および図２３を用いて説明する。本実施形
態は請求項８に相応する。図２２は実施形態８の基板１
上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。ま
た、図２３は図２２のＡ−Ａ’断面の断面図である基板
１は、共通電極３６と、走査線３２（図２３に示されな
い）と、共通電極３６上に配置された第１絶縁膜８１
と、第１絶縁膜８１上に配置された保護膜８２と、保護
膜上８２に配置され、液晶層３４の厚みを変動させる凹
凸を形成している第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６上
に配置された信号線３１と、第２絶縁膜８６より上層に
配置され、共通電極３６に対応して基板１面に対して平
行な成分を持つ電界を発生する画素電極３５と、画素電
極３５上に配置された配向膜８５と、基板１の液晶に面
しない側の面上に備えられ、液晶の配向状態に応じて光
学特性を変える手段である偏光板６とを有する。なお、
共通電極３６は走査線３２と共に基板１上に配置されて
いる。
に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。これに
ついて図２２および図２３を用いて説明する。本実施形
態は請求項８に相応する。図２２は実施形態８の基板１
上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。ま
た、図２３は図２２のＡ−Ａ’断面の断面図である基板
１は、共通電極３６と、走査線３２（図２３に示されな
い）と、共通電極３６上に配置された第１絶縁膜８１
と、第１絶縁膜８１上に配置された保護膜８２と、保護
膜上８２に配置され、液晶層３４の厚みを変動させる凹
凸を形成している第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６上
に配置された信号線３１と、第２絶縁膜８６より上層に
配置され、共通電極３６に対応して基板１面に対して平
行な成分を持つ電界を発生する画素電極３５と、画素電
極３５上に配置された配向膜８５と、基板１の液晶に面
しない側の面上に備えられ、液晶の配向状態に応じて光
学特性を変える手段である偏光板６とを有する。なお、
共通電極３６は走査線３２と共に基板１上に配置されて
いる。
【００６７】基板２は、不要な間隙部からの光を遮光す
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対
応した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィル
タ４上に備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平
坦化膜上３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に
面しない側の面上に備えられた偏光板６とを有する。実
施形態８は実施形態７と異なり、液晶層の厚みを変動さ
せる凹凸を形成する第２絶縁膜８６が基板１上に配置さ
れている。そのため、基板１と基板２との間に合わせず
れが生じた場合にも、第２絶縁膜８６は影響を受けない
ため、全画素にわたって液晶の応答時間の短縮の効果が
変動しない。
る遮光膜５と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対
応した色を表現するカラーフィルタ４と、カラーフィル
タ４上に備えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平
坦化膜上３に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に
面しない側の面上に備えられた偏光板６とを有する。実
施形態８は実施形態７と異なり、液晶層の厚みを変動さ
せる凹凸を形成する第２絶縁膜８６が基板１上に配置さ
れている。そのため、基板１と基板２との間に合わせず
れが生じた場合にも、第２絶縁膜８６は影響を受けない
ため、全画素にわたって液晶の応答時間の短縮の効果が
変動しない。
【００６８】また、実施形態８は実施形態４と異なり、
第２絶縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差の延
伸方向ＤＬｄが、液晶の初期配向方向ＤＬｅと一致して
いる。そのため、配向膜８５にラビング処理を施すとき
に、光の透過領域において凹凸に伴う段差を乗り越える
ことがなく、均一にラビング処理を施すができ、配向不
良等を誘発することがない。
第２絶縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差の延
伸方向ＤＬｄが、液晶の初期配向方向ＤＬｅと一致して
いる。そのため、配向膜８５にラビング処理を施すとき
に、光の透過領域において凹凸に伴う段差を乗り越える
ことがなく、均一にラビング処理を施すができ、配向不
良等を誘発することがない。
【００６９】〔実施形態 ９〕実施形態９は、実施形態
８に比較して、第２絶縁膜８６と画素電極３５と共通電
極３６の配置と形状が異なるだけである。よって、これ
について図２４を用いて説明する。本実施形態は請求項
１２に相応する。図２４は実施形態９の基板１上の画素
近傍の回路配置パタン構成を示す図である。実施形態９
は、実施形態８と異なり、画素電極３５および共通電極
３６が屈曲していない。そのため、ラビング方向は信号
線３１の延伸方向に対して１５度傾いている。ただし、
画素電極３５の一辺とラビング方向とのなす角が１５度
であることは、実施形態８と同じである。
８に比較して、第２絶縁膜８６と画素電極３５と共通電
極３６の配置と形状が異なるだけである。よって、これ
について図２４を用いて説明する。本実施形態は請求項
１２に相応する。図２４は実施形態９の基板１上の画素
近傍の回路配置パタン構成を示す図である。実施形態９
は、実施形態８と異なり、画素電極３５および共通電極
３６が屈曲していない。そのため、ラビング方向は信号
線３１の延伸方向に対して１５度傾いている。ただし、
画素電極３５の一辺とラビング方向とのなす角が１５度
であることは、実施形態８と同じである。
【００７０】第２絶縁膜８６によって形成される凹凸に
伴う段差の延伸方向は信号線３１の延伸方向に対して１
５度傾いている。ただし、第２絶縁膜８６によって形成
される凹凸に伴う段差の延伸方向ＤＬｄが、液晶の初期
配向方向ＤＬｅと一致していることは、実施形態８と同
じである。そのため、実施形態８と同様に、実施形態９
では、配向膜８５にラビング処理を施すときに、光の透
過領域において凹凸に伴う段差を乗り越えることがな
く、均一にラビング処理を施すができ、配向不良等を誘
発することがない。
伴う段差の延伸方向は信号線３１の延伸方向に対して１
５度傾いている。ただし、第２絶縁膜８６によって形成
される凹凸に伴う段差の延伸方向ＤＬｄが、液晶の初期
配向方向ＤＬｅと一致していることは、実施形態８と同
じである。そのため、実施形態８と同様に、実施形態９
では、配向膜８５にラビング処理を施すときに、光の透
過領域において凹凸に伴う段差を乗り越えることがな
く、均一にラビング処理を施すができ、配向不良等を誘
発することがない。
【００７１】〔実施形態１０〕実施形態１０は、実施形
態８に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。こ
れについて図２５および図２６を用いて説明する。本実
施形態は請求項１３に相応する。図２５は実施形態１０
の基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図で
ある。また、図２６は図２５のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある実施形態１０は、実施形態８と異なり、画素電極３
５および共通電極３６が第２絶縁膜８６による凹凸に伴
う段差を乗り越えていない。例えば、実施形態８の図２
２に示す部分Ｃでは、画素電極３５が第２絶縁膜８６の
端を乗り越えている。一方、実施形態１０の図２５に示
す部分Ｃでは、画素電極３５は第２絶縁膜８６を乗り越
えてはいない。すなわち、図２２ではＡ−Ａ’ 断面に
平行な断面をとった場合に、画素電極３５が第２絶縁膜
８６上（段差の上部）にある個所と保護膜８２上（段差
の下部）にある個所が存在するのに対し、図２５では、
第２絶縁膜８６は画素電極３５を避けて配置されてお
り、Ａ−Ａ’ 断面に平行などの断面をとっても、画素
電極３５が保護膜８２上（段差の下部）にある。そのた
め、実施形態１０では、第２絶縁膜８６による凹凸に伴
う段差によって画素電極３５が切れるということなどの
不良が生じない。
態８に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。こ
れについて図２５および図２６を用いて説明する。本実
施形態は請求項１３に相応する。図２５は実施形態１０
の基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図で
ある。また、図２６は図２５のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある実施形態１０は、実施形態８と異なり、画素電極３
５および共通電極３６が第２絶縁膜８６による凹凸に伴
う段差を乗り越えていない。例えば、実施形態８の図２
２に示す部分Ｃでは、画素電極３５が第２絶縁膜８６の
端を乗り越えている。一方、実施形態１０の図２５に示
す部分Ｃでは、画素電極３５は第２絶縁膜８６を乗り越
えてはいない。すなわち、図２２ではＡ−Ａ’ 断面に
平行な断面をとった場合に、画素電極３５が第２絶縁膜
８６上（段差の上部）にある個所と保護膜８２上（段差
の下部）にある個所が存在するのに対し、図２５では、
第２絶縁膜８６は画素電極３５を避けて配置されてお
り、Ａ−Ａ’ 断面に平行などの断面をとっても、画素
電極３５が保護膜８２上（段差の下部）にある。そのた
め、実施形態１０では、第２絶縁膜８６による凹凸に伴
う段差によって画素電極３５が切れるということなどの
不良が生じない。
【００７２】〔実施形態１１〕実施形態１１は、実施形
態１０に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。
これについて図２７および図２８を用いて説明する。本
実施形態は請求項１４に相応する。図２７は実施形態１
１の基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図
である。また、図２８は図２７のＡ−Ａ’断面の断面図
である実施形態１１は、実施形態１０と異なり、第２絶
縁膜８６による凹凸に伴う段差が、画素電極３５および
共通電極３６と重畳している。例えば、実施形態１０の
図２５に示す部分Ｃでは、第２絶縁膜８６による凹凸に
伴う段差が画素電極３５に重畳していない。一方、実施
形態１１の図２７に示す部分Ｃでは、第２絶縁膜８６に
よる凹凸に伴う段差が画素電極３５に重畳している。そ
のため、実施形態１１では、第２絶縁膜８６による凹凸
に伴う段差部分でラビング処理が不十分となり、配向不
良が生じた場合でも、画素電極３５および共通電極３６
が不透明な導電体であれば、その不良は画素電極３５お
よび共通電極３６によって隠されるため、表示には影響
しない。
態１０に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。
これについて図２７および図２８を用いて説明する。本
実施形態は請求項１４に相応する。図２７は実施形態１
１の基板１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図
である。また、図２８は図２７のＡ−Ａ’断面の断面図
である実施形態１１は、実施形態１０と異なり、第２絶
縁膜８６による凹凸に伴う段差が、画素電極３５および
共通電極３６と重畳している。例えば、実施形態１０の
図２５に示す部分Ｃでは、第２絶縁膜８６による凹凸に
伴う段差が画素電極３５に重畳していない。一方、実施
形態１１の図２７に示す部分Ｃでは、第２絶縁膜８６に
よる凹凸に伴う段差が画素電極３５に重畳している。そ
のため、実施形態１１では、第２絶縁膜８６による凹凸
に伴う段差部分でラビング処理が不十分となり、配向不
良が生じた場合でも、画素電極３５および共通電極３６
が不透明な導電体であれば、その不良は画素電極３５お
よび共通電極３６によって隠されるため、表示には影響
しない。
【００７３】また、実施形態１１は、実施形態１０と同
様に、第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段差が、画素電
極３５および共通電極３６と重畳しているものの、乗り
越えてはいない。すなわち、図２７では、第２絶縁膜８
６はおおよそ画素電極３５を避けて配置されているが、
画素電極３５は端部で第２絶縁膜８６上に乗り上げてい
る。このため、Ａ−Ａ’ 断面に平行などの断面をとっ
ても、画素電極３５はおおよそ保護膜８２上（段差の下
部）にあり、端部のみ第２絶縁膜８６上（段差の上部）
にある。そのため、実施形態１０と同様に、第２絶縁膜
８６による凹凸に伴う段差によって画素電極３５が切れ
るということなどの不良が生じない。
様に、第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段差が、画素電
極３５および共通電極３６と重畳しているものの、乗り
越えてはいない。すなわち、図２７では、第２絶縁膜８
６はおおよそ画素電極３５を避けて配置されているが、
画素電極３５は端部で第２絶縁膜８６上に乗り上げてい
る。このため、Ａ−Ａ’ 断面に平行などの断面をとっ
ても、画素電極３５はおおよそ保護膜８２上（段差の下
部）にあり、端部のみ第２絶縁膜８６上（段差の上部）
にある。そのため、実施形態１０と同様に、第２絶縁膜
８６による凹凸に伴う段差によって画素電極３５が切れ
るということなどの不良が生じない。
【００７４】〔実施形態１２〕実施形態１２は、実施形
態９に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。こ
れについて図２９を用いて説明する。本実施形態は請求
項１３，１４に相応する。図２９は実施形態１２の基板
１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。
実施形態１２は、実施形態９と異なり、画素電極３５お
よび共通電極３６が第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段
差を乗り越えていない。例えば、実施形態９の図２４に
示す部分Ｃでは、画素電極３５が第２絶縁膜８６の端を
乗り越えている。一方、実施形態１２の図２９に示す部
分Ｃでは、画素電極３５は第２絶縁膜８６に一部重畳し
ているものの乗り越えてはいない。すなわち、図２９で
は、第２絶縁膜８６はおおよそ画素電極３５を避けて配
置されているが、画素電極３５は端部で第２絶縁膜８６
上に乗り上げている。このため、横軸に平行などの断面
をとっても、画素電極３５はおおよそ保護膜８２上（段
差の下部）にあり、端部のみ第２絶縁膜８６上（段差の
上部）にある。
態９に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。こ
れについて図２９を用いて説明する。本実施形態は請求
項１３，１４に相応する。図２９は実施形態１２の基板
１上の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。
実施形態１２は、実施形態９と異なり、画素電極３５お
よび共通電極３６が第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段
差を乗り越えていない。例えば、実施形態９の図２４に
示す部分Ｃでは、画素電極３５が第２絶縁膜８６の端を
乗り越えている。一方、実施形態１２の図２９に示す部
分Ｃでは、画素電極３５は第２絶縁膜８６に一部重畳し
ているものの乗り越えてはいない。すなわち、図２９で
は、第２絶縁膜８６はおおよそ画素電極３５を避けて配
置されているが、画素電極３５は端部で第２絶縁膜８６
上に乗り上げている。このため、横軸に平行などの断面
をとっても、画素電極３５はおおよそ保護膜８２上（段
差の下部）にあり、端部のみ第２絶縁膜８６上（段差の
上部）にある。
【００７５】そのため、実施形態１２では、実施形態１
０と同様に、第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段差によ
って画素電極３５が切れるということなどの不良が生じ
ない。さらに、第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段差
が、画素電極３５および共通電極３６と重畳している。
そのため、実施形態１２では、第２絶縁膜８６による凹
凸に伴う段差部分でラビング処理が不十分となり、配向
不良が生じた場合でも、画素電極３５および共通電極３
６が不透明な導電体であれば、その不良は画素電極３５
および共通電極３６によって隠されるため、表示には影
響しない。
０と同様に、第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段差によ
って画素電極３５が切れるということなどの不良が生じ
ない。さらに、第２絶縁膜８６による凹凸に伴う段差
が、画素電極３５および共通電極３６と重畳している。
そのため、実施形態１２では、第２絶縁膜８６による凹
凸に伴う段差部分でラビング処理が不十分となり、配向
不良が生じた場合でも、画素電極３５および共通電極３
６が不透明な導電体であれば、その不良は画素電極３５
および共通電極３６によって隠されるため、表示には影
響しない。
【００７６】〔実施形態１３〕実施形態１３は、実施形
態１１に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。
これについて図３０および図３１を用いて説明する。本
実施形態は請求項６，９，１２，１３に相応する。図３
０は実施形態１３の画素近傍の回路配置パタン構成を示
す図である。また、図３１は、図３０のＡ−Ａ’断面の
断面図である。
態１１に比較して、第２絶縁膜の配置と形状が異なる。
これについて図３０および図３１を用いて説明する。本
実施形態は請求項６，９，１２，１３に相応する。図３
０は実施形態１３の画素近傍の回路配置パタン構成を示
す図である。また、図３１は、図３０のＡ−Ａ’断面の
断面図である。
【００７７】実施形態１３は実施形態１１と異なり、第
２絶縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差が、画
素電極３５と共通電極３６との間に一つだけある。ま
た、画素電極３５が凸部に重畳して配置され、共通電極
は凹部に重畳している。これにより、凹凸のパタン幅が
実施形態１１に比較して大きくなり、第２絶縁膜８６の
加工が容易になる。
２絶縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差が、画
素電極３５と共通電極３６との間に一つだけある。ま
た、画素電極３５が凸部に重畳して配置され、共通電極
は凹部に重畳している。これにより、凹凸のパタン幅が
実施形態１１に比較して大きくなり、第２絶縁膜８６の
加工が容易になる。
【００７８】なお、画素電極３５が第２絶縁膜８６より
上層に配置されているため、第２絶縁膜８６を介するこ
となく液晶層３４に電界を印加することができ、駆動電
圧の上昇を抑制している。さらに、第２絶縁膜８６によ
って形成される凹凸に伴う段差の延伸方向ＤＬｄが、液
晶の初期配向方向ＤＬｅと一致しているため、配向膜８
５にラビング処理を施すときに、光の透過領域において
凹凸に伴う段差を乗り越えることがなく、均一にラビン
グ処理を施すができ、配向不良等を誘発しにくい。
上層に配置されているため、第２絶縁膜８６を介するこ
となく液晶層３４に電界を印加することができ、駆動電
圧の上昇を抑制している。さらに、第２絶縁膜８６によ
って形成される凹凸に伴う段差の延伸方向ＤＬｄが、液
晶の初期配向方向ＤＬｅと一致しているため、配向膜８
５にラビング処理を施すときに、光の透過領域において
凹凸に伴う段差を乗り越えることがなく、均一にラビン
グ処理を施すができ、配向不良等を誘発しにくい。
【００７９】さらに、光の透過領域において、画素電極
３５および共通電極３６が第２絶縁膜８６による凹凸に
伴う段差を乗り越えていないため、段差によって画素電
極３５が切れるということなどの不良が生じない。すな
わち、図３０では画素電極３５及び信号線３１は全て第
２絶縁膜８６上に形成されており、段差にかかることは
ない。
３５および共通電極３６が第２絶縁膜８６による凹凸に
伴う段差を乗り越えていないため、段差によって画素電
極３５が切れるということなどの不良が生じない。すな
わち、図３０では画素電極３５及び信号線３１は全て第
２絶縁膜８６上に形成されており、段差にかかることは
ない。
【００８０】〔実施形態１４〕実施形態１４は、実施形
態１３に比較して、信号線３１と画素電極３５と共通電
極３６と第２絶縁膜８６の形状と配置が異なる。これに
ついて図３２および図３３を用いて説明する。本実施形
態は請求項１５に相応する。図３２は実施形態１４の画
素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。走査線３
２と信号線３１とは互いに交差し、走査線３２と信号線
３１とに囲まれた領域に対応して画素が形成されてい
る。第１ＴＦＴ３３は走査線３２と信号線３１との交点
付近に対応して配置され、走査線３２と信号線３１と画
素電極３５とに電気的に接続されている。共通電極３６
は画素電極３５に対応して配置され、共通電極３６と画
素電極３５とで基板面に対して平行な成分を持つ電界を
発生する。画素電極３５と共通電極３６と信号線３１は
一つの画素内で１回以上折れ曲がり、マルチドメインを
形成している。第２絶縁膜８６は、画素電極と共通電極
の間の光の透過領域に配置され、液晶層３４の厚みを変
動させている。信号線３１と共通電極３６とは第２絶縁
膜８６を介して重畳している。
態１３に比較して、信号線３１と画素電極３５と共通電
極３６と第２絶縁膜８６の形状と配置が異なる。これに
ついて図３２および図３３を用いて説明する。本実施形
態は請求項１５に相応する。図３２は実施形態１４の画
素近傍の回路配置パタン構成を示す図である。走査線３
２と信号線３１とは互いに交差し、走査線３２と信号線
３１とに囲まれた領域に対応して画素が形成されてい
る。第１ＴＦＴ３３は走査線３２と信号線３１との交点
付近に対応して配置され、走査線３２と信号線３１と画
素電極３５とに電気的に接続されている。共通電極３６
は画素電極３５に対応して配置され、共通電極３６と画
素電極３５とで基板面に対して平行な成分を持つ電界を
発生する。画素電極３５と共通電極３６と信号線３１は
一つの画素内で１回以上折れ曲がり、マルチドメインを
形成している。第２絶縁膜８６は、画素電極と共通電極
の間の光の透過領域に配置され、液晶層３４の厚みを変
動させている。信号線３１と共通電極３６とは第２絶縁
膜８６を介して重畳している。
【００８１】図３３は、図３２のＡ−Ａ’断面の断面図
である。材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対向配
置され、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基板２
とで狭持された液晶層３４とを有する。基板１は、第１
絶縁膜８１と、第１絶縁膜８１上に配置された信号線３
１および画素電極３５と、信号線３１および画素電極３
５上に配置された保護膜８２と、保護膜８２上に配置さ
れた第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６を介して信号線
３１に重畳して配置された共通電極３６と、液晶３４と
の界面に配置された配向膜８５と、基板１の液晶に面し
ない側の面上に備えられ、液晶の配向状態に応じて光学
特性を変える手段である偏光板６とを有する。なお、共
通電極３６は走査線３２（図３３に示されない）と共に
第１絶縁膜８１上に配置される。
である。材質が透明ガラスの基板１と、基板１に対向配
置され、材質が透明ガラスの基板２と、基板１と基板２
とで狭持された液晶層３４とを有する。基板１は、第１
絶縁膜８１と、第１絶縁膜８１上に配置された信号線３
１および画素電極３５と、信号線３１および画素電極３
５上に配置された保護膜８２と、保護膜８２上に配置さ
れた第２絶縁膜８６と、第２絶縁膜８６を介して信号線
３１に重畳して配置された共通電極３６と、液晶３４と
の界面に配置された配向膜８５と、基板１の液晶に面し
ない側の面上に備えられ、液晶の配向状態に応じて光学
特性を変える手段である偏光板６とを有する。なお、共
通電極３６は走査線３２（図３３に示されない）と共に
第１絶縁膜８１上に配置される。
【００８２】共通電極３６、画素電極３５、信号線３１
は膜厚が０．２μｍ程度の導電体であり、ＣｒＭｏやＡ
ｌやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など
を用いることができる。第１絶縁膜８１、保護膜８２は
膜厚がそれぞれ０．３μｍ、０．８μｍ程度の絶縁体で
あり、窒化珪素などを用いることができる。第２絶縁膜
８６は膜厚が１μｍ程度の絶縁体であり、無機物質も有
機物質も用いることができる。なお、本発明が上記の膜
厚に限定されるものではないことは、いうまでもない。
基板２は、不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜５
と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した色を
表現するカラーフィルタ４と、カラーフィルタ４上に備
えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平坦化膜上３
に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しない側
の面上に備えられた偏光板６とを有する。
は膜厚が０．２μｍ程度の導電体であり、ＣｒＭｏやＡ
ｌやＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）など
を用いることができる。第１絶縁膜８１、保護膜８２は
膜厚がそれぞれ０．３μｍ、０．８μｍ程度の絶縁体で
あり、窒化珪素などを用いることができる。第２絶縁膜
８６は膜厚が１μｍ程度の絶縁体であり、無機物質も有
機物質も用いることができる。なお、本発明が上記の膜
厚に限定されるものではないことは、いうまでもない。
基板２は、不要な間隙部からの光を遮光する遮光膜５
と、遮光膜５上に備えられ、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した色を
表現するカラーフィルタ４と、カラーフィルタ４上に備
えられ、凹凸を平坦化する平坦化膜３と、平坦化膜上３
に備えられた配向膜８５と、基板２の液晶に面しない側
の面上に備えられた偏光板６とを有する。
【００８３】配向膜８５には液晶を配向させるためのラ
ビング処理が施されている。ラビング方向は信号線の延
伸方向に平行である。屈曲した画素電極の一辺とラビン
グ方向とのなす角は１５度であり、ＩＰＳ表示モードに
対応している。偏光板６の透過軸は、それぞれの偏光板
が配置されている基板上の配向膜のラビング方向に対し
て平行あるいは垂直に向けられており、基板１の偏光板
と基板２の偏光板はクロスニコルに配置され、ノーマリ
ーブラックモードに対応している。なお、本発明が上記
のラビング角度に限定されるものではないこと、また、
ノーマリーホワイトモードにも適用できることは、いう
までもない。
ビング処理が施されている。ラビング方向は信号線の延
伸方向に平行である。屈曲した画素電極の一辺とラビン
グ方向とのなす角は１５度であり、ＩＰＳ表示モードに
対応している。偏光板６の透過軸は、それぞれの偏光板
が配置されている基板上の配向膜のラビング方向に対し
て平行あるいは垂直に向けられており、基板１の偏光板
と基板２の偏光板はクロスニコルに配置され、ノーマリ
ーブラックモードに対応している。なお、本発明が上記
のラビング角度に限定されるものではないこと、また、
ノーマリーホワイトモードにも適用できることは、いう
までもない。
【００８４】基板１と基板２との間にはビーズが分散さ
れ、液晶層の厚みを確保している。ビーズは凸部にも存
在するため、凸部上のビーズによって液晶層の厚みが決
定される。そのため、各画素の液晶層の厚みの平均値を
パネル全体に渡って均一にするためには、凸部の面積が
広い方が望ましい。そのため、信号線３１上や走査線３
２上の画素内の表示領域外にも、凹凸を形成するための
第２絶縁膜８６が配置されている。なお、本発明に柱状
スペーサーが適用できることはいうまでもない。
れ、液晶層の厚みを確保している。ビーズは凸部にも存
在するため、凸部上のビーズによって液晶層の厚みが決
定される。そのため、各画素の液晶層の厚みの平均値を
パネル全体に渡って均一にするためには、凸部の面積が
広い方が望ましい。そのため、信号線３１上や走査線３
２上の画素内の表示領域外にも、凹凸を形成するための
第２絶縁膜８６が配置されている。なお、本発明に柱状
スペーサーが適用できることはいうまでもない。
【００８５】ビーズの直径は３μｍ程度、液晶層の屈折
率異方性は０．１程度であり、この組み合わせによって
レターデーションが調整される。なお、本発明が上記の
レターデーションに限定されるものではないことは、い
うまでもない。バックライト（図示せず）に対する制約
はなく直下型方式の物もサイドライト方式の物も使用す
ることができる。駆動はアクティブマトリクス駆動によ
って行われる。
率異方性は０．１程度であり、この組み合わせによって
レターデーションが調整される。なお、本発明が上記の
レターデーションに限定されるものではないことは、い
うまでもない。バックライト（図示せず）に対する制約
はなく直下型方式の物もサイドライト方式の物も使用す
ることができる。駆動はアクティブマトリクス駆動によ
って行われる。
【００８６】実施形態１４によれば、液晶層の厚みが変
動しているため、液晶層が厚い凹部では弾性エネルギー
が低く、画素電極３５と共通電極３６との間に電界が印
加されたときに、凹部の領域からスイッチングが始ま
る。そのため、ゼロ階調から中間調へのスイッチングを
高速化することができ、動画表示品質の優れた液晶表示
装置を提供することができる。
動しているため、液晶層が厚い凹部では弾性エネルギー
が低く、画素電極３５と共通電極３６との間に電界が印
加されたときに、凹部の領域からスイッチングが始ま
る。そのため、ゼロ階調から中間調へのスイッチングを
高速化することができ、動画表示品質の優れた液晶表示
装置を提供することができる。
【００８７】また、電界が印加されたとき、液晶層が厚
み（ｄｅｆｆ）が厚い領域、すなわち、実効的なリター
デーションｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが大きい領域からスイ
ッチングが始まるため、駆動電圧が低いときでもすでに
透過率が最大となる波長が長く、黄色が強調される。こ
れにより、液晶層の厚みの変化のない従来の液晶表示装
置における、駆動電圧の増大に伴って色調が青色から黄
色へと変化するという問題を補正することができる。
み（ｄｅｆｆ）が厚い領域、すなわち、実効的なリター
デーションｄｅｆｆ・Δｎｅｆｆが大きい領域からスイ
ッチングが始まるため、駆動電圧が低いときでもすでに
透過率が最大となる波長が長く、黄色が強調される。こ
れにより、液晶層の厚みの変化のない従来の液晶表示装
置における、駆動電圧の増大に伴って色調が青色から黄
色へと変化するという問題を補正することができる。
【００８８】実施形態１４は実施形態１３と異なり、信
号線３１と共通電極３６とは第２絶縁膜８６を介して重
畳しており、実施形態１３では信号線３１の両側に配置
された二つの共通電極３６が一つにまとめられている。
そのため、フォトレジスト工程のマスクを増やすことな
く、開口率が向上される。
号線３１と共通電極３６とは第２絶縁膜８６を介して重
畳しており、実施形態１３では信号線３１の両側に配置
された二つの共通電極３６が一つにまとめられている。
そのため、フォトレジスト工程のマスクを増やすことな
く、開口率が向上される。
【００８９】また、実施形態１４は実施形態１３と異な
り、信号線３１と共通電極３６とは第２絶縁膜８６を介
して重畳しているため、光の透過領域における凹部と凸
部の面積比が同じ場合で比較して、実施形態１４は実施
形態１３に比較して信号線３１に重畳している第２絶縁
膜の面積を広く取ることができる。これにより、液晶層
３４の厚みは凸部上のビーズによって決定されるため、
実施形態１４は実施形態１３に比較して各画素の液晶層
３４の厚みの平均値をパネル全体に渡って均一にするこ
とが容易になる。
り、信号線３１と共通電極３６とは第２絶縁膜８６を介
して重畳しているため、光の透過領域における凹部と凸
部の面積比が同じ場合で比較して、実施形態１４は実施
形態１３に比較して信号線３１に重畳している第２絶縁
膜の面積を広く取ることができる。これにより、液晶層
３４の厚みは凸部上のビーズによって決定されるため、
実施形態１４は実施形態１３に比較して各画素の液晶層
３４の厚みの平均値をパネル全体に渡って均一にするこ
とが容易になる。
【００９０】さらには、実施形態１１と異なり、第２絶
縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差が、画素電
極３５と共通電極３６との間に一つだけある。また、画
素電極３５が凹部に重畳して配置され、共通電極３６は
凸部に重畳している。これにより、凹凸の形状が実施形
態１１に比較して大きくなり、第２絶縁膜８６の加工が
容易になる。なお、凸部に重畳している共通電極３６が
第２絶縁膜８６より上層に配置されているため、第２絶
縁膜８６を介することなく液晶層３４に電界を印加する
ことができ、駆動電圧の上昇を抑制している。
縁膜８６によって形成される凹凸に伴う段差が、画素電
極３５と共通電極３６との間に一つだけある。また、画
素電極３５が凹部に重畳して配置され、共通電極３６は
凸部に重畳している。これにより、凹凸の形状が実施形
態１１に比較して大きくなり、第２絶縁膜８６の加工が
容易になる。なお、凸部に重畳している共通電極３６が
第２絶縁膜８６より上層に配置されているため、第２絶
縁膜８６を介することなく液晶層３４に電界を印加する
ことができ、駆動電圧の上昇を抑制している。
【００９１】さらに、第２絶縁膜８６によって形成され
る凹凸に伴う段差の延伸方向ＤＬｄが、液晶の初期配向
方向ＤＬｅと一致しているため、配向膜８５にラビング
処理を施すときに、光の透過領域において凹凸に伴う段
差を乗り越えることがなく、均一にラビング処理を施す
ができ、配向不良等を誘発しにくい。さらに、光の透過
領域において、画素電極３５および共通電極３６が第２
絶縁膜８６による凹凸に伴う段差を乗り越えていないた
め、段差によって画素電極３５が切れるということなど
の不良が生じない。
る凹凸に伴う段差の延伸方向ＤＬｄが、液晶の初期配向
方向ＤＬｅと一致しているため、配向膜８５にラビング
処理を施すときに、光の透過領域において凹凸に伴う段
差を乗り越えることがなく、均一にラビング処理を施す
ができ、配向不良等を誘発しにくい。さらに、光の透過
領域において、画素電極３５および共通電極３６が第２
絶縁膜８６による凹凸に伴う段差を乗り越えていないた
め、段差によって画素電極３５が切れるということなど
の不良が生じない。
【００９２】〔実施形態１５〕実施形態１５は、実施形
態１４に比較して、第２絶縁膜８６の形状と配置が異な
る。これについて図３４および図３５を用いて説明す
る。本実施形態は請求項１６に相応する。図３４は実施
形態１５の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図３５は、図３４のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある。
態１４に比較して、第２絶縁膜８６の形状と配置が異な
る。これについて図３４および図３５を用いて説明す
る。本実施形態は請求項１６に相応する。図３４は実施
形態１５の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図３５は、図３４のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある。
【００９３】実施形態１５は実施形態１４と異なり、第
２絶縁膜８６が信号線３１と共通電極３６とに重畳して
いる部分で、共通電極３６より小さい幅で、選択的に形
成されている。そのため、図３５に示すように、共通電
極３６が第２絶縁膜８６を覆うように形成されている。
これにより、電気力線２１が示すような、信号線３１と
画素電極３５との間に発生する表示に不要なノイズ電界
のうち、第２絶縁膜８６と液晶層３４の凹部とを通るノ
イズ電界を遮断することができ、表示品質を向上させる
ことができる。
２絶縁膜８６が信号線３１と共通電極３６とに重畳して
いる部分で、共通電極３６より小さい幅で、選択的に形
成されている。そのため、図３５に示すように、共通電
極３６が第２絶縁膜８６を覆うように形成されている。
これにより、電気力線２１が示すような、信号線３１と
画素電極３５との間に発生する表示に不要なノイズ電界
のうち、第２絶縁膜８６と液晶層３４の凹部とを通るノ
イズ電界を遮断することができ、表示品質を向上させる
ことができる。
【００９４】〔実施形態１６〕実施形態１６は、実施形
態１４に比較して、共通電極３６の形状と配置が異な
る。これについて図３６および図３７を用いて説明す
る。本実施形態は請求項１７に相応する。図３６は実施
形態１６の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図３７は、図３６のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある。
態１４に比較して、共通電極３６の形状と配置が異な
る。これについて図３６および図３７を用いて説明す
る。本実施形態は請求項１７に相応する。図３６は実施
形態１６の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図３７は、図３６のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある。
【００９５】実施形態１６は実施形態１４と異なり、信
号線３１と第２絶縁膜８６とが重畳している部分で、第
２絶縁膜８６の上に共通電極３６と配向膜８５とが配置
されている。すなわち、実施形態１４の図３３では信号
線３１の全面(ただし、図３６のＡ−Ａ’断面において
全面という意味である)に共通電極３６が重畳している
が、実施形態１６の図３７では信号線３１の一部分に共
通電極３６が重畳している。そのため、この重畳してい
る面積を変化させることによって、信号線３１と共通電
極３６との間に発生する容量を変化させることができ
る。ここで、信号線３１を通る映像信号の遅延を引き起
こすため、この容量を調整することは重要である。
号線３１と第２絶縁膜８６とが重畳している部分で、第
２絶縁膜８６の上に共通電極３６と配向膜８５とが配置
されている。すなわち、実施形態１４の図３３では信号
線３１の全面(ただし、図３６のＡ−Ａ’断面において
全面という意味である)に共通電極３６が重畳している
が、実施形態１６の図３７では信号線３１の一部分に共
通電極３６が重畳している。そのため、この重畳してい
る面積を変化させることによって、信号線３１と共通電
極３６との間に発生する容量を変化させることができ
る。ここで、信号線３１を通る映像信号の遅延を引き起
こすため、この容量を調整することは重要である。
【００９６】つまり、実施形態１４では、第２絶縁膜８
６の厚みを変化させることで容量を変化させることがで
きたが、実施形態１６では、第２絶縁膜８６の厚みだけ
ではなく、信号線３１と共通電極３６とが重畳している
面積を変化させることでも容量を変化させることができ
る。したがって、第２絶縁膜８６の厚みに関する自由度
が広がり、液晶層３４の厚みの凹凸による高速化の効果
が最適化されるように第２絶縁膜の厚みを決定すること
ができる。換言すれば、実施形態１６は液晶層３４の厚
みの変動の最適化と、信号線３１と共通電極３６との間
の容量の最適化を、独立してそれぞれ行うことができ
る。
６の厚みを変化させることで容量を変化させることがで
きたが、実施形態１６では、第２絶縁膜８６の厚みだけ
ではなく、信号線３１と共通電極３６とが重畳している
面積を変化させることでも容量を変化させることができ
る。したがって、第２絶縁膜８６の厚みに関する自由度
が広がり、液晶層３４の厚みの凹凸による高速化の効果
が最適化されるように第２絶縁膜の厚みを決定すること
ができる。換言すれば、実施形態１６は液晶層３４の厚
みの変動の最適化と、信号線３１と共通電極３６との間
の容量の最適化を、独立してそれぞれ行うことができ
る。
【００９７】〔実施形態１７〕実施形態１７は、実施形
態１４に比較して、保護膜８２の形状が異なるだけであ
る。これについて図３２および図３８を用いて説明す
る。本実施形態は請求項１９に相応する。図３２は実施
形態１７の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図３８は、図３２のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある。
態１４に比較して、保護膜８２の形状が異なるだけであ
る。これについて図３２および図３８を用いて説明す
る。本実施形態は請求項１９に相応する。図３２は実施
形態１７の画素近傍の回路配置パタン構成を示す図であ
る。また、図３８は、図３２のＡ−Ａ’断面の断面図で
ある。
【００９８】実施形態１７は実施形態１４と異なり、凹
凸を形成する第２絶縁膜８６とは異なって、かつ凹凸を
有する絶縁膜である保護膜８２が基板１上に配置され、
凹凸を形成する第２絶縁膜８６と保護膜８２の凹部とが
重畳している。すなわち、図３８に示すように、実施形
態１７は保護膜８２が凹凸を有し、保護膜８２の凹部に
絶縁膜８６が配置されているため、実施形態１４に比較
して液晶層の厚みの変動が小さくなっている。
凸を形成する第２絶縁膜８６とは異なって、かつ凹凸を
有する絶縁膜である保護膜８２が基板１上に配置され、
凹凸を形成する第２絶縁膜８６と保護膜８２の凹部とが
重畳している。すなわち、図３８に示すように、実施形
態１７は保護膜８２が凹凸を有し、保護膜８２の凹部に
絶縁膜８６が配置されているため、実施形態１４に比較
して液晶層の厚みの変動が小さくなっている。
【００９９】すなわち、実施形態１７では、液晶層３４
の厚みの変動を第２絶縁膜８６と保護膜８２の両方で変
化させることができる。そのため、信号線３１と共通電
極３６との間の容量は第２絶縁膜の厚みで変化させるこ
とができ、液晶層３４の厚みの変動は第２絶縁膜８６の
厚みと保護膜８２の凹凸の大きさとの組み合わせで変化
させることができる。
の厚みの変動を第２絶縁膜８６と保護膜８２の両方で変
化させることができる。そのため、信号線３１と共通電
極３６との間の容量は第２絶縁膜の厚みで変化させるこ
とができ、液晶層３４の厚みの変動は第２絶縁膜８６の
厚みと保護膜８２の凹凸の大きさとの組み合わせで変化
させることができる。
【０１００】換言すれば、実施形態１７は液晶層３４の
厚みの変動の最適化と、信号線３１と共通電極３６との
間の容量の最適化を、独立してそれぞれ行うことができ
る。なお、最初から保護膜８２の断面形状を本実施形態
での第２絶縁膜８６と保護膜８２を合わせた断面形状に
なるように形成しても、同様の効果を得られる。
厚みの変動の最適化と、信号線３１と共通電極３６との
間の容量の最適化を、独立してそれぞれ行うことができ
る。なお、最初から保護膜８２の断面形状を本実施形態
での第２絶縁膜８６と保護膜８２を合わせた断面形状に
なるように形成しても、同様の効果を得られる。
【０１０１】〔実施形態１８〕実施形態１８は、実施形
態１に比較して、駆動方法が異なるだけである。これに
ついて図３９を用いて説明する。本実施形態は請求項２
０，２１に相応する。図３９は実施形態１８の各配線お
よび電極の電位の時間変化と液晶に印加される電圧の時
間変化の例である。
態１に比較して、駆動方法が異なるだけである。これに
ついて図３９を用いて説明する。本実施形態は請求項２
０，２１に相応する。図３９は実施形態１８の各配線お
よび電極の電位の時間変化と液晶に印加される電圧の時
間変化の例である。
【０１０２】実施形態１８では、１周期期間１１０中に
２回の選択パルスが走査線に供給される。初めの選択パ
ルス１０１によって、画素電極には共通電極と同じ電位
が供給され、液晶への印加電圧はゼロになり、ノーマリ
ーブラック表示モードの本液晶表示装置は黒階調を表示
する。同じ周期期間１１０中の、次の選択パルス１０２
によって、画像を表示するための電位が前記画素電極に
供給され、本液晶表示装置は黒階調から画像を表示する
階調へと変化する。このように、実施形態１８は、１画
像を表示する１周期期間中に、画素電極の電位と共通電
極の電位とを等しくする手段を有する駆動方法を用いて
いる。
２回の選択パルスが走査線に供給される。初めの選択パ
ルス１０１によって、画素電極には共通電極と同じ電位
が供給され、液晶への印加電圧はゼロになり、ノーマリ
ーブラック表示モードの本液晶表示装置は黒階調を表示
する。同じ周期期間１１０中の、次の選択パルス１０２
によって、画像を表示するための電位が前記画素電極に
供給され、本液晶表示装置は黒階調から画像を表示する
階調へと変化する。このように、実施形態１８は、１画
像を表示する１周期期間中に、画素電極の電位と共通電
極の電位とを等しくする手段を有する駆動方法を用いて
いる。
【０１０３】そのため、各画素の輝度が画像を表示する
階調へと変化するときは、必ず、黒階調から画像を表示
する階調へと変化する。実施形態１８は黒階調から中間
調への応答時間を短縮できる構成であるため、上記の駆
動方法と回路構成を組み合わせることによって、高速化
された黒階調から中間調へのスイッチングを多用するこ
とになり、動画像の表示品質が向上する。
階調へと変化するときは、必ず、黒階調から画像を表示
する階調へと変化する。実施形態１８は黒階調から中間
調への応答時間を短縮できる構成であるため、上記の駆
動方法と回路構成を組み合わせることによって、高速化
された黒階調から中間調へのスイッチングを多用するこ
とになり、動画像の表示品質が向上する。
【０１０４】なお、実施形態１８は実施形態１における
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法に入れ換え
たものである。そのため、アクティブマトリクス駆動を
用いている実施形態２ないし実施形態１７においても、
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法で置き換え
ることによって、実施形態１８と同様の効果が得られる
ことは、いうまでもない。
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法に入れ換え
たものである。そのため、アクティブマトリクス駆動を
用いている実施形態２ないし実施形態１７においても、
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法で置き換え
ることによって、実施形態１８と同様の効果が得られる
ことは、いうまでもない。
【０１０５】〔実施形態１９〕実施形態１９は、実施形
態１８に比較して、駆動方法が異なるだけである。これ
について図４０および図４１を用いて説明する。本実施
形態は請求項２２に相応する。なお、バックライト光源
を用いる構成であれば、実施形態１８，１９は請求項２
３に相応する。
態１８に比較して、駆動方法が異なるだけである。これ
について図４０および図４１を用いて説明する。本実施
形態は請求項２２に相応する。なお、バックライト光源
を用いる構成であれば、実施形態１８，１９は請求項２
３に相応する。
【０１０６】図４０は実施形態１９による液晶表示装置
の構成を示す図である。実施形態１９の液晶表示装置
は、画素電極３５に信号電位を供給する信号ドライバ５
１と、画素を選択する電位を供給する走査ドライバ５２
と、共通電極３６に電位を供給する共通電極ドライバ５
４と、信号ドライバ５１および走査ドライバ５２および
共通電極ドライバ５４とを制御する表示制御装置５３と
を有している。
の構成を示す図である。実施形態１９の液晶表示装置
は、画素電極３５に信号電位を供給する信号ドライバ５
１と、画素を選択する電位を供給する走査ドライバ５２
と、共通電極３６に電位を供給する共通電極ドライバ５
４と、信号ドライバ５１および走査ドライバ５２および
共通電極ドライバ５４とを制御する表示制御装置５３と
を有している。
【０１０７】基板１には、走査ドライバ５２に接続され
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続され、
かつ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と
信号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３
２と信号線３１と電気的に接続された第１ＴＦＴ３３
と、第１ＴＦＴ３３に電気的に接続され、信号線３１に
対応した画素電極３５と、画素電極３５に対応した共通
電極３６と、第１ＴＦＴが接続されている走査線３２と
異なる走査線と画素電極３５と共通電極３６とに電気的
に接続された第２ＴＦＴ３３’と、共通電極３６と共通
電極ドライバ５４とに電気的に接続された共通電極配線
３６”が備えられている。
た複数の走査線３２と、信号ドライバ５１に接続され、
かつ走査線３２と交差した信号線３１と、走査線３２と
信号線３１との交点付近に対応して配置され、走査線３
２と信号線３１と電気的に接続された第１ＴＦＴ３３
と、第１ＴＦＴ３３に電気的に接続され、信号線３１に
対応した画素電極３５と、画素電極３５に対応した共通
電極３６と、第１ＴＦＴが接続されている走査線３２と
異なる走査線と画素電極３５と共通電極３６とに電気的
に接続された第２ＴＦＴ３３’と、共通電極３６と共通
電極ドライバ５４とに電気的に接続された共通電極配線
３６”が備えられている。
【０１０８】図４１は実施形態１９の各配線および電極
の電位の時間変化と液晶に印加される電圧の時間変化の
例である。実施形態１９の駆動は、図４１に示すよう
に、共通電極配線３６”を介して共通電極３６に負の選
択パルスが１０３供給されると、図４０の第２ＴＦＴ３
３’が接続されている走査線３２が選択された場合と等
価になることから、第２ＴＦＴ３３’がオンになり、画
素電極３５の電位と共通電極３６の電位とが等しくな
り、ノーマリーブラック表示モードの本液晶表示装置は
黒階調を表示する。この場合、走査線３２は１番目から
ｍ番目へと順次選択されていくので、共通電極配線３
６”駆動時に選択中の走査線に接続された第２ＴＦＴ３
３’のみがオンになり、画素電極３５の電位と共通電極
３６の電位とが等しくなる。続いて、同じ周期期間１１
０中の、選択パルス１０２によって、画像を表示するた
めの電位が前記画素電極に供給され、本液晶表示装置は
黒階調から画像を表示する階調へと変化する。この場
合、次の走査線３２が選択されているので、共通電極と
同じ電位になった当該画素電極３５に接続された第１Ｔ
ＦＴ３３のみがオンになり、画像を表示するための電位
が当該画素電極に供給される。このようにして、走査線
が１番目からｍ番目へと順次選択されるにつれて、走査
線に接続された画素電極も順次選択されていき、一旦、
共通電極の電位と等しくなった後に画像を表示するため
の電位が供給されていくこととなる。
の電位の時間変化と液晶に印加される電圧の時間変化の
例である。実施形態１９の駆動は、図４１に示すよう
に、共通電極配線３６”を介して共通電極３６に負の選
択パルスが１０３供給されると、図４０の第２ＴＦＴ３
３’が接続されている走査線３２が選択された場合と等
価になることから、第２ＴＦＴ３３’がオンになり、画
素電極３５の電位と共通電極３６の電位とが等しくな
り、ノーマリーブラック表示モードの本液晶表示装置は
黒階調を表示する。この場合、走査線３２は１番目から
ｍ番目へと順次選択されていくので、共通電極配線３
６”駆動時に選択中の走査線に接続された第２ＴＦＴ３
３’のみがオンになり、画素電極３５の電位と共通電極
３６の電位とが等しくなる。続いて、同じ周期期間１１
０中の、選択パルス１０２によって、画像を表示するた
めの電位が前記画素電極に供給され、本液晶表示装置は
黒階調から画像を表示する階調へと変化する。この場
合、次の走査線３２が選択されているので、共通電極と
同じ電位になった当該画素電極３５に接続された第１Ｔ
ＦＴ３３のみがオンになり、画像を表示するための電位
が当該画素電極に供給される。このようにして、走査線
が１番目からｍ番目へと順次選択されるにつれて、走査
線に接続された画素電極も順次選択されていき、一旦、
共通電極の電位と等しくなった後に画像を表示するため
の電位が供給されていくこととなる。
【０１０９】このように、実施形態１９は、１画像を表
示する１周期期間中に、画素電極の電位と共通電極の電
位とを等しくする手段を有する駆動方法を用いている。
そのため、各画素の輝度が画像を表示する階調へと変化
するときは、必ず、黒階調から画像を表示する階調へと
変化する。実施形態１９は黒階調から中間調への応答時
間を短縮できる構成であるため、上記の駆動方法と回路
構成を組み合わせることによって、高速化された黒階調
から中間調へのスイッチングを多用することになり、動
画像の表示品質が向上する。
示する１周期期間中に、画素電極の電位と共通電極の電
位とを等しくする手段を有する駆動方法を用いている。
そのため、各画素の輝度が画像を表示する階調へと変化
するときは、必ず、黒階調から画像を表示する階調へと
変化する。実施形態１９は黒階調から中間調への応答時
間を短縮できる構成であるため、上記の駆動方法と回路
構成を組み合わせることによって、高速化された黒階調
から中間調へのスイッチングを多用することになり、動
画像の表示品質が向上する。
【０１１０】また、実施形態１９は実施形態１８と異な
り、画素電極の電位と共通電極の電位とを等しくする手
段が信号線３１に対して独立であるため、画像を表示す
るための電位の供給と、画素電極の電位と共通電極の電
位とを等しくすることとを、異なる画素で同時刻に行う
ことができ、黒階調を表示する時間と画像を表示する時
間との割合を任意に変更することができる。
り、画素電極の電位と共通電極の電位とを等しくする手
段が信号線３１に対して独立であるため、画像を表示す
るための電位の供給と、画素電極の電位と共通電極の電
位とを等しくすることとを、異なる画素で同時刻に行う
ことができ、黒階調を表示する時間と画像を表示する時
間との割合を任意に変更することができる。
【０１１１】なお、実施形態１９は実施形態１における
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法に入れ換え
たものである。そのため、アクティブマトリクス駆動を
用いている実施形態２ないし実施形態１７においても、
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法で置き換え
ることによって、実施形態１９と同様の効果が得られる
ことは、いうまでもない。
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法に入れ換え
たものである。そのため、アクティブマトリクス駆動を
用いている実施形態２ないし実施形態１７においても、
アクティブマトリクス駆動を上記の駆動方法で置き換え
ることによって、実施形態１９と同様の効果が得られる
ことは、いうまでもない。
【０１１２】〔実施形態２０〕実施形態２０は実施形態
１と異なり、ラビング処理の代わりに、液晶層と接する
部分に光反応性の材料層を配置し、光配向を適用したこ
とのみが異なる。本実施形態は請求項２４に相応する。
すなわち、配向膜８５として光配向に適した材料を使用
し、ほぼ直線に偏光した光を照射して液晶層３４の初期
配向方向を決定した。そのため、凹凸に伴う段差部にお
いて配向不良等を誘発しにくくなる。光反応性の材料と
してはポリビニルシンナメート等を使用できる。なお、
実施形態２０は実施形態１における配向処理を変更した
だけである。そのため、実施形態２ないし実施形態１９
においても、配向処理に光配向を適用すれば、実施形態
２０と同様の効果が得られることは、いうまでもない。
１と異なり、ラビング処理の代わりに、液晶層と接する
部分に光反応性の材料層を配置し、光配向を適用したこ
とのみが異なる。本実施形態は請求項２４に相応する。
すなわち、配向膜８５として光配向に適した材料を使用
し、ほぼ直線に偏光した光を照射して液晶層３４の初期
配向方向を決定した。そのため、凹凸に伴う段差部にお
いて配向不良等を誘発しにくくなる。光反応性の材料と
してはポリビニルシンナメート等を使用できる。なお、
実施形態２０は実施形態１における配向処理を変更した
だけである。そのため、実施形態２ないし実施形態１９
においても、配向処理に光配向を適用すれば、実施形態
２０と同様の効果が得られることは、いうまでもない。
【０１１３】〔比較例 ２〕本発明の比較例２は、実施
形態１から２０に比較して、駆動方法が異なるだけであ
る。よって、これについて図４２を用いて説明する。図
４２は比較例２の各配線および電極の電位の時間変化と
画素の輝度の時間変化の例である。
形態１から２０に比較して、駆動方法が異なるだけであ
る。よって、これについて図４２を用いて説明する。図
４２は比較例２の各配線および電極の電位の時間変化と
画素の輝度の時間変化の例である。
【０１１４】比較例２では、すべての走査線に選択パル
スが順次供給されて、すべての画素電極に表示するため
の電位が信号線から画素電極に印加され、保持された
後、バックライトが点灯して表示が行なわれる。従来の
バックライトが点灯され続けられた状態で、画素電極に
電位を印加する表示方式では、動画像の輪郭が不鮮明に
なるといった問題があったが、この比較例２の駆動方式
を用いて、間欠的に表示を行うことによって、この輪郭
の不鮮明を防ぐことが可能ではある。しかしながら、画
面全体で均一な表示を実現するためには、画素電極に電
圧を印加した後、液晶が完全に応答してからバックライ
トを点灯させる必要があるため，点灯時間が短くなり、
明るい表示が得られないといった問題がある。
スが順次供給されて、すべての画素電極に表示するため
の電位が信号線から画素電極に印加され、保持された
後、バックライトが点灯して表示が行なわれる。従来の
バックライトが点灯され続けられた状態で、画素電極に
電位を印加する表示方式では、動画像の輪郭が不鮮明に
なるといった問題があったが、この比較例２の駆動方式
を用いて、間欠的に表示を行うことによって、この輪郭
の不鮮明を防ぐことが可能ではある。しかしながら、画
面全体で均一な表示を実現するためには、画素電極に電
圧を印加した後、液晶が完全に応答してからバックライ
トを点灯させる必要があるため，点灯時間が短くなり、
明るい表示が得られないといった問題がある。
【０１１５】図４２に示す例では、１〜ｍ番目の走査線
にＶＧ（１）〜ＶＧ（ｍ）の電圧波形（選択パルス）を
順次印加して、それぞれ表示に対応した信号電圧ＶＤを
画素電極に順次書き込んでいく。最後の走査線（ｍ番
目）に対応した画素電極に電圧が書き込まれたあと、一
定期間（この場合５ｍｓ）をおいてバックライトを点灯
させる。この時間を１フレームと称する。この場合、１
６．６ｍｓである。図４２において、画素の輝度Ｂ
（１）〜Ｂ（ｍ）は特定の信号線に対応した、１〜ｍ番
目の走査線に接続された画素の輝度を示している。バッ
クライトが点灯している期間は斜線で示した。この例の
場合，番目のフレームでは表示は変化していない。
番目のフレームで画像Ａから画像Ｂに表示が変化した
後、のフレームでは再び表示は変化していない。
にＶＧ（１）〜ＶＧ（ｍ）の電圧波形（選択パルス）を
順次印加して、それぞれ表示に対応した信号電圧ＶＤを
画素電極に順次書き込んでいく。最後の走査線（ｍ番
目）に対応した画素電極に電圧が書き込まれたあと、一
定期間（この場合５ｍｓ）をおいてバックライトを点灯
させる。この時間を１フレームと称する。この場合、１
６．６ｍｓである。図４２において、画素の輝度Ｂ
（１）〜Ｂ（ｍ）は特定の信号線に対応した、１〜ｍ番
目の走査線に接続された画素の輝度を示している。バッ
クライトが点灯している期間は斜線で示した。この例の
場合，番目のフレームでは表示は変化していない。
番目のフレームで画像Ａから画像Ｂに表示が変化した
後、のフレームでは再び表示は変化していない。
【０１１６】番目のフレームから番目のフレームに
おいて、１番目及び２番目の走査線に対応する画素の表
示は最高階調レベル（２５５レベル）から中間階調レベ
ルに変化している。これらの画素の輝度Ｂ（１）及びＢ
（２）は、電圧が書き込まれてから、バックライトが点
灯するまでの間に十分な時間があるので、所望の（画像
Ｂを表示するための）中間階調調レベルに達してからバ
ックライトが点灯している。一方、ｍ番目の走査線に対
応する画素の表示は最高階調レベル（２５５階調レベ
ル）から最低階調レベル（０階調レベル）に変化してい
る。一番最後のｍ番めの走査線に対応する画素では、画
素電極に電圧が印加されてから、バックライトが点灯す
るまでの期間が５ｍｓと短いため、Ｂ（ｍ）のように、
輝度が０階調レベルに達する前にバックライトが点灯し
てしまう。このように、動画の輪郭の不鮮明さを防ぐた
めの本比較例２の駆動方法の場合においても、１番目に
近い最初の方の走査線に対応した画素では効果がある
が、ｍ番目に近い最後の方の走査線に対応した画素では
効果が得られない。
おいて、１番目及び２番目の走査線に対応する画素の表
示は最高階調レベル（２５５レベル）から中間階調レベ
ルに変化している。これらの画素の輝度Ｂ（１）及びＢ
（２）は、電圧が書き込まれてから、バックライトが点
灯するまでの間に十分な時間があるので、所望の（画像
Ｂを表示するための）中間階調調レベルに達してからバ
ックライトが点灯している。一方、ｍ番目の走査線に対
応する画素の表示は最高階調レベル（２５５階調レベ
ル）から最低階調レベル（０階調レベル）に変化してい
る。一番最後のｍ番めの走査線に対応する画素では、画
素電極に電圧が印加されてから、バックライトが点灯す
るまでの期間が５ｍｓと短いため、Ｂ（ｍ）のように、
輝度が０階調レベルに達する前にバックライトが点灯し
てしまう。このように、動画の輪郭の不鮮明さを防ぐた
めの本比較例２の駆動方法の場合においても、１番目に
近い最初の方の走査線に対応した画素では効果がある
が、ｍ番目に近い最後の方の走査線に対応した画素では
効果が得られない。
【０１１７】図４３は、本比較例で用いた液晶表示素子
の輝度の応答特性を示す図である。２５６階調の場合
で、０階調レベルから各階調レベルへの応答時間と、２
５５階調レベルから各階調レベルへの応答時間と、中間
階調レベルから各階調レベルへの応答時間を示した。最
終到達階調レベルを横軸、応答時間を縦軸にとり、始点
での階調レベルをパラメータとして示す。応答時間の定
義を図４４に示す。縦軸は輝度を階調レベルで表したも
の、横軸は時間である。最高階調レベル（この場合は２
５５階調レベル）と最低階調レベル（０階調レベル）と
の輝度差を１００％として、輝度が最終到達階調レベル
に対して±５％に達するまでの時間を応答時間と定義す
る。図４３（ａ）は低い階調レベル（６３階調レベル）
から高い階調レベル（１９１階調レベル）への応答の場
合である（立ち上がり）。最終到達階調レベルである１
９１階調レベルの−５％、すなわち１７８．２５階調レ
ベルに達するまでの時間が応答時間である。図４３
（ｂ）は高い階調レベル（１９１階調レベル）から低い
階調レベル（０階調レベル）への応答の場合である（立
ち下がり）。最終到達階調レベルである０階調レベルの
＋５％、すなわち１２．７５階調レベルに達するまでの
時間が応答時間である。
の輝度の応答特性を示す図である。２５６階調の場合
で、０階調レベルから各階調レベルへの応答時間と、２
５５階調レベルから各階調レベルへの応答時間と、中間
階調レベルから各階調レベルへの応答時間を示した。最
終到達階調レベルを横軸、応答時間を縦軸にとり、始点
での階調レベルをパラメータとして示す。応答時間の定
義を図４４に示す。縦軸は輝度を階調レベルで表したも
の、横軸は時間である。最高階調レベル（この場合は２
５５階調レベル）と最低階調レベル（０階調レベル）と
の輝度差を１００％として、輝度が最終到達階調レベル
に対して±５％に達するまでの時間を応答時間と定義す
る。図４３（ａ）は低い階調レベル（６３階調レベル）
から高い階調レベル（１９１階調レベル）への応答の場
合である（立ち上がり）。最終到達階調レベルである１
９１階調レベルの−５％、すなわち１７８．２５階調レ
ベルに達するまでの時間が応答時間である。図４３
（ｂ）は高い階調レベル（１９１階調レベル）から低い
階調レベル（０階調レベル）への応答の場合である（立
ち下がり）。最終到達階調レベルである０階調レベルの
＋５％、すなわち１２．７５階調レベルに達するまでの
時間が応答時間である。
【０１１８】本発明では、０階調レベルから各階調レベ
ルへの応答が５ｍｓ以下と改善されているが、２５５階
調レベルからの応答特性は、基本的に緩和過程によるも
のであり改善はされておらず、図４３に示すように遅い
応答となっている。特に、２５５階調レベルから０階調
レベルへの応答は遅く、バックライトが点灯するまでの
期間を長くしないと、輝度が０階調レベルに達する前に
バックライトが点灯してしまうという問題の原因となっ
ている。
ルへの応答が５ｍｓ以下と改善されているが、２５５階
調レベルからの応答特性は、基本的に緩和過程によるも
のであり改善はされておらず、図４３に示すように遅い
応答となっている。特に、２５５階調レベルから０階調
レベルへの応答は遅く、バックライトが点灯するまでの
期間を長くしないと、輝度が０階調レベルに達する前に
バックライトが点灯してしまうという問題の原因となっ
ている。
【０１１９】〔実施形態２１〕実施形態２１は比較例２
の問題を解決する駆動方法である。実施形態１から２０
に比較して、駆動方法が異なるだけである。図４５は本
実施形態の各配線および電極の電位の時間変化と画素の
透過率の時間変化の例である。
の問題を解決する駆動方法である。実施形態１から２０
に比較して、駆動方法が異なるだけである。図４５は本
実施形態の各配線および電極の電位の時間変化と画素の
透過率の時間変化の例である。
【０１２０】比較例２と異なるのは、順次走査を行う前
に、すべての走査線に選択パルスを与えて、すべての画
素に０階調レベルに対応する電圧を印加している点であ
る。図４５では黒く塗りつぶしたパルスで示してある。
以後このパルスをアシストパルスと称する。
に、すべての走査線に選択パルスを与えて、すべての画
素に０階調レベルに対応する電圧を印加している点であ
る。図４５では黒く塗りつぶしたパルスで示してある。
以後このパルスをアシストパルスと称する。
【０１２１】Ｂ（１）〜Ｂ（ｍ）、ＶＧ（１）〜ＶＧ
（ｍ）、ＶＤは、それぞれ図４２の場合と同様に画素の
輝度、走査線の印加電圧波形（選択パルス）、信号電圧
線の印加電圧波形を示している。また、図４２の場合と
同様、番目のフレームでは表示は変化していない。
番目のフレームで画像Ａから画像Ｂに表示が変化した
後、のフレームでは再び表示は変化していない。
（ｍ）、ＶＤは、それぞれ図４２の場合と同様に画素の
輝度、走査線の印加電圧波形（選択パルス）、信号電圧
線の印加電圧波形を示している。また、図４２の場合と
同様、番目のフレームでは表示は変化していない。
番目のフレームで画像Ａから画像Ｂに表示が変化した
後、のフレームでは再び表示は変化していない。
【０１２２】番目のフレームについて説明する。１番
目の走査線に対応した画素の輝度Ｂ（１）は、アシスト
パルスによって、階調レベル０の輝度に向かって応答し
かけるが、続けてすぐに選択パルスが印加されて、所定
の（画像Ａを表示するための）電圧が画素電極に印加さ
れるため、すぐにもとの輝度に戻る。２番目の走査線に
対応した画素の輝度Ｂ（２）も同様である。最後の走査
線に対応した画素の輝度Ｂ（ｍ）は、アシストパルスが
印加された後、選択パルスが印加されるまでに十分な時
間があるため、その輝度は０階調レベルに達する。その
後、選択パルスの印加によって輝度は所定の（画像Ａを
表示するための）輝度に向かって応答する。この時、図
４２に示すように０階調レベルから各階調レベルへの応
答は最大でも５ｍｓと高速であるため、バックライトが
点灯するまでの期間（５ｍｓ）中に所定の（画像Ａを表
示するための）輝度に達することができる。以上のよう
にして、すべての画素が応答し終わってからバックライ
トが点灯するので、番目のフレームにおいて均一な表
示が可能である。番目のフレームに関しても同様であ
る。
目の走査線に対応した画素の輝度Ｂ（１）は、アシスト
パルスによって、階調レベル０の輝度に向かって応答し
かけるが、続けてすぐに選択パルスが印加されて、所定
の（画像Ａを表示するための）電圧が画素電極に印加さ
れるため、すぐにもとの輝度に戻る。２番目の走査線に
対応した画素の輝度Ｂ（２）も同様である。最後の走査
線に対応した画素の輝度Ｂ（ｍ）は、アシストパルスが
印加された後、選択パルスが印加されるまでに十分な時
間があるため、その輝度は０階調レベルに達する。その
後、選択パルスの印加によって輝度は所定の（画像Ａを
表示するための）輝度に向かって応答する。この時、図
４２に示すように０階調レベルから各階調レベルへの応
答は最大でも５ｍｓと高速であるため、バックライトが
点灯するまでの期間（５ｍｓ）中に所定の（画像Ａを表
示するための）輝度に達することができる。以上のよう
にして、すべての画素が応答し終わってからバックライ
トが点灯するので、番目のフレームにおいて均一な表
示が可能である。番目のフレームに関しても同様であ
る。
【０１２３】番目のフレームでは、表示が変化してい
る。比較例２の場合と同様に、番目のフレームから
番目のフレームにおいて、１番目及び２番目の走査線に
対応する画素の表示は最高階調レベル（２５５階調レベ
ル）から中間階調レベルに変化している。これらの画素
の輝度Ｂ（１）及びＢ（２）は、電圧が書き込まれてか
ら、バックライトが点灯するまでの間に十分な時間があ
るので、所望の（画像Ｂを表示するための）中間階調レ
ベルに達してからバックライトが点灯している。一方、
ｍ番目の走査線に対応する画素の表示は最高階調レベル
（２５５階調レベル）から最低階調レベル（０階調レベ
ル）に変化している。アシストパルスが印加されてか
ら、選択パルスが印加されるまでの期間は、番目及び
番目のフレームと同様で、画素の輝度Ｂ（ｍ）は、ア
シストパルスが印加された後、選択パルスが印加される
までに十分な時間があるため、その輝度は０階調レベル
に達する。その後、選択パルスによって、所定の表示
（画像Ｂを表示するための）である０階調レベルに対応
した電圧が画素電極に印加されるが、その輝度Ｂ（ｍ）
はすでに０階調レベルに達している。したがって、バッ
クライトが点灯する際にはすべての画素が所定の（画像
Ｂを表示するための）輝度に達しており、所定の表示が
可能である。
る。比較例２の場合と同様に、番目のフレームから
番目のフレームにおいて、１番目及び２番目の走査線に
対応する画素の表示は最高階調レベル（２５５階調レベ
ル）から中間階調レベルに変化している。これらの画素
の輝度Ｂ（１）及びＢ（２）は、電圧が書き込まれてか
ら、バックライトが点灯するまでの間に十分な時間があ
るので、所望の（画像Ｂを表示するための）中間階調レ
ベルに達してからバックライトが点灯している。一方、
ｍ番目の走査線に対応する画素の表示は最高階調レベル
（２５５階調レベル）から最低階調レベル（０階調レベ
ル）に変化している。アシストパルスが印加されてか
ら、選択パルスが印加されるまでの期間は、番目及び
番目のフレームと同様で、画素の輝度Ｂ（ｍ）は、ア
シストパルスが印加された後、選択パルスが印加される
までに十分な時間があるため、その輝度は０階調レベル
に達する。その後、選択パルスによって、所定の表示
（画像Ｂを表示するための）である０階調レベルに対応
した電圧が画素電極に印加されるが、その輝度Ｂ（ｍ）
はすでに０階調レベルに達している。したがって、バッ
クライトが点灯する際にはすべての画素が所定の（画像
Ｂを表示するための）輝度に達しており、所定の表示が
可能である。
【０１２４】以上のように、実施形態２０を用いれば、
選択パルスから点灯までの期間の短い、ｍ番目に近い最
後の方の走査線に対応した画素では、その応答がかなら
ず０階調レベルからの速い応答となるため、比較例２の
ように、最後の方の走査線に対応した画素の表示が不良
となることは無く、良好な表示が可能である。以上のよ
うに、選択パルスを順次印加して、すべての画素電極に
所定の電圧を書き込んだあとに、バックライトを点灯さ
せることによって、動画を鮮明に表示する駆動方法にお
いて、選択パルスを順次印加する前に、すべての画素に
０階調レベルに対応した電圧を印加することにより、良
好な動画表示を実現することが可能である。
選択パルスから点灯までの期間の短い、ｍ番目に近い最
後の方の走査線に対応した画素では、その応答がかなら
ず０階調レベルからの速い応答となるため、比較例２の
ように、最後の方の走査線に対応した画素の表示が不良
となることは無く、良好な表示が可能である。以上のよ
うに、選択パルスを順次印加して、すべての画素電極に
所定の電圧を書き込んだあとに、バックライトを点灯さ
せることによって、動画を鮮明に表示する駆動方法にお
いて、選択パルスを順次印加する前に、すべての画素に
０階調レベルに対応した電圧を印加することにより、良
好な動画表示を実現することが可能である。
【０１２５】尚、本実施形態ではアシストパルスによっ
て０階調レベルに対応した電圧をすべての画素電極に印
加し、保持したが、液晶表示方式によっては必ずしも０
階調レベルに対応した電圧を印加する必要はない。図４
６はＴＮ液晶の応答特性を示す図であるが、この場合に
はその階調からの各階調レベルへの応答時間の最大値が
最も小さい６３階調レベルに対応した電圧を印加するべ
きである。以上のように、液晶素子の特性に応じて、そ
の状態からの各階調レベルへの応答時間の最大値がもっ
とも小さくなる状態になるような電圧をアシストパルス
の期間に画素に印加するべきである。
て０階調レベルに対応した電圧をすべての画素電極に印
加し、保持したが、液晶表示方式によっては必ずしも０
階調レベルに対応した電圧を印加する必要はない。図４
６はＴＮ液晶の応答特性を示す図であるが、この場合に
はその階調からの各階調レベルへの応答時間の最大値が
最も小さい６３階調レベルに対応した電圧を印加するべ
きである。以上のように、液晶素子の特性に応じて、そ
の状態からの各階調レベルへの応答時間の最大値がもっ
とも小さくなる状態になるような電圧をアシストパルス
の期間に画素に印加するべきである。
【０１２６】また、ＩＰＳ表示モードにおいても、アシ
ストパルスによって必ずしも０階調レベルに対応した電
圧をすべての画素電極に印加する必要はない。走査線に
順次パルス電圧を印加する前に、予め画素電極の全てに
同一の電圧を印加することにより、各画素電極周辺の液
晶を各階調への応答時間の最大値が前記一定期間よりも
短い状態になるような状態にしておけば良い。例えば、
一定期間が５ｍｓであればその状態は０に近い階調であ
れば良く、一定期間が６ｍｓであれば、その状態は階調
０〜６３であれば良い。
ストパルスによって必ずしも０階調レベルに対応した電
圧をすべての画素電極に印加する必要はない。走査線に
順次パルス電圧を印加する前に、予め画素電極の全てに
同一の電圧を印加することにより、各画素電極周辺の液
晶を各階調への応答時間の最大値が前記一定期間よりも
短い状態になるような状態にしておけば良い。例えば、
一定期間が５ｍｓであればその状態は０に近い階調であ
れば良く、一定期間が６ｍｓであれば、その状態は階調
０〜６３であれば良い。
【０１２７】また、このようなアシストパルスは、一定
の階調に統一するのであれば、前記画素電極の全てに同
一の電圧を印加すれば良い。また、画素電極の電位と前
記共通電極の電位とを等しくすることにより同一の電圧
を印加しても良い。このようなアシストパルスの印加
は、図２のような回路構成を用いて、初めの選択パルス
の代わりにアシストパルスを用いて、画素電極に共通電
極と同じ電位を供給し、次の選択パルスによって、画像
を表示するための電位を前記画素電極に供給することに
より実現しても良く、図４０のような回路構成を用い
て、共通電極配線３６”を介して共通電極３６に印加す
る選択パルスの代わりにアシストパルスを用いて、画素
電極に共通電極と同じ電位を供給し、続いて、同じ周期
期間中の、選択パルス１０２によって、画像を表示する
ための電位を画素電極に供給することにより実現しても
良い。それ以外にも、図２のような回路構成を用いて、
信号線電位を０階調レベルにして全ての走査線を一括選
択することによりアシストパルスを印加する等、走査線
に順次選択パルスを印加する前に、予め画素電極の全て
にアシストパルスを用いて所定の（０階調の付近にす
る）電位を供給できる回路構成であれば良い。
の階調に統一するのであれば、前記画素電極の全てに同
一の電圧を印加すれば良い。また、画素電極の電位と前
記共通電極の電位とを等しくすることにより同一の電圧
を印加しても良い。このようなアシストパルスの印加
は、図２のような回路構成を用いて、初めの選択パルス
の代わりにアシストパルスを用いて、画素電極に共通電
極と同じ電位を供給し、次の選択パルスによって、画像
を表示するための電位を前記画素電極に供給することに
より実現しても良く、図４０のような回路構成を用い
て、共通電極配線３６”を介して共通電極３６に印加す
る選択パルスの代わりにアシストパルスを用いて、画素
電極に共通電極と同じ電位を供給し、続いて、同じ周期
期間中の、選択パルス１０２によって、画像を表示する
ための電位を画素電極に供給することにより実現しても
良い。それ以外にも、図２のような回路構成を用いて、
信号線電位を０階調レベルにして全ての走査線を一括選
択することによりアシストパルスを印加する等、走査線
に順次選択パルスを印加する前に、予め画素電極の全て
にアシストパルスを用いて所定の（０階調の付近にす
る）電位を供給できる回路構成であれば良い。
【０１２８】
【発明の効果】本発明によれば、電界を印加したとき液
晶層の厚い領域部分からスイッチングが始まるため、ゼ
ロ階調から中間調までの液晶の応答時間を短縮できると
ともに、駆動電圧の変化に伴う色調の変化を抑制するこ
とができる。また、動画像の輪郭を鮮明に表示できる。
晶層の厚い領域部分からスイッチングが始まるため、ゼ
ロ階調から中間調までの液晶の応答時間を短縮できると
ともに、駆動電圧の変化に伴う色調の変化を抑制するこ
とができる。また、動画像の輪郭を鮮明に表示できる。
【図１】本発明による実施形態１の液晶表示装置におけ
る画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図である。
る画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図である。
【図２】従来および本発明の液晶表示装置の回路構成を
説明する図である。
説明する図である。
【図３】従来の液晶表示装置における画素近傍の回路配
置パタン構成を説明する図である。
置パタン構成を説明する図である。
【図４】従来の液晶表示装置における画素近傍の断面を
説明する図である。
説明する図である。
【図５】本発明による実施形態１の液晶表示装置におけ
る画素近傍の断面を説明する図である。
る画素近傍の断面を説明する図である。
【図６】液晶層が凹凸を有することによる高速化の原理
を説明する図である。
を説明する図である。
【図７】 液晶層が凹凸を有することによる高速化の効
果を説明する図である。
果を説明する図である。
【図８】本発明による実施形態２の液晶表示装置におけ
る画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図である。
る画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図である。
【図９】本発明による実施形態２の液晶表示装置におけ
る画素近傍の断面を説明する図である。
る画素近傍の断面を説明する図である。
【図１０】本発明による実施形態３の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図１１】本発明による実施形態３の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面を説明する図である。
ける画素近傍の断面を説明する図である。
【図１２】本発明による実施形態４の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図１３】本発明による実施形態４の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面を説明する図である。
ける画素近傍の断面を説明する図である。
【図１４】本発明による実施形態５ないし実施形態７の
液晶表示装置における画素近傍の回路配置パタン構成を
説明する図である。
液晶表示装置における画素近傍の回路配置パタン構成を
説明する図である。
【図１５】本発明による実施形態５の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図１６】本発明による実施形態５の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面を説明する図である。
ける画素近傍の断面を説明する図である。
【図１７】本発明による実施形態６の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図１８】本発明による実施形態６の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面（図１７のＡ−Ａ’断面）を説明す
る図である。
ける画素近傍の断面（図１７のＡ−Ａ’断面）を説明す
る図である。
【図１９】本発明による実施形態６の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面（図１７のＢ−Ｂ’断面）を説明す
る図である。
ける画素近傍の断面（図１７のＢ−Ｂ’断面）を説明す
る図である。
【図２０】本発明による実施形態７の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図２１】本発明による実施形態７の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面を説明する図である。
ける画素近傍の断面を説明する図である。
【図２２】本発明による実施形態８の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図２３】本発明による実施形態８の液晶表示装置にお
ける画素近傍の断面を説明する図である。
ける画素近傍の断面を説明する図である。
【図２４】本発明による実施形態９の液晶表示装置にお
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
ける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図２５】本発明による実施形態１０の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図２６】本発明による実施形態１０の液晶表示装置に
おける画素近傍の断面を説明する図である。
おける画素近傍の断面を説明する図である。
【図２７】本発明による実施形態１１の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図２８】本発明による実施形態１１の液晶表示装置に
おける画素近傍の断面を説明する図である。
おける画素近傍の断面を説明する図である。
【図２９】本発明による実施形態１２の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図３０】本発明による実施形態１３の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図３１】本発明による実施形態１３の液晶表示装置に
おける画素近傍の断面を説明する図である。
おける画素近傍の断面を説明する図である。
【図３２】本発明による実施形態１４および実施形態１
７の液晶表示装置における画素近傍の回路配置パタン構
成を説明する図である。
７の液晶表示装置における画素近傍の回路配置パタン構
成を説明する図である。
【図３３】本発明による実施形態１４の液晶表示装置に
おける画素近傍の断面を説明する図である。
おける画素近傍の断面を説明する図である。
【図３４】本発明による実施形態１５の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図３５】本発明による実施形態１５の液晶表示装置に
おける画素近傍の断面を説明する図である。
おける画素近傍の断面を説明する図である。
【図３６】本発明による実施形態１６の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図３７】本発明による実施形態１６の液晶表示装置に
おける画素近傍の断面を説明する図である。
おける画素近傍の断面を説明する図である。
【図３８】本発明による実施形態１７の液晶表示装置に
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
おける画素近傍の回路配置パタン構成を説明する図であ
る。
【図３９】本発明による実施形態１８の液晶表示装置に
おける各配線および電極の電位の時間変化と液晶に印加
される電圧の時間変化を説明する図である。
おける各配線および電極の電位の時間変化と液晶に印加
される電圧の時間変化を説明する図である。
【図４０】本発明による実施形態１９の液晶表示装置の
構成を説明する図である。
構成を説明する図である。
【図４１】本発明による実施形態１９の液晶表示装置に
おける各配線および電極の電位の時間変化と液晶に印加
される電圧の時間変化を説明する図である。
おける各配線および電極の電位の時間変化と液晶に印加
される電圧の時間変化を説明する図である。
【図４２】本発明による比較例２の液晶表示装置におけ
る各配線の電位の時間変化と画素の透過率の時間変化を
説明する図である。
る各配線の電位の時間変化と画素の透過率の時間変化を
説明する図である。
【図４３】本発明による比較例２と実施形態２１の液晶
表示装置における液晶の応答特性を説明する図である。
表示装置における液晶の応答特性を説明する図である。
【図４４】応答時間の定義を説明する図である。
【図４５】本発明による実施形態２１の液晶表示装置に
おける各配線の電位の時間変化と画素の透過率の時間変
化を説明する図である。
おける各配線の電位の時間変化と画素の透過率の時間変
化を説明する図である。
【図４６】ＴＮ液晶素子の応答特性を説明する図であ
る。
る。
１，２・・・基板
３・・・平坦化膜
４・・・カラーフィルタ
５・・・ブラックマトリクス
６・・・偏光板
１１・・・画素
２１・・・電気力線
２２・・・表示部
３１・・・信号線
３２・・・走査線
３３・・・第１ＴＦＴ
３３’・・・第２ＴＦＴ
３４・・・液晶
３５・・・画素電極
３６・・・共通電極
３６’・・・共通電極接続部
３６”・・・共通電極配線
８１・・・絶縁膜
８２・・・保護膜
８５・・・配向膜
８６・・・第２絶縁膜
１０１，１０２，１０３・・・選択パルス
１１０・・・１周期期間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１Ａ ５Ｃ０８０
６２１Ｆ
６２４ ６２４Ｃ
６４１ ６４１Ｒ
3/34 3/34 Ｊ
3/36 3/36
(72)発明者 近藤 克己
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 山本 恒典
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 小村 真一
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
Ｆターム(参考） 2H090 JA03 JA07 JB02 JC03 LA01
LA20
2H091 FA02Y FA34Y FA41Z LA16
LA17
2H092 GA13 GA14 HA04 JA24 JB11
JB22 JB31 JB51 JB57 JB58
NA01 NA05 PA03 PA06 PA08
PA09 PA13
2H093 NA51 NA61 NC42 NC52 ND01
ND06 ND23 NE03
5C006 AC24 AC25 BA19 BB16 EA01
FA12 FA29
5C080 AA10 BB05 DD08 EE19 EE29
JJ02 JJ04 JJ05 JJ06
Claims (30)
- 【請求項１】 第１基板と、前記第１基板に対向配置さ
れた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで狭持
された液晶層と、 前記第１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１
基板上に前記走査線と交差して配置された信号線と、前
記走査線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成
される画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線
に対応した画素電極と、前記第１基板上に配置され、前
記画素電極に対応した共通電極と、前記走査線と前記信
号線との交点に対応して配置され、前記信号線と前記走
査線と前記画素電極とに電気的に接続された第１アクテ
ィブ素子と、前記第１基板上に配置された絶縁膜とを有
する液晶表示装置において、 同一の前記画素内の光の透過領域で、前記第１基板と前
記第２基板との少なくともどちらか一方に、前記液晶層
の厚みを変動させる凹凸が設けられていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、 前記凹凸は、液晶の応答速度を短縮することを目的とし
て意図的に形成されたものであることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の液晶表示装置に
おいて、 前記凹凸が絶縁膜によって形成されていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の液晶表示装置におい
て、 前記絶縁膜が、前記第１基板上に形成される第１絶縁膜
と、前記第１膜上かつ少なくとも前記共通電極または前
記画素電極上に、これらを絶縁保護するために形成され
る保護膜と、前記保護膜上に形成される第２絶縁膜とを
有し、前記凹凸は前記第２絶縁膜により形成されること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４に記載の液晶表示装置
において、 それぞれの前記画素で、光の透過領域における前記液晶
層の凹部と凸部との面積比、および前記凹凸の高さの平
均値が等しいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５に記載の液晶表示装置
において、 前記凹凸に伴う段差が、前記画素電極と前記共通電極と
の間に一つだけあることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の液晶表示装置におい
て、 前記画素電極が前記凹凸に伴う凹部あるいは凸部のどち
らか一方に重畳して配置され、前記共通電極が前記凹部
あるいは凸部のうち前記画素電極が重畳していないもう
一方の部分に重畳して配置されていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項８】 請求項１ないし７に記載の液晶表示装置
において、 前記凹凸が前記第１基板上に形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の液晶表示装置におい
て、 前記画素電極と前記共通電極とのうち少なくとも一部
が、前記凹凸を形成している前記絶縁膜よりも上に配置
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし７に記載の液晶表示装
置において、 前記凹凸が前記第２基板上に形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０に記載の液晶表示
装置において、 前記凹凸がストライプ状あるいはジグザグ状に配置さ
れ、前記凹凸の延伸方向が、前記画素電極あるいは前記
共通電極の延伸方向からずれていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１０に記載の液晶表示
装置において、 前記凹凸がストライプ状であり、前記凹凸に伴う段差の
延伸方向が、前記液晶の初期配向方向と一致しているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１３】 請求項１ないし１２に記載の液晶表示
装置において、 前記信号線と前記走査線と前記画素電極と前記共通電極
の少なくとも一つが、前記凹凸に伴う段差を乗り越えて
いないことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１４】 請求項１ないし１３に記載の液晶表示
装置において、 前記凹凸に伴う段差の少なくとも一部が、前記画素電極
あるいは前記共通電極と重畳していることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項１５】 請求項１ないし１４に記載の液晶表示
装置において、 前記信号線と前記共通電極の少なくとも一部が、前記凹
凸を形成している前記絶縁膜を介して重畳していること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の液晶表示装置にお
いて、 前記絶縁膜が、前記信号線と前記共通電極との重畳して
いる部分で、前記共通電極より小さい幅で選択的に形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１７】 請求項１５又は１６に記載の液晶表示
装置において、 前記液晶層を配向させるための配向膜が前記液晶層に接
して配置され、前記信号線と前記絶縁膜とが重畳してい
る部分で、前記絶縁膜の上に前記共通電極と前記配向膜
とが配置されており、前記信号線の一部分に前記共通電
極が重畳していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１８】 請求項１ないし１７に記載の液晶表示
装置において、 前記信号線と前記走査線上の少なくとも一部に、前記凹
凸を形成している前記絶縁膜が配置されていることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１９】 請求項４ないし１８に記載の液晶表示
装置において、 前記凹凸を形成する前記第２絶縁膜とは別に、前記保護
膜が前記第１基板上に凹凸を有して配置され、前記第２
絶縁膜の凸部と前記保護膜の凹部とが重畳していること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２０】 請求項１ないし１９に記載の液晶表示
装置において、 １画像を表示する１周期期間中に、前記画素電極の電位
と前記共通電極の電位とを等しくする手段を有すること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の液晶表示装置にお
いて、 前記１周期期間中に前記走査線が２回走査され、どちら
か一方の前記走査によって前記画素電極には前記共通電
極と同じ電位が供給され、他方の前記走査によって画像
を表示するための電位が前記画素電極に供給されること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２２】 請求項２０に記載の液晶表示装置にお
いて、 前記第１アクティブ素子が接続されている前記走査線と
異なる走査線と前記画素電極と前記共通電極とに電気的
に接続された第２アクティブ素子を有し、前記１周期期
間中に前記画素電極の電位と前記共通電極の電位とを等
しくすることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２３】 請求項２０ないし２２に記載の液晶表
示装置において、 光源を備え、前記１周期期間中に前記画素電極の電位と
前記共通電極の電位とを等しくした後に、前記走査線が
走査されて前記画素電極に画像を表示するための電位が
印加された後に、光源が点灯されることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２４】 請求項１ないし２３に記載の液晶表示
装置において、 前記液晶層と接する部分の少なくとも一部に、光反応性
の材料層が配置されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２５】 光源、及び第１基板と、前記第１基板
に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２
基板とで狭持された液晶層と、 前記第１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１
基板上に前記走査線と交差して配置された信号線と、前
記走査線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成
される画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線
に対応した画素電極と、前記第１基板上または前記第２
基板上に配置され、前記画素電極に対応した共通電極
と、前記走査線と前記信号線との交点に対応して配置さ
れ、前記信号線と前記走査線と前記画素電極とに電気的
に接続された第１アクティブ素子と、前記第１基板上に
配置された絶縁膜とを有し、 １画像を表示する１周期期間中に、前記走査線に順次パ
ルス電圧を印加して、前記画素電極の全てに画像を表示
するための電位を印加し、保持させた後、一定期間を置
いて光源が点灯される液晶表示装置において、 前記１周期期間中の最後にパルス電圧が印加される走査
線に対応する画素の液晶の前記パルス電圧が印加される
直前の状態が、その状態から各階調への応答時間の最大
値が前記一定期間よりも短い状態であるようにする状態
調整手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２６】 請求項２５に記載の液晶表示装置にお
いて、 前記状態調整手段が、前記走査線に順次前記パルス電圧
を印加する前に、前記画素電極の全てに同一の電圧を印
加する手段であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２７】 請求項２５又は２６に記載の液晶表示
装置において、 前記状態調整手段が、前記走査線に順次前記パルス電圧
を印加する前に、前記画素電極の電位と前記共通電極の
電位とを等しくする手段を有することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２８】 光源、及び第１基板と、前記第１基板
に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２
基板とで狭持された液晶層と、 前記第１基板上に配置された複数の走査線と、前記第１
基板上に前記走査線と交差して配置された信号線と、前
記走査線と前記信号線とに囲まれた領域に対応して構成
される画素と、前記第１基板上に配置され、前記信号線
に対応した画素電極と、前記第１基板上または前記第２
基板上に配置され、前記画素電極に対応した共通電極
と、前記走査線と前記信号線との交点に対応して配置さ
れ、前記信号線と前記走査線と前記画素電極とに電気的
に接続された第１アクティブ素子と、前記第１基板上に
配置された絶縁膜とを有し、 １画像を表示する１周期期間中に、前記走査線に順次パ
ルス電圧を印加して、前記画素電極の全てに画像を表示
するための電位を印加し、保持させた後、一定期間を置
いて光源が点灯される液晶表示装置の駆動方法におい
て、 前記１周期期間中の最後にパルス電圧が印加される走査
線に対応する画素の液晶の状態を、その状態から各階調
への応答時間の最大値が前記一定期間よりも短い状態で
あるように状態調整をした後に、前記走査線に順次パル
ス電圧を印加することを特徴とする液晶表示装置の駆動
方法。 - 【請求項２９】 請求項２８に記載の液晶表示装置の駆
動方法において、 前記状態調整を、前記走査線に順次前記パルス電圧を印
加する前に、前記画素電極の全てに同一の電圧を印加し
て行うことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項３０】 請求項２８又は２９に記載の液晶表示
装置の駆動方法において、 前記状態調整を、前記走査線に順次前記パルス電圧を印
加する前に、前記画素電極の電位と前記共通電極の電位
とを等しくすることにより行うことを特徴とする液晶表
示装置の駆動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001261744A JP3847590B2 (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 液晶表示装置 |
| TW091109460A TW594147B (en) | 2001-08-30 | 2002-05-07 | Liquid crystal display device |
| US10/151,170 US6967637B2 (en) | 2001-08-30 | 2002-05-21 | Liquid crystal display apparatus using IPS display mode with high response |
| CNB021216584A CN100390623C (zh) | 2001-08-30 | 2002-05-30 | 使用高响应ips显示方式的液晶显示器 |
| KR1020020051514A KR100846276B1 (ko) | 2001-08-30 | 2002-08-29 | 액정 표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001261744A JP3847590B2 (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005358174A Division JP2006139295A (ja) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003075850A true JP2003075850A (ja) | 2003-03-12 |
| JP3847590B2 JP3847590B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=19088742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001261744A Expired - Fee Related JP3847590B2 (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6967637B2 (ja) |
| JP (1) | JP3847590B2 (ja) |
| KR (1) | KR100846276B1 (ja) |
| CN (1) | CN100390623C (ja) |
| TW (1) | TW594147B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006235562A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Samsung Sdi Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008203594A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Seiko Epson Corp | 液晶装置およびその製造方法 |
| US7460192B2 (en) | 2003-11-18 | 2008-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display, thin film diode panel, and manufacturing method of the same |
| WO2011001566A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子及び液晶表示装置 |
| JP2014044434A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-03-13 | Nlt Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US8797252B2 (en) | 2004-03-25 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display apparatus and method for generating a driver signal based on resistance ratios |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385579B2 (en) * | 2000-09-29 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
| US6987549B2 (en) * | 2002-08-26 | 2006-01-17 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc | Fast response in-plane-switching pi-cell liquid crystal displays |
| KR100951348B1 (ko) | 2003-04-04 | 2010-04-08 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판 |
| JP2004325953A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4136872B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2008-08-20 | 日東電工株式会社 | 光学フィルムおよび画像表示装置 |
| JP4136871B2 (ja) | 2003-09-25 | 2008-08-20 | 日東電工株式会社 | 光学フィルムおよび画像表示装置 |
| KR100560403B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100685927B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US7538844B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-05-26 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Multi-domain in-plane switching liquid crystal displays with interleaved common and pixel chevron-shaped electrodes in both horizontal and vertical directions to divide electrode structure into two regions |
| KR101137866B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-04-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 |
| KR101171180B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2012-08-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR101186249B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2012-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식의 액정 표시 장치 |
| KR101331898B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2013-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평전계방식 액정표시장치 |
| TW200809353A (en) * | 2006-07-07 | 2008-02-16 | Hitachi Displays Ltd | Optically isotropic liquid crystal materials and display apparatus using the same |
| KR101279596B1 (ko) * | 2006-09-18 | 2013-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치 |
| JP4501987B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2010-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 膜形成方法 |
| JP5488950B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2014-05-14 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR20100005883A (ko) | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 삼성전자주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
| JP2010039136A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| CN102967971B (zh) * | 2012-11-02 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板以及显示装置 |
| TWI551926B (zh) * | 2014-01-27 | 2016-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US611627A (en) * | 1898-10-04 | Thread-winding machine | ||
| JPS5691277A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Citizen Watch Co Ltd | Liquiddcrystal display panel |
| US5347294A (en) * | 1991-04-17 | 1994-09-13 | Casio Computer Co., Ltd. | Image display apparatus |
| JPH07239480A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-09-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示基板 |
| JP3378177B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2003-02-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| KR100293431B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시소자 |
| US5990994A (en) | 1997-10-30 | 1999-11-23 | Eastman Kodak Company | First and second light sensitive conductive layers for use in image displays |
| KR100375732B1 (ko) | 1997-11-25 | 2004-10-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP3744714B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2006-02-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| TWI251697B (en) * | 1999-05-26 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display element and producing method thereof |
| JP2001174820A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| US7106350B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display method for liquid crystal display device |
-
2001
- 2001-08-30 JP JP2001261744A patent/JP3847590B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-07 TW TW091109460A patent/TW594147B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-21 US US10/151,170 patent/US6967637B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-30 CN CNB021216584A patent/CN100390623C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-29 KR KR1020020051514A patent/KR100846276B1/ko active IP Right Grant
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7460192B2 (en) | 2003-11-18 | 2008-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display, thin film diode panel, and manufacturing method of the same |
| US8797252B2 (en) | 2004-03-25 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display apparatus and method for generating a driver signal based on resistance ratios |
| JP2006235562A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Samsung Sdi Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2008203594A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Seiko Epson Corp | 液晶装置およびその製造方法 |
| WO2011001566A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子及び液晶表示装置 |
| JP2014044434A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-03-13 | Nlt Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6967637B2 (en) | 2005-11-22 |
| US20030043098A1 (en) | 2003-03-06 |
| KR100846276B1 (ko) | 2008-07-16 |
| KR20030023481A (ko) | 2003-03-19 |
| CN100390623C (zh) | 2008-05-28 |
| TW594147B (en) | 2004-06-21 |
| JP3847590B2 (ja) | 2006-11-22 |
| CN1403855A (zh) | 2003-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003075850A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US8319926B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP4698031B2 (ja) | マルチドメイン液晶表示素子 | |
| KR100842503B1 (ko) | 액정 표시 패널, 액정 표시 장치 및 액정 텔레비전 | |
| JP4051001B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5095941B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4344062B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06160878A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR101157975B1 (ko) | 액정표시소자의 구동방법 | |
| JP2009145424A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7714967B2 (en) | Multi-domain liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| CN108845463B (zh) | 显示面板及其显示方法 | |
| JP2006139295A (ja) | 液晶表示装置 | |
| WO2012093621A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20080067729A (ko) | 시야각 조절이 가능한 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 | |
| JP4566579B2 (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 | |
| JP2004118048A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20020017436A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2002318389A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH0980383A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100880218B1 (ko) | 액정표시소자 | |
| KR101023362B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH08234208A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2006153904A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20020088731A (ko) | 멀티도메인 액정표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051011 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051212 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060710 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060801 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060823 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |