TW594147B - Liquid crystal display device - Google Patents

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【發明之詳細說明】 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有新穎的組成之液晶顯示裝置。 【習知技術】 習知的液晶顯示裝置，係以扭轉向列（TN)顯示方式為代 表’係一種採用與基板面相對施加約垂直的電場之顯示方 式。然而’再TN顯示方式中，有視角特性不足的問題。 另夕卜，在特公昭63-21907號、USP 4345249號、w〇 91/10936號以及特開平6-160878號公報中提案有面内轉換 (In_Plane Switching : IPS)顯示方式。 在該IPS顯示方式中，液晶驅動用之電極形成於挾持液晶 之一對基板中任一方之基板上，在液晶中與基板面相對施 加具有平行成分之電場。在該IPS顯示方式中，與TN顯示 方式相比可獲得較廣之視角。 然而，在IPS顯示方式中，亦具有因應視角而使色調變化 之問題。於特開平9-258269等公報中提案有解決該問題之 多重區域IPS顯示方式。使用圖2、圖3及圖4說明該多重區 域IPS顯示方式之液晶顯示裝置。 圖2係用以說明多重區域IPS顯示方式之液晶顯示裝置的 電路構成圖。該液晶顯示裝置係具有以下構件：對像素電 極3 5供給彳吕號電位之#號驅動器5 1、供給用以選擇像素之 電位的掃描驅動器52、對共通電極36供給電位之共通電極 驅動器54、以及用以控制信號驅動器5丨、掃描驅動器52及 共通電極驅動器5 4之顯示控制裝置5 3。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A7 ______ B7 五、發明説明（2 ) — 基板1上係具備有以下構件：連接於掃描驅動器52之複 數掃描線32、連接於信號驅動器51且與掃描線32垂直之信 號線3 1、與掃描線32與信號線3丨之交點附近對應而配置且 與掃描線32與信號線31電性連接之第1TFT33、電性連接於 第1TFT33且與信號線31對應之像素電極35、與像素電極35 對應之共通電極3 6、電性連接於共通電極3 6與共通電極驅 動器54之共通電極連接部36,。 對應於仏號線3 1與掃描線3 2所包圍之區域形成有像素 11 ’藉由複數的像素11形成顯示部2 2。 圖3係顯示多重區域lps顯示方式之液晶顯示裝置的像素 附近的電路配置圖案之圖。掃描線32與信號線3丨互相交叉 ’與掃描線32與信號線3 1包圍的區域對應形成有像素丨j。 第1TFT33係與掃描線32與信號線3 1之交點附近對應而配 置，電性連接於掃描線32、信號線31及像素電極35。共通 電極36係與像素電極35相對應而配置，且以共通電極“與 像素電極35與基板面相對產生具有平行成分之電場。像素 電極35與共通電極36及信號線31係在一個像素内折曲一次 以上，以形成多重區域。使電場施加時之液晶旋轉方向鄰 合之區域間成為相反方向，用以擴大視角。 圖4係圖3之A-A，剖視圖。具有材質為透明玻璃的基板1 、與基板1相對向配置且材質為透明玻璃之基板2及以基板1 與基板2挾持的液晶層34。基板丨係具備有以下構件··共通 電極36、經由第i絕緣膜81配置在比共通電極％上層之信號 線3卜與共通電極36對應且與基板丨相對之面上產生具有平 -6- 本紙張尺度適财@ ®家鮮(CNS) 格(21G χ 297公董) -—---- A7 B7 五、發明説明（3 二成分之電場的像素電極35、像素電極35上所具備之保護 版82、保護膜82上所具備之定向膜85、以及在不面向基板】 之U的面上因應液晶的^向狀態改變光學特性之手段 的偏光板6。 基板2係具備有以下構件··用以遮住來自間隙部多餘的 ^之遮光膜5、顯現與遮光膜5上之R、G、B相對應顏色的 衫色濾光片4、在彩色濾光片4上使凹凸平坦化的平坦化膜3 、平坦化膜3上之定向膜85、以及在不面對基板2之液晶側 面上具備之偏光板6。 足向膜85係施加有用以使液晶定向之研磨處理。研磨方 向係與信號線之延伸方向DLa平行。折曲之像素電極一邊 與研磨方向構成的角度為15度，與IPS顯示方式對應。偏光 板6之透過軸與分別配置有偏光板的基板上之定向膜的研 磨方向相對，朝向平行或垂直方向，基板丨之偏光板與基板 2之偏光板配置成Cross Nicol狀，與正常黑模式相對應。 圖像顯示係藉由共通電極36與像素電極35對液晶34施 加與基板1面具有平行成分之電場，在與基板1在約平行之 面内使液晶34旋轉。 【發明所欲解決之課題】 近年來，對於液晶顯示裝置之期待不僅僅朝向PC(個人 電腦）監視器發展，亦向與動畫對應之液晶電視發展。液晶 電視以較適合多數人觀賞且視角廣的IPS顯示方式最佳。該 IPS顯示方式之液晶顯示裝置中，為了顯示畫質佳的動畫， 可望縮短液晶的應答時間。又，在IPS顯示方式中，期待可

:解決利用驅動電壓而產生色調變化之問題。再者，近年 來，在液晶顯示裝置中，具有動畫像的輪廓不清楚之問題。 據此，本發明之第1目的在於謀求以新穎的像素構造缩 短液晶的應答時間。 、 又，本發明之第2目的在於提供_種不隨著驅動電壓而 產生色調變化之液晶顯示裝置。 再者纟發明〈第3目的在於提供一種使動畫巷之輪廊 清楚的液晶顯示裝置。 【用以解決課題之方案】 上述目的係藉由以下所示之手段可達成。 申請專利範圍第旧之發明，係具備有以下構件：第】基 板、與上.述第1基板相對向配置的第2基板、以上述第丨基板 與上述第2基板挾持之液晶層、 配置於上述第丨基板上之複數掃描線、在上述第丨基板上 與上述掃描線交叉配置的信號線、與上述掃描線與上述信

號線包圍的區域對應而組成之像素、配置在上述第丨基板I 且與上述信號線相對應之像素電極、配置在上述第丨基板上 且與上述像素電極對應之共通電極、與上述掃描線和上述 信號線之交點對應配置JL電性連接於上述信?虎線與上述掃 描線及上述像素電極之第丨主動元件、以及配置在上述第^ 基板上之絕緣膜的液晶顯示裝置，其特徵在於， 方；相同的上述像素内之光透過區域上至少在上述第1基 板與上述第2基板上任一方設置使上述液晶層厚度變動之 凹凸。

594147 A7 B7 五、發明説明（5 ) 申請專利範圍第2項之發明，係如申請專利範圍第丨項之 液晶顯示裝置，其中上述凹凸形成的目的在於縮短上述液 晶的應答速度。亦即，除了一般液晶顯示裝置的製造步驟 之外，追加形成凹凸之步驟。 申请專利範圍第3項之發明，係如申請專利範圍第丨項或 第2項之液晶顯示裝置’其中上述凹凸係以絕緣膜形成。 ，申，專利範圍第4項之發明，係如申請專利範圍第3項之 液晶頜π裝置’其中上述絕緣膜具有形成於上述第丨基板上 之第戦膜；形成於上述第【絕緣膜上且至少在上述业通 電極或上述像素電極上用以絕緣保護上述構件之保護膜； 以及形成於上述保護膜上之第2絕緣膜，上述凹凸係以上述 第2絕緣膜形成。 申請專利範圍第5項之發明，如中請專利範圍第⑴項 中任-項之液晶顯示裝置，其中分別在上述像素上，光的 透過區域之上述液晶層的凹部與巧部之面積比以及 凸的高度平均值相等。 中料利範圍第6項之發明，如中請專利範圍第⑴項 中任項之液晶顯示裝置，並中卩、左基μ、+、 罝具中隧耆上述凹凸來的階差在 上述像素电極與上述共通電極之間僅有一個。 申凊專利範圍第7項之發 、冷n $ 乂愈明，係如申請專利範圍第6項之 液晶顯π裝置，其中上述像 ^ ^ + , 象京屯極係重®配置於隨著凹Λ 而來的上述凹部或凸部中任一 耆凸 於供重疊上述凹部或凸部中 堇且配置 t % M r in - q u像素电極一側的部分上。 甲叫寻利範圍弟8項之於M # &明，係如申請專利範圍第丨至7 -9- x 297^57 本紙张尺度通用中g國家標準(6NS) A4規格(21? 五、發明説明（6 凸形成於上述第 =:項之液晶類示裝置’其中上述凹 申請專利範圍第9項之發明，係 、治日龜-姑翠#丄 τ明寻利範圍第8項之 履…裝置，其中上述像素電極與上述共 一部份配置於形成上述凹凸之 屯”中土夕 〇义上述絕緣膜上方。 申請專利範圍第10項之發明 項中任-項之液晶顯示裝置，並中二;^利範圍第1至7 第2基板上。 -中上述凹凸係形成於上述 係如申請專利範圍第1至 其中上述凹凸配置成條紋 向從上述像素電極或上述 係如申請專利範圍第1至 其中上述凹凸為條紋狀， 方向與上述液晶之初期定 申請專利範圍第11項之發明， 1 0項中任一項之液晶顯示裝置， 狀或彎曲狀，上述凹凸的延伸方 共通電極之延伸方向偏離。 申請專利範圍第12項之發明， 10項中任一項之液晶顯示裝置， 隨著上述凹凸而來的階差之延伸 向方向一致。 申請專利範圍第13項之發明，# 係如申請專利範圍第1 $ 12項中任一項之液晶顯示裝 ^ 丹T上述#唬線、上述掃 描線、上述像素電極以及上述 呔一 + 逋私極至少一個沒有超過 隨耆凹凸而來之階差。 申請專利範圍第14項之發明，伤 Μ =丄 係如申請專利範圍第1至 13項中任一項之液晶顯示裝置， 土 ^ t 具中隧者上述凹凸而來之 鳴差至少—邵份與上述像素電極或上述共通電極重最。 申请專利範圍第15項之發明，係如中請專_圍第β 594147 五、發明説明（ 14頁中任一項之液晶顯示裝， 通電極至少-部份細由步成 ^ “線與上述共 …一 成上述凹凸之上述絕緣膜重叠。 之液晶顯示裝置，並中上，,二如申^專利範圍第15項 、 〃中上逑、吧緣膜在上述信號線與上述並 通電極重疊的部分以j #人 /、 ’刀…上述共通電極之寬度選擇性形成。 申請專利乾圍第17項之發明，在』士 i杰 發月係如申請專利範圍第15項 乂现晶顯示裝置，其中用以使上述液晶層定向之 定向膜係與上述液晶層相接而配置，在上述信號線與上述 絕緣膜重疊的部分上4上述絕緣膜上配置有上述共通電 極與上述定向膜，在上述信號線的一部分上 通電極。 八 申请專利範圍第18項之發明’如申請專利範圍第⑷了 項中任-項之液晶顯示裝置’其中上述信號線與上述掃描 線上至少一部份配置有形成上述凹凸之上述絕緣膜。 申β專利範圍第19喷之發明，係如申請專利範圍第4至 18項中任一項尤液晶顯示裝置，其中與形成上述凹凸之上 述第2絕緣膜不同’在上述第以板上上述保護膜係具有凹 凸而配置，上述第2絕緣膜之凸部與上述保護膜之凹部為重 疊。 申請專利範圍第20項之發明，係如申請專利範圍第i至 19項中任一項之液晶顯示裝置，其中在顯示1圖像之1週期 期間中，具有使上述像素電極之電位與上述共通電極之電 位相等的手段。 申請專利範圍第21項之發明，係如申請專利範圍第2〇項 -11 - 594147 五 、發明説明（ 足液晶顯示裝置，其中在上 2次掃描’藉由任一次的上述掃":：：中上述掃描線進行 述共通電極相同的電位，藉田处像素電極供給與上 示圖像之電位供給至上述^素電極次的上述掃描將用以顯 申請專利範圍第22項之發明^ 之液晶顯千举罢甘士 係如申請專利範圍第20項 夜"日_不裝置，其中具有第2主動开杜.^ , 第1主動元件之上述掃描線不同係與連接有上述 ^ ^ u , 门的知描線、上述像素電極及 乂 者’在上述1週期期間中使上述像辛電極之- 位與上述共通電極之電位相等。 l像素电極“ 申請專利範圍第23項之發明，你4 + ”項中任-項之液晶顯示裝置，：:申::專利範固第2。至 柄如# s 策罝其中具有光源，在上述1 =期Γ使上述像素電極之電位與上述共通電極之電位 以顧1金上述掃描線進行掃描且對上述像素電極施加用 以,、，、員7F圖像之電位後，點亮光源。 23ΓΓ利範圍第24項之發L係如中請專利範圍第1至 ^任4之液晶顯示裝置’其中與上述液晶層相接的 刀心至少一邵份配置有光反應性之材料層。 :請專利範圍第25項之發明’係具備有以下構件：光源 ^第1基板、與上述第丨基板相對向配置的第2基板、以上述 第1基板與上述第2基板挾持之液晶層、 配置於上述第丨基板上之複數掃描線、在上述第〖基板上 與上述掃描線交叉配置的信號線、與上述掃描線與上述信 號線包圍的區域對應而組成之像素、配置在上述第i基板上 且與上述信號線相對應之像素電極、配置在上述第丨基板上 12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公I) 裝 訂 594147 A7

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申請專利範圍第27項之發明，係如申請專利範圍第训 =26項之液晶顯示裝置，纟中上述狀態調整手段係在對 ^描線依序施加上述脈衝„之前，使上述像素電極之電 位與上述共通電極之電位相等的手段。 固定期間若為5 ms，則共通電極的電位施加與接近〇之灰 階對應的電位，固定期間若為6ms，則共通電極的電位施 加與0至63灰階對應的電位即可。 申請專利範圍第28項之發明，係一種液晶顯示裝置之驅 動方法，孩液晶顯不裝置係具備有以下構件：光源、第夏 基板、與上述第1基板相對向配置的第2基板、以上述第i 基板與上述第2基板挾持之液晶層、 配置於上述第i基板上之複數掃描線、在上述第丨基板上 與上述掃描線交叉配置的信號線、與上述掃描線與上述信 唬、、泉包圍的區域對應而組成之像素、配置在上述第1基板上 且與上述信號線相對應之像素電極、配置在上述第1基板上 或j述第2基板上且與上述像素電極對應之共通電極、與上 述掃描線和上述信號線之交點對應而配置且電性連接於上 述^唬線與上述掃描線及上述像素電極之第1主動元件、以 及配置在上述第1基板上之絕緣膜， 在顯示1圖素之1週期期間中，對上述掃描線依序施加脈 衝電壓，對上述像素電極全部施加且保持用以顯示圖像之 電位後，保留固定期間點亮光源者，其特徵在於： 使在上述1週期期間中之最後與施加脈衝電壓之掃描線 對應的像素之液晶的狀態成為從該狀態至各灰階之應答時 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準((：]^8) A4規格(21〇 χ 297公釐)

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594147 五、發明説明（η 間的最大值比上述固定期間短之狀態而進行 ，對上述掃描線依序施加脈衝電壓者。 正心4 申請專利範圍第29項之發明，係如申請專利 〇夜晶顯示裝置的驅動方法，其中在對掃描 、 脈衝電壓之前’進行對上述像素電極全部施加相同 述狀態調整。為與申請專利範圍第26項相對應之驅動方法。 或:=利範圍$3G項（發明’係如中請專利範圍第28項 或弟29員^晶顯示裝置的驅動方法，其中在對掃描線依 序施加上述脈衝電壓之前，進行使上述像素電極之電位與 t述共通電極之電位相等之上述狀態調整。為與申請專利 範圍第27項相對應之驅動方法。 此外’即使在習知的液晶顯示裝置中具有階差，因僅於 形成電極、連接孔及遮光膜等之際殘留階差，如本申請案 說明書，意不在形成用以縮短液晶之應答時間。 【發明之實施形態】 使用習知IPS顯示方式之液晶顯示裝置中，如圖4所示， 液晶層的厚度約為固定。如圖6(a)所示，使該液晶層34的 厚度變化時，發現可縮短液晶的應答時間。在此，圖6(a) 與圖4相比，在保護膜82上選擇性配置第2絕緣膜86，僅設 置凹凸之處相異。藉此而高速化原理如後所述。 IPS顯示方式之液晶定向變化的臨限值（yth) 一般以下式 [1 ]加以表示。

Vth= ( π · L/d) · [K2/ ( ε 〇 ΙΔ ε I) ]ι/2 [1] [然，L ··電極間間隙、d ··液晶層厚度、κ2 ··液晶之扭 15- 594147 A7 B7

轉彈性常數、ε。：真空電介率、“：液晶之電介 性]0 亦即，液晶層之厚度d越厚則臨限值電壓越低。可以 以下述解釋之。在IPS顯示方式中，#由施力口電場產生的電 場能源與扭轉液晶回到初期定向狀態之彈性能源之平衡進 行轉換。當液晶層的厚度d變厚時，由於固定液晶旋轉的定 向膜間距離遠，故彈性能源降低。結果，以較少的電場能 源引起液晶之扭轉，使臨限值電壓Vth降低。 因而’在液晶層厚度產生變化時’如下所述引起轉換動 作。在液晶層厚的凹部中，彈性能源降低 部中彈性能源高。因此，圖6⑻雖顯示使液晶二= 過率的時間變化，料施加電場時，從液晶層較厚的凹部 開始進行轉換動作，然後，液晶層薄的凸部進行轉換動作 。又，在低電壓時，可僅於液晶層厚的凹部附近進行轉換 動作。 如上所述，從黑灰階到中間灰階之轉換中，由於可支配 液晶層厚的凹部附近的高速轉換，故可縮短液晶的應答時 間。圖7係顯示凹凸形成之液晶應答時間縮短的狀況。橫軸 為轉換後的灰1¾，縱轴為應答時間。在此，轉換前的灰階 為零。如圖7所示，在設置凹凸的液晶顯示裝置中，從零灰 隖到中間灰階的轉換變慢。此外，在設置凹凸的液晶顯示 裝置中’從零灰階到中間灰階的轉換可高速化。 再者’根據本發明，可控制隨著驅動電壓的增減而來的 色調變化。此係根據下述之原理。 -16- 1〇><297姻 594147 A7 B7 五、發明説明（13 ) ~' IPS顯示方式之透過率T 一般係以下式[2]顯示。 T=T〇 · sin2 (2x) · sin2 (7Γ · d · Aneff/λ) [2] [然，TG :修正係數、x :液晶之實效光軸與入射光的偏 光方向構成的角度、:液晶之實效折射率多方性、入 •入射光波長]。 因而，液晶之實效定向方向與入射光之偏光方向構成的 角度X為7Γ/4弧度（45度）時，實效的延遲（retardati〇n)deff .

Aneff之2倍波長λ的光顯示最大透過率。亦即，當實效的延 遲deff· Aneff產生變化時，由於使透過率成為最大之波長 變化，因此色調產生變化。 在此，根據本發明，當施加電場時，液晶層之厚度（deff) 厚的區域，亦即實效的延遲deff · Aneff從大的區域開始轉 換。亦即，即使驅動電壓低時，deff · △以汀亦變大，透過 率成為最大的波長變長，黃色變為明顯。因此，可修正圖2 ^圖4所示之液晶層上厚度沒有變化之習知液晶顯示裝置 中因驅動電壓之增大而產生色調從藍色變為黃色之問題。 本發明係依據所謂當具有部分彈性能源低的區域時，從 該區域開始轉換之原理。因此，為了應用本發明，以在光 透過區域使液晶層厚度變動為佳，凹凸的形狀並無限定。 凹2狀可以是尖形或圓形。又，凹部或凸部的面積比亦無 疋二：而，^凹凸形狀或凹狀與凸邵的面積比可變更時 二將使用以抑制高速化效果的大小或可高速化的灰階及隨 著驅動電壓的增減之色調變化的效果大小變化。然而，當 效果大時，液晶層的厚度以某程度以上為佳。 -17-

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本實施型態!之液晶顯示裝置’如圖2所示係具備有：在 像素電極35上供給信號電位之信號驅動器51、供給選擇像 素之電位的掃描驅動器52、對共通電極刊供給電位之共通 電極驅動器54、用以㈣信號驅動器51、掃描驅動器&及 繼而，依據圖示具體說明本發明之實施型態 【實施型態1】 一使用W、圖2及圖5說明本發明之實施型iu的構成。本 貫施型態係與申請專利範圍第！項至第5項以及第18項相對 應。此外，在各實施型態中，由㈣冑「相對應」者係舉 出代表例，因此不是與其他中請專利範圍不對應之意。例 如，實施形態1譯與申請專利範圍第8項相呼應。 共通電極驅動器54之顯示控制裝置53。 基板丨上係具備有以下構件：連接於掃描驅動器52之複 數掃描線32、連接於信號驅動器51且與掃描線如直之偉 號線3卜與掃描線32與信號線31之交點附近對應而配置 且電性連接掃描線32與信號線31之第1TFT33、電性連接於 第1TFT33且與信號線31對應之像素電極35、與像素電極μ 對應之共通電極36、電性連接於共通電極％與共通電極驅 動器54之共通電極連接部36,。 對應於信號線3 1與掃描線32所包圍之一個區域形成有 一個像素11，藉由複數的像素丨丨形成有顯示部22。 圖1係顯示貫施型態1像素附近的電路配置圖案之圖式 。掃描線32與信號線31互相交叉，與掃描線32與信號線^ 包圍的區域對應形成有像素n。第1TFT33係與掃描線^與

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信號線3 1之交點附近對庫 應而配置，#描線32與像素電極35 以共通電極36與像素電極35與基板面相對產 生平行成分之電場。像素電極35與共通電極％及信號線31 係在一個像素内折曲一次η μ 人以上，形成多重區域。第2絕緣膜 86係配置在像素電極35盥丑雨 通电極36之間的光透過區域， 使液晶層34的厚度變動。 圖5係圖1之A _ Α ’剖；闰 « d視圖。具有材質為透明玻璃的基板i 、與基板1相對向配置且絲哲、A、夫 材貝為透明玻璃之基板2及以基板1 與基板2挾持的液晶層34。 一基板1係具備有以下構件：共通電極36、掃描線32(未顯 不於圖5)、經由第i絕緣膜81配置在比共通電極％上層之信 號線31、與共通電極36對應且相對於基板π產纟具有平行 的成分之電場之像素電極35、像素電極35上所具備之保護 膜82、保護膜82上所具備且形成使液晶層34之厚度變動的 凹凸义第2絕緣膜86、第2絕緣膜％上之定向膜85、以及在 不面向基板1之液晶側的面上因應液晶的定向狀態改變光 學特性之手段的偏光板6。 共通電極36、像素電極35及信號線31係膜厚為〇.2 左右的導電體、可使用CrM〇4八丨或IT〇(Indium Tin 〇xide) 等。第1絕緣膜81、保護膜82之膜厚分別為〇·3 # m、〇 8 # m左右之絕緣體，可使用氮化矽等。第2絕緣膜％係膜厚 為1 //m左右之絕緣體，因凹凸所產生的階差而形成者。 亦了使用拱機物質或有機物質。此外，本發明當然不限定 於上述膜厚或材質。 -19- 本紙張尺度適用中賴家標準(CNS) A4規格(210><297公藿)

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基板2係具備有以下構件：用以遮住來自間隙部多餘的 光I遮光膜5、顯現與遮光膜5上之R、G、B相對應顏色的 办色濾光片4、在彩色濾光片4上使凹凸平坦化的平坦化膜3 、平坦化腠3上之定向膜85、以及在不面對基板2之液晶側 面上之偏光板6。 參 裝 足向膜8 5係施加有用以使液晶定向之研磨處理。研磨方 向係與信號線之延伸方向DLa平行。折曲之像素電極一邊 與研磨方向構成的角度為15度，與lps顯示方式對應。 偏光板6之透過軸係與配置有偏光板6之各基板上之定 向膜85的研磨方向相對，往平行或垂直的方向，基板〖的偏 光板與基板2的偏光板以Cross Nic〇i方式配置，與正常黑顯 示對應。此外，本發明並非限定於上述之研磨角度，當然 亦可應用於正常白模示。 訂

線 在基板1與基板2之間使間隔粒分散，確保液晶層34的厚 度。由於間隔粒存在於凸部，故以凸部上之間隔粒決定液 晶層的厚度。因此，為使各像素的液晶層厚度之平均值在 面板全體上變為均勻，期望凸部面積廣。因此，如信號線 3 1上或掃描線32之像素的顯示區域外亦配置有用以形成凹 凸之第2絕緣膜86。此外，當然亦可使用柱狀空間取代第2 絕緣膜。 間隔粒的直徑為3 # m左右，因而液晶層34的厚度為 4 // m左右，液晶層34之折射率多方性為〇」左右，藉由該 組合可調整延遲。此外，本發明當然不限定於上述延遲者。 對於背光板（未圖式）而言並無限制，亦可使用正下方型 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594147

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或側光方式之背光板。 驅動係藉由主動矩陣進行驅動。 根據本發明，由於液晶層厚度變動，故在液晶層厚的凹 邵上彈性能源低，像素電極35與共通電極％之間施加電場 時’從凹部區域開始進行轉換。因此，從零灰階到中間灰 P白的轉換可咼速化，並提供一種動畫顯示品質優良的液晶 顯示裝置。 此外，本發明不使用第2絕緣膜86形成凹凸，當然亦可 以保護膜8 2形成凹凸。 再者，不僅藉由第2絕緣膜86之有無形成凹凸，藉由在 顯示部22全面形成具有凹凸的第2絕緣膜，以光之透過區域 使液晶層34變動時當然亦可應用本發明。 〔比較例1〕 本發明之比較例1與實施型態丨相比，相異處僅未形成第 2絕緣膜86 ’液晶層34的厚度在光透過區域上大致為固定。 圖3係顯示比較例1之像素附近的電路配置圖案構成圖 。與實施型態1不同，未形成第2絕緣膜。 圖4係圖3之A-A’剖面的剖面圖。與實施型態i不同，沒 有第2絕緣膜，液晶層之厚度大致上固定。 因此，從零灰階至中間灰階的液晶應答時間與實施型態 1相比之下較慢。 [實施型態2] 實施型態2與實施型態1相比，僅第2絕緣膜86之形狀不 同。據此，使用圖8及圖9加以說明。本實施型態係與申請 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594147

發明説明 專利範圍第1項及第5項相呼應。 圖8係說明實施型態2之像素附近的電路配置圖案構成 圖。與實施型態1不同，第2絕緣膜之形狀與配置為隨機形 成。 圖9係圖8乏A-A’剖面的剖面圖。與實施型態j不同，第2 絕緣膜之形狀與配置及凹凸的高度為隨機形成。 ;二而 像素内之凹邵與凸部的面積比或凹凸之高度平 均值期望在各像素間為一致。若不一致，則將會在每一像 素上使阿速化的效果之大小產生變化，成為亮度不均等不 良狀況的主因。 根據本么明，與實施型態1相同，由於液晶層之厚度變 動，故在液晶層後之凹部中彈性能源低，當像素電極35與 共通電極36之間施加電場時，從凹部區域開始進行轉換。 因此，從零灰階到中間灰階的轉換可高速化，並提供一種 動畫顯示品質優良的液晶顯示裝置。 [實施型態3] 貫施型態3與實施型態丨相比，僅第2絕緣膜之形狀與配 置不同。據此，使用圖10及圖丨丨加以說明。本實施型態係 與申請專利範圍第6項及第7項相呼應。 圖10係說明實施型態3之像素附近的電路配置圖案構成 圖。圖11係圖1〇之A，剖面的剖面圖。 本貝施型怨與實施型態1不同，隨著因第2絕緣膜86所形 成之凹凸而來的階差，在像素電極3 5與共通電極36之間僅 有一個。又，像素電極35重疊配置於凸部，共通電極36重 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

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594147 A7 __ B7 五、發明説明（19 ) 疊於凹部。 藉此，凹凸之圖案寬度與實施型態1相比變大，第2絕緣 膜86的加供變為容易。 [實施型態4] 實施型態4與實施型態3相較，不同點是電極與第2絕緣 膜的配置。隨此，使用圖12及圖13進行說明。本實施型態 與申請專利範圍第9項相呼應。 圖12係說明貫施型態4之像素附近的電路配置圖案構成 圖。圖13係圖12之A-A’剖面的剖面圖。 實施型態4與實施型態3不同，像素電極35及信號線31配 置在比第2絕緣膜86更上層之處。此外，在實施型態3中， 如圖11可知，像素電極35與共通電極36之間產生的電場之 電力線2 1中，通過液晶層的電力線2丨大部分也通過第2絕緣 膜86。換1：之，液晶層34經由第2絕緣膜86施加電場。此外 ，在貫施型態4中，從圖13可知，由於像素電極3 5配置在比 第2絕緣膜86上層之處，故不需經由第2絕緣膜86可對液晶 層34施加電場。因此，實施型態4較實施型態3更可使驅動 電壓降低。 此外’在未形成保護膜82的情況下，整體加工保護膜82 與第2絕緣膜86時，在以相同材料一體化保護膜82與第2絕 緣膜86之情況下，由於可使液晶層34的厚度變動，故當然 可應用本發明。 [實施型態5] 貫犯型感5與實施型態4相較，不同點是第2絕緣膜的配 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 594147 A7 B7 五、發明説明（20 ) 置。隨此，使用圖14、圖15及圖16進行說明。本實施型態 與申請專利範圍第10項相呼應。 ~ 圖14係顯示實施型態5的基板丨上之像素附近的電路配 置圖案構成圖。圖15係顯示實施型態5的基板2上之像素附 近的電路配置圖案構成圖。圖16係圖14之A-A，剖面的剖面 圖。 基板1係具備有以下構件：經由共通電極36、掃描線32 (圖16未圖式）及第1絕緣膜81配置在比共通電極刊上層之 信號線3 1、像素電極35、產生與基板i面相對具有平行成分 之電場的像素電極35、像素電極35上所具備的保護膜82、 保護膜82上的定向膜85、不面向基板丨的液晶之側面上，具 有因應液晶的定向狀態改變光學特性的偏光板6。 基板2係具備有以下構件：用以遮住來自間隙部多餘的 光之遮光膜5、顯現與遮光膜5上之R、G、B相對應顏色的 彩色濾光片4、在彩色濾光片4上使凹凸平坦化的平坦化膜3 、在平坦化膜3上，形成使液晶層34的厚度變動之凹凸的第 2絕緣膜86、於第2絕緣膜86上之定向膜85、以及不面對基 板2之液晶的側面上之偏光板6。 貫施型態5與實施型態4相異，在基板2上配置有用以使 液晶層厚度變動之凹凸的第2絕緣膜86。因此，由於像素電 極35、共通電極36、信號線31或掃描線32等之配線，或者 是電極與第2絕緣膜86為分離，因此即使在第2絕緣膜％的 月吴厚變動時，像素電極35與共通電極36間之浮動電容不致 改變，難以產生顯示不均等。 -24 - 594147 A7 B7

[實施型態6] 實施型態6與實施型態5相較，不同點是第2絕緣膜的配 置與形狀。隨此，使用圖14、圖17、圖18及圖19進行說明 。本實施型態與申請專利範圍第丨丨項相呼應。 實施型態6的基板1上之像素附近的電路配置圖案構成 圖係與圖14相同。又，圖17係顯示實施型態6的基板2上之 像素附近的電路配置圖案構成圖。圖18係圖17之八_八，剖面 的剖面圖。圖19係圖14及圖17之B-B，剖面的剖面圖。 在貫施型感ό中’因第2絕緣膜8 6所形成之凹凸的延伸方 向DLb從像素電極之延伸方向dlc偏離，大致上垂直交叉。 因此’當基板1與基板2之間產生接合偏離時，第2絕緣膜86 對於遮光膜5之位置關係在每一像素上不產生變化，在像素 電極35與共通電極36之間的每一個區域上，不改變凹部與 凸邵的面積比，因此縮短液晶的應答時間之功效也不變。 [實施型態7] 實施型態7與實施型態6相較，不同點是第2絕緣膜的配 置與形狀。隨此，使用圖14、圖20及圖21進行說明。本實 施型態與申請專利範圍第12項相呼應。 貫施型態7的基板1上之像素附近的電路配置圖案構成 圖係與圖14相同。又，圖20係顯示實施型態7的基板2上之 像素附近的電路配置圖案構成圖。圖21係圖20之A-A’剖面 的剖面圖。 在實施型態7中，隨著第2絕緣膜86所形成之凹巧的階差 延伸方向DLb，與液晶初期定向方向DLe—致。因此，在足 -25- 準(CNS) A4 規格(21〇Χ297 公爱） 594147

向艇85上進订研磨處理時，於光透過區域中不會超過隨著 凹凸而來的(¾ I，可進行均勻的研磨處理，難以產生定向 不良等狀況。 [實施型態8] 貫施型態8與實施型態7相較，不同點是第2絕緣膜的配 置與形狀。隨此，使用圖22及圖23進行說明。本實施型態 與申請專利範圍第8項相呼應。 圖22係顯不貫施型態8的基板i上之像素附近的電路配 置圖案構成圖。圖23係圖22之A-A，剖面的剖面圖。 基板1係具備有以下構件··經由共通電極36、掃描線32 (圖23未圖式）及配置在共通電極36上之第旧、緣膜8卜配置 在第1絕緣膜81上之保護膜82、配置於保護膜“上，且形成 使液晶層34的厚度變動之凹凸的第2絕緣膜％、配置在第2 絕緣膜86上之信號線3丨、配置在比第2絕緣膜％上層之且共 通電極36對應，產生與基板丨面相對具有平行成分之電場的 像素電極35、配置在像素電極35上之定向膜85、不面向基 板1的液晶之側面上，具有因應液晶的定向狀態改變光學特 性的偏光板6。此外，共通電極36與掃描線32同時配置在基 板1上。 基板2係具備有以下構件：用以遮住來自間隙部多餘的 光之遮光膜5、顯現與遮光膜5上之R、G、B相對應顏色的 彩色濾光片4、在彩色濾光片4上使凹凸平坦化的平坦化膜3 、在平坦化膜3上之定向膜85、以及不面對基板2之液晶的 側面上之偏光板6。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 594147

、實施型態8與實施型態7相異，在基板1上配置有用以使 液晶層厚度變動之凹凸的第2絕緣膜86。因此，當基板丨與 基板2之間產生接合偏離時，第2絕緣膜86不會受影響，故 在全部像素上縮短液晶的應答時間之功效也不變。 又，實施型態8與實施型態4相異，隨著第2絕緣膜86所 形成之凹凸的階差延伸方向DLd，與液晶初期定向方向DLe 一致。因此，在定向膜85上進行研磨處理時，於光透過區 域中不會超過隨著凹凸而來之階差，可進行均勾的研磨處 理，不致產生定向不良等狀況。 [實施型態9] 貝訑型悲9與實施型態8相較，僅第2絕緣膜86與像素電 極3 5及共通電極之配置與形狀不同。隨此，使用圖24進行 說明。本實施型態與申請專利範圍第12項相呼應。 圖24係顯示實施型態9的基板1上之像素附近的電路配 置圖案構成圖。實施型態9係與實施型態8相異，像素電極 35及共通電極36沒有彎曲。因此，研磨方向相對於信號線 31之延伸方向傾斜15度。然而，像素電極35一邊與延伸方 向構成的角度為1 5度，與實施型態8相同。 隨著弟2絕緣膜8 6所形成之凹凸而來的延伸方向相對於 信號線31之延伸方向而言傾斜15度。然而，隨著第2絕緣膜 86所形成之凹凸的階差延伸方向DLcl，與液晶初期定向方 向DLe—致，與實施型態8相同。 因此，與實施型態8相同，在實施型態9中，於定向膜85上 進行研磨處理時，於光透過區域中不會越過隨著凹凸而來之 •27· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 594147 A7 -一 —___ B7 五、發明説明（24 ) --- 階差，可進行均勻的研磨處理，不致產生定向不良等狀況。 [實施型態10] 貫施型態10與實施型態8相較，不同點是第2絕緣膜的配 置與形狀。隨此，使用圖25及圖26進行說明。本實施型態 與申請專利範圍第13項相呼應。 S 係員示實&型悲1 〇的基板1上之像素附近的電路配 置圖案構成圖。又，圖26係圖25之乡八，剖面的剖面圖。 貫施型怨10係與實施型態8相異，像素電極3 5及共通電 極36不超過隨著第2絕緣膜86之凹凸而來的階差。例如，在 貝訑型態8之圖22所示部分的c中，像素電極35不超過第2 絕緣膜86端部。另一方面，實施型態1〇之圖25所示的部分 C中，像素電極35不超過第2絕緣膜86。亦即，在圖22中之 Α-Α’剖面上取得平行之剖面時，對於像素電極35存在於第 2絕緣膜86上（階差上部）某處與存在於保護膜82上（階差下 部）某處，在圖25中，第2絕緣膜86係避免配置像素電極35 ，即使在A-Α剖面上取得平行等剖面，像素電極3 5亦位於 保護膜82上（階差下部）。 因此，在實施型態10中，不會隨著第2絕緣膜86之凹凸 而來的階差導致像素電極35磨損之不良情況。 [實施型態11] 實施型怨11與實施型態1 〇相較，不同點是第2絕緣膜的 配置與形狀。隨此，使用圖27及圖28進行說明。本實施型 態與申請專利範圍第14項相呼應。 圖27係顯π實施型態11的基板1上之像素附近的電路配 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 594147

置圖案構成圖。又’圖28係圖27之A_A，剖面的剖面圖。 實施型態11係與實施型態10相異，隨著第2絕緣膜％之 凹凸而來的階差與像素電極35及共通電極36重疊。例如， 在實施型態10之圖25所示部分的c中，隨著第2絕緣膜“之 凹凸而來的階差不重疊在像素電極35 H面，實施型 態li之圖27所示的部分C中，p遺著第2絕緣膜86之凹凸而= 的階差重疊在像素電極3 5。 因此’在實施型態U中，即使在隨著第2絕緣，膜86之凹 凸而來的階差部分上無法充分進行研磨處理，而產生定向 不良的情況下，若像素電極35及共通電極36為不透明導電 體，由於其不良狀況可以利用像素電極35及共通電極％隱 藏，因此不致影響顯示。 ^ 又’貫施型® 11與實施型態1G相同，因為隨著第2絕緣 膜86之凹凸而來的階差不超過與像素電極35及共通電極36 重疊者。#即，在圖27中，第2絕緣膜86雖避開像素電㈣ 而配置，惟像素電極35在端部亦搭載於第2絕緣膜以上。因 此，即使A-A，剖面上取得平行之剖面，像素電極35係位於 保護膜82上（階差下部）’僅端部位於第2絕緣膜“上（階差 上部）。 因此’與實施型悲10相同’不會隨著第2絕緣膜86之凹 凸而來的階差導致像素電極35磨損之不良情況。 [實施型態12] 實施型態12與實施型態9相較，不同點是第2絕緣膜的配 置與形狀。隨此，使用圖29進行說明。本實施型態與申請 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 594147 A7 _ B7 五、發明説明（26 ) 專利範圍第13、14項相呼應。 圖2 9係_不貫施型怨12的基板1上之像素附近的電路配 置圖案構成圖。 實施型態12係與實施型態9相異，像素電極3 5及共通電 極36不超過隨著第2絕緣膜86之凹凸而來的階差。例如，在 貫施型態9之圖24所示部分的C中，像素電極35超過第2絕 緣膜86端部。另一方面，在實施型態12之圖29所示的部分 C中’像素電極3 5不超過一部份重疊於第2絕緣膜86者。亦 即，在圖29中，第2絕緣膜86雖避開像素電極35而配置，惟 像素電極3 5係以端邵搭載於第2絕緣膜8 6上。因此，即使橫 軸取得平行等之剖面，像素電極35係大致位於保護膜82上 (階差下部），僅端部位於第2絕緣膜86上（階差上部）。 因此，在實施型態12中，與實施型態1〇相同，不會隨著 第2絕緣膜86之凹凸而來的階差導致像素電極35磨損之不 良情況。 再者，隨著第2絕緣膜86之凹凸而來的階差與像素電極 35及共通電極36重疊。 因此，在實施型態12中，即使在隨著第2絕緣膜％之凹 凸而來的階差部分上無法充分進行研磨處理，而產生定向 不良的情況下，若像素電極35及共通電極36為不透明導電 骨豆，由於其不良狀況可以利用像素電極3 5及共通電極3 6障 藏，因此不致影響顯示。 " [實施型態13] 貫施型態13與實施型態11相較，不同點是電極與第2絕

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594147 A7 ___ B7 五、發明説明（27 ) 緣膜的配置。隨此，使用圖3〇及圖3丨進行說明。本實施型 悲與申清專利範圍第6、9、丨2及丨3項相呼應。 圖30係說明實施型態13之像素附近的電路配置圖案構 成圖。圖31係圖30之A-A，剖面的剖面圖。 實施型態13與實施型態u不同，隨著第2絕緣膜86所形 成之凹凸而來的階差在像素電極35及共通配線36之間僅一 處。又，像素電極35重疊配置在凸部，共通電極重疊於凹 部。 藉此’凹凸之圖案寬度與實施型態丨丨比較變大，使第2 絕緣膜8 6之加工變為容易。 此外’由於像素電極35配置在比第2絕緣膜86上層，因 此不需經由第2絕緣膜86可對液晶層施加電場，以抑制驅動 電壓之上昇。 再者，由於隨著第2絕緣膜86所形成之凹凸的階差延伸 方向DLd’與液晶初期定向方向DLe—致，因此於定向膜85 上進行研磨處理時，於光透過區域中不會越過隨著凹凸而 來之階差，可進行均勻的研磨處理，不致產生定向不良等 狀況。 又’在光透過區域中，由於像素電極35及共通電極36不 會超過隨著第2絕緣膜86之凹凸而來的階差，故不會產生因 階差磨損像素電極35等情況。亦即，在圖30中，像素電極 35及信號線31全部形成於第2絕緣膜86上，沒有階差。 [實施型態14] 實施型態14與實施型態13相較，不同點是信號線31、像 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A7 厂- ___ B7 _____ 五、發明説明（28 ) 素電極35、共通電極36以及第2絕緣膜86的形狀與配置不同 。隨此’使用圖32及圖33進行說明。本實施型態與申請專 利範圍第15項相呼應。 圖32係說明實施型態14之像素附近的電路配置圖案構 成圖。掃描線32與信號線31互相交叉，對應於掃描線32與 信號線31所包圍的區域形成像素。第1TFT33係對應於掃描 線32與信號線3 1之交點附近而配置，電性連接於掃描線32 、信號線31及像素電極35。共通電極36與像素電極35相對 配置’在共通電極36與像素電極35上相對於基板面產生具 有平行成分之電場。像素電極35、共通電極36及信號線在 一像素内彎曲一次以上，以形成多重區域。第2絕緣膜86 係配置在像素電極與共通電極之間的光透過區域，使液晶 層34的厚度變動。信號線3 1與共通電極36經由第2絕緣膜86 重叠。 圖33係圖32之A-A’剖面的剖面圖。係具有材質為透明玻 璃之基板1、與基板1相對配置且材質為透明玻璃基板之基 板2、及基板1與基板2挾持的液晶層34。 基板1係具備有以下構件：第1絕緣膜8丨、配置在第i絕 緣膜8 1上之仏號線3 1及像素電極3 5、配置在信號線3 1及像 素電極35上之保護膜82、配置於保護膜82上之第2絕緣膜86 、經由第2絕緣膜86重疊配置於信號線31之共通電極％、配 置在液晶34之界面的定向膜85、於不面向基板！之液晶的側 面上因應液晶的定向狀態改變光學特性之手段之偏光板6 。此外，共通電極36與掃描線32(圖33未圖示）同時配置在 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ' --- 594147

第1絕緣膜8 1上。 共通電極36、像素電極35及信號線31為膜厚〇·2 #爪左 右之導電體，可使用CrM〇、Α1或ΙΤ〇(錮錫氧化物）等。第i 絕緣膜81、保護膜82係膜厚分別為〇·3 vm'oj 左右 之絕緣體，可使用氮化矽等。第2絕緣膜86係膜厚為i 左右之絕緣體，亦可使用無機物質或有機物質。此外，本 發明當然不限定於上述膜厚。 基板2係具備有以下構件··用以遮住來自間隙部多餘的 光< 遮光膜5、顯現與遮光膜5上之R、G、B相對應顏色的 彩色/慮光片4、在彩色滤光片4上使凹凸平坦化的平坦化膜3 、在平坦化膜3上之定向膜85、以及不面對基板2之液晶的 側面上之偏光板6。 在走向膜8 5上施加用以使液晶定向之研磨處理。研磨方 向平行於仏號線之延伸方向。彎曲的像素電極一邊與研磨 万向構成的角度為15度，與IPS顯示方式對應。偏光板6之 透過軸相對於分別配置有偏光板的基板上之定向膜之研磨 方向，朝向平行或垂直方向，基板丨的偏光板與基板2的偏 光板配置成Cross Nicol ,與正常黑顯示對應。此外，本發 明係不限定於上述研磨角度者，當然亦可應用於正常白顯 7J\ 〇 在基板1與基板2之間使間隔粒分散，確保液晶層的厚度 。由於間隔粒存在於凸邵，故以凸部上之間隔粒決定液晶 層的厚度。因此，為使各像素的液晶層厚度之平均值在面 板全體上變為均勻，期望凸部面積廣。因此，如信號線3 i -33 - 594147 A7

上或掃描線32上之像素的顯示區域外亦配置有用以形成凹 凸之第2絕緣膜86。此外，當然亦可使用柱狀空間。 間隔粒的直徑為3 // m左右，液晶層之折射率多方性為 0·1左右，藉由該組合可調整延遲。此外，本發明當然不限 定於上述延遲者。 對於背光板（未圖式）而言並無限制，亦可使用正下方型 或側光方式之背光板。 驅動係藉由主動矩陣進行驅動。 根據實施型態14，由於液晶層厚度變動，故在液晶層厚 的凹部上彈性能源低，當像素電極35與共通電極36之間施 加電場時，從凹部區域開始進行轉換。因此，從零灰階到 中間灰階的轉換可高速化，並提供一種動畫顯示品質優良 的液晶顯示裝置。 又’當施加電場時，液晶層厚度厚（deff)的區域，亦即從 實效延遲deff· Aneff大的區域開始轉換，故即使驅動電壓 低，全部的透過率最大的波長較長，強調為黃色。藉此， 液晶層沒有厚度變化之習知液晶顯示裝置中，隨著驅動電 壓增大，可修正色調從藍色變到黃色之問題。 實施型態14與實施型態13不同，信號線31與共通電極36 係經由第2絕緣膜86重疊，在實施型態13中，配置在信號線 3 1兩側的兩個共通電極36匯集成一個。因此，不需增加光 阻劑步驟之遮罩，可提昇開口率。 又，實施型態14與實施型態13不同，由於信號線31與共 通電極36係經由第2絕緣膜86重疊，故光透過區域之凹部與 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 594147

凸部的面積比在相同狀況下比較，實施型態14與實施型態 13相比，重疊於信號線31之第2絕緣膜的面積較廣。藉此， =於夜晶層34的厚度藉由凸部上的間隔粒決定，故實施型 態14與與實施型態13相比，像素之液晶層34的厚度平均值 在面板全體上容易變得均句。 再者，與實施型態Π不同，隨著第2絕緣膜86所形成之 凹凸而來的階差在像素電極3 5及共通配線％之間僅一處。 又象素電極35重疊配置在凹部，共通電極36重疊於凸部。 藉此，凹凸的形狀變得比實施型態丨丨大，使第2絕緣膜 86的加工變為容易。 \此外，由於重疊於凸部之共通電極36配置在比第2絕緣 ^86上層，因此不需經由第2絕緣膜86可對液晶層34施加電 場，以抑制驅動電壓之上昇。 再者，由於隨著第2絕緣膜86所形成之凹凸的階差延伸 方向DLd，與液晶初期定向方向DLe一致，因此於定向膜以 上進行研磨處理時，於光透過區域中不會越過隨著凹凸而 來之階差，可進行均勻的研磨處理，不致產生定向不良等 狀況。 又，在光透過區域中，由於像素電極35及共通電極36不 會超過隨著第2絕緣膜86之凹凸而來的階差，故不會產生因 階差磨損像素電極3 5等情況。 [實施型態15] 只她型怨15與實施型態14相較，不同點是第2絕緣膜的 形狀與配置。隨此，使用圖34及圖35進行說明。本實施型 35- 本紙張尺度適用巾國國豕標準Μ規格(謂〉<挪公董）

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態與申請專利範園第16項相呼應。 圖34係說明實施型態15之像素附近的電路配置圖案構 成圖。圖34之A-A，剖面的剖面圖。 一實施型態15與實施型態14不同，在第2絕緣膜86重疊於 信號線31與共通電極36的部分上，以小於共通電極％之寬 度選擇性形成。因此，如圖3 5所示，共通電極3 6以覆蓋第2 絶緣膜86的方式形成。藉此，如電力線21所示，在信號線 3 1與像素電極35之間產生的顯示可遮斷通過不需要的雜訊 電場中，第2絕緣膜86與液晶層34凹部之雜訊電場，提昇顯 示品質。 ' [實施型態1 6] 貫施型態16與實施型態相較，不同點是共通電極36的 配置與形狀。隨此，使用圖36及圖37進行說明。本實施型 態與申請專利範圍第17項相呼應。 圖3 6係說明實施型態1 6之像素附近的電路配置圖案構 成圖。圖3 7係圖3 6之A· A’剖面的剖面圖。 實施型態16與實施型態14不同，在重疊有信號線3丨與共 通電極36的部分，於第2絕緣膜86上配置有共通電極36與定 向膜85。亦即，在實施型態14之圖33中，雖於信號線3 面（在圖36之A-A，剖面上為全面之意）重疊共通電極36，惟 在實施型態16之圖37中，於信號線31之一部份重疊有共通 電極3 6。 因此’藉由改變該重疊面積，可改變信號線3 1與共通電 極36之間產生的電容。在此，由於引起通過信號線3丨之影 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董)

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像信號的延遲，故調整該電容甚為重要。 亦即’在實施型態14中，藉由使第2絕緣膜86的厚度變 化雖可改變電容，惟在實施型態16中，不僅第2絕緣膜86 的厚度’即使改變信號線3丨與共通電極36的重疊面積亦可 改變電容。從而，有關第2絕緣膜86的厚度之自由度變廣， 俾使液晶層34之厚度的凹凸使高速化效果最適化，可決定 第2絕緣膜8 6之厚度。

裝 換言之，實施型態16係分別獨立進行液晶層34之厚度變 動的最適化與信號線3丨與共通電極36之間的電容之最適化。 [實施型態17] 實施型態17與實施型態14相較，不同點是保護膜82的形 狀。隨此，使用圖32及圖3 8進行說明。本實施型態與申請 專利範圍第19項相呼應。 圖3 2係說明實施型態丨7之像素附近的電路配置圖案構 成圖。圖38係圖32之A-A，剖面的剖面圖。

實施型態17與實施型態14相異，與形成凹凸之第2絕緣 膜86不同，且具有凹凸之絕緣膜的保護膜82配置在基板工 上，重晏形成凹凸之第2絕緣膜86與保護膜82的凹部。亦即 ，如圖38所示，實施型態17之保護膜82具有凹凸，由於保 護膜82之凹部配置有絕緣膜86，故與實施型態丨4相比，液 晶層的厚度變動變小。 亦即’在實施型態17中，第2絕緣膜86與保護膜82皆可 使液晶層34之厚度變動。因此，信號線31與共通電極刊之 間的電容可因第2絕緣膜86之厚度而改變，液晶層34之變動 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 594147 A7 ----- _ B7 五、發明説明（34 ) 可因第2絕緣膜86的厚度與保護膜82凹凸的大小的組合產 生變化。 換言之，實施型態17係可分別獨立進行液晶層34之厚度 變動的最適化與信號線3 1與共通電極3 6之間的電容之最適 化° 此外’最初以組合在本實施型態中之第2絕緣膜86與保 護膜82<剖面形狀的方式形成保護膜82之剖面形狀，亦可 獲得相同效果。 [實施型態18] 貫施型怨1 8與實施型態丨相較，僅驅動方法不同。隨此 ’使用圖39進行說明。本實施型態與中請專利範圍第2〇、 2 1項相呼應。 圖39係說明施加在本發明實施型態18之液晶顯示裝置 各配線及電極之電位時間變化與液晶上之電壓的時間變化 圖。 在貝施土態1 8中，在1週期期間丨丨〇中將兩次的選擇脈衝 供給掃描線。藉由最初的選擇脈衝1〇1對像素電極供給與共 通私極相同的電位，施加至液晶的電壓變成零，正常黑顯 不杈式之該液晶顯示裝置係顯示黑灰階。藉由相同週期期 間110中的下一個選擇脈衝1〇2將用以顯示像素的電位供給 上述像素電極，該液晶顯示裝置從黑灰階變化至顯示圖^ 的灰階。 如此，實施型態18係在顯示丨圖像的丨週期期間中使用具 有使像素電極之電位與共通電極之電位相等的電位之手段 -38-

594147 A7 ___________B7 五、發明説明（35 ) 的驅動方法。 因此’當各像素的亮度變化至顯示圖像的灰階時，必須 從黑灰階變化至顯示圖像的灰階。 由於實施型態18為可縮短從黑灰階至中間灰階的應答 時間之構成，故藉由組成上述驅動方法與電路構成，使經 高速化之黑灰階轉換至中間灰階變得頻繁，使動畫像之顯 不品質提昇。 此外，實施型態18係將實施型態丨之主動矩陣驅動改為 上述的驅動方法者。因此，即使使用主動矩陣驅動之實施 型態2至實施型態17中，藉由上述驅動方法置換主動矩陣驅 動，當然可獲得與實施型態1 8相同的功效。 [實施型態I9] 實施型態19與實施型態18相較，僅驅動方法不同。隨此 ,使用圖40及圖41進行說明。本實施型態與申請專利範圍 第22項相呼應。此外，若使用背光板光源之構成，則實施 』邊1 8、19與申凊專利範圍第2 3項相呼應。 圖40係說明本發明實施型態19的液晶顯示裝置之構成 圖。實施型態19之液晶顯示裝置係具有對像素電極35供給 ，號電位之信號驅動器51、供給用以選擇像素之掃描驅動 器52、對共通電極36供給電位之共通電極驅動器、以及 用以控制信號驅動器51與掃描驅動器52及共通電極驅動器 54之顯示控制裝置53。 基板1上係具備有以下構件··連接於掃描驅動器52之複 數掃描線32、連接於信號線驅動器51且與掃描線32交叉之 -39-

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信號線3i、因應掃描線32與信號線只的交點附近而配置並 且與掃描線32及信號線31電性連接之第1TFT33、電性連接 於第1TFT33且與信號線31對應之像素電㈣、與像素電極 35對應之共通電極36、電性連接於與連接有第itft之掃描 線32不同的掃描線、像素電極35與共通電極刊之第 2TFT33’、以及電性連接於共通電極％與共通電極驅動器 54之共通電極配線36，，。 圖41係說明施加在本發明實施型態”之液晶顯示裝置 各配線及電極之電位時間變化與液晶上之電壓的時間變化 圖。貫施型態19之驅動如圖41所示，、經由共通電極配線^ ” 對共通電極36供給負的選擇脈衝1〇3時，由於與選擇連接有 圖40之第2TFT33的掃描線32時等效，因此第2TFT33,成為 導=，像素電極35之電位與共通電極36之電位變成相等， 正系黑顯tf杈式之該液晶顯示裝置係顯示黑灰階。此時， 由於掃描線32從第1號依序選擇至第_，因此在共通電極 酉、、泉36驅動時，僅連接於選擇中的掃描線之第，導 通’像素電極35的電位與共通電極36的電位變為相等。繼 而，藉由相同週期期間11〇中的選擇脈衝1〇2，將用以顯示 圖像之電位供給至上述像素電極，該液晶顯示裝置從黑灰 階變化至顯示圖像的灰階。此時，由於選擇下一條掃描線 32 ^因此僅成為與共通電極相同電位的該像素電極w所連接 〈第1TFT33導通，將用以顯示圖像之電位供給該像素電極 1如此，隨著掃描線從第1號往第m號依序選擇，連接於掃 描線的像素電極易可以依序選擇，—旦與共通電極的電位變 594147 五、發明説明（37 為相等之供給用以顯示圖像之灰階。 有：二=型係在顯示1圖像的1週期期間中使用具 =極如與共通電極之電位相等的電位之手段 因此’當各像素的亮度變化至用以顯示圖像的灰階時， 必須從黑灰@變化至顯#圖像的灰階。 由於實施型態19為可縮短從黑灰階至中間灰階的應定 時間之構成’故藉由組成上述驅動方法與電路構成，使經 局速化之黑灰階轉換至中間灰階變得頻繁，使動畫像之顯 不品質提昇。 又，貫施型態19與實施型態18不同，由於像素電極之電 位與共通電極之電位相等的手段相對於信號線3丨為獨立， 故使供給用以顯示圖像之電位與像素電極之電位相等一事 可以不同的像素在同時刻進行，可使用以顯示黑灰階的時 間與圖像之時間的比例任意變更。 此外，實施型態19係將實施型態1之主動矩陣驅動改為 上述的驅動方法者。因此，即使使用主動矩陣驅動之實施 型態2至實施型態17中，藉由上述驅動方法置換主動矩陣驅 動’ ‘然可獲得與實施型態19相同的功效。 [實施型態20] 實施型態2〇與實施型態1不同，不同點在於取代研磨處 理在與液晶層相接的部分配置光反應性之材料層，且應用 光定向。本實施型態與申請專利範圍第24項相呼應。亦即 ，使用適合光定向的材料作為定向膜85，約直線照射經偏 41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 594147

光之光’以決定液晶層34之初期定向方向。因&，在隨著 凹6而來之階差部上難以引起以不良等。可使用聚桂皮 酸乙烯酯等作為反應性材料。 此外，實施型態2〇係僅變更實施型態丨之定向處理。因 此，即使在實施型態2至實施型態19中，若於定向處理應用 光定向，則當然可獲得與實施型態2〇相同的功效。 [比較例2]

裝 本發明之比較例2係與實施型態丨至“相比，僅驅動方法 不同。隨此，使用圖42進行說明。 圖42係比較例2之各配線及電位的時間變化與像素之亮 度之時間變化圖。 儿 訂

線 在比較例2中，於全部掃描線依序供給選擇脈衝，全部 的像度電極顯示之電位從信號線施加像素電極，點亮保持 =後的背光板以進行顯示。以持續點亮習知之背光板的狀 態，對像素電極施加電位的顯示方式中，雖有所謂動畫像 輪廓不清楚的問題，惟使用該比較例2之驅動方式，藉由間 歇性進行顯示，可防止該輪廓不清楚之狀況。然而，為了 在旦面全f豆上貫現均勻的顯示，在對像素電極施加電壓之 後，液晶完全應答之後必須點亮背光板，故點間變短，有 操法獲仔明党顯示的問題。 在圖42所示之例中，於第1至m條掃描線上依序施加 VG( 1)至VG(m)之電壓波形（選擇脈衝），對像素電極依序寫 入分別對應於顯示之信號電壓VD。於最後的掃描線（第瓜 條）所對應之像素電極上寫入電壓之後，保留固定時間點亮 -42-

594147 A7 _____ B7 五、發明説明（39 ) 同光板。將該時間稱為1訊框。此時為16 · 6 m s。在圖4 2中 ’像素的亮度B(l)至B(m)係顯示連接於與特定信號線對應 之1至m條掃描線的像素亮度。以斜線顯示點亮背光板之期 間。在該例中第⑦②個訊框中顯示沒有變化。第③個訊框 中自圖像A變為顯示圖像b後，編號④⑤訊框則顯示不再變 化。 從第②個訊框至第③個訊框中，對應於第1條及第2條掃 描線之像素的顯示從最高灰階位階（255灰階）變化至中間 灰階位階。上述像素的亮度B(1)及B(2)在電壓寫入之後至 背光板點亮為止之間由於時間相當充分，因此在到達所期 望 <(用以顯示圖像B之）中間灰階位階之後點亮背光板。此 外，對應於第m條掃描線之像素的顯示從最高灰階位階 (255灰階位階）變化至最低灰階位階（零灰階位階）。在對應 於最後第m條掃描線的像素中，對像素電極施加電壓之後 二由於迄點亮背光板的時間短於5 ms，故如B(m)所示，在 亮度到達零灰階位階之前點亮背光板。如此，即使在用以 Pf止動畫輪廓不清楚之本比較例2的驅動方法中，雖然在與 最接近第1條掃描線對應之像素中最有效果，惟在接近第❿ 條的最後掃描線之像素中無法獲得功效。 圖43係顯示本比較例中所使用的液晶顯示元件之亮度 應答特性圖。在256灰階的情況下，顯示從零灰階位階到： 灰階位階的應答時間、從255灰階位階到各灰階位階的應艾 時間以及從中間灰階位階到各灰階位階的應答時間。以; 後到達灰階位階為橫轴、應答時間為縱轴、始點的灰階位 •43·

594147 A7 B7 五、發明説明（4〇 ) 階做為參數。應答時間的定義顯示於圖44。縱軸係以灰階 位階表示亮度者，橫軸為時間。最高灰階位階(此時為255 灰階位階）與最低灰階位階（零灰階位階）之亮度差為1〇〇% 亮度係將相對於最後到達灰階位階料±5%為止的時間 定義為應答時間。圖44(a)係從低灰階位階（63灰階位階）到 高灰階位階（191灰階位階）的應答情況（上昇最後到達灰 階位階之191灰階的一 5%，亦即到達178 25灰階位階的時 間為應答時間。圖44(b)係從高灰階位階〇91灰階位階）到低 灰階位階（零灰階位階）的應答情況（下降）。最後到達灰階位 階之零灰階的+ 5%，亦即到達12.75灰階位階的時 答時間。 在本發明中，雖然從零灰階位階到各灰階位階之應答改 善㈣以下，惟255灰階位階之應答特性基本上因為緩和 過程而無法改善，如圖43所示成為延遲應答。尤其當255 灰階位階至零灰階位階的的應答變慢，到背光板點亮為止 的期間沒有變長時，以致引起亮度在到達零灰階位階之前 點:¾背光板的問題。 [實施型態21] 貝犯型怨2 1係用於解決比較例2的問題之 較實施型態㈣，僅驅動方法不同。 圖45係說明本實施型態之各配線及電極電位的時間變 化與像素之透過率時間變化例。 .與比較mT、同點在於，在進行依序掃插之前對全部的 知描線供給選擇脈衝’對全部的像素施加與零灰階位階對

X 297公釐） -44 594147 A7 _____ B7 五、發明説明（41 ) 應之電壓。在圖45中顯示塗黑之脈衝。之後該脈衝稱為加 速（Assistor)脈衝。 B(l)至B(m)、VG(1)至VG(m)及VD分別與圖42之情況相 同，顯示掃描線之施加電壓波形（選擇脈衝）、信號電壓線 (施加電壓波形。又，與圖42相同，第φ②個訊框中顯示 沒有變化。顯示以第③個訊框從圖像Α變化至圖像Β之後， 在④⑤之訊框中顯示不再變化。 說明第①個訊框。 與第1條掃描線對應之像素的亮度B(1),係藉由加速脈衝 朝向灰階位階0的亮度而予以應答，惟之後馬上施加選擇脈 衝，將規疋的（用以顯示圖像八之）電壓施加於像素電極，故 馬上回到原來的亮度。對應於第2條掃描線的像素之亮度 B(2)也相同。與最後的掃描線對應之像素的亮度，由 於在施加加速脈衝之後迄施加選擇脈衝為止的時間相當充 足，因此其亮度到達零灰階位階。然後，藉由施加選擇脈 衝，使亮度朝向規定之（用以顯示圖像A之）亮度應答。此時 二如圖42所示，由於從零灰階位階到各灰階位階的應答最 咼速為5 ms，故迄背光板點亮為止的期間（5 ms)中可達規 定的（用以顯示圖像A之）亮度。 如上之方法，由於在全部的像素應答結束之後點亮背光 板，因此在第⑦個訊框中可均勻顯示。在第②個訊框中也 相同。 在第③個訊框中顯示變化。 與比較例2相同，從第②個訊框至第③個訊框中，對應 -45- 本紙張尺度it财國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱丁 594147 A7 B7 五、發明説明（42 於第1條及第2條掃描線之像素的顯示從最高灰階位階（255 灰階）變化至中間灰階位階。上述像素的亮度B(1)及B(2)在 電壓寫入之後至點亮背光板為止之間由於時間相當充分， 因此在到達所期望之（用以顯示圖像B之）中間灰階位階之 後點亮背光板。此外，對應於第瓜條掃描線之像素的顯示 從最高灰階位階（255灰階位階）變化至最低灰階位階（零灰 階位階）。從施加加速脈衝迄施加選擇脈衝為止的期間與第 ⑦及第②個訊框相同，像素之亮度B㈣由於在施加選擇脈 衝之後到施加選擇脈衝為止有相當充裕的時間，故其真产 到達零灰階位階。然後，藉由施加選擇脈衝，將與規= 顯示（用以顯示圖像B之）之零灰階位階對應的電壓施加在 像素電極上，惟其亮度B(m)將到達零灰階位準。從而 =背歧之際’可使全部的像素到達規定物以顯示圖 像A之）的売度，可進行規定之顯示。 如上所述，若使用實施型態2G，從選擇脈衝到點 間短，最後與第m條接近的掃描線對應之像素中几卞、 應答必須成為零灰階位階之快速應答，故如比:由：： 後之掃描線對應的像素之顯示不會傲 入取 示。 ，卟進行良好的顯 如上所述，依序施加選擇脈衝，對全部的像素 規定的電壓之後’藉由點亮背光板，在清楚顯:、：：寫入 動方法中，在依序施加選擇脈衝之前，藉由對:動-的驅 施加與零灰階位階對應的電壓，可實現㈣像素 中猎由加速電壓對全部的像素電極 -46- 594147 A7 B7

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為灾力之/卜，使用如圖2之電路構成，藉由將信號線電位設 ，二=㉟位階概括選擇全部的掃描線，以施加加速脈衝等 先對4榣泉依序施加選擇脈衝之前，亦可使用加速脈衝預 路構=素可極全部供給規定之（設為零灰階附近）電位的電 【發明之功效】 部：據本發明，由於在施加電場時，從液晶層的厚度區域 答二開始轉換’因此可縮短從零灰階到中間灰階的液晶應 。、間，同時可抑制隨著驅動電壓之變化而來的色調變化 又，可清楚地顯示動畫像之輪廓。 【圖式之簡要說明】 圖1係用以說明本發明實施型態丨之液晶顯示裝置之像 素附近的電路配置圖案構成圖。 、圖2係用以說明習知及本發明之液晶顯示裝置的電路 成圖。 圖3係用以說明習知液晶顯示裝置之像素附近的電路配 置圖案構成圖。 — 圖4係用以說明習知液晶顯示裝置之像素附近的剖面圖。 圖5係用以說明本發明實施型態丨之液晶顯示裝置之 素附近的剖面圖。 圖6⑷及6(b)係用以說明液晶層具有凹凸之高速 理圖。 眾 圖7係用以說明液晶層具有凹凸之高速化效果的圖。 圖8係說明本發明實施型態2之液晶顯示裝置之像素附 -48- 594147 A7 B7 五、發明説明 ( 45 ) 近的 電路 配 置 圖案構成圖。 圖 9係) D以說明本發明實施型態2之 液 晶 顯 示 裝 置之 像 素附 近的 剖 面 圖。 圖 10係 說 明 本發明實施型態3之液晶 顯 示 裝 置 之像素 附 近的 電路 配 置 圖案構成圖。 圖 11係 用 以 說明本發明實施型態3之 液 晶 顯 示 裝 置之 像 素附 近的 剖 面 圖。 圖 12係 說 明 本發明實施型態4之液晶 顯 示 裝 置 之 像素 附 近的 電路 配 置 圖案構成圖。 圖 13係 用 以 說明本發明實施型態4之 液 晶 顯 示 裝 置之 像 素附 近的 剖 面 圖。 圖 14係 說 明 本發明實施型態5至實施受 !態7之 液 晶顯 示 裝置 之像素 附 近的電路配置圖案構成圖 〇 圖 15係 說 明 本發明實施型態5之液晶 顯 示 裝 置 之 像素 附 近的 電路 配 置 圖案構成圖。 圖 16係 用 以 說明本發明實施型態5之 液 晶 顯 示 裝 置之 像 素附 近的 剖 面 圖。 圖 17係 說 明 本發明實施型態6之液晶 顯 示 裝 置 之 像素 附 近的 電路 配 置 圖案構成圖。 圖 18係 用 以 說明本發明實施型態6之 液 晶 顯 示 裝 置之 像 素附 近的剖 面（圖17之A-A’剖面）圖。 圖 19係 用 以 說明本發明實施型態6之 液 晶 顯 示 裝 置之 像 素附 近的 剖 面 (圖17之B-B’剖面）圖。 圖 20係 說 明 本發明實施型態7之液晶 顯 示 裝 置 之 像素 附 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 594147 A7 B7 五、發明説明（46 ) 近的電路配置圖案構成圖。 圖21係用以說明本發明實施型態7之液晶顯示裝置之像 素附近的剖面圖。 圖22係說明本發明實施型態8之液晶顯示裝置之像素附 近的電路配置圖案構成圖。 圖23係用以說明本發明實施型態8之液晶顯示裝置之像 素附近的剖面圖。 圖24係說明本發明實施型態9之液晶顯示裝置之像素附 近的電路配置圖案構成圖。 圖25係說明本發明實施型態10之液晶顯示裝置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖26係用以說明本發明實施型態10之液晶顯示裝置之 像素附近的剖面圖。 圖27係說明本發明實施型態11之液晶顯示裝置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖28係用以說明本發明實施型態11之液晶顯示裝置之 像素附近的剖面圖。 圖29係說明本發明實施型態12之液晶顯示裝置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖30係說明本發明實施型態13之液晶顯示裝置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖31係用以說明本發明實施型態13之液晶顯示裝置之 像素附近的剖面圖。 圖32係說明本發明實施型態14及實施型態17之液晶顯 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 594147 A7 ------- B7 五、發明説明（47 ) 示裝置之像素附近的電路配置圖案構成圖。 圖33係用以說明本發明實施型態14之液晶顯示裝置之 像素附近的剖面圖。 圖34係說明本發明實施型態15之液晶顯示裝置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖35係用以說明本發明實施型態15之液晶顯示裝置之 像素附近的剖面圖。 圖36係說明本發明實施型態^之液晶顯示裝置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖37係用以說明本發明實施型態16之液晶顯示裝置之 像素附近的剖面圖。 圖38係說明本發明實施型態17之液晶顯示$置之像素 附近的電路配置圖案構成圖。 圖39係說明施加在本發明實施型態以之液晶顯示裝置 各配、泉及屯極之私位時間變化與液晶上之電壓的時間變化 圖。 圖40係說明本發明實施型態⑺的液晶顯示裝置之構成 圖。 圖4 1係說月施加在本發明實施型態η之液晶顯示裝置 各配線及電極之雷传R占pq桃Ρ > 士寺間’支化與液晶上之電壓的時間變化 圖。 圖42係說明本發明比較例一 平乂列2 <履晶顯不裝置各配線及電 位的時間變化與傻去 >、未、a t + J夂琢京又透過率時間變化圖。 圖4 3係說明比較例2血奋说剂η 干又W 貝她型態21之液晶顯示裝置的液 -51 - 594147 A7 B7 五、發明説明（48 ) 晶應答特性圖。 圖44 (a)及44 (b)係說明應答時間之定義。 圖45係說明本發明實施型態21之液晶顯示裝置各配線 的電位時間變化與像素透過率之時間變化。 圖46係說明TN液晶元件之應答特性。 【元件符號說明】 1、2…基板 3…平坦化膜 4…彩色濾光片 5…黑矩陣 6…偏光板 11…像素 21…電力線 2 2…顯示部 3 1…信號線 32…掃描線 33···第 1TFT 33’···第 2TFT 3 4…液晶 3 5…像素電極 3 6…共通電極 3 6’…共通電極連接部 3 6 ”…共通電極配線 8 1…絕緣膜 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 594147 A7 B7 五、發明説明（49 ) 82…保護膜 85…定向膜 86…第2絕緣膜 101、102、103···選擇脈衝 110··· 1週期期間 -53-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

1. 594447—————— 修正替眷座. 千 月中文_ 09460號專利申請案 ^ 睛專利範圍替換本(93年4月）戠 、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯7F裝置，該液晶顯示裝置係具備有以下構件 •第1基板、與上述第1基板相對向配置的第2基板、以 上述第1基板與上述第2基板挾持之液晶層、以及 配置於上述第1基板上之複數掃描線、在上述第丨基板 上與上述掃描線叉叉配置的信號線、與上述掃描線與上 述信號線包圍的區域對應而組成之像素、配置在上述第 1基板上且與上述信號線相對應之像素電極、配置在上 述第1基板上且與上述像素電極對應之共通電極、與上 述掃描線和上述信號線之交點對應配置且電性連接於 上述^號線與上述掃描線及上述像素電極之第1主動元 件、以及配置在上述第1基板上之絕緣膜者，其特徵在 於， 於相同的上述像素内之光透過區域上，至少在上述第 1基板與上述第2基板之任一方上，設置使上述液晶層厚 度變動之凹凸。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述凹凸 係以縮短上述液晶的應答速度為目的而形成者。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述凹凸 係以絕緣膜形成。 4. 如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中上述絕緣 膜具有形成於上述第1基板上之第1絕緣膜；形成於上述 第1絕緣膜上且至少在上述共通電極或上述像素電極上 用以絕緣保護上述構件之保護膜；以及形成於上述保護 膜上之第2絕緣膜’上述凹凸係以上述第2絕緣膜形成。 O:\77\77995-930407.DOC 5 - 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公董） / A8 B8

   :二專利軛圍第丨項之液晶顯示裝置，纟中各上述像 ::光的透過區域之上述液晶層的凹部與凸部之面積 比以及上述凹凸的高度平均值相等。 Μ 如申凊專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中伴隨著上 :凹凸的階差在上述像素電極與上述共通電極之間僅 有一個。 •如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中上述像素 2極重疊配置於隨著凹凸而來的上述凹部或凸部中任 万，上述共通電極係重疊於像素電極沒 凹部或凸部中之另一方的部分上。 …过 8. 如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，其中上述凹凸 开> 成於上述第1基板上。 9. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中上述像素 電極與上述共通電極中至少一部份配置於形成上述凹 凸之上述絕緣膜上方。 iO·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述凹凸 係形成於上述第2基板上。 11 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述凹凸 配置成條紋狀或彎曲狀，上述凹凸的延伸方向從上述像 素電極或上述共通電極之延伸方向偏離。 12·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述凹凸 為條紋狀，隨著上述凹凸而來的階差之延伸方向與上述 液晶之初期定向方向一致。 13·如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，其中上述信號 -2-

   # O:\77\77995-930407.DOC 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 594147 A8 B8 C8

   • 3 - 線、上述掃描線、上述像素電極以及上述共通電極至少 一個沒有超過隨著凹凸而來之階差。 14.如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，其中隨著上述 凹凸而來之階差至少一部份與上述像素電極^上述2 通電極重疊。 ^ 15·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述信號 線與上述共通電極至少一部份經由形成上述凹凸Ζ上 述絕緣膜重疊。 16·如申請專利範圍第15項之液晶顯示裝置，其中上述絕緣 膜在上述信號線與上述共通電極重疊的部分以小於上 述共通電極之寬度選擇性形成。 1入如申請專利範圍第15項或第16項之液晶顯示裝置，其中 用以使上述液晶層定向之定向膜係與上述液晶層相接 而配置，在上述信號線與上述絕緣膜重疊的部分上，於 上述絕緣膜上配置有上述共通電極與上述定向膜，在上 述信號線的一部分上重疊有上述共通電極。 1 8_如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，其中上述信號 線與上述掃描線上至少一部份配置有形成上述凹凸之 上述絕緣膜。 19. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置，其中與形成上 述凹凸之上述第2絕緣膜不同，在上述第丨基板上上述保 護膜係具有凹凸地配置，上述第2絕緣膜之凸部與上述 保護膜之凹部為重疊。 20. 如申凊專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在顯示1 O:\77\77995-930407.DOC 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)

   裝

   申請專利範圍 圖像週期期間中，具有使上 述共通電極之電位相Ψ的手段。象素4〈電位與上 21·如㈣之液 «期間中上述掃描線進行2次掃描，n/在;^1 述掃描對上述像辛•打徂认猎由任一次的上 位，藉由另—給與上述共通電極相同的電 /人的上述掃描將用以顯示圖像之電位供給 土上逑像素電極。 22·如_ 4·專利範圍第2G項之液晶顯示裝置，其中具有第2 王動元件，係連接於與上述第2主動元件之上述掃描線 :同々掃描線、上述像素電極及上述共通電極者，在上 述1週期期間中使上述像素電極之電位與上述共通電極 之電位相等。 23·如:請專利範圍第21或22項中任一項之液晶顯示裝置 ,其中具有光源，在上述丨週期期間中使上述像素電極 <電位與上述共通電極之電位相等之後，上述掃描線經 掃私且對上述像素電極施加用以顯示圖像之電位後，點 亮光源。 24·如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置，其中與上述液 晶層相接的部分之至少一部份配置有光反應性之材料 層。 25. —種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置係具備有以下構件 :光源、第1基板、與上述第1基板相對向配置的第2基 板、以上述第1基板與上述第2基板挾持之液晶層、以及 配置於上述第1基板上之複數掃描線、在上述第1基板 4- O:\77\77995-930407.DOC 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格(210X 297公釐） 々、申請專利範圍 上與上述掃描線交又配置的信號線、與上述掃描線盥上 述Ί線包圍的區域對應而組成之像素、配置在上述第 1基板上且與上述信號線相對應之像素電極、配置在上 述^基板上或上述第2基板上且與上述像素電極對應 U電極、與上述掃描線和上述信號線之交點對應而 配置且電性連接於上述信號線與上述掃描線及上述像 素电極之第1王動兀件、以及配置在上述第^基板上 緣膜， ” 在顯示1圖像之1週期期間中’對上述掃描線依序施加 脈衝電壓’對上述像素電極全部施加且保持用以顯示圖 像《電位後’隔以固定期間點亮光源者，其特徵在於設 置有： 狀怨，周整手段，該狀態調整手段係用以使在上述1週 期期間中《最後，與被施加上述脈衝電壓之掃描線對應 之像素的液晶之正要被上述脈衝電壓施加前的狀態，成 為從該狀態到各灰階的應答時間之最大值比上述固定 期間短的狀態者。 26·如申清專利範圍第25項之液晶顯示裝置，其中上述狀態 周正手&具有在對掃描線依序施加上述脈衝電壓之前 對上述像素電極全邵施加相同電壓之手段。 噙申μ專利範圍第25項或第26項之液晶顯示裝置，其中 j 4狀怨肩整手段具有在對掃描線依序施加上述脈衝 %壓足則，使上述像素電極之電位與上述共通電極之電 位相等的手段。 -5 297公釐） OA77\77995-930407.DOC 5 本紙張尺度適用_家鮮Α4·(21〇: 六、申請專利範圍 28·種液晶頭不裝置之驅動方法，該液晶顯示裝置係具備 有以I構件：光源、第1基板、與上述第1基板相對向配 置的第2基板、以上述第1基板與上述第2基板挾持之液 =於⑷、如㈣板 上與上述掃描線叉叉配置的信號線、與上述掃描線與上 述#號線包圍的區域對應而組成之像素、配置在上述第 1基板上且與上述信號線相對應之像素電極、配置在上 述第1基板上或上述第2基板上且與上述像素電極對應 (共通％極、與上述掃描線和上述信號線之交點對應而 配置且電性連接於上述信號線與上述掃描線及上述像 素電極之第1主動元件、以及配置在上述第丨基板上之絕 緣膜， 在顯示1圖素之1週期期間中，對上述掃描線依序施加 脈衝屯壓’對上述像素電極全部施加且保持用以顯示圖 像之電位後，保留固定期間點亮光源者，其特徵在於·· 使在上述1週期期間中之最後與施加脈衝電壓之掃描 、泉對應的像素之液晶的狀態成為從該狀態至各灰階之 f答時間的最大值比上述固定期間短之狀態而進行狀 J凋正之後，對上述掃描線依序施加脈衝電壓者。 29·如申請專利範圍第28項之液晶顯示裝置的驅動方法，其 中在對掃描線依序施加上述脈衝電壓之前，進行上述狀 態調整且對上述像素電極全部施加相同電壓。 3〇·如申請專利範圍第28項或第29項之液晶顯示裝置的驅 -6- O:\77\77995-930407.DOC 5 本紙張尺舰财® g家標準(C^I4規格(21〇X297公釐) 594147 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍 動方法，其中在對掃描線依序施加上述脈衝電壓之前， 進行上述狀態調整使上述像素電極之電位與上述共通 電極之電位相寺。 O:\77\77995-930407.DOC 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）