JP2001174818A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

Info

Publication number
JP2001174818A
JP2001174818A JP35535899A JP35535899A JP2001174818A JP 2001174818 A JP2001174818 A JP 2001174818A JP 35535899 A JP35535899 A JP 35535899A JP 35535899 A JP35535899 A JP 35535899A JP 2001174818 A JP2001174818 A JP 2001174818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
pixel
film
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35535899A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Nakayoshi
良彰 仲吉
Junichi Hirakata
純一 平方
Kikuo Ono
記久雄 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP35535899A priority Critical patent/JP2001174818A/ja
Publication of JP2001174818A publication Critical patent/JP2001174818A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】液晶パネルの繰り返し駆動による配向膜劣化に
起因するＡＣ残像の発生を防止する。 【解決手段】画素領域のほぼ全域に面形成した対向電極
ＣＴと、保護膜ＰＳＶを介して対向電極ＣＴ上に略櫛形
に形成した画素電極ＰＸを有する第１基板ＳＵＢ１の液
晶層ＬＣと接する界面に窒化シリコン（ＳｉＮ）あるい
は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの硬質膜を斜方蒸着で
形成した配向膜ＯＲＩ１を用いた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所謂横電界方式と
称される液晶表示装置に係り、特に液晶の配向制御能の
劣化に起因する残像を抑制して残像の発生を防止した液
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】パソコンのディスプレイモニターやテレ
ビ受像機の表示デバイス等、各種電子機器に液晶表示装
置が多用されている。液晶表示装置には、種々の形式が
知られているが、その中でも、横電界方式（In plane S
wicting:ＩＰＳ方式）と称する液晶表示装置は、液晶を
介して対向配置した一般に２枚の基板で構成される液晶
パネルの一方の基板の液晶と接する側の各画素領域に、
薄膜トランジスタなどのスイッチング素子で駆動される
画素電極と、この画素電極に近接した位置に対向電極
（コモン電極とも言う）とを形成し、画素電極とコモン
電極の間に当該基板面と略平行な電界（横電界）を発生
せしめて液晶の配向方向を基板面内で制御するものであ
る。
【０００３】すなわち、横電界方式の液晶表示装置は、
画素電極と対向電極の間の領域を透過する光に対して、
その透過量を前記電界が印加された液晶の配向方向によ
って制御するようになっている。なお、液晶パネルに駆
動回路、照明光源などの構成要素をモジュール化したも
のを液晶表示装置と称する。
【０００４】このような液晶表示装置は、その液晶パネ
ルの表示面に対して斜めの方向から観察しても表示に変
化のない、いわゆる広視野角特性に優れたものとして知
られている。
【０００５】そして、これまで、前記画素電極と対向電
極は光を透過させることのない導電層で形成し、両電極
の隙間を光が透過するように構成していたため、その開
口率の拡大には限界があった。
【０００６】しかし、近年、画素領域の周辺を除く領域
の全域に透明電極材からなる一方の電極を形成し、この
電極上に絶縁膜を介して透明電極からなる帯状あるいは
短冊状、若しくは櫛歯状（以下、これらを略櫛形と称す
る。特許請求の範囲に記載の「略櫛形」も同様である）
の他方の電極を形成したものが提案られている。これら
画素駆動用の電極に透明電極を用いることで、所謂開口
率を大幅に向上させて明るい画像を得ることができる。
【０００７】上記のような技術を開示したものとして
は、例えばＳＩＤ（Society for Information Display
）９９ＤＩＧＥＳＴ：Ｐ２０２〜Ｐ２０５、あるいは
特開平１１−２０２３５６号公報を挙げることができ
る。
【０００８】ところで、対角４６ｃｍ（公称１８イン
チ）や対角５１ｃｍ（公称２０インチ）、あるいはそれ
以上の、所謂大サイズの液晶表示装置では、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ等のスイッチング素子（アクテイブ素子）
への電圧印加線（ゲート線、ドレイン線）あるいは対向
電圧信号線の低抵抗化が要求されている。
【０００９】なお、画素を選択するアクテイブ素子であ
るスイッチング素子には、薄膜トランジスタ以外にも種
々の素子が知られているが、以下では薄膜トランジスタ
で代表させて説明する。特許請求の範囲に記載した「薄
膜トランジスタ」も同様である。
【００１０】このような配線の低抵抗化を満たすものと
して、当該配線の材料にアルミニウムまたはアルミニウ
ムを主体とした合金（以下、単にアルミニウムと称す
る）が適している。
【００１１】他方、画面の輝度向上のために、画素電極
やコモン電極をＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイ
ド）、ＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）ある
いはＩＧＯ（インジウム・ゲルマニウム・オキサイド）
などの透明導電膜（以下、ＩＴＯ等と称する）で構成す
ることが望ましい。
【００１２】さらに、液晶パネルを構成する２枚の基板
の液晶と接するそれぞれの界面には液晶層の初期配向を
規制するための配向膜が成膜されている。この配向膜
は、ポリイミド系などの高分子樹脂材料を塗布し、ラビ
ング処理を施して液晶配向制御能を付与している。すな
わち、この配向膜は、そのラビング方向でに電界が印加
されない非駆動状態にある時の配向（上記した初期配
向）を規制する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】一方の電極を画素領域
の略全域に面形成（すなわち、ベタ形成）し、その上に
他方の電極を略櫛形に形成した横電界方式の液晶表示装
置では、画素電極と対向電極が同一基板上に薄い絶縁膜
を介して極めて接近して形成されることになる。そのた
め、画素駆動時に両電極の間に局部的な強電場が作用す
る。
【００１４】このような強電場が繰り返し作用すること
で、液晶と配向膜の繰り返し相互作用により高分子樹脂
材料の配向膜が塑性変形を起こし、その液晶配向制御能
が低下してしまう。すなわち、配向膜に塑性変形が起こ
ると、ラビングで形成した当該配向膜表面に付与された
液晶の分子を所定方向に制御する、所謂錨止力が弱くな
る。
【００１５】液晶配向制御能が低下することで、電界を
印加しない状態での液晶層の配向方向が不安定になる。
その結果、所謂ＡＣ残像と称する表示不良を引き起こす
という問題があった。
【００１６】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
を解消することにあり、液晶パネルを繰り返し駆動して
もＡＣ残像が発生しない構造とした液晶パネルを具備し
た液晶表示装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、画素を形成するための画素電極と対向電
極の一方を面形成し、これと近接して他方を略櫛形に形
成した一方の基板（第１基板）に、ブラックマトリクス
で区画したカラーフィルタを有する他方の基板（第２基
板）の間に液晶層を封入してなる液晶パネルを用いた液
晶表示装置において、少なくとも当該第１基板の液晶層
と接する界面に窒化シリコン（ＳｉＮ）あるいは酸化シ
リコンＳｉＯ2 などの硬質膜を斜方蒸着で形成した配向
膜を用いたことを特徴とする。
【００１８】図１は斜方蒸着による配向膜の形成方法を
説明する模式図であり、配向膜を形成する基板として第
１基板を用いて説明する。図１中、ＳＵＢ１は第１基板
であり、その内面には画素電極や薄膜トランジスタ、そ
の他の配線および電極が形成されている。
【００１９】この第１基板の上記画素電極や薄膜トラン
ジスタ等を形成した内面を下向きに配置する。その下方
にはガイド部材ＧＩＤ上を矢印Ａ１−Ａ２方向に往復移
動できるように蒸着源ＳＲＣ（ここでは、窒化シリコン
ＳｉＮを用いた）を載置する。この蒸着源ＳＲＣは図１
の紙面に垂直な方向に長い形状を有している。
【００２０】蒸着源ＳＯＣの上方で第１基板ＳＵＢ１に
近接して蒸着方向規制フィンＦＩＮが配置されている。
この蒸着方向規制フィンＦＩＮは第１基板ＳＵＢ１の内
面に対して角度θ１で併置してある。
【００２１】蒸着源ＳＯＣから蒸発した窒化シリコンＳ
ｉＮは蒸着方向規制フィンＦＩＮの間を抜けて角度θ１
方向から第１基板ＳＵＢ１に達する。その結果、第１基
板ＳＵＢ１の基板法線方向に対して角度θ２で成長した
窒化シリコンＳｉＮの膜が形成される。ここで、θ１は
θ２にほぼ等しい。
【００２２】なお、上記では、蒸着源ＳＲＣを第１基板
ＳＵＢ１に対して往復移動させたが、第１基板ＳＵＢ１
側を蒸着源ＳＲＣに対して矢印Ａ１−Ａ２方向に往復移
動させてもよい。
【００２３】図２は図１の方法で形成した斜方蒸着膜の
成長方向とその形状の説明図である。上記したように、
第１基板ＳＵＢ１上での窒化シリコンＳｉＮの成長方向
は当該第１基板ＳＵＢ１の基板法線方向に対してθ２の
角度をとり、θ１とほぼ等しいが、蒸着方向規制フィン
ＦＩＮの幅Ｗ、蒸着方向規制フィンＦＩＮと第１基板Ｓ
ＵＢ１との間隔Ｌ１、蒸着方向規制フィンＦＩＮと蒸着
源ＳＯＣとの間隔Ｌ２などで決まる。また、蒸着源ＳＯ
Ｃや第１基板ＳＵＢ１の温度、蒸着プロセスの真空度な
どの条件も影響する。
【００２４】図３は斜方蒸着による配向膜形成のための
図１で説明した斜方蒸着方法における蒸着源と第１基板
の相対移動方向Ａ１−Ａ２および第１基板の平面姿勢の
説明図である。例えば、蒸着源ＳＯＣを往復移動させる
場合、第１基板ＳＵＢ１の短辺をＥ１、長辺をＥ２とし
たとき、短辺Ｅ１が上記移動方向Ａ１−Ａ２に対して角
度φとなるようにする。なお、蒸着方向規制フィンＦＩ
Ｎの長さ方向は第１基板の相対移動方向Ａ１−Ａ２と直
角な方向である。
【００２５】上記ののようにして形成した配向膜ＯＲＩ
１の角度φは従来のラビング方向角度に相当し、液晶の
初期配向方向を決定する角度となる。
【００２６】なお、第２基板に配向膜を形成する場合
は、その初期配向方向の角度は、この第１基板の配向膜
の配向方向角度φに対して約９０°となるように第２基
板の平面姿勢を設定する。
【００２７】このようにして斜方蒸着した窒化シリコン
（ＳｉＮ）あるいは酸化シリコンＳｉＯ2 などの硬質膜
は、その結晶成長方向が蒸着方向に傾斜しており、表面
部の結晶は異方性を持つ。この斜方蒸着膜の異方性は液
晶に対して初期配向を与える機能（液晶配向制御能）を
持ち、そのヤング率はポリイミド形の高分子樹脂材料に
比べて大きい。
【００２８】また、上記第２基板の液晶層との界面に形
成する配向膜として、第１基板に形成したものと同様の
斜方蒸着で形成した配向膜、または従来と同様の高分子
樹脂材料からなる配向膜、もしくは配向膜を有しない構
造の何れかとしたことを特徴とする。
【００２９】このように、少なくとも上記第１基板に形
成した斜方蒸着による硬質膜からなる配向膜は、液晶と
配向膜の繰り返し相互作用による塑性変形は発生するこ
とが殆どないため、その液晶パネルに上記従来技術のよ
うなＡＣ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安
定した高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得
ることができる。以下、本発明の代表的な構成を記述す
る。
【００３０】（１）一方向に延在し他方向に並設した多
数のドレイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並
設した多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁
層を介して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧
信号線に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲー
ト線対で囲まれる画素領域の略全域に面形成した対向電
極と、前記画素領域に前記対向電極とは絶縁層を介して
形成した略櫛形を呈する如く形成した画素電極と、前記
画素領域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加さ
れる信号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する
薄膜トランジスタを内面に有する第１基板と、前記第１
基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区画された
複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板と、前記第
１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を封入し
てなる液晶パネルと、前記液晶パネルの外周近傍に設置
して前記ドレイン線、ゲート線、および対向電圧信号線
に画像表示のための信号電圧を供給する駆動回路とを具
備した液晶表示装置であって、前記第１基板の内面と前
記液晶層との界面に斜方蒸着膜で形成した配向膜を備え
た。
【００３１】（２）一方向に延在し他方向に並設した多
数のドレイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並
設した多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁
層を介して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧
信号線に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲー
ト線対で囲まれる画素領域の略全域に面形成した対向電
極と、前記画素領域に前記対向電極とは絶縁層を介して
形成した略櫛形を呈する如く形成した画素電極と、前記
画素領域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加さ
れる信号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する
薄膜トランジスタを内面に有する第１基板と、前記第１
基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区画された
複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板と、前記第
１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を封入し
てなる液晶パネルと、前記液晶パネルの外周近傍に設置
して前記ドレイン線、ゲート線、および対向電圧信号線
に画像表示のための信号電圧を供給する駆動回路とを具
備した液晶表示装置であって、前記第１基板の内面と前
記液晶層との界面に第１配向膜を備えると共に、第２基
板の対向面の前記液晶層との界面に第２配向膜を備え、
少なくとも前記第１配向膜を斜方蒸着膜とした。
【００３２】（３）：（１）または（２）における前記
斜方蒸着膜を窒化シリコン膜とした。
【００３３】（４）：（１）または（２）における前記
斜方蒸着膜を酸化シリコン膜とした。
【００３４】（５）：（２）における前記第２配向膜を
斜方蒸着膜とした。
【００３５】（６）：（５）における前記斜方蒸着膜を
窒化シリコン膜とした。
【００３６】（７）：（５）における前記斜方蒸着膜を
酸化シリコン膜とした。
【００３７】（８）：（２）における前記第２配向膜を
ラビング処理により液晶配向制御能を付与した高分子樹
脂材料からなる膜とした。
【００３８】（９）：（８）における前記高分子膜をポ
リアミド系高分子材料とした。
【００３９】（１０）：一方向に延在し他方向に並設し
た多数のドレイン線と、前記他方向に延在し前記一方向
に並設した多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に
絶縁層を介して配列した多数の対向電圧信号線と、対向
電圧信号線に接続して隣接するドレイン線対と隣接する
ゲート線対で囲まれる画素領域の略全域に面形成した画
素電極と、前記画素領域に前記画素電極とは絶縁層を介
して形成した略櫛形を呈する如く形成した対向電極と、
前記画素領域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印
加される信号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加
する薄膜トランジスタを内面に有する第１基板と、前記
第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区画さ
れた複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板と、前
記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を封
入してなる液晶パネルと、前記液晶パネルの外周近傍に
設置して前記ドレイン線、ゲート線、および対向電圧信
号線に画像表示のための信号電圧を供給する駆動回路と
を具備した液晶表示装置であって、前記第１基板の内面
と前記液晶層との界面に斜方蒸着膜で形成した配向膜を
備えた。
【００４０】（１１）：一方向に延在し他方向に並設し
た多数のドレイン線と、前記他方向に延在し前記一方向
に並設した多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に
絶縁層を介して配列した多数の対向電圧信号線と、対向
電圧信号線に接続して隣接するドレイン線対と隣接する
ゲート線対で囲まれる画素領域の略全域に面形成した画
素電極と、前記画素領域に前記画素電極とは絶縁層を介
して形成した略櫛形を呈する如く形成した対向電極と、
前記画素領域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印
加される信号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加
する薄膜トランジスタを内面に有する第１基板と、前記
第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区画さ
れた複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板と、前
記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を封
入してなる液晶パネルと、前記液晶パネルの外周近傍に
設置して前記ドレイン線、ゲート線、および対向電圧信
号線に画像表示のための信号電圧を供給する駆動回路と
を具備した液晶表示装置であって、前記第１基板の内面
と前記液晶層との界面に第１配向膜を備えると共に、第
２基板の対向面の前記液晶層との界面に第２配向膜を備
え、少なくとも前記第１配向膜ＷＯ方蒸着膜で形成し
た。
【００４１】（１２）：（１０）または（１１）におけ
る前記斜方蒸着膜を窒化シリコン膜とした。
【００４２】（１３）：（１０）または（１１）におけ
る前記斜方蒸着膜を酸化シリコン膜とした。
【００４３】（１４）：（１１）における前記第２配向
膜を斜方蒸着膜で形成した。
【００４４】（１５）：（１４）における前記斜方蒸着
膜を窒化シリコン膜とした。
【００４５】（１６）：（１４）における前記斜方蒸着
膜を酸化シリコン膜とした。
【００４６】（１７）：（１１）における前記第２配向
膜をラビング処理により液晶配向制御能を付与した高分
子膜とした。
【００４７】（１８）：（１７）における前記高分子膜
をポリアミド系高分子材料とした。
【００４８】（１９）：一方向に延在し他方向に並設し
た多数のドレイン線と、前記他方向に延在し前記一方向
に並設した多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に
絶縁層を介して配列した多数の対向電圧信号線と、対向
電圧信号線に接続して隣接するドレイン線対と隣接する
ゲート線対で囲まれる画素領域の略全域に略櫛形を呈す
る如く形成した画素電極と、前記画素領域に前記画素電
極とは絶縁層を介して形成した略櫛形を呈する如く形成
した対向電極と、前記画素領域毎に配置して前記ドレイ
ン線とゲートに印加される信号電圧により前記画素電極
に駆動電圧を印加する薄膜トランジスタを内面に有する
第１基板と、前記第１基板の内面と対向面にブラックマ
トリクスで区画された複数色のカラーフィルタ層を有す
る第２基板と、前記第１基板の内面と第２基板の対向面
の間に液晶層を封入してなる液晶パネルと、前記液晶パ
ネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、ゲート線、
および対向電圧信号線に画像表示のための信号電圧を供
給する駆動回路とを具備した液晶表示装置であって、前
記第１基板の内面と前記液晶層との界面に斜方蒸着膜で
形成した配向膜を備えた。
【００４９】（２０）：一方向に延在し他方向に並設し
た多数のドレイン線と、前記他方向に延在し前記一方向
に並設した多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に
絶縁層を介して配列した多数の対向電圧信号線と、対向
電圧信号線に接続して隣接するドレイン線対と隣接する
ゲート線対で囲まれる画素領域の略全域に面形成した画
素電極と、前記画素領域に前記画素電極とは絶縁層を介
して形成した略櫛形を呈する如く形成した対向電極と、
前記画素領域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印
加される信号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加
する薄膜トランジスタを内面に有する第１基板と、前記
第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区画さ
れた複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板と、前
記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を封
入してなる液晶パネルと、前記液晶パネルの外周近傍に
設置して前記ドレイン線、ゲート線、および対向電圧信
号線に画像表示のための信号電圧を供給する駆動回路と
を具備した液晶表示装置であって、前記第１基板の内面
と前記液晶層との界面に第１配向膜を備えると共に、第
２基板の対向面の前記液晶層との界面に第２配向膜を備
え、少なくとも前記第１配向膜を斜方蒸着膜とした。
【００５０】（２１）：（１９）または（２０）におけ
る前記斜方蒸着膜を窒化シリコン膜とした。
【００５１】（２２）：（１９）または（２０）におけ
る前記斜方蒸着膜を酸化シリコン膜とした。
【００５２】（２３）：（２０）における前記第２配向
膜を斜方蒸着膜とした。
【００５３】（２４）：（２３）における前記斜方蒸着
膜を窒化シリコン膜とした。
【００５４】（２５）：（２３）における前記斜方蒸着
膜を酸化シリコン膜とした。
【００５５】（２６）：（２０）における前記第２配向
膜をラビング処理により液晶配向制御能を付与した高分
子膜とした。
【００５６】（２７）：（２６）における前記高分子膜
をポリアミド系高分子材料とした。
【００５７】なお、本発明は、上記の構成および後述す
る実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技
術思想を逸脱するこなく、種々の変更が可能であること
は言うまでもない。
【００５８】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例について説明をする。
【００５９】図４は本発明による液晶表示装置の第１実
施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の
要部拡大図を示す。また、図５は図４の２−２線に沿っ
て切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、図６は同
４−４線に沿って切断した薄膜トランジスタ部分の断面
図である。
【００６０】図４乃至図６において、図４のｘ方向に延
在しｙ方向に並設したゲート線ＧＬ対とｙ方向に延在し
ｘ方向に並設した隣接するドレイン線ＤＬ対とで囲まれ
た略矩形状の領域で一画素領域を構成する。また、ドレ
イン線ＤＬに平行してｙ方向に延在しｘ方向に並設した
対向電圧信号線ＣＬが形成されている。
【００６１】この画素領域には、対向電圧信号線ＣＬに
接続して当該画素領域の略全域に面形成した対向電極Ｃ
Ｔと、この対向電極ＣＴ上にゲート絶縁膜ＧＩを介して
略櫛形に形成した画素電極ＰＸを有している。対向電極
ＣＴと画素電極ＰＸは透明電極であり、ここではＩＴＯ
を用いている。対向電極ＣＴと対向電圧信号線ＣＬは、
画素領域のゲート線ＧＬに沿った部分で接続され、隣接
する対向電圧信号線ＣＬ間はドレイン線に沿った部分で
接続される。
【００６２】ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬの交差部分
には薄膜トランジスタＴＦＴが形成され、薄膜トランジ
スタＴＦＴはゲート線ＧＬ上のゲート絶縁膜ＧＩを介し
て形成したアモルファスシリコンを好適とする半導体膜
ＡＳ上にドレイン電極ＳＤ２とソース電極ＳＤ１を有
し、ゲート電極ＧＴはゲート線ＧＬに、ドレイン電極Ｓ
Ｄ２はドレイン線ＤＬに、ソース電極ＳＤ１は画素電極
ＰＸに接続されている。
【００６３】画素電極ＰＸはこれらの電極を被覆する絶
縁膜ＰＳＶの上に形成され、ソース電極ＳＤ１とは絶縁
膜ＰＳＶに開けたスルーホールを通して接続される。こ
の第１基板ＳＵＢ１の最上層すなわち液晶層との界面に
は前記した斜方蒸着で形成した窒化シリコン膜からなる
第１配向膜ＯＲＩ１が成膜されている。
【００６４】なお、第１基板ＳＵＢ１と液晶層ＬＣを介
して貼り合わせた第２基板ＳＵＢ２の内面には、遮光層
であるブラックマトリクスＢＭで区画された３色のカラ
ーフィルタＦＩＬ（Ｒ），ＦＩＬ（Ｇ），ＦＩＬ（Ｂ）
がフォトリソグラフィー技法などでパターニングされて
いる（ＦＩＬ（Ｂ）は図示せず）。
【００６５】このブラックマトリクスＢＭとカラーフィ
ルタＦＩＬ（Ｒ），ＦＩＬ（Ｇ），ＦＩＬ（Ｂ）の上層
は保護膜ＯＣで覆われ、最上層すなわち液晶層との界面
には前記した斜方蒸着で形成した第１基板ＳＵＢ１の窒
化シリコン膜と同様の配向膜、またはポリイミド膜をラ
ビングした第２配向膜ＯＲＩ２が成膜されている。
【００６６】なお、以降説明する他の実施例についても
同様であるが、横電界方式の液晶表示装置の特性から、
上記第２配向膜ＯＲＩ２の成膜は必ずしも要せず、液晶
層ＬＣの厚み（セルギャップ）次第では（ある程度薄い
場合）省略できる。この場合は、液晶パネルの上下各面
に積層する偏光板の偏光軸を適宜の角度とすればよい。
【００６７】そして、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵ
Ｂ２の各外面には、それぞれ偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２
が積層されている。
【００６８】薄膜トランジスタＴＦＴの構造は、図６に
拡大して示したように、ガラス板を好適とする第１基板
ＳＵＢ１の上に形成したゲート電極ＧＴとゲート絶縁膜
ＧＩと、このゲート絶縁膜ＧＩ上に成膜した半導体膜Ａ
Ｓ、半導体膜ＡＳとコンタクト層ｄ０を介してパターニ
ングしたソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２と
から構成される。対向電圧信号線ＣＬと対向電極ＣＴは
ゲート電極ＧＴと同層である。
【００６９】この薄膜トランジスタＴＦＴを覆って絶縁
膜ＰＳＶが形成され、絶縁膜ＰＳＶに開けたスルーホー
ル（所謂、コンタクトホール）を通して画素電極ＰＸが
接続されている。
【００７０】液晶層ＬＣとの界面には斜方蒸着で形成し
た窒化シリコン膜からなる第１配向膜ＯＲＩ１が成膜さ
れていることは前記したとおりである。
【００７１】このように、第１基板の内面と前記液晶層
との界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方
蒸着膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配
向膜の繰り返し相互作用による塑性変形は発生すること
が殆どないため、その液晶パネルに上記従来技術のよう
なＡＣ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定
した高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得る
ことができる。
【００７２】図７は本発明による液晶表示装置の第１実
施例を構成する液晶パネルの等価回路および周辺に設け
た駆動回路の説明図である。図中、液晶パネルの表示領
域ＡＲに形成された各ゲート線ＧＬには垂直走査回路Ｖ
から薄膜トランジスタＴＦＴをオンとするゲート信号が
供給される。そして、各ドレイン線ＤＬには映像信号駆
動回路Ｈから上記ゲート信号のタイミングに合わせて映
像信号が供給され、選択された薄膜トランジスタに接続
した画素電極と対向電極との間に電界を生成し、その画
素の液晶の配向を制御して画素を点灯する。
【００７３】画像表示のための映像信号データは外部本
体のＣＰＵから表示制御装置であるコントローラＣＲＬ
に供給され、液晶駆動電源回路ＰＷＵからの階調電圧と
各種駆動電圧が映像信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖに
与えられる。なお、対向電極には、液晶駆動電源回路Ｐ
ＷＵから端子Ｖｃｏｍと対向電圧信号線ＣＬを介して対
向電圧が印加される。
【００７４】図８は液晶パネルに供給される各信号のタ
イミング図である。図中、ＶＧはゲート線に供給する電
位がＶＧＬからＶＧＨに変化する走査信号、ＶＤはドレ
イン線に供給する電位がＶＤＬからＶＤＨに変化する映
像信号、ＶＣは対向電圧信号線ＣＬに供給する対向電圧
信号を示す。なお、ここでは、対向電圧信号ＶＣの電位
を一定とした一般的なライン反転駆動（ドット反転駆
動）方式における駆動信号波形である。
【００７５】図９は本発明による液晶表示装置を構成す
る液晶パネルとその周辺に駆動回路基板等を実装した状
態を説明する平面図である。液晶パネルＰＮＬの周辺に
は垂直走査回路Ｖを搭載した駆動回路基板ＰＣＢ１、映
像信号回路Ｈを搭載した駆動回路基板ＰＣＢ２、および
液晶駆動電源回路を搭載した電源回路基板（インターフ
ェース回路基板）ＰＣＢ３が実装されている。
【００７６】駆動回路基板ＰＣＢ１に搭載した駆動回路
チップの出力端子は液晶パネルＰＮＬのゲート線引出し
端子ＣＴＭに接続している。一方、駆動回路基板ＰＣＢ
２に搭載した駆動回路チップの出力端子は液晶パネルＰ
ＮＬのドレイン線引出し端子ＤＴＭに接続している。Ｔ
ＣＰは駆動回路チップを取り付けたテープキャリアパッ
ド、ＦＣは基板間を接続するフラットケーブル、ＦＧＰ
はフレームグランドパッドである。また、本体からの信
号および電圧は電源回路基板ＰＣＢ３のコネクタ接続部
分ＣＪを介して入力する。
【００７７】なお、本発明は図９に示した構造に限るも
のではなく、駆動回路チップを液晶パネルの一方の基板
に直接搭載した、所謂ＧＯＣ方式にも同様に適用できる
（図７乃至図９に示した駆動回路等を含め、以下で説明
する各実施例でも同様）。
【００７８】図１０は本発明による液晶表示装置の第２
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の
要部拡大図を示す。また、図１１は図１０の１６−１６
線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、
図１２は同１７−１７線に沿って切断した薄膜トランジ
スタ部分の断面図である。前記第１実施例と同一符号は
同一機能部分に対応する。
【００７９】第１実施例と異なる点は、以下のとおりで
ある。先ず、対向電極ＣＴがゲート絶縁膜ＧＩの上でド
レイン線ＤＬと同層に形成されている点である。このこ
とは、対向電極ＣＴがゲート線ＧＬと異なった層として
形成されていることを意味する。
【００８０】そして、対向電極ＣＴのドレイン線ＤＬと
近接する辺部に導電膜ＦＧＴが形成されており、対向電
極ＣＴとは電気的に接続されていない。この導電膜ＦＧ
Ｔは、第１実施例にように、対向電圧信号線ＣＬの一部
として機能することはなく、専らドレイン線ＤＬと対向
電極ＣＴとの間にノイズとして発生する電界による液晶
の光漏れを遮光する部材として機能する。
【００８１】このように、第１基板の内面と前記液晶層
との界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方
蒸着膜で形成した配向膜を備えたことで、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【００８２】なお、ドレイン線ＤＬと対向電極ＣＴとの
間隔を狭くして開口率を向上させることができる。しか
し、上記導電膜ＦＧＴは図示した構造以外に、対向電極
ＣＴと同層に形成し、対向電極ＣＴのドレイン線ＤＬと
近接する辺部に一部を接続させて形成してもよい。
【００８３】各画素領域のうち、ドレイン線ＤＬに沿っ
てゲート線ＧＬに直交する方向に配置される各画素領域
の対向電極ＣＴは、互いに接続されている。すなわち、
各画素領域の対向電極ＣＴはゲート制御ＧＬが形成され
ている領域を跨いで互いに一体的に形成してある。
【００８４】言い換えれば、ドレイン線ＤＬに沿って配
置される各画素領域の対向電極ＣＴは、当該ドレイン線
ＤＬに沿って帯状に形成され、これら帯状の各対向電極
ＣＴはドレイン線ＤＬの形成領域によって分断されてい
る。この対向電極ＣＴはゲート線ＧＬと異なる層にゲー
ト線ＧＬとは絶縁像を介して形成されている。
【００８５】この構成としたことで、対向電極ＣＴは画
素領域の集合体として形成される表示領域の外側から対
向電圧信号を供給することにより、実施例１に示した対
向電圧信号線を特に形成しなくても済む。
【００８６】このため、画素電極ＰＸはゲート線ＧＬ寄
りに近接させ、あるいはさらにゲート線ＧＬ上に重畳さ
せた状態まで延在させることにより、ゲート線ＧＬの近
傍にも画素領域としての機能を持たせることができる。
【００８７】また、このことは、ゲート線ＧＬの近傍に
おいて、当該ゲート線ＧＬ事態に遮光機能を持たせるこ
とができ、開口率を大幅に向上させることが可能とな
る。
【００８８】この第１基板ＳＵＢ１の最上層すなわち液
晶層との界面には前記した斜方蒸着で形成した窒化シリ
コン膜からなる第１配向膜ＯＲＩ１が成膜されている。
【００８９】図１３は本発明による液晶表示装置の第３
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の
要部拡大図を示す。また、図１４は図１３の２２−２２
線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図で
ある。前記第１、第２実施例と同一符号は同一機能部分
に対応する。
【００９０】本実施例が前記第２実施例と異なる点は、
ドレイン線ＤＬに沿って配置される各画素領域内を当該
ドレイン線ＤＬとほぼ平行に対向電圧信号線ＣＬを配置
した点にある。この対向電圧信号線ＣＬは、対向電極Ｃ
Ｔの直下（あるいは、直上であってもよい）に直接形成
した点にある。これにより、対向電極ＣＴそれ自体の電
気抵抗が低減される。
【００９１】対向電圧信号線ＣＬは、例えばドレイン線
ＤＬと同一材料（導電層１上にＩＴＯ層を積層した構
造）で同時に形成される。そして、対向電圧信号線ＣＬ
は画素領域をほぼ二等分するように当該画素領域の中央
に敷設して、その両側に存在するドレイン線ＤＬとの短
絡を確実の回避している。
【００９２】さらに、ドレイン線ＤＬの上層にＩＴＯを
有する構造としたことで、当該ドレイン線の下層が断線
しても電気的導通を確保できる。
【００９３】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【００９４】図１５は本発明による液晶表示装置の第４
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の
要部拡大図を示す。また、図１６は図１５の２４−２４
線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、
図１７は同２５−２５線に沿って切断した薄膜トランジ
スタ部分の断面図である。前記各実施例と同一符号は同
一機能部分に対応する。
【００９５】本実施例では、画素電極ＰＸをゲート絶縁
膜ＧＩ上に形成し、対向電極ＣＴとはこのゲート絶縁膜
ＧＩで絶縁してある。配向膜ＯＲＩ１は薄膜トランジス
タＴＦＴおよび画素電極ＰＸ上を覆った保護膜ＰＳＶの
上に形成されている。
【００９６】このように構成したことにより、液晶ＬＣ
中への電気力線が保護膜ＰＳＶによる分圧効果で増大さ
れるため、液晶材料として低抵抗のものを選択でき、そ
の結果として残像の少ない表示を得ることができる。
【００９７】また、この構成としたことで、図１７に示
したように、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ
１と画素電極ＰＸとを直接接続でき、保護膜ＰＳＶにス
ルーホールを形成する工程が不要となる。
【００９８】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【００９９】図１８は本発明による液晶表示装置の第５
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の
要部拡大図を示す。また、図１９は図１８の２８−２８
線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、
図２０は同２９−２９線に沿って切断した薄膜トランジ
スタ部分の断面図である。前記各実施例と同一符号は同
一機能部分に対応する。
【０１００】本実施例では、ドレイン線ＤＬとゲート線
ＧＬで囲まれる画素領域のほぼ全域に画素電極ＰＸを面
形成し、その上層に保護膜ＰＳＶ１を成膜し、この保護
膜ＰＳＶの上に対向電極ＣＴを形成した。画素電極ＰＸ
は保護膜ＰＳＶ１に形成したスルーホールを通して薄膜
トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１に接続される。
【０１０１】この画素電極を覆って第２の保護膜ＰＳＶ
２を成膜し、この保護膜ＰＳＶ２上に対向電極ＣＴが形
成されている。この対向電極ＣＴは画素電極ＰＸが形成
された領域にドレイン線ＤＬと平行な方向に並設した帯
状電極として形成されるが、その両端部は各対向電極Ｃ
Ｔの間の領域を除く全ての領域に当該各対向電極ＣＴと
一体的に形成された導電層と接続されている。
【０１０２】すなわち、対向電極ＣＴは、少なくとも表
示領域を覆って形成したＩＴＯ等の透明導電膜のうち、
画素電極ＰＸに重畳した領域内の導電層に、ドレイン線
ＤＬに沿ってゲート線と平行な方向に並設される複数の
帯状の開口を形成した形状を有する。
【０１０３】これにより、対向電極ＣＴとして機能する
導電層以外の他の導電層は、対向電圧信号線ＣＬとして
利用でき、導電層全体の電気抵抗を大幅に低減すること
ができるという効果を有する。
【０１０４】また、対向電極ＣＴとして機能する導電層
以外の他の導電層に遮光層としての機能を持たせること
ができる。これは、液晶の光透過を制御する電界（横電
界）は対向電極ＣＴとして機能する導電層と画素電極Ｐ
Ｘの間に発生し、それ以外の部分では発生しないからで
ある。
【０１０５】このため、図１９に示したように、第２基
板ＳＵＢ２にはブラックマトリクスを形成する必要がな
く、製造工程の削減を図ることができる。
【０１０６】この場合、液晶として、電界が印加されな
い状態で黒表示となる、所謂ノーマリブラックのものを
用いることで、前記の遮光層の機能を強化できる。
【０１０７】ゲート線ＧＬあるいはドレイン線ＤＬは、
上記導電層との間で容量を生成することは否めない。こ
のことから、それらの間に介在する保護膜ＰＳＶ１およ
び第２の保護膜ＰＳＶ２のうち、例えば保護膜ＰＳＶ２
を樹脂の塗布膜とし、この膜厚を大きくすることで上記
容量を低減できる。例えば、保護膜ＰＳＶ１として、比
誘電率が７、膜厚が１００乃至９００のＳｉＮを用いた
場合、保護膜ＰＳＶ２としては、比誘電率が３乃至４
で、膜厚が１０００乃至３００の高分子有機材料の樹脂
膜とするのが適当である。
【０１０８】なお、保護膜ＰＳＶ２の比誘電率が保護膜
ＰＳＶ１のそれの１／２以下であれば、膜厚に関係な
く、また、膜厚が２倍以上であれば、その比誘電率に関
係なく、実際の製品として支障がないことが確認されて
いる。
【０１０９】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【０１１０】図２１は本発明による液晶表示装置の第６
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、薄膜トランジスタ等を形成した第１基板ＳＵＢ１の
要部拡大図を示す。また、図２２は図２１の３２−３２
線に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図、
図２３は同３３−３３線に沿って切断した薄膜トランジ
スタ部分の断面図である。本実施例は第５実施例をさら
に改良したものであり、前記第５実施例と同一符号は同
一機能部分に対応する。
【０１１１】本実施例が第５実施例と異なる点は、画素
電極ＰＸがゲート絶縁膜ＧＩ上に形成され、対向電極Ｃ
Ｔが画素電極ＰＸの上に保護膜ＰＳＶ１を介して形成さ
れた点である。そして、画素領域を除く他の領域を第２
の保護膜ＰＳＶ２で被覆している。
【０１１２】この保護膜ＰＳＶ２は、例えば表示領域の
全域に保護膜材料膜を形成した後、画素領域に相当する
部分を選択的にエッチング除去して構成される。残され
た保護膜ＰＳＶ２の上に対向電極ＣＴと一体の導電層を
形成し、画素電極ＰＸに重畳される領域の導電層に複数
の帯状の開口を形成することで対向電極ＣＴが形成され
る。
【０１１３】このように、ゲート線ＧＬあるいはドレイ
ン線ＤＬと前記導電層との間に保護膜ＰＳＶ１と保護膜
ＰＳＶ２を介在させることで、それらの間に生成する容
量を小さくすることができると共に、画素電極ＰＸと対
向電極ＣＴの間には保護膜ＰＳＶ１のみを介在させるこ
とで、電界をエッチング側に強く形成できるという効果
を有する。
【０１１４】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【０１１５】図２４は本発明による液晶表示装置の第７
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
り、所謂マルチドメイン方式の液晶表示装置に本発明を
適用した実施例である。マルチドメイン方式は、一画素
領域内で液晶層に作用する電界を互いに異なる方向の複
数領域を形成し、この複数領域での液晶層のねじれ方向
を逆方向として、例えば左右の視覚方向の違いにおける
着色差を相殺させるようにしたものである。
【０１１６】図２４に示した液晶パネルの構成は、前記
図４で説明した本発明の第１実施例に対応したものであ
る。各画素領域における画素電極ＰＸを、ドレイン線Ｄ
Ｌと平行な一方向に対して角度θとした後、角度−２θ
に屈曲させ、これを繰り返した形状とした。なお、上記
θは、Ｐ型液晶で配向膜の配向方向をドレイン線ＤＬ方
向とした場合、５乃至４０°が適当である。
【０１１７】この場合、対向電極ＣＴは画素領域の周辺
を除く領域に形成され、この対向電極ＣＴに画素電極Ｐ
Ｘが重畳するようにはいちすることでマルチドメイン方
式の効果を得ることができる。
【０１１８】そして、特に、画素電極ＰＸの屈曲部にお
いて対向電極ＣＴとの間に発生する電界は、画素電極Ｐ
Ｘの他の部分において対向電極ＣＴとの間に発生する電
界と全く異なることなく発生することが確認されてい
る。従来は、所謂ディスクリネーション領域と称され、
液晶分子のねじれの方向がランダムになって不透過部が
発生していた。このため、画素電極ＰＸの屈曲部の近傍
において光透過率の低下というような不都合が生じな
い。
【０１１９】なお、本実施例では画素電極ＰＸは図２４
中のｙ方向に延在させて形成してあるが、ｘ方向に延在
させてもよい。また、画素電極ＰＸを少なくとも画素領
域の周辺を除く全領域に形成し、対向電極ＣＴを屈曲部
を設けてマルチドメイン方式の効果を得ることも可能で
ある。
【０１２０】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【０１２１】図２５は本発明による液晶表示装置の第８
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
る。本実施例は前記図１８で説明した第５実施例に対応
したものである。また、図２６は図２５の３８−３８線
に沿って切断した第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図であ
る。
【０１２２】本実施例では、画素電極ＰＸは対向電極Ｃ
Ｔと重畳する部分において、その周辺を除く部分に開口
を形成してある。一方向に延在する対向電極ＣＴの中心
軸はは画素電極ＰＸの開口中心とほぼ一致し、対向電極
ＣＴの幅をＷ１、開口の幅をＷ２としたとき、Ｗ２はＷ
１より小さく形成されている。
【０１２３】この構成により、画素電極ＰＸと対向電極
ＣＴとの間に発生する電界の分布は図１８の場合と全く
同様である。そして、画素電極ＰＸに上記開口を設ける
ことで画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の容量を小さく
することができる。
【０１２４】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【０１２５】図２７は本発明による液晶表示装置の第９
実施例を構成する液晶パネルの一画素付近の平面図であ
る。本実施例は前記図１８で説明した第５実施例の改良
であり、図２８は図２７の４１−４１線に沿って切断し
た第２基板ＳＵＢ２も含めた断面図である。
【０１２６】本実施例の特徴は、第１基板ＳＵＢ１の第
２の保護膜ＰＳＶ２に高分子樹脂材料からなるスペーサ
ＳＰを設けた点にある。このスペーサＳＰは、所謂セル
ギャップ規制部材であり、図２７に示したようにゲート
線ＧＬ上に配置してある。しかし、この配置一はこれに
限るものではなく、ドレイン線上あるいはその他、画素
領域以外の位置に形成してもよいものである。
【０１２７】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【０１２８】図２９は本発明による液晶表示装置の第１
０実施例を構成する図１８の２８−２８線に沿った第２
基板ＳＵＢ２も含めた断面図である。本実施例は、前記
図１８で説明した第５実施例をさらに改良したものであ
る。一画素付近の平面図は図１８と同じである。
【０１２９】本実施例は、画素電極ＰＸの上層に形成し
て対向電極ＣＴを絶縁する第２の保護膜ＰＳＶ２を、当
該対向電極ＣＴをマスクとして堀り下げ加工したもので
ある。この加工により、ドレイン線ＤＬと対向電圧信号
線ＣＬの間の保護膜ＰＳＶ２が厚く、薄膜トランジスタ
ＴＦＴの負荷の容量が低減でき、また対向電極ＣＴ相互
間の保護膜ＰＳＶ２が薄く形成されるため、画素電極Ｐ
Ｘと対向電極ＣＴ間の保護膜ＰＳＶによる電圧降下が低
減されて、液晶に充分な電圧を印加できるため、液晶の
閾値を低減することができる。
【０１３０】そして、第１基板の内面と前記液晶層との
界面に前記図１乃至図３で説明した方法による斜方蒸着
膜で形成した配向膜を備えたことにより、液晶と配向膜
の繰り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆
どないため、その液晶パネルに上記従来技術のようなＡ
Ｃ残像を起こすことがなく、長期間の駆動でも安定した
高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を得ること
ができる。
【０１３１】図３０は本発明の液晶表示装置を適用した
画像表示装置としてのディスプレイモニターの一例を示
す正面図である。このディスプレイモニターは、前記本
発明の実施例にかかる液晶表示装置を表示部に搭載し、
その液晶パネルＰＮＬに画像を表示する。表示部はスタ
ンド部で指示されている。このディスプレイモニター
は、図示しない外部信号源（パソコン、あるいはテレビ
受信回路）に接続するものに限らず、スタンド部あるい
はその周辺に上記の外部信号源を内蔵させることもでき
る。本発明を適用することにより、ＡＣ残像の発生を回
避して明るく、信頼性が高い画像表示装置を得ることが
できる。
【０１３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
表示装置によれば、その液晶パネルを構成する少なくと
も画素電極と対向電極を有する第１基板に形成した斜方
蒸着による硬質膜からなる配向膜は、液晶と配向膜の繰
り返し相互作用による塑性変形は発生することが殆どな
いため、樹脂膜をラビングした配向膜を用いた従来の液
晶パネルにおけるようなＡＣ残像の発生がなく、長期間
の駆動でも安定して高品質の画像表示を可能とした液晶
表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】斜方蒸着による配向膜の形成方法を説明する模
式図である。
【図２】図１の方法で形成した斜方蒸着膜の成長方向と
その形状の説明図である。
【図３】斜方蒸着による配向膜形成のための図１で説明
した斜方蒸着方法における蒸着源と第１基板の相対移動
方向および第１基板の平面姿勢の説明図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の第１実施例を構成
する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図５】図４の２−２線に沿って切断した第２基板も含
めた断面図である。
【図６】図４の４−４線に沿って切断した薄膜トランジ
スタ部分の断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の第１実施例を構成
する液晶パネルの等価回路および周辺に設けた駆動回路
の説明図である。
【図８】液晶パネルに供給される各信号のタイミング図
である。
【図９】本発明による液晶表示装置を構成する液晶パネ
ルとその周辺に駆動回路基板等を実装した状態を説明す
る平面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の第２実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図１１】図１０の１６−１６線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図１２】図１０の１７−１７線に沿って切断した薄膜
トランジスタ部分の断面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の第３実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図１４】図１３の２２−２２線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の第４実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図１６】図１５の２４−２４線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図１７】図１５の２５−２５線に沿って切断した薄膜
トランジスタ部分の断面図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の第５実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図１９】図１８の２８−２８線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図２０】図１８の２９−２９線に沿って切断した薄膜
トランジスタ部分の断面図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の第６実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図２２】図２１の３２−３２線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図２３】図２１の３３−３３線に沿って切断した薄膜
トランジスタ部分の断面図である。
【図２４】本発明による液晶表示装置の第７実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図２５】本発明による液晶表示装置の第８実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図２６】図２５の３８−３８線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図２７】本発明による液晶表示装置の第９実施例を構
成する液晶パネルの一画素付近の平面図である。
【図２８】図２７の４１−４１線に沿って切断した第２
基板も含めた断面図である。
【図２９】本発明による液晶表示装置の第１０実施例を
構成する図１８の２８−２８線に沿った第２基板ＳＵＢ
２も含めた断面図である。
【図３０】本発明の液晶表示装置を適用した画像表示装
置としてのディスプレイモニターの一例を示す正面図で
ある。
【符号の説明】
ＳＲＣ・・・蒸着源、ＧＩＤ・・・ガイド部材、ＦＩＮ
・・・蒸着方向規制フィン、ＯＲＩ１・・・斜方蒸着で
形成した配向膜、ＯＲＩ２・・・配向膜、ＧＬ・・・ゲ
ート線、ＧＩ・・・ゲート絶縁膜、ＤＬ・・・ドレイン
線、ＣＬ・・・対向電圧信号線、ＰＸ・・・画素電極、
ＣＴ・・・対向電極、ＡＳ・・・半導体層、ＴＦＴ・・
・薄膜トランジスタ、ＰＳＶ１，２・・・保護膜（絶縁
膜）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 記久雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H090 HB03Y HB04Y HB08Y HD14 LA04 LA15 MA07 MA15 MB01 MB06 2H092 JA24 JA26 JB04 JB05 JB16 JB23 JB32 NA01 NA04 PA02 PA08 5C094 AA02 BA03 BA43 CA19 DA13 DA14 EA04 EA07 EB02 ED02 ED20 FB12 FB15

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一方向に延在し他方向に並設した多数のド
    レイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並設した
    多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁層を介
    して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧信号線
    に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲート線対
    で囲まれる画素領域の略全域に面形成した対向電極と、
    前記画素領域に前記対向電極とは絶縁層を介して形成し
    た略櫛形を呈する如く形成した画素電極と、前記画素領
    域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加される信
    号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する薄膜ト
    ランジスタを内面に有する第１基板と、 前記第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板
    と、 前記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を
    封入してなる液晶パネルと、 前記液晶パネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、
    ゲート線、および対向電圧信号線に画像表示のための信
    号電圧を供給する駆動回路とを具備した液晶表示装置で
    あって、 前記第１基板の内面と前記液晶層との界面に斜方蒸着膜
    で形成した配向膜を備えたことを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】一方向に延在し他方向に並設した多数のド
    レイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並設した
    多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁層を介
    して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧信号線
    に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲート線対
    で囲まれる画素領域の略全域に面形成した対向電極と、
    前記画素領域に前記対向電極とは絶縁層を介して形成し
    た略櫛形を呈する如く形成した画素電極と、前記画素領
    域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加される信
    号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する薄膜ト
    ランジスタを内面に有する第１基板と、 前記第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板
    と、 前記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を
    封入してなる液晶パネルと、 前記液晶パネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、
    ゲート線、および対向電圧信号線に画像表示のための信
    号電圧を供給する駆動回路とを具備した液晶表示装置で
    あって、 前記第１基板の内面と前記液晶層との界面に第１配向膜
    を備えると共に、第２基板の対向面の前記液晶層との界
    面に第２配向膜を備え、少なくとも前記第１配向膜が斜
    方蒸着膜であることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項３】一方向に延在し他方向に並設した多数のド
    レイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並設した
    多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁層を介
    して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧信号線
    に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲート線対
    で囲まれる画素領域の略全域に面形成した画素電極と、
    前記画素領域に前記画素電極とは絶縁層を介して形成し
    た略櫛形を呈する如く形成した対向電極と、前記画素領
    域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加される信
    号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する薄膜ト
    ランジスタを内面に有する第１基板と、 前記第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板
    と、 前記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を
    封入してなる液晶パネルと、 前記液晶パネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、
    ゲート線、および対向電圧信号線に画像表示のための信
    号電圧を供給する駆動回路とを具備した液晶表示装置で
    あって、 前記第１基板の内面と前記液晶層との界面に斜方蒸着膜
    で形成した配向膜を備えたことを特徴とする液晶表示装
    置。
  4. 【請求項４】一方向に延在し他方向に並設した多数のド
    レイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並設した
    多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁層を介
    して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧信号線
    に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲート線対
    で囲まれる画素領域の略全域に面形成した画素電極と、
    前記画素領域に前記画素電極とは絶縁層を介して形成し
    た略櫛形を呈する如く形成した対向電極と、前記画素領
    域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加される信
    号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する薄膜ト
    ランジスタを内面に有する第１基板と、 前記第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板
    と、 前記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を
    封入してなる液晶パネルと、 前記液晶パネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、
    ゲート線、および対向電圧信号線に画像表示のための信
    号電圧を供給する駆動回路とを具備した液晶表示装置で
    あって、 前記第１基板の内面と前記液晶層との界面に第１配向膜
    を備えると共に、第２基板の対向面の前記液晶層との界
    面に第２配向膜を備え、少なくとも前記第１配向膜が斜
    方蒸着膜であることを特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項５】一方向に延在し他方向に並設した多数のド
    レイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並設した
    多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁層を介
    して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧信号線
    に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲート線対
    で囲まれる画素領域の略全域に略櫛形を呈する如く形成
    した画素電極と、前記画素領域に前記画素電極とは絶縁
    層を介して形成した略櫛形を呈する如く形成した対向電
    極と、前記画素領域毎に配置して前記ドレイン線とゲー
    トに印加される信号電圧により前記画素電極に駆動電圧
    を印加する薄膜トランジスタを内面に有する第１基板
    と、 前記第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板
    と、 前記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を
    封入してなる液晶パネルと、 前記液晶パネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、
    ゲート線、および対向電圧信号線に画像表示のための信
    号電圧を供給する駆動回路とを具備した液晶表示装置で
    あって、 前記第１基板の内面と前記液晶層との界面に斜方蒸着膜
    で形成した配向膜を備えたことを特徴とする液晶表示装
    置。
  6. 【請求項６】一方向に延在し他方向に並設した多数のド
    レイン線と、前記他方向に延在し前記一方向に並設した
    多数のゲート線と、前記ドレイン線の近傍に絶縁層を介
    して配列した多数の対向電圧信号線と、対向電圧信号線
    に接続して隣接するドレイン線対と隣接するゲート線対
    で囲まれる画素領域の略全域に面形成した画素電極と、
    前記画素領域に前記画素電極とは絶縁層を介して形成し
    た略櫛形を呈する如く形成した対向電極と、前記画素領
    域毎に配置して前記ドレイン線とゲートに印加される信
    号電圧により前記画素電極に駆動電圧を印加する薄膜ト
    ランジスタを内面に有する第１基板と、 前記第１基板の内面と対向面にブラックマトリクスで区
    画された複数色のカラーフィルタ層を有する第２基板
    と、 前記第１基板の内面と第２基板の対向面の間に液晶層を
    封入してなる液晶パネルと、 前記液晶パネルの外周近傍に設置して前記ドレイン線、
    ゲート線、および対向電圧信号線に画像表示のための信
    号電圧を供給する駆動回路とを具備した液晶表示装置で
    あって、 前記第１基板の内面と前記液晶層との界面に第１配向膜
    を備えると共に、第２基板の対向面の前記液晶層との界
    面に第２配向膜を備え、少なくとも前記第１配向膜が斜
    方蒸着膜であることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記斜方蒸着膜が窒化シリコン膜であるこ
    とを特徴とする請求項１乃至６記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】前記斜方蒸着膜が酸化シリコン膜であるこ
    とを特徴とする請求項１乃至７記載の液晶表示装置。
JP35535899A 1999-12-15 1999-12-15 液晶表示装置 Pending JP2001174818A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35535899A JP2001174818A (ja) 1999-12-15 1999-12-15 液晶表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35535899A JP2001174818A (ja) 1999-12-15 1999-12-15 液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001174818A true JP2001174818A (ja) 2001-06-29

Family

ID=18443475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35535899A Pending JP2001174818A (ja) 1999-12-15 1999-12-15 液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001174818A (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7196760B2 (en) 2001-03-06 2007-03-27 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment
JP2007233317A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP2007316321A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
US7453540B2 (en) 2001-12-27 2008-11-18 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with particular electrodes
JP2008299325A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Toppoly Optoelectronics Corp 画像表示システム
JP2009025803A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板及びその製造方法
JP2009192932A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置、及びその製造方法
JP2009222798A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置、及びその製造方法
JP2010020007A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Mobile Display Co Ltd 液晶表示装置
JP2010072613A (ja) * 2008-08-22 2010-04-02 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP2010243894A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2011100170A (ja) * 2011-02-25 2011-05-19 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2011237836A (ja) * 2011-08-31 2011-11-24 Sony Corp 液晶装置及び電子機器
JP2012113326A (ja) * 2001-02-23 2012-06-14 Nlt Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2012141579A (ja) * 2011-01-03 2012-07-26 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR101171429B1 (ko) * 2008-10-08 2012-08-06 가시오게산키 가부시키가이샤 액정표시소자
JP2013011913A (ja) * 2012-10-18 2013-01-17 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
JP2013011910A (ja) * 2006-04-06 2013-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US8358385B2 (en) 2006-01-31 2013-01-22 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus which performs display by using electric field in direction substantially parallel with substrate surfaces to control alignment direction of liquid crystal molecules
JP2013057704A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
US8432522B2 (en) 2005-07-06 2013-04-30 Hitachi Displays, Ltd. Display device
US8908117B2 (en) 2010-11-04 2014-12-09 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor array substrate and liquid crystal display apparatus comprising a transparent conductive film pattern having a first type pattern and a second type pattern
JP2016111034A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法と液晶表示装置
JP2017182091A (ja) * 2006-06-02 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2018124562A (ja) * 2006-05-16 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2019144589A (ja) * 2019-04-29 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US10698277B2 (en) 2006-10-31 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2022082792A (ja) * 2005-12-05 2022-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Cited By (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012113326A (ja) * 2001-02-23 2012-06-14 Nlt Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
US7196760B2 (en) 2001-03-06 2007-03-27 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment
US7251008B2 (en) 2001-03-06 2007-07-31 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment
US7609352B2 (en) 2001-03-06 2009-10-27 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment
US7453540B2 (en) 2001-12-27 2008-11-18 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with particular electrodes
US9703161B2 (en) 2005-07-06 2017-07-11 Japan Display Inc. Display device
US10254611B2 (en) 2005-07-06 2019-04-09 Japan Display Inc. Display device
US10551706B2 (en) 2005-07-06 2020-02-04 Japan Display Inc. Display device
US10942407B2 (en) 2005-07-06 2021-03-09 Japan Display Inc. Display device
US9052559B2 (en) 2005-07-06 2015-06-09 Japan Display Inc. Display device
US8432522B2 (en) 2005-07-06 2013-04-30 Hitachi Displays, Ltd. Display device
JP2022082792A (ja) * 2005-12-05 2022-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11592719B2 (en) 2005-12-05 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11899329B2 (en) 2005-12-05 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8358385B2 (en) 2006-01-31 2013-01-22 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus which performs display by using electric field in direction substantially parallel with substrate surfaces to control alignment direction of liquid crystal molecules
JP2007233317A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP2013225138A (ja) * 2006-04-06 2013-10-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9213206B2 (en) 2006-04-06 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11073729B2 (en) 2006-04-06 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US10684517B2 (en) 2006-04-06 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
JP2013011910A (ja) * 2006-04-06 2013-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US9958736B2 (en) 2006-04-06 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11644720B2 (en) 2006-04-06 2023-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11442317B2 (en) 2006-04-06 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US11921382B2 (en) 2006-04-06 2024-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US9207504B2 (en) 2006-04-06 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
JP2013254222A (ja) * 2006-04-06 2013-12-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
US11435626B2 (en) 2006-05-16 2022-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US10509271B2 (en) 2006-05-16 2019-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a semiconductor film having a channel formation region overlapping with a conductive film in a floating state
US11726371B2 (en) 2006-05-16 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. FFS-mode liquid crystal display device comprising a top-gate transistor and an auxiliary wiring connected to a common electrode in a pixel portion
US11061285B2 (en) 2006-05-16 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a dogleg-like shaped pixel electrode in a plane view having a plurality of dogleg-like shaped openings and semiconductor device
JP2018124562A (ja) * 2006-05-16 2018-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11106096B2 (en) 2006-05-16 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
JP2007316321A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
US11600236B2 (en) 2006-06-02 2023-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2017182091A (ja) * 2006-06-02 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US10013923B2 (en) 2006-06-02 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10714024B2 (en) 2006-06-02 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2019204119A (ja) * 2006-06-02 2019-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11657770B2 (en) 2006-06-02 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US11372298B2 (en) 2006-10-31 2022-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11860495B2 (en) 2006-10-31 2024-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US10698277B2 (en) 2006-10-31 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11016354B2 (en) 2006-10-31 2021-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US11592717B2 (en) 2006-10-31 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2008299325A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Toppoly Optoelectronics Corp 画像表示システム
JP2009025803A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板及びその製造方法
JP2009192932A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置、及びその製造方法
US8319928B2 (en) 2008-02-15 2012-11-27 Mitsubishi Electric Corporation Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2009222798A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置、及びその製造方法
JP2010020007A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Mobile Display Co Ltd 液晶表示装置
JP2010072613A (ja) * 2008-08-22 2010-04-02 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
KR101171429B1 (ko) * 2008-10-08 2012-08-06 가시오게산키 가부시키가이샤 액정표시소자
US8467022B2 (en) 2008-10-08 2013-06-18 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010243894A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8411241B2 (en) 2009-04-08 2013-04-02 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
US8908117B2 (en) 2010-11-04 2014-12-09 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor array substrate and liquid crystal display apparatus comprising a transparent conductive film pattern having a first type pattern and a second type pattern
JP2016006539A (ja) * 2011-01-03 2016-01-14 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 液晶表示装置及びその製造方法
JP2012141579A (ja) * 2011-01-03 2012-07-26 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US9588385B2 (en) 2011-01-03 2017-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2011100170A (ja) * 2011-02-25 2011-05-19 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2011237836A (ja) * 2011-08-31 2011-11-24 Sony Corp 液晶装置及び電子機器
JP2013057704A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
JP2013011913A (ja) * 2012-10-18 2013-01-17 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
JP2016111034A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法と液晶表示装置
JP2019144589A (ja) * 2019-04-29 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001174818A (ja) 液晶表示装置
JP5876526B2 (ja) 液晶表示装置
EP1087255B1 (en) Liquid crystal display device
JP2701698B2 (ja) 液晶表示装置
JP2975844B2 (ja) 液晶表示装置
US7349051B2 (en) In plane switching mode liquid crystal display device having particular common lines
US20070279567A1 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
KR100823386B1 (ko) 액정 표시 장치용 기판 및 액정 표시 장치
US7528894B2 (en) LCD having storage capacitor electrodes with wider portions located within triangular areas of pixel regions and with spacers disposed in regions corresponding to the triangular areas to mitigate dark-state light leakage
KR101298424B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 타입의 액정표시장치
JP2002131767A (ja) 液晶表示装置
US7782415B2 (en) Active matrix subtrate, liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
KR100311531B1 (ko) 횡전계방식액정표시장치및그제조방법
US20060146253A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
KR101201324B1 (ko) Ｉｐｓ 모드 액정표시소자
US7151584B2 (en) Thin film transistor liquid crystal display device for reducing color shift
KR20070002224A (ko) 횡전계방식 액정표시소자
US7102719B2 (en) In-plane switching mode thin film transistor liquid crystal display device with alternating pixel and common electrode bones
JPH11288006A (ja) 液晶表示装置
JP2009053256A (ja) 液晶表示装置
KR20080002054A (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20070092896A (ko) 액정표시소자
KR100269354B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자
JPH11288000A (ja) 液晶表示装置
JPH04264524A (ja) 表示装置