CN111338144B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种显示面板及显示装置。显示面板包括：阵列基板，包括第一衬底、栅线、数据线及多个子像素单元，第一衬底具有呈阵列排布的多个子像素区、位于相邻两行子像素区之间的第一布线区及位于相邻两列子像素区之间并与第二布线区相交的第二布线区，每一子像素单元的至少部分位于一子像素区上；栅线和数据线分别位于第一布线区和第二布线区上并与子像素单元电连接，数据线与栅线相互绝缘且相交，数据线具有对位部，对位部在第一衬底上的正投影位于第一布线区和第二布线区相交叉的区域内；隔垫物，设置在对位部背离阵列基板的一侧，隔垫物在第一衬底上的正投影位于对位部在第一衬底上的正投影内。该方案的显示产品具有良好的显示效果。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着液晶面板的不断发展，高分辨率的产品被不断开发，但随着像素的增多，容易导致一系列的问题发生，例如：在对液晶面板进行某些压力测试时，会使彩膜基板相对阵列基板发生滑动，导致彩膜基板上的隔垫物划伤阵列基板的取向(PI)膜层，使液晶配向异常，发生不可控的漏光，从影响显示效果。

需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示面板及显示装置，具有良好的显示效果。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，其中，包括：

阵列基板，包括第一衬底、栅线、数据线及多个子像素单元，所述第一衬底具有呈阵列排布的多个子像素区、位于相邻两行子像素区之间的第一布线区及位于相邻两列子像素区之间的第二布线区，所述第一布线区与所述第二布线区相交；每一所述子像素单元的至少部分位于一所述子像素区上；所述栅线位于所述第一布线区上并与所述子像素单元电连接，所述数据线位于所述第二布线区上并与所述子像素单元电连接，所述数据线与所述栅线相互绝缘且在所述第一衬底上的正投影相交，所述数据线具有对位部，所述对位部在所述第一衬底上的正投影位于所述第一布线区和所述第二布线区相交叉的区域内；

隔垫物，设置在所述对位部背离所述阵列基板的一侧，所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影位于所述对位部在所述第一衬底上的正投影内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述数据线还具有位于所述对位部在列方向上相对两侧的主线部，所述主线部在所述第一衬底上的正投影与所述第一布线区在所述第一衬底上的正投影不交叠，且所述主线部在行方向上的尺寸小于所述对位部在行方向上的尺寸。

在本公开的一种示例性实施例中，从所述对位部靠近所述主线部的一侧至所述对位部的中心的方向上，所述对位部在所述行方向上的尺寸逐渐增大。

在本公开的一种示例性实施例中，所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影的边缘与所述对位部在所述第一衬底上的正投影的边缘之间的间距为第一间距；

其中，所述第一间距与所述数据线的主线部在行方向上的尺寸之间的比值为50％至100％。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一布线区上设置有两条所述栅线，每条所述栅线和与其相邻的一行子像素单元中的至少部分子像素单元电连接；

所述对位部在所述第一衬底上的正投影位于两条所述栅线在所述第一衬底上的正投影之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一衬底上还形成有位于所述隔垫物在所述列方向上相对两侧的挡墙；

所述挡墙与所述隔垫物之间的间距为第二间距；

其中，所述第二间距与所述数据线的主线部在行方向上的尺寸之间的比值为2.5至8。

在本公开的一种示例性实施例中，所述数据线还具有位于所述主线部和所述对位部之间的过渡部；所述过渡部和所述栅线在所述第一衬底上的正投影相交叠，其交叠位置定义为阻挡位；

所述挡墙包括所述过渡部中位于所述阻挡位的部分和所述栅线中位于所述阻挡位的部分。

在本公开的一种示例性实施例中，所述对位部与相邻两列的子像素单元电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，还包括彩膜基板，所述彩膜基板包括位于所述隔垫物远离所述阵列基板一侧的第二衬底及位于所述第二衬底靠近所述阵列基板一侧的遮挡层，所述遮挡层具有交叉遮挡部、位于所述交叉遮挡部在行方向相对两侧的第一遮挡部、以及位于所述交叉遮挡部在列方向上相对两侧的第二遮挡部；其中，

所述交叉遮挡部在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述第一布线区与所述第二布线区的交叉区域，所述第一遮挡部在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述第一布线区且不与所述第二布线区交叠，所述第二遮挡部在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述第二布线区且不与所述第一布线区相交叠；

所述交叉遮挡部在列方向上的尺寸大于所述第一遮挡部在列方向上的尺寸，且所述交叉遮挡部在行方向上的尺寸大于所述第二遮挡部在行方向上的尺寸。

在本公开的一种示例性实施例中，所述隔垫物在所述第二衬底上的正投影位于所述交叉遮挡部在所述第二衬底上的正投影的中心区域内，

所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影的边缘与所述交叉遮挡部在所述第一衬底上的正投影的边缘之间的间距为第三间距；

其中，所述第三间距与所述数据线的主线部在行方向上的尺寸之间的比值为6.5至12。

在本公开的一种示例性实施例中，所述遮挡层还具有位于所述交叉遮挡部与所述第一遮挡部之间的过渡遮挡部；所述过渡遮挡部与所述第一遮挡部之间相对的两端面完全重叠，所述过渡遮挡部与所述交叉遮挡部之间相对的两端面完全重叠。

根据本公开的另一个方面，提供一种显示装置，其包括上述任一项所述的显示面板。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本公开一实施例所述的显示面板的部分结构示意图；

图2示出了本公开一实施例所述的显示面板中阵列基板与隔垫物的位置关系示意图；

图3示出了图2中所示的阵列基板中薄膜晶体管的结构示意图；

图4示出了本公开另一实施例所述的显示面板的部分结构示意图；

图5a示出了图4中所示的显示面板中遮挡层的结构示意图；

图5b示出了图4中所示的显示面板中A部的放大结构示意图；

图6示出了图5b中所示的显示面板在B-B方向上的截面示意图；

图7示出了本公开一实施例所述显示面板中遮挡层与隔垫物的位置关系示意图；

图8示出了相关技术中显示面板的部分结构示意图；

图9a示出了图8中所示的显示面板中遮挡层的结构示意图；

图9b示出了相关技术中显示面板的遮挡层与隔垫物的位置关系示意图。

附图标记：

1、阵列基板；10、第一衬底；10a、子像素区；10b、第一布线区；10c、第二布线区；11、数据线；110、对位部；111、主线部；112、过渡部；12、栅线；13、子像素单元；130、公共电极；131、像素电极；1310、狭缝；132、薄膜晶体管；1320、栅极；1321、有源层；1322、源电极；1323、漏电极；14、公共线、15、第一绝缘层；16、第二绝缘层；17、取向膜层；18、挡墙。

2、彩膜基板；20、第二衬底；21、彩膜层；22、遮挡层；220、第一遮挡部；221、第二遮挡部；222、交叉遮挡部；223、过渡遮挡部；224、透光孔；

3、隔垫物；

4、液晶。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。

另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。

需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。

在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。

在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

本公开的一实施例提供了一种显示面板，此显示面板可为液晶显示面板。如图1所示，显示面板可包括阵列基板1和隔垫物3；此外，该显示面板还可包括彩膜基板2，该彩膜基板2位于隔垫物3远离阵列基板1的一侧。也就是说，隔垫物3可位于彩膜基板2与阵列基板1之间，以起到支撑彩膜基板2与阵列基板1的作用，且液晶4可位于隔垫物3支撑其来的空间内。其中：

如图2、图4至图6所示，阵列基板1可包括第一衬底10及形成在第一衬底10上的数据线11、栅线12及多个子像素单元13。详细说明，第一衬底10具有呈阵列排布的多个子像素区10a、位于相邻行子像素区10a之间的第一布线区10b及位于相邻列子像素区10a之间的第二布线区10c，第一布线区10b与第二布线区10c相交；其中，每一子像素单元13的至少部分位于一子像素区10a上；栅线12位于第一布线区10b上并与子像素单元13电连接，数据线11位于第二布线区10c上并与子像素单元13电连接，数据线11与栅线12相互绝缘且在第一衬底10上的正投影相交，具体地，此数据线11与栅线12在第一衬底10上的正投影相交于第一布线区10b与第二布线区10c相交的区域内；理应了解的是，数据线11与栅线12的延伸方向不同，具体地，数据线11在列方向Y上延伸，栅线12在行方向X上延伸；其中，数据线11具有对位部110，对位部110在第一衬底10上的正投影位于第一布线区10b和第二布线区10c相交叉的区域内。

应当理解的是，第一衬底10上可用来形成子像素单元13、栅线12和数据线11等结构，为了便于将这些结构加工至第一衬底10上的特定区域，可先在第一衬底10上划分出与这些结构对应的各区域，比如：可先在第一衬底10上划分出子像素区10a、第一布线区10b和第二布线区10c，然后在第一衬底10的子像素区10a上形成子像素单元13，第一布线区10b上至少用来形成有栅线12，第二布线区10c上至少用来形成数据线11。其中，第一布线区10b和第二布线区10c也设置有多个；此外，第一衬底10上还可设置有除了第一布线区10b和第二布线区10c之外的其他布线区，视具体情况而定。

如图2、图4至图6所示，隔垫物3设置在数据线11的对位部110背离阵列基板1的一侧，且隔垫物3在第一衬底10上的正投影位于对位部110在第一衬底10上的正投影内；也就是说，隔垫物3在第一衬底10上的正投影的外轮廓位于对位部110在第一衬底10上的正投影的外轮廓的内侧，以保证隔垫物3稳定地支撑在阵列基板1上。

如图2、图4至图6所示，彩膜基板2可包括第二衬底20和遮挡层22，第二衬底20位于隔垫物3远离阵列基板1的一侧，遮挡层22位于第二衬底200靠近阵列基板的一侧。

如图5a、图7所示，遮挡层22具有交叉遮挡部222、位于交叉遮挡部222在行方向X上相对两侧的第一遮挡部220以及位于交叉遮挡部222在列方向Y上相对两侧的第二遮挡部221。结合图4和图5a所示，交叉遮挡部222在第一衬底10上的正投影至少覆盖第一布线区10b与第二布线区10c的交叉区域，第一遮挡部220在第一衬底10上的正投影至少覆盖第一布线区10b且不与第二布线区10c交叠，第二遮挡部221在第一衬底10上的正投影至少覆盖第二布线区10c且不与第一布线区10b相交叠。

其中，遮挡层22中第一遮挡部220、第二遮挡部221和交叉遮挡部222可呈阵列排布，结合图4、图5a和图7所示，阵列排布的第一遮挡部220、第二遮挡部221和交叉遮挡部222可围成透光孔224，此透光孔224在第一衬底上的正投影位于子像素区10a内，该透光孔224用于允许光线透过。在整个显示面板的面积一定时，透光孔224的面积总和越大，也就是说，遮挡部的面积总和越小，则显示面板的光透过率越高，显示效果越好。

需要说明的是，为了保证遮挡层22能够将阵列基板1上布线区完全遮盖，可使遮挡层22中第一遮挡部220、第二遮挡部221和交叉遮挡部222在第一衬底上的正投影还可覆盖部分子像素区10a，如图4所示。

在本公开的实施例中，通过将隔垫物3设置在数据线11中位于第一布线区10b和第二布线区10c交叉区内的对位部110上，这样当隔垫物3在行方向X和列方向Y上产生移动时，取向膜层17上形成的划痕也会被遮挡第一布线区10b和第二布线区10c的第一遮挡部220、第二遮挡部221和交叉遮挡部222遮挡住，这样设计可缓解隔垫物3在压力测试过程中滑出原有遮光范围内的情况，从而可缓解容易发生的漏光情况，继而可提高显示效果。

应当理解的是，即使隔垫物3在压力测试过程中发生在其他方向(即：除了行方向X和列方向Y以外的方向)上的滑动，但由于本公开实施例中的隔垫物3位于数据线11中位于第一布线区10b和第二布线区10c交叉区内的对位部110上，相比于图8中所示出的相关技术中将隔垫物3设置在同列中相邻两个子像素单元13之间的栅线12上的方案，同样为了保证隔垫物3在移动过程中产生的划痕能够完全被覆盖，但本公开实施例中遮挡部增加的面积远小于相关技术中遮挡部增加的面积。

具体如图5a、图7和图9a、图9b所示，图7和图9b中S框所围住的区域为隔垫物3的移动区域，该相关技术方案中隔垫物3向周围移动的距离和本公开实施例所述的方案中隔垫物3向周围移动的距离相同；为了保证隔垫物3在移动过程中产生的划痕能够完全被遮挡层22遮挡，相关技术方案中与本公开实施例所描述的方案中，遮挡层22的遮挡部面积均有所增加；其中，图7中Q1部、Q2部、Q3部和Q4部的面积之和为本公开实施例中遮挡部增加的面积，图9b中Q部的面积为相关技术中遮挡部增加的面积，Q部的面积大于Q1部、Q2部、Q3部和Q4部的面积之和，因此，本公开实施例方案中引起的开口率损失明显小于相关技术方案的损失。

也就是说，相比于图8中所示出的相关技术中将隔垫物3设置在同列中相邻两个子像素单元13之间的栅线12上的方案，本公开实施例的方案在保证隔垫物3在移动过程中产生的划痕能够完全被遮挡层22遮挡的同时，还可提高像素开口率，此像素开口率指的是遮挡层22中透光孔224的面积总和与显示面板的整个面积之间的比值。

举例而言，对于55寸UHD(Ultra High Definition，超高清)显示产品来说，在隔垫物3进行压力测试过程中向周围移动的距离为40μm至60μm时，且在一个子像素单元13的宽为105um，长为315um时，采用相关技术的方案，开口率为56.9％；采用本公开实施所描述的方案，开口率为60.9％，本公开实施例所描述的方案相比于相关技术的方案，开口率绝对值增加4％，相对值约提升10.7％。

需要说明的是，图7中粗体虚线、单点划线、双点划线和图9b中粗体虚线和双点划线均不具有实际含义，仅仅是为了方便本领域技术人员理解遮挡层22中各部分所对应的位置及隔垫物3的移动范围。

此外，如图6所示，由于数据线11通常比栅线12更靠近隔垫物3，例如：数据线11通常与阵列基板1中薄膜晶体管的源漏极同层设置，栅线12通常与阵列基板1中的薄膜晶体管的栅极同层设置，因此，本公开实施例中通过隔垫物3与数据线11进行对位，即：通过将隔垫物3设置在数据线11的上方，相比于相关技术中将隔垫物3设置在栅线12上方的方案，可提高对位准确性，从而保证显示面板的组装良率。

下面结合附图对本公开实施例所描述的显示面板进行详细描述。

在一些实施例中，如图6所示，阵列基板1中的第一衬底10可单层结构，该第一衬底10的材料可为玻璃。但不限于此，此第一衬底10还可多层结构；且第一衬底10的材料不限于玻璃，也可为其他材料，例如：聚酰亚胺等材料，视具体情况而定。

如图2至图6所示，子像素单元13可包括公共电极130、像素电极131及薄膜晶体管132，此薄膜晶体管132可包括栅极1320、有源层1321、源电极1322、漏电极1323，如图2、图3、图5b所示，栅极1320可属于栅线12的一部分，但不限于此，栅极1320也可相对栅线12独立设置，薄膜晶体管132中栅极1320可与栅线12同层设置。需要说明的是，子像素单元13中薄膜晶体管132的数量可设置有多个，且子像素单元13中还可包括电容结构，图中未示出。

此外，应当理解的是，如图6所示，栅极1320与有源层1321之间还可设置第一绝缘层15，以使栅极1320与有源层1321之间相互绝缘，此第一绝缘层15可采用无机材料制作而成，例如，氧化硅、氮化硅等无机材料。

其中薄膜晶体管132可为顶栅型，也可为底栅型。在本公开的实施例中主要以薄膜晶体管132为底栅型为例进行说明。如图5b和图6所示，在薄膜晶体管132为底栅型时，栅极1320形成在第一衬底10上，此栅极1320可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能；第一绝缘层15形成在第一衬底10上并覆盖栅极1320，此第一绝缘层15可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料；有源层1321形成在第一绝缘层15背离第一衬底10的一侧，源电极1322和漏电极1323分别与有源层1321的两掺杂区连接，该源电极1322和漏电极1323可包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。

而为了保证阵列基板1的透光率，公共电极130可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成；也就是说，由于公共电极130采用的材料与薄膜晶体管132的栅极1320和源电极1322、漏电极1323的材料不同，因此，该公共电极130与薄膜晶体管132的栅极1320和源电极1322、漏电极1323可采用不同构图工艺制作而成。

举例而言，本实施例的公共电极130可在形成薄膜晶体管132的栅极1320之前形成在第一衬底10上，也就是说，在制作阵列基板1时，可先采用一构图工艺在第一衬底10上形成公共电极130，然后再采用另一构图工艺在第一衬底10上形成薄膜晶体管132的栅极1320。需要说明的是，公共电极130与栅极1320虽然都形成在第一衬底10上，但公共电极130与栅极1320之间相互断开，即：公共电极130与栅极1320之间无电性连接。

但应当理解的是，在栅极1320的材料与公共电极130的材料相同时，也可采用一次构图工艺同时在第一衬底10上形成栅极1320和公共电极130。此外，公共电极130不仅可在形成薄膜晶体管132的栅极1320之前形成在第一衬底10上，也可在其之后形成，视具体情况而定。

同理，为了保证阵列基板1的透光率，像素电极131也可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成；此像素电极131可形成在源电极1322、漏电极1323远离第一衬底10的一侧；如图5b和图6所示，像素电极131可与漏电极1323相连接，理应了解的是，在形成源电极1322、漏电极1323之后，且形成像素电极131之前，还可形成一层第二绝缘层16，为了实现像素电极131与漏电极1323的连接，可在第二绝缘层16上开孔，此开孔可露出漏电极1323的表面，而像素电极131可通过此开孔与漏电极1323电连接。

举例而言，此像素电极131可与公共电极130在垂直于第一衬底10的方向相对设计，其中，如图2和图4所示，像素电极131可为狭缝电极，即：电极上开设有狭缝1310，而公共电极130可为板状电极(即：电极为一整块并未开设狭缝)；通过同一平面内像素电极131所产生的电场和公共电极130间产生的电场形成多为电场，使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生偏转，可提高液晶的工作效率，且增加了透光效率。但不限于此，像素电极131和公共电极130也可设置为其他结构，视具体情况而定。

此外，还需说明的是，公共电极130与像素电极131的位置关系不限于前述提到的位于在同一基板上，也可不在同一基板上，例如：像素电极131可位于阵列基板1上，而公共电极130可位于彩膜基板2上等等，视具体情况而定。

如图5b和图6所示，数据线11可与薄膜晶体管132的源电极1322、漏电极1323同层设置，并与源电极1322电连接，但不限于此，数据线11也可与其他电极同层设置，视具体情况而定。举例而言，数据线11可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能。

如图5b所示，数据线11除了具有对位部110之外，还可具有位于对位部110在列方向Y上相对两侧的主线部111，主线部111位于相邻两列子像素单元13之间；结合图4和图5b所示，此主线部111在第一衬底10上的正投影位于第一布线区10b与第二布线区10c的交叉区之外，也就是说，主线部111与第一布线区10b在第一衬底10上的正投影不交叠；其中，主线部111在行方向X上的尺寸小于对位部110在行方向X上的尺寸。

在本公开的实施例中，通过将数据线11中对位部110在行方向X上的尺寸设计的较大，以便于隔垫物3与数据线11进行对位，通过将数据线11中主线部111在行方向X上的尺寸设计的较小，可减小遮挡部覆盖的面积，从而可提高像素开口率。

其中，从对位部110靠近主线部111的一侧至对位部110的中心的方向上，对位部110在行方向X上的尺寸逐渐增大，这样设计在保证对位部110具有足够的面积与隔垫物3进行对位的同时，还可避免对位部110的面积过大，从而影响其他结构的布置。举例而言，此对位部110在第一衬底10上的正投影形状可类似为菱形、椭圆形或其他多边形等，视具体情况而定。

需要说明的是，在列方向Y上，数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸基本不变。

可选地，隔垫物3在第一衬底10上的正投影的边缘与对位部110在第一衬底10上的正投影的边缘之间的间距可为第一间距，此第一间距与数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸之间的比值为50％至100％；比如：数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸为5μm至6μm，第一衬底10上的正投影的边缘之间的间距(即：第一间距)可为3μm至5μm，比如：3μm、4μm、5μm等等，以满足对位偏差的需求。需要说明的是，隔垫物3在第一衬底10上的正投影的边缘与对位部110在第一衬底10上的正投影的边缘之间的间距不限于3μm至5μm，也可大于5μm等等，具体视产线中彩膜基板2与阵列基板1的对位偏差而定。

此外，如图4和图5b所示，数据线11还具有位于主线部111和对位部110之间的过渡部112，此过渡部112在第一衬底10上的正投影可位于第一布线区10b和第二布线区10c的交叉区上，但不限于此，过渡部112的部分在第一衬底10上的正投影也可位于第二布线区10c并不与第一布线区10b交叠。

其中，如图5b所示，过渡部112在行方向X上的尺寸可略大于主线部111在行方向X上的尺寸，并小于对位部110在行方向X上的尺寸，但不限于此，过渡部112在行方向X上的尺寸也可等于主线部111在行方向X上的尺寸。

需要说明的是，如图4和图5b所示，数据线11的对位部110在第一衬底10上的正投影与位于第一布线区10b上的栅线12在第一衬底10上的正投影不交叠，过渡部112在第一衬底10上的正投影与位于第一布线区10b上的栅线12在第一衬底10上的正投影交叠，由于过渡部112在行方向X上的尺寸小于对位部110在行方向X上的尺寸，因此，这样设计可减小数据线11与栅线12之间的重叠面积，从而可降低栅线12与数据线11之间的电容，继而可保证阵列基板1的性能。

由于对位部110的面积较大，因此，如图5b所示，通过对位部110与相邻两列的子像素单元13的漏电极1323电连接，以实现数据线11与相邻两列的子像素单元13电连接，这样设计在保证数据线11与相邻两列的子像素单元13电连接可靠的同时，还可降低工艺难度。

在一些实施例中，如图2、图4和图5b所示，第一衬底10上的第一布线区10b上可设置有两条栅线12；每条栅线和与其相邻的一行子像素单元13中的至少部分子像素单元电连接。

除此之外，如图2、图4、图5b所示，第一布线区10b还可设置公共线14，此公共线14可与栅线12同层设置，并与一行子像素单元13中各子像素单元13的公共电极130搭接，以实现公共线14与公共电极130之间的电性连接。

应当理解的是，为了方便子像素单元13与数据线11、栅线12和公共线14连接，子像素单元13的部分可位于第一布线区10b内，如图2和图4所示。

如图2、图4、图5b所示，在第一布线区10b设置两条栅线12时，数据线11的对位部110在第一衬底10上的正投影位于两条栅线在第一衬底10上的正投影之间，这样设计在减小数据线11与两条栅线12之间的重叠面积的同时，还可使得数据线11的对位部110尽量靠近第一布线区10b和第二布线区10c相交区域的中心位置，即：保证隔垫物3尽量靠近第一布线区10b和第二布线区10c相交区域的中心位置，从而可避免隔垫物3在压力测试过程中滑出交叉遮挡部222的遮挡范围。

在一些实施例中，如图5b和图6所示，当隔垫物3形成在彩膜基板2上时，第一衬底10上还形成有位于隔垫物3在列方向Y上相对两侧的挡墙18，挡墙18中远离第一衬底10的表面相较于隔垫物3中靠近第一衬底10的表面远离第一衬底10，且相较于隔垫物3中远离第一衬底10的表面靠近第一衬底10。本公开的实施例中，通过设置挡墙18可对隔垫物3在列方向Y上的滑动位移进行限定，从而可避免隔垫物3在压力测试过程中滑出被遮挡的区域。

应当理解的是，本公开的实施例中不限于在隔垫物3在列方向Y上的相对两侧设置挡墙18，也可在行方向X上或者其他方向上设置挡墙18。

可选地，挡墙18与隔垫物3之间的间距为第二间距，此第二间距与数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸之间的比值为2.5至8；比如：数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸为5μm至6μm；挡墙18与隔垫物3之间的间距(即：第二间距)可为15μm至40μm，比如：15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm，通过将挡墙18与隔垫物3之间的间距设计为大于或等于15μm，可避免间距过小而导致挡墙18无法阻止隔垫物3滑动的情况；通过将挡墙18与隔垫物3之间的间距设计为小于或等于40μm，可避免间距过大而导致挡墙18的设置失去意义。

在一些实施例中，如图5b和图6所示，数据线11的过渡部112和栅线12在第一衬底10上的正投影相交叠，其交叠位置可定义为阻挡位；其中，挡墙18可包括过渡部112中位于阻挡位的部分和栅线12中位于阻挡位的部分，也就是说，本公开实施例的挡墙18可由数据线11与栅线12相交叠的部位形成，这样设计不需要在通过其他工艺设置挡墙18，可降低加工成本。

其中，如图5b和图6所示，数据线11的过渡部112和公共线14在第一衬底10上的正投影相交叠，其相交叠的部位也可形成挡墙18。

应当理解的是，由于数据线11与薄膜晶体管132的源电极1322、漏电极1323同层设置，栅线12、公共线14与薄膜晶体管132的栅极1320同层设置，因此，数据线11与栅线12、公共线14之间相交叠的部位之间还设置有第一绝缘层15，也就是说，挡墙18除了包括过渡部112中位于阻挡位的部分和栅线12(公共线14)中位于阻挡位的部分之外，还可包括第一绝缘层15中位于阻挡位的部分；此外，还可包括第二绝缘层16中位于阻挡为的部分。

在一些实施例中，如图7所示，彩膜基板2中遮挡层22的交叉遮挡部222在列方向Y上的尺寸大于第一遮挡部220在列方向Y上的尺寸，且交叉遮挡部222在行方向X上的尺寸大于第二遮挡部221在行方向X上的尺寸；这样设计可避免隔垫物3在压力测试过程中滑出被遮挡的区域。

可选地，如图7所示，隔垫物3在第二衬底20上的正投影位于交叉遮挡部在222在第二衬底20上的正投影的中心区域，且隔垫物3在第一衬底10上的正投影的边缘与交叉遮挡部222在第一衬底10上的正投影的边缘之间的间距为第三间距，此第三间距与数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸之间的比值为6.5至12；比如：数据线11的主线部111在行方向X上的尺寸为5μm至6μm；隔垫物3在第一衬底10上的正投影的边缘与交叉遮挡部222在第一衬底10上的正投影的边缘之间的间距(即：第三间距)可为40μm至60μm，比如：40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等等，以避免隔垫物3在压力测试过程中滑出被遮挡的区域。

其中，遮挡层22还具有位于交叉遮挡部222与第一遮挡部220之间的过渡遮挡部223，自第一遮挡部220至交叉遮挡部222的方向上，过渡遮挡部223在列方向Y上的尺寸逐渐增大；其中，过渡遮挡部223与第一遮挡部220之间相对的两端面完全重叠，过渡遮挡部223与交叉遮挡部222之间相对的两端面完全重叠；通过设置过渡遮挡部，在避免隔垫物3在压力测试过程中滑出被遮挡的区域的同时，还可减小遮挡层22的遮挡面积，从而可提高像素开口率。

其中，彩膜基板2还可设置彩膜层21，此彩膜层21可形成在遮挡层22远离第二衬底20的一侧，此彩膜层21可包括阵列排布的红、绿、蓝等颜色的滤光结构。

在一些实施例中，隔垫物3可先形成在彩膜基板2上，然后再使彩膜基板2与阵列基板1进行对盒，但不限于此，隔垫物3也可先形成在阵列基板1上，然后再使彩膜基板2与阵列基板1进行对盒。

其中，隔垫物3可设置有多个，多个隔垫物3的设置可以提高显示面板整体厚度的均一性，提高显示面板对液晶4波动的容忍度，进而提高显示面板的良率。多个隔垫物中可包括主隔垫物和辅隔垫物，主隔垫物可如图6所示的隔垫物3，该主隔垫物在显示面板未收到外界压力时，其两端可分别与阵列基板1和彩膜基板2相接触，主要起到支撑作用；而辅隔垫物(图中未示出)在显示面板未收到外界压力时，辅隔垫物若形成在彩膜基板2上，该辅隔垫物与阵列基板1之间具有一定的间距，也就是说，主隔垫物与辅隔垫物之间存在段差(高度差)，通过调节主隔垫物与辅隔垫物之间的段差可以对显示面板的厚度进行微调。示例地，主隔垫物的高度大于辅隔垫物的高度，当显示面板受到外界压力时，主隔垫物先承受所有压力并压缩，当主隔垫物压缩至主隔垫物与辅隔垫物之间的段差降为0时，主隔垫物和辅隔垫物共同承受外界压力。

此外，还需要说明的是，隔垫物3的位置选择性设置，并非需要阵列基板1中每个第一布线区10b和第二布线区10c的交叉区域都对应设置隔垫物3，这样使得并非每个数据线中位于第一布线区10b和第二布线区10c的交叉区域的部位均设置对位部110，隔垫物3的具体数量、位置可根据实际需求而定。

本公开的实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一实施例所描述的显示面板。此显示装置可为液晶显示装置。

根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，还可包括背光模组、外壳、主电路板、电源线，等等，本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括第一衬底、栅线、数据线及多个子像素单元，所述第一衬底具有呈阵列排布的多个子像素区、位于相邻两行子像素区之间的第一布线区及位于相邻两列子像素区之间的第二布线区，所述第一布线区与所述第二布线区相交；每一所述子像素单元的至少部分位于一所述子像素区上；所述栅线位于所述第一布线区上并与所述子像素单元电连接，所述数据线位于所述第二布线区上并与所述子像素单元电连接，所述数据线与所述栅线相互绝缘且在所述第一衬底上的正投影相交，所述数据线具有对位部，所述对位部在所述第一衬底上的正投影位于所述第一布线区和所述第二布线区相交叉的区域内；

隔垫物，设置在所述对位部背离所述阵列基板的一侧，所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影位于所述对位部在所述第一衬底上的正投影内；

彩膜基板，所述彩膜基板包括位于所述隔垫物远离所述阵列基板一侧的第二衬底及位于所述第二衬底靠近所述阵列基板一侧的遮挡层，所述遮挡层具有交叉遮挡部、位于所述交叉遮挡部在行方向相对两侧的第一遮挡部、以及位于所述交叉遮挡部在列方向上相对两侧的第二遮挡部；遮挡层中第一遮挡部、第二遮挡部和交叉遮挡部在第一衬底上的正投影覆盖部分子像素区，遮挡层还具有位于交叉遮挡部与第一遮挡部之间的过渡遮挡部，自第一遮挡部至交叉遮挡部的方向上，过渡遮挡部在列方向上的尺寸逐渐增大；

所述第一衬底上还形成有位于所述隔垫物在所述列方向上相对两侧的挡墙，所述挡墙中远离所述第一衬底的表面相较于所述隔垫物中靠近所述第一衬底的表面远离所述第一衬底，且相较于所述隔垫物中远离所述第一衬底的表面靠近所述第一衬底；

所述数据线还具有位于所述对位部在列方向上相对两侧的主线部，所述数据线还具有位于所述主线部和所述对位部之间的过渡部，所述主线部在行方向上的尺寸小于所述对位部在行方向上的尺寸，所述过渡部在行方向上的尺寸大于所述主线部在行方向上的尺寸，并小于所述对位部在行方向上的尺寸；所述过渡部和所述栅线在所述第一衬底上的正投影相交叠，其交叠位置定义为阻挡位；所述挡墙包括所述过渡部中位于所述阻挡位的部分和所述栅线中位于所述阻挡位的部分。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述主线部在所述第一衬底上的正投影与所述第一布线区在所述第一衬底上的正投影不交叠；

所述隔垫物设置在沿行方向相邻的用于驱动所述子像素单元的两个薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管位于所述第一布线区，且位于相邻两个第二布线区之间。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

从所述对位部靠近所述主线部的一侧至所述对位部的中心的方向上，所述对位部在所述行方向上的尺寸逐渐增大。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影的边缘与所述对位部在所述第一衬底上的正投影的边缘之间的间距为第一间距；

其中，所述第一间距与所述数据线的主线部在行方向上的尺寸之间的比值为50％至100％。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第一布线区上设置有两条所述栅线，每条所述栅线和与其相邻的一行子像素单元中的至少部分子像素单元电连接；

所述对位部在所述第一衬底上的正投影位于两条所述栅线在所述第一衬底上的正投影之间。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述挡墙与所述隔垫物之间的间距为第二间距；

其中，所述第二间距与所述数据线的主线部在行方向上的尺寸之间的比值为2.5至8。

7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述对位部与相邻两列的子像素单元电连接。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述交叉遮挡部在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述第一布线区与所述第二布线区的交叉区域，所述第一遮挡部在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述第一布线区且不与所述第二布线区交叠，所述第二遮挡部在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述第二布线区且不与所述第一布线区相交叠；

所述交叉遮挡部在列方向上的尺寸大于所述第一遮挡部在列方向上的尺寸，且所述交叉遮挡部在行方向上的尺寸大于所述第二遮挡部在行方向上的尺寸。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述隔垫物在所述第二衬底上的正投影位于所述交叉遮挡部在所述第二衬底上的正投影的中心区域内，

所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影的边缘与所述交叉遮挡部在所述第一衬底上的正投影的边缘之间的间距为第三间距；

其中，所述第三间距与所述数据线的主线部在行方向上的尺寸之间的比值为6.5至12。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述遮挡层还具有位于所述交叉遮挡部与所述第一遮挡部之间的过渡遮挡部；所述过渡遮挡部与所述第一遮挡部之间相对的两端面完全重叠，所述过渡遮挡部与所述交叉遮挡部之间相对的两端面完全重叠。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的显示面板。