JP2003013234A - 気化器及び気化供給装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体の製造等に用いられる化学気相成長
（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶＤ原料を供給するための
気化器、気化供給装置において、固体ＣＶＤ原料を用い
た場合においても、原料供給口で固体ＣＶＤ原料が析出
して付着することなく、所望の濃度及び流量で効率よく
気化供給が可能な気化器、気化供給装置を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ原料供給部のＣＶＤ原料との接触
部が耐腐食性合成樹脂で構成される気化器とする。ま
た、前記気化器に加えて、気化室の加熱時にＣＶＤ原料
供給部の金属構成部分を冷やすための冷却器を備えた気
化供給装置とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造等に
用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶ
Ｄ原料を供給するための気化器及び気化供給装置に関す
る。さらに詳細には、液体ＣＶＤ原料、または液体ＣＶ
Ｄ原料若しくは固体ＣＶＤ原料を溶媒に溶解させた液体
ＣＶＤ原料を、品質を低下させることなく、所望の濃度
及び流量で効率よく気化供給するための気化器及び気化
供給装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの絶縁薄膜には、ゲート
絶縁膜としてＳｉＯ₂、キャパシタ絶縁膜としてＳｉ₃Ｎ
₄、層間絶縁膜としてＰＳＧ（リン・シリコン・ガラ
ス）、ＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリコン・ガラス）が
ある。従来よりこれらをＣＶＤ装置により製造するため
の材料としては、ＳｉＨ₄、ＮＨ₃、ＰＨ₃、Ｂ₂Ｈ₆等の
気体原料が用いられてきたが、デバイスの三次元化や配
線の多層化が進むにつれて、絶縁膜の平坦化に対する要
求が高まってきており、ボイド等の欠陥が発生しにくく
高品質の薄膜形成が可能な液体原料も使用されている。
例えば、ＳｉＯ₂膜の原料としてはテトラエトキシケイ
素（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）が、ＢＰＳＧ膜の原料として
はトリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ₃）₃）、トリメトキ
シリン（Ｐ（ＯＣＨ₃）₃）等が用いられている。

【０００３】また、このほかにもＳｉＯ₂の数倍の高い
誘電率を示すＴａ₂Ｏ₅膜等の新しい種類の薄膜も開発さ
れており、Ｔａ₂Ｏ₅膜の原料としては、液体であるペン
タエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）が用いられ
ている。さらに近年においては、半導体メモリー用の酸
化物系誘電体薄膜として、より高誘電率でステップカバ
レッジ性が高いチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、チ
タン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）膜等が用いら
れている。これらの薄膜の原料としては、例えばＰｂ源
としてＰｂ（ＤＰＭ）₂（固体原料）、Ｚｒ源としてＺ
ｒ（ＯＣ（ＣＨ₃）₃）₄（液体原料）、Ｔｉ源としてＴ
ｉ（ＯＣＨ（ＣＨ₃）₂）₄（液体原料）、Ｂａ源として
Ｂａ（ＤＰＭ）₂（固体原料）、Ｓｒ源としてＳｒ（Ｄ
ＰＭ）₂（固体原料）が用いられている。

【０００４】ＣＶＤ原料として液体原料を使用する場合
は、液体原料は気化器等でガス状にされた後、ＣＶＤ装
置に供給される。しかし、液体原料は、一般的に蒸気圧
が低く、粘度が高く、気化温度と分解温度が接近してい
るため、その品質を低下させることなく、しかも所望の
濃度及び流量で効率よく気化させることは困難なことで
あった。また、固体原料は、高温に保持し昇華して気化
供給することにより高純度の原料を得ることが可能であ
るが、工業的には充分な供給量を確保することが極めて
困難であるため、通常はテトラヒドロフラン等の溶媒に
溶解させて液体原料とすることにより気化させて使用し
ている。しかし、固体原料は、気化温度が溶媒と大きく
相異するため、加熱により溶媒のみが気化しやすく、液
体原料の気化よりもさらに困難であった。

【０００５】このように液体原料あるいは固体原料を用
いた絶縁薄膜の製造は、高度の技術を必要とするが、気
体原料を用いた絶縁薄膜より高品質、高純度のものが期
待できるため、これらの原料を劣化させずに効率よく気
化する目的で、種々の気化器あるいは気化供給装置が開
発されてきた。例えば、液体原料を気化するための気化
器としては、気化容器の形状が、球形、楕球形、樽形、
または端部が丸みをおびた円筒形、円錐形、円錐台形、
半球形、またはこれらに類似する形状若しくはこれらを
組み合せた形状であり、キャリアガスが気化容器内で旋
回流を形成するように設定された気化器（特開平１１−
３４２３２８号公報）が挙げられる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記気化器は、加熱さ
れたキャリアガスを気化容器の内壁面に沿って旋回させ
ることで、原料供給口において霧化器等により霧化され
た原料がこのキャリアガスに巻き込まれて接触加熱され
るので、内壁面からの直接的な加熱による原料の品質低
下や内壁面への付着物の堆積が極めて少なくなり、また
気化効率の向上が期待できる優れた気化器である。しか
しながら、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶ
Ｄ原料を用いた場合には、このような気化器を用いて
も、原料供給口では溶媒のみが気化しやすく、長時間の
使用により固体ＣＶＤ原料が析出してＣＶＤ原料の流路
内に付着し、絶縁薄膜の品質、純度に悪影響を及ぼす虞
があった。

【０００７】また、ＣＶＤ原料は一般的に高価なもので
あり、化学気相成長においてはＣＶＤ原料を高濃度で供
給することによりその利用効率を上げることが好ましい
が、ＣＶＤ原料に伴って供給されるキャリアガスの供給
量を減少させると、溶媒が気化し固体ＣＶＤ原料が析出
する傾向が大きくなるという不都合があった。従って、
本発明が解決しようとする課題は、固体ＣＶＤ原料を用
いた場合においても、ＣＶＤ原料供給口で固体ＣＶＤ原
料が析出して付着することなく、所望の濃度及び流量で
効率よく気化供給が可能な気化器及びそのような気化器
を有する気化供給装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決すべく鋭意検討した結果、ＣＶＤ原料供給部
においてＣＶＤ原料との接触部の構成材料を、耐熱性の
ほか、断熱性があり、ＣＶＤ原料が付着しにくい特性を
有する耐腐食性合成樹脂、特にフッ素系樹脂、ポリイミ
ド系樹脂等とすることにより、また、それに加えて、気
化室の加熱時にＣＶＤ原料供給部を冷却することによ
り、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料
を用いた場合においても、有機溶媒のみが気化する一因
である急激なＣＶＤ原料の加熱を防止できること、及び
固体ＣＶＤ原料が析出しても付着しにくくなることを見
い出し本発明に到達した。

【０００９】すなわち本発明は、ＣＶＤ原料の気化室、
ＣＶＤ原料を該気化室に供給するためのＣＶＤ原料供給
部、気化ガス排出口、及び該気化室の加熱手段を有する
気化器であって、該ＣＶＤ原料供給部のＣＶＤ原料との
接触部の少なくとも一部が耐腐食性合成樹脂で構成され
ることを特徴とする気化器である。また、本発明は、Ｃ
ＶＤ原料の気化室、ＣＶＤ原料を該気化室に供給するた
めのＣＶＤ原料供給部、気化ガス排出口、及び該気化室
の加熱手段を有する気化器であって、該ＣＶＤ原料供給
部が、内部及び気化室側の表面が耐腐食性合成樹脂で構
成され、気化器外部との接触部が金属で構成されること
を特徴とする気化器でもある。

【００１０】さらに、本発明は、ＣＶＤ原料の気化室、
ＣＶＤ原料を該気化室に供給するためのＣＶＤ原料供給
部、気化ガス排出口、及び該気化室の加熱手段を内蔵す
る気化器と、冷却器を有する気化供給装置であって、気
化器のＣＶＤ原料供給部は、内部及び気化室側の表面が
耐腐食性合成樹脂で構成され気化器の外部との接触部が
金属で構成されており、気化室の加熱時に加熱手段から
熱伝導を受ける該ＣＶＤ原料供給部の金属構成部分の少
なくとも一部が、冷却器により冷却可能な構成であるこ
とを特徴とする気化供給装置でもある。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、液体ＣＶＤ原料、また
は液体ＣＶＤ原料あるいは固体ＣＶＤ原料を溶媒に溶解
させた液体ＣＶＤ原料を気化させて、ＣＶＤ装置等に供
給する気化器に適用されるが、固体ＣＶＤ原料を使用す
る場合において、気化器のＣＶＤ原料供給口における固
体ＣＶＤ原料の析出、付着を防止できる点で特に効果を
発揮する。

【００１２】本発明の気化器は、ＣＶＤ原料供給部のＣ
ＶＤ原料との接触部の少なくとも一部が、耐熱性のほ
か、断熱性がありＣＶＤ原料が付着しにくい特性を有す
る耐腐食性合成樹脂、例えば、フッ素系樹脂またはポリ
イミド系樹脂で構成される気化器であり、好ましくは、
ＣＶＤ原料供給部の内部及び気化室側の表面が、前記特
性を有する耐腐食性合成樹脂で構成され、ＣＶＤ原料供
給部の気化器外部との接触部が高い気密性を有する金属
で構成される気化器とされる。また、本発明の気化供給
装置は、少なくとも上記気化器及び冷却器からなり、気
化室の加熱時に加熱手段から熱伝導を受ける前記金属構
成部分が、冷却器により冷却可能な気化供給装置であ
る。

【００１３】本発明の気化器及び気化供給装置に適用で
きるＣＶＤ原料は、常温で液体であってもまた固体を溶
媒に溶解したものであっても、液状を保持し得るもので
あれば特に制限はなく、用途に応じて適宜選択、使用さ
れる。例えばテトラiso-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ
Ｈ（ＣＨ₃）₂）₄）、テトラn-プロポキシチタン（Ｔｉ
（ＯＣ₃Ｈ₇）₄）、テトラtert-ブトキシジルコニウム
（Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ₃）₃）₄）、テトラn-ブトキシジル
コニウム（Ｚｒ（ＯＣ₄Ｈ₉）₄）、テトラメトキシバナ
ジウム（Ｖ（ＯＣＨ₃）₄）、トリメトキシバナジルオキ
シド（ＶＯ（ＯＣＨ ₃）₃）、ペンタエトキシニオブ（Ｎ
ｂ（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ
（ＯＣ₂Ｈ₅）₅）、トリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ₃）
₃）、トリiso-プロポキシアルミニウム（Ａｌ（ＯＣＨ
（ＣＨ₃）₂）₃）、テトラエトキシケイ素（Ｓｉ（ＯＣ₂
Ｈ₅）₄）、テトラエトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣ₂
Ｈ₅）₄）、テトラメトキシスズ（Ｓｎ（ＯＣＨ₃）₄）、
トリメトキシリン（Ｐ（ＯＣＨ₃）₃）、トリメトキシホ
スフィンオキシド（ＰＯ（ＯＣＨ₃）₃）、トリエトキシ
ヒ素（Ａｓ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃）、トリエトキシアンチモン
（Ｓｂ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃）等の常温で液体のアルコキシド
を挙げることができる。

【００１４】また、前記のほかに、トリメチルアルミニ
ウム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）、ジメチルアルミニウムハイド
ライド（Ａｌ（ＣＨ₃）₂Ｈ）、トリiso-ブチルアルミニ
ウム（Ａｌ（iso-Ｃ₄Ｈ₉）₃）、ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン銅ビニルトリメチルシラン（（ＣＦ₃ＣＯ）₂
ＣＨＣｕ・ＣＨ₂ＣＨＳｉ（ＣＨ₃）₃）、ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン銅アリルトリメチルシラン（（ＣＦ
₃ＣＯ）₂ＣＨＣｕ・ＣＨ₂ＣＨＣＨ₂Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）、
ビス（iso-プロピルシクロペンタジエニル）タングステ
ンジハライド（（iso-Ｃ₃Ｈ₇Ｃ₅Ｈ₅）₂ＷＨ₂）、テトラ
ジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ（Ｎ（Ｃ
Ｈ₃）₂）₄）、ペンタジメチルアミノタンタル（Ｔａ
（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₅）、ペンタジエチルアミノタンタル
（Ｔａ（Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）₅）、テトラジメチルアミノチ
タン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₄）、テトラジエチルアミ
ノチタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）₄）等の常温で液体の
原料を例示することができる。

【００１５】さらに、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍ
ｏ（ＣＯ）₆）、ジメチルペントオキシ金（Ａｕ（Ｃ
Ｈ₃）₂（ＯＣ₅Ｈ₇））、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-
3,5ヘプタンジオナイト）バリウム（Ｂａ（（Ｃ（Ｃ
Ｈ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₂）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチ
ル-3,5ヘプタンジオナイト）ストロンチウム（Ｓｒ
（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₂）、テトラ（2,2,6,6,
-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）チタニウム
（Ｔｉ（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₄）、テトラ（2,
2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコ
ニウム（Ｚｒ（（Ｃ（ＣＨ₃ ）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₄）、ビス
（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）鉛
（Ｐｂ（（Ｃ（ＣＨ₃）₃）₂Ｃ₃ＨＯ₂）₂）、（ジターシ
ャリーブトキシドビス）（2,2,6,6,-テトラメチル-3.5.
ヘプタンジオナイト）チタニウム、（ジ-イソプロポキ
シ）（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイ
ト）チタニウム、テトラキス（イソブチリルピバロイル
メタナート）ジルコニウム、または（イソプロポキシ）
トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナ
イト）ジルコニウム等の常温で固体の原料を例示するこ
とができる。ただし、これらは通常０．１〜１．０ｍｏ
ｌ／Ｌ程度の濃度で有機溶媒に溶解して使用する必要が
ある。

【００１６】固体ＣＶＤ原料の溶媒として用いられる前
記有機溶媒は、通常はその沸点温度が４０℃〜１４０℃
の有機溶媒である。それらの有機溶媒として、例えば、
プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロ
ピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレ
ン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエー
テル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、ブチルアルコール等のアルコール、アセト
ン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、
iso-ブチルメチルケトン等のケトン、プロピルアミン、
ブチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ト
リエチルアミン等のアミン、酢酸エチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル等のエステル、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン等の炭化水素等を挙げることができる。

【００１７】以下、本発明の気化器を、図１〜図３に基
づいて詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定さ
れるものではない。図１は本発明の気化器の例を示す断
面図、図２は本発明の気化器のＣＶＤ原料供給部の一例
を示す断面図、図３は本発明の気化器の図２以外のＣＶ
Ｄ原料供給部の例を示す断面図である。

【００１８】本発明の気化器は、図１に示すように、Ｃ
ＶＤ原料の気化室５、ＣＶＤ原料を気化室に供給するた
めのＣＶＤ原料供給部６、気化ガス排出口７、及び気化
室の加熱手段（ヒーター等）８を有する気化器であり、
ＣＶＤ原料供給部のＣＶＤ原料との接触部（ＣＶＤ原料
の流路１２、流路１４の周辺部）の少なくとも一部が、
フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂
で構成される気化器である。さらに本発明の気化器は、
好ましくは図２に示すように、ＣＶＤ原料供給部の内部
９及び気化室側の表面１０がフッ素系樹脂またはポリイ
ミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂で構成され、ＣＶＤ原
料供給部の気化器外部との接触部１１が金属で構成され
る気化器である。

【００１９】本発明において、耐腐食性合成樹脂の構成
部は、通常はＣＶＤ原料供給部の内部に形成される。耐
腐食性合成樹脂の構成部の形状については特に制限され
ることがないが、通常は図２に示すように円柱形または
これに類似する形状である。ＣＶＤ原料は、例えばステ
ンレス管１７及び耐腐食性合成樹脂により構成された流
路１２を通過して気化室に供給される。尚、前記のよう
にステンレス管を耐腐食性合成樹脂の構成部の内部まで
挿入して装着する場合は、接続箇所で漏れがないように
することが必要であり、さらに継手を用いる場合は回転
トルクを生じないシールを行なうことが好ましい。

【００２０】耐腐食性合成樹脂の構成部は、ＣＶＤ原料
の流路の周辺部のみでもよいが、ＣＶＤ原料として固体
ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたものを使用した場
合、ヒーター等の加熱手段により溶媒が急激に加熱され
て流路内で気化することを防止するために厚くすること
が好ましい。しかし、金属の構成部を薄くしすぎると気
密性を保つことが困難になるので、金属の厚みは通常は
１．０ｍｍ以上とされる。また、本発明の気化器はこの
ような構成となっているので、溶媒のみが気化し固体Ｃ
ＶＤ原料が析出しても、耐腐食性合成樹脂で構成される
流路の壁面には固体ＣＶＤ原料が付着しにくい。

【００２１】尚、従来の気化器のＣＶＤ原料供給部の構
成材料としては、通常はＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ
等のステンレス鋼が用いられているが、これらの構成材
料は、熱伝導性が高く固体ＣＶＤ原料が付着しやすい特
性を有するため、気化室の加熱手段により急激にＣＶＤ
原料が加熱されて有機溶媒のみが気化し、原料供給口で
固体ＣＶＤ原料が析出して付着する虞があった。しか
し、本発明の気化器は、前述のようにＣＶＤ原料供給部
のＣＶＤ原料との接触部を、断熱性がありＣＶＤ原料が
付着しにくい特性を有する耐腐食性合成樹脂としたの
で、このような虞が極めて少なくなった。

【００２２】本発明の気化器においては、固体ＣＶＤ原
料を使用する場合、さらに気化器のＣＶＤ原料供給部に
おける固体ＣＶＤ原料の付着を防止するために、ＣＶＤ
原料にキャリアガスを添加して線速度を上げた後、気化
室に供給する構成とすることが好ましい。また、このよ
うな構成においては、気化室への供給口における付着を
防止するために、ＣＶＤ原料供給部内のＣＶＤ原料流路
を、気化室への供給口近辺で細くして、線速度を高くす
る構成とすることが好ましい。さらに同様の目的で、図
３（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ原料供給部の気化室側の
外形が、気化室に向かって凸形状となるように、円錐
形、円錐台形、半球形またはこれらに類似する形状とす
ることが好ましい。

【００２３】また、本発明の気化器においては、液体原
料の種類、供給量、気化ガス濃度、その他の操作条件な
どに応じて所望の温度に設定できるような加熱手段が付
与される。加熱手段の設置形態については、気化室を精
度良く加熱保温できれば特に限定されることがなく、例
えばヒーターが気化器側面の構成部等に内蔵されて設け
られる。しかし、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させ
たＣＶＤ原料を用いた場合において、ＣＶＤ原料供給部
の急激なＣＶＤ原料の加熱を防止する効果をさらに向上
させるために、ＣＶＤ原料供給部の側面周辺の気化室外
壁に空間部が設けられてＣＶＤ原料供給部への熱伝導が
制限されることが好ましい。気化室の加熱温度は、液体
原料の種類、供給量、気化ガス濃度、その他の操作条件
などによっても異なるが、通常は４０〜２５０℃程度と
なるように設定される。

【００２４】尚、本発明の気化器において、ＣＶＤ原料
供給部のＣＶＤ原料との接触部、あるいは内部及び気化
室側の表面の構成材料として使用される耐腐食性合成樹
脂としては、使用される溶媒の沸点温度以上の耐熱性を
有し、かつＣＶＤ原料と溶媒に対する耐腐食性を有する
ものであれば特に限定されることがなく、例えばフェノ
ール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド系樹
脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等を使用すること
ができる。但し、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂以外
の合成樹脂を使用する場合は、ＣＶＤ原料、溶媒によっ
てはこれらの作用を受ける虞があるので、ＣＶＤ原料、
溶媒との接触面をフッ素系樹脂またはポリイミド系樹脂
により被覆することが好ましい。

【００２５】フッ素系樹脂の種類としては、耐熱性、耐
腐食性、断熱性を有し、ＣＶＤ原料が付着しにくい特性
を有する材質であればいずれも用いることができる。こ
のようなフッ素系樹脂として、例えば、ポリテトラフル
オロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリトリフルオロエチレン
（ＰＴｒＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）等が挙げられる。

【００２６】また、ポリイミド系樹脂としては、ポリイ
ミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂等分子内に（−Ｎ（Ｃ
Ｏ）_２−）の構造を有し、耐熱性、耐腐食性、断熱性の
他、ＣＶＤ原料が付着しにくい特性を有するものであれ
ばいずれも用いることができる。また、ＣＶＤ原料供給
部の気化器外部との接触部の構成材料として使用される
金属としては、炭素鋼、マンガン鋼、クロム鋼、モリブ
デン鋼、ステンレス鋼、ニッケル鋼等を挙げることがで
きる。

【００２７】本発明の気化器において、気化室の形状に
ついては特に制限されることがないが、通常は円筒形ま
たは円筒形に類似する形状とされる。気化室の構成材料
についても特に制限されることがなく、炭素鋼、マンガ
ン鋼、クロム鋼、モリブデン鋼、ステンレス鋼、ニッケ
ル鋼等の金属を用いることができるが、これらのうちで
は、耐腐食性の点でＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等の
ステンレス鋼、またはインコネル、ハステロイ等の高ニ
ッケル鋼を用いることが好ましい。

【００２８】本発明の気化器は、他の気化効率を向上さ
せるための手段と組合せて使用することができる。例え
ば、ＣＶＤ原料供給部のＣＶＤ原料との接触部を耐腐食
性合成樹脂とするとともに、気化室の形状を、球形、楕
球形、樽形、円筒形、円錐形、円錐台形、半球形、また
はこれらに類似する形状とし、キャリヤーガスの供給口
の向きを、キャリヤーガスが気化室内で旋回流を形成す
るように設定した気化器とすることができる。これによ
り、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料
を、原料供給口で固体ＣＶＤ原料が析出して付着するこ
となく、気化室の内壁面による加熱とともに、気化室の
キャリヤーガス供給口より供給され気化室の内壁面に沿
って旋回する加熱されたキャリヤーガスに巻き込ませ接
触加熱させて、所望の濃度及び流量で効率よく気化させ
ることができる。

【００２９】また、その他の気化効率を向上させるため
の手段と組合せとしては、ＣＶＤ原料供給部のＣＶＤ原
料との接触部を耐腐食性合成樹脂とするとともに、気化
室の中央部に、加熱手段を有する突起が気化室の下部に
固定されて設けられている気化器を例示することができ
る。これにより、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に溶解させ
たＣＶＤ原料を、原料供給口で固体ＣＶＤ原料が析出し
て付着することなく、気化室の内壁面及び気化室の中央
部の突起で加熱させて、所望の濃度及び流量で効率よく
気化させることができる。

【００３０】次に、本発明の気化供給装置を、図４、図
５に基づいて詳細に説明する。図４、図５は本発明の気
化供給装置の例を示す構成図である。本発明の気化供給
装置は、図４に示すように、気化器１及び冷却器２を有
する装置であるが、図５に示すように、気化器、冷却器
とともに、ＣＶＤ原料の脱ガス器３及び／またはマスフ
ローコントローラー４を設置することもできる。本発明
においては、これらの図に示すように、気化器のＣＶＤ
原料供給部の気化器外部との接触部１１（金属構成部
分）の少なくとも一部が、冷却器により冷却可能な構成
とされる。尚、これらの図では、冷却器２はシロッコフ
ァンであり、送風によりＣＶＤ原料供給部の金属構成部
分が冷却される構成となっているが、本発明の気化供給
装置はこれに限定されることがなく、例えば冷却水を利
用した冷却器を用いることも可能である。また、本発明
の気化供給装置においては、気化器を断熱材で保温する
ことが好ましい。

【００３１】図６、図７は、本発明の気化器、気化供給
装置を適用した気化供給システムの一例を示す構成図で
ある。本発明は、液体原料を所望の濃度及び流量で効率
よく気化供給することを目的としているが、そのために
は気化器に原料が供給される前に既に原料が劣化してい
たり濃度及び流量が不均一であってはならない。液体原
料容器は、液体原料を供給するための容器であり、液体
原料を変質することなく保有することができるものであ
れば大きさ、形状等には特に限定はない。また、液体原
料容器を加圧下に保持し、液体流量制御部に加圧供給す
る場合には、５ｋｇｆ／ｃｍ²程度の加圧に耐え得る構
造とすることが好ましい。

【００３２】液体流量制御部は、液体原料を高い精度で
定量的に気化器に供給するものであり、例えば液体マス
フローコントローラーを使用することによって精度良く
供給することができる。また、流量変更可能なポンプと
制御弁、あるいはポンプと流量制御器等で構成すること
も可能である。ポンプを使用する場合は、液体原料を脈
流なしに供給するために、通常は二連あるいは多連の耐
食性べローズポンプ等が用いられる。また、ポンプの二
次側にはＣＶＤ装置が減圧で操作される場合であっても
流量制御ができるように逆止弁を設けることもできる。

【００３３】さらに、マスフローコントローラーにおい
て正確にＣＶＤ原料を計量するために、ＣＶＤ原料に溶
存している不活性ガスを除去できる脱ガス器をマスフロ
ーコントローラーの前段に設けることもできる。このよ
うな脱ガス器としては、ガス透過性の合成樹脂チューブ
の内部側に、第１の不活性ガスが溶存した液体原料を流
通させるとともに、この合成樹脂チューブの外部側表面
に沿って、合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不
活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させて、第２
の不活性ガスの合成樹脂チューブ内部側への透過を抑制
しながら、第１の不活性ガスを合成樹脂チューブ外部側
へ透過させることにより脱ガスを行なう脱ガス器（特願
平１１−３４８１５６）を例示することができる。

【００３４】本発明の気化供給装置を用いて、固体ＣＶ
Ｄ原料を有機溶媒に溶解させたＣＶＤ原料を気化する際
は、気化室が加熱されるとともに、気化器のＣＶＤ原料
供給部の金属構成部分１１の少なくとも一部が冷却器に
より冷却される。この時の前記金属構成部分の温度は、
使用される有機溶媒により一概に限定することはできな
いが、通常は８０℃以下、好ましくは５０℃以下とされ
る。本発明の気化供給装置を用いた気化供給方法におい
ては、金属より断熱性が優れている合成樹脂をＣＶＤ原
料供給部の内部構成材料として用いるほか、気化室の加
熱時にＣＶＤ原料供給部を冷却することにより、ＣＶＤ
原料供給部における急激なＣＶＤ原料の加熱あるいは有
機溶媒の加熱を防止することができる。

【００３５】

【実施例】次に、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明がこれらにより限定されるものではない。

【００３６】実施例１ 図２に示すような内部及び気化室側の表面がフッ素系樹
脂（ＰＦＡ）で構成され、気化器外部との接触部がステ
ンレス鋼（ＳＵＳ３１６）で構成されるＣＶＤ原料供給
部を製作した。フッ素系樹脂の構成部は、外径１６ｍ
ｍ、高さ３４．２ｍｍの円柱状であり、その外側のステ
ンレス鋼の厚みは２．０ｍｍである。また、ＣＶＤ原料
及びキャリアガスの配管として、先端に継手（厚木バル
ブ・フィッティング（株）製ＳＷＡＧＥＬＯＫ）を有す
る内径が１．５ｍｍのステンレス管２本をフッ素系樹脂
の構成部の内部まで挿入して装着し、ＣＶＤ原料及びキ
ャリアガスがフッ素系樹脂の構成部の内部で混合した
後、気化室に供給される構成とした。尚、フッ素系樹脂
で構成されるＣＶＤ原料及びキャリアガスの流路の内径
は０．３ｍｍとした。

【００３７】前記のＣＶＤ原料供給部のほか、気化ガス
排出口、気化室の加熱手段、及びヒーターが内蔵された
突起を有する図１に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３
１６）の気化器を製作した。尚、気化室は、内径が６５
ｍｍ、高さが９２．５ｍｍの円柱状で、底部の突起は高
さ２７．５ｍｍであり、また底部から１５ｍｍの高さに
は気化ガス排出口を設けた。次に、液体マスフローコン
トローラー、キャリアガス供給ライン等を接続し、図６
に示すような気化供給システムを製作した。

【００３８】前記のような装置を用いて以下のように気
化供給試験を行なった。気化室を１０ｔｏｒｒ、２７０
℃の温度とし、固体ＣＶＤ原料であるＳｒ（ＤＰＭ）_２
を０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度でＴＨＦ溶媒に溶解させた液
体ＣＶＤ原料及び窒素ガスを、各々１．０ｇ／ｍｉｎ、
０．３Ｌ／ｍｉｎの流量で、気化器のＣＶＤ原料供給部
に供給することにより、フッ素系樹脂の構成部の内部で
混合させた後、気化室で液体ＣＶＤ原料を気化させた。
１時間継続して気化供給試験を行なった後、ＣＶＤ原料
供給部の流路におけるＣＶＤ原料の付着状態を調査した
が、固体ＣＶＤ原料の析出はなく、ＣＶＤ原料が効率よ
く気化供給されていることが確認できた。

【００３９】実施例２ 実施例１におけるＣＶＤ原料供給部の内部及び気化室側
の表面の構成材料をポリイミド樹脂に替えたほかは実施
例１と同様にして気化器を製作した。この気化器を用い
て実施例１と同様にして気化供給試験を１時間継続して
行なった。その結果、ＣＶＤ原料供給部の流路における
固体ＣＶＤ原料の析出はなく、ＣＶＤ原料が効率よく気
化供給されていることが確認できた。

【００４０】比較例１ 実施例１におけるＣＶＤ原料供給部を、全てステンレス
鋼（ＳＵＳ３１６）から成るＣＶＤ原料供給部に替えた
ほかは実施例１と同様にして気化器を製作した。この気
化器を用いて実施例１と同様にして気化供給試験を行な
った。その結果、試験開始１５分後に、Ｓｒ（ＤＰＭ）
_２の析出によりＣＶＤ原料供給部の流路が閉塞したので
試験を中止した。

【００４１】実施例３ （気化供給装置の製作）図２に示すような内部及び気化
室側の表面がフッ素系樹脂（ＰＦＡ）で構成され、気化
器外部との接触部がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）で構
成されるＣＶＤ原料供給部を製作した。フッ素系樹脂の
構成部は、外径１６ｍｍ、高さ３４．２ｍｍの円柱状で
あり、その外側のステンレス鋼の厚みは２．０ｍｍであ
る。また、ＣＶＤ原料及びキャリアガスの配管として、
先端に継手（厚木バルブ・フィッティング（株）製ＳＷ
ＡＧＥＬＯＫ）を有する内径が１．５ｍｍのステンレス
管２本をフッ素系樹脂の構成部の内部まで挿入して装着
し、ＣＶＤ原料及びキャリアガスがフッ素系樹脂の構成
部の内部で混合した後、気化室に供給される構成とし
た。尚、フッ素系樹脂で構成されるＣＶＤ原料及びキャ
リアガスの流路の内径は０．３ｍｍとした。

【００４２】前記のＣＶＤ原料供給部のほか、気化ガス
排出口、気化室の加熱手段、及びヒーターが内蔵された
突起を有する図３に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３
１６）の気化器を製作した。尚、気化室は、内径が６５
ｍｍ、高さが９２．５ｍｍの円柱状で、底部の突起は高
さ２７．５ｍｍであり、また底部から１５ｍｍの高さに
気化ガス排出口を設けた。また、未気化のＣＶＤ原料を
気化器の底部から取出せるような構成とした。

【００４３】次に、気化器に、脱ガス器、液体マスフロ
ーコントローラー、ＣＶＤ原料供給管、キャリアガス供
給管等を接続するとともに、シロッコファンをＣＶＤ原
料供給部のステンレス鋼の構成部分が冷却可能なように
設置して、図５に示すような気化供給装置を製作した。
さらに、気化供給装置を、ＣＶＤ原料容器、キャリアガ
ス供給ラインと接続するとともに、気化器の気化ガス排
出口は、気化ガス中のＣＶＤ原料を捕取するための液体
窒素冷却トラップと接続した。

【００４４】（気化供給試験）前記のような装置を用い
て以下のように気化供給試験を行なった。気化室を１０
ｔｏｒｒ、２７０℃の温度とし、シロッコファンにより
ＣＶＤ原料供給部のステンレス鋼の構成部分（ＣＶＤ原
料供給部の頂部）を、４５〜５０℃の温度に保持した。
次に固体ＣＶＤ原料であるＳｒ（ＤＰＭ）_２を０．１ｍ
ｏｌ／Ｌの濃度でＴＨＦ溶媒に溶解させた液体ＣＶＤ原
料及び窒素ガスを、各々１．０ｇ／ｍｉｎ、０．３Ｌ／
ｍｉｎの流量で、気化器のＣＶＤ原料供給部に供給し、
フッ素系樹脂の構成部の内部で混合させた後、気化室で
液体ＣＶＤ原料を気化させた。気化器排出口から排出さ
れる気化ガスを５時間にわたり冷却捕取し気化供給を終
了した。

【００４５】冷却捕取した液体ＣＶＤ原料からＳｒ（Ｄ
ＰＭ）_２を採取し電子天秤で捕取量を測定するとともに
ＦＴ−ＩＲにより分析して調べた結果、気化効率は９
９．７％であった。また、気化供給試験を行なった後、
ＣＶＤ原料供給部の流路におけるＣＶＤ原料の付着状態
を調査したが、固体ＣＶＤ原料の析出はなく、ＣＶＤ原
料が効率よく気化供給されていることが確認できた。

【００４６】実施例４ 実施例３の気化供給装置の製作において、気化器のＣＶ
Ｄ原料供給部の内部及び気化室側の表面の構成材料をポ
リイミド樹脂に替えたほかは実施例３と同様にして気化
器を製作した。この気化器を用いて実施例３と同様にし
て気化供給装置を製作した。次に実施例３と同様にして
気化供給試験を５時間継続して行なった。その結果、気
化効率は９９．６％であった。また、ＣＶＤ原料供給部
の流路における固体ＣＶＤ原料の付着はなく、ＣＶＤ原
料が効率よく気化供給されていることが確認できた。

【００４７】実施例５ 実施例３の気化供給装置の製作において、気化器のＣＶ
Ｄ原料供給部の内部及び気化室側の表面の構成材料を、
ＣＶＤ原料との接触面をテフロン（登録商標）コーティ
ングしたフェノール樹脂に替えたほかは実施例３と同様
にして気化器を製作した。この気化器を用いて実施例３
と同様にして気化供給装置を製作した。次に実施例３と
同様にして気化供給試験を５時間継続して行なった。そ
の結果、気化効率は９９．７％であった。また、ＣＶＤ
原料供給部の流路における固体ＣＶＤ原料の付着はな
く、ＣＶＤ原料が効率よく気化供給されていることが確
認できた。

【００４８】実施例６ 実施例３と同様の気化供給装置を使用し、液体ＣＶＤ原
料であるＴＴＩＰ（テトラiso-プロポキシチタン）を用
いて気化供給試験を行なった。気化室を２０ｔｏｒｒ、
１９０℃の温度とし、ＴＴＩＰ及び窒素ガスを、各々
２．０ｇ／ｍｉｎ、０．１Ｌ／ｍｉｎの流量で、気化器
のＣＶＤ原料供給部に供給したほかは実施例３と同様に
して気化供給試験を５時間継続して行なった。その結
果、気化効率は９９．４％であった。また、ＣＶＤ原料
供給部の流路におけるＣＶＤ原料の付着はなく、ＣＶＤ
原料が効率よく気化供給されていることが確認できた。

【００４９】実施例７ 実施例３と同様の気化供給装置を２個使用し、各々ＣＶ
Ｄ原料容器、キャリアガス供給ラインと接続するととも
に、２個の気化器の気化ガス排出口を直径６インチのシ
リコン基板がセットされた１個のＣＶＤ装置と接続し
た。２個の気化供給装置内及びＣＶＤ装置内を窒素ガス
で置換した後、両方の気化供給装置とも気化室を１０ｔ
ｏｒｒ、２７０℃の温度とするとともに、シロッコファ
ンによりＣＶＤ原料供給部のステンレス鋼の構成部分
（ＣＶＤ原料供給部の頂部）を、４５〜５０℃の温度に
保持した。

【００５０】次にＳｒ（ＤＰＭ）_２を０．１ｍｏｌ／Ｌ
の濃度でＴＨＦ溶媒に溶解させた液体ＣＶＤ原料及び窒
素ガスを、各々１．０ｇ／ｍｉｎ、０．５Ｌ／ｍｉｎの
流量で片方の気化供給装置に供給するとともに、ＴｉＯ
（ＤＰＭ）_２を０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度でＴＨＦ溶媒に
溶解させた液体ＣＶＤ原料及び窒素ガスを、各々１．０
ｇ／ｍｉｎ、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で他の片方の気化
供給装置に供給して、これらを気化させてＣＶＤ装置に
供給し、シリコン基板上にＳｒＴｉＯ_３を結晶成長させ
た。この結晶についてＸ線回析を行なった結果、均一な
結晶が得られていることが確認できた。

【００５１】比較例２ 実施例３の気化供給装置の製作において、気化器のＣＶ
Ｄ原料供給部を、全てステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）か
ら成るものに替えたほかは実施例３と同様にして気化器
を製作した。また、この気化器を用いたこと及びシロッ
コファンを使用しなかったこと以外は実施例３と同様に
して気化供給装置を製作した。次に実施例３と同様にし
て気化供給試験を行なったが、試験開始２０分後に、Ｓ
ｒ（ＤＰＭ）_２の付着によりＣＶＤ原料供給部の流路が
閉塞したので試験を中止した。尚、ＣＶＤ原料供給部の
ステンレス鋼の構成部分は、試験中１２０〜１５０℃で
あった。

【００５２】比較例３ 比較例２と同様の気化供給装置を使用し、液体ＣＶＤ原
料であるＴＴＩＰ（テトラiso-プロポキシチタン）を用
いて気化供給試験を行なった。実施例６と同様に、気化
室を２０ｔｏｒｒ、１９０℃の温度とし、ＴＴＩＰ及び
窒素ガスを、各々２．０ｇ／ｍｉｎ、０．１Ｌ／ｍｉｎ
の流量で、気化器のＣＶＤ原料供給部に供給して気化供
給試験を行なったが、試験開始２５０分後に、ＴＴＩＰ
の付着によりＣＶＤ原料供給部の流路が閉塞したので試
験を中止した。尚、ＣＶＤ原料供給部のステンレス鋼の
構成部分は、試験中９０〜１１０℃であった。

【００５３】

【発明の効果】本発明の気化器は、ＣＶＤ原料供給部に
おいて、ＣＶＤ原料との接触部の構成材料として、耐熱
性のほか、断熱性があり、ＣＶＤ原料が付着しにくい特
性を有する耐腐食性合成樹脂を用いており、本発明の気
化供給装置は、さらに前記気化器に加えて、気化室の加
熱時にＣＶＤ原料供給部の金属構成部分を冷やすための
冷却器を備えているので、固体ＣＶＤ原料を有機溶媒に
溶解させたＣＶＤ原料を用いた場合においても、気化器
の加熱手段から熱伝導を受けて有機溶媒のみが気化する
ことがなく、また固体ＣＶＤ原料が析出してもこの析出
物が付着しにくい特長がある。その結果、原料供給口で
固体ＣＶＤ原料が析出、付着することによる絶縁薄膜の
品質、純度の低下がなく、所望の濃度及び流量で効率よ
くＣＶＤ原料を気化供給することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の気化器の例を示す断面図

【図２】本発明の気化器のＣＶＤ原料供給部の一例を示
す断面図

【図３】本発明の気化器の図２以外のＣＶＤ原料供給部
の例を示す断面図

【図４】本発明の気化供給装置の一例を示す構成図

【図５】本発明の図４以外の気化供給装置の一例を示す
構成図

【図６】本発明の気化器を適用した気化供給システムの
一例を示す構成図

【図７】本発明の気化供給装置を適用した気化供給シス
テムの一例を示す構成図

【符号の説明】

１ 気化器 ２ 冷却器 ３ 脱ガス器 ４ マスフローコントローラー ５ 気化室 ６ ＣＶＤ原料供給部 ７ 気化ガス排出口 ８ 加熱手段（ヒーター） ９ ＣＶＤ原料供給部の内部（耐腐食性合成樹脂構成部
分） １０ 気化室側の表面 １１ 気化器外部との接触部（金属構成部分） １２ ＣＶＤ原料の流路 １３ キャリアガスの流路 １４ ＣＶＤ原料及びキャリアガスの流路 １５ 空間部 １６ 加熱手段を有する突起 １７ ステンレス管 １８ ＣＶＤ原料供給管 １９ キャリアガス供給管 ２０ 断熱材 ２１ ＣＶＤ原料容器 ２２ ＣＶＤ原料 ２３ 気化供給装置 ２４ ガス流量制御器 ２５ キャリアガス供給ライン ２６ 化学気相成長（ＣＶＤ）装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 淺野 彰良 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚研究所内 (72)発明者 十七里 和昭 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚研究所内 (72)発明者 岩田 充弘 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA42 CA04 EA01 FA10 KA47 LA15 5F045 AA03 AB31 AC08 AC15 BB08 EB03 EE02 EE03

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣＶＤ原料の気化室、ＣＶＤ原料を該気
   化室に供給するためのＣＶＤ原料供給部、気化ガス排出
   口、及び該気化室の加熱手段を有する気化器であって、
   該ＣＶＤ原料供給部のＣＶＤ原料との接触部の少なくと
   も一部が耐腐食性合成樹脂で構成されることを特徴とす
   る気化器。
2. 【請求項２】 ＣＶＤ原料の気化室、ＣＶＤ原料を該気
   化室に供給するためのＣＶＤ原料供給部、気化ガス排出
   口、及び該気化室の加熱手段を有する気化器であって、
   該ＣＶＤ原料供給部が、内部及び気化室側の表面が耐腐
   食性合成樹脂で構成され、気化器外部との接触部が金属
   で構成されることを特徴とする気化器。
3. 【請求項３】 耐腐食性合成樹脂がフッ素系樹脂または
   ポリイミド系樹脂である請求項１または請求項２に記載
   の気化器。
4. 【請求項４】 ＣＶＤ原料供給部の耐腐食性合成樹脂の
   構成部が、円柱形または円柱形に類似する形状である請
   求項１または請求項２に記載の気化器。
5. 【請求項５】 ＣＶＤ原料供給部が、ＣＶＤ原料及びキ
   ャリアガスが内部で混合した後、気化室に供給される構
   成の流路を有する請求項１または請求項２に記載の気化
   器。
6. 【請求項６】 ＣＶＤ原料供給部内のＣＶＤ原料流路
   が、気化室への供給口近辺で細く構成される請求項４に
   記載の気化器。
7. 【請求項７】 ＣＶＤ原料供給部の気化室側の外形
   が、円錐形、円錐台形、半球形またはこれらに類似する
   形状である請求項１または請求項２に記載の気化器。
8. 【請求項８】 ＣＶＤ原料供給部の側面周辺の気化室外
   壁に空間部を設けた請求項１または請求項２に記載の気
   化器。
9. 【請求項９】 さらに、キャリアガスが気化室内で旋回
   流を形成するような向きに設定されたキャリアガス供給
   口を有する請求項１または請求項２に記載の気化器。
10. 【請求項１０】 気化室の中央部に、加熱手段を有する
    突起が該気化室の下部に固定されて設けられている請求
    項１または請求項２に記載の気化器。
11. 【請求項１１】 ＣＶＤ原料が固体ＣＶＤ原料を有機溶
    媒に溶解させたＣＶＤ原料である請求項１または請求項
    ２に記載の気化器。
12. 【請求項１２】 固体ＣＶＤ原料が、ビス（2,2,6,6,-
    テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）バリウム、ビス
    （2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ス
    トロンチウム、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘ
    プタンジオナイト）チタニウム、テトラ（2,2,6,6,-テ
    トラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコニウム、ビ
    ス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）
    鉛、ビス（シクロペンタジエニル）バリウム、ビス（シ
    クロペンタジエニル）ストロンチウム、ヘキサカルボニ
    ルモリブデン、ジメチルペントオキシ金、（ジターシャ
    リーブトキシドビス）（2,2,6,6,-テトラメチル-3.5.ヘ
    プタンジオナイト）チタニウム、（ジ-イソプロポキ
    シ）（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナイ
    ト）チタニウム、テトラキス（イソブチリルピバロイル
    メタナート）ジルコニウム、または（イソプロポキシ）
    トリス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5,-ヘプタンジオナ
    イト）ジルコニウムである請求項１１に記載の気化器。
13. 【請求項１３】 有機溶媒が、沸点温度として４０℃〜
    １４０℃であるエーテル類、アルコール類、ケトン類、
    アミン類、エステル類及び炭化水素類から選ばれる一種
    以上である請求項１１に記載の気化器。
14. 【請求項１４】 ＣＶＤ原料の気化室、ＣＶＤ原料を該
    気化室に供給するためのＣＶＤ原料供給部、気化ガス排
    出口、及び該気化室の加熱手段を内蔵する気化器と、冷
    却器を有する気化供給装置であって、気化器のＣＶＤ原
    料供給部は、内部及び気化室側の表面が耐腐食性合成樹
    脂で構成され気化器の外部との接触部が金属で構成され
    ており、気化室の加熱時に加熱手段から熱伝導を受ける
    該ＣＶＤ原料供給部の金属構成部分の少なくとも一部
    が、冷却器により冷却可能な構成であることを特徴とす
    る気化供給装置。
15. 【請求項１５】 気化器、冷却器とともに、ＣＶＤ原料
    の脱ガス器及び／またはマスフローコントローラーを有
    する請求項１４に記載の気化供給装置。
16. 【請求項１６】 冷却器がシロッコファンである請求項
    １４に記載の気化供給装置。
17. 【請求項１７】 ＣＶＤ原料供給部の耐腐食性合成樹脂
    構成部分が、円柱形または円柱形に類似する形状である
    請求項１４に記載の気化供給装置。