JP2002539065A - 投影リソグラフィ用フォトマスク基板及びその作成方法 - Google Patents
投影リソグラフィ用フォトマスク基板及びその作成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
発明は、リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクの作成方法である。リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクの作成方法は、ＯＨ含有量が５０ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程を含む。発明の方法は、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブにスリットを入れる工程、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平板化する工程、平板化されたスリット入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平表面をもつフォトマスクブランクに二次成形する工程をさらに含む。発明はリソグラフィ用ガラスマスクプレフォームを含む。リソグラフィ用ガラスマスクプレフォームは、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下、 及びＦ濃度が０．５重量％以上の縦長オキシフッ化ケイ素ガラスチューブである。
Description
【０００１】関連出願の説明 本出願は、１９９９年２月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／１１９
，８０５号、１９９９年３月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／１２３
，８６１号、１９９９年９月１６日に出願された米国特許出願第０９／３９７，
５７２号、及び１９９９年１０月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／１
５９，０５３号への優先権を主張し、本明細書は上記出願の内容に依存し、上記
出願の内容は全体が本明細書に参照として含まれ、優先権の恩典が米国特許法第
１２０条の下で本明細書により主張される。
，８０５号、１９９９年３月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／１２３
，８６１号、１９９９年９月１６日に出願された米国特許出願第０９／３９７，
５７２号、及び１９９９年１０月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／１
５９，０５３号への優先権を主張し、本明細書は上記出願の内容に依存し、上記
出願の内容は全体が本明細書に参照として含まれ、優先権の恩典が米国特許法第
１２０条の下で本明細書により主張される。
【０００２】発明の属する技術分野 本発明は概ねリソグラフィ用フォトマスクに関し、特に、１５７ｎｍ領域の波
長を利用する真空紫外光(ＶＵＶ)投影リソグラフィシステムのような、１９３ｎ
ｍ以下、好ましくは１７５ｎｍ以下、さらに好ましくは１６４ｎｍ以下のＶＵＶ
波長を利用する光フォトリソグラフィシステムに用いるための光フォトリソグラ
フィ用マスクブランクに関する。
長を利用する真空紫外光(ＶＵＶ)投影リソグラフィシステムのような、１９３ｎ
ｍ以下、好ましくは１７５ｎｍ以下、さらに好ましくは１６４ｎｍ以下のＶＵＶ
波長を利用する光フォトリソグラフィシステムに用いるための光フォトリソグラ
フィ用マスクブランクに関する。
【０００３】発明の背景 １９３ｎｍ以下の真空紫外波長の光を利用する投影光フォトリソグラフィシス
テムは、より小さな最小線幅の達成に関して利点を提供する。１５７ｎｍ波長域
の真空紫外波長を利用するようなシステムは、最小線幅をさらに小さくすること
で集積回路の能力を増進させる可能性を有している。集積回路の製造に半導体工
業で用いられる現行の光リソグラフィシステムは、現在普及している２４８ｎｍ
及び１９３ｎｍの波長のような、より短い光波長を目指して進化してきたが、１
５７ｎｍのような１９３ｎｍより短い真空紫外波長の商用化及び工業的採用は、
そのような１５７ｎｍ領域の真空紫外波長の光学材料透過性により妨げられてき
た。半導体工業による１５７ｎｍ光のような１７５ｎｍ以下のＶＵＶ光の使用の
進展がそのように遅れていることは、光透過性材料から経済的に製造できるフォ
トマスクブランクがなかったことにも原因があった。Ｆ２エキシマーレーザ発光
スペクトルのＶＵＶウインドウのような１５７ｎｍ領域における真空紫外フォト
リソグラフィの利点が集積回路の製造に利用されるためには、１６４ｎｍ以下及
び１５７ｎｍにおける良好な光透過性を含む有用な光学特性を有し、経済的に製
造できるマスクブランクが必要とされている。
テムは、より小さな最小線幅の達成に関して利点を提供する。１５７ｎｍ波長域
の真空紫外波長を利用するようなシステムは、最小線幅をさらに小さくすること
で集積回路の能力を増進させる可能性を有している。集積回路の製造に半導体工
業で用いられる現行の光リソグラフィシステムは、現在普及している２４８ｎｍ
及び１９３ｎｍの波長のような、より短い光波長を目指して進化してきたが、１
５７ｎｍのような１９３ｎｍより短い真空紫外波長の商用化及び工業的採用は、
そのような１５７ｎｍ領域の真空紫外波長の光学材料透過性により妨げられてき
た。半導体工業による１５７ｎｍ光のような１７５ｎｍ以下のＶＵＶ光の使用の
進展がそのように遅れていることは、光透過性材料から経済的に製造できるフォ
トマスクブランクがなかったことにも原因があった。Ｆ２エキシマーレーザ発光
スペクトルのＶＵＶウインドウのような１５７ｎｍ領域における真空紫外フォト
リソグラフィの利点が集積回路の製造に利用されるためには、１６４ｎｍ以下及
び１５７ｎｍにおける良好な光透過性を含む有用な光学特性を有し、経済的に製
造できるマスクブランクが必要とされている。
【０００４】 上記のようなリソグラフィシステムに用いられるフォトマスクブランクは、フ
ォトマスクは一般に極めて薄く、システムを通して投影される集積回路パターン
を基板に与えるという点でシステムにおいて独特の役割を果たすことが、レンズ
やミラーのようなシステムにおける他の光学素子と異なっている。作成されるべ
き集積回路のパターンはフォトマスクブランクの表面上に形成され、よってフォ
トマスクブランク上のパターンの像をリソグラフィシステムを通して投影し、集
積回路半導体ウエハの表面上に焼き付けることができる。フォトマスクブランク
は、反り及び収縮を避けるための寸法安定性に関する、また極めて微細な集積回
路パターンを形成するために必要な極めて高い精度を確保し、集積回路パターン
の歪を抑制するための、高い光透過性のような光学特性に関する、極めて厳格な
必要条件を満たさなければならない。
ォトマスクは一般に極めて薄く、システムを通して投影される集積回路パターン
を基板に与えるという点でシステムにおいて独特の役割を果たすことが、レンズ
やミラーのようなシステムにおける他の光学素子と異なっている。作成されるべ
き集積回路のパターンはフォトマスクブランクの表面上に形成され、よってフォ
トマスクブランク上のパターンの像をリソグラフィシステムを通して投影し、集
積回路半導体ウエハの表面上に焼き付けることができる。フォトマスクブランク
は、反り及び収縮を避けるための寸法安定性に関する、また極めて微細な集積回
路パターンを形成するために必要な極めて高い精度を確保し、集積回路パターン
の歪を抑制するための、高い光透過性のような光学特性に関する、極めて厳格な
必要条件を満たさなければならない。
【０００５】 本発明は従来技術における問題を克服し、真空紫外波長により集積回路製造能
力を増進させるために用いることができる高品質の改善されたフォトマスクを経
済的に製造するための手段を提供する。
力を増進させるために用いることができる高品質の改善されたフォトマスクを経
済的に製造するための手段を提供する。
【０００６】発明の概要 本発明の一態様は、リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクの
作成方法である。リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクの作成
方法は、ＯＨ含有量が５０ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ
の作成を含む。本方法は、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブにスリットを入れ
る工程、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平板化する工程、平板化されたス
リット入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平坦な表面を有するフォトマス
クブランクに二次成形する工程をさらに含む。
作成方法である。リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクの作成
方法は、ＯＨ含有量が５０ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ
の作成を含む。本方法は、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブにスリットを入れ
る工程、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平板化する工程、平板化されたス
リット入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平坦な表面を有するフォトマス
クブランクに二次成形する工程をさらに含む。
【０００７】 別の態様において本発明はリソグラフィ用ガラスマスクプレフォームを含む。
リソグラフィ用ガラスマスクプレフォームは、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下、Ｆ
濃度が０．５重量％以上の縦長オキシフッ化ケイ素ガラスチューブである。 縦
長チューブは縦方向長さに沿う中心軸を有し、ガラスチューブは中心軸をほぼ中
心とする複数の同軸ストリエーション層を含む。
リソグラフィ用ガラスマスクプレフォームは、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下、Ｆ
濃度が０．５重量％以上の縦長オキシフッ化ケイ素ガラスチューブである。 縦
長チューブは縦方向長さに沿う中心軸を有し、ガラスチューブは中心軸をほぼ中
心とする複数の同軸ストリエーション層を含む。
【０００８】 また別の態様において、本発明はリソグラフィ用フォトマスク及びフォトマス
クブランクを含む。リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクは、
上平面及び下平面を有する平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材を含む。本オキシ
フッ化ケイ素ガラスは、 ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下、Ｆ濃度が０．５重量％
以上である。オキシフッ化ケイ素ガラスは複数の平行ストリエーション層を有し
、複数の平行ストリエーション層は上面に平行である。
クブランクを含む。リソグラフィ用フォトマスク及びフォトマスクブランクは、
上平面及び下平面を有する平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材を含む。本オキシ
フッ化ケイ素ガラスは、 ＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下、Ｆ濃度が０．５重量％
以上である。オキシフッ化ケイ素ガラスは複数の平行ストリエーション層を有し
、複数の平行ストリエーション層は上面に平行である。
【０００９】 別の態様において、本発明はマスク幅ＭＷ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを
有するリソグラフィ用マスクを、内径ＩＲ，厚さＴ，長さＬ及び長さ方向チュー
ブ中心軸ＣＡをもつガラスチューブを含むリソグラフィ用ガラスマスクプレフォ
ームで形成するための、平ガラスシート材のリソグラフィ用平板ガラスウエハプ
レフォームを含み、ガラスチューブは中心軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ス
トリエーション層を含み、ＩＲ≧(７／４４)ＭＷ，Ｔ＞ＭＴ及びＬ≧ＭＬである
。
有するリソグラフィ用マスクを、内径ＩＲ，厚さＴ，長さＬ及び長さ方向チュー
ブ中心軸ＣＡをもつガラスチューブを含むリソグラフィ用ガラスマスクプレフォ
ームで形成するための、平ガラスシート材のリソグラフィ用平板ガラスウエハプ
レフォームを含み、ガラスチューブは中心軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ス
トリエーション層を含み、ＩＲ≧(７／４４)ＭＷ，Ｔ＞ＭＴ及びＬ≧ＭＬである
。
【００１０】 また別の態様において、本発明は：厚さＴ，長さＬ及び長さ方向チューブ中心
軸ＣＡを有するガラスチューブマスクプレフォームを、中心軸をほぼ中心とする
複数の同軸ストリエーション層を含むガラスチューブマスクプレフォームで作成
する工程；ガラスチューブマスクプレフォームを上平面及び下平面を有する平板
ガラスマスクに二次成形する工程、平板ガラスマスクは上平面及び下平面に平行
な複数の平行ストリエーション層を有する；を含む、マスク作成方法を含む。
軸ＣＡを有するガラスチューブマスクプレフォームを、中心軸をほぼ中心とする
複数の同軸ストリエーション層を含むガラスチューブマスクプレフォームで作成
する工程；ガラスチューブマスクプレフォームを上平面及び下平面を有する平板
ガラスマスクに二次成形する工程、平板ガラスマスクは上平面及び下平面に平行
な複数の平行ストリエーション層を有する；を含む、マスク作成方法を含む。
【００１１】 別の態様において、本発明はガラスブランクプレフォームを含む。このガラス
ブランクプレフォームは、縦方向長さ、多角形断面及び縦方向長さに沿い多角形
断面に垂直な中心軸を有する縦長ガラスチューブからなり、このガラスチューブ
は中心軸をほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を有する。
ブランクプレフォームは、縦方向長さ、多角形断面及び縦方向長さに沿い多角形
断面に垂直な中心軸を有する縦長ガラスチューブからなり、このガラスチューブ
は中心軸をほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を有する。
【００１２】 また別の態様において、本発明はガラスブランクの作成方法を含む。この方法
は、ガラスチューブを作成する工程、金型を作成する工程、ガラスチューブを金
型に近接させて配置する工程、ガラスチューブを加熱する工程、ガラスチューブ
が金型の形通りになるように加熱されたガラスチューブに変形流体圧を印加する
工程、ガラスチューブを冷却して平辺面ガラスチューブを得る工程、及び平辺面
ガラスチューブから平板面を切り出す工程を含む。
は、ガラスチューブを作成する工程、金型を作成する工程、ガラスチューブを金
型に近接させて配置する工程、ガラスチューブを加熱する工程、ガラスチューブ
が金型の形通りになるように加熱されたガラスチューブに変形流体圧を印加する
工程、ガラスチューブを冷却して平辺面ガラスチューブを得る工程、及び平辺面
ガラスチューブから平板面を切り出す工程を含む。
【００１３】 別の態様において、本発明はマスクブランクの作成方法を含む。この方法は、
オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程、ガラスチューブを加熱する
工程；加熱されたガラスチューブの内部を排気し、加熱されたチューブを圧潰し
て圧潰平板化されたガラスチューブにする工程、及び平板化されたガラスチュー
ブをフォトマスクブランクに二次成形する工程を含む。
オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程、ガラスチューブを加熱する
工程；加熱されたガラスチューブの内部を排気し、加熱されたチューブを圧潰し
て圧潰平板化されたガラスチューブにする工程、及び平板化されたガラスチュー
ブをフォトマスクブランクに二次成形する工程を含む。
【００１４】 別の態様において、本発明は、ブランク幅ＭＷ，ブランク長ＭＬ及びブランク
厚ＭＴを有するブランクを形成するためのガラスブランクプレフォームを含む。
このガラスブランクプレフォームは厚さＴ，長さＬ，平辺面高Ｈ及び長さ方向チ
ューブ中心軸ＣＡをもつ平辺面ガラスチューブからなり、このガラスチューブは
中心軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を有し、Ｈ≧ＭＷ，
Ｔ≧ＭＴ，及びＬ≧ＭＬである。
厚ＭＴを有するブランクを形成するためのガラスブランクプレフォームを含む。
このガラスブランクプレフォームは厚さＴ，長さＬ，平辺面高Ｈ及び長さ方向チ
ューブ中心軸ＣＡをもつ平辺面ガラスチューブからなり、このガラスチューブは
中心軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を有し、Ｈ≧ＭＷ，
Ｔ≧ＭＴ，及びＬ≧ＭＬである。
【００１５】 本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、当業者にはあ
る程度は詳細な説明から容易に明らかであろうし、あるいは以下の詳細な説明、
特許請求事項、さらに添付図面を含む本明細書に記述されているように本発明を
実施することにより認められるであろう。
る程度は詳細な説明から容易に明らかであろうし、あるいは以下の詳細な説明、
特許請求事項、さらに添付図面を含む本明細書に記述されているように本発明を
実施することにより認められるであろう。
【００１６】 上述の一般的説明及び以下の詳細な説明はいずれも本発明の例示にすぎず、特
許請求される本発明の性質及び特徴を理解するための概観ないし枠組を与えるこ
とを目的としていることは当然である。添付図面は本発明のさらなる理解を提供
するために含められ、本明細書に組み入れられて、本明細書の一部をなす。図面
は本発明の様々な実施形態を示し、記述とともに本発明の原理及び作用の説明に
役立つ。
許請求される本発明の性質及び特徴を理解するための概観ないし枠組を与えるこ
とを目的としていることは当然である。添付図面は本発明のさらなる理解を提供
するために含められ、本明細書に組み入れられて、本明細書の一部をなす。図面
は本発明の様々な実施形態を示し、記述とともに本発明の原理及び作用の説明に
役立つ。
【００１７】好ましい実施形態の詳細な説明 例が添付図面に示されている、本発明の現在好ましい実施形態をここで詳細に
参照する。本発明のリソグラフィ用フォトマスクブランクの例示的実施形態が図
１に示され、全体を通して参照数字２０で指定される。
参照する。本発明のリソグラフィ用フォトマスクブランクの例示的実施形態が図
１に示され、全体を通して参照数字２０で指定される。
【００１８】 本発明にしたがえば、本発明のリソグラフィ用フォトマスクブランクの作成方
法は、ＯＨ含有量が５０ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを
作成する工程を含む。本方法は、図３に示されるようなオキシフッ化ケイ素ガラ
スチューブ２２を作成する工程を含むことが好ましい。本方法はオキシフッ化ケ
イ素ガラスチューブ２２にスリットを入れる工程を含むことが好ましい。図４に
示されるように、スリットを入れられるオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２
は縦方向のスリット２４を与えるために、ガラス切削／スライス工具によってな
され得るように、チューブ２２の縦方向長さに沿って切れ目をつけられてスライ
スされ、スリット入りチューブ２２は概ね大文字の“Ｃ”の断面形状を有してい
る。本方法は、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２を平板化して、平板化オ
キシフッ化ケイ素ガラスチューブ並びに上平面２６及び下平面２８を有するフォ
トマスクブランク２０にする工程をさらに含む。図５に示されるように、スリッ
ト入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は、ガラス加熱処理炉３０内でオ
キシフッ化ケイ素ガラスチューブ全体を均等に加熱しながら、展開及び延伸力を
印加することにより平板化させることができる。平板化されたスリット入りオキ
シフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は次いで、図６に示されるように、平板化さ
れたスリット入りガラスチューブに第２のガラス加熱処理炉３０内で自重垂下さ
せることによりさらに平板化される。
法は、ＯＨ含有量が５０ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを
作成する工程を含む。本方法は、図３に示されるようなオキシフッ化ケイ素ガラ
スチューブ２２を作成する工程を含むことが好ましい。本方法はオキシフッ化ケ
イ素ガラスチューブ２２にスリットを入れる工程を含むことが好ましい。図４に
示されるように、スリットを入れられるオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２
は縦方向のスリット２４を与えるために、ガラス切削／スライス工具によってな
され得るように、チューブ２２の縦方向長さに沿って切れ目をつけられてスライ
スされ、スリット入りチューブ２２は概ね大文字の“Ｃ”の断面形状を有してい
る。本方法は、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２を平板化して、平板化オ
キシフッ化ケイ素ガラスチューブ並びに上平面２６及び下平面２８を有するフォ
トマスクブランク２０にする工程をさらに含む。図５に示されるように、スリッ
ト入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は、ガラス加熱処理炉３０内でオ
キシフッ化ケイ素ガラスチューブ全体を均等に加熱しながら、展開及び延伸力を
印加することにより平板化させることができる。平板化されたスリット入りオキ
シフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は次いで、図６に示されるように、平板化さ
れたスリット入りガラスチューブに第２のガラス加熱処理炉３０内で自重垂下さ
せることによりさらに平板化される。
【００１９】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２の作成工程は、ＯＨ含有量が重量で、
５０ｐｐｍより少なく、より好ましくは１０ｐｐｍより少なく、最も好ましくは
１ｐｐｍより少なく、よってガラスがヒドロキシル基を含まない、高脱水−高純
度オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程を含む。このようなＯＨ含
有量は、 ガラスの２．７μｍＩＲ(赤外線)透過率を測定することにより評価す
ることができる。上記のような低ＯＨオキシフッ化ケイ素ガラスは、ガラスの前
駆体スートをガラスに転換する前及びその間に前駆体スートを脱水することによ
り得られることが好ましい。そのような低ＯＨレベルに加えて、作成されるオキ
シフッ化ケイ素ガラスは極めて高純度であり、よってオキシフッ化ケイ素ガラス
は基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなる。好ましくはオキシフッ化ケイ素ガラスは塩
素を含まず、Ｃｌは１０ｐｐｍより少ないことが好ましく、Ｃｌは１ｐｐｍより
少ないことが最も好ましい。そのような低Ｃｌレベルは、特にスートがＣｌによ
る脱水時のようにＣｌにさらされた場合に、Ｃｌのフラッシング除去／置換及び
Ｆ含有処理雰囲気への暴露により達成されることが好ましい。オキシフッ化ケイ
素ガラスはＳｉ−Ｃｌ結合による９００ｃｍ−１の吸収ピークをもたないことが
好ましい。好ましくはオキシフッ化ケイ素ガラスは水素を含まず、１×１０１７ Ｈ２分子／ｃｍ３より低く、 好ましくは５×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より低
く、より好ましくは３×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より低い水素濃度を有し、検
出可能な量の水素を含まないことが最も好ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスは
水素による４１００ｃｍ−１の吸収ピークをもたないことが好ましい。
５０ｐｐｍより少なく、より好ましくは１０ｐｐｍより少なく、最も好ましくは
１ｐｐｍより少なく、よってガラスがヒドロキシル基を含まない、高脱水−高純
度オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程を含む。このようなＯＨ含
有量は、 ガラスの２．７μｍＩＲ(赤外線)透過率を測定することにより評価す
ることができる。上記のような低ＯＨオキシフッ化ケイ素ガラスは、ガラスの前
駆体スートをガラスに転換する前及びその間に前駆体スートを脱水することによ
り得られることが好ましい。そのような低ＯＨレベルに加えて、作成されるオキ
シフッ化ケイ素ガラスは極めて高純度であり、よってオキシフッ化ケイ素ガラス
は基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなる。好ましくはオキシフッ化ケイ素ガラスは塩
素を含まず、Ｃｌは１０ｐｐｍより少ないことが好ましく、Ｃｌは１ｐｐｍより
少ないことが最も好ましい。そのような低Ｃｌレベルは、特にスートがＣｌによ
る脱水時のようにＣｌにさらされた場合に、Ｃｌのフラッシング除去／置換及び
Ｆ含有処理雰囲気への暴露により達成されることが好ましい。オキシフッ化ケイ
素ガラスはＳｉ−Ｃｌ結合による９００ｃｍ−１の吸収ピークをもたないことが
好ましい。好ましくはオキシフッ化ケイ素ガラスは水素を含まず、１×１０１７ Ｈ２分子／ｃｍ３より低く、 好ましくは５×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より低
く、より好ましくは３×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より低い水素濃度を有し、検
出可能な量の水素を含まないことが最も好ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスは
水素による４１００ｃｍ−１の吸収ピークをもたないことが好ましい。
【００２０】 オキシフッ化ケイ素ガラスは基本的に、Ｓｉ−Ｓｉ結合をもたず１６５ｎｍの
酸素欠損吸収中心がないことが好ましい。そのようなＳｉ−Ｓｉ結合レベルは、
化学量論的に低レベルの酸素が存在しない非還元雰囲気環境で作成されたオキシ
フッ化ケイ素ガラスを提供することで達成されることが好ましい。ＳｉＯ２分子
及びガラスは、酸素欠損Ｓｉ−Ｓｉ結合の形成を最小限に抑えるために化学量論
的ないしほぼ化学量論的レベルの酸素をもって作成されることが好ましい。ガラ
スの１６５ｎｍにおける透過率の測定値は、５ｍｍ厚あたり、少なくとも７５％
であることが好ましく、少なくとも８０％であることがより好ましく、少なくと
も８５％であることが最も好ましい。ガラスは、１５７ｎｍにおいて少なくとも
８０％／ｃｍの内部透過率を有し、１６５ｎｍにおいて少なくとも８５％／ｃｍ
の内部透過率を有することが好ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスは、１５７ｎ
ｍにおいて少なくとも８５％／ｃｍの内部透過率を有し、１６５ｎｍにおいて少
なくとも９０％／ｃｍの内部透過率を有することがさらに好ましい。
酸素欠損吸収中心がないことが好ましい。そのようなＳｉ−Ｓｉ結合レベルは、
化学量論的に低レベルの酸素が存在しない非還元雰囲気環境で作成されたオキシ
フッ化ケイ素ガラスを提供することで達成されることが好ましい。ＳｉＯ２分子
及びガラスは、酸素欠損Ｓｉ−Ｓｉ結合の形成を最小限に抑えるために化学量論
的ないしほぼ化学量論的レベルの酸素をもって作成されることが好ましい。ガラ
スの１６５ｎｍにおける透過率の測定値は、５ｍｍ厚あたり、少なくとも７５％
であることが好ましく、少なくとも８０％であることがより好ましく、少なくと
も８５％であることが最も好ましい。ガラスは、１５７ｎｍにおいて少なくとも
８０％／ｃｍの内部透過率を有し、１６５ｎｍにおいて少なくとも８５％／ｃｍ
の内部透過率を有することが好ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスは、１５７ｎ
ｍにおいて少なくとも８５％／ｃｍの内部透過率を有し、１６５ｎｍにおいて少
なくとも９０％／ｃｍの内部透過率を有することがさらに好ましい。
【００２１】 オキシフッ化ケイ素ガラスは、波長１５７ｎｍを含むＦ２エキシマー光への露
光後に２１５ｎｍ吸収帯を示さないことが好ましい。１ｍｍ厚のオキシフッ化ケ
イ素ガラス試験片の、４ｍＪ／ｃｍ２のＦ２エキシマーレーザの１５７ｎｍ光パ
ルスを少なくとも０．９６×１０６パルス受けた後の、１ｍｍ透過に対する光学
密度(log１０[透過率])の増加が、２１５ｎｍにおいて、及び１６０ｎｍから１
９０ｎｍの間で０．０１より少なく、より好ましくは２１５ｎｍにおいて０．０
０５より少ないことが最も好ましい。本発明はいずれのＳｉ−Ｓｉ結合もＳｉ−
Ｆ結合で置換する工程を含むことが好ましい。
光後に２１５ｎｍ吸収帯を示さないことが好ましい。１ｍｍ厚のオキシフッ化ケ
イ素ガラス試験片の、４ｍＪ／ｃｍ２のＦ２エキシマーレーザの１５７ｎｍ光パ
ルスを少なくとも０．９６×１０６パルス受けた後の、１ｍｍ透過に対する光学
密度(log１０[透過率])の増加が、２１５ｎｍにおいて、及び１６０ｎｍから１
９０ｎｍの間で０．０１より少なく、より好ましくは２１５ｎｍにおいて０．０
０５より少ないことが最も好ましい。本発明はいずれのＳｉ−Ｓｉ結合もＳｉ−
Ｆ結合で置換する工程を含むことが好ましい。
【００２２】 好ましいオキシフッ化ケイ素ガラスチューブは、ＳｉＯ２スートチューブ３２
を作成し、このＳｉＯ２スートチューブを脱水してＳｉＯ２スートからＯＨを除
去することにより作成される。ＳｉＯ２スートチューブの脱水に加えて、本方法
はケイ素(Ｓｉ)−酸素(Ｏ)結合のいくらかをケイ素(Ｓｉ)−フッ素(Ｆ)結合で置
換する工程及びスートチューブを固結して混在物を含まない非晶質オキシフッ化
ケイ素ガラスチューブにする工程を含むことが好ましい。好ましくは、本方法は
いずれのＳｉ−Ｓｉ結合もＳｉ−Ｆ結合で置換する工程を含む。前駆体スート及
び非晶質ガラスのＳｉＯ２構造においては、得られたガラスチューブのケイ酸塩
構造がいくぶん解重合されて、ガラス内の結合の大多数がＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合で
あり、少数がＳｉ−Ｆ結合であるように、いくらかのＯ２−がＦ−で置換される
ことが好ましい。図７に示されるように、ＳｉＯ２スートチューブ３２は固結炉
３４内で脱水され、Ｓｉ−Ｆ結合の形成によりフッ素がドープされて、固結され
る。適切な処理ガス及び原料ガスがガス送込管３６を通して固結炉３４に供給さ
れ、脱水(脱水処理剤によるＯＨの除去)、Ｆの導入(フッ素源ドーピングガス)及
びスートチューブ３２のオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２への無混在物固
結(ヘリウムが好ましい)に作用する。炉３４内におけるスート及びガラスチュー
ブの加熱温度は、加熱素子３８に供給されるエネルギー量を調節するか、あるい
は炉３４が少なくとも２つの温度ゾーンをもつ場合にはチューブの位置を炉３４
内で移動させることにより制御することができる。
を作成し、このＳｉＯ２スートチューブを脱水してＳｉＯ２スートからＯＨを除
去することにより作成される。ＳｉＯ２スートチューブの脱水に加えて、本方法
はケイ素(Ｓｉ)−酸素(Ｏ)結合のいくらかをケイ素(Ｓｉ)−フッ素(Ｆ)結合で置
換する工程及びスートチューブを固結して混在物を含まない非晶質オキシフッ化
ケイ素ガラスチューブにする工程を含むことが好ましい。好ましくは、本方法は
いずれのＳｉ−Ｓｉ結合もＳｉ−Ｆ結合で置換する工程を含む。前駆体スート及
び非晶質ガラスのＳｉＯ２構造においては、得られたガラスチューブのケイ酸塩
構造がいくぶん解重合されて、ガラス内の結合の大多数がＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合で
あり、少数がＳｉ−Ｆ結合であるように、いくらかのＯ２−がＦ−で置換される
ことが好ましい。図７に示されるように、ＳｉＯ２スートチューブ３２は固結炉
３４内で脱水され、Ｓｉ−Ｆ結合の形成によりフッ素がドープされて、固結され
る。適切な処理ガス及び原料ガスがガス送込管３６を通して固結炉３４に供給さ
れ、脱水(脱水処理剤によるＯＨの除去)、Ｆの導入(フッ素源ドーピングガス)及
びスートチューブ３２のオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２への無混在物固
結(ヘリウムが好ましい)に作用する。炉３４内におけるスート及びガラスチュー
ブの加熱温度は、加熱素子３８に供給されるエネルギー量を調節するか、あるい
は炉３４が少なくとも２つの温度ゾーンをもつ場合にはチューブの位置を炉３４
内で移動させることにより制御することができる。
【００２３】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する好ましい方法は、断面が円形の
支持部材４２上にＳｉＯ２スート４０を堆積する工程を含む。図８にスートチュ
ーブ３２の断面図で示されるように、ＳｉＯ２スート４０が支持部材４２の水平
な長さ方向の軸に垂直に向けられたＳｉＯ２スート源４４から堆積され、よって
ＳｉＯ２スート層４６が支持部材４２の周りに形成されることが好ましい。Ｓｉ
Ｏ２スート源４４は転換サイトバーナー４８でつくられる転換サイト炎であるこ
とが好ましい。ハロゲン化ケイ素のようなＳｉＯ２供給原料あるいはシロキサン
のようなハロゲンを含まない供給原料がバーナー４８に送り込まれる。転換サイ
ト炎は、酸素及び、水素及び／または天然ガスのような燃料をバーナー４８に送
り込むことによりつくられ、維持される。ＳｉＯ２供給原料は転換サイト炎内で
ＳｉＯ２スート４０に転換され、スート源転換サイト炎４４から支持部材４２上
に堆積される。 塩化ケイ素(四塩化ケイ素−ＳｉＣｌ４)及びフッ化ケイ素(四フ
ッ化ケイ素−ＳｉＦ４)のようなハロゲン化ケイ素が好ましいＳｉＯ２供給原料
である。環状シロキサンのようなシロキサンＳｉＯ２供給原料、特に(純度が少
なくとも９９重量％の)高純度再蒸留オクタメチルシクロテトラシロキサンが、
ＳｉＯ２スート生成及び堆積効率に関して好ましい。さらに、シロキサンＳｉＯ ２ 供給原料により塩素を含まないスートが得られる。図８に示されるように、Ｓ
ｉＯ２スート源４４及びバーナー４８は支持部材４２の中心軸に垂直な位置に配
され、同時に、堆積されたスート４０がスートチューブ３２を形成するように、
支持部材４２とＳｉＯ２スート源４４との間に相対運動が与えられることが好ま
しい。好ましいスートチューブ形成パターンは、支持部材４２を回転させ、同時
に、例えばバーナー４８を左右に動かすことにより、支持部材４２の長さ方向の
軸に沿う並進運動を与えることにより得られる。断面が円形の支持部材４２は、
適切な耐火性堆積ターゲット材料でつくられることが好ましい、中空チューブま
たは中実ロッドとすることができる。アルミナ、シリカ、石英、高純度石英ガラ
スまたはオキシフッ化ケイ素ガラスの支持部材が好ましい。(中空または中実の)
アルミナ支持部材が、堆積後、脱水及び固結前にスート体から取り外すことがで
きる点で特に好ましい。中空アルミナ支持部材が好ましく、スートチューブ３２
を作成するためのスート堆積の終了後にスートから取り外される。非アルミナ支
持部材は、スートが支持部材に固着するため堆積後にスート体から容易に取り外
すことができないという点で、それほど好ましくはない。シリカまたは石英ベイ
トチューブのような非アルミナ支持部材は、固結中にチューブ内径を維持し、次
いで固結後に、例えばコアドリル加工により、スートチューブから取り外される
点で、好ましい代替部材である。そのようなシリカまたは石英の内径維持支持部
材は、オキシフッ化ケイ素ガラスの交差汚染を避けるため、及び自重垂下中の亀
裂の発生を避けるために、固結後に取り外される。支持部材４２が中空チューブ
である場合には、流体、好ましくは窒素または貴ガスの不活性気体状流体のよう
なガスで支持チューブ内部を加圧することにより、堆積されたスートの支持を強
化することができる。さらに、支持部材４２が得られるフォトマスクブランクの
厚さに比べて比較的薄壁のチューブであれば、支持部材４２を取り外すことも、
あるいは、特に支持部材ガラスの組成が、製造工程中に汚染も亀裂も生じさせな
いオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ支持部材４２のように、好ましくはほぼ整
合するオキシフッ化ケイ素組成をもつオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ支持部
材４２のように、スート体及びオキシフッ化ケイ素ガラスと同等であり、波長１
５７ｎｍにおいて透明であれば、仕上げられるフォトマスクブランクに取り込む
こともできる。
支持部材４２上にＳｉＯ２スート４０を堆積する工程を含む。図８にスートチュ
ーブ３２の断面図で示されるように、ＳｉＯ２スート４０が支持部材４２の水平
な長さ方向の軸に垂直に向けられたＳｉＯ２スート源４４から堆積され、よって
ＳｉＯ２スート層４６が支持部材４２の周りに形成されることが好ましい。Ｓｉ
Ｏ２スート源４４は転換サイトバーナー４８でつくられる転換サイト炎であるこ
とが好ましい。ハロゲン化ケイ素のようなＳｉＯ２供給原料あるいはシロキサン
のようなハロゲンを含まない供給原料がバーナー４８に送り込まれる。転換サイ
ト炎は、酸素及び、水素及び／または天然ガスのような燃料をバーナー４８に送
り込むことによりつくられ、維持される。ＳｉＯ２供給原料は転換サイト炎内で
ＳｉＯ２スート４０に転換され、スート源転換サイト炎４４から支持部材４２上
に堆積される。 塩化ケイ素(四塩化ケイ素−ＳｉＣｌ４)及びフッ化ケイ素(四フ
ッ化ケイ素−ＳｉＦ４)のようなハロゲン化ケイ素が好ましいＳｉＯ２供給原料
である。環状シロキサンのようなシロキサンＳｉＯ２供給原料、特に(純度が少
なくとも９９重量％の)高純度再蒸留オクタメチルシクロテトラシロキサンが、
ＳｉＯ２スート生成及び堆積効率に関して好ましい。さらに、シロキサンＳｉＯ ２ 供給原料により塩素を含まないスートが得られる。図８に示されるように、Ｓ
ｉＯ２スート源４４及びバーナー４８は支持部材４２の中心軸に垂直な位置に配
され、同時に、堆積されたスート４０がスートチューブ３２を形成するように、
支持部材４２とＳｉＯ２スート源４４との間に相対運動が与えられることが好ま
しい。好ましいスートチューブ形成パターンは、支持部材４２を回転させ、同時
に、例えばバーナー４８を左右に動かすことにより、支持部材４２の長さ方向の
軸に沿う並進運動を与えることにより得られる。断面が円形の支持部材４２は、
適切な耐火性堆積ターゲット材料でつくられることが好ましい、中空チューブま
たは中実ロッドとすることができる。アルミナ、シリカ、石英、高純度石英ガラ
スまたはオキシフッ化ケイ素ガラスの支持部材が好ましい。(中空または中実の)
アルミナ支持部材が、堆積後、脱水及び固結前にスート体から取り外すことがで
きる点で特に好ましい。中空アルミナ支持部材が好ましく、スートチューブ３２
を作成するためのスート堆積の終了後にスートから取り外される。非アルミナ支
持部材は、スートが支持部材に固着するため堆積後にスート体から容易に取り外
すことができないという点で、それほど好ましくはない。シリカまたは石英ベイ
トチューブのような非アルミナ支持部材は、固結中にチューブ内径を維持し、次
いで固結後に、例えばコアドリル加工により、スートチューブから取り外される
点で、好ましい代替部材である。そのようなシリカまたは石英の内径維持支持部
材は、オキシフッ化ケイ素ガラスの交差汚染を避けるため、及び自重垂下中の亀
裂の発生を避けるために、固結後に取り外される。支持部材４２が中空チューブ
である場合には、流体、好ましくは窒素または貴ガスの不活性気体状流体のよう
なガスで支持チューブ内部を加圧することにより、堆積されたスートの支持を強
化することができる。さらに、支持部材４２が得られるフォトマスクブランクの
厚さに比べて比較的薄壁のチューブであれば、支持部材４２を取り外すことも、
あるいは、特に支持部材ガラスの組成が、製造工程中に汚染も亀裂も生じさせな
いオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ支持部材４２のように、好ましくはほぼ整
合するオキシフッ化ケイ素組成をもつオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ支持部
材４２のように、スート体及びオキシフッ化ケイ素ガラスと同等であり、波長１
５７ｎｍにおいて透明であれば、仕上げられるフォトマスクブランクに取り込む
こともできる。
【００２４】 スートチューブ３２の形成後、ＳｉＯ２スートチューブは脱水され、フッ素を
ドープされ、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブに固結される。図７に示される
ように、ＳｉＯ２スートチューブ３２は垂直流ガス処理固結炉３４内に垂直に配
置される。適切な高純度処理ガスがガス送込管３６を通して送り込まれて、スー
トチューブ３２の処理に用いられ、またスートチューブに適切な固結雰囲気を与
える。脱水処理ガス、フッ素ドープ処理ガス、焼結処理ガス、脱水処理温度、フ
ッ素ドープ処理温度及び焼結処理温度を用いて、ＯＨがＳｉＯ２スートチューブ
３２から除去され、フッ素がＳｉＯ２スートに導入され、ガラスが固結される。
ＳｉＯ２スートチューブ３２からのＯＨ除去工程は、送込管３６を通して、好ま
しくは底部及び頂部送込管による、脱水ガスの供給により維持される脱水雰囲気
内でのＳｉＯ２スートの加熱工程を含み、頂部送込管３６が脱水ガスを被処理チ
ューブの中心管孔内部に送り込み、底部送込管３６が炉内部に送り込み、廃棄ガ
スは炉上部から排出されることが好ましい。脱水雰囲気は脱水ガス剤として塩素
を含むことが好ましい。好ましい脱水塩素ガス剤はＣｌ２，ＳｉＣｌ４，ＣＣｌ ４ 及びＳＯＣｌ２であり、Ｃｌ２が最も好ましい。脱水塩素ガス剤だけでなく、
脱水雰囲気の体積％(流量、分圧)で表した大部分は高純度ヘリウムからなる。好
ましい方法において脱水雰囲気はフッ素も含む。フッ素は塩素／フッ素／ヘリウ
ム脱水雰囲気をつくるように雰囲気内の補助的脱水剤となることができ、あるい
はフッ素は、フッ素が体積％で少量のフッ素／ヘリウム脱水雰囲気のように、主
脱水剤となることができる。そのようなフッ素／ヘリウム脱水雰囲気は、ガスの
塩素汚染が最小限に抑えられる点で好ましい。フッ化ケイ素、好ましくはＳｉＦ ４ がフッ素脱水剤であり、代替フッ素脱水剤としてＣＦ４、補助的代替フッ素脱
水剤としてＣ２Ｆ６がある。ＣＦ４は、ＳｉＦ４による脱水に比較して高能力の
脱水が得られる点で好ましい脱水／ドープ剤である。ＳｉＦ４は、ＣＦ４より一
様なＦプロファイルが得られるのでフッ素ドープに好ましい。ＳｉＯ２スートへ
のフッ素導入工程は、Ｆ含有雰囲気における、好ましくは脱水処理温度より高い
フッ素ドープ処理温度でのＳｉＯ２スート加熱工程を含む。Ｆ含有雰囲気は、Ｆ
ドープ剤としてフッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を含むことが好ましく、代替Ｆドープ剤
はＣＦ４である。脱水処理雰囲気と同様にヘリウムが雰囲気の大部分となること
が好ましい。ＳｉＦ４のようなＦドープ剤の供給は、ガラスへのＦの適切な導入
を確保し、ガラスからのＦの逃散を抑制するために、スートが焼結されて無孔オ
キシフッ化ケイ素ガラスに固結される間も続けられることが好ましい。スートは
まず、好ましくは９００〜１０００℃、さらに好ましくは１０００〜１１００℃
の範囲の温度で、例えばＣｌ２／ヘリウム雰囲気及び約１１００℃の温度により
脱水され、次いで好ましくは１１２５〜１３２５℃、さらに好ましくは１１５０
〜１２５０℃の範囲の温度で、例えばＳｉＦ４／ヘリウム雰囲気及び約１２２５
℃の温度によりＦドープされ、次いで焼結雰囲気において好ましくは１３５０〜
１５５０℃、さらに好ましくは１４５０〜１５００℃の範囲の温度で、例えばヘ
リウム／ＳｉＦ４雰囲気及び約１４５０℃の温度により焼結されることが好まし
い。低い脱水温度から中程度のＦドープ温度への、次いで高い焼結温度への遷移
は、加熱素子３８に供給されるエネルギーを大きくすることにより達成でき、好
ましくはスートチューブを固結炉の高温ゾーンに移動させることにより達成され
る。炉３４の底部の加熱素子は低温ゾーンのものとは異なるタイプであることが
好ましい。高温ゾーンはスートプレフォームを焼結するために１４５０〜１５０
０℃の範囲の高温に維持されることが好ましい。ＳｉＯ２スートチューブ形成後
のＦドープの代替として、ＳｉＯ２スート形成時にフッ素供給原料源を用いてＦ
をＳｉＯ２にドープすることができる。これは、ＳｉＯ２への好ましい代替Ｆ導
入手段である。そのようなＳｉＯ２スート形成及び堆積時のフッ素ドープは、フ
ッ素ドープレベルが十分であり、固結を通して十分なレベルに維持される場合に
、後のフッ素ドープ工程の代替手段として用いることができる。好ましい別の実
施形態において、スート形成及び堆積時のフッ素ドープは後のフッ素ドープ工程
への補足／付加として利用される。形成時にフッ素ドープし、次いで後のプロセ
ス工程においてフッ素含有処理雰囲気を使用することにより、固結前に存在し、
含有されるフッ素の平衡動力学に基づいて、高いフッ素レベルを維持することが
できる。形成及び堆積時のフッ素ドープでは、スートチューブ上につくられる最
終の何層かの外囲スート層は先につくられた内層よりも通気性及び多孔度が低く
、よって堆積後のフッ素の逃散が抑えられることが好ましい。そのようにスート
層の通気性を低めることは、バーナーへの供給原料流量を下げ、バーナー温度を
高めて、スート密度を高めること及びスートバーナーの平行移動速度を低めるこ
とにより達成できる。また別の実施形態において、低通気性及び無孔質表面外層
はフッ素逃散を抑え、スートチューブ内への処理ガスの流量及び含有量を制御す
るために用いることができる。そのような低通気性及び無孔質ガラス層は、極め
て局所的な緻密化固結熱源、好ましくは放射熱発生器のような無炎熱源を用いて
スートチューブの外面に形成することができる。
ドープされ、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブに固結される。図７に示される
ように、ＳｉＯ２スートチューブ３２は垂直流ガス処理固結炉３４内に垂直に配
置される。適切な高純度処理ガスがガス送込管３６を通して送り込まれて、スー
トチューブ３２の処理に用いられ、またスートチューブに適切な固結雰囲気を与
える。脱水処理ガス、フッ素ドープ処理ガス、焼結処理ガス、脱水処理温度、フ
ッ素ドープ処理温度及び焼結処理温度を用いて、ＯＨがＳｉＯ２スートチューブ
３２から除去され、フッ素がＳｉＯ２スートに導入され、ガラスが固結される。
ＳｉＯ２スートチューブ３２からのＯＨ除去工程は、送込管３６を通して、好ま
しくは底部及び頂部送込管による、脱水ガスの供給により維持される脱水雰囲気
内でのＳｉＯ２スートの加熱工程を含み、頂部送込管３６が脱水ガスを被処理チ
ューブの中心管孔内部に送り込み、底部送込管３６が炉内部に送り込み、廃棄ガ
スは炉上部から排出されることが好ましい。脱水雰囲気は脱水ガス剤として塩素
を含むことが好ましい。好ましい脱水塩素ガス剤はＣｌ２，ＳｉＣｌ４，ＣＣｌ ４ 及びＳＯＣｌ２であり、Ｃｌ２が最も好ましい。脱水塩素ガス剤だけでなく、
脱水雰囲気の体積％(流量、分圧)で表した大部分は高純度ヘリウムからなる。好
ましい方法において脱水雰囲気はフッ素も含む。フッ素は塩素／フッ素／ヘリウ
ム脱水雰囲気をつくるように雰囲気内の補助的脱水剤となることができ、あるい
はフッ素は、フッ素が体積％で少量のフッ素／ヘリウム脱水雰囲気のように、主
脱水剤となることができる。そのようなフッ素／ヘリウム脱水雰囲気は、ガスの
塩素汚染が最小限に抑えられる点で好ましい。フッ化ケイ素、好ましくはＳｉＦ ４ がフッ素脱水剤であり、代替フッ素脱水剤としてＣＦ４、補助的代替フッ素脱
水剤としてＣ２Ｆ６がある。ＣＦ４は、ＳｉＦ４による脱水に比較して高能力の
脱水が得られる点で好ましい脱水／ドープ剤である。ＳｉＦ４は、ＣＦ４より一
様なＦプロファイルが得られるのでフッ素ドープに好ましい。ＳｉＯ２スートへ
のフッ素導入工程は、Ｆ含有雰囲気における、好ましくは脱水処理温度より高い
フッ素ドープ処理温度でのＳｉＯ２スート加熱工程を含む。Ｆ含有雰囲気は、Ｆ
ドープ剤としてフッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を含むことが好ましく、代替Ｆドープ剤
はＣＦ４である。脱水処理雰囲気と同様にヘリウムが雰囲気の大部分となること
が好ましい。ＳｉＦ４のようなＦドープ剤の供給は、ガラスへのＦの適切な導入
を確保し、ガラスからのＦの逃散を抑制するために、スートが焼結されて無孔オ
キシフッ化ケイ素ガラスに固結される間も続けられることが好ましい。スートは
まず、好ましくは９００〜１０００℃、さらに好ましくは１０００〜１１００℃
の範囲の温度で、例えばＣｌ２／ヘリウム雰囲気及び約１１００℃の温度により
脱水され、次いで好ましくは１１２５〜１３２５℃、さらに好ましくは１１５０
〜１２５０℃の範囲の温度で、例えばＳｉＦ４／ヘリウム雰囲気及び約１２２５
℃の温度によりＦドープされ、次いで焼結雰囲気において好ましくは１３５０〜
１５５０℃、さらに好ましくは１４５０〜１５００℃の範囲の温度で、例えばヘ
リウム／ＳｉＦ４雰囲気及び約１４５０℃の温度により焼結されることが好まし
い。低い脱水温度から中程度のＦドープ温度への、次いで高い焼結温度への遷移
は、加熱素子３８に供給されるエネルギーを大きくすることにより達成でき、好
ましくはスートチューブを固結炉の高温ゾーンに移動させることにより達成され
る。炉３４の底部の加熱素子は低温ゾーンのものとは異なるタイプであることが
好ましい。高温ゾーンはスートプレフォームを焼結するために１４５０〜１５０
０℃の範囲の高温に維持されることが好ましい。ＳｉＯ２スートチューブ形成後
のＦドープの代替として、ＳｉＯ２スート形成時にフッ素供給原料源を用いてＦ
をＳｉＯ２にドープすることができる。これは、ＳｉＯ２への好ましい代替Ｆ導
入手段である。そのようなＳｉＯ２スート形成及び堆積時のフッ素ドープは、フ
ッ素ドープレベルが十分であり、固結を通して十分なレベルに維持される場合に
、後のフッ素ドープ工程の代替手段として用いることができる。好ましい別の実
施形態において、スート形成及び堆積時のフッ素ドープは後のフッ素ドープ工程
への補足／付加として利用される。形成時にフッ素ドープし、次いで後のプロセ
ス工程においてフッ素含有処理雰囲気を使用することにより、固結前に存在し、
含有されるフッ素の平衡動力学に基づいて、高いフッ素レベルを維持することが
できる。形成及び堆積時のフッ素ドープでは、スートチューブ上につくられる最
終の何層かの外囲スート層は先につくられた内層よりも通気性及び多孔度が低く
、よって堆積後のフッ素の逃散が抑えられることが好ましい。そのようにスート
層の通気性を低めることは、バーナーへの供給原料流量を下げ、バーナー温度を
高めて、スート密度を高めること及びスートバーナーの平行移動速度を低めるこ
とにより達成できる。また別の実施形態において、低通気性及び無孔質表面外層
はフッ素逃散を抑え、スートチューブ内への処理ガスの流量及び含有量を制御す
るために用いることができる。そのような低通気性及び無孔質ガラス層は、極め
て局所的な緻密化固結熱源、好ましくは放射熱発生器のような無炎熱源を用いて
スートチューブの外面に形成することができる。
【００２５】 ＳｉＯ２スートチューブ３２は炉３４内で脱水され、Ｆドープされ、固結され
て、基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなり、好ましくは、Ｆ濃度が約０．５から２．
５重量％の範囲にあり、ＯＨ含有量が重量％で１ｐｐｍより少なく、さらに塩素
及び酸素を含まないことが好ましい、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２が
得られる。
て、基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなり、好ましくは、Ｆ濃度が約０．５から２．
５重量％の範囲にあり、ＯＨ含有量が重量％で１ｐｐｍより少なく、さらに塩素
及び酸素を含まないことが好ましい、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２が
得られる。
【００２６】 ガラスチューブ２２は、まずＳｉＯ２スートチューブ３２からＯＨを除去し、
次いでＳｉＯ２スートにフッ素を導入し、次いで、このＳｉＯ２スートを、少な
くとも０．５重量％のＦを含有し、 Ｆ濃度が、好ましくは約０．５から１．５
重量％の範囲、さらに好ましくは０．５から２重量％の範囲、最も好ましくは０
．５から２重量％の範囲のガラスに固結することにより作成されることが好まし
い。そのようなフッ素レベルは、スートをＦ含有雰囲気内で固結して、あるいは
スートへのＦドープ後にヘリウム雰囲気内で固結して、ガラスにすることにより
達成できる。ＳｉＯ２スートチューブ３２の好ましい処理方法は、スートをＣｌ
含有雰囲気内で９００から１１００℃の範囲の温度まで加熱することによりＯＨ
除去し、Ｆ含有雰囲気内で１１２５から１３２５℃の範囲の温度まで加熱するこ
とにより脱水されたスートにフッ素を導入し、またスート内のＣｌをＦで置換し
、次いでＦドープされたスートを１３５０から１５５０℃の範囲の温度で焼結す
ることである。
次いでＳｉＯ２スートにフッ素を導入し、次いで、このＳｉＯ２スートを、少な
くとも０．５重量％のＦを含有し、 Ｆ濃度が、好ましくは約０．５から１．５
重量％の範囲、さらに好ましくは０．５から２重量％の範囲、最も好ましくは０
．５から２重量％の範囲のガラスに固結することにより作成されることが好まし
い。そのようなフッ素レベルは、スートをＦ含有雰囲気内で固結して、あるいは
スートへのＦドープ後にヘリウム雰囲気内で固結して、ガラスにすることにより
達成できる。ＳｉＯ２スートチューブ３２の好ましい処理方法は、スートをＣｌ
含有雰囲気内で９００から１１００℃の範囲の温度まで加熱することによりＯＨ
除去し、Ｆ含有雰囲気内で１１２５から１３２５℃の範囲の温度まで加熱するこ
とにより脱水されたスートにフッ素を導入し、またスート内のＣｌをＦで置換し
、次いでＦドープされたスートを１３５０から１５５０℃の範囲の温度で焼結す
ることである。
【００２７】 アルミナ支持チューブのような支持部材が使用され、固結前にスートプレフォ
ームから取り外される場合は、固結中にチューブの内径が実質的に減少する。所
望の内径及び壁厚を得るために、得られた固結ガラスチューブの機械加工、例え
ばコアドリル加工を用いることができる。
ームから取り外される場合は、固結中にチューブの内径が実質的に減少する。所
望の内径及び壁厚を得るために、得られた固結ガラスチューブの機械加工、例え
ばコアドリル加工を用いることができる。
【００２８】 図３及び図４に示されるように、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は縦
方向長さＬを有し、チューブ２２にスリットを入れる工程は縦方向のスリット２
４を形成するための縦方向長さに沿う切れ目を入れる工程を含む。好ましい実施
形態において、チューブ２２は、スリット２４がただ１個のガラス片を生じ、ほ
とんど閉じた“Ｃ”字形に似たチューブ断面形状を与えるように、ただ１度だけ
切れ目を入れられる。スリット入りチューブは次いで平板化される。別の実施形
態において、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は、少なくとも２本の長さ
方向スリット１２４，好ましくはチューブ２２の周に沿って等間隔のスリットで
少なくとも２つの縦長個片に分割される。図９のチューブ２２の端面図に示され
るように、チューブ２２は長さ方向のスリット１２４により１／２に分割される
。図１０のチューブ２２の端面図に示されるように、チューブ２２は長さ方向の
４本のスリット１２４により相等しく４つの１／４片に分割される。 チューブ
２２に１本のスリットを入れる代わりに、 チューブ２２は２つの半片、３つの
１／３片または４つの１／４片に分割される。 オキシフッ化ケイ素ガラスチュ
ーブ２２を一片より多く、２つの半片、３つの１／３片または４つの１／４片に
分割することは、チューブ２２の内周が所望のフォトマスク及びフォトマスクブ
ランクの幅の２倍、３倍または４倍であるときに好ましい。複数の分片に分割す
ることは、チューブの内周が所望のフォトマスクブランク幅よりかなり大きい場
合に好ましい方法である。 図１１に示されるように、Ｃ字形のすなわち１／２
のチューブ片１２２は、ただ１つのスリット２４をもつチューブ２２の平板化と
同様に、吊り下げて引き伸ばし、続いて自重垂下させることにより平板化して、
平板フォトマスクブランク部材にすることができる。 あるいは図１２に示され
るように、１／２のチューブ片１２２を炉３０内で直接自重垂下させることがで
きる。同様に、チューブの１／３片及び１／４片を、図１３に示されるように炉
３０内で直接自重垂下させることができる。有利な平板化のためには、チューブ
の分片を両端が上に反った向きに配置することが好ましい。
方向長さＬを有し、チューブ２２にスリットを入れる工程は縦方向のスリット２
４を形成するための縦方向長さに沿う切れ目を入れる工程を含む。好ましい実施
形態において、チューブ２２は、スリット２４がただ１個のガラス片を生じ、ほ
とんど閉じた“Ｃ”字形に似たチューブ断面形状を与えるように、ただ１度だけ
切れ目を入れられる。スリット入りチューブは次いで平板化される。別の実施形
態において、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２は、少なくとも２本の長さ
方向スリット１２４，好ましくはチューブ２２の周に沿って等間隔のスリットで
少なくとも２つの縦長個片に分割される。図９のチューブ２２の端面図に示され
るように、チューブ２２は長さ方向のスリット１２４により１／２に分割される
。図１０のチューブ２２の端面図に示されるように、チューブ２２は長さ方向の
４本のスリット１２４により相等しく４つの１／４片に分割される。 チューブ
２２に１本のスリットを入れる代わりに、 チューブ２２は２つの半片、３つの
１／３片または４つの１／４片に分割される。 オキシフッ化ケイ素ガラスチュ
ーブ２２を一片より多く、２つの半片、３つの１／３片または４つの１／４片に
分割することは、チューブ２２の内周が所望のフォトマスク及びフォトマスクブ
ランクの幅の２倍、３倍または４倍であるときに好ましい。複数の分片に分割す
ることは、チューブの内周が所望のフォトマスクブランク幅よりかなり大きい場
合に好ましい方法である。 図１１に示されるように、Ｃ字形のすなわち１／２
のチューブ片１２２は、ただ１つのスリット２４をもつチューブ２２の平板化と
同様に、吊り下げて引き伸ばし、続いて自重垂下させることにより平板化して、
平板フォトマスクブランク部材にすることができる。 あるいは図１２に示され
るように、１／２のチューブ片１２２を炉３０内で直接自重垂下させることがで
きる。同様に、チューブの１／３片及び１／４片を、図１３に示されるように炉
３０内で直接自重垂下させることができる。有利な平板化のためには、チューブ
の分片を両端が上に反った向きに配置することが好ましい。
【００２９】 固結ガラスチューブは、スリットを入れて平板化する前に、所望の内径及び壁
厚が与えられていることが好ましい。そのような内径及び壁厚はチューブの機械
加工、例えばコアドリル加工により与えられることが好ましい。
厚が与えられていることが好ましい。そのような内径及び壁厚はチューブの機械
加工、例えばコアドリル加工により与えられることが好ましい。
【００３０】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２を平板化する工程は、チューブを加熱
する工程及び加熱されたチューブに変形力を印加する工程を含む。図５及び１１
に示されるように、チューブ２２を平板化する好ましい工程は、スリット入りチ
ューブをガラス加熱処理炉３０内に吊り下げて、スリット入りチューブに、例え
ば引張重りを取り付けることによる、下向きの力を印加する工程である。吊り線
５０が、スリット入りチューブを炉３０の頂部に近い位置から懸垂する。吊り線
５０は、スリット２４近くでチューブ２２に取り付けられた白金線部材を含むこ
とが好ましい。白金線は、チューブにドリルで孔を開け、白金線を孔に通すこと
により取り付けることができる。吊り線５０及び白金線は、炉３０の頂部に直接
取り付けることができ(図１１)、あるいは補助構造体を用いて炉３０に間接的に
取り付けることができる(図５)。白金線及び吊り下げ重り、好ましくは石英の吊
り下げ重りを、チューブ２２のスリットの吊り線５０側と対向する縁に同様に取
り付けることによりチューブ２２に下向きの平板化力を同様に印加することがで
きる。力印加部材５２がチューブ２２に平板化力を印加して、加熱されたチュー
ブ２２の曲がりの直りを補助する。力印加部材５２により適切に平板化されたチ
ューブがつくられるように、炉３０は低くとも１４８０℃まで加熱されることが
好ましい。吊り下げて引っ張ることにより曲がりを直して平板化するために炉３
０内に入れられたチューブ２２を加熱するための好ましい温度範囲は１４８０〜
１５８０℃の範囲であり、１６００℃より低い、例えば約１５００℃であること
が好ましい。
する工程及び加熱されたチューブに変形力を印加する工程を含む。図５及び１１
に示されるように、チューブ２２を平板化する好ましい工程は、スリット入りチ
ューブをガラス加熱処理炉３０内に吊り下げて、スリット入りチューブに、例え
ば引張重りを取り付けることによる、下向きの力を印加する工程である。吊り線
５０が、スリット入りチューブを炉３０の頂部に近い位置から懸垂する。吊り線
５０は、スリット２４近くでチューブ２２に取り付けられた白金線部材を含むこ
とが好ましい。白金線は、チューブにドリルで孔を開け、白金線を孔に通すこと
により取り付けることができる。吊り線５０及び白金線は、炉３０の頂部に直接
取り付けることができ(図１１)、あるいは補助構造体を用いて炉３０に間接的に
取り付けることができる(図５)。白金線及び吊り下げ重り、好ましくは石英の吊
り下げ重りを、チューブ２２のスリットの吊り線５０側と対向する縁に同様に取
り付けることによりチューブ２２に下向きの平板化力を同様に印加することがで
きる。力印加部材５２がチューブ２２に平板化力を印加して、加熱されたチュー
ブ２２の曲がりの直りを補助する。力印加部材５２により適切に平板化されたチ
ューブがつくられるように、炉３０は低くとも１４８０℃まで加熱されることが
好ましい。吊り下げて引っ張ることにより曲がりを直して平板化するために炉３
０内に入れられたチューブ２２を加熱するための好ましい温度範囲は１４８０〜
１５８０℃の範囲であり、１６００℃より低い、例えば約１５００℃であること
が好ましい。
【００３１】 上記のような吊り下げに加えて、チューブ２２のさらなる平板化を、チューブ
を自重垂下温度まで加熱して加熱されたチューブに変形力を印加することにより
達成できる。図６に示されるように、図５に示される吊り下げプロセスにより得
られた、曲がりが直されたスリット入りチューブ２２を、ガラス処理炉３０内で
の自重垂下によりさらに平板化することができる。チューブを自重垂下させて、
平板化されたスリット入りチューブにする好ましい工程において、炉３０は、ス
リット入りチューブ２２の持ち上げられて支持されていない部分の重量が、スリ
ット入りチューブを自重垂下させて平板化された平板ガラス部材に十分な変形力
となるような、十分に高い温度まで加熱される。図６に加えて、図１２〜１３は
１本の長いスリットが入れられたチューブ片ではなくより多くの分片に分割され
たチューブ２２の自重垂下を示す。炉３０は、分割チューブが平板化されるが、
オキシフッ化ケイ素ガラスの流延及び薄化は実質的に抑えられるように、分割チ
ューブ２２を自重垂下させるに十分に高い軟化温度まで加熱され、流延温度より
低い温度に維持されることが好ましい。自重垂下温度は、好ましくは１７００〜
１８００℃の範囲、より好ましくは１７２０〜１７６０℃の範囲、最も好ましく
は約１７３０℃を中心とする範囲にある。炉加熱チューブ２２への吊り下げ及び
／または自重垂下によるような変形力の印加による平板化に加えて、押圧により
炉加熱チューブ２２に変形力を印加することができる。チューブの自重に加えて
分割チューブ２２に押圧力を印加する場合は、用いられる変形温度を低くするこ
とができる。押圧力を印加する場合には、チューブを約１５５０〜１６５０℃の
温度で処理することができ、平板押圧部材を用いて押圧力を分割チューブに分散
印加することができる。押圧されるチューブ２２の表面は、ガラスチューブを平
板押圧部材から隔てるために白金箔で覆われることが好ましい。代替平板押圧部
材は高純度緻密グラファイトスラブである。高純度緻密グラファイト部材は、本
発明の実施において有用なセット工具及び炉面としても利用される。
を自重垂下温度まで加熱して加熱されたチューブに変形力を印加することにより
達成できる。図６に示されるように、図５に示される吊り下げプロセスにより得
られた、曲がりが直されたスリット入りチューブ２２を、ガラス処理炉３０内で
の自重垂下によりさらに平板化することができる。チューブを自重垂下させて、
平板化されたスリット入りチューブにする好ましい工程において、炉３０は、ス
リット入りチューブ２２の持ち上げられて支持されていない部分の重量が、スリ
ット入りチューブを自重垂下させて平板化された平板ガラス部材に十分な変形力
となるような、十分に高い温度まで加熱される。図６に加えて、図１２〜１３は
１本の長いスリットが入れられたチューブ片ではなくより多くの分片に分割され
たチューブ２２の自重垂下を示す。炉３０は、分割チューブが平板化されるが、
オキシフッ化ケイ素ガラスの流延及び薄化は実質的に抑えられるように、分割チ
ューブ２２を自重垂下させるに十分に高い軟化温度まで加熱され、流延温度より
低い温度に維持されることが好ましい。自重垂下温度は、好ましくは１７００〜
１８００℃の範囲、より好ましくは１７２０〜１７６０℃の範囲、最も好ましく
は約１７３０℃を中心とする範囲にある。炉加熱チューブ２２への吊り下げ及び
／または自重垂下によるような変形力の印加による平板化に加えて、押圧により
炉加熱チューブ２２に変形力を印加することができる。チューブの自重に加えて
分割チューブ２２に押圧力を印加する場合は、用いられる変形温度を低くするこ
とができる。押圧力を印加する場合には、チューブを約１５５０〜１６５０℃の
温度で処理することができ、平板押圧部材を用いて押圧力を分割チューブに分散
印加することができる。押圧されるチューブ２２の表面は、ガラスチューブを平
板押圧部材から隔てるために白金箔で覆われることが好ましい。代替平板押圧部
材は高純度緻密グラファイトスラブである。高純度緻密グラファイト部材は、本
発明の実施において有用なセット工具及び炉面としても利用される。
【００３２】 さらにガラス部材の平板化において、ガラスの加熱は、ガラスが水素で汚染さ
れないことを保証し、またガラス内に閉じ込められていた全てのＨ２分子が脱け
出して放散ガスとなることを可能とし、よって検出可能な量の水素をもたないフ
ォトマスクブランクを得られるように、水素を含まない加熱環境で行われること
が好ましい。
れないことを保証し、またガラス内に閉じ込められていた全てのＨ２分子が脱け
出して放散ガスとなることを可能とし、よって検出可能な量の水素をもたないフ
ォトマスクブランクを得られるように、水素を含まない加熱環境で行われること
が好ましい。
【００３３】 チューブを加熱する工程は、変形力の印加によりガラスチューブが変形するよ
うにガラスの粘度が低められるガラス変形軟化点温度までチューブを加熱する工
程を含む。
うにガラスの粘度が低められるガラス変形軟化点温度までチューブを加熱する工
程を含む。
【００３４】 あるいは、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２の加熱及び加熱されたチュ
ーブ２２への変形力の印加によりオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２を平板
化する工程は、変形流体圧を印加する工程を含む。そのような変形流体圧力は、
加熱されたガラスチューブの内側と外側との間に流体ガス圧差を生じさせること
により印加できる。そのような変形圧力差は、例えばガラスチューブの内側を排
気するか、あるいはガラスチューブの内側を加圧することにより生じさせること
ができる。そのような、加熱工程及びチューブを平板化するための加熱されたチ
ューブへの変形力印加工程は、加熱されたガラスの金型成形工程を含む。平辺面
金型を用いる成形の好ましい実施形態の代替として、加熱されたガラスチューブ
を、金型と物理的に接触させない変形圧力差の印加により平板化することができ
る。そのような無金型平板化工程は、チューブを圧潰してガラスがない内部空間
をもたない圧潰平板化されたチューブにするためのチューブ排気工程を含むこと
が好ましい。変形圧力差による平板化の好ましい実施形態は平辺面金型を用いる
成形工程を含む。加熱されたガラスチューブの金型成形工程は、平辺面金型を作
成する工程、金型をガラスチューブに近接させて配置する工程、及び加熱された
チューブに変形流体圧力を印加する工程を含み、加熱されたチューブは平辺面金
型の形通りになる。チューブの平板化工程は、オキシフッ化ケイ素ガラスチュー
ブ２２を金型２００で取り囲む工程及び加熱されたチューブに膨張圧変形力を印
加する工程を含むことが好ましく、加熱されたチューブは金型２００に向かって
膨張する。チューブ２２を金型２００で取り囲む工程は、チューブを平辺面金型
で取り囲む工程を含むことが好ましい。そのような平辺面金型は、長方形、正方
形、三角形、五角形または六角形の金型のような平辺多角形断面金型であること
が好ましい。最も好ましくは金型断面は長方形であり、長方形は正方形であるこ
とが好ましい。図２０はチューブ２２を平板化するための金型２００を示す。図
２０の金型２００は、チューブ２２を正方形外断面をもつ平板化されたガラスチ
ューブ２２Ｆに成形するための正方形内断面を有する。金型２００は、耐熱性で
あり、最も好ましくはガラスチューブ２２に対して実質的に不活性であり、よっ
て平板化プロセス中に金型２００でガラスチューブ２２を汚染しない耐火性材料
(例えば炭化ケイ素または窒化ケイ素)からなることが好ましい。好ましい材料は
例えば米国コネチカット州ダーラム(Durham)エアラインパーク(Air line Park)
１８番地のグラファイト・ダイ・モールド社(Graphite Die Mold Inc.)から入手が
可能な、高純度グラファイトである。代替金型材料は高純度炭化ケイ素及び高純
度窒化ケイ素である。
ーブ２２への変形力の印加によりオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２を平板
化する工程は、変形流体圧を印加する工程を含む。そのような変形流体圧力は、
加熱されたガラスチューブの内側と外側との間に流体ガス圧差を生じさせること
により印加できる。そのような変形圧力差は、例えばガラスチューブの内側を排
気するか、あるいはガラスチューブの内側を加圧することにより生じさせること
ができる。そのような、加熱工程及びチューブを平板化するための加熱されたチ
ューブへの変形力印加工程は、加熱されたガラスの金型成形工程を含む。平辺面
金型を用いる成形の好ましい実施形態の代替として、加熱されたガラスチューブ
を、金型と物理的に接触させない変形圧力差の印加により平板化することができ
る。そのような無金型平板化工程は、チューブを圧潰してガラスがない内部空間
をもたない圧潰平板化されたチューブにするためのチューブ排気工程を含むこと
が好ましい。変形圧力差による平板化の好ましい実施形態は平辺面金型を用いる
成形工程を含む。加熱されたガラスチューブの金型成形工程は、平辺面金型を作
成する工程、金型をガラスチューブに近接させて配置する工程、及び加熱された
チューブに変形流体圧力を印加する工程を含み、加熱されたチューブは平辺面金
型の形通りになる。チューブの平板化工程は、オキシフッ化ケイ素ガラスチュー
ブ２２を金型２００で取り囲む工程及び加熱されたチューブに膨張圧変形力を印
加する工程を含むことが好ましく、加熱されたチューブは金型２００に向かって
膨張する。チューブ２２を金型２００で取り囲む工程は、チューブを平辺面金型
で取り囲む工程を含むことが好ましい。そのような平辺面金型は、長方形、正方
形、三角形、五角形または六角形の金型のような平辺多角形断面金型であること
が好ましい。最も好ましくは金型断面は長方形であり、長方形は正方形であるこ
とが好ましい。図２０はチューブ２２を平板化するための金型２００を示す。図
２０の金型２００は、チューブ２２を正方形外断面をもつ平板化されたガラスチ
ューブ２２Ｆに成形するための正方形内断面を有する。金型２００は、耐熱性で
あり、最も好ましくはガラスチューブ２２に対して実質的に不活性であり、よっ
て平板化プロセス中に金型２００でガラスチューブ２２を汚染しない耐火性材料
(例えば炭化ケイ素または窒化ケイ素)からなることが好ましい。好ましい材料は
例えば米国コネチカット州ダーラム(Durham)エアラインパーク(Air line Park)
１８番地のグラファイト・ダイ・モールド社(Graphite Die Mold Inc.)から入手が
可能な、高純度グラファイトである。代替金型材料は高純度炭化ケイ素及び高純
度窒化ケイ素である。
【００３５】 図２０の金型は、４枚の長方形高純度グラファイトスラブを用いて構成され、
グラファイトの組立ピンを用いて組み立てることができる。
グラファイトの組立ピンを用いて組み立てることができる。
【００３６】 図２２に示されるように、金型２００は、チューブ２２が金型２００内に挿入
され、金型２００がチューブを取り囲むことができるように、チューブ２２に適
切な大きさに作られる。図２１に示されるように、金型２００で取り囲まれたチ
ューブ２２は、Ｈｅパージ縦型チューブ炉のようなガラス処理炉３４内で加熱さ
れ、変形される。チューブ２２の加熱及び変形の前に、チューブ２２の膨張変形
中の流体の漏れ出しを阻止するために、例えば炎加工により、チューブ２２の一
端が閉じられて気密封止される。金型２００内部のチューブ２２は、不活性ガス
の膨張変形圧力を用いて変形され、平板化される。図２１に示されるように、変
形Ｈｅガス圧源が、ガラスチューブ２２が金型２００の内断面形状通りの形とな
るように、加熱されたチューブ２２の内部を加圧し、チューブを膨張させて金型
２２と接触させるために用いられる。加圧ガスは、チューブ２２の閉じられた端
に対向するチューブ２２の炎加工されたハンドルチューブ端に供給されることが
好ましい。図２２は金型２００で取り囲まれた未変形のガラスチューブ２２を示
す。図２３は、金型２００内の変形されて平板化されたガラスチューブ２２Ｆを
示し、ガラスチューブは金型２００の正方形断面通りの形となっている。図２４
は、金型２００から取り出された平板化ガラスチューブ２２Ｆを示す。図２４に
示されるように、平板化ガラスチューブ２２Ｆは、チューブから平板面を取り出
すために破線に沿って切断される。図２５は平辺三角形断面金型２００を示す。
図２６は平辺八角形断面金型２００を示す。図２０及び２１に示されるように、
チューブ２２は、金型２００の底部開放端を通して金型２００内部に配置され、
金型２００の頂部端面の孔を通してチューブ２２のハンドルが突き出している。
され、金型２００がチューブを取り囲むことができるように、チューブ２２に適
切な大きさに作られる。図２１に示されるように、金型２００で取り囲まれたチ
ューブ２２は、Ｈｅパージ縦型チューブ炉のようなガラス処理炉３４内で加熱さ
れ、変形される。チューブ２２の加熱及び変形の前に、チューブ２２の膨張変形
中の流体の漏れ出しを阻止するために、例えば炎加工により、チューブ２２の一
端が閉じられて気密封止される。金型２００内部のチューブ２２は、不活性ガス
の膨張変形圧力を用いて変形され、平板化される。図２１に示されるように、変
形Ｈｅガス圧源が、ガラスチューブ２２が金型２００の内断面形状通りの形とな
るように、加熱されたチューブ２２の内部を加圧し、チューブを膨張させて金型
２２と接触させるために用いられる。加圧ガスは、チューブ２２の閉じられた端
に対向するチューブ２２の炎加工されたハンドルチューブ端に供給されることが
好ましい。図２２は金型２００で取り囲まれた未変形のガラスチューブ２２を示
す。図２３は、金型２００内の変形されて平板化されたガラスチューブ２２Ｆを
示し、ガラスチューブは金型２００の正方形断面通りの形となっている。図２４
は、金型２００から取り出された平板化ガラスチューブ２２Ｆを示す。図２４に
示されるように、平板化ガラスチューブ２２Ｆは、チューブから平板面を取り出
すために破線に沿って切断される。図２５は平辺三角形断面金型２００を示す。
図２６は平辺八角形断面金型２００を示す。図２０及び２１に示されるように、
チューブ２２は、金型２００の底部開放端を通して金型２００内部に配置され、
金型２００の頂部端面の孔を通してチューブ２２のハンドルが突き出している。
【００３７】 別の実施形態において、金型成形による平板化は、金型をガラスチューブ内部
に配置できるように、ガラスチューブ内部より小さくつくられた金型の利用を含
む。図２８に示されるように、本方法は金型２００をチューブで取り囲む工程及
び加熱されたチューブ２２に圧潰流体圧変形力を印加する工程を含み、チューブ
は金型に向かって圧潰し、図２９に示されるように、平板化されたチューブ２２
Ｆが得られる。加熱されたチューブ２２の金型２００上へのそのような圧潰は、
真空を利用して平辺面金型上にガラスを能動的に圧潰させることにより達成でき
る。チューブを圧潰させるためのそのような高圧ガスの使用はチューブ２２の内
部を排気することにより達成でき、金型２００が管状及び／または中空の場合に
は、金型２００の内部を排気することが好ましく、金型はガスが通過できるダク
トを有することが好ましい。金型２００に向けての膨張と同様に、そのような圧
潰はチューブ２２の内部環境をチューブ２２の外部環境から遮断し、内部環境と
外部環境との間に圧力差を形成してチューブ２２を変形させ、よってチューブ２
２は金型２００の平辺面の形通りになる。
に配置できるように、ガラスチューブ内部より小さくつくられた金型の利用を含
む。図２８に示されるように、本方法は金型２００をチューブで取り囲む工程及
び加熱されたチューブ２２に圧潰流体圧変形力を印加する工程を含み、チューブ
は金型に向かって圧潰し、図２９に示されるように、平板化されたチューブ２２
Ｆが得られる。加熱されたチューブ２２の金型２００上へのそのような圧潰は、
真空を利用して平辺面金型上にガラスを能動的に圧潰させることにより達成でき
る。チューブを圧潰させるためのそのような高圧ガスの使用はチューブ２２の内
部を排気することにより達成でき、金型２００が管状及び／または中空の場合に
は、金型２００の内部を排気することが好ましく、金型はガスが通過できるダク
トを有することが好ましい。金型２００に向けての膨張と同様に、そのような圧
潰はチューブ２２の内部環境をチューブ２２の外部環境から遮断し、内部環境と
外部環境との間に圧力差を形成してチューブ２２を変形させ、よってチューブ２
２は金型２００の平辺面の形通りになる。
【００３８】 金型２００とチューブ２２との間の相対運動はもたせずに金型２００とチュー
ブ２２とを一緒に高温加熱ゾーンに移動させる代わりに、金型２００を高温加熱
ゾーンに固定して、チューブ２２が金型２００に対して移動しながら変形して金
型と同じ形状となるように、チューブ２２を高温ゾーンに移動させることができ
る。例えば金型２００が固定支持され、加熱されたチューブ２２が金型を通して
または金型の周りを平行移動させられる。
ブ２２とを一緒に高温加熱ゾーンに移動させる代わりに、金型２００を高温加熱
ゾーンに固定して、チューブ２２が金型２００に対して移動しながら変形して金
型と同じ形状となるように、チューブ２２を高温ゾーンに移動させることができ
る。例えば金型２００が固定支持され、加熱されたチューブ２２が金型を通して
または金型の周りを平行移動させられる。
【００３９】 本発明は、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程、ガラスチュー
ブを加熱する工程、及び加熱されたガラスチューブを排気し、チューブを圧潰さ
せてガラスのない内部空間をもたない圧潰平板化されたチューブにする工程を含
む、平面フォトマスクガラスブランクを作成する方法を含む。そのような排気及
び圧潰は、ガラスチューブの内部をガラスチューブを取り囲む外部環境に対し気
密封止して、ガラスチューブ内部に真空を与えることにより達成できる。ガラス
チューブ２２は複数の同軸ストリエーション層４７を有し、チューブが圧潰させ
られて上面及び下面に平行な複数のストリエーション層をもつ圧潰平板チューブ
５２２になることが好ましい。図３０に示される圧潰チューブ５２２は、圧潰チ
ューブの上面及び下面に平行な複数の平行ストリエーション層４７を有する。チ
ューブ２２の圧潰平板チューブ５２２への圧潰においては、例えばラッピング、
研磨及び切断による、圧潰チューブ５２２の適切な仕上げにより得ることができ
るフォトマスクガラスブランク２０の上面及び下面にストリエーション層４７が
平行に揃えられるように、ストリエーション層４７の平行配向が維持されること
が好ましい。
ブを加熱する工程、及び加熱されたガラスチューブを排気し、チューブを圧潰さ
せてガラスのない内部空間をもたない圧潰平板化されたチューブにする工程を含
む、平面フォトマスクガラスブランクを作成する方法を含む。そのような排気及
び圧潰は、ガラスチューブの内部をガラスチューブを取り囲む外部環境に対し気
密封止して、ガラスチューブ内部に真空を与えることにより達成できる。ガラス
チューブ２２は複数の同軸ストリエーション層４７を有し、チューブが圧潰させ
られて上面及び下面に平行な複数のストリエーション層をもつ圧潰平板チューブ
５２２になることが好ましい。図３０に示される圧潰チューブ５２２は、圧潰チ
ューブの上面及び下面に平行な複数の平行ストリエーション層４７を有する。チ
ューブ２２の圧潰平板チューブ５２２への圧潰においては、例えばラッピング、
研磨及び切断による、圧潰チューブ５２２の適切な仕上げにより得ることができ
るフォトマスクガラスブランク２０の上面及び下面にストリエーション層４７が
平行に揃えられるように、ストリエーション層４７の平行配向が維持されること
が好ましい。
【００４０】 本発明の方法の好ましい実施形態において、オキシフッ化ケイ素ガラスチュー
ブを作成する工程は、内径が少なくとも２．５ｃｍ，厚さが少なくとも０．６ｃ
ｍ及び長さが少なくとも１５ｃｍのチューブを作成する工程を含む。別の実施形
態においては、 作成されるチューブの内径は少なくとも３．６ｃｍ，厚さは少
なくとも０．６ｃｍ，及び長さは少なくとも２２ｃｍである。 上記のように作
成されたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブであれば、チューブは５ｃｍより小
さい内径を有し、作成されたチューブは図４のような１本の長さ方向のスリット
２４をもつように１度だけ切れ目が入れられ、次いでただ１つのスリット入りチ
ューブ部材全体が平板化されるので好ましい。
ブを作成する工程は、内径が少なくとも２．５ｃｍ，厚さが少なくとも０．６ｃ
ｍ及び長さが少なくとも１５ｃｍのチューブを作成する工程を含む。別の実施形
態においては、 作成されるチューブの内径は少なくとも３．６ｃｍ，厚さは少
なくとも０．６ｃｍ，及び長さは少なくとも２２ｃｍである。 上記のように作
成されたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブであれば、チューブは５ｃｍより小
さい内径を有し、作成されたチューブは図４のような１本の長さ方向のスリット
２４をもつように１度だけ切れ目が入れられ、次いでただ１つのスリット入りチ
ューブ部材全体が平板化されるので好ましい。
【００４１】 本発明の別の好ましい実施形態において、本方法は内径が少なくとも５ｃｍ，
厚さが少なくとも０．６ｃｍ， 及び長さが少なくとも１５ｃｍのチューブ２２
を作成する工程を含む。別の実施形態において、作成されたチューブの内径は少
なくとも７．６ｃｍ，厚さは少なくとも０．６ｃｍ，長さは少なくとも２２ｃｍ
であり、１本より多いスリット１２４を入れることにより、作成されたチューブ
は１つより多いチューブ分片１２２に分割される。チューブ２２は２つの相等し
い半片に分割されることが最も好ましい。
厚さが少なくとも０．６ｃｍ， 及び長さが少なくとも１５ｃｍのチューブ２２
を作成する工程を含む。別の実施形態において、作成されたチューブの内径は少
なくとも７．６ｃｍ，厚さは少なくとも０．６ｃｍ，長さは少なくとも２２ｃｍ
であり、１本より多いスリット１２４を入れることにより、作成されたチューブ
は１つより多いチューブ分片１２２に分割される。チューブ２２は２つの相等し
い半片に分割されることが最も好ましい。
【００４２】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ２２を作成する工程は、複数の同軸ストリ
エーション層を有するオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程を含む
ことが好ましく、本方法は複数のストリエーション層がフォトマスクブランクの
平表面に平行であるように複数のストリエーション層の相対配向を維持する工程
を含む。複数の同軸ストリエーション層４７をもつチューブ２２を作成する好ま
しい方法は、複数の同軸スート層４６をもつスートチューブ３２の固結による方
法である。本発明の、チューブ２２にスリットを入れ、平板化し、二次成形する
工程により、複数のストリエーション層相互の平行配向が維持され、フォトマス
クブランク２０の上平面２６及び下平面２８に平行な複数のストリエーション層
が得られる。本発明の方法は、ガラス内に形成されたストリエーションの崩壊を
回避し、またストリエーションを除くことなく、ストリエーションを有するフォ
トマスクが得られるように、複数のストリエーション層を維持する工程を事実上
含む。
エーション層を有するオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成する工程を含む
ことが好ましく、本方法は複数のストリエーション層がフォトマスクブランクの
平表面に平行であるように複数のストリエーション層の相対配向を維持する工程
を含む。複数の同軸ストリエーション層４７をもつチューブ２２を作成する好ま
しい方法は、複数の同軸スート層４６をもつスートチューブ３２の固結による方
法である。本発明の、チューブ２２にスリットを入れ、平板化し、二次成形する
工程により、複数のストリエーション層相互の平行配向が維持され、フォトマス
クブランク２０の上平面２６及び下平面２８に平行な複数のストリエーション層
が得られる。本発明の方法は、ガラス内に形成されたストリエーションの崩壊を
回避し、またストリエーションを除くことなく、ストリエーションを有するフォ
トマスクが得られるように、複数のストリエーション層を維持する工程を事実上
含む。
【００４３】 平板化されたスリット入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブのフォトマスク
及びフォトマスクブランクへの二次成形工程は、平板化されたスリット入りガラ
スチューブを研磨して平滑な上平面２６及び好ましくは平滑な下平面２８も作成
する工程を含む。平板化されたスリット入りガラスチューブは両面仕上げを施さ
れ、表面粗さが０．１５ｎｍｒｍｓ以下になるまで研磨される。 二次成形工程
は、得られた長方形の、平板化されたスリット入りガラスチューブの、例えば円
形フォトマスクが望ましい場合の、切断工程を含むことができる。
及びフォトマスクブランクへの二次成形工程は、平板化されたスリット入りガラ
スチューブを研磨して平滑な上平面２６及び好ましくは平滑な下平面２８も作成
する工程を含む。平板化されたスリット入りガラスチューブは両面仕上げを施さ
れ、表面粗さが０．１５ｎｍｒｍｓ以下になるまで研磨される。 二次成形工程
は、得られた長方形の、平板化されたスリット入りガラスチューブの、例えば円
形フォトマスクが望ましい場合の、切断工程を含むことができる。
【００４４】 本発明はさらに、形成されたオキシフッ化ケイ素ガラスフォトマスクを通して
波長１５７ｎｍの光を透過させる工程を含む。フォトマスクブランクを通した１
５７ｎｍ光のそのような透過は、ガラスの検査工程及びガラスの透過特性の解析
工程を含むことができる。図２７に示されるように、フォトマスクブランク２０
はＶＵＶ波長投影リソグラフィシステム３２７で使用される。本発明は、フォト
マスクブランク平表面上への、好ましくは１５７ｎｍＶＵＶ波長リソグラフィ用
パターンが付けられた透過フォトマスクを得るための、 (好ましくはリソグラフ
ィレジストプロセスを用い、 最も好ましくはＣｒ膜堆積による)リソグラフィ像
パターン３００の形成工程も含む。本発明は、投影像パターンを形成するために
フォトマスク平表面上に波長１５７ｎｍを含むＶＵＶ光を入射させる工程、及び
投影像パターンを感光性材料３３０上に投射する工程を含む。ＶＵＶ照明システ
ムが１９３ｎｍ以下の、好ましくは１６５ｎｍ以下でＦ２エキシマーレーザによ
り放射されるような１５７ｎｍ域の、ＶＵＶ光を放射する。フォトマスクブラン
ク２０は位相シフト透過フォトマスクにも利用できる。あるいは、フォトマスク
ブランク２０は、フォトマスクブランク２０上に反射リソグラフィ像パターンを
形成することにより反射投影リソグラフィシステムで使用することもできる。
波長１５７ｎｍの光を透過させる工程を含む。フォトマスクブランクを通した１
５７ｎｍ光のそのような透過は、ガラスの検査工程及びガラスの透過特性の解析
工程を含むことができる。図２７に示されるように、フォトマスクブランク２０
はＶＵＶ波長投影リソグラフィシステム３２７で使用される。本発明は、フォト
マスクブランク平表面上への、好ましくは１５７ｎｍＶＵＶ波長リソグラフィ用
パターンが付けられた透過フォトマスクを得るための、 (好ましくはリソグラフ
ィレジストプロセスを用い、 最も好ましくはＣｒ膜堆積による)リソグラフィ像
パターン３００の形成工程も含む。本発明は、投影像パターンを形成するために
フォトマスク平表面上に波長１５７ｎｍを含むＶＵＶ光を入射させる工程、及び
投影像パターンを感光性材料３３０上に投射する工程を含む。ＶＵＶ照明システ
ムが１９３ｎｍ以下の、好ましくは１６５ｎｍ以下でＦ２エキシマーレーザによ
り放射されるような１５７ｎｍ域の、ＶＵＶ光を放射する。フォトマスクブラン
ク２０は位相シフト透過フォトマスクにも利用できる。あるいは、フォトマスク
ブランク２０は、フォトマスクブランク２０上に反射リソグラフィ像パターンを
形成することにより反射投影リソグラフィシステムで使用することもできる。
【００４５】 本発明にしたがえば、本発明は本発明の方法により形成されたリソグラフィ用
ガラスマスクプレフォームをさらに含む。本発明のリソグラフィ用ガラスマスク
プレフォームは、 ＯＨ含有量が重量％で１０ｐｐｍ以下、Ｆ濃度が０．５重量
％以上の縦長オキシフッ化ケイ素ガラスチューブからなり、オキシフッ化ケイ素
ガラスチューブの内径は少なくとも２．５ｃｍ，厚さは少なくとも０．６ｃｍ，
及び縦方向長さは少なくとも１５ｃｍであり、チューブは縦方向長さに沿う中心
軸を有し、ガラスチューブは中心軸をほぼ中心とする複数の同軸ストリエーショ
ン層を有する。オキシフッ化ケイ素ガラスリソグラフィ用マスクプレフォームチ
ューブ２２は、基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなることが好ましい。オキシフッ化
ケイ素ガラスのガラス厚５ｍｍあたりの１５７ｎｍにおける％波長透過率は、少
なくとも７０％であることが好ましい。
ガラスマスクプレフォームをさらに含む。本発明のリソグラフィ用ガラスマスク
プレフォームは、 ＯＨ含有量が重量％で１０ｐｐｍ以下、Ｆ濃度が０．５重量
％以上の縦長オキシフッ化ケイ素ガラスチューブからなり、オキシフッ化ケイ素
ガラスチューブの内径は少なくとも２．５ｃｍ，厚さは少なくとも０．６ｃｍ，
及び縦方向長さは少なくとも１５ｃｍであり、チューブは縦方向長さに沿う中心
軸を有し、ガラスチューブは中心軸をほぼ中心とする複数の同軸ストリエーショ
ン層を有する。オキシフッ化ケイ素ガラスリソグラフィ用マスクプレフォームチ
ューブ２２は、基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなることが好ましい。オキシフッ化
ケイ素ガラスのガラス厚５ｍｍあたりの１５７ｎｍにおける％波長透過率は、少
なくとも７０％であることが好ましい。
【００４６】 本発明のプレフォームチューブ２２の別の実施形態において、オキシフッ化ケ
イ素ガラスチューブは、スートを固結してオキシフッ化ケイ素ガラスにする前に
スートチューブから取り外されないままのガラス支持チューブ４２を取り囲む。
取り囲まれる支持チューブ４２は、組成が同等の石英ガラスチューブであること
が好ましい。
イ素ガラスチューブは、スートを固結してオキシフッ化ケイ素ガラスにする前に
スートチューブから取り外されないままのガラス支持チューブ４２を取り囲む。
取り囲まれる支持チューブ４２は、組成が同等の石英ガラスチューブであること
が好ましい。
【００４７】 本発明のガラスプレフォームチューブ２２は、１５７ｎｍにおける透過一様性
が−２％から＋２％の範囲にあることが好ましい。プレフォームチューブは寸法
が１μｍより大きい混在物を含まないことが好ましく、 複屈折が５ｎｍ／ｃｍ
以下であることが好ましい。そのような好ましいガラスプレフォームチューブ２
２は、 内径が少なくとも３．６ｃｍ，縦方向長さが少なくとも２２ｃｍである
。別の実施形態において、プレフォームチューブは内径が少なくとも５ｃｍ，よ
り好ましくは少なくとも７．６ｃｍであり、長さは少なくとも２２ｃｍである。
が−２％から＋２％の範囲にあることが好ましい。プレフォームチューブは寸法
が１μｍより大きい混在物を含まないことが好ましく、 複屈折が５ｎｍ／ｃｍ
以下であることが好ましい。そのような好ましいガラスプレフォームチューブ２
２は、 内径が少なくとも３．６ｃｍ，縦方向長さが少なくとも２２ｃｍである
。別の実施形態において、プレフォームチューブは内径が少なくとも５ｃｍ，よ
り好ましくは少なくとも７．６ｃｍであり、長さは少なくとも２２ｃｍである。
【００４８】 リソグラフィ用ガラスマスクプレフォームの好ましい実施形態において、縦長
オキシフッ化ケイ素ガラスチューブは平辺多角形断面を有する。マスクプレフォ
ームガラスチューブは長方形の断面を有することが好ましく、この長方形断面は
正方形断面であることが最も好ましい。平辺多角形断面は、三角形、五角形、六
角形及び八角形のような平辺多角形を含むことができる。
オキシフッ化ケイ素ガラスチューブは平辺多角形断面を有する。マスクプレフォ
ームガラスチューブは長方形の断面を有することが好ましく、この長方形断面は
正方形断面であることが最も好ましい。平辺多角形断面は、三角形、五角形、六
角形及び八角形のような平辺多角形を含むことができる。
【００４９】 本発明はさらに、本発明でつくられるような、フォトマスクブランクの平表面
に平行な複数の平行ストリエーション層をもつリソグラフィ用フォトマスクブラ
ンク２０を含む。リソグラフィ用フォトマスクブランク２０は上平面２６及び下
平面２８をもつ平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材を含む。オキシフッ化ケイ素
ガラス部材のＯＨ含有量は１０ｐｐｍ以下、 Ｆ濃度は０．５重量％以上である
。オキシフッ化ケイ素ガラス部材は複数の平行ストリエーション層４７を有し、
これらの平行ストリエーション層は上平面２６に実質的に平行である。上平面の
表面粗さは０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下であることが好ましい。下平面２８はスト
リエーション層に実質的に平行であり、表面粗さが同じく０．１５ｎｍ ｒｍｓ
以下であることが好ましい。リソグラフィ用フォトマスクブランク２０の波長１
５７ｎｍにおけるオキシフッ化ケイ素ガラスフォトマスクブランク厚５ｍｍあた
りの％透過率は、少なくとも７０％であることが好ましい。平板オキシフッ化ケ
イ素ガラス部材は１５７ｎｍにおいて−２％から＋２％の範囲の透過一様性を有
し 複屈折が５ｎｍ／ｃｍ以下であることがより好ましい。 ガラス部材は寸法が
１μｍより大きな混在物を含まないことが好ましい。
に平行な複数の平行ストリエーション層をもつリソグラフィ用フォトマスクブラ
ンク２０を含む。リソグラフィ用フォトマスクブランク２０は上平面２６及び下
平面２８をもつ平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材を含む。オキシフッ化ケイ素
ガラス部材のＯＨ含有量は１０ｐｐｍ以下、 Ｆ濃度は０．５重量％以上である
。オキシフッ化ケイ素ガラス部材は複数の平行ストリエーション層４７を有し、
これらの平行ストリエーション層は上平面２６に実質的に平行である。上平面の
表面粗さは０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下であることが好ましい。下平面２８はスト
リエーション層に実質的に平行であり、表面粗さが同じく０．１５ｎｍ ｒｍｓ
以下であることが好ましい。リソグラフィ用フォトマスクブランク２０の波長１
５７ｎｍにおけるオキシフッ化ケイ素ガラスフォトマスクブランク厚５ｍｍあた
りの％透過率は、少なくとも７０％であることが好ましい。平板オキシフッ化ケ
イ素ガラス部材は１５７ｎｍにおいて−２％から＋２％の範囲の透過一様性を有
し 複屈折が５ｎｍ／ｃｍ以下であることがより好ましい。 ガラス部材は寸法が
１μｍより大きな混在物を含まないことが好ましい。
【００５０】 リソグラフィ用フォトマスクブランク２０のオキシフッ化ケイ素ガラスは基本
的にＳｉ，Ｏ及びＦからなることが好ましい。 このガラスのＦ濃度は０．５重
量％から３重量％の範囲にあり、またＯＨ含有量は重量％で５ｐｐｍより少なく
、より好ましくは重量％で１ｐｐｍ以下であることが好ましい。好ましい実施形
態においてフォトマスクブランク２０は、 厚さが少なくとも０．６ｃｍ，長さ
が少なくとも１５ｃｍであり、寸法が１μｍより大きい混在物を含まず、１５７
ｎｍにおける透過率は７０％より大きく、 複屈折は５ｎｍ／ｃｍ以下であると
同時に、１５７ｎｍにおける透過一様性が−２％から＋２％の範囲にある。
的にＳｉ，Ｏ及びＦからなることが好ましい。 このガラスのＦ濃度は０．５重
量％から３重量％の範囲にあり、またＯＨ含有量は重量％で５ｐｐｍより少なく
、より好ましくは重量％で１ｐｐｍ以下であることが好ましい。好ましい実施形
態においてフォトマスクブランク２０は、 厚さが少なくとも０．６ｃｍ，長さ
が少なくとも１５ｃｍであり、寸法が１μｍより大きい混在物を含まず、１５７
ｎｍにおける透過率は７０％より大きく、 複屈折は５ｎｍ／ｃｍ以下であると
同時に、１５７ｎｍにおける透過一様性が−２％から＋２％の範囲にある。
【００５１】 リソグラフィ用フォトマスクブランク２０は、ガラスブランク試験片を通して
測定される透過率が反射損失を含んだ状態で、５ｍｍ厚に対して％透過率が少な
くとも７０％であることが好ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスフォトマスクブ
ランク２０は、１５７ｎｍでの透過率の測定値がブランク厚５ｍｍあたりで少な
くとも７２％であることがより好ましく、少なくとも７５％であることが最も好
ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスは、１５７ｎｍにおいて好ましくは少なくと
も８０％／ｃｍ、より好ましくは少なくとも８８％／ｃｍの内部透過率を有する
。
測定される透過率が反射損失を含んだ状態で、５ｍｍ厚に対して％透過率が少な
くとも７０％であることが好ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスフォトマスクブ
ランク２０は、１５７ｎｍでの透過率の測定値がブランク厚５ｍｍあたりで少な
くとも７２％であることがより好ましく、少なくとも７５％であることが最も好
ましい。オキシフッ化ケイ素ガラスは、１５７ｎｍにおいて好ましくは少なくと
も８０％／ｃｍ、より好ましくは少なくとも８８％／ｃｍの内部透過率を有する
。
【００５２】 本発明は、リソグラフィ用マスクを形成するためのリソグラフィ用ガラスマス
クブランクプレフォームを含む。図１〜３に示されるように、平板ガラスマスク
部材用プレフォームは上平面２６及び下平面２８を有する。本発明は上平面及び
下平面並びに複数の平行ストリエーション層を有する平板ガラス部材に二次成形
するためのプレフォームガラスチューブ２２を含む。チューブ２２は、マスク幅
ＭＷ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有するマスクを形成するためのプレフォ
ームである。ガラスプレフォームチューブ２２は、内径ＩＲ，厚さＴ，長さＬ，
及び長さ方向チューブ中心軸ＣＡを有する。ガラスチューブ２２は中心軸ＣＡを
ほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層４７を含み、チューブ内径ＩＲ≧
(７／４４)ＭＷ，厚さＴ＞ＭＴ，および長さＬ≧ＭＬである。 ガラスチューブ
は好ましくはオキシフッ化ケイ素ガラス、最も好ましくはＯＨ含有量が１０ｐｐ
ｍ以下のオキシフッ化ケイ素ガラスからなる。本発明は、上記のリソグラフィ用
ガラスマスクプレフォーム２２からつくられたリソグラフィ用マスク２０も含み
、このマスク２０は上平面２６及び下平面２８を有し、マスク幅がＭＷ，マスク
長がＭＬ，マスク厚がＭＴの平板ガラス部材である。平板ガラスマスク２０は上
平面２６及び下平面２８に平行な複数の平行ストリエーション層４７を含む。
クブランクプレフォームを含む。図１〜３に示されるように、平板ガラスマスク
部材用プレフォームは上平面２６及び下平面２８を有する。本発明は上平面及び
下平面並びに複数の平行ストリエーション層を有する平板ガラス部材に二次成形
するためのプレフォームガラスチューブ２２を含む。チューブ２２は、マスク幅
ＭＷ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有するマスクを形成するためのプレフォ
ームである。ガラスプレフォームチューブ２２は、内径ＩＲ，厚さＴ，長さＬ，
及び長さ方向チューブ中心軸ＣＡを有する。ガラスチューブ２２は中心軸ＣＡを
ほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層４７を含み、チューブ内径ＩＲ≧
(７／４４)ＭＷ，厚さＴ＞ＭＴ，および長さＬ≧ＭＬである。 ガラスチューブ
は好ましくはオキシフッ化ケイ素ガラス、最も好ましくはＯＨ含有量が１０ｐｐ
ｍ以下のオキシフッ化ケイ素ガラスからなる。本発明は、上記のリソグラフィ用
ガラスマスクプレフォーム２２からつくられたリソグラフィ用マスク２０も含み
、このマスク２０は上平面２６及び下平面２８を有し、マスク幅がＭＷ，マスク
長がＭＬ，マスク厚がＭＴの平板ガラス部材である。平板ガラスマスク２０は上
平面２６及び下平面２８に平行な複数の平行ストリエーション層４７を含む。
【００５３】 本発明は：内径ＩＲ，厚さＴ，長さＬ，長さ方向チューブ中心軸ＣＡ及び中心
軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層４７を有するガラスチュ
ーブマスクプレフォーム２２を作成する工程；及びガラスチューブ２２を平板化
して、上平面２６，下平面２８，並びに上平面２６及び下平面２８に平行な複数
の平行ストリエーション層４７を有する平板ガラスマスクにする工程をもつ、マ
スク２０の作成方法も含む。本方法は、平滑な平板マスク用表面を得るための、
平板化工程並びに上平面２６及び下平面２８の研磨工程を容易にするために、長
さＬに沿い、中心軸ＣＡに合わせてガラスチューブ２２にスリットを入れる工程
を含む。本方法は、マスク２０がＭＷ≦(４４／７)ＩＲのマスク幅ＭＷ，ＭＴ＜
Ｔのマスク厚ＭＴ，及びＭＬ≦Ｌのマスク長ＭＬを有するように、チューブ２２
を平板化して平板マスク２０にする工程を含むことが好ましい。 そのようにＭ
Ｗ≦(４４／７)ＩＲとする方法は、チューブ長Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた
、ただ１本の長さ方向スリットを形成する工程を含むことが好ましい。別の実施
形態において、本方法は、チューブ長Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた、２本の
長さ方向スリットを形成する工程、及び分割プレフォームを平板化して、ＭＷ≦
(２２／７)ＩＲのマスク幅ＭＷ， ＭＴ＜Ｔのマスク厚ＭＴ，及びＭＬ≦Ｌのマ
スク長ＭＬを有する平板マスクにする工程を含む。別の実施形態において、本方
法は、チューブ長Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた、３本の長さ方向スリットを
形成する工程、及び敏活プレフォームを平板化して、 ＭＷ≦(４４／２１)ＩＲ
のマスク幅ＭＷ，ＭＴ＜Ｔのマスク厚ＭＴ，及びＭＬ≦Ｌのマスク長ＭＬを有す
る平板マスクにする工程を含む。別の実施形態において、本方法は、チューブ長
Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた、４本の長さ方向スリットを形成する工程、及
び分割プレフォームを平板化して、 ＭＷ≦(１１／７)ＩＲのマスク幅ＭＷ，Ｍ
Ｌ≦Ｌのマスク長ＭＬ，及びＭＴ＜Ｔのマスク厚ＭＴを有する平板マスクにする
工程を含む。
軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層４７を有するガラスチュ
ーブマスクプレフォーム２２を作成する工程；及びガラスチューブ２２を平板化
して、上平面２６，下平面２８，並びに上平面２６及び下平面２８に平行な複数
の平行ストリエーション層４７を有する平板ガラスマスクにする工程をもつ、マ
スク２０の作成方法も含む。本方法は、平滑な平板マスク用表面を得るための、
平板化工程並びに上平面２６及び下平面２８の研磨工程を容易にするために、長
さＬに沿い、中心軸ＣＡに合わせてガラスチューブ２２にスリットを入れる工程
を含む。本方法は、マスク２０がＭＷ≦(４４／７)ＩＲのマスク幅ＭＷ，ＭＴ＜
Ｔのマスク厚ＭＴ，及びＭＬ≦Ｌのマスク長ＭＬを有するように、チューブ２２
を平板化して平板マスク２０にする工程を含むことが好ましい。 そのようにＭ
Ｗ≦(４４／７)ＩＲとする方法は、チューブ長Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた
、ただ１本の長さ方向スリットを形成する工程を含むことが好ましい。別の実施
形態において、本方法は、チューブ長Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた、２本の
長さ方向スリットを形成する工程、及び分割プレフォームを平板化して、ＭＷ≦
(２２／７)ＩＲのマスク幅ＭＷ， ＭＴ＜Ｔのマスク厚ＭＴ，及びＭＬ≦Ｌのマ
スク長ＭＬを有する平板マスクにする工程を含む。別の実施形態において、本方
法は、チューブ長Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた、３本の長さ方向スリットを
形成する工程、及び敏活プレフォームを平板化して、 ＭＷ≦(４４／２１)ＩＲ
のマスク幅ＭＷ，ＭＴ＜Ｔのマスク厚ＭＴ，及びＭＬ≦Ｌのマスク長ＭＬを有す
る平板マスクにする工程を含む。別の実施形態において、本方法は、チューブ長
Ｌに沿い、中心軸ＣＡに合わせた、４本の長さ方向スリットを形成する工程、及
び分割プレフォームを平板化して、 ＭＷ≦(１１／７)ＩＲのマスク幅ＭＷ，Ｍ
Ｌ≦Ｌのマスク長ＭＬ，及びＭＴ＜Ｔのマスク厚ＭＴを有する平板マスクにする
工程を含む。
【００５４】 マスクを作成する好ましい実施形態において、平板化工程は、平辺面を有する
金型２００に向けてガラスチューブ２２を膨張させる工程を含む。ガラスチュー
ブ２２の平板化及び膨張工程は、正方形の断面をもつ平辺面金型２００を作成す
る工程、ガラスチューブ２２を正方形断面金型２００で取り囲む工程、及びガラ
スチューブ２２を正方形断面金型２００に向けて膨張させる工程を含み、膨張平
板化ガラスチューブ２２Ｆ(平板化されたチューブ２２を意味する)は正方形の断
面を有する。本方法はさらに、平板ガラスマスクブランク２０を得るために、正
方断面膨張平板化ガラスチューブ２２Ｆから少なくとも１枚の平板面を切り取る
工程を含む。図２４において、破線は４枚の平板マスクブランク２０を得るため
の好ましい切断部を示す。図２４において、破線に付された参照数字及び破線の
矢印は平板化チューブ２２Ｆから切り取ることができるブランク２０の配置を示
す。
金型２００に向けてガラスチューブ２２を膨張させる工程を含む。ガラスチュー
ブ２２の平板化及び膨張工程は、正方形の断面をもつ平辺面金型２００を作成す
る工程、ガラスチューブ２２を正方形断面金型２００で取り囲む工程、及びガラ
スチューブ２２を正方形断面金型２００に向けて膨張させる工程を含み、膨張平
板化ガラスチューブ２２Ｆ(平板化されたチューブ２２を意味する)は正方形の断
面を有する。本方法はさらに、平板ガラスマスクブランク２０を得るために、正
方断面膨張平板化ガラスチューブ２２Ｆから少なくとも１枚の平板面を切り取る
工程を含む。図２４において、破線は４枚の平板マスクブランク２０を得るため
の好ましい切断部を示す。図２４において、破線に付された参照数字及び破線の
矢印は平板化チューブ２２Ｆから切り取ることができるブランク２０の配置を示
す。
【００５５】 本発明はガラスブランクプレフォームをさらに含む。このガラスブランクプレ
フォームは平板ガラスブランク用プレフォームであることが好ましい。本ガラス
ブランクプレフォームはフォトリソグラフィ用マスクのためのプレフォームであ
ることが最も好ましい。ガラスブランクプレフォーム２２Ｆは、縦方向長さ、平
辺多角形断面及び縦方向長さに沿い多角形断面に垂直な長さ方向中心軸を有する
縦長ガラスチューブからなり、ガラスチューブは中心軸をほぼ中心とする複数の
同軸ストリエーション層４７を有する。ガラスチューブは石英ガラスからなり、
ＳｉＯ２を含むことが好ましい。好ましい実施形態において、石英ガラスは高純
度石英ガラスである。ガラスチューブはオキシフッ化ケイ素ガラスチューブであ
ることがさらに好ましい。ガラスチューブは実質的にＯＨを含まないことが好ま
しい。ガラスチューブは実質的にＣｌを含まないことが好ましい。ガラスチュー
ブは実質的にＨ２を含まないことが好ましい。多角形断面は長方形であることが
好ましく、正方形であることが最も好ましい。
フォームは平板ガラスブランク用プレフォームであることが好ましい。本ガラス
ブランクプレフォームはフォトリソグラフィ用マスクのためのプレフォームであ
ることが最も好ましい。ガラスブランクプレフォーム２２Ｆは、縦方向長さ、平
辺多角形断面及び縦方向長さに沿い多角形断面に垂直な長さ方向中心軸を有する
縦長ガラスチューブからなり、ガラスチューブは中心軸をほぼ中心とする複数の
同軸ストリエーション層４７を有する。ガラスチューブは石英ガラスからなり、
ＳｉＯ２を含むことが好ましい。好ましい実施形態において、石英ガラスは高純
度石英ガラスである。ガラスチューブはオキシフッ化ケイ素ガラスチューブであ
ることがさらに好ましい。ガラスチューブは実質的にＯＨを含まないことが好ま
しい。ガラスチューブは実質的にＣｌを含まないことが好ましい。ガラスチュー
ブは実質的にＨ２を含まないことが好ましい。多角形断面は長方形であることが
好ましく、正方形であることが最も好ましい。
【００５６】 本発明はガラスブランクの作成方法をさらに含む。この方法は平板ガラスブラ
ンクの作成方法であることが好ましい。本方法はリソグラフィ用フォトマスクガ
ラスブランクの作成方法であることが最も好ましい。本方法は、縦長ガラスチュ
ーブ２２を作成する工程、平辺多角形の内断面を有する縦長管状金型２００を作
成する工程、金型２００の縦長管状金型多角形内断面でガラスチューブ２２を取
り囲む工程、ガラスチューブ２２を加熱する工程、加熱されたガラスチューブ２
２を金型２００に向けて膨張させ、よって膨張したガラスチューブ２２を金型２
００の形通りとする工程、同形膨張ガラスチューブ２２を冷却して平辺多角形断
面をもったガラスチューブ２２Ｆを得る工程、及び平辺多角形断面をもつガラス
チューブ２２Ｆから平板面を切り取る工程を含む。本方法はガラスチューブ２２
Ｆを切断して、好ましくは少なくとも１枚の平板ガラスブランク、より好ましく
は少なくとも２枚の平板ガラスブランク、最も好ましくは少なくとも４枚の平板
ガラスブランクを得る工程を含む。本方法はガラスチューブ２２Ｆを切断して、
好ましくは少なくとも１枚のリソグラフィ用フォトマスクガラスブランク、より
好ましくは少なくとも２枚のリソグラフィ用フォトマスクガラスブランク、最も
好ましくは少なくとも４枚のリソグラフィ用フォトマスクガラスブランクを得る
工程を含む。縦長ガラスチューブ２２を作成する工程は、ＳｉＯ２スートチュー
ブを作成する工程、及びスートチューブを固結してガラスにする工程を含むこと
が好ましい。ＳｉＯ２スートチューブを作成する工程は、ＳｉＯ２スートを支持
部材上に堆積する工程を含むことが好ましい。ガラスチューブ２２を作成する工
程は、二酸化ケイ素を含有するガラスチューブを作成する工程を含み、好ましい
実施形態においては高純度石英ガラスチューブを作成する工程を含む。最も好ま
しい実施形態において、ガラスチューブ２２を作成する工程はオキシフッ化ケイ
素ガラスチューブを作成する工程を含む。
ンクの作成方法であることが好ましい。本方法はリソグラフィ用フォトマスクガ
ラスブランクの作成方法であることが最も好ましい。本方法は、縦長ガラスチュ
ーブ２２を作成する工程、平辺多角形の内断面を有する縦長管状金型２００を作
成する工程、金型２００の縦長管状金型多角形内断面でガラスチューブ２２を取
り囲む工程、ガラスチューブ２２を加熱する工程、加熱されたガラスチューブ２
２を金型２００に向けて膨張させ、よって膨張したガラスチューブ２２を金型２
００の形通りとする工程、同形膨張ガラスチューブ２２を冷却して平辺多角形断
面をもったガラスチューブ２２Ｆを得る工程、及び平辺多角形断面をもつガラス
チューブ２２Ｆから平板面を切り取る工程を含む。本方法はガラスチューブ２２
Ｆを切断して、好ましくは少なくとも１枚の平板ガラスブランク、より好ましく
は少なくとも２枚の平板ガラスブランク、最も好ましくは少なくとも４枚の平板
ガラスブランクを得る工程を含む。本方法はガラスチューブ２２Ｆを切断して、
好ましくは少なくとも１枚のリソグラフィ用フォトマスクガラスブランク、より
好ましくは少なくとも２枚のリソグラフィ用フォトマスクガラスブランク、最も
好ましくは少なくとも４枚のリソグラフィ用フォトマスクガラスブランクを得る
工程を含む。縦長ガラスチューブ２２を作成する工程は、ＳｉＯ２スートチュー
ブを作成する工程、及びスートチューブを固結してガラスにする工程を含むこと
が好ましい。ＳｉＯ２スートチューブを作成する工程は、ＳｉＯ２スートを支持
部材上に堆積する工程を含むことが好ましい。ガラスチューブ２２を作成する工
程は、二酸化ケイ素を含有するガラスチューブを作成する工程を含み、好ましい
実施形態においては高純度石英ガラスチューブを作成する工程を含む。最も好ま
しい実施形態において、ガラスチューブ２２を作成する工程はオキシフッ化ケイ
素ガラスチューブを作成する工程を含む。
【００５７】 本発明は、ブランクを形成するためのガラスブランクプレフォームをさらに含
む。このガラスブランクプレフォームは、リソグラフィ用マスク平板ガラスブラ
ンクを形成するためのプレフォームであることが好ましい。この平板ガラスブラ
ンクプレフォームは、ブランク幅ＭＷ，ブランク長ＭＬ，及びブランク厚ＭＴを
有するブランクを形成するためのものである。ＭＷはリソグラフィ用マスクブラ
ンク幅、ＭＬはマスクブランク長、ＭＴはマスクブランク厚であることが好まし
い。本ガラスブランクプレフォームは、厚さＴ，長さＬ，平辺面高さＨ及び長さ
方向チューブ中心軸ＣＡをもつ、断面が平辺多角形のガラスチューブ２２Ｆであ
る。ガラスチューブ２２Ｆは、ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーショ
ン層４７を含み、Ｈ≧ＭＷ，Ｔ≧ＭＴ，及びＬ≧ＭＬである。ガラスチューブ２
２Ｆは好ましくは二酸化ケイ素、より好ましくは高純度石英ガラスからなる。ガ
ラスチューブ２２Ｆはオキシフッ化ケイ素ガラスであることが最も好ましい。ガ
ラスチューブ２２Ｆは低ＯＨガラスであることが好ましく、ＯＨ含有量が１０ｐ
ｐｍより少ないことが好ましく、検出可能な量のＯＨを含有しないことが最も好
ましくい。ガラスチューブ２２Ｆは低塩素ガラスであることが好ましく、塩素含
有量が５０ｐｐｍ以下であることが好ましく、塩素含有量が１０ｐｐｍ以下ない
し塩素を含有しないことがより好ましい。ガラスチューブ２２ＦはＨ２を含まな
いガラスであることが好ましく、水素含有量が１×１０１７Ｈ２分子／ｃｍ３よ
り少ないことが好ましく、５×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より少ないことがより
好ましく、３×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より少なく検出可能なＨ２を含まない
ことがさらに好ましい。本発明は、ガラスブランクプレフォーム２２Ｆから形成
されるリソグラフィ用マスクブランク２０も含み、マスクブランク２０は、上平
面２６及び下平面２８を有し、マスクブランク幅がＭＷ，マスクブランク長がＭ
Ｌ，マスクブランク厚がＭＴの平板ガラス部材である。マスクブランク２０は、
上平面２６及び下平面２８に平行な複数の平行ストリエーション層４７を含む。
む。このガラスブランクプレフォームは、リソグラフィ用マスク平板ガラスブラ
ンクを形成するためのプレフォームであることが好ましい。この平板ガラスブラ
ンクプレフォームは、ブランク幅ＭＷ，ブランク長ＭＬ，及びブランク厚ＭＴを
有するブランクを形成するためのものである。ＭＷはリソグラフィ用マスクブラ
ンク幅、ＭＬはマスクブランク長、ＭＴはマスクブランク厚であることが好まし
い。本ガラスブランクプレフォームは、厚さＴ，長さＬ，平辺面高さＨ及び長さ
方向チューブ中心軸ＣＡをもつ、断面が平辺多角形のガラスチューブ２２Ｆであ
る。ガラスチューブ２２Ｆは、ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーショ
ン層４７を含み、Ｈ≧ＭＷ，Ｔ≧ＭＴ，及びＬ≧ＭＬである。ガラスチューブ２
２Ｆは好ましくは二酸化ケイ素、より好ましくは高純度石英ガラスからなる。ガ
ラスチューブ２２Ｆはオキシフッ化ケイ素ガラスであることが最も好ましい。ガ
ラスチューブ２２Ｆは低ＯＨガラスであることが好ましく、ＯＨ含有量が１０ｐ
ｐｍより少ないことが好ましく、検出可能な量のＯＨを含有しないことが最も好
ましくい。ガラスチューブ２２Ｆは低塩素ガラスであることが好ましく、塩素含
有量が５０ｐｐｍ以下であることが好ましく、塩素含有量が１０ｐｐｍ以下ない
し塩素を含有しないことがより好ましい。ガラスチューブ２２ＦはＨ２を含まな
いガラスであることが好ましく、水素含有量が１×１０１７Ｈ２分子／ｃｍ３よ
り少ないことが好ましく、５×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より少ないことがより
好ましく、３×１０１６Ｈ２分子／ｃｍ３より少なく検出可能なＨ２を含まない
ことがさらに好ましい。本発明は、ガラスブランクプレフォーム２２Ｆから形成
されるリソグラフィ用マスクブランク２０も含み、マスクブランク２０は、上平
面２６及び下平面２８を有し、マスクブランク幅がＭＷ，マスクブランク長がＭ
Ｌ，マスクブランク厚がＭＴの平板ガラス部材である。マスクブランク２０は、
上平面２６及び下平面２８に平行な複数の平行ストリエーション層４７を含む。
【００５８】実施例 本発明のオキシフッ化ケイ素ガラスは、 ＯＨレベルが非常に低く(ＯＨは重量
で＜１０ｐｐｍ)、金属汚染物が極低トレースレベルであり(重量で＜１ｐｐｍ)
、水素分子レベルが低く(Ｈ２＜５×１０＋１６分子／ｃｍ３)、塩素レベルが低
く(Ｃｌ＜１０ｐｐｍ)、Ｆ含有量が０．５〜３重量％であることが好ましく、よ
って本ガラスはスートチューブを形成することにより作成され、スートチューブ
は次いでオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを形成するために処理及び固結され
、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブはさらに加熱されて処理されることが好ま
しい。
で＜１０ｐｐｍ)、金属汚染物が極低トレースレベルであり(重量で＜１ｐｐｍ)
、水素分子レベルが低く(Ｈ２＜５×１０＋１６分子／ｃｍ３)、塩素レベルが低
く(Ｃｌ＜１０ｐｐｍ)、Ｆ含有量が０．５〜３重量％であることが好ましく、よ
って本ガラスはスートチューブを形成することにより作成され、スートチューブ
は次いでオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを形成するために処理及び固結され
、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブはさらに加熱されて処理されることが好ま
しい。
【００５９】 本オキシフッ化ケイ素ガラスは、１９３ｎｍ以下の、ほぼ１５７ｎｍを中心と
する真空紫外リソグラフィ領域で有用な光透過性を示す。
する真空紫外リソグラフィ領域で有用な光透過性を示す。
【００６０】 小型スートチューブ３２を、図８に示すように、ＳｉＯ２供給原料として四塩
化ケイ素を、また燃料として天然ガスを用いて、直径が約５ｃｍのアルミナロッ
ド支持部材上にスート４０を堆積することにより形成した。大型スートチューブ
３２を、直径が約９ｃｍの石英ガラスチューブ支持部材上にスート４０を同様に
して堆積することにより形成した。スートチューブ３２を、図７に示すような固
結炉３４内で固結した。スートチューブを、Ｈｅ及びＣｌ２の雰囲気において約
１０００℃の脱水温度で脱水した。次いで、脱水されたスートチューブに、Ｈｅ
及びＣＦ４の雰囲気において約１２２５℃のＦドープ温度でＦをドープした。次
いでＦドープされた脱水スートチューブを約１４５０℃の温度で焼結して、固結
ガラスチューブ２２を形成した。固結ガラスチューブに切れ目を入れて、１本の
長さ方向スリット２４を形成した。チューブ２２のスリット２４に沿う両端のそ
れぞれのスリット２４近くに２つの孔をドリルで開けた。図５に示すように、ド
リル孔を通して白金線をチューブ２２の一端に取り付けた。白金線を用いてチュ
ーブ２２の他端に石英ガラスの重りを取り付けた。スリット入りチューブを懸垂
吊り下げシステム５０を用いて炉３０内に懸垂した。懸垂されたスリット入りチ
ューブを炉内で約１５００℃の温度まで加熱することにより、平らに引き伸ばし
た。得られた、引き伸ばされたスリット入りチューブを、図６に示すように、炉
３０内で自重垂下させることによりさらに平板化した。スリット入りチューブの
自重垂下による平板化は、汚染物がない不活性な平支持面上に引き伸ばされたチ
ューブを置き、約１７３０℃まで炉を加熱することにより達成した。スートプレ
フォーム３２を固結してオキシフッ化ケイ素ガラスにするための好ましい手法は
、多孔質ＳｉＯ２スートチューブのＨｅ／Ｃｌ２雰囲気における１０００〜１１
００℃での脱水を含む。次いで、ＳｉＦ４またはＣＦ４のようなフッ素含有ガス
を含むヘリウム−フッ素ドープ雰囲気内で、スートチューブ３２を１１５０〜１
２５０℃の温度に加熱する。ガラスに導入されるフッ素の量([Ｆ])は、関係式： [Ｆ]＝Ｃ×ｅ−Ｅ/ＲＴ×１/４ にしたがって、フッ素含有ガスの分圧(Ｐ)及び温度(Ｔ)により制御する。ここで
Ｃは定数、Ｒは気体定数、Ｅはフッ素含有ガスとシリカとの反応に関する活性化
エネルギーである。次いで、ヘリウムまたはヘリウムとフッ素含有ガスの雰囲気
内でスートチューブに１４５０〜１５００℃の範囲の高温ゾーンを通過させるこ
とにより、スートチューブを焼結し、雰囲気はガラス内の塩素の混在を抑止する
ために塩素を含まない。そのようにして作成したオキシフッ化ケイ素ガラスで、
１５７ｎｍにおいて約８４％／ｃｍの内部透過率を得た。
化ケイ素を、また燃料として天然ガスを用いて、直径が約５ｃｍのアルミナロッ
ド支持部材上にスート４０を堆積することにより形成した。大型スートチューブ
３２を、直径が約９ｃｍの石英ガラスチューブ支持部材上にスート４０を同様に
して堆積することにより形成した。スートチューブ３２を、図７に示すような固
結炉３４内で固結した。スートチューブを、Ｈｅ及びＣｌ２の雰囲気において約
１０００℃の脱水温度で脱水した。次いで、脱水されたスートチューブに、Ｈｅ
及びＣＦ４の雰囲気において約１２２５℃のＦドープ温度でＦをドープした。次
いでＦドープされた脱水スートチューブを約１４５０℃の温度で焼結して、固結
ガラスチューブ２２を形成した。固結ガラスチューブに切れ目を入れて、１本の
長さ方向スリット２４を形成した。チューブ２２のスリット２４に沿う両端のそ
れぞれのスリット２４近くに２つの孔をドリルで開けた。図５に示すように、ド
リル孔を通して白金線をチューブ２２の一端に取り付けた。白金線を用いてチュ
ーブ２２の他端に石英ガラスの重りを取り付けた。スリット入りチューブを懸垂
吊り下げシステム５０を用いて炉３０内に懸垂した。懸垂されたスリット入りチ
ューブを炉内で約１５００℃の温度まで加熱することにより、平らに引き伸ばし
た。得られた、引き伸ばされたスリット入りチューブを、図６に示すように、炉
３０内で自重垂下させることによりさらに平板化した。スリット入りチューブの
自重垂下による平板化は、汚染物がない不活性な平支持面上に引き伸ばされたチ
ューブを置き、約１７３０℃まで炉を加熱することにより達成した。スートプレ
フォーム３２を固結してオキシフッ化ケイ素ガラスにするための好ましい手法は
、多孔質ＳｉＯ２スートチューブのＨｅ／Ｃｌ２雰囲気における１０００〜１１
００℃での脱水を含む。次いで、ＳｉＦ４またはＣＦ４のようなフッ素含有ガス
を含むヘリウム−フッ素ドープ雰囲気内で、スートチューブ３２を１１５０〜１
２５０℃の温度に加熱する。ガラスに導入されるフッ素の量([Ｆ])は、関係式： [Ｆ]＝Ｃ×ｅ−Ｅ/ＲＴ×１/４ にしたがって、フッ素含有ガスの分圧(Ｐ)及び温度(Ｔ)により制御する。ここで
Ｃは定数、Ｒは気体定数、Ｅはフッ素含有ガスとシリカとの反応に関する活性化
エネルギーである。次いで、ヘリウムまたはヘリウムとフッ素含有ガスの雰囲気
内でスートチューブに１４５０〜１５００℃の範囲の高温ゾーンを通過させるこ
とにより、スートチューブを焼結し、雰囲気はガラス内の塩素の混在を抑止する
ために塩素を含まない。そのようにして作成したオキシフッ化ケイ素ガラスで、
１５７ｎｍにおいて約８４％／ｃｍの内部透過率を得た。
【００６１】実施例１ ＳｉＯ２供給原料としてＳｉＣｌ４を用い、 図８に示すようにスートを堆積
することにより、５００９ｇ，長さ８７ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作
成した。直径４７ｍｍの中空アルミナベイトロッドチューブ上にスートを堆積し
、堆積後このロッドチューブをスートプレフォームから取り外した。図７に示す
ように、スートプレフォームを炉内に１１００℃で１２０分間垂直に吊り下げて
、脱水処理ガス源から０．４５ＳＬＰＭのＣｌ２(約１．２１×１０２２Ｃｌ２
／分)及び２２ＳＬＰＭのＨｅ(約５．９２×１０２３Ｈｅ／分)を供給すること
により得られた脱水雰囲気内で脱水した。 次いで２ＳＬＰＭのＯ２(約５．３８
×１０２２Ｏ２／分)及び２０ＳＬＰＭのＨｅ(約５．３８×１０２３Ｈｅ／分)
を供給することにより得られた処理雰囲気で炉温を３０分かけて１１７５℃まで
上昇させた。１１７５℃で、２ＳＬＰＭのＳｉＦ４(約５．３８×１０２２Ｓｉ
Ｆ４／分)及び１８ＳＬＰＭのＨｅ(約４．８４×１０２３Ｈｅ／分)を供給する
ことにより得られたフッ素ドープ処理雰囲気に２４０分間さらすことにより、ス
ートプレフォームにフッ素を導入した。次いで、スートプレフォームを焼結して
十分緻密な固結オキシフッ化ケイ素ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレ
フォームを炉の１４８０℃に加熱された底部に６ｍｍ／分の速度で降下させた。 得られたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブの寸法は概ね、外径７１ｍｍ，内
径２５ｍｍ，壁厚２５ｍｍ，及び長さ６７ｃｍであった。マイクロプローブ分析
により、フッ素濃度はチューブ厚にかけて一様であり、平均Ｆ濃度は約１．４５
重量％であることがわかった(図１４)。ガラス試験片の１５７ｎｍにおける透過
率の測定値は、 反射損失を含めて７５％／５ｍｍであった(図１５)。
することにより、５００９ｇ，長さ８７ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作
成した。直径４７ｍｍの中空アルミナベイトロッドチューブ上にスートを堆積し
、堆積後このロッドチューブをスートプレフォームから取り外した。図７に示す
ように、スートプレフォームを炉内に１１００℃で１２０分間垂直に吊り下げて
、脱水処理ガス源から０．４５ＳＬＰＭのＣｌ２(約１．２１×１０２２Ｃｌ２
／分)及び２２ＳＬＰＭのＨｅ(約５．９２×１０２３Ｈｅ／分)を供給すること
により得られた脱水雰囲気内で脱水した。 次いで２ＳＬＰＭのＯ２(約５．３８
×１０２２Ｏ２／分)及び２０ＳＬＰＭのＨｅ(約５．３８×１０２３Ｈｅ／分)
を供給することにより得られた処理雰囲気で炉温を３０分かけて１１７５℃まで
上昇させた。１１７５℃で、２ＳＬＰＭのＳｉＦ４(約５．３８×１０２２Ｓｉ
Ｆ４／分)及び１８ＳＬＰＭのＨｅ(約４．８４×１０２３Ｈｅ／分)を供給する
ことにより得られたフッ素ドープ処理雰囲気に２４０分間さらすことにより、ス
ートプレフォームにフッ素を導入した。次いで、スートプレフォームを焼結して
十分緻密な固結オキシフッ化ケイ素ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレ
フォームを炉の１４８０℃に加熱された底部に６ｍｍ／分の速度で降下させた。 得られたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブの寸法は概ね、外径７１ｍｍ，内
径２５ｍｍ，壁厚２５ｍｍ，及び長さ６７ｃｍであった。マイクロプローブ分析
により、フッ素濃度はチューブ厚にかけて一様であり、平均Ｆ濃度は約１．４５
重量％であることがわかった(図１４)。ガラス試験片の１５７ｎｍにおける透過
率の測定値は、 反射損失を含めて７５％／５ｍｍであった(図１５)。
【００６２】 オキシフッ化ケイ素ガラスマスクプレフォームからチューブの一部を１３ｃｍ
長で切り取った。このチューブをコアドリル加工して内径を４１ｍｍとし、壁厚
は１５ｍｍになった。次いで、チューブの長さに沿ってスリットを入れ、スリッ
トのそれぞれの縁に沿いドリルでガラスを貫通する孔を開けた。白金線を孔に通
した。一組の白金線に石英の重りを取り付け、もう一組の白金線を吊り下げ機構
としてはたらく石英ロッドに取り付けた。次いで、図５に示すようにチューブを
ガラス処理炉内に降ろし、大気雰囲気に１５００℃で３０分おいた。取り出した
ときに、チューブは展開されて若干曲がった形状をもつプレートになっているこ
とがわかった。
長で切り取った。このチューブをコアドリル加工して内径を４１ｍｍとし、壁厚
は１５ｍｍになった。次いで、チューブの長さに沿ってスリットを入れ、スリッ
トのそれぞれの縁に沿いドリルでガラスを貫通する孔を開けた。白金線を孔に通
した。一組の白金線に石英の重りを取り付け、もう一組の白金線を吊り下げ機構
としてはたらく石英ロッドに取り付けた。次いで、図５に示すようにチューブを
ガラス処理炉内に降ろし、大気雰囲気に１５００℃で３０分おいた。取り出した
ときに、チューブは展開されて若干曲がった形状をもつプレートになっているこ
とがわかった。
【００６３】 上記のプレートから一部を切り出した。この試験片を、存在している可能性が
あるいかなる表面汚染物も除去するために、溶剤(アセトン及びイソプロパノー
ル)浴内で洗浄し、次いで５％ＨＦ／５％ＨＮＯ３浴内で洗浄した。試験片を、
図６に示すように、ガラス処理炉内の高純度平板グラファイト基板上におき、Ｈ
ｅの炉雰囲気の下で１７１０℃で１時間加熱した。取り出したときには、試験片
は完全に平らで透明であり、流延はなかった。この完全に処理されたガラスの透
過率は、反射損失を含め、１５７ｎｍにおいて７２％／５ｍｍであった(図１５)
。
あるいかなる表面汚染物も除去するために、溶剤(アセトン及びイソプロパノー
ル)浴内で洗浄し、次いで５％ＨＦ／５％ＨＮＯ３浴内で洗浄した。試験片を、
図６に示すように、ガラス処理炉内の高純度平板グラファイト基板上におき、Ｈ
ｅの炉雰囲気の下で１７１０℃で１時間加熱した。取り出したときには、試験片
は完全に平らで透明であり、流延はなかった。この完全に処理されたガラスの透
過率は、反射損失を含め、１５７ｎｍにおいて７２％／５ｍｍであった(図１５)
。
【００６４】実施例２ ＳｉＯ２供給原料としてＳｉＣｌ４を用いてスートを堆積することにより、
５６００ｇ，長さ８７ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。直径４７
ｍｍの中空アルミナベイトロッド上にスートを堆積し、堆積後このロッドをスー
トプレフォームから取り外した。スートプレフォームを１１００℃の炉内に吊り
下げて、 ０．５１ＳＬＰＭのＣｌ２(約１．３７×１０２２Ｃｌ２／分)及び２
０．６ＳＬＰＭのＨｅ(約５．５４×１０２３Ｈｅ／分)を供給することにより得
られた脱水雰囲気内で１３０分間脱水した。 次いで２０．６ＳＬＰＭのＨｅ雰
囲気で、炉温を３０分かけて１１７５℃まで上昇させた。１１７５℃で、スート
プレフォームを３ＳＬＰＭのＣＦ４(約８．０７×１０２２ＣＦ４／分)及び１７
ＳＬＰＭのＨｅ(約４．５７×１０２３Ｈｅ／分)の雰囲気に２４０分間さらした
。 次いで、スートプレフォームを焼結して十分緻密な固結オキシフッ化ケイ素
ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレフォームを１４８０℃の炉底部に６
ｍｍ／分の速度で降下させた。得られたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブの寸
法は概ね、外径８１ｍｍ，内径２５ｍｍ，壁厚２８ｍｍ，及び長さ６７ｃｍであ
った。マイクロプローブ分析により、フッ素濃度はチューブ全厚にかけては実施
例１より若干一様性が劣るが、それでもチューブ壁の中程にかけては比較的一様
であることがわかった(図１６)。平均Ｆ濃度は約１．２４重量％であった。
５６００ｇ，長さ８７ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。直径４７
ｍｍの中空アルミナベイトロッド上にスートを堆積し、堆積後このロッドをスー
トプレフォームから取り外した。スートプレフォームを１１００℃の炉内に吊り
下げて、 ０．５１ＳＬＰＭのＣｌ２(約１．３７×１０２２Ｃｌ２／分)及び２
０．６ＳＬＰＭのＨｅ(約５．５４×１０２３Ｈｅ／分)を供給することにより得
られた脱水雰囲気内で１３０分間脱水した。 次いで２０．６ＳＬＰＭのＨｅ雰
囲気で、炉温を３０分かけて１１７５℃まで上昇させた。１１７５℃で、スート
プレフォームを３ＳＬＰＭのＣＦ４(約８．０７×１０２２ＣＦ４／分)及び１７
ＳＬＰＭのＨｅ(約４．５７×１０２３Ｈｅ／分)の雰囲気に２４０分間さらした
。 次いで、スートプレフォームを焼結して十分緻密な固結オキシフッ化ケイ素
ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレフォームを１４８０℃の炉底部に６
ｍｍ／分の速度で降下させた。得られたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブの寸
法は概ね、外径８１ｍｍ，内径２５ｍｍ，壁厚２８ｍｍ，及び長さ６７ｃｍであ
った。マイクロプローブ分析により、フッ素濃度はチューブ全厚にかけては実施
例１より若干一様性が劣るが、それでもチューブ壁の中程にかけては比較的一様
であることがわかった(図１６)。平均Ｆ濃度は約１．２４重量％であった。
【００６５】 オキシフッ化ケイ素ガラスプレフォームからチューブの一部を１３ｃｍ長で切
り取った。このチューブをコアドリル加工して、内径を５１ｍｍとし、壁厚は１
５ｍｍになった。次いでチューブの長さに沿ってスリットを入れ、スリットのそ
れぞれの縁に沿いドリルでガラスを貫通する孔を開けた。白金線を孔に通した。
一組の白金線に石英の重りを取り付けた。もう一組の白金線を吊り下げ機構とし
てはたらく石英ロッドに取り付けた。チューブをガラス炉内に降ろし、大気雰囲
気に１５００℃で３０分おいた。取り出したときに、チューブは展開されて若干
曲がった形状をもつプレートになっていることがわかった。
り取った。このチューブをコアドリル加工して、内径を５１ｍｍとし、壁厚は１
５ｍｍになった。次いでチューブの長さに沿ってスリットを入れ、スリットのそ
れぞれの縁に沿いドリルでガラスを貫通する孔を開けた。白金線を孔に通した。
一組の白金線に石英の重りを取り付けた。もう一組の白金線を吊り下げ機構とし
てはたらく石英ロッドに取り付けた。チューブをガラス炉内に降ろし、大気雰囲
気に１５００℃で３０分おいた。取り出したときに、チューブは展開されて若干
曲がった形状をもつプレートになっていることがわかった。
【００６６】 白金線を取り外した。プレートを洗浄し、プレート全体を高純度グラファイト
基板上において、Ｈｅ中１７１０℃で１時間加熱した。取り出したときに、プレ
ートは完全に平らで透明であることが認められた。この平板化されたチューブか
ら１５．２ｃｍ×１２．７ｃｍのプレートを切り出し、０．６３５ｃｍ厚まで光
学研磨した。 このプレートの面内で複屈折を測定し、６３３ｎｍにおいて＋２
．５ｎｍ／ｃｍから−２．５ｎｍ／ｃｍの範囲にあることがわかった。 このプ
レートをアニールして、複屈折を再測定した。６インチ×５インチ(１５．２ｃ
ｍ×１２．７ｃｍ)のプレートのアニールスケジュールは： ・３０℃／分で８２５℃(ガラス粘度＝１０１３.２ポアズのアニール点)まで
加熱 ・８２５℃に２時間保持 ・２０℃／時間(０．３３℃／分)で６２５℃まで冷却 ・室温まで炉内自然冷却 とした。
基板上において、Ｈｅ中１７１０℃で１時間加熱した。取り出したときに、プレ
ートは完全に平らで透明であることが認められた。この平板化されたチューブか
ら１５．２ｃｍ×１２．７ｃｍのプレートを切り出し、０．６３５ｃｍ厚まで光
学研磨した。 このプレートの面内で複屈折を測定し、６３３ｎｍにおいて＋２
．５ｎｍ／ｃｍから−２．５ｎｍ／ｃｍの範囲にあることがわかった。 このプ
レートをアニールして、複屈折を再測定した。６インチ×５インチ(１５．２ｃ
ｍ×１２．７ｃｍ)のプレートのアニールスケジュールは： ・３０℃／分で８２５℃(ガラス粘度＝１０１３.２ポアズのアニール点)まで
加熱 ・８２５℃に２時間保持 ・２０℃／時間(０．３３℃／分)で６２５℃まで冷却 ・室温まで炉内自然冷却 とした。
【００６７】 ６インチ×５インチプレートの複屈折は、プレート内側の５インチ×４インチ
(１２．７ｃｍ×１０．２ｃｍ)の面内では±２．５ｎｍ／ｃｍの範囲内であり、
プレート内側の４インチ×３インチ(１０．２ｃｍ×７．６ｃｍ)の面内では±１
ｎｍ／ｃｍの範囲内であった。
(１２．７ｃｍ×１０．２ｃｍ)の面内では±２．５ｎｍ／ｃｍの範囲内であり、
プレート内側の４インチ×３インチ(１０．２ｃｍ×７．６ｃｍ)の面内では±１
ｎｍ／ｃｍの範囲内であった。
【００６８】実施例３ ＳｉＯ２供給原料としてＳｉＣｌ４を用いてスートを堆積することにより、
３１２９ｇ，長さ５０ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。クォーツ
・サイエンティフィック(Quartz Scientific Inc.)社から入手した外径５５ｍｍ
／内径５０ｍｍの、一端に石英ハンドルが炎加工されている、石英チューブにス
ートを堆積した。クォーツ・サイエンティフィック社(米国オハイオ州フェアポ
ートハーバー(Fairport Harbor))の石英チューブは、 純度が９９．９９５％の
高純度石英結晶を溶融することによりつくられた石英ガラスチューブである、部
品番号ＱＴ５０ＤＤ：外径５５ｍｍ×内径５０ｍｍベイトチューブである。石英
ガラスベイトチューブ上のスートプレフォームを１１００℃の炉内に吊り下げ、
０．４ＳＬＰＭのＣｌ２(約１．０８×１０２２Ｃｌ２／分)及び４０ＳＬＰＭ
のＨｅ(約１．０８×１０２４Ｈｅ／分)を供給することにより得られた雰囲気内
で１２０分間脱水した。次いで、２ＳＬＰＭのＯ２及び２０ＳＬＰＭのＨｅの雰
囲気で、炉温を３０分かけて１２００℃まで上昇させた。１２００℃で、スート
プレフォームを１．２ＳＬＰＭのＳｉＦ４(約３．２３×１０２２ＳｉＦ４／分)
，１８．８ＳＬＰＭのＨｅ(約５．０６×１０２３Ｈｅ／分)及び０．２ＳＬＰＭ
のＯ２(約５．３８×１０２１Ｏ２／分)のフッ素ドープ雰囲気に１８０分間さら
した。次いで、スートプレフォームを焼結して十分緻密な固結オキシフッ化ケイ
素ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレフォームを１４８０℃の炉底部に
５ｍｍ／分の速度で降下させた。 得られたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ
は、外径８１ｍｍ，内径４９ｍｍ，壁厚(石英ベイトチューブを含めて)１６ｍｍ
，及び長さ４０ｃｍであった。マイクロプローブ分析により、フッ素濃度はチュ
ーブ厚にかけて一様であり、平均Ｆ濃度は約１．２９重量％であることがわかっ
た(図１７)。 ガラスの１５７ｎｍにおける透過率の測定値は、反射損失を含め
て７５％／５ｍｍであった(図１８)。
３１２９ｇ，長さ５０ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。クォーツ
・サイエンティフィック(Quartz Scientific Inc.)社から入手した外径５５ｍｍ
／内径５０ｍｍの、一端に石英ハンドルが炎加工されている、石英チューブにス
ートを堆積した。クォーツ・サイエンティフィック社(米国オハイオ州フェアポ
ートハーバー(Fairport Harbor))の石英チューブは、 純度が９９．９９５％の
高純度石英結晶を溶融することによりつくられた石英ガラスチューブである、部
品番号ＱＴ５０ＤＤ：外径５５ｍｍ×内径５０ｍｍベイトチューブである。石英
ガラスベイトチューブ上のスートプレフォームを１１００℃の炉内に吊り下げ、
０．４ＳＬＰＭのＣｌ２(約１．０８×１０２２Ｃｌ２／分)及び４０ＳＬＰＭ
のＨｅ(約１．０８×１０２４Ｈｅ／分)を供給することにより得られた雰囲気内
で１２０分間脱水した。次いで、２ＳＬＰＭのＯ２及び２０ＳＬＰＭのＨｅの雰
囲気で、炉温を３０分かけて１２００℃まで上昇させた。１２００℃で、スート
プレフォームを１．２ＳＬＰＭのＳｉＦ４(約３．２３×１０２２ＳｉＦ４／分)
，１８．８ＳＬＰＭのＨｅ(約５．０６×１０２３Ｈｅ／分)及び０．２ＳＬＰＭ
のＯ２(約５．３８×１０２１Ｏ２／分)のフッ素ドープ雰囲気に１８０分間さら
した。次いで、スートプレフォームを焼結して十分緻密な固結オキシフッ化ケイ
素ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレフォームを１４８０℃の炉底部に
５ｍｍ／分の速度で降下させた。 得られたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブ
は、外径８１ｍｍ，内径４９ｍｍ，壁厚(石英ベイトチューブを含めて)１６ｍｍ
，及び長さ４０ｃｍであった。マイクロプローブ分析により、フッ素濃度はチュ
ーブ厚にかけて一様であり、平均Ｆ濃度は約１．２９重量％であることがわかっ
た(図１７)。 ガラスの１５７ｎｍにおける透過率の測定値は、反射損失を含め
て７５％／５ｍｍであった(図１８)。
【００６９】実施例４ ＳｉＯ２供給原料としてＳｉＣｌ４を用いてスートを堆積することにより、
２４００ｇ，長さ５０ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。クォーツ
・サイエンティフィック社から入手した外径５５ｍｍ／内径５０ｍｍの、 (実施
例３と同じく)一端に石英ハンドルが炎加工されている、 石英チューブにスート
を堆積した。石英ベイトチューブ上のスートプレフォームを１０００℃の炉内に
吊り下げ、０．４ＳＬＰＭのＣｌ２及び４０ＳＬＰＭのＨｅを供給することによ
り得られた処理雰囲気内で１２０分間脱水した。次いで２ＳＬＰＭのＯ２及び２
０ＳＬＰＭのＨｅの雰囲気で、炉温を３０分かけて１２００℃まで上昇させた。
１２００℃で、 スートプレフォームを１．５ＳＬＰＭのＣＦ４(約４．０４×１
０２２ＣＦ４／分)及び１８．５ＳＬＰＭのＨｅ(約４．９８×１０２３Ｈｅ／分
)の雰囲気に１８０分間さらした。次いで、スートプレフォームを焼結して十分
緻密な固結オキシフッ化ケイ素ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレフォ
ームを１４８０℃の焼結温度の炉底部に５ｍｍ／分の速度で降下させた。 得ら
れたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブの寸法は概ね、外径７６ｍｍ，内径５０
ｍｍ，壁厚(石英ベイトチューブを含めて)１３ｍｍ，及び長さ３８ｃｍであった
。 マイクロプローブ分析により、フッ素濃度はチューブ全厚にかけては実施例
３より若干一様性が劣るが、それでもチューブ壁の中程にかけては比較的一様で
あることがわかった。チューブの長さに沿う等間隔の４点で行った測定により、
長さ方向でＦ濃度が一様であることがわかった(図１９)。平均Ｆ濃度は約１．２
６重量％であった。
２４００ｇ，長さ５０ｃｍのＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。クォーツ
・サイエンティフィック社から入手した外径５５ｍｍ／内径５０ｍｍの、 (実施
例３と同じく)一端に石英ハンドルが炎加工されている、 石英チューブにスート
を堆積した。石英ベイトチューブ上のスートプレフォームを１０００℃の炉内に
吊り下げ、０．４ＳＬＰＭのＣｌ２及び４０ＳＬＰＭのＨｅを供給することによ
り得られた処理雰囲気内で１２０分間脱水した。次いで２ＳＬＰＭのＯ２及び２
０ＳＬＰＭのＨｅの雰囲気で、炉温を３０分かけて１２００℃まで上昇させた。
１２００℃で、 スートプレフォームを１．５ＳＬＰＭのＣＦ４(約４．０４×１
０２２ＣＦ４／分)及び１８．５ＳＬＰＭのＨｅ(約４．９８×１０２３Ｈｅ／分
)の雰囲気に１８０分間さらした。次いで、スートプレフォームを焼結して十分
緻密な固結オキシフッ化ケイ素ガラスにするために、同じ雰囲気の下でプレフォ
ームを１４８０℃の焼結温度の炉底部に５ｍｍ／分の速度で降下させた。 得ら
れたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブの寸法は概ね、外径７６ｍｍ，内径５０
ｍｍ，壁厚(石英ベイトチューブを含めて)１３ｍｍ，及び長さ３８ｃｍであった
。 マイクロプローブ分析により、フッ素濃度はチューブ全厚にかけては実施例
３より若干一様性が劣るが、それでもチューブ壁の中程にかけては比較的一様で
あることがわかった。チューブの長さに沿う等間隔の４点で行った測定により、
長さ方向でＦ濃度が一様であることがわかった(図１９)。平均Ｆ濃度は約１．２
６重量％であった。
【００７０】 オキシフッ化ケイ素ガラスマスクプレフォームから、 チューブの一部を７．
５ｃｍ長で切り取った。このチューブをコアドリル加工し内径を５６ｍｍとし、
壁厚は１０ｍｍになった。次いで、チューブの長さに沿ってスリットを入れ、ス
リットのそれぞれの縁に沿いドリルでガラスを貫通する孔を開けた。白金線を孔
に通した。一組の白金線に石英の重りを取り付けた。もう一組の白金線を吊り下
げ機構としてはたらく石英ロッドに取り付けた。チューブを１５００℃の炉内に
降ろし、３０分おいた。取り出したときに、チューブは展開されて若干曲がった
形状をもつプレートになっていることがわかった。
５ｃｍ長で切り取った。このチューブをコアドリル加工し内径を５６ｍｍとし、
壁厚は１０ｍｍになった。次いで、チューブの長さに沿ってスリットを入れ、ス
リットのそれぞれの縁に沿いドリルでガラスを貫通する孔を開けた。白金線を孔
に通した。一組の白金線に石英の重りを取り付けた。もう一組の白金線を吊り下
げ機構としてはたらく石英ロッドに取り付けた。チューブを１５００℃の炉内に
降ろし、３０分おいた。取り出したときに、チューブは展開されて若干曲がった
形状をもつプレートになっていることがわかった。
【００７１】 上記のプレートから６．３ｃｍ×７．６ｃｍの区画を切り出した。この試験片
をＰｔ−Ｒｈ箔上におき、１４００℃の炉内(大気雰囲気)に入れた。炉温を１５
分かけて１５５０℃まで上昇させた。試料を１５５０℃で３０分間保持し、次い
で炉から取り出し、直ちにプレス面を清浄なＰｔ箔で覆った手持ち(手動)のステ
ンレス鋼の重りを用いて平らにプレスした。破損させることなく、試料を室温ま
で冷却した。
をＰｔ−Ｒｈ箔上におき、１４００℃の炉内(大気雰囲気)に入れた。炉温を１５
分かけて１５５０℃まで上昇させた。試料を１５５０℃で３０分間保持し、次い
で炉から取り出し、直ちにプレス面を清浄なＰｔ箔で覆った手持ち(手動)のステ
ンレス鋼の重りを用いて平らにプレスした。破損させることなく、試料を室温ま
で冷却した。
【００７２】実施例５ ＳｉＯ２供給原料としてＳｉＣｌ４を用いてスートを堆積することにより、５
４７ｇ／８７ｃｍ長のＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。直径６．３５ｍ
ｍの中実アルミナベイトロッド上にスートを堆積し、堆積後このベイトロッドを
取り外した。スートプレフォームを１１００℃の炉内に入れ、 ０．０６６ＳＬ
ＰＭのＣｌ２(約１．７７×１０２１Ｃｌ２／分)及び４０．６４ＳＬＰＭのＨｅ
(約１．０９×１０２４Ｈｅ／分)を供給することにより得られた脱水雰囲気内で
６０分間脱水した。次いで、４０ＳＬＰＭのＨｅのみを供給することにより雰囲
気を変え、４０ＳＬＰＭのＨｅの下で炉温を４５分かけて１２２５℃まで一定の
割合で上昇させた。１２００℃で、０．８ＳＬＰＭのＣＦ４(約２．１５×１０
２２ＣＦ４／分)及び３９．２ＳＬＰＭのＨｅ(約１．０５×１０２４Ｈｅ／分)
のフッ素ドープ雰囲気にスートプレフォームを１２０分間さらした。次いで、ス
ートプレフォームを焼結して十分緻密な固結オキシフッ化ケイ素ガラスにするた
めに、同じ雰囲気(０．８ＳＬＰＭのＣＦ４及び３９．２ＳＬＰＭのＨｅ)の下で
プレフォームを１４８０℃に加熱された炉底部に５ｍｍ／分の速度で降下させた
(５ｍｍ／分で焼結ゾーンにダウンフィードした)。 得られたオキシフッ化ケイ
素ガラスチューブの寸法は概ね、外径２８ｍｍ，内径６ｍｍ，壁厚１１ｍｍ，及
び長さ５０ｃｍであった。
４７ｇ／８７ｃｍ長のＳｉＯ２スートプレフォームを作成した。直径６．３５ｍ
ｍの中実アルミナベイトロッド上にスートを堆積し、堆積後このベイトロッドを
取り外した。スートプレフォームを１１００℃の炉内に入れ、 ０．０６６ＳＬ
ＰＭのＣｌ２(約１．７７×１０２１Ｃｌ２／分)及び４０．６４ＳＬＰＭのＨｅ
(約１．０９×１０２４Ｈｅ／分)を供給することにより得られた脱水雰囲気内で
６０分間脱水した。次いで、４０ＳＬＰＭのＨｅのみを供給することにより雰囲
気を変え、４０ＳＬＰＭのＨｅの下で炉温を４５分かけて１２２５℃まで一定の
割合で上昇させた。１２００℃で、０．８ＳＬＰＭのＣＦ４(約２．１５×１０
２２ＣＦ４／分)及び３９．２ＳＬＰＭのＨｅ(約１．０５×１０２４Ｈｅ／分)
のフッ素ドープ雰囲気にスートプレフォームを１２０分間さらした。次いで、ス
ートプレフォームを焼結して十分緻密な固結オキシフッ化ケイ素ガラスにするた
めに、同じ雰囲気(０．８ＳＬＰＭのＣＦ４及び３９．２ＳＬＰＭのＨｅ)の下で
プレフォームを１４８０℃に加熱された炉底部に５ｍｍ／分の速度で降下させた
(５ｍｍ／分で焼結ゾーンにダウンフィードした)。 得られたオキシフッ化ケイ
素ガラスチューブの寸法は概ね、外径２８ｍｍ，内径６ｍｍ，壁厚１１ｍｍ，及
び長さ５０ｃｍであった。
【００７３】 高純度(不純物＜２ｐｐｍ)グラファイトスラブで、高純度グラファイト製正方
断面膨張型管状金型２００を組み立てた。この平辺面金型は、内法が３１ｍｍ×
３１ｍｍで外法が４１ｍｍ×４１ｍｍの平辺正方枠断面を有し、長さは６０ｃｍ
であった。このような金型２００は、４枚の縦長の長方形のグラファイトスラブ
を、図２０に示すように組み合わせることにより作成できる。
断面膨張型管状金型２００を組み立てた。この平辺面金型は、内法が３１ｍｍ×
３１ｍｍで外法が４１ｍｍ×４１ｍｍの平辺正方枠断面を有し、長さは６０ｃｍ
であった。このような金型２００は、４枚の縦長の長方形のグラファイトスラブ
を、図２０に示すように組み合わせることにより作成できる。
【００７４】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブの先端を炎加工で気密封止し、この先端が
封止されたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成された高純度グラファイト
正方断面管状金型内に、金型が先端封止オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを完
全に取り囲むように、挿入した。この集成体全体をＨｅパージ縦型チューブ炉の
頂部におき、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブの下端(封止端)だけが高温ゾー
ンにあるように配置した。高温ゾーンの長さはほぼ５ｃｍであった。先端封止オ
キシフッ化ケイ素ガラスチューブの中心をＨｅで５ｐｓｉｇ(大気圧＋３．４５
×１０４Ｐａ)に加圧した。炉温を１５５０℃まで上昇させた。１０分後、何ら
の変化も見られなかったので温度を１６００℃まで上昇させた。さらに１０分経
過後も、チューブ形状には変化が見られなかった。炉温を１６５０℃まで上昇さ
せた。１６５０℃，５ｐｓｉｇの中心軸圧の下で約２分後、先端封止オキシフッ
化ケイ素ガラスチューブは膨らみ、広がって金型を完全に満たし、金型端部で正
方形の管内壁に接触した。 次いで、膨張圧を維持しながら集成体全体(オキシフ
ッ化ケイ素ガラスチューブ及び金型)に、チューブ全体が膨らむまで、３ｍｍ／
分の速度で高温ゾーンを通過させた。オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを金型
内で冷却した。ガラスチューブは金型に張り付いておらず、容易に取り出せた。
得られた平辺面正方形断面をもつオキシフッ化ケイ素ガラスチューブは、外法が
３１ｍｍ×３１ｍｍ，内法が２１ｍｍ×２１ｍｍであった。このチューブのそれ
ぞれの平板面を切り離して研磨し、プレート面に平行に配向されたストリエーシ
ョンをもつ平板プレートを作成することができた。マイクロプローブで測定した
ガラスの平均フッ素濃度は０．７７重量％であった。シリカスートの形成及び堆
積中にスートにフッ素をドープした。燃焼バーナーの中央混合チューブへのＳｉ
Ｃｌ４の送り込みに加えて、フッ素ドープシリカを形成するためにフッ素ドープ
源供給分子を燃焼バーナーに送り込んだ。米国特許第５，５９９，３７１号(ケ
イン(Cain)等，１９９７年２月４日)に述べられるようなスート生成バーナーを
利用して、フッ素をドープしたシリカスート及びオキシフッ化ガラスを形成した
。予備混合気に１．５リットル／分のＯ２及び１．５リットル／分のＣＨ４を流
して低温炎(soft flame)を得ることにより、Ｆ濃度が３．５重量％のシリカスー
トを生成した。 １リットル／分のＳｉＣｌ４，１リットル／分のＣＦ４，及び
２０００ｃｃ／分のキャリアＯ２をヒューム管に送り込んだ。さらに、Ｆドープ
を増進するために１リットル／分のＳＦ６を内部シールドに送り込んだ。新生炎
(stranger flame)をつくるために１０リットル／分のＯ２及び１０リットル／分
のメタンが予備混合気に送られることを除き、上と同じ送ガス流量を用いてスー
トをスートプレフォームとして堆積し、このスートプレフォームを塩素で乾燥し
、Ｆ濃度が１重量％のガラスに固結した。Ｆレベルを維持しＣｌ汚染を避けるた
めに、フッ素で乾燥し、固結中もフッ素処理ガスを用いることにより、改善され
たオキシフッ化ケイ素ガラスを得ることができる。固結前の十分な非塩素ガス暴
露処理により、Ｃｌ汚染を抑止することが好ましい。
封止されたオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを作成された高純度グラファイト
正方断面管状金型内に、金型が先端封止オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを完
全に取り囲むように、挿入した。この集成体全体をＨｅパージ縦型チューブ炉の
頂部におき、オキシフッ化ケイ素ガラスチューブの下端(封止端)だけが高温ゾー
ンにあるように配置した。高温ゾーンの長さはほぼ５ｃｍであった。先端封止オ
キシフッ化ケイ素ガラスチューブの中心をＨｅで５ｐｓｉｇ(大気圧＋３．４５
×１０４Ｐａ)に加圧した。炉温を１５５０℃まで上昇させた。１０分後、何ら
の変化も見られなかったので温度を１６００℃まで上昇させた。さらに１０分経
過後も、チューブ形状には変化が見られなかった。炉温を１６５０℃まで上昇さ
せた。１６５０℃，５ｐｓｉｇの中心軸圧の下で約２分後、先端封止オキシフッ
化ケイ素ガラスチューブは膨らみ、広がって金型を完全に満たし、金型端部で正
方形の管内壁に接触した。 次いで、膨張圧を維持しながら集成体全体(オキシフ
ッ化ケイ素ガラスチューブ及び金型)に、チューブ全体が膨らむまで、３ｍｍ／
分の速度で高温ゾーンを通過させた。オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを金型
内で冷却した。ガラスチューブは金型に張り付いておらず、容易に取り出せた。
得られた平辺面正方形断面をもつオキシフッ化ケイ素ガラスチューブは、外法が
３１ｍｍ×３１ｍｍ，内法が２１ｍｍ×２１ｍｍであった。このチューブのそれ
ぞれの平板面を切り離して研磨し、プレート面に平行に配向されたストリエーシ
ョンをもつ平板プレートを作成することができた。マイクロプローブで測定した
ガラスの平均フッ素濃度は０．７７重量％であった。シリカスートの形成及び堆
積中にスートにフッ素をドープした。燃焼バーナーの中央混合チューブへのＳｉ
Ｃｌ４の送り込みに加えて、フッ素ドープシリカを形成するためにフッ素ドープ
源供給分子を燃焼バーナーに送り込んだ。米国特許第５，５９９，３７１号(ケ
イン(Cain)等，１９９７年２月４日)に述べられるようなスート生成バーナーを
利用して、フッ素をドープしたシリカスート及びオキシフッ化ガラスを形成した
。予備混合気に１．５リットル／分のＯ２及び１．５リットル／分のＣＨ４を流
して低温炎(soft flame)を得ることにより、Ｆ濃度が３．５重量％のシリカスー
トを生成した。 １リットル／分のＳｉＣｌ４，１リットル／分のＣＦ４，及び
２０００ｃｃ／分のキャリアＯ２をヒューム管に送り込んだ。さらに、Ｆドープ
を増進するために１リットル／分のＳＦ６を内部シールドに送り込んだ。新生炎
(stranger flame)をつくるために１０リットル／分のＯ２及び１０リットル／分
のメタンが予備混合気に送られることを除き、上と同じ送ガス流量を用いてスー
トをスートプレフォームとして堆積し、このスートプレフォームを塩素で乾燥し
、Ｆ濃度が１重量％のガラスに固結した。Ｆレベルを維持しＣｌ汚染を避けるた
めに、フッ素で乾燥し、固結中もフッ素処理ガスを用いることにより、改善され
たオキシフッ化ケイ素ガラスを得ることができる。固結前の十分な非塩素ガス暴
露処理により、Ｃｌ汚染を抑止することが好ましい。
【００７５】 ガラスを表面粗さが０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の平板フォトマスクブランクに
仕上げる好ましい手段は、ガラスの化学的機械的仕上げ及び研磨である。ガラス
の化学的機械的仕上げ工程は、ガラスの表面を表面粗さＲａが６ないし１０オン
グストロ−ムの範囲になるまで研磨する工程を含むことが好ましい。これは、少
なくとも１つの金属酸化物研磨剤を含む水性分散液を用いる研磨により達成され
ることが好ましい。金属酸化物研磨剤は、アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコン
、酸化ゲルマニウム、シリカ及び酸化セリウムから選ぶことができ、好ましい金
属酸化物研磨剤は酸化セリウムである。次いで、表面は表面粗さＲａが５オング
ストローム以下になるまでコロイド状シリカのアルカリ性水性分散液でさらに研
磨される。コロイド状シリカのアルカリ性分散液は、８から１２，好ましくは１
０から１２の範囲のｐＨに緩衝され、コロイド状シリカ粒子の平均粒径は５０ｎ
ｍ以下である。０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の好ましい表面粗さは、(吹込みポリウ
レタンが好ましい)硬質研磨パッドを用いた酸化セリウムによる第１研磨工程、(
起毛ポリウレタンが好ましい)軟質研磨パッドを用いた酸化セリウムによる第２
研磨工程、及び(起毛ポリウレタンが好ましい)軟質研磨パッドを用いたコロイド
状シリカによる第３研磨工程により得られることが好ましい。化学的機械的研磨
工程に関しては、１９９９年７月３０日に出願された米国特許出願第０９／３６
４，１４３号及びこれに含められた参照文献が参照され、本明細書に含められる
。
仕上げる好ましい手段は、ガラスの化学的機械的仕上げ及び研磨である。ガラス
の化学的機械的仕上げ工程は、ガラスの表面を表面粗さＲａが６ないし１０オン
グストロ−ムの範囲になるまで研磨する工程を含むことが好ましい。これは、少
なくとも１つの金属酸化物研磨剤を含む水性分散液を用いる研磨により達成され
ることが好ましい。金属酸化物研磨剤は、アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコン
、酸化ゲルマニウム、シリカ及び酸化セリウムから選ぶことができ、好ましい金
属酸化物研磨剤は酸化セリウムである。次いで、表面は表面粗さＲａが５オング
ストローム以下になるまでコロイド状シリカのアルカリ性水性分散液でさらに研
磨される。コロイド状シリカのアルカリ性分散液は、８から１２，好ましくは１
０から１２の範囲のｐＨに緩衝され、コロイド状シリカ粒子の平均粒径は５０ｎ
ｍ以下である。０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下の好ましい表面粗さは、(吹込みポリウ
レタンが好ましい)硬質研磨パッドを用いた酸化セリウムによる第１研磨工程、(
起毛ポリウレタンが好ましい)軟質研磨パッドを用いた酸化セリウムによる第２
研磨工程、及び(起毛ポリウレタンが好ましい)軟質研磨パッドを用いたコロイド
状シリカによる第３研磨工程により得られることが好ましい。化学的機械的研磨
工程に関しては、１９９９年７月３０日に出願された米国特許出願第０９／３６
４，１４３号及びこれに含められた参照文献が参照され、本明細書に含められる
。
【００７６】 図２７に示されるように、フォトマスクブランク２０はＶＵＶ波長投影リソグ
ラフィシステム３２７に利用される。本発明は、好ましくは、ガラスブランク上
に堆積されたＣｒ層を用いることが好ましい１５７ｎｍＶＵＶ波長リソグラフィ
用パターン付透過フォトマスクを得るための、フォトマスクブランク平表面上へ
のリソグラフィ像パターン３００形成工程を含む。本発明は、１５７ｎｍ波長を
含むＶＵＶ光をフォトマスクの平表面に入射させて投影像パターンを形成する工
程及びこの投影像パターンを感光性材料３００上に投影する工程を含む。ＶＵＶ
照明システムは１９３ｎｍ以下、好ましくは１６５ｎｍ以下及びＦ２エキシマー
レーザにより放射される１５７ｎｍ領域のＶＵＶ光を放射する。
ラフィシステム３２７に利用される。本発明は、好ましくは、ガラスブランク上
に堆積されたＣｒ層を用いることが好ましい１５７ｎｍＶＵＶ波長リソグラフィ
用パターン付透過フォトマスクを得るための、フォトマスクブランク平表面上へ
のリソグラフィ像パターン３００形成工程を含む。本発明は、１５７ｎｍ波長を
含むＶＵＶ光をフォトマスクの平表面に入射させて投影像パターンを形成する工
程及びこの投影像パターンを感光性材料３００上に投影する工程を含む。ＶＵＶ
照明システムは１９３ｎｍ以下、好ましくは１６５ｎｍ以下及びＦ２エキシマー
レーザにより放射される１５７ｎｍ領域のＶＵＶ光を放射する。
【００７７】 本発明の精神及び範囲を逸脱することなく本発明に様々な改変及び変形がなさ
れ得ることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明の改変及び変形
が特許請求事項及びそれらの等価物の範囲に入れば、本発明はそのような改変及
び変形を包含するとされる。
れ得ることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明の改変及び変形
が特許請求事項及びそれらの等価物の範囲に入れば、本発明はそのような改変及
び変形を包含するとされる。
【図１】 本発明の実施形態の上面図
【図２】 本発明の実施形態の側面図
【図３】 本発明の実施形態の斜視図
【図４】 本発明の実施形態の斜視図
【図５】 本発明の方法を示す
【図６】 本発明の方法を示す
【図７】 本発明の方法を示す
【図８】 本発明の方法を示す
【図９】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図１０】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図１１】 本発明の方法を示す
【図１２】 本発明の方法を示す
【図１３】 本発明の方法を示す
【図１４】 本発明にしたがうＦ濃度(重量％)(ｙ軸)対チューブ内壁からの深さ(ｘ軸)のグ
ラフ
ラフ
【図１５】 本発明にしたがう％透過率／５ｍｍ(ｙ軸)対波長(ｎｍ)(ｘ軸)のグラフ
【図１６】 本発明にしたがうＦ濃度(重量％)(ｙ軸)対チューブ内壁からの深さ(ｘ軸)のグ
ラフ
ラフ
【図１７】 本発明にしたがうＦ濃度(重量％)(ｙ軸)対チューブ内壁からの深さ(ｘ軸)のグ
ラフ
ラフ
【図１８】 本発明にしたがう％透過率／５ｍｍ(ｙ軸)対波長(ｎｍ)(ｘ軸)のグラフ
【図１９】 本発明にしたがうＦ濃度(重量％)(ｙ軸)対石英ベイト外表面からの深さ(ｘ軸)
のグラフ
のグラフ
【図２０】 本発明の実施形態の斜視図であり、本発明の方法を示す
【図２１】 本発明の方法を示す
【図２２】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図２３】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図２４】 本発明の斜視図であり、本発明の方法を示す
【図２５】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図２６】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図２７】 本発明のリソグラフィシステム／プロセスの実施形態である
【図２８】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図２９】 本発明の側面図であり、本発明の方法を示す
【図３０】 本発明の実施形態及び方法の縦側面図
２０ フォトマスクブランク ２２ オキシフッ化ケイ素ガラスチューブ ３０ ガラス処理炉 ３２ ＳｉＯ２スートチューブ ３４ 固結炉 ４０ ＳｉＯ２スート ４２ 支持部材 ４４ ＳｉＯ２スート源 ４６ ＳｉＯ２スート層 ４７ ストリエーション層 ４８ バーナー ２００ 金型
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０３Ｂ 23/049 Ｃ０３Ｂ 23/049 23/051 23/051 Ｃ０３Ｃ 3/112 Ｃ０３Ｃ 3/112 Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ，Ｕ Ｓ (72)発明者 ピアーソン，ミッシェル ディー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14870 ペインテッド ポスト ベアータウン ロード 678 Ｆターム(参考） 2H095 BA07 BC27 4G014 AH21 AH23 4G015 BA06 4G062 AA01 BB02 DA08 DB01 DC01 DD01 DE01 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GB01 GC01 GD01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 LA10 MM02 NN16
Claims (104)
- 【請求項１】 リソグラフィ用フォトマスクブランクの作成方法において、
前記方法が： ＯＨ含有量が５０ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供
する工程： 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブにスリットを入れる工程： 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平板化する工程；及び 前記平板化されたスリット入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平表面を
有するフォトマスクブランクに二次成形する工程； を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が、
フッ素濃度が約０．５重量％より高いオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供
する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が、
フッ素濃度が約０．５重量％から約２．５重量％の範囲にあるオキシフッ化ケイ
素ガラスチューブを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項４】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が、
ＯＨ含有量が５ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する
工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が、
ＯＨ含有量が１ｐｐｍより少ないオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する
工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が、
ＳｉＯ２スートチューブを提供する工程、前記ＳｉＯ２スートチューブを脱水し
て前記ＳｉＯ２スートからＯＨを除去する工程、複数のケイ素−酸素結合を複数
のケイ素−フッ素結合で置換する工程、及び前記スートチューブを固結してガラ
スにする工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 断面が円形の支持部材上にＳｉＯ２スートを堆積する工程を
さらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記ＳｉＯ２スートからＯＨを除去する工程及び前記ＳｉＯ ２ スートにフッ素を導入する工程をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の
方法。 - 【請求項９】 前記ＳｉＯ２スートからＯＨを除去する前記工程が、脱水雰
囲気内で前記ＳｉＯ２スートを前記ＳｉＯ２スートを加熱する工程を含むことを
特徴とする請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記脱水雰囲気が塩素を含むことを特徴とする請求項９記
載の方法。 - 【請求項１１】 前記脱水雰囲気がヘリウムを含むことを特徴とする請求項
９記載の方法。 - 【請求項１２】 前記脱水雰囲気がフッ素を含むことを特徴とする請求項９
記載の方法。 - 【請求項１３】 前記ＳｉＯ２スートにフッ素を導入する前記工程が、フッ
素含有雰囲気に前記ＳｉＯ２スートを暴露する工程を含むことを特徴とする請求
項８記載の方法。 - 【請求項１４】 前記フッ素含有雰囲気がＳｉＦ４を含むことを特徴とする
請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 前記フッ素含有雰囲気がＣＦ４を含むことを特徴とする請
求項１３記載の方法。 - 【請求項１６】 前記フッ素含有雰囲気がヘリウムを含むことを特徴とする
請求項１３記載の方法。 - 【請求項１７】 前記ＳｉＯ２スートから、先にＯＨが除去され、次いでフ
ッ素が導入されることを特徴とする請求項８記載の方法。 - 【請求項１８】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が
基本的にＳｉ，Ｏ及びＦからなるガラスチューブを提供する工程をさらに含むこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１９】 前記ガラスチューブは、 Ｆ濃度が０．５から３重量％の
範囲にあり、ＯＨ含有量が１０ｐｐｍより少ないことを特徴とする請求項１８記
載の方法。 - 【請求項２０】 前記ＳｉＯ２スートからＯＨを除去する前記工程が、前記
スートをＣｌ含有雰囲気内で９００から１１００℃の範囲の温度まで加熱する工
程を含み、前記ＳｉＯ２スートにフッ素を導入する前記工程が、前記スートをＦ
含有雰囲気内で１１２５から１３２５℃の範囲の温度まで加熱する工程、及び、
次いで前記スートを１３５０から１５５０℃の範囲の温度で焼結し、前記スート
を固結してガラスにする工程を含み、よって前記ガラスが少なくとも０．５重量
％のＦを含むことを特徴とする請求項８記載の方法。 - 【請求項２１】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが縦方向長さを有
し、前記チューブにスリットを入れる前記工程が前記縦方向長さに沿って前記チ
ューブに切れ目を入れる工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項２２】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを平板化する前記
工程が、前記チューブを加熱する工程及び前記加熱されたチューブに変形力を印
加する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項２３】 前記加熱されたチューブに変形力を印加する前記工程が、
前記加熱されたチューブを排気して前記加熱されたチューブを圧潰させる工程を
さらに含むことを特徴とする請求項２２記載の方法。 - 【請求項２４】 平辺面金型を提供する工程、前記平辺面金型を前記ガラス
チューブに近接させて配置する工程、及び前記加熱されたチューブに変形流体圧
力を印加する工程をさらに含み、前記加熱されたチューブが前記平辺面金型の形
通りになることを特徴とする請求項２２記載の方法。 - 【請求項２５】 前記チューブで金型を取り囲む工程及び前記加熱されたチ
ューブに圧潰変形流体圧力を印加する工程をさらに含み、前記チューブが前記金
型に向かって圧潰することを特徴とする請求項２２記載の方法。 - 【請求項２６】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを金型で取り囲む
工程及び前記加熱されたチューブに膨張変形流体圧力を印加する工程をさらに含
み、前記加熱されたチューブが前記金型に向かって膨張することを特徴とする請
求項２２記載の方法。 - 【請求項２７】 前記チューブを前記金型で取り囲む前記工程が前記チュー
ブを平辺面金型で取り囲む工程をさらに含むことを特徴とする請求項２６記載の
方法。 - 【請求項２８】 前記チューブを低くとも１４８０℃に加熱された炉内に吊
り下げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項２２記載の方法。 - 【請求項２９】 前記チューブが平板化されされ、前記オキシフッ化ケイ素
ガラスの流延が実質的に抑止されるように、約１７３０℃をほぼ中心とする温度
まで加熱された炉内で前記チューブを自重垂下させる工程をさらに含むことを特
徴とする請求項２２記載の方法。 - 【請求項３０】 前記チューブが少なくとも２つの個片に分割されることを
特徴とする請求項２１記載の方法。 - 【請求項３１】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が
少なくとも２．５ｃｍの内径，少なくとも０．６ｃｍの厚さ，及び少なくとも１
５ｃｍの長さを有するチューブを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１
記載の方法。 - 【請求項３２】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が
少なくとも３．６ｃｍの内径，少なくとも０．６ｃｍの厚さ，及び少なくとも２
２ｃｍの長さを有するチューブを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１
記載の方法。 - 【請求項３３】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が
少なくとも５ｃｍの内径，少なくとも０．６ｃｍの厚さ，及び少なくとも１５ｃ
ｍの長さを有するチューブを提供する工程を含むことを特徴とする請求項３０記
載の方法。 - 【請求項３４】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が
少なくとも７．６ｃｍの内径，少なくとも０．６ｃｍの厚さ，及び少なくとも２
２ｃｍの長さを有するチューブを提供する工程を含むことを特徴とする請求項３
０記載の方法。 - 【請求項３５】 オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する前記工程が
複数の同軸ストリエーション層を有するオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提
供する工程を含み、前記方法が、前記複数のストリエーション層が前記フォトマ
スクブランク平表面に平行となるように、前記複数のストリエーション層の相対
配向を維持する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３６】 フォトマスクブランクに二次成形する前記工程が前記平板
化されたスリット入りオキシフッ化ケイ素ガラスチューブを研磨する工程を含む
ことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３７】 前記二次成形されたフォトマスクブランクを通して波長１
５７ｎｍの光を透過させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項３８】 前記フォトマスクブランク平表面上にリソグラフィ像パタ
ーンを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３９】 投影像パターンを形成するために１５７ｎｍの波長を含む
光を前記フォトマスクブランク平表面に入射させる工程及び前記投影像パターン
を感光性材料上に投射する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３８記載の
方法。 - 【請求項４０】 ＯＨ含有量が０．５重量％以下の縦長オキシフッ化ケイ素
ガラスチューブを含み、前記縦長チューブが前記ガラスチューブの縦方向長さに
沿う中心軸を有し、前記ガラスチューブが前記中心軸をほぼ中心とする複数の同
軸ストリエーション層を含むことを特徴とするリソグラフィ用ガラスマスクプレ
フォーム。 - 【請求項４１】 前記縦長オキシフッ化ケイ素ガラスチューブの断面形状が
平辺多角形であることを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマス
クプレフォーム。 - 【請求項４２】 前記チューブの断面形状が長方形であることを特徴とする
請求項４１記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項４３】 前記断面形状が長方形のチューブが正方形の断面形状を有
することを特徴とする請求項４２記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォー
ム。 - 【請求項４４】 前記チューブの断面形状が三角形であることを特徴とする
請求項４１記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項４５】 前記チューブの断面形状が五角形であることを特徴とする
請求項４１記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項４６】 前記チューブの断面形状が六角形であることを特徴とする
請求項４１記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項４７】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが、少なくとも２
．５ｃｍの内径，少なくとも０．６ｃｍの厚さ及び少なくとも１５ｃｍの縦方向
長さを有することを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプ
レフォーム。 - 【請求項４８】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが基本的にＳｉ，
Ｏ及びＦからなることを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマス
クプレフォーム。 - 【請求項４９】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブの１５７ｎｍにお
ける％光透過率がガラス厚５ｍｍあたり少なくとも７０％であることを特徴とす
る請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項５０】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが、少なくとも３
．６ｃｍの内径及び少なくとも２２ｃｍの縦方向長さを有することを特徴とする
請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項５１】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが、少なくとも５
ｃｍの内径及び少なくとも１５ｃｍの縦方向長さを有することを特徴とする請求
項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項５２】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが、少なくとも７
．６ｃｍの内径及び少なくとも２２ｃｍの縦方向長さを有することを特徴とする
請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項５３】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスチューブが石英ガラスチュ
ーブを取り囲んでいることを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ用ガラス
マスクプレフォーム。 - 【請求項５４】 前記ガラスチューブの１５７ｎｍにおける透過率一様性が
−２％から＋２％の範囲にあることを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ
用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項５５】 前記ガラスチューブが、寸法が１μｍをこえる混在物を含
まないことを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォ
ーム。 - 【請求項５６】 前記ガラスチューブの複屈折が５ｎｍ／ｃｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項４０記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項５７】 上平面及び下平面を有する平板オキシフッ化ケイ素ガラス
部材を含み、前記平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材のＯＨ含有量は１０ｐｐｍ
以下であり、Ｆ濃度は０．５重量％以上であって、前記オキシフッ化ケイ素ガラ
スは複数の平行ストリエーション層を有し、前記複数の平行ストリエーション層
が前記上平面に平行であることを特徴とするリソグラフィ用フォトマスクブラン
ク。 - 【請求項５８】 前記上平面の表面粗さが０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下である
ことを特徴とする請求項５７記載のリソグラフィ用フォトマスクブランク。 - 【請求項５９】 前記平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材の１５７ｎｍにお
ける％光透過率がガラス厚５ｍｍあたり少なくとも７０％であることを特徴とす
る請求項５７記載のリソグラフィ用フォトマスクブランク。 - 【請求項６０】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスが基本的にＳｉ，Ｏ及びＦ
からなることを特徴とする請求項５７記載のリソグラフィ用フォトマスクブラン
ク。 - 【請求項６１】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスのＦ含有量が０．５重量％
から３重量％の範囲にあることを特徴とする請求項５７記載のリソグラフィ用フ
ォトマスクブランク。 - 【請求項６２】 前記平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材の１５７ｎｍにお
ける透過率一様性が−２％から＋２％の範囲にあることを特徴とする請求項５７
記載のリソグラフィ用フォトマスクブランク。 - 【請求項６３】 前記平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材が、寸法が１μｍ
をこえる混在物を含まないことを特徴とする請求項５７記載のリソグラフィ用フ
ォトマスクブランク。 - 【請求項６４】 平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材の複屈折が５ｎｍ／ｃ
ｍ以下であることを特徴とする請求項５７記載のリソグラフィ用フォトマスクブ
ランク。 - 【請求項６５】 平板オキシフッ化ケイ素ガラス部材が、 少なくとも０．
６ｃｍの厚さ及び少なくとも１５ｃｍの長さを有し、寸法が１μｍをこえる混在
物を含まず、１５７ｎｍにおける透過率一様性が−２％から＋２％の範囲にあり
、１５７ｎｍにおける透過率が７０％より高く、 複屈折が５ｎｍ／ｃｍ以下で
あることを特徴とする請求項５７記載のリソグラフィ用フォトマスクブランク。 - 【請求項６６】 マスク幅ＭＷ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有するリ
ソグラフィ用マスクを形成するためのリソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム
において、前記リソグラフィ用ガラスマスクプレフォームが内径ＩＲ，厚さＴ，
長さＬ及び長さ方向チューブ中心軸ＣＡをもつガラスチューブを含み、前記ガラ
スチューブが前記中心軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を
含み、ＩＲ≧(７／４４)ＭＷ，Ｔ＞ＭＴ及びＬ≧ＭＬであることを特徴とするリ
ソグラフィ用ガラスマスクプレフォーム。 - 【請求項６７】 前記ガラスチューブがオキシフッ化ケイ素ガラスからなる
ことを特徴とする請求項６６記載のプレフォーム。 - 【請求項６８】 前記オキシフッ化ケイ素ガラスのＯＨ含有量が１０ｐｐｍ
以下であることを特徴とする請求項６７記載のプレフォーム。 - 【請求項６９】 請求項６６記載のリソグラフィ用ガラスマスクプレフォー
ムから形成されるリソグラフィ用マスクにおいて、前記リソグラフィ用マスクが
、上平面、下平面、マスク幅ＭＷ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有する平板
ガラス部材からなり、前記平板ガラス部材が前記上平面及び前記下平面に平行な
複数の平行ストリエーション層を含むことを特徴とするリソグラフィ用マスク。 - 【請求項７０】 マスクの作成方法において、前記方法が: 内径ＩＲ、厚さＴ、長さＬ及び長さ方向チューブ中心軸ＣＡを有するガラスチ
ューブマスクプレフォームを提供する工程；前記ガラスチューブマスクプレフォ
ームは前記中心軸ＣＡをほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を含む；
及び 前記ガラスチューブマスクプレフォームを平板化して上平面及び下平面を有す
る平板ガラスマスクにする工程；前記平板ガラスマスクは前記上平面及び前記下
平面に平行な複数の平行ストリエーション層を有する； を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項７１】 前記平板化工程が、前記長さＬに沿い前記軸ＣＡに合わせ
て前記ガラスチューブマスクプレフォームにスリットを入れる工程及び前記上平
面及び前記下平面を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項７０記載の方法
。 - 【請求項７２】 前記平板化工程が、前記ガラスチューブマスクプレフォー
ムを平板化して前記平板マスクにする工程を含み、前記平板マスクはマスク幅Ｍ
Ｗ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有し、 ＭＷ≦(４４／７)ＩＲ，ＭＴ＜Ｔ
及びＭＬ≦Ｌであることを特徴とする請求項７０記載の方法。 - 【請求項７３】 前記平板化工程が、前記ガラスチューブマスクプレフォー
ムを平板化して前記平板マスクにする工程を含み、前記平板マスクはマスク幅Ｍ
Ｗ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有し、 ＭＷ≦(２２／７)ＩＲ，ＭＴ＜Ｔ
及びＭＬ≦Ｌであることを特徴とする請求項７０記載の方法。 - 【請求項７４】 前記平板化工程が、前記ガラスチューブマスクプレフォー
ムを平板化して前記平板マスクにする工程を含み、前記平板マスクはマスク幅Ｍ
Ｗ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有し、 ＭＷ≦(４４／２１)ＩＲ，ＭＴ＜
Ｔ及びＭＬ≦Ｌであることを特徴とする請求項７０記載の方法。 - 【請求項７５】 前記平板化工程が、前記ガラスチューブマスクプレフォー
ムを平板化して前記平板マスクにする工程を含み、前記平板マスクはマスク幅Ｍ
Ｗ，マスク長ＭＬ及びマスク厚ＭＴを有し、 ＭＷ≦(１１／７)ＩＲ，ＭＴ＜Ｔ
及びＭＬ≦Ｌであることを特徴とする請求項７０記載の方法。 - 【請求項７６】 前記平板化工程が、平辺面を有する金型に合わせて前記ガ
ラスチューブを変形させる工程を含むことを特徴とする請求項７０記載の方法。 - 【請求項７７】 断面が正方形の前記平辺面金型を提供する工程；前記ガラ
スチューブを前記断面が正方形の金型で取り囲む工程；前記ガラスチューブを前
記断面が正方形の金型に向けて膨張させる工程、前記膨張したガラスチューブは
正方形の断面を有する；及び前記断面が正方形の膨張したガラスチューブから少
なくとも１つの側面を切り離して前記平板ガラスマスクを得る工程；をさらに含
むことを特徴とする請求項７０記載の方法。 - 【請求項７８】 前記断面が正方形の金型を前記ガラスチューブで取り囲む
工程；前記ガラスチューブを前記平辺面に向けて圧潰させる工程、前記圧潰した
ガラスチューブは平側面を有する；及び前記平側面をもつ圧潰ガラスチューブを
切断して前記平板ガラスマスクを得る工程；をさらに含むことを特徴とする請求
項７０記載の方法。 - 【請求項７９】 前記平板化工程が、前記ガラスチューブを加熱する工程及
び前記加熱されたガラスチューブを排気して圧潰させる工程を含むことを特徴と
する請求項７０記載の方法。 - 【請求項８０】 縦方向長さ、多角形の断面形状及び、前記縦方向長さに沿
い前記多角形の断面に垂直な中心軸を有する縦長ガラスチューブを含み、前記ガ
ラスチューブが前記中心軸をほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を有
することを特徴とするガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８１】 前記ガラスチューブが石英ガラスからなることを特徴とす
る請求項８０記載のガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８２】 前記ガラスチューブがオキシフッ化ケイ素ガラスからなる
ことを特徴とする請求項８０記載のガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８３】 前記ガラスチューブがＯＨを実質的に含まないことを特徴
とする請求項８０記載のガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８４】 前記ガラスチューブがＣｌを実質的に含まないことを特徴
とする請求項８０記載のガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８５】 前記ガラスチューブがＨ２を実質的に含まないことを特徴
とする請求項８０記載のガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８６】 前記多角形の断面形状が正方形であることを特徴とする請
求項８０記載のガラスブランクプレフォーム。 - 【請求項８７】 ガラスブランク作成方法において、前記方法が： 縦長ガラスチューブを提供する工程； 断面が平辺多角形である縦長金型を提供する工程； 前記縦長金型に近接させて前記縦長ガラスチューブを配置する工程； 前記縦長ガラスチューブを加熱する工程； 前記加熱された縦長ガラスチューブに変形流体圧を印加する工程；前記ガラス
チューブは変形して前記金型の形通りになる； 前記変形したガラスチューブを冷却して断面が平辺多角形であるガラスチュー
ブを得る工程；及び 前記断面が平辺多角形であるガラスチューブから平側面を切り取る工程； を含むことを特徴とするガラスブランク作成方法。 - 【請求項８８】 縦長ガラスチューブを提供する前記工程が、ＳｉＯ２スー
トチューブを提供する工程及び前記スートチューブを固結してガラスにする工程
をさらに含むことを特徴とする請求項８７記載のガラスブランク作成方法。 - 【請求項８９】 縦長ガラスチューブを提供する前記工程が、支持部材上に
ＳｉＯ２スートを堆積する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８７記載の
ガラスブランク作成方法。 - 【請求項９０】 縦長ガラスチューブを提供する前記工程が、オキシフッ化
ケイ素ガラスチューブを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８７
記載のガラスブランク作成方法。 - 【請求項９１】 縦長ガラスチューブを提供する前記工程が、二酸化ケイ素
からなるガラスチューブを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８
７記載のガラスブランク作成方法。 - 【請求項９２】 縦長ガラスチューブを提供する前記工程が、高純度石英ガ
ラスチューブを提供する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８７記載のガ
ラスブランク作成方法。 - 【請求項９３】 前記ガラスチューブを前記金型で取り囲む工程及び前記ガ
ラスチューブを膨張させて前記金型に接触させる工程をさらに含むことを特徴と
する請求項８７記載のガラスブランク作成方法。 - 【請求項９４】 前記金型を前記ガラスチューブで取り囲む工程及び前記ガ
ラスチューブを前記金型上に圧潰させる工程をさらに含むことを特徴とする請求
項８７記載の方法。 - 【請求項９５】 ブランク幅ＭＷ，ブランク長ＭＬ及びブランク厚ＭＴを有
するブランクを形成するためのガラスブランクプレフォームにおいて、前記ガラ
スプレフォームが、厚さＴ，長さＬ，平辺面高Ｈ，及び長さ方向チューブ中心軸
ＣＡをもつ平辺面ガラスチューブを含み、前記ガラスチューブが前記中心軸ＣＡ
をほぼ中心とする複数の同軸ストリエーション層を含み、Ｈ≧ＭＷ，Ｔ≧ＭＴ，
及びＬ≧ＭＬであることを特徴とするプレフォーム。 - 【請求項９６】 前記ガラスチューブがオキシフッ化ケイ素ガラスからなる
ことを特徴とする請求項９５記載のプレフォーム。 - 【請求項９７】 前記ガラスチューブのＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求項９５記載のプレフォーム。 - 【請求項９８】 前記ガラスチューブが二酸化ケイ素からなることを特徴と
する請求項９５記載のプレフォーム。 - 【請求項９９】 前記ガラスチューブが高純度石英ガラスからなることを特
徴とする請求項９５記載のプレフォーム。 - 【請求項１００】 請求項９５記載のガラスブランクプレフォームから形成
されたブランクにおいて、前記ブランクが上平面、下平面、ブランク幅ＭＷ，ブ
ランク長ＭＬ及びブランク厚ＭＴを有する平板ガラス部材からなり、前記平板ガ
ラス部材が前記上平面及び前記下平面に平行な複数の平行ストリエーション層を
含むことを特徴とするブランク。 - 【請求項１０１】 フォトマスクブランク作成方法において、前記方法が： オキシフッ化ケイ素ガラスチューブを提供する工程； 前記ガラスチューブを加熱する工程； 前記ガラスチューブを排気して前記ガラスチューブを圧潰させ、平板化された
圧潰チューブにする工程；及び 前記平板化された圧潰チューブをフォトマスクブランクに二次成形する工程； を含むことを特徴とするフォトマスクブランク作成方法。 - 【請求項１０２】 低ＯＨオキシフッ化ケイ素ガラスブランク作成方法にお
いて、前記方法が： ＳｉＯ２スートを提供する工程： 前記スートを塩素含有雰囲気に暴露して前記スートからＯＨを除去する工程； 前記塩素雰囲気への暴露を終結させる工程； 前記スートから残留塩素をフラッシュする工程；及び 前記スートを固結してＯＨレベルが１ｐｐｍより低いオキシフッ化ケイ素ガラ
スにする工程； を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１０３】 前記フラッシュ工程及び前記固結工程が、前記スートを
Ｈｅ含有雰囲気内でフラッシュする工程及び固結する工程を含むことを特徴とす
る請求項１０２記載の方法。 - 【請求項１０４】 前記フラッシュ工程及び前記固結工程が、前記スートを
Ｆ含有雰囲気内でフラッシュする工程及び固結する工程を含むことを特徴とする
請求項１０２記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12386199P | 1999-03-12 | 1999-03-12 | |
| US09/397,572 | 1999-09-16 | ||
| US09/397,572 US6319634B1 (en) | 1999-03-12 | 1999-09-16 | Projection lithography photomasks and methods of making |
| US60/123,861 | 1999-09-16 | ||
| PCT/US2000/003536 WO2000055100A1 (en) | 1999-03-12 | 2000-02-11 | Projection lithography photomask substrate and method of making |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002539065A true JP2002539065A (ja) | 2002-11-19 |
Family
ID=26821975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000605531A Withdrawn JP2002539065A (ja) | 1999-03-12 | 2000-02-11 | 投影リソグラフィ用フォトマスク基板及びその作成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| US (3) | US6319634B1 (ja) |
| EP (1) | EP1161403A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002539065A (ja) |
| KR (1) | KR20010105383A (ja) |
| WO (1) | WO2000055100A1 (ja) |
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| KR102064643B1 (ko) | 2012-03-30 | 2020-01-08 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6319634B1 (en) | 2001-11-20 |
| US20020004173A1 (en) | 2002-01-10 |
| US6848277B2 (en) | 2005-02-01 |
| EP1161403A1 (en) | 2001-12-12 |
| WO2000055100A1 (en) | 2000-09-21 |
| US20040121247A1 (en) | 2004-06-24 |
| US6689516B2 (en) | 2004-02-10 |
| KR20010105383A (ko) | 2001-11-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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