JP2002222861A - プラズマ前処理モジュールを具備した装置における半導体素子の製造方法 - Google Patents
プラズマ前処理モジュールを具備した装置における半導体素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上にコンタクトホールを形成した
後、後続膜を蒸着するまでの一連の前処理工程をクラス
ター化されたプラズマ装置で行うことによって工程時間
を短縮できる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストパターンを蝕刻マスクと
して使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物
質を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記半
導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着モジュ
ールが真空状態で互いに連結される、クラスター装置に
ローディングさせる。次いで、前記半導体基板を前記プ
ラズマ前処理モジュールに移送させた後、前記フォトレ
ジストパターンをアッシングして除去し、前記コンタク
トホール下部の損傷層を除去した後、前記コンタクトホ
ール内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄を行う。次い
で、前記前処理洗浄が行われた前記半導体基板を、真空
を維持しつつ前記蒸着モジュールに移送して前記コンタ
クトホール内に後続膜を蒸着する。
後、後続膜を蒸着するまでの一連の前処理工程をクラス
ター化されたプラズマ装置で行うことによって工程時間
を短縮できる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 フォトレジストパターンを蝕刻マスクと
して使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物
質を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記半
導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着モジュ
ールが真空状態で互いに連結される、クラスター装置に
ローディングさせる。次いで、前記半導体基板を前記プ
ラズマ前処理モジュールに移送させた後、前記フォトレ
ジストパターンをアッシングして除去し、前記コンタク
トホール下部の損傷層を除去した後、前記コンタクトホ
ール内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄を行う。次い
で、前記前処理洗浄が行われた前記半導体基板を、真空
を維持しつつ前記蒸着モジュールに移送して前記コンタ
クトホール内に後続膜を蒸着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ前処理モジ
ュールを具備した装置における半導体素子の製造方法に
係り、より詳細にはフォトレジストパターンを用いてコ
ンタクトホールを形成した後、リモートプラズマを用い
てコンタクトホール内に後続膜を蒸着する前に行われる
前処理工程に関する。
ュールを具備した装置における半導体素子の製造方法に
係り、より詳細にはフォトレジストパターンを用いてコ
ンタクトホールを形成した後、リモートプラズマを用い
てコンタクトホール内に後続膜を蒸着する前に行われる
前処理工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】高集積半導体素子は、導電層、絶縁層及
び半導体層を反復して積層させ、これらの間を特定のパ
ターンで相互連結させつつ、あらかじめ設計された所定
の集積回路を具現させたものである。したがって、絶縁
層を介在して上下層に存在する導電層または半導体層を
電気的に連結するために、一般に下層に存在する導電層
または半導体層を露出させるコンタクトホールを形成し
た後、このコンタクトホールに導電層を蒸着して埋め立
てた後、基板の全面に上層の導電層を形成する方法を使
用する。
び半導体層を反復して積層させ、これらの間を特定のパ
ターンで相互連結させつつ、あらかじめ設計された所定
の集積回路を具現させたものである。したがって、絶縁
層を介在して上下層に存在する導電層または半導体層を
電気的に連結するために、一般に下層に存在する導電層
または半導体層を露出させるコンタクトホールを形成し
た後、このコンタクトホールに導電層を蒸着して埋め立
てた後、基板の全面に上層の導電層を形成する方法を使
用する。
【０００３】一般にコンタクトホールはプラズマ乾式蝕
刻方法により形成される。これはプラズマ内の反応性イ
オンを高速でウェーハ方向に加速させてウェーハの膜質
を蝕刻する方法であって、異方性蝕刻工程が必要な半導
体素子の製造工程でほとんど必須的な工程となってい
る。しかし、このプラズマ乾式蝕刻方法によれば、反応
性イオンがウェーハと衝突することによってウェーハの
表面に格子欠陥を、またはコンタクトホールの下部に露
出される他層の表面に損傷層を誘発して電気的性質を変
えるという問題点がある。
刻方法により形成される。これはプラズマ内の反応性イ
オンを高速でウェーハ方向に加速させてウェーハの膜質
を蝕刻する方法であって、異方性蝕刻工程が必要な半導
体素子の製造工程でほとんど必須的な工程となってい
る。しかし、このプラズマ乾式蝕刻方法によれば、反応
性イオンがウェーハと衝突することによってウェーハの
表面に格子欠陥を、またはコンタクトホールの下部に露
出される他層の表面に損傷層を誘発して電気的性質を変
えるという問題点がある。
【０００４】このように劣化されたウェーハの電気的特
性を補償するために、ウェーハに対してアニーリング工
程を追加したり、コンタクトホールを蝕刻した後にコン
タクトホールの内部にプラグインプランテーションを実
施したりする。また、コンタクトホールの下部に残留す
る損傷層を除去するための工程を行う場合もある。
性を補償するために、ウェーハに対してアニーリング工
程を追加したり、コンタクトホールを蝕刻した後にコン
タクトホールの内部にプラグインプランテーションを実
施したりする。また、コンタクトホールの下部に残留す
る損傷層を除去するための工程を行う場合もある。
【０００５】図１は、コンタクトホールの形成後、後続
膜を蒸着するまでの従来の技術に対するフローチャート
である。図１を参照すれば、プラズマ乾式蝕刻装置でコ
ンタクトホールを形成する（Ｓ１０）。コンタクトホー
ルの形成過程は、一般に半導体基板または特定の下地層
上に絶縁層を形成させた後、コンタクトホール形成位置
を限定するフォトレジストパターンを写真工程により形
成させた後、フォトレジストパターンを蝕刻マスクとし
て使用して前記絶縁層を蝕刻することによって形成す
る。
膜を蒸着するまでの従来の技術に対するフローチャート
である。図１を参照すれば、プラズマ乾式蝕刻装置でコ
ンタクトホールを形成する（Ｓ１０）。コンタクトホー
ルの形成過程は、一般に半導体基板または特定の下地層
上に絶縁層を形成させた後、コンタクトホール形成位置
を限定するフォトレジストパターンを写真工程により形
成させた後、フォトレジストパターンを蝕刻マスクとし
て使用して前記絶縁層を蝕刻することによって形成す
る。
【０００６】次いで、コンタクトホールが形成された半
導体基板をアッシング装置に移動させた後、フォトレジ
ストパターンをアッシングして除去する（Ｓ１２）。ア
ッシング工程によっても完全に除去されないフォトレジ
ストパターンを除去するために半導体基板を硫酸が入っ
ている湿式槽に移送させてフォトレジスト（ＰＲ）スト
リップ工程を行う（Ｓ１４）。
導体基板をアッシング装置に移動させた後、フォトレジ
ストパターンをアッシングして除去する（Ｓ１２）。ア
ッシング工程によっても完全に除去されないフォトレジ
ストパターンを除去するために半導体基板を硫酸が入っ
ている湿式槽に移送させてフォトレジスト（ＰＲ）スト
リップ工程を行う（Ｓ１４）。
【０００７】次いで、コンタクトホール下部の露出され
た半導体基板または特定下地層の表面に形成された損傷
層を除去するために残査処理工程を行う（Ｓ１６）。残
査処理工程は、一般に乾式蝕刻装置で低いバイアス条件
下でＣＦ4ガスおよび酸素ガスを用いて損傷層を除去す
る工程である。しかし、残査処理工程によって露出され
た表面に新しい損傷層が生じるか、または炭素などの汚
染物が残留して、コンタクトホール内に後続膜を蒸着す
る前にこれらを除去するために湿式槽で前処理洗浄を行
う（Ｓ１８）。次いで、前処理洗浄された半導体基板を
蒸着装置に移送させた後、コンタクトホール内に後続膜
を蒸着する（Ｓ２０）。
た半導体基板または特定下地層の表面に形成された損傷
層を除去するために残査処理工程を行う（Ｓ１６）。残
査処理工程は、一般に乾式蝕刻装置で低いバイアス条件
下でＣＦ4ガスおよび酸素ガスを用いて損傷層を除去す
る工程である。しかし、残査処理工程によって露出され
た表面に新しい損傷層が生じるか、または炭素などの汚
染物が残留して、コンタクトホール内に後続膜を蒸着す
る前にこれらを除去するために湿式槽で前処理洗浄を行
う（Ｓ１８）。次いで、前処理洗浄された半導体基板を
蒸着装置に移送させた後、コンタクトホール内に後続膜
を蒸着する（Ｓ２０）。
【０００８】しかし、前記の従来の技術によれば、次の
ような問題点がある。
ような問題点がある。
【０００９】第１に、アッシング装置でフォトレジスト
パターンを除去するためにアッシング工程を行った後に
も残留するフォトレジスト成分を除去するために硫酸が
入っている湿式槽でＰＲストリップ工程を行うことによ
って、工程時間が非常に長くなり、また湿式ストリップ
工程中に不純物による汚染可能性が増大する。
パターンを除去するためにアッシング工程を行った後に
も残留するフォトレジスト成分を除去するために硫酸が
入っている湿式槽でＰＲストリップ工程を行うことによ
って、工程時間が非常に長くなり、また湿式ストリップ
工程中に不純物による汚染可能性が増大する。
【００１０】第２に、乾式蝕刻装置で残査処理工程を行
った後にもコンタクトホール下部の露出された表面には
新しい損傷層が生じる可能性があり、これを除去するた
めに湿式槽で前処理洗浄を行う。しかし、この時、コン
タクトホールの側壁に露出される多様な層が湿式槽に入
っている洗浄液に対して蝕刻速度が異なるために、コン
タクトホールの側壁に凹凸が生じたり、または過剰蝕刻
により半導体基板上に形成されたパターンの劣化を招い
たりする。
った後にもコンタクトホール下部の露出された表面には
新しい損傷層が生じる可能性があり、これを除去するた
めに湿式槽で前処理洗浄を行う。しかし、この時、コン
タクトホールの側壁に露出される多様な層が湿式槽に入
っている洗浄液に対して蝕刻速度が異なるために、コン
タクトホールの側壁に凹凸が生じたり、または過剰蝕刻
により半導体基板上に形成されたパターンの劣化を招い
たりする。
【００１１】第３に、湿式槽で前処理洗浄を行った後に
も蒸着装置に半導体基板を移送する過程でコンタクトホ
ール下部の露出された表面に新しい自然酸化膜が形成さ
れて良好なコンタクト形成を妨害する。
も蒸着装置に半導体基板を移送する過程でコンタクトホ
ール下部の露出された表面に新しい自然酸化膜が形成さ
れて良好なコンタクト形成を妨害する。
【００１２】第４に、装備的な側面で乾式蝕刻装置およ
び蒸着装置は一般に枚葉式である一方、フォトレジスト
（ＰＲ）ストリップ工程や前処理洗浄工程のための湿式
槽はバッチ式であるために工程のクラスター化が難しい
という問題点がある。したがって、従来には長時間の工
程時間がかかり、それぞれ独立した工程装置の間に半導
体基板を移送するうちに汚染発生源はその分だけ増加し
て半導体素子の特性を低下する要因となる。
び蒸着装置は一般に枚葉式である一方、フォトレジスト
（ＰＲ）ストリップ工程や前処理洗浄工程のための湿式
槽はバッチ式であるために工程のクラスター化が難しい
という問題点がある。したがって、従来には長時間の工
程時間がかかり、それぞれ独立した工程装置の間に半導
体基板を移送するうちに汚染発生源はその分だけ増加し
て半導体素子の特性を低下する要因となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体基板上にコンタクトを形成した後、後続膜を蒸着する
までの一連の前処理工程をクラスター化されたプラズマ
装置で行うことによって工程時間を短縮できるプラズマ
前処理モジュールを具備した装置における半導体素子の
製造方法を提供することにある。
体基板上にコンタクトを形成した後、後続膜を蒸着する
までの一連の前処理工程をクラスター化されたプラズマ
装置で行うことによって工程時間を短縮できるプラズマ
前処理モジュールを具備した装置における半導体素子の
製造方法を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、半導体基板上にコン
タクトホールを形成した後、後続膜を蒸着するまでの一
連の前処理工程をクラスター化したプラズマ装置で行う
ことによって設備間の半導体基板の移動中に生じる汚染
や自然酸化膜を抑制して半導体素子の特性および収率を
向上させうるプラズマ前処理モジュールを具備した装置
における半導体素子の製造方法を提供することにある。
タクトホールを形成した後、後続膜を蒸着するまでの一
連の前処理工程をクラスター化したプラズマ装置で行う
ことによって設備間の半導体基板の移動中に生じる汚染
や自然酸化膜を抑制して半導体素子の特性および収率を
向上させうるプラズマ前処理モジュールを具備した装置
における半導体素子の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の、本発明に係るプラズマ前処理モジュールを具備した
装置における半導体素子の製造方法は、フォトレジスト
パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板上に形
成されたシリコン含有物質を露出させるコンタクトホー
ルを形成した後、前記半導体基板をプラズマ前処理モジ
ュールおよび蒸着モジュールが真空状態で互いに連結さ
れるクラスター装置にローディングさせる。前記半導体
基板を前記プラズマ前処理モジュールに移送させた後、
前記フォトレジストパターンをアッシングして除去し、
前記コンタクトホール下部の損傷層を除去した後、前記
コンタクトホール内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄
を行う。次いで、前記前処理洗浄が行われた前記半導体
基板を、真空を維持しつつ前記蒸着モジュールに移送し
て前記コンタクトホール内に後続膜を蒸着する。
の、本発明に係るプラズマ前処理モジュールを具備した
装置における半導体素子の製造方法は、フォトレジスト
パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板上に形
成されたシリコン含有物質を露出させるコンタクトホー
ルを形成した後、前記半導体基板をプラズマ前処理モジ
ュールおよび蒸着モジュールが真空状態で互いに連結さ
れるクラスター装置にローディングさせる。前記半導体
基板を前記プラズマ前処理モジュールに移送させた後、
前記フォトレジストパターンをアッシングして除去し、
前記コンタクトホール下部の損傷層を除去した後、前記
コンタクトホール内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄
を行う。次いで、前記前処理洗浄が行われた前記半導体
基板を、真空を維持しつつ前記蒸着モジュールに移送し
て前記コンタクトホール内に後続膜を蒸着する。
【００１６】本発明が適用されうる前記シリコン含有物
質は、シリコン層、ポリシリコン層またはシリサイド層
などシリコンを含む物質であり、前記コンタクトホール
内に蒸着される後続膜はポリシリコン層、金属層などの
導電膜でありうる。
質は、シリコン層、ポリシリコン層またはシリサイド層
などシリコンを含む物質であり、前記コンタクトホール
内に蒸着される後続膜はポリシリコン層、金属層などの
導電膜でありうる。
【００１７】前記クラスター装置において、前記プラズ
マ前処理モジュールは、リモートマイクロウェーブによ
りリモートプラズマを生じるように設計され、前記プラ
ズマ前処理モジュールには、その内部に熱を供給できる
熱源、望ましくはＵＶランプが、前記工程が行われる半
導体基板の上側に設けられる。一方、前記プラズマ前処
理モジュールはドーム状の上側壁を具備し、前記ＵＶラ
ンプが前記ドーム状の上側壁の外側に備わり、前記プラ
ズマ前処理モジュールには前記半導体基板を安着できる
サセプタがさらに備わり、前記サセプタは昇降可能であ
るものである。
マ前処理モジュールは、リモートマイクロウェーブによ
りリモートプラズマを生じるように設計され、前記プラ
ズマ前処理モジュールには、その内部に熱を供給できる
熱源、望ましくはＵＶランプが、前記工程が行われる半
導体基板の上側に設けられる。一方、前記プラズマ前処
理モジュールはドーム状の上側壁を具備し、前記ＵＶラ
ンプが前記ドーム状の上側壁の外側に備わり、前記プラ
ズマ前処理モジュールには前記半導体基板を安着できる
サセプタがさらに備わり、前記サセプタは昇降可能であ
るものである。
【００１８】前記フォトレジストパターンをアッシング
して除去する段階は、リモートプラズマ状態の窒素ガス
および酸素ガスを供給して行い、前記損傷層を除去する
段階は、リモートプラズマ状態の窒素ガスおよび酸素ガ
スおよび、リモートプラズマ状態または自然ガス状態の
フッ素系ガスを供給して行うことができる。
して除去する段階は、リモートプラズマ状態の窒素ガス
および酸素ガスを供給して行い、前記損傷層を除去する
段階は、リモートプラズマ状態の窒素ガスおよび酸素ガ
スおよび、リモートプラズマ状態または自然ガス状態の
フッ素系ガスを供給して行うことができる。
【００１９】一方、前記前処理洗浄する段階は、プラズ
マ状態の水素ガスおよびフッ素系ガスを供給して前記コ
ンタクトホール下部の露出されたシリコン含有物質の表
面に形成された酸化膜と化学的に反応されて反応層を形
成する段階および、前記反応層を気化させて除去できる
ようにアニーリング段階を含むことができる。
マ状態の水素ガスおよびフッ素系ガスを供給して前記コ
ンタクトホール下部の露出されたシリコン含有物質の表
面に形成された酸化膜と化学的に反応されて反応層を形
成する段階および、前記反応層を気化させて除去できる
ようにアニーリング段階を含むことができる。
【００２０】本発明によれば、蒸着モジュールおよびク
ラスター化されたプラズマ前処理モジュールでアッシン
グ工程、残査処理工程および前処理洗浄工程を連続して
行うために工程時間が短縮でき、従来の設備間の半導体
基板の移動によってコンタクトホール内に汚染物がたま
ることを顕著に抑制できる。
ラスター化されたプラズマ前処理モジュールでアッシン
グ工程、残査処理工程および前処理洗浄工程を連続して
行うために工程時間が短縮でき、従来の設備間の半導体
基板の移動によってコンタクトホール内に汚染物がたま
ることを顕著に抑制できる。
【００２１】また、プラズマ前処理モジュールとクラス
ター化された蒸着モジュールとの間に不活性雰囲気下の
真空状態が維持されるために前処理洗浄後にコンタクト
ホール下部の表面に自然酸化膜の発生が抑制でき、した
がって、コンタクトホール下部の露出面とのコンタクト
特性が向上した後続膜を蒸着させうる。
ター化された蒸着モジュールとの間に不活性雰囲気下の
真空状態が維持されるために前処理洗浄後にコンタクト
ホール下部の表面に自然酸化膜の発生が抑制でき、した
がって、コンタクトホール下部の露出面とのコンタクト
特性が向上した後続膜を蒸着させうる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。後述される
実施形態は多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後述
する実施形態に限定されることではない。本発明の実施
形態は当業者に本発明をより完全に説明するために提供
されるものである。本発明の実施形態を説明する図面に
おいて、ある層や領域の厚さは明細書の明確性のために
誇張されたものである。また、ある層が他の層または基
板の”上部”にあると記載された場合、前記ある層が前
記他の層または基板の上部に直接存在する場合もあり、
その間に第３の層が介在される場合もある。同じ参照番
号は全体的に同じ構成要素を示す。
発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。後述される
実施形態は多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後述
する実施形態に限定されることではない。本発明の実施
形態は当業者に本発明をより完全に説明するために提供
されるものである。本発明の実施形態を説明する図面に
おいて、ある層や領域の厚さは明細書の明確性のために
誇張されたものである。また、ある層が他の層または基
板の”上部”にあると記載された場合、前記ある層が前
記他の層または基板の上部に直接存在する場合もあり、
その間に第３の層が介在される場合もある。同じ参照番
号は全体的に同じ構成要素を示す。
【００２３】図２は、本発明の一実施形態に係る半導体
素子の製造方法を概略的に示すフローチャートであっ
て、特に乾式蝕刻装置でコンタクトホールを形成した
後、コンタクトホール内に後続膜を蒸着するまでの工程
段階を示す概略的なフローチャートである。各工程段階
については後述するが、簡略に説明すれば、乾式蝕刻装
置でコンタクトホールの形成工程を行った後（Ｓ４
０）、前処理モジュールでアッシング工程（Ｓ４２）、
残査処理工程（Ｓ４４）および前処理洗浄工程（Ｓ４
６）を連続して行った後、蒸着モジュールで後続膜蒸着
工程（Ｓ４８）を順番に行う。
素子の製造方法を概略的に示すフローチャートであっ
て、特に乾式蝕刻装置でコンタクトホールを形成した
後、コンタクトホール内に後続膜を蒸着するまでの工程
段階を示す概略的なフローチャートである。各工程段階
については後述するが、簡略に説明すれば、乾式蝕刻装
置でコンタクトホールの形成工程を行った後（Ｓ４
０）、前処理モジュールでアッシング工程（Ｓ４２）、
残査処理工程（Ｓ４４）および前処理洗浄工程（Ｓ４
６）を連続して行った後、蒸着モジュールで後続膜蒸着
工程（Ｓ４８）を順番に行う。
【００２４】本発明の製造方法を説明する前に、まず本
発明の製造方法が適用される装置について説明する。図
３は、本発明の一実施形態によって各工程モジュールが
クラスター化された装置を示す図であって、一定の真空
が維持される移転モジュール１００が中央に配置され、
これを取り囲んでローディング／アンローディングモジ
ュール１１０、１２０、冷却モジュール１３０、前処理
モジュール１４０、１５０、１６０および蒸着モジュー
ル１７０、１８０が放射状に配置されている。
発明の製造方法が適用される装置について説明する。図
３は、本発明の一実施形態によって各工程モジュールが
クラスター化された装置を示す図であって、一定の真空
が維持される移転モジュール１００が中央に配置され、
これを取り囲んでローディング／アンローディングモジ
ュール１１０、１２０、冷却モジュール１３０、前処理
モジュール１４０、１５０、１６０および蒸着モジュー
ル１７０、１８０が放射状に配置されている。
【００２５】前記移転モジュール１００の中央にはウェ
ーハを所望の位置に移送させうる移送装置（図示せず）
が備わり、外部から前記ローディング／アンローディン
グモジュール１１０、１２０内に移送されたウェーハは
前記移送装置により前処理工程が行われる特定前処理モ
ジュール１４０、１５０、１６０に移送された後、本発
明の前処理工程を行った後、真空が維持される移転モジ
ュール１００を経て蒸着モジュール１７０、１８０に移
送されて後続膜をウェーハ上に蒸着する。また前処理工
程を行った後、ウェーハの温度が高すぎる場合、必要に
応じてウェーハを前記冷却モジュール１３０に移送させ
た後、後続膜蒸着工程を行う場合もあり、必要に応じて
後続膜蒸着工程が完了した後、外部にウェーハをアンロ
ーディングする前に適切な温度でウェーハを冷却する時
も前記冷却モジュール１３０を使用できる。たとえば、
図３では前処理モジュール３つ、蒸着モジュール２つよ
り構成されたが、これは一つの例示に過ぎなく、必要に
応じて多様に設計変更可能なのはもちろんである。
ーハを所望の位置に移送させうる移送装置（図示せず）
が備わり、外部から前記ローディング／アンローディン
グモジュール１１０、１２０内に移送されたウェーハは
前記移送装置により前処理工程が行われる特定前処理モ
ジュール１４０、１５０、１６０に移送された後、本発
明の前処理工程を行った後、真空が維持される移転モジ
ュール１００を経て蒸着モジュール１７０、１８０に移
送されて後続膜をウェーハ上に蒸着する。また前処理工
程を行った後、ウェーハの温度が高すぎる場合、必要に
応じてウェーハを前記冷却モジュール１３０に移送させ
た後、後続膜蒸着工程を行う場合もあり、必要に応じて
後続膜蒸着工程が完了した後、外部にウェーハをアンロ
ーディングする前に適切な温度でウェーハを冷却する時
も前記冷却モジュール１３０を使用できる。たとえば、
図３では前処理モジュール３つ、蒸着モジュール２つよ
り構成されたが、これは一つの例示に過ぎなく、必要に
応じて多様に設計変更可能なのはもちろんである。
【００２６】図４は、図３の前処理モジュールの一実施
形態を示す概略図であって、本発明の発明者の一部によ
り発明され、特許出願された韓国特許出願第９９−４６
３６５号に開示された半導体素子製造用リモートプラズ
マ乾式装置を示す。
形態を示す概略図であって、本発明の発明者の一部によ
り発明され、特許出願された韓国特許出願第９９−４６
３６５号に開示された半導体素子製造用リモートプラズ
マ乾式装置を示す。
【００２７】図４を参照すれば、前記前処理モジュール
は、真空雰囲気で工程を進行できるように構成されてい
る真空チャンバ１０と、反応ガスをあらかじめプラズマ
状態に形成した後、前記真空チャンバ１０に流入させる
リモート型プラズマ発生装置のマイクロウェーブガイド
４４と、予備チャンバ５０およびガス拡散器と、アニー
リング工程を同一チャンバ内で連続的に進行できるヒー
ター５４と、ウェーハの位置を真空チャンバ１０内で調
節できるサセプタ駆動部より構成されている。
は、真空雰囲気で工程を進行できるように構成されてい
る真空チャンバ１０と、反応ガスをあらかじめプラズマ
状態に形成した後、前記真空チャンバ１０に流入させる
リモート型プラズマ発生装置のマイクロウェーブガイド
４４と、予備チャンバ５０およびガス拡散器と、アニー
リング工程を同一チャンバ内で連続的に進行できるヒー
ター５４と、ウェーハの位置を真空チャンバ１０内で調
節できるサセプタ駆動部より構成されている。
【００２８】より詳細に説明すれば、図２の半導体素子
の製造過程でコンタクトホールの形成工程を行った後、
前処理モジュールでアッシング、残査処理および前処理
洗浄工程などを行うためのウェーハ１４がその上部に搭
載され、サセプタ１２は真空チャンバ１０の下端中央部
に設けられており、このサセプタ１２はモーター２２の
作動により昇降シャフト２０を通じて真空チャンバ１０
の下端部から上端部または上端部から下端部に移動する
（図４の矢印参照）。前記サセプタ１２の内部には工程
の再現性確保のためにウェーハ１４の温度を容易に制御
できるように冷却水または冷却ガスを供給する冷却ライ
ン１６ａが設けられており、この冷却ライン１６ａには
冷却水または冷却ガス供給装置１８から冷却水または冷
却ガスを供給する第１パイプ１６が連結されている。ウ
ェーハ１４の温度は前記サセプタ１２の温度により調節
されるが、サセプタ１２の温度は冷却ライン１６ａを通
じて供給される冷却水または冷却ガスの温度により調節
される。
の製造過程でコンタクトホールの形成工程を行った後、
前処理モジュールでアッシング、残査処理および前処理
洗浄工程などを行うためのウェーハ１４がその上部に搭
載され、サセプタ１２は真空チャンバ１０の下端中央部
に設けられており、このサセプタ１２はモーター２２の
作動により昇降シャフト２０を通じて真空チャンバ１０
の下端部から上端部または上端部から下端部に移動する
（図４の矢印参照）。前記サセプタ１２の内部には工程
の再現性確保のためにウェーハ１４の温度を容易に制御
できるように冷却水または冷却ガスを供給する冷却ライ
ン１６ａが設けられており、この冷却ライン１６ａには
冷却水または冷却ガス供給装置１８から冷却水または冷
却ガスを供給する第１パイプ１６が連結されている。ウ
ェーハ１４の温度は前記サセプタ１２の温度により調節
されるが、サセプタ１２の温度は冷却ライン１６ａを通
じて供給される冷却水または冷却ガスの温度により調節
される。
【００２９】一方、反応ガスはガス拡散器を通じて真空
チャンバ１０の内部に供給されるが、前記ガス拡散器
は、真空チャンバ１０の外部に設けられた第２および第
３パイプ３２および３４から反応ガスを供給される予備
チャンバ５０および、前記予備チャンバ５０の端部と連
結され、真空チャンバ１０の内部全体にわたって均一に
ガスを供給するための多孔板５２より構成されている。
第２パイプ３２はプラズマに励起された状態でガスを供
給するためのものであって、その一端部には水素ガス供
給ソース（”Ｈ2”と表示）およびフッ素系ガス供給ソ
ース（”ＮＦ3”と表示）が連結されており、前記水素
ガス供給ソースおよびフッ素系ガス供給ソースの各々に
はスイッチング弁３６、３８およびガス量を調節するた
めのマスフローコントロール（ＭＦＣ）４０、４２が設
けられている。スイッチング弁３６、３８と第２パイプ
３２の他端部との間には水素ガス供給ソースおよび／ま
たはフッ素系ガス供給ソースからスイッチング弁３６、
３８およびマスフローコントロール４０、４２を通過し
たガスをプラズマ状態に励起させるプラズマ発生装置と
してのマイクロウェーブガイド４４が設けられている。
第３パイプ３４は自然状態のフッ素系ガスを供給するた
めのものであって、その一端部にはフッ素系ガス供給ソ
ース（”ＮＦ3”と表示）が連結されており、その他端
部と前記ソースとの間にはスイッチング弁４６およびマ
スフローコントロール４８が連結されている。
チャンバ１０の内部に供給されるが、前記ガス拡散器
は、真空チャンバ１０の外部に設けられた第２および第
３パイプ３２および３４から反応ガスを供給される予備
チャンバ５０および、前記予備チャンバ５０の端部と連
結され、真空チャンバ１０の内部全体にわたって均一に
ガスを供給するための多孔板５２より構成されている。
第２パイプ３２はプラズマに励起された状態でガスを供
給するためのものであって、その一端部には水素ガス供
給ソース（”Ｈ2”と表示）およびフッ素系ガス供給ソ
ース（”ＮＦ3”と表示）が連結されており、前記水素
ガス供給ソースおよびフッ素系ガス供給ソースの各々に
はスイッチング弁３６、３８およびガス量を調節するた
めのマスフローコントロール（ＭＦＣ）４０、４２が設
けられている。スイッチング弁３６、３８と第２パイプ
３２の他端部との間には水素ガス供給ソースおよび／ま
たはフッ素系ガス供給ソースからスイッチング弁３６、
３８およびマスフローコントロール４０、４２を通過し
たガスをプラズマ状態に励起させるプラズマ発生装置と
してのマイクロウェーブガイド４４が設けられている。
第３パイプ３４は自然状態のフッ素系ガスを供給するた
めのものであって、その一端部にはフッ素系ガス供給ソ
ース（”ＮＦ3”と表示）が連結されており、その他端
部と前記ソースとの間にはスイッチング弁４６およびマ
スフローコントロール４８が連結されている。
【００３０】この時、水素ガス供給ソースＨ2およびフ
ッ素系ガス供給ソースＮＦ3は、ただ水素ガスまたはフ
ッ素系ガスだけを供給するソースとして限定されるより
は、適用する工程によって使用ガスのソースの種類が変
わる場合もあり、必要に応じて酸素Ｏ2ガス、窒素Ｎ2ガ
スだけでなくアルゴンＡｒガスも追加で供給できる。
ッ素系ガス供給ソースＮＦ3は、ただ水素ガスまたはフ
ッ素系ガスだけを供給するソースとして限定されるより
は、適用する工程によって使用ガスのソースの種類が変
わる場合もあり、必要に応じて酸素Ｏ2ガス、窒素Ｎ2ガ
スだけでなくアルゴンＡｒガスも追加で供給できる。
【００３１】排気口２４は真空チャンバ１０の下端部に
設けられ、真空チャンバ１０を真空状態に維持するため
に真空チャンバ１０内部のガスなどの空気を排気する通
路である。前記排気口２４には第４パイプ２６が連結さ
れており、第４パイプ２６にはスイッチング弁２８およ
び真空ポンプ３０が設けられている。
設けられ、真空チャンバ１０を真空状態に維持するため
に真空チャンバ１０内部のガスなどの空気を排気する通
路である。前記排気口２４には第４パイプ２６が連結さ
れており、第４パイプ２６にはスイッチング弁２８およ
び真空ポンプ３０が設けられている。
【００３２】一方、真空チャンバ内の圧力は真空チャン
バ１０の下端部に設けられたスマート弁（図示せず）に
より自動で調節され、予備チャンバ５０と真空チャンバ
１０の天井との間にはシリコンウェーハ１４をアニーリ
ングするためのヒーター５４が設けられている。前記ヒ
ーター５４はＵＶランプまたはレーザーより構成でき
る。
バ１０の下端部に設けられたスマート弁（図示せず）に
より自動で調節され、予備チャンバ５０と真空チャンバ
１０の天井との間にはシリコンウェーハ１４をアニーリ
ングするためのヒーター５４が設けられている。前記ヒ
ーター５４はＵＶランプまたはレーザーより構成でき
る。
【００３３】図５は、図３の前処理モジュールの、他の
実施形態を示す概略図である。図５を参照すれば、前記
前処理モジュールは、真空雰囲気で工程を進行できるよ
うに構成されている真空チャンバ６０と、反応ガスをあ
らかじめプラズマ状態に形成した後、前記真空チャンバ
６０に流入させるリモート型プラズマ発生装置であるマ
イクロウェーブガイド９０と、予備チャンバ８０、ガス
拡散器と、アニーリング工程を同一チャンバ内で連続的
に進行するＵＶランプ７８と、ウェーハを安着させるサ
セプタ６２とより構成されている。
実施形態を示す概略図である。図５を参照すれば、前記
前処理モジュールは、真空雰囲気で工程を進行できるよ
うに構成されている真空チャンバ６０と、反応ガスをあ
らかじめプラズマ状態に形成した後、前記真空チャンバ
６０に流入させるリモート型プラズマ発生装置であるマ
イクロウェーブガイド９０と、予備チャンバ８０、ガス
拡散器と、アニーリング工程を同一チャンバ内で連続的
に進行するＵＶランプ７８と、ウェーハを安着させるサ
セプタ６２とより構成されている。
【００３４】前記真空チャンバ６０の内壁にはフッ素の
イオンによる侵食を防止するために陽極酸化膜がコーテ
ィングされている。側壁にはヒーター９６が備わり、前
記真空チャンバ６０の上側壁はドーム状に構成されてい
る。前記ＵＶランプ７８は前記真空チャンバの上側外壁
に設けられたランプ固定部７６に備わり、前記ＵＶラン
プ７８の下端部にはサファイアよりなる透明窓７４が備
わっている。
イオンによる侵食を防止するために陽極酸化膜がコーテ
ィングされている。側壁にはヒーター９６が備わり、前
記真空チャンバ６０の上側壁はドーム状に構成されてい
る。前記ＵＶランプ７８は前記真空チャンバの上側外壁
に設けられたランプ固定部７６に備わり、前記ＵＶラン
プ７８の下端部にはサファイアよりなる透明窓７４が備
わっている。
【００３５】また、ウェーハ６４がその上部に搭載され
るサセプタ６２は、真空チャンバ６０の下端中央部に設
けられている。このサセプタ６２にはウェーハ６４の安
着のためにウェーハ６４を昇降可能なリフトピン７２が
備わり、これは上下駆動するピンホルダ７０に装着され
ている。前記サセプタ６２の内部には工程の再現性確保
のためにウェーハ６４の温度を容易に制御するように冷
却水または冷却ガスを供給する冷却ラインが設けられて
おり、この冷却ラインには冷却水または冷却ガス供給装
置６８から冷却水または冷却ガスを供給する第１パイプ
６６が連結されている。ウェーハ６４の温度は前記サセ
プタ６２の温度により調節されるが、サセプタ６２の温
度は冷却ラインを通じて供給される冷却水または冷却ガ
スの温度により調節される。
るサセプタ６２は、真空チャンバ６０の下端中央部に設
けられている。このサセプタ６２にはウェーハ６４の安
着のためにウェーハ６４を昇降可能なリフトピン７２が
備わり、これは上下駆動するピンホルダ７０に装着され
ている。前記サセプタ６２の内部には工程の再現性確保
のためにウェーハ６４の温度を容易に制御するように冷
却水または冷却ガスを供給する冷却ラインが設けられて
おり、この冷却ラインには冷却水または冷却ガス供給装
置６８から冷却水または冷却ガスを供給する第１パイプ
６６が連結されている。ウェーハ６４の温度は前記サセ
プタ６２の温度により調節されるが、サセプタ６２の温
度は冷却ラインを通じて供給される冷却水または冷却ガ
スの温度により調節される。
【００３６】一方、反応ガスはガス拡散器を通じて真空
チャンバ６０の内部に供給されるが、前記ガス拡散器は
真空チャンバ６０の外部に設けられた第２パイプ９８か
ら反応ガスを供給される予備チャンバ８０と、前記予備
チャンバ８０の端部と連結され、真空チャンバ６０の内
部全体にわたって均一にガスを供給するための多孔板８
２とより構成されている。第２パイプ９８には自然ガス
状態のフッ素系ガスを供給できるパイプが連結されてお
り、このパイプにはスイッチング弁９２ａおよびＭＦＣ
９４ａが設けられてフッ素系ガスの供給量を制御でき
る。一方、第２パイプ９８にはプラズマに励起された状
態でガスを供給するためにリモートプラズマを生じるマ
イクロウェーブガイド９０が中間に設けられ、窒素ガ
ス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガスおよびＮＦ３ガ
スが各々マスフローコントロール９２ｂ、９２ｃ、９２
ｄ、９２ｆおよびスイッチング弁９４ｂ、９４ｃ、９４
ｄ、９４ｅ、９４ｆによりその供給量が制御されつつ供
給される。
チャンバ６０の内部に供給されるが、前記ガス拡散器は
真空チャンバ６０の外部に設けられた第２パイプ９８か
ら反応ガスを供給される予備チャンバ８０と、前記予備
チャンバ８０の端部と連結され、真空チャンバ６０の内
部全体にわたって均一にガスを供給するための多孔板８
２とより構成されている。第２パイプ９８には自然ガス
状態のフッ素系ガスを供給できるパイプが連結されてお
り、このパイプにはスイッチング弁９２ａおよびＭＦＣ
９４ａが設けられてフッ素系ガスの供給量を制御でき
る。一方、第２パイプ９８にはプラズマに励起された状
態でガスを供給するためにリモートプラズマを生じるマ
イクロウェーブガイド９０が中間に設けられ、窒素ガ
ス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガスおよびＮＦ３ガ
スが各々マスフローコントロール９２ｂ、９２ｃ、９２
ｄ、９２ｆおよびスイッチング弁９４ｂ、９４ｃ、９４
ｄ、９４ｅ、９４ｆによりその供給量が制御されつつ供
給される。
【００３７】排気口は真空チャンバ６０の下端部に設け
られている。真空チャンバ６０を真空状態に維持するた
めに真空チャンバ６０内のガスなどの空気を排気する通
路として、前記排気口には第３パイプ８４が連結されて
おり、第３パイプ８４にはスイッチング弁８６および真
空ポンプ８８が設けられている。
られている。真空チャンバ６０を真空状態に維持するた
めに真空チャンバ６０内のガスなどの空気を排気する通
路として、前記排気口には第３パイプ８４が連結されて
おり、第３パイプ８４にはスイッチング弁８６および真
空ポンプ８８が設けられている。
【００３８】以下、図４または図５に示した前処理モジ
ュールおよび一般の蒸着モジュールを具備した装置にお
ける本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法に
ついて説明する。
ュールおよび一般の蒸着モジュールを具備した装置にお
ける本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法に
ついて説明する。
【００３９】図２は、本発明の一実施形態に係る半導体
素子の製造方法を概略的に示す工程順序図であり、図６
ないし図１０は、本発明の一実施形態に係る半導体素子
の製造過程中にＳＡＣ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃ
ｏｎｔａｃｔ）の形成過程を示す工程断面図である。特
に図９および図１０の段階が本発明が直接的に適用され
る段階である。
素子の製造方法を概略的に示す工程順序図であり、図６
ないし図１０は、本発明の一実施形態に係る半導体素子
の製造過程中にＳＡＣ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃ
ｏｎｔａｃｔ）の形成過程を示す工程断面図である。特
に図９および図１０の段階が本発明が直接的に適用され
る段階である。
【００４０】まず図６は、シリコン基板２００上にゲー
ト電極パターンを形成する段階を示す図であって、シリ
コン基板２００上に酸化膜よりなるゲート絶縁層２０
２、ポリシリコン層２０４、シリサイド層２０６および
シリコンナイトライドよりなるマスク層２０８を順番に
積層した後、通常の写真蝕刻工程によりこれらよりなる
ゲート電極パターンを形成する。次いで、シリコン基板
２００の全面にシリコンナイトライド層を形成した後、
全面蝕刻を施してゲート電極パターンの側壁にスペーサ
２１０を形成する。
ト電極パターンを形成する段階を示す図であって、シリ
コン基板２００上に酸化膜よりなるゲート絶縁層２０
２、ポリシリコン層２０４、シリサイド層２０６および
シリコンナイトライドよりなるマスク層２０８を順番に
積層した後、通常の写真蝕刻工程によりこれらよりなる
ゲート電極パターンを形成する。次いで、シリコン基板
２００の全面にシリコンナイトライド層を形成した後、
全面蝕刻を施してゲート電極パターンの側壁にスペーサ
２１０を形成する。
【００４１】次いで、図７を参照すれば、スペーサ２１
０が形成されたシリコン基板２００の全面に後続するＳ
ＡＣ形成工程時に蝕刻阻止膜の役割をするシリコンナイ
トライドよりなる蝕刻阻止層２１２を化学気相蒸着法に
より蒸着する。前記蝕刻阻止層２１２は、後続するＳＡ
Ｃ形成工程時にゲート電極パターンの間に露出されるシ
リコン基板２００の表面に損傷が生じることを防止す
る。
０が形成されたシリコン基板２００の全面に後続するＳ
ＡＣ形成工程時に蝕刻阻止膜の役割をするシリコンナイ
トライドよりなる蝕刻阻止層２１２を化学気相蒸着法に
より蒸着する。前記蝕刻阻止層２１２は、後続するＳＡ
Ｃ形成工程時にゲート電極パターンの間に露出されるシ
リコン基板２００の表面に損傷が生じることを防止す
る。
【００４２】次いで図８を参照すれば、前記蝕刻阻止層
２１２および蝕刻選択性を有する酸化ケイ素よりなる層
間絶縁層２１４を厚く蒸着させる。以後、図２に表示さ
れた乾式蝕刻装置におけるコンタクトホールを形成する
（Ｓ４０）。前記コンタクトホールを形成する工程はＳ
ＡＣ工程により行われる。すなわち、一般の写真蝕刻工
程によっては、解像度の限界のために、ゲート電極パタ
ーンの間の空間が微細化されるほどゲート電極パターン
の間の空間幅に該当する大きさのコンタクトホールパタ
ーンを有するフォトレジストパターンを形成することが
非常に難しくなり、コンタクトホールの形成が不可能に
なるが、ゲート電極パターンの間の空間幅より広いコン
タクトホールパターンを形成した後、これを蝕刻マスク
として層間絶縁膜２１４を異方性蝕刻する場合では、コ
ンタクトホールが前記ゲート電極パターンのマスク層２
０８、スペーサ２１０により自己整列されることから、
コンタクトホールはゲート電極パターンの間に望ましく
形成される。前記層間絶縁層２１４が蝕刻されればゲー
ト電極パターンの間には蝕刻阻止層２１２が露出され
る。
２１２および蝕刻選択性を有する酸化ケイ素よりなる層
間絶縁層２１４を厚く蒸着させる。以後、図２に表示さ
れた乾式蝕刻装置におけるコンタクトホールを形成する
（Ｓ４０）。前記コンタクトホールを形成する工程はＳ
ＡＣ工程により行われる。すなわち、一般の写真蝕刻工
程によっては、解像度の限界のために、ゲート電極パタ
ーンの間の空間が微細化されるほどゲート電極パターン
の間の空間幅に該当する大きさのコンタクトホールパタ
ーンを有するフォトレジストパターンを形成することが
非常に難しくなり、コンタクトホールの形成が不可能に
なるが、ゲート電極パターンの間の空間幅より広いコン
タクトホールパターンを形成した後、これを蝕刻マスク
として層間絶縁膜２１４を異方性蝕刻する場合では、コ
ンタクトホールが前記ゲート電極パターンのマスク層２
０８、スペーサ２１０により自己整列されることから、
コンタクトホールはゲート電極パターンの間に望ましく
形成される。前記層間絶縁層２１４が蝕刻されればゲー
ト電極パターンの間には蝕刻阻止層２１２が露出され
る。
【００４３】次いで、図９を参照すれば、前記層間絶縁
層２１４に対する蝕刻条件と異なる蝕刻条件下で前記蝕
刻阻止層２１２を蝕刻してゲート電極パターンの間のシ
リコン基板２００を露出させてコンタクトホールを形成
する。この時、前記ゲート電極パターンの間の露出され
たシリコン基板２００の表面には各種汚染物だけでなく
損傷層２１８が形成される。
層２１４に対する蝕刻条件と異なる蝕刻条件下で前記蝕
刻阻止層２１２を蝕刻してゲート電極パターンの間のシ
リコン基板２００を露出させてコンタクトホールを形成
する。この時、前記ゲート電極パターンの間の露出され
たシリコン基板２００の表面には各種汚染物だけでなく
損傷層２１８が形成される。
【００４４】次いで、前記コンタクトホールが形成され
たシリコン基板２００を図４または図５に示した前処理
モジュールに移送させた後、アッシング工程（Ｓ４
２）、残査処理工程（Ｓ４４）、および前処理洗浄工程
（Ｓ４６）を連続的に進行する。前処理モジュールにお
ける各工程条件を具体的に説明すれば次の通りである。
たシリコン基板２００を図４または図５に示した前処理
モジュールに移送させた後、アッシング工程（Ｓ４
２）、残査処理工程（Ｓ４４）、および前処理洗浄工程
（Ｓ４６）を連続的に進行する。前処理モジュールにお
ける各工程条件を具体的に説明すれば次の通りである。
【００４５】まず、前処理モジュールにおける本実施形
態が適用されるフォトレジストパターン２１６を除去す
る、いわゆるアッシング工程は、リモートプラズマ状態
の窒素ガスおよび酸素ガスを供給して行う。この時、前
記ＵＶランプ電力は２００〜５００ｎｍの波長で３００
〜１０００Ｗ、前記マイクロウェーブ電力は５００〜２
０００Ｗ、前処理モジュール内の圧力は０．１〜１０ｔ
ｏｒｒ、シリコン基板２００の温度は２５〜３００℃の
条件で維持され、窒素ガス１０〜２０００ｓｃｃｍおよ
び酸素ガス１０〜２０００ｓｃｃｍを供給しつつアッシ
ング工程を行う。従来のアッシング工程に比べてフォト
レジスト（ＰＲ）パターンの除去がＵＶランプの活性化
によりさらに効果的に行われ、残留フォトレジストを最
小化できて別のストリップ工程を要しない。
態が適用されるフォトレジストパターン２１６を除去す
る、いわゆるアッシング工程は、リモートプラズマ状態
の窒素ガスおよび酸素ガスを供給して行う。この時、前
記ＵＶランプ電力は２００〜５００ｎｍの波長で３００
〜１０００Ｗ、前記マイクロウェーブ電力は５００〜２
０００Ｗ、前処理モジュール内の圧力は０．１〜１０ｔ
ｏｒｒ、シリコン基板２００の温度は２５〜３００℃の
条件で維持され、窒素ガス１０〜２０００ｓｃｃｍおよ
び酸素ガス１０〜２０００ｓｃｃｍを供給しつつアッシ
ング工程を行う。従来のアッシング工程に比べてフォト
レジスト（ＰＲ）パターンの除去がＵＶランプの活性化
によりさらに効果的に行われ、残留フォトレジストを最
小化できて別のストリップ工程を要しない。
【００４６】次いで、前記損傷層２１８を除去する残査
処理工程は、リモートプラズマ状態の窒素ガスおよび酸
素ガスと、リモートプラズマ状態または自然ガス状態の
フッ素系ガスとを供給して行う。本実施形態に使用した
より具体的な工程条件として、前記マイクロウェーブ電
力は５００〜２０００Ｗ、前処理モジュール内の圧力は
０．１〜１０ｔｏｒｒおよびシリコン基板の温度は５〜
３００℃に維持し、反応ガスとして窒素ガスは１０〜２
０００ｓｃｃｍ、酸素ガスは１０〜２０００ｓｃｃｍお
よびＮＦ3ガスは３０〜３００ｓｃｃｍを供給して行
う。
処理工程は、リモートプラズマ状態の窒素ガスおよび酸
素ガスと、リモートプラズマ状態または自然ガス状態の
フッ素系ガスとを供給して行う。本実施形態に使用した
より具体的な工程条件として、前記マイクロウェーブ電
力は５００〜２０００Ｗ、前処理モジュール内の圧力は
０．１〜１０ｔｏｒｒおよびシリコン基板の温度は５〜
３００℃に維持し、反応ガスとして窒素ガスは１０〜２
０００ｓｃｃｍ、酸素ガスは１０〜２０００ｓｃｃｍお
よびＮＦ3ガスは３０〜３００ｓｃｃｍを供給して行
う。
【００４７】従来の残査処理工程に比べれば、リモート
プラズマを使用するために損傷層の除去過程で下部膜質
の損傷が最小化され、フッ素系ガスとしてＣＦ系列では
ないＮＦ3ガスを使用することによってシリコン基板２
００の露出表面の炭素汚染物が最小化される。
プラズマを使用するために損傷層の除去過程で下部膜質
の損傷が最小化され、フッ素系ガスとしてＣＦ系列では
ないＮＦ3ガスを使用することによってシリコン基板２
００の露出表面の炭素汚染物が最小化される。
【００４８】一方、前処理洗浄する工程は大きく２つの
段階によって行われる。すなわち、プラズマ状態の水素
ガスおよびフッ素系ガスを供給して、これらを前記コン
タクトホール下部の露出されたシリコン基板２００の表
面に形成された酸化膜と化学的に反応させて反応層を形
成する化学的反応段階および、前記反応層を気化させて
除去できるようにアニーリング段階を含む。
段階によって行われる。すなわち、プラズマ状態の水素
ガスおよびフッ素系ガスを供給して、これらを前記コン
タクトホール下部の露出されたシリコン基板２００の表
面に形成された酸化膜と化学的に反応させて反応層を形
成する化学的反応段階および、前記反応層を気化させて
除去できるようにアニーリング段階を含む。
【００４９】前記反応層を形成する段階で使われる前記
フッ素系ガスはリモートプラズマ状態または自然ガス状
態に供給でき、三フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化硫
（ＳＦ6）および三フッ化塩素（ＣｌＦ3）のようにフッ
素を含むガスのうちいずれか一つを使用できるが、本実
施形態では三フッ化窒素（ＮＦ3）を使用した。
フッ素系ガスはリモートプラズマ状態または自然ガス状
態に供給でき、三フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化硫
（ＳＦ6）および三フッ化塩素（ＣｌＦ3）のようにフッ
素を含むガスのうちいずれか一つを使用できるが、本実
施形態では三フッ化窒素（ＮＦ3）を使用した。
【００５０】前記反応層は、前記マイクロウェーブ電力
が５００〜２０００Ｗ、前記プラズマ前処理モジュール
内の圧力が１〜１０ｔｏｒｒおよび前記シリコン基板の
温度が０〜５０℃の条件下で、反応ガスとして窒素ガス
１０〜２０００ｓｃｃｍ、水素ガス５〜２００ｓｃｃｍ
およびＮＦ3ガス１０〜３００ｓｃｃｍを供給して形成
する。
が５００〜２０００Ｗ、前記プラズマ前処理モジュール
内の圧力が１〜１０ｔｏｒｒおよび前記シリコン基板の
温度が０〜５０℃の条件下で、反応ガスとして窒素ガス
１０〜２０００ｓｃｃｍ、水素ガス５〜２００ｓｃｃｍ
およびＮＦ3ガス１０〜３００ｓｃｃｍを供給して形成
する。
【００５１】前記前処理洗浄工程をより具体的に調べれ
ば、その表面に自然酸化膜などが形成されているシリコ
ン基板２００の表面にプラズマ状態の水素ガスおよびフ
ッ素系ガスを供給して前記酸化膜と供給された反応ガス
とを化学的に反応させて自然酸化膜を（ＮＨ4）2ＳｉＦ
6のような反応層に変化させた後、アニーリングを実施
して前記化学的反応により生成された反応層を気化させ
て除去することである。
ば、その表面に自然酸化膜などが形成されているシリコ
ン基板２００の表面にプラズマ状態の水素ガスおよびフ
ッ素系ガスを供給して前記酸化膜と供給された反応ガス
とを化学的に反応させて自然酸化膜を（ＮＨ4）2ＳｉＦ
6のような反応層に変化させた後、アニーリングを実施
して前記化学的反応により生成された反応層を気化させ
て除去することである。
【００５２】この時水素ガスはプラズマ状態に供給さ
れ、フッ素系ガスの場合には自然状態またはプラズマ状
態で全て使用が可能である。すなわち、水素ガスおよび
フッ素系ガスを所定の割合で混合した混合ガスをプラズ
マ状態にした後、シリコンウェーハに供給する方法や、
水素ガスはプラズマ状態に供給しつつフッ素系ガスは自
然状態でシリコンウェーハに供給する方法のいずれも可
能である。
れ、フッ素系ガスの場合には自然状態またはプラズマ状
態で全て使用が可能である。すなわち、水素ガスおよび
フッ素系ガスを所定の割合で混合した混合ガスをプラズ
マ状態にした後、シリコンウェーハに供給する方法や、
水素ガスはプラズマ状態に供給しつつフッ素系ガスは自
然状態でシリコンウェーハに供給する方法のいずれも可
能である。
【００５３】シリコン基板２００にプラズマ状態の水素
ガスおよびフッ素系ガス（たとえば、水素プラズマガス
に対するＮＦ3ガスの混合比を０．１〜１００に設定）
を供給すれば、前記供給ガスは酸化膜、すなわち、Ｓｉ
Ｏ2と化学的な反応をして前記供給ガスと酸化膜とが合
う所に供給ガスおよび酸化膜が結合した形の（ＮＨ4）2
ＳｉＦ6のような副産物、すなわち、反応層を形成す
る。このような反応層がある程度形成されれば、前記反
応層が化学的反応に対する障壁層の役割をして供給ガス
と酸化膜との間の化学的反応は止まる。供給ガスと酸化
膜との間の化学的反応が止まった状態でアニーリングを
行えば反応層は気化されて外部に排出され、前記反応層
が存在した所の酸化膜は除去された状態となる。前記自
然酸化膜や表面酸化物の汚染物が除去された後、露出面
には水素原子が結合されたパッシベーション層が形成さ
れて半導体基板の表面が再酸化されることをある程度防
止する。
ガスおよびフッ素系ガス（たとえば、水素プラズマガス
に対するＮＦ3ガスの混合比を０．１〜１００に設定）
を供給すれば、前記供給ガスは酸化膜、すなわち、Ｓｉ
Ｏ2と化学的な反応をして前記供給ガスと酸化膜とが合
う所に供給ガスおよび酸化膜が結合した形の（ＮＨ4）2
ＳｉＦ6のような副産物、すなわち、反応層を形成す
る。このような反応層がある程度形成されれば、前記反
応層が化学的反応に対する障壁層の役割をして供給ガス
と酸化膜との間の化学的反応は止まる。供給ガスと酸化
膜との間の化学的反応が止まった状態でアニーリングを
行えば反応層は気化されて外部に排出され、前記反応層
が存在した所の酸化膜は除去された状態となる。前記自
然酸化膜や表面酸化物の汚染物が除去された後、露出面
には水素原子が結合されたパッシベーション層が形成さ
れて半導体基板の表面が再酸化されることをある程度防
止する。
【００５４】前記ガスが供給されて反応層を形成する段
階およびアニーリング段階は、除去されなければならな
い酸化膜が自然酸化膜のように薄い場合には一般に１回
の工程だけで除去できるが、除去される酸化膜の厚さに
よって１回以上前記段階を反復的に行う場合もある。
階およびアニーリング段階は、除去されなければならな
い酸化膜が自然酸化膜のように薄い場合には一般に１回
の工程だけで除去できるが、除去される酸化膜の厚さに
よって１回以上前記段階を反復的に行う場合もある。
【００５５】一方、前記前処理洗浄段階では供給ガスと
酸化膜との化学的反応段階およびアニーリング段階を前
記前処理モジュール内で連続的に進行する。一方、図４
の前処理モジュールを使用する場合に、前記化学的反応
段階は真空チャンバ１０の下端部、前記アニーリング段
階はＵＶランプ５４が設けられた真空チャンバ１０の上
端部で進行できる。
酸化膜との化学的反応段階およびアニーリング段階を前
記前処理モジュール内で連続的に進行する。一方、図４
の前処理モジュールを使用する場合に、前記化学的反応
段階は真空チャンバ１０の下端部、前記アニーリング段
階はＵＶランプ５４が設けられた真空チャンバ１０の上
端部で進行できる。
【００５６】一方、前記アニーリング工程は望ましくは
１００〜５００℃の温度で２０〜６００秒間行われ、こ
の工程中に自然酸化膜と反応ガスとの化学反応により形
成された反応層は気化される。
１００〜５００℃の温度で２０〜６００秒間行われ、こ
の工程中に自然酸化膜と反応ガスとの化学反応により形
成された反応層は気化される。
【００５７】次いで図１０を参照すれば、前処理洗浄工
程が完了したシリコン基板２００を図３の前処理モジュ
ール１４０、１５０、１６０から真空が維持される移転
モジュール１００を経て蒸着モジュール１７０、１８０
に移送させた後、後続膜２２０の蒸着工程を行う。前記
後続膜２２０は導電性の金属膜を多様に選択して使用可
能であるのはもちろんである。
程が完了したシリコン基板２００を図３の前処理モジュ
ール１４０、１５０、１６０から真空が維持される移転
モジュール１００を経て蒸着モジュール１７０、１８０
に移送させた後、後続膜２２０の蒸着工程を行う。前記
後続膜２２０は導電性の金属膜を多様に選択して使用可
能であるのはもちろんである。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子のコンタク
ト形成過程でリモートプラズマを用いる前処理モジュー
ルでアッシング工程、残査処理工程および前処理洗浄工
程を連続して実施するために工程時間が非常に短くなる
だけでなく工程コストも非常に減少する。
ト形成過程でリモートプラズマを用いる前処理モジュー
ルでアッシング工程、残査処理工程および前処理洗浄工
程を連続して実施するために工程時間が非常に短くなる
だけでなく工程コストも非常に減少する。
【００５９】また、マイクロウェーブによる酸素プラズ
マおよびＵＶランプを使用してアッシング工程を行うた
めにフォトレジストの除去が容易で別のストリップ工程
がいらなくなるという長所がある。
マおよびＵＶランプを使用してアッシング工程を行うた
めにフォトレジストの除去が容易で別のストリップ工程
がいらなくなるという長所がある。
【００６０】また、炭素を含有しないフッ素系ガスおよ
び酸素ガスを用いて残査処理工程を進行することによっ
てウェーハ表面の損傷および炭素汚染を最小化してディ
バイスの特性が向上した。
び酸素ガスを用いて残査処理工程を進行することによっ
てウェーハ表面の損傷および炭素汚染を最小化してディ
バイスの特性が向上した。
【００６１】また、従来の湿式洗浄の代わりにリモート
プラズマ乾式洗浄を行うことによって湿式洗浄時に生じ
うるパターンのプロファイルの劣化や水斑点などの問題
が生じなかった。
プラズマ乾式洗浄を行うことによって湿式洗浄時に生じ
うるパターンのプロファイルの劣化や水斑点などの問題
が生じなかった。
【００６２】また、前処理モジュールおよび蒸着モジュ
ールがクラスター化された装置でアッシング、残査処理
および前処理洗浄などの前処理工程および後続膜蒸着工
程を行うことによって、設備の半導体基板の移動中に生
じうる各種の汚染物および自然酸化膜の再成長などの問
題点が解決された。
ールがクラスター化された装置でアッシング、残査処理
および前処理洗浄などの前処理工程および後続膜蒸着工
程を行うことによって、設備の半導体基板の移動中に生
じうる各種の汚染物および自然酸化膜の再成長などの問
題点が解決された。
【００６３】以上詳細に説明した実施形態では、たとえ
ばゲート電極パターンの間のＳＡＣ形成と関連して説明
したが、本発明の適用はこれに限定されず、半導体素子
の全体製造過程の多様な段階、たとえばメタルコンタク
ト、ビットラインコンタクトに適用できる。また、シリ
コン基板を露出させるコンタクトホール形成段階だけで
なく、ポリシリコン層またはシリサイド層などシリコン
を含有した物質を露出させるコンタクトホール形成段階
にも全て適用できることはもちろんである。
ばゲート電極パターンの間のＳＡＣ形成と関連して説明
したが、本発明の適用はこれに限定されず、半導体素子
の全体製造過程の多様な段階、たとえばメタルコンタク
ト、ビットラインコンタクトに適用できる。また、シリ
コン基板を露出させるコンタクトホール形成段階だけで
なく、ポリシリコン層またはシリサイド層などシリコン
を含有した物質を露出させるコンタクトホール形成段階
にも全て適用できることはもちろんである。
【図１】従来の技術に係る半導体素子のコンタクト形成
過程を示す概略的なフローチャートである。
過程を示す概略的なフローチャートである。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体素子のコンタ
クト形成過程を示す概略的なフローチャートである。
クト形成過程を示す概略的なフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方
法に使われるプラズマ前処理モジュールを具備した装置
の概略的な平面配置図である。
法に使われるプラズマ前処理モジュールを具備した装置
の概略的な平面配置図である。
【図４】図３のプラズマ前処理モジュールの一例を示す
概略図である。
概略図である。
【図５】図３のプラズマ前処理モジュールの、他の例を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図６】図２のフローチャートによる半導体素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図７】図２のフローチャートによる半導体素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図８】図２のフローチャートによる半導体素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図９】図２のフローチャートによる半導体素子の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図１０】図２のフローチャートによる半導体素子の製
造方法を示す工程断面図である。
造方法を示す工程断面図である。
１０、６０…真空チャンバ、 １２、６２…サセプタ、 １４、６４…ウェーハ、 １６、６６…第１パイプ、 １６ａ…冷却ライン、 １８、６８…冷却水または冷却ガス供給装置、 ２０…昇降シャフト、 ２２…モーター、 ２４…排気口、 ２６…第４パイプ、 ２８…スイッチング弁、 ３０、８８…真空ポンプ、 ３２、９８…第２パイプ、 ３４、８４…第３パイプ ３６、３８、８６…スイッチング弁、 ４０、４２、９４ａ…マスフローコントロール（ＭＦ
Ｃ）、 ４４、９０…マイクロウェーブガイド、 ４６、９２ａ…スイッチング弁、 ４８…マスフローコントロール、 ５０、８０…予備チャンバ、 ５２、８２…多孔板、 ５４、７８…ＵＶランプ、 ５４、９６…ヒーター、 ７０…ピンホルダ、 ７２…リフトピン、 ７４…透明窓、 ７６…ランプ固定部、 １００…移転モジュール、 １１０、１２０…ローディング／アンローディングモジ
ュール、 １３０…冷却モジュール、 １４０、１５０、１６０…前処理モジュール、 １７０、１８０…蒸着モジュール、 ２００…シリコン基板、 ２０２…ゲート絶縁層、 ２０４…ポリシリコン層、 ２０６…シリサイド層、 ２０８…マスク層、 ２１０…スペーサ、 ２１２…蝕刻阻止層、 ２１４…層間絶縁層、 ２１６…フォトレジストパターン、 ２１８…損傷層、 ２２０…後続膜。
Ｃ）、 ４４、９０…マイクロウェーブガイド、 ４６、９２ａ…スイッチング弁、 ４８…マスフローコントロール、 ５０、８０…予備チャンバ、 ５２、８２…多孔板、 ５４、７８…ＵＶランプ、 ５４、９６…ヒーター、 ７０…ピンホルダ、 ７２…リフトピン、 ７４…透明窓、 ７６…ランプ固定部、 １００…移転モジュール、 １１０、１２０…ローディング／アンローディングモジ
ュール、 １３０…冷却モジュール、 １４０、１５０、１６０…前処理モジュール、 １７０、１８０…蒸着モジュール、 ２００…シリコン基板、 ２０２…ゲート絶縁層、 ２０４…ポリシリコン層、 ２０６…シリサイド層、 ２０８…マスク層、 ２１０…スペーサ、 ２１２…蝕刻阻止層、 ２１４…層間絶縁層、 ２１６…フォトレジストパターン、 ２１８…損傷層、 ２２０…後続膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 智 秀 大韓民国大田市儒城区魚隠洞99番地 ハン ビットアパート138棟606号 (72)発明者 秋 昌 雄 大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞969− １番地 壁積谷 三星アパート926棟703号 (72)発明者 徐 相 勳 大韓民国大田市儒城区魚隠洞99番地 ハン ビットアパート138棟606号 Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB01 CC05 DD02 DD04 DD16 DD22 DD78 DD86 EE09 EE17 FF14 HH14 5F004 AA14 AA16 BA20 BB03 BB05 BB14 BB18 BB25 BC06 BD01 BD07 DA17 DA23 DA24 DA26 DB26 EB01 5F033 HH04 HH25 MM07 MM15 QQ09 QQ37 QQ73 QQ82 QQ92 RR04 RR06 SS11 TT08 WW03 WW06 WW07 XX03 XX21
Claims (20)
- 【請求項１】 フォトレジストパターンを蝕刻マスクと
して使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物
質を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、 前記半導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着
モジュールが真空状態で互いに連結されるクラスター装
置にローディングさせる段階と、 前記半導体基板を前記プラズマ前処理モジュールに移送
させた後、前記フォトレジストパターンをアッシングし
て除去する段階と、 前記プラズマ前処理モジュールでコンタクトホール下部
の損傷層を除去する段階と、 前記プラズマ前処理モジュールで前記コンタクトホール
内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄を行う段階と、 前記前処理洗浄が行われた前記半導体基板を、真空を維
持しつつ前記蒸着モジュールに移送して前記コンタクト
ホール内に後続膜を蒸着する段階とを含むプラズマ前処
理モジュールを具備した装置における半導体素子の製造
方法。 - 【請求項２】 前記シリコン含有物質は、シリコン層、
ポリシリコン層またはシリサイド層であることを特徴と
する請求項１に記載のプラズマ前処理モジュールを具備
した装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記プラズマ前処理モジュールは、リモ
ートマイクロウェーブプラズマを用いることであること
を特徴とする請求項１に記載のプラズマ前処理モジュー
ルを具備した装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記プラズマ前処理モジュールには、そ
の内部に熱を供給できる熱源がさらに備わることを特徴
とする請求項３に記載のプラズマ前処理モジュールを具
備した装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記プラズマ前処理モジュールには、そ
の内部に熱を供給できる熱源として、ＵＶランプが、前
記工程が行われる半導体基板の上側に設けられたことを
特徴とする請求項４に記載のプラズマ前処理モジュール
を具備した装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記プラズマ前処理モジュールはドーム
状の上側壁を具備し、前記ＵＶランプが前記ドーム状の
上側壁の外側に備わることを特徴とする請求項５に記載
のプラズマ前処理モジュールを具備した装置における半
導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記プラズマ前処理モジュールには前記
半導体基板を安着させるサセプタがさらに備わり、前記
サセプタは昇降可能であることを特徴とする請求項５に
記載のプラズマ前処理モジュールを具備した装置におけ
る半導体素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記クラスター装置は、複数のプラズマ
前処理モジュールおよび少なくとも一つの蒸着モジュー
ルが中央に真空が維持される移転モジュールをおいて放
射状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載
のプラズマ前処理モジュールを具備した装置における半
導体素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記フォトレジストパターンをアッシン
グして除去する段階は、リモートプラズマ状態の窒素ガ
スおよび酸素ガスを供給して行うことを特徴とする請求
項５に記載のプラズマ前処理モジュールを具備した装置
における半導体素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記フォトレジストパターンをアッシ
ングして除去する段階は、前記ＵＶランプ電力３００な
いし１０００Ｗ、前記マイクロウェーブ電力５００ない
し２０００Ｗ、前記プラズマ前処理モジュール内の圧力
０．１ないし１０ｔｏｒｒおよび前記半導体基板の温度
２５ないし３００℃の条件下で、反応ガスとして窒素ガ
ス１０ないし２０００ｓｃｃｍ、酸素ガス１０ないし２
０００ｓｃｃｍを供給して行うことを特徴とする請求項
９に記載のプラズマ前処理モジュールを具備した装置に
おける半導体素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記損傷層を除去する段階は、リモー
トプラズマ状態の窒素ガスおよび酸素ガスと、リモート
プラズマ状態または自然ガス状態のフッ素系ガスとを供
給して行うことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ
前処理モジュールを具備した装置における半導体素子の
製造方法。 - 【請求項１２】 前記フッ素系ガスはＮＦ3ガスである
ことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ前処理モ
ジュールを具備した装置における半導体素子の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記損傷層を除去する段階は、前記マ
イクロウェーブ電力５００ないし２０００Ｗ、前記プラ
ズマ前処理モジュール内の圧力０．１ないし１０ｔｏｒ
ｒおよび前記半導体基板の温度５ないし３００℃の条件
下で、反応ガスとして窒素ガス１０ないし２０００ｓｃ
ｃｍ、酸素ガス１０ないし２０００ｓｃｃｍおよびＮＦ
3ガス３０ないし３００ｓｃｃｍを供給して行うことを
特徴とする請求項１２に記載のプラズマ前処理モジュー
ルを具備した装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記前処理洗浄する段階は、 プラズマ状態の水素ガスおよびフッ素系ガスを供給して
前記コンタクトホール下部の露出されたシリコン含有物
質の表面に形成された酸化膜と化学的に反応させて反応
層を形成する段階と、 前記反応層を気化させて除去できるようにアニーリング
段階とを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズ
マ前処理モジュールを具備した装置における半導体素子
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記フッ素系ガスは、リモートプラズ
マ状態または自然ガス状態に供給することを特徴とする
請求項１４に記載のプラズマ前処理モジュールを具備し
た装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項１６】 前記フッ素系ガスは、ＮＦ3、ＳＦ6お
よびＣｌＦ3のようにフッ素を含むガスのうちいずれか
一つであることを特徴とする請求項１４に記載のプラズ
マ前処理モジュールを具備した装置における半導体素子
の製造方法。 - 【請求項１７】 前記反応層を形成する段階は、前記マ
イクロウェーブ電力５００ないし２０００Ｗ、前記プラ
ズマ前処理モジュール内の圧力１ないし１０ｔｏｒｒお
よび前記半導体基板の温度０ないし５０℃の条件下で、
反応ガスとして窒素ガス１０ないし２０００ｓｃｃｍ、
水素ガス５ないし２００ｓｃｃｍおよびＮＦ3ガス１０
ないし３００ｓｃｃｍを供給して行うことを特徴とする
請求項１４に記載のプラズマ前処理モジュールを具備し
た装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項１８】 前記前処理モジュール内には前記半導
体基板を安着して昇降可能なサセプタがさらに備わり、
前記アニーリング段階は、前記半導体基板を安着した前
記サセプタが上側に移動した状態で行うことを特徴とす
る請求項１４に記載のプラズマ前処理モジュールを具備
した装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項１９】 前記アニーリング段階は、前記半導体
基板が１００〜５００℃の温度で行うことを特徴とする
請求項１４に記載のプラズマ前処理モジュールを具備し
た装置における半導体素子の製造方法。 - 【請求項２０】 前記後続膜を蒸着する段階は、前記前
処理洗浄段階が行われた前記半導体基板を前記真空が維
持される移転モジュールを通じて前記蒸着モジュールに
伝送した後に行うことを特徴とする請求項８に記載のプ
ラズマ前処理モジュールを具備した装置における半導体
素子の製造方法。
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Cited By (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005244244A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Applied Materials Inc | ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| JP2014175659A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Lam Research Corporation | 金属シード層上の金属酸化物を還元するための方法および装置 |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| JP2015008183A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法および真空処理装置 |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US8975152B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-03-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9023732B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9236266B2 (en) | 2011-08-01 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299582B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for metal-containing materials |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US10443146B2 (en) | 2017-03-30 | 2019-10-15 | Lam Research Corporation | Monitoring surface oxide on seed layers during electroplating |
Families Citing this family (129)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129334A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積装置のクリーニング方法及び気相堆積装置 |
| KR100451034B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2004-10-02 | 주식회사 테라텍 | 반도체 소자 제조방법 |
| KR100475122B1 (ko) * | 2002-12-20 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 접촉저항을 개선할 수 있는 반도체 소자 형성방법 |
| US20040129385A1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-08 | International Business Machines Corporation | Pre-loaded plasma reactor apparatus and application thereof |
| KR100524197B1 (ko) | 2003-04-29 | 2005-10-27 | 삼성전자주식회사 | 매엽식 반도체 소자 제조장치 및 이를 이용한 게이트 전극및 콘택 전극의 연속 형성방법 |
| KR100680944B1 (ko) * | 2003-05-27 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
| KR100968567B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2010-07-08 | 삼성전자주식회사 | 다층 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
| US7371637B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-05-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Oxide-nitride stack gate dielectric |
| KR101050943B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2011-07-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 장치의 금속배선 형성 방법 |
| US7351663B1 (en) * | 2004-06-25 | 2008-04-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Removing whisker defects |
| JP4032058B2 (ja) | 2004-07-06 | 2008-01-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US20060105561A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Yunjun Huh | Method of manufacturing a self-aligned contact structure |
| US7162317B2 (en) * | 2005-02-25 | 2007-01-09 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for configuring plasma cluster tools |
| KR100780045B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2007-11-27 | (주) 디오브이 | 유기전계 발광소자 플라즈마 전처리 챔버 |
| US8252640B1 (en) | 2006-11-02 | 2012-08-28 | Kapre Ravindra M | Polycrystalline silicon activation RTA |
| CN101004559B (zh) * | 2006-12-21 | 2012-01-11 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种增强光刻工艺中图形黏附力的方法 |
| CN101504917B (zh) * | 2008-05-27 | 2011-08-31 | 深圳深爱半导体有限公司 | 防止vdmos管二次击穿的方法 |
| CN102005372A (zh) * | 2009-08-31 | 2011-04-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制作半导体器件的方法 |
| CN102024681B (zh) * | 2009-09-11 | 2012-03-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于制造半导体器件的方法 |
| JP5374462B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013134127A1 (en) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | First Solar, Inc. | Method and apparatus for forming a transparent conductive oxide using hydrogen |
| CN103456676A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 无锡华润上华科技有限公司 | 接触孔硅凹槽蚀刻方法 |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US20140042152A1 (en) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| JP6163442B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2017-07-12 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| US9299557B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma pre-clean module and process |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| JP6235981B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2017-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
| US9831183B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Contact structure and method of forming |
| US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9474163B2 (en) | 2014-12-30 | 2016-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Germanium oxide pre-clean module and process |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US10373850B2 (en) | 2015-03-11 | 2019-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Pre-clean chamber and process with substrate tray for changing substrate temperature |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| KR102570269B1 (ko) * | 2016-07-22 | 2023-08-25 | 삼성전자주식회사 | 전세정 장치 및 기판 처리 시스템 |
| KR102005042B1 (ko) | 2016-08-17 | 2019-07-29 | 주식회사 아이씨케이 | 강화된 강도를 갖는 비접촉식 카드 기능을 갖는 메탈 카드 및 그에 사용되는 금속판 어셈블리, 그리고 그들의 제조 방법 |
| KR101868478B1 (ko) | 2016-08-17 | 2018-07-23 | 주식회사 아이씨케이 | 비접촉식 카드 기능을 갖는 메탈 카드 |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US20180261464A1 (en) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Tokyo Electron Limited | Oxide film removing method, oxide film removing apparatus, contact forming method, and contact forming system |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| CN109979806B (zh) * | 2017-12-26 | 2021-04-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 兼容真空环境的图形转移的方法及*** |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| JP7169866B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| KR20200144186A (ko) | 2019-06-17 | 2020-12-29 | 유인종 | 페라이트를 이용한 비접촉식 메탈 카드용 인레이 제조방법 및 카드 제조 방법 |
| KR20200145883A (ko) | 2019-06-19 | 2020-12-31 | 유인종 | 양면 이용 가능한 메탈카드용 미니인레이 및 이를 이용한 메탈카드 |
| KR102308861B1 (ko) | 2019-11-28 | 2021-10-06 | 유인종 | 비접촉식 메탈카드 및 그 제조방법 |
| CN113053744B (zh) * | 2019-12-27 | 2024-03-22 | 株式会社日立高新技术 | 半导体装置的制造方法 |
| KR102669097B1 (ko) | 2021-06-17 | 2024-05-23 | 아이씨케이 인터내셔널 잉크 | 비접촉식 카드 기능을 갖는 메탈 카드 및 그 제조방법 |
| KR102613064B1 (ko) | 2023-08-14 | 2023-12-12 | 주식회사 티아이씨피 | 듀얼 인터페이스 기능을 갖는 메탈 카드 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2814021B2 (ja) * | 1990-07-09 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板表面の処理方法 |
| KR920007124A (ko) * | 1990-09-04 | 1992-04-28 | 김광호 | 폴리 에미터 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 |
| JP3084497B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2000-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ＳｉＯ２膜のエッチング方法 |
| US5350480A (en) * | 1993-07-23 | 1994-09-27 | Aspect International, Inc. | Surface cleaning and conditioning using hot neutral gas beam array |
| JPH0799178A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3529849B2 (ja) * | 1994-05-23 | 2004-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2978748B2 (ja) * | 1995-11-22 | 1999-11-15 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR19980077122A (ko) * | 1997-04-16 | 1998-11-16 | 김영환 | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 |
| GB9715013D0 (en) * | 1997-07-17 | 1997-09-24 | Cambridge Consultants | Liquid feed bottle |
| US6107192A (en) | 1997-12-30 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application |
| US6110836A (en) * | 1999-04-22 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive plasma etch cleaning of high aspect ratio openings |
| US6346489B1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-02-12 | Applied Materials, Inc. | Precleaning process for metal plug that minimizes damage to low-κ dielectric |
| US6228563B1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-05-08 | Gasonics International Corporation | Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices |
| US6492272B1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Carrier gas modification for use in plasma ashing of photoresist |
-
2000
- 2000-11-24 KR KR10-2000-0070491A patent/KR100382725B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-10-25 US US09/983,790 patent/US6767834B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-08 TW TW090127753A patent/TW520553B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-15 JP JP2001349915A patent/JP2002222861A/ja active Pending
- 2001-11-22 DE DE10157223A patent/DE10157223B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-23 CN CNB011396091A patent/CN1187796C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8846163B2 (en) | 2004-02-26 | 2014-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method for removing oxides |
| JP2011205135A (ja) * | 2004-02-26 | 2011-10-13 | Applied Materials Inc | ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ |
| US8343307B2 (en) | 2004-02-26 | 2013-01-01 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly |
| US10593539B2 (en) | 2004-02-26 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Support assembly |
| JP2005244244A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Applied Materials Inc | ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9236266B2 (en) | 2011-08-01 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US9012302B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8975152B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-03-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9887096B2 (en) | 2012-09-17 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US9607856B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| JP2014175659A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Lam Research Corporation | 金属シード層上の金属酸化物を還元するための方法および装置 |
| JP2018195847A (ja) * | 2013-03-06 | 2018-12-06 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 金属シード層上の金属酸化物を還元するための方法および装置 |
| US9093390B2 (en) | 2013-03-07 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US9093371B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9153442B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-06 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9184055B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-11-10 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9991134B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-06-05 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9023732B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| JP2015008183A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法および真空処理装置 |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9209012B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-12-08 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9299582B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for metal-containing materials |
| US9711366B2 (en) | 2013-11-12 | 2017-07-18 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for metal-containing materials |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US10443146B2 (en) | 2017-03-30 | 2019-10-15 | Lam Research Corporation | Monitoring surface oxide on seed layers during electroplating |
| US11208732B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-12-28 | Lam Research Corporation | Monitoring surface oxide on seed layers during electroplating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW520553B (en) | 2003-02-11 |
| KR100382725B1 (ko) | 2003-05-09 |
| CN1356719A (zh) | 2002-07-03 |
| US6767834B2 (en) | 2004-07-27 |
| DE10157223B4 (de) | 2006-11-16 |
| US20020064944A1 (en) | 2002-05-30 |
| DE10157223A1 (de) | 2002-06-27 |
| CN1187796C (zh) | 2005-02-02 |
| KR20020040445A (ko) | 2002-05-30 |
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