JP2002207120A - 偏光ビームスプリッタ、投射型表示装置用光学装置、投射型表示装置及び偏光ビームスプリッタの製造方法 - Google Patents

偏光ビームスプリッタ、投射型表示装置用光学装置、投射型表示装置及び偏光ビームスプリッタの製造方法

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JP2002207120A
JP2002207120A JP2001000720A JP2001000720A JP2002207120A JP 2002207120 A JP2002207120 A JP 2002207120A JP 2001000720 A JP2001000720 A JP 2001000720A JP 2001000720 A JP2001000720 A JP 2001000720A JP 2002207120 A JP2002207120 A JP 2002207120A
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optical system
group film
beam splitter
film
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Masaaki Sato
正聡 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高い偏光分離比を有し、使用波長の帯域幅が広
い偏光ビームスプリッタなどを提供すること 【解決手段】第1プリズム103Aの所定面103Gに
形成され第1波長領域(420nm)のS偏光を反射す
る第1群膜103PAと、前記第1群膜103PAの上
に重ねて形成され前記第1波長領域(420nm)より
も長波長側の第2波長領域(600nm)のS偏光を反
射する第2群膜103PBとを有する第1プリズム10
3Aと、前記第1群膜103PA及び前記第2群膜10
3PBを介して前記第1プリズム103Aに固着される
第2プリズム103Bとを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、S偏光成分とP偏
光成分との偏光分離及び合成に使用される偏光ビームス
プリッタ、このビームスプリッタを備える投射型表示装
置用光学装置、投射型表示装置、及びこの偏光ビームス
プリッタの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に偏光ビームスプリッタは、2個の
直角プリズムの間に高屈折率物質と低屈折率物質との誘
電体多層膜を交互に積層した誘電体多層膜を設けたもの
が使用されている。しかし、広い波長帯域の光を単独の
誘電体多層膜で偏光分離及び合成を行うことは困難であ
る。このため、長波長光を反射する第1層と、短波長光
を反射する第2層との2層の誘電体多層膜を用いること
が多い。このような偏光ビームスプリッタは、例えば、
特開平7−281024号公報に開示されている。
【0003】図15は、特開平7−281024号公報
に開示されている従来の偏光ビームスプリッタの構成を
示す図である。2個の直角プリズム1、2の間に、長波
長(680nm)側の光を反射させる層3と、短波長
(420nm)側の光を反射させる層4とが設けられて
いる。そして、両プリズム1,2が層3,4を介して光
学接着剤5で接着されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】誘電体多層膜を構成す
る物質の複素屈折率はn−ikで表すことができる。こ
こで、nは屈折率、kは消衰係数である。これら屈折率
n,消衰係数kは分散を有している。即ち、波長λに依
存して変化する。よって、波長λが小さくなるに従っ
て、屈折率n,消衰係数kは大きくなる。従って、短波
長側では誘電体多層膜による吸収が大きくなる。このた
め、吸収による発熱量が大きくなってしまう。発熱量が
大きくなると、熱応力によりプリズムを構成するガラス
が歪み、偏光ビームスプリッタの偏光状態が乱れる。こ
の結果、偏光ビームスプリッタを用いる投射型表示装置
において、投射像のコントラストが低下するので問題と
なる。
【0005】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、高い偏光分離比を有し、使用波長の帯域幅が広い
偏光ビームスプリッタとその製造方法、及び歪みが少な
く、高コントラストな投射像が得られる投射像投射型表
示装置用光学装置、投射型表示装置を提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段を、実施の形態を示す添付図面に対応づけて説明
すると、本発明は、第1プリズム103Aの所定面10
3Gに形成され第1波長領域(420nm)のS偏光を
反射する第1群膜103PAと、前記第1群膜103P
Aの上に重ねて形成され前記第1波長領域(420n
m)よりも長波長側の第2波長領域(600nm)のS
偏光を反射する第2群膜103PBとを有する第1プリ
ズム103Aと、前記第1群膜103PA及び前記第2
群膜103PBを介して前記第1プリズム103Aに固
着される第2プリズム103Bと、を有することを特徴
とする偏光ビームスプリッタを提供する。
【0007】ここで、「固着」とは、エポキシ系接着
剤、紫外線硬化型接着剤、可視光硬化型接着剤等による
接着を含む更に広い概念をいう。例えば、第2群膜10
3PBと第2プリズム103Bとの間の空気を抜いて、
オプチカルコンタクトの状態で固着させても良い。
【0008】また、本発明の好ましい態様によれば、第
2群膜503PB上に重ねて形成されて、前記第2波長
領域(600nm)よりも短波長側の第3波長領域(4
20nm)のS偏光を反射する第3群膜503PCをさ
らに有することを特徴とする。
【0009】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第2プリズム103PBの所定面103Hに形成さ
れ、前記第2波長領域(600nm)よりも短波長側の
第3波長領域(420nm)のS偏光を反射する第3群
膜603PCをさらに有し、前記第2プリズム103B
は第1群膜603PAと第2群膜603PBと前記第3
群膜603PCとを介して前記第1プリズム103Aに
固着されることを特徴とする。
【0010】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第1群膜103PAと前記第2群膜103PBとは、
蒸着により前記第1プリズム103Aに形成されること
を特徴とする。
【0011】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第3群膜503PCは、蒸着により前記第1プリズム
103Aに形成されることを特徴とする。
【0012】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第3群膜603PCは、蒸着により前記第2プリズム
103Bに形成されることを特徴とする。
【0013】また、本発明の好ましい態様によれば、光
源101からの光を偏光分離して射出する偏光分離光学
系103と、画像信号に応じて入射光を変調するライト
バルブ107B,107R,107Gからの射出光を入
射面103Fより入射し、検光して射出面103Eより
射出する検光光学系103とを有し、前記検光光学系1
03は、透明な光学部材103A,103Bの間に第1
波長領域(420nm)のS偏光を反射する第1群膜1
03PAと、前記第1波長領域(420nm)よりも長
波長側の第2波長領域(620nm)のS偏光を反射す
る第2群膜103PBとを有し、前記第1群膜103P
Aは前記第2群膜103PBよりも前記検光光学系10
3の入射面103F側に設けられていることを特徴とす
る投射型表示装置用光学装置を提供する。
【0014】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系103は、前記光源101からの光を
偏光分離及び色分解する偏光分離・色分解光学系10
3,104,105,106であって、前記ライトバル
ブ107B,107R,107Gは、前記偏光分離・色
分解光学系103,104,105,106を射出した
各色光ごとに配置され、各色画像信号に応じて入射光を
変調する複数のライトバルブ107B,107R,10
7Gであり、前記検光光学系103は、前記複数のライ
トバルブ107B,107R,107Gから射出した光
を色合成及び検光する色合成・検光光学系103,10
4,105,106であって、前記色合成・検光光学系
103,104,105,106はすべての前記ライト
バルブ107B,107R,107Gに対して、前記第
1群膜103PAが前記第2群膜103PBよりも前記
ライトバルブ107B,107R,107G側に配置さ
れていることを特徴とする。
【0015】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記色合成・検光光学系103,104,105,106
は、色合成した後に検光する光学系であることを特徴と
する。
【0016】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103と前記光源101との間に
は、前記光源101からの光をP偏光に変換する偏光変
換装置102が設けられ、前記偏光ビームスプリッタ1
03は、前記偏光変換装置102の射出したP偏光を透
過して前記ライトバルブ107B,107R,107G
へ射出することを特徴とする。
【0017】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103は、前記光源101からの
S偏光を反射して前記ライトバルブ107B,107
R,107Gへ射出することを特徴とする。
【0018】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103は、前記光源101からの
P偏光を透過して前記ライトバルブ107B,107
R,107Gへ射出し、前記検光光学系103は、前記
第1群膜503PAと、前記第2群膜503PBと、前
記第2群膜503PBを介して前記第1群膜503PA
と反対の位置に配置され前記第2波長領域(600n
m)よりも短波長側の第3波長領域(420nm)の光
を反射する第3群膜503PCとを含むことを特徴とす
る。
【0019】また、本発明によれば、光源101からの
光を偏光分離して射出する偏光分離光学系103と、画
像信号に応じて入射光を変調するライトバルブ107
B,107R,107Gからの射出光を検光する検光光
学系103とを有する投射型表示装置用光学装置におい
て、前記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能
とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有
し、前記偏光ビームスプリッタ103は、第1波長領域
(420nm)のS偏光を反射する反射膜503PA,
503PCと、前記第1波長領域(420nm)よりも
長波長側の第2波長領域(600nm)のS偏光を反射
する反射膜503PBとを有し、前記光源101からの
光と、前記ライトバルブ107B,107R,107G
からの光とが最初に前記第1波長領域(420nm)の
S偏光を反射する前記反射膜503PA,503PCに
入射することを特徴とする投射型表示装置用光学装置を
提供する。
【0020】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第1群膜103PAと前記第2群膜103PBとは、
蒸着により前記検光光学系103に形成されることを特
徴とする。
【0021】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第3群膜503PCは、蒸着により前記検光光学系1
03に形成されることを特徴とする。
【0022】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記反射膜503PA,503PB,503PCは、蒸着
により前記偏光ビームスプリッタ103に形成されるこ
とを特徴とする。
【0023】また、本発明によれば、照明光を供給する
光源101と、前記光源101からの照明光を偏光分離
して射出する偏光分離光学系103と、画像信号に応じ
て入射光を変調するライトバルブ107B,107R,
107Gと、前記ライトバルブ107B,107R,1
07Gからの射出光を入射面103Fより入射し、検光
して射出面103Eより射出する検光光学系103と、
前記検光光学系103の射出面側に配置され、前記ライ
トバルブ107B,107R,107Gからの像を投射
する投射光学系108とを有し、前記検光光学系103
は、透明な光学部材103A,103Bの間に第1波長
領域(420nm)のS偏光を反射する第1群膜103
PAと、前記第1波長領域(420nm)よりも長波長
側の第2波長領域(600nm)のS偏光を反射する第
2群膜103PBとを有し、前記第1群膜103PAは
前記第2群膜103PBよりも前記検光光学系103の
入射面103F側に設けられていることを特徴とする投
射型表示装置を提供する。
【0024】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系103は、前記光源101からの光を
偏光分離及び色分解する偏光分離・色分解光学系10
3,104,105,106であって、前記ライトバル
ブ107B,107R,107Gは、前記偏光分離・色
分解光学系103,104,105,106を射出した
各色光ごとに配置され、各色画像信号に応じて入射光を
変調する複数のライトバルブ107B,107R,10
7Gであり、前記検光光学系103は、前記複数のライ
トバルブ107B,107R,107Gから射出した光
を色合成及び検光する色合成・検光光学系103,10
4,105,106であって、前記色合成・検光光学系
103,104,105,106はすべての前記ライト
バルブ107B,107R,107Gに対して、前記第
1群膜103PAが前記第2群膜103PBよりも前記
ライトバルブ107B,107R,107G側に配置さ
れていることを特徴とする。
【0025】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記色合成・検光光学系103,104,105,106
は、色合成した後に検光する光学系であることを特徴と
する。
【0026】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103と前記光源101との間に
は、前記光源101からの光をP偏光に変換する偏光変
換装置102が設けられ、前記偏光ビームスプリッタ1
03は、前記偏光変換装置102の射出したP偏光を透
過して前記ライトバルブ107B,107R,107G
へ射出することを特徴とする。
【0027】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103は、前記光源101からの
S偏光を反射して前記ライトバルブ107B,107
R,107Gへ射出することを特徴とする。
【0028】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103は、前記光源101からの
P偏光を透過して前記ライトバルブ107B,107
R,107Gへ射出し、前記検光光学系103は、前記
第1群膜503PAと、前記第2群膜503PBと、前
記第2群膜503PBを介して前記第1群膜503PA
と反対の位置に配置され前記第2波長領域(600n
m)よりも短波長側の第3波長領域(420nm)の光
を反射する第3群膜503PCとを含むことを特徴とす
る。
【0029】また、本発明では、照明光を供給する光源
101と、前記光源101からの照明光を偏光分離して
射出する偏光分離光学系103と、画像信号に応じて入
射光を変調するライトバルブ107B,107R,10
7Gと、前記ライトバルブ107B,107R,107
Gからの射出光を検光する検光光学系103と、前記検
光光学系103の射出側に配置され、前記ライトバルブ
107B,107R,107Gからの像を投射する投射
光学系108と、を有する投射型表示装置において、前
記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを兼
用する1つの偏光ビームスプリッタ103を有し、前記
偏光ビームスプリッタ103は、第1波長領域(420
nm)のS偏光を反射する反射膜503PA,503P
Cと、前記第1波長領域(420nm)よりも長波長側
の第2波長領域(600nm)のS偏光を反射する反射
膜503PBとを有し、前記光源101からの光と、前
記ライトバルブ107B,107R,107Gからの光
とが最初に前記第1波長領域(420nm)のS偏光を
反射する前記反射膜503PA,503PCに入射する
ことを特徴とする投射型表示装置を提供する。
【0030】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第1群膜103PAと前記第2群膜103PBとは、
蒸着により前記検光光学系103に形成されることを特
徴とする。
【0031】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第3群膜503PCは、蒸着により前記検光光学系1
03に形成されることを特徴とする。
【0032】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記反射膜503PA,503PB,503PCは、蒸着
により前記偏光ビームスプリッタ103に形成されるこ
とを特徴とする。
【0033】また、本発明によれば、第1波長領域(4
20nm)のS偏光を反射する第1群膜103PAを第
1プリズム103Aに形成する第1群膜形成工程と、前
記第1波長領域(420nm)よりも長波長側の第2波
長領域(600nm)のS偏光を反射する第2群膜10
3PBを前記第1群膜103PA上に重ねて形成する第
2群膜形成工程と、前記第1群膜103PAと前記第2
群膜103PBとが形成された前記第1プリズム103
Aに、前記第1群膜103PAと前記第2群膜103P
Bとを介して第2プリズム103Bを固着する固着工程
とを有することを特徴とする偏光ビームスプリッタの製
造方法を提供する。
【0034】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第2波長領域(600nm)よりも短波長側の第3波
長領域(420nm)のS偏光を反射する第3群膜50
3PCを第2群膜503PB上に重ねて形成する第3群
膜形成工程を更に有することを特徴とする。
【0035】また、本発明の好ましい態様によれば、前
記第2波長領域(600nm)よりも短波長側の第3波
長領域(420nm)のS偏光を反射する第3群膜60
3PCを前記第2プリズム103B上に形成する第3群
膜形成工程を更に有し、前記固着工程は、第1群膜60
3PAと第2群膜603PBと前記第3群膜603PC
とを介して、前記第1プリズム103Aと前記第2プリ
ズム103Bとを固着する工程であることを特徴とす
る。
【0036】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が実施の形態に限定されるものではない。
【0037】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施の形態を説明する。
【0038】(第1の実施形態)図1は、第1実施形態
にかかる投射型表示装置の概略構成を示す図である。ラ
ンプLP及び放物面鏡PMから成る光源101は光源光
を出射する。光源光は偏光変換装置102に入射する。
偏光変換装置102は、ランダム偏光光をP偏光光に変
換する。
【0039】図2は、偏光変換装置102の構成を示す
図である。偏光変換装置102は、光源101側から順
に、第1レンズ板1021と、第2レンズ板1022
と、偏光ビームスプリッタアレイ1023と、コンデン
サレンズ1024とから構成される。第1レンズ板10
21は、複数のレンズ素子1021aが平面的に配列さ
れている。第2レンズ板1022は、複数のレンズ素子
1022aが、レンズ素子1021aに対応して平面的
に配列されている。また、偏光ビームスプリッタアレイ
1023は、複数の偏光ビームスプリッタ素子1023
a,1023bの偏光分離部PDが相互に平行になるよ
うに配列されている。ここで、所定の偏光ビームスプリ
ッタ素子1023bの射出面には1/2波長板WPが設
けられている。そして、偏光ビームスプリッタアレイ1
023の射出側にはコンデンサレンズ1024が設けら
れている。
【0040】この構成の偏光変換装置102では、第1
レンズ板1021に入射した光源光は、レンズ素子10
21aの外形によって定義される複数の光に分割され
る。分割された光は、各レンズ素子1021aに対応し
て配置されているレンズ素子1022a上に集光され
る。そして、当該各レンズ素子1022a上に輝点が形
成される。
【0041】この輝点から射出された光は、偏光ビーム
スプリッタアレイ1023に入射する。この入射光は、
偏光ビームスプリッタ素子1023aを透過するP偏光
と、偏光分離部PDによって反射されるS偏光とに分割
される。偏光分離部PDで反射されたS偏光は、隣接す
る他の偏光ビームスプリッタ素子1023bに入射す
る。そして、当該他の偏光ビームスプリッタ素子102
3bの偏光分離部PDで反射され、射出する。S偏光の
射出面には1/2波長板WPが設けられている。よっ
て、S偏光は1/2波長板WPによりP偏光に変換され
て射出する。従って、偏光変換装置102を射出する光
は、全体としてP偏光に変換される。そして、このP偏
光は、コンデンサレンズ1024を経て、偏光ビームス
プリッタ103へ進行する。
【0042】偏光ビームスプリッタ103は、三角柱形
状である第1の直角プリズム103Aと第2の直角プリ
ズム103Bと両プリズムの接合面に形成された偏光分
離部103pとから構成される。偏光分離部103p
は、偏光変換装置102からの光を、偏光分離部103
pを透過するP偏光と反射するS偏光とに偏光分離す
る。透過したP偏光は偏光ビームスプリッタ103を出
射する。なお、偏光ビームスプリッタ103は入射する
光がP偏光であるので当該光の大部分を実質的に透過し
て射出する。さらに加えて、前記偏光変換装置102に
よっても偏光変換できず入射光中に残留しているS偏光
成分を反射させ廃棄する機能も有する。この偏光ビーム
スプリッタ103の詳細に関しては後述する。
【0043】そして、プリズム104,プリズム10
5,プリズム106と、前記プリズムの所定面に形成さ
れた複数のダイクロイック膜とから構成される色分解合
成プリズムに入射する。また、偏光分離部103pを反
射した不要なS偏光は光路を90度折り曲げられて進行
し、廃棄される。
【0044】次に、色分解合成プリズムが、光源光をR
光とG光とB光とに色分解する構成について説明する。
上述したように、色分解合成プリズムは、プリズム10
4とプリズム105とプリズム106との3つのプリズ
ムから構成されている。
【0045】まず、光源光からB光成分を取出すための
プリズム104について説明する。
【0046】プリズム104は、第1面104aと第2
面104bと第3面104cとを有している。第1面1
04aは、光源光を入射する。第2面104bは、B光
を反射しR光とG光とを透過するB光反射ダイクロイッ
ク膜DBを有している。第3面104cは、第2面10
4bを反射して次に第1面104aを全反射したB光を
出射する。この構成により、プリズム104は、光源1
01からの光のうちB光成分を取出すことができる。
【0047】そして、第3面104cから出射したB光
は、B光用ライトバルブ107Bに入射する。
【0048】次に、光源光からR光成分を取出すための
プリズム105について説明する。プリズム105は、
プリズム104の第2面104bと空隙を隔てて設けら
れている。プリズム105は、第1面105aと第2面
105bと第3面105cとを有している。第1面10
5aはプリズム104の第2面104bを透過した光を
入射する。第2面105bは、R光を反射しG光を透過
するR光反射ダイクロイック膜DRを有している。第3
面105cは、第2面105bを反射して次に第1面1
05aを全反射したR光を出射する。この構成により、
プリズム105は、光源101からの光のうちR光成分
を取出すことができる。
【0049】そして、第3面105cから出射したR光
は、R光用ライトバルブ107Rに入射する。
【0050】次に、光源光からG光成分を取出すための
プリズム106について説明する。プリズム106は、
その第1面106aが、プリズム105の第2面105
bに接着剤により固着されて設けられている。
【0051】プリズム106は、第1面106aと第2
面106bと第3面106cとを有している。第1面1
06aはプリズム105の第2面105bを透過した光
を入射する。第2面106bは、G光を全反射する。第
3面106cは、第2面106bを全反射したG光を出
射する。この構成により、プリズム106は、光源10
1からの光のうちG光成分を取出すことができる。
【0052】そして、第3面106cから出射したG光
は、G光用ライトバルブ107Gに入射する。
【0053】また、上述した偏光ビームスプリッタ10
3,プリズム104,プリズム105,プリズム106
はその内部を通過する光の偏光状態が変化しないように
R光,G光,B光の何れの光に対しても光弾性常数の絶
対値が1.5×10-8cm2/N以下のガラスを使用す
ることが望ましい。
【0054】次にライトバルブについて説明する。ライ
トバルブ107B,107G、及び107Rは反射型の
液晶ライトバルブである。ライトバルブはマトリックス
状に配置された複数の画素を有している。各画素は液晶
分子を有する液晶層と当該液晶層の背面に設けられた反
射層とを有している。液晶層は、各画素毎に配置された
TFT等のスイッチング素子により液晶層の厚み方向に
電圧値を変えて印加させることで液晶分子の向きを変更
することができる。そして、この液晶分子の向きに応じ
てライトバルブに入射した光の偏光の傾きが変わる。即
ち、入射光の偏光状態を変調することができる。このよ
うに、印加電圧を変化させることで偏光状態を変えて、
画像の階調レベルを決めることができる。
【0055】ライトバルブの液晶層に電圧が印加されて
いない画素は、階調レベルが最低、即ち最も暗い画素で
ある。この時、液晶層の液晶分子は初期状態を維持して
いる。この状態の液晶層を経由して反射層にて反射し、
再度、液晶層を経由して射出した光は、変調作用を受け
ていない非変調光となる。そして、非変調光は、色分解
合成プリズムにP偏光として再入射する。
【0056】また、ライトバルブの液晶層に最高電圧が
印加されている画素は、階調レベルが最高、即ち最も明
るい画素である。このとき、液晶層は初期状態から離れ
て所定方向に配列し、波長板層を形成している。この状
態の液晶層を経由して反射層にて反射し、再度、液晶層
を経由して射出した光は、変調作用を受けている変調光
となる。そして、変調光は、色分解合成プリズムにS偏
光として再入射する。
【0057】色分解合成プリズムは、前記ライトバルブ
107R,107G,107Bからの反射光を色合成す
る。色合成された光は、偏光ビームスプリッタ103の
偏光分離部103pにて検光される。そして、ライトバ
ルブで変調された光であるS偏光成分のみが投射レンズ
108に入射する。投射レンズ108は、各R,G,B
色のライトバルブの像をスクリーンSCにフルカラー像
として投影する。なお、非変調光であるP偏光成分は、
偏光ビームスプリッタ103の偏光分離部103pを直
進し、光源101側に出射されて廃棄される。
【0058】次に、偏光ビームスプリッタ103につい
て詳しく説明する。図3は、偏光ビームスプリッタ10
3の断面構成図である。偏光ビームスプリッタ103
は、第1の直角プリズム103Aと、第2の直角プリズ
ム103Bとから構成されている。第1の直角プリズム
103Aの斜面103Gには、第1の誘電体膜の交互層
103PAが物理蒸着により形成されている。なお、以
下、誘電体の交互層の全体を「誘電体群膜」という。ま
た、第1の誘電体群膜103PAの上に重ねて(つまり
積層されて)、第2の誘電体群膜103PBが物理蒸着
により形成されている。第1の誘電体群膜103PAは
第1波長領域(基準設計波長λ1=420nm)のS偏
光を反射する。また、第2の誘電体群膜103PBは第
2波長領域(基準設計波長λ2=600nm)のS偏光
を反射する。そして、第1の直角プリズム103Aと第
2の直角プリズム103Bとが、第1及び第2の誘電体
群膜103PA,103PBを介して、エポキシ系の光
学接着剤層103Cにより接着されている。なお、上述
した偏光分離部103pは、第1及び第2の誘電体群膜
103PA,103PBを総称したものである。
【0059】図4は、第1の誘電体群膜103PA、第
2の誘電体群膜103PBの膜構成を示す図である。図
4の左端の番号は、第1の直角プリズム103A側から
数えた各群膜を構成する物質の順番を示している。番号
1から19までが第1の誘電体群膜103PAである。
また、番号20から38までが第2の誘電体群膜であ
る。
【0060】第1の誘電体群膜103PAは、基準設計
波長λ1=420nmにおいて、高屈折率物質nH1=
2.38のTiO2と低屈折率物質nL1=1.47の
SiO2とを交互に積層して構成されている。また、第
2の誘電体群膜103PBは、基準設計波長λ1=68
0nmにおいて、高屈折率物質nH2=2.38のTi
2と低屈折率物質nL1=1.65のAl23とを交
互に積層して構成されている。さらに、第1の直角プリ
ズム103Aと第2の直角プリズム103Bとは、硝材
SF57(ショット社製)で構成されている。
【0061】また、図5は、偏光ビームスプリッタ10
3の面103Fから完全なS偏光を入射させた場合に、
偏光分離部103pで反射されるS偏光成分の反射率特
性を示す図である。図5の横軸は波長(単位:nm)、
縦軸は反射率(単位:パーセント)をそれぞれ示してい
る。なお、以下全ての反射率特性を示す図において同様
の単位を用いる。また、図6は、従来技術の偏光ビーム
スプリッタを用いて、同様に完全なS偏光を入射させた
場合の反射率特性を示す図である。図5と図6とを比較
して明らかなように、本実施形態にかかる偏光ビームス
プリッタ103は、広い波長帯域にわたって良好な反射
率特性を有することがわかる。
【0062】次に、図3に戻って偏光ビームスプリッタ
103の偏光分離機能を説明する。上述したように、不
図示のライトバルブからは、画像信号に応じた変調光
(S偏光)と非変調光(P偏光)との混合光LLVが反
射してくる。混合光LLVは、第1の直角プリズム10
3Aの面103Fから入射する。そして、第1の誘電体
群膜103PAは、混合光LLVのうちの短波長(42
0nm)側の変調光(S偏光)を検光光LAとして反射
する。第1の誘電体群膜103PAで反射された検光光
LAは、第1の直角プリズム103Aの面103Eから
射出する。また、第1の誘電体群膜103PAは、混合
光LLVのうちの短波長(420nm)側の非変調光
(P偏光)を透過する。また、第1の誘電体群膜103
PAは混合光LLVのうち長波長(600nm)側の変
調光(S偏光)及び非変調光(P偏光)を透過する。
【0063】次に、第2の誘電体群膜103PBは、混
合光LLVのうちの長波長(600nm)側の変調光
(S偏光)を検光光LBとして反射する。第2の誘電体
群膜103PBで反射された検光光LBは、第1の直角
プリズム103Aの面103Eから射出する。また、第
2の誘電体群膜103PBは、混合光LLVのうちの長
波長(600nm)側の非変調光(P偏光)を透過す
る。さらに、第2の誘電体群膜103PBは、第1の誘
電体群膜103PAを透過した短波長(420nm)側
の非変調光(P偏光)も透過する。この結果、混合光L
LVのうちの短波長側(420nm)の非変調光(P偏
光)と、長波長(600nm)側の非変調光(P偏光)
とは、接着剤層103Cを透過し、第2の直角プリズム
103Bに面103Hから入射する。そして、そのまま
第2の直角プリムズ103B内を直進し、面103Iか
ら不図示の光源101の方向へ射出されて廃棄される。
【0064】上述したように、誘電体群膜を構成する物
質の複素屈折率の消衰係数kは、長波長側の光よりも短
波長側の光の方が大きい。本実施形態では、短波長側の
光のうちの変調光(S偏光)は、第1の誘電体群膜10
3PA(基準波長λ1=420nm)で反射される。こ
のため、短波長側の光のうちの変調光(S偏光)が偏光
分離部103p中を透過する光路を短くすることができ
る。この構成により、短波長の変調光(S偏光)の誘電
体群膜との相互作用が減少し、吸収に起因する発熱量を
低減できるという効果を奏する。よって、高い偏光分離
比を有し、使用波長の帯域幅が広い偏光ビームスプリッ
タが得られる。また、このビームスプリッタを備える投
射型表示装置用光学装置や投射型表示装置では、歪みが
少なく、高コントラストな投射像を得ることができる。
【0065】(第2の実施形態)第2の実施形態では、
図7に示す偏光ビームスプリッタ103を図1の投射型
表示装置に適用する例を説明する。
【0066】図7は、第2の実施形態にかかる偏光ビー
ムスプリッタの断面構成を示す図である。第1の直角プ
リズム103Aの斜面103Gには、第1の誘電体層群
203PAが物理蒸着により形成されている。第2の直
角プリズム103Bの斜面103Hには、第2の誘電体
層群203PBが物理蒸着により形成されている。第1
の誘電体群膜203PAの基準設計波長λ1=420n
mである。また、第2の誘電体群膜203PBの基準設
計波長λ2=600nmである。そして、第1の直角プ
リズム103PAと第2の直角プリズム103PBと
が、第1及び第2の誘電体群膜203PA,203P
B,及びエポキシ系の接着剤層203Cを介して接着さ
れている。なお、偏光分離部103pは、第1及び第2
の誘電体群膜203PA,203PBを総称したものを
いう。
【0067】また、第1の誘電体群膜203PAは、図
4の番号1から19までに掲げる物質から構成されてい
る。さらに、第2の誘電体群膜203PBは、図4の番
号20から38までに掲げる物質から構成されている。
その他の構成は、上記第1実施形態と同様であるので、
同一部分には同様の符号を付し、重複する説明は省略す
る。
【0068】本実施形態にかかる偏光ビームスプリッタ
の反射率特性は、上記第1実施形態で述べた特性(図
5)と同様である。この構成により、上記第1実施形態
と同様に、短波長の変調光(S偏光)の誘電体群膜との
相互作用が減少し、吸収に起因する発熱量を低減できる
という効果を奏する。よって、高い偏光分離比を有し、
使用波長の帯域幅が広い偏光ビームスプリッタが得られ
る。また、このビームスプリッタを備える投射型表示装
置用光学装置や投射型表示装置では、歪みが少なく、高
コントラストな投射像を得ることができる。
【0069】(第3の実施形態)図8は、第3の実施形
態にかかる投射型表示装置の概略構成を示す図である。
本実施形態では、光源からの光のうちS偏光成分を各色
ライトバルブ307B,307R,307Gへ導いてい
る点が上記第1実施形態と異なる。その他の構成は上記
第1実施形態と同様であるので、同一部分には同様の符
号を付し、重複する説明は省略する。
【0070】ランプLP及び放物面鏡PMから成る光源
101は光源光を出射する。光源光は偏光変換装置30
2に入射する。偏光変換装置302は、ランダム偏光光
をS偏光光に変換する。
【0071】図9は、偏光変換装置302の構成を示す
図である。偏光変換装置302は、光源101側から順
に、第1レンズ板3021と、第2レンズ板3022
と、偏光ビームスプリッタアレイ3023と、コンデン
サレンズ3024とから構成される。第1レンズ板30
21は、複数のレンズ素子3021aが平面的に配列さ
れている。第2レンズ板3022は、複数のレンズ素子
3022aが、レンズ素子3021aに対応して平面的
に配列されている。また、偏光ビームスプリッタアレイ
3023は、複数の偏光ビームスプリッタ素子3023
a,3023bの偏光分離部PDが相互に平行になるよ
うに配列されている。ここで、所定の偏光ビームスプリ
ッタ素子3023aの射出面には1/2波長板WPが設
けられている。そして、偏光ビームスプリッタアレイ3
023の射出側にはコンデンサレンズ3024が設けら
れている。
【0072】この構成の偏光変換装置302では、第1
レンズ板3021に入射した光源光は、レンズ素子30
21aの外形によって定義される複数の光に分割され
る。分割された光は、各レンズ素子3021aに対応し
て配置されているレンズ素子3022a上に集光され
る。そして、当該各レンズ素子3022a上に輝点が形
成される。
【0073】この輝点から射出された光は、偏光ビーム
スプリッタアレイ3023に入射する。この入射光は、
偏光ビームスプリッタ素子3023aを透過するP偏光
と、偏光分離部PDによって反射されるS偏光とに分割
される。P偏光の射出面には1/2波長板WPが設けら
れている。よって、P偏光は1/2波長板WPによりS
偏光に変換されて射出する。また、偏光分離部PDで反
射されたS偏光は、隣接する他の偏光ビームスプリッタ
素子3023bに入射する。そして、当該他の偏光ビー
ムスプリッタ素子3023bの偏光分離部PDで反射さ
れ、射出する。従って、偏光変換装置302を射出する
光は、全体としてS偏光に変換される。そして、このS
偏光は、コンデンサレンズ3024を経て、偏光ビーム
スプリッタ103へ進行する。
【0074】偏光ビームスプリッタ103は、上記第1
実施形態で述べた偏光ビームスプリッタと同様の構成を
有している。偏光分離部103pは、偏光変換装置30
2からの光を、偏光分離部103pを透過するP偏光と
反射するS偏光とに偏光分離する。反射したS偏光は偏
光ビームスプリッタ103を射出する。なお、偏光ビー
ムスプリッタ103は入射する光がS偏光であるので当
該光の大部分を実質的に反射して射出する。さらに加え
て、前記偏光変換装置302によっても偏光変換できず
入射光中に残留しているP偏光成分を透過させ廃棄する
機能も有する。偏光ビームスプリッタ103の詳細に関
しては後述する。
【0075】プリズム104、105,106の構成及
び機能は上記第1実施形態と同様であるので、同一部分
には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【0076】次にライトバルブについて説明する。ライ
トバルブ307B,307G、及び307Rは反射型の
液晶ライトバルブである。ただし、変調光はP偏光成
分、非変調光はS偏光成分となる点が上記第1実施形態
で説明したライトバルブと異なる。その他の基本的な構
成は上記第1実施形態と同様であるので、重複する説明
は省略する。
【0077】色分解合成プリズムであるプリズム10
4,105,106は、前記ライトバルブ307R,3
07G,307Bからの反射光を色合成する。色合成さ
れた光は、偏光ビームスプリッタ103の偏光分離部1
03pにて検光される。そして、各ライトバルブで変調
された光であるP偏光成分のみが投射レンズ108に入
射する。投射レンズ108は、各R,G,B色のライト
バルブに生成された像をスクリーンSCにフルカラー像
として投影する。なお、非変調光であるS偏光成分は、
偏光ビームスプリッタ103の偏光分離部103pで反
射され、光源101側に射出されて廃棄される。
【0078】次に、偏光ビームスプリッタ103の構成
について図10を基に説明する。偏光ビームスプリッタ
103は、第1の直角プリズム103Aと、第2の直角
プリズム103Bとから構成されている。第1の直角プ
リズム103Aの斜面103Gには、第1の誘電体群膜
303PAが物理蒸着により形成されている。また、第
1の誘電体群膜303PAの上に重ねて、第2の誘電体
群膜303PBが物理蒸着により形成されている。第1
の誘電体群膜303PAの基準設計波長λ1=420n
mである。また、第2の誘電体群膜303PBの基準設
計波長λ2=600nmである。そして、第1の直角プ
リズム103Aと第2の直角プリズム103Bとが、第
1及び第2の誘電体群膜303PA,303PBを介し
て、エポキシ系の接着剤層303Cにより接着されてい
る。なお、上述した偏光分離部103pは、第1及び第
2の誘電体群膜303PA,303PBを総称したもの
である。
【0079】これら第1及び第2の誘電体群膜303P
A,303PBの構成と反射率特性は、上記第1実施形
態で説明したもの(図4,図5)と同様であるので重複
する説明は省略する。
【0080】次に、偏光ビームスプリッタ103の偏光
分離機能について図10を基に説明する。まず、光源1
01(不図示)からの光LLSについて説明する。光源
101からの光LLSは、第1の直角プリズム103A
の面103Eから入射する。第1の誘電体群膜303P
Aは、この光LLSのうち短波長側のS偏光LCを反射
する。第1の誘電体群膜303PAで反射されたS偏光
LCは、第1の直角プリズム103Aの面103Fから
射出する。また、第1の誘電体群膜303PAは、光L
LSのうち長波長側のS偏光を透過する。次に、第2の
誘電体群膜303PBは、光LLSのうち長波長側のS
偏光LDを反射する。第2の誘電体群膜303PBで反
射されたS偏光LDは、第1の直角プリズム103Aの
面103Fから射出する。また、光LLSのうちの長波
長側と短波長側のP偏光は、第1,第2の誘電体群膜3
03PA,303PB、及び接着剤層303Cを透過す
る。次に、このP偏光は第2の直角プリズム103Bの
面103Hから入射する。そして、第2の直角プリズム
103B内を直進し、面103Jから射出され、廃棄さ
れる。
【0081】次に、各ライトバルブ307B,307
R,307Gからの混合光LLVについて説明する。混
合光LLVは、第1の直角プリズム103Aの面103
Fから入射する。第1の誘電体群膜303PAは、この
光LLVのうち短波長側の非変調光(S偏光)LAを反
射する。第1の誘電体群膜303PAで反射された非変
調光(S偏光)LAは、第1の直角プリズム103Aの
面103Eから射出する。また、第1の誘電体群膜30
3PAは、混合光LLVのうち長波長側の非変調光(S
偏光)を透過する。次に、第2の誘電体群膜303PB
は、混合光LLVのうち長波長側の非変調光(S偏光)
LBを反射する。第2の誘電体群膜303PBで反射さ
れた長波長側の非変調光(S偏光)は、第1の直角プリ
ズム103Aの面103Eから射出する。第1の直角プ
リズム103Aの面103Eから射出した短波長側の非
変調光(S偏光)LAと、長波長側の非変調光(S偏
光)LBとは、不図示の光源101の方向へ廃棄され
る。
【0082】また、混合光LLVのうちの長波長側と短
波長側の変調光(P偏光)は、第1及び第2の誘電体群
膜303PA,303PB、及び接着剤層303Cを透
過する。次に、この変調光(P偏光)は、第2の直角プ
リズム103Bの面103Hから入射する。そして、第
2の直角プリズム103B内を直進し、面103Iから
射出される。最後に、変調光(P偏光)は、投射レンズ
108(不図示)により、スクリーンSC(不図示)上
に各ライトバルブ307B,307R,307Gに生成
された像として投射される。
【0083】このように、光源101からの光LLSの
短波長側のS偏光と、各ライトバルブ307B,307
R,307Gからの光LLVの短波長側のS偏光との何
れの光においても、初めに第1の誘電体群膜303PA
(基準波長λ1=420nm)で反射される。このた
め、短波長側の光のうちのS偏光が偏光分離部103p
中を透過する光路を短くすることができる。この構成に
より、短波長のS偏光の誘電体群膜との相互作用を減少
させ、吸収に起因する発熱量を低減できるという効果を
奏する。よって、高い偏光分離比を有し、使用波長の帯
域幅が広い偏光ビームスプリッタが得られる。また、こ
のビームスプリッタを備える投射型表示装置用光学装置
や投射型表示装置では、歪みが少なく、高コントラスト
な投射像を得ることができる。
【0084】(第4の実施形態)第4の実施形態では、
図11に示す偏光ビームスプリッタ103を図8の投射
型表示装置に適用する例を説明する。
【0085】図11は、第4の実施形態にかかる偏光ビ
ームスプリッタの断面構成を示す図である。第1の直角
プリズム103Aの斜面103Gには、第1の誘電体群
膜403PAが物理蒸着により形成されている。第2の
直角プリズム103Bの斜面103Hには、第2の誘電
体群膜403PBが物理蒸着により形成されている。第
1の誘電体群膜403PAの基準設計波長λ1=420
nmである。また、第2の誘電体群膜403PBの基準
設計波長λ2=600nmである。そして、第1の直角
プリズム103Aと第2の直角プリズム103Bとが、
第1,第2の誘電体群膜403PA,403PB,及び
エポキシ系の接着剤層403Cを介して接着されてい
る。
【0086】また、第1の誘電体群膜403PAは、図
4の番号1から19までに掲げる物質から構成されてい
る。さらに、第2の誘電体群膜403PBは、図4の番
号20から38までに掲げる物質から構成されている。
その他の構成は、上記第1実施形態と同様であるので、
同一部分には同様の符号を付し、重複する説明は省略す
る。
【0087】本実施形態にかかる偏光ビームスプリッタ
の反射率特性は、上記第1実施形態で述べた特性(図
5)と同様である。この構成により、上記第3実施形態
と同様に、光源101からの光LLSの短波長側のS偏
光と、各ライトバルブ307B,307R,307Gか
らの混合光LLVの短波長側のS偏光との何れの光にお
いても、初めに第1の誘電体群膜403PA(基準波長
λ1=420nm)で反射される。このため、短波長側
の光のうちのS偏光が偏光分離部103p中を透過する
光路を短くすることができる。この構成により、短波長
のS偏光の誘電体群膜と相互作用を減少させ、吸収に起
因する発熱量を低減できるという効果を奏する。よっ
て、高い偏光分離比を有し、使用波長の帯域幅が広い偏
光ビームスプリッタが得られる。また、このビームスプ
リッタを備える投射型表示装置用光学装置や投射型表示
装置では、歪みが少なく、高コントラストな投射像を得
ることができる。
【0088】(第5の実施形態)第5の実施形態では、
図12に示す偏光ビームスプリッタ103を図1の投射
型表示装置に適用する例を説明する。
【0089】図1で示した第1実施形態にかかる投射型
表示装置では、偏光変換装置102により光源光をP偏
光に変換してから偏光ビームスプリッタ103に入射さ
せる。偏光変換装置102は、図2で示すように、複数
の偏光ビームスプリッタ素子をアレイ上に形成した偏光
ビームスプリッタアレイ1023を有する。ここで、フ
ライアイインテグレータ1022を射出し、偏光ビーム
スプリッタアレイ1023に入射する光の方向は一定方
向とは限られない。また、偏光ビームスプリッタアレイ
1023が有する複数の偏光分離膜PD自体が完全な偏
光分離特性を有しているとは限らない。このため、図2
に示す偏光変換装置102は、透過する偏光中にP偏光
に対して他の振動方向の光(S偏光)を10〜20パー
セント程度含んでしまう場合がある。
【0090】この場合、光源からの光のうちの短波長側
のS偏光成分は、初めに第2の誘電体群膜103PB
(基準設計波長λ2=600nm)を透過する。次に、
第1の誘電体群膜103PA(基準設計波長λ1=42
0nm)に入射し、反射する。従って、短波長側のS偏
光は、2層の誘電体多層膜103PA,103PBとの
相互作用による吸収が大きくなる。このため、上述した
ように吸収による発熱量が大きくなってしまう。そし
て、発熱量が大きくなると、熱応力によりプリズムを構
成するガラスが歪み、偏光ビームスプリッタの偏光状態
が乱れる。さらに、上記第1及び第2実施形態の構成に
おいて、偏光変換装置102を用いない場合は、光源か
らの照明光の半分はS偏光であるため、この問題がさら
に顕著に現れる。
【0091】本実施形態では、偏光変換装置102が完
全にP偏光に変換しない場合、又は偏光変換装置102
が無い場合でも、上記吸収による発熱の問題を防止する
ことができる。図12は、本実施形態の偏光ビームスプ
リッタ103の断面構成を示す図である。第1の直角プ
リズム103Aの所定面103Gに、第1波長領域(基
準設計波長λ1=420nm)のS偏光を反射する第1
の誘電体群膜503PAと、第1の誘電体群膜503P
Aの上に重ねて前記第1波長領域よりも長波長側の第2
波長領域(基準設計波長λ2=600nm)のS偏光を
反射する第2の誘電体群膜503PBとが物理蒸着によ
り形成されている。さらに、第2の誘電体群膜503P
Bに重ねて前記第2波長領域(λ2=600nm)より
も短波長側の第3波長領域(基準設計波長λ1=420
nm)のS偏光を反射する第3の誘電体群膜503PC
が物理蒸着により形成されている。そして、第2の直角
プリズム103Bは、第1の誘電体群膜503PAと第
2の誘電体群膜503PBと第3の誘電体群膜503P
Cとを介して、エポキシ系の接着剤層503Cにより第
1の直角プリズム103Aに接着(固着)されている。
なお、上述の偏光分離部103pは、第1の誘電体群膜
503PA,第2の誘電体群膜503PB,第3の誘電
体群膜503PCを総称したものをいう。
【0092】図13は、第1の誘電体群膜503PA、
第2の誘電体群膜503PB、第3の誘電体群膜503
PCの膜構成を示す図である。図13の左端の番号は、
第1の直角プリズム103A側から数えた各群膜を構成
する物質の順番を示している。番号1から19までが第
1の誘電体群膜503PA、番号20から38までが第
2の誘電体群膜503PB、そして番号39から57ま
でが第3の誘電体群膜503PCである。各膜を構成す
る物質は、上記第1実施形態で説明した物質(図4)と
同様であるので、重複する説明は省略する。
【0093】また、偏光ビームスプリッタ103の面1
03Fから完全なS偏光を入射させた場合、及び偏光ビ
ームスプリッタ103の面103Iから完全なS偏光を
入射させた場合に、偏光分離部103pで反射されるS
偏光成分の反射率特性は図5で示した反射率特性と同様
である。このように、本実施形態にかかる偏光ビームス
プリッタ103は、光源からの光LLSと、ライトバル
ブからの光LLVとの両方の光に対して広い波長帯域に
わたって良好な反射率特性を有することがわかる。
【0094】次に、本実施形態における偏光分離作用に
ついて図12に基づいて説明する。まず、光源101か
らの光LLSについて説明する。光源101(不図示)
からの光LLSは、第2の直角プリズム103Bの面1
03Iから入射する。そして、第2の直角プリズム10
3B内を直進し、面103Hから射出する。次に、光源
光LLSは、接着剤層503Cを透過し、第3の誘電体
群膜503PCに入射する。第3の誘電体群膜503P
Cは、光源光LLSのうち短波長側のS偏光LCを反射
する。第3の誘電体群膜503PCで反射された短波長
側のS偏光LCは、第2の直角プリズム103Bの面1
03Jから射出され、廃棄される。また、第3の誘電体
群膜503PCは、光源光LLSのうち長波長側のS偏
光を透過する。次に、第2の誘電体群膜503PBは、
光源光LLSのうち長波長側のS偏光LDを反射する。
第2の誘電体群膜503PBで反射されたS偏光LD
は、第2の直角プリズム103Bの面103Jから射出
され、廃棄される。また、光源光LLSのうちの長波長
側と短波長側のP偏光は、接着剤層503Cと、第1,
第2及び第3の誘電体群膜503PA,503PB,5
03PCとを透過する。次に、このP偏光は、第1の直
角プリズム103Aの面103Gから入射する。そし
て、第1の直角プリズム103A内を直進し、面103
Fから、不図示のプリズム104の方向へ射出される。
【0095】次に、各ライトバルブ107B,107
R,107Gからの混合光LLVについて説明する。混
合光LLVは、第1の直角プリズム103Aの面103
Fから入射する。第1の誘電体群膜503PAは、この
光LLVのうち短波長側の変調光(S偏光)LAを反射
する。第1の誘電体群膜503PAで反射された変調光
(S偏光)LAは、第1の直角プリズム103Aの面1
03Eから射出する。また、第1の誘電体群膜503P
Aは、混合光LLVのうち長波長側の変調光(S偏光)
を透過する。次に、第2の誘電体群膜503PBは、混
合光LLVのうち長波長側の変調光(S偏光)LBを反
射する。第2の誘電体群膜503PBで反射された長波
長側の変調光(S偏光)LBは、第1の直角プリズム1
03Aの面103Eから射出する。第1の直角プリズム
103Aの面103Eから射出した短波長側の変調光
(S偏光)LAと、長波長側の変調光(S偏光)LBと
は、投射レンズ(不図示)に入射する。そして、これら
変調光(S偏光)は、各ライトバルブ107B,107
R,107G上に生成された像としてスクリーンSC
(不図示)に投射される。
【0096】また、混合光LLVのうちの長波長側と短
波長側の非変調光(P偏光)は、第1,第2及び第3の
誘電体群膜503PA,503PB,503PC、及び
接着剤層503Cを透過する。次に、この非変調光(P
偏光)は、第2の直角プリズム103Bの面103Hか
ら入射する。そして、第2の直角プリズム103B内を
直進し、面103Iから射出され、廃棄される。
【0097】このように、各ライトバルブ107B,1
07R,107Gからの光LLVの短波長側のS偏光
と、光源101からの光LLSの短波長側のS偏光との
何れの光においても、初めに第1又は第3の誘電体群膜
503PA,503PC(基準波長λ1=420nm)
で反射される。このため、短波長側の光のうちのS偏光
が偏光分離部103p中を透過する光路を短くすること
ができる。この構成により、短波長のS偏光の誘電体群
膜との相互作用を減少させ、吸収に起因する発熱量を低
減できるという効果を奏する。よって、高い偏光分離比
を有し、使用波長の帯域幅が広い偏光ビームスプリッタ
が得られる。また、このビームスプリッタを備える投射
型表示装置用光学装置や投射型表示装置では、歪みが少
なく、高コントラストな投射像を得ることができる。
【0098】(第6の実施形態)第6の実施形態では、
図14に示す偏光ビームスプリッタ103を図1の投射
型表示装置に適用する例を説明する。
【0099】図14は、第6の実施形態にかかる偏光ビ
ームスプリッタの断面構成を示す図である。第1の直角
プリズム103Aの所定面103Gに、第1波長領域
(基準設計波長λ1=420nm)のS偏光を反射する
第1の誘電体群膜603PAと、第1の誘電体群膜60
3PAの上に重ねて前記第1波長領域よりも長波長側の
第2波長領域(基準設計波長λ2=600nm)のS偏
光を反射する第2の誘電体群膜603PBとが物理蒸着
により形成されている。この構成は上記第5実施形態と
同様である。そして、第2波長領域λ1よりも短波長側
の第3波長領域(基準設計波長λ1=420nm)のS
偏光を反射する第3の誘電体群膜603PCが第2の直
角プリズム103Bの面103Hに物理蒸着により形成
されている点が上記第5実施形態と異なる。第2の直角
プリズム103Bは、第1の誘電体群膜603PAと第
2の誘電体群膜603PBと、エポキシ系の接着剤層6
03Cと、第3の誘電体群膜603PCとを介して第1
の直角プリズム103Aに接着(固着)されている。な
お、上述の偏光分離部103pとは、第1の誘電体群膜
603PA,第2の誘電体群膜603PB,第3の誘電
体群膜603PCとを総称したものをいう。
【0100】本実施形態の膜構成とその反射率特性は上
記第5実施形態と同様である。本実施形態においても、
上記第5実施形態と同様に、光源101からの光LLS
は、初めに第3の誘電体群膜603PC(基準波長λ1
=420nm)で反射される。また、各ライトバルブ1
07B,107R,107Gからの混合光LLVは、初
めに第1の誘電体群膜603PA(基準波長λ1=42
0nm)で反射される。このため、短波長側の光のうち
のS偏光が偏光分離部103p中を透過する光路を短く
することができる。この構成により、短波長のS偏光の
誘電体群膜との相互作用を減少させ、吸収に起因する発
熱量を低減できるという効果を奏する。よって、高い偏
光分離比を有し、使用波長の帯域幅が広い偏光ビームス
プリッタが得られる。また、このビームスプリッタを備
える投射型表示装置用光学装置や投射型表示装置では、
歪みが少なく、高コントラストな投射像を得ることがで
きる。
【0101】(第7の実施形態)上記各実施形態の偏光
ビームスプリッタの製造方法について図3を例にして説
明する。
【0102】まず、第1群膜形成工程において、第1波
長領域(基準波長λ1=420nm)のS偏光を反射す
る第1の誘電体群膜103PAを第1の直角プリズム1
03Aの面103G上に物理蒸着により形成する。第2
群膜形成工程において、第1波長領域よりも長波長側の
第2波長領域(基準波長λ2=600nm)のS偏光を
反射する第2の誘電体群膜103PBを第1の誘電体群
膜103PA上に重ねて物理蒸着により形成する。そし
て、固着工程において、第1の誘電体群膜103PAと
第2の誘電体群膜103PBとが形成された第1の直角
プリズム103Aに、第1の誘電体群膜103PAと第
2の誘電体群膜103PBとを介して第2の直角プリズ
ム103Bをエポキシ系接着剤で接着(固着)する。
【0103】また、第5実施形態の図12で示した構成
の偏光ビームスプリッタを製造する場合は、さらに、第
2群膜形成工程の後の第3群膜形成工程において、第2
波長領域(基準波長λ2=600nm)よりも短波長側
の第3波長領域(基準波長λ1=420nm)のS偏光
を反射する第3の誘電体群膜503PCを第2の誘電体
群膜503PB上に重ねて物理蒸着により形成する。そ
して、固着工程において、第1の直角プリズム103A
に、第1の誘電体群膜103PAと第2の誘電体群膜1
03PBと第3の誘電体群膜103PCとを介して、第
2の直角プリズム103Bをエポキシ系接着剤で接着
(固着)する。
【0104】また、第6実施形態の図14で示した構成
の偏光ビームスプリッタを製造する場合は、さらに、第
2群膜形成工程の後の第3群膜形成工程において、第2
波長領域(基準波長λ2=600nm)よりも短波長側
の第3波長領域(基準波長λ1=420nm)のS偏光
を反射する第3の誘電体群膜603PCを第2の直角プ
リズム103B上に物理蒸着により形成する。そして、
固着工程において、第1の誘電体群膜603PAと第2
の誘電体群膜603PBと第3の誘電体群膜603PC
とを介して、第1の直角プリズム103Aと第2の直角
プリズム103Bとを接着(固着)する。
【0105】かかる工程によれば、高い偏光分離比を有
し、使用波長の帯域幅が広い偏光ビームスプリッタが得
られるという効果を奏する。
【0106】また、上述のように、上記各実施形態にお
いて、第1の誘電体群膜、第2の誘電体群膜、第3の誘
電体群膜は物理蒸着によりプリズムに形成される。物理
蒸着には、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテ
ィング等がある。
【0107】さらに、上記各実施形態では第1の直角プ
リズム103Aと第2の直角プリズム103Bとの固着
は、エポキシ系接着剤による接着により達成している。
しかし、これに限られるものはなく、紫外線硬化型接着
剤、又は可視光硬化型接着剤を用いることができる。紫
外線硬化型接着剤を用いた場合は、該接着剤を接着剤層
103PCとして塗布した後、両プリズム103Aと1
03Bとを貼り合わせる。そして、紫外線を照射するこ
とで硬化させる。また、可視光硬化型接着剤を用いた場
合は、該接着剤を接着剤層103PCとして塗布した
後、両プリズム103Aと103Bとを貼り合わせる。
そして、可視光を照射することで硬化させる。
【0108】加えて、第1の直角プリズム103Aと第
2の直角プリズム103Bとの固着は、例えば、第1の
実施形態において、第2の誘電体群膜103PBと第2
の直角プリズム103Bとの間の空気を抜いて、オプチ
カルコンタクトの状態で固着させても良い。これはま
た、第2〜第7の実施形態においても同様である。
【0109】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
構成を取り得ることはいうまでもない。
【0110】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高い偏光分離比を有し、使用波長の帯域幅が広い偏光ビ
ームスプリッタとその製造方法、及び歪みが少なく、高
コントラストな投射像が得られる投射像投射型表示装置
用光学装置、投射型表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態にかかる投射型表示装置
の概略構成を示す図である。
【図2】上記第1実施形態の偏光変換装置の構成を示す
図である。
【図3】上記第1実施形態の偏光ビームスプリッタの概
略構成を示す図である。
【図4】上記第1実施形態の偏光ビームスプリッタの膜
構成を示す図である。
【図5】上記第1実施形態の偏光ビームスプリッタの反
射率特性を示す図である。
【図6】従来の偏光ビームスプリッタの反射率特性を示
す図である。
【図7】本発明の第2実施形態の偏光ビームスプリッタ
の概略構成を示す図である。
【図8】本発明の第3実施形態にかかる投射型表示装置
の概略構成を示す図である。
【図9】上記第3実施形態の偏光変換装置の構成を示す
図である。
【図10】上記第3実施形態の偏光ビームスプリッタの
概略構成を示す図である。
【図11】本発明の第4実施形態の偏光ビームスプリッ
タの概略構成を示す図である。
【図12】本発明の第5実施形態の偏光ビームスプリッ
タの概略構成を示す図である。
【図13】上記第5実施形態の偏光ビームスプリッタの
膜構成を示す図である。
【図14】本発明の第6実施形態の偏光ビームスプリッ
タの概略構成を示す図である。
【図15】従来の偏光ビームスプリッタの概略構成を示
す図である。
【符号の説明】
101 光源 102,302 偏光変換装置 103 偏光ビームスプリッタ 103A,103B プリズム 103PA,103PB,203PA,203PB, 303PA,303PB,403PA,403PB, 503PA,503PB,503PC, 603PA,603PB,603PC 誘電体群膜 103C,203C,303C,403C,503C,
603C 接着剤層 103p 偏光分離部 104,105,106 各色用プリズム部材 107R,107G,107B, 307R,307G,307B 各色用反射型ライトバ
ルブ 108 投射レンズ SC スクリーン

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1プリズムの所定面に形成され第1波長
    領域のS偏光を反射する第1群膜と、前記第1群膜の上
    に重ねて形成され前記第1波長領域よりも長波長側の第
    2波長領域のS偏光を反射する第2群膜とを有する第1
    プリズムと、 前記第1群膜及び前記第2群膜を介して前記第1プリズ
    ムに固着される第2プリズムと、を有することを特徴と
    する偏光ビームスプリッタ。
  2. 【請求項2】前記第2群膜上に重ねて形成されて、前記
    第2波長領域よりも短波長側の第3波長領域のS偏光を
    反射する第3群膜をさらに有することを特徴とする請求
    項1に記載の偏光ビームスプリッタ。
  3. 【請求項3】前記第2プリズムの所定面に形成され、前
    記第2波長領域よりも短波長側の第3波長領域のS偏光
    を反射する第3群膜をさらに有し、 前記第2プリズムは前記第1群膜と前記第2群膜と前記
    第3群膜とを介して前記第1プリズムに固着されること
    を特徴とする請求項1に記載の偏光ビームスプリッタ。
  4. 【請求項4】前記第1群膜と前記第2群膜とは、蒸着に
    より前記第1プリズムに形成されることを特徴とする請
    求項1記載の偏光ビームスプリッタ。
  5. 【請求項5】前記第3群膜は、蒸着により前記第1プリ
    ズムに形成されることを特徴とする請求項2記載の偏光
    ビームスプリッタ。
  6. 【請求項6】前記第3群膜は、蒸着により前記第2プリ
    ズムに形成されることを特徴とする請求項3記載の偏光
    ビームスプリッタ。
  7. 【請求項7】光源からの光を偏光分離して射出する偏光
    分離光学系と、 画像信号に応じて入射光を変調するライトバルブからの
    射出光を入射面より入射し、検光して射出面より射出す
    る検光光学系とを有し、 前記検光光学系は、透明な光学部材の間に第1波長領域
    のS偏光を反射する第1群膜と、前記第1波長領域より
    も長波長側の第2波長領域のS偏光を反射する第2群膜
    とを有し、 前記第1群膜は前記第2群膜よりも前記検光光学系の入
    射面側に設けられていることを特徴とする投射型表示装
    置用光学装置。
  8. 【請求項8】前記偏光分離光学系は、前記光源からの光
    を偏光分離及び色分解する偏光分離・色分解光学系であ
    って、 前記ライトバルブは、前記偏光分離・色分解光学系を射
    出した各色光ごとに配置され、各色画像信号に応じて入
    射光を変調する複数のライトバルブであり、 前記検光光学系は、前記複数のライトバルブから射出し
    た光を色合成及び検光する色合成・検光光学系であっ
    て、 前記色合成・検光光学系はすべての前記ライトバルブに
    対して、前記第1群膜が前記第2群膜よりも前記ライト
    バルブ側に配置されていることを特徴とする請求項7に
    記載の投射型表示装置用光学装置。
  9. 【請求項9】前記色合成・検光光学系は、色合成した後
    に検光する光学系であることを特徴とする請求項8に記
    載の投射型表示装置用光学装置。
  10. 【請求項10】前記偏光分離光学系の機能と前記検光光
    学系の機能とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタを
    有し、 前記偏光ビームスプリッタと前記光源との間には、前記
    光源からの光をP偏光に変換する偏光変換装置が設けら
    れ、 前記偏光ビームスプリッタは、前記偏光変換装置の射出
    したP偏光を透過して前記ライトバルブへ射出すること
    を特徴とする請求項7に記載の投射型表示装置用光学装
    置。
  11. 【請求項11】前記偏光分離光学系の機能と前記検光光
    学系の機能とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタを
    有し、 前記偏光ビームスプリッタは、前記光源からのS偏光を
    反射して前記ライトバルブへ射出することを特徴とする
    請求項7に記載の投射型表示装置用光学装置。
  12. 【請求項12】前記偏光分離光学系の機能と前記検光光
    学系の機能とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタを
    有し、 前記偏光ビームスプリッタは、前記光源からのP偏光を
    透過して前記ライトバルブへ射出し、 前記検光光学系は、前記第1群膜と、前記第2群膜と、
    前記第2群膜を介して前記第1群膜と反対の位置に配置
    され前記第2波長領域よりも短波長側の第3波長領域の
    光を反射する第3群膜とを含むことを特徴とする請求項
    7に記載の投射型表示装置用光学装置。
  13. 【請求項13】光源からの光を偏光分離して射出する偏
    光分離光学系と、 画像信号に応じて入射光を変調するライトバルブからの
    射出光を検光する検光光学系とを有する投射型表示装置
    用光学装置において、 前記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを
    兼用する1つの偏光ビームスプリッタを有し、 前記偏光ビームスプリッタは、第1波長領域のS偏光を
    反射する反射膜と、前記第1波長領域よりも長波長側の
    第2波長領域のS偏光を反射する反射膜とを有し、 前記光源からの光と、前記ライトバルブからの光とが最
    初に前記第1波長領域のS偏光を反射する前記反射膜に
    入射することを特徴とする投射型表示装置用光学装置。
  14. 【請求項14】前記第1群膜と前記第2群膜とは、蒸着
    により前記検光光学系に形成されることを特徴とする請
    求項7記載の投射型表示装置用光学装置。
  15. 【請求項15】前記第3群膜は、蒸着により前記検光光
    学系に形成されることを特徴とする請求項12記載の投
    射型表示装置用光学装置。
  16. 【請求項16】前記反射膜は、蒸着により前記偏光ビー
    ムスプリッタに形成されることを特徴とする請求項13
    記載の投射型表示装置用光学装置。
  17. 【請求項17】照明光を供給する光源と、 前記光源からの照明光を偏光分離して射出する偏光分離
    光学系と、 画像信号に応じて入射光を変調するライトバルブと、 前記ライトバルブからの射出光を入射面より入射し、検
    光して射出面より射出する検光光学系と、 前記検光光学系の射出面側に配置され、前記ライトバル
    ブからの像を投射する投射光学系とを有し、 前記検光光学系は、透明な光学部材の間に第1波長領域
    のS偏光を反射する第1群膜と、前記第1波長領域より
    も長波長側の第2波長領域のS偏光を反射する第2群膜
    とを有し、 前記第1群膜は前記第2群膜よりも前記検光光学系の入
    射面側に設けられていることを特徴とする投射型表示装
    置。
  18. 【請求項18】前記偏光分離光学系は、前記光源からの
    光を偏光分離及び色分解する偏光分離・色分解光学系で
    あって、 前記ライトバルブは、前記偏光分離・色分解光学系を射
    出した各色光ごとに配置され、各色画像信号に応じて入
    射光を変調する複数のライトバルブであり、 前記検光光学系は、前記複数のライトバルブから射出し
    た光を色合成及び検光する色合成・検光光学系であっ
    て、 前記色合成・検光光学系はすべての前記ライトバルブに
    対して、前記第1群膜が前記第2群膜よりも前記ライト
    バルブ側に配置されていることを特徴とする請求項17
    に記載の投射型表示装置。
  19. 【請求項19】前記色合成・検光光学系は、色合成した
    後に検光する光学系であることを特徴とする請求項18
    に記載の投射型表示装置。
  20. 【請求項20】前記偏光分離光学系の機能と前記検光光
    学系の機能とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタを
    有し、 前記偏光ビームスプリッタと前記光源との間には、前記
    光源からの光をP偏光に変換する偏光変換装置が設けら
    れ、 前記偏光ビームスプリッタは、前記偏光変換装置の射出
    したP偏光を透過して前記ライトバルブへ射出すること
    を特徴とする請求項17に記載の投射型表示装置。
  21. 【請求項21】前記偏光分離光学系の機能と前記検光光
    学系の機能とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタを
    有し、 前記偏光ビームスプリッタは、前記光源からのS偏光を
    反射して前記ライトバルブへ射出することを特徴とする
    請求項17に記載の投射型表示装置。
  22. 【請求項22】前記偏光分離光学系の機能と前記検光光
    学系の機能とを兼用する1つの偏光ビームスプリッタを
    有し、 前記偏光ビームスプリッタは、前記光源からのP偏光を
    透過して前記ライトバルブへ射出し、 前記検光光学系は、前記第1群膜と、前記第2群膜と、
    前記第2群膜を介して前記第1群膜と反対の位置に配置
    され前記第2波長領域よりも短波長側の第3波長領域の
    光を反射する第3群膜とを含むことを特徴とする請求項
    17に記載の投射型表示装置。
  23. 【請求項23】照明光を供給する光源と、 前記光源からの照明光を偏光分離して射出する偏光分離
    光学系と、 画像信号に応じて入射光を変調するライトバルブと、 前記ライトバルブからの射出光を検光する検光光学系
    と、 前記検光光学系の射出側に配置され、前記ライトバルブ
    からの像を投射する投射光学系と、を有する投射型表示
    装置において、 前記偏光分離光学系の機能と前記検光光学系の機能とを
    兼用する1つの偏光ビームスプリッタを有し、 前記偏光ビームスプリッタは、第1波長領域のS偏光を
    反射する反射膜と、前記第1波長領域よりも長波長側の
    第2波長領域のS偏光を反射する反射膜とを有し、 前記光源からの光と、前記ライトバルブからの光とが最
    初に前記第1波長領域のS偏光を反射する前記反射膜に
    入射することを特徴とする投射型表示装置。
  24. 【請求項24】前記第1群膜と前記第2群膜とは、蒸着
    により前記検光光学系に形成されることを特徴とする請
    求項17記載の投射型表示装置。
  25. 【請求項25】前記第3群膜は、蒸着により前記検光光
    学系に形成されることを特徴とする請求項22記載の投
    射型表示装置。
  26. 【請求項26】前記反射膜は、蒸着により前記偏光ビー
    ムスプリッタに形成されることを特徴とする請求項23
    記載の投射型表示装置。
  27. 【請求項27】第1波長領域のS偏光を反射する第1群
    膜を第1プリズムに形成する第1群膜形成工程と、 前記第1波長領域よりも長波長側の第2波長領域のS偏
    光を反射する第2群膜を前記第1群膜上に重ねて形成す
    る第2群膜形成工程と、 前記第1群膜と前記第2群膜とが形成された前記第1プ
    リズムに、前記第1群膜と前記第2群膜とを介して第2
    プリズムを固着する固着工程とを有することを特徴とす
    る偏光ビームスプリッタの製造方法。
  28. 【請求項28】前記第2波長領域よりも短波長側の第3
    波長領域のS偏光を反射する第3群膜を前記第2群膜上
    に重ねて形成する第3群膜形成工程を更に有することを
    特徴とする請求項27記載の偏光ビームスプリッタの製
    造方法。
  29. 【請求項29】前記第2波長領域よりも短波長側の第3
    波長領域のS偏光を反射する第3群膜を前記第2プリズ
    ム上に形成する第3群膜形成工程を更に有し、 前記固着工程は、前記第1群膜と前記第2群膜と前記第
    3群膜とを介して、前記第1プリズムと前記第2プリズ
    ムとを固着する工程であることを特徴とする請求項27
    記載の偏光ビームスプリッタの製造方法。
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