JP2002198469A - モールドされた電子部品のための導体片の構成およびモールド方法 - Google Patents
モールドされた電子部品のための導体片の構成およびモールド方法Info
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
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- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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Abstract
フォームの分離平面に残る。***条が吸引針の係合する
ハウジング表面に延在する場合には、特に不利である。 【解決手段】 少なくとも一つの半導体要素が導電性導
体片上に配置され、その周囲に、モールド材料からなる
ハウジングが配設され、ハウジングの外側に導体片の部
分が残されるモールドされた電子部品のための製造方法
と導体片の構成。導体片の部分がある部分で拡幅され、
拡幅された部分が、後にハウジングとなるものまで直近
し、あるいは若干ハウジング中に突出さえして、***条
の形成を防止する。電子部品の分離平面が、吸引針が係
合するハウジングの表面を通過しているモールドされた
電子部品の生産に特に好適である。
Description
子部品を製造する技術に関し、特に少なくとも1つの半
導体要素が導電性の導体片(conductor strip)上に配
置され、該導体片と該少なくとも一つの半導体要素の周
囲に、モールド材料で形成されたハウジングが配設さ
れ、該ハウジングの外側に導体片の部分が残されている
モールドされた電子部品のための導体片の構成、ならび
に導電性導体片と一方の側に位置する接続ピンを備え、
該導体片がフレーム部分を備えるフレームを有し、該フ
レーム部分がモールドフォームの上部と下部の部分の間
の横方向境界を形成し、フレーム部分の径が実際のモー
ルドフォームの径よりも実質的にわずか大きい電子部品
のハウジングをモールドフォーム内でモールドする方法
に関する。
ばドイツ特許公報 DE 196 53 054 A1号で知られてい
る。かかるモールドされた電子部品において、半導体チ
ップ(光電子送信器、光電子受信器、信号処理用集積回
路)は、まず金属の導体片上に機械によって接着または
半田付けされて、その後に細い金またはアルミニウムの
ワイヤによって互いにまた導体片と接続される。
ップと導体片は、大半の場合に、例えば合成樹脂のよう
な熱可塑性材料によって封止され(包み込まれ)、それ
によってこの組立体を保護するためのハウジングが形成
される。
ォーム(mold form、モールド型)の上部と下部の部分の
間の分離平面中にモールド材料のエッジまたは突出部が
残る。そのエッジは「***条(ridge)」とも呼ばれ
る。後の工程で自動組立機の吸引針(suction needle、
吸引キャピラリ)が電子部品を取り上げて例えば印刷回
路基盤上にその電子部品を配置する。吸引針が配される
ハウジングの側面を***条が横断している場合には、隆
起条は特に不利である。
ず、外部の空気を大量に吸い込み、それにより、電子部
品を取り上げるための吸引保持力が不十分となる。さら
に、電子部品を取り上げる際に、電子部品が傾き、吸引
針上で傾斜し、一定の位置をとることができない。この
ために、許容しがたいほど多数の電子部品が、移送中に
失われたりあるいは不正確に配置されたりする。
することが試みられている。しかしながら、そのために
は非常に厳格な公差のモールド工具と、非常に正確な加
工と,追加の制御が要求される。しかしこれらの対策で
は,問題が真に解決されることなく、製造コストが著し
く増大する結果となる。
部品を自動組立機によって容易に取り上げて、また印刷
回路基盤上に位置決めすることが可能な、モールドされ
た電子部品のための導体片の構成を提供することであ
る。さらに、かかる電子部品をモールド成形する方法を
提供することも本発明の課題である。
題は請求項1に記載の導体片の構成と請求項5記載のモ
ールド方法によって解決される。
品は、モールド電子部品の製造中に特に厳密な公差が維
持される要なく、またその生産のために特別な工具が必
要とされることなく、自動組立機によって、それらを容
易に取り上げて、確実に保持し、かつ正確に位置決めす
ることができる。
面として使用されるハウジングの表面を、電子部品の分
離平面が通過している電子部品の生産に特に好適であ
る。
求項5のモールド成形方法の有利な形態が、従属項に記
載されている。
って説明する。
属板から公知の方法で打ち抜いた、またはエッチングさ
れた導体片1を示している。同じく打ち抜き、またはエ
ッチングによって、ボンディング表面3を有する多数の
接続ピン2と、電子または光電子半導体要素5a、5b
および5c用のアセンブリ表面4a、4bおよび4cが
形成されている。半導体要素5a、5bおよび5cは、
例えばハンダまたは導電性接着剤のような接着材料によ
って、導体片1のアセンブリ表面4a、4bおよび4c
に材料適合性良く付着されている。
半導体要素5bは、例えば光電子受信器、また半導体要
素5cは、例えば光電子受信器5bによる電気信号出力
を処理するための集積回路である。半導体要素5a、5
bおよび5cは、アルミニウムまたは金合金で作られる
細いボンディングワイヤ6によって相互に、または接続
ピン2のボンディング表面3に接続されている。
ム部8.1と8.2を備えるフレーム8を有する。フレ
ーム部8.2は丸い穴の形の位置決めおよび移送用の開
口部7を有しており、フレーム部8.1は細長い穴の形
の開口部9と、開口部9の間に位置する接続部(land)
21を有している。さらにフレーム部8.1は拡張部
(拡幅部)10を有する。開口部9と接続部21と拡張
部10の意味と目的は以下に説明する。
フォームの上部と下部の部分の間に配置される。本図に
おいて、その内部境界8′は、モールドフォームによっ
て製造される、後のハウジング12(図2a、2b)よ
りもわずかに大きな径を有しているので、モールドフォ
ーム本体(キャビティ)の周囲を巡ることになる。
ける、図1に示される組立体から構成される、指向性の
ある双方向光データ伝送用の未完成の電子部品11を示
している。かかる電子部品11は(送信器および受信器
を有するため)トランシーバ(送受信器)とも呼ばれて
いる。保護用ハウジング12を製造するために、半導体
要素5a―5c(図1)とボンディングワイヤ6(図
1)は、モールド工程によって、(特定の波長帯に対し
て透明な)合成樹脂のような熱可塑性材料によって包み
込まれる。
からなる。すなわち凹部13(後に接続ピン2がその内
に収容される、図4)を有する第1のハウジング部12
aと、第2のハウジング部12bである。接続ピン2が
位置する、2つのハウジング部12aと12bの間の平
面から、まだ除去されていない導体片1の部分が突出し
ている。第1のハウジング12aは、印刷回路基盤に面
する電子部品11の側(組み立て側)であり、第2のハ
ウジング12bは、送信器5aまたは受信器5b(図
1)の前にレンズとして配される2つの膨らみ14aと
14bを含む。
11のその後の生産工程における側面図(一部断面を示
す)を示している。導体片1のもはや必要とされていな
い部分は、打ち抜きまたは切断によって除去されてい
る。それにより例えば、接続ピン2は最終的な長さに短
縮されている。
1のフレーム8は、ハウジング12に対して距離を有す
ることが特徴である。そのため、モールド中に、モール
ド材料の***条(合成樹脂)が形成される。***条は後
に大変手間と費用をかけて、若干減らすことはできるが
完全に取り除くことはできず、それにより組立機により
取り上げる場合に大きな障害を生じる(図5)。
部境界8′を有するフレーム8が後にハウジング12と
なる区域に直近している。後にハウジング12となる区
域内に若干突出さえしている。それによりこの点での隆
起条の形成が防止される。これが、フレーム部8.1の
拡張部10の目的である。
ら、電子部品11を例えば小型のてこ式プレス機でせん
断加工して取り出す際に、ハウジング12中に突出して
いる可能性のある導体片1の拡張部10に妨げられた
り、ハウジング12がそれにより損傷することがないよ
うに、導体片1は保持装置15により、フレーム部8.
1の区域で保持され、フレーム部8.1は例えば、打ち
出し(emboss)加工によって機械的に再成形されて、例
えば本図においてV型の玉縁(bead)状の形で示されて
いる変形部16が形成される。
開口部9を備えることが有利である。これらの細長い穴
9は、フレーム部8.1の材料の強度を低めて、正確に
これらの細長い穴9の間の接続部21に沿って弱い力で
変形部16を形成することができる。
部8.1はハウジング12から引き離され(理想的な場
合)、または、理想的でない場合には、ハウジング12
から抜き出され、その部分で狭くかつ平坦な凹部(溝)
17を作り出す。この分野の当業者は、本図に示される
V型玉縁に代えて、例えば、U型の玉縁またはいかなる
形にせよ、その他の機械的な変形部16を作り出すこと
が可能であり、それによりフレーム部8.1が変形され
て、フレーム部8.1とハウジング12の間に中間的な
空隙を生み出すことが可能なことを理解しよう。
グ12がまさに接触寸前の状態が理想的な場合である。
理想的でない場合には、フレーム部8.1の拡張部が若
干幅広く、あるいはハウジング12がモールド加工中に
若干位置がずれたり、あるいは若干サイズが大きめに作
られた場合であって、その場合にはフレーム部8.1は
拡張部10でハウジング12の中にわずかに突出するで
あろう。変形部16を作る際に、フレーム部8.1をハ
ウジング12から抜き出すことにより、上記の凹部17
がハウジング12中に作り出される。
「外観不良」を示すにすぎず、それ以上の悪影響を持つ
ことはない。すなわち、凹部17があったとしても、吸
引針18(図4)はハウジング12にぴったりと接触
し、またハウジング12の関連する表面を横断する細い
平らなチャンネルの効果を有する凹部17は、非常にわ
ずかな量の外気を吸い込むのみである。これにより、か
かる電子部品11が吸引針18によって取り上げられる
力にほとんど認識できない低下が生ずるのみである。電
子部品11の傾きは何ら発生しない。
した電子部品11を示している。接続ピン2は、折り曲
げられて凹部13中に突出している。ハウジング12の
外に配設された導体片1の残りの部分、特にフレーム8
は除去されている。これで、自動組立機(本図に図示せ
ず)の吸引針18は、吸引によって電子部品11を、ハ
ウジング12の組立側に対向する滑らかな表面域上で何
らの問題もなく取り上げて、しっかりと保持し、かつ該
電子部品を例えば存在しうる凹部17の何ら悪影響もな
く印刷回路基盤上に正確に位置決めすることができる。
電子部品20を示している。組立側に対向する表面上に
ある***条19は、モールド作業中にハウジング部分1
2aと12bの間のモールドフォームの分離領域に形成
され、***条19は吸引針18とハウジング12との間
に距離を生じさせて、そのために電子部品20は全く保
持されないか、または保持力が低下するか、または傾い
た姿勢でのみ保持されるかである。許容できないほど多
数の場合において、電子部品20は吸引針18上に傾い
た姿勢をとり、例えばここに示される悪い位置23また
は24の1つをとり、それにより印刷回路基盤上に不正
確に配置され、その結果人手による従って高価な手直し
作業を必要とする。さらに、他の場合にはしばしば、電
子部品20が取り上げられないか、または移送中に失わ
れてしまう。
が、本発明はこれに制限されるものではない。たとえ
ば、種々の変形、改良、組合わせ等が可能なことは当業
者に自明であろう。
の吸引針が係合する面として作用する、電子部品の面を
***条なしで生産することが可能となる。
組立体の平面図。
ールドされたハウジングを有する電子部品の平面図。図
2b:図2aに示す電子部品の側面図。
bに示す電子部品の側面図。
部品の完成品。
Claims (13)
- 【請求項1】 少なくとも一つの半導体要素(5a−5
c)が導電性導体片(1)上に配置され、かつ該導体片
(1)と該少なくとも一つの半導体要素(5a−5c)
の周囲に、モールド材料からなるハウジング(12)が
配設され、該ハウジング(12)の外側に導体片(1)
の部分(8)がいまだ残されているモールドされた電子
部品(11)のための導体片の構成であって、導体片
(1)のフレーム部分(8.1)が拡張部(10)を有
し、導体片(1)の拡張された部分(8.1)が後のハ
ウジング(12)にじかに近接し、あるいはハウジング
(12)中に若干突出さえして、ハウジング(12)上
にモールド材料の***条(19)が形成されることを防
止する、モールドされた電子部品のための導体片の構
成。 - 【請求項2】 導体片(1)の拡張された部分(8、
8.1)が、開口部(9)を有する請求項1記載の導体
片の構成。 - 【請求項3】 接続部(21)が開口部(9)の間に配
置されている請求項1または2記載の導体片の構成。 - 【請求項4】 開口部(9)が細長い穴の形をしている
請求項2または3記載の導体片の構成。 - 【請求項5】 電子部品(11)が導電性導体片(1)
と一方の側に位置する接続ピン(2)を備え、かつ導体
片(1)がフレーム部分(8.1、8.2)を備えるフ
レーム(8)を有し、フレーム部分がモールドフォーム
の上部と下部の間の横方向境界を形成し、フレーム部分
の径が実際のモールドフォームの径よりも実質的にわず
かに大きい電子部品(11)のハウジング(12)をモ
ールドフォーム内でモールドする方法であって、フレー
ム部分(8.1)が、モールドフォームにじかに近接
し、あるいはモールドフォーム中に若干突出さえする拡
張部(10)を有し、ハウジング(12)上にモールド
材料の***条(19)が形成されることを防止する、方
法。 - 【請求項6】 少なくとも一つの半導体要素(5a−5
c)が、ハンダまたは導電性接着剤によって、導体片
(1)上に実装される請求項5記載の方法。 - 【請求項7】 少なくとも一つの半導体要素(5a−
c)と導体片(1)が、アルミニウムまたは金合金で作
られたボンディングワイヤ(6)によって導電的にコン
タクトされる請求項5または6記載の方法。 - 【請求項8】 ハウジング(12)が特定の波長帯につ
いて透明な合成樹脂によって製造される請求項5から7
のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項9】 後の生産工程において、ハウジング(1
2)までじかに到達し、あるいは若干その中に突出さえ
している、導体片(1)の拡張部(10)が、機械的に
変形されて、ハウジング(12)から離されあるいは、
抜き出される請求項5から8のいずれか1項記載の方
法。 - 【請求項10】 導体片部分(8.1)の機械的変形が
変形部(16)の打ち出し加工によって実現される請求
項9記載の方法。 - 【請求項11】 変形部(16)の打ち出し加工が導体
片(1)の部分(8.1)中に開口部(9)を備えるこ
とによって容易にされる請求項10記載の方法。 - 【請求項12】 変形部(16)が玉縁状に製造される
請求項9から11のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項13】 変形部(16)がV型の玉縁状に製造
される請求項9から12のいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10058608A DE10058608A1 (de) | 2000-11-25 | 2000-11-25 | Leiterstreifenanordnung für ein gemouldetes elektronisches Bauelement und Verfahren zum Moulden |
DE10058608.2 | 2000-11-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002198469A true JP2002198469A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=7664672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001358742A Pending JP2002198469A (ja) | 2000-11-25 | 2001-11-26 | モールドされた電子部品のための導体片の構成およびモールド方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6653564B2 (ja) |
EP (1) | EP1209743A3 (ja) |
JP (1) | JP2002198469A (ja) |
DE (1) | DE10058608A1 (ja) |
TW (1) | TW538517B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028699A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
US7615633B2 (en) * | 2003-05-09 | 2009-11-10 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device and platinum compound |
US7030504B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-18 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Sectional molding system |
JP4641762B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2011-03-02 | シャープ株式会社 | 光半導体装置 |
JP4210240B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2009-01-14 | ローム株式会社 | 光通信モジュール |
US7579093B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-08-25 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
JP4531509B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-08-25 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
US20060073360A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US7754346B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-07-13 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
US8147986B2 (en) * | 2005-09-30 | 2012-04-03 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent device |
US8672732B2 (en) * | 2006-01-19 | 2014-03-18 | Schneider Electric It Corporation | Cooling system and method |
DE102006022277B4 (de) | 2006-05-11 | 2010-03-11 | Deutsche Post Ag | Sauggreifer |
JP2008109085A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5571047A (en) | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Lead frame for resin mold |
US4309605A (en) | 1979-10-02 | 1982-01-05 | New Japan Radio Co., Ltd. | Photo-reflective sensor |
JPS62149174A (ja) | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Seiko Epson Corp | 光半導体装置 |
JPS63306647A (ja) | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Rohm Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2580740B2 (ja) | 1988-10-13 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | リードフレーム |
US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
JPH02137253A (ja) | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5349136A (en) | 1989-08-02 | 1994-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mold tool assembly |
JPH03175658A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
US5122893A (en) | 1990-12-20 | 1992-06-16 | Compaq Computer Corporation | Bi-directional optical transceiver |
JPH05109962A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | リードフレーム |
DE4212948A1 (de) | 1992-04-18 | 1993-10-21 | Telefunken Microelectron | Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul |
JP2838948B2 (ja) * | 1992-09-04 | 1998-12-16 | 日本電気株式会社 | リードフレーム |
KR0149798B1 (ko) | 1994-04-15 | 1998-10-01 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치 및 그 제조방법과 리드프레임 |
JPH088280A (ja) | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Omron Corp | 電子部品及びその製造方法 |
US5506445A (en) | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
KR960043135A (ko) | 1995-05-01 | 1996-12-23 | 엘리 웨이스 | 성형된 캡슐화 전자 구성요소 및 그의 제조 방법 |
US5640746A (en) * | 1995-08-15 | 1997-06-24 | Motorola, Inc. | Method of hermetically encapsulating a crystal oscillator using a thermoplastic shell |
EP0823719B1 (en) | 1996-07-26 | 2002-06-05 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor having pre-plated lead terminals and manufacturing process thereof |
DE19653054A1 (de) * | 1996-12-19 | 1998-07-02 | Telefunken Microelectron | Optoelektronisches Bauelement zur Datenübertragung |
DE19653793C2 (de) | 1996-12-21 | 1999-11-18 | Vishay Semiconductor Gmbh | Transceiver Bauelement zur optischen Datenübertragung |
DE19727633C2 (de) | 1997-06-28 | 2001-12-20 | Vishay Semiconductor Gmbh | Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen, optischen Datenübertragung |
DE19727632C2 (de) | 1997-06-28 | 1999-10-28 | Vishay Semiconductor Gmbh | Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung |
DE19755734A1 (de) | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
DE19808004A1 (de) | 1998-02-26 | 1999-09-09 | Vishay Semiconductor Gmbh | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
WO1999052149A1 (de) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Infineon Technologies Ag | Verwendung der baulichen beschaffenheit eines elektronischen bauteils als referenz bei der positionierung des bauteils |
US6335548B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
DE19845703C2 (de) * | 1998-10-05 | 2000-11-23 | Vishay Semiconductor Gmbh | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
JP3553405B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2004-08-11 | ローム株式会社 | チップ型電子部品 |
-
2000
- 2000-11-25 DE DE10058608A patent/DE10058608A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-11-06 EP EP01126264A patent/EP1209743A3/de not_active Withdrawn
- 2001-11-20 US US09/991,348 patent/US6653564B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-23 TW TW090129011A patent/TW538517B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-26 JP JP2001358742A patent/JP2002198469A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028699A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1209743A2 (de) | 2002-05-29 |
EP1209743A3 (de) | 2005-06-01 |
TW538517B (en) | 2003-06-21 |
US6653564B2 (en) | 2003-11-25 |
US20020062976A1 (en) | 2002-05-30 |
DE10058608A1 (de) | 2002-05-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A02 | Decision of refusal |
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