JP2002223004A - パッケージ成形体と発光装置 - Google Patents
パッケージ成形体と発光装置Info
- Publication number
- JP2002223004A JP2002223004A JP2001018509A JP2001018509A JP2002223004A JP 2002223004 A JP2002223004 A JP 2002223004A JP 2001018509 A JP2001018509 A JP 2001018509A JP 2001018509 A JP2001018509 A JP 2001018509A JP 2002223004 A JP2002223004 A JP 2002223004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead electrode
- light emitting
- positive
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
形体との密着力をより強くでき、より信頼性の高い面実
装タイプの発光装置を提供する。 【解決手段】 発光素子チップを収納する凹部14と正
と負のリード電極21,22とを有し、凹部の底面にお
いて正のリード電極と負のリード電極とが所定の間隔を
隔てて露出するように正のリード電極及び負のリード電
極が成形樹脂10により一体成形されてなるパッケージ
成形体において、凹部の底面に、正のリード電極と上記
負のリード電極の間の他に、左右対称に成形樹脂が露出
されてなる樹脂露出部21a,22aを少なくとも1対
設けた。
Description
ケージ成形体とそのパッケージ成形体を用いた発光装置
に関する。
実装タイプの発光装置がリードタイプの発光装置に代え
て多く使用されるようになって来ている。この面実装タ
イプの発光装置は、パッケージ成形体の凹部に発光素子
チップが設けられ、その発光素子チップを覆うように透
光性樹脂を充填することにより構成される。ここで、パ
ッケージ成形体は、正及び負のリード電極が凹部の底面
に露出されるように成形樹脂で一体成形されている。
実装タイプの発光装置がより広く使用されるようになる
と、より厳しい環境条件に耐え得る発光装置が望まれる
が、厳しい環境条件における使用を考えると、従来の面
実装タイプの発光装置は、凹部に充填された透光性樹脂
とパッケージ成形体との密着力が十分でないという問題
点があった。
性樹脂との密着力をより強くできるパッケージ成形体
と、凹部に充填された透光性樹脂とパッケージ成形体と
の密着力をより強くでき、より信頼性の高い面実装タイ
プの発光装置を提供することを目的とする。
めに、本発明に係る発光装置用のパッケージ成形体は、
発光素子チップを収納する凹部と正と負のリード電極と
を有し、上記凹部の底面において上記正のリード電極と
上記負のリード電極とが所定の間隔を隔てて露出するよ
うに上記正のリード電極及び上記負のリード電極が成形
樹脂により一体成形されてなるパッケージ成形体におい
て、上記凹部の底面に、上記正のリード電極と上記負の
リード電極の間の他に、上記成形樹脂が露出されてなる
少なくとも一対の樹脂露出部が、上記凹部の縦軸に対し
て左右対称に設けられたことを特徴とする。このように
構成されたパッケージ成形体は、発光素子チップを上記
凹部に設け、透光性樹脂を上記凹部に充填した時に、凹
部の底面において縦軸に対して左右対称に設けられた上
記一対の樹脂露出部の樹脂と透光性樹脂とを接合できる
ので、上記樹脂露出部を設けない場合及び樹脂露出部を
左右対称に設けていない場合に比較して、該透光性樹脂
とパッケージ成形体との接合強度を強くできる。これに
より、本発明に係る発光装置用のパッケージ成形体は、
例えば、気化膨張等に起因する上記透光性樹脂と上記パ
ッケージ成形体との界面の剥離を効果的に防止すること
ができる。また、本発明に係る発光装置用のパッケージ
成形体では、樹脂露出部が、上記凹部の縦軸に対して左
右対称に設けられているので発光装置の指向特性を左右
対称にできる。また、この樹脂露出部は正又は負の電極
リードに切り込み等を形成してその切り込み等の内部に
成形樹脂が充填されているので、正又は負の電極リード
と成形樹脂とを強固に固定でき、正又は負の電極リード
と成形樹脂との剥離も防止できる。これにより、本発明
に係る発光装置用のパッケージ成形体によれば、指向特
性を左右対称にでき、かつ従来例に比較してより厳しい
使用環境にも耐えることができる信頼性の高い発光装置
を構成できる。
ジ成形体においては、パッケージ成形体における正及び
負の電極リードと成形樹脂とをより強固に固定しかつ透
光性樹脂とパッケージ成形体との接合強度をよりいっそ
う強くするために、上記樹脂露出部は、上記正のリード
電極側と上記負のリード電極側とにそれぞれ少なくとも
1対設けられることが好ましい。
係る発光装置用のパッケージ成形体と、該パッケージ成
形体の上記凹部に設けられた発光素子チップとを備え、
該発光素子チップが上記凹部内で透光性樹脂によってモ
ールドされてなる。このように構成された本発明に係る
発光装置は、上記凹部の底面の樹脂露出部の樹脂と透光
性樹脂とを接合できるので、該透光性樹脂とパッケージ
成形体との接合強度をより強くできる。これにより、本
発明に係る発光装置は、従来例に比較して、より厳しい
使用環境にも耐えることができ、信頼性をより高くでき
る。
発光装置について説明する。本発明に係る実施の形態の
発光装置は、以下のように構成される。本実施の形態の
発光装置において、パッケージ成形体1は、例えば図1
(a)に示すように、正のリード電極21と負のリード
電極22とが成形樹脂10によって一体成形されて作製
される。詳細に説明すると、パッケージ成形体1の上面
には、発光素子チップ30を収納する凹部14が形成さ
れ、その凹部14の底面には、正のリード電極21と負
のリード電極22とが互いに分離されてそれぞれの一方
の主面が露出するように設けられる。尚、本明細書にお
いて、パッケージ成形体1の上面とは、発光素子チップ
が載置される側の面をいい、下面とは実装基板に対向す
る面のことをいう。
ード電極22の一端とは凹部14の底部において互いに
対向するように設けられ、正のリード電極21の一端と
負のリード電極22の一端との間には成形樹脂が充填さ
れ、凹部14の底面が形成される。また、パッケージ成
形体1において、正のリード電極21の他端と負のリー
ド電極22の他端とは、パッケージ成形体1の端面から
突き出すように設けられ、その突き出した部分が図1
(b)に示すようにパッケージ成形体1の下面である接
合面の内側に折り曲げられて正負の接続端子部が構成さ
れる。
は、パッケージ成形体1の接合面において、折り曲げら
れた正のリード電極21の他端に沿って第1凸部11が
成形樹脂10と一体で形成され、折り曲げられた負の電
極リード22の他端に沿って第2凸部12が成形樹脂1
0と一体で形成されたことを特徴とし、これにより実施
の形態の発光装置を基板上に実装する際のはんだ付け不
良を低減している。また、本実施の形態の発光装置にお
いて、第1凸部11と第2凸部12は互いに同一形状で
かつ断面形状が方形又は台形になるように形成すること
が好ましい。さらに、正負の電極リードの実装基板に対
向する外表面と第1凸部11及び第2凸部12の実装基
板の外表面とは、それぞれが実装基板と接触するよう
に、実質的に同一平面上に位置するように構成されるこ
とが好ましい。以上のように構成されたパッケージ成形
体1の凹部14に、発光素子チップが設けられれ、凹部
14内に発光素子チップを覆うように透光性樹脂が充填
されて実施の形態の発光装置は構成される。
について説明する。 (ステップ1)本製造方法において、ステップ1ではま
ず、例えば、0.15mm厚の鉄入り銅からなる長尺金
属板をプレスを用いた打ち抜き加工により各パッケージ
成形体の正負のリード電極となる複数の部分を形成す
る。ここで、本実施の形態において、プレスの打ち抜き
方向(ダイに対してポンチを移動させる方向)は、後述
の射出成形において、成形樹脂を流す方向と一致させ
る。
成形体に対応する部分において、正のリード電極21
は、成形後の凹部14の底面においてその一端面が負の
リード電極22の一端面と対向するように負のリード電
極22とは分離されている。また、正のリード電極21
には、成形樹脂との結合強度を強くするために、正のリ
ード電極21の一端面に垂直な中心線を軸とする開口部
が形成され、負のリード電極22には、成形樹脂との結
合強度を強くするために、負のリード電極22の一端面
に垂直な中心線を軸とする開口部が形成されている。こ
の開口部はパッケージ成形体の端部の内側と外側に跨っ
て位置するように設けられ、正と負のリード電極21,
22と成形樹脂との結合強度を強くするとともに、パッ
ケージ成形体1の端面から突き出した正のリード電極2
1と負のリード電極22とを、パッケージ樹脂に大きな
力がかからないように端子構造がJ−ベンド(Ben
d)構造になるように曲げることができる。さらに、正
のリード電極21にはその一端面に垂直な中心線に対し
て左右対称の位置に2つの切り込み又は開口部が形成さ
れ、負のリード電極22にはその一端面に垂直な中心線
に対して左右対称の位置に2つの切り込み又は開口部が
形成されている。この正の電極リード及び負の電極リー
ドにおいて左右対称の位置に形成された切り込み又は開
口部は、射出成形後にそれぞれ切り込みの先端部分又は
開口部が凹部14の底面に位置するような深さ又は位置
に形成される。ここで、本実施の形態では、正のリード
電極21の一端面に垂直な中心線と負のリード電極22
の一端面に垂直な中心線は互いに一致させ、その中心線
が凹部14の縦軸(本明細書において、凹部14の直交
する2つの軸のうちの上記中心軸と一致させる一方の軸
を便宜上、縦軸と称し、他方の軸を横軸と称する。)と
一致するように樹脂成形される。
1で打ち抜き加工した長尺金属板を、Agメッキを施し
た後、成形金型内にセットして、射出成形により各パッ
ケージ成形体に対応する部分にそれぞれ成形樹脂部10
を形成する。
成形するための成形金型は、(1)成形樹脂部10にお
いて、ゲートの両側の接合面に峰状の第1凸部11と第
2凸部12が形成されるように、(2)成形樹脂部10
において、接合面と反対側の面に、発光素子チップを収
納するための凹部14がパッケージ成形体の縦軸に対し
て対称に形成されるように、(3)凹部14の底面に、
互いに分離された正のリード電極21と負のリード電極
22が露出し、かつ正のリード電極21と負のリード電
極22の間に成形樹脂が充填されるように、(4)凹部
14の底面に位置する正のリード電極21において、凹
部14の縦軸に対して対称に2つの樹脂露出部21aが
形成され、凹部14の底面に位置する負のリード電極2
2において、凹部14の縦軸に対して対称に2つの樹脂
露出部22aが形成されるように、作製される。
ゲートは、樹脂がパッケージ成形体1の接合面側から注
入されるように接合面における第1凸部11と第2凸部
12の間の位置に設けられ、成形金型において、プレス
加工された長尺金属板は、プレスの打ち抜き方向と成形
金型内に樹脂を注入する方向とが一致するように設けら
れる。このように、本実施の形態では、パッケージ成形
体1を作製する時に、プレスの打ち抜き方向と樹脂を注
入する方向を一致させることにより、正及び負のリード
電極21,22の一端面21ef,22efにより形成
される空間に隙間なく充填することができ、注入される
成形樹脂の一方の主面21f1,22f1上への流出を
阻止することができる。
受側の金型であるダイを正及び負のリード電極21,2
2の一方の表面21f1,22f1に接するように長尺
金属板201をセットし、ポンチを正及び負のリード電
極21,22の他方の表面21f2,22f2側から移
動させて打ち抜いているので、正と負のリード電極2
1,22はそれぞれ、他方の主面21f2,22f2と
一端面21ef,22efとの交わる端部21e,22
eの内角θが鈍角になる(図4(a))。これにより、
図4(a)において矢印で示す方向から注入される成形
樹脂は、端部21e,22eにおいて流れが阻害される
ことがないので、底面14fに対応して形成された成形
金型の面と正及び負のリード電極21,22の一端面2
1ef,22efにより形成される空洞に隙間なく充填
することができる。また、プレス打ち抜き加工におい
て、上述のようにポンチを正及び負のリード電極21,
22の他方の表面21f2,22f2側から移動させて
打ち抜いているので、正と負のリード電極21,22は
それぞれ、一方の主面21f1,22f1と一端面21
ef,22efとの交わる端部にバリ21h,22hが
形成される(図4(a))。このように、一方の主面2
1f1,22f1と一端面21ef,22efとの交わ
る端部の内角が鋭角になるように盛りあがったバリ21
h,22hが形成されるので、注入される成形樹脂の一
方の主面21f1,22f1上への流出を、バリ21
h,22hにより阻止することができ、発光素子のダイ
ボンディング不良及びワイヤボンディング不良を防止で
きる。また、本発明において、一端面21ef,22e
fにより形成される空洞に注入される樹脂は、その注入
された樹脂の上面が一方の主面21f1,22f1と略
同一平面上に位置するようにすることが好ましい。この
ようにすると、透光性樹脂41を形成したときに、その
透光性樹脂41にバリ21h,22hがくい込むような
状態にでき、これにより、透光性樹脂41とパッケージ
成形体1との接合を強くできる。
脂を注入する方向を逆にした場合には、図4(b)にお
いて矢印で示す方向から注入される成形樹脂は、バリ2
1h,22hが形成された端部において樹脂の流れが阻
害され、バリ21h,22hの近傍に空洞21g,22
gが形成され、正負の電極リードと成形樹脂とが剥がれ
やすくなる等の問題が生じる。さらに、端部21e,2
2eの角θが鈍角になるので、図4(b)において矢印
で示す方向から注入される成形樹脂は、凹部の底面にお
いて端部21e,22eから表面21f2,22f2上
に流出し易くなり、図4(b)に示すように、凹部14
の底面において、正の電極リード21の表面21f1上
と負の電極リード22の表面22f1上とに成形樹脂が
流出するという問題があり、ボンディング不良の原因と
なるという問題がある。
(a)(b)に示すように、凹部14の底面に露出した
負のリード電極22上に、発光素子チップ30を設け、
そのn電極33と負のリード電極22とをワイヤボンデ
ィングにより接続し、p電極34と正のリード電極21
とをワイヤボンディングにより接続する。ここで、発光
素子チップ30は、例えば、青色の発光が可能な窒化ガ
リウム系化合物半導体素子であり、該素子は、例えばサ
ファイア基板31上にn型層、活性層及びp型層を含む
窒化物半導体層32が形成され、活性層及びp型層の一
部を除去して露出させたn型層の上にn電極33が形成
され、p型層の上にp電極34が形成されてなる。
に、発光素子チップ30を覆うように透光性樹脂41が
充填される。本実施の形態では、パッケージ成形体1の
凹部14の底面14fに、正のリード電極21に形成さ
れた切り込みの先端部又は開口部を介して成形樹脂が凹
部14の底面14fに露出し、負のリード電極22に形
成された切り込みの先端部又は開口部を介して成形樹脂
が凹部14の底面14fに露出しているので、露出した
成形樹脂と透光性樹脂とが強固に接合され、透光性樹脂
41とパッケージ成形体1との接合を強くできる。特
に、本実施の形態においては、凹部14の底面14fに
位置する正のリード電極21にパッケージの縦軸に対し
て左右対称に2つの樹脂露出部21aが形成され、凹部
14の底面14fに位置する負のリード電極22にパッ
ケージの縦軸に対して左右対称に2つの樹脂露出部22
aが形成されているので、左右対称の配置をとらない場
合に比較して、透光性樹脂41とパッケージ成形体1と
の接合をより強くできる。また、本実施の形態において
は、凹部14の縦軸に対して左右対称に2つの樹脂露出
部21aが形成され、凹部14の縦軸に対して左右対称
に2つの樹脂露出部22aが形成されているので、左右
対称の指向特性が得られる。
子に分離する。 (ステップ6)ステップ6では、図1(b)に示すよう
に、パッケージ成形体1の端面から突き出した正のリー
ド電極21と負のリード電極22とを、図1(b)に示
すようにパッケージ成形体1の接合面の内側に折り曲げ
て、J−ベンド(Bend)型の正負の接続端子部を構
成する。尚、本発明の接続端子部の構造は、J−ベンド
(Bend)型に限られるものではなく、ガルウィング
型等の他の構造であってもよい。 以上のようなステップで本実施の形態の発光装置は作製
される。
発光装置は、図3に示すように、実装基板60の上に以
下のようにして面実装される。最初に、本実施の形態の
発光装置において、接合面における第1凸部11と第2
凸部12の間に仮固定用の熱硬化性樹脂52をディスペ
ンサーにより塗布し、実装基板60上に、正のリード電
極21と正の電極パターン61とが対向し、負のリード
電極22と負の電極パターン62とが対向するように、
本実施の形態の発光装置を載置する。次に、棒状ヒータ
ー又はパネルヒーター等により予備加熱を行い、熱硬化
性樹脂52を硬化させることにより仮固定する(予備加
熱工程)。そして、実装基板60を発光装置が仮固定さ
れた面を下にして、その面を加熱溶融した半田浴に浸漬
させることにより半田付けを行う。半田付け後、冷却す
る。
装置は、パッケージ成形体1の接合面に第1凸部11と
第2凸部12を設けているので、仮固定用の樹脂52を
ディスペンサーにより塗布して実装基板に仮固定したと
きに、はんだ付け部分に樹脂52が付着することを防止
でき、実装時におけるはんだ付け不良を防止できる。
る発光装置用のパッケージ成形体は、上記凹部の底面
に、上記正のリード電極と上記負のリード電極の間の他
に、上記成形樹脂が露出されてなる少なくとも一対の樹
脂露出部を上記凹部の縦軸に対して左右対称に設けられ
ているので、透光性樹脂を上記凹部に充填した時に、凹
部の底面において縦軸に対して左右対称に設けられた上
記一対の樹脂露出部の樹脂と透光性樹脂とを接合でき
る。これにより、本発明に係る発光装置用のパッケージ
成形体は、上記樹脂露出部を設けない場合及び樹脂露出
部を左右対称に設けていない場合に比較して、該透光性
樹脂とパッケージ成形体との接合強度を強くでき、例え
ば、気化膨張等に起因する上記透光性樹脂と上記パッケ
ージ成形体との界面の剥離を効果的に防止することがで
きる。また、本発明に係る発光装置用のパッケージ成形
体では、樹脂露出部が、上記凹部の縦軸に対して左右対
称に設けられているので発光装置の指向特性を左右対称
にできる。また、この樹脂露出部は正又は負の電極リー
ドに切り込み等を形成してその切り込み等の内部に成形
樹脂が充填されるので、正又は負の電極リードと成形樹
脂とを強固に固定でき、正又は負の電極リードと成形樹
脂との剥離も防止できる。これにより、本発明に係る発
光装置用のパッケージ成形体によれば、指向特性を左右
対称にでき、かつ従来例に比較してより厳しい使用環境
にも耐えることができる信頼性の高い発光装置を構成で
きる。
の底面の樹脂露出部の樹脂と透光性樹脂とを接合できる
ので、従来例に比較して、より厳しい使用環境にも耐え
ることができ、信頼性をより高くできる。
の斜め上方向から見た斜視図であり、(b)は本発明に
係る実施の形態の発光装置の斜め下方向から見た斜視図
である。
光素子チップを設け、その凹部14に透光性樹脂を充填
した後の実施の形態の発光装置の平面図であり、(b)
は(a)のB−B’線についての断面図である。
ときの断面図である。
部を示す断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 発光素子チップを収納する凹部と正と負
のリード電極とを有し、上記凹部の底面において上記正
のリード電極と上記負のリード電極とが所定の間隔を隔
てて露出するように上記正のリード電極及び上記負のリ
ード電極が成形樹脂により一体成形されてなるパッケー
ジ成形体において、 上記凹部の底面に、上記正のリード電極と上記負のリー
ド電極の間の他に、上記成形樹脂が露出されてなる少な
くとも一対の樹脂露出部が、上記凹部の縦軸に対して左
右対称に設けられたことを特徴とするパッケージ成形
体。 - 【請求項2】 上記樹脂露出部は、上記正のリード電極
側と上記負のリード電極側とにそれぞれ少なくとも1対
設けられた請求項1記載のパッケージ成形体。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のパッケージ成形
体と、該パッケージ成形体の上記凹部に設けられた発光
素子チップとを備え、該発光素子チップが上記凹部内で
透光性樹脂によってモールドされてなる発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001018509A JP3636079B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | パッケージ成形体と発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001018509A JP3636079B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | パッケージ成形体と発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002223004A true JP2002223004A (ja) | 2002-08-09 |
JP3636079B2 JP3636079B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=18884531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001018509A Expired - Fee Related JP3636079B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | パッケージ成形体と発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3636079B2 (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002223002A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体と発光装置 |
JP2004363537A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置 |
US6853010B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-02-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
JP2006210909A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 樹脂流れ改善用のリードフレーム構造を有する側面型発光ダイオードパッケージ |
US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
WO2008002068A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side view type led package |
JP2008041923A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2008172187A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Bright View Electronics Co Ltd | 側面発光装置 |
JP2008244151A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2008300573A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US7906793B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates |
US7950839B2 (en) | 2007-04-02 | 2011-05-31 | Chimei Innolux Corporation | Light emitting diode having electrodes with branches and backlight module using same |
USRE42598E1 (en) | 2004-12-23 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
JP2011155277A (ja) * | 2006-06-02 | 2011-08-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
CN102339941A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及发光二极管模组 |
US8264138B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
US8328376B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
JP2013153157A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用パッケージ成形体 |
US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
US9841175B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-12-12 | GE Lighting Solutions, LLC | Optics system for solid state lighting apparatus |
US9951938B2 (en) | 2009-10-02 | 2018-04-24 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp |
JP2018125372A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10297728B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-05-21 | Nichia Corporation | Molded package for light emitting device |
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
-
2001
- 2001-01-26 JP JP2001018509A patent/JP3636079B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4631175B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2011-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体と発光装置 |
JP2002223002A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成形体と発光装置 |
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
JP2004363537A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置 |
US6853010B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-02-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
US9608166B2 (en) | 2003-08-14 | 2017-03-28 | Cree, Inc. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
US8598606B2 (en) | 2004-10-25 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages |
US7906793B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Cree, Inc. | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates |
USRE42598E1 (en) | 2004-12-23 | 2011-08-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
USRE45796E1 (en) | 2004-12-23 | 2015-11-10 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
KR100638721B1 (ko) | 2005-01-28 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지 |
JP2006210909A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 樹脂流れ改善用のリードフレーム構造を有する側面型発光ダイオードパッケージ |
US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8328376B2 (en) | 2005-12-22 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
US9220149B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-12-22 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
US8264138B2 (en) | 2006-01-20 | 2012-09-11 | Cree, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
US8529104B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8033692B2 (en) | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
US9608184B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-03-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
US10205072B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-02-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
JP2011155277A (ja) * | 2006-06-02 | 2011-08-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
US11810778B2 (en) | 2006-06-02 | 2023-11-07 | Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd. | Optical semiconductor element mounting package and optical semiconductor device using the same |
US10950767B2 (en) | 2006-06-02 | 2021-03-16 | Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
US10326063B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-06-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
US9673362B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-06-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
US9660156B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-05-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
US9076932B2 (en) | 2006-06-02 | 2015-07-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
US7935982B2 (en) | 2006-06-27 | 2011-05-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side view type LED package |
WO2008002068A1 (en) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side view type led package |
US7804105B2 (en) | 2006-06-27 | 2010-09-28 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side view type LED package |
JP2008041923A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2008172187A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Bright View Electronics Co Ltd | 側面発光装置 |
JP2008244151A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US7950839B2 (en) | 2007-04-02 | 2011-05-31 | Chimei Innolux Corporation | Light emitting diode having electrodes with branches and backlight module using same |
JP2008300573A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US9951938B2 (en) | 2009-10-02 | 2018-04-24 | GE Lighting Solutions, LLC | LED lamp |
CN102339941A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及发光二极管模组 |
US8772817B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-07-08 | Cree, Inc. | Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias |
JP2013153157A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用パッケージ成形体 |
US10297728B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-05-21 | Nichia Corporation | Molded package for light emitting device |
US9841175B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-12-12 | GE Lighting Solutions, LLC | Optics system for solid state lighting apparatus |
US10139095B2 (en) | 2012-05-04 | 2018-11-27 | GE Lighting Solutions, LLC | Reflector and lamp comprised thereof |
JP2018125372A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3636079B2 (ja) | 2005-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002223004A (ja) | パッケージ成形体と発光装置 | |
JP3165078B2 (ja) | 表面実装部品の製造方法 | |
JP4066608B2 (ja) | パッケージ成形体及びその製造方法 | |
JP3793628B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
US7655506B2 (en) | Leadless type semiconductor package, and production process for manufacturing such leadless type semiconductor package | |
US7456049B2 (en) | Method of fabricating lead frame and method of fabricating semiconductor device using the same, and lead frame and semiconductor device using the same | |
CN107275466B (zh) | 引线架、封装及发光装置、以及其制造方法 | |
US6849931B2 (en) | Lead frame | |
US6608369B2 (en) | Lead frame, semiconductor device and manufacturing method thereof, circuit board and electronic equipment | |
JP4242194B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JPH11191561A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4703903B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP4631175B2 (ja) | パッケージ成形体と発光装置 | |
JP3426574B2 (ja) | 表面実装部品及びその製造方法 | |
JP2002223003A (ja) | パッケージ成形体とその製造方法及び発光装置 | |
JP2001035961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000049382A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
KR20010021362A (ko) | 전자부품 및 그 제조방법 | |
JP2005303107A (ja) | リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法 | |
JP4050200B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP5857883B2 (ja) | モールドパッケージの製造方法 | |
JP2004104153A (ja) | 発光素子および半導体装置 | |
WO2023048007A1 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP3819787B2 (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
JPS62198143A (ja) | リ−ドフレ−ム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3636079 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120114 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120114 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130114 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |