JP4210240B2 - 光通信モジュール - Google Patents

光通信モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP4210240B2
JP4210240B2 JP2004165756A JP2004165756A JP4210240B2 JP 4210240 B2 JP4210240 B2 JP 4210240B2 JP 2004165756 A JP2004165756 A JP 2004165756A JP 2004165756 A JP2004165756 A JP 2004165756A JP 4210240 B2 JP4210240 B2 JP 4210240B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
portions
communication module
bent
light
shield cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004165756A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005347536A (ja
Inventor
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2004165756A priority Critical patent/JP4210240B2/ja
Priority to CNB2005800180770A priority patent/CN100511726C/zh
Priority to US11/597,841 priority patent/US20070230965A1/en
Priority to PCT/JP2005/010165 priority patent/WO2005119795A1/ja
Priority to KR1020067024449A priority patent/KR100835492B1/ko
Priority to TW094118392A priority patent/TWI283492B/zh
Publication of JP2005347536A publication Critical patent/JP2005347536A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4210240B2 publication Critical patent/JP4210240B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/11Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
    • H04B10/114Indoor or close-range type systems
    • H04B10/116Visible light communication
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/11Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
    • H04B10/114Indoor or close-range type systems
    • H04B10/1143Bidirectional transmission
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/40Transceivers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

本発明は、光通信モジュールに関する。
受光素子および発光素子を備えることにより双方向通信が可能とされた光通信モジュールとしては、たとえばIrDA準拠の赤外線データ通信モジュールがある。このような赤外線データ通信モジュールは、ノートパソコンの分野においてその普及が著しく、最近においては、携帯電話や電子手帳などにも普及しつつある。この種の赤外線データ通信モジュールは、赤外線用の発光素子および受光素子や、これらの素子を制御するための制御回路素子などをワンパッケージ化して双方向にワイヤレス通信を可能としたものであり、通信速度や通信距離などがバージョンにより統一規格として定められている。このような赤外線データ通信機能の高性能化が推進されるなか、モジュール全体の形態は、ノートパソコンなどのダウンサイジングに伴いますます小型化されている。
この種の従来の赤外線データ通信モジュールの一例を図7に示す。この赤外線データ通信モジュールXは、基板91と、この基板91に実装された発光素子92、受光素子93、駆動IC94とを備えている。樹脂パッケージ95は、発光素子92、受光素子93、および駆動IC94を覆うように形成されている。この樹脂パッケージ95には、発光素子92および受光素子93のそれぞれの正面にレンズ部95a,95bが形成されている。
駆動IC94が外来の電磁ノイズや可視光を受けると誤動作するおそれがあるため、このような不具合を防止するためにシールドカバー96が設けられている。シールドカバー96は、金属プレートを折り曲げ加工して形成されており、樹脂パッケージ95および基板91の一側面を覆う主板部96a、樹脂パッケージ95および基板91の両端側面を覆う2つの第1の折り曲げ部96b、2つのレンズ部95a,95b間の領域を覆う第2の折り曲げ部96c、および第2の折り曲げ部先端から延びる第3の折り曲げ部96dを有している。
駆動IC94は、シールドカバー96により覆われた状態となるために、外来の電磁ノイズや可視光を受けることが抑制され、このことにより誤動作の防止が図られている。また、各レンズ部95a,95bは、主板部96aおよび第1の折り曲げ部96bのうち各レンズ部95a,95bの光軸方向前方寄りの部分により、それらの二方向が覆われている。このため、発光素子92からの赤外線のうち上記二方向に向けて不当に広い角度で出射されるものは、シールドカバー96により遮られる。同様に、これら二方向において不当に広い領域から向かってくる赤外線は、シールドカバー96により遮られることとなり、このような赤外線がレンズ部95bを通って受光素子93により受光されることを防止可能である。したがって、赤外線データ通信モジュールXにより双方向通信を行なう場合に、通信対象ではない機器などに誤って赤外線を照射してしまうことや、これらの機器からの赤外線を受光してしまうことなどの不具合を抑制することができる。
しかしながら、レンズ部95a,95b間には第2および第3の折り曲げ部96c,96dが設けられているのみである。これらの第2および第3の折り曲げ部96c,96dは、レンズ部95a,95bに対して遮光部としての機能は発揮しない。このため、発光素子92から発せられた赤外線の一部が、レンズ部95aを通してレンズ部95b寄りの方向に不当に出射される場合がある。また、レンズ部95bに対してレンズ部95a寄りの方向から向かってきた赤外線が、受光素子93により不当に受光されてしまう場合がある。このようなことが生じたのでは、赤外線データ通信モジュールXの通信に支障をきたす虞れがある。このように、赤外線データ通信モジュールXにおいては、シールドカバー96による遮光について、いまだ改善の余地があった。
特開2003−8066号公報(図8)
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発光素子から適切な領域に光を照射するとともに、適切な領域から向かってきた光を受光素子により受光可能な光通信モジュールを提供することをその課題とする。
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
本発明によって提供される光通信モジュールは、長矩形状の基板と、上記基板にその長手方向に並んで実装された発光素子および受光素子と、上記発光素子および受光素子のそれぞれの正面において突出するように形成された2つのレンズ部を有し、かつ上記発光素子および受光素子を覆う樹脂パッケージと、上記発光素子および受光素子の電磁シールドおよび遮光のためのシールドカバーとを備えており、その長手方向に延びる一側面が実装面とされた光通信モジュールであって、上記シールドカバーは、上記長手方向において上記2つのレンズ部を各別に挟むように配置された2対の長手方向遮蔽部(61,64)と、上記基板の短手方向において上記2つのレンズ部に対して上記実装面とは反対側に隣接する短手方向遮蔽部(60)とを有することを特徴としている。
このような構成によれば、上記発光素子から発せられた光が、上記レンズ部から不当に広い領域に出射された場合であっても、上記三方向において上記シールドカバーにより適切にこのような光を遮ることができる。同様に上記三方向において不当に広い領域から上記受光素子へと向かってくる光を適切に遮ることができる。さらに、上記三方向以外の方向においては、この光通信モジュールが実装される実装基板などにより、上記と同様の遮光効果が発揮されることが期待される。したがって、上記発光素子からの光が不当に広い領域に照射されたり、不当に広い領域から向かってきた光が上記受光素子により受光されたりすることを回避し、この光通信モジュールの誤作動を適切に防止することができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記シールドカバーは、金属プレートを折り曲げ加工することにより形成されており、かつ、上記樹脂パッケージのうち上記実装面と反対側の一側面を覆う上記短手方向遮蔽部としての主板部(60)と、上記樹脂パッケージの長手方向両端側面を覆う、上記長手方向遮蔽部としての2つの第1の折り曲げ部(61)と、上記樹脂パッケージのうち上記2つのレンズ部間の領域を覆う第2の折り曲げ部(62)と、上記第2の折り曲げ部(62)の先端から上記各レンズ部の光軸方向前方へと延びる第3の折り曲げ部(63)と、上記第3の折り曲げ部(63)の両端から上記基板の短手方向に延びる上記長手方向遮蔽部としての2つの第4の折り曲げ部(64)とを有しており、上記第1の折り曲げ部(61)および第4の折り曲げ部(64)が上記長手方向遮蔽部(61,64)とされており、上記主板部(60)が上記短手方向遮蔽部(60)とされている
このような構成によれば、上記各レンズ部を上記シールドカバーにより上記三方向において適切に遮光することができる。また、このようなシールドカバーは、1枚の金属プレートを所定の形状に切断し、折り曲げ加工することにより形成することが可能であり、複数個の部材を溶接するなどして形成する必要が無く、その製造が容易である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記シールドカバーは、上記基板の裏面を覆う第5の折り曲げ部(65)をさらに有する。このような構成によれば、上記駆動ICの電磁シールドをより確実化することができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂パッケージのうち上記2つのレンズ部間の領域には、凹部が形成されており、上記シールドカバーの上記第2の折り曲げ部(62)には、上記凹部に嵌入する凸部が形成されている。このような構成によれば、上記シールドカバーを取り付ける際に、たとえばこのシールドカバーと上記樹脂パッケージとを接着剤を用いて接合することが不要であり、この光通信モジュールの製造を容易化することができる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記シールドカバーは、上記第3の折り曲げ部(63)を利用してグランド接続が可能とされている。このような構成によれば、上記シールドカバーの電磁シールド効果を適切に発揮させることができる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1〜図4は、本発明に係る光通信モジュールの一例を示している。この赤外線データ通信モジュールAは、基板1と、基板1の表面1aに搭載された発光素子2、受光素子3および駆動IC4と、これらの部品を封止するように形成された樹脂パッケージ5と、シールドカバー6とを具備して構成されている。
上記基板1は、ガラスエポキシなどの樹脂により、全体として平面視長矩形状に形成されている。基板1の表面1aには、所定の配線パターン(図示略)が形成されている。基板1の一側端面1bには、基板1の厚み方向に延びる凹溝の内面に導体層が形成された複数の接続端子部11が設けられている。図3に良く表れているように、この赤外線データ通信モジュールAは、接続端子部11を利用して、実装基板Bに実装されるものである。
発光素子2は、たとえば、赤外線を発することができる赤外線発光ダイオードなどからなり、ワイヤボンディングにより上記配線パターンと接続されている。受光素子3は、たとえば、赤外線を感知することができるPINフォトダイオードなどからなり、ワイヤボンディングにより上記配線パターンと接続されている。駆動IC4は、発光素子2および受光素子3による送受信動作を制御するためのものであり、ワイヤボンディングにより上記配線パターンと接続され、かつ上記配線パターンを通じて発光素子2および受光素子3に接続されている。また、この駆動IC4は、この赤外線データ通信モジュールAを使用する際に、可視光からの影響を受けないように設計されている。
樹脂パッケージ5は、たとえば顔料を含んだエポキシ樹脂などにより、可視光に対しては透光性を有しない反面、赤外線に対しては透光性を有するように形成されている。この樹脂パッケージ5は、トランスファーモールド法などの手法により形成されている。この樹脂パッケージ5には、発光素子2の正面に位置する発光用レンズ部51が一体的に形成されており、発光素子2の上面から放射された赤外線を集光しつつ出射するように構成されている。また、樹脂パッケージ5には、受光素子3の正面に位置する受光用レンズ部52が一体的に形成されており、この赤外線データ通信モジュールAに送信されてきた赤外線を集光して受光素子3に入射するように構成されている。
シールドカバー6は、電磁シールドや遮光のために用いられるものであり、基板1および樹脂パッケージ5を覆うように設けられている。このシールドカバー6は、金属プレートを折り曲げ加工することにより形成されており、主板部60と第1〜第5の折り曲げ部61〜65とを有している。
主板部60は、基板1および樹脂パッケージ5のうち接続端子部11とは反対側の側面1c,5cを覆っており、略コの字状とされている。2つの第1の折り曲げ部61は、主板部60の両端部から下方に折り曲げられて形成されており、基板1および樹脂パッケージ5の両端側面1d,5dを覆っている。これらの主板部60および2つの第1の折り曲げ部61のうち各レンズ部51,52の光軸方向前方寄りの部分は、各レンズ部51,52の側面をそれぞれの二方向において覆う遮光部となっている。
第2の折り曲げ部62は、主板部60の凹部底辺から下方に折り曲げられて形成されている。この第2の折り曲げ部62には、エンボス部62aが形成されている。一方、樹脂パッケージ5の2つのレンズ部51,52間の面5aには、このエンボス部62aが嵌入する凹部53が形成されている。シールドカバー6が取り付けられる際には、エンボス部62aが凹部53に嵌入されることにより、シールドカバー6は、たとえば接着剤を用いることなく、樹脂パッケージ5に確実に固定することができる。
第3の折り曲げ部63は、第2の折り曲げ部62の先端部から実装基板Bに沿う方向に折り曲げられて形成されている。この第3の折り曲げ部63は、図3に良く表れているように、その下面が実装基板Bの配線パターン(図示略)にハンダ付けされており、シールドカバー6のグランド接続に利用されている。
2つの第4の折り曲げ部64は、第3の折り曲げ部63の両端部から上方に折り曲げられて形成されており、その他端部が主板部60付近に達している。これらの第4の折り曲げ部64は、図1および図2に良く表れているように、レンズ部51,52間に位置してそれぞれを覆うように設けられた遮光部となっている。このように、この赤外線データ通信モジュールAにおいては、レンズ部51,52が、主板部60、2つの第1の折り曲げ部61、および2つの第4の折り曲げ部64により、それぞれの三方向において遮光された構成となっている。
第5の折り曲げ部65は、主板部60から下方に折り曲げられて形成されており、基板1の裏面1dの一部を覆っている。
このようなシールドカバー6は、たとえば、図5に示す金属プレートPを用意し、その各部について順次折り曲げ加工を施すことにより形成することができる。金属プレートPの各折り曲げ予定部60’〜65’は、それぞれ主板部60および第1〜第5の折り曲げ部61〜65となる部分である。このように、シールドカバー6を一枚の金属プレートPから形成するためには、図1に示すように、主板部60のうちレンズ部51,52を覆う部分の寸法L1が、第2および第4の折り曲げ部62の寸法L2よりも小さいことが望ましい。寸法L1が寸法L2よりも小さければ、図5に良く表れているように折り曲げ予定部60’と2つの折り曲げ予定部64’とが干渉することを回避可能であり、金属プレートPについてシールドカバー6を形成するのに適切な形状とすることができる。
次に、赤外線データ通信モジュールAの作用について説明する。
図2に良く表れているように、レンズ部51,52は、基板1の長手方向において、それぞれ第1の折り曲げ部61および第4の折り曲げ部64により覆われている。本実施形態においては、第1の折り曲げ部61および第4の折り曲げ部64におけるレンズ部51,52の光軸方向前方の先端部は、レンズ部51,52の頂部と略同じ位置まで延びている。これらの第1の折り曲げ部61および第4の折り曲げ部64が遮光部となり、レンズ部51から不当に広い角度に出射する赤外線やレンズ部52に不当に広い角度から向かってくる赤外線を遮ることができる。このことにより、レンズ部51から出射される赤外線の照射角度α1およびレンズ部52に向かってくる赤外線の受光角度α2を所望の角度とすることができる。たとえばIrDA規格によれば、互いに双方向データ通信を行なう赤外線データ通信モジュールどうしの通信可能角度は、30度と規定されている。赤外線データ通信モジュールAにおいては、照射角度α1および受光角度α2を適切な大きさに設定して、上記規格を容易に満たすことができる。照射角度α1および受光角度α2は、第1の折り曲げ部61および第4の折り曲げ部64の寸法を変更することにより容易に調整することができる。なお、基板1の短手方向におけるレンズ部51,52の遮光は、主板部60および実装基板Bによって適切に行なうことが可能である。この短手方向における照射角度および受光角度についても、主板部60の寸法や赤外線データ通信モジュールAの実装基板Bにおける実装位置などを変更することにより容易に調整することが可能である。
上述した遮光効果を発揮させるためには、シールドカバー6にレンズ部51,52を三方向において覆う遮光部を設けることが必要である。本実施形態によれば、第1〜第5の折り曲げ部61〜65を合理的に配置することにより、シールドカバー6は、図5に示したように、一枚の金属プレートPを順次折り曲げ加工することにより形成することが可能である。したがって、上述した遮光効果を発揮可能なシールドカバー6を、特別な工程を経ることなく従来の同種のシールドカバーと同等の効率で製造することができる。
第2の折り曲げ部62に形成されたエンボス部62aを、樹脂パッケージ5の凹部53に嵌入させることにより、シールドカバー6の固定を、たとえば接着剤を用いることなく適切に行なうことができる。エンボス部62aは、たとえば金属プレートPを折り曲げ加工する際に容易に形成することができる。また、凹部53は、樹脂パッケージ5をトランスファーモールド法により形成する際に生じるエジェクタピンの跡が図4に示されたレンズ部51,52の間に位置するように構成すれば、機械加工などの特別な処理を行なうことなく容易に形成することができる。なお、エンボス部62aに代えて、第2の折り曲げ部62にV字状の切り欠きを設け、この部分を樹脂パッケージ5側に浅い角度で折り曲げて突出させてもよい。さらに、第5の折り曲げ部65が設けられていることにより、第2および第5の折り曲げ部により、基板1および樹脂パッケージ5を挟持する格好となっており、シールドカバー6が適切に固定される。
本発明に係る光通信モジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
シールドカバーは、上述した実施形態のように第1〜第5の折り曲げ部が配置された構造とすることにより、一枚の金属プレートから形成することが合理的であり、製造効率の向上においても望ましいが、本発明はこれに限定されない。たとえば、図6に示すように、比較的小型の短冊状の金属プレートを略コの字状に折り曲げてレンズ部51,52を三方向において囲うことが可能な部材66を形成し、この部材66を主板部60および第1の折り曲げ部に接合するなどしてシールドカバー6を形成しても良い。
発光素子および受光素子としては、赤外線を発光もしくは受光可能なものに限定されず、可視光を発光もしくは受光可能なものを用いても良い。つまり、光通信モジュールとしては、赤外線データ通信モジュールに限定されず、可視光を用いた通信方式のものであっても良い。
本発明に係る光通信モジュールの一例を示す全体斜視図である。 図1のII−II線に沿う断面図である。 図1のIII−III線に沿う断面図である。 本発明に係る光通信モジュールの一例を示す分解斜視図である。 本発明に係る光通信モジュールの一例に用いられるシールドカバーを形成するための金属プレートである。 本発明に係る光通信モジュールの他の例を示す要部斜視図である。 従来の光通信モジュールの一例を示す分解斜視図である。
符号の説明
A 赤外線データ通信モジュール(光通信モジュール)
1 基板
2 発光素子
3 受光素子
4 駆動IC
5 樹脂パッケージ
6 シールドカバー
51,52 レンズ部
53 凹部
60 主板部
61 第1の折り曲げ部
62 第2の折り曲げ部
62a エンボス部(凸部)
63 第3の折り曲げ部
64 第4の折り曲げ部
65 第5の折り曲げ部

Claims (5)

  1. 長矩形状の基板と、
    上記基板にその長手方向に並んで実装された発光素子および受光素子と、
    上記発光素子および受光素子のそれぞれの正面において突出するように形成された2つのレンズ部を有し、かつ上記発光素子および受光素子を覆う樹脂パッケージと、
    上記発光素子および受光素子の電磁シールドおよび遮光のためのシールドカバーとを備えており、
    その長手方向に延びる一側面が実装面とされた光通信モジュールであって、
    上記シールドカバーは、上記長手方向において上記2つのレンズ部を各別に挟むように配置された2対の長手方向遮蔽部(61,64)と、上記基板の短手方向において上記2つのレンズ部に対して上記実装面とは反対側に隣接する短手方向遮蔽部(60)とを有することを特徴とする、光通信モジュール。
  2. 上記シールドカバーは、金属プレートを折り曲げ加工することにより形成されており、かつ、上記樹脂パッケージのうち上記実装面と反対側の一側面を覆う上記短手方向遮蔽部としての主板部(60)と、上記樹脂パッケージの長手方向両端側面を覆う、上記長手方向遮蔽部としての2つの第1の折り曲げ部(61)と、上記樹脂パッケージのうち上記2つのレンズ部間の領域を覆う第2の折り曲げ部(62)と、上記第2の折り曲げ部(62)の先端から上記各レンズ部の光軸方向前方へと延びる第3の折り曲げ部(63)と、上記第3の折り曲げ部(63)の両端から上記基板の短手方向に延びる上記長手方向遮蔽部としての2つの第4の折り曲げ部(64)とを有しており、
    上記第1の折り曲げ部(61)および第4の折り曲げ部(64)が上記長手方向遮蔽部(61,64)とされており、
    上記主板部(60)が上記短手方向遮蔽部(60)とされている、請求項1に記載の光通信モジュール。
  3. 上記シールドカバーは、上記基板の裏面を覆う第5の折り曲げ部(65)をさらに有する、請求項2に記載の光通信モジュール。
  4. 上記樹脂パッケージのうち上記2つのレンズ部間の領域には、凹部が形成されており、上記シールドカバーの上記第2の折り曲げ部(62)には、上記凹部に嵌入する凸部が形成されている、請求項2または3に記載の光通信モジュール。
  5. 上記シールドカバーは、上記第3の折り曲げ部(63)を利用してグランド接続が可能とされている、請求項2ないし4に記載の光通信モジュール。
JP2004165756A 2004-06-03 2004-06-03 光通信モジュール Expired - Fee Related JP4210240B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004165756A JP4210240B2 (ja) 2004-06-03 2004-06-03 光通信モジュール
CNB2005800180770A CN100511726C (zh) 2004-06-03 2005-06-02 光通信模块
US11/597,841 US20070230965A1 (en) 2004-06-03 2005-06-02 Optical Communication Module
PCT/JP2005/010165 WO2005119795A1 (ja) 2004-06-03 2005-06-02 光通信モジュール
KR1020067024449A KR100835492B1 (ko) 2004-06-03 2005-06-02 광통신 모듈
TW094118392A TWI283492B (en) 2004-06-03 2005-06-03 Optical communication module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004165756A JP4210240B2 (ja) 2004-06-03 2004-06-03 光通信モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005347536A JP2005347536A (ja) 2005-12-15
JP4210240B2 true JP4210240B2 (ja) 2009-01-14

Family

ID=35463144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004165756A Expired - Fee Related JP4210240B2 (ja) 2004-06-03 2004-06-03 光通信モジュール

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070230965A1 (ja)
JP (1) JP4210240B2 (ja)
KR (1) KR100835492B1 (ja)
CN (1) CN100511726C (ja)
TW (1) TWI283492B (ja)
WO (1) WO2005119795A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4656156B2 (ja) * 2008-01-22 2011-03-23 ソニー株式会社 光通信装置
JP5412069B2 (ja) * 2008-07-30 2014-02-12 矢崎総業株式会社 雌型光コネクタ及び雌型光コネクタの製造方法
JP6427937B2 (ja) * 2013-09-05 2018-11-28 株式会社リコー 表示装置及び表示システム
US20150270900A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 Apple Inc. Optical data transfer utilizing lens isolation
DE102016219200A1 (de) * 2016-10-04 2018-04-05 Tridonic Gmbh & Co Kg Integrierte Anordnung modulierbarer Lichtpunkte für Kommunikation mittels sichtbarem Licht
US20220140172A1 (en) * 2020-03-25 2022-05-05 Sensortek Technology Corp. Light sensing device packaging structure and packaging method thereof
FR3113217B1 (fr) * 2020-07-30 2022-10-28 Oledcomm Dispositif d’isolation intégré dans un équipement de communication optique sans fil
US11754257B1 (en) * 2022-06-17 2023-09-12 CoreLed Systems, LLC Sideways reflector for radiation emitting diode assembly

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4309605A (en) * 1979-10-02 1982-01-05 New Japan Radio Co., Ltd. Photo-reflective sensor
US5117476A (en) * 1990-01-19 1992-05-26 Amp Incorporated Optical transceiver package with insertable subassembly
US5506445A (en) * 1994-06-24 1996-04-09 Hewlett-Packard Company Optical transceiver module
US5528408A (en) * 1994-10-12 1996-06-18 Methode Electronics, Inc. Small footprint optoelectronic transceiver with laser
JPH08330608A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Oki Electric Ind Co Ltd 受光センサおよび受発光センサ
DE19530684C1 (de) * 1995-08-08 1997-02-20 Siemens Ag Optische Kopplungsanordnung
DE19653054A1 (de) * 1996-12-19 1998-07-02 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement zur Datenübertragung
DE19653793C2 (de) * 1996-12-21 1999-11-18 Vishay Semiconductor Gmbh Transceiver Bauelement zur optischen Datenübertragung
DE19727632C2 (de) * 1997-06-28 1999-10-28 Vishay Semiconductor Gmbh Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung
US6252252B1 (en) * 1998-04-16 2001-06-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device and optical semiconductor module equipped with the same
US6369924B1 (en) * 1998-04-20 2002-04-09 Stratos Lightwave, Inc. Optical transceiver with enhanced shielding and related methods
US6169295B1 (en) * 1998-05-29 2001-01-02 Maxim Integrated Products, Inc. Infrared transceiver module and method for making same
US6431764B1 (en) * 1998-06-16 2002-08-13 Stratos Lightwave Optical transceiver RJ-jack with EMI shield
JP2001068722A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールの電磁シールド用キャップ
US6590152B1 (en) * 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP2001127310A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Sharp Corp シールドケース付き光空間伝送デバイス及びその製造方法
SG91855A1 (en) * 2000-02-22 2002-10-15 Agilent Technologies Inc Circuit board assembly
US6767140B2 (en) * 2000-05-09 2004-07-27 National Semiconductor Corporation Ceramic optical sub-assembly for opto-electronic module utilizing LTCC (low-temperature co-fired ceramic) technology
CA2308000C (en) * 2000-05-10 2004-01-06 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Infrared transceiver assembly for asymmetric data transmission
DE10058622A1 (de) * 2000-11-15 2002-05-29 Vishay Semiconductor Gmbh Gemouldetes elektronisches Bauelement
KR100396742B1 (ko) * 2000-11-23 2003-09-02 주식회사일진 광학집적회로 소자 및 그 제조방법, 그리고 그 광학집적회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신 장치의 모듈
DE10058608A1 (de) * 2000-11-25 2002-05-29 Vishay Semiconductor Gmbh Leiterstreifenanordnung für ein gemouldetes elektronisches Bauelement und Verfahren zum Moulden
US6712529B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
JP4902046B2 (ja) * 2000-12-15 2012-03-21 ローム株式会社 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP4550268B2 (ja) * 2000-12-20 2010-09-22 古河電気工業株式会社 光・電気複合コネクタ
JP2002221644A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 光コネクタ及び光コネクタの実装取付部の構造
US6607308B2 (en) * 2001-02-12 2003-08-19 E20 Communications, Inc. Fiber-optic modules with shielded housing/covers having mixed finger types
US7314318B2 (en) * 2001-03-15 2008-01-01 International Business Machines Corporation Compact optical transceivers including thermal distributing and electromagnetic shielding systems and methods thereof
DE60222815T2 (de) * 2001-04-03 2008-07-03 AUTONETWORKS Technologies, LTD., Yokkaichi Optischer Stecker, Halterungsvorrichtung für optisches Element und Montageteil für einen optischen Stecker
US7371012B2 (en) * 2002-03-08 2008-05-13 Infineon Technologies Ag Optoelectronic module and plug arrangement
JP2003329895A (ja) * 2002-05-14 2003-11-19 Sony Corp 光リンク装置
US7367720B2 (en) * 2005-03-15 2008-05-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transceiver with optical subassemblies optionally fixed to housing

Also Published As

Publication number Publication date
TWI283492B (en) 2007-07-01
TW200603448A (en) 2006-01-16
WO2005119795A1 (ja) 2005-12-15
KR100835492B1 (ko) 2008-06-04
KR20070029712A (ko) 2007-03-14
CN1965416A (zh) 2007-05-16
CN100511726C (zh) 2009-07-08
JP2005347536A (ja) 2005-12-15
US20070230965A1 (en) 2007-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100835492B1 (ko) 광통신 모듈
JP4569376B2 (ja) 光トランシーバ
EP1351319A2 (en) Package for optical semiconductor
JP2006023777A (ja) 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器
JP2007072307A (ja) 光モジュール
JP4794874B2 (ja) 光通信モジュール
JP4823729B2 (ja) 光通信モジュール
US8121443B2 (en) Optical transmission apparatus
JP3393013B2 (ja) 赤外線送受信モジュールの構造
JP2007127796A (ja) 光モジュール
JP4619816B2 (ja) 光通信モジュールおよびその製造方法
JP2007088026A (ja) 光通信モジュールおよびその製造方法
US20080170379A1 (en) Optical Receiver Having Improved Shielding
JP4600246B2 (ja) 光送受信モジュール及び光通信装置
CN205484926U (zh) 一种光互连组件
JP2019179816A (ja) 光受信モジュール、光モジュール、及び光伝送装置
JP2006310563A (ja) 光通信モジュール
JP3809969B2 (ja) 赤外線送受信モジュールの構造
JP2007266049A (ja) 光通信モジュール
JP2002222987A (ja) 光信号通信モジュール
JP2016020937A (ja) 光電気変換装置、およびそれを用いた信号伝送装置
JP6497644B2 (ja) 光電気変換装置、およびそれを用いた信号伝送装置
JP4197569B2 (ja) 赤外線データ通信モジュール
JP2002314149A (ja) 半導体装置
JP2008258298A (ja) 光通信モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080415

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080722

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081021

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081024

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees