JP2002195962A - 結晶の照射安定性を測定する改良された方法 - Google Patents
結晶の照射安定性を測定する改良された方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 大量の材料損失無しに、簡単で、廉価な手段
を用いて、結晶の照射安定性を確実に測定できる迅速、
且つ経済的な方法を提供する。 【解決手段】 作動波長の照射に対する結晶の照射安定
性を測定する方法であって、結晶を飽和条件下で色中心
を形成するのに充分高いエネルギー密度のエネルギー照
射源で照射する前と後で、結晶の吸収スペクトルをそれ
ぞれ測定し、照射前の吸収スペクトル（Ａ）と照射後の
吸収スペクトル（Ｂ）の差スペクトルの面積分を、第一
の波長（λ１）から第二の波長（λ２）までの所定波長
範囲に亘って形成し、面積分を厚さで割って単位厚さ当
たりの面積分の値を得、単位厚さ当たりの面積分の値か
ら作動波長における吸収係数（Δｋ）を決定するを含ん
で成る方法。
を用いて、結晶の照射安定性を確実に測定できる迅速、
且つ経済的な方法を提供する。 【解決手段】 作動波長の照射に対する結晶の照射安定
性を測定する方法であって、結晶を飽和条件下で色中心
を形成するのに充分高いエネルギー密度のエネルギー照
射源で照射する前と後で、結晶の吸収スペクトルをそれ
ぞれ測定し、照射前の吸収スペクトル（Ａ）と照射後の
吸収スペクトル（Ｂ）の差スペクトルの面積分を、第一
の波長（λ１）から第二の波長（λ２）までの所定波長
範囲に亘って形成し、面積分を厚さで割って単位厚さ当
たりの面積分の値を得、単位厚さ当たりの面積分の値か
ら作動波長における吸収係数（Δｋ）を決定するを含ん
で成る方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は結晶、特にレンズ等の光
学素子用の結晶の照射（ｒａｄｉａｔｉｏｎ）安定性を
測定する方法、及び所定の照射安定性をもつ結晶を光学
部品や電子装置の製造のために用いるその使用に関す
る。
学素子用の結晶の照射（ｒａｄｉａｔｉｏｎ）安定性を
測定する方法、及び所定の照射安定性をもつ結晶を光学
部品や電子装置の製造のために用いるその使用に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】結晶に色中心が異種原子の存在により生
ずる結晶欠陥において、又、結晶の照射による結晶格子
の欠陥部において、発生することが示されている。これ
は、結晶内を伝搬する光又は電磁放射が多ければ多いほ
ど、結晶に形成される色中心の数が多いことを意味す
る。このため、結晶の光吸収が増大し、光の透過率が減
少する。色中心が形成され、その増大により照射透過が
減少することは、光ラッカー被覆ウェーハ上に集積回路
の構造を投影するステッパーのように、高エネルギー
光、例えばレーザー光を通す光学部品では厄介で、問題
なことが分かっている。
ずる結晶欠陥において、又、結晶の照射による結晶格子
の欠陥部において、発生することが示されている。これ
は、結晶内を伝搬する光又は電磁放射が多ければ多いほ
ど、結晶に形成される色中心の数が多いことを意味す
る。このため、結晶の光吸収が増大し、光の透過率が減
少する。色中心が形成され、その増大により照射透過が
減少することは、光ラッカー被覆ウェーハ上に集積回路
の構造を投影するステッパーのように、高エネルギー
光、例えばレーザー光を通す光学部品では厄介で、問題
なことが分かっている。
【０００３】レーザーによる光学的構造化では、この光
中心形成が重要な役割を演ずる。充分な完全度と、異質
原子や遮光欠陥が殆ど無い充分な純度をもつ結晶を作る
試みが既になされている。だが、光学部品、特にＤＵＶ
〔Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ〕（深紫外、λ
＜２５０ｍｍ）領域で用いられるものでは１ｐｐｍを下
回る不純物でも著しい困難を惹起することから、各個々
の結晶を光学部品に用いられる前に照射安定性に付いて
検査しなければならない。これまでの手順は切断して、
長さ約１〜１０ｃｍ、断面約２．５ｃｍｘ２．５ｃｍと
する検査対象の結晶サンプルを得ることであった。次い
でサンプルの表面を精密研磨し、これをレーザー、通常
Ｆ２エキシマレーザが発生する作動波長１５７ｎｍ、及
び／又はＡｒＦエキシマレーザーが発生するステッパー
用の現行作動波長１９３ｎｍのレーザーで照射する。通
常のエネルギー密度は、パルス周波数５０〜５００Ｈｚ
及びパルス繰返数１０４〜１０７として１〜１００ｍＪ
／ｃｍ２である。それぞれの作動波長でのレーザー照射
前後のサンプル吸収を分光光度計で測定する。レーザー
誘導透過減少を両値にて計算する。これを変換して吸収
係数を得るには、Ｋ．Ｒ．Ｍａｎｎ ａｎｄ Ｅ．Ｅｖ
ａ ｉｎ "Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｉｎｇｔｈｅ ａ
ｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ａｎｄ ａｇｉｎｇ ｂｅｈａｖ
ｉｏｒ ｏｆ ＤＵＶ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌ ｂｙ Ｈｉｇｈ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｅｘｃ
ｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ（高分
解能エキシマレーザー熱量測定法によるＤＵＶ材料の吸
収及び経時変化挙動の特長付け）",ＳＰＩＥ, Ｖｏ
ｌ．３３３４， ｐ．１０５５に記述の方法により計算
を行う。
中心形成が重要な役割を演ずる。充分な完全度と、異質
原子や遮光欠陥が殆ど無い充分な純度をもつ結晶を作る
試みが既になされている。だが、光学部品、特にＤＵＶ
〔Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ〕（深紫外、λ
＜２５０ｍｍ）領域で用いられるものでは１ｐｐｍを下
回る不純物でも著しい困難を惹起することから、各個々
の結晶を光学部品に用いられる前に照射安定性に付いて
検査しなければならない。これまでの手順は切断して、
長さ約１〜１０ｃｍ、断面約２．５ｃｍｘ２．５ｃｍと
する検査対象の結晶サンプルを得ることであった。次い
でサンプルの表面を精密研磨し、これをレーザー、通常
Ｆ２エキシマレーザが発生する作動波長１５７ｎｍ、及
び／又はＡｒＦエキシマレーザーが発生するステッパー
用の現行作動波長１９３ｎｍのレーザーで照射する。通
常のエネルギー密度は、パルス周波数５０〜５００Ｈｚ
及びパルス繰返数１０４〜１０７として１〜１００ｍＪ
／ｃｍ２である。それぞれの作動波長でのレーザー照射
前後のサンプル吸収を分光光度計で測定する。レーザー
誘導透過減少を両値にて計算する。これを変換して吸収
係数を得るには、Ｋ．Ｒ．Ｍａｎｎ ａｎｄ Ｅ．Ｅｖ
ａ ｉｎ "Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｉｎｇｔｈｅ ａ
ｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ａｎｄ ａｇｉｎｇ ｂｅｈａｖ
ｉｏｒ ｏｆ ＤＵＶ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌ ｂｙ Ｈｉｇｈ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｅｘｃ
ｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ（高分
解能エキシマレーザー熱量測定法によるＤＵＶ材料の吸
収及び経時変化挙動の特長付け）",ＳＰＩＥ, Ｖｏ
ｌ．３３３４， ｐ．１０５５に記述の方法により計算
を行う。
【０００４】そうして、この結晶材料で構成される光学
素子の取り得る位置は、照射抵抗及び安定性が特定され
ていることから、決定が可能である。光学素子に照射さ
れる光のエネルギー密度は、異なる位置でのそれぞれの
適用波長で異なる。照射安定性の高い結晶のみが、外部
に対して、即ち照射源に向かって最遠の光学素子に用い
得る。また、レーザー照射の焦点となる光学素子も照射
安定性が高くなければならない。多くの色中心の形成は
更に高吸収へと導く、つまり、より多くの照射エネルギ
ーが結晶内に吸収される。このことは結晶材料、即ち光
学レンズが加熱され、屈折率つまり像特性が変化する。
照射安定性が高くなる。レンズ系内で熱に変換されるエ
ネルギーは少なくなる。
素子の取り得る位置は、照射抵抗及び安定性が特定され
ていることから、決定が可能である。光学素子に照射さ
れる光のエネルギー密度は、異なる位置でのそれぞれの
適用波長で異なる。照射安定性の高い結晶のみが、外部
に対して、即ち照射源に向かって最遠の光学素子に用い
得る。また、レーザー照射の焦点となる光学素子も照射
安定性が高くなければならない。多くの色中心の形成は
更に高吸収へと導く、つまり、より多くの照射エネルギ
ーが結晶内に吸収される。このことは結晶材料、即ち光
学レンズが加熱され、屈折率つまり像特性が変化する。
照射安定性が高くなる。レンズ系内で熱に変換されるエ
ネルギーは少なくなる。
【０００５】この検査法を行うには高能力の、高価なエ
キシマレーザが用意されるべきであるが、保守作業を多
く要する。
キシマレーザが用意されるべきであるが、保守作業を多
く要する。
【０００６】結晶成長容器から粗結晶を取り出してか
ら、特定の用途に適していることの確定を得るまでの時
間は、この用途が高照射安定性を予定しているとき、サ
ンプルの作業集中準備のために極めて長くなる。このこ
とは、材料消費が高いだけでなく、大きい粗結晶では材
料の配賦前に高コストの付加的貯蔵を要することも意味
する。
ら、特定の用途に適していることの確定を得るまでの時
間は、この用途が高照射安定性を予定しているとき、サ
ンプルの作業集中準備のために極めて長くなる。このこ
とは、材料消費が高いだけでなく、大きい粗結晶では材
料の配賦前に高コストの付加的貯蔵を要することも意味
する。
【０００７】照射量１メガラドのコバルト源を用いて光
学材料に色中心を形成したものが、Ｉ．Ｔｏｅｐｋｅ
ａｎｄ Ｄ．Ｃｏｐｅ ｉｎ "ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎ
ｔｓｉｎ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｐｔｉｃｓ ｆｏｒ Ｅ
ｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ（エキシマレーザ用光学素子
の改良）"，ＳＯＰＩＥ，Ｖｏｌ.１８３５ Ｅｘｃｉｍ
ｅｒ Ｌａｓｅｒｓ (１９９２)，ｐｐ．８９−９７に
記載されている。その結果得られた照射損傷はエキシマ
レーザーによるものと良く相関している。
学材料に色中心を形成したものが、Ｉ．Ｔｏｅｐｋｅ
ａｎｄ Ｄ．Ｃｏｐｅ ｉｎ "ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎ
ｔｓｉｎ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｐｔｉｃｓ ｆｏｒ Ｅ
ｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ（エキシマレーザ用光学素子
の改良）"，ＳＯＰＩＥ，Ｖｏｌ.１８３５ Ｅｘｃｉｍ
ｅｒ Ｌａｓｅｒｓ (１９９２)，ｐｐ．８９−９７に
記載されている。その結果得られた照射損傷はエキシマ
レーザーによるものと良く相関している。
【０００８】この方法には、高放射線材料の使用に対す
る厳しい規制が考慮されなければならないと云う不利が
有り、実用方法としては適さない。
る厳しい規制が考慮されなければならないと云う不利が
有り、実用方法としては適さない。
【０００９】また、この測定方法では高コストで成長が
なされる結晶材料が大量に消耗されるので、成長結晶の
全収量が更に少なくなる。さらには、結晶サンプルの作
製を、それ等の被測定部を鋸引き及び研磨することによ
る高コストで、時間のかかる工程で行わなければならな
い。
なされる結晶材料が大量に消耗されるので、成長結晶の
全収量が更に少なくなる。さらには、結晶サンプルの作
製を、それ等の被測定部を鋸引き及び研磨することによ
る高コストで、時間のかかる工程で行わなければならな
い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大量
の材料損失無しに、簡単で、廉価な手段を用いて、結晶
の照射安定性を確実に測定できる迅速、且つ経済的な方
法を提供することにある。
の材料損失無しに、簡単で、廉価な手段を用いて、結晶
の照射安定性を確実に測定できる迅速、且つ経済的な方
法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、任意の
強力な照射に対する耐性、即ち安定性は、不定、且つ未
処理の結晶又はその劈開片で、第一の波長λ１から第二
の波長λ１までの一定波長範囲に亘る照射前後で取った
それぞれのスペクトルから形成される差スペクトルの面
積分を計算すると測定が可能である。
強力な照射に対する耐性、即ち安定性は、不定、且つ未
処理の結晶又はその劈開片で、第一の波長λ１から第二
の波長λ１までの一定波長範囲に亘る照射前後で取った
それぞれのスペクトルから形成される差スペクトルの面
積分を計算すると測定が可能である。
【００１２】この手順は通常、第一の透過スペクトル
（スペクトルＡ）を第一の波長λ１から第二の波長λ２
までの任意の所定波長範囲に亘って測定し、次いで結晶
を、好ましくは短波エネルギー照射で、且つ全ての又は
殆ど全ての理論的に可能な色中心が形成されるように励
起することを含んで成る。その後に、結晶の第二の透過
スペクトル（スペクトルＢ）が第一の波長λ１から第二
の波長λ２までの同一波長範囲で測定される。照射前後
の透過曲線の第一の波長λ１から第二の波長λ２までの
面積分の差が照射耐性、即ち照射安定性の目安であり、
予測される吸収係数△ｋにおける最大変化に線形に関係
することが今や分かった。スペクトルを取るためには、
分光光度計を用いるのが好ましい。更に、スペクトルを
結晶の厚さ（結晶を通る光路の長さに）に付いて評価し
て良いことが分かった。
（スペクトルＡ）を第一の波長λ１から第二の波長λ２
までの任意の所定波長範囲に亘って測定し、次いで結晶
を、好ましくは短波エネルギー照射で、且つ全ての又は
殆ど全ての理論的に可能な色中心が形成されるように励
起することを含んで成る。その後に、結晶の第二の透過
スペクトル（スペクトルＢ）が第一の波長λ１から第二
の波長λ２までの同一波長範囲で測定される。照射前後
の透過曲線の第一の波長λ１から第二の波長λ２までの
面積分の差が照射耐性、即ち照射安定性の目安であり、
予測される吸収係数△ｋにおける最大変化に線形に関係
することが今や分かった。スペクトルを取るためには、
分光光度計を用いるのが好ましい。更に、スペクトルを
結晶の厚さ（結晶を通る光路の長さに）に付いて評価し
て良いことが分かった。
【００１３】それを生成する不純物や結晶欠陥の異なる
各結晶毎に吸収又は伝達スペクトルは異なるはずである
から、この結果は驚くべきことである。
各結晶毎に吸収又は伝達スペクトルは異なるはずである
から、この結果は驚くべきことである。
【００１４】上記のように異なるスペクトルの面積分を
決定し、これを同一結晶に対して従来の方法で測定され
た照射損傷と比較、即ちこれに対してプロットすること
により、校正曲線を作成することが出来る。例えば、前
記Ｋ．Ｒ．Ｍａｎｎ ＆ Ｅ．Ｅｖａ文献に記述の方法
をこの従来方法として用いることが出来る。測定値から
線形の校正曲線が得られる。適度加熱により従来方法で
形成される色中心を除き、測定が同一結晶で行われるよ
うにすることが出来る。校正曲線の測定を数個の対値で
行うことも勿論出来るが、レーザーが不安定であること
から、不純物及び／又は照射耐性の異なる結晶の校正曲
線を決定することが特に望ましい。決定される校正曲線
は結晶材料毎に特定的である。例えば、ＣａＦ２結晶の
校正曲線を測ると、校正曲線は全てのＣａＦ２結晶に対
して同一である。だが、ＢａＦ２の校正曲線はそれとは
異なる。
決定し、これを同一結晶に対して従来の方法で測定され
た照射損傷と比較、即ちこれに対してプロットすること
により、校正曲線を作成することが出来る。例えば、前
記Ｋ．Ｒ．Ｍａｎｎ ＆ Ｅ．Ｅｖａ文献に記述の方法
をこの従来方法として用いることが出来る。測定値から
線形の校正曲線が得られる。適度加熱により従来方法で
形成される色中心を除き、測定が同一結晶で行われるよ
うにすることが出来る。校正曲線の測定を数個の対値で
行うことも勿論出来るが、レーザーが不安定であること
から、不純物及び／又は照射耐性の異なる結晶の校正曲
線を決定することが特に望ましい。決定される校正曲線
は結晶材料毎に特定的である。例えば、ＣａＦ２結晶の
校正曲線を測ると、校正曲線は全てのＣａＦ２結晶に対
して同一である。だが、ＢａＦ２の校正曲線はそれとは
異なる。
【００１５】このように、結晶の照射損傷は従来の方法
にて、望ましくはこの結晶を用いて後に製作される光学
素子においても用いられる波長で起される。得られる照
射損傷値は次いで、本発明の方法で得られる差スペクト
ルの面積分に対してプロットされ校正曲線が形成され
る。本発明による誘導吸収を遂行する適切な照射源はレ
ントゲン照射源や、放射性源、例えばＣｏ６０等の他の
エネルギー照射源である。だが、レントゲン照射源は取
り扱いが容易なこと、容易に入手できること、経済的で
あることから特に好適である。
にて、望ましくはこの結晶を用いて後に製作される光学
素子においても用いられる波長で起される。得られる照
射損傷値は次いで、本発明の方法で得られる差スペクト
ルの面積分に対してプロットされ校正曲線が形成され
る。本発明による誘導吸収を遂行する適切な照射源はレ
ントゲン照射源や、放射性源、例えばＣｏ６０等の他の
エネルギー照射源である。だが、レントゲン照射源は取
り扱いが容易なこと、容易に入手できること、経済的で
あることから特に好適である。
【００１６】レントゲン照射源により生成される着色
（照射損傷）は既知の古典的レーザー損傷とは非常に異
なる。レーザー損傷により生成される結晶着色は半減期
が室温で約１日、即ち元の色に比較的速やかに回復する
のに対して、レントゲン照射により生じた色は暗闇での
約１月の貯蔵後も変わらない。
（照射損傷）は既知の古典的レーザー損傷とは非常に異
なる。レーザー損傷により生成される結晶着色は半減期
が室温で約１日、即ち元の色に比較的速やかに回復する
のに対して、レントゲン照射により生じた色は暗闇での
約１月の貯蔵後も変わらない。
【００１７】レントゲン照射源による照射損傷のレーザ
ー照射による照射損傷との更なる重要な差異は、その損
傷が同一波長、且つ少ないエネルギーのレーザー光の照
射で急速に緩和し得ることである。
ー照射による照射損傷との更なる重要な差異は、その損
傷が同一波長、且つ少ないエネルギーのレーザー光の照
射で急速に緩和し得ることである。
【００１８】本発明方法を遂行するために必要なエネル
ギー密度は広い範囲に亘って変更可能であり、飽和に達
するまでの時間にのみ依存する。だが、通常は１０３〜
１０ ５Ｇｙ、好ましくは５ｘ１０３〜５ｘ１０４Ｇｙの
エネルギー密度が用いられる。飽和に達するのに必要な
時間は通常、例えば１０〜３６０分、好ましくは３０〜
１８０分である。本発明に従って第二の照射実験を行
い、吸収帯域及び／又はスペクトルで強度を比較して飽
和の制御を行うことが出来る。両照射実験後に吸収強度
に変化が無ければ、照射に対する所望の飽和条件が達せ
られていることになる。
ギー密度は広い範囲に亘って変更可能であり、飽和に達
するまでの時間にのみ依存する。だが、通常は１０３〜
１０ ５Ｇｙ、好ましくは５ｘ１０３〜５ｘ１０４Ｇｙの
エネルギー密度が用いられる。飽和に達するのに必要な
時間は通常、例えば１０〜３６０分、好ましくは３０〜
１８０分である。本発明に従って第二の照射実験を行
い、吸収帯域及び／又はスペクトルで強度を比較して飽
和の制御を行うことが出来る。両照射実験後に吸収強度
に変化が無ければ、照射に対する所望の飽和条件が達せ
られていることになる。
【００１９】本発明による異なるスペクトルの面積分の
値、又は照射前後の吸収又は透過スペクトルの面積分の
差は勿論、選択波長範囲に依存する。この任意選択範囲
が設定されると、この範囲が検討対象である特定材料に
対する照射損傷の目安となる。
値、又は照射前後の吸収又は透過スペクトルの面積分の
差は勿論、選択波長範囲に依存する。この任意選択範囲
が設定されると、この範囲が検討対象である特定材料に
対する照射損傷の目安となる。
【００２０】吸収スペクトルが測定される第一の波長
（λ１）から第二の波長（λ２）までの一定の波長範囲
には、後の使用の際用いられる光学素子の作動波長が含
まれる。だが、この作動波長は一定波長範囲の範囲外で
あっても良いことが分かった。だが、作動波長を一定波
長範囲からあまり隔てるべきではない。
（λ１）から第二の波長（λ２）までの一定の波長範囲
には、後の使用の際用いられる光学素子の作動波長が含
まれる。だが、この作動波長は一定波長範囲の範囲外で
あっても良いことが分かった。だが、作動波長を一定波
長範囲からあまり隔てるべきではない。
【００２１】全色中心が結晶に実際に生成されるように
するためには、照射される結晶、又は結晶の劈開片の厚
さが厚過ぎないようにすべきである。さもないと、厚す
ぎる結晶厚さでは、結晶材料本体の均一な露出が結晶の
安定に伴って保証されない。これは、結晶厚さが厚すぎ
る場合、照射の大部分が結晶に当たらず、結晶を通る照
射経路に沿って吸収されることによる。このため、色中
心の形成が結晶面と、照射線が通る結晶本体とで違って
しまう。
するためには、照射される結晶、又は結晶の劈開片の厚
さが厚過ぎないようにすべきである。さもないと、厚す
ぎる結晶厚さでは、結晶材料本体の均一な露出が結晶の
安定に伴って保証されない。これは、結晶厚さが厚すぎ
る場合、照射の大部分が結晶に当たらず、結晶を通る照
射経路に沿って吸収されることによる。このため、色中
心の形成が結晶面と、照射線が通る結晶本体とで違って
しまう。
【００２２】全ての色中心が励起、又は形成されるそれ
ぞれの照射条件が選ばれるべきである。照射前のスペク
トルを照射後のスペクトルと比較すると、その差は飽和
状態を直接再現し、選択波長範囲における、後の使用中
に用いられる設定波長での照射中に生成されうる最大強
度の吸収を示す。
ぞれの照射条件が選ばれるべきである。照射前のスペク
トルを照射後のスペクトルと比較すると、その差は飽和
状態を直接再現し、選択波長範囲における、後の使用中
に用いられる設定波長での照射中に生成されうる最大強
度の吸収を示す。
【００２３】本発明の大きな利点は、結晶の劈開片が研
磨を要せず、またその厚さの正確な測定を要しないこと
である。従って、結晶の任意劈開片を用いることが出来
る。結晶は通常、結晶軸に沿って破割又は破断できるの
で、平行面が分光光度計での吸収スペクトルの測定に常
に利用できる。面相互間の距離、即ち結晶の厚さ、又は
結晶を通る光の経路長はマイクロメーターネジ又は摺動
ゲージを用いて測定できるので好都合である。吸収、又
は照射損傷の測定のための分光光度計の光ビームは、結
晶面に対して直角にするのが好ましい。
磨を要せず、またその厚さの正確な測定を要しないこと
である。従って、結晶の任意劈開片を用いることが出来
る。結晶は通常、結晶軸に沿って破割又は破断できるの
で、平行面が分光光度計での吸収スペクトルの測定に常
に利用できる。面相互間の距離、即ち結晶の厚さ、又は
結晶を通る光の経路長はマイクロメーターネジ又は摺動
ゲージを用いて測定できるので好都合である。吸収、又
は照射損傷の測定のための分光光度計の光ビームは、結
晶面に対して直角にするのが好ましい。
【００２４】第一の照射Ａ前の吸収測定と第二の照射Ｂ
後の吸収測定との間の差が差スペクトル、即ちそれで照
射安定性又は損傷が決定される差スペクトルを与える。
最大吸収係数（△ｋ）（１／ｃｍ）を計算するには、結
晶劈開片の既知厚さに亘ってＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒ
の法則に従えば良い。その際、校正曲線を得るため、差
スペクトル内の波長に対して吸収係数△ｋをプロットす
る。差スペクトル下の領域は次に、レントゲン誘導吸収
の面積分として表示される。先ず、差スペクトルを形成
することにより、面の影響が除かれるので面が不定の、
完全に未処理の結晶又は結晶劈開片を用いることが出来
る。更に、結晶内に存在し、照射と不純物に関係する吸
収帯域（所謂、初期吸収）の影響が除かれる。
後の吸収測定との間の差が差スペクトル、即ちそれで照
射安定性又は損傷が決定される差スペクトルを与える。
最大吸収係数（△ｋ）（１／ｃｍ）を計算するには、結
晶劈開片の既知厚さに亘ってＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒ
の法則に従えば良い。その際、校正曲線を得るため、差
スペクトル内の波長に対して吸収係数△ｋをプロットす
る。差スペクトル下の領域は次に、レントゲン誘導吸収
の面積分として表示される。先ず、差スペクトルを形成
することにより、面の影響が除かれるので面が不定の、
完全に未処理の結晶又は結晶劈開片を用いることが出来
る。更に、結晶内に存在し、照射と不純物に関係する吸
収帯域（所謂、初期吸収）の影響が除かれる。
【００２５】本発明の方法はあらゆる結晶に遍く、適し
ている。だが、特に弗化物結晶、特にアルカリ弗化物や
アルカリ土弗化物、特にＬｉＦ２、ＣａＦ２及びＢａＦ
２に適している。
ている。だが、特に弗化物結晶、特にアルカリ弗化物や
アルカリ土弗化物、特にＬｉＦ２、ＣａＦ２及びＢａＦ
２に適している。
【００２６】後の使用において用いられる好適な作動波
長はレーザー、特にＡｒＦエキシマレーザやＦ２エキシ
マレーザ等のエキシマレーザの波長、即ち１９３ｎｍ及
び１５７ｎｍである。
長はレーザー、特にＡｒＦエキシマレーザやＦ２エキシ
マレーザ等のエキシマレーザの波長、即ち１９３ｎｍ及
び１５７ｎｍである。
【００２７】本発明方法の検証を目的として、エキシマ
レーザ光で照射のため、通常のサンプル体（測定バー）
をレントゲン実験のため劈開片を得た結晶から作成し
た。劈開片を採取した粗結晶の同一片から測定バーを採
取した。測定バーを長さ１０ｃｍ、断面２．５ｃｍｘ
２．５ｃｍに切断した。次いで、表側面を研磨した。
レーザ光で照射のため、通常のサンプル体（測定バー）
をレントゲン実験のため劈開片を得た結晶から作成し
た。劈開片を採取した粗結晶の同一片から測定バーを採
取した。測定バーを長さ１０ｃｍ、断面２．５ｃｍｘ
２．５ｃｍに切断した。次いで、表側面を研磨した。
【００２８】結晶照射のために用いられたレーザー照射
はエネルギー密度が１〜２０ｍＪ／ｃｍ２で、エキシマ
レーザを用いて、パルス周波数５０〜５００Ｈｚ、パル
ス数１０４〜１０７で生成した。適用波長でのレーザー
照射前後における吸収の差から、吸収係数△ｋの変化を
決定した。この吸収係数の変化を以下、吸収係数△ｋの
レーザー誘導変化と呼ぶ。
はエネルギー密度が１〜２０ｍＪ／ｃｍ２で、エキシマ
レーザを用いて、パルス周波数５０〜５００Ｈｚ、パル
ス数１０４〜１０７で生成した。適用波長でのレーザー
照射前後における吸収の差から、吸収係数△ｋの変化を
決定した。この吸収係数の変化を以下、吸収係数△ｋの
レーザー誘導変化と呼ぶ。
【００２９】驚くべきことに、本発明によれば、例えば
上記エキシマレーザの波長１９３ｎｍ及び１５７ｎｍに
おける吸収係数△ｋのレーザー誘導変化と、特に波長範
囲１９０ｎｍ〜１０００ｎｍにおいて結晶片厚さに対し
て正規化したレントゲン誘導吸収の面積分との間に線形
相関があることが分かった。この相関が結果として生ず
るのは、同一結晶からのレーザーロッド及び複数劈開片
に対して行った測定から得た吸収係数△ｋのレーザー誘
導変化と結晶厚さ当たりのレントゲン誘導吸収の対値を
異なる結晶サンプルに対してプロットするときである。
更に、吸収係数△ｋのレーザー誘導変化の値をエネルギ
ー密度１ｍＪ／ｃｍ２に対して正規化する。この計算
は、レーザー誘導吸収係数△ｋと適用照射エネルギーと
の間に線形相関が有るので、特に合成原料製のサンプル
の場合に可能である。
上記エキシマレーザの波長１９３ｎｍ及び１５７ｎｍに
おける吸収係数△ｋのレーザー誘導変化と、特に波長範
囲１９０ｎｍ〜１０００ｎｍにおいて結晶片厚さに対し
て正規化したレントゲン誘導吸収の面積分との間に線形
相関があることが分かった。この相関が結果として生ず
るのは、同一結晶からのレーザーロッド及び複数劈開片
に対して行った測定から得た吸収係数△ｋのレーザー誘
導変化と結晶厚さ当たりのレントゲン誘導吸収の対値を
異なる結晶サンプルに対してプロットするときである。
更に、吸収係数△ｋのレーザー誘導変化の値をエネルギ
ー密度１ｍＪ／ｃｍ２に対して正規化する。この計算
は、レーザー誘導吸収係数△ｋと適用照射エネルギーと
の間に線形相関が有るので、特に合成原料製のサンプル
の場合に可能である。
【００３０】レントゲン照射の代わりにＣｏ６０でのγ
線照射を用いて、同じ実験を行った。γ線照射の照射条
件は飽和条件を再度用いるようにして、選択した。γ線
照射実験でも、レントゲン照射実験と同じ結果が得られ
た。だが、Ｃｏ６０からの硬い放射線は操作がかなり高
価なものとなる。
線照射を用いて、同じ実験を行った。γ線照射の照射条
件は飽和条件を再度用いるようにして、選択した。γ線
照射実験でも、レントゲン照射実験と同じ結果が得られ
た。だが、Ｃｏ６０からの硬い放射線は操作がかなり高
価なものとなる。
【００３１】上記線形相関は、レントゲン誘導吸収の面
積分の測定がエキシマレーザでの照射に関して予測され
る照射安定性の目安を提供することを示している。同時
に、レントゲン誘導吸収の面積分に対して吸収係数△ｋ
のレーザー誘導変化をプロットすることにより、面積分
に対する吸収係数△ｋのレーザー誘導変化の比が得られ
るので、予測されるレーザー安定性に関する絶対的言明
が、面積分を測定することにより可能である。
積分の測定がエキシマレーザでの照射に関して予測され
る照射安定性の目安を提供することを示している。同時
に、レントゲン誘導吸収の面積分に対して吸収係数△ｋ
のレーザー誘導変化をプロットすることにより、面積分
に対する吸収係数△ｋのレーザー誘導変化の比が得られ
るので、予測されるレーザー安定性に関する絶対的言明
が、面積分を測定することにより可能である。
【００３２】本発明方法で得られる結晶は光学レンズ、
ステッパー、ウェーハ、電子部品、特にチップ及びコン
ピュータ、並びに微細機械装置の製造に適している。本
発明の目的、特徴及び利点について図面を参照しつつな
される、以下の好ましい実施態様によって説明する。
ステッパー、ウェーハ、電子部品、特にチップ及びコン
ピュータ、並びに微細機械装置の製造に適している。本
発明の目的、特徴及び利点について図面を参照しつつな
される、以下の好ましい実施態様によって説明する。
【００３３】
【実施態様】試験結晶をＢｒｉｄｇｅｍｅｎ−Ｓｔｏｃ
ｋｂａｒｇｅｒ法により作成した。例えば、ＣａＦ２粉
末を容器に充填する。この粉末を１４００〜１４６０℃
の温度で溶融した。容器を降下することにより、結晶を
温度場に引き込む。１０−４〜１０−５Ｔｏｒｒの真空
下で、結晶成長が起こる。
ｋｂａｒｇｅｒ法により作成した。例えば、ＣａＦ２粉
末を容器に充填する。この粉末を１４００〜１４６０℃
の温度で溶融した。容器を降下することにより、結晶を
温度場に引き込む。１０−４〜１０−５Ｔｏｒｒの真空
下で、結晶成長が起こる。
【００３４】他の既知の結晶法、例えばＣｚｏｃｈｒａ
ｌｓｋｉ ＆ Ｎａｃｋｅｎ−Ｋｙｒｏｐｏｕｌｕｓ法
は一般にＣａＦ２結晶の商業的成長のためのものである
が、ここでは重要でないか、副次的重要性をもつに過ぎ
ない(文献：Ｋ．−Ｔｈ．Ｗｉｌｋｅ ａｎｄ Ｊ．Ｂ
ｏｈｍ， "Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ"， Ｖｅｒ
ｌａｇ Ｈａｒｒｉ Ｄｅｕｔｓｃｈ， Ｔｈｕｎ，
Ｆｒａｎｋｆｕｒｔ／Ｍａｉｎ １９９８)。
ｌｓｋｉ ＆ Ｎａｃｋｅｎ−Ｋｙｒｏｐｏｕｌｕｓ法
は一般にＣａＦ２結晶の商業的成長のためのものである
が、ここでは重要でないか、副次的重要性をもつに過ぎ
ない(文献：Ｋ．−Ｔｈ．Ｗｉｌｋｅ ａｎｄ Ｊ．Ｂ
ｏｈｍ， "Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ"， Ｖｅｒ
ｌａｇ Ｈａｒｒｉ Ｄｅｕｔｓｃｈ， Ｔｈｕｎ，
Ｆｒａｎｋｆｕｒｔ／Ｍａｉｎ １９９８)。
【００３５】結晶性ＣａＦ２は、ＤＵＶ写真印刷におい
て光学部品に用いられる非晶質石英ガラスとは異なり、
結晶の｛１，１，１｝方向に沿って劈開される。
て光学部品に用いられる非晶質石英ガラスとは異なり、
結晶の｛１，１，１｝方向に沿って劈開される。
【００３６】劈開片は粗結晶から分離できる。例えば、
結晶の下部でこれを行う。下部を結晶残部から引き離
す。その下部からの劈開により、一片を作成した。この
ようにして得られた劈開片は厚さＤが０．４〜０．５ｃ
ｍであった。この劈開片を複光束分光計に掛け、厚さＤ
に沿った吸収を測定した（測定Ａ）。用いられた波長範
囲は、１９０〜１０００ｎｍであった。
結晶の下部でこれを行う。下部を結晶残部から引き離
す。その下部からの劈開により、一片を作成した。この
ようにして得られた劈開片は厚さＤが０．４〜０．５ｃ
ｍであった。この劈開片を複光束分光計に掛け、厚さＤ
に沿った吸収を測定した（測定Ａ）。用いられた波長範
囲は、１９０〜１０００ｎｍであった。
【００３７】次いで、劈開片をレントゲン照射装置に掛
け、調整する。劈開片を８０〜１５０ＫｅＶのエネルギ
ー（放射線量１０４Ｇｙ）で照射し、レントゲン照射に
感受性のある全ての色中心が生成又は励起されるように
する（飽和）。照射は厚さＤの方向に行った。
け、調整する。劈開片を８０〜１５０ＫｅＶのエネルギ
ー（放射線量１０４Ｇｙ）で照射し、レントゲン照射に
感受性のある全ての色中心が生成又は励起されるように
する（飽和）。照射は厚さＤの方向に行った。
【００３８】次いで、劈開片を再度、分光光度計にかけ
る（同一測定点）。照射から一定の時間（２時間）の
後、１９０〜１０００ｎｍの波長範囲で吸収スペクトル
を測定した（測定Ｂ）。測定Ａ及び測定Ｂに対する測定
スペクトルの差から吸収の変化を計算した。既知の厚さ
Ｄを含むことにより、吸収係数△ｋ（１／ｃｍ）の変化
が計算で得られる。次いで、波長λ(ｎｍ）に対して、
この吸収係数の変化をプロットした。このプロットから
計算により、面積分が得られる。
る（同一測定点）。照射から一定の時間（２時間）の
後、１９０〜１０００ｎｍの波長範囲で吸収スペクトル
を測定した（測定Ｂ）。測定Ａ及び測定Ｂに対する測定
スペクトルの差から吸収の変化を計算した。既知の厚さ
Ｄを含むことにより、吸収係数△ｋ（１／ｃｍ）の変化
が計算で得られる。次いで、波長λ(ｎｍ）に対して、
この吸収係数の変化をプロットした。このプロットから
計算により、面積分が得られる。
【００３９】上記劈開片に極めて近い測定バーを、上記
結晶の残部下から長さ１００ｍｍｘ幅２５ｍｍｘ高さ２
５ｍｍに切り出す。測定バーの表側面を研磨して、この
面でのレーザー照射に対する散乱効果を最小にする。エ
キシマレーザでの照射前後の吸収係数△ｋを、この測定
バーの長さＬ方向において決定する。ｋの両値から、差
△ｋを計算した。適用波長は、１９３ｎｍ（ＡｒＦエキ
シマレーザー）及び１５７ｎｍ（Ｆ２エキシマレーザ）
であった。異なる結晶を成長させて、測定を繰り返し
た。測定値を表１に示す。
結晶の残部下から長さ１００ｍｍｘ幅２５ｍｍｘ高さ２
５ｍｍに切り出す。測定バーの表側面を研磨して、この
面でのレーザー照射に対する散乱効果を最小にする。エ
キシマレーザでの照射前後の吸収係数△ｋを、この測定
バーの長さＬ方向において決定する。ｋの両値から、差
△ｋを計算した。適用波長は、１９３ｎｍ（ＡｒＦエキ
シマレーザー）及び１５７ｎｍ（Ｆ２エキシマレーザ）
であった。異なる結晶を成長させて、測定を繰り返し
た。測定値を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】吸収係数△ｋのレーザー誘導変化とレント
ゲン誘導吸収の面積分の対値のプロット、即ちグラフは
直線で示される。言い換えれば、吸収係数△ｋのレーザ
ー誘導変化とレントゲン誘導吸収の面積分の間には図に
示すように、直線相関が有る。値のばらつきは実質的
に、ＡｒＦエキシマレーザーでのエネルギー安定性問題
の結果である。
ゲン誘導吸収の面積分の対値のプロット、即ちグラフは
直線で示される。言い換えれば、吸収係数△ｋのレーザ
ー誘導変化とレントゲン誘導吸収の面積分の間には図に
示すように、直線相関が有る。値のばらつきは実質的
に、ＡｒＦエキシマレーザーでのエネルギー安定性問題
の結果である。
【００４２】レントゲン誘導吸収Ｆ１の面積分が与えら
れた上で吸収係数△ｋのレーザー誘導変化を計算出来る
公式を、図にプロットされた相関から線形回帰解析法に
より計算することが出来る。この公式は次の通りであ
る。
れた上で吸収係数△ｋのレーザー誘導変化を計算出来る
公式を、図にプロットされた相関から線形回帰解析法に
より計算することが出来る。この公式は次の通りであ
る。
【００４３】
【数１】
【００４４】この関数関係は本質的に校正曲線であり、
これによりレントゲン照射後の差スペクトルからレーザ
ー誘導吸収係数を単位（１／ｃｍ／（ｍＪ／ｃｍ２））
素早く計算出来る。積分を行う波長範囲は校正曲線の１
９０ｎｍから１０００ｎｍまで亘っている（図参照）。
これによりレントゲン照射後の差スペクトルからレーザ
ー誘導吸収係数を単位（１／ｃｍ／（ｍＪ／ｃｍ２））
素早く計算出来る。積分を行う波長範囲は校正曲線の１
９０ｎｍから１０００ｎｍまで亘っている（図参照）。
【００４５】所定の適用に対する作動波長での吸収係数
△ｋのレーザー誘導変化に付いてユーザーが光学材料を
検査するとき、上記校正曲線は必須である。他の線形相
関又は依存性は当業者が容易に決定でき、他のレーザー
波長（即ち代替的作動波長）でも得られるものである。
△ｋのレーザー誘導変化に付いてユーザーが光学材料を
検査するとき、上記校正曲線は必須である。他の線形相
関又は依存性は当業者が容易に決定でき、他のレーザー
波長（即ち代替的作動波長）でも得られるものである。
【００４６】上記の場合にように他の波長範囲で積分を
行っても、類似の線形相関が見出される。また、レント
ゲン誘導色変化、即ち吸収変化の後、線形相関に個々の
吸収帯域の強度を求めることも出来る。
行っても、類似の線形相関が見出される。また、レント
ゲン誘導色変化、即ち吸収変化の後、線形相関に個々の
吸収帯域の強度を求めることも出来る。
【００４７】以上、本発明は結晶の照射安定性を測定す
る方法に具現されるものとして例示且つ記載されたが、
本発明の精神を如何ようにも逸脱することなく為せる、
その種々の修正及び変更が可能であるから、指摘された
詳細に発明が限定されることを意図するものではない。
更なる分析なく、以上は本発明の要旨を、他者が現在の
知識を適用することにより、本発明の一般的又は特定の
側面の実質的特徴を、従来技術の観点から相応に構成す
る特徴を省略することなく、それを種々の応用に適合出
来る程度まで充分に示すものである。
る方法に具現されるものとして例示且つ記載されたが、
本発明の精神を如何ようにも逸脱することなく為せる、
その種々の修正及び変更が可能であるから、指摘された
詳細に発明が限定されることを意図するものではない。
更なる分析なく、以上は本発明の要旨を、他者が現在の
知識を適用することにより、本発明の一般的又は特定の
側面の実質的特徴を、従来技術の観点から相応に構成す
る特徴を省略することなく、それを種々の応用に適合出
来る程度まで充分に示すものである。
【図１】ＡｒＦエキシマレーザーによるレーザー誘導損
傷とレントゲン損傷の相関を示すグラフである。
傷とレントゲン損傷の相関を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルクハルド シュパイト ドイツ、07749 イェナ、タルシュトラー セ 14 (72)発明者 ロレンツ シュトレンジ ドイツ、55218 インゲルハイム、アウフ ホフシュトラーセ 11 (72)発明者 ヨルグ カンドラー ドイツ、07749 イェナ、ブランドシュト ルムシュトラーセ 11 Ｆターム(参考） 2G001 AA01 AA02 AA07 BA11 CA01 CA02 KA20 LA11 MA05 2G059 AA03 BB15 BB16 EE01 EE12 HH03 MM01
Claims (14)
- 【請求項１】 後の使用時に採用される作動波長での照
射に対する結晶の照射安定性を測定する方法であって、
以下のステップ、即ち ａ）所定厚さ（Ｄ）の上記結晶、又は上記結晶の劈開片
がもつ第一の吸収スペクトル（Ａ）を分光光度計によ
り、第一の波長（λ１）から第二の波長（λ２）までの
所定波長範囲に亘って測定する、 ｂ）ステップａ）の測定の後、上記結晶、又は上記結晶
の劈開片を、飽和条件下で色中心を形成するのに充分高
いエネルギー密度のエネルギー照射源で所定時間、照射
する、 ｃ）ステップｂ）の照射の後、上記結晶、又は上記結晶
の劈開片がもつ第二の吸収スペクトル（Ｂ）を上記第一
の波長（λ１）から上記第二の波長（λ２）までの上記
所定波長範囲に亘って測定する、 ｄ）上記第一の吸収スペクトル（Ａ）と上記第二の吸収
スペクトル（Ｂ）の差スペクトルの面積分を、上記第一
の波長（λ１）から上記第二の波長（λ２）までの上記
所定波長範囲に亘って形成し、上記面積分を上記厚さで
割って単位厚さ当たりの上記面積分の値を得る、次いで ｅ）該単位厚さ当たりの面積分の値から上記作動波長に
おける吸収係数（△ｋ）を決定する を含んで成る方法。 - 【請求項２】 前記エネルギー照射源がレントゲン照射
源又はＣｏ６０照射源である請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記結晶の劈開片は厚さが１０ｍｍ未満
である請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記厚さが５ｍｍ未満である請求項３に
記載の方法。 - 【請求項５】 前記結晶が弗化物の結晶である請求項１
に記載の方法。 - 【請求項６】 前記結晶がＣａＦ２結晶、ＢａＦ２結晶
又はＬｉＦ結晶である請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記作動波長が１９３ｎｍ又は１５７ｎ
ｍである請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記エネルギー密度が１０３〜１０５Ｇ
ｙである請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 前記所定時間が１０〜３６０分である請
求項１に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記所定波長範囲が前記作動波長を含
む請求項１に記載の方法。 - 【請求項１１】 化学組成が前記結晶と同一である複数
の結晶サンプルに対して前記エネルギー照射源を照射し
た前後の差のスペクトルの面積分の正規化値に対する、
前記作動波長での照射前後で測定された吸収係数（△
ｋ）のプロットから成る校正曲線を用意し、該校正曲線
と前記単位厚さ当たりの面積分の値から上記結晶の吸収
係数（△ｋ）を得るステップを更に含んで成る請求項１
に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記結晶及び結晶サンプルが弗化物で
あり、前記エネルギー照射源がレントゲン照射源であ
り、且つ前記所定時間が１０〜３６０分である請求項１
１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記作動波長が１９３ｎｍ又は１５７
ｎｍであり、且つ該作動波長がエキシマレーザを用いて
生成される請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 光学レンズ、ステッパー、ウェーハ、
電子部品又は微細機械装置を、該光学レンズ、ステッパ
ー、ウェーハ、電子部品又は微細機械装置に対する作動
波長で所定の照射安定性を有する結晶より製作する方法
であって、該波長での上記結晶の所定照射安定性を検査
方法により測定することを含んで成る方法において、該
検査方法が、 ａ）所定厚さ（Ｄ）の上記結晶、又は上記結晶の劈開片
がもつ第一の吸収スペクトル（Ａ）を分光光度計によ
り、第一の波長（λ１）から第二の波長（λ２）までの
所定波長範囲に亘って測定する、 ｂ）ステップａ）の測定の後、上記結晶、又は上記結晶
の劈開片を、飽和条件下で色中心を形成するのに充分高
いエネルギー密度のエネルギー照射源で所定時間、照射
する、 ｃ）ステップｂ）の照射の後、上記結晶、又は上記結晶
の劈開片がもつ第二の吸収スペクトル（Ｂ）を上記第一
の波長（λ１）から上記第二の波長（λ２）までの上記
所定波長範囲に亘って測定する、 ｄ）上記第一の吸収スペクトル（Ａ）と上記第二の吸収
スペクトル（Ｂ）の差スペクトルの面積分を、上記第一
の波長（λ１）から上記第二の波長（λ２）までの上記
所定波長範囲に亘って形成し、上記面積分を上記厚さで
割って単位厚さ当たりの上記面積分の値を得る、次いで ｅ）該単位厚さ当たりの面積分の値から上記作動波長に
おける吸収係数（△ｋ）を決定する を含んで成る製作方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10050349.7 | 2000-10-11 | ||
| DE10050349A DE10050349C2 (de) | 2000-10-11 | 2000-10-11 | Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen und deren Verwendung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002195962A true JP2002195962A (ja) | 2002-07-10 |
| JP3637489B2 JP3637489B2 (ja) | 2005-04-13 |
Family
ID=7659411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313476A Expired - Fee Related JP3637489B2 (ja) | 2000-10-11 | 2001-10-11 | 結晶の照射安定性を測定する改良された方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6603547B2 (ja) |
| EP (1) | EP1197477A1 (ja) |
| JP (1) | JP3637489B2 (ja) |
| DE (1) | DE10050349C2 (ja) |
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| JP2008046134A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Schott Ag | 光学材料のレーザ安定性を特定する方法、この方法により選ばれた結晶及び選ばれた結晶の使用 |
| JP2016038303A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 液体分析装置 |
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