JP2002162643A - 共通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents

共通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、共通電極基板及びそれを備えた液晶
表示装置に関し、輝度が高く良好な表示特性の得られる
共通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】複数のゲートバスライン及びドレインバス
ラインで画定された画素領域内に形成された画素電極１
６を有するアレイ基板に対向して配置され、負の誘電率
異方性を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板と、透明
絶縁性基板上に形成された共通電極と、共通電極上に形
成された線状の突起８と、透明絶縁性基板上に形成さ
れ、画素電極１６端部に生じた液晶の配向不良領域を遮
光するように、透明絶縁性基板面に垂直な方向から見
て、画素電極１６と重なる重なり領域１８を有する遮光
膜６とを備えるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アレイ基板に対向
して配置される共通電極基板及びそれを備えた液晶表示
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は一対の基板の間に封入さ
れた液晶を含む。一対の基板はそれぞれ電極及び配向膜
を有する。従来から広く用いられているＴＮ（Ｔｗｉｓ
ｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モード液晶表示装置は水平配向
膜及び正の誘電率異方性を有する液晶を含み、電圧が印
加されていないときに液晶は水平配向膜に対してほぼ平
行に配向する。電圧を印加すると、液晶は水平配向膜に
対してほぼ垂直になる方向に立ち上がる。
【０００３】ＴＮモード液晶表示装置は薄型化が可能で
ある等の利点を有するが、第１に視野角が狭い、第２に
コントラストが低いという欠点をもつ。この第１の欠点
を改良し、広い視野角を図る方法として配向分割があ
る。配向分割は、一画素を２つの領域に分割して、一方
の領域では液晶が一方の側に向かって立ち上がり又は倒
れ、他方の領域では液晶が反対の側に向かって立ち上が
り又は倒れるようにする。一画素内で視角特性の異なる
領域を形成することで、全体として見た場合に視角特性
を平均化して広い視野角を得ることができる。
【０００４】液晶の配向を制御するためには、通常、配
向膜にラビングを行う。配向分割を行う場合には、マス
クを使用して一画素の一方の領域を第１の方向にラビン
グし、それから補完的なマスクを使用して一画素の他方
の領域を第１の方向とは反対の第２の方向にラビングす
る。あるいは、配向膜全体を第１の方向にラビングし、
マスクを使用して一画素の一方の領域又は他方の領域に
選択的に紫外線照射を行い、一方の領域と他方の領域と
で液晶のプレチルトに差ができるようにする。
【０００５】水平配向膜を用いた液晶表示装置では、ラ
ビングを行う必要があり、ラビング時に発生する汚染や
静電気による障害が歩留まり低下の要因となっている。
【０００６】一方、垂直配向膜を使用したＶＡ（Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）モード液晶表示装置
では、電圧が印加されていないときに液晶は垂直配向膜
に対してほぼ垂直に配向し、電圧を印加すると液晶は垂
直配向膜に対して水平となる方向に倒れる。このように
することで高いコントラストが得られ、前記ＴＮモード
液晶表示装置の第２の欠点であるコントラストの低さは
解消されるが、垂直配向膜を使用した一般的なＶＡモー
ド液晶表示装置でも、液晶の配向を制御するためには通
常配向膜にラビングを行う。
【０００７】本願の出願人による特願平１０−１８５８
３６号は、ラビングを行わずに液晶の配向を制御するこ
とのできる液晶表示装置を提案している。この液晶表示
装置は、垂直配向膜及び負の誘電率異方性を有する液晶
を有するＶＡモード液晶表示装置であり、液晶の配向を
制御するために一対の基板の各々に設けられた線状の配
向規制用構造物（突起又はスリット）を備えている。
【０００８】なお、本明細書内においては、以後この方
式のＶＡモード液晶表示装置をＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄ
ｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
液晶表示装置という。
【０００９】ＭＶＡ液晶表示装置は、ラビングが不要で
あり、しかも線状の配向規制用構造物の配置により配向
分割を達成することができるという利点を有している。
したがって、ＭＶＡ液晶表示装置は、広い視野角と高い
コントラストを得ることが可能となる。ラビングを行う
必要がないので、液晶表示装置の製造が簡単であり、ラ
ビング時の配向膜の削りかす等による汚染がなく、液晶
表示装置の信頼性が向上する。
【００１０】図２１は、従来のＭＶＡ液晶表示装置の基
本構成を示す平面図であり、一画素とその周辺領域を示
している。ＭＶＡ液晶表示装置は、各画素にスイッチン
グ素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０２を備え
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置である。
【００１１】ＴＦＴ１０２が設けられているアレイ基板
１２２には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１
０４と、図中上下方向に延びるドレインバスライン１０
６が形成されている。ＴＦＴ１０２は、ドレインバスラ
イン１０６から延びるドレイン電極１０８と、ドレイン
電極１０８と対向配置されるソース電極１１０と、ゲー
トバスライン１０４のうちドレイン電極１０８及びソー
ス電極１１０とオーバーラップする部分（ゲート電極）
とからなる。また、図示しないが、ゲートバスライン１
０４上には、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
膜からなるチャネル層が形成されている。さらに、アレ
イ基板１２２にはソース電極１１０に接続される画素電
極１１２が形成されている。画素電極１１２には、画素
電極１１２端辺に対して斜めになるようにスリット１１
４が設けられ、このスリット１１４がアレイ基板１２２
側の液晶の配向を制御する配向規制用構造物となる。画
素電極１１２にはスリット１１４によって電気的に分離
されないように接続部１１６が設けられ、これによって
一画素内の画素電極１１２は電気的に接続されている。
【００１２】共通電極及びカラーフィルタ（図２１では
共に図示せず）が形成される共通電極基板１２８上に
は、アレイ基板１２２上のＴＦＴ１０２が形成されてい
る領域と、それ以外の領域であって画素電極１１２又は
配向規制用構造物（図２１ではスリット１１４）が形成
されていない領域に遮光膜１３６（図中左上から右下へ
引いたハッチングで示している）が形成されている。遮
光膜１３６は、ＴＦＴ１０２のチャネル層に光が入射し
て生じるリーク電流を抑制し、また隣接する画素電極１
１２間からの光漏れを防ぎ、さらに隣接画素間の混色を
防止するために形成されている。そのため遮光膜１３６
は、共通電極基板１２８面に垂直な方向から見て、画素
電極１１２端辺に遮光膜１３６端辺がほぼ一致するよう
に形成されている。また、共通電極基板１２８上には、
配向規制用構造物となる突起１１８が形成され、対向す
るアレイ基板１２２上に形成されているスリット１１４
とともに液晶の配向を制御している。
【００１３】例えば、対角１５インチのＸＧＡの液晶表
示装置（ＬＣＤパネル）の場合、一画素の大きさは９９
μｍ×２９７μｍである。スリット１１４及び突起１１
８の幅はそれぞれ１０μｍであり、スリット１１４と突
起１１８との間隔は基板面方向に見て２５μｍである。
また、画素電極１１２の接続部１１６の幅は４μｍであ
り、ドレインバスライン１０６端部と画素電極１１２端
部の距離は７μｍである。
【００１４】図２２乃至図２４は、図２１におけるＥ−
Ｅ線での簡略化した断面図であり、液晶の配向を制御す
る配向規制用構造物であるスリット１１４と突起１１８
の作用を示している。図２２は、一対の基板１２２、１
２８の電極間に電圧が印加されていないときの液晶の状
態を示している。アレイ基板１２２側には、ガラス基板
１２０上に画素電極１１２が形成され、画素電極１１２
にはスリット１１４が形成されている。さらに、画素電
極１１２及びスリット１１４を覆って配向膜（垂直配向
膜）１２６が形成されている。一方、共通電極基板１２
８側には、ガラス基板１２０上に画素電極１１２と対向
して全面に共通電極１２４が形成され、共通電極１２４
上にレジスト等の絶縁体（誘電体）からなる突起１１８
が形成されている。さらに、共通電極１２４及び突起１
１８を覆って配向膜１２６が形成されている。
【００１５】また、アレイ基板１２２と共通電極基板１
２８との間には液晶ＬＣが封止されており、液晶分子
（図中、長円で示す）は配向膜１２６に対して垂直に配
向している。したがって、突起１１８表面に形成されて
いる配向膜１２６に対しても液晶分子は垂直に配向し、
突起１１８表面近傍の液晶分子はガラス基板１２０に対
して傾斜した状態となる。ただし、厳密に見ると、突起
１１８表面近傍の液晶分子は配向膜１２６に対して垂直
には配向していない。それは、突起１１８が形成されて
いない領域では液晶分子は配向膜１２６によりガラス基
板１２０に対して略垂直に配向しており、液晶の連続体
性のために画素中の大部分を占める液晶分子に倣い、配
向膜１２６に垂直な方向からガラス基板１２０の法線方
向よりに傾斜した状態となっている。また、図示してい
ないが、アレイ基板１２２及び共通電極基板１２８のガ
ラス基板１２０の外側には一対の偏光板がクロスニコル
の状態で配置され、よって、電圧無印加の状態では黒表
示となる。
【００１６】図２３は、一対の基板の電極間に電圧を印
加したときの等電位線を示している。図２４はそのとき
の液晶の状態を示している。図２３中に破線で示す等電
位線に示されるように、画素電極１１２及び共通電極１
２４間に電圧を印加すると、スリット１１４や突起１１
８が形成された部分での電界の分布が他の部分とは異な
るようになる。これは、スリット１１４が形成された部
分では、画素電極１１２の端部より対向する共通電極１
２４へ向けて斜めの電界が形成されるためであり、突起
１１８が形成された部分では、突起１１８が共通電極１
２４上に設けられた誘電体であることによって電界が歪
められるためである。したがって、図２４に示されるよ
うに、液晶分子は図中矢印の方向に、すなわち電界の方
向と垂直となる方向に電圧の大きさに応じて倒れてい
き、電圧印加の状態では白表示が得られることとなる。
【００１７】このとき突起１１８近傍の液晶分子は、突
起１１８が図２１に示すように線状に設けられたもので
ある場合、突起１１８を境界として突起１１８が設けら
れる方向に対して略垂直な２方向に倒れる。突起１１８
近傍の液晶分子は、電圧無印加の状態でもガラス基板１
２０に対する垂直方向よりわずかに傾斜しているので電
界に素早く応答して倒れ込み、周りの液晶分子もその挙
動に倣うようにして、さらに、電界の影響も受けながら
素早く倒れていく。同様に、スリット１１４近傍の液晶
分子も、スリット１１４が図２１に示されるように線状
に設けられたものである場合、スリット１１４を境界と
してスリット１１４が設けられる方向に対して略垂直な
２方向に倒れる。
【００１８】このようにして、図２２に示した２つの一
点鎖線の間の領域では、液晶分子が同じ方向に倒れ、す
なわち同じ方向に配向する領域が形成される。図２１中
の〔Ａ〕で示す領域である。そして、図２１に〔Ａ〕〜
〔Ｄ〕で代表的に示すように、ＭＶＡ液晶表示装置で
は、１つの画素中に４つの異なる配向方向の領域が形成
されるため、広視野角という特性が得られる。なお、こ
のような配向規制用構造物による配向制御は、図２１乃
至図２４に示すようなスリット１１４と突起１１８の組
合せの場合のみではなく、配向規制用構造物として、突
起と突起、あるいはスリットとスリットを用いた場合で
も、同様な配向制御を行うことができる。
【００１９】ＭＶＡ液晶表示装置においては広視野角は
得られるものの、液晶分子の配向の安定しない領域が存
在し、それにより輝度が低下するという問題が存在し
た。すなわち、電極間に電圧を印加した場合に、図２１
において斜線で示すような配向不良領域１３０が発生す
る。この配向不良領域１３０は光の透過率が悪い領域で
あるため、白表示を行った場合に輝度を低下させる原因
となっている。この配向不良領域１３０は、基板面に垂
直な方向から見て、共通電極基板１２８に設けられた配
向規制用構造物（図２１では突起１１８）が画素電極１
１２端辺と鈍角をなす側のドレインバスライン１０６に
沿う方向に発生する。配向不良領域１３０が発生してい
る領域では、液晶分子は一対の基板に設けられた配向規
制用構造物（図２１では突起１１８及びスリット１１
４）によって制御される配向方向とは異なる配向方向と
なっている。
【００２０】図２５は、上記従来の課題を解決したＭＶ
Ａ液晶表示装置を示す平面図であり、一画素とその周辺
領域を示している。なお、図２１に示した概略断面図の
構成要素と同一の機能作用を有する構成要素について
は、同一の符号を付してその説明を省略する。図２５に
示すＭＶＡ液晶表示装置は、図２１に示した配向不良領
域１３０を強く配向規制するために形成された配向規制
用構造物である補助突起１３２を有している。補助突起
１３２は、突起１１８から延出し、画素電極１１２端部
であってドレインバスライン１０６に沿う方向に形成さ
れている。この補助突起１３２により、液晶分子（図
中、円柱で示す）ａは液晶分子ｂと連続的に配向し、配
向不良領域１３０の液晶分子の配向は安定する。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】図２６は、従来のＭＶ
Ａ液晶表示装置で白を背景にして、図中上下方向に長い
帯状の黒色の図形（以下黒縦帯という）を表示したとき
の表示領域を示している。表示領域１３４において、背
景の一部である画素Ａは白を表示しており、黒縦帯状の
中の画素Ｂは黒を表示している。図中で黒縦帯の下に位
置する画素Ｃは白を表示しているが、画素Ａと比較する
と暗くなっている。画素Ａと比較したときの画素Ｃの暗
さは、黒縦帯が図中縦に長くなるほど増加する。上記の
ように、従来のＭＶＡ液晶表示装置は、白背景において
黒縦帯を表示したとき、白を表示している黒縦帯の下の
領域が他の白を表示している領域と比較して暗く表示さ
れてしまうという問題を有している。
【００２２】また同様に、図２７は従来のＭＶＡ液晶表
示装置で黒を背景にして、図中上下方向に長い帯状の白
色の図形（以下白縦帯という）を表示したときの表示領
域を示している。表示領域１３４において、背景の一部
である画素Ａは黒を表示しており、白縦帯の中の画素Ｂ
は白を表示している。図中で白縦帯の下に位置する画素
Ｃは黒を表示しているが、画素Ａと比較すると明るくな
っている。画素Ａと比較したときの画素Ｃの明るさは、
白縦帯が図中縦に長くなるほど増加する。上記のよう
に、従来のＭＶＡ液晶表示装置は、黒背景において白縦
帯を表示したとき、黒を表示している白縦帯の下の領域
が他の黒を表示している領域と比較して明るく表示され
てしまうという問題を有している。以後上記のように、
画素Ｃ周辺の領域が画素Ａ周辺の領域と比較して明るく
又は暗くなる現象を縦クロストークという。縦クロスト
ークは、補助突起１３２が形成されていない画素電極１
１２端部とドレインバスライン１０６との間に生じる横
電界が液晶の配向に影響を与えることにより発生する。
【００２３】本発明の目的は、輝度が高く良好な表示特
性の得られる共通電極基板及びそれを備えた液晶表示装
置を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、複数のゲー
トバスライン及びドレインバスラインで画定された画素
領域内に形成された画素電極を有するアレイ基板に対向
して配置され、負の誘電率異方性を有する液晶を挟持す
る透明絶縁性基板と、前記透明絶縁性基板上に形成され
た共通電極と、前記共通電極上に形成された線状の突起
を有する配向規制用構造物と、前記透明絶縁性基板上に
形成され、前記画素電極端部に生じた前記液晶の配向不
良領域を遮光するように、前記透明絶縁性基板面に垂直
な方向から見て、前記画素電極と重なる重なり領域を有
する遮光膜とを備えることを特徴とする共通電極基板に
よって達成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態による
共通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置を図１乃至
図１８を用いて説明する。まず、本発明の実施の形態の
前提となる従来のＭＶＡ液晶表示装置における縦クロス
トークの主な発生原因について、図１乃至図１１を用い
て説明する。図１乃至図３は、図２６に示した各画素
Ａ、Ｂ、Ｃ内におけるゲート電圧、ドレイン電圧、画素
電圧及びコモン電圧の一例を示すグラフである。図１
は、画素Ａにおけるゲート電圧Ｖg、ドレイン電圧Ｖd、
画素電圧Ｖp及びコモン電圧Ｖcomを示している。横軸は
時間を表しており、図１ではほぼ２フレーム分（例えば
約１／３０秒）を示している。縦軸は電圧（Ｖ）を表し
ている。図２６中で画素Ａを含むドレインバスライン上
の全ての画素は白を表示しているので、ドレイン電圧Ｖ
dはフレーム周期で＋５Ｖ又は−５Ｖとなる。ゲート電
極（図示せず）にゲート電圧Ｖgが印加されたとき、ド
レイン電圧Ｖdの＋５Ｖ又は−５Ｖが画素電圧Ｖpとして
画素Ａに書き込まれる。画素電圧Ｖpは、蓄積容量（図
示せず）により次のフレームまでほぼその電位が保持さ
れる。本例ではコモン電圧Ｖcomは常に０Ｖである。画
素電圧Ｖpとドレイン電圧Ｖdの電位差ｅはフレーム期間
中の大部分で１０Ｖである。
【００２６】図２は、図２６に示した画素Ｂにおけるゲ
ート電圧Ｖg、ドレイン電圧Ｖd、画素電圧Ｖp及びコモ
ン電圧Ｖcomを示している。図２の横軸は時間を表して
おり、図１の横軸と同一でほぼ２フレーム分を示してい
る。縦軸は電圧（Ｖ）を表している。画素Ｂは黒を表示
しており、図２６中で画素Ｂを含むドレインバスライン
上の画素の大部分も黒を表示している。そのため、ドレ
イン電圧Ｖdは、フレーム期間中の大部分で＋１Ｖ又は
−１Ｖであり、一部が＋５Ｖ又は−５Ｖである。ゲート
電極にゲート電圧Ｖgが印加されたとき、ドレイン電圧
Ｖdの＋１Ｖ又は−１Ｖが画素電圧Ｖpとして画素Ｂに書
き込まれる。
【００２７】図３は、図２６に示した画素Ｃにおけるゲ
ート電圧Ｖg、ドレイン電圧Ｖd、画素電圧Ｖp及びコモ
ン電圧Ｖcomを示している。図３の横軸は時間を表して
おり、図１及び図２と同一のほぼ２フレーム分を示して
いる。縦軸は電圧（Ｖ）を表している。画素Ｃは白を表
示しているが、図２６中で画素Ｃを含むドレインバスラ
イン上の画素の大部分は黒を表示している。そのため、
ドレイン電圧Ｖdは、フレーム期間中の大部分で＋１Ｖ
又は−１Ｖであり、一部が＋５Ｖ又は−５Ｖである。黒
縦帯の縦方向の長さに比例して、ドレイン電圧Ｖdが＋
１Ｖ又は−１Ｖである時間は長くなる。ゲート電極にゲ
ート電圧Ｖgが印加されたとき、ドレイン電圧Ｖdの＋５
Ｖ又は−５Ｖが画素電圧Ｖpとして画素Ｃに書き込まれ
る。画素電圧Ｖpとドレイン電圧Ｖdの電位差ｅは大部分
で６Ｖであり、一部で１０Ｖである。実際に画素電極と
ドレインバスラインの間に生じる電位差ｅはこれらの平
均値であるが、黒縦帯の縦方向の長さが長くなれば電位
差ｅはほぼ６Ｖとなる。
【００２８】ここで、画素Ａと画素Ｃにおける液晶の状
態を図４乃至図６を用いて説明する。図４は、画素Ａに
おけるドレインバスライン４２に沿う方向の画素電極１
６端部の概略断面図を示している。アレイ基板３２は、
ガラス基板２２上にドレインバスライン４２と画素電極
１６を有している。アレイ基板３２と対向する共通電極
基板３４は、ほぼ画素電極１６の形成されていない領域
に形成された遮光膜６と、ほぼ基板全面に形成された共
通電極２４とを有している。両基板３２、３４の対向面
には、電圧無印加状態で液晶分子を両基板３２、３４に
対して垂直に配向させるための垂直配向膜（図示せず）
が形成されている。また、両基板３２、３４間には負の
誘電率異方性を有する液晶ＬＣが封入されている。液晶
分子の多くは、画素電極１６と共通電極２４の間の電界
によって図中右方向へ倒れている。液晶分子が倒れてい
ることによって、画素Ａでは白表示が得られている。
【００２９】図１に示したように、画素Ａではドレイン
バスライン４２のドレイン電圧Ｖdはフレーム周期で＋
５Ｖ又は−５Ｖであり、画素電極１６の画素電圧Ｖpは
−５Ｖ又は＋５Ｖである。共通電極２４のコモン電圧Ｖ
comは０Ｖである。したがって、画素電極１６とドレイ
ンバスライン４２の間の電位差はほぼ１０Ｖであり、画
素電極１６と共通電極２４の間の電位差は５Ｖである。
図４中の破線は電極間に生じる電界Ｅ1、Ｅ2を表してお
り、｜Ｅ2｜＞｜Ｅ1｜となる。つまり、画素電極１６と
ドレインバスライン４２の間には、画素電極１６と共通
電極２４の間の電界Ｅ1より強い横電界Ｅ2が生じてい
る。
【００３０】この強い横電界Ｅ2の影響で、画素電極１
６とドレインバスライン４２の間の液晶分子は、両基板
３２、３４面に対してほぼ垂直に配向する。しかし、遮
光膜６はドレインバスライン４２上から画素電極１６端
部までを遮光しているので、これらの領域の配向不良は
表示には影響しない。また、画素電極１６端部の液晶分
子は横電界Ｅ2の影響を受けて倒れるものの、もともと
白表示のため問題とならない。
【００３１】図５は、画素Ｃにおけるドレインバスライ
ンに沿う方向の画素電極端部の概略断面を示している。
なお、図４に示した概略断面図の構成要素と同一の機能
作用を有する構成要素については、同一の符号を付して
その説明を省略する。液晶分子の多くは、図４に示した
画素Ａと同様に、画素電極１６と共通電極２４の間の電
界によって図中右方向へ倒れている。液晶分子が倒れて
いることによって、画素Ｃではほぼ白表示が得られてい
る。
【００３２】図３に示したように、画素Ｃでは、ドレイ
ンバスライン４２のドレイン電圧Ｖ dはフレーム期間中
の大部分で＋１Ｖ又は−１Ｖであり、画素電極１６の画
素電圧Ｖpは−５Ｖ又は＋５Ｖである。共通電極２４の
コモン電圧Ｖcomは０Ｖである。したがって、画素電極
１６とドレインバスライン４２の間の電位差ｅはほぼ６
Ｖであり、画素電極１６と共通電極２４の間の電位差は
５Ｖである。図５中の破線は電極間に生じる電界Ｅ1、
Ｅ2を表しており、｜Ｅ2｜≒｜Ｅ1｜である。画素電極
１６とドレインバスライン４２の間には、画素電極１６
と共通電極２４の間の電界Ｅ1とほぼ同じ強さの横電界
Ｅ2が生じている。
【００３３】この横電界Ｅ2の影響で、画素電極１６と
ドレインバスライン４２の間の液晶分子は、両基板３
２、３４面に対してほぼ垂直に配向する。しかし、遮光
膜６はドレインバスライン４２上から画素電極１６端部
までを遮光しているので、これらの領域の配向不良は表
示には影響しない。画素電極１６端部の液晶分子は、両
基板３２、３４に垂直な方向の電界Ｅ1とほぼ同じ強さ
の横電界Ｅ2の影響を受けるため十分に倒れない。これ
により画素電極１６端部では同一画素の他の部分と比較
して光透過量が減少するため、画素Ｃは画素Ａと比較す
ると暗く表示され、縦クロストークが発生する。図６
は、縦クロストークが生じている液晶表示装置における
図２５と同様の一画素の平面を示している。上記の配向
不良が生じる配向不良領域５６は、画素電極１１２端部
のドレインバスライン１０６に沿う方向であって補助突
起１３２が形成されていない領域に発生する。
【００３４】図７乃至図９は、図２７に示した各画素
Ａ、Ｂ、Ｃにおけるゲート電圧、ドレイン電圧、画素電
圧及びコモン電圧の一例を示すグラフである。図７乃至
図９は図１乃至図３と同様のグラフであり、横軸はほぼ
２フレーム分の時間を表している。縦軸は電圧（Ｖ）を
表している。図７は、画素Ａにおけるゲート電圧Ｖg、
ドレイン電圧Ｖd、画素電圧Ｖp及びコモン電圧Ｖcomを
示している。図７中で画素Ａを含むドレインバスライン
４２上の全ての画素は黒を表示しているので、ドレイン
電圧Ｖdはフレーム周期で＋１Ｖ又は−１Ｖとなる。ゲ
ート電極にゲート電圧Ｖgが印加されたとき、ドレイン
電圧Ｖdの＋１Ｖ又は−１Ｖが画素電圧Ｖpとして画素Ａ
に書き込まれる。画素電圧Ｖpとドレイン電圧Ｖdの電位
差ｅはフレーム期間中の大部分で２Ｖである。
【００３５】図８は、図２７に示した画素Ｂにおけるゲ
ート電圧Ｖg、ドレイン電圧Ｖd、画素電圧Ｖp及びコモ
ン電圧Ｖcomを示している。画素Ｂは白を表示してお
り、図８中で画素Ｂを含むドレインバスライン４２上の
画素の大部分も白を表示している。そのため、ドレイン
電圧Ｖdは、フレーム期間中の大部分で＋５Ｖ又は−５
Ｖであり、一部が＋１Ｖ又は−１Ｖである。ゲート電極
にゲート電圧Ｖgが印加されたとき、ドレイン電圧Ｖdの
＋５Ｖ又は−５Ｖが画素電圧Ｖpとして画素Ｂに書き込
まれる。
【００３６】図９は、図２７に示した画素Ｃにおけるゲ
ート電圧Ｖg、ドレイン電圧Ｖd、画素電圧Ｖp及びコモ
ン電圧Ｖcomを示している。画素Ｃは黒を表示している
が、図２７中で画素Ｃを含むドレインバスライン４２上
の画素の大部分は白を表示している。そのため、ドレイ
ン電圧Ｖdは、フレーム期間中の大部分で＋５Ｖ又は−
５Ｖであり、一部が＋１Ｖ又は−１Ｖである。白縦帯の
縦方向の長さに比例して、ドレイン電圧Ｖdが＋５Ｖ又
は−５Ｖである時間は長くなる。ゲート電極にゲート電
圧Ｖgが印加されたとき、ドレイン電圧Ｖdの＋１Ｖ又は
−１Ｖが画素電圧Ｖpとして画素Ｃに書き込まれる。画
素電圧Ｖpとドレイン電圧Ｖdの電位差ｅはフレーム期間
中の大部分で６Ｖであり、一部で２Ｖである。実際に画
素電極１６とドレインバスライン４２の間に生じる電位
差ｅはこれらの平均値であるが、白縦帯の縦方向の長さ
が長くなれば電位差ｅはほぼ６Ｖとなる。
【００３７】ここで、画素Ａと画素Ｃの液晶の状態を図
１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、画素Ａに
おけるドレインバスライン４２に沿う方向の画素電極１
６端部の概略断面図を示している。なお、図４に示した
概略断面図の構成要素と同一の機能作用を有する構成要
素については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。電圧無印加状態の液晶分子は、垂直配向膜（図示せ
ず）により両基板３２、３４に対してほぼ垂直に配向し
ている。それによって画素Ａでは黒表示が得られてい
る。
【００３８】図７に示したように、画素Ａでは、ドレイ
ンバスライン１０６のドレイン電圧Ｖdはフレーム周期
で＋１Ｖ又は−１Ｖであり、画素電極１６の画素電圧Ｖ
pは−１Ｖ又は＋１Ｖである。共通電極２４のコモン電
圧Ｖcomは０Ｖである。したがって、画素電極１６とド
レインバスライン４２の間の電位差ｅはほぼ２Ｖであ
り、画素電極１６と共通電極２４の間の電位差は１Ｖで
ある。図１０中の破線は電極間に生じる電界Ｅ2を表し
ている。画素電極１６とドレインバスライン４２の間に
は、画素電極１６と共通電極２４の間の電界と比較して
強い横電界は生じていない。
【００３９】図１１は、画素Ｃにおけるドレインバスラ
イン４２に沿う方向の画素電極１６端部の概略断面図を
示している。なお、図４に示した概略断面図の構成要素
と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の
符号を付してその説明を省略する。電圧無印加状態の液
晶分子の多くは、図１０に示した画素Ａと同様に、垂直
配向膜により両基板３２、３４に対してほぼ垂直に配向
している。それによって画素Ｃではほぼ黒表示が得られ
ている。
【００４０】図９に示したように、画素Ｃでは、ドレイ
ンバスライン４２のドレイン電圧Ｖ dはフレーム期間中
の大部分で＋５Ｖ又は−５Ｖであり、画素電極１６の画
素電圧Ｖpは−１Ｖ又は＋１Ｖである。共通電極２４の
コモン電圧Ｖcomは０Ｖである。したがって、画素電極
１６とドレインバスライン４２の間の電位差ｅはほぼ６
Ｖであり、画素電極１６と共通電極２４の間の電位差は
１Ｖである。また、ドレインバスライン４２と共通電極
２４の間の電位差は５Ｖである。なお、図１１中の破線
は電極間に生じる電界Ｅ2、Ｅ3を表している。画素電極
１６とドレインバスライン４２の間には、画素電極１６
と共通電極２４の間の電界と比較して強い横電界Ｅ2が
生じている。また、ドレインバスライン４２と共通電極
２４の間にも強い電界Ｅ3が生じている。
【００４１】この画素電極１６とドレインバスライン４
２の間の横電界Ｅ2と、ドレインバスライン４２と共通
電極２４の間の電界Ｅ3との影響で、画素電極１６端部
の液晶分子は図中右側に倒れる。この配向不良のため、
画素電極１６端部で光漏れが生じ、その影響で画素Ｃは
画素Ａと比較すると明るく表示され、縦クロストークが
発生する。上記の配向不良は、図６に示した配向不良領
域５６で生ずる。
【００４２】さて、本実施の形態による共通電極基板及
びそれを備えた液晶表示装置の概略の構成について図１
２及び図１３を用いて説明する。図１２は本実施の形態
による液晶表示装置の全体構成を示している。アレイ基
板３２上には、ＴＦＴ２と、蓄積容量４と、例えばイン
ジウム酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）等の透明導電膜からなる画素電極を有する画素
領域８４とがマトリクス状に多数配置された表示領域８
６が画定されている。なお、図１２では画素領域８４内
に液晶表示装置の１画素分の等価回路を示している。表
示領域の周囲の図中左方にはゲートバスライン駆動回路
８８が配置され、図中上方にはドレインバスライン駆動
回路９０が配置されている。また、システム側からのド
ットクロックや、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、垂直同
期信号（Ｖｓｙｎｃ）、及びＲＧＢデータが入力する入
力端子９２が図中パネル上方に設けられている。
【００４３】アレイ基板３２は図示しないシール剤を介
して共通電極基板３４と対向して貼り合わされている。
アレイ基板３２と共通電極基板９４との間のセルギャッ
プに負の誘電率異方性を有する液晶ＬＣが封入されてい
る。アレイ基板３２上の画素電極と共通電極基板３４上
の共通電極、及びそれらに挟まれた液晶ＬＣで液晶容量
Ｃｌｃが形成されている。一方、アレイ基板３２側で表
示電極と蓄積容量バスラインが形成されて蓄積容量４が
形成されている。
【００４４】表示領域８６内には図中上下方向に延びる
ドレインバスライン４２が図中左右方向に平行に複数形
成されている。複数のドレインバスライン４２のそれぞ
れは、ドレインバスライン駆動回路９０に接続されてお
り、ドレインバスライン４２毎に所定の階調電圧が印加
されるようになっている。
【００４５】また、ドレインバスライン４２とほぼ直交
する方向に延びるゲートバスライン３６が図中上下方向
に平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン
３６のそれぞれは、ゲートバスライン駆動回路８８に接
続されている。ゲートバスライン駆動回路８８は、内蔵
したシフトレジスタから出力されるビット出力に同期し
て、複数のゲートバスライン３６に対して順にゲートパ
ルスを出力するようになっている。
【００４６】ゲートバスライン駆動回路８８により複数
のゲートバスライン３６のいずれか１つにゲートパルス
が出力されると、当該ゲートバスライン３６に接続され
ている複数のＴＦＴ２がオン状態になる。これにより、
ドレインバスライン駆動回路９０から複数のドレインバ
スライン４２のそれぞれに印加されている階調電圧が各
画素電極に印加される。
【００４７】図１３は、本実施の形態による共通電極基
板及びそれを備えた液晶表示装置の構成を示す平面図で
ある。図１３は液晶表示装置の一画素を示しており、Ｔ
ＦＴ２が設けられているアレイ基板３２上には、図中左
右方向に延びるゲートバスライン３６と、図中上下方向
に延びるドレインバスライン４２が形成されている。Ｔ
ＦＴ２は、ドレインバスライン４２から延びるドレイン
電極５２と、ドレイン電極５２と対向配置されるソース
電極５４と、ゲートバスライン３６のうちドレイン電極
５２及びソース電極５４とオーバーラップする部分（ゲ
ート電極）とからなる。また、図示しないが、ゲートバ
スライン３６上には、例えばアモルファスシリコン（α
−Ｓｉ）膜からなるチャネル層が形成されている。さら
に、アレイ基板３２にはソース電極５４に接続される画
素電極１６が形成されている。画素電極１６には、画素
電極１６端辺に対して斜めにスリット１２が設けられ、
このスリット１２がアレイ基板３２側の液晶の配向を制
御する配向規制用構造物となる。画素電極１６にはスリ
ット１２によって電気的に分離されないように接続部１
４が設けられ、これによって一画素内の画素電極１６は
電気的に接続されている。なお、図１３では画素中央を
横切る蓄積容量バスラインの図示は省略している。
【００４８】共通電極及びカラーフィルタ（図１３では
共に図示せず）が形成される共通電極基板３４上には、
アレイ基板３２上のＴＦＴ２が形成されている領域と、
それ以外の領域であって画素電極１６又は配向規制用構
造物（図１３ではスリット１２）が形成されていない領
域に、遮光膜６（図中ハッチングで示す）がＣｒ等の金
属で形成されている。遮光膜６は、共通電極基板３４面
に垂直な方向から見て、画素電極１６端辺に遮光膜６端
辺がほぼ一致するように形成されている。共通電極基板
３４上には、配向規制用構造物となる線状の突起８が画
素電極１６端辺に対して斜めに形成されている。また、
突起８から延出して画素電極１６端部のドレインバスラ
インに沿う方向に配向規制用構造物となる補助突起１０
が形成されている。遮光膜６には、共通電極基板３４面
に垂直な方向から見て、ドレインバスライン４２に沿う
方向であって補助突起１０の形成されていない領域の画
素電極１６と重なる重なり領域１８が形成されている。
重なり領域１８は、画素電極１６端部に生じた配向不良
領域５６を遮光するように設けられている。
【００４９】図１４は、遮光膜６に設けられた重なり領
域１８の幅に対する遮光効果を示すグラフである。横軸
は重なり領域１８の幅（μｍ）を表しており、縦軸は縦
クロストークの程度を図２６又は図２７に示した画素Ｃ
と画素Ａの明るさの変化に対する視認の程度で表してい
る。なお、重なり領域１８の幅は、基板面に垂直な方向
から見て、重なり領域１８のドレインバスライン４２方
向の端辺と画素電極１６のドレインバスライン方向の端
辺との距離である。図１４に示すように、重なり領域１
８の幅が２μｍ以下では、明るさの変化が視認できるた
め縦クロストークは生じている。重なり領域１８の幅が
４μｍでは、明るさの変化が微かに見えるため縦クロス
トークは発生している。重なり領域１８の幅が６μｍ以
上では、明るさの変化が見えなくなるため縦クロストー
クは生じない。よって、重なり領域１８の幅を基板面に
垂直な方向から見て２μｍ以上に形成すれば縦クロスト
ークの発生を防ぐ効果がある。
【００５０】図１５は、遮光膜６の重なり領域１８の幅
に対するパネル透過率の変化を示すグラフである。横軸
は重なり領域１８の幅（μｍ）を表しており、縦軸はパ
ネル透過率（％）を表している。図１５に示すように、
重なり領域１８の幅が０μｍのとき（重なり領域１８が
ないとき）のパネル透過率は５．０％である。重なり領
域１８の幅が増加するにしたがってパネル透過率は減少
し、重なり領域１８の幅が１２μｍのときのパネル透過
率は４．０％となる。そのため、例えば４．０％以上の
パネル透過率を確保するためには、重なり領域１８の幅
を基板面に垂直な方向から見て１２μｍ以下に形成する
必要がある。
【００５１】本実施の形態によれば、遮光膜６の重なり
領域１８で配向不良領域５６を遮光することにより、縦
クロストークの発生を防ぐことができる。
【００５２】次に、本実施の形態による共通電極基板の
変形例を図１６乃至図１８を用いて説明する。図１６は
本実施の形態による共通電極基板が有する遮光膜の形状
の変形例を示す平面図である。なお、図１３に示した平
面図の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素につ
いては、同一の符号を付してその説明を省略する。本変
形例は、補助突起１０が形成されている正常配向領域
で、共通電極基板３４面に垂直な方向から見て遮光膜６
が画素電極１６より外側に形成されていることを特徴と
している。図１６において、補助突起１０の形成領域に
ある遮光膜６の端部１９は、図中補助突起１０内に引い
た画素電極１６端部２０の隠れ線より外側に位置してい
る。
【００５３】図１７は、図１６におけるＤ−Ｄ線での概
略断面図である。アレイ基板３２は、透明絶縁性基板で
あるガラス基板２２上に形成された絶縁膜３０を有して
いる。絶縁膜３０上の図中右側にはドレインバスライン
４２が形成されている。ドレインバスライン４２上の基
板全面には保護膜２８が形成されている。保護膜２８上
の図中左側には画素電極１６が形成されている。
【００５４】一方、アレイ基板３２と対向する共通電極
基板３４は、ガラス基板２２上に形成された遮光膜６を
有している。遮光膜６は、共通電極基板３４面に垂直な
方向から見て、画素電極１６の図中右端部と重なる重な
り領域１８を有している。遮光膜６上にはカラーフィル
タ２６が形成されている。カラーフィルタ２６上の基板
全面には共通電極２４が形成されている。
【００５５】図１８は、図１６におけるＥ−Ｅ線での概
略断面図である。なお、図１７に示した概略断面図の構
成要素と同一の機能作用を有する構成要素については、
同一の符号を付してその説明を省略する。図１８に示し
た領域は、共通電極２４上であって画素電極１６端部に
対向する位置に補助突起１０が形成されている正常配向
領域である。遮光膜６は、共通電極基板３４面に垂直な
方向から見て画素電極１６より外側に形成されている。
【００５６】なお、ドレインバスライン４２表面が露出
されることによる反射を防ぐため、共通電極基板３４面
方向に見た遮光膜６端部１９と画素電極１６端部２０と
の距離は、画素電極１６からドレインバスライン４２ま
での距離（例えば７μｍ）以下であることが望ましい。
【００５７】共通電極基板３４上に形成されている補助
突起１０は、液晶分子の配向を強く規制するため、補助
突起１０が形成されている領域では配向不良は発生しな
い。そのため、共通電極基板３４面に垂直な方向から見
て、補助突起１０が形成されている領域では、画素電極
１６より外側に遮光膜６を配置することで開口率を向上
させることができる。したがって本変形例によれば、パ
ネル透過率を低下させずに上記第１の実施の形態と同様
の効果を奏することができる。
【００５８】次に、本発明の第２の実施の形態による共
通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置を図１９及び
図２０を用いて説明する。まず、本実施の形態による共
通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置の構成につい
て図１９を用いて説明する。液晶表示装置の全体構成
は、図１２に示した第１の実施の形態と同様の構成を有
するのでその説明は省略する。図１９は、本実施の形態
による共通電極基板及びそれを備えた液晶表示装置にお
ける一画素の構成を示す平面図である。なお、図１３に
示した平面図の構成要素と同一の機能作用を有する構成
要素については、同一の符号を付してその説明を省略す
る。
【００５９】共通電極基板３４上には、直線αと直線β
に挟まれた領域に赤色のカラーフィルタＲが形成されて
いる。直線αの図中右側には緑色のカラーフィルタＧが
形成されており、直線βの図中左側には青色のカラーフ
ィルタＢが形成されている。また、ドレインバスライン
４２と画素電極１６との間の領域に対向する領域であっ
て、補助突起１０が形成されている正常配向領域以外の
領域には、カラーフィルタの形成材料を２層以上重ねて
形成され、画素電極１６と対向する領域よりも厚く形成
されている樹脂２層重ね部５０が形成されている。
【００６０】次に、本実施の形態による共通電極基板及
びそれを備えた液晶表示装置における液晶の状態につい
て図２０を用いて説明する。図２０は、図１９における
Ｆ−Ｆ線での簡略化した断面図であり、図２６に示した
画素Ｃ部を示している。アレイ基板３２上にはドレイン
バスライン４２が図中左側に形成されており、画素電極
１６が図中右側に形成されている。一方、共通電極基板
３４上の画素電極１６に対向する領域以外の領域には遮
光膜６が形成されている。また、共通電極基板３４上に
は、カラーフィルタＲとカラーフィルタＢが形成されて
いる。カラーフィルタＲとカラーフィルタＢは、樹脂２
層重ね部５０で重なって形成されており、画素電極１６
とドレインバスライン４２との間の領域に対向する領域
で段差が形成されている。カラーフィルタＲ、カラーフ
ィルタＢ及びそれらで形成されている段差上には共通電
極２４が形成されており導電性の突起となっている。
【００６１】図中の破線は電極間に生じる電界Ｅ1、
Ｅ2、Ｅ4を表している。画素電極１６端部には、共通電
極２４に形成された段差の影響で強い斜め方向の電界Ｅ
4が生じている。そのため、画素電極１６端部の液晶分
子は、図５に示した液晶分子と異なり図中右方向へ倒
れ、図４に示した画素Ａの画素電極１６端部の液晶分子
と同様の配向となる。
【００６２】本実施の形態によれば、共通電極２４は、
画素電極１６とドレインバスライン４２との間の領域に
対向する領域に形成された段差の影響で生じる強い斜め
方向の電界により、画素電極１６端部の液晶分子を配向
規制できる。そのため、画素電極１６端部の配向不良領
域５６に起因する縦クロストークの発生を防ぐことがで
きる。また、配向不良領域５６が減少するため、重なり
領域１８の重なり幅を減少させることができ、パネル透
過率を向上させることができる。
【００６３】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記第１の実施の形態で
は、遮光膜６が重なり領域１８を有する例について説明
し、さらに、遮光膜６が重なり領域１８を有し、補助突
起１０が形成された領域でドレインバスライン４２より
外側に遮光膜６が形成された変形例について説明した
が、本発明はこれに限られない。例えば、補助突起１０
が形成された領域でドレインバスライン４２より外側に
遮光膜６を形成するだけでもよい。補助突起１０が形成
された領域では液晶の配向不良が生じないため、縦クロ
ストークを悪化させずにパネル透過率を向上させること
ができる。
【００６４】また、上記第２の実施の形態においては、
カラーフィルタの形成材料を重ねて形成することにより
樹脂２層重ね部５０で段差を形成しているが、本発明は
これに限らず、黒色樹脂等の他の樹脂で段差を形成して
もよい。
【００６５】さらに、上記実施の形態においては、Ｃｒ
等の金属で遮光膜６を形成しているが、本発明はこれに
限らず、カラーフィルタの形成材料を重ねて遮光膜６を
形成してもよい。
【００６６】以上説明した実施の形態に基づき、本発明
は以下のようにまとめられる。 （付記１）複数のゲートバスライン及びドレインバスラ
インで画定された画素領域内に形成された画素電極を有
するアレイ基板に対向して配置され、負の誘電率異方性
を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板と、前記透明絶
縁性基板上に形成された共通電極と、前記共通電極上に
形成された線状の突起を有する配向規制用構造物と、前
記透明絶縁性基板上に形成され、前記画素電極端部に生
じた前記液晶の配向不良領域を遮光するように、前記透
明絶縁性基板面に垂直な方向から見て、前記画素電極と
重なる重なり領域を有する遮光膜とを備えることを特徴
とする共通電極基板。
【００６７】（付記２）付記１記載の共通電極基板にお
いて、前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な方
向から見て、前記ドレインバスラインに沿う方向に前記
重なり領域を有していることを特徴とする共通電極基
板。
【００６８】（付記３）付記２記載の共通電極基板にお
いて、前記重なり領域の幅は、前記透明絶縁性基板面に
垂直な方向から見て２μｍ以上１２μｍ以下であること
を特徴とする共通電極基板。
【００６９】（付記４）付記１乃至３のいずれか１項に
記載の共通電極基板において、前記配向規制用構造物
は、前記突起より延出し、前記画素電極端部であって前
記ドレインバスラインに沿う方向に形成された補助突起
をさらに有し、前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に
垂直な方向から見て、前記補助突起の形成されていない
領域で前記重なり領域を有していることを特徴とする共
通電極基板。
【００７０】（付記５）付記１乃至４のいずれか１項に
記載の共通電極基板において、前記遮光膜は、前記透明
絶縁性基板面に垂直な方向から見て、前記液晶の前記配
向不良領域以外の正常配向領域で前記画素電極より外側
に形成されていることを特徴とする共通電極基板。
【００７１】（付記６）付記５記載の共通電極基板にお
いて、前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な方
向から見て、前記ドレインバスラインに沿う方向で前記
画素電極より外側に形成されていることを特徴とする共
通電極基板。
【００７２】（付記７）付記６記載の共通電極基板にお
いて、前記液晶の前記正常配向領域での前記遮光膜の端
部と前記画素電極端部との距離は、前記透明絶縁性基板
面方向に見て７μｍ以下であることを特徴とする共通電
極基板。
【００７３】（付記８）付記５乃至７のいずれか１項に
記載の共通電極基板において、前記配向規制用構造物
は、前記突起より延出し、前記画素電極端部であって前
記ドレインバスラインに沿う方向に形成された補助突起
をさらに有し、前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に
垂直な方向から見て、前記補助突起が形成された領域で
前記画素電極より外側に形成されていることを特徴とす
る共通電極基板。
【００７４】（付記９）複数のゲートバスライン及びド
レインバスラインで画定された画素領域内に形成された
画素電極を有するアレイ基板に対向して配置され、負の
誘電率異方性を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板
と、前記透明絶縁性基板上に形成された共通電極と、前
記共通電極上に形成された線状の突起を有する配向規制
用構造物と、前記透明絶縁性基板上に形成され、前記透
明絶縁性基板面に垂直な方向から見て、前記液晶の配向
不良領域以外の正常配向領域で前記画素電極より外側に
形成された遮光膜とを備えることを特徴とする共通電極
基板。
【００７５】（付記１０）付記９記載の共通電極基板に
おいて、前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な
方向から見て、前記ドレインバスラインに沿う方向で前
記画素電極より外側に形成されていることを特徴とする
共通電極基板。
【００７６】（付記１１）付記９又は１０に記載の共通
電極基板において、前記配向規制用構造物は、前記突起
より延出し、前記画素電極端部であって前記ドレインバ
スラインに沿う方向に形成された補助突起をさらに有
し、前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な方向
から見て、前記補助突起が形成された領域で前記画素電
極より外側に形成されていることを特徴とする共通電極
基板。
【００７７】（付記１２）付記１乃至１１のいずれか１
項に記載の共通電極基板において、前記遮光膜は、前記
画素領域毎に形成されたカラーフィルタの形成材料を重
ねて形成されていることを特徴とする共通電極基板。
【００７８】（付記１３）複数のゲートバスライン及び
ドレインバスラインで画定された画素領域内に形成され
た画素電極を有するアレイ基板に対向して配置され、負
の誘電率異方性を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板
と、前記透明絶縁性基板上に形成され、前記画素電極と
前記ドレインバスラインとの間の領域に対向する領域に
前記液晶を配向規制するための段差が形成された共通電
極と、前記共通電極上に形成された線状の突起を有する
配向規制用構造物と、を備えることを特徴とする共通電
極基板。
【００７９】（付記１４）付記１３記載の共通電極基板
において、前記段差は、前記画素電極に対向する領域よ
り厚く形成されていることを特徴とする共通電極基板。
【００８０】（付記１５）付記１３又は１４に記載の共
通電極基板において、前記配向規制用構造物は、前記突
起より延出し、前記画素電極端部であって前記ドレイン
バスラインに沿う方向に形成された補助突起をさらに有
し、前記段差は、前記補助突起の形成されていない領域
に形成されていることを特徴とする共通電極基板。
【００８１】（付記１６）付記１３乃至１５のいずれか
１項に記載の共通電極基板において、前記段差は、前記
共通電極の下層に樹脂で形成されていることを特徴とす
る共通電極基板。
【００８２】（付記１７）付記１６記載の共通電極基板
において、前記段差は、前記画素領域毎に形成されたカ
ラーフィルタの形成材料を重ねて形成されていることを
特徴とする共通電極基板。
【００８３】（付記１８）付記１６記載の共通電極基板
において、前記段差は、黒色樹脂で形成されていること
を特徴とする共通電極基板。
【００８４】（付記１９）付記１乃至１８記載の共通電
極基板において、前記突起は、前記画素電極端辺に対し
て斜めに形成されていることを特徴とする共通電極基
板。
【００８５】（付記２０）複数のゲートバスライン及び
ドレインバスラインで画定された画素領域内に形成され
た画素電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対
向して配置され全面に共通電極が形成された対向基板
と、前記アレイ基板及び前記対向基板の間に封入された
負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置
であって、前記対向基板として、付記１乃至１９のいず
れか１項に記載の共通電極基板を用いることを特徴とす
る液晶表示装置。
【００８６】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、輝度が高
く良好な表示特性の得られる共通電極基板及びそれを備
えた液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
するグラフである。
【図２】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
するグラフである。
【図３】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
するグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
する図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
する図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
するグラフである。
【図８】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
するグラフである。
【図９】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来の
液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説明
するグラフである。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来
の液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説
明する図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態の前提となる従来
の液晶表示装置における縦クロストークの主な原因を説
明する図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置の全体構成を示す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態による共通電極基
板を説明する平面図である。
【図１４】遮光膜が有する重なり領域の画素電極端部か
らの重なり幅による効果を示すグラフである。
【図１５】遮光膜が有する重なり領域の画素電極端部か
らの重なり幅によるパネル透過率の変化を示すグラフで
ある。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の変形例による共
通電極基板を説明する平面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の変形例による共
通電極基板を説明する概略断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態の変形例による共
通電極基板を説明する概略断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態による共通電極基
板を説明する平面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態による共通電極基
板を説明する概略断面図である。
【図２１】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図であ
る。
【図２２】従来の液晶表示装置の構成を示す概略断面図
である。
【図２３】従来の液晶表示装置の構成を示す概略断面図
である。
【図２４】従来の液晶表示装置の構成を示す概略断面図
である。
【図２５】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図であ
る。
【図２６】従来の液晶表示装置の課題を説明する図であ
る。
【図２７】従来の液晶表示装置の課題を説明する図であ
る。
【符号の説明】
２ ＴＦＴ ４ 蓄積容量 ６ 遮光膜 ８ 突起 １０ 補助突起 １２ スリット １４ 接続部 １６ 画素電極 １８ 重なり領域 １９ 遮光膜端部 ２０ 画素電極端部 ２２ ガラス基板 ２４ 共通電極 ２８ 保護膜 ３０ 絶縁膜 ３２ アレイ基板 ３４ 共通電極基板 ３６ ゲートバスライン ４２ ドレインバスライン ５０ 樹脂２層重ね部 ５２ ドレイン電極 ５４ ソース電極 ５６ 配向不良領域 ８４ 画素領域 ８６ 表示領域 ８８ ゲートバスライン駆動回路 ９０ ドレインバスライン駆動回路 ９２ 入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HD05 HD14 KA05 LA01 LA04 LA05 LA15 5C094 AA06 AA10 BA03 BA44 CA19 EA04 EA07 EB02 ED15

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のゲートバスライン及びドレインバス
    ラインで画定された画素領域内に形成された画素電極を
    有するアレイ基板に対向して配置され、負の誘電率異方
    性を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板と、 前記透明絶縁性基板上に形成された共通電極と、 前記共通電極上に形成された線状の突起を有する配向規
    制用構造物と、 前記透明絶縁性基板上に形成され、前記画素電極端部に
    生じた前記液晶の配向不良領域を遮光するように、前記
    透明絶縁性基板面に垂直な方向から見て、前記画素電極
    と重なる重なり領域を有する遮光膜とを備えることを特
    徴とする共通電極基板。
  2. 【請求項２】請求項１記載の共通電極基板において、 前記配向規制用構造物は、前記突起より延出し、前記画
    素電極端部であって前記ドレインバスラインに沿う方向
    に形成された補助突起をさらに有し、 前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な方向から
    見て、前記補助突起の形成されていない領域で前記重な
    り領域を有していることを特徴とする共通電極基板。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の共通電極基板にお
    いて、 前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な方向から
    見て、前記液晶の前記配向不良領域以外の正常配向領域
    で前記画素電極より外側に形成されていることを特徴と
    する共通電極基板。
  4. 【請求項４】複数のゲートバスライン及びドレインバス
    ラインで画定された画素領域内に形成された画素電極を
    有するアレイ基板に対向して配置され、負の誘電率異方
    性を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板と、 前記透明絶縁性基板上に形成された共通電極と、 前記共通電極上に形成された線状の突起を有する配向規
    制用構造物と、 前記透明絶縁性基板上に形成され、前記透明絶縁性基板
    面に垂直な方向から見て、前記液晶の配向不良領域以外
    の正常配向領域で前記画素電極より外側に形成された遮
    光膜とを備えることを特徴とする共通電極基板。
  5. 【請求項５】請求項４記載の共通電極基板において、 前記配向規制用構造物は、前記突起より延出し、前記画
    素電極端部であって前記ドレインバスラインに沿う方向
    に形成された補助突起をさらに有し、 前記遮光膜は、前記透明絶縁性基板面に垂直な方向から
    見て、前記補助突起が形成された領域で前記画素電極よ
    り外側に形成されていることを特徴とする共通電極基
    板。
  6. 【請求項６】複数のゲートバスライン及びドレインバス
    ラインで画定された画素領域内に形成された画素電極を
    有するアレイ基板に対向して配置され、負の誘電率異方
    性を有する液晶を挟持する透明絶縁性基板と、 前記透明絶縁性基板上に形成され、前記画素電極と前記
    ドレインバスラインとの間の領域に対向する領域に前記
    液晶を配向規制するための段差が形成された共通電極
    と、 前記共通電極上に形成された線状の突起を有する配向規
    制用構造物と、 を備えることを特徴とする共通電極基板。
  7. 【請求項７】請求項６記載の共通電極基板において、 前記配向規制用構造物は、前記突起より延出し、前記画
    素電極端部であって前記ドレインバスラインに沿う方向
    に形成された補助突起をさらに有し、 前記段差は、前記補助突起の形成されていない領域に形
    成されていることを特徴とする共通電極基板。
  8. 【請求項８】複数のゲートバスライン及びドレインバス
    ラインで画定された画素領域内に形成された画素電極を
    有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して配置さ
    れ全面に共通電極が形成された対向基板と、前記アレイ
    基板及び前記対向基板の間に封入された負の誘電率異方
    性を有する液晶とを有する液晶表示装置であって、 前記対向基板として、請求項１乃至７のいずれか１項に
    記載の共通電極基板を用いることを特徴とする液晶表示
    装置。
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