JP2002131784A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JP2002131784A JP2002131784A JP2001225954A JP2001225954A JP2002131784A JP 2002131784 A JP2002131784 A JP 2002131784A JP 2001225954 A JP2001225954 A JP 2001225954A JP 2001225954 A JP2001225954 A JP 2001225954A JP 2002131784 A JP2002131784 A JP 2002131784A
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- liquid crystal
- pair
- signal
- pixel
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低消費電力で、高階調表示の反射型液晶表示
装置を提供する。 【解決手段】 2本の配線でなるデータ線対と、走査線
と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置にお
いて、画素には、Pチャネル型の薄膜トランジスタとN
チャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバー
タを1対設け、低消費電力とする。相補型インバータは
反射型の画素電極の下方に設けるため、開口率に問題は
ない。また、データ線対、前記走査線にパルス信号が入
力して、デジタル的に階調表示を行い、かつ対向電極に
印可する電圧の極性を変えることで、液晶を交流駆動す
る。
装置を提供する。 【解決手段】 2本の配線でなるデータ線対と、走査線
と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置にお
いて、画素には、Pチャネル型の薄膜トランジスタとN
チャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバー
タを1対設け、低消費電力とする。相補型インバータは
反射型の画素電極の下方に設けるため、開口率に問題は
ない。また、データ線対、前記走査線にパルス信号が入
力して、デジタル的に階調表示を行い、かつ対向電極に
印可する電圧の極性を変えることで、液晶を交流駆動す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブ型表示
装置、特に、アクティブ型液晶表示装置に関するもの
で、それぞれの画素に相補型にPチャネル型およびNチ
ャネル型の2つの薄膜型絶縁ゲイト電界効果トランジス
タ(以下TFTという) を設けてピクセルを構成した反
射型電気光学装置および電気光学装置に関するものであ
る。
装置、特に、アクティブ型液晶表示装置に関するもの
で、それぞれの画素に相補型にPチャネル型およびNチ
ャネル型の2つの薄膜型絶縁ゲイト電界効果トランジス
タ(以下TFTという) を設けてピクセルを構成した反
射型電気光学装置および電気光学装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、表示装置として有効なものに、T
FTを用いたアクティブ型の液晶表示装置が知られてい
る。この場合、TFTには、アモルファスまたは多結晶
構造の半導体を用い、1つの画素にPまたはN型のいず
れか一方の導電型のみのTFTを用いたものである。即
ち、一般にはNチャネル型TFT(NTFTという) を
画素に直列に連結している。その代表例を図8に示す。
FTを用いたアクティブ型の液晶表示装置が知られてい
る。この場合、TFTには、アモルファスまたは多結晶
構造の半導体を用い、1つの画素にPまたはN型のいず
れか一方の導電型のみのTFTを用いたものである。即
ち、一般にはNチャネル型TFT(NTFTという) を
画素に直列に連結している。その代表例を図8に示す。
【0003】一般に、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置は480×640、または1260×960と非
常に多くの画素を有している。図8ではこれらと同じ意
味を示すもので、説明を簡単にするために2×2のマト
リクス配列で示している。複数のゲイト線G1,G2 と複
数のデータ線D1,D2 とを直交して配置し、そのマトリ
クス状の交差部に画素表示素子を設けている。この画素
表示素子は、液晶部102とTFT部101で構成され
ている。それぞれの画素に対して周辺回路106、10
7から信号を加えて所定の画素を選択的にオンまたはオ
フして表示を行う。
示装置は480×640、または1260×960と非
常に多くの画素を有している。図8ではこれらと同じ意
味を示すもので、説明を簡単にするために2×2のマト
リクス配列で示している。複数のゲイト線G1,G2 と複
数のデータ線D1,D2 とを直交して配置し、そのマトリ
クス状の交差部に画素表示素子を設けている。この画素
表示素子は、液晶部102とTFT部101で構成され
ている。それぞれの画素に対して周辺回路106、10
7から信号を加えて所定の画素を選択的にオンまたはオ
フして表示を行う。
【0004】しかし、実際にこれらの液晶表示装置を作
製して表示をさせた場合、TFTの出力、即ち、液晶に
とっての入力(液晶電位という) の電圧VLC100は、
しばしば"1"(High) となるべき時に"1"(High) になら
ず、また、逆に"0"(Low)となるべき時に"0"(Low)になら
ない。これは、画素に信号を加えるスィッチング素子、
つまり、TFTの特性に対称性がないために発生する。
すなわち、画素電極への充電の様子と放電の様子に電気
特性上のかたよりがあるためである。そして、液晶10
2は、その動作において本来絶縁性であり、また、TF
Tがオフの時に液晶電位(VLC) は浮いた状態になる。こ
の液晶102は、等価的にキャパシタであるため、そこ
に蓄積された電荷によりVLCが決められる。この電荷
は、液晶がR LCで比較的小さい抵抗となったり、ゴミや
イオン性不純物の存在によりリ−クしたり、またTFT
のゲイト絶縁膜のピンホ−ルによりRGS105が生じた
場合にはそこから電荷がもれ、VLCは中途半端な状態に
なってしまう。このため、1つのパネル中に20万〜500
万個の画素を有する液晶表示装置においては、高い歩留
まりを成就することができないという問題があった。
製して表示をさせた場合、TFTの出力、即ち、液晶に
とっての入力(液晶電位という) の電圧VLC100は、
しばしば"1"(High) となるべき時に"1"(High) になら
ず、また、逆に"0"(Low)となるべき時に"0"(Low)になら
ない。これは、画素に信号を加えるスィッチング素子、
つまり、TFTの特性に対称性がないために発生する。
すなわち、画素電極への充電の様子と放電の様子に電気
特性上のかたよりがあるためである。そして、液晶10
2は、その動作において本来絶縁性であり、また、TF
Tがオフの時に液晶電位(VLC) は浮いた状態になる。こ
の液晶102は、等価的にキャパシタであるため、そこ
に蓄積された電荷によりVLCが決められる。この電荷
は、液晶がR LCで比較的小さい抵抗となったり、ゴミや
イオン性不純物の存在によりリ−クしたり、またTFT
のゲイト絶縁膜のピンホ−ルによりRGS105が生じた
場合にはそこから電荷がもれ、VLCは中途半端な状態に
なってしまう。このため、1つのパネル中に20万〜500
万個の画素を有する液晶表示装置においては、高い歩留
まりを成就することができないという問題があった。
【0005】液晶102は、一般には、TN(ツイステ
ッドネマティック) 液晶が用いられる。その液晶の配向
のためにそれぞれの電極上にラビングした配向膜を設け
る。このラビング工程のため発生する静電気により弱い
絶縁破壊が起こり、隣の画素との間または隣の導線との
間でリ−クしたり、またゲイト絶縁膜が弱く、リ−クを
したりしてしまう。
ッドネマティック) 液晶が用いられる。その液晶の配向
のためにそれぞれの電極上にラビングした配向膜を設け
る。このラビング工程のため発生する静電気により弱い
絶縁破壊が起こり、隣の画素との間または隣の導線との
間でリ−クしたり、またゲイト絶縁膜が弱く、リ−クを
したりしてしまう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】アクティブ型の液晶表
示装置においては、液晶電位を1フレ−ムの間はたえず
初期値と同じ値として所定のレベルを保つことがきわめ
て重要である。しかし、実際はアクティブ素子の動作不
良が多く、必ずしも液晶電位を1フレ−ムの間は、たえ
ず初期値と同じ値として所定のレベルを保てないのが実
情である。また、液晶等の駆動において、印加する信号
により、液晶に加わる電圧が+または−の何れかに偏っ
た場合、電気分解等が発生して、液晶材料を分解、変性
して表示が十分に行えないことが発生する。この場合、
印加する信号を交流化して液晶材料に加わる電圧に偏り
が発生しないようにするが、この交流化信号が非常に複
雑であった。
示装置においては、液晶電位を1フレ−ムの間はたえず
初期値と同じ値として所定のレベルを保つことがきわめ
て重要である。しかし、実際はアクティブ素子の動作不
良が多く、必ずしも液晶電位を1フレ−ムの間は、たえ
ず初期値と同じ値として所定のレベルを保てないのが実
情である。また、液晶等の駆動において、印加する信号
により、液晶に加わる電圧が+または−の何れかに偏っ
た場合、電気分解等が発生して、液晶材料を分解、変性
して表示が十分に行えないことが発生する。この場合、
印加する信号を交流化して液晶材料に加わる電圧に偏り
が発生しないようにするが、この交流化信号が非常に複
雑であった。
【0007】本発明は、上述のような問題を解決し、よ
り電流マ−ジンを大とする、即ち、応答速度を大とす
る。また、各ピクセルにおける画素の電位、即ち、液晶
電位V LCが"1","0" に充分安定して固定され、1フレ−
ム中にそのレベルがドリフトしないようにしたものであ
る。
り電流マ−ジンを大とする、即ち、応答速度を大とす
る。また、各ピクセルにおける画素の電位、即ち、液晶
電位V LCが"1","0" に充分安定して固定され、1フレ−
ム中にそのレベルがドリフトしないようにしたものであ
る。
【0008】また、表示装置のカラー化、高品質化等の
要求のため、階調表示がつようく求められているが階調
表示の駆動方法は非常に複雑であった。
要求のため、階調表示がつようく求められているが階調
表示の駆動方法は非常に複雑であった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、画素に対して
NTFTとPTFTとを相補型構成として有し、前記N
TFTのソース(ドレイン)部を一対の信号線のうちの
第1の信号線に接続し、前記PTFTのソース(ドレイ
ン)部を一対の信号線のうちの第2の信号線に接続し、
前記NTFTとPTFTのゲイト電極を共通に第3の信
号線に接続し、前記NTFTおよびPTFTのドレイン
(ソース)部を画素電極と接続して設けられている表示
装置の駆動方法であって、前記一対の第1および第2の
信号線に対して、信号波形が印加されている期間に前記
第3の信号線に対して、信号波形を印加することにより
前記相補構成の薄膜トランジスタ(以下C/TFTとい
う)を駆動し、画素の表示をオンまたはオフする表示装
置の駆動方法である。加えて、第3の信号線に印加する
信号の電圧の高低に対応して液晶に加える電位差を変化
させて、階調表示を可能とするものである。
NTFTとPTFTとを相補型構成として有し、前記N
TFTのソース(ドレイン)部を一対の信号線のうちの
第1の信号線に接続し、前記PTFTのソース(ドレイ
ン)部を一対の信号線のうちの第2の信号線に接続し、
前記NTFTとPTFTのゲイト電極を共通に第3の信
号線に接続し、前記NTFTおよびPTFTのドレイン
(ソース)部を画素電極と接続して設けられている表示
装置の駆動方法であって、前記一対の第1および第2の
信号線に対して、信号波形が印加されている期間に前記
第3の信号線に対して、信号波形を印加することにより
前記相補構成の薄膜トランジスタ(以下C/TFTとい
う)を駆動し、画素の表示をオンまたはオフする表示装
置の駆動方法である。加えて、第3の信号線に印加する
信号の電圧の高低に対応して液晶に加える電位差を変化
させて、階調表示を可能とするものである。
【0010】本発明の駆動方法を適用可能な表示装置の
構成としては、1つの画素に2つまたはそれ以上のC/
TFTを連結して1つのピクセルを構成せしめてもよ
い。さらに、1つのピクセルを2つまたはそれ以上に分
割し、それぞれにC/TFTを1つまたは複数個連結し
てもよい。
構成としては、1つの画素に2つまたはそれ以上のC/
TFTを連結して1つのピクセルを構成せしめてもよ
い。さらに、1つのピクセルを2つまたはそれ以上に分
割し、それぞれにC/TFTを1つまたは複数個連結し
てもよい。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の駆動方法を適用可能な表
示装置の構成の代表例を図2、図3、図4に回路図とし
て示す。また、実際のパタ−ンレイアウト(配置図)の
例をそれぞれに対応して図5、図6、図7に示す。説明
を簡単にするため、ここでは2×2のマトリクス構成を
例として説明を行う。図2の2×2のマトリクスの例に
おいて、NTFTとPTFTとのゲイトを互いに連結
し、さらに、Y軸方向の第3の信号線3または4に連結
し、また、C/TFTの共通出力端を液晶15に連結し
ている。NTFTの入力端(10側) をX軸方向の一対
の信号線のうちの第1の信号線5または6に連結し、P
TFTの入力端(20側)をX軸方向の一対の信号線の
うちの第2の信号線8または7に連結させている。
示装置の構成の代表例を図2、図3、図4に回路図とし
て示す。また、実際のパタ−ンレイアウト(配置図)の
例をそれぞれに対応して図5、図6、図7に示す。説明
を簡単にするため、ここでは2×2のマトリクス構成を
例として説明を行う。図2の2×2のマトリクスの例に
おいて、NTFTとPTFTとのゲイトを互いに連結
し、さらに、Y軸方向の第3の信号線3または4に連結
し、また、C/TFTの共通出力端を液晶15に連結し
ている。NTFTの入力端(10側) をX軸方向の一対
の信号線のうちの第1の信号線5または6に連結し、P
TFTの入力端(20側)をX軸方向の一対の信号線の
うちの第2の信号線8または7に連結させている。
【0012】この様な構成において、図1に示されてい
るように一対の第1の信号線5と第2の信号線8間にオ
ンの信号波形が印加されている期間に第3の信号線3に
対しオンの信号波形を印加した時、液晶電位(VLC)1
4は、第1の信号線に印加された電圧VGG−Vthとな
る。また、一対の第1の信号線5と第2の信号線8間に
オフの信号波形が印加されている期間に第3の信号線3
もオフの信号波形が印加された時、液晶電位(VLC)1
4は電位を持たない。さらにまた、一対の第1の信号線
5と第2の信号線8間にオンの信号波形が印加されてい
る期間に第3の信号線3に対しオンの信号波形を印加し
ない時、液晶電位(VLC)14は、同様に電位を持たな
い。かくの如く、液晶電位(VLC)14は、第3の信号
線に印加する電圧に従って与えられるものであり、この
信号線に加える信号の電圧を可変することにより液晶に
加える電位差を任意に可変することができる。
るように一対の第1の信号線5と第2の信号線8間にオ
ンの信号波形が印加されている期間に第3の信号線3に
対しオンの信号波形を印加した時、液晶電位(VLC)1
4は、第1の信号線に印加された電圧VGG−Vthとな
る。また、一対の第1の信号線5と第2の信号線8間に
オフの信号波形が印加されている期間に第3の信号線3
もオフの信号波形が印加された時、液晶電位(VLC)1
4は電位を持たない。さらにまた、一対の第1の信号線
5と第2の信号線8間にオンの信号波形が印加されてい
る期間に第3の信号線3に対しオンの信号波形を印加し
ない時、液晶電位(VLC)14は、同様に電位を持たな
い。かくの如く、液晶電位(VLC)14は、第3の信号
線に印加する電圧に従って与えられるものであり、この
信号線に加える信号の電圧を可変することにより液晶に
加える電位差を任意に可変することができる。
【0013】また、対向電極16は、オフセット電圧V
OFFSETが印加されており、実際に液晶15に加わる電圧
はVGG+VOFFSET−Vth、あるいはVOFFSETの2値とな
る。本発明の駆動方法では、対抗電極に加えるオフセッ
ト電圧VOFFSETを可変して、液晶駆動のオンとオフを任
意に変更することができる。また、液晶を実際に駆動す
る際のしきい値が液晶材料よって異なっているため、そ
の液晶の持つ値に合わせ為にこのオフセット電圧V
OFFSETを可変するだけで、任意のしきい値合わせること
ができる。
OFFSETが印加されており、実際に液晶15に加わる電圧
はVGG+VOFFSET−Vth、あるいはVOFFSETの2値とな
る。本発明の駆動方法では、対抗電極に加えるオフセッ
ト電圧VOFFSETを可変して、液晶駆動のオンとオフを任
意に変更することができる。また、液晶を実際に駆動す
る際のしきい値が液晶材料よって異なっているため、そ
の液晶の持つ値に合わせ為にこのオフセット電圧V
OFFSETを可変するだけで、任意のしきい値合わせること
ができる。
【0014】また、液晶等の駆動において、印加する信
号により、液晶に加わる電圧が+、または−の何れかに
偏った場合、電気分解等が発生して、液晶材料を分解、
変性して表示が十分に行えないことが発生するこの場
合、印加する信号を交流化して液晶材料に加わる電圧に
偏りが発生しないようにするが、本発明の駆動方法によ
ると対向電極に印加するオフセット電圧VOFFSETの極性
とデータ信号線に加える選択信号の論理を反転するのみ
で、非常に容易に交流化信号を発生させることができる
特徴をもつ。
号により、液晶に加わる電圧が+、または−の何れかに
偏った場合、電気分解等が発生して、液晶材料を分解、
変性して表示が十分に行えないことが発生するこの場
合、印加する信号を交流化して液晶材料に加わる電圧に
偏りが発生しないようにするが、本発明の駆動方法によ
ると対向電極に印加するオフセット電圧VOFFSETの極性
とデータ信号線に加える選択信号の論理を反転するのみ
で、非常に容易に交流化信号を発生させることができる
特徴をもつ。
【0015】図3の例において、第1のC/TFTを構
成するNTFT13PTFT22と第2のC/TFTを
構成するNTFT24、PTFT25の4つのゲイト電
極を共通してY方向の第3の信号線3に連結せしめ、N
TFT13とNTFT24入力端を共通化してX方向の
第1の信号線5にPTFT22とPTFT25入力端を
共通化してX方向の第2の信号線8に接続させた。ま
た、その2つのC/TFTの出力を共通にして1つの液
晶15の一方の電極である画素電極17に連結させてい
る。かくすると、2つのNTFTまたは2つのPTFT
のいずれか一方が多少リ−クしても同相であるためその
画素を駆動させることができる。
成するNTFT13PTFT22と第2のC/TFTを
構成するNTFT24、PTFT25の4つのゲイト電
極を共通してY方向の第3の信号線3に連結せしめ、N
TFT13とNTFT24入力端を共通化してX方向の
第1の信号線5にPTFT22とPTFT25入力端を
共通化してX方向の第2の信号線8に接続させた。ま
た、その2つのC/TFTの出力を共通にして1つの液
晶15の一方の電極である画素電極17に連結させてい
る。かくすると、2つのNTFTまたは2つのPTFT
のいずれか一方が多少リ−クしても同相であるためその
画素を駆動させることができる。
【0016】図4は1つのピクセル23において、2つ
の画素電極17、26とそのそれぞれに対応してC/T
FTを2つ設けたものである。2つのC/TFTのゲイ
ト電極を共通とせしめ、第1の入力を行う。また、それ
ぞれのC/TFTのそれぞれのNTFTおよびそれぞれ
のPTFTの入力を第1の信号線5および第2の信号線
8に連結したものである。かくすることにより、1つの
ピクセルの2つの画素のうち一方がTFTのリ−ク等の
不良により非動作とならない。また、遅れた動作となっ
ても、他方が正常動作するため、マトリクス構成動作に
おいて不良が目立ちにくいという特長を有する。
の画素電極17、26とそのそれぞれに対応してC/T
FTを2つ設けたものである。2つのC/TFTのゲイ
ト電極を共通とせしめ、第1の入力を行う。また、それ
ぞれのC/TFTのそれぞれのNTFTおよびそれぞれ
のPTFTの入力を第1の信号線5および第2の信号線
8に連結したものである。かくすることにより、1つの
ピクセルの2つの画素のうち一方がTFTのリ−ク等の
不良により非動作とならない。また、遅れた動作となっ
ても、他方が正常動作するため、マトリクス構成動作に
おいて不良が目立ちにくいという特長を有する。
【0017】
【実施例1】本実施例では、図2に示すような回路構成
の液晶表示装置を用いて説明を行う。この回路構成に対
応する実際の電極等の配置構成を図5に示している。こ
れらは説明を簡単にする為2×2に相当する部分のみ記
載されている。また、実際の駆動信号波形を図9に示
す。これも説明を簡単にする為に4×4のマトリクス構
成とした場合の信号波形で説明を行う。
の液晶表示装置を用いて説明を行う。この回路構成に対
応する実際の電極等の配置構成を図5に示している。こ
れらは説明を簡単にする為2×2に相当する部分のみ記
載されている。また、実際の駆動信号波形を図9に示
す。これも説明を簡単にする為に4×4のマトリクス構
成とした場合の信号波形で説明を行う。
【0018】まず、本実施例で使用する液晶表示装置の
作製方法を図13を使用して説明する。図13(A)に
おいて、石英ガラス等の高価でない700℃以下、例え
ば約600℃の熱処理に耐え得るガラス50上にマグネ
トロンRF(高周波) スパッタ法を用いてブロッキング
層51としての酸化珪素膜を1000〜3000Åの厚
さに作製する。プロセス条件は、酸素100%雰囲気、
成膜温度15℃、出力400〜800W、圧力0.5P
aとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用
いた成膜速度は30〜100Å/分であった。
作製方法を図13を使用して説明する。図13(A)に
おいて、石英ガラス等の高価でない700℃以下、例え
ば約600℃の熱処理に耐え得るガラス50上にマグネ
トロンRF(高周波) スパッタ法を用いてブロッキング
層51としての酸化珪素膜を1000〜3000Åの厚
さに作製する。プロセス条件は、酸素100%雰囲気、
成膜温度15℃、出力400〜800W、圧力0.5P
aとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用
いた成膜速度は30〜100Å/分であった。
【0019】この上にシリコン膜をLPCVD(減圧気
相)法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも1
00〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃
でジシラン(Si2H6) またはトリシラン(Si3H8) をCVD
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は、30〜30
0Paとした。成膜速度は、50〜250Å/ 分であっ
た。NTFTとPTFTとのスレッシュホ−ルド電圧
(Vth)に概略同一に制御するため、ホウ素をジボラン
を用いて1×1015〜1×1018cm-3の濃度として成膜中に
添加してもよい。
相)法、スパッタ法またはプラズマCVD法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも1
00〜200℃低い450〜550℃、例えば530℃
でジシラン(Si2H6) またはトリシラン(Si3H8) をCVD
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は、30〜30
0Paとした。成膜速度は、50〜250Å/ 分であっ
た。NTFTとPTFTとのスレッシュホ−ルド電圧
(Vth)に概略同一に制御するため、ホウ素をジボラン
を用いて1×1015〜1×1018cm-3の濃度として成膜中に
添加してもよい。
【0020】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を1×10-5Pa以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰囲気
で行った。例えば、アルゴン20%、水素80%とし
た。成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、
スパッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paで
あった。
を1×10-5Pa以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を20〜80%混入した雰囲気
で行った。例えば、アルゴン20%、水素80%とし
た。成膜温度は150℃、周波数は13.56MHz、
スパッタ出力は400〜800W、圧力は0.5Paで
あった。
【0021】プラズマCVD法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH4)ま
たはジシラン(Si2H6) を用いた。これらをPCVD装置
内に導入し、13.56MHzの高周波電力を加えて成
膜した。
場合、温度は例えば300℃とし、モノシラン(SiH4)ま
たはジシラン(Si2H6) を用いた。これらをPCVD装置
内に導入し、13.56MHzの高周波電力を加えて成
膜した。
【0022】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が5×1021cm-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高く、または熱アニ−ル時間を長くしなければならな
い。また、少なすぎると、バックライトによりオフ状態
のリ−ク電流が増加してしまう。そのため、4×1019〜
4×1021cm-3の範囲とした。水素は、4×1020cm-3であ
り、珪素4×1022cm-3として比較すると1原子%であっ
た。また、ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長
させるため、酸素濃度を7×1019cm-3以下、好ましくは
1×1019cm-3以下とし、ピクセル構成するTFTのチャ
ネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により5×1020
〜5×1021cm-3となるように添加してもよい。その時、
周辺回路を構成するTFTには、光照射がなされないた
め、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャリ
ア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるため
る有効である。
酸素が5×1021cm-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高く、または熱アニ−ル時間を長くしなければならな
い。また、少なすぎると、バックライトによりオフ状態
のリ−ク電流が増加してしまう。そのため、4×1019〜
4×1021cm-3の範囲とした。水素は、4×1020cm-3であ
り、珪素4×1022cm-3として比較すると1原子%であっ
た。また、ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長
させるため、酸素濃度を7×1019cm-3以下、好ましくは
1×1019cm-3以下とし、ピクセル構成するTFTのチャ
ネル形成領域のみに酸素をイオン注入法により5×1020
〜5×1021cm-3となるように添加してもよい。その時、
周辺回路を構成するTFTには、光照射がなされないた
め、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャリ
ア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるため
る有効である。
【0023】次に、アモルファス状態の珪素膜を500
〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、4
50〜700℃の温度にて、12〜70時間非酸化物雰
囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて60
0℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモル
ファス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱
処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ル
される。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また
水素は単に混入しているのみである。
〜5000Å、例えば1500Åの厚さに作製の後、4
50〜700℃の温度にて、12〜70時間非酸化物雰
囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて60
0℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモル
ファス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱
処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ル
される。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また
水素は単に混入しているのみである。
【0024】アニ−ルにより、珪素膜は、アモルファス
構造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈
する。特に、シリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の
高い領域は、特に、結晶化をして結晶状態となろうとす
る。しかし、これらの領域間に存在する珪素により互い
の結合がなされるため、珪素同志は、互いにひっぱりあ
う。レ−ザラマン分光により測定すると単結晶の珪素の
ピ−ク522cm-1より低波数側にシフトしたピ−クが観
察される。それの見掛け上の粒径は、半値巾から計算す
ると、50〜500Åとマイクロクリスタルのようにな
っているが、実際は、この結晶性の高い領域は多数あっ
てクラスタ構造を有し、各クラスタ間は、互いに珪素同
志で結合(アンカリング) がされたセミアモルファス構
造の被膜を形成させることができた。
構造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈
する。特に、シリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の
高い領域は、特に、結晶化をして結晶状態となろうとす
る。しかし、これらの領域間に存在する珪素により互い
の結合がなされるため、珪素同志は、互いにひっぱりあ
う。レ−ザラマン分光により測定すると単結晶の珪素の
ピ−ク522cm-1より低波数側にシフトしたピ−クが観
察される。それの見掛け上の粒径は、半値巾から計算す
ると、50〜500Åとマイクロクリスタルのようにな
っているが、実際は、この結晶性の高い領域は多数あっ
てクラスタ構造を有し、各クラスタ間は、互いに珪素同
志で結合(アンカリング) がされたセミアモルファス構
造の被膜を形成させることができた。
【0025】結果として、被膜は、実質的にグレインバ
ウンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態
を呈する。キャリアは、各クラスタ間をアンカリングさ
れた個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆる
GBの明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動
度となる。即ち、ホ−ル移動度(μh)=10〜200
cm2 /Vsec、電子移動度(μe )=15〜300cm2
/Vsecが得られる。
ウンダリ(以下GBという)がないといってもよい状態
を呈する。キャリアは、各クラスタ間をアンカリングさ
れた個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆる
GBの明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動
度となる。即ち、ホ−ル移動度(μh)=10〜200
cm2 /Vsec、電子移動度(μe )=15〜300cm2
/Vsecが得られる。
【0026】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではな
く、900〜1200℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリ
ア(障壁)を作って、そこでのキャリアの移動を阻害し
てしまう。結果として、10cm2/Vsec以上の移動度がな
かなか得られないのが実情である。即ち、本実施例で
は、かくの如き理由により、セミアモルファスまたはセ
ミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いてい
る。
く、900〜1200℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、GBには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、GBでのバリ
ア(障壁)を作って、そこでのキャリアの移動を阻害し
てしまう。結果として、10cm2/Vsec以上の移動度がな
かなか得られないのが実情である。即ち、本実施例で
は、かくの如き理由により、セミアモルファスまたはセ
ミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いてい
る。
【0027】図13(A) において、珪素膜を第1のフォ
トマスクにて、フォトエッチングを施し、PTFT用
の領域22(チャネル巾20μm)を図面の右側に、NT
FT用の領域13を左側に作製した。
トマスクにて、フォトエッチングを施し、PTFT用
の領域22(チャネル巾20μm)を図面の右側に、NT
FT用の領域13を左側に作製した。
【0028】この上に、酸化珪素膜をゲイト絶縁膜とし
て500〜2000Å、例えば1000Åの厚さに形成
した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製
と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナ
トリウムイオンの固定化をさせてもよい。
て500〜2000Å、例えば1000Åの厚さに形成
した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製
と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナ
トリウムイオンの固定化をさせてもよい。
【0029】この後、この上側にリンが1〜5×1021cm
-3の濃度に入ったシリコン膜、またはこのシリコン膜と
その上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi2 また
はWSi2との多層膜を形成した。これを第2のフォトマス
クにてパタ−ニングして図13(B) を得た。PTFT
用のゲイト電極55、NTFT用のゲイト電極56を形
成した。例えば、チャネル長10μm、ゲイト電極とし
てリンド−プ珪素を0.2μm、その上にモリブデンを
0.3μmの厚さに形成した。図13(C)において、
フォトレジスト57をフォトマスクを用いて形成し、
PTFT用のソ−ス59ドレイン58に対し、ホウ素を
1〜5×1015cm-2のド−ズ量でイオン注入法により添
加した。次に、図13(D)の如く、フォトレジスト6
1をフォトマスクを用いて形成した。NTFT用のソ
−ス64、ドレイン62としてリンを1〜5×1015cm
-2のドーズ量でイオン注入法により添加した。
-3の濃度に入ったシリコン膜、またはこのシリコン膜と
その上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi2 また
はWSi2との多層膜を形成した。これを第2のフォトマス
クにてパタ−ニングして図13(B) を得た。PTFT
用のゲイト電極55、NTFT用のゲイト電極56を形
成した。例えば、チャネル長10μm、ゲイト電極とし
てリンド−プ珪素を0.2μm、その上にモリブデンを
0.3μmの厚さに形成した。図13(C)において、
フォトレジスト57をフォトマスクを用いて形成し、
PTFT用のソ−ス59ドレイン58に対し、ホウ素を
1〜5×1015cm-2のド−ズ量でイオン注入法により添
加した。次に、図13(D)の如く、フォトレジスト6
1をフォトマスクを用いて形成した。NTFT用のソ
−ス64、ドレイン62としてリンを1〜5×1015cm
-2のドーズ量でイオン注入法により添加した。
【0030】これらは、ゲイト絶縁膜54を通じて行っ
た。しかし、図13(B)において、ゲイト電極55、
56をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、
その後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入して
もよい。
た。しかし、図13(B)において、ゲイト電極55、
56をマスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、
その後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入して
もよい。
【0031】次に、600℃にて、10〜50時間再び
加熱アニ−ルを行った。PTFTのソ−ス59、ドレイ
ン58NTFTのソ−ス64、ドレイン62を不純物を
活性化してP+ 、N+ として作製した。また、ゲイト電
極55、56下には、チャネル形成領域60、63がセ
ミアモルファス半導体として形成されている。
加熱アニ−ルを行った。PTFTのソ−ス59、ドレイ
ン58NTFTのソ−ス64、ドレイン62を不純物を
活性化してP+ 、N+ として作製した。また、ゲイト電
極55、56下には、チャネル形成領域60、63がセ
ミアモルファス半導体として形成されている。
【0032】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなく、C/TFTを作ることができる。そのため、
基板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。
がらも、700℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなく、C/TFTを作ることができる。そのため、
基板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。
【0033】本実施例では、熱アニ−ルは図13
(A)、(D)で2回行った。しかし、図13(A)の
アニ−ルは求める特性により省略し、双方を図13
(D)のアニ−ルにより兼ね製造時間の短縮を図っても
よい。図13(E)において、層間絶縁物65を前記し
たスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行った。こ
の酸化珪素膜の形成は、LPCVD法、光CVD法、常
圧CVD法を用いてもよい。例えば、0.2〜0.6μ
mの厚さに形成し、その後、フォトマスクを用いて電
極用の窓66を形成した。さらに、これら全体にアルミ
ニウムをスパッタ法により形成し、リ−ド71、72お
よびコンタクト67、68をフォトマスクを用いて作
製した後、表面を平坦化用有機樹脂69例えば透光性ポ
リイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォト
マスクにて行った。
(A)、(D)で2回行った。しかし、図13(A)の
アニ−ルは求める特性により省略し、双方を図13
(D)のアニ−ルにより兼ね製造時間の短縮を図っても
よい。図13(E)において、層間絶縁物65を前記し
たスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行った。こ
の酸化珪素膜の形成は、LPCVD法、光CVD法、常
圧CVD法を用いてもよい。例えば、0.2〜0.6μ
mの厚さに形成し、その後、フォトマスクを用いて電
極用の窓66を形成した。さらに、これら全体にアルミ
ニウムをスパッタ法により形成し、リ−ド71、72お
よびコンタクト67、68をフォトマスクを用いて作
製した後、表面を平坦化用有機樹脂69例えば透光性ポ
リイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォト
マスクにて行った。
【0034】図13(F)に示す如く2つのTFTを相
補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素
の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ
法によりITO(インジュ−ム・スズ酸化膜)を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、電極7
0を構成させた。このITOは、室温〜150℃で成膜
し、200〜400℃の酸素または大気中のアニ−ルに
より成就した。かくの如くにして、PTFT22とNT
FT13と透明導電膜の電極70とを同一ガラス基板5
0上に作製した。得られたTFTの電気的な特性はPT
FTで、移動度は20(cm2/Vsec)、Vthは−5.9
(V)で、NTFTで移動度は40(cm2/Vsec)、Vth
は5.0(V)であった。
補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素
の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ
法によりITO(インジュ−ム・スズ酸化膜)を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、電極7
0を構成させた。このITOは、室温〜150℃で成膜
し、200〜400℃の酸素または大気中のアニ−ルに
より成就した。かくの如くにして、PTFT22とNT
FT13と透明導電膜の電極70とを同一ガラス基板5
0上に作製した。得られたTFTの電気的な特性はPT
FTで、移動度は20(cm2/Vsec)、Vthは−5.9
(V)で、NTFTで移動度は40(cm2/Vsec)、Vth
は5.0(V)であった。
【0035】上記の様な方法に従って作製された液晶装
置用の一方の基板と他方ガラス基板上に全面に透明電極
を設け、これら基板を張り合わせて液晶セルを形成し、
この中にTNの液晶材料を注入した。この液晶表示装置
の電極等の配置の様子を図6に示している。NTFT1
3を第1の走査線5とデータ線3との交差部に設け、第
1の走査線5とデータ線4との交差部にも他の画素用の
NTFTが同様に設けられている。一方、PTFTは第
2の走査線8とデータ線3との交差部に設けられてい
る。また、隣接した他の第1の走査線6とデータ線3と
の交差部には、他の画素用のNTFTが設けられてい
る。このようなC/TFTを用いたマトリクス構成を有
せしめた。NTFT13は、ドレイン10の入力端のコ
ンタクトを介し第1の走査線5に連結され、ゲイト9は
多層配線形成がなされたデータ線3に連結されている。
ソ−ス12の出力端は、コンタクトを介して画素の電極
17に連結している。
置用の一方の基板と他方ガラス基板上に全面に透明電極
を設け、これら基板を張り合わせて液晶セルを形成し、
この中にTNの液晶材料を注入した。この液晶表示装置
の電極等の配置の様子を図6に示している。NTFT1
3を第1の走査線5とデータ線3との交差部に設け、第
1の走査線5とデータ線4との交差部にも他の画素用の
NTFTが同様に設けられている。一方、PTFTは第
2の走査線8とデータ線3との交差部に設けられてい
る。また、隣接した他の第1の走査線6とデータ線3と
の交差部には、他の画素用のNTFTが設けられてい
る。このようなC/TFTを用いたマトリクス構成を有
せしめた。NTFT13は、ドレイン10の入力端のコ
ンタクトを介し第1の走査線5に連結され、ゲイト9は
多層配線形成がなされたデータ線3に連結されている。
ソ−ス12の出力端は、コンタクトを介して画素の電極
17に連結している。
【0036】他方、PTFT22は、ドレイン20の入
力端がコンタクトを介して第2の走査線8に連結され、
ゲイト21はデータ線3に、ソ−ス18の出力端はコン
タクトを介してNTFTと同様に画素電極17に連結し
ている。かくして、一対の走査線5、8に挟まれた間
(内側) に、透明導電膜よりなる画素23とC/TFT
とにより1つのピクセルを構成せしめた。かかる構造を
左右、上下に繰り返すことにより、2×2のマトリクス
をそれを拡大した640×480、1280×960と
いった大画素の液晶表示装置とすることができる。
力端がコンタクトを介して第2の走査線8に連結され、
ゲイト21はデータ線3に、ソ−ス18の出力端はコン
タクトを介してNTFTと同様に画素電極17に連結し
ている。かくして、一対の走査線5、8に挟まれた間
(内側) に、透明導電膜よりなる画素23とC/TFT
とにより1つのピクセルを構成せしめた。かかる構造を
左右、上下に繰り返すことにより、2×2のマトリクス
をそれを拡大した640×480、1280×960と
いった大画素の液晶表示装置とすることができる。
【0037】ここでの特長は、1つの画素に2つのTF
Tが相補構成をして設けられていることにより、画素電
極17は3つの値の液晶電位VLCに固定されることであ
る。その動作を図9および図10を用いて説明する。図
9においては、4×4マトリクス構成の液晶表示を行う
際の本発明の回路図を示し、図10は駆動信号波形のタ
イミングチャートを示している。
Tが相補構成をして設けられていることにより、画素電
極17は3つの値の液晶電位VLCに固定されることであ
る。その動作を図9および図10を用いて説明する。図
9においては、4×4マトリクス構成の液晶表示を行う
際の本発明の回路図を示し、図10は駆動信号波形のタ
イミングチャートを示している。
【0038】本実施例の場合、X1aX1b、X2aX2b、X
3aX3b、X4aX4bは各々一対の走査信号線として機能す
る。また、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 はデータ線として機
能している。また、図9中のAA、AB・・・DDは対
応する位置の画素のアドレスを意味している。
3aX3b、X4aX4bは各々一対の走査信号線として機能す
る。また、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 はデータ線として機
能している。また、図9中のAA、AB・・・DDは対
応する位置の画素のアドレスを意味している。
【0039】この様な4×4構成の表示において、今ア
ドレスAA、AB、BA、BBの4つの画素に対応す
る、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加される電位
差のタイミングチャートを図10に示す。図10におい
て、横軸は時間を示している。1フレームを時間T1か
らT2の間としてこの間を4つに分割して、一対の走査
線4対を順次走査して走査信号を印加している。図では
X1a、X2a、X3a、X4aのみを記載しているが、実際に
はX1b、X2b、X3b、X4bにはX1a、X2a、X3a、X4a
と極性の異なる同じ波形が印加されている。また、
Y1 、Y2 、Y3 、Y 4 線には図10のようなデータ信
号が印加されており、時間T1からT2の間は、AAの
画素のみ選択されてオンまたはオフされる。即ち、T1
からt1 の間にデータ線Y1 に対してデータ信号を印加
して、この時間内にAAの画素の液晶にはしきい値をこ
える電圧が印加され液晶が駆動される。この時、液晶表
示装置の対向電極にオフセット電圧が印加されている。
図10では、次の時間T2からT3にも全く同じ信号波
形を印加し、AAの表示を行っている。
ドレスAA、AB、BA、BBの4つの画素に対応す
る、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加される電位
差のタイミングチャートを図10に示す。図10におい
て、横軸は時間を示している。1フレームを時間T1か
らT2の間としてこの間を4つに分割して、一対の走査
線4対を順次走査して走査信号を印加している。図では
X1a、X2a、X3a、X4aのみを記載しているが、実際に
はX1b、X2b、X3b、X4bにはX1a、X2a、X3a、X4a
と極性の異なる同じ波形が印加されている。また、
Y1 、Y2 、Y3 、Y 4 線には図10のようなデータ信
号が印加されており、時間T1からT2の間は、AAの
画素のみ選択されてオンまたはオフされる。即ち、T1
からt1 の間にデータ線Y1 に対してデータ信号を印加
して、この時間内にAAの画素の液晶にはしきい値をこ
える電圧が印加され液晶が駆動される。この時、液晶表
示装置の対向電極にオフセット電圧が印加されている。
図10では、次の時間T2からT3にも全く同じ信号波
形を印加し、AAの表示を行っている。
【0040】次に、時間T3からT4及びT4からT5
では4つの画素を全く選択しない信号が印加されてい
る。さらに、時間T5からT6では再びAAの画素を選
択している信号が印加されている。
では4つの画素を全く選択しない信号が印加されてい
る。さらに、時間T5からT6では再びAAの画素を選
択している信号が印加されている。
【0041】次に、時間T6からT8はデータ線に印加
する信号の論理を反転させた信号が印加され、また、対
向電極には時間T1からT6の間に印加されていた信号
とは極性の異なるオフセット電圧が印加されて、交流化
信号が液晶に加えられている。この交流化信号により、
時間T1からT6の間に正に偏っていた電荷をキャンセ
ルすることができる。すなわち、時間T2からT4に加
えられていた信号のうち、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 線の
論理を反転し、すなわち、選択信号と非選択信号を入れ
換え、対向電極のオフセット電圧の正負を入れ換えるこ
とにより、時間T2からT4の前半の1フレームではA
Aの画素を選択し、後半の1フレームでは4つの画素を
選択しない交流化信号を印加でき液晶を駆動することが
可能となった。これにより容易に画素に残っている電荷
をキャンセルすることができる。
する信号の論理を反転させた信号が印加され、また、対
向電極には時間T1からT6の間に印加されていた信号
とは極性の異なるオフセット電圧が印加されて、交流化
信号が液晶に加えられている。この交流化信号により、
時間T1からT6の間に正に偏っていた電荷をキャンセ
ルすることができる。すなわち、時間T2からT4に加
えられていた信号のうち、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 線の
論理を反転し、すなわち、選択信号と非選択信号を入れ
換え、対向電極のオフセット電圧の正負を入れ換えるこ
とにより、時間T2からT4の前半の1フレームではA
Aの画素を選択し、後半の1フレームでは4つの画素を
選択しない交流化信号を印加でき液晶を駆動することが
可能となった。これにより容易に画素に残っている電荷
をキャンセルすることができる。
【0042】上述のように、液晶に実際に加わる電位差
は、第3の信号線の信号の電圧、本実施例ではデータ線
のパルス電圧と対向電極のオフセット電圧よりTFTの
Vth分を差し引いた分の電位である。すなわち、データ
線のパルス電圧を任意に可変するとそれに従って液晶に
実際に加わる電位差を可変することができる。これによ
り階調表示を行うことができる。特に、液晶駆動のしき
い値が明確でないもの、すなわちスレッショルドがなだ
らかな分散型液晶等には特によく適した駆動法で十分な
階調表示を行うことができる。
は、第3の信号線の信号の電圧、本実施例ではデータ線
のパルス電圧と対向電極のオフセット電圧よりTFTの
Vth分を差し引いた分の電位である。すなわち、データ
線のパルス電圧を任意に可変するとそれに従って液晶に
実際に加わる電位差を可変することができる。これによ
り階調表示を行うことができる。特に、液晶駆動のしき
い値が明確でないもの、すなわちスレッショルドがなだ
らかな分散型液晶等には特によく適した駆動法で十分な
階調表示を行うことができる。
【0043】このように、本発明の駆動によると非常に
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。
【0044】また、その他の階調法として、1つの表示
画面に対して、複数フレームの駆動信号を液晶に印加す
ることにより1画面を表示する場合は特定の画素に加え
る選択信号を全フレーム数より減らすことにより、容易
に階調表示を行うことができる。
画面に対して、複数フレームの駆動信号を液晶に印加す
ることにより1画面を表示する場合は特定の画素に加え
る選択信号を全フレーム数より減らすことにより、容易
に階調表示を行うことができる。
【0045】本実施例において、液晶材料にTN液晶を
用いるならば、液晶容器の基板間隔を約10μm程度と
し、透明導電膜双方に配向膜を設け、それをラビング処
理して形成させる必要がある。
用いるならば、液晶容器の基板間隔を約10μm程度と
し、透明導電膜双方に配向膜を設け、それをラビング処
理して形成させる必要がある。
【0046】また、液晶材料にFLC(強誘電性) 液晶
を用いる場合は、動作電圧を±20Vとし、セルの間隔を
1.5 〜3.5 μm例えば2.3 μmとし、対向電極16上に
のみ配向膜を設けラビング処理を施せばよい。
を用いる場合は、動作電圧を±20Vとし、セルの間隔を
1.5 〜3.5 μm例えば2.3 μmとし、対向電極16上に
のみ配向膜を設けラビング処理を施せばよい。
【0047】分散型液晶またはポリマ−液晶を用いる場
合には、配向膜は不用であり、スイッチング速度を大と
するため、動作電圧は±10〜±15Vとし、セル間隔は1
〜10μmと薄くした。
合には、配向膜は不用であり、スイッチング速度を大と
するため、動作電圧は±10〜±15Vとし、セル間隔は1
〜10μmと薄くした。
【0048】特に、分散型液晶を用いる場合には、偏光
板も不用のため、反射型としても、また透過型としても
光量を大きくすることができる。そして、その液晶はス
レッシュホ−ルドがないため、本発明のように、明確な
スレッシュホ−ルド電圧が規定されるC/TFT型とす
ることにより、大きなコントラストとクロスト−ク(隣
の画素との悪干渉)を除くことができた。
板も不用のため、反射型としても、また透過型としても
光量を大きくすることができる。そして、その液晶はス
レッシュホ−ルドがないため、本発明のように、明確な
スレッシュホ−ルド電圧が規定されるC/TFT型とす
ることにより、大きなコントラストとクロスト−ク(隣
の画素との悪干渉)を除くことができた。
【0049】また、本実施例で使用したTFTの半導体
は本実施例で使用した材料以外をも使用できる。
は本実施例で使用した材料以外をも使用できる。
【0050】
【実施例2】この実施例は図3および図7に対応した液
晶表示装置の構成を有するものを使用して、本実施例を
行った。この図面より明らかな如く、Y線の走査線3を
中央に配設し、一対のデータ線の第1のデータ線5と第
2のデータ線8に挟まれた部分を1つのピクセル23と
している。1つのピクセルは1つの透明導電膜の画素1
7および2つのNTFT13、24と、2つのPTFT
22、25よりなる2つのC/TFTに連結させてい
る。ゲイト電極はすべて走査線3に連結され、2つのN
TFTは第1のデータ線3に、また2つのPTFTは第
2のデータ線8に連結されている。これら2つのC/T
FTの一方が、ゲイト電極とチャネル形成領域との間に
リ−クがあり不良であった場合でも、ピクセルとしての
動作をさせることができる。
晶表示装置の構成を有するものを使用して、本実施例を
行った。この図面より明らかな如く、Y線の走査線3を
中央に配設し、一対のデータ線の第1のデータ線5と第
2のデータ線8に挟まれた部分を1つのピクセル23と
している。1つのピクセルは1つの透明導電膜の画素1
7および2つのNTFT13、24と、2つのPTFT
22、25よりなる2つのC/TFTに連結させてい
る。ゲイト電極はすべて走査線3に連結され、2つのN
TFTは第1のデータ線3に、また2つのPTFTは第
2のデータ線8に連結されている。これら2つのC/T
FTの一方が、ゲイト電極とチャネル形成領域との間に
リ−クがあり不良であった場合でも、ピクセルとしての
動作をさせることができる。
【0051】ここでの特長は、1つの画素に2つのC/
TFTが設けられていることにより、画素電極17は3
つの値の液晶電位VLCに固定されることである。その動
作を図9および図11を用いて説明する。図9において
は、4×4マトリクス構成の液晶表示を行う際の本発明
の回路図を示し、図11は駆動信号波形のタイミングチ
ャートを示している。
TFTが設けられていることにより、画素電極17は3
つの値の液晶電位VLCに固定されることである。その動
作を図9および図11を用いて説明する。図9において
は、4×4マトリクス構成の液晶表示を行う際の本発明
の回路図を示し、図11は駆動信号波形のタイミングチ
ャートを示している。
【0052】本実施例の場合、X1aX1b、X2aX2b、X
3aX3b、X4aX4bは、各々一対のデータ線として機能す
る。また、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 は、走査線として機
能している。また、図9中のAA、AB・・・DDは対
応する位置の画素のアドレスを意味している。
3aX3b、X4aX4bは、各々一対のデータ線として機能す
る。また、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 は、走査線として機
能している。また、図9中のAA、AB・・・DDは対
応する位置の画素のアドレスを意味している。
【0053】この様な4×4構成の表示において、今ア
ドレスAA、AB、BA、BBの4つの画素に対応す
る、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加される電位
差のタイミングチャートを図11に示す。図11におい
て、横軸は時間を示している。1フレームを時間T1か
らT2の間としてこの間を4つに分割して、走査線
Y1、Y2 、Y3 、Y4 線には、順次走査して走査信号
を印加している。また、X1、X2 、X3 、X4 線に
は、図11のようなデータ信号が印加されている。図で
はX1a、X2a、X3a、X4aのみを記載しているが実際に
はX1b、X2b、X3b、X 4bにはX1a、X2a、X3a、X4a
と極性の異なる同じ波形が印加されており、時間T1か
らT2の間はAAの画素のみ選択されてオンまたはオフ
される。すなわち、T1 からt1 の間に一対のデータ線
X1 に対してデータ信号を印加して、この時間内にAA
の画素の液晶にはしきい値をこえる電圧が印加されるこ
とになり液晶が駆動される。この時、液晶表示装置の対
向電極にオフセット電圧が印加されている。図11では
次の時間T2からT3にも全く同じ信号波形を印加し、
AAの表示を行っている。
ドレスAA、AB、BA、BBの4つの画素に対応す
る、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加される電位
差のタイミングチャートを図11に示す。図11におい
て、横軸は時間を示している。1フレームを時間T1か
らT2の間としてこの間を4つに分割して、走査線
Y1、Y2 、Y3 、Y4 線には、順次走査して走査信号
を印加している。また、X1、X2 、X3 、X4 線に
は、図11のようなデータ信号が印加されている。図で
はX1a、X2a、X3a、X4aのみを記載しているが実際に
はX1b、X2b、X3b、X 4bにはX1a、X2a、X3a、X4a
と極性の異なる同じ波形が印加されており、時間T1か
らT2の間はAAの画素のみ選択されてオンまたはオフ
される。すなわち、T1 からt1 の間に一対のデータ線
X1 に対してデータ信号を印加して、この時間内にAA
の画素の液晶にはしきい値をこえる電圧が印加されるこ
とになり液晶が駆動される。この時、液晶表示装置の対
向電極にオフセット電圧が印加されている。図11では
次の時間T2からT3にも全く同じ信号波形を印加し、
AAの表示を行っている。
【0054】次に、時間T3からT4及びT4からT5
では4つの画素を全く選択しない信号が印加されてい
る。さらに、時間T5からT6では再びAAの画素を選
択している信号が印加されている。
では4つの画素を全く選択しない信号が印加されてい
る。さらに、時間T5からT6では再びAAの画素を選
択している信号が印加されている。
【0055】次、に時間T6からT8は一対のデータ線
に印加する信号の論理を反転させた信号が印加され、ま
た、対向電極には時間T1からT6の間に印加されてい
た信号とは極性の異なるオフセット電圧が印加されて、
交流化信号が液晶に加えられている。この交流化信号に
より、時間T1からT6の間に正に偏っていた電荷をキ
ャンセルすることができる。実際には、時間T2からT
4に加えられていた信号のうち、一対のX1 、X2 、X
3 、X4 線の論理を反転し、つまり選択信号と非選択信
号を入れ換え、対向電極のオフセット電圧の正負を入れ
換えることにより、前半のフレームではAAの画素を選
択し、後半のフレームでは4つの画素を選択しない交流
化信号を印加でき液晶を駆動することが可能となった。
に印加する信号の論理を反転させた信号が印加され、ま
た、対向電極には時間T1からT6の間に印加されてい
た信号とは極性の異なるオフセット電圧が印加されて、
交流化信号が液晶に加えられている。この交流化信号に
より、時間T1からT6の間に正に偏っていた電荷をキ
ャンセルすることができる。実際には、時間T2からT
4に加えられていた信号のうち、一対のX1 、X2 、X
3 、X4 線の論理を反転し、つまり選択信号と非選択信
号を入れ換え、対向電極のオフセット電圧の正負を入れ
換えることにより、前半のフレームではAAの画素を選
択し、後半のフレームでは4つの画素を選択しない交流
化信号を印加でき液晶を駆動することが可能となった。
【0056】このように、本発明の駆動によると非常に
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。また、実施例1と同様
に走査線側の信号電圧を変化させて階調表示を行うこと
ができる。
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。また、実施例1と同様
に走査線側の信号電圧を変化させて階調表示を行うこと
ができる。
【0057】
【実施例3】この実施例は図4および図8に対応した液
晶表示装置の構成を有するものを使用して、本実施例を
行った。この図面より明らかな如く、Y線のデータ線3
を中央に配設し、一対の走査線の第1の走査線5と第2
の走査線8に挟まれた部分を1つのピクセル23として
いる。1つのピクセルは、2つの透明導電膜の画素電極
17、26から構成され、画素17はNTFT13とP
TFT22が接続され、画素26にはNTFT24と、
PTFT25がおのおのC/TFT構成として連結させ
ている。ゲイト電極はすべてデータ線3に連結され、2
つのNTFTは第1の走査線3に、また2つのPTFT
は第2の走査線8に連結されている。これら2つのC/
TFTの一方が、ゲイト電極とチャネル形成領域との間
にリ−クがあり不良であった場合でも、ピクセルとして
の動作をさせることができる。かくすると、たとえ一方
の画素が中途半端にしか動作しなくなっても、他方の画
素が正常動作をし、カラ−化をした時、グレ−スケ−ル
の劣化の程度を下げることができた。
晶表示装置の構成を有するものを使用して、本実施例を
行った。この図面より明らかな如く、Y線のデータ線3
を中央に配設し、一対の走査線の第1の走査線5と第2
の走査線8に挟まれた部分を1つのピクセル23として
いる。1つのピクセルは、2つの透明導電膜の画素電極
17、26から構成され、画素17はNTFT13とP
TFT22が接続され、画素26にはNTFT24と、
PTFT25がおのおのC/TFT構成として連結させ
ている。ゲイト電極はすべてデータ線3に連結され、2
つのNTFTは第1の走査線3に、また2つのPTFT
は第2の走査線8に連結されている。これら2つのC/
TFTの一方が、ゲイト電極とチャネル形成領域との間
にリ−クがあり不良であった場合でも、ピクセルとして
の動作をさせることができる。かくすると、たとえ一方
の画素が中途半端にしか動作しなくなっても、他方の画
素が正常動作をし、カラ−化をした時、グレ−スケ−ル
の劣化の程度を下げることができた。
【0058】その動作を図9および図12を用いて説明
する。図9においては、4×4マトリクス構成の液晶表
示を行う際の本発明の回路図を示し、図12は駆動信号
波形のタイミングチャートを示している。
する。図9においては、4×4マトリクス構成の液晶表
示を行う際の本発明の回路図を示し、図12は駆動信号
波形のタイミングチャートを示している。
【0059】本実施例の場合、X1aX1b、X2aX2b、X
3aX3b、X4aX4bは各々一対の走査信号線として機能す
る。また、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 はデータ線として機
能している。また、図9中のAA、AB・・・DDは対
応する位置の画素のアドレスを意味している。
3aX3b、X4aX4bは各々一対の走査信号線として機能す
る。また、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 はデータ線として機
能している。また、図9中のAA、AB・・・DDは対
応する位置の画素のアドレスを意味している。
【0060】この様な4×4構成の表示において、今ア
ドレスAA、AB、BA、BBの4つの画素に対応す
る、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加される電位
差のタイミングチャートを図12に示します。図12に
おいて、横軸は時間を示している。1フレームを時間T
1からT2の間としてこの間を16に分割して、一対の
走査線4対を順次走査して走査信号を印加している。図
ではX1a、X2a、X3a、X4aのみを記載しているが実際
にはX1b、X2b、X3b、X4bにはX1a、X2a、X 3a、X
4aと極性の異なる同じ波形が印加されている。また、Y
1 、Y2 、Y3 、Y4 線には図12のようなデータ信号
が印加されておりそのタイミングは選択する画素のアド
レスにより、1フレーム中の16分割された特定の時間
にデータ線にデータ信号が印加される、時間T1からT
2の間はAAの画素のみ選択されてオンまたはオフされ
ている。即ち、T1 からt1 の間にデータ線Y1 に対し
てデータ信号を印加して、この時間内にAAの画素の液
晶にはしきい値をこえる電圧が印加され液晶が駆動され
る。この時、液晶表示装置の対向電極にオフセット電圧
が印加されている。次に、時間T2からT3では4つの
画素を全く選択しない信号が印加されている。
ドレスAA、AB、BA、BBの4つの画素に対応す
る、信号波形と液晶電位と実際に液晶に印加される電位
差のタイミングチャートを図12に示します。図12に
おいて、横軸は時間を示している。1フレームを時間T
1からT2の間としてこの間を16に分割して、一対の
走査線4対を順次走査して走査信号を印加している。図
ではX1a、X2a、X3a、X4aのみを記載しているが実際
にはX1b、X2b、X3b、X4bにはX1a、X2a、X 3a、X
4aと極性の異なる同じ波形が印加されている。また、Y
1 、Y2 、Y3 、Y4 線には図12のようなデータ信号
が印加されておりそのタイミングは選択する画素のアド
レスにより、1フレーム中の16分割された特定の時間
にデータ線にデータ信号が印加される、時間T1からT
2の間はAAの画素のみ選択されてオンまたはオフされ
ている。即ち、T1 からt1 の間にデータ線Y1 に対し
てデータ信号を印加して、この時間内にAAの画素の液
晶にはしきい値をこえる電圧が印加され液晶が駆動され
る。この時、液晶表示装置の対向電極にオフセット電圧
が印加されている。次に、時間T2からT3では4つの
画素を全く選択しない信号が印加されている。
【0061】次に、時間T3からT4は、データ線に印
加する信号の論理を反転させた信号が印加され、また、
対向電極には時間T1からT3の間に印加されていた信
号とは極性の異なるオフセット電圧が印加されて、交流
化信号が液晶に加えられている。この交流化信号によ
り、時間T1からT3の間に正に偏っていた電荷をキャ
ンセルすることができる。すなわち、時間T1からT2
に加えられていた信号のうち、Y1 、Y2 、Y3 、Y4
線の論理を反転し、すなわち、選択信号と非選択信号を
入れ換え、対向電極のオフセット電圧の正負を入れ換え
ることにより、前半のフレームでは、AAの画素を選択
し、後半のフレームでは、4つの画素を選択しない交流
化信号を印加でき液晶を駆動することが可能となった。
加する信号の論理を反転させた信号が印加され、また、
対向電極には時間T1からT3の間に印加されていた信
号とは極性の異なるオフセット電圧が印加されて、交流
化信号が液晶に加えられている。この交流化信号によ
り、時間T1からT3の間に正に偏っていた電荷をキャ
ンセルすることができる。すなわち、時間T1からT2
に加えられていた信号のうち、Y1 、Y2 、Y3 、Y4
線の論理を反転し、すなわち、選択信号と非選択信号を
入れ換え、対向電極のオフセット電圧の正負を入れ換え
ることにより、前半のフレームでは、AAの画素を選択
し、後半のフレームでは、4つの画素を選択しない交流
化信号を印加でき液晶を駆動することが可能となった。
【0062】このように、本発明の駆動によると非常に
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。本実施例においては、
走査する側をY線として、走査を行ったが、特に、この
構成に限定されることはなく、X線側を走査する側とす
ることも可能である。また、データ信号をランダムに各
データ線に印加して、画素をランダムに選択してゆくこ
とも可能である。その他、ここに記載されていないこと
は実施例1、2に記されたことと同様である。
簡単な、パルス信号をデータ線および一対の走査線に加
えるだけで、液晶表示を行える。本実施例においては、
走査する側をY線として、走査を行ったが、特に、この
構成に限定されることはなく、X線側を走査する側とす
ることも可能である。また、データ信号をランダムに各
データ線に印加して、画素をランダムに選択してゆくこ
とも可能である。その他、ここに記載されていないこと
は実施例1、2に記されたことと同様である。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように本発明の駆動法によ
り、液晶電位をフロ−ティングとしないため、安定した
表示を行うことができる。また、アクティブ素子として
のC/TFTの駆動能力が高いため、動作マ−ジンを拡
大でき、さらに、周辺の駆動回路をより簡単にすること
が可能で表示装置の小型化、製造コストの低減に効果が
ある。また、3本の信号線と対向電極に非常に単純な信
号で高い駆動能力を発揮することができる。
り、液晶電位をフロ−ティングとしないため、安定した
表示を行うことができる。また、アクティブ素子として
のC/TFTの駆動能力が高いため、動作マ−ジンを拡
大でき、さらに、周辺の駆動回路をより簡単にすること
が可能で表示装置の小型化、製造コストの低減に効果が
ある。また、3本の信号線と対向電極に非常に単純な信
号で高い駆動能力を発揮することができる。
【0064】不良TFTが一部にあっても同相出力であ
るためその補償をある程度行うことができる。
るためその補償をある程度行うことができる。
【0065】さらに、液晶材料を電気分解させないため
に液晶の駆動としては、必須の交流化信号駆動をC/T
FTのゲイト信号線に加える信号の論理を反転させ、対
向電極に印加するオフセット電圧の極性を反転するとい
う簡単なことで達成できた。
に液晶の駆動としては、必須の交流化信号駆動をC/T
FTのゲイト信号線に加える信号の論理を反転させ、対
向電極に印加するオフセット電圧の極性を反転するとい
う簡単なことで達成できた。
【0066】また、第3の信号線の信号の電圧を任意に
可変するとそれに従って液晶に実際に加わる電位差を可
変することができる。これにより階調表示を行うことが
できる。特に、液晶駆動のしきい値が明確でないもの、
すなわち、スレッショルドがなだらかな分散型液晶等に
は、特によく適した駆動法で十分な階調表示を行うこと
ができる。また、その他の階調方法として、1つの表示
画面に対して、複数フレームの駆動信号を液晶に印加す
ることにより1画面を表示する場合は、特定の画素に加
える選択信号を全フレーム数より減らすことにより、容
易に階調表示を行うことができる。
可変するとそれに従って液晶に実際に加わる電位差を可
変することができる。これにより階調表示を行うことが
できる。特に、液晶駆動のしきい値が明確でないもの、
すなわち、スレッショルドがなだらかな分散型液晶等に
は、特によく適した駆動法で十分な階調表示を行うこと
ができる。また、その他の階調方法として、1つの表示
画面に対して、複数フレームの駆動信号を液晶に印加す
ることにより1画面を表示する場合は、特定の画素に加
える選択信号を全フレーム数より減らすことにより、容
易に階調表示を行うことができる。
【0067】本発明における表示媒体としては、透過型
の液晶表示装置または反射型の液晶表示装置として用い
得る。また、使用可能な液晶材料としては、前術のTN
液晶、FLC液晶、分散型液晶、ポリマ型液晶を用い得
る。また、ゲストホスト型、誘電異方性型のネマチック
液晶にイオン性ド−パントを添加して電界を印加するこ
とによってネマチック液晶としコレステリック液晶との
混合体に電界を印加して、ネマチック相とコレステリッ
ク相との間で相変化を生じさせ、透明ないし白濁の表示
を実現する相転移液晶を用いることもできる。また、液
晶以外では、例えば染料で着色した有機溶媒中にこれと
色の異なる顔料粒子を分散させたいわゆる電気泳動表示
用分散系を用いることもできることを付記する。
の液晶表示装置または反射型の液晶表示装置として用い
得る。また、使用可能な液晶材料としては、前術のTN
液晶、FLC液晶、分散型液晶、ポリマ型液晶を用い得
る。また、ゲストホスト型、誘電異方性型のネマチック
液晶にイオン性ド−パントを添加して電界を印加するこ
とによってネマチック液晶としコレステリック液晶との
混合体に電界を印加して、ネマチック相とコレステリッ
ク相との間で相変化を生じさせ、透明ないし白濁の表示
を実現する相転移液晶を用いることもできる。また、液
晶以外では、例えば染料で着色した有機溶媒中にこれと
色の異なる顔料粒子を分散させたいわゆる電気泳動表示
用分散系を用いることもできることを付記する。
【0068】本発明において、表示媒体として液晶を用
いた時、C/TFTの出力は液晶電位となる。また、液
晶以外の媒体を用いることもあるため、その場合には、
C/TFTの出力電圧と置き換えればよい。
いた時、C/TFTの出力は液晶電位となる。また、液
晶以外の媒体を用いることもあるため、その場合には、
C/TFTの出力電圧と置き換えればよい。
【図1】 本発明の駆動波形を示す。
【図2】 相補型TFTを用いたアクティブ型表示装置
の回路図を示す。
の回路図を示す。
【図3】 相補型TFTを用いたアクティブ型表示装置
の回路図を示す。
の回路図を示す。
【図4】 相補型TFTを用いたアクティブ型表示装置
の回路図を示す。
の回路図を示す。
【図5】 従来のアクティブ型液晶装置の回路図を示
す。
す。
【図6】 図2に対応した液晶表示装置の一方の基板の
平面図を示す。
平面図を示す。
【図7】 図3に対応した液晶表示装置の一方の基板の
平面図を示す。
平面図を示す。
【図8】 図4に対応した液晶表示装置の一方の基板の
平面図を示す。
平面図を示す。
【図9】 相補型TFTを用いた4×4アクティブ型液
晶装置の回路図を示す。
晶装置の回路図を示す。
【図10】本発明の駆動信号波形とそのタイミングチャ
ートの一例を示す。
ートの一例を示す。
【図11】本発明の駆動信号波形とそのタイミングチャ
ートの一例を示す。
ートの一例を示す。
【図12】 本発明の駆動信号波形とそのタイミングチ
ャートの一例を示す。
ャートの一例を示す。
【図13】本発明で使用したC/TFTの作製工程図を
示す。
示す。
【符号の説明】 〜・・・フォトマスクを用いたプロセス 1、2・・・周辺回路 3、4・・・第3の信号線 5、6・・・第1の信号線 7、8・・・第2の信号線 13・・・・NTFT 16・・・・対向電極 17・・・・画素電極 22・・・・PTFT 23・・・・画素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 624 G09G 3/20 624B 3/36 3/36 Fターム(参考) 2H092 JA24 JA34 KA05 MA05 MA08 NA01 NA25 NA27 NA29 PA12 QA07 QA13 QA15 5C006 BB16 BC06 BC11 BF27 BF33 FA12 5C080 AA10 BB05 DD08 DD30 FF11 JJ02 JJ04 JJ06 5C094 AA15 AA21 AA44 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB01 DB04 EA04 EA07 EB02 FB12 FB14 FB15
Claims (7)
- 【請求項1】 Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチ
ャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータ
が1対と、 前記一対の相補型インバータ上方の1つの画素電極と、
が設けられた画素を有し、 前記1対の相補型インバータの出力が、前記画素電極に
書き込まれるようになっていることを特徴とする反射型
電気光学表示装置。 - 【請求項2】 Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチ
ャネル型の薄膜トランジスタとでなる1対の相補型イン
バータと、 前記一対の相補型インバータ上方の平坦化膜と、前記平
坦化膜上方の1つの画素電極と、が設けられた画素を複
数有し、 前記1対の相補型インバータの出力が、前記画素電極に
書き込まれるようになっていることを特徴とする反射型
電気光学表示装置。 - 【請求項3】 Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチ
ャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータ
が1対と、 前記一対の相補型インバータ上方の1つの画素電極と、 前記画素電極に対向された対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極に挟まれた液晶とを、画素
に有する反射型液晶表示装置であって、 前記1対の相補型インバータの出力が、前記画素電極に
書き込まれるようになっており、 前記対向電極に印可する電圧の極性を変えることで、前
記液晶に印可する電圧の極性を変えることを特徴とする
反射型電気光学表示装置。 - 【請求項4】 2本の配線でなるデータ線対と、走査線
と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置であ
って、 前記画素は、 Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜
トランジスタとでなる相補型インバータが1対と、 前記一対の相補型インバータ上方の1つの画素電極と、 前記画素電極に対向された対向電極と、 前記画素電極と前記対向電極に挟まれた液晶と、を有
し、 前記1対の相補型インバータの出力が、前記画素電極に
書き込まれるようになっており、 前記データ線対、前記走査線にパルス信号が入力され、 前記対向電極に印可する電圧の極性を変えることで、前
記液晶に印可する電圧の極性を変えることを特徴とする
反射型液晶表示装置。 - 【請求項5】 請求項2において、前記平坦化膜は有機
樹脂膜であることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項6】 請求項2において、前記平坦化膜はポリ
イミド膜であることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項におい
て、分散型液晶又はポリマー液晶を用いていることを特
徴とする反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001225954A JP2002131784A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001225954A JP2002131784A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 反射型液晶表示装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000183973A Division JP3300701B2 (ja) | 1990-12-10 | 2000-06-20 | 電気光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002131784A true JP2002131784A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=19058860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001225954A Pending JP2002131784A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002131784A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7417694B2 (en) | 2004-02-06 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel |
KR101327300B1 (ko) | 2007-02-16 | 2013-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널 |
TWI415082B (zh) * | 2005-01-26 | 2013-11-11 | Samsung Display Co Ltd | 液晶顯示器 |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001225954A patent/JP2002131784A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7417694B2 (en) | 2004-02-06 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel |
US7872699B2 (en) | 2004-02-06 | 2011-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel |
TWI415082B (zh) * | 2005-01-26 | 2013-11-11 | Samsung Display Co Ltd | 液晶顯示器 |
US8941789B2 (en) | 2005-01-26 | 2015-01-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US9618803B2 (en) | 2005-01-26 | 2017-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
KR101327300B1 (ko) | 2007-02-16 | 2013-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널 |
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