JP2002110509A

JP2002110509A - 電子デバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2002110509A
Application number: JP2000294937A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Ozawa; 美和小澤; Keiji Watabe; 慶二渡部; Ei Yano; 映矢野
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2000-09-27
Filing date: 2000-09-27
Publication date: 2002-04-12
Anticipated expiration: 2020-09-27
Also published as: JP4496631B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、電子デバイス等の製造における
微細パターンを二層レジストにより形成する工程におい
て、被加工基板上に形成する上層のケイ含有レジストの
アッシングにより除去が、前工程でのケイ素含有レジス
トのシリコン酸化膜化により残渣を生じる問題があっ
た。【解決手段】本発明の方法は、被加工基板上に下層
レジスト膜を形成し、その上にケイ素含有レジスト膜を
形成して、上層のケイ素含有レジスト膜をパターニング
後、これを下層レジスト膜にエッチングにてパターン転
写する二層レジスト法によるパターン形成において、下
層レジスト膜のアミン系化合物を含む溶剤に対する溶解
速度が、２０℃から１５０℃の条件で、１０Å／ｓｅｃ
以上にして、速やかな下層レジスト膜の溶解により、上
層のケイ素含有レジスト膜も一緒に除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス等の
製造における微細パターンを二層レジストにより形成す
る工程において、被加工基板上に形成する下層レジスト
膜の溶剤及び塗布方法と、ケイ素含有レジスト膜の材料
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３は従来例の説明図である。

【０００３】図において、１は半導体基板、２は絶縁
膜、３は金属配線膜、４は下層レジスト膜、５は上層レ
ジスト膜（ケイ素含有レジスト）、６はシリコン酸化膜
（ＳｉＯ₂膜）、７はシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）残
渣、１０は被加工基板である。

【０００４】近年、半導体装置の高集積化に伴って配線
はより微細になり、露光光源を短波長化して対応してき
た。しかし、露光光源の短波長化が進むと、レジストの
透過率の維持が困難となり、レジスト膜厚の薄膜化が必
須となってきている。

【０００５】この問題を解決するための有効な技術とし
て、サーフェイスイメージングが提案されており、中で
もケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いた二層
レジスト法が検討されている。

【０００６】すなわち、二層レジスト法は、図３（ａ）
に示すように、半導体基板１、絶縁膜２、金属配線膜３
等からなる被加工基板１０上に有機樹脂からなるレジス
トを、例えば０．５μｍの厚さの膜厚で塗布して下層レ
ジスト膜４を形成し、その下層レジスト膜４上に、例え
ば０．１μｍの薄膜のケイ素含有レジストからなる上層
レジスト膜５として形成する。

【０００７】次いで、図３（ｂ）に示すように、上層レ
ジスト膜５の露光および現像により上層レジスト膜５を
パターニングする。

【０００８】そして、図３（ｃ）に示すように、得られ
た上層レジスト膜５のパターンをマスクとして、下層レ
ジスト膜４を酸素プラズマによりエッチングし、高アス
ペクト比のレジストパターンを形成する。この時、高温
の酸素プラズマにより、ケイ素含有レジストからなる上
層レジスト膜５中のシリコン（Ｓｉ）が酸化されて、上
層レジスト膜の表面部分がシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）
６になりやすい。

【０００９】続いて、図３（ｄ）に示すように、この上
層レジスト膜５をマスクとして、被加工基板１０の金属
配線膜３のエッチングを行い、配線パターンを形成す
る。

【００１０】最後に、図３（ｅ）に示すように、不要な
レジストパターンである上層レジスト膜５と下層レジス
ト膜４を酸素プラズマ等によるアッシング処理によって
除去し、金属配線膜３による配線を形成するが、この
時、下層レジスト膜４は除去されても、シリコン酸化膜
６に表面が変質した上層レジスト膜５はシリコン酸化膜
残渣７として、金属配線膜３上に残ってしまう。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従って、被加工基板上
に微細パターンを形成した後は、不要なレジストパター
ンを除去する必要があるが、二層レジスト法では、ケイ
素含有レジストからなる上層レジスト膜と下層レジスト
膜の二層レジスト膜が不要となる。

【００１２】これまでは、単層レジスト膜と同様に不要
なレジスト膜を除去するために、酸素プラズマを用いた
アッシング法を用いているが、添加ガスの種類、混合
比、流量など、検討するファクターが多く、プロセス条
件の最適化は非常に複雑、且つ困難であった。

【００１３】これは、ケイ素含有ポリマからなる上層レ
ジスト膜がアッシングによって除去しにくいためであ
り、その原因は、下層レジスト膜をエッチングする際に
用いる酸素プラズマにより、上層レジスト膜のケイ素含
有ポリマ中のケイ素（Ｓｉ）が酸化されて、物理的に非
常に固いシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）となってしまうた
めで、このシリコン酸化膜が被加工基板上に残渣となっ
て残ってしまう。

【００１４】前述のように、今後さらに厳しくなる微細
加工への要求を達成するためには、二層レジスト法の適
用は必要不可欠な技術であるため、ケイ素含有レジスト
膜の除去方法の技術的な確立が急務となる。

【００１５】本発明は、以上の点に鑑み、ケイ素含有レ
ジスト膜を用いる二層レジスト法において、被加工基板
上に微細パターンを形成した後、不要となるケイ素含有
レジスト膜を確実、且つ容易に除去する方法を提供する
ことを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。

【００１７】図において、１は半導体基板、２は絶縁
膜、３は金属配線膜、４は下層レジスト膜、５は上層レ
ジスト膜（ケイ素含有レジスト）、１０は被加工基板で
ある。

【００１８】本発明は上記の目的を達成するため、二層
レジスト法において、下層レジスト膜の除去と同時に、
確実且つ簡単にケイ素含有レジストからなる上層レジス
ト膜を除去するようにする。

【００１９】すなわち、二層レジスト法により、図１
（ａ）に示すように、半導体基板１、絶縁膜２、金属配
線膜３等からなる被加工基板１０上に有機樹脂からなる
レジストを、例えば０．５μｍの厚さの膜厚で塗布して
下層レジスト膜４を形成し、その下層レジスト膜４上
に、例えば０．１μｍの薄膜の珪素含有レジストからな
る上層レジスト膜５として形成する。この場合、下層レ
ジスト膜として、アミン系化合物を含む溶剤に可溶なレ
ジスト膜を用いる。すなわち、アミン系化合物を含む溶
剤に対する溶解速度が２０℃から１５０℃の温度条件で
１０Å／ｓｅｃ以上有するレジスト膜を用いる。

【００２０】次いで、図１（ｂ）に示すように、上層レ
ジスト膜５の露光および現像により上層レジスト膜５を
パターニングする。

【００２１】そして、図１（ｃ）に示すように、得られ
た上層レジスト膜５のパターンをマスクとして、下層レ
ジスト膜４を酸素プラズマによりエッチングし、下層レ
ジスト膜４と上層レジスト膜５とが積層された高アスペ
クト比のレジストパターンを形成する。

【００２２】続いて、図１（ｄ）に示すように、このレ
ジストパターンをマスクとして、被加工基板１の金属配
線膜３のエッチングを行い、配線パターンを形成する。

【００２３】最後に、図１（ｅ）に示すように、不要な
レジストパターンである上層レジスト膜と下層レジスト
膜４を除去する。

【００２４】すなわち、被加工基板１０上の金属配線膜
３のパターニング終了後、ケイ素含有レジストからなる
上層レジスト膜５と、下層レジスト膜４とを用いてパタ
ーン形成した被加工基板１を回転させながら、下層レジ
スト膜４が速やかに、容易に溶解する特定の溶剤を供給
して、二層レジスト膜を除去する。

【００２５】この場合、下層レジスト４膜は、アミン系
化合物を含む溶剤に対する溶解速度が２０℃から１５０
℃の温度条件で１０Å／ｓｅｃ以上有するレジスト膜で
あり、速やかに溶解して、上層レジスト膜５も一緒に除
去される。この場合に、溶剤に含まれるアミン系化合物
は特に限定されないが、水酸基を有するものが望まし
い。

【００２６】また、必要に応じて界面活性材を添加して
も良く、これにより溶剤の塗布時に液が広がりやすくな
って、レジスト除去処理後の残渣の発生を抑制する。

【００２７】下層レジスト膜はまた、上層レジスト膜の
塗布溶媒および現像液に極めて溶けにくいことが必要と
なる。すなわち、下層レジスト膜として用いる材料は、
具体的には上層レジスト膜の溶媒および現像液に対する
溶解速度が、常温において、１０Å／ｓｅｃ以下である
ことが必要である。

【００２８】すなわち、アミン系化合物を含む溶剤に対
する下層レジスト膜の溶解速度が、１０Å／ｓｅｃより
も小さいと、溶解しきれなかったレジスト膜の残渣が現
像液中に浮遊し、被加工基板上に再付着して、後工程で
の欠陥を生じる原因となる。

【００２９】また、現像に要する処理時間が長くなるた
め、スループットの低下を招くことになる。常温での溶
解速度が１０Å／ｓｅｃより小さいレジストでも、工程
上溶剤が安全に使用出来る温度（一般には１５０℃ま
で）まで加熱することで溶解速度を上げ、１０Å／ｓｅ
ｃ以上の溶解速度が得られれば使用することが可能とな
る。

【００３０】また、溶解速度の上限はない。また、上層
レジストの塗布溶媒に対する下層レジスト膜の溶解速度
が１Å／ｓｅｃよりも大きいと、上層レジストを塗布し
た際に、下層レジストとのミキシングによって変質し、
本来アミン系化合物を含む溶剤に十分溶解するはずの下
層レジスト膜が不溶化することがある。

【００３１】また、上層レジストの現像液に対する下層
レジスト膜の溶解速度が１Å／ｓｅｃよりも大きいと、
上層レジストの現像と同時に溶解してしまい、所望のパ
ターンサイズを実現出来なくなる。

【００３２】このため、上層レジスト膜の塗布溶媒とし
ては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、酢酸ブチル、シクロヘキサノン、メチル
イソブチルケトンなどが挙げられる。

【００３３】また、上層レジスト膜の現像液としては、
上層レジスト膜がアルカリ現像液タイプの材料の場合、
例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）水溶液や、水酸化カリウム水溶液が挙げら
れ、また有機現像タイプの場合には、例えばエタノー
ル、イソプロピルアルコール、ブチルエーテルなどが挙
げられる。

【００３４】パターニングした被加工基板の回転速度
は、用いる溶剤の液滴が振り切れるほどに十分であれ
ば、特に限定されない。

【００３５】例えば、５００ｒｐｍから７，０００ｒｐ
ｍが望ましく、回転数は、下層レジスト膜の膜厚や、上
層レジスト膜のパターニングサイズおよびパターンの疎
密などによって適宜最適化されることが必要である。

【００３６】溶剤の滴下量についても、上記のような様
々なパターン状態によって適宜最適化されることが望ま
しいが、おおよそ０．２リットル／ｍｉｎ以上の流量で
あれば十分と言える。また、必要に応じて、滴下流量を
変えたり、停止するといった流量の調整、更に回転速度
を変えたり、回転を停止するといった回転速度の調整を
行なってもよい。

【００３７】上層レジスト膜であるケイ素含有レジスト
膜については、これを構成する樹脂にケイ素含有ポリマ
を用いた材料であれば、特に限定されないが、例えば、
特開平１０−２０４１７８、特開平１１−１３０８６０
に示すケイ素含有ポリマを含んで成るケイ素含有レジス
ト膜を用いることができる。

【００３８】以上のような条件において、被加工基板上
に下層レジスト膜を形成し、ケイ素含有レジスト膜を塗
布、露光および現像を行なって所望のパターンを形成し
た後に、被加工基板の金属電極膜等のエッチング処理を
行なってパターニングを行い、その後、パターニングし
た被加工基板を高速で回転させ、被加工基板の上方より
アミン系化合物を含む溶剤を供給して下層レジスト膜を
溶解させ、上層レジスト膜を含む二層レジスト膜を完全
に除去して、パターニング工程を完了する。

【００３９】

【発明の実施の形態】本発明の実施例について、従来方
法の比較例とともに説明するが、本発明はこれらの実施
例に限定されるものではない。

【００４０】図２に高アスペクト比が必要なゲートの配
線パターンの形成方法を示した本発明の一実施例の工程
順模敷断面図を示す。

【００４１】図２（ａ）に示すように、シリコン基板11
上にフィールド酸化膜21によって素子分離されたＭＯＳ
トランジスタが形成されている。このトランジスタのゲ
ート電極31上に層間絶縁膜22を堆積し、ゲート電極31か
ら配線を引き出すための開口部をリソグラフィにより形
成する。

【００４２】この後、バリア金属として使用される窒化
チタン（ＴｉＮ）の薄膜32を被覆形成し、さらにその上
部に配線材料であるＡｌ膜33を堆積する。

【００４３】そして、図２（ｂ）に示すように、このＡ
ｌ／ＴｉＮ膜を配線パターンとして加工するにあたり、
Ａｌ／ＴｉＮ積層膜上に、２５℃でモノカタノールアミ
ン：ＮＮ−ジメチルアセトアミド＝５０：５０（ｗｔ／
ｗｔ）に対する溶解速度が２５０Å／ｓｅｃの下層レジ
スト膜41を、膜厚０．４μｍで形成し、さらにその上
に、下記化学式で示されるケイ素含有ポリマから成るケ
イ素含有レジストを塗布する。

【００４４】

【化１】続いて、１１０℃で６０秒間、ホットプレート上で加熱
し、膜厚０．１μｍの上層レジスト膜51を形成する。

【００４５】次いで、電子線を用いて上層レジスト膜51
を露光し、２．３８％のＴＭＡＨで現像して、上層レジ
スト膜51のパターンを形成する。

【００４６】さらにこの上層レジスト膜51のパターンを
エッチングのマスクとして、図１（ｂ）に示すように、
下層レジスト膜41に酸素プラズマを用いて転写し、下層
レジスト膜41のパターンを形成する。

【００４７】図２（ｃ）に示すように、この上層レジス
ト膜51と下層レジスト膜41の二層レジスト膜からなるレ
ジストパターンをエッチングマスクとして、被エッチン
グ膜であるＡｌ／ＴｉＮ積層膜を、塩素系のプラズマエ
ッチングによりエッチングして、ゲート配線等のＡｌ膜
33からなる電極配線パターンにする。

【００４８】上記のＡｌ膜33の電極配線パターンのパタ
ーニングが完了した被処理基板11を、４，０００ｒｐｍ
で回転させながら、基板11の上方より２リットル／ｍｉ
ｎの流速で、モノエタノールアミン：ＮＮ−ジメチルア
セトアミド＝５０：５０（wt／wt) の組成の溶剤を３０
秒間供給した後、続けて、同様にイソプロピルアルコー
ルを供給して、上層レジスト51と下層レジスト41のパタ
ーンをともに除去して、図２（ｄ）に示すように、Ａｌ
膜33からなる電極配線パターンが完成する。

【００４９】上記作業終了後、基板11の表面を光学顕微
鏡で観察した結果、下層レジスト膜41およびケイ素含有
レジストからなる上層レジスト膜51の残渣付着は確認出
来ず、上下二層のレジスト膜が完全に除去されたことを
確認した。

【００５０】ここで、従来の方法でレジスト除去を行な
った比較例を二つ紹介する。

【００５１】第１の比較例では、実施例と同様に、基板
上に、図１（ａ）に示すように、８０℃のモノエタノー
ルアミン：ＮＮ−ジメチルアセトアミド＝５０：５０
（ｗｔ／ｗｔ）に対する溶解速度が４Å／ｓｅｃの下層
レジスト膜41を形成し、その後は実施例と同様にゲート
電極配線パターンを形成した。

【００５２】基板を４，０００ｒｐｍで回転させ、基板
の上方より２ｌ／ｍｉｎの流速で、８０℃のモノエタノ
ールアミン：ＮＮ−ジメチルアセトアミド＝５０：５０
（wt／wt) を30秒間供給した後、続けて同様にイソプロ
ビルアルコールを供給した。

【００５３】上記作業終了後、基板11の表面を光学顕微
鏡で観察した結果、全面に下層レジスト膜41およびケイ
素含有レジストの上層レジスト膜の残渣の付着を確認し
た。

【００５４】第２の比較例では、実施例と同様に、基板
上に、図１（ａ）に示すように、モノエタノールアミ
ン：ＮＮ−ジメチルアセトアミド＝５０：５０（wt／w
t）の組成の溶剤をビーカに入れて８０℃に加熱し、パ
ターニングした基板11を３０秒間浸漬した後、続けてイ
ソプロピルアルコール１リットルに浸漬した。

【００５５】上記作業終了後、基板11の表面を光学顕微
鏡で観察した結果、全面に下層レジスト膜41およびケイ
素含有レジストからなる上層レジスト膜51の残渣の付着
を確認した。

【００５６】このように、本発明の方法では、従来例と
異なり、被処理基板上に残渣は完全に除去されて、残ら
ないことがわかる。

【００５７】以上の実施例に説明した以外にも、本発明
には変形が多数考えられるので、抽出できる特徴をまと
めて説明しておく。

【００５８】（１）被加工基板上に下層レジスト膜を形
成し、続いて該下層レジスト膜上にケイ素含有レジスト
からなる上層レジスト膜を形成し、該上層レジスト膜を
パターニング後、該上層レジスト膜をマスクとして該下
層レジスト膜をパターニングしてできる二層レジストパ
ターンを用いた電子デバイスの製造方法であって、該下
層レジスト膜のアミン系化合物を含む溶剤に対する溶解
速度が、２０℃から１５０℃にて１０Å／ｓｅｃ以上で
あることを特徴とする。

【００５９】（２）前記アミン系化合物を含む溶剤は、
水酸基を有するアミン系化合物を必須成分とし、且つ、
ｎ−メチルピロリドン、ＮＮ−ジメチルアセトアミド、
および／または、ジメチルスルホキシドを含んでなるこ
とを特徴とする。

【００６０】（３）前記アミン系化合物を含む溶剤の供
給方法は、前記被加工基板を回転させながら、該被加工
基板上に該溶剤を滴下して行なうことを特徴とする。

【００６１】（４）前記上層レジスト膜は、下記一般式
で表されるケイ素含有レジストからなることを特徴とす
る。

【００６２】Ｒｎ（Ｏ_1/2ＳｉＲ₁）ｍ（上式中、Ｒはケイ素含有ポリマの骨格部分を表し、Ｒ
１は一価の有機基であって、Ｒ₁のうちの少なくとも一
部はアルカリ可溶性を示す官能基か、あるいは露光によ
り酸発生剤から生じた際の作用によりアルカリ可溶性を
示す官能基を含む一価の有機基であり、Ｒ₁に含まれる
当該官能基は１種又は複数種でよく、ｎ及びｍは１以上
の整数である。）（５）被加工基板上に下層レジスト膜を形成し、続いて
該下層レジスト膜上にケイ素含有レジストからなる上層
レジスト膜を形成し、該上層レジスト膜をパターニング
後、該上層レジスト膜をマスクとして該下層レジスト膜
をパターニングしてできる二層レジストパターンを用い
た電子デバイスの製造方法であって、前記上層レジスト
膜の塗布溶媒として、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテートか酢酸ブチルかシクロヘキサノンか
メチルイソブチルケトンかの少なくとも一つから選ばれ
た物質を用い、かつ前記上層レジスト膜の現像液とし
て、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶
液か水酸化カリウム水溶液かエタノールかイソプロピル
アルコールかブチルエーテルかの少なくとも一つの選ば
れた物質を用い、かつ、前記下層レジスト材料として、
フェノールノボラック樹脂かスチレン樹脂かヒドロキシ
スチレン樹脂かハロゲン化スチレン樹脂かアニリン樹脂
かの少なくとも一つの選ばれた樹脂をベースとしたレジ
ストを用いることを特徴とする。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
二層レジスト法によるバターニング後、被加工基板上の
不要なケイ素含有レジスト膜を下層レジスト膜と同時
に、簡単且つ、容易に剥離除去することが出来るため、
半導体装置の微細化、工程の簡略化に貢献するものと期
待される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図

【図２】本発明の一実施例の工程順模式断面図

【図３】従来例の説明図

【符号の説明】

１半導体基板２絶縁膜３金属配線膜４下層レジスト膜５ケイ素含有上層レジスト膜 10 被加工基板 11 基板 21 フィールド酸化膜 22 層間絶縁膜 31 ゲート電極 32 ＴｉＮ薄膜 33 Ａｌ膜 41 下層レジスト膜 51 上層レジスト膜６シリコン酸化膜７シリコン酸化膜残渣

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ５７２Ｂ (72)発明者矢野映神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA16 AB17 AC08 AD01 AD03 BE00 BE10 BJ00 CB16 CB17 CB29 CB32 CB41 CC03 DA13 EA05 FA17 FA35 FA41 2H096 AA27 BA01 BA09 CA14 CA20 GA04 GA09 HA23 KA06 5F043 AA37 BB25 CC12 CC14 DD30 EE08 5F046 MA02 NA01 NA14 NA17 NA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工基板上に下層レジスト膜を形成
し、続いて該下層レジスト膜上にケイ素含有レジストか
らなる上層レジスト膜を形成し、該上層レジスト膜をパ
ターニング後、該上層レジスト膜をマスクとして該下層
レジスト膜をパターニングしてできる二層レジストパタ
ーンを用いた電子デバイスの製造方法であって、該下層レジスト膜のアミン系化合物を含む溶剤に対する
溶解速度が、２０℃から１５０℃にて１０Å／ｓｅｃ以
上であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】前記アミン系化合物を含む溶剤は、水酸
基を有するアミン系化合物を必須成分とし、且つ、ｎ−
メチルピロリドン、ＮＮ−ジメチルアセトアミド、およ
び／または、ジメチルスルホキシドを含んでなることを
特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】前記アミン系化合物を含む溶剤の供給方
法は、前記被加工基板を回転させながら、該被加工基板
上に該溶剤を滴下して行なうことを特徴とする請求項１
または２記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】前記上層レジスト膜は、下記一般式で表
されるケイ素含有レジストからなることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の二層レジスト法による電
子デバイスの製造方法。Ｒｎ（Ｏ_1/2ＳｉＲ₁）ｍ（上式中、Ｒはケイ素含有ポリマの骨格部分を表し、Ｒ
１は一価の有機基であって、Ｒ₁のうちの少なくとも一
部はアルカリ可溶性を示す官能基か、あるいは露光によ
り酸発生剤から生じた際の作用によりアルカリ可溶性を
示す官能基を含む一価の有機基であり、Ｒ₁に含まれる
当該官能基は１種又は複数種でよく、ｎ及びｍは１以上
の整数である。）
【請求項５】被加工基板上に下層レジスト膜を形成
し、続いて該下層レジスト膜上にケイ素含有レジストか
らなる上層レジスト膜を形成し、該上層レジスト膜をパ
ターニング後、該上層レジスト膜をマスクとして該下層
レジスト膜をパターニングしてできる二層レジストパタ
ーンを用いた電子デバイスの製造方法であって、前記上層レジスト膜の塗布溶媒として、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテートか酢酸ブチルかシ
クロヘキサノンかメチルイソブチルケトンかの少なくと
も一つから選ばれた物質を用い、かつ前記上層レジスト
膜の現像液として、テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド水溶液か水酸化カリウム水溶液かエタノール
かイソプロピルアルコールかブチルエーテルかの少なく
とも一つの選ばれた物質を用い、かつ、前記下層レジスト材料として、フェノールノボラック樹
脂かスチレン樹脂かヒドロキシスチレン樹脂かハロゲン
化スチレン樹脂かアニリン樹脂かの少なくとも一つの選
ばれた樹脂をベースとしたレジストを用いることを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子デバイスの
製造方法。