JP2002064277A - Multilayer printed wiring board and manufacturing method therefor - Google Patents
Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板、および、多層プリント配線板の製造方法に関する。The present invention relates to a multilayer printed wiring board and a method for manufacturing the multilayer printed wiring board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。即ち、まず、銅箔が貼
り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電
解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成す
る。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法
を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路
を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電
解めっきやエッチング等により粗化層を形成し、その粗
化層の上に絶縁樹脂の層を形成した後、露光、現像処理
を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬
化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。2. Description of the Related Art Conventionally, build-up multilayer printed wiring boards have been manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, first, a through-hole is formed in a copper-clad laminate on which a copper foil is stuck, and then a through-hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern using a photolithography technique to form a conductor circuit. Next, a roughened layer is formed on the surface of the formed conductor circuit by electroless plating, etching, or the like, and a layer of an insulating resin is formed on the roughened layer. A hole opening is formed, and then an interlayer resin insulation layer is formed through UV curing and main curing.
【０００３】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化処理を施した後、薄い無電解めっき層を形成
し、この無電解めっき層上にめっきレジストを形成した
後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥
離後にエッチングを行って導体回路を形成する。これを
繰り返した後、最外層として導体回路を保護するための
ソルダーレジスト層を形成し、その後、ソルダーレジス
ト層に開口を形成し、該開口の下に存在する導体回路に
めっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、Ｉ
Ｃチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のため
の半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層
プリント配線板を製造する。Further, after roughening the interlayer resin insulation layer with an acid or an oxidizing agent, a thin electroless plating layer is formed, a plating resist is formed on the electroless plating layer, and then electroplating is performed. Thickening is performed, and after the plating resist is peeled off, etching is performed to form a conductor circuit. After repeating this, a solder resist layer for protecting the conductor circuit is formed as the outermost layer, and then an opening is formed in the solder resist layer, and the conductor circuit existing under the opening is plated and soldered. After forming the bump forming pad, I
A build-up multilayer printed wiring board is manufactured by forming solder bumps for connection to electronic components such as a C chip and a motherboard.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】近年、多層プリント配
線板の小型化、高密度化が要求され、多層プリント配線
板における導体回路の幅や導体回路間の距離が短くなっ
てきている。そのため、上記した製造方法にあるよう
に、エッチング液を用いて粗化面を形成した場合、導体
回路側面の凹凸が導体回路上面の凹凸に比べて小さくな
ったり、導体回路がアンダーカット形状になってしまう
ことがあった。これは、導体回路間の距離の長い部分と
短い部分とでは、エッチング液の入り込み易さが異な
り、導体回路間の距離の短い部分では、エッチング液が
入り込みにくいためであると考えられる。即ち、エッチ
ング液の入り込み易さの違いに起因して、エッチング処
理時間が短すぎると、側面の凹凸が小さい導体回路が存
在することとなり、エッチング処理時間が長すぎるとア
ンダーカット形状の導体回路が存在することとなる。In recent years, miniaturization and high density of multilayer printed wiring boards have been demanded, and the width of conductive circuits and the distance between conductive circuits in multilayer printed wiring boards have been reduced. Therefore, when the roughened surface is formed using an etchant as in the above-described manufacturing method, the unevenness on the side surface of the conductive circuit is smaller than the unevenness on the upper surface of the conductive circuit, or the conductive circuit has an undercut shape. There was a thing. This is considered to be because the etchability of the etchant is different between a portion where the distance between the conductor circuits is long and a portion where the etchant is short, and it is difficult for the etchant to enter the portion where the distance between the conductor circuits is short. In other words, due to the difference in the ease of entry of the etching solution, if the etching time is too short, there will be a conductor circuit with small side irregularities, and if the etching time is too long, the undercut conductor circuit will be formed. It will exist.
【０００５】また、めっきにより粗化層を形成した場合
にも、導体回路間の距離が短いところでは、導体回路間
にめっき液が入りこみにくいことに起因して、導体回路
側面で金属が析出しにくく、導体回路側面の凹凸が導体
回路上面の凹凸に比べて小さくなってしまうことがあっ
た。このように導体回路表面に充分な大きさの凹凸を有
する粗化層が形成できないと、導体回路と樹脂絶縁層と
の密着性が不充分となり、導体回路と樹脂絶縁層との間
で剥離が発生したり、樹脂絶縁層にクラックが発生した
りするという問題があった。特に、導体回路の側面に粗
化面を形成することができなかった場合に、この問題が
発生しやすかった。[0005] Further, even when the roughened layer is formed by plating, when the distance between the conductor circuits is short, metal is deposited on the side surfaces of the conductor circuits due to the difficulty of the plating solution entering between the conductor circuits. In some cases, the irregularities on the side surface of the conductor circuit are smaller than the irregularities on the upper surface of the conductor circuit. If a roughened layer having a sufficiently large unevenness cannot be formed on the surface of the conductor circuit in this manner, the adhesion between the conductor circuit and the resin insulation layer becomes insufficient, and peeling between the conductor circuit and the resin insulation layer occurs. There is a problem in that it occurs or a crack occurs in the resin insulating layer. In particular, this problem is likely to occur when a roughened surface cannot be formed on the side surface of the conductor circuit.
【０００６】また、導体回路と樹脂絶縁層との密着性を
確保するために導体回路表面に大きな凹凸を有する粗化
面や粗化層を形成すると、ＧＨｚ帯域の高周波信号を使
用する電子部品を使用した場合、以下のような理由によ
り、信号遅延や信号エラー等が発生するという問題があ
った。即ち、電気信号は表皮効果により導体回路の表層
付近に沿って伝達されるため、導体回路表面に粗化面や
粗化層を形成した場合、この粗化面等に沿って伝達さ
れ、その結果、電気信号の実際の伝達距離が、導体回路
の距離から予想される見かけの伝達距離よりも長くなっ
てしまい信号遅延や信号エラーが発生する。Further, when a roughened surface or a roughened layer having large irregularities is formed on the surface of the conductor circuit in order to secure the adhesion between the conductor circuit and the resin insulating layer, an electronic component using a high frequency signal in the GHz band can be obtained. When used, there is a problem that a signal delay, a signal error, and the like occur for the following reasons. That is, since the electric signal is transmitted along the surface layer of the conductor circuit by the skin effect, if a roughened surface or a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit, the electric signal is transmitted along the roughened surface or the like, and as a result, In addition, the actual transmission distance of the electric signal becomes longer than the apparent transmission distance expected from the distance of the conductor circuit, and signal delay and signal error occur.
【０００７】このような導体回路表面に形成された粗化
層に起因する信号遅延や信号エラー等の不都合を回避す
るためには、粗化層の凹凸を小さくする必要がある。し
かしながら、粗化層の凹凸を小さくすると、既に述べた
ように、導体回路と樹脂絶縁層との密着性が低下するた
め、導体回路と樹脂絶縁層との間で剥離が発生したり、
樹脂絶縁層にクラックが発生したりするという問題があ
った。In order to avoid such inconveniences as signal delay and signal error caused by the roughened layer formed on the surface of the conductor circuit, it is necessary to reduce the roughness of the roughened layer. However, when the roughness of the roughened layer is reduced, as described above, the adhesion between the conductor circuit and the resin insulating layer is reduced, so that peeling occurs between the conductor circuit and the resin insulating layer,
There is a problem that cracks occur in the resin insulating layer.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するために鋭意研究した結果、導体回路表面に
オキサジン骨格を有する化合物、および、オキサゾール
骨格を有する化合物からなる群より選択される少なくと
も１種からなる接着性中間層を形成することにより、導
体回路と樹脂絶縁層との密着性に優れた多層プリント配
線板とすることができることを見い出し、以下に示す内
容を要旨構成とする本発明を完成した。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, have selected from the group consisting of compounds having an oxazine skeleton on the surface of a conductive circuit and compounds having an oxazole skeleton. By forming at least one kind of adhesive intermediate layer, a multilayer printed wiring board having excellent adhesion between a conductor circuit and a resin insulating layer can be obtained. The present invention has been completed.
【０００９】即ち、本発明の多層プリント配線板は、基
板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層
間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接続がバイアホール
により行われてなる多層プリント配線板であって、上記
導体回路上の少なくとも一部には、オキサジン骨格を有
する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化合物
からなる群より選択される少なくとも１種を用いた接着
性中間層が形成されていることを特徴とする。That is, in the multilayer printed wiring board of the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the connection between the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer is made by via holes. In the multilayer printed wiring board, at least a part of the conductive circuit has a compound having an oxazine skeleton, and an adhesive intermediate layer using at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton. It is characterized by being formed.
【００１０】上記多層プリント配線板において、上記オ
キサジン骨格を有する化合物は、ベンゾ−１，４−オキ
サジン、５，６−ベンゾ−１，２−オキサジン、４，５
−ベンゾ−１，３−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，
３−オキサジン、および、これらの誘導体であることが
望ましく、上記オキサゾール骨格を有する化合物は、ベ
ンゾオキサゾールおよびその誘導体であることが望まし
い。In the multilayer printed wiring board, the compound having the oxazine skeleton may be benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2-oxazine, 4,5
-Benzo-1,3-oxazine, 5,6-benzo-1,
Desirably, they are 3-oxazine and derivatives thereof, and the compound having an oxazole skeleton is preferably benzoxazole and its derivatives.
【００１１】また、上記多層プリント配線板において、
上記導体回路は、その表面が粗化面であることが望まし
い。また、上記多層プリント配線板において、上記接着
性中間層の厚さは、０．００１〜３μｍであることが望
ましい。また、上記多層プリント配線板において、上記
基板および上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接
続は、スルーホールにより行われていることが望まし
い。In the above-mentioned multilayer printed wiring board,
It is desirable that the surface of the conductor circuit be a roughened surface. In the multilayer printed wiring board, it is desirable that the thickness of the adhesive intermediate layer is 0.001 to 3 μm. Further, in the multilayer printed wiring board, it is preferable that the connection between the substrate and the conductor circuit with the interlayer resin insulating layer interposed therebetween is made by a through hole.
【００１２】また、第一の本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接
続がバイアホールにより行われてなる多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（Ａ）〜（Ｄ）
の工程を含むことを特徴とする。 （Ａ）上記基板上または上記層間樹脂絶縁層上に導体回
路を形成する導体回路形成工程、（Ｂ）上記工程で形成
された導体回路上の少なくとも一部に、オキサジン骨格
を有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化
合物からなる群より選択される少なくとも１種からなる
中間層を形成する中間層形成工程、（Ｃ）上記中間層に
加熱処理を施し、接着性中間層とする加熱処理工程、お
よび、（Ｄ）上記接着性中間層上に層間樹脂絶縁層を形
成する樹脂絶縁層形成工程。In the first method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and a connection between the conductor circuits with the interlayer resin insulation layer interposed therebetween is formed by a via. A method for producing a multilayer printed wiring board performed by holes, comprising at least the following (A) to (D)
Characterized in that it includes the step of: (A) a conductor circuit forming step of forming a conductor circuit on the substrate or the interlayer resin insulating layer, (B) a compound having an oxazine skeleton in at least a part of the conductor circuit formed in the step, and An intermediate layer forming step of forming at least one intermediate layer selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton, (C) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, and (D) a resin insulating layer forming step of forming an interlayer resin insulating layer on the adhesive intermediate layer.
【００１３】また、第二の本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接
続がバイアホールにより行われてなる多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｅ）
の工程を含むことを特徴とする。 （ａ）上記基板上または上記層間樹脂絶縁層上に導体回
路を形成する導体回路形成工程、（ｂ）上記工程で形成
された導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程、
（ｃ）上記工程で形成された導体回路上の少なくとも一
部に、オキサジン骨格を有する化合物、および、オキサ
ゾール骨格を有する化合物からなる群より選択される少
なくとも１種からなる中間層を形成する中間層形成工
程、（ｄ）上記中間層に加熱処理を施し、接着性中間層
とする加熱処理工程、および、（ｅ）上記接着性中間層
上に層間樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程。According to a second method of manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a connection between the conductive circuits with the interlayer resin insulating layer interposed therebetween is formed by a via. A method for producing a multilayer printed wiring board performed by holes, comprising at least the following (a) to (e):
Characterized in that it includes the step of: (A) a conductor circuit forming step of forming a conductor circuit on the substrate or the interlayer resin insulation layer; (b) an activation treatment step of activating the conductor circuit formed in the above step;
(C) an intermediate layer that forms, on at least a part of the conductor circuit formed in the above step, an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton; A forming step, (d) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, and (e) a resin insulating layer forming step of forming an interlayer resin insulating layer on the adhesive intermediate layer.
【００１４】また、第一および第二の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法において、上記オキサジン骨格を
有する化合物は、ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６
−ベンゾ−１，２−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，
３−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジ
ン、および、これらの誘導体であることが望ましく、上
記オキサゾール骨格を有する化合物は、ベンゾオキサゾ
ールおよびその誘導体であることが望ましい。また、第
一および第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法
において、上記加熱処理工程における加熱は、１２０〜
１９０℃で行なうことが望ましい。また、第一および第
二の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、上記基
板および上記層間樹脂絶縁層を介した導体回路間がスル
ーホールを介して接続されている多層プリント配線板の
製造方法であることが望ましい。In the first and second methods for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, the compound having an oxazine skeleton is benzo-1,4-oxazine, 5,6
-Benzo-1,2-oxazine, 4,5-benzo-1,
Desirably, they are 3-oxazine, 5,6-benzo-1,3-oxazine, and derivatives thereof, and the compound having the oxazole skeleton is preferably benzoxazole and its derivatives. In the first and second methods for producing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the heating in the heat treatment step is performed in a range of 120 to 120.
It is desirable to carry out at 190 ° C. Further, the first and second methods of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention are directed to a method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which conductive circuits via the substrate and the interlayer resin insulating layer are connected via through holes. Preferably, it is a method.
【００１５】なお、特開平１１−１０３１６７号公報に
おいては、層間絶縁層として、ベンゾオキサジンを有す
る樹脂ワニスを含浸したプリプレグを用いる多層プリン
ト配線板の製造方法が開示されているが、この製造方法
は、多層化接着時に発生するカスレや成形ズレを抑える
ことを目的とするものであり、層間絶縁層と導体回路と
の密着性については何ら言及されておらず、導体回路と
層間樹脂絶縁層との密着性を向上させ、両者の間での剥
離の発生等を抑制することを目的とする本発明の多層プ
リント配線板とは、全く異なるものである。また、本発
明の多層プリント配線板やその製造方法にいう層間樹脂
絶縁層とは、露光・現像処理やレーザ処理等により開口
を形成することができる樹脂層であり、ガラスエポキシ
樹脂等の補強材を含有する樹脂はその材料とならない。Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-103167 discloses a method of manufacturing a multilayer printed wiring board using a prepreg impregnated with a resin varnish having benzoxazine as an interlayer insulating layer. The purpose of the present invention is to suppress the occurrence of shading and molding displacement occurring during the multi-layer bonding, there is no mention of the adhesiveness between the interlayer insulating layer and the conductor circuit, and there is no mention of the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer. This is completely different from the multilayer printed wiring board of the present invention, which aims at improving the adhesion and suppressing the occurrence of peeling between the two. The interlayer resin insulating layer referred to in the multilayer printed wiring board of the present invention or the method for manufacturing the same is a resin layer capable of forming an opening by exposure / development processing, laser processing, or the like, and a reinforcing material such as glass epoxy resin. Is not the material.
【００１６】また、特開昭６１−９５０２７号公報にお
いては、ビスオキサジノン類とジアミン化合物とを反応
させて得られるジアミノ化合物と、テトラカルボン酸二
無水物とを反応させてポリキナゾロンイミド前駆体を製
造した後、このポリキナゾロンイミド前駆体とアジリジ
ン化合物とを反応させ、得られた反応生成物を感光性耐
熱材料に含有させることが記載されており、該感光性耐
熱材料は半導体等の絶縁材料として有用である旨が開示
されている。上記方法により得られた感光性耐熱材料
は、保存安定性に優れ、また、製造工程が簡単であると
いう特徴を有するものの、該感光性耐熱材料と金属との
密着性については何ら言及されておらず、導体回路と層
間樹脂絶縁層との密着性を向上させ、両者の間での剥離
の発生等を抑制することを目的とする本発明の多層プリ
ント配線板とは、全く異なるものである。従って、これ
らの公報の存在により本発明の新規性、進歩性が何ら阻
却されるものではないことを付記しておく。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-95027, a diquinone compound obtained by reacting a bisoxazinone with a diamine compound is reacted with tetracarboxylic dianhydride to form a polyquinazolone imide precursor. It is described that after production, the polyquinazolone imide precursor is reacted with an aziridine compound, and the resulting reaction product is contained in a photosensitive heat-resistant material. It is disclosed that it is useful as a material. Although the photosensitive heat-resistant material obtained by the above method has excellent storage stability and a feature that the manufacturing process is simple, there is no mention of the adhesiveness between the photosensitive heat-resistant material and metal. However, the present invention is completely different from the multilayer printed wiring board of the present invention, which aims at improving the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer and suppressing the occurrence of peeling between the two. Therefore, it should be noted that the existence of these publications does not hinder the novelty and inventive step of the present invention.
【００１７】本発明の多層プリント配線板は、基板上に
導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂
絶縁層を挟んだ導体回路間の接続がバイアホールにより
行われてなる多層プリント配線板であって、上記導体回
路上の少なくとも一部には、オキサジン骨格を有する化
合物、および、オキサゾール骨格を有する化合物からな
る群より選択される少なくとも一種を用いた接着性中間
層が形成されていることを特徴とする。The multilayer printed wiring board according to the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the connection between the conductor circuits with the interlayer resin insulation layer interposed therebetween is made by via holes. In a wiring board, at least a part of the conductor circuit has a compound having an oxazine skeleton and an adhesive intermediate layer formed using at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton. It is characterized by being.
【００１８】本発明の多層プリント配線板によれば、上
記導体回路上の少なくとも一部には、オキサジン骨格を
有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化合
物からなる群より選択される少なくとも一種を用いた接
着性中間層が形成されているため、導体回路と樹脂絶縁
層との密着性に優れ、両者の間に剥離が発生したり、樹
脂絶縁層にクラックが発生したりすることがなく、さら
に、凹凸の大きな粗化面が形成されていないため、信号
遅延、信号エラー等が発生しにくい。According to the multilayer printed wiring board of the present invention, at least a part of the conductor circuit uses at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. Since the adhesive intermediate layer is formed, the adhesiveness between the conductor circuit and the resin insulating layer is excellent, and peeling does not occur between them, and no crack is generated in the resin insulating layer, Since a roughened surface with large irregularities is not formed, signal delay, signal error, and the like hardly occur.
【００１９】上記多層プリント配線板においては、導体
回路上に接着性中間層が形成されており、該接着性中間
層は、オキサジン骨格を有する化合物、および、オキサ
ゾール骨格を有する化合物からなる群より選択される少
なくとも一種（以下、中間層形成用化合物ともいう）を
用いて形成される。In the multilayer printed wiring board, an adhesive intermediate layer is formed on the conductive circuit, and the adhesive intermediate layer is selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. (Hereinafter, also referred to as a compound for forming an intermediate layer).
【００２０】上記オキサジン骨格を有する化合物として
は、例えば、ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベ
ンゾ−１，２−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−
オキサジン、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、ま
たは、これらの誘導体等が挙げられる。Examples of the compound having an oxazine skeleton include benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2-oxazine, and 4,5-benzo-1,3-oxazine.
Examples thereof include oxazine, 5,6-benzo-1,3-oxazine, and derivatives thereof.
【００２１】上記ベンゾ−１，４−オキサジンとは、下
記化学式（１）The benzo-1,4-oxazine is represented by the following chemical formula (1)
【００２２】[0022]
【化１】 Embedded image
【００２３】で表される化合物であり、その誘導体とし
ては、例えば、３−フェニル−１，４，２−ベンゾオキ
サジン等が挙げられる。The derivatives thereof include, for example, 3-phenyl-1,4,2-benzoxazine and the like.
【００２４】また、５，６−ベンゾ−１，２−オキサジ
ンとは、下記化学式（２）Further, 5,6-benzo-1,2-oxazine is represented by the following chemical formula (2)
【００２５】[0025]
【化２】 Embedded image
【００２６】で表される化合物である。Is a compound represented by the formula:
【００２７】また、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジ
ンとは、下記化学式（３）Further, 4,5-benzo-1,3-oxazine is represented by the following chemical formula (3)
【００２８】[0028]
【化３】 Embedded image
【００２９】で表される化合物であり、その誘導体とし
ては、例えば、２−メチル−３，１，４−ベンゾオキサ
ジン等が挙げられる。The derivatives thereof include, for example, 2-methyl-3,1,4-benzoxazine and the like.
【００３０】５，６−ベンゾ−１，３−オキサジンと
は、下記化学式（４）5,6-benzo-1,3-oxazine is represented by the following chemical formula (4)
【００３１】[0031]
【化４】 Embedded image
【００３２】で表される化合物である。これらのオキサ
ジン骨格を有する化合物のなかでは、５，６−ベンゾ−
１，３−オキサジンが望ましい。この理由は、該５，６
−ベンゾ−１，３−オキサジンは、多層プリント配線板
に汎用される樹脂との密着性が高く、この化合物からな
る接着性中間層を形成した多層プリント配線板は、ヒー
トサイクル試験時における信頼性に優れるからである。Is a compound represented by the formula: Among these compounds having an oxazine skeleton, 5,6-benzo-
1,3-oxazine is preferred. The reason for this is that
-Benzo-1,3-oxazine has high adhesion to a resin commonly used for a multilayer printed wiring board, and a multilayer printed wiring board having an adhesive intermediate layer formed of this compound has high reliability in a heat cycle test. It is because it is excellent.
【００３３】また、上記オキサゾール骨格を有する化合
物としては、例えば、ベンゾオキサゾールやその誘導体
等が挙げられる。Examples of the compound having an oxazole skeleton include benzoxazole and derivatives thereof.
【００３４】また、上記ベンゾオキサゾールとは、下記
化学式（５）The benzoxazole is represented by the following chemical formula (5)
【００３５】[0035]
【化５】 Embedded image
【００３６】で表される化合物であり、その誘導体とし
ては、例えば、ベンゾオキサゾロン等が挙げられる。The derivatives thereof include, for example, benzoxazolone and the like.
【００３７】本発明の多層プリント配線板においては、
これらの中間層形成用化合物を用いた接着性中間層が形
成されており、該接着性中間層を介して導体回路と層間
樹脂絶縁層とが強固に接着されている。この接着性中間
層を介した導体回路と層間樹脂絶縁層との接着につい
て、図１を参照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）
は、本発明の多層プリント配線板に接着性中間層を形成
する方法を模式的に示す断面図である。なお、図１に
は、中間層形成用化合物として、ベンゾ−１，４−オキ
サジンを用いた例を示す。In the multilayer printed wiring board of the present invention,
An adhesive intermediate layer using these compounds for forming an intermediate layer is formed, and the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer are firmly bonded via the adhesive intermediate layer. The bonding between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer via the adhesive intermediate layer will be described with reference to FIG. 1 (a) to 1 (c)
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a method for forming an adhesive intermediate layer on a multilayer printed wiring board according to the present invention. FIG. 1 shows an example in which benzo-1,4-oxazine is used as a compound for forming an intermediate layer.
【００３８】上記ベンゾ−１，４−オキサジン等の中間
層形成用化合物は、常温下では、金属や樹脂と反応しに
くい。これは、上記中間層形成用化合物が安定な環状構
造にあり、反応性に乏しいからである従って、銅等から
なる導体回路１０５上に、中間層形成用化合物からなる
中間層を形成しても、導体回路と中間層形成用化合物と
の間では化学的な結合は形成されない（図１（ａ）参
照）。上記中間層は、導体回路１０５を有する基板を中
間層形成用化合物を含む溶液中に浸漬したり、該溶液を
塗布すること等により形成することができる。The above-mentioned compounds for forming an intermediate layer such as benzo-1,4-oxazine hardly react with metals and resins at ordinary temperature. This is because the intermediate layer forming compound is in a stable cyclic structure and has low reactivity.Therefore, even when the intermediate layer formed of the intermediate layer forming compound is formed on the conductor circuit 105 made of copper or the like. No chemical bond is formed between the conductor circuit and the intermediate layer forming compound (see FIG. 1A). The intermediate layer can be formed by immersing the substrate having the conductor circuit 105 in a solution containing a compound for forming an intermediate layer, or by applying the solution.
【００３９】しかしながら、これらの中間層形成用化合
物は、加熱処理を施すことにより付加重合反応が進行し
重合体となる。このとき、上記付加重合反応を導体回路
１０５上で進行させることにより、重合体が合成される
と同時に、該重合体が導体回路１０５と化学的に結合し
た接着性中間層となる（図１（ｂ）参照）。However, these compounds for forming an intermediate layer undergo a heat treatment to undergo an addition polymerization reaction to form a polymer. At this time, by causing the above addition polymerization reaction to proceed on the conductor circuit 105, a polymer is synthesized and, at the same time, the polymer becomes an adhesive intermediate layer chemically bonded to the conductor circuit 105 (FIG. 1 ( b)).
【００４０】これは、上記中間層形成用化合物を用いた
接着性中間層は、その分子内に窒素原子、酸素原子を有
しており、かつ、これらの原子の近傍に共役系構造を有
しているため、上記窒素原子や上記酸素原子を介して金
属原子と結合することができるからである。This is because the adhesive intermediate layer using the above-mentioned compound for forming an intermediate layer has a nitrogen atom and an oxygen atom in its molecule and has a conjugated structure in the vicinity of these atoms. Therefore, it is possible to bond to a metal atom via the nitrogen atom or the oxygen atom.
【００４１】また、上記接着性中間層は水酸基を有して
いるため、層間樹脂絶縁層の材料として、上記水酸基と
反応可能な官能基を有する樹脂を選択することにより、
接着性中間層と層間樹脂絶縁層１０２とを化学的に結合
させることができる（図１（ｃ）参照）。また、層間樹
脂絶縁層の材料として、接着性中間層の有する水酸基と
反応することができる官能基をもたない樹脂を用いる場
合には、層間樹脂絶縁層形成時に、水酸基と反応可能な
官能基を導入する等の前処理を施すとよい。これについ
ては、後に詳述する。Further, since the adhesive intermediate layer has a hydroxyl group, by selecting a resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group as a material for the interlayer resin insulating layer,
The adhesive intermediate layer and the interlayer resin insulating layer 102 can be chemically bonded (see FIG. 1C). When a resin having no functional group capable of reacting with a hydroxyl group of the adhesive intermediate layer is used as a material of the interlayer resin insulating layer, a functional group capable of reacting with a hydroxyl group at the time of forming the interlayer resin insulating layer is used. Pre-processing such as introduction of This will be described in detail later.
【００４２】また、上記接着性中間層は、難燃性を有す
る。従って、上記多層プリント配線板が燃焼した場合で
も、上記接着性中間層の部分で燃焼が停止するため、多
層プリント配線板の難燃性が向上する。Further, the adhesive intermediate layer has flame retardancy. Therefore, even when the multilayer printed wiring board burns, the combustion stops at the adhesive intermediate layer, thereby improving the flame retardancy of the multilayer printed wiring board.
【００４３】上記接着性中間層の厚さとしては、０．０
０１〜３μｍが望ましい。上記厚さが０．００１μｍ未
満の接着層は、実質的に形成することが困難であり、一
方、３μｍを超えると、導体回路と樹脂絶縁層と間の距
離がはなれ過ぎており、接着性中間層に用いた重合体
は、導体回路および層間樹脂絶縁層の両者と同時に化学
的に結合することができず、また、接着性中間層を構成
する高分子同士の凝集力は余り大きくないため、両者の
接着性の低下につながることがあるからである。The thickness of the adhesive intermediate layer is 0.0
01 to 3 μm is desirable. When the thickness is less than 0.001 μm, it is substantially difficult to form the adhesive layer. On the other hand, when the thickness is more than 3 μm, the distance between the conductor circuit and the resin insulating layer is too large. Since the polymer used for the layer cannot be chemically bonded simultaneously with both the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer, and the cohesive force between the polymers constituting the adhesive intermediate layer is not so large, This is because the adhesion between the two may be reduced.
【００４４】上記接着性中間層の厚さは、該接着性中間
層を溶液中に浸漬することにより形成する場合には、液
温度、液濃度、浸漬時間、基板の縦や横への揺動、溶液
の攪拌速度、溶液の循環等により調整することができ
る。また、接着性中間層を溶液を塗布することにより形
成する場合には、塗布温度、湿度、塗布圧、用いるロー
ルの材質、ロールと基板とのギャップ等により、上記接
着性中間層の厚さを調整することができる。In the case where the adhesive intermediate layer is formed by immersing the adhesive intermediate layer in a solution, the thickness of the adhesive intermediate layer is determined by the liquid temperature, the liquid concentration, the immersion time, and the vertical or horizontal swing of the substrate. , The stirring speed of the solution, the circulation of the solution, and the like. Further, when the adhesive intermediate layer is formed by applying a solution, the thickness of the adhesive intermediate layer is adjusted according to the application temperature, humidity, application pressure, the material of the roll to be used, the gap between the roll and the substrate, and the like. Can be adjusted.
【００４５】本発明の多層プリント配線板は、基板上に
導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層されている。上
記基板としては特に限定されないが、樹脂基板が望まし
く、無機繊維を有する樹脂基板がより望ましい。具体的
には、例えば、ガラスエポキシ基板、ガラス布ポリイミ
ド基板、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂基
板、ガラス布フッ素樹脂基板等のガラス布基板、ＦＲ−
４基板、ＦＲ−５基板等が望ましい。また、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂基板、銅張積層板やＲＣＣ基板等
を用いてもよい。In the multilayer printed wiring board of the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate. The substrate is not particularly limited, but is preferably a resin substrate, and more preferably a resin substrate having inorganic fibers. Specifically, for example, a glass cloth substrate such as a glass epoxy substrate, a glass cloth polyimide substrate, a glass cloth bismaleimide-triazine resin substrate, a glass cloth fluororesin substrate, an FR-
Four substrates, FR-5 substrates, etc. are desirable. Further, a bismaleimide-triazine resin substrate, a copper-clad laminate, an RCC substrate, or the like may be used.
【００４６】また、上記基板上には、導体回路と層間樹
脂絶縁層とが順次積層されている。上記導体回路の材質
としては、特に限定されず、スズ、亜鉛、銅、ニッケ
ル、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。また、上
記導体回路は、単層からなるものであってもよいし、２
層以上からなるものであってもよい。これらのなかで
は、電気特性、経済性等を考慮すると、銅や銅およびニ
ッケルかからなるものが望ましい。On the substrate, a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated. The material of the conductor circuit is not particularly limited, and examples thereof include tin, zinc, copper, nickel, cobalt, thallium, and lead. Further, the conductor circuit may be formed of a single layer,
It may be composed of layers or more. Among these, those made of copper, copper, and nickel are desirable in consideration of electrical characteristics, economy, and the like.
【００４７】また、上記導体回路は、無電解めっき層と
電解めっき層とがこの順で積層された複合層であること
が望ましい。これは、下層に無電解めっき層を形成する
ことにより、層間樹脂絶縁層表面に対する追従性に優れ
た導体層を形成することができ、特に、層間樹脂絶縁層
の表面に粗化面が形成されている場合に、該粗化面に対
する追従性および密着性に優れる導体層を形成すること
ができる。また、この無電解めっき層上に電解めっき層
を形成した場合には、該電解めっき層は無電解めっき層
に比べて柔らかく、展性に富むため、ヒートサイクル時
に基板に反りが発生したとしても、層間樹脂絶縁層の寸
法変化に追従することができる。従って、無電解めっき
層と電解めっき層とからなる導体回路が形成された多層
プリント配線板は、接続信頼性に優れたものとなる。な
お、本発明の多層プリント配線板は、このような導体回
路上に接着性中間層が形成されているため、導体回路と
の層間樹脂絶縁層との密着性に優れたものである。The conductor circuit is preferably a composite layer in which an electroless plating layer and an electrolytic plating layer are laminated in this order. This is because, by forming an electroless plating layer as a lower layer, it is possible to form a conductor layer having excellent followability to the surface of the interlayer resin insulating layer, and particularly, a roughened surface is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer. In this case, it is possible to form a conductor layer having excellent followability and adhesion to the roughened surface. Further, when an electrolytic plating layer is formed on this electroless plating layer, the electrolytic plating layer is softer and more malleable than the electroless plating layer, so even if the substrate is warped during a heat cycle. Accordingly, it is possible to follow the dimensional change of the interlayer resin insulating layer. Therefore, the multilayer printed wiring board on which the conductor circuit including the electroless plating layer and the electrolytic plating layer is formed has excellent connection reliability. Note that the multilayer printed wiring board of the present invention has excellent adhesion between the conductive circuit and the interlayer resin insulating layer because the adhesive intermediate layer is formed on such a conductive circuit.
【００４８】また、上記導体回路は、その表面が粗化面
であることが望ましい。導体回路の表面が粗化面である
場合、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性がより強固
なものとなるからである。上記粗化面の平均粗度は、
０．０５〜５μｍであることが望ましい。上記粗度が
０．０５μｍ未満では、導体回路の表面を粗化面にする
効果をほとんど得ることができず、一方、５μｍを超え
ると、信号伝達時の表皮効果に起因して、信号遅延や信
号エラーが発生するおそれがあるからである。It is preferable that the surface of the conductor circuit is a roughened surface. This is because, when the surface of the conductor circuit is a roughened surface, the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer becomes stronger. The average roughness of the roughened surface is
It is desirable that the thickness be 0.05 to 5 μm. If the above roughness is less than 0.05 μm, the effect of roughening the surface of the conductor circuit can hardly be obtained, while if it exceeds 5 μm, signal delay and This is because a signal error may occur.
【００４９】上記多層プリント配線板において、上記層
間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。上記バイアホールの材質として
は、上記導体回路の材質と同様のものが望ましい。ま
た、上記基板および上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回
路間の接続は、スルーホールにより行われていることが
望ましい。上記基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体
回路間の接続をスルーホールにより行うことで、信号伝
送距離を短くすることができるため、信号遅延や信号エ
ラー等が発生しにくくなる。In the multilayer printed wiring board, the connection between the conductor circuits with the interlayer resin insulating layer interposed therebetween is made by via holes. The material of the via hole is preferably the same as the material of the conductor circuit. It is preferable that the connection between the substrate and the conductor circuit with the interlayer resin insulating layer interposed therebetween is made through a through hole. By connecting through the through-holes between the substrate and the conductor circuit with the interlayer resin insulating layer interposed therebetween, the signal transmission distance can be shortened, so that signal delay, signal error, and the like hardly occur.
【００５０】本発明の多層プリント配線板において、導
体回路上に形成される接着性中間層は、分子内に有する
酸素原子を介して樹脂と結合することができるため、層
間樹脂絶縁層と強固に接着することができる。従って、
本発明の多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層は、接着
性中間層の有する水酸基と反応し、酸素原子を介して結
合することができるような官能基を有する樹脂であるこ
とが望ましい。但し、そのような官能基を持たない樹脂
であっても、上記接着性中間層との親和性が高いものも
存在し、その場合には、高い接着力を有する。また、こ
のような官能基をもたない樹脂に対しては、官能基を導
入することにより接着性中間層との接着性を上げること
ができる。このような樹脂の例としては、例えば、熱硬
化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体（樹脂複合
体）等が挙げられる。また、これらの樹脂はその一部に
（メタ）アクリレート基を反応させた感光性樹脂や、紫
外線や赤外線を照射した際に、ラジカル反応により硬化
する樹脂であってもよい。In the multilayer printed wiring board of the present invention, the adhesive intermediate layer formed on the conductor circuit can be bonded to the resin via oxygen atoms contained in the molecule, and thus can be firmly connected to the interlayer resin insulating layer. Can be glued. Therefore,
The interlayer resin insulating layer of the multilayer printed wiring board of the present invention is desirably a resin having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group of the adhesive intermediate layer and bonding via an oxygen atom. However, even a resin without such a functional group has a high affinity with the adhesive intermediate layer, and in that case, it has a high adhesive strength. In addition, for a resin having no such functional group, by introducing a functional group, the adhesiveness with the adhesive intermediate layer can be improved. Examples of such a resin include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and a composite thereof (resin composite). Further, these resins may be photosensitive resins having a part reacted with a (meth) acrylate group, or resins which are cured by a radical reaction when irradiated with ultraviolet rays or infrared rays.
【００５１】上記熱硬化性樹脂の具体例としては、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。Specific examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, a bismaleimide resin, a polyolefin resin, and a polyphenylene ether resin.
【００５２】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.
【００５３】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。Examples of the polyolefin resin include polyethylene, polystyrene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resins, and copolymers of these resins.
【００５４】また、上記ポリオレフィン系樹脂の市販品
としては、例えば、住友スリーエム社製の商品名：１５
９２等が挙げられる。また、融点が２００℃以上の熱可
塑型ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、
三井石油化学工業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０
℃）、出光石油化学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０
℃）等が挙げられる。これらのなかでは、誘電率および
誘電正接が低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合
でも信号遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、
剛性等の機械的特性にも優れている点からシクロオレフ
ィン系樹脂が望ましい。Examples of the commercially available products of the above polyolefin resin include, for example, a product name: 15 manufactured by Sumitomo 3M Limited.
92 and the like. As a commercially available thermoplastic polyolefin resin having a melting point of 200 ° C. or higher, for example,
Trade name: TPX (melting point 240, manufactured by Mitsui Petrochemical Industries, Ltd.)
° C), trade name: SPS (melting point 270, manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.)
° C). Among these, the dielectric constant and the dielectric loss tangent are low, and even when a high-frequency signal in the GHz band is used, signal delay and signal error hardly occur.
Cycloolefin-based resins are desirable because they have excellent mechanical properties such as rigidity.
【００５５】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。As the above cycloolefin resin, 2
Homopolymers or copolymers of monomers comprising -norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene or derivatives thereof are desirable. As the above derivative, the above 2-
Examples include those in which an amino group for forming a crosslink, a maleic anhydride residue, or a maleic acid-modified one is bonded to a cycloolefin such as norbornene. Examples of monomers for synthesizing the copolymer include ethylene and propylene.
【００５６】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。The cycloolefin resin may be a mixture of two or more of the above resins, or may contain a resin other than the cycloolefin resin. When the cycloolefin resin is a copolymer, it may be a block copolymer or a random copolymer.
【００５７】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３
０〜２００℃であることが望ましい。The cycloolefin resin is preferably a thermosetting cycloolefin resin.
This is because by performing the heating to form the crosslinks, the rigidity is further increased and the mechanical properties are improved. The glass transition temperature (Tg) of the cycloolefin resin is 13
Desirably, the temperature is 0 to 200 ° C.
【００５８】上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂
シート（フィルム）として成形されたものを使用しても
よく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の
重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散し
た未硬化溶液の状態であってもよい。また、樹脂シート
の場合には、いわゆるＲＣＣ（ＲＥＳＩＮ ＣＯＡＴＥ
Ｄ ＣＯＰＰＥＲ：樹脂付銅箔）を用いてもよい。As the cycloolefin-based resin, those already formed as a resin sheet (film) may be used, and a monomer or a low-molecular-weight polymer having a constant molecular weight may be used as a solvent such as xylene or cyclohexane. It may be in the state of an uncured solution dispersed in. In the case of a resin sheet, a so-called RCC (RESIN COATE
D COPER: resin-coated copper foil).
【００５９】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。The cycloolefin-based resin may not contain a filler or the like, or may contain a flame retardant such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, or a phosphate.
【００６０】また、上記ポリオレフィン樹脂を用いる場
合、該ポリオレフィン樹脂に有機フィラーを配合しても
よい。上記有機フィラーを配合することにより、例え
ば、層間樹脂絶縁層にレーザ光を照射することによりバ
イアホール用開口を形成する際に、所望の形状のバイア
ホール用開口を良好に形成することができる。When the above-mentioned polyolefin resin is used, an organic filler may be added to the polyolefin resin. By blending the organic filler, for example, when forming the via hole opening by irradiating the interlayer resin insulating layer with a laser beam, the via hole opening having a desired shape can be favorably formed.
【００６１】即ち、炭酸ガスレーザ等の赤外線レーザを
照射して非貫通孔等を形成する場合には、上記有機フィ
ラーは、熱に対する緩衝剤の役割を果たし、発生した熱
や導体回路より反射した熱を一部吸収する。また、上記
有機フィラーは、樹脂組成物が所定の形状を維持するた
めの機械的な強化剤の役割を果たし、その結果、周囲の
樹脂の形状を維持することができ、目的の形状の非貫通
孔等を形成することができる。That is, when a non-through hole or the like is formed by irradiating an infrared laser such as a carbon dioxide gas laser, the organic filler serves as a buffer against heat, and generates heat or heat reflected from a conductor circuit. Partially absorbs. In addition, the organic filler serves as a mechanical reinforcing agent for maintaining the predetermined shape of the resin composition, and as a result, the shape of the surrounding resin can be maintained, and the non-penetration of the desired shape can be achieved. A hole or the like can be formed.
【００６２】また、紫外線レーザを照射して非貫通孔等
を形成する場合、有機フィラーが紫外線を吸収し、この
ため、紫外線レーザが照射された部分の層間樹脂絶縁層
が分解、消失し、目的とする形状の非貫通孔等を形成す
ることができる。When a non-through hole or the like is formed by irradiating an ultraviolet laser, the organic filler absorbs the ultraviolet light, so that the interlayer resin insulating layer in the portion irradiated with the ultraviolet laser decomposes and disappears. A non-through hole having the following shape can be formed.
【００６３】従って、上記レーザの照射によりバイアホ
ール用開口を形成し、この開口に金属層を形成すること
によりバイアホールを形成すると、該金属層は下の導体
回路に密着して剥がれにくくなり、得られる多層プリン
ト配線板の接続性、信頼性が向上する。Therefore, when a via hole opening is formed by the above-mentioned laser irradiation and a metal layer is formed in this opening to form a via hole, the metal layer is in close contact with the underlying conductor circuit and is hardly peeled off. The connectivity and reliability of the obtained multilayer printed wiring board are improved.
【００６４】上記有機フィラーとしては特に限定される
ものではないが、例えば、メラミン、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ＰＰＯ、
ＰＰＥ等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用い
てもよく、２種以上併用してもよい。The organic filler is not particularly restricted but includes, for example, melamine, phenol resin,
Epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, PPO,
PPE and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more.
【００６５】上記有機フィラーの含有量は、５〜６０重
量％が好ましい。上記有機フィラーの含有量が５重量％
未満であると、有機フィラーの含有量が少なすぎるた
め、レーザ光照射の際に上記した役割を果たすことがで
きず、目的とする形状の非貫通孔等を形成することがで
きない場合がある。一方、有機フィラーの含有量が６０
重量％を超えると、ポリオレフィン系樹脂の特性が失わ
れ、例えば、誘電率が高くなりすぎること等があるため
好ましくない。より好ましい有機フィラーの配合量は、
１４〜６０重量％である。The content of the organic filler is preferably 5 to 60% by weight. The content of the organic filler is 5% by weight
When the content is less than the above, the content of the organic filler is too small, so that the above-mentioned role cannot be performed at the time of laser beam irradiation, and a non-through hole or the like having a desired shape may not be formed. On the other hand, when the content of the organic filler is 60
If the content is more than 10% by weight, the properties of the polyolefin resin are lost, and, for example, the dielectric constant may be too high. More preferred amount of the organic filler,
14 to 60% by weight.
【００６６】上記有機フィラーの形状は特に限定され
ず、例えば、球状、多面形状等が挙げられるが、これら
のなかでは、クラックが発生しにくく、熱や熱衝撃によ
って層間樹脂絶縁層に応力が発生しても、その応力が緩
和されやすい点から、球状が好ましい。The shape of the organic filler is not particularly limited, and may be, for example, a sphere or a polyhedral shape. Among these, cracks are unlikely to occur, and stress is generated in the interlayer resin insulating layer by heat or thermal shock. However, a spherical shape is preferable because the stress is easily alleviated.
【００６７】また、上記有機フィラーの粒径は、０．０
５〜０．２μｍが好ましい。上記有機フィラーの粒径が
０．０５μｍ未満であると、粒径が小さすぎるため、均
一に有機フィラーを配合することが困難となる場合があ
り、一方、上記有機フィラーの粒径が０．２μｍを超え
ると、有機フィラーの粒径が大きすぎるため、レーザ光
を照射した際に完全に分解除去されない場合が発生す
る。The particle size of the organic filler is 0.0
5 to 0.2 μm is preferred. When the particle size of the organic filler is less than 0.05 μm, the particle size is too small, so that it may be difficult to mix the organic filler uniformly, while the particle size of the organic filler is 0.2 μm If the ratio exceeds the above range, the particle size of the organic filler may be too large, so that the organic filler may not be completely decomposed and removed when irradiated with laser light.
【００６８】上記有機フィラーを配合する場合、その粒
径が異なる２種以上の有機フィラーを配合してもよい
が、余り多種類の粒径の異なる有機フィラーを配合する
と、有機フィラーが凝集しやすくなり、凝集物の径が
０．２μｍを超え、０．２μｍを超えるものを使用した
場合と同様の不都合が発生する場合があるので、径が異
なる有機フィラーを配合する場合には、２種類の配合に
留めることが望ましい。When the above-mentioned organic filler is compounded, two or more kinds of organic fillers having different particle diameters may be compounded. However, if too many kinds of organic fillers having different particle diameters are mixed, the organic filler is liable to aggregate. When the size of the agglomerate exceeds 0.2 μm and the same inconvenience as the case where the agglomerate exceeds 0.2 μm is used, there are cases where two types of organic fillers having different diameters are blended. It is desirable to keep the formulation.
【００６９】上記ポリフェニレンエーテル樹脂として
は、例えば、下記化学式（６）で表される繰り返し単位
を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化
学式（７）で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポ
リフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。Examples of the polyphenylene ether resin include a thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (6) and a thermosetting polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (7): And the like.
【００７０】[0070]
【化６】 Embedded image
【００７１】（式中、ｎは、２以上の整数を表す。）(In the formula, n represents an integer of 2 or more.)
【００７２】[0072]
【化７】 Embedded image
【００７３】（式中、ｍは、２以上の整数を表す。ま
た、Ｒ1 、Ｒ2 は、メチレン基、エチレン基または−Ｃ
Ｈ2 −Ｏ−ＣＨ2 −を表し、両者は同一であってもよい
し、異なっていてもよい。）(In the formula, m represents an integer of 2 or more. R 1 and R 2 represent a methylene group, an ethylene group or a —C
Represents H 2 —O—CH 2 —, both of which may be the same or different. )
【００７４】また、上記化学式（７）で表される繰り返
し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂
は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有している
が、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテ
ル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のア
ルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフ
ッ素で置換された誘導体等であってもよい。The thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the above formula (7) has a structure in which a methyl group is bonded to a benzene ring, but the polyphenylene ether which can be used in the present invention. The resin may be a derivative in which the above-mentioned methyl group is substituted with another alkyl group such as an ethyl group, or a derivative in which hydrogen of a methyl group is substituted with fluorine.
【００７５】また、上記熱可塑性樹脂としては、フェノ
キシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等
が挙げられる。また、これらの複合体（樹脂複合体）と
しては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含むものであ
れば特に限定されず、その具体例としては、例えば、粗
化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone and the like. The composite (resin composite) is not particularly limited as long as it contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin. Specific examples thereof include, for example, a resin composition for forming a roughened surface. And the like.
【００７６】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくと
も１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性
樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から
選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性
の物質が分散されたもの等が挙げられる。なお、上記
「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。As the resin composition for forming a roughened surface, for example, an uncured heat-resistant resin matrix which is hardly soluble in a roughening solution comprising at least one selected from an acid, an alkali and an oxidizing agent is used. Examples thereof include those in which a substance soluble in a roughening liquid comprising at least one selected from an acid, an alkali, and an oxidizing agent is dispersed. Note that the terms "sparingly soluble" and "soluble" are referred to as "soluble" for convenience when a substance having a relatively high dissolution rate is immersed in the same roughening solution for the same time, and the relative dissolution rate is relatively low. The slower one is called "poorly soluble" for convenience.
【００７７】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂を用いることにより、層
間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用
開口を形成してもよい。The heat-resistant resin matrix is preferably a matrix capable of maintaining the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using the roughening solution. , Thermoplastic resins, and composites thereof. Further, by using a photosensitive resin, an opening for a via hole may be formed in the interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes.
【００７８】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱
硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリ
ル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させ
る。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望まし
い。さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成す
ることができるばかりでなく、耐熱性等にも優れている
ため、ヒートサイクル条件下においても、導体回路に応
力の集中が発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層との間
で剥離が発生しにくい。The thermosetting resin includes, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyolefin resin, fluororesin and the like. When the thermosetting resin is photosensitized, the thermosetting group is subjected to a (meth) acrylation reaction using methacrylic acid, acrylic acid, or the like. Particularly, a (meth) acrylate of an epoxy resin is desirable. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. In addition to being able to form the above-described roughened surface, it is also excellent in heat resistance and the like, so that stress is not concentrated on the conductor circuit even under heat cycle conditions, and the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer Peeling hardly occurs between the substrate and the substrate.
【００７９】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.
【００８０】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ
エーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレン
スルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニ
ルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。Examples of the thermoplastic resin include polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【００８１】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であるこ
とが望ましい。The substance soluble in the roughening liquid comprising at least one selected from the above-mentioned acids, alkalis and oxidizing agents is selected from inorganic particles, resin particles, metal particles, rubber particles, liquid resin and liquid rubber. It is desirable that it is at least one kind.
【００８２】上記無機粒子としては、例えば、アルミニ
ウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグ
ネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これら
は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。Examples of the inorganic particles include aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds, silicon compounds and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【００８３】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、
上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライ
ト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上併用してもよい。Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Calcium hydroxide and the like, as the potassium compound, for example, potassium carbonate and the like, as the magnesium compound, for example, magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate, talc and the like,
Examples of the silicon compound include silica and zeolite. These may be used alone or 2
More than one species may be used in combination.
【００８４】上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去す
ることができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去するこ
とができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイト
はアルカリ水溶液で溶解除去することができる。The alumina particles can be dissolved and removed with hydrofluoric acid, and calcium carbonate can be dissolved and removed with hydrochloric acid. Further, sodium-containing silica and dolomite can be dissolved and removed with an alkaline aqueous solution.
【００８５】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等挙げられる。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上併用してもよい。The resin particles include, for example, those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin and the like. When immersed in a roughening liquid comprising at least one selected from acids, alkalis and oxidizing agents, There is no particular limitation as long as the dissolution rate is faster than the heat-resistant resin matrix,
Specifically, for example, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin, etc.), epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, bismaleimide-triazine resin and the like can be mentioned. . These may be used alone or in combination of two or more.
【００８６】なお、上記エポキシ樹脂は、酸や酸化剤に
溶解するものや、これらに難溶性のものを、オリゴマー
の種類や硬化剤を選択することにより任意に製造するこ
とができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸に非常に
よく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を
イミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム酸には
溶解しにくい。The epoxy resin can be arbitrarily produced by dissolving in an acid or an oxidizing agent or hardly soluble in these by selecting the type of oligomer and the curing agent. For example, a resin obtained by curing a bisphenol A-type epoxy resin with an amine-based curing agent is very soluble in chromic acid, but a resin obtained by curing a cresol novolac-type epoxy resin with an imidazole curing agent is not easily dissolved in chromic acid. .
【００８７】上記樹脂粒子は予め硬化処理されているこ
とが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が
樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。It is necessary that the resin particles have been cured beforehand. If not cured, the resin particles will dissolve in the solvent that dissolves the resin matrix, so they will be uniformly mixed, and it will not be possible to selectively dissolve and remove only the resin particles with an acid or oxidizing agent. is there.
【００８８】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。Examples of the metal particles include gold, silver,
Examples include copper, tin, zinc, stainless steel, aluminum, nickel, iron, lead, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. The metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
【００８９】上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロ
ニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポ
リイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フ
ッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂
等が挙げられる。Examples of the rubber particles include acrylonitrile-butadiene rubber, polychloroprene rubber, polyisoprene rubber, acrylic rubber, polysulfur-based rigid rubber, fluorine rubber, urethane rubber, silicone rubber, ABS resin and the like.
【００９０】また、上記ゴム粒子として、例えば、ポリ
ブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メ
タ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエン
ゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニト
リル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。これ
らのゴム粒子を使用することにより、該ゴム粒子が酸あ
るいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて
ゴム粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解する
ことができ、酸化剤を用いてゴム粒子を溶解する際に
は、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解すること
ができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で
溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が層間樹
脂絶縁層表面に残留することがなく、後述するように、
粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際
に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたり
することがない。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。As the rubber particles, for example, various modified polybutadiene rubbers such as polybutadiene rubber, epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group are used. Can also. By using these rubber particles, the rubber particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the rubber particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the rubber particles using an oxidizing agent, permanganic acid having a relatively weak oxidizing power can be used. Can be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, no acid or oxidizing agent remains on the surface of the interlayer resin insulating layer, and as described later,
When a catalyst such as palladium chloride is applied after the formation of the roughened surface, no catalyst is applied or the catalyst is not oxidized. These may be used alone or in combination of two or more.
【００９１】上記可溶性の物質を、２種以上混合して用
いる場合、混合する２種の可溶性の物質の組み合わせと
しては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望まし
い。両者とも導電性が低くいため、層間樹脂絶縁層の絶
縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との
間で熱膨張の調整が図りやすく、粗化面形成用樹脂組成
物からなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間
樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからで
ある。When two or more of the above-mentioned soluble substances are used in combination, the combination of the two soluble substances to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the interlayer resin insulation layer can be ensured, the thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and the interlayer resin made of the resin composition for forming a roughened surface can be easily obtained. This is because no crack occurs in the insulating layer, and no peeling occurs between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.
【００９２】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。上記液
相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴ
ム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニ
トリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキ
シル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエ
ンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。As the liquid phase resin, an uncured solution of the thermosetting resin can be used. Specific examples of such a liquid phase resin include, for example, an uncured epoxy oligomer and an amine-based curing agent. And the like. Examples of the liquid phase rubber include the above-mentioned polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified and (meth) acrylonitrile-modified, and uncured solutions such as (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. Can be used.
【００９３】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分
離するように）ように、これらの物質を選択する必要が
ある。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリック
スと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性
樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴ
ムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂また
は液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。When the photosensitive resin composition is prepared by using the liquid resin or the liquid rubber, the heat-resistant resin matrix and the soluble substance are not uniformly compatible (that is, the phases are separated). As such, these materials need to be selected. By mixing a heat-resistant resin matrix and a soluble substance selected according to the above criteria, a state in which "islands" of liquid-phase resin or liquid-phase rubber are dispersed in the "sea" of the heat-resistant resin matrix Alternatively, a photosensitive resin composition in which "islands" of a heat-resistant resin matrix are dispersed in a "sea" of a liquid phase resin or a liquid phase rubber can be prepared.
【００９４】そして、このような状態の感光性樹脂組成
物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂また
は液相ゴムを除去することにより粗化面を形成すること
ができる。After the photosensitive resin composition in such a state is cured, the roughened surface can be formed by removing the "sea" or "island" liquid phase resin or liquid phase rubber. .
【００９５】上記粗化液として用いる酸としては、例え
ば、リン酸、塩酸、硫酸、硝酸や、蟻酸、酢酸等の有機
酸等が挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いる
ことが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールか
ら露出する金属導体層を腐食させにくいからである。上
記酸化剤としては、例えば、クロム酸、クロム硫酸、ア
ルカリ性過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の
水溶液等を用いることが望ましい。また、上記アルカリ
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶
液が望ましい。Examples of the acid used as the roughening solution include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid. Of these, organic acids are preferably used. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. As the oxidizing agent, it is desirable to use, for example, an aqueous solution of chromic acid, chromic sulfuric acid, or an alkaline permanganate (such as potassium permanganate). As the alkali, an aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide or the like is desirable.
【００９６】上記可溶性の物質の平均粒径は、１０μｍ
以下が望ましい。また、平均粒径が２μｍ以下の平均粒
径の相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな
微粒子とを組み合わせて使用してもよい。即ち、平均粒
径が０．１〜０．５μｍの可溶性の物質と平均粒径が１
〜２μｍの可溶性の物質とを組み合わせる等である。The average particle size of the soluble substance is 10 μm
The following is desirable. Further, coarse particles having a relatively large average particle diameter of 2 μm or less and fine particles having a relatively small average particle diameter may be used in combination. That is, a soluble substance having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and an average particle size of 1
Combination with a soluble substance of ２2 μm, and the like.
【００９７】このように、平均粒子と相対的に大きな粗
粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせ
ることにより、無電解めっき膜の溶解残渣をなくし、め
っきレジスト下のパラジウム触媒量を少なくし、さら
に、浅くて複雑な粗化面を形成することができる。さら
に、複雑な粗化面を形成することにより、粗化面の凹凸
が小さくても実用的なピール強度を維持することができ
る。上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μ
ｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍ
であることが望ましい。As described above, the combination of the coarse particles having a relatively large average particle size and the fine particles having a relatively small average particle size eliminates the dissolution residue of the electroless plating film and reduces the amount of the palladium catalyst under the plating resist. In addition, a shallow and complicated roughened surface can be formed. Further, by forming a complicated roughened surface, a practical peel strength can be maintained even if the unevenness of the roughened surface is small. The coarse particles have an average particle size of more than 0.8 μm and 2.0 μm.
m, the fine particles have an average particle size of 0.1 to 0.8 μm
It is desirable that
【００９８】上記粗粒子と微粒子とを組み合わせること
により、浅くて複雑な粗化面を形成することができるの
は、使用する粒子径が粗粒子で平均粒径２μｍ未満であ
ると、これらの粒子が溶解除去されても形成されるアン
カーは浅くなり、また、除去される粒子は、相対的に粒
子径の大きな粗粒子と相対的に粒子径の小さな微粒子の
混合粒子であるから、形成される粗化面が複雑になるの
である。このような複雑な粗化面を形成することによ
り、浅い粗化面でも実用的なピール強度を維持すること
ができる。By combining the above coarse particles and fine particles, a shallow and complicated roughened surface can be formed because if the particle size used is coarse and the average particle size is less than 2 μm, these coarse particles can be formed. The anchor formed even when dissolved is removed becomes shallow, and the particles to be removed are formed by the mixture of coarse particles having a relatively large particle diameter and fine particles having a relatively small particle diameter. The roughened surface becomes complicated. By forming such a complicated roughened surface, a practical peel strength can be maintained even with a shallow roughened surface.
【００９９】また、この場合、使用する粒子径が、粗粒
子で平均粒径２μｍ未満であると、粗化が進行しすぎて
空隙を発生させることはなく、形成した層間樹脂絶縁層
は層間絶縁性に優れている。なお、上記層間面形成用樹
脂組成物において、可溶性の物質の粒径とは、可溶性の
物質の一番長い部分の長さである。In this case, if the particle diameter used is coarse and the average particle diameter is less than 2 μm, the roughening proceeds too much and no voids are generated, and the formed interlayer resin insulating layer is an interlayer insulating layer. Excellent in nature. In the resin composition for forming an interlayer surface, the particle size of the soluble substance is the length of the longest portion of the soluble substance.
【０１００】また、粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超
え２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜
０．８μｍであると、粗化面の深さは概ねＲｍａｘ＝３
μｍ程度となり、セミアディテイブ法では、無電解めっ
き膜をエッチング除去しやすいだけではなく、無電解め
っき膜下のＰｄ触媒をも簡単に除去することができ、ま
た、実用的なピール強度１．０〜１．３ｋｇ／ｃｍを維
持することができる。The coarse particles have an average particle diameter of more than 0.8 μm and less than 2.0 μm, and the fine particles have an average particle diameter of 0.1 to 0.1 μm.
When it is 0.8 μm, the depth of the roughened surface is approximately Rmax = 3
In the semi-additive method, not only the electroless plating film can be easily removed by etching, but also the Pd catalyst under the electroless plating film can be easily removed. 0 to 1.3 kg / cm can be maintained.
【０１０１】上記可溶性の物質の形状は特に限定され
ず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性の
物質の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一
な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるか
らである。The shape of the soluble substance is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape and a crushed shape. Further, the shape of the soluble substance is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.
【０１０２】上記粗化面形成用樹脂組成物は基板上等に
塗布することができるように有機溶剤を含有するもので
あってもよいし、基板上等に圧着することができるよう
にフィルム状に成形されたもの（以下、粗化面形成用樹
脂フィルムともいう）でもよい。上記粗化面形成用樹脂
組成物が有機溶剤を含有する場合、その含有量は、１０
重量％以下であることが望ましい。The above-mentioned resin composition for forming a roughened surface may contain an organic solvent so that it can be applied on a substrate or the like, or may be in the form of a film so that it can be pressed onto a substrate or the like. (Hereinafter, also referred to as a resin film for forming a roughened surface). When the resin composition for forming a roughened surface contains an organic solvent, the content is 10%.
It is desirable that the content be not more than weight%.
【０１０３】上記粗化面形成用樹脂フィルムにおいて、
上記可溶性の物質は、上記耐熱性樹脂マトリックス中に
ほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィ
ルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その
上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保すること
ができるからである。また、上記粗化面形成用樹脂フィ
ルムは、粗化面を形成する表層部だけに可溶性の物質を
含有するよう形成されていてもよい。それによって、粗
化面形成用樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤
にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した
導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。In the above resin film for forming a roughened surface,
It is desirable that the soluble substance is substantially uniformly dispersed in the heat resistant resin matrix. It is possible to form a roughened surface with unevenness of uniform roughness, and even if via holes and through holes are formed in the resin film, it is possible to secure the adhesion of the metal layer of the conductor circuit formed thereon. Because you can. Further, the above-mentioned resin film for forming a roughened surface may be formed so as to contain a soluble substance only in a surface layer portion forming a roughened surface. Thereby, since the portions other than the surface layer portion of the roughened surface forming resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.
【０１０４】上記粗化面形成用樹脂フィルムにおいて、
難溶性樹脂中に分散している可溶性の物質の配合量は、
粗化面形成用樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が
望ましい。可溶性の物質の配合量が３重量％未満では、
所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場
合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用
いて可溶性の物質を溶解した際に、樹脂フィルムの深部
まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の
原因となる場合がある。In the above-mentioned resin film for forming a roughened surface,
The amount of the soluble substance dispersed in the hardly soluble resin is
The content is preferably 3 to 40% by weight based on the resin film for forming a roughened surface. If the amount of the soluble substance is less than 3% by weight,
In some cases, a roughened surface having desired irregularities cannot be formed. If the amount exceeds 40% by weight, when a soluble substance is dissolved using an acid or an oxidizing agent, the substance is dissolved to a deep portion of the resin film. In addition, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.
【０１０５】上記粗化面形成用樹脂フィルムは、上記可
溶性の物質、上記耐熱性樹脂マトリックス以外に、硬化
剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上
記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、ア
ミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤の
エポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル
化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニル
ホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホス
フィン系化合物等が挙げられる。The above-mentioned roughened surface forming resin film desirably contains a curing agent, other components, and the like in addition to the above-mentioned soluble substance and the above-mentioned heat-resistant resin matrix. Examples of the curing agent include imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and those obtained by microencapsulating these curing agents, triphenylphosphine, and tetraphenylphosphonate. Organic phosphine-based compounds such as ammonium tetraphenylborate.
【０１０６】上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂
フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望
ましい。０．０５重量％未満では、粗化面形成用樹脂フ
ィルムの硬化が不充分であるため、酸や酸化剤が粗化面
形成用樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、粗
化面形成用樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがあ
る。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が
樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招
いたりしてしまうことがある。The content of the curing agent is desirably 0.05 to 10% by weight based on the resin film for forming a roughened surface. If the content is less than 0.05% by weight, the degree of curing of the roughened surface forming resin film is insufficient, so that the degree of penetration of acid or oxidizing agent into the roughened surface forming resin film increases. The insulation of the film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.
【０１０７】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上等を図りプリント配線板の性
能を向上させることができる。Examples of the other components include fillers such as inorganic compounds and resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.
【０１０８】また、上記粗化面形成用樹脂フィルムは、
溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例え
ば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブア
セテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が
挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上
併用してもよい。Further, the resin film for forming a roughened surface is as follows:
A solvent may be contained. Examples of the solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, and aromatic hydrocarbons such as cellosolve acetate, toluene, and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.
【０１０９】このような多層プリント配線板は、例え
ば、以下に説明する本発明の多層プリント配線板の製造
方法により製造することができる。Such a multilayer printed wiring board can be manufactured, for example, by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention described below.
【０１１０】次に、本発明の多層プリント配線板の製造
方法について説明する。第一の本発明の多層プリント配
線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層
とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間
の接続がバイアホールにより行われてなる多層プリント
配線板の製造方法であって、少なくとも下記（Ａ）〜
（Ｄ）の工程を含むことを特徴とする。 （Ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に導体回路
を形成する導体回路形成工程、（Ｂ）上記工程で形成さ
れた導体回路上の少なくとも一部に、オキサジン骨格を
有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化合
物からなる群より選択される少なくとも一種からなる中
間層を形成する中間層形成工程、（Ｃ）上記中間層に加
熱処理を施し、接着性中間層とする加熱処理工程、およ
び、（Ｄ）上記接着性中間層上に層間樹脂絶縁層を形成
する樹脂絶縁層形成工程。Next, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the first aspect of the invention, the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on the substrate, and the connection between the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer is performed by via holes. The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, further comprising:
It is characterized by including the step (D). (A) a conductor circuit forming step of forming a conductor circuit on the substrate or the interlayer resin insulating layer, (B) a compound having an oxazine skeleton in at least a part of the conductor circuit formed in the step, and oxazole An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of compounds having a skeleton, (C) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, and ( D) A resin insulating layer forming step of forming an interlayer resin insulating layer on the adhesive intermediate layer.
【０１１１】第一の本発明の多層プリント配線板の製造
方法によれば、オキサジン骨格を有する化合物およびオ
キサゾール骨格を有する化合物からなる群より選択され
る少なくとも一種からなる中間層を導体回路上に形成し
た後、該中間層に加熱処理を施して、接着性中間層とす
るため、導体回路と接着性中間層とを該接着性中間層が
分子内に有する酸素原子や窒素原子を介して化学的に結
合させることができ、両者を強固に接着することができ
る。また、この接着性中間層の上に層間樹脂絶縁層を形
成するため、両者は、酸素原子等を介して、または、樹
脂層同士の親和性により強固に接着する。従って、接着
性中間層を介して、導体回路と層間樹脂絶縁層とが強固
に接着した多層プリント配線板を製造することができ
る。According to the first method of manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton is formed on a conductive circuit. After that, the intermediate layer is subjected to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, so that the conductive circuit and the adhesive intermediate layer are chemically bonded via oxygen atoms and nitrogen atoms contained in the molecule of the adhesive intermediate layer. And both can be firmly bonded. In addition, since an interlayer resin insulating layer is formed on the adhesive intermediate layer, the two are firmly bonded to each other via oxygen atoms or the like or due to affinity between the resin layers. Therefore, it is possible to manufacture a multilayer printed wiring board in which the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer are firmly bonded via the adhesive intermediate layer.
【０１１２】上記オキサジン骨格を有する化合物として
は、ベンソ−１，４−オキサジン、５，６−ベンゾ−
１，２−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−オキサ
ジン、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、および、
これらの誘導体が望ましく、上記オキサゾール骨格を有
する化合物としては、ベンゾオキサゾールおよびその誘
導体が望ましい。Examples of the compound having an oxazine skeleton include benzo-1,4-oxazine and 5,6-benzo-
1,2-oxazine, 4,5-benzo-1,3-oxazine, 5,6-benzo-1,3-oxazine, and
These derivatives are desirable, and as the compound having the oxazole skeleton, benzoxazole and its derivatives are desirable.
【０１１３】以下に、第一の本発明の多層プリント配線
板の製造方法について、工程順に説明する。The first method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described below in the order of steps.
【０１１４】（１）第一の本発明の製造方法において
は、まず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基
板を作製する。このとき、必要に応じて、絶縁性基板に
貫通孔を設けてもよい。この場合、貫通孔は直径１００
〜３００μｍのドリル、レーザ光等を用いて形成するこ
とが望ましい。(1) In the first manufacturing method of the present invention, first, a substrate having a conductive circuit formed on the surface of an insulating substrate is prepared. At this time, if necessary, a through-hole may be provided in the insulating substrate. In this case, the through hole has a diameter of 100
It is desirable to form it using a drill, a laser beam or the like of up to 300 μm.
【０１１５】（２）次に、無電解めっきを施した後、基
板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エ
ッチングを行うことにより導体回路を形成する。無電解
めっきとしては銅めっきが望ましい。また、絶縁性基板
に貫通孔を設けた場合には、該貫通孔の壁面にも同時に
無電解めっきを施してスルーホールを形成することによ
り、基板の両面の導体回路間を電気的に接続してもよ
い。(2) Next, after performing electroless plating, a conductive circuit-shaped etching resist is formed on the substrate, and etching is performed to form a conductive circuit. Copper plating is desirable as the electroless plating. Also, when a through hole is provided in the insulating substrate, by simultaneously applying electroless plating to the wall surface of the through hole to form a through hole, the conductor circuits on both surfaces of the substrate are electrically connected. You may.
【０１１６】さらに、この無電解めっきの後、無電解め
っき層表面とスルーホールを形成した場合にはスルーホ
ール内壁との粗化形成処理を施し、導体回路表面を粗化
面とすることが望ましい。上記粗化形成処理方法として
は、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅
錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ
針状合金めっきによる処理等が挙げられる。Further, after the electroless plating, when the surface of the electroless plating layer and the through hole are formed, it is preferable to perform a roughening treatment on the inner wall of the through hole to make the surface of the conductor circuit rough. . Examples of the roughening forming treatment method include blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, Cu-Ni-P
Processing by needle-like alloy plating and the like can be mentioned.
【０１１７】上記黒化（酸化）−還元処理の具体的な方
法としては、ＮａＯＨ（１０〜２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌ
Ｏ2 （４０〜５０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６〜１５ｇ
／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処
理、および、ＮａＯＨ（２．７〜１０ｇ／ｌ）、ＮａＢ
Ｈ4 （１．０〜６．０ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行う方法等が挙げられる。Specific methods of the above-mentioned blackening (oxidation) -reduction treatment include NaOH (10 to 20 g / l), NaCl
O 2 (40 to 50 g / l), Na 3 PO 4 (6 to 15 g
/ L), a blackening treatment using an aqueous solution containing (Na) (2.7 to 10 g / l), NaB
A method of performing a reduction treatment using an aqueous solution containing H 4 (1.0 to 6.0 g / l) as a reduction bath is exemplified.
【０１１８】上記エッチング処理に用いるエッチング液
としては、有機酸と第二銅錯体との混合溶液が望まし
い。上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロ
トン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、
マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ
酸、スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記エッチン
グ液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重
量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ
触媒安定性を確保することができるからである。As an etching solution used for the above etching treatment, a mixed solution of an organic acid and a cupric complex is desirable. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid,
Maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, sulfamic acid and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. In the etching solution, the content of the organic acid is desirably 0.1 to 30% by weight. This is because the solubility of the oxidized copper can be maintained and the stability of the catalyst can be ensured.
【０１１９】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾール等が挙げられる。これらのなかでも、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望まし
い。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有
量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性
に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶
解させることができるからである。As the cupric complex, a cupric complex of an azole is desirable. This cupric complex of azoles is
It acts as an oxidizing agent that oxidizes metallic copper and the like. Examples of the azoles include diazole, triazole, tetrazole and the like. Among these, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-undecylimidazole are desirable. In the etching solution, the content of the cupric complex is desirably 1 to 15% by weight. This is because it is excellent in solubility and stability, and can also dissolve noble metals such as Pd constituting the catalyst core.
【０１２０】上記めっき処理としては、例えば、硫酸銅
（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ
／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナ
トリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０
ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフ
ィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ
＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施し、Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成する方法等が挙げら
れる。この範囲で析出するめっき被膜の結晶構造は、針
状構造となるため、アンカー効果に優れるからである。
上記無電解めっき浴には、上記化合物を加えて錯化剤や
添加剤を加えてもよい。As the plating treatment, for example, copper sulfate (1 to 40 g / l), nickel sulfate (0.1 to 6.0 g / l)
/ L), citric acid (10-20 g / l), sodium hypophosphite (10-100 g / l), boric acid (10-40 g / l)
g / l) and a surfactant (Surfynol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.01 to 10 g / l).
= 9 in the electroless plating bath, Cu-
A method of forming a roughened layer made of a Ni-P alloy is exemplified. This is because the crystal structure of the plating film deposited in this range has a needle-like structure, and thus has an excellent anchor effect.
The above-mentioned compound may be added to the electroless plating bath to add a complexing agent or an additive.
【０１２１】上記粗化面を形成する場合、その平均粗度
は、０．０５〜５μｍが望ましい。従って、上記範囲の
粗化面を形成することができるように、粗化形成処理条
件を選択する。このような粗化面の形成は必要に応じて
行えばよく、導体回路の表面を粗化面にすることなく、
次の工程を行ってもよい。上記（１）および（２）の工
程、即ち、導体回路形成工程を経ることにより基板上に
導体回路を形成することができる。When the above roughened surface is formed, the average roughness is desirably 0.05 to 5 μm. Therefore, the roughening treatment conditions are selected so that a roughened surface in the above range can be formed. The formation of such a roughened surface may be performed as necessary, and without making the surface of the conductor circuit a roughened surface.
The following steps may be performed. Through the steps (1) and (2), that is, the conductor circuit forming step, a conductor circuit can be formed on the substrate.
【０１２２】（３）次に、導体回路の形成された基板
を、上記中間層形成用化合物の溶液中に浸漬することに
より、導体回路表面に中間層を形成する。上記溶液にお
いて、上記中間層形成用化合物の濃度は、１〜４０重量
％が望ましい。また、上記溶液のｐＨは、１．５〜１３
であることが望ましい。上記ｐＨが１．５未満であった
り、１３を超える場合には，上記中間層形成用化合物が
分解することがあるからである。(3) Next, the substrate on which the conductor circuit is formed is immersed in a solution of the above-mentioned compound for forming an intermediate layer, thereby forming an intermediate layer on the surface of the conductor circuit. In the above solution, the concentration of the compound for forming an intermediate layer is desirably 1 to 40% by weight. The pH of the solution is 1.5 to 13
It is desirable that If the pH is less than 1.5 or exceeds 13, the intermediate layer forming compound may be decomposed.
【０１２３】上記溶液中に基板を浸漬する際には、溶液
の液温度は２５℃〜８０℃が望ましく、また、浸漬時間
は、１〜２０分が望ましい。また、上記溶液に浸漬した
基板は、縦または横方向に振動させてもよいし、振動さ
せなくてもよい。上記（３）の工程、即ち、中間層形成
工程を経ることにより、上記導体回路上の少なくとも一
部に中間層を形成することができる。When the substrate is immersed in the above solution, the liquid temperature of the solution is desirably 25 ° C. to 80 ° C., and the immersion time is desirably 1 to 20 minutes. Further, the substrate immersed in the above solution may or may not be vibrated vertically or horizontally. Through the step (3), that is, the intermediate layer forming step, an intermediate layer can be formed on at least a part of the conductor circuit.
【０１２４】なお、上記導体回路上に中間層を形成する
ために基板を溶液中に浸漬する前には、導体回路（スル
ーホール）表面や、導体回路間の基板表面に付着した異
物や汚れを除去しておくことが望ましい。導体回路表面
に異物等が残留している場合、中間層形成用化合物を用
いて接着性中間層を形成する際に、接着性中間層と導体
回路の結合を阻害することがあるからである。Before the substrate is immersed in the solution to form an intermediate layer on the conductor circuit, foreign substances and dirt adhering to the surface of the conductor circuit (through hole) and the surface of the substrate between the conductor circuits are removed. It is desirable to remove them. This is because, when a foreign substance or the like remains on the surface of the conductive circuit, the bonding between the adhesive intermediate layer and the conductive circuit may be hindered when the adhesive intermediate layer is formed using the compound for forming an intermediate layer.
【０１２５】上記異物等の除去は、酸性脱脂液やアルカ
リ脱脂液、この両者を含む脱脂液を用いて行うことがで
きる。また、アセトンやベンゼン等の有機溶媒を用いて
おこなっても良い。上記脱脂液を用いて、異物等の除去
を行う際には、液温度２０〜６０℃の脱脂液中に１〜５
分間浸漬させることが望ましい。なお、この場合には、
脱脂液から取り出した後、低濃度の中和液（アルカリ脱
脂液を用いた場合には、硫酸等の酸溶液）浸漬し、脱脂
液を完全に除去することが望ましい。また、上記有機溶
媒を用いて、異物等の除去を行う際には、常温の有機溶
媒中に浸漬することが望ましい。The removal of the foreign matter and the like can be performed using an acidic degreasing solution or an alkaline degreasing solution, or a degreasing solution containing both of them. Alternatively, the treatment may be performed using an organic solvent such as acetone or benzene. When removing foreign matter or the like using the above degreasing solution, 1 to 5
It is desirable to soak for minutes. In this case,
After being taken out of the degreasing solution, it is desirable to immerse the solution in a low-concentration neutralizing solution (or an acid solution such as sulfuric acid when using an alkali degreasing solution) to completely remove the degreasing solution. In addition, when removing foreign substances and the like using the above organic solvent, it is desirable to immerse the organic solvent in a normal temperature organic solvent.
【０１２６】（４）次に、上記導体回路上に中間層を形
成した基板に加熱処理を施す。上記加熱処理の温度とし
ては、１２０〜１９０℃が望ましい。加熱処理温度が１
２０度未満では、中間層形成用化合物の重合反応が充分
に進行せず、接着性中間層を形成することができない部
分ができてしまうことがあり、一方、１９０℃を超える
と、中間層形成用化合物が分解してしまい、接着性中間
層を形成することができないことがある上記（４）の工
程、即ち、加熱処理工程を経ることにより、接着性中間
層を形成することができる。(4) Next, a heat treatment is performed on the substrate having the intermediate layer formed on the conductor circuit. The temperature of the heat treatment is preferably from 120 to 190C. Heat treatment temperature is 1
When the temperature is less than 20 degrees, the polymerization reaction of the intermediate layer forming compound does not sufficiently proceed, and a portion where the adhesive intermediate layer cannot be formed may be formed. The adhesive compound may be decomposed, and the adhesive intermediate layer may not be formed. In this case, the adhesive intermediate layer can be formed through the step (4), that is, the heat treatment step.
【０１２７】（５）次に、上記接着性中間層を含む導体
回路上に、熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の
樹脂絶縁層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からな
る樹脂層を形成する。上記未硬化の樹脂絶縁層は、未硬
化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により
塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹
脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬
化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された
樹脂フィルムを貼付してもよい。また、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱
圧着することにより形成することが望ましい。(5) Next, an uncured resin insulating layer made of a thermosetting resin or a resin composite is formed on the conductive circuit including the adhesive intermediate layer, or a resin made of a thermoplastic resin is formed. Form a layer. The uncured resin insulating layer may be formed by applying uncured resin by using a roll coater, a curtain coater, or the like, or may be formed by thermocompression bonding an uncured (semi-cured) resin film. Good. Further, a resin film in which a metal layer such as a copper foil is formed on one surface of an uncured resin film may be attached. The resin layer made of a thermoplastic resin is desirably formed by thermocompression bonding a resin molded body formed into a film.
【０１２８】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施す
ことにより、未硬化の樹脂絶縁層と、接着性中間層とを
化学的に結合させることができるとともに、熱硬化性樹
脂を用いて層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化
の樹脂を熱硬化させることができる。さらに、この硬化
時において、上記接着性中間層は、硬化剤としての役割
も果たす。なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール
用開口および貫通孔を形成した後に行ってもよい。When applying the uncured resin, a heat treatment is applied after the resin is applied. By performing the above-mentioned heat treatment, the uncured resin insulating layer and the adhesive intermediate layer can be chemically bonded, and when the interlayer resin insulating layer is formed using a thermosetting resin, Uncured resin can be thermoset. Further, during this curing, the adhesive intermediate layer also functions as a curing agent. The heat curing may be performed after forming a via hole opening and a through hole described later.
【０１２９】また、上記樹脂フィルムを貼り付けること
により層間樹脂絶縁層を形成する場合、該層間樹脂絶縁
層の形成は、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下
または真空下において、０．２〜１ＭＰａの圧力、６０
〜１２０℃の温度で圧着し、その後、樹脂フィルムを熱
硬化することにより行うことが望ましい。なお、上記熱
硬化は、後述するバイアホール用開口および貫通孔を形
成した後に行ってもよい。When the interlayer resin insulating layer is formed by attaching the above resin film, the interlayer resin insulating layer is formed by using a device such as a vacuum laminator under a reduced pressure or vacuum. 1MPa pressure, 60
It is preferable to perform pressure bonding at a temperature of about 120 ° C., and then heat-harden the resin film. The thermosetting may be performed after forming a via hole opening and a through hole described later.
【０１３０】また、上述したように、接着性中間層は潜
在的な硬化剤としての役割を果す。そのため、接着性中
間層に形成する際に添加する硬化剤（イミダゾール系硬
化剤、アミン系硬化剤等）の量を減らすことができる。
従って、上記未硬化の樹脂絶縁層を半硬化状態した場
合、この半硬化状態の層は溶剤に溶けやすく、露光現像
処理により開口を形成する場合に、溶剤用いて現像処理
を施すことにより、樹脂残り等のない所望の形状の開口
を形成することができる。Also, as described above, the adhesive intermediate layer plays a role as a potential curing agent. Therefore, it is possible to reduce the amount of a curing agent (an imidazole-based curing agent, an amine-based curing agent, and the like) added when forming the adhesive intermediate layer.
Therefore, when the uncured resin insulating layer is in a semi-cured state, the semi-cured layer is easily dissolved in a solvent, and when an opening is formed by exposure and development processing, the resin is subjected to development processing using a solvent. An opening having a desired shape without a residue or the like can be formed.
【０１３１】また、フィルム状に成形した熱可塑性樹脂
を熱圧着して導体回路上に張り付ける場合は、真空ラミ
ネーター等の装置を用い、減圧下または真空下におい
て、１〜２０ＭＰａの圧力、７０〜１５０℃の温度で熱
圧着することが望ましい。この熱圧着工程で、上記熱可
塑性樹脂と接着性中間層とが化学的に結合する。When a thermoplastic resin formed into a film is bonded by thermocompression bonding to a conductor circuit, a device such as a vacuum laminator may be used under reduced pressure or vacuum to a pressure of 1 to 20 MPa, 70 to 70 MPa. It is desirable to perform thermocompression bonding at a temperature of 150 ° C. In this thermocompression bonding step, the thermoplastic resin and the adhesive intermediate layer are chemically bonded.
【０１３２】また、上記層間樹脂絶縁の材料が、接着性
中間層が有する水酸基と化学的に結合する官能基を有さ
ない樹脂である場合、該樹脂に、前処理を施すことが望
ましい。具体的には、例えば、ポリオレフィン系樹脂を
材料に選択した場合には、Ｏ2 プラズマやＮ2 プラズマ
等のプラズマ処理やコロナ処理等の前処理を施すことに
より、水酸基との反応が可能な官能基を付与することが
できる。但し、接着性中間層との親和性の高い樹脂であ
れば、そのまま用いた場合であっても、導体回路に直
接、上記樹脂を張り付けた場合と比べて、導体回路との
密着性に優れる。When the material of the interlayer resin insulation is a resin having no functional group chemically bonded to the hydroxyl group of the adhesive intermediate layer, it is preferable to perform a pretreatment on the resin. Specifically, for example, when a polyolefin-based resin is selected as a material, a functional group capable of reacting with a hydroxyl group is obtained by performing a pretreatment such as a plasma treatment such as O 2 plasma or N 2 plasma or a corona treatment. Groups can be added. However, as long as the resin has a high affinity for the adhesive intermediate layer, even if it is used as it is, it is superior in adhesion to the conductor circuit as compared with a case where the resin is directly adhered to the conductor circuit.
【０１３３】（６）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合に
は、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バ
イアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。ま
た、この工程では、必要に応じて、貫通孔を形成しても
よい。上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形
成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処
理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。ま
た、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合
には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール
用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処
理は、上記硬化処理前に行う。(6) Next, when forming an interlayer resin insulating layer using a thermosetting resin or a resin composite as the material, an uncured resin insulating layer is subjected to a curing treatment and a via hole is formed. An opening is formed to form an interlayer resin insulation layer. In this step, a through-hole may be formed as necessary. The via hole opening is desirably formed by laser processing. The laser processing may be performed before the curing processing or may be performed after the curing processing. In the case where an interlayer resin insulating layer made of a photosensitive resin is formed, an opening for a via hole may be provided by performing exposure and development processes. In this case, the exposure and development processes are performed before the above-described curing process.
【０１３４】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。In the case of forming an interlayer resin insulating layer using a thermoplastic resin as the material, a via hole opening is formed in the resin layer made of the thermoplastic resin by laser processing to form an interlayer resin insulating layer. be able to.
【０１３５】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらのレーザは、形成す
るバイアホール用開口や貫通孔の形状等を考慮して使い
分けてもよい。At this time, the laser to be used is, for example, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, a UV laser,
An AG laser and the like can be mentioned. These lasers may be selectively used in consideration of the shape of a via hole opening or a through hole to be formed.
【０１３６】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。When forming the via hole opening,
By irradiating laser light with a hologram excimer laser through a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. Further, when the via hole opening is formed using a short-pulse carbon dioxide laser, the amount of resin remaining in the opening is small, and the damage to the resin at the periphery of the opening is small.
【０１３７】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口を形成することができる。光学系レンズとマス
クとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度
が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することが
できるからである。By irradiating a laser beam through an optical lens and a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. This is because a plurality of portions can be simultaneously irradiated with laser light having the same intensity and the same irradiation angle through the optical lens and the mask.
【０１３８】上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ
光のスポット形状を真円にするために、真円であること
が望ましく、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が
望ましい。また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そ
のパルス間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。The through-hole formed in the mask is desirably a perfect circle in order to make the spot shape of the laser beam a perfect circle, and the diameter of the through-hole is desirably about 0.1 to 2 mm. When the carbon dioxide laser is used, the pulse interval is desirably 10 −4 to 10 −8 seconds. The time for irradiating the laser for forming the opening is preferably 10 to 500 μsec.
【０１３９】レーザ光にてバイアホール用開口を形成し
た場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミ
ア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、ク
ロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使
用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4
と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよ
い。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射するこ
とにより、表面改質することもできる。When an opening for a via hole is formed by laser light, and particularly when a carbon dioxide gas laser is used, desmearing is preferably performed. The desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid and permanganate. In addition, oxygen plasma, CF 4
It may be treated by a mixed plasma of oxygen and oxygen, corona discharge, or the like. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp.
【０１４０】本発明の製造方法を用いて形成される層間
樹脂絶縁層の厚さとしては特に限定されないが、５〜５
０μｍが望ましい。上記厚さが５μｍ未満であると、上
下に隣合う導体回路間の絶縁性が維持できない場合があ
り、一方、５０μｍを超えると、非貫通孔等を形成した
際に、その底部に樹脂残りが発生したり、その非貫通孔
等の形状が底部に向かって先細り形状になることがあ
る。The thickness of the interlayer resin insulating layer formed by using the manufacturing method of the present invention is not particularly limited.
0 μm is desirable. When the thickness is less than 5 μm, insulation between the vertically adjacent conductor circuits may not be maintained. On the other hand, when the thickness is more than 50 μm, when a non-through hole or the like is formed, resin residue may remain on the bottom thereof. It may be generated or the shape of the non-through hole or the like may be tapered toward the bottom.
【０１４１】また、層間樹脂絶縁層を形成した基板に、
貫通孔を形成する場合には、直径５０〜３００μｍのド
リル、レーザ光等を用いて貫通孔を形成する。上記貫通
孔を形成した場合、後述する工程において、貫通孔の内
壁面に導体層を形成することにより、スルーホールとす
ることができ、該スルーホールを形成することにより、
上記基板および上記層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
を電気的に接続することができる。Further, the substrate on which the interlayer resin insulating layer was formed,
When forming a through hole, the through hole is formed using a drill having a diameter of 50 to 300 μm, laser light, or the like. When the through-hole is formed, in a step described later, by forming a conductor layer on the inner wall surface of the through-hole, the through-hole can be formed, and by forming the through-hole,
Conductive circuits can be electrically connected via the substrate and the interlayer resin insulating layer.
【０１４２】（７）次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成し
た場合には貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。上記酸としては、硫
酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化
剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナト
リウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。また、上記
粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよ
い。(7) Next, if necessary, the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall of the via hole opening and the inner wall of the through hole when the through hole is formed in the above-mentioned step are acid or oxidized. A roughened surface is formed using an agent. Examples of the acid include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, and formic acid. Examples of the oxidizing agent include chromic acid, chromic sulfuric acid, and permanganates such as sodium permanganate. Further, the formation of the roughened surface may be performed by using a plasma treatment or the like.
【０１４３】具体的には、層間樹脂絶縁層を粗化面形成
用樹脂組成物等を用いて形成した場合には、酸や酸化剤
を用いて粗化面を形成することが望ましく、ポリオレフ
ィン系樹脂等を用いて形成した場合には、プラズマ処理
等を用いて粗化面を形成することが望ましい。Specifically, when the interlayer resin insulating layer is formed using a resin composition for forming a roughened surface, it is desirable to form the roughened surface using an acid or an oxidizing agent. When formed using a resin or the like, it is desirable to form a roughened surface using a plasma treatment or the like.
【０１４４】この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に
形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成する
ものであり、上記層間樹脂絶縁層と上記薄膜導体層との
間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。The roughened surface is formed to enhance the adhesion between the interlayer resin insulation layer and the thin film conductor layer formed thereon, and is formed between the interlayer resin insulation layer and the thin film conductor layer. If there is sufficient adhesion, it may not be formed.
【０１４５】その後、酸を用いて粗化面を形成した場合
はアルカリ等の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を
形成した場合は中和液を用いて、バイアホール用開口内
や貫通孔内を中和する。この操作により酸や酸化剤を除
去し、次工程に影響を与えないようにする。Thereafter, when the roughened surface is formed by using an acid, an aqueous solution of an alkali or the like is used, and when the roughened surface is formed by using an oxidizing agent, a neutralizing solution is used. Neutralizes the inside of the through hole. By this operation, the acid and the oxidizing agent are removed so that the next step is not affected.
【０１４６】（８）次に、形成された粗化面に、必要に
より、触媒を付与する。上記触媒としては、例えば、塩
化パラジウム等が挙げられる。このとき、触媒を確実に
付与するために、酸素、窒素等のプラズマ処理やコロナ
処理等のドライ処理を施すことにより、酸または酸化剤
の残渣を除去するとともに層間樹脂絶縁層の表面を改質
することにより、触媒を確実に付与し、無電解めっき時
の金属の析出、および、無電解めっき層の層間樹脂絶縁
層への密着性を向上させることができ、特に、バイアホ
ール用開口の底面において、大きな効果が得られる。(8) Next, a catalyst is applied to the formed roughened surface, if necessary. Examples of the catalyst include palladium chloride. At this time, in order to reliably apply the catalyst, a dry treatment such as a plasma treatment with oxygen, nitrogen or the like or a corona treatment is performed to remove a residue of an acid or an oxidizing agent and to modify the surface of the interlayer resin insulating layer. By doing so, the catalyst can be reliably applied, the metal can be deposited during electroless plating, and the adhesion of the electroless plating layer to the interlayer resin insulating layer can be improved. In particular, the bottom surface of the via hole opening can be improved. In the above, a great effect can be obtained.
【０１４７】（９）ついで、バイアホール用開口の内壁
面を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要により、薄膜導
体層を形成する。上記薄膜導体層は、無電解めっき、ス
パッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することがで
きる。また、上記層間樹脂絶縁層に粗化面を形成しなか
った場合は、上記薄膜導体層をスパッタリングにより形
成することが望ましい。(9) Next, a thin film conductor layer is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall surface of the via hole opening, if necessary. The thin film conductor layer can be formed using a method such as electroless plating, sputtering, or vapor deposition. When the roughened surface is not formed on the interlayer resin insulating layer, the thin film conductor layer is preferably formed by sputtering.
【０１４８】また、上記薄膜導体層を形成する前に、上
記バイアホール用開口から露出した下層導体回路の表面
に形成された接着性中間層は、除去しておくことが望ま
しい。上記接着性中間層が、上記下層導体回路の表面に
残留していると、バイアホールを介した上下の導体回路
間で導通不良が発生することがあるからである。Before the thin film conductor layer is formed, it is desirable that the adhesive intermediate layer formed on the surface of the lower conductor circuit exposed from the via hole opening be removed. This is because if the adhesive intermediate layer remains on the surface of the lower conductive circuit, conduction failure may occur between the upper and lower conductive circuits via via holes.
【０１４９】なお、上記下層導体回路の表面の接着性中
間層の除去は、バイアホール用開口をレーザ処理により
形成した場合には、レーザ照射の際に行われる。また、
デスミア処理を施した場合にも、スミアの除去と同時
に、接着性中間層の除去が行われる。また、バイアホー
ル用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を
形成する場合には、粗化面の形成と同時に接着性中間層
の除去が行われる。従って、特に、下層導体回路表面の
接着性中間層の除去を目的とする処理は施す必要がな
い。勿論、上記した酸や酸化剤を用いた処理等を、接着
性中間層の除去を目的に施してもよい。The removal of the adhesive intermediate layer on the surface of the lower conductor circuit is performed at the time of laser irradiation when the via hole opening is formed by laser processing. Also,
When the desmear treatment is performed, the adhesive intermediate layer is removed simultaneously with the removal of the smear. When a roughened surface is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall of the via hole opening, the adhesive intermediate layer is removed simultaneously with the formation of the roughened surface. Therefore, it is not necessary to perform a process for removing the adhesive intermediate layer on the surface of the lower conductive circuit. Of course, the above-described treatment using an acid or an oxidizing agent may be performed for the purpose of removing the adhesive intermediate layer.
【０１５０】上記薄膜導体層の形成方法は、層間樹脂絶
縁層の材質に応じて選択することが望ましい。具体的に
は、粗化面形成用樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層に
薄膜導体層を形成する場合は、無電解めっきにより形成
することが望ましく、その厚さは０．６〜１．２μｍが
望ましい。また、ポリオレフィン系樹脂等の低誘電樹脂
フィルムからなる層間樹脂絶縁層に薄膜導体層を形成す
る場合は、スパッタリングや蒸着により形成することが
望ましく、その厚さは０．１〜１．０μｍが望ましい。
また、このとき形成する薄膜導体層は、ニッケルと銅と
の二層からなるものが望ましい。また、スパッタリング
等により形成した薄膜導体層の上に無電解めっきからな
る層を形成してもよい。The method for forming the thin film conductor layer is desirably selected according to the material of the interlayer resin insulating layer. Specifically, when the thin film conductor layer is formed on the interlayer resin insulating layer made of the resin composition for forming a roughened surface, it is preferable to form the thin film conductor layer by electroless plating, and the thickness is 0.6 to 1.2 μm. Is desirable. When a thin film conductor layer is formed on an interlayer resin insulating layer made of a low dielectric resin film such as a polyolefin resin, it is preferable to form the thin film conductor layer by sputtering or vapor deposition, and the thickness is preferably 0.1 to 1.0 μm. .
Further, the thin film conductor layer formed at this time is preferably composed of two layers of nickel and copper. Further, a layer made of electroless plating may be formed on the thin film conductor layer formed by sputtering or the like.
【０１５１】また、上記（６）の工程で貫通孔を形成し
た場合は、この工程で貫通孔の内壁面にも金属からなる
薄膜導体層を形成することにより、スルーホールとして
もよい。When the through-hole is formed in the step (6), a through-hole may be formed by forming a thin-film conductor layer made of metal also on the inner wall surface of the through-hole in this step.
【０１５２】上記（６）の工程で、スルーホールを形成
した場合には、以下のような処理工程を行うことが望ま
しい。即ち、無電解めっき層表面とスルーホール内壁と
を黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合
水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金め
っきによる処理等を用いて粗化形成処理を行う。この
後、さらに、樹脂充填剤等を用いてスルーホール内を充
填し、ついで、樹脂充填剤の表層部と無電解めっき層表
面とをバフ研磨等の研磨処理方法を用いて、平坦化す
る。さらに、無電解めっきを行い、既に形成した金属か
らなる薄膜導体層と樹脂充填剤の表層部とに無電解めっ
き層を形成することにより、スルーホールの上に蓋めっ
き層を形成する。When a through hole is formed in the above step (6), it is desirable to perform the following processing steps. That is, the surface of the electroless plating layer and the inner wall of the through hole are subjected to blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, treatment with Cu-Ni-P needle-like alloy plating, or the like. To perform a roughening process. Thereafter, the inside of the through-hole is further filled with a resin filler or the like, and then the surface layer of the resin filler and the surface of the electroless plating layer are flattened by a polishing treatment method such as buffing. Further, by performing electroless plating and forming an electroless plating layer on the thin film conductor layer made of a metal already formed and the surface layer of the resin filler, a cover plating layer is formed on the through hole.
【０１５３】（１０）次に、上記層間樹脂絶縁層上の一
部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、
その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電気めっ
きを行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層
を形成する。このとき、バイアホール用開口を電気めっ
きで充填してフィールドビア構造としてもよく、バイア
ホール用開口に導電性ペースト等を充填した後、その上
に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造としてもよ
い。フィールドビア構造を形成することにより、バイア
ホールの直上にバイアホールを設けることができる。(10) Next, a plating resist is formed on a part of the interlayer resin insulating layer by using a dry film.
Thereafter, electroplating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead, and an electroplating layer is formed in the portion where the plating resist is not formed. At this time, the via hole opening may be filled with electroplating to form a field via structure, and after filling the via hole opening with a conductive paste or the like, a lid plating layer may be formed thereon to form a field via structure. Good. By forming a field via structure, a via hole can be provided immediately above the via hole.
【０１５４】（１１）電気めっき層を形成した後、めっ
きレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在してい
た金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、
独立した導体回路とする。エッチング液としては、例え
ば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過
硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、
塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫
酸等が挙げられる。また、前述した第二銅錯体と有機酸
とを含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッ
チングと同時に粗化面を形成してもよい。さらに、必要
により、酸または酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層上に触
媒を除去してもよい。触媒を除去することにより、触媒
に用いたパラジウム等の金属がなくなるため、電気特性
の低下を防止することができる。上記（７）〜（１１）
の工程、即ち、導体回路形成工程を経ることにより、層
間樹脂絶縁層上に導体回路を形成することができる。(11) After forming the electroplating layer, the plating resist is peeled off, and the thin-film conductor layer made of metal existing under the plating resist is removed by etching.
Independent conductor circuits. Examples of the etchant include a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, ammonium persulfate, sodium persulfate, a persulfate aqueous solution such as potassium persulfate,
An aqueous solution of ferric chloride and cupric chloride, hydrochloric acid, nitric acid, hot dilute sulfuric acid and the like can be mentioned. Alternatively, a roughened surface may be formed simultaneously with etching between conductor circuits using an etching solution containing the above-described cupric complex and an organic acid. Further, if necessary, the catalyst may be removed from the interlayer resin insulating layer using an acid or an oxidizing agent. By removing the catalyst, the metal such as palladium used for the catalyst disappears, so that a decrease in electric characteristics can be prevented. (7) to (11) above
, Ie, the conductor circuit forming step, a conductor circuit can be formed on the interlayer resin insulating layer.
【０１５５】（１２）この後、上記（３）〜（１１）の
工程、即ち、中間層形成工程、加熱処理工程、層間樹脂
絶縁層形成工程、および、導体回路形成工程を経ること
により、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層された
基板を作製する。(12) Thereafter, through the above steps (3) to (11), ie, the intermediate layer forming step, the heat treatment step, the interlayer resin insulating layer forming step, and the conductor circuit forming step, the conductor A substrate on which a circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated is manufactured.
【０１５６】（１３）次に、最上層の導体回路を含む基
板面にソルダーレジスト層を形成し、さらに、該ソルダ
ーレジスト層を開口して半田パッドを形成した後、上記
半田パッドに半田ペーストを充填し、リフローすること
により半田バンプを形成する。その後、外部基板接続面
に、ピンを配設したり、半田ボールを形成したりするこ
とにより、ＰＧＡ(Pin Grid Array)やＢＧＡ(Ball Grid
Array) とする。(13) Next, a solder resist layer is formed on the surface of the substrate including the uppermost conductive circuit, a solder pad is formed by opening the solder resist layer, and a solder paste is applied to the solder pad. Filling and reflowing form solder bumps. Then, pins are arranged on the connection surface of the external board, or solder balls are formed, so that a PGA (Pin Grid Array) or a BGA (Ball Grid Array) is formed.
Array).
【０１５７】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成
することができ、これらの樹脂の具体例としては、例え
ば、層間樹脂絶縁層に用いた樹脂と同様の樹脂等が挙げ
られる。The solder resist layer can be formed using, for example, a solder resist composition composed of polyphenylene ether resin, polyolefin resin, fluororesin, thermoplastic elastomer, epoxy resin, polyimide resin and the like. Specific examples include, for example, the same resins as those used for the interlayer resin insulating layer.
【０１５８】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メ
タ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メ
タ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０
００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されて
いることが望ましい。上記ノボラック型エポキシ樹脂の
（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノ
ボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテル
をアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹
脂等が挙げられる。Examples of the solder resist composition other than those described above include, for example, a novolak-type epoxy resin (meth) acrylate, an imidazole curing agent, a bifunctional (meth) acrylate monomer, and a molecular weight of 500 to 50.
A paste-like fluid containing a polymer of about 00 (meth) acrylate, a thermosetting resin such as a bisphenol-type epoxy resin, a photosensitive monomer such as a polyvalent acrylic monomer, a glycol ether-based solvent, and the like. It is desirable that the viscosity is adjusted to 1 to 10 Pa · s at 25 ° C. Examples of the (meth) acrylate of the novolak epoxy resin include an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid, or the like.
【０１５９】上記２官能性（メタ）アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げら
れ、市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０４、ＰＭ
２、ＰＭ２１等が挙げられる。The difunctional (meth) acrylic acid ester monomer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid and methacrylic acid esters of various diols. Commercial products include those manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. R-604, PM
2, PM21 and the like.
【０１６０】また、上記ソルダーレジスト組成物はエラ
ストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。エラ
ストマーが配合されていることにより、形成されるソル
ダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性および
反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用した
場合でも、該応力を吸収したり緩和したりすることがで
き、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造し
た多層プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を搭載
した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生す
ることを抑制でき、さらに、クラックが発生した場合で
も該クラックが大きく成長することがない。Further, the solder resist composition may contain an elastomer or an inorganic filler. By being blended with the elastomer, the formed solder resist layer can absorb or reduce the stress even when a stress acts on the solder resist layer due to the flexibility and rebound resilience of the elastomer. As a result, cracks and peeling can be suppressed from occurring in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board and in the solder resist layer after mounting electronic components such as IC chips on the manufactured multilayer printed wiring board. Even when it occurs, the crack does not grow large.
【０１６１】上記ソルダーレジスト層を開口する方法と
しては、例えば、バイアホール用開口を形成する方法と
同様に、レーザ光を照射する方法等が挙げられる。As a method of opening the solder resist layer, for example, a method of irradiating a laser beam as in the method of forming an opening for a via hole may be used.
【０１６２】また、ソルダーレジスト組成物として、感
光性のソルダーレジスト組成物を使用した場合には、ソ
ルダーレジスト層を形成した後、該ソルダーレジスト層
上にフォトレジストを載置し、露光、現像処理を施すこ
とにより、ソルダーレジスト層を開口することができ
る。When a photosensitive solder resist composition is used as the solder resist composition, after a solder resist layer is formed, a photoresist is placed on the solder resist layer, and exposed and developed. By performing the above, the solder resist layer can be opened.
【０１６３】上記ソルダーレジスト層を開口することに
より露出した導体回路部分は、通常、ニッケル、パラジ
ウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆すること
が望ましい。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−
銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金
等の金属により被覆層を形成することが望ましい。上記
被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成す
ることができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性
に優れるという点からめっきが望ましい。The conductor circuit portion exposed by opening the solder resist layer is usually desirably covered with a corrosion-resistant metal such as nickel, palladium, gold, silver, and platinum. Specifically, nickel-gold, nickel-
It is desirable to form the coating layer with a metal such as silver, nickel-palladium, nickel-palladium-gold, and the like. The coating layer can be formed by, for example, plating, vapor deposition, electrodeposition, and the like, and among these, plating is preferable because of excellent uniformity of the coating layer.
【０１６４】なお、製品認識文字などを形成するための
文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸
素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよ
い。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであ
るが、フルアディティブ法を採用してもよい。In addition, a plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be performed as needed for a character printing step for forming a product recognition character or the like or for modifying a solder resist layer. Although the above method is based on the semi-additive method, a full additive method may be employed.
【０１６５】次に、第二の本発明の多層プリント配線板
の製造方法について説明する。上記第二の本発明の多層
プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間
樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ
導体回路間の接続が、バイアホールにより行われてなる
多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも下
記（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを特徴とする。 （ａ）上記基板上または前記層間樹脂絶縁層上に導体回
路を形成する導体回路形成工程、（ｂ）上記工程で形成
された導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程、
（ｃ）上記活性化処理が施された導体回路上の少なくと
も一部に、オキサジン骨格を有する化合物、および、オ
キサゾール骨格を有する化合物からなる群より選択され
る少なくとも１種からなる中間層を形成する中間層形成
工程、（ｄ）前記中間層に加熱処理を施し、接着性中間
層とする加熱処理工程、および、（ｅ）前記接着性中間
層上に樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程。Next, a method for manufacturing the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention will be described. According to the second method of manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and connection between the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer is established by via holes. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, comprising at least the following steps (a) to (e). (A) a conductor circuit forming step of forming a conductor circuit on the substrate or the interlayer resin insulating layer; (b) an activation treatment step of activating the conductor circuit formed in the above step;
(C) forming an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton on at least a part of the conductor circuit on which the activation treatment has been performed; An intermediate layer forming step, (d) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, and (e) a resin insulating layer forming step of forming a resin insulating layer on the adhesive intermediate layer. .
【０１６６】第二の本発明の製造方法によれば、活性化
処理が施された導体回路上に中間層を形成し、加熱処理
を施すため、導体回路表面での接着性中間層の形成が助
長される。According to the second manufacturing method of the present invention, since the intermediate layer is formed on the activated conductor circuit and subjected to the heat treatment, the formation of the adhesive intermediate layer on the surface of the conductor circuit is not required. Will be encouraged.
【０１６７】第二の本発明の製造方法は、（ｂ）の工
程、即ち、導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程
を有する点で第一の本発明の製造方法と異なる。従っ
て、以下においては、第二の本発明の製造方法の（ｂ）
の工程についてのみ説明することとし、（ａ）、
（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）の工程を含むその他の工程
については、第一の本発明の製造方法と同一であるため
説明を省略する。The second manufacturing method of the present invention is different from the first manufacturing method of the first invention in that it has a step (b), that is, an activation step of activating a conductor circuit. Therefore, in the following, (b) of the second production method of the present invention will be described.
Only the steps of (a), (a),
The other steps including the steps (c), (d), and (e) are the same as those in the first manufacturing method of the present invention, and thus the description is omitted.
【０１６８】上記（ｂ）の活性化処理工程では、導体回
路の表面の電位を調整する。上記電位の調整は、酸処理
を施すことによりすることができる。ここで使用する酸
としては、例えば、硫酸、硝酸、塩酸、酢酸、ギ酸、リ
ン酸等が挙げられる。これらのなかでは、硫酸が望まし
い。導体回路への損傷が少なく、電位の調整を確実に行
うことができるからである。In the activation processing step (b), the potential on the surface of the conductor circuit is adjusted. The adjustment of the potential can be performed by performing an acid treatment. Examples of the acid used here include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, and phosphoric acid. Of these, sulfuric acid is preferred. This is because there is little damage to the conductor circuit, and the potential can be adjusted reliably.
【０１６９】具体的には、温度２０〜５０℃の温度で、
濃度１０体積％程度の溶液に、１〜５分間浸漬すること
が望ましい。浸漬時間が１分間未満では、導体回路表面
の活性化が不充分なことがあり、一方、５分間を超えて
も導体回路表面の状態はほとんど変化しないからであ
る。また、導体回路の表面状態に応じて、ソフトエッチ
ングを行った後、活性化処理を施してもよい。Specifically, at a temperature of 20 to 50 ° C.,
It is desirable to immerse in a solution having a concentration of about 10% by volume for 1 to 5 minutes. If the immersion time is less than 1 minute, the activation of the conductor circuit surface may be insufficient, while if it exceeds 5 minutes, the state of the conductor circuit surface hardly changes. Further, activation processing may be performed after soft etching is performed according to the surface state of the conductor circuit.
【０１７０】[0170]
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１） Ａ．上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 （１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０
重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モ
ノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１
５重量部、消泡剤（サンノプコ社製 Ｓ−６５）０．５
重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。The present invention will be described in more detail below. Example 1 A. Preparation of Resin Composition for Forming Roughened Surface of Upper Layer (1) A cresol novolak-type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) was prepared by adding 25% acrylated product to 80
35 parts by weight of a resin solution dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) at a concentration of weight%, and a photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 3.1
5 parts by weight, antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) 0.5
Parts by weight and 3.6 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.
【０１７１】（２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）
１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマ
ーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部お
よび平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容
器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調
製した。(2) Polyether sulfone (PES)
12 parts by weight, 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Co., polymer pole) having an average particle size of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle size of 0.5 μm were placed in another container, After stirring and mixing, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed with a bead mill to prepare another mixed composition.
【０１７２】（３）イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュア Ｉ
−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴ
Ｘ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさら
に別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。そして、（１）、（２）および（３）で調
製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹
脂組成物を得た。(3) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photopolymerization initiator (Irgacure I, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
-907) 2 parts by weight, a photosensitizer (DET manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
XS) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a resin composition for forming a roughened surface was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (1), (2) and (3).
【０１７３】Ｂ．下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 （１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０
重量％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液３５重量
部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３
１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製 Ｓ−６５）
０．５重量部およびＮＭＰ３．６重量部を容器にとり、
攪拌混合することにより混合組成物を調製した。B. Preparation of Resin Composition for Forming Lower Surface Roughened Surface (1) 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of weight%, and a photosensitive monomer (Aronix M3 manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.)
15) 4 parts by weight, defoamer (S-65, manufactured by San Nopco)
0.5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP are placed in a container,
A mixed composition was prepared by stirring and mixing.
【０１７４】（２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）
１２量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、
ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４
９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮ
ＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。(2) Polyether sulfone (PES)
12 parts by weight, and epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
14.4 having an average particle size of 0.5 μm
9 parts by weight were placed in another container and mixed with stirring.
30 parts by weight of MP was added and mixed by stirring with a bead mill to prepare another mixed composition.
【０１７５】（３）イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュア Ｉ
−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴ
Ｘ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさら
に別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。そして、（１）、（２）および（３）で調
製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹
脂組成物を得た。(3) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photopolymerization initiator (Irgacure I, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
-907) 2 parts by weight, a photosensitizer (DET manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
XS) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a resin composition for forming a roughened surface was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (1), (2) and (3).
【０１７６】Ｃ．樹脂充填剤の調製 （１）ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェ
ル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量
部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた
平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以
下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１
０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノ
プコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にと
り、攪拌混合し、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐ
ａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤として、
イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）６．５重量部を用いた。C. C. Preparation of Resin Filler (1) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U), silane coupling agent coated on the surface, average particle size is 1.6 μm, maximum SiO 2 spherical particles having a particle diameter of 15 μm or less (CRS 11 manufactured by Adtech Co., Ltd.)
01-CE) 170 parts by weight and a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) 1.5 parts by weight are placed in a container, mixed with stirring, and have a viscosity of 45 to 49 P at 23 ± 1 ° C.
As a resin filler was prepared. In addition, as a curing agent,
Imidazole curing agent (2E4MZ-C manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)
N) 6.5 parts by weight were used.
【０１７７】Ｄ．多層プリント配線板の製造方法 （１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラス布
ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１
の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張
積層板を出発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、こ
の銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施
し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の
両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。D. Manufacturing method of multilayer printed wiring board (1) Substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 8 was laminated on both surfaces was used as a starting material (see FIG. 2A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.
【０１７８】（２）スルーホール９および下層導体回路
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3
ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の
全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参
照）。(2) The substrate on which the through hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried,
(10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3
A blackening treatment using an aqueous solution containing PO 4 (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), Na
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing BH 4 (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 2B). ).
【０１７９】（３）上記Ｃに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成
部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成
した。即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に
樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で
乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が
開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層
を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図２
（ｃ）参照）。(3) After preparing the resin filler described in the above C, within 24 hours after the preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion and the conductive circuit in the through hole 9 and on one side of the substrate 1 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through hole using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. At 20 ° C. for 20 minutes (FIG. 2).
(C)).
【０１８０】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面
やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤１０を硬化した。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 10.
【０１８１】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図２（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填剤１０
の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。In this way, the surface layer of the resin filler 10 and the surface of the lower conductor circuit 4 formed in the through hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed are flattened, and the resin filler 10 and the side surfaces of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 2D). By this step, the resin filler 10
And the surface of the lower conductor circuit 4 are flush with each other.
【０１８２】（５）次に、下層導体回路４の形成された
基板１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬することに
より導体回路表面の電位を調整した。これとは別に、ベ
ンゾ−１，４−オキサジンをＤＭＤＧに溶解し、濃度２
５重量％のオキサジン溶液を調製した。(5) Next, both surfaces of the substrate 1 on which the lower conductor circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched, and then immersed in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid to thereby obtain a potential on the surface of the conductor circuit. Was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in DMDG and the concentration was 2
A 5% by weight oxazine solution was prepared.
【０１８３】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）とした。After the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-side was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was heated at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).
【０１８４】（６）次に、接着性中間層を形成した基板
の両面に、調製後２４時間以内の上記Ｂの粗化面形成用
樹脂組成物（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）をロールコータで
塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３
０分の乾燥（プリベーク）を行い、粗化面形成用樹脂層
２ａを形成した。さらに、この粗化面形成用樹脂層２ａ
の上に調製後２４時間以内の上記Ａの粗化面形成用樹脂
組成物（粘度：７Ｐａ・ｓ）をロールコータを用いて塗
布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０
分の乾燥（プリベーク）を行い、粗化面形成用樹脂層２
ｂを形成し、厚さ３５μｍの粗化面形成用樹脂層を形成
した（図３（ａ）参照）。(6) Next, the resin composition for forming a roughened surface (viscosity: 1.5 Pa · s) within 24 hours after preparation was roll-coated on both surfaces of the substrate on which the adhesive intermediate layer was formed. And leave it in a horizontal position for 20 minutes, then
Drying (prebaking) for 0 minutes was performed to form a roughened surface forming resin layer 2a. Further, the roughened surface forming resin layer 2a
The above-mentioned resin composition for forming a roughened surface (viscosity: 7 Pa · s) within 24 hours after preparation is applied using a roll coater, and left in a horizontal state for 20 minutes.
(Pre-baking) of the resin layer 2 for forming a roughened surface.
b was formed, and a resin layer for forming a roughened surface having a thickness of 35 μm was formed (see FIG. 3A).
【０１８５】（７）上記（６）で粗化面形成用樹脂層を
形成した基板１の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷さ
れたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯に
より５００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶
液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超
高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光し、
１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時
間（ポストベーク）の加熱処理を施し、フォトマスクフ
ィルムに相当する寸法精度に優れた直径８５μｍのバイ
アホール用開口６を有する厚さ３５μｍで２層構造の層
間樹脂絶縁層２を形成した（図３（ｂ）参照）。(7) A photomask film on which a black circle having a diameter of 85 μm is printed is brought into close contact with both surfaces of the substrate 1 on which the resin layer for forming a roughened surface is formed in the above (6), and is 500 mJ / cm by an ultra-high pressure mercury lamp. After exposure at two intensities, it was spray-developed with a DMDG solution. Thereafter, the substrate was further exposed at 3000 mJ / cm 2 intensity using an ultra-high pressure mercury lamp,
Heat treatment at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, 150 ° C. for 3 hours (post bake), and a thickness having a via hole opening 6 with a diameter of 85 μm and excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film An interlayer resin insulating layer 2 having a two-layer structure of 35 μm was formed (see FIG. 3B).
【０１８６】（８）バイアホール用開口６を形成した基
板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１
９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁
層２の表面を粗面とした（図３（ｃ）参照）。(8) The substrate on which the via hole opening 6 was formed was placed in a 70 ° C. solution containing 800 g / l of chromic acid.
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 was roughened by immersing for 9 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 3C).
【０１８７】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することに
より、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開
口６の内壁面に触媒核を付着させた。(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 6 μm), the catalyst is applied to the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6. Nuclei were attached.
【０１８８】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
１．２μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図３
（ｄ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ ０．０８ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．０５ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ６５℃の液温度で２０分(10) Next, the substrate was immersed in an aqueous solution of electroless copper plating having the following composition to form
A 1.2 μm electroless copper plating layer 12 was formed (FIG. 3).
(D)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 20 minutes at a liquid temperature of 65 ° C
【０１８９】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっき
レジスト３を設けた（図４（ａ）参照）。(11) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating layer 12 and a mask is placed thereon to
Exposure was performed at 00 mJ / cm 2 , and development was performed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 having a thickness of 20 μm (see FIG. 4A).
【０１９０】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で厚さ２０μｍ電解銅めっきを施
し、電解銅めっき層１３を形成した（図４（ｂ）参
照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ 度(12) Then, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating with a thickness of 20 μm under the following conditions. An electrolytic copper plating layer 13 was formed (see FIG. 4B). [Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive 19.5 ml / l (Acapec Japan, Capparaside GL) [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 degrees
【０１９１】（１３）さらに、めっきレジストを５％Ｋ
ＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の
無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜と電気銅めっ
き膜とからなる厚さ１８μｍの独立の上層導体回路５
（バイアホール７を含む）とした（図４（ｃ）参照）。(13) Further, the plating resist is made 5% K
After stripping and removing with an OH aqueous solution, the electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the thickness of the electroless plating film and the electrolytic copper plating film 18 μm independent upper layer conductor circuit 5
(Including the via hole 7) (see FIG. 4C).
【０１９２】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多
層配線板を得た（図４（ｄ）〜図５（ｂ）参照）。(14) By repeating the above steps (5) to (13), a conductor circuit of a further upper layer was formed, and a multilayer wiring board was obtained (see FIGS. 4 (d) to 5 (b)). .
【０１９３】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重
量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商
品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サン
ノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で
２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、Ｄ
ＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はロータ
ーＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮ
ｏ．３によった。(15) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight was used. Oligomer for imparting properties (molecular weight: 4000) 46.6
7 parts by weight, 80% by weight dissolved in methyl ethyl ketone
Of bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.
Trade name: Epicoat 1001) 15.0 parts by weight, imidazole hardener (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-C)
N) 1.6 parts by weight, 3.0 parts by weight of a polyacrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and polyvalent acrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) ) 1.5 parts by weight, 0.71 part by weight of a dispersion defoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65) in a container,
A mixed composition was prepared by stirring and mixing, and 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photopolymerization initiator and Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixed composition. By adding 0.2 parts by weight, a solder resist composition having a viscosity adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd., D
VL-B type, 60 min -1 (rpm), the rotor No. Rotor N for 4, 6 min -1 (rpm)
o. According to 3.
【０１９４】（１６）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５
ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて
１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液
で現像処理し、直径２００μｍの開口を形成した。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形
成した。なお、上記ソルダーレジスト組成物としては、
市販のソルダーレジスト組成物を使用することもでき
る。(16) Next, the above-mentioned solder resist composition is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm.
After performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, the thickness 5 on which the pattern of the solder pad is drawn is 5
A photomask having a thickness of 200 mm was brought into close contact with the solder resist layer, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 , and developed with a DMTG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. Then, at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, 12
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist layer, thereby forming a solder resist layer 14 having an opening and a thickness of 20 μm. Incidentally, as the solder resist composition,
A commercially available solder resist composition can also be used.
【０１９５】（１７）次に、過硫酸ナトリウムを主成分
とするエッチング液を、そのエッチング能が毎分２μｍ
程度になるように調製し、このエッチング液中にソルダ
ーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導
体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面を
形成した。さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０ -1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層１６を形成し、半田パッドとした。(17) Next, sodium persulfate as the main component
The etchant whose etching ability is 2 μm per minute
And etch the solder
-Immerse the substrate on which the resist layer 14 is formed for 1 minute
A roughened surface with an average roughness (Ra) of 1 μm or less
Formed. Further, this substrate was coated with nickel chloride (2.3).
× 10-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8
× 10-1mol / l), sodium citrate (1.6 ×
10 -1mol / l) and pH = 4.5
Immersion in a plating solution for 20 minutes, and a 5 μm thick
A nickel plating layer 15 was formed. In addition, the board
Potassium gold cyanide (7.6 × 10-3mol / l), salt
Ammonium iodide (1.9 × 10-1mol / l), quenched
Sodium acid (1.2 × 10-1mol / l), phosphorus hypophosphite
Sodium acid (1.7 × 10-1mol / l)
Immerse in a gold plating solution at 80 ° C for 7.5 minutes,
0.03 μm thick gold plating on the nickel plating layer 15
The layer 16 was formed to form a solder pad.
【０１９６】（１８）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図５（ｃ）
参照）。(18) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 5C).
reference).
【０１９７】（実施例２） Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製 エピコート１００１）３
０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロ
ンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノ
ールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、
大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。Example 2 A. Preparation of Resin Film for Interlayer Resin Insulation Layer Bisphenol A type epoxy resin (Epoxy equivalent 46
9. Yuka Shell Epoxy Epicoat 1001) 3
0 parts by weight, 40 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 215, Epichron N-673 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), a triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent: 120,
FENOLITE KA-705 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.
2) 30 parts by weight were dissolved by heating in 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate and 20 parts by weight of solvent naphtha while stirring, and epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added thereto.
15 parts by weight, 1.5 parts by weight of a crushed product of 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl) imidazole, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added to the epoxy resin composition. Was prepared. The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer was produced.
【０１９８】Ｂ．樹脂充填剤の調製 （１）ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェ
ル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量
部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた
平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以
下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１
０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノ
プコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にと
り、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で
４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬
化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。B. Preparation of Resin Filler (1) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U), silane coupling agent coated on the surface, average particle size is 1.6 μm, maximum SiO 2 spherical particles having a particle diameter of 15 μm or less (CRS 11 manufactured by Adtech Co., Ltd.)
01-CE) 170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) are placed in a container, and mixed by stirring to obtain a resin filler having a viscosity of 23 ± 1 ° C. and 45 to 49 Pa · s. Prepared. As a curing agent, an imidazole curing agent (2E, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
4MZ-CN) 6.5 parts by weight.
【０１９９】Ｃ．プリント配線板の製造方法 （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラ
ス布ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基
板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている
銅張積層板を出発材料とした（図６（ａ）参照）。ま
ず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理
を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板
１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成し
た。C. Manufacturing method of printed wiring board (1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 8 is laminated on both sides of a substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 0.8 mm. This was used as a starting material (see FIG. 6A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.
【０２００】（２）スルーホール９および下層導体回路
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3
ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の
全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図６（ｂ）参
照）。(2) The substrate on which the through-hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried,
(10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3
A blackening treatment using an aqueous solution containing PO 4 (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), Na
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing BH 4 (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 6B). ).
【０２０１】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成
部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成
した。即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に
樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で
乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が
開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層
を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図６
（ｃ）参照）。(3) After preparing the resin filler described in B above, within 24 hours after the preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion and the conductive circuit in the through hole 9 and on one side of the substrate 1 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through hole using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. At 20 ° C. for 20 minutes (FIG. 6).
(C)).
【０２０２】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面
やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤１０を硬化した。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 10.
【０２０３】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図６（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填
剤１０の表面と下層導体回路４の表面とが同一平面とな
る。In this way, the surface layer of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered via the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 6D). That is, by this step, the surface of the resin filler 10 and the surface of the lower conductive circuit 4 are flush with each other.
【０２０４】（５）次に、下層導体回路４の形成された
基板１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬することに
より導体回路表面の電位を調整した。これとは別に、ベ
ンゾ−１，４−オキサジンをＴＭＤＧに溶解し、濃度３
０重量％のオキサジン溶液を調製した。(5) Next, both surfaces of the substrate 1 on which the lower conductive circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched, and then immersed in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid to thereby reduce the potential on the surface of the conductive circuit. Was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in TMDG to give a concentration of 3
A 0 wt% oxazine solution was prepared.
【０２０５】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）を形成した。After adjusting the temperature of the obtained oxazine solution to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that benzo-1,4-benzene was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).
【０２０６】（６）基板の両面に、上記Ａで作製した基
板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基
板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時
間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下
の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付ける
ことにより層間樹脂絶縁層を形成した（図７（ａ）参
照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板
上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０
℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着して張り付け、その
後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。(6) On both surfaces of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate prepared in the above A was placed on the substrate, and the pressure was 0.4 MPa, the temperature was 80 ° C., and the pressure bonding time was 10 seconds. After pre-pressing and cutting under the conditions, further, an interlayer resin insulating layer was formed by bonding using a vacuum laminator device by the following method (see FIG. 7A). That is, a resin film for an interlayer resin insulation layer was placed on a substrate, and the pressure was 0.4 MPa and the temperature was 80 MPa.
The film was completely pressure-bonded and stuck at a temperature of 60 ° C. for 60 seconds, and then thermally cured at 170 ° C. for 30 minutes.
【０２０７】（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹
脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を
形成した（図７（ｂ）参照）。(7) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm is used to form a beam having a diameter of 4.0 through a mask having a through-hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2.
7 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μs, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and a one-shot condition, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer resin insulating layer 2 (FIG. b)).
【０２０８】（８）バイアホール用開口６を形成した基
板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に
１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面
とした（図７（ｃ）参照）。(8) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was immersed in a solution containing 60 g / l of permanganic acid at 80 ° C. for 10 minutes to remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2. By dissolving and removing, the surface of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via hole opening 6 was roughened (see FIG. 7C).
【０２０９】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用
開口６の内壁面に触媒核を付着させた。(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6 are formed. Catalyst nuclei were deposited.
【０２１０】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図７
（ｄ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分(10) Next, the substrate was immersed in an aqueous solution of electroless copper plating having the following composition to form
A 3.0 μm electroless copper plating layer 12 was formed.
(D)). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C
【０２１１】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっき
レジスト３を設けた（図８（ａ）参照）。(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating layer 12, and a mask was
Exposure was performed at 00 mJ / cm 2 , and development was performed using a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 having a thickness of 30 μm (see FIG. 8A).
【０２１２】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっ
き層１３を形成した（図８（ｂ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃(12) Next, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The layer 13 was formed (see FIG. 8B). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【０２１３】（１３）さらに、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト
３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液
でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１
２と電解めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの独立の上
層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図８
（ｃ）参照）。(13) Further, 5% of plating resist 3
After stripping and removing with an aqueous NaOH solution, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electroless copper plating film 1 is removed.
8 and an electroplating film 13 to form an independent upper-layer conductor circuit 5 (including via holes 7) having a thickness of 18 μm (FIG. 8).
(C)).
【０２１４】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多
層配線板を得た（図８（ｄ）〜図９（ｂ）参照）。(14) By repeating the above steps (5) to (13), a conductor circuit of a further upper layer was formed, and a multilayer wiring board was obtained (see FIGS. 8 (d) to 9 (b)). .
【０２１５】（１５）次に、実施例１と同様にして粘度
を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト
組成物を得、さらに、実施例１と同様にして、開口を有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形
成した。(15) Next, in the same manner as in Example 1, a solder resist composition having a viscosity adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. was obtained. A solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed.
【０２１６】（１６）次に、ソルダーレジスト層１４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき
層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム
（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に
８０℃の条件で７．５秒間浸漬して、ニッケルめっき層
１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成
し、半田パッドとした。(16) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 was formed was replaced with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol).
/ L), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol)
/ L), sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
This was immersed for 0 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm in the opening. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 -1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 seconds to form a layer having a thickness of 0 A 0.03 μm gold plating layer 16 was formed to form a solder pad.
【０２１７】（１７）この後、基板のＩＣチップを載置
する面のソルダーレジスト層１４に形成した開口に、ス
ズ−鉛を含有する半田ペーストを印刷し、さらに、他方
の面のソルダーレジスト層１４の開口にスズ−アンチモ
ンを含有する半田ペーストを印刷した後、２００℃でリ
フローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バ
ンプ１７を有する多層プリント配線板を製造した（図９
（ｃ）参照）。(17) Thereafter, a solder paste containing tin-lead is printed on the opening formed in the solder resist layer 14 on the surface of the substrate on which the IC chip is to be mounted, and the solder resist layer on the other surface is further printed. After printing a solder paste containing tin-antimony in the openings 14, the solder bumps 17 were formed by reflow at 200 ° C. to manufacture a multilayer printed wiring board having the solder bumps 17 (FIG. 9).
(C)).
【０２１８】（実施例３）ベンゾ−１，４−オキサジン
に代えて、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジンを用い
て中間層を形成した以外は実施例２と同様にして多層プ
リント配線板を製造した。具体的には、５，６−ベンゾ
−１，３−オキサジンをＤＭＤＧに溶解して濃度３０重
量％のオキサジン溶液を調製し、続いて、得られたオキ
サジン溶液の温度を５５℃に調整した後、該溶液中に導
体回路表面の電位を調整した基板を１分間浸漬すること
により、導体回路表面に５，６−ベンゾ−１，３−オキ
サジンの中間層を形成した。Example 3 Multilayer printed wiring was performed in the same manner as in Example 2 except that the intermediate layer was formed using 5,6-benzo-1,3-oxazine instead of benzo-1,4-oxazine. Boards were manufactured. Specifically, 5,6-benzo-1,3-oxazine was dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 30% by weight, and then the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C. By dipping the substrate in which the potential of the conductor circuit surface was adjusted in the solution for one minute, an intermediate layer of 5,6-benzo-1,3-oxazine was formed on the conductor circuit surface.
【０２１９】（実施例４）ベンゾ−１，４−オキサジン
に代えて、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジンを用い
た以外は実施例２と同様にして多層プリント配線板を製
造した。具体的には、４，５−ベンゾ−１，３−オキサ
ジンをＤＭＤＧに溶解して濃度３０重量％のオキサジン
溶液を調製し、続いて、得られたオキサジン溶液の温度
を５５℃に調整した後、該溶液中に導体回路表面の電位
を調整した基板を１分間浸漬することにより、導体回路
表面に４，５−ベンゾ−１，３−オキサジンの中間層を
形成した。Example 4 A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 2 except that 4,5-benzo-1,3-oxazine was used instead of benzo-1,4-oxazine. Specifically, 4,5-benzo-1,3-oxazine is dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 30% by weight. Subsequently, the temperature of the obtained oxazine solution is adjusted to 55 ° C. By dipping the substrate in which the potential of the conductor circuit surface was adjusted in the solution for 1 minute, an intermediate layer of 4,5-benzo-1,3-oxazine was formed on the conductor circuit surface.
【０２２０】（実施例５）ベンゾ−１，４−オキサジン
に代えて、ベンゾオキサゾールを用いた以外は実施例２
と同様にして多層プリント配線板を製造した。具体的に
は、ベンゾオキサゾールをＤＭＤＧに溶解して濃度３０
重量％のオキサゾール溶液を調製し、続いて、得られた
オキサゾール溶液の温度を５５℃に調整した後、該溶液
中に導体回路表面の電位を調整した基板を１分間浸漬す
ることにより、導体回路表面にベンゾオキサゾールの中
間層を形成した。Example 5 Example 2 was repeated except that benzoxazole was used instead of benzo-1,4-oxazine.
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as described above. Specifically, benzoxazole was dissolved in DMDG to a concentration of 30.
The oxazole solution was prepared at a concentration of 55% by weight, the temperature of the resulting oxazole solution was adjusted to 55 ° C., and the substrate with the potential adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute. An intermediate layer of benzoxazole was formed on the surface.
【０２２１】（実施例６） （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラ
ス布ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる
基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされてい
る銅張積層板を出発材料とした（図１０（ａ）参照）。
まず、この銅張積層板をドリル削孔し、続いてめっきレ
ジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を
施してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔を常法に
従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両
面に内層銅パターン（下層導体回路）４を形成した。(Example 6) (1) A copper-clad structure in which a copper foil 8 of 18 μm is laminated on both surfaces of a substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide-triazine) resin having a thickness of 0.8 mm. The laminated plate was used as a starting material (see FIG. 10A).
First, this copper-clad laminate is drilled, and then a plating resist is formed. Then, the substrate is subjected to an electroless copper plating treatment to form through holes 9, and the copper foil is patterned in a conventional manner. Then, an inner copper pattern (lower conductive circuit) 4 was formed on both surfaces of the substrate.
【０２２２】（２）下層導体回路４を形成した基板を水
洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプ
レイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホー
ル９のランド表面と内壁とをエッチングすることによ
り、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成
した（図１０（ｂ）参照）。エッチング液として、イミ
ダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量
部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量
部を混合したものを使用した。(2) The substrate on which the lower conductive circuit 4 is formed is washed with water and dried, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductive circuit 4 and the land surface of the through hole 9 and the inner wall are formed. By etching, roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4 (see FIG. 10B). A mixture of 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used as an etching solution.
【０２２３】（３）次に、シクロオレフィン系樹脂を主
成分とする樹脂充填剤１０を、基板の両面に印刷機を用
いて塗布することにより、下層導体回路４間またはスル
ーホール９内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この
工程により、樹脂充填剤１０が下層導体回路４の間およ
びスルーホール９内に充填される（図１０（ｃ）参
照）。(3) Next, a resin filler 10 containing a cycloolefin-based resin as a main component is applied to both surfaces of the substrate by using a printing machine to fill the space between the lower conductor circuits 4 or the inside of the through holes 9. Then, heating and drying were performed. That is, in this step, the resin filler 10 is filled between the lower conductor circuits 4 and in the through holes 9 (see FIG. 10C).
【０２２４】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルト
サンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホ
ール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らないように
研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取
り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨
を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充
填した樹脂充填剤１０を加熱硬化させた（図１０（ｄ）
参照）。(4) The surface of the lower conductor circuit 4 and the land surface of the through hole 9 are polished on one side of the substrate after the treatment of the above (3) by belt sanding using a belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.). Was polished so that the resin filler 10 did not remain, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 10 was cured by heating (FIG. 10D).
reference).
【０２２５】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤１０の表層部および下層導体回路４上
面の粗化層４ａを除去して基板両面を平坦化し、樹脂充
填剤１０と下層導体回路４の側面とが粗化面４ａを介し
て強固に密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充
填剤１０とが粗化面９ａを介して強固に密着した配線基
板を得た。In this way, the surface layer of the resin filler 10 filled in the through holes 9 and the like and the roughened layer 4a on the upper surface of the lower conductor circuit 4 are removed to flatten both surfaces of the substrate, and the resin filler 10 and the lower layer A wiring board was obtained in which the side surfaces of the conductive circuit 4 were firmly adhered through the roughened surface 4a, and the inner wall surface of the through hole 9 was tightly adhered to the resin filler 10 through the roughened surface 9a.
【０２２６】（５）次に、上記（２）で用いたエッチン
グ液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平
坦化された下層導体回路４の表面とスルーホール９のラ
ンド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路
４の全表面に平均粗度０．３μｍの粗化面４ａ、９ａを
形成した（図１１（ａ）参照）。なお、粗化面４ａ、９
ａの平均粗度は、以下の方法により測定した。即ち、表
面粗さ形状測定機（東京精密社製、サーフコム１３０Ａ
／４８０Ａ）により測定した。(5) Next, the same etchant as the etchant used in (2) is sprayed on to spray the surface of the lower conductor circuit 4 once flattened and the land surface of the through hole 9. As a result, roughened surfaces 4a and 9a having an average roughness of 0.3 μm were formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4 (see FIG. 11A). The roughened surfaces 4a, 9
The average roughness of a was measured by the following method. That is, a surface roughness profile measuring device (Surfcom 130A manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)
/ 480A).
【０２２７】さらに、下層導体回路４の形成された基板
１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした後、
１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬することにより
導体回路表面の電位を調整した。これとは別に、ベンゾ
−１，４−オキサジンをＴＭＤＧに溶解し、濃度３０重
量％のオキサジン溶液を調製した。Further, both sides of the substrate 1 on which the lower conductive circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched.
The potential on the surface of the conductor circuit was adjusted by immersion in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in TMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 30% by weight.
【０２２８】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調製した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）を形成した。After the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-benzene was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).
【０２２９】（６）次に、上記工程を経た基板の両面
に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シ
ートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力０．５
ＭＰａで真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹
脂からなる層間樹脂絶縁層２を設けた（図１１（ｂ）参
照）。真空圧着時の真空度は１．３ｋＰａであった。(6) Next, a thermosetting cycloolefin resin sheet having a thickness of 50 μm was formed on both sides of the substrate having undergone the above-mentioned steps while heating the sheet to a temperature of 50 to 150 ° C. under a pressure of 0.5.
Vacuum compression lamination was performed at MPa to provide an interlayer resin insulating layer 2 made of a cycloolefin-based resin (see FIG. 11B). The degree of vacuum at the time of vacuum compression bonding was 1.3 kPa.
【０２３０】（７）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガ
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅５０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショッ
トの条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶
縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた
（図１１（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いて
デスミア処理を行った。(7) Next, using a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm, a beam diameter of 5 mm, a top hat mode,
Under the conditions of a pulse width of 50 μs, a mask hole diameter of 0.5 mm, and three shots, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was provided in the interlayer resin insulating layer 2 made of cycloolefin resin (see FIG. 11C). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.
【０２３１】（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層２の表面を粗化した（図１１（ｄ）参照）。この
際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２
００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分
間プラズマ処理を実施した。(8) Next, S manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
Plasma treatment was performed using V-4540 to roughen the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 11D). At this time, argon gas was used as the inert gas, and electric power 2
Plasma treatment was performed for 2 minutes under the conditions of 00 W, a gas pressure of 0.6 Pa, and a temperature of 70 ° C.
【０２３２】（９）次に、同じ装置を用い、内部のアル
ゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットに
したスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、
電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合
金層１２をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層２の表面に
形成した。このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層１２
の厚さは０．２μｍであった（図１２（ａ）参照）。(9) Next, after replacing the argon gas inside using the same apparatus, sputtering using a Ni—Cu alloy as a target was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C.
This was performed under the conditions of a power of 200 W and a time of 5 minutes to form the Ni—Cu alloy layer 12 on the surface of the polyolefin-based interlayer resin insulating layer 2. At this time, the formed Ni-Cu alloy layer 12
Was 0.2 μm (see FIG. 12A).
【０２３３】（１０）上記処理を終えた基板の両面に、
市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスク
フィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した
後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２０μ
ｍのめっきレジスト３のパターンを形成した（図１２
（ｂ）参照）。(10) On both surfaces of the substrate after the above processing,
A commercially available photosensitive dry film is stuck, a photomask film is placed, exposed at 100 mJ / cm 2 , developed with 0.8% sodium carbonate, and has a thickness of 20 μm.
m of the plating resist 3 was formed (FIG. 12).
(B)).
【０２３４】（１１）次に、以下の条件で電解銅めっき
を施して、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜１３を形成し
た（図１２（ｃ）参照）。なお、この電解銅めっき膜１
３により、後述する工程で導体回路５となる部分の厚付
けおよびバイアホール７となる部分のめっき充填等が行
われたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤
は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。(11) Next, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 13 having a thickness of 20 μm (see FIG. 12C). The electrolytic copper plating film 1
By means of 3, the thickness of the portion to be the conductor circuit 5 and the plating and filling of the portion to be the via hole 7 have been performed in the steps described later. The additive in the electroplating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.
【０２３５】〔電気めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電気めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃[Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 ° C
【０２３６】（１２）ついで、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３の下
に存在していたＮｉ−Ｃｕ合金層１２を硝酸および硫酸
と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除
去し、電気銅めっき膜１３等からなる厚さ１６μｍの導
体回路５（バイアホール７を含む）を形成した（図１２
（ｄ）参照）。(12) Next, 5% of plating resist 3 was added.
After stripping and removing with NaOH, the Ni-Cu alloy layer 12 existing under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electrolytic copper plating film 13 is removed. A conductor circuit 5 (including a via hole 7) having a thickness of 16 μm and the like was formed (FIG. 12).
(D)).
【０２３７】（１３）続いて、上記（５）〜（１２）の
工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を
形成した。（図１３（ａ）〜図１４（ｂ）参照）。(13) Subsequently, the above steps (5) to (12) were repeated to form a further upper layer conductive circuit. (See FIG. 13A to FIG. 14B).
【０２３８】（１４）次に、実施例１と同様にして粘度
を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト
組成物を得、さらに、実施例１と同様にして、開口を有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形
成した。(14) Next, a solder resist composition whose viscosity was adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. in the same manner as in Example 1 was obtained. A solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed.
【０２３９】（１５）次に、ソルダーレジスト層１４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき
層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム
（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に
８０℃の条件で７．５秒間浸漬して、ニッケルめっき層
１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成
し、半田パッドとした。(15) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 was formed was replaced with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol).
/ L), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol)
/ L), sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
This was immersed for 0 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm in the opening. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 -1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 seconds to form a layer having a thickness of 0 A 0.03 μm gold plating layer 16 was formed to form a solder pad.
【０２４０】（１６）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図１４
（ｃ）参照）。(16) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 14).
(C)).
【０２４１】（実施例７） Ａ．実施例２と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを作製、および、樹脂充填剤の調製を行った。(Example 7) In the same manner as in Example 2, a resin film for an interlayer resin insulating layer was prepared, and a resin filler was prepared.
【０２４２】Ｂ．多層プリント配線板の製造方法 （１）厚さ１．０ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラ
ス布ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶
縁性基板１の両面に厚さ１８μｍの銅箔８がラミネート
されている銅張積層板を出発材料とした（図１５（ａ）
参照）。まず、この銅張積層板をパターン状にエッチン
グすることにより、基板１の両面に下層導体回路４を形
成した。B. Method for Manufacturing Multilayer Printed Wiring Board (1) An 18 μm thick copper foil 8 is laminated on both surfaces of an insulating substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1.0 mm. A copper-clad laminate was used as a starting material (FIG. 15 (a)
reference). First, the copper-clad laminate was etched in a pattern to form lower conductor circuits 4 on both surfaces of the substrate 1.
【０２４３】（２）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹きつけ、搬送ロールで基板表面にエッ
チング液を搬送し、下層導体回路４の表面をエッチング
することにより、下層導体回路４の全表面に平均粗度
０．３μｍの粗化面４ａを形成した（図１５（ｂ）参
照）。エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）
錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム
５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエ
ッチボンド）を使用した。(2) After the above substrate was washed with water and acid degreased,
Soft etching, and then spraying the etching solution on both surfaces of the substrate by spraying, transporting the etching solution to the substrate surface with a transport roll, and etching the surface of the lower conductive circuit 4 A roughened surface 4a having an average roughness of 0.3 μm was formed (see FIG. 15B). As an etchant, imidazole copper (II)
An etching solution (Mec etch bond, manufactured by Mec) consisting of 10 parts by weight of a complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride was used.
【０２４４】（３）次に、下層導体回路４の形成された
基板１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチングした
後、１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬することに
より導体回路表面の電位を調整した。これとは別に、ベ
ンゾ−１，４−オキサジンをＤＭＤＧに溶解し、濃度３
０重量％のオキサジン溶液を調整した。(3) Then, both surfaces of the substrate 1 on which the lower conductive circuit 4 is formed are alkali-degreased and soft-etched, and then immersed in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid to thereby obtain a potential on the surface of the conductive circuit. Was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in DMDG to give a concentration of 3
A 0 wt% oxazine solution was prepared.
【０２４５】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）を形成した。After the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-diamine was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).
【０２４６】（４）基板の両面に、Ａで作製した基板よ
り少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上
に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１
０秒で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の条件で真
空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間
樹脂絶縁層２を形成した（図１５（ｃ）参照）。すなわ
ち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、
真空度６７Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着
時間６０秒で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱
硬化させた。(4) On both sides of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate prepared in A was placed on the substrate, and the pressure was 0.4 MPa, the temperature was 80 ° C., and the pressing time was 1
After temporarily compressing and cutting at 0 seconds, the interlayer resin insulating layer 2 was formed by further applying a vacuum laminator under the following conditions (see FIG. 15C). That is, the resin film for the interlayer resin insulation layer is placed on the substrate,
The final press bonding was performed at a degree of vacuum of 67 Pa, a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 80 ° C., and a pressing time of 60 seconds.
【０２４７】（５）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹
脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を
形成した。さらに、この層間樹脂絶縁層２の形成された
基板をドリル削孔し、貫通孔１８を形成した（図１５
（ｄ）参照）。(5) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm was used to form a beam having a diameter of 4.0 through a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2.
The via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer resin insulating layer 2 under the conditions of mm, top hat mode, pulse width 8.0 μsec, diameter of the through hole of the mask 1.0 mm, and one shot. Further, the substrate on which the interlayer resin insulating layer 2 was formed was drilled to form a through hole 18.
(D)).
【０２４８】（６）バイアホール用開口６、および、貫
通孔１８を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸
を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層
２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去するこ
とにより、層間樹脂絶縁層２の表面を粗面とした（図１
６（ａ）参照）。さらに、粗面化処理（粗化深さ６μ
ｍ）した該基板の表面にパラジウム触媒（アトテック社
製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２および貫
通孔１８の表面、並びに、バイアホール用開口の内壁面
６に触媒核を付着させた。(6) The substrate in which the via hole opening 6 and the through hole 18 were formed was immersed in a solution containing 60 g / l of permanganic acid at 80 ° C. for 10 minutes, and the surface of the interlayer resin insulating layer 2 was The surface of the interlayer resin insulation layer 2 was roughened by dissolving and removing the existing epoxy resin particles (FIG. 1).
6 (a)). Further, a roughening treatment (roughening depth 6 μm)
m) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate, catalyst nuclei were attached to the surfaces of the interlayer resin insulating layer 2 and the through holes 18 and the inner wall surface 6 of the via hole opening. .
【０２４９】（７）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解銅めっき膜１２ａを形成し、これに
よりスルーホール２９を形成した（図１６（ｂ）参
照）。形成したスルーホールの径は、３００μｍであ
り、スルーホール間の距離は、６００〜８００μｍであ
った。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分(7) Next, the substrate was immersed in an aqueous solution of electroless copper plating having the following composition to form
An electroless copper plating film 12a of 3.0 μm was formed, thereby forming a through hole 29 (see FIG. 16B). The diameter of the formed through hole was 300 μm, and the distance between the through holes was 600 to 800 μm. [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C
【０２５０】（８）無電解めっき膜１２ａを形成した基
板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、
ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、
および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／
ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、無電
解めっき膜１２ａの全表面に粗化面を形成した。(8) The substrate on which the electroless plating film 12a was formed was washed with water and dried, and then NaOH (10 g / l),
NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l)
a blackening treatment using an aqueous solution containing l) as a blackening bath (oxidizing bath);
And NaOH (10 g / l), NaBH 4 (6 g / l
A reduction treatment using an aqueous solution containing 1) as a reduction bath was performed to form a roughened surface on the entire surface of the electroless plating film 12a.
【０２５１】（９）上記Ａに記載した樹脂充填剤を調製
した後、調製後２４時間以内に上記した実施の形態の方
法により、スルーホール２９内に樹脂充填剤１０を充填
し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。乾燥終了
後、バフ研磨を施すことにより、無電解めっき膜１２ａ
の表面および樹脂充填剤の表層部１０ａを平坦化した。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０
℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂
充填剤１０を硬化した（図１６（ｃ）参照）。(9) After preparing the resin filler described in the above A, within 24 hours after the preparation, the resin filler 10 is filled in the through hole 29 by the method of the above embodiment, It was dried for 20 minutes. After the drying, buffing is performed to obtain the electroless plated film 12a.
And the surface layer 10a of the resin filler were flattened.
Then, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 3 hours, 150
Heat treatment was performed at 1 ° C. for 1 hour and at 180 ° C. for 7 hours to cure the resin filler 10 (see FIG. 16C).
【０２５２】（１０）次に、樹脂充填剤の表層部１０ａ
にパラジウム触媒（アトテック社製）を付与することに
より、樹脂充填剤の表層部１０ａに触媒核を付着させ
た。さらに、上記（６）と同様の条件で無電解めっきを
行い、上記（６）で形成した無電解めっき膜１２ａと樹
脂充填剤の表層部１０ａとの上に、さらに厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解めっき膜１２ｂを形成した（図１６
（ｄ）参照）。この工程により、スルーホール２９の上
に蓋めっき層を形成することができた。(10) Next, the surface layer 10a of the resin filler
By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech Co., Ltd.), a catalyst core was attached to the surface layer portion 10a of the resin filler. Further, electroless plating is performed under the same conditions as in the above (6), and a thickness of 0.6 to 0.6 mm is further formed on the electroless plating film 12a and the surface layer portion 10a of the resin filler formed in the above (6).
A 3.0 μm electroless plating film 12b was formed (FIG. 16).
(D)). By this step, a cover plating layer could be formed on the through hole 29.
【０２５３】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜１２ｂに貼り付け、マスクを載置して、
１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム
水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっ
きレジスト３を設けた（図１７（ａ）参照）。(11) A commercially available photosensitive dry film is attached to the electroless copper plating film 12b, and a mask is placed thereon.
Exposure was performed at 100 mJ / cm 2 , and a development treatment was performed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 having a thickness of 30 μm (see FIG. 17A).
【０２５４】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μ
ｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図１７（ｂ）参
照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃(12) Then, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions, to a thickness of 20 μm.
m of electrolytic copper plating film 13 was formed (see FIG. 17B). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【０２５５】（１３）めっきレジスト３を５％ＮａＯＨ
で剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解め
っき膜１２ａ、１２ｂを硫酸と過酸化水素の混合液でエ
ッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と
電解銅めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの導体回路
（バイアホール７を含む）５を形成した（図１７（ｃ）
参照）。(13) Plating resist 3 is made of 5% NaOH
Then, the electroless plating films 12a and 12b under the plating resist 3 are dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to remove the electroless plating films 12a and 12b from the electroless copper plating film 12 and the electrolytic copper plating film 13. A conductor circuit (including a via hole 7) 5 having a thickness of 18 μm was formed (FIG. 17C).
reference).
【０２５６】（１４）上記（５）と同様の処理を行い、
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によっ
て、粗化面を形成した（図１７（ｄ）参照）。さらに、
粗化面を有する導体回路５が形成された基板の両面をア
ルカリ脱脂してソフトエッチングした後、１０体積％硫
酸からなる活性化液に浸漬することにより導体回路５表
面の電位を調整した。これとは別に、ベンゾ−１，４−
オキサジンをＤＭＤＧに溶解し、濃度３０重量％のオキ
サジン溶液を調整した。(14) Perform the same processing as in (5) above,
A roughened surface was formed with an etching solution containing a cupric complex and an organic acid (see FIG. 17D). further,
Both surfaces of the substrate on which the conductor circuit 5 having the roughened surface was formed were alkali-degreased and soft-etched, and then immersed in an activation solution composed of 10% by volume sulfuric acid to adjust the potential on the surface of the conductor circuit 5. Separately, benzo-1,4-
Oxazine was dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 30% by weight.
【０２５７】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）を形成した。After adjusting the temperature of the obtained oxazine solution to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-diamine was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).
【０２５８】（１５）上記（６）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多
層配線板を得た（図１８（ａ）〜図１９（ａ）参照）。(15) By repeating the above steps (6) to (13), a conductor circuit of a further upper layer was formed, and a multilayer wiring board was obtained (see FIGS. 18A to 19A). .
【０２５９】（１６）次に、実施例１と同様にして粘度
を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト
組成物を得、さらに、実施例１と同様にして、開口を有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形
成した。(16) Next, in the same manner as in Example 1, a solder resist composition having a viscosity adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. was obtained. A solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed.
【０２６０】（１７）次に、ソルダーレジスト層１４を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき
層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム
（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に
８０℃の条件で７．５秒間浸漬して、ニッケルめっき層
１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成
し、半田パッドとした。(17) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 was formed was replaced with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol).
/ L), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol)
/ L), sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol /
2) in the electroless nickel plating solution having pH = 4.5 containing l)
This was immersed for 0 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm in the opening. Furthermore, the substrate gold potassium cyanide (7.6 × 10 -3 mol / l ), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol / l ), sodium citrate (1.2 × 10 -1 mol / l), immersed in an electroless plating solution containing sodium hypophosphite (1.7 × 10 -1 mol / l) at 80 ° C. for 7.5 seconds to form a layer having a thickness of 0 A 0.03 μm gold plating layer 16 was formed to form a solder pad.
【０２６１】（１８）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図１９
（ｃ）参照）。(18) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 19).
(C)).
【０２６２】（比較例１）実施例１（５）の工程におい
て、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間層
を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッ
チングし、次いで、下記の方法を用いて、導体回路表面
およびスルーホールのランド表面に平均粗度２μｍのＣ
ｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成した以外は実施
例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。上記
粗化層の形成は、硫酸銅（８ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル
（０．６ｇ／ｌ）、クエン酸（１５ｇ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（２９ｇ／ｌ）、ホウ酸（３１ｇ／ｌ）界
面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）
（０．１ｇ／ｌ）を含む水溶液からなるｐＨ＝９の無電
解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬１分後に、４秒あた
りに１回の割合で縦および横方向に振動させることによ
り行った。(Comparative Example 1) In the step of Example 1 (5), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Then, by using the following method, C 2 having an average roughness of 2 μm
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a roughened layer made of a u-Ni-P alloy was formed. The formation of the roughened layer is performed by copper sulfate (8 g / l), nickel sulfate (0.6 g / l), citric acid (15 g / l), sodium hypophosphite (29 g / l), and boric acid (31 g / l). 1) Surfactant (Sushinol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
(0.1 g / l), the substrate was immersed in an electroless copper plating bath of pH = 9 consisting of an aqueous solution, and after one minute of immersion, vibrated vertically and horizontally at a rate of once per 4 seconds. went.
【０２６３】（比較例２）実施例２（５）の工程におい
て、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間層
を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッ
チングし、次いで、下記の方法を用いて、導体回路表面
およびスルーホールのランド表面に平均粗度３μｍのＣ
ｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成した以外は実施
例２と同様にして多層プリント配線板を製造した。な
お、上記粗化層の形成は、比較例１と同様にして行っ
た。(Comparative Example 2) In the step of Example 2 (5), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Then, by using the following method, the C surface having an average roughness of 3 μm
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 2 except that a roughened layer made of a u-Ni-P alloy was formed. The roughened layer was formed in the same manner as in Comparative Example 1.
【０２６４】（比較例３）実施例６（５）の工程におい
て、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間層
を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッ
チングし、次いで、下記の方法を用いて、導体回路表面
およびスルーホールのランド表面に平均粗度７μｍのＣ
ｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成した以外は実施
例６と同様にして多層プリント配線板を製造した。な
お、上記粗化層の形成は、比較例１と同様にして行っ
た。(Comparative Example 3) In the step of Example 6 (5), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Then, by using the following method, the C surface having an average roughness of 7 μm was
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 6, except that a roughened layer made of a u-Ni-P alloy was formed. The roughened layer was formed in the same manner as in Comparative Example 1.
【０２６５】（比較例４）実施例１（５）の工程におい
て、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間層
を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッ
チングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけた後、搬送ロールで送ることにより導体回
路表面に平均粗度が３μｍの粗化面を形成した以外は実
施例１と同様にして多層プリント配線板を得た。なお、
エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１
０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量
部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用
した。(Comparative Example 4) In the step of Example 1 (5), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, the etching liquid was sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, and then sent by a transport roll to form a multilayer printed wiring in the same manner as in Example 1 except that a roughened surface having an average roughness of 3 μm was formed on the conductor circuit surface. I got a board. In addition,
As an etchant, imidazole copper (II) complex 1
A mixture of 0 parts by weight, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used.
【０２６６】（比較例５）実施例２（５）の工程におい
て、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間層
を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッ
チングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけた後、搬送ロールで送ることにより導体回
路表面に平均粗度４μｍの粗化面を形成した以外は実施
例２と同様にして多層プリント配線板を得た。なお、エ
ッチング液としては、比較例１と同様のものを使用し
た。(Comparative Example 5) In the step of Example 2 (5), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, after spraying an etching solution on both surfaces of the substrate by spraying, and sending it by a transport roll, a multilayer printed wiring board was formed in the same manner as in Example 2 except that a roughened surface having an average roughness of 4 μm was formed on the surface of the conductor circuit. I got The same etching solution as that used in Comparative Example 1 was used.
【０２６７】（比較例６）実施例６（５）の工程におい
て、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間層
を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッ
チングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレ
イで吹きつけた後、搬送ロールで送ることにより導体回
路表面に平均粗度２μｍの粗化面を形成した以外は実施
例６と同様にして多層プリント配線板を得た。なお、エ
ッチング液としては、比較例１と同様のものを使用し
た。(Comparative Example 6) In the step of Example 6 (5), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, after spraying the etching solution on both surfaces of the substrate by spraying, and sending it by a transport roll, a multilayer printed wiring board was formed in the same manner as in Example 6 except that a roughened surface having an average roughness of 2 μm was formed on the conductive circuit surface. I got The same etching solution as that used in Comparative Example 1 was used.
【０２６８】実施例１〜７および比較例１〜６で得られ
た多層プリント配線板について、下記の評価方法を用い
て、高周波信号伝達時の信号遅延発生の有無、および、
ヒートサイクル試験後の層間樹脂絶縁層と導体回路との
間での剥離の発生の有無を評価した。結果を表１に示し
た。The multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated for the presence or absence of signal delay during high-frequency signal transmission by the following evaluation method.
The presence or absence of peeling between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit after the heat cycle test was evaluated. The results are shown in Table 1.
【０２６９】評価方法 （１）高周波信号伝達時の信号遅延発生の有無 測定用ＩＣチップを実装した後、ファンクションテスト
を行い、その動作結果により判定した。なお、判定は、
所望の値に対して遅延があるか否かにより行い、以下の
評価基準で評価した。[0269]Evaluation method (1) The presence or absence of signal delay when transmitting high-frequency signals After the IC chip for measurement is mounted, the function test
Was performed, and judgment was made based on the operation result. The judgment is
Depending on whether there is a delay for the desired value,
The evaluation was based on the evaluation criteria.
【０２７０】評価基準 ○：所望の値に対して遅延がなかった。 △：所望の値に対して若干遅延があったが、製品の品質
に大きな影響を与える程のものではなかった。 ×：所望の値に対して大きな遅延があり、製品として使
用することが難しかった。[0270]Evaluation criteria ：: No delay with respect to the desired value. Δ: Quality of product was slightly delayed from desired value
Was not so significant as to affect ×: There is a large delay with respect to the desired value.
It was difficult to use.
【０２７１】（２）層間樹脂絶縁層と導体回路との間で
の剥離の発生の有無 まず、多層プリント配線板を１２５℃の３分間維持した
後、−５５℃の雰囲気下に３分間維持するサイクルを１
０００回および２０００回繰り返した。その後、多層プ
リント配線板をカッターで切断し、切断した断面を顕微
鏡で観察し、以下の評価基準で評価した。結果を表１に
示した。(2) Presence or Absence of Peeling Between Interlayer Resin Insulating Layer and Conductive Circuit First, the multilayer printed wiring board is maintained at 125 ° C. for 3 minutes, and then maintained at −55 ° C. for 3 minutes. Cycle one
Repeated 000 times and 2000 times. Thereafter, the multilayer printed wiring board was cut with a cutter, and the cut section was observed with a microscope and evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.
【０２７２】評価基準 ○：層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離は発生して
いなかった。 △：層間樹脂絶縁層と導体回路との間で若干の剥離が発
生してる部分が見られたが、製品の性能に影響を与える
程のものではなかった。 ×：層間樹脂絶縁層と導体回路との間で、製品の性能低
下につながる剥離が発生[0272]Evaluation criteria ：: Peeling occurred between the interlayer resin insulation layer and the conductor circuit
did not exist. Δ: Some peeling occurred between the interlayer resin insulation layer and the conductor circuit
Some parts are produced, but it affects the performance of the product
It was not as good. ×: Low product performance between interlayer resin insulation layer and conductor circuit
Peeling that occurs underneath occurs
【０２７３】[0273]
【表１】 [Table 1]
【０２７４】[0274]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板は、導体回路上の少なくとも一部には、オキ
サジン骨格を有する化合物、および、オキサゾール骨格
を有する化合物からなる群より選択される少なくとも１
種を用いた接着性中間層が形成されているため、導体回
路と樹脂絶縁層との密着性に優れ、両者の間に剥離が発
生したり、樹脂絶縁層にクラックが発生したりすること
がなく、さらに、凹凸の大きな粗化面が形成されていな
いため、信号遅延、信号エラー等が発生しにくい。As described above, in the multilayer printed wiring board of the present invention, at least a part of the conductor circuit is selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. At least one
Since the adhesive intermediate layer using seeds is formed, the adhesiveness between the conductor circuit and the resin insulating layer is excellent, and peeling between the two and cracking of the resin insulating layer may occur. In addition, since a roughened surface having large irregularities is not formed, signal delay, signal error, and the like hardly occur.
【０２７５】また、第一および第二の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法は、オキサジン骨格を有する化合
物、および、オキサゾール骨格を有する化合物からなる
群より選択される少なくとも１種からなる中間層を導体
回路上に形成した後、該中間層に加熱処理を施して、接
着性中間層とするため、導体回路と接着性中間層とを該
接着性中間層が分子内に有する酸素原子や窒素原子を介
して化学的に結合させることができ、両者が強固に接着
した多層プリント配線板を製造することができる。ま
た、この接着性中間層の上に層間樹脂絶縁層を形成する
ため、両者は、酸素原子等を介して、または、樹脂層同
士の親和性により強固に接着する。従って、接着性中間
層を介して、導体回路と層間樹脂絶縁層とが強固に接着
した多層プリント配線板を製造することができる。Further, the first and second methods for producing a multilayer printed wiring board of the present invention provide a method for producing an intermediate layer comprising at least one compound selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. Is formed on a conductive circuit, and then the intermediate layer is subjected to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer. Therefore, the conductive circuit and the adhesive intermediate layer are bonded to oxygen atoms or nitrogen atoms in the molecule. Chemical bonding can be achieved through atoms, and a multilayer printed wiring board in which both are firmly bonded can be manufactured. In addition, since an interlayer resin insulating layer is formed on the adhesive intermediate layer, the two are firmly bonded to each other via oxygen atoms or the like or due to affinity between the resin layers. Therefore, it is possible to manufacture a multilayer printed wiring board in which the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer are firmly bonded via the adhesive intermediate layer.
【０２７６】[0276]
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板に接着性中間層を形成する方法を模式的に示す断面図
である。FIGS. 1A to 1C are cross-sectional views schematically showing a method for forming an adhesive intermediate layer on a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 6A to 6D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 11A to 11D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 12A to 12D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 13A to 13C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 14A to 14C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 15A to 15D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。16 (a) to (d) are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 17A to 17D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 18A to 18C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図１９】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 19A and 19B are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【符号の説明】 １ 基板 ２、１０２ 層間樹脂絶縁層 ３ めっきレジスト ４ 下層導体回路 ４ａ 粗化面 ５ 導体回路 ６ バイアホール用開口 ７ バイアホール ８ 銅箔 ９ ２９ スルーホール ９ａ 粗化面 １０ 樹脂充填剤 １２ 無電解銅めっき層 １３ 電気めっき層 １４、１１４ ソルダーレジスト層 １５ ニッケルめっき層 １６ 金めっき層 １７ 半田バンプ[Description of Signs] 1 Substrate 2, 102 Interlayer resin insulation layer 3 Plating resist 4 Lower conductor circuit 4a Roughened surface 5 Conductor circuit 6 Via hole opening 7 Via hole 8 Copper foil 929 Through hole 9a Roughened surface 10 Resin filling Agent 12 Electroless copper plating layer 13 Electroplating layer 14, 114 Solder resist layer 15 Nickel plating layer 16 Gold plating layer 17 Solder bump
Claims (12)
順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接
続がバイアホールにより行われてなる多層プリント配線
板であって、前記導体回路上の少なくとも一部には、オ
キサジン骨格を有する化合物、および、オキサゾール骨
格を有する化合物からなる群より選択される少なくとも
１種を用いた接着性中間層が形成されていることを特徴
とする多層プリント配線板。1. A multilayer printed wiring board wherein a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and connection between the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer is made by via holes. An adhesive intermediate layer is formed on at least a part of the conductor circuit using at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. Multilayer printed wiring board.
ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，２
−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジン、
５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、および、これら
の誘導体である請求項１に記載の多層プリント配線板。2. The compound having an oxazine skeleton,
Benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2
-Oxazine, 4,5-benzo-1,3-oxazine,
The multilayer printed wiring board according to claim 1, which is 5,6-benzo-1,3-oxazine or a derivative thereof.
は、ベンゾオキサゾールまおよびの誘導体である請求項
１に記載の多層プリント配線板。3. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the compound having an oxazole skeleton is a derivative of benzoxazole and the like.
る請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリント配線
板。4. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein said conductive circuit has a roughened surface.
〜３μｍである請求項１〜４のいずれか１に記載の多層
プリント配線板。5. The thickness of the adhesive intermediate layer is 0.001.
The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness is from 3 μm to 3 μm.
んだ導体回路間の接続は、スルーホールにより行われて
いる請求項１〜５のいずれか１に記載の多層プリント配
線板。6. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the connection between the substrate and the conductor circuit sandwiching the interlayer resin insulating layer is made by through holes.
順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接
続がバイアホールにより行われてなる多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（Ａ）〜（Ｄ）
の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製
造方法。 （Ａ）前記基板上または前記層間樹脂絶縁層上に導体回
路を形成する導体回路形成工程、（Ｂ）前記工程で形成
された導体回路上の少なくとも一部に、オキサジン骨格
を有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化
合物からなる群より選択される少なくとも１種からなる
中間層を形成する中間層形成工程、（Ｃ）前記中間層に
加熱処理を施し、接着性中間層とする加熱処理工程、お
よび、（Ｄ）前記接着性中間層上に層間樹脂絶縁層を形
成する樹脂絶縁層形成工程。7. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, wherein a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and connection between the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer is made by via holes. And at least the following (A) to (D)
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising the steps of: (A) a conductor circuit forming step of forming a conductor circuit on the substrate or the interlayer resin insulation layer, (B) a compound having an oxazine skeleton at least in a part of the conductor circuit formed in the step, and An intermediate layer forming step of forming at least one intermediate layer selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton, (C) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, and (D) a resin insulating layer forming step of forming an interlayer resin insulating layer on the adhesive intermediate layer.
順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接
続がバイアホールにより行われてなる多層プリント配線
板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｅ）
の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製
造方法。 （ａ）前記基板上または前記層間樹脂絶縁層上に導体回
路を形成する導体回路形成工程、（ｂ）前記工程で形成
された導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程、
（ｃ）前記工程で形成された導体回路上の少なくとも一
部に、オキサジン骨格を有する化合物、および、オキサ
ゾール骨格を有する化合物からなる群より選択される少
なくとも１種からなる中間層を形成する中間層形成工
程、（ｄ）前記中間層に加熱処理を施し、接着性中間層
とする加熱処理工程、および、（ｅ）前記接着性中間層
上に層間樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程。8. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, wherein a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and connection between the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer is made by via holes. And at least the following (a) to (e)
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising the steps of: (A) a conductor circuit forming step of forming a conductor circuit on the substrate or the interlayer resin insulating layer; (b) an activation treatment step of activating the conductor circuit formed in the step;
(C) an intermediate layer that forms, on at least a part of the conductor circuit formed in the above step, an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton; A forming step, (d) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer, and (e) a resin insulating layer forming step of forming an interlayer resin insulating layer on the adhesive intermediate layer.
ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，２
−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジン、
５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、および、これら
の誘導体である請求項７または８に記載の多層プリント
配線板。9. The compound having an oxazine skeleton,
Benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2
-Oxazine, 4,5-benzo-1,3-oxazine,
The multilayer printed wiring board according to claim 7 or 8, which is 5,6-benzo-1,3-oxazine and a derivative thereof.
は、ベンゾオキサゾールおよびその誘導体である請求項
７または８に記載の多層プリント配線板。10. The multilayer printed wiring board according to claim 7, wherein the compound having an oxazole skeleton is benzoxazole or a derivative thereof.
２０〜１９０℃で行なう請求項７〜１０のいずれか１に
記載の多層プリント配線板の製造方法。11. The heating in the heat treatment step is performed as follows.
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 7 to 10, which is performed at 20 to 190 ° C.
および前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接続が
スルーホールにより行われている請求項７〜１１のいず
れか１に記載の多層プリント配線板の製造方法。12. The multilayer printed circuit according to claim 7, wherein the multilayer printed wiring board has a connection between a conductor circuit sandwiching the substrate and the interlayer resin insulating layer through a through hole. Manufacturing method of wiring board.
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- 2000-08-22 JP JP2000251262A patent/JP2002064277A/en active Pending
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