JP2002084073A - Multilayer printed wring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Multilayer printed wring board and manufacturing method thereof

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JP2002084073A
JP2002084073A JP2000271861A JP2000271861A JP2002084073A JP 2002084073 A JP2002084073 A JP 2002084073A JP 2000271861 A JP2000271861 A JP 2000271861A JP 2000271861 A JP2000271861 A JP 2000271861A JP 2002084073 A JP2002084073 A JP 2002084073A
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JP
Japan
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resin
layer
intermediate layer
printed wiring
wiring board
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Application number
JP2000271861A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Shimada
憲一 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer printed wiring board where adhesion between a conductor circuit and a solder resist layer is excellent, no peeling occurs between them nor cracking occurs at the solder resist layer, and no heavily rough surface is formed on the surface of conductor circuit, hardly causing signal delay, signal error, or the like. SOLUTION: The multilayer printed wiring board is provided where the conductor circuit and an inter-layer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate while the solder resist layer is laminated on the conductor circuit of the top layer. An adhesive intermediate layer is formed on at least at part of the surface of the top conductor circuit which uses at least one kind selected from the group including a compound comprising oxazine skeleton and a compound comprising oxazole skeleton.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板、および、多層プリント配線板の製造方法に関する。The present invention relates to a multilayer printed wiring board and a method for manufacturing the multilayer printed wiring board.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。即ち、まず、銅箔が貼
り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電
解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成す
る。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法
を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路
を形成する。次に、形成された導体回路の表面に粗化面
や粗化層（以下、両者を併せて単に粗化面ともいう）を
形成し、その粗化面の上に絶縁樹脂の層を形成した後、
露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、
その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成
する。2. Description of the Related Art Conventionally, build-up multilayer printed wiring boards have been manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, first, a through-hole is formed in a copper-clad laminate on which a copper foil is stuck, and then a through-hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern using a photolithography technique to form a conductor circuit. Next, a roughened surface or a roughened layer (hereinafter, also simply referred to as a roughened surface) was formed on the surface of the formed conductor circuit, and an insulating resin layer was formed on the roughened surface. rear,
Exposure, development processing to form via hole openings,
Thereafter, an interlayer resin insulating layer is formed through UV curing and main curing.

【０００３】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化処理を施した後、薄い無電解めっき層を形成
し、この無電解めっき層上にめっきレジストを形成した
後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥
離後にエッチングを行って導体回路を形成する。これを
繰り返して、基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積
層形成する。その後、最上層の導体回路表面に粗化面を
形成し、この粗化面が形成された導体回路上に、半田パ
ッドを形成するための開口を有するソルダーレジスト層
を形成し、続いて、該開口の下に存在する導体回路にめ
っき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣ
チップ等の電子部品やマザーボード等との接続のための
半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プ
リント配線板を製造する。Further, after roughening the interlayer resin insulation layer with an acid or an oxidizing agent, a thin electroless plating layer is formed, a plating resist is formed on the electroless plating layer, and then electroplating is performed. Thickening is performed, and after the plating resist is peeled off, etching is performed to form a conductor circuit. By repeating this, an interlayer resin insulating layer and a conductor circuit are laminated on the substrate. Thereafter, a roughened surface is formed on the surface of the uppermost conductive circuit, and a solder resist layer having an opening for forming a solder pad is formed on the conductive circuit on which the roughened surface is formed. After plating the conductor circuit under the opening to form a solder bump forming pad, the IC
A build-up multilayer printed wiring board is manufactured by forming solder bumps for connection with electronic components such as chips and a motherboard.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年、多層プリント配
線板の小型化、高密度化が要求され、多層プリント配線
板における導体回路の幅や導体回路間の距離が短くなっ
てきている。そのため、上記した製造方法にあるよう
に、エッチング液を用いて粗化面を形成した場合、導体
回路側面の凹凸が導体回路上面の凹凸に比べて小さくな
ったり、導体回路がアンダーカット形状になってしまう
ことがあった。これは、導体回路間の距離の長い部分と
短い部分とでは、エッチング液の入り込み易さが異な
り、導体回路間の距離の短い部分では、エッチング液が
入り込みにくいためであると考えられる。即ち、エッチ
ング液の入り込み易さの違いに起因して、エッチング処
理時間が短すぎると、側面の凹凸が小さい導体回路が存
在することとなり、エッチング処理時間が長すぎるとア
ンダーカット形状の導体回路が存在することとなる。In recent years, miniaturization and high density of multilayer printed wiring boards have been demanded, and the width of conductive circuits and the distance between conductive circuits in multilayer printed wiring boards have been reduced. Therefore, when the roughened surface is formed using an etchant as in the above-described manufacturing method, the unevenness on the side surface of the conductive circuit is smaller than the unevenness on the upper surface of the conductive circuit, or the conductive circuit has an undercut shape. There was a thing. This is considered to be because the etchability of the etchant is different between a portion where the distance between the conductor circuits is long and a portion where the etchant is short, and it is difficult for the etchant to enter the portion where the distance between the conductor circuits is short. In other words, due to the difference in the ease of entry of the etching solution, if the etching time is too short, there will be a conductor circuit with small side irregularities, and if the etching time is too long, the undercut conductor circuit will be formed. It will exist.

【０００５】また、めっきにより粗化層を形成した場合
にも、導体回路間の距離が短いところでは、導体回路間
にめっき液が入りこみにくいことに起因して、導体回路
側面で金属が析出しにくく、導体回路側面の凹凸が導体
回路上面の凹凸に比べて小さくなってしまうことがあっ
た。このように導体回路表面に充分な大きさの凹凸を有
する粗化層が形成できないと、導体回路とソルダーレジ
スト層との密着性が不充分となり、導体回路とソルダー
レジスト層との間で剥離が発生したり、樹脂絶縁層にク
ラックが発生したりするという問題があった。特に、導
体回路の側面に粗化面を形成することができなかった場
合に、この問題が発生しやすかった。[0005] Further, even when the roughened layer is formed by plating, when the distance between the conductor circuits is short, metal is deposited on the side surfaces of the conductor circuits due to the difficulty of the plating solution entering between the conductor circuits. In some cases, the irregularities on the side surface of the conductor circuit are smaller than the irregularities on the upper surface of the conductor circuit. If a roughened layer having sufficiently large irregularities cannot be formed on the conductor circuit surface in this manner, the adhesion between the conductor circuit and the solder resist layer becomes insufficient, and peeling between the conductor circuit and the solder resist layer occurs. There is a problem in that it occurs or a crack occurs in the resin insulating layer. In particular, this problem is likely to occur when a roughened surface cannot be formed on the side surface of the conductor circuit.

【０００６】また、導体回路とソルダーレジスト層との
密着性を確保するために導体回路表面に大きな凹凸を有
する粗化面や粗化層を形成すると、ＧＨｚ帯域の高周波
信号を使用する電子部品を使用した場合、以下のような
理由により、信号遅延や信号エラー等が発生するという
問題があった。即ち、電気信号は表皮効果により導体回
路の表層付近に沿って伝達されるため、導体回路表面に
粗化面を形成した場合、この粗化面等に沿って伝達さ
れ、その結果、電気信号の実際の伝達距離が、導体回路
の距離から予想される見かけの伝達距離よりも長くなっ
てしまい信号遅延や信号エラーが発生する。Further, when a roughened surface or a roughened layer having large irregularities is formed on the surface of the conductor circuit in order to ensure the adhesion between the conductor circuit and the solder resist layer, an electronic component using a high frequency signal in the GHz band can be obtained. When used, there is a problem that a signal delay, a signal error, and the like occur for the following reasons. That is, since the electric signal is transmitted along the surface layer of the conductor circuit by the skin effect, when a roughened surface is formed on the surface of the conductor circuit, the electric signal is transmitted along the roughened surface and the like. The actual transmission distance becomes longer than the apparent transmission distance expected from the distance of the conductor circuit, and signal delay and signal error occur.

【０００７】このような導体回路表面に形成された粗化
面に起因する信号遅延や信号エラー等の不都合を回避す
るためには、粗化面の凹凸を小さくする必要がある。し
かしながら、粗化層の凹凸を小さくすると、既に述べた
ように、導体回路とソルダーレジスト層との密着性が低
下するため、ソルダーレジスト層と最上層の導体回路と
の間で剥離が発生したり、ソルダーレジスト層にクラッ
クが発生したりするという問題があった。In order to avoid such inconveniences as signal delay and signal error caused by the roughened surface formed on the conductor circuit surface, it is necessary to reduce the unevenness of the roughened surface. However, when the roughness of the roughened layer is reduced, as described above, the adhesion between the conductor circuit and the solder resist layer is reduced, so that peeling may occur between the solder resist layer and the uppermost conductor circuit. In addition, there is a problem that cracks occur in the solder resist layer.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するために鋭意研究した結果、最上層の導体回
路表面にオキサジン骨格を有する化合物、および、オキ
サゾール骨格を有する化合物からなる群より選択される
少なくとも１種からなる接着性中間層を形成することに
より、導体回路とソルダーレジスト層との密着性に優れ
た多層プリント配線板とすることができることを見い出
し、以下に示す内容を要旨構成とする本発明を完成し
た。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, the present inventors have found that a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton on the surface of the uppermost conductive circuit are obtained. By forming at least one kind of adhesive intermediate layer selected from the group, it has been found that a multilayer printed wiring board having excellent adhesion between a conductor circuit and a solder resist layer can be obtained. The present invention having a gist configuration has been completed.

【０００９】即ち、本発明の多層プリント配線板は、基
板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、最
上層の導体回路上にソルダーレジスト層が積層された多
層プリント配線板であって、上記最上層の導体回路は、
その表面の少なくとも一部に、オキサジン骨格を有する
化合物、および、オキサゾール骨格を有する化合物から
なる群より選択される少なくとも１種を用いた接着性中
間層が形成されていることを特徴とする。That is, the multilayer printed wiring board of the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is laminated on an uppermost conductive circuit. The above uppermost conductor circuit is
An adhesive intermediate layer using at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton is formed on at least a part of its surface.

【００１０】上記多層プリント配線板において、上記オ
キサジン骨格を有する化合物は、ベンゾ−１，４−オキ
サジン、５，６−ベンゾ−１，２−オキサジン、４，５
−ベンゾ−１，３−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，
３−オキサジン、および、これらの誘導体であることが
望ましく、上記オキサゾール骨格を有する化合物は、ベ
ンゾオキサゾールおよびその誘導体であることが望まし
い。また、上記多層プリント配線板において、上記最上
層の導体回路は、その表面が粗化面であることが望まし
い。また、上記多層プリント配線板において、上記接着
性中間層の厚さは、０．００１〜３μｍであることが望
ましい。In the multilayer printed wiring board, the compound having the oxazine skeleton may be benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2-oxazine, 4,5
-Benzo-1,3-oxazine, 5,6-benzo-1,
Desirably, they are 3-oxazine and derivatives thereof, and the compound having an oxazole skeleton is preferably benzoxazole and its derivatives. In the multilayer printed wiring board, it is preferable that the surface of the uppermost conductive circuit has a roughened surface. In the multilayer printed wiring board, it is desirable that the thickness of the adhesive intermediate layer is 0.001 to 3 μm.

【００１１】また、第一の本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、最上層の導体回路上にソルダーレジスト
層が形成された多層プリント配線板の製造方法であっ
て、少なくとも下記（Ａ）〜（Ｄ）の工程を含むことを
特徴とする。 （Ａ）上記層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路を形成
する導体回路形成工程、（Ｂ）上記工程で形成された最
上層の導体回路表面の少なくとも一部に、オキサジン骨
格を有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する
化合物からなる群より選択される少なくとも１種からな
る中間層を形成する中間層形成工程、（Ｃ）上記中間層
に加熱処理を施し、接着性中間層とする加熱処理工程、
および、（Ｄ）上記接着性中間層上にソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程。In the first method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is formed on the uppermost conductive circuit. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising at least the following steps (A) to (D). (A) a conductor circuit forming step of forming an uppermost conductive circuit on the interlayer resin insulating layer; (B) a compound having an oxazine skeleton on at least a part of the surface of the uppermost conductive circuit formed in the above step; And an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton; and (C) a heat treatment step of performing a heat treatment on the intermediate layer to form an adhesive intermediate layer. ,
And (D) a step of forming a solder resist layer on the adhesive intermediate layer.

【００１２】また、第二の本発明の多層プリント配線板
の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、最外層にソルダーレジスト層が形成され
た多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも
下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを特徴とする。 （ａ）上記層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路を形成
する導体回路形成工程、（ｂ）上記工程で形成された最
上層の導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程、
（ｃ）上記活性化処理が施された最上層の導体回路表面
の少なくとも一部に、オキサジン骨格を有する化合物、
および、オキサゾール骨格を有する化合物からなる群よ
り選択される少なくとも１種からなる中間層を形成する
中間層形成工程、（ｄ）上記中間層に加熱処理を施し、
接着性中間層とする加熱処理工程、および、（ｅ）上記
接着性中間層上にソルダーレジスト層を形成するソルダ
ーレジスト層形成工程。A second method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is formed on the outermost layer. Which is characterized by including at least the following steps (a) to (e). (A) a conductor circuit forming step of forming an uppermost conductive circuit on the interlayer resin insulating layer; (b) an activation processing step of activating the uppermost conductive circuit formed in the above step;
(C) a compound having an oxazine skeleton on at least a part of the surface of the uppermost conductive circuit subjected to the activation treatment;
And an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton, (d) subjecting the intermediate layer to a heat treatment,
A heat treatment step of forming an adhesive intermediate layer; and (e) a solder resist layer forming step of forming a solder resist layer on the adhesive intermediate layer.

【００１３】また、第一および第二の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法において、上記オキサジン骨格を
有する化合物は、ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６
−ベンゾ−１，２−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，
３−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジ
ン、および、これらの誘導体であることが望ましく、上
記オキサゾール骨格を有する化合物は、ベンゾオキサゾ
ールおよびその誘導体であることが望ましい。また、第
一および第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法
において、上記加熱処理工程における加熱は、１２０〜
１９０℃で行なうことが望ましい。In the first and second methods for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, the compound having an oxazine skeleton is benzo-1,4-oxazine, 5,6 or
-Benzo-1,2-oxazine, 4,5-benzo-1,
Desirably, they are 3-oxazine, 5,6-benzo-1,3-oxazine, and derivatives thereof, and the compound having the oxazole skeleton is preferably benzoxazole and its derivatives. In the first and second methods for producing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the heating in the heat treatment step is performed in a range of 120 to 120.
It is desirable to carry out at 190 ° C.

【００１４】なお、特開平１１−１０３１６７号公報に
おいては、層間絶縁層として、ベンゾオキサジンを有す
る樹脂ワニスを含浸したプリプレグを用いる多層プリン
ト配線板の製造方法が開示されているが、この製造方法
は、多層化接着時に発生するカスレや成形ズレを抑える
ことを目的とするものであり、層間絶縁層と導体回路と
の密着性については何ら言及されておらず、導体回路と
層間樹脂絶縁層との密着性を向上させ、両者の間での剥
離の発生等を抑制することを目的とする本発明の多層プ
リント配線板とは、全く異なるものである。Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-103167 discloses a method of manufacturing a multilayer printed wiring board using a prepreg impregnated with a resin varnish having benzoxazine as an interlayer insulating layer. The purpose of the present invention is to suppress the occurrence of shading and molding displacement occurring during the multi-layer bonding, there is no mention of the adhesiveness between the interlayer insulating layer and the conductor circuit, and there is no mention of the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer. This is completely different from the multilayer printed wiring board of the present invention, which aims at improving the adhesion and suppressing the occurrence of peeling between the two.

【００１５】また、特開昭６１−９５０２７号公報にお
いては、ビスオキサジノン類とジアミン化合物とを反応
させて得られるジアミノ化合物と、テトラカルボン酸二
無水物とを反応させてポリキナゾロンイミド前駆体を製
造した後、このポリキナゾロンイミド前駆体をアジリジ
ン化合物と反応させ、得られた反応生成物を感光性耐熱
材料に含有させることが記載されており、該感光性耐熱
材料が半導体等の絶縁材料として有用である旨が開示さ
れている。上記方法により得られた感光性耐熱材料は、
保存安定性に優れ、また、製造工程が簡単であるという
特徴を有するものの、該感光性耐熱材料と金属との密着
性については何ら言及されておらず、導体回路と層間樹
脂絶縁層との密着性を向上させ、両者の間での剥離の発
生等を抑制することを目的とする本発明の多層プリント
配線板とは、全く異なるものである。従って、これらの
公報の存在により本発明の新規性、進歩性が何ら阻却さ
れるものではないことを付記しておく。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-95027, a diquinone compound obtained by reacting a bisoxazinone and a diamine compound is reacted with tetracarboxylic dianhydride to form a polyquinazolone imide precursor. It is described that after production, this polyquinazolone imide precursor is reacted with an aziridine compound, and the resulting reaction product is contained in a photosensitive heat-resistant material, wherein the photosensitive heat-resistant material is an insulating material such as a semiconductor. Is disclosed. The photosensitive heat-resistant material obtained by the above method,
Although it has the characteristics of excellent storage stability and the simplicity of the manufacturing process, there is no mention of the adhesiveness between the photosensitive heat-resistant material and the metal, and the adhesiveness between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer is not mentioned. This is completely different from the multilayer printed wiring board of the present invention, which aims at improving the performance and suppressing the occurrence of peeling between the two. Therefore, it should be noted that the existence of these publications does not hinder the novelty and inventive step of the present invention.

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【００１６】本発明の多層プリント配線板は、基板上に
導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、最上層の
導体回路上にソルダーレジスト層が積層された多層プリ
ント配線板であって、上記最上層の導体回路は、その表
面の少なくとも一部に、オキサジン骨格を有する化合
物、および、オキサゾール骨格を有する化合物からなる
群より選択される少なくとも１種を用いた接着性中間層
が形成されていることを特徴とする。The multilayer printed wiring board of the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is laminated on the uppermost conductive circuit, The uppermost conductive circuit is formed on at least a part of its surface with an adhesive intermediate layer using at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. It is characterized by being.

【００１７】本発明の多層プリント配線板によれば、最
上層の導体回路の表面の少なくとも一部に接着性中間層
が形成されており、該接着性中間層は、オキサジン骨格
を有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化
合物からなる群より選択される少なくとも１種を用いて
形成されているため、最上層の導体回路とソルダーレジ
スト層との密着性に優れ、両者の間に剥離が発生した
り、ソルダーレジスト層にクラックが発生したりするこ
とがない。また、最上層の導体回路の表面に凹凸の大き
な粗化面を形成しなくてもよく、この場合には、信号遅
延、信号エラー等が発生しにくい。According to the multilayer printed wiring board of the present invention, an adhesive intermediate layer is formed on at least a part of the surface of the uppermost conductive circuit, and the adhesive intermediate layer comprises a compound having an oxazine skeleton; Since it is formed using at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton, it has excellent adhesion between the uppermost conductive circuit and the solder resist layer, and peeling may occur between the two. In addition, no crack is generated in the solder resist layer. Further, it is not necessary to form a roughened surface having large irregularities on the surface of the uppermost conductive circuit, and in this case, signal delay, signal error, and the like hardly occur.

【００１８】なお、本明細書においては、その上にソル
ダーレジスト層の形成された導体回路、即ち、層間樹脂
絶縁層とソルダーレジスト層とに挟まれた導体回路を特
に、最上層の導体回路といい、基板と層間樹脂絶縁層に
挟まれた導体回路、および、上下の層間樹脂絶縁層に挟
まれた導体回路と区別することとする。In the present specification, a conductor circuit having a solder resist layer formed thereon, that is, a conductor circuit sandwiched between an interlayer resin insulating layer and a solder resist layer is particularly referred to as a topmost conductor circuit. That is, a conductor circuit sandwiched between a substrate and an interlayer resin insulation layer and a conductor circuit sandwiched between upper and lower interlayer resin insulation layers are distinguished from each other.

【００１９】上記多層プリント配線板においては、最上
層の導体回路上にソルダーレジスト層が形成されてお
り，該最上層の導体回路は、その表面の少なくとも一部
に、接着性中間層が形成されている。上記接着性中間層
は、オキサジン骨格を有する化合物、および、オキサゾ
ール骨格を有する化合物からなる群より選択される少な
くとも１種（以下、中間層形成用化合物ともいう）を用
いて形成される。In the multilayer printed wiring board, a solder resist layer is formed on the uppermost conductive circuit, and the uppermost conductive circuit has an adhesive intermediate layer formed on at least a part of its surface. ing. The adhesive intermediate layer is formed using at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton (hereinafter, also referred to as a compound for forming an intermediate layer).

【００２０】上記オキサジン骨格を有する化合物として
は、例えば、ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベ
ンゾ−１，２−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−
オキサジン、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、ま
たは、これらの誘導体等が挙げられる。Examples of the compound having an oxazine skeleton include benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2-oxazine, and 4,5-benzo-1,3-oxazine.
Examples thereof include oxazine, 5,6-benzo-1,3-oxazine, and derivatives thereof.

【００２１】上記ベンゾ−１，４−オキサジンとは、下
記化学式（１）The benzo-1,4-oxazine is represented by the following chemical formula (1)

【００２２】[0022]

【化１】 Embedded image

【００２３】で表される化合物であり、その誘導体とし
ては、例えば、３−フェニル−１，４，２−ベンゾオキ
サジン等が挙げられる。The derivatives thereof include, for example, 3-phenyl-1,4,2-benzoxazine and the like.

【００２４】また、５，６−ベンゾ−１，２−オキサジ
ンとは、下記化学式（２）Further, 5,6-benzo-1,2-oxazine is represented by the following chemical formula (2)

【００２５】[0025]

【化２】 Embedded image

【００２６】で表される化合物である。Is a compound represented by the formula:

【００２７】また、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジ
ンとは、下記化学式（３）Further, 4,5-benzo-1,3-oxazine is represented by the following chemical formula (3)

【００２８】[0028]

【化３】 Embedded image

【００２９】で表される化合物であり、その誘導体とし
ては、例えば、２−メチル−３，１，４−ベンゾオキサ
ジン等が挙げられる。The derivatives thereof include, for example, 2-methyl-3,1,4-benzoxazine and the like.

【００３０】また、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジ
ンとは、下記化学式（４）Also, 5,6-benzo-1,3-oxazine is represented by the following chemical formula (4)

【００３１】[0031]

【化４】 Embedded image

【００３２】で表される化合物である。これらのオキサ
ジン骨格を有する化合物のなかでは、５，６−ベンゾ−
１，３−オキサジンが望ましい。この理由は、該５，６
−ベンゾ−１，３−オキサジンは、多層プリント配線板
に汎用される樹脂との密着性が高く、この化合物からな
る接着性中間層を形成した多層プリント配線板は、ヒー
トサイクル試験時における信頼性に優れるからである。Is a compound represented by the formula: Among these compounds having an oxazine skeleton, 5,6-benzo-
1,3-oxazine is preferred. The reason for this is that
-Benzo-1,3-oxazine has high adhesion to a resin commonly used for a multilayer printed wiring board, and a multilayer printed wiring board having an adhesive intermediate layer formed of this compound has high reliability in a heat cycle test. It is because it is excellent.

【００３３】また、上記オキサゾール骨格を有する化合
物としては、例えば、ベンゾオキサゾールやその誘導体
等が挙げられる。上記ベンゾオキサゾールとは、下記化
学式（５）Examples of the compound having an oxazole skeleton include benzoxazole and derivatives thereof. The benzoxazole is represented by the following chemical formula (5)

【００３４】[0034]

【化５】 Embedded image

【００３５】で表される化合物であり、その誘導体とし
ては、例えば、ベンゾオキサゾロン等が挙げられる。The derivatives thereof include, for example, benzoxazolone and the like.

【００３６】上記多層プリント配線板においては、最上
層の導体回路上にこれらの化合物を用いた接着性中間層
が形成されており、該接着性中間層を介して導体回路と
ソルダーレジスト層とが強固に接着されている。この接
着性中間層を介した導体回路とソルダーレジスト層との
接着について、図１を参照しながら説明する。図１
（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板に接着
性中間層を形成する方法を模式的に示す断面図である。
なお、図１には、中間層形成用化合物として、ベンゾ−
１，４−オキサジンを用いた例を示す。In the above multilayer printed wiring board, an adhesive intermediate layer using these compounds is formed on the uppermost conductive circuit, and the conductive circuit and the solder resist layer are connected via the adhesive intermediate layer. Strongly adhered. The adhesion between the conductor circuit and the solder resist layer via the adhesive intermediate layer will be described with reference to FIG. FIG.
(A)-(c) is sectional drawing which shows typically the method of forming the adhesive intermediate layer in the multilayer printed wiring board of this invention.
FIG. 1 shows benzo- as a compound for forming an intermediate layer.
An example using 1,4-oxazine will be described.

【００３７】上記ベンゾ−１，４−オキサジン等の中間
層形成用化合物は、常温下では、金属や樹脂と反応しに
くい。これは、上記中間層形成用化合物が安定な環状構
造にあり、反応性に乏しいからである従って、銅等から
なる導体回路１０５上に、中間層形成用化合物からなる
中間層を形成しても、導体回路と中間層形成用化合物と
の間では化学的な結合は形成されない（図１（ａ）参
照）。上記中間層は、導体回路１０５を有する基板を中
間層形成用化合物を含む溶液中に浸漬したり、該溶液を
塗布すること等により形成することができる。The intermediate layer forming compound such as benzo-1,4-oxazine hardly reacts with metals and resins at normal temperature. This is because the intermediate layer forming compound is in a stable cyclic structure and has low reactivity.Therefore, even when the intermediate layer formed of the intermediate layer forming compound is formed on the conductor circuit 105 made of copper or the like. No chemical bond is formed between the conductor circuit and the intermediate layer forming compound (see FIG. 1A). The intermediate layer can be formed by immersing the substrate having the conductor circuit 105 in a solution containing a compound for forming an intermediate layer, or by applying the solution.

【００３８】しかしながら、これらの中間層形成用化合
物は、加熱処理を施すことにより付加重合反応が進行し
重合体となる。このとき、上記付加重合反応を導体回路
１０５上で進行させることにより、重合体が合成される
と同時に、該重合体が導体回路１０５と化学的に結合し
た接着性中間層となる（図１（ｂ）参照）。However, these compounds for forming an intermediate layer undergo heat treatment to undergo an addition polymerization reaction to form a polymer. At this time, by causing the above addition polymerization reaction to proceed on the conductor circuit 105, a polymer is synthesized and, at the same time, the polymer becomes an adhesive intermediate layer chemically bonded to the conductor circuit 105 (FIG. 1 ( b)).

【００３９】これは、上記中間層形成用化合物を用いた
接着性中間層は、その分子内に窒素原子、酸素原子を有
しており、かつ、これらの原子の近傍に共役系構造を有
しているため、上記窒素原子や上記酸素原子を介して金
属原子と結合することができるからである。This is because the adhesive intermediate layer using the compound for forming an intermediate layer has a nitrogen atom and an oxygen atom in its molecule and has a conjugated structure near these atoms. Therefore, it is possible to bond to a metal atom via the nitrogen atom or the oxygen atom.

【００４０】また、上記接着性中間層は水酸基を有して
いるため、ソルダーレジスト層の材料として、上記水酸
基と反応可能な官能基を有する樹脂を選択することによ
り、接着性中間層とソルダーレジスト層１１４とを化学
的に結合させることができる（図１（ｃ）参照）。ま
た、ソルダーレジスト層の材料として、接着性中間層の
有する水酸基と反応することができる官能基をもたない
樹脂を用いる場合には、層間樹脂絶縁層形成時に、水酸
基と反応可能な官能基を導入する等の前処理を施すとよ
い。これについては、後に詳述する。Since the adhesive intermediate layer has a hydroxyl group, by selecting a resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group as a material for the solder resist layer, the adhesive intermediate layer and the solder resist The layer 114 can be chemically bonded (see FIG. 1C). When a resin having no functional group capable of reacting with the hydroxyl group of the adhesive intermediate layer is used as the material of the solder resist layer, a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is formed during the formation of the interlayer resin insulating layer. Pretreatment such as introduction may be performed. This will be described in detail later.

【００４１】また、上記接着性中間層は、難燃性を有す
る。従って、上記多層プリント配線板が燃焼した場合で
も、上記接着性中間層の部分で燃焼が停止するため、多
層プリント配線板の難燃性が向上する。Further, the adhesive intermediate layer has flame retardancy. Therefore, even when the multilayer printed wiring board burns, the combustion stops at the adhesive intermediate layer, thereby improving the flame retardancy of the multilayer printed wiring board.

【００４２】上記接着性中間層の厚さとしては、０．０
０１〜３μｍが望ましい。上記厚さが０．００１μｍ未
満の接着層は、実質的に形成することが困難であり、一
方、３μｍを超えると、導体回路とソルダーレジスト層
との間の距離がはなれ過ぎており、接着性中間層に用い
た重合体は、導体回路およびソルダーレジスト層の両者
と同時に化学的に結合することができず、また、接着性
中間層を構成する高分子同士の凝集力は余り大きくない
ため、両者の接着性の低下につながることがあるからで
ある。The thickness of the adhesive intermediate layer is 0.0
01 to 3 μm is desirable. When the thickness is less than 0.001 μm, it is substantially difficult to form the adhesive layer. On the other hand, when the thickness is more than 3 μm, the distance between the conductor circuit and the solder resist layer is too large. Since the polymer used for the intermediate layer cannot be chemically bonded simultaneously with both the conductor circuit and the solder resist layer, and the cohesive force between the polymers constituting the adhesive intermediate layer is not so large, This is because the adhesion between the two may be reduced.

【００４３】上記接着性中間層の厚さは、該接着性中間
層を溶液中に浸漬することにより形成する場合には、液
温度、液濃度、浸漬時間、基板の縦や横への揺動、溶液
の攪拌速度、溶液の循環等により調整することができ
る。また、接着性中間層を溶液を塗布することにより形
成する場合には、塗布温度、湿度、塗布圧、用いるロー
ルの性質、ロールと基板とのギャップ等により、上記接
着性中間層の厚さを調整することができる。In the case where the adhesive intermediate layer is formed by immersing the adhesive intermediate layer in a solution, the thickness of the adhesive intermediate layer is determined by the temperature of the liquid, the concentration of the liquid, the immersion time, the vertical and horizontal swing of the substrate. , The stirring speed of the solution, the circulation of the solution, and the like. When the adhesive intermediate layer is formed by applying a solution, the thickness of the adhesive intermediate layer is adjusted according to the application temperature, humidity, application pressure, the properties of the roll used, the gap between the roll and the substrate, and the like. Can be adjusted.

【００４４】なお、上記接着性中間層は、最外層の導体
回路以外の導体回路の表面にも形成されていてもよい。
この場合、層間樹脂絶縁層が水酸基と反応可能な官能基
を有していれば、層間樹脂絶縁層と接着性中間層とが化
学的に結合し、強固に密着するものとなるからである。The adhesive intermediate layer may be formed on the surface of a conductor circuit other than the outermost conductor circuit.
In this case, if the interlayer resin insulating layer has a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, the interlayer resin insulating layer and the adhesive intermediate layer are chemically bonded to each other and become firmly adhered.

【００４５】上記多層プリント配線板では、その表面の
少なくとも一部に上記接着性中間層が形成された最上層
の導体回路上に、ソルダーレジスト層が積層されてい
る。上記接着性中間層は、分子内に有する酸素原子を介
して樹脂と結合することができるため、ソルダーレジス
ト層と強固に接着することができる。従って、本発明の
多層プリント配線板のソルダーレジスト層は、接着性中
間層の有する水酸基と反応し、酸素原子を介して結合す
ることができるような官能基を有する樹脂を用いて形成
されていることが望ましい。但し、そのような官能基を
持たない樹脂であっても、上記接着性中間層との親和性
が高いものも存在し、その場合には、高い接着力を有す
る。また、このような官能基をもたない樹脂に対して
は、官能基を導入することにより接着性中間層との接着
性を上げることができる。In the multilayer printed wiring board, a solder resist layer is laminated on the uppermost conductive circuit having the adhesive intermediate layer formed on at least a part of its surface. The adhesive intermediate layer can bond to the resin via an oxygen atom contained in the molecule, and thus can firmly adhere to the solder resist layer. Therefore, the solder resist layer of the multilayer printed wiring board of the present invention is formed using a resin having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group of the adhesive intermediate layer and bonding via an oxygen atom. It is desirable. However, even a resin without such a functional group has a high affinity with the adhesive intermediate layer, and in that case, it has a high adhesive strength. In addition, for a resin having no such functional group, by introducing a functional group, the adhesiveness with the adhesive intermediate layer can be improved.

【００４６】このようなソルダーレジスト層の材料とし
ては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト
組成物が挙げられる。Examples of the material for such a solder resist layer include a solder resist composition comprising a polyphenylene ether resin, a polyolefin resin, a fluororesin, a thermoplastic elastomer, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like.

【００４７】上記ポリフェニレンエーテル樹脂として
は、下記化学式（６）で表される繰り返し単位を有する
熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化学式
（７）で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポリフ
ェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。Examples of the polyphenylene ether resin include a thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (6) and a thermosetting polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the following chemical formula (7). No.

【００４８】[0048]

【化６】 Embedded image

【００４９】（式中、ｎは、２以上の整数を表す。）(In the formula, n represents an integer of 2 or more.)

【００５０】[0050]

【化７】 Embedded image

【００５１】（式中、ｍは、２以上の整数を表す。ま
た、Ｒ1 、Ｒ2 は、メチレン基、エチレン基または−Ｃ
Ｈ2 −Ｏ−ＣＨ2 −を表し、両者は同一であってもよい
し、異なっていてもよい。）(In the formula, m represents an integer of 2 or more. R 1 and R 2 represent a methylene group, an ethylene group or a —C
Represents H 2 —O—CH 2 —, both of which may be the same or different. )

【００５２】また、上記化学式（７）で表される繰り返
し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂
は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有している
が、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテ
ル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のア
ルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフ
ッ素で置換された誘導体等であってもよい。The thermoplastic polyphenylene ether resin having a repeating unit represented by the above chemical formula (7) has a structure in which a methyl group is bonded to a benzene ring, but the polyphenylene ether which can be used in the present invention. The resin may be a derivative in which the above-mentioned methyl group is substituted with another alkyl group such as an ethyl group, or a derivative in which hydrogen of a methyl group is substituted with fluorine.

【００５３】上記ポリオレフィン樹脂としては、例え
ば、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピ
レン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプ
レン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合
体等が挙げられる。Examples of the polyolefin resin include polyethylene, polystyrene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin-based resins, and copolymers of these resins.

【００５４】また、上記ポリオレフィン系樹脂の市販品
としては、例えば、住友スリーエム社製の商品名：１５
９２等が挙げられる。また、融点が２００℃以上の熱可
塑型ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、
三井石油化学工業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０
℃）、出光石油化学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０
℃）等が挙げられる。これらのなかでは、誘電率および
誘電正接が低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合
でも信号遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、
剛性等の機械的特性にも優れている点からシクロオレフ
ィン系樹脂が望ましい。Examples of the commercially available products of the above polyolefin resin include, for example, a product name: 15 manufactured by Sumitomo 3M Limited.
92 and the like. As a commercially available thermoplastic polyolefin resin having a melting point of 200 ° C. or higher, for example,
Trade name: TPX (melting point 240, manufactured by Mitsui Petrochemical Industries, Ltd.)
° C), trade name: SPS (melting point 270, manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.)
° C). Among these, the dielectric constant and the dielectric loss tangent are low, and even when a high-frequency signal in the GHz band is used, signal delay and signal error hardly occur.
Cycloolefin-based resins are desirable because they have excellent mechanical properties such as rigidity.

【００５５】上記シクロオレフィン系樹脂としては、２
−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンま
たはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または
共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−
ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成する
ためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン
酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。上記
共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等が挙げられる。As the above cycloolefin resin, 2
Homopolymers or copolymers of monomers comprising -norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene or derivatives thereof are desirable. As the above derivative, the above 2-
Examples include those in which an amino group for forming a crosslink, a maleic anhydride residue, or a maleic acid-modified one is bonded to a cycloolefin such as norbornene. Examples of monomers for synthesizing the copolymer include ethylene and propylene.

【００５６】上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した
樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフ
ィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。ま
た、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合
には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重
合体であってもよい。The cycloolefin resin may be a mixture of two or more of the above resins, or may contain a resin other than the cycloolefin resin. When the cycloolefin resin is a copolymer, it may be a block copolymer or a random copolymer.

【００５７】また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱
硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。
加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が
高くなり、機械的特性が向上するからである。上記シク
ロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３
０〜２００℃であることが望ましい。The cycloolefin resin is preferably a thermosetting cycloolefin resin.
This is because by performing the heating to form the crosslinks, the rigidity is further increased and the mechanical properties are improved. The glass transition temperature (Tg) of the cycloolefin resin is 13
Desirably, the temperature is 0 to 200 ° C.

【００５８】上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂
シート（フィルム）として成形されたものを使用しても
よく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の
重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散し
た未硬化溶液の状態であってもよい。また、樹脂シート
の場合には、いわゆるＲＣＣ（ＲＥＳＩＮ ＣＯＡＴＥ
Ｄ ＣＯＰＰＥＲ：樹脂付銅箔）を用いてもよい。As the cycloolefin-based resin, those already formed as a resin sheet (film) may be used, and a monomer or a low-molecular-weight polymer having a constant molecular weight may be used as a solvent such as xylene or cyclohexane. It may be in the state of an uncured solution dispersed in. In the case of a resin sheet, a so-called RCC (RESIN COATE
D COPER: resin-coated copper foil).

【００５９】上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー
等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を
含むものであってもよい。The cycloolefin-based resin may not contain a filler or the like, or may contain a flame retardant such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, or a phosphate.

【００６０】また、上記ポリオレフィン樹脂を用いる場
合、該ポリオレフィン樹脂に有機フィラーを配合しても
よい。上記有機フィラーを配合することにより、例え
ば、レーザ光を照射することにより半田バンプを形成す
るための開口（以下、半田バンプ形成用開口ともいう）
を形成する際に、所望の形状の開口を良好に形成するこ
とができる。When the above-mentioned polyolefin resin is used, an organic filler may be added to the polyolefin resin. By mixing the above organic filler, for example, an opening for forming a solder bump by irradiating a laser beam (hereinafter, also referred to as an opening for forming a solder bump)
When forming the opening, an opening having a desired shape can be satisfactorily formed.

【００６１】即ち、炭酸ガスレーザ等の赤外線レーザを
照射して開口を形成する場合には、上記有機フィラー
は、熱に対する緩衝剤の役割を果たし、発生した熱や導
体回路より反射した熱を一部吸収する。また、上記有機
フィラーは、樹脂組成物が所定の形状を維持するための
機械的な強化剤の役割を果たし、その結果、周囲の樹脂
の形状を維持することができ、目的の形状の開口等を形
成することができる。That is, when an opening is formed by irradiating an infrared laser such as a carbon dioxide gas laser, the organic filler serves as a buffer against heat and partially generates generated heat or heat reflected from a conductor circuit. Absorb. In addition, the organic filler serves as a mechanical reinforcing agent for maintaining the resin composition in a predetermined shape, and as a result, the shape of the surrounding resin can be maintained, and an opening having a desired shape can be obtained. Can be formed.

【００６２】また、紫外線レーザを照射して非貫通孔等
を形成する場合、有機フィラーが紫外線を吸収し、この
ため、紫外線レーザが照射された部分のソルダーレジス
ト層が分解、消失し、目的とする形状の半田バンプ形成
用開口等を形成することができる。When a non-through hole or the like is formed by irradiating an ultraviolet laser, the organic filler absorbs the ultraviolet light, so that the solder resist layer in the portion irradiated with the ultraviolet laser is decomposed and disappears. An opening for forming a solder bump having a desired shape can be formed.

【００６３】従って、上記レーザの照射によりバイアホ
ール用開口を形成し、この開口に金属層を形成すること
によりバイアホールを形成すると、該金属層は下の導体
回路に密着して剥がれにくくなり、得られる多層プリン
ト配線板の接続性、信頼性が向上する。Therefore, when a via hole opening is formed by the above-mentioned laser irradiation and a metal layer is formed in this opening to form a via hole, the metal layer is in close contact with the underlying conductor circuit and is hardly peeled off. The connectivity and reliability of the obtained multilayer printed wiring board are improved.

【００６４】上記有機フィラーとしては特に限定される
ものではないが、例えば、メラミン、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ＰＰＯ、
ＰＰＥ等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用い
てもよく、２種以上併用してもよい。The organic filler is not particularly restricted but includes, for example, melamine, phenol resin,
Epoxy resin, polyimide resin, fluororesin, PPO,
PPE and the like. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

【００６５】上記有機フィラーの含有量は、５〜６０重
量％が好ましい。上記有機フィラーの含有量が５重量％
未満であると、有機フィラーの含有量が少なすぎるた
め、レーザ光照射の際に上記した役割を果たすことがで
きず、目的とする形状の半田バンプ形成用開口等を形成
することができない場合がある。一方、有機フィラーの
含有量が６０重量％を超えると、ポリオレフィン系樹脂
の特性が失われ、例えば、誘電率が高くなりすぎること
等があるため好ましくない。より好ましい有機フィラー
の配合量は、１４〜６０重量％である。The content of the organic filler is preferably 5 to 60% by weight. The content of the organic filler is 5% by weight
If it is less than 10%, the content of the organic filler is too small, so that the above-mentioned role cannot be fulfilled at the time of laser beam irradiation, and there may be cases where it is not possible to form a solder bump forming opening or the like having a desired shape. is there. On the other hand, if the content of the organic filler exceeds 60% by weight, the characteristics of the polyolefin-based resin are lost, and, for example, the dielectric constant may be excessively high. A more preferable compounding amount of the organic filler is 14 to 60% by weight.

【００６６】上記有機フィラーの形状は特に限定され
ず、例えば、球状、多面形状等が挙げられるが、これら
のなかでは、クラックが発生しにくく、熱や熱衝撃によ
ってソルダーレジスト層に応力が発生しても、その応力
が緩和されやすい点から、球状が好ましい。The shape of the organic filler is not particularly limited and includes, for example, a spherical shape and a multifaceted shape. Among these, cracks are less likely to occur, and stress is generated in the solder resist layer by heat or thermal shock. However, a spherical shape is preferable because the stress is easily alleviated.

【００６７】また、上記有機フィラーの粒径は、０．０
５〜０．２μｍが好ましい。上記有機フィラーの粒径が
０．０５μｍ未満であると、粒径が小さすぎるため、均
一に有機フィラーを配合することが困難となる場合があ
り、一方、上記有機フィラーの粒径が０．２μｍを超え
ると、有機フィラーの粒径が大きすぎるため、レーザ光
を照射した際に完全に分解除去されない場合が発生す
る。The particle size of the organic filler is 0.0
5 to 0.2 μm is preferred. When the particle size of the organic filler is less than 0.05 μm, the particle size is too small, so that it may be difficult to mix the organic filler uniformly, while the particle size of the organic filler is 0.2 μm If the ratio exceeds the above range, the particle size of the organic filler may be too large, so that the organic filler may not be completely decomposed and removed when irradiated with laser light.

【００６８】上記有機フィラーを配合する場合、その粒
径が異なる２種以上の有機フィラーを配合してもよい
が、余り多種類の粒径の異なる有機フィラーを配合する
と、有機フィラーが凝集しやすくなり、凝集物の径が
０．２μｍを超え、０．２μｍを超えるものを使用した
場合と同様の不都合が発生する場合があるので、径が異
なる有機フィラーを配合する場合には、２種類の配合に
留めることが望ましい。When the above-mentioned organic filler is compounded, two or more kinds of organic fillers having different particle diameters may be compounded. However, if too many kinds of organic fillers having different particle diameters are mixed, the organic filler is liable to aggregate. When the size of the agglomerate exceeds 0.2 μm and the same inconvenience as the case where the agglomerate exceeds 0.2 μm is used, there are cases where two types of organic fillers having different diameters are blended. It is desirable to keep the formulation.

【００６９】上記フッ素樹脂としては、例えば、エチル
／テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポ
リクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げ
られる。Examples of the fluororesin include ethyl / tetrafluoroethylene copolymer resin (ETFE) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE).

【００７０】上記熱可塑性エラストマーとしては、例え
ば、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱
可塑性エラストマー、ウレタン系熱可塑性エラストマ
ー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド
系熱可塑性エラストマー、１，２−ポリブタジエン系熱
可塑性エラストマー、塩ビ系熱可塑性エラストマー、フ
ッ素系熱可塑性エラストマーが挙げられる。これらのな
かでは、電気特性に優れる点からオレフィン系熱可塑性
エラストマーやフッ素系熱可塑性エラストマーが望まし
い。Examples of the thermoplastic elastomer include styrene-based thermoplastic elastomers, olefin-based thermoplastic elastomers, urethane-based thermoplastic elastomers, polyester-based thermoplastic elastomers, polyamide-based thermoplastic elastomers, and 1,2-polybutadiene-based thermoplastic elastomers. Elastomers, PVC-based thermoplastic elastomers, and fluorine-based thermoplastic elastomers are exemplified. Among these, olefin-based thermoplastic elastomers and fluorine-based thermoplastic elastomers are desirable from the viewpoint of excellent electrical properties.

【００７１】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.

【００７２】また、上記ソルダーレジスト層の材料とし
ては、上記以外のソルダーレジスト組成物を用いること
もできる。具体的には、例えば、ノボラック型エポキシ
樹脂の（メタ）アクリレート、２官能性（メタ）アクリ
ル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の
（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール
型エポキシ樹脂、イミダゾール硬化剤等からなる熱硬化
性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、
グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動
体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに
調整されていることが望ましい。上記ノボラック型エポ
キシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては、例えば、フ
ェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジ
ルエーテルをアクリル酸やメタクリル酸等と反応させた
エポキシ樹脂等が挙げられる。Further, as the material of the solder resist layer, a solder resist composition other than the above may be used. Specifically, for example, a (meth) acrylate of a novolak type epoxy resin, a bifunctional (meth) acrylate monomer, a polymer of a (meth) acrylate having a molecular weight of about 500 to 5,000, a bisphenol type epoxy resin, an imidazole Thermosetting resin such as curing agent, photosensitive monomer such as polyvalent acrylic monomer,
A paste-like fluid containing a glycol ether-based solvent or the like is mentioned, and its viscosity is desirably adjusted to 1 to 10 Pa · s at 25 ° C. Examples of the (meth) acrylate of the novolak epoxy resin include an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid, or the like.

【００７３】上記２官能性（メタ）アクリル酸エステル
モノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオー
ル類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げら
れ、市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０４、ＰＭ
２、ＰＭ２１等が挙げられる。The bifunctional (meth) acrylic acid ester monomer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid and methacrylic acid esters of various diols, and commercially available products manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. R-604, PM
2, PM21 and the like.

【００７４】上記イミダゾール硬化剤としては特に限定
されるものではないが、２５℃で液状であるイミダゾー
ル硬化剤を用いることか望ましい。粉末では均一混練が
難しく、液状のほうが均一に混練できるからである。こ
のような液状イミダゾール硬化剤としては、例えば、１
−ベンジル−２−メチルイミダゾール（四国化成社製、
１Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メ
チルイミダゾール（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）、４−メチル−２−エチルイミダゾール（四国化成
社製、２Ｅ４ＭＺ）等が挙げられる。The imidazole curing agent is not particularly limited, but it is preferable to use an imidazole curing agent which is liquid at 25 ° C. This is because uniform kneading is difficult with powder, and liquid can be kneaded more uniformly. Examples of such a liquid imidazole curing agent include, for example, 1
-Benzyl-2-methylimidazole (manufactured by Shikoku Chemicals,
1B2MZ), 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (2E4MZ-C, manufactured by Shikoku Chemicals)
N), 4-methyl-2-ethylimidazole (2E4MZ, manufactured by Shikoku Chemicals) and the like.

【００７５】上記グリコールエーテル系溶剤としては、
例えば、下記一般式（８）に示す化学構造を有するもの
が望ましく、具体的には、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコール
ジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれる少なくとも
一種を用いることがより望ましい。これらの溶剤は、３
０〜５０℃程度の加温により重合開始剤であるベンゾフ
ェノン、ミヒラーケトン、エチルアミノベンゾフェノン
を完全に溶解させることができるからである。Examples of the glycol ether solvents include:
For example, those having the chemical structure represented by the following general formula (8) are desirable, and more specifically, it is more desirable to use at least one selected from diethylene glycol diethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG). These solvents are 3
This is because benzophenone, Michler's ketone, and ethylaminobenzophenone, which are polymerization initiators, can be completely dissolved by heating at about 0 to 50 ° C.

【００７６】 ＣＨ3 Ｏ−（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）n −ＣＨ3 ・・・（８）CH 3 O— (CH 2 CH 2 O) n —CH 3 (8)

【００７７】また、上記ソルダーレジスト組成物はエラ
ストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。エラ
ストマーが配合されていることにより、形成されるソル
ダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性および
反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用した
場合でも、該応力を吸収したり緩和したりすることがで
き、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造し
た多層プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を搭載
した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生す
ることを抑制でき、さらに、クラックが発生した場合で
も該クラックが大きく成長することがない。The solder resist composition may contain an elastomer or an inorganic filler. By being blended with the elastomer, the formed solder resist layer can absorb or reduce the stress even when a stress acts on the solder resist layer due to the flexibility and rebound resilience of the elastomer. As a result, cracks and peeling can be suppressed from occurring in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board and in the solder resist layer after mounting electronic components such as IC chips on the manufactured multilayer printed wiring board. Even when it occurs, the crack does not grow large.

【００７８】また、本発明の多層プリント配線板では、
基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層されて
いる。上記基板としては特に限定されないが、樹脂基板
が望ましく、無機繊維を有する樹脂基板がより望まし
い。具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ガラス
布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイミド−トリアジ
ン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板等のガラス布基
板、ＦＲ−４基板、ＦＲ−５基板等が望ましい。また、
ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、銅張積層板やＲ
ＣＣ基板等を用いてもよい。Further, in the multilayer printed wiring board of the present invention,
Conductive circuits and interlayer resin insulating layers are sequentially laminated on a substrate. The substrate is not particularly limited, but is preferably a resin substrate, and more preferably a resin substrate having inorganic fibers. Specifically, for example, a glass cloth substrate such as a glass epoxy substrate, a glass cloth polyimide substrate, a glass cloth bismaleimide-triazine resin substrate, a glass cloth fluororesin substrate, an FR-4 substrate, and an FR-5 substrate are preferable. Also,
Bismaleimide-triazine resin substrates, copper-clad laminates and R
A CC substrate or the like may be used.

【００７９】上記導体回路の材質としては、特に限定さ
れず、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウ
ム、鉛等が挙げられる。また、上記導体回路は、単層か
らなるものであってもよいし、２層以上からなるもので
あってもよい。これらのなかでは、電気特性、経済性等
を考慮すると、銅や銅およびニッケルかからなるものが
望ましい。The material of the conductor circuit is not particularly limited, and includes tin, zinc, copper, nickel, cobalt, thallium, lead and the like. Further, the conductor circuit may be formed of a single layer, or may be formed of two or more layers. Among these, those made of copper, copper, and nickel are desirable in consideration of electrical characteristics, economy, and the like.

【００８０】また、上記導体回路は、無電解めっき層と
電解めっき層とがこの順で積層された複合層であること
が望ましい。これは、下層の無電解めっき層を形成する
ことにより、層間樹脂絶縁層表面に対する追従性に優れ
た導体層を形成することができ、特に、層間樹脂絶縁層
の表面に粗化面が形成されている場合に、該粗化面に対
する追従性および密着性に優れる導体層を形成すること
ができる。また、この無電解めっき層上に電解めっき層
を形成した場合には、該電解めっき層は無電解めっき層
に比べて柔らかく、展性に富むため、ヒートサイクル時
に基板に反りが発生したとしても、層間樹脂絶縁層の寸
法変化に追従することができる。従って、無電解めっき
層と電解めっき層とからなる導体回路が形成された多層
プリント配線板は、接続信頼性に優れたものとなる。な
お、本発明の多層プリント配線板は、このような導体回
路上に接着性中間層が形成されているため、導体回路と
層間樹脂絶縁層との密着性に優れたものである。Further, it is desirable that the conductor circuit is a composite layer in which an electroless plating layer and an electrolytic plating layer are laminated in this order. This is because by forming the lower electroless plating layer, it is possible to form a conductor layer having excellent followability to the surface of the interlayer resin insulating layer, and particularly, a roughened surface is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer. In this case, it is possible to form a conductor layer having excellent followability and adhesion to the roughened surface. Further, when an electrolytic plating layer is formed on this electroless plating layer, the electrolytic plating layer is softer and more malleable than the electroless plating layer, so even if the substrate is warped during a heat cycle. Accordingly, it is possible to follow the dimensional change of the interlayer resin insulating layer. Therefore, the multilayer printed wiring board on which the conductor circuit including the electroless plating layer and the electrolytic plating layer is formed has excellent connection reliability. Note that the multilayer printed wiring board of the present invention has excellent adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer because the adhesive intermediate layer is formed on such a conductor circuit.

【００８１】また、上記導体回路は、その表面が粗化面
であることが望ましく、特に、最上層の導体回路の表面
は、粗化面であることが望ましい。最上層の導体回路の
表面が粗化面である場合、導体回路とソルダーレジスト
層との密着性がより強固なものとなるからである。ま
た、これ以外の導体回路の表面も粗化面であってもよ
い。導体回路と層間上記絶縁層との密着性が強固なもの
となるからである。The surface of the conductor circuit is desirably a roughened surface, and particularly, the surface of the uppermost conductor circuit is desirably a roughened surface. This is because, when the surface of the uppermost conductive circuit is a roughened surface, the adhesion between the conductive circuit and the solder resist layer becomes stronger. Further, the surface of the conductor circuit other than this may be a roughened surface. This is because the adhesion between the conductor circuit and the interlayer insulating layer becomes strong.

【００８２】上記粗化面の平均粗度は、０．０５〜５μ
ｍであることが望ましい。上記平均粗度が０．０５μｍ
未満では、導体回路の表面を粗化面にする効果をほとん
ど得ることができず、一方、５μｍを超えると、信号伝
達時の表皮効果に起因して、信号遅延や信号エラーが発
生するおそれがあるからである。勿論、導体回路の表面
は粗化面でなくてもよく、導体回路の表面を粗化面とす
るか否かは、接着性中間層の材料とソルダーレジスト層
の材質との組み合わせを考慮して適宜選択すればよい。The average roughness of the roughened surface is 0.05 to 5 μm.
m is desirable. The average roughness is 0.05 μm
If less than 5 μm, the effect of roughening the surface of the conductor circuit can hardly be obtained. On the other hand, if it exceeds 5 μm, signal delay or signal error may occur due to the skin effect during signal transmission. Because there is. Of course, the surface of the conductor circuit need not be a roughened surface, and whether or not the surface of the conductor circuit is a roughened surface is determined in consideration of a combination of the material of the adhesive intermediate layer and the material of the solder resist layer. What is necessary is just to select suitably.

【００８３】上記多層プリント配線板において、上記層
間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。上記バイアホールの材質として
は、上記導体回路の材質と同様のものが望ましい。ま
た、上記バイアホールは、フィールドビア構造であって
もよい。バイアホールをその上面が平坦なフィールドビ
ア構造にすることにより、バイアホールの直上に半田バ
ンプを設けたり、バイアホールを設けたりすることがで
きる。この場合には、信号伝送距離を短くすることがで
きるため、信号遅延や信号エラー等が発生しにくくな
る。In the multilayer printed wiring board, the connection between the conductor circuits with the interlayer resin insulating layer interposed therebetween is made by via holes. The material of the via hole is preferably the same as the material of the conductor circuit. Further, the via hole may have a field via structure. By forming the via hole with a field via structure having a flat upper surface, a solder bump or a via hole can be provided immediately above the via hole. In this case, since the signal transmission distance can be shortened, a signal delay, a signal error, and the like hardly occur.

【００８４】また、上記基板および上記層間樹脂絶縁層
を挟んだ導体回路間の接続は、スルーホールにより行わ
れていてもよい。上記基板および層間樹脂絶縁層を挟ん
だ導体回路間の接続をスルーホールにより行うことで、
信号伝送距離を短くすることができるため、信号遅延や
信号エラー等が発生しにくくなる。The connection between the substrate and the conductor circuit with the interlayer resin insulation layer interposed therebetween may be made by a through hole. By connecting the conductor circuit between the substrate and the interlayer resin insulation layer by through holes,
Since the signal transmission distance can be shortened, a signal delay, a signal error, and the like hardly occur.

【００８５】上記層間樹脂絶縁層としては、例えば、熱
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体（樹脂複合
体）等からなるものが挙げられる。また、これらの樹脂
はその一部に（メタ）アクリレート基を反応させた感光
性樹脂や、紫外線や赤外線を照射した際に、ラジカル反
応により硬化する樹脂であってもよい。また、上記層間
樹脂絶縁層の材料として、水酸基と反応可能な官能基を
有する樹脂を用いてもよい。このような樹脂を上記接着
性中間層を形成しておいた導体回路上に積層して層間樹
脂絶縁層を形成することにより、導体回路と層間樹脂絶
縁層との密着性が優れたものとなるからである。Examples of the interlayer resin insulating layer include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a composite thereof (resin composite), or the like. Further, these resins may be photosensitive resins having a part reacted with a (meth) acrylate group, or resins which are cured by a radical reaction when irradiated with ultraviolet rays or infrared rays. Further, as the material of the interlayer resin insulating layer, a resin having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group may be used. By laminating such a resin on the conductor circuit on which the adhesive intermediate layer has been formed to form an interlayer resin insulation layer, the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer becomes excellent. Because.

【００８６】上記熱硬化性樹脂の具体例としては、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これ
らの樹脂としては、ソルダーレジスト層に用いる樹脂と
同様の樹脂等が挙げられる。Specific examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyester resin, a bismaleimide resin, a polyolefin resin, and a polyphenylene ether resin. Examples of these resins include the same resins as those used for the solder resist layer.

【００８７】また、上記熱可塑性樹脂の具体例として
は、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリス
ルフォン等が挙げられる。また、これらの複合体（樹脂
複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含
むものであれば特に限定されず、その具体例としては、
例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。Further, specific examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone and the like. The composite (resin composite) is not particularly limited as long as it contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin, and specific examples thereof include:
For example, a resin composition for forming a roughened surface may be used.

【００８８】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくと
も１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性
樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から
選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性
の物質が分散されたもの等が挙げられる。なお、上記
「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。As the resin composition for forming a roughened surface, for example, an uncured heat-resistant resin matrix which is hardly soluble in a roughening solution comprising at least one selected from an acid, an alkali and an oxidizing agent is used. Examples thereof include those in which a substance soluble in a roughening liquid comprising at least one selected from an acid, an alkali, and an oxidizing agent is dispersed. Note that the terms "sparingly soluble" and "soluble" are referred to as "soluble" for convenience when a substance having a relatively high dissolution rate is immersed in the same roughening solution for the same time, and the relative dissolution rate is relatively low. The slower one is called "poorly soluble" for convenience.

【００８９】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂を用いることにより、層
間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用
開口を形成してもよい。As the heat-resistant resin matrix, those which can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using the roughening solution are preferable. , Thermoplastic resins, and composites thereof. Further, by using a photosensitive resin, an opening for a via hole may be formed in the interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes.

【００９０】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱
硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリ
ル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させ
る。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望まし
い。さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有す
るエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成す
ることができるばかりでなく、耐熱性等にも優れている
ため、ヒートサイクル条件下においても、導体回路に応
力の集中が発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層との間
で剥離が発生しにくい。The thermosetting resin includes, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyolefin resin, fluororesin and the like. When the thermosetting resin is photosensitized, the thermosetting group is subjected to a (meth) acrylation reaction using methacrylic acid, acrylic acid, or the like. Particularly, a (meth) acrylate of an epoxy resin is desirable. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. In addition to being able to form the above-described roughened surface, it is also excellent in heat resistance and the like, so that stress is not concentrated on the conductor circuit even under heat cycle conditions, and the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer Peeling hardly occurs between the substrate and the substrate.

【００９１】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.

【００９２】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ
エーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレン
スルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニ
ルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。Examples of the thermoplastic resin include polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【００９３】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であるこ
とが望ましい。The substance soluble in the roughening liquid comprising at least one selected from the above-mentioned acids, alkalis and oxidizing agents is selected from inorganic particles, resin particles, metal particles, rubber particles, liquid resin and liquid rubber. It is desirable that it is at least one kind.

【００９４】上記無機粒子としては、例えば、アルミニ
ウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグ
ネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これら
は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。Examples of the inorganic particles include aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds, and silicon compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

【００９５】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、
上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライ
ト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上併用してもよい。Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Calcium hydroxide and the like, as the potassium compound, for example, potassium carbonate and the like, as the magnesium compound, for example, magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate, talc and the like,
Examples of the silicon compound include silica and zeolite. These may be used alone or 2
More than one species may be used in combination.

【００９６】上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去す
ることができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去するこ
とができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイト
はアルカリ水溶液で溶解除去することができる。The alumina particles can be dissolved and removed with hydrofluoric acid, and calcium carbonate can be dissolved and removed with hydrochloric acid. Further, sodium-containing silica and dolomite can be dissolved and removed with an alkaline aqueous solution.

【００９７】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等挙げられる。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上併用してもよい。Examples of the resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin and the like. When the resin particles are immersed in a roughening liquid comprising at least one selected from acids, alkalis and oxidizing agents, There is no particular limitation as long as the dissolution rate is faster than the heat-resistant resin matrix,
Specifically, for example, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin, etc.), epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, bismaleimide-triazine resin and the like can be mentioned. . These may be used alone or in combination of two or more.

【００９８】なお、上記エポキシ樹脂は、酸や酸化剤に
溶解するものや、これらに難溶性のものを、オリゴマー
の種類や硬化剤を選択することにより任意に製造するこ
とができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸に非常に
よく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を
イミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム酸には
溶解しにくい。The epoxy resin can be arbitrarily produced by dissolving it in an acid or an oxidizing agent or hardly soluble in the same by selecting the type of oligomer and the curing agent. For example, a resin obtained by curing a bisphenol A-type epoxy resin with an amine-based curing agent is very soluble in chromic acid, but a resin obtained by curing a cresol novolac-type epoxy resin with an imidazole curing agent is not easily dissolved in chromic acid. .

【００９９】上記樹脂粒子は予め硬化処理されているこ
とが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が
樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。It is necessary that the resin particles have been previously cured. If not cured, the resin particles will dissolve in the solvent that dissolves the resin matrix, so they will be uniformly mixed, and it will not be possible to selectively dissolve and remove only the resin particles with an acid or oxidizing agent. is there.

【０１００】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、２種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。As the metal particles, for example, gold, silver,
Examples include copper, tin, zinc, stainless steel, aluminum, nickel, iron, lead, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. The metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.

【０１０１】上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロ
ニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポ
リイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フ
ッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂
等が挙げられる。Examples of the rubber particles include acrylonitrile-butadiene rubber, polychloroprene rubber, polyisoprene rubber, acrylic rubber, polysulfur-based rigid rubber, fluorine rubber, urethane rubber, silicone rubber, ABS resin and the like.

【０１０２】また、上記ゴム粒子として、例えば、ポリ
ブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メ
タ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエン
ゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニト
リル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。これ
らのゴム粒子を使用することにより、該ゴム粒子が酸あ
るいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて
ゴム粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解する
ことができ、酸化剤を用いてゴム粒子を溶解する際に
は、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解すること
ができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で
溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が層間樹
脂絶縁層表面に残留することがなく、後述するように、
粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際
に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたり
することがない。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上併用してもよい。As the rubber particles, for example, various modified polybutadiene rubbers such as polybutadiene rubber, epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group may be used. Can also. By using these rubber particles, the rubber particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the rubber particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the rubber particles using an oxidizing agent, permanganic acid having a relatively weak oxidizing power can be used. Can be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, no acid or oxidizing agent remains on the surface of the interlayer resin insulating layer, and as described later,
When a catalyst such as palladium chloride is applied after the formation of the roughened surface, no catalyst is applied or the catalyst is not oxidized. These may be used alone or in combination of two or more.

【０１０３】上記可溶性の物質を、２種以上混合して用
いる場合、混合する２種の可溶性の物質の組み合わせと
しては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望まし
い。両者とも導電性が低くいため、層間樹脂絶縁層の絶
縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との
間で熱膨張の調整が図りやすく、粗化面形成用樹脂組成
物からなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間
樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからで
ある。When two or more soluble substances are used as a mixture, the combination of the two soluble substances to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the interlayer resin insulation layer can be ensured, the thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and the interlayer resin made of the resin composition for forming a roughened surface can be easily obtained. This is because no crack occurs in the insulating layer, and no peeling occurs between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.

【０１０４】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。上記液
相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴ
ム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニ
トリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキ
シル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエ
ンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。As the liquid phase resin, an uncured solution of the thermosetting resin can be used. Specific examples of such a liquid phase resin include, for example, an uncured epoxy oligomer and an amine-based curing agent. And the like. Examples of the liquid phase rubber include the above-mentioned polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified and (meth) acrylonitrile-modified, and uncured solutions such as (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. Can be used.

【０１０５】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分
離するように）ように、これらの物質を選択する必要が
ある。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリック
スと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性
樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴ
ムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂また
は液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。When the photosensitive resin composition is prepared using the liquid phase resin or the liquid phase rubber, the heat-resistant resin matrix and the soluble substance are not uniformly dissolved (that is, the phases are separated). As such, these materials need to be selected. By mixing a heat-resistant resin matrix and a soluble substance selected according to the above criteria, a state in which "islands" of liquid-phase resin or liquid-phase rubber are dispersed in the "sea" of the heat-resistant resin matrix Alternatively, a photosensitive resin composition in which "islands" of a heat-resistant resin matrix are dispersed in a "sea" of a liquid phase resin or a liquid phase rubber can be prepared.

【０１０６】そして、このような状態の感光性樹脂組成
物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂また
は液相ゴムを除去することにより粗化面を形成すること
ができる。After the photosensitive resin composition in such a state is cured, the roughened surface can be formed by removing the "sea" or "island" liquid phase resin or liquid phase rubber. .

【０１０７】上記粗化液として用いる酸としては、例え
ば、リン酸、塩酸、硫酸、硝酸や、蟻酸、酢酸等の有機
酸等が挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いる
ことが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールか
ら露出する金属導体層を腐食させにくいからである。上
記酸化剤としては、例えば、クロム酸、クロム硫酸、ア
ルカリ性過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の
水溶液等を用いることが望ましい。また、上記アルカリ
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶
液が望ましい。Examples of the acid used as the roughening solution include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid. Of these, organic acids are preferably used. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. As the oxidizing agent, it is desirable to use, for example, an aqueous solution of chromic acid, chromic sulfuric acid, or an alkaline permanganate (such as potassium permanganate). As the alkali, an aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide or the like is desirable.

【０１０８】上記可溶性の物質の平均粒径は、１０μｍ
以下が望ましい。また、平均粒径が２μｍ以下の平均粒
径の相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな
微粒子とを組み合わせて使用してもよい。即ち、平均粒
径が０．１〜０．５μｍの可溶性の物質と平均粒径が１
〜２μｍの可溶性の物質とを組み合わせる等である。The average particle size of the soluble substance is 10 μm
The following is desirable. Further, coarse particles having a relatively large average particle diameter of 2 μm or less and fine particles having a relatively small average particle diameter may be used in combination. That is, a soluble substance having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and an average particle size of 1
Combination with a soluble substance of ２2 μm, and the like.

【０１０９】このように、平均粒子と相対的に大きな粗
粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせ
ることにより、無電解めっき膜の溶解残渣をなくし、め
っきレジスト下のパラジウム触媒量を少なくし、さら
に、浅くて複雑な粗化面を形成することができる。さら
に、複雑な粗化面を形成することにより、粗化面の凹凸
が小さくても実用的なピール強度を維持することができ
る。上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μ
ｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍ
であることが望ましい。As described above, the combination of the coarse particles having a relatively large average particle size and the fine particles having a relatively small average particle size eliminates the dissolution residue of the electroless plating film and reduces the amount of the palladium catalyst under the plating resist. In addition, a shallow and complicated roughened surface can be formed. Further, by forming a complicated roughened surface, a practical peel strength can be maintained even if the unevenness of the roughened surface is small. The coarse particles have an average particle size of more than 0.8 μm and 2.0 μm.
m, the fine particles have an average particle size of 0.1 to 0.8 μm
It is desirable that

【０１１０】上記粗粒子と微粒子とを組み合わせること
により、浅くて複雑な粗化面を形成することができるの
は、使用する粒子径が粗粒子で平均粒径２μｍ未満であ
ると、これらの粒子が溶解除去されても形成されるアン
カーは浅くなり、また、除去される粒子は、相対的に粒
子径の大きな粗粒子と相対的に粒子径の小さな微粒子の
混合粒子であるから、形成される粗化面が複雑になるの
である。このような複雑な粗化面を形成することによ
り、浅い粗化面でも実用的なピール強度を維持すること
ができる。By combining the above coarse particles and fine particles, it is possible to form a shallow and complicated roughened surface because the coarse particles used when the average particle diameter is less than 2 μm. The anchor formed even when dissolved is removed becomes shallow, and the particles to be removed are formed by the mixture of coarse particles having a relatively large particle diameter and fine particles having a relatively small particle diameter. The roughened surface becomes complicated. By forming such a complicated roughened surface, a practical peel strength can be maintained even with a shallow roughened surface.

【０１１１】また、この場合、使用する粒子径が、粗粒
子で平均粒径２μｍ未満であると、粗化が進行しすぎて
空隙を発生させることはなく、形成した層間樹脂絶縁層
は層間絶縁性に優れている。なお、上記層間面形成用樹
脂組成物において、可溶性の物質の粒径とは、可溶性の
物質の一番長い部分の長さである。In this case, if the particle diameter used is coarse and the average particle diameter is less than 2 μm, roughening does not proceed too much and no voids are generated. Excellent in nature. In the resin composition for forming an interlayer surface, the particle size of the soluble substance is the length of the longest portion of the soluble substance.

【０１１２】また、粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超
え２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜
０．８μｍであると、粗化面の深さは概ねＲｍａｘ＝３
μｍ程度となり、セミアディテイブ法では、無電解めっ
き膜をエッチング除去しやすいだけではなく、無電解め
っき膜下のＰｄ触媒をも簡単に除去することができ、ま
た、実用的なピール強度１．０〜１．３ｋｇ／ｃｍを維
持することができる。The coarse particles have an average particle size of more than 0.8 μm and less than 2.0 μm, and the fine particles have an average particle size of 0.1 to 0.1 μm.
When it is 0.8 μm, the depth of the roughened surface is approximately Rmax = 3
In the semi-additive method, not only the electroless plating film can be easily removed by etching, but also the Pd catalyst under the electroless plating film can be easily removed. 0 to 1.3 kg / cm can be maintained.

【０１１３】上記可溶性の物質の形状は特に限定され
ず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性の
物質の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一
な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるか
らである。The shape of the soluble substance is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape and a crushed shape. Further, the shape of the soluble substance is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.

【０１１４】上記粗化面形成用樹脂組成物は基板上等に
塗布することができるように有機溶剤を含有するもので
あってもよいし、基板上等に圧着することができるよう
にフィルム状に成形されたもの（以下、粗化面形成用樹
脂フィルムともいう）でもよい。上記粗化面形成用樹脂
組成物が有機溶剤を含有する場合、その含有量は、１０
重量％以下であることが望ましい。The above-mentioned resin composition for forming a roughened surface may contain an organic solvent so that it can be applied on a substrate or the like, or may be in the form of a film so that it can be pressed onto a substrate or the like. (Hereinafter, also referred to as a resin film for forming a roughened surface). When the resin composition for forming a roughened surface contains an organic solvent, the content is 10%.
It is desirable that the content be not more than weight%.

【０１１５】上記粗化面形成用樹脂フィルムにおいて、
上記可溶性の物質は、上記耐熱性樹脂マトリックス中に
ほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィ
ルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その
上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保すること
ができるからである。また、上記粗化面形成用樹脂フィ
ルムは、粗化面を形成する表層部だけに可溶性の物質を
含有するよう形成されていてもよい。それによって、粗
化面形成用樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤
にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した
導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。In the resin film for forming a roughened surface,
It is desirable that the soluble substance is substantially uniformly dispersed in the heat resistant resin matrix. It is possible to form a roughened surface with unevenness of uniform roughness, and even if via holes and through holes are formed in the resin film, it is possible to secure the adhesion of the metal layer of the conductor circuit formed thereon. Because you can. Further, the above-mentioned resin film for forming a roughened surface may be formed so as to contain a soluble substance only in a surface layer portion forming a roughened surface. Thereby, since the portions other than the surface layer portion of the roughened surface forming resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.

【０１１６】上記粗化面形成用樹脂フィルムにおいて、
難溶性樹脂中に分散している可溶性の物質の配合量は、
粗化面形成用樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が
望ましい。可溶性の物質の配合量が３重量％未満では、
所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場
合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用
いて可溶性の物質を溶解した際に、樹脂フィルムの深部
まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の
原因となる場合がある。In the above resin film for forming a roughened surface,
The amount of the soluble substance dispersed in the hardly soluble resin is
The content is preferably 3 to 40% by weight based on the resin film for forming a roughened surface. If the amount of the soluble substance is less than 3% by weight,
In some cases, a roughened surface having desired irregularities cannot be formed. If the amount exceeds 40% by weight, when a soluble substance is dissolved using an acid or an oxidizing agent, the substance is dissolved to a deep portion of the resin film. In addition, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.

【０１１７】上記粗化面形成用樹脂フィルムは、上記可
溶性の物質、上記耐熱性樹脂マトリックス以外に、硬化
剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上
記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、ア
ミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤の
エポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル
化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニル
ホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホス
フィン系化合物等が挙げられる。It is desirable that the resin film for forming a roughened surface contains a curing agent and other components in addition to the soluble substance and the heat-resistant resin matrix. Examples of the curing agent include imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and those obtained by microencapsulating these curing agents, triphenylphosphine, and tetraphenylphosphonate. Organic phosphine-based compounds such as ammonium tetraphenylborate.

【０１１８】上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂
フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望
ましい。０．０５重量％未満では、粗化面形成用樹脂フ
ィルムの硬化が不充分であるため、酸や酸化剤が粗化面
形成用樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、粗
化面形成用樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがあ
る。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が
樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招
いたりしてしまうことがある。The content of the curing agent is desirably 0.05 to 10% by weight based on the resin film for forming a roughened surface. If the content is less than 0.05% by weight, the degree of curing of the roughened surface forming resin film is insufficient, so that the degree of penetration of acid or oxidizing agent into the roughened surface forming resin film increases. The insulation of the film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.

【０１１９】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上等を図りプリント配線板の性
能を向上させることができる。Examples of the other components include fillers such as inorganic compounds or resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.

【０１２０】また、上記粗化面形成用樹脂フィルムは、
溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例え
ば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブア
セテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が
挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上
併用してもよい。Further, the resin film for forming a roughened surface is
A solvent may be contained. Examples of the solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, ethyl acetate, butyl acetate, and aromatic hydrocarbons such as cellosolve acetate, toluene, and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.

【０１２１】このような多層プリント配線板は、例え
ば、以下に説明する本発明の多層プリント配線板の製造
方法により製造することができる。Such a multilayer printed wiring board can be manufactured, for example, by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention described below.

【０１２２】次に、本発明の多層プリント配線板の製造
方法について説明する。第一の本発明の多層プリント配
線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層
とが順次積層され、最上層の導体回路上にソルダーレジ
スト層が積層された多層プリント配線板の製造方法であ
って、少なくとも下記（Ａ）〜（Ｄ）の工程を含むこと
を特徴とする。 （Ａ）上記層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路を形成
する導体回路形成工程、（Ｂ）上記工程で形成された最
上層の導体回路上の少なくとも一部に、オキサジン骨格
を有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する化
合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる
中間層を形成する中間層形成工程、（Ｃ）上記中間層に
加熱処理を施し、接着性中間層とする加熱処理工程、お
よび、（Ｄ）上記接着性中間層上にソルダーレジスト層
を形成するソルダーレジスト層形成工程。Next, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is laminated on the uppermost conductive circuit. A manufacturing method characterized by including at least the following steps (A) to (D). (A) a conductor circuit forming step of forming an uppermost conductive circuit on the interlayer resin insulating layer; (B) a compound having an oxazine skeleton in at least a part of the uppermost conductive circuit formed in the above step; And an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton; (C) a heat treatment step of performing a heat treatment on the intermediate layer to form an adhesive intermediate layer; And (D) a step of forming a solder resist layer on the adhesive intermediate layer.

【０１２３】第一の本発明の多層プリント配線板の製造
方法によれば、オキサジン骨格を有する化合物、およ
び、オキサゾール骨格を有する化合物からなる群より選
択される少なくとも一種からなる中間層を最上層の導体
回路上に形成した後、該中間層に加熱処理を施して、接
着性中間層とするため、導体回路と接着性中間層とを該
接着性中間層が分子内に有する酸素原子や窒素原子を介
して化学的に結合させることができ、両者を強固に接着
することができる。また、この接着性中間層の上にソル
ダーレジスト層を形成させるため、両者は、酸素原子等
を介して、または、樹脂同士の親和性により強固に接着
する。従って、接着性中間層を介して、導体回路とソル
ダーレジスト層とが強固に接着した多層プリント配線板
を製造することができる。According to the first method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, an intermediate layer comprising at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton is used as the uppermost layer. After being formed on the conductive circuit, the intermediate layer is subjected to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer. Therefore, the conductive circuit and the adhesive intermediate layer are formed by oxygen atoms or nitrogen atoms contained in the molecule of the adhesive intermediate layer. Can be chemically bonded to each other, and both can be firmly bonded. In addition, in order to form a solder resist layer on the adhesive intermediate layer, the two adhere firmly via an oxygen atom or the like or by affinity between resins. Therefore, it is possible to manufacture a multilayer printed wiring board in which the conductor circuit and the solder resist layer are firmly bonded via the adhesive intermediate layer.

【０１２４】上記オキサジン骨格を有する化合物として
は、ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベンゾ−
１，２−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−オキサ
ジン、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、および、
これらの誘導体が望ましく、上記オキサゾール骨格を有
する化合物としては、ベンゾオキサゾールおよびその誘
導体が望ましい。Examples of the compound having an oxazine skeleton include benzo-1,4-oxazine and 5,6-benzo-
1,2-oxazine, 4,5-benzo-1,3-oxazine, 5,6-benzo-1,3-oxazine, and
These derivatives are desirable, and as the compound having the oxazole skeleton, benzoxazole and its derivatives are desirable.

【０１２５】以下に、第一の本発明の多層プリント配線
板の製造方法について、工程順に説明する。 （１）第一の本発明の製造方法においては、まず、絶縁
性基板の表面に導体回路が形成された基板を作製する。
このとき、必要に応じて、絶縁性基板に貫通孔を設けて
もよい。この場合、貫通孔は直径１００〜３００μｍの
ドリル、レーザ光等を用いて形成することが望ましい。The first method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described below in the order of steps. (1) In the first manufacturing method of the present invention, first, a substrate having a conductive circuit formed on a surface of an insulating substrate is prepared.
At this time, if necessary, a through-hole may be provided in the insulating substrate. In this case, the through-hole is desirably formed using a drill having a diameter of 100 to 300 μm, a laser beam, or the like.

【０１２６】（２）次に、無電解めっきを施した後、基
板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エ
ッチングを行うことにより導体回路を形成する。無電解
めっきとしては銅めっきが望ましい。また、絶縁性基板
に貫通孔を設けた場合には、該貫通孔の壁面にも同時に
無電解めっきを施してスルーホールを形成することによ
り、基板の両面の導体回路間を電気的に接続してもよ
い。この場合には、層間樹脂絶縁層を形成する前に、ス
ルホール内を樹脂や導体ペーストで充填する必要があ
る。(2) Next, after performing electroless plating, a conductive circuit-shaped etching resist is formed on the substrate, and the conductive circuit is formed by performing etching. Copper plating is desirable as the electroless plating. Also, when a through hole is provided in the insulating substrate, by simultaneously applying electroless plating to the wall surface of the through hole to form a through hole, the conductor circuits on both surfaces of the substrate are electrically connected. You may. In this case, it is necessary to fill the through holes with resin or conductive paste before forming the interlayer resin insulating layer.

【０１２７】さらに、この無電解めっきの後、無電解め
っき層表面とスルーホールを形成した場合にはスルーホ
ール内壁との粗化形成処理を施し、導体回路表面を粗化
面とすることが望ましい。上記粗化形成処理方法として
は、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅
錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ
針状合金めっきによる処理等が挙げられる。Further, after the electroless plating, when the surface of the electroless plating layer and the through-hole are formed, it is preferable to perform a roughening process on the inner wall of the through-hole to make the surface of the conductor circuit a roughened surface. . Examples of the roughening forming treatment method include blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, Cu-Ni-P
Processing by needle-like alloy plating and the like can be mentioned.

【０１２８】上記黒化（酸化）−還元処理の具体的な方
法としては、ＮａＯＨ（１０〜２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌ
Ｏ2 （４０〜５０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６〜１５ｇ
／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処
理、および、ＮａＯＨ（２．７〜１０ｇ／ｌ）、ＮａＢ
Ｈ4 （１．０〜６．０ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行う方法等が挙げられる。As a specific method of the blackening (oxidation) -reduction treatment, NaOH (10 to 20 g / l), NaCl
O 2 (40 to 50 g / l), Na 3 PO 4 (6 to 15 g
/ L), a blackening treatment using an aqueous solution containing (Na) (2.7 to 10 g / l), NaB
A method of performing a reduction treatment using an aqueous solution containing H 4 (1.0 to 6.0 g / l) as a reduction bath is exemplified.

【０１２９】上記エッチング処理に用いるエッチング液
としては、有機酸と第二銅錯体との混合溶液が望まし
い。上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロ
トン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、
マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ
酸、スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記エッチン
グ液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重
量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ
触媒安定性を確保することができるからである。As an etchant used for the above etching treatment, a mixed solution of an organic acid and a cupric complex is desirable. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid,
Maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, sulfamic acid and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. In the etching solution, the content of the organic acid is desirably 0.1 to 30% by weight. This is because the solubility of the oxidized copper can be maintained and the stability of the catalyst can be ensured.

【０１３０】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾール等が挙げられる。これらのなかでも、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望まし
い。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有
量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性
に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶
解させることができるからである。As the cupric complex, a cupric complex of an azole is preferable. This cupric complex of azoles is
It acts as an oxidizing agent that oxidizes metallic copper and the like. Examples of the azoles include diazole, triazole, tetrazole and the like. Among these, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-undecylimidazole are desirable. In the etching solution, the content of the cupric complex is desirably 1 to 15% by weight. This is because it is excellent in solubility and stability, and can also dissolve noble metals such as Pd constituting the catalyst core.

【０１３１】上記めっき処理としては、例えば、硫酸銅
（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ
／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナ
トリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０
ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフ
ィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ
＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施し、Ｃｕ−
Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成する方法等が挙げら
れる。この範囲で析出するめっき被膜の結晶構造は、針
状構造となるため、アンカー効果に優れるからである。
上記無電解めっき浴には、上記化合物を加えて錯化剤や
添加剤を加えてもよい。As the plating treatment, for example, copper sulfate (1 to 40 g / l), nickel sulfate (0.1 to 6.0 g / l)
/ L), citric acid (10-20 g / l), sodium hypophosphite (10-100 g / l), boric acid (10-40 g / l)
g / l) and a surfactant (Surfynol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.01 to 10 g / l).
= 9 in the electroless plating bath, Cu-
A method of forming a roughened layer made of a Ni-P alloy is exemplified. This is because the crystal structure of the plating film deposited in this range has a needle-like structure, and thus has an excellent anchor effect.
The above-mentioned compound may be added to the electroless plating bath to add a complexing agent or an additive.

【０１３２】上記粗化面を形成する場合、その平均粗度
は、０．０５〜５μｍが望ましい。上記平均粗度が０．
０５μｍ未満では、導体回路の表面に粗化面を形成する
効果がほとんど得られず、一方、５μｍを超えると、製
造した多層プリント配線板において、信号伝達時の表皮
効果に起因して、信号遅延や信号エラーが発生するおそ
れがある。従って、上記範囲の粗化面を形成することが
できるように、粗化形成処理条件を選択する。このよう
な粗化面の形成は必要に応じて行えばよく、導体回路の
表面を粗化面にすることなく、次の工程を行ってもよ
い。また、この導体回路上に、接着性中間層を形成して
もよい。なお、この接着性中間層を形成する方法として
は、後述する最上層の導体回路上に接着性中間層を形成
する方法と同様の方法等を用いればよい。When the above roughened surface is formed, the average roughness is desirably 0.05 to 5 μm. The average roughness is 0.
When the thickness is less than 05 μm, the effect of forming a roughened surface on the surface of the conductor circuit is hardly obtained. And signal errors may occur. Therefore, the roughening treatment conditions are selected so that a roughened surface in the above range can be formed. Such a roughened surface may be formed as needed, and the next step may be performed without making the surface of the conductor circuit a roughened surface. Further, an adhesive intermediate layer may be formed on the conductor circuit. As a method for forming the adhesive intermediate layer, a method similar to the method for forming the adhesive intermediate layer on the uppermost conductive circuit described later may be used.

【０１３３】（３）次に、導体回路上に、熱硬化性樹脂
や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂絶縁層を形成する
か、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂をロールコー
ター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよ
く、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着し
て形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片
面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付し
てもよい。また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィ
ルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形
成することが望ましい。なお、上記未硬化の樹脂絶縁層
等を形成する前に、基板上の導体回路非形成部に樹脂を
充填した後、研磨処理を行い、導体回路形成面を平坦化
してもよい。この場合には、導体回路の上面に、上記
（２）の工程で用いた粗化形成処理方法と同様の方法等
を用いて、粗化面を形成することが望ましい。(3) Next, an uncured resin insulating layer made of a thermosetting resin or a resin composite is formed on the conductor circuit, or a resin layer made of a thermoplastic resin is formed.
The uncured resin insulating layer may be formed by applying uncured resin by using a roll coater, a curtain coater, or the like, or may be formed by thermocompression bonding an uncured (semi-cured) resin film. Good. Further, a resin film in which a metal layer such as a copper foil is formed on one surface of an uncured resin film may be attached. The resin layer made of a thermoplastic resin is desirably formed by thermocompression bonding a resin molded body formed into a film. Before the formation of the uncured resin insulating layer or the like, a portion where the conductor circuit is not formed on the substrate may be filled with resin, and then a polishing process may be performed to flatten the surface on which the conductor circuit is formed. In this case, it is desirable to form a roughened surface on the upper surface of the conductor circuit by using a method similar to the roughening forming method used in the above step (2).

【０１３４】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施し、熱硬化させる。樹脂
加熱処理は段階的に行うことが望ましく、一旦、半硬化
状態にした後、さらに、加熱処理を施して本硬化するこ
とが望ましい。この場合、本硬化は、後述するバイアホ
ール用開口および貫通孔を形成した後に行ってもよい。In the case of applying the uncured resin, after applying the resin, a heat treatment is performed and the resin is thermally cured. It is desirable that the resin heat treatment be performed stepwise, and it is desirable that the resin be once in a semi-cured state and then subjected to a heat treatment to be fully cured. In this case, the main curing may be performed after forming a via hole opening and a through hole described later.

【０１３５】また、上記樹脂フィルムを貼り付けること
により層間樹脂絶縁層を形成する場合、該層間樹脂絶縁
層の形成は、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下
または真空下において、０．２〜１ＭＰａの圧力、６０
〜１２０℃の温度で圧着し、その後、樹脂フィルムを熱
硬化することにより行うことが望ましい。また、例え
ば、５０〜２００℃まで連続的に昇温しながら、圧着と
ともに熱硬化を行ってもよい。なお、上記熱硬化は、後
述するバイアホール用開口および貫通孔を形成した後に
行ってもよい。When an interlayer resin insulating layer is formed by attaching the above resin film, the interlayer resin insulating layer is formed using a device such as a vacuum laminator under a reduced pressure or a vacuum. 1MPa pressure, 60
It is preferable to perform pressure bonding at a temperature of about 120 ° C., and then heat-harden the resin film. Further, for example, the thermosetting may be performed together with the pressure bonding while continuously raising the temperature to 50 to 200 ° C. The heat curing may be performed after forming a via hole opening and a through hole described later.

【０１３６】また、フィルム状に成形した熱可塑性樹脂
を熱圧着して導体回路上に張り付ける場合は、真空ラミ
ネーター等の装置を用い、減圧下または真空下におい
て、０．５〜２ＭＰａの圧力、８０〜１６０℃の温度で
熱圧着することが望ましい。When a thermoplastic resin formed into a film is bonded by thermocompression bonding to a conductor circuit, a device such as a vacuum laminator may be used to reduce the pressure to 0.5 to 2 MPa under reduced pressure or vacuum. It is desirable to perform thermocompression bonding at a temperature of 80 to 160 ° C.

【０１３７】（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合に
は、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バ
イアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。ま
た、この工程では、必要に応じて、貫通孔を形成しても
よい。上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形
成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処
理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。ま
た、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成する場合
には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール
用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処
理は、上記硬化処理前に行う。(4) Next, when forming an interlayer resin insulating layer using a thermosetting resin or a resin composite as the material, an uncured resin insulating layer is subjected to a curing treatment and a via hole is formed. An opening is formed to form an interlayer resin insulation layer. In this step, a through-hole may be formed as necessary. The via hole opening is desirably formed by laser processing. The laser processing may be performed before the curing processing or may be performed after the curing processing. In the case of forming an interlayer resin insulating layer made of a photosensitive resin, an opening for a via hole may be provided by performing exposure and development processes. In this case, the exposure and development processes are performed before the above-described curing process.

【０１３８】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。When an interlayer resin insulating layer using a thermoplastic resin as the material is formed, a via hole opening is formed in the resin layer made of the thermoplastic resin by laser processing to form an interlayer resin insulating layer. be able to.

【０１３９】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、Ｙ
ＡＧレーザ等が挙げられる。これらのレーザは、形成す
るバイアホール用開口や貫通孔の形状等を考慮して使い
分けてもよい。At this time, as a laser to be used, for example, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, a UV laser,
An AG laser and the like can be mentioned. These lasers may be selectively used in consideration of the shape of a via hole opening or a through hole to be formed.

【０１４０】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。When the via hole opening is formed,
By irradiating laser light with a hologram excimer laser through a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. Further, when the via hole opening is formed using a short-pulse carbon dioxide laser, the amount of resin remaining in the opening is small, and the damage to the resin at the periphery of the opening is small.

【０１４１】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口を形成することができる。光学系レンズとマス
クとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度
が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することが
できるからである。By irradiating a laser beam through an optical lens and a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. This is because a plurality of portions can be simultaneously irradiated with laser light having the same intensity and the same irradiation angle through the optical lens and the mask.

【０１４２】上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ
光のスポット形状を真円にするために、真円であること
が望ましく、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が
望ましい。また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そ
のパルス間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。The through hole formed in the mask is desirably a perfect circle in order to make the spot shape of the laser beam a perfect circle, and the diameter of the through hole is desirably about 0.1 to 2 mm. When the carbon dioxide laser is used, the pulse interval is desirably 10 −4 to 10 −8 seconds. The time for irradiating the laser for forming the opening is preferably 10 to 500 μsec.

【０１４３】レーザ光にてバイアホール用開口を形成し
た場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミ
ア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、ク
ロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使
用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4
と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよ
い。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射するこ
とにより、表面改質することもできる。When the opening for the via hole is formed by laser light, and particularly when a carbon dioxide laser is used, desmearing is preferably performed. The desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid and permanganate. In addition, oxygen plasma, CF 4
It may be treated by a mixed plasma of oxygen and oxygen, corona discharge, or the like. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp.

【０１４４】上記層間樹脂絶縁層の厚さとしては特に限
定されないが、５〜５０μｍが望ましい。上記厚さが５
μｍ未満であると、上下に隣合う導体回路間の絶縁性が
維持できない場合があり、一方、５０μｍを超えると、
非貫通孔等を形成した際に、その底部に樹脂残りが発生
したり、その非貫通孔等の形状が底部に向かって先細り
形状になることがある。Although the thickness of the interlayer resin insulating layer is not particularly limited, it is preferably 5 to 50 μm. The thickness is 5
If it is less than μm, insulation between the vertically adjacent conductor circuits may not be maintained, while if it exceeds 50 μm,
When a non-through hole or the like is formed, resin residue may be generated at the bottom thereof, or the shape of the non-through hole or the like may be tapered toward the bottom.

【０１４５】また、層間樹脂絶縁層を形成した基板に、
貫通孔を形成する場合には、直径５０〜３００μｍのド
リル、レーザ光等を用いて貫通孔を形成する。上記貫通
孔を形成した場合、後述する工程において、貫通孔の内
壁面に導体層を形成することにより、スルーホールとす
ることができ、該スルーホールを形成することにより、
上記基板および上記層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
を電気的に接続することができる。Further, the substrate on which the interlayer resin insulating layer is formed,
When forming a through hole, the through hole is formed using a drill having a diameter of 50 to 300 μm, laser light, or the like. When the through-hole is formed, in a step described later, by forming a conductor layer on the inner wall surface of the through-hole, the through-hole can be formed, and by forming the through-hole,
Conductive circuits can be electrically connected via the substrate and the interlayer resin insulating layer.

【０１４６】（５）次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成し
た場合には貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。上記酸としては、硫
酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化
剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナト
リウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。また、上記
粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよ
い。(5) Next, the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall of the opening for the via hole and the inner wall of the through hole when the through hole is formed in the above step, may be acid or oxidized as necessary. A roughened surface is formed using an agent. Examples of the acid include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, and formic acid. Examples of the oxidizing agent include chromic acid, chromic sulfuric acid, and permanganates such as sodium permanganate. Further, the formation of the roughened surface may be performed by using a plasma treatment or the like.

【０１４７】具体的には、層間樹脂絶縁層を粗化面形成
用樹脂組成物等を用いて形成した場合には、酸や酸化剤
を用いて粗化面を形成することが望ましく、ポリオレフ
ィン系樹脂等を用いて形成した場合には、プラズマ処理
等を用いて粗化面を形成することが望ましい。Specifically, when the interlayer resin insulating layer is formed using a resin composition for forming a roughened surface, it is desirable to form the roughened surface using an acid or an oxidizing agent. When formed using a resin or the like, it is desirable to form a roughened surface using a plasma treatment or the like.

【０１４８】この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に
形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成する
ものであり、上記層間樹脂絶縁層と上記薄膜導体層との
間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。The roughened surface is formed to enhance the adhesion between the interlayer resin insulating layer and the thin film conductor layer formed thereon, and is formed between the interlayer resin insulating layer and the thin film conductor layer. If there is sufficient adhesion, it may not be formed.

【０１４９】その後、酸を用いて粗化面を形成した場合
はアルカリ等の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を
形成した場合は中和液を用いて、バイアホール用開口内
や貫通孔内を中和する。この操作により酸や酸化剤を除
去し、次工程に影響を与えないようにする。Thereafter, when the roughened surface is formed by using an acid, an aqueous solution of an alkali or the like is used, and when the roughened surface is formed by using an oxidizing agent, a neutralizing solution is used. Neutralizes the inside of the through hole. By this operation, the acid and the oxidizing agent are removed so that the next step is not affected.

【０１５０】（６）次に、形成された粗化面に、必要に
より、触媒を付与する。上記触媒としては、例えば、塩
化パラジウム等が挙げられる。このとき、触媒を確実に
付与するために、酸素、窒素等のプラズマ処理やコロナ
処理等のドライ処理を施すことにより、酸または酸化剤
の残渣を除去するとともに層間樹脂絶縁層の表面を改質
することにより、触媒を確実に付与し、無電解めっき時
の金属の析出、および、無電解めっき層の層間樹脂絶縁
層への密着性を向上させることができ、特に、バイアホ
ール用開口の底面において、大きな効果が得られる。(6) Next, a catalyst is applied to the formed roughened surface, if necessary. Examples of the catalyst include palladium chloride. At this time, in order to reliably apply the catalyst, a dry treatment such as a plasma treatment with oxygen, nitrogen or the like or a corona treatment is performed to remove a residue of an acid or an oxidizing agent and to modify the surface of the interlayer resin insulating layer. By doing so, the catalyst can be reliably applied, the metal can be deposited during electroless plating, and the adhesion of the electroless plating layer to the interlayer resin insulating layer can be improved. In particular, the bottom surface of the via hole opening can be improved. In the above, a great effect can be obtained.

【０１５１】（７）ついで、バイアホール用開口の内壁
面を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要により、薄膜導
体層を形成する。上記薄膜導体層は、無電解めっき、ス
パッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することがで
きる。また、上記層間樹脂絶縁層に粗化面を形成しなか
った場合は、上記薄膜導体層をスパッタリングにより形
成することが望ましい。(7) Next, a thin film conductor layer is formed on the surface of the interlayer resin insulation layer including the inner wall surface of the via hole opening, if necessary. The thin film conductor layer can be formed using a method such as electroless plating, sputtering, or vapor deposition. When the roughened surface is not formed on the interlayer resin insulating layer, the thin film conductor layer is preferably formed by sputtering.

【０１５２】上記薄膜導体層の形成方法は、層間樹脂絶
縁層の材質に応じて選択することが望ましい。具体的に
は、粗化面形成用樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層に
薄膜導体層を形成する場合は、無電解めっきにより形成
することが望ましく、その厚さは０．６〜１．２μｍが
望ましい。また、ポリオレフィン系樹脂等の低誘電樹脂
フィルムからなる層間樹脂絶縁層に薄膜導体層を形成す
る場合は、スパッタリングや蒸着により形成することが
望ましく、その厚さは０．１〜１．０μｍが望ましい。
また、このとき形成する薄膜導体層は、ニッケルと銅と
の二層からなるものが望ましい。また、スパッタリング
等により形成した薄膜導体層の上に無電解めっきからな
る層を形成してもよい。The method of forming the thin film conductor layer is desirably selected according to the material of the interlayer resin insulation layer. Specifically, when the thin film conductor layer is formed on the interlayer resin insulating layer made of the resin composition for forming a roughened surface, it is preferable to form the thin film conductor layer by electroless plating, and the thickness is 0.6 to 1.2 μm. Is desirable. When a thin film conductor layer is formed on an interlayer resin insulating layer made of a low dielectric resin film such as a polyolefin resin, it is preferable to form the thin film conductor layer by sputtering or vapor deposition, and the thickness is preferably 0.1 to 1.0 μm. .
Further, the thin film conductor layer formed at this time is preferably composed of two layers of nickel and copper. Further, a layer made of electroless plating may be formed on the thin film conductor layer formed by sputtering or the like.

【０１５３】また、上記（４）の工程で貫通孔を形成し
た場合は、この工程で貫通孔の内壁面にも金属からなる
薄膜導体層を形成することにより、スルーホールとして
もよい。When a through hole is formed in the step (4), a through-hole may be formed by forming a thin film conductor layer made of metal on the inner wall surface of the through hole in this step.

【０１５４】上記スルーホールを形成した場合には、以
下のような処理工程を行うことが望ましい。即ち、無電
解めっき層表面とスルーホール内壁とを黒化（酸化）−
還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプ
レー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等
を用いて粗化形成処理を行う。この後、さらに、樹脂充
填剤等を用いてスルーホール内を充填し、ついで、樹脂
充填剤の表層部と無電解めっき層表面とをバフ研磨等の
研磨処理方法を用いて、平坦化する。さらに、無電解め
っきを行い、既に形成した金属からなる薄膜導体層と樹
脂充填剤の表層部とに無電解めっき層を形成することに
より、スルーホールの上に蓋めっき層を形成する。When the through holes are formed, it is desirable to perform the following processing steps. That is, the surface of the electroless plating layer and the inner wall of the through hole are blackened (oxidized).
A roughening process is performed by using a reduction process, a spray process using a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, a process using Cu-Ni-P needle-like alloy plating, or the like. Thereafter, the inside of the through-hole is further filled with a resin filler or the like, and then the surface layer of the resin filler and the surface of the electroless plating layer are flattened by a polishing treatment method such as buffing. Further, by performing electroless plating and forming an electroless plating layer on the thin film conductor layer made of a metal already formed and the surface layer of the resin filler, a cover plating layer is formed on the through hole.

【０１５５】（８）次に、上記層間樹脂絶縁層上の一部
にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、そ
の後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電気めっき
を行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を
形成する。このとき、バイアホール用開口を電気めっき
で充填してフィールドビア構造としてもよく、バイアホ
ール用開口に導電性ペースト等を充填した後、その上に
蓋めっき層を形成してフィールドビア構造としてもよ
い。(8) Next, a plating resist is formed on a part of the interlayer resin insulating layer using a dry film, and thereafter, electroplating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead, and the plating resist is not formed. An electroplating layer is formed on the part. At this time, the via hole opening may be filled with electroplating to form a field via structure, and after filling the via hole opening with a conductive paste or the like, a lid plating layer may be formed thereon to form a field via structure. Good.

【０１５６】（９）電気めっき層を形成した後、めっき
レジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた
金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独
立した導体回路とする。エッチング液としては、例え
ば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過
硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、
塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫
酸等が挙げられる。また、前述した第二銅錯体と有機酸
とを含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッ
チングと同時に粗化面を形成してもよい。さらに、必要
により、酸または酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層上に触
媒を除去してもよい。触媒を除去することにより、触媒
に用いたパラジウム等の金属がなくなるため、電気特性
の低下を防止することができる。(9) After forming the electroplating layer, the plating resist is peeled off, and the thin film conductor layer made of metal existing under the plating resist is removed by etching to form an independent conductor circuit. Examples of the etchant include a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, ammonium persulfate, sodium persulfate, a persulfate aqueous solution such as potassium persulfate,
An aqueous solution of ferric chloride and cupric chloride, hydrochloric acid, nitric acid, hot dilute sulfuric acid and the like can be mentioned. Alternatively, a roughened surface may be formed simultaneously with etching between conductor circuits using an etching solution containing the above-described cupric complex and an organic acid. Further, if necessary, the catalyst may be removed from the interlayer resin insulating layer using an acid or an oxidizing agent. By removing the catalyst, the metal such as palladium used for the catalyst disappears, so that a decrease in electric characteristics can be prevented.

【０１５７】（１０）この後、上記（３）〜（９）の工
程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の
導体回路が積層された基板を作製する。(10) Thereafter, the above steps (3) to (9) are repeated to produce a substrate in which the uppermost conductive circuit is laminated on the interlayer resin insulating layer.

【０１５８】（１１）次に、最上層の導体回路が形成さ
れた基板を、上記中間層形成用化合物の溶液中に浸漬す
ることにより、最上層の導体回路表面に中間層を形成す
る。上記溶液において、上記中間層形成用化合物の濃度
は、０．１〜１０重量％が望ましい。また、上記溶液の
ｐＨは、１．５〜１３であることが望ましい。上記ｐＨ
が１．５未満であったり、１３を超える場合には，上記
中間層形成用化合物が分解することがあるからである。(11) Next, the substrate on which the uppermost conductive circuit is formed is immersed in a solution of the above-mentioned compound for forming an intermediate layer to form an intermediate layer on the surface of the uppermost conductive circuit. In the above solution, the concentration of the compound for forming an intermediate layer is desirably 0.1 to 10% by weight. Further, the pH of the solution is desirably 1.5 to 13. Above pH
Is less than 1.5 or more than 13, the intermediate layer forming compound may be decomposed.

【０１５９】上記溶液中に基板を浸漬する際には、溶液
の液温度は２５℃〜８０℃が望ましく、また、浸漬時間
は、１〜２０分が望ましい。また、上記溶液に浸漬した
基板は、縦または横方向に振動させてもよいし、振動さ
せなくてもよい。上記（１１）の工程、即ち、中間層形
成工程を経ることにより、最上層の導体回路上の少なく
とも一部に中間層を形成することができる。When the substrate is immersed in the above solution, the liquid temperature of the solution is desirably 25 ° C. to 80 ° C., and the immersion time is desirably 1 to 20 minutes. Further, the substrate immersed in the above solution may or may not be vibrated vertically or horizontally. Through the step (11), that is, the intermediate layer forming step, the intermediate layer can be formed on at least a part of the uppermost conductive circuit.

【０１６０】なお、上記導体回路上に中間層を形成する
ために基板を溶液中に浸漬する前には、最上層の導体回
路表面や、導体回路間の層間樹脂絶縁層表面に付着した
異物や汚れを除去しておくことが望ましい。導体回路表
面に異物等が残留している場合、中間層形成用化合物を
用いて接着性中間層を形成する際に、接着性中間層と導
体回路の結合を阻害することがあるからである。Before the substrate is immersed in the solution to form an intermediate layer on the conductor circuit, foreign substances or foreign substances adhering to the surface of the uppermost conductor circuit or the surface of the interlayer resin insulation layer between the conductor circuits must be removed. It is desirable to remove dirt. This is because, when a foreign substance or the like remains on the surface of the conductive circuit, the bonding between the adhesive intermediate layer and the conductive circuit may be hindered when the adhesive intermediate layer is formed using the compound for forming an intermediate layer.

【０１６１】上記異物等の除去は、酸性脱脂液やアルカ
リ脱脂液、この両者を含む脱脂液を用いて行うことがで
きる。また、アセトンやベンゼン等の有機溶媒を用いて
おこなっても良い。上記脱脂液を用いて、異物等の除去
を行う際には、液温度２０〜６０℃の脱脂液中に１〜５
分間浸漬させることが望ましい。なお、この場合には、
脱脂液から取り出した後、低濃度の中和液（アルカリ脱
脂液を用いた場合には、硫酸等の酸溶液）浸漬し、脱脂
液を完全に除去することが望ましい。また、上記有機溶
媒を用いて、異物等の除去を行う際には、常温の有機溶
媒中に浸漬することが望ましい。The removal of the foreign substances and the like can be performed using an acidic degreasing solution or an alkaline degreasing solution, or a degreasing solution containing both of them. Alternatively, the treatment may be performed using an organic solvent such as acetone or benzene. When removing foreign matter or the like using the above degreasing solution, 1 to 5
It is desirable to soak for minutes. In this case,
After being taken out of the degreasing solution, it is desirable to immerse the solution in a low-concentration neutralizing solution (or an acid solution such as sulfuric acid when using an alkali degreasing solution) to completely remove the degreasing solution. In addition, when removing foreign substances and the like using the above organic solvent, it is desirable to immerse the organic solvent in a normal temperature organic solvent.

【０１６２】（１２）次に、上記導体回路上に中間層を
形成した基板に加熱処理を施す。上記加熱処理の温度と
しては、１２０〜１９０℃が望ましい。加熱処理温度が
１２０℃未満では、中間層形成用化合物の重合反応が充
分に進行せず、接着性中間層を形成することができない
部分ができてしまうことがあり、一方、１９０℃を超え
ると、中間層形成用化合物が分解してしまい、接着性中
間層を形成することができないことがある上記（１２）
の工程、即ち、加熱処理工程を経ることにより、接着性
中間層を形成することができる。(12) Next, a heat treatment is performed on the substrate having the intermediate layer formed on the conductor circuit. The temperature of the heat treatment is preferably from 120 to 190C. When the heat treatment temperature is lower than 120 ° C., the polymerization reaction of the intermediate layer forming compound does not sufficiently proceed, and a portion where the adhesive intermediate layer cannot be formed may be formed. On the other hand, when the temperature exceeds 190 ° C. In some cases, the intermediate layer-forming compound is decomposed and an adhesive intermediate layer cannot be formed (12).
, That is, through the heat treatment step, an adhesive intermediate layer can be formed.

【０１６３】また、上記ソルダーレジスト層の材料が、
接着性中間層が有する水酸基と化学的に結合する官能基
を有さない樹脂である場合、該樹脂に、前処理を施すこ
とが望ましい。具体的には、例えば、ポリオレフィン系
樹脂を材料に選択した場合には、Ｏ2 プラズマやＮ2 プ
ラズマ等のプラズマ処理やコロナ処理等の前処理を施す
ことにより、水酸基との反応が可能な官能基を付与する
ことができる。但し、接着性中間層との親和性の高い樹
脂であれば、そのまま用いた場合であっても、最上層の
導体回路に直接、上記樹脂を張り付けた場合と比べて、
導体回路との密着性に優れる。The material of the solder resist layer is
When the resin does not have a functional group that chemically bonds to the hydroxyl group of the adhesive intermediate layer, it is desirable to perform a pretreatment on the resin. Specifically, for example, when a polyolefin-based resin is selected as a material, a functional group capable of reacting with a hydroxyl group is obtained by performing a pretreatment such as a plasma treatment such as O 2 plasma or N 2 plasma or a corona treatment. Groups can be added. However, if the resin has a high affinity for the adhesive intermediate layer, even if it is used as it is, compared to the case where the above resin is directly attached to the uppermost conductive circuit,
Excellent adhesion to conductor circuits.

【０１６４】（１３）次に、最上層の導体回路を含む基
板面上にソルダーレジスト組成物の層を形成する。上記
ソルダーレジスト組成物として熱硬化性樹脂を用いる場
合には、未硬化の樹脂をロールコータ、カーテンコータ
ー等により塗布して形成してもよく、また、未硬化（半
硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さ
らには、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層
が形成された樹脂フィルムを貼付して形成してもよい。(13) Next, a layer of a solder resist composition is formed on the substrate surface including the uppermost conductive circuit. When a thermosetting resin is used as the solder resist composition, an uncured resin may be applied by using a roll coater, a curtain coater, or the like, or an uncured (semi-cured) resin film may be heated. It may be formed by pressing. Further, a resin film in which a metal layer such as a copper foil is formed on one surface of an uncured resin film may be attached.

【０１６５】未硬化の樹脂を塗布した場合、未硬化の樹
脂層を形成した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施
すことにより、未硬化のソルダーレジスト組成物の層
と、接着性中間層とを化学的に結合させることができる
とともに、ソルダーレジスト組成物の層を熱硬化させる
ことができる。さらに、この硬化時において、上記接着
性中間層は、硬化剤としての役割を果たす。When an uncured resin is applied, a heat treatment is performed after forming an uncured resin layer. By performing the above heat treatment, the uncured solder resist composition layer and the adhesive intermediate layer can be chemically bonded, and the solder resist composition layer can be thermally cured. Further, during this curing, the adhesive intermediate layer plays a role as a curing agent.

【０１６６】また、樹脂フィルムを張り付けることによ
りソルダーレジスト組成物の層を形成する場合には、真
空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または真空下に
おいて、０．２〜１ＭＰａの圧力、６０〜１２０℃の温
度で圧着し、その後、樹脂フィルムを熱硬化することに
より行うことが望ましい。なお、上記熱硬化は、後述す
る半田バンプ形成用開口を形成した後に行ってもよい。When a layer of the solder resist composition is formed by attaching a resin film, a device such as a vacuum laminator is used under reduced pressure or vacuum to a pressure of 0.2 to 1 MPa, 60 to 1 MPa. It is desirable to perform pressure bonding at a temperature of 120 ° C., and then heat-curing the resin film. The thermosetting may be performed after forming an opening for forming a solder bump described later.

【０１６７】また、上述したように、接着性中間層は潜
在的な硬化剤としての役割を果す。そのため、ソルダー
レジスト層を形成する際に添加する硬化剤（イミダゾー
ル系硬化剤、アミン系硬化剤等）の量を減らすことがで
きる。従って、上記未硬化の樹脂絶縁層を半硬化状態し
た場合、この半硬化状態の層は溶剤に溶けやすく、露光
現像処理により開口を形成する場合に、溶剤用いて現像
処理を施すことにより、樹脂残り等のない所望の形状の
開口を形成することができる。As described above, the adhesive intermediate layer functions as a potential curing agent. Therefore, the amount of a curing agent (an imidazole-based curing agent, an amine-based curing agent, or the like) added when forming the solder resist layer can be reduced. Therefore, when the uncured resin insulating layer is in a semi-cured state, the semi-cured layer is easily dissolved in a solvent, and when an opening is formed by exposure and development processing, the resin is subjected to development processing using a solvent. An opening having a desired shape without a residue or the like can be formed.

【０１６８】また、上記ソルダーレジスト組成物として
熱可塑性樹脂を用いる場合には、フィルム状に成形した
樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ま
しい。この場合には、真空ラミネーター等の装置を用
い、減圧下または真空下において、０．２〜１ＭＰａの
圧力、６０〜１８０℃の温度で熱圧着することが望まし
い。この熱圧着工程で、上記熱可塑性樹脂と接着性中間
層とが化学的に結合する。In the case where a thermoplastic resin is used as the solder resist composition, it is preferable to form the film by thermocompression bonding a resin molded body. In this case, it is desirable to perform thermocompression bonding at a pressure of 0.2 to 1 MPa and a temperature of 60 to 180 ° C. under reduced pressure or vacuum using a device such as a vacuum laminator. In this thermocompression bonding step, the thermoplastic resin and the adhesive intermediate layer are chemically bonded.

【０１６９】（１４）次に、その材料として熱硬化性樹
脂を用いたソルダーレジスト層を形成する場合には、未
硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、半田バン
プ形成用開口を形成し、ソルダーレジストとする。上記
半田バンプ形成用開口は、レーザ処理により形成するこ
とが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行
ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。上記レーザ
処理としては、バイアホール用開口を形成する際に用い
た方法と同様の方法を用いることができる。また、感光
性樹脂からなるソルダーレジスト層を形成する場合に
は、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用
開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理
は、上記硬化処理前に行う。(14) Next, when forming a solder resist layer using a thermosetting resin as the material, an uncured resin insulating layer is subjected to a curing treatment, and an opening for forming a solder bump is formed. , Solder resist. It is desirable that the opening for forming a solder bump is formed by laser processing. The laser processing may be performed before the curing processing or may be performed after the curing processing. As the laser treatment, a method similar to the method used when forming the via hole opening can be used. In the case of forming a solder resist layer made of a photosensitive resin, an opening for a via hole may be provided by performing exposure and development processes. In this case, the exposure and development processes are performed before the above-described curing process.

【０１７０】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
たソルダーレジスト層形成する場合には、熱可塑性樹脂
からなる樹脂層にレーザ処理により半田バンプ形成用開
口を形成し、ソルダーレジスト層とすることができる。
上記ソルダーレジスト層の厚さは特に限定されないが、
５〜５０μｍが望ましい。In the case of forming a solder resist layer using a thermoplastic resin as the material, an opening for forming a solder bump is formed in the resin layer made of the thermoplastic resin by laser processing to form a solder resist layer. it can.
The thickness of the solder resist layer is not particularly limited,
5 to 50 μm is desirable.

【０１７１】次に，必要に応じて、半田バンプ形成用開
口から露出した導体回路部分を、ニッケル、パラジウ
ム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆することに
より半田パッドを形成する。具体的には、ニッケル−
金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−
パラジウム−金等の金属により被覆層を形成することが
望ましい。上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着
等により形成することができるが、これらのなかでは、
被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望まし
い。Next, if necessary, the conductor pads exposed from the solder bump forming openings are covered with a corrosion-resistant metal such as nickel, palladium, gold, silver or platinum to form solder pads. Specifically, nickel-
Gold, nickel-silver, nickel-palladium, nickel-
It is desirable to form the coating layer with a metal such as palladium-gold. The coating layer can be formed, for example, by plating, vapor deposition, electrodeposition, etc., among these,
Plating is desirable because of excellent uniformity of the coating layer.

【０１７２】なお、上記半田パッドを形成する前に、上
記半田バンプ形成用開口から露出した接着性中間層は、
除去しておくことが望ましい。上記接着性中間層が、上
記導体回路の表面に残留していると、半田バンプと最外
層の導体回路との間で導通不良が発生することがあるか
らである。Before the formation of the solder pad, the adhesive intermediate layer exposed from the solder bump forming opening is
It is desirable to remove them. This is because if the adhesive intermediate layer remains on the surface of the conductor circuit, a conduction failure may occur between the solder bump and the outermost conductor circuit.

【０１７３】上記接着性中間層の除去は、上記半田バン
プ形成用開口をレーザ処理により形成した場合には、レ
ーザ照射の際に行われる。従って、この場合は、特に、
最上層の導体回路表面の接着性中間層の除去を目的とす
る処理は施す必要はない。また、露光、現像処理により
半田バンプ形成用開口を形成する場合には、現像液の種
類によっては、現像時に最上層の導体回路表面の接着性
中間層が除去されることがある。従って、接着性中間層
を除去することが出来なかった場合には、酸や酸化剤を
用いた処理等により、接着性中間層の除去をすることが
望ましい。When the solder bump forming opening is formed by laser processing, the adhesive intermediate layer is removed at the time of laser irradiation. Therefore, in this case,
It is not necessary to perform a treatment for removing the adhesive intermediate layer on the surface of the uppermost conductive circuit. In the case where the openings for forming the solder bumps are formed by exposure and development, the adhesive intermediate layer on the surface of the uppermost conductive circuit may be removed during development depending on the type of the developer. Therefore, when the adhesive intermediate layer cannot be removed, it is desirable to remove the adhesive intermediate layer by a treatment using an acid or an oxidizing agent.

【０１７４】次に、ソルダーレジスト層に形成された半
田バンプ用開口内に、半田ペーストを充填し、リフロー
することにより半田バンプを形成する。その後、外部基
板接続面に、ピンを配設したり、半田ボールを形成した
りすることにより、ＰＧＡ(PinGrid Array)やＢＧＡ(Ba
ll Grid Array) とする。Next, a solder paste is filled in the solder bump opening formed in the solder resist layer and reflowed to form a solder bump. After that, pins are arranged on the connection surface of the external substrate, or solder balls are formed, so that a PGA (Pin Grid Array) or a BGA (Ba
ll Grid Array).

【０１７５】なお、製品認識文字などを形成するための
文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸
素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよ
い。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであ
るが、フルアディティブ法を採用してもよい。In addition, a plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be performed as appropriate for the character printing step for forming product recognition characters or the like or for modifying the solder resist layer. Although the above method is based on the semi-additive method, a full additive method may be employed.

【０１７６】次に、第二の本発明の多層プリント配線板
の製造方法について説明する。上記第二の本発明の多層
プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間
樹脂絶縁層とが順次積層され、最上層の導体回路上にソ
ルダーレジスト層が積層された多層プリント配線板の製
造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｅ）の工程
を含むことを特徴とする。 （ａ）上記層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路を形成
する導体回路形成工程、（ｂ）上記工程で形成された最
上層の導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程、
（ｃ）上記活性化処理が施された最上層の導体回路上の
少なくとも一部に、オキサジン骨格を有する化合物、お
よび、オキサゾール骨格を有する化合物からなる群より
選択される少なくとも１種からなる中間層を形成する中
間層形成工程、（ｄ）前記中間層に加熱処理を施し、接
着性中間層とする加熱処理工程、および、（ｅ）前記接
着性中間層上にソルダーレジスト層を形成するソルダー
レジスト層形成工程。Next, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention will be described. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention is a multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is laminated on an uppermost conductive circuit. Which is characterized by including at least the following steps (a) to (e). (A) a conductor circuit forming step of forming an uppermost conductive circuit on the interlayer resin insulating layer; (b) an activation processing step of activating the uppermost conductive circuit formed in the above step;
(C) an intermediate layer comprising at least a compound having an oxazine skeleton and at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton on at least a part of the uppermost conductive circuit subjected to the activation treatment; Forming an intermediate layer, (d) performing a heat treatment on the intermediate layer to form an adhesive intermediate layer, and (e) forming a solder resist layer on the adhesive intermediate layer. Layer forming step.

【０１７７】第二の本発明の製造方法によれば、活性化
処理が施された導体回路上に中間層を形成し、加熱処理
を施すため、導体回路表面での接着性中間層の形成が助
長される。According to the second manufacturing method of the present invention, since the intermediate layer is formed on the activated conductor circuit and subjected to the heat treatment, the formation of the adhesive intermediate layer on the surface of the conductor circuit is not required. Will be encouraged.

【０１７８】第二の本発明の製造方法は、（ｂ）の工
程、即ち、最上層の導体回路に活性化処理を施す活性化
処理工程を有する点で第一の本発明の製造方法と異な
る。従って、以下においては、第二の本発明の製造方法
の（ｂ）の工程についてのみ説明することとし、
（ａ）、（ｃ）、（ｄ）および（ｅ）の工程を含むその
他の工程については、第一の本発明の製造方法と同一で
あるため説明を省略する。The second manufacturing method of the present invention differs from the first manufacturing method of the first invention in that it has a step (b), that is, an activation step of activating the uppermost conductive circuit. . Therefore, hereinafter, only the step (b) of the second production method of the present invention will be described.
The other steps including the steps (a), (c), (d), and (e) are the same as those in the first manufacturing method of the present invention, and thus the description is omitted.

【０１７９】上記（ｂ）の活性化処理工程では、導体回
路の表面の電位を調整する。上記電位の調整は、酸処理
を施すことによりすることができる。ここで使用する酸
としては、例えば、硫酸、硝酸、塩酸、酢酸、ギ酸、リ
ン酸等が挙げられる。これらのなかでは、硫酸が望まし
い。導体回路への損傷が少なく、電位の調整を確実に行
うことができるからである。In the activation processing step (b), the potential on the surface of the conductor circuit is adjusted. The adjustment of the potential can be performed by performing an acid treatment. Examples of the acid used here include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, and phosphoric acid. Of these, sulfuric acid is preferred. This is because there is little damage to the conductor circuit, and the potential can be adjusted reliably.

【０１８０】具体的には、温度２０〜５０℃の温度で、
濃度１０体積％程度の溶液に、１〜５分間浸漬すること
が望ましい。浸漬時間が１分間未満では、導体回路表面
の活性化が不充分なことがあり、一方、５分間を超えて
も導体回路表面の状態はほとんど変化しないからであ
る。また、導体回路の表面状態に応じて、ソフトエッチ
ングを行った後、活性化処理を施してもよい。Specifically, at a temperature of 20 to 50 ° C.,
It is desirable to immerse in a solution having a concentration of about 10% by volume for 1 to 5 minutes. If the immersion time is less than 1 minute, the activation of the conductor circuit surface may be insufficient, while if it exceeds 5 minutes, the state of the conductor circuit surface hardly changes. Further, activation processing may be performed after soft etching is performed according to the surface state of the conductor circuit.

【０１８１】[0181]

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１）Ａ．上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 （１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０
重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モ
ノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１
５重量部、消泡剤（サンノプコ社製 Ｓ−６５）０．５
重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。The present invention will be described in more detail below. Example 1 A. Preparation of Resin Composition for Forming Roughened Surface of Upper Layer (1) A cresol novolak-type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) was prepared by adding 25% acrylated product to 80
35 parts by weight of a resin solution dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) at a concentration of weight%, and a photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 3.1
5 parts by weight, antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) 0.5
Parts by weight and 3.6 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.

【０１８２】（２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）
１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマ
ーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部お
よび平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容
器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調
製した。(2) Polyether sulfone (PES)
12 parts by weight, 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Co., polymer pole) having an average particle size of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle size of 0.5 μm were placed in another container, After stirring and mixing, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed with a bead mill to prepare another mixed composition.

【０１８３】（３）イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュア Ｉ
−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴ
Ｘ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさら
に別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。そして、（１）、（２）および（３）で調
製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹
脂組成物を得た。(3) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photopolymerization initiator (Irgacure I, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
-907) 2 parts by weight, a photosensitizer (DET manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
XS) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a resin composition for forming a roughened surface was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (1), (2) and (3).

【０１８４】Ｂ．下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 （１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０
重量％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液３５重量
部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３
１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製 Ｓ−６５）
０．５重量部およびＮＭＰ３．６重量部を容器にとり、
攪拌混合することにより混合組成物を調製した。B. Preparation of Resin Composition for Forming Lower Surface Roughened Surface (1) 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of weight%, and a photosensitive monomer (Aronix M3 manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.)
15) 4 parts by weight, defoamer (S-65, manufactured by San Nopco)
0.5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP are placed in a container,
A mixed composition was prepared by stirring and mixing.

【０１８５】（２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）
１２量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、
ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４
９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮ
ＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。(2) Polyether sulfone (PES)
12 parts by weight, and epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
14.4 having an average particle size of 0.5 μm
9 parts by weight were placed in another container and mixed with stirring.
30 parts by weight of MP was added and mixed by stirring with a bead mill to prepare another mixed composition.

【０１８６】（３）イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュア Ｉ
−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴ
Ｘ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさら
に別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。そして、（１）、（２）および（３）で調
製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹
脂組成物を得た。(3) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photopolymerization initiator (Irgacure I, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
-907) 2 parts by weight, a photosensitizer (DET manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
XS) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were placed in another container and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a resin composition for forming a roughened surface was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (1), (2) and (3).

【０１８７】Ｃ．樹脂充填剤の調製 （１）ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェ
ル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量
部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた
平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以
下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１
０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノ
プコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にと
り、攪拌混合し、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐ
ａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤として、
イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）６．５重量部を用いた。C. Preparation of Resin Filler (1) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U), silane coupling agent coated on the surface, average particle size is 1.6 μm, maximum SiO 2 spherical particles having a particle diameter of 15 μm or less (CRS 11 manufactured by Adtech Co., Ltd.)
01-CE) 170 parts by weight and a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) 1.5 parts by weight are placed in a container, mixed with stirring, and have a viscosity of 45 to 49 P at 23 ± 1 ° C.
As a resin filler was prepared. In addition, as a curing agent,
Imidazole curing agent (2E4MZ-C manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)
N) 6.5 parts by weight were used.

【０１８８】Ｄ．多層プリント配線板の製造方法 （１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラス布
ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１
の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張
積層板を出発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、こ
の銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施
し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の
両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。D. Manufacturing method of multilayer printed wiring board (1) Substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 8 was laminated on both surfaces was used as a starting material (see FIG. 2A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【０１８９】（２）スルーホール９および下層導体回路
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3
ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の
全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参
照）。(2) The substrate on which the through hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried,
(10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3
A blackening treatment using an aqueous solution containing PO 4 (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), Na
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing BH 4 (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 2B). ).

【０１９０】（３）上記Ｃに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成
部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成
した。即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に
樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で
乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が
開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層
を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図２
（ｃ）参照）。(3) After preparing the resin filler described in the above C, within 24 hours after the preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion inside the through hole 9 and on one side of the substrate 1 and the conductive circuit A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through hole using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. At 20 ° C. for 20 minutes (FIG. 2).
(C)).

【０１９１】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面
やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤１０を硬化した。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 10.

【０１９２】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図２（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填剤１０
の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。In this manner, the surface layer of the resin filler 10 formed in the through hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 2D). By this step, the resin filler 10
And the surface of the lower conductor circuit 4 are flush with each other.

【０１９３】（５）次に、上記基板を水洗、酸性脱脂し
た後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基
板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表
面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチング
することにより、下層導体回路４の全表面に平均粗度２
μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図３（ａ）参
照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯
体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５
重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッ
チボンド）を使用した。なお、上記粗化面の平均粗度
は、以下の方法を用いて測定した。即ち、表面粗さ形状
測定機（東京精密社製、サーフコム１３０Ａ／４８０
Ａ）により測定した。(5) Next, the substrate is rinsed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductor circuit 4 and the land of the through hole 9 are landed. By etching the surface and the inner wall, the entire surface of the lower conductor circuit 4 has an average roughness of 2
The μm roughened surfaces 4a and 9a were formed (see FIG. 3A). As an etching solution, 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride
An etching solution consisting of parts by weight (Mec etch bond, manufactured by Mec) was used. The average roughness of the roughened surface was measured using the following method. That is, a surface roughness shape measuring device (Surfcom 130A / 480 manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)
Measured according to A).

【０１９４】（６）次に、基板の両面に、調製後２４時
間以内の上記Ｂの粗化面形成用樹脂組成物（粘度：１．
５Ｐａ・ｓ）をロールコータで塗布し、水平状態で２０
分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベー
ク）を行い、粗化面形成用樹脂層２ａを形成した。さら
に、この粗化面形成用樹脂層２ａの上に調製後２４時間
以内の上記Ａの粗化面形成用樹脂組成物（粘度：７Ｐａ
・ｓ）をロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０
分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベー
ク）を行い、粗化面形成用樹脂層２ｂを形成し、厚さ３
５μｍの粗化面形成用樹脂層を形成した（図３（ｂ）参
照）。(6) Next, on both surfaces of the substrate, the resin composition for forming a roughened surface of the above B within 24 hours after preparation (viscosity: 1.
5Pa · s) with a roll coater and apply 20
After leaving it for 60 minutes, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes to form a resin layer 2 a for forming a roughened surface. Furthermore, on the roughened surface forming resin layer 2a, the roughened surface forming resin composition (viscosity: 7 Pa) of the above A within 24 hours after preparation.
・ S) is applied using a roll coater, and 20
After leaving it for 60 minutes, drying (prebaking) is performed at 60 ° C. for 30 minutes to form a roughened surface forming resin layer 2 b and a thickness 3 mm.
A resin layer for forming a roughened surface of 5 μm was formed (see FIG. 3B).

【０１９５】（７）上記（６）で粗化面形成用樹脂層を
形成した基板１の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷さ
れたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯に
より５００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶
液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超
高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光し、
１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時
間（ポストベーク）の加熱処理を施し、フォトマスクフ
ィルムに相当する寸法精度に優れた直径８５μｍのバイ
アホール用開口６を有する厚さ３５μｍで２層構造の層
間樹脂絶縁層２を形成した（図３（ｃ）参照）。(7) A photomask film on which a black circle having a diameter of 85 μm is printed is brought into close contact with both surfaces of the substrate 1 on which the resin layer for forming a roughened surface is formed in the above (6), and is 500 mJ / cm by an ultra-high pressure mercury lamp. After exposure at two intensities, it was spray-developed with a DMDG solution. Thereafter, the substrate was further exposed at 3000 mJ / cm 2 intensity using an ultra-high pressure mercury lamp,
Heat treatment at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, 150 ° C. for 3 hours (post bake), and a thickness having a via hole opening 6 with a diameter of 85 μm and excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film An interlayer resin insulating layer 2 having a two-layer structure of 35 μm was formed (see FIG. 3C).

【０１９６】（８）バイアホール用開口６を形成した基
板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１
９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁
層２の表面を粗面とした（図３（ｄ）参照）。(8) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was placed in a 70 ° C. solution containing 800 g / l chromic acid.
The surface of the interlayer resin insulating layer 2 was roughened by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 for 9 minutes (see FIG. 3D).

【０１９７】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することに
より、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開
口６の内壁面に触媒核を付着させた。(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. Further, a palladium catalyst (manufactured by Atotech) is applied to the surface of the substrate which has been subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), so that the catalyst is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6. Nuclei were attached.

【０１９８】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
１．２μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図４
（ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ ０．０８ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．０５ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕６５℃の液温度で２０分(10) Next, the substrate was immersed in an aqueous electroless copper plating solution having the following composition to form a substrate having a thickness of 0.6 to
A 1.2 μm electroless copper plating layer 12 was formed (FIG. 4).
(A)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 20 minutes at a liquid temperature of 65 ° C

【０１９９】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっき
レジスト３を設けた（図４（ｂ）参照）。(11) A commercially available photosensitive dry film is adhered to the electroless copper plating layer 12, and a mask is placed thereon to
The plating resist 3 having a thickness of 25 μm was provided by exposing at 00 mJ / cm 2 and developing with an aqueous 0.8% sodium carbonate solution (see FIG. 4B).

【０２００】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で厚さ２０μｍ電解銅めっきを施
し、電解銅めっき層１３を形成した（図４（ｃ）参
照）。なお、図４（ｃ）においては、めっきレジスト３
と電解銅めっき層１３との厚さは、ほぼ同一に描かれて
いるが、実際には上記したように、めっきレジスト３の
厚さは、電解銅めっき層１３の厚さよりも厚くなってい
る。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ 度(12) Subsequently, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating with a thickness of 20 μm under the following conditions. An electrolytic copper plating layer 13 was formed (see FIG. 4C). In FIG. 4C, the plating resist 3
The thickness of the plating resist 3 is substantially the same as the thickness of the electrolytic copper plating layer 13 as described above. . [Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive 19.5 ml / l (Acapec Japan, Capparaside GL) [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 degrees

【０２０１】（１３）さらに、めっきレジストを５％Ｋ
ＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の
無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜と電気銅めっ
き膜とからなる厚さ１８μｍの独立の上層導体回路５
（バイアホール７を含む）とした（図４（ｄ）参照）。(13) Further, a plating resist is added to 5% K
After stripping and removing with an OH aqueous solution, the electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the thickness of the electroless plating film and the electrolytic copper plating film 18 μm independent upper layer conductor circuit 5
(Including the via hole 7) (see FIG. 4D).

【０２０２】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２と
上層の導体回路５とを形成した（図５（ａ）〜図６
（ａ）参照）。(14) By repeating the above steps (5) to (13), an upper interlayer resin insulation layer 2 and an upper conductor circuit 5 were further formed (FIGS. 5A to 6).
(A)).

【０２０３】（１５）次に、上層の導体回路５の形成さ
れた基板１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチング
した後、１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬するこ
とにより上層の導体回路表面の電位を調整した。これと
は別に、ベンゾ−１，４−オキサジンをＤＭＤＧに溶解
し、濃度２５重量％のオキサジン溶液を調製した。(15) Next, both sides of the substrate 1 on which the upper conductive circuit 5 is formed are softly etched by alkali degreasing, and then immersed in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid to thereby form the upper conductive circuit. The surface potential was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 25% by weight.

【０２０４】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）とした。After the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C., the substrate whose potential on the surface of the conductor circuit was adjusted was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-side was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was heated at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).

【０２０５】（１６）更に、上記した上層の導体回路５
の処理とは別に、以下の方法によりソルダーレジスト組
成物を調製した。即ち、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノ
マー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重量
部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品
名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノ
プコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪
拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対
して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社
製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で
２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、Ｄ
ＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はロータ
ーＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮ
ｏ．３によった。(16) Further, the above-described conductor circuit 5 in the upper layer
Separately from the above treatment, a solder resist composition was prepared by the following method. That is, a cresol novolak-type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) so as to have a concentration of 60% by weight, and a 50% epoxy group of the sensitized oligomer (molecular weight: 4000) 46.67 parts by weight, 15.0 parts by weight of an 80% by weight bisphenol A epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., trade name: Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, an imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) (Product name: 2E4MZ-CN)
1.6 parts by weight, 3.0 parts by weight of a polyvalent acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and similarly polyvalent acrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) 1 0.5 part by weight and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco Co., S-65) are placed in a container, stirred and mixed to prepare a mixed composition, and photopolymerization of the mixed composition is started. 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as an agent and 0.2 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added, and the viscosity was adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. A resist composition was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd., D
VL-B type, 60 min -1 (rpm), the rotor No. Rotor N for 4, 6 min -1 (rpm)
o. According to 3.

【０２０６】（１７）次に、接着性中間層を形成した基
板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの
厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の
条件で乾燥処理を行った後、半田パッドのパターンが描
画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト
組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線
で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍ
の開口を形成した。そして、さらに、８０℃で１時間、
１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時
間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト
組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、
その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成し
た。なお、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販
のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。さ
らに、半田バンプ形成用開口内に露出した上層の導体回
路５の表面の接着性中間層をＯ2 プラズマで２分間処理
することにより除去した。(17) Next, the solder resist composition is applied to both sides of the substrate on which the adhesive intermediate layer is formed in a thickness of 20 μm, and dried at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes. After performing the treatment, a 5 mm-thick photomask on which the pattern of the solder pad is drawn is brought into close contact with the layer of the solder resist composition, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 , developed with a DMTG solution, and developed to a diameter of 200 μm.
Openings were formed. And at 80 ° C. for one hour,
Heat treatment is performed at 100 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours to cure the layer of the solder resist composition, and has a solder bump forming opening,
A solder resist layer 14 having a thickness of 20 μm was formed. In addition, a commercially available solder resist composition can also be used as the solder resist composition. Further, the adhesive intermediate layer on the surface of the upper conductive circuit 5 exposed in the solder bump forming opening was removed by treatment with O 2 plasma for 2 minutes.

【０２０７】（１８）次に、この基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚
さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、
その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ
／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。(18) Next, this substrate was treated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol / l), sodium citrate ( It was immersed in an electroless nickel plating solution containing 1.6 × 10 -1 mol / l (pH = 4.5) for 20 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm at the opening. further,
The substrate was washed with potassium cyanide (7.6 × 10 −3 mol)
/ L), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol /
l), sodium citrate (1.2 × 10 −1 mol /
l), sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol /
1) is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. in an electroless gold plating solution containing
A gold plating layer 16 of μm was formed to form a solder pad.

【０２０８】（１９）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図６（ｂ）
参照）。(19) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 6B).
reference).

【０２０９】（実施例２） Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製 エピコート１００１）３
０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロ
ンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノ
ールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、
大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。(Example 2) Preparation of Resin Film for Interlayer Resin Insulation Layer Bisphenol A type epoxy resin (Epoxy equivalent 46
9. Yuka Shell Epoxy Epicoat 1001) 3
0 parts by weight, 40 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 215, Epichron N-673 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), a triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent: 120,
FENOLITE KA-705 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.
2) 30 parts by weight were dissolved by heating in 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate and 20 parts by weight of solvent naphtha while stirring, and epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added thereto.
15 parts by weight, 1.5 parts by weight of a crushed product of 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl) imidazole, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added to the epoxy resin composition. Was prepared. The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer was produced.

【０２１０】Ｂ．樹脂充填剤の調製 （１）ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェ
ル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量
部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた
平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以
下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１
０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノ
プコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にと
り、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で
４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬
化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。B. Preparation of Resin Filler (1) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U), silane coupling agent coated on the surface, average particle size is 1.6 μm, maximum SiO 2 spherical particles having a particle diameter of 15 μm or less (CRS 11 manufactured by Adtech Co., Ltd.)
01-CE) 170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) are placed in a container, and mixed by stirring to obtain a resin filler having a viscosity of 23 ± 1 ° C. and 45 to 49 Pa · s. Prepared. As a curing agent, an imidazole curing agent (2E, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【０２１１】Ｃ．プリント配線板の製造方法 （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラ
ス布ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基
板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている
銅張積層板を出発材料とした（図７（ａ）参照）。ま
ず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理
を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板
１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成し
た。C. Manufacturing method of printed wiring board (1) A copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 8 is laminated on both sides of a substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 0.8 mm. It was used as a starting material (see FIG. 7A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【０２１２】（２）スルーホール９および下層導体回路
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3
ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の
全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図７（ｂ）参
照）。(2) The substrate on which the through hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried,
(10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3
A blackening treatment using an aqueous solution containing PO 4 (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), Na
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing BH 4 (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4 a and 9 a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 7B). ).

【０２１３】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成
部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成
した。即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に
樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で
乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が
開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層
を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図７
（ｃ）参照）。(3) After preparing the resin filler described in B above, within 24 hours after the preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion and the conductive circuit in the through hole 9 and on one side of the substrate 1 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through hole using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. At 20 ° C. for 20 minutes (FIG. 7).
(C)).

【０２１４】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面
やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤１０を硬化した。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 10.

【０２１５】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図７（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填
剤１０の表面と下層導体回路４の表面とが同一平面とな
る。In this manner, the surface portion of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surfaces of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 7D). That is, by this step, the surface of the resin filler 10 and the surface of the lower conductive circuit 4 are flush with each other.

【０２１６】（５）次に、上記基板を水洗、酸性脱脂し
た後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基
板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表
面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチング
することにより、下層導体回路４の全表面に平均粗度２
μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図８（ａ）参
照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯
体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５
重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッ
チボンド）を使用した。なお、上記粗化面は、形成しな
くてもよい。(5) Next, the substrate is washed with water and acid degreased, and then soft-etched. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductor circuit 4 and the land of the through hole 9 are landed. By etching the surface and the inner wall, the entire surface of the lower conductor circuit 4 has an average roughness of 2
The μm roughened surfaces 4a and 9a were formed (see FIG. 8A). As an etching solution, 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride
An etching solution consisting of parts by weight (Mec etch bond, manufactured by Mec) was used. Note that the roughened surface need not be formed.

【０２１７】（６）基板の両面に、上記Ａで作製した基
板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基
板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時
間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下
の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、
その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形
成した（図８（ｂ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層
用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．
４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着
して張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させ
た。(6) On both sides of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate prepared in the above A was placed on the substrate, and the pressure was 0.4 MPa, the temperature was 80 ° C., and the pressure bonding time was 10 seconds. After temporary crimping and cutting under the conditions, further, using a vacuum laminator device by the following method,
Thereafter, the interlayer resin insulation layer 2 was formed by thermosetting (see FIG. 8B). That is, a resin film for an interlayer resin insulation layer is placed on a substrate and the degree of vacuum is 67 Pa and the pressure is 0.
This was pressed and attached under the conditions of 4 MPa, a temperature of 80 ° C., and a pressing time of 60 seconds, and then thermally cured at 170 ° C. for 30 minutes.

【０２１８】（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹
脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を
形成した（図８（ｃ）参照）。(7) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm is used to form a beam diameter of 4.0 through a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2.
8 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μsec, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and a one-shot condition, a via hole opening 6 of 80 μm in diameter was formed in the interlayer resin insulating layer 2 (FIG. c)).

【０２１９】（８）バイアホール用開口６を形成した基
板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に
１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面
とした（図８（ｄ）参照）。(8) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was immersed in a solution containing 60 g / l of permanganic acid at 80 ° C. for 10 minutes to remove the epoxy resin particles existing on the surface of the interlayer resin insulating layer 2. By dissolving and removing, the surface of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via hole opening 6 was roughened (see FIG. 8D).

【０２２０】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用
開口６の内壁面に触媒核を付着させた。(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6 are formed. Catalyst nuclei were deposited.

【０２２１】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図９
（ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分(10) Next, the substrate was immersed in an aqueous solution of electroless copper plating having the following composition to form
A 3.0 μm electroless copper plating layer 12 was formed.
(A)). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C

【０２２２】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっき
レジスト３を設けた（図９（ｂ）参照）。(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the electroless copper plating layer 12, and a mask was
The plating resist 3 having a thickness of 25 μm was provided by exposing at 00 mJ / cm 2 and developing with an aqueous 0.8% sodium carbonate solution (see FIG. 9B).

【０２２３】（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄
して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっ
き層１３を形成した（図９（ｃ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃(12) Then, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The layer 13 was formed (see FIG. 9C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃

【０２２４】（１３）さらに、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト
３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液
でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１
２と電解めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの独立の上
層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図９
（ｄ）参照）。(13) Further, 5% of plating resist 3 was added.
After stripping and removing with an aqueous NaOH solution, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electroless copper plating film 1 is removed.
9 and an 18 μm thick independent upper conductor circuit 5 (including via holes 7) composed of an electroplating film 2 and an electrolytic plating film 13 (FIG. 9).
(D)).

【０２２５】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２と
上層の導体回路５（バイアホール７を含む）を形成した
（図１０（ａ）〜図１１（ａ）参照）。(14) By repeating the above steps (5) to (13), an upper interlayer resin insulation layer 2 and an upper conductor circuit 5 (including a via hole 7) were further formed (FIG. 10 ( a) to FIG. 11 (a)).

【０２２６】（１５）次に、上層の導体回路５の形成さ
れた基板１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチング
した後、１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬するこ
とにより導体回路表面の電位を調整した。これとは別
に、ベンゾ−１，４−オキサジンをＤＭＤＧに溶解し、
濃度３０重量％のオキサジン溶液を調製した。(15) Next, both surfaces of the substrate 1 on which the upper conductive circuit 5 is formed are softly etched by alkali degreasing, and then immersed in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid to thereby remove the surface of the conductive circuit. The potential was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine is dissolved in DMDG,
An oxazine solution having a concentration of 30% by weight was prepared.

【０２２７】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）を形成した。After the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-side was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).

【０２２８】（１６）更に、上記した上層の導体回路５
の処理とは別に、実施例１と同様の方法によりソルダー
レジスト組成物を調製した。 （１７）次に、接着性中間層を形成した基板の両面に、
上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布
し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥
処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚
さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形
成した。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で
１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で
それぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層
を硬化させることにより、半田バンプ形成用開口を有
し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形
成した。さらに、半田バンプ形成用開口内に露出した上
層の導体回路５の表面の接着性中間層をＯ2 プラズマで
２分間処理することにより除去した。(16) Further, the above-described conductor circuit 5 in the upper layer
In addition to the above treatment, a solder resist composition was prepared in the same manner as in Example 1. (17) Next, on both surfaces of the substrate on which the adhesive intermediate layer is formed,
After applying the solder resist composition in a thickness of 20 μm and performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a solder pad pattern is drawn is applied. Exposure to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 in close contact with the layer of the solder resist composition,
An opening having a diameter of 200 μm was formed by developing with a DMTG solution. Then, the solder bumps are cured by performing a heat treatment at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist composition layer. A solder resist layer 14 having an opening for formation and having a thickness of 20 μm was formed. Further, the adhesive intermediate layer on the surface of the upper conductive circuit 5 exposed in the solder bump forming opening was removed by treatment with O 2 plasma for 2 minutes.

【０２２９】（１８）次に、この基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚
さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、
その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ
／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。(18) Next, this substrate was treated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol / l) and sodium citrate (2.3 × 10 -1 mol / l). It was immersed in an electroless nickel plating solution containing 1.6 × 10 -1 mol / l (pH = 4.5) for 20 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm at the opening. further,
The substrate was washed with potassium cyanide (7.6 × 10 −3 mol)
/ L), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol /
l), sodium citrate (1.2 × 10 −1 mol /
l), sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol /
1) is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. in an electroless gold plating solution containing
A gold plating layer 16 of μm was formed to form a solder pad.

【０２３０】（１９）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図１１
（ｂ）参照）。(19) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 11).
(B)).

【０２３１】（実施例３）ベンゾ−１，４−オキサジン
に代えて、５，６−ベンゾ−１，３−オキサジンを用い
て中間層を形成した以外は実施例２と同様にして多層プ
リント配線板を製造した。具体的には、５，６−ベンゾ
−１，３−オキサジンをＤＭＤＧに溶解して濃度３０重
量％のオキサジン溶液を調製し、続いて、得られたオキ
サジン溶液の温度を５５℃に調整した後、該溶液中に上
層の導体回路表面の電位を調整した基板を１分間浸漬す
ることにより、導体回路表面に５，６−ベンゾ−１，３
−オキサジンの中間層を形成した。Example 3 Multilayer printed wiring was performed in the same manner as in Example 2 except that the intermediate layer was formed using 5,6-benzo-1,3-oxazine instead of benzo-1,4-oxazine. Boards were manufactured. Specifically, 5,6-benzo-1,3-oxazine was dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 30% by weight, and then the temperature of the obtained oxazine solution was adjusted to 55 ° C. By immersing the substrate in which the potential of the upper conductive circuit surface was adjusted in the solution for 1 minute, the 5,6-benzo-1,3
An intermediate layer of oxazine was formed.

【０２３２】（実施例４）ベンゾ−１，４−オキサジン
に代えて、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジンを用い
た以外は実施例２と同様にして多層プリント配線板を製
造した。具体的には、４，５−ベンゾ−１，３−オキサ
ジンをＤＭＤＧに溶解して濃度３０重量％のオキサジン
溶液を調製し、続いて、得られたオキサジン溶液の温度
を５５℃に調整した後、該溶液中に上層の導体回路表面
の電位を調整した基板を１分間浸漬することにより、導
体回路表面に４，５−ベンゾ−１，３−オキサジンの中
間層を形成した。Example 4 A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 2 except that 4,5-benzo-1,3-oxazine was used instead of benzo-1,4-oxazine. Specifically, 4,5-benzo-1,3-oxazine is dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 30% by weight. Subsequently, the temperature of the obtained oxazine solution is adjusted to 55 ° C. Then, an intermediate layer of 4,5-benzo-1,3-oxazine was formed on the conductor circuit surface by immersing the substrate in which the potential of the upper conductor circuit surface was adjusted in the solution for 1 minute.

【０２３３】（実施例５）ベンゾ−１，４−オキサジン
に代えて、ベンゾオキサゾールを用いた以外は実施例２
と同様にして多層プリント配線板を製造した。具体的に
は、ベンゾオキサゾールをＤＭＤＧに溶解して濃度３０
重量％のオキサゾール溶液を調製し、続いて、得られた
オキサゾール溶液の温度を５５℃に調整した後、該溶液
中に上層の導体回路表面の電位を調整した基板を１分間
浸漬することにより、導体回路表面にベンゾオキサゾー
ルの中間層を形成した。Example 5 Example 2 was repeated except that benzoxazole was used instead of benzo-1,4-oxazine.
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as described above. Specifically, benzoxazole was dissolved in DMDG to a concentration of 30.
% By weight of the oxazole solution, subsequently adjusting the temperature of the obtained oxazole solution to 55 ° C., and immersing the substrate in which the potential of the upper surface of the conductor circuit was adjusted in the solution for 1 minute, An intermediate layer of benzoxazole was formed on the surface of the conductor circuit.

【０２３４】（実施例６） （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラ
ス布ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる
基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされてい
る銅張積層板を出発材料とした（図１２（ａ）参照）。
まず、この銅張積層板をドリル削孔し、続いてめっきレ
ジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を
施してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔を常法に
従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両
面に内層銅パターン（下層導体回路）４を形成した。Example 6 (1) A copper-clad laminate in which a 18 μm copper foil 8 is laminated on both surfaces of a substrate 1 made of a glass epoxy resin or a glass cloth BT (bismaleimide-triazine) resin having a thickness of 0.8 mm. The laminate was used as a starting material (see FIG. 12A).
First, this copper-clad laminate is drilled, and then a plating resist is formed. Then, the substrate is subjected to an electroless copper plating treatment to form through holes 9, and the copper foil is patterned in a conventional manner. Then, an inner copper pattern (lower conductive circuit) 4 was formed on both surfaces of the substrate.

【０２３５】（２）下層導体回路４を形成した基板を水
洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプ
レイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホー
ル９のランド表面と内壁とをエッチングすることによ
り、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成
した（図１２（ｂ）参照）。エッチング液として、イミ
ダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量
部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量
部を混合したものを使用した。(2) The substrate on which the lower conductive circuit 4 is formed is washed with water and dried, and then an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductive circuit 4 and the land surface of the through hole 9 and the inner wall are formed. Thus, roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4 (see FIG. 12B). A mixture of 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water was used as an etching solution.

【０２３６】（３）次に、シクロオレフィン系樹脂を主
成分とする樹脂充填剤１０を、基板の両面に印刷機を用
いて塗布することにより、下層導体回路４間またはスル
ーホール９内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この
工程により、樹脂充填剤１０が下層導体回路４の間およ
びスルーホール９内に充填される（図１２（ｃ）参
照）。(3) Next, a resin filler 10 containing a cycloolefin-based resin as a main component is applied to both surfaces of the substrate by using a printing machine to fill the space between the lower conductor circuits 4 or the inside of the through holes 9. Then, heating and drying were performed. That is, in this step, the resin filler 10 is filled between the lower conductor circuits 4 and in the through holes 9 (see FIG. 12C).

【０２３７】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルト
サンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホ
ール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らないように
研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取
り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨
を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充
填した樹脂充填剤１０を加熱硬化させた（図１２（ｄ）
参照）。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using a belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form a surface of the lower conductive circuit 4 and a land surface of the through hole 9. Was polished so that the resin filler 10 did not remain, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 10 was cured by heating (FIG. 12D).
reference).

【０２３８】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤１０の表層部および下層導体回路４上
面の粗化層４ａを除去して基板両面を平坦化し、樹脂充
填剤１０と下層導体回路４の側面とが粗化面４ａを介し
て強固に密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充
填剤１０とが粗化面９ａを介して強固に密着した配線基
板を得た。In this manner, the surface layer portion of the resin filler 10 filled in the through holes 9 and the like and the roughened layer 4a on the upper surface of the lower conductor circuit 4 are removed to flatten both surfaces of the substrate, and the resin filler 10 and the lower layer A wiring board was obtained in which the side surfaces of the conductive circuit 4 were firmly adhered through the roughened surface 4a, and the inner wall surface of the through hole 9 was tightly adhered to the resin filler 10 through the roughened surface 9a.

【０２３９】（５）次に、上記基板を水洗、酸性脱脂し
た後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基
板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表
面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチング
することにより、下層導体回路４の全表面に平均粗度２
μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図１３（ａ）参
照）。エッチング液としてイミダゾール銅（ＩＩ）錯体
１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重
量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチ
ングボンド）を使用した。(5) Next, the substrate is washed with water and acid degreased, and then soft-etched. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductor circuit 4 and the land of the through-hole 9 are formed. By etching the surface and the inner wall, the entire surface of the lower conductor circuit 4 has an average roughness of 2
μm roughened surfaces 4a and 9a were formed (see FIG. 13A). As an etching solution, an etching solution (Mec Corp., Mech Etch Bond) comprising 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride was used.

【０２４０】（６）次に、上記工程を経た基板の両面
に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シ
ートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力０．５
ＭＰａで真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹
脂からなる層間樹脂絶縁層２を設けた（図１３（ｂ）参
照）。真空圧着時の真空度は１．３ｋＰａであった。(6) Next, a thermosetting cycloolefin resin sheet having a thickness of 50 μm was heated to a temperature of 50 to 150 ° C. and a pressure of 0.5
Vacuum-compression lamination was performed at MPa to provide an interlayer resin insulating layer 2 made of a cycloolefin-based resin (see FIG. 13B). The degree of vacuum at the time of vacuum compression bonding was 1.3 kPa.

【０２４１】（７）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガ
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅５０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショッ
トの条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶
縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた
（図１３（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いて
デスミア処理を行った。(7) Next, using a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm, a beam diameter of 5 mm, a top hat mode,
Under the conditions of a pulse width of 50 μs, a mask hole diameter of 0.5 mm, and three shots, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was provided in the interlayer resin insulating layer 2 made of cycloolefin resin (see FIG. 13C). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.

【０２４２】（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層２の表面を粗化した（図１３（ｄ）参照）。この
際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２
００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分
間プラズマ処理を実施した。(8) Next, S manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
Plasma treatment was performed using V-4540 to roughen the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 13D). At this time, argon gas was used as the inert gas, and electric power 2
Plasma treatment was performed for 2 minutes under the conditions of 00 W, a gas pressure of 0.6 Pa, and a temperature of 70 ° C.

【０２４３】（９）次に、同じ装置を用い、内部のアル
ゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットに
したスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、
電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合
金層１２を層間樹脂絶縁層２の表面に形成した。このと
き、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層１２の厚さは０．２μ
ｍであった（図１４（ａ）参照）。(9) Next, after replacing the argon gas inside using the same apparatus, sputtering using a Ni—Cu alloy as a target was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C.
The operation was performed under the conditions of a power of 200 W and a time of 5 minutes to form a Ni—Cu alloy layer 12 on the surface of the interlayer resin insulating layer 2. At this time, the thickness of the formed Ni—Cu alloy layer 12 is 0.2 μm.
m (see FIG. 14A).

【０２４４】（１０）上記処理を終えた基板の両面に、
市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスク
フィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した
後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２０μ
ｍのめっきレジスト３のパターンを形成した（図１４
（ｂ）参照）。(10) On both surfaces of the substrate after the above processing,
A commercially available photosensitive dry film is stuck, a photomask film is placed, exposed at 100 mJ / cm 2 , developed with 0.8% sodium carbonate, and has a thickness of 20 μm.
The pattern of the plating resist 3 was formed as shown in FIG.
(B)).

【０２４５】（１１）次に、以下の条件で電解銅めっき
を施して、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜１３を形成し
た（図１４（ｃ）参照）。なお、この電解銅めっき膜１
３により、後述する工程で導体回路５となる部分の厚付
けおよびバイアホール７となる部分のめっき充填等が行
われたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤
は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。(11) Next, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 13 having a thickness of 20 μm (see FIG. 14C). The electrolytic copper plating film 1
By means of 3, the thickness of the portion to be the conductor circuit 5 and the plating and filling of the portion to be the via hole 7 have been performed in the steps described later. The additive in the electroplating aqueous solution is Capparaside HL manufactured by Atotech Japan.

【０２４６】〔電気めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電気めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃[Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes temperature 22 ± 2 ° C

【０２４７】（１２）ついで、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３の下
に存在していたＮｉ−Ｃｕ合金層１２を硝酸および硫酸
と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除
去し、電気銅めっき膜１３等からなる厚さ１６μｍの導
体回路５（バイアホール７を含む）を形成した（図１４
（ｄ）参照）。(12) Next, 5% of plating resist 3 was added.
After stripping and removing with NaOH, the Ni-Cu alloy layer 12 existing under the plating resist 3 is dissolved and removed by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electrolytic copper plating film 13 is removed. The conductor circuit 5 (including the via hole 7) having a thickness of 16 μm and the like was formed (FIG. 14).
(D)).

【０２４８】（１３）上記（５）〜（１２）の工程を繰
り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２と
上層の導体回路５とを形成した（図１５（ａ）〜図１６
（ａ）参照）。次に、上層の導体回路５が形成された基
板の両面にエッチング液をスプレイで吹きつけて、上層
の導体回路５の表面に平均粗度０．３μｍの粗化面を形
成した（図１６（ｂ）参照）。エッチング液としてイミ
ダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重
量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メ
ック社製、メックエッチングボンド）を使用した。(13) By repeating the above steps (5) to (12), an upper interlayer resin insulation layer 2 and an upper conductor circuit 5 were further formed (FIGS. 15A to 16).
(A)). Next, an etching solution was sprayed on both surfaces of the substrate on which the upper-layer conductive circuits 5 were formed, thereby forming a roughened surface having an average roughness of 0.3 μm on the surface of the upper-layer conductive circuits 5 (FIG. 16 ( b)). As an etching solution, an etching solution (Mec Corp., Mech Etch Bond) comprising 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride was used.

【０２４９】（１４）次に、上層の導体回路５の形成さ
れた基板１の両面をアルカリ脱脂してソフトエッチング
した後、１０体積％硫酸からなる活性化液に浸漬するこ
とにより上層の導体回路表面の電位を調整した。これと
は別に、ベンゾ−１，４−オキサジンをＤＭＤＧに溶解
し、濃度２５重量％のオキサジン溶液を調製した。(14) Next, both surfaces of the substrate 1 on which the upper conductive circuit 5 is formed are alkali-degreased and soft-etched, and then immersed in an activating solution composed of 10% by volume sulfuric acid to thereby form the upper conductive circuit. The surface potential was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in DMDG to prepare an oxazine solution having a concentration of 25% by weight.

【０２５０】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）とした。After adjusting the temperature of the obtained oxazine solution to 55 ° C., the substrate whose potential on the surface of the conductor circuit was adjusted was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-side was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was heated at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).

【０２５１】（１５）更に、上記した上層の導体回路５
の処理とは別に、実施例１と同様の方法によりソルダー
レジスト組成物を調製した。 （１６）次に、接着性中間層を形成した基板の両面に、
上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布
し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥
処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚
さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形
成した。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で
１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で
それぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層
を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが
２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。さら
に、半田バンプ形成用開口内に露出した上層の導体回路
５の表面の接着性中間層をＯ2 プラズマで２分間処理す
ることにより除去した。(15) Further, the above-described upper conductive circuit 5
In addition to the above treatment, a solder resist composition was prepared in the same manner as in Example 1. (16) Next, on both surfaces of the substrate on which the adhesive intermediate layer is formed,
After applying the solder resist composition in a thickness of 20 μm and performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a solder pad pattern is drawn is formed. Exposure to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 in close contact with the layer of the solder resist composition,
An opening having a diameter of 200 μm was formed by developing with a DMTG solution. Then, the solder resist composition is further heated at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist composition layer. The solder resist layer 14 having an opening and having a thickness of 20 μm was formed. Further, the adhesive intermediate layer on the surface of the upper conductive circuit 5 exposed in the solder bump forming opening was removed by treatment with O 2 plasma for 2 minutes.

【０２５２】（１７）次に、この基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚
さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、
その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ
／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。(17) Next, this substrate was treated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol / l) and sodium citrate (2.3 × 10 -1 mol / l). It was immersed in an electroless nickel plating solution containing 1.6 × 10 -1 mol / l (pH = 4.5) for 20 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm at the opening. further,
The substrate was washed with potassium cyanide (7.6 × 10 −3 mol)
/ L), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol /
l), sodium citrate (1.2 × 10 −1 mol /
l), sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol /
1) is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. in an electroless gold plating solution containing
A gold plating layer 16 of μm was formed to form a solder pad.

【０２５３】（１９）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図１６
（ｃ）参照）。(19) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 16).
(C)).

【０２５４】（実施例７） Ａ．実施例２と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムの作製、および、樹脂充填剤の調製を行った。(Example 7) In the same manner as in Example 2, production of a resin film for an interlayer resin insulating layer and preparation of a resin filler were performed.

【０２５５】Ｂ．多層プリント配線板の製造方法 （１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはガラ
ス布ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基
板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている
銅張積層板を出発材料とした（図１７（ａ）参照）。ま
ず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理
を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板
１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成し
た。B. Manufacturing method of multilayer printed wiring board (1) Copper-clad laminate in which 18 μm copper foil 8 is laminated on both surfaces of substrate 1 made of glass epoxy resin or glass cloth BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 0.8 mm Was used as a starting material (see FIG. 17A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【０２５６】（２）スルーホール９および下層導体回路
４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ
（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3
ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）と
する黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、Ｎａ
ＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の
全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図１７（ｂ）参
照）。(2) The substrate on which the through hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried,
(10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3
A blackening treatment using an aqueous solution containing PO 4 (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), Na
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing BH 4 (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4 a and 9 a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 17B). ).

【０２５７】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成
部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填剤１０の層を形成
した。即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に
樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で
乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が
開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層
を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図１
７（ｃ）参照）。(3) After preparing the resin filler described in the above B, within 24 hours after the preparation by the following method, the conductive circuit non-formed portion and the conductive circuit in the through hole 9 and on one side of the substrate 1 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge portion of No. 4. That is, first, the resin filler was pushed into the through hole using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the conductive circuit non-forming portion having a concave portion using a squeegee. At 20 ° C. for 20 minutes (FIG. 1).
7 (c)).

【０２５８】（４）上記（３）の処理を終えた基板の片
面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い
たベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面
やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤１０を硬化した。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
Next, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 10.

【０２５９】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図１７（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充
填剤１０の表面と下層導体回路４の表面とが同一平面と
なる。In this way, the surface portion of the resin filler 10 formed in the through hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 17D). That is, by this step, the surface of the resin filler 10 and the surface of the lower conductive circuit 4 are flush with each other.

【０２６０】（５）次に、上記基板を水洗、酸性脱脂し
た後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基
板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表
面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチング
することにより、下層導体回路４の全表面に平均粗度２
μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図１８（ａ）参
照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯
体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５
重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッ
チボンド）を使用した。(5) Next, the above substrate is washed with water and acid degreased, and then soft-etched. Then, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, so that the surface of the lower conductor circuit 4 and the land of the through hole 9 are landed. By etching the surface and the inner wall, the entire surface of the lower conductor circuit 4 has an average roughness of 2
μm roughened surfaces 4a and 9a were formed (see FIG. 18A). As an etching solution, 10 parts by weight of an imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride
An etching solution consisting of parts by weight (Mec etch bond, manufactured by Mec) was used.

【０２６１】（６）基板の両面に、上記Ａで作製した基
板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基
板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時
間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下
の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、
その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形
成した（図１８（ｂ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁
層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力
０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本
圧着して張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化
させた。(6) On both surfaces of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate prepared in the above A was placed on the substrate, and the pressure was 0.4 MPa, the temperature was 80 ° C., and the pressure bonding time was 10 seconds. After temporary crimping and cutting under the conditions, further, using a vacuum laminator device by the following method,
Thereafter, the interlayer resin insulation layer 2 was formed by thermosetting (see FIG. 18B). That is, a resin film for an interlayer resin insulating layer is fully pressure-bonded and adhered on a substrate under the conditions of a degree of vacuum of 67 Pa, a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 80 ° C., and a pressure time of 60 seconds, and then heat cured at 170 ° C. for 30 minutes. Was.

【０２６２】（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ
１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０
ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マス
クの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件でレーザ
処理を行い、直径８０μｍのバイアホール用開口６を形
成した（図１８（ｃ）参照）。(7) Next, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm is used to form a beam having a beam diameter of 4.0 through a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2.
Laser processing was performed under the conditions of 1 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μsec, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and one shot, thereby forming a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm (FIG. 18C). reference).

【０２６３】（８）バイアホール用開口６を形成した基
板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に
１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエ
ポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホー
ル用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面
とした（図１８（ｄ）参照）。(8) The substrate in which the via hole opening 6 was formed was immersed in a solution containing 60 g / l of permanganic acid at 80 ° C. for 10 minutes to remove the epoxy resin particles existing on the surface of the interlayer resin insulating layer 2. By dissolving and removing, the surface of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via hole opening 6 was roughened (see FIG. 18D).

【０２６４】（９）次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面
に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与すること
により、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用
開口６の内壁面に触媒核を付着させた。(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6 are formed. Catalyst nuclei were deposited.

【０２６５】（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
３．０μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図１９
（ａ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ １０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ８ ｇ／ｌ ＮａＯＨ ８ ｇ／ｌ ロッシェル塩 ４５ ｇ／ｌ 添加剤 ３０ｍｌ／ｌ 〔無電解めっき条件〕３４℃の液温度で２５分(10) Next, the substrate was immersed in an aqueous solution of electroless copper plating having the following composition to form
A 3.0 μm electroless copper plating layer 12 was formed.
(A)). In [Electroless plating solution] CuSO 4 · 5H 2 O 10 g / l HCHO 8 g / l NaOH 8 g / l Rochelle salt 45 g / l additive 30 ml / l [Electroless plating conditions] 34 ° C. a liquid temperature of 25 Minute

【０２６６】（１１）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設
けた（図１９（ｂ）参照）。(11) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating layer 12 and a mask is placed thereon to
Exposure was performed at 00 mJ / cm 2 , and a development treatment was performed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 (see FIG. 19B).

【０２６７】（１２）ついで、めっきレジスト２３の非
形成部に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ７．５μ
ｍの電解銅めっき層１３を形成した（図１９（ｃ）参
照）。 〔電解めっき水溶液〕 ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ２１０ ｇ／ｌ 硫酸 １５０ ｇ／ｌ Ｃｌ- ４０ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール ３００ｍｇ／ｌ ビスジサルファイド １００ｍｇ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ2 時間 ３５ 分 温度 ２５ ℃(12) Then, the non-formed portion of the plating resist 23 was subjected to electrolytic plating under the following conditions to a thickness of 7.5 μm.
m of the electrolytic copper plating layer 13 was formed (see FIG. 19C). [Electrolytic plating solution] CuSO 4 · 5H 2 O 210 g / l sulfuric acid 150 g / l Cl - 40mg / l polyethylene glycol 300 mg / l bis disulfide 100 mg / l [electrolytic plating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 35 Min temperature 25 ℃

【０２６８】（１３）さらに、めっきレジスト３を５％
ＮａＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト
２３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合
液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜
１２と電解めっき膜１３からなる独立の導体回路とフィ
ールドビアとを形成した（図１９（ｄ）参照）。(13) Further, 5% of plating resist 3
After stripping and removing with an NaOH aqueous solution, the electroless plating film 12 under the plating resist 23 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and is composed of an electroless copper plating film 12 and an electrolytic plating film 13. Independent conductor circuits and field vias were formed (see FIG. 19D).

【０２６９】（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰
り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２と
上層の導体回路５およびフィールドビア７を形成した
（図２０（ａ）〜図２１（ａ）参照）。(14) By repeating the above steps (5) to (13), an upper interlayer resin insulating layer 2, an upper conductor circuit 5 and a field via 7 were further formed (FIGS. 20A to 20C). FIG. 21 (a)).

【０２７０】（１５）次に、上層の導体回路５およびフ
ィールドビア７の形成された基板１の両面をアルカリ脱
脂してソフトエッチングした後、１０体積％硫酸からな
る活性化液に浸漬することにより導体回路（フィールド
ビアを含む）表面の電位を調整した。これとは別に、ベ
ンゾ−１，４−オキサジンをＴＭＤＧに溶解し、濃度３
０重量％のオキサジン溶液を調製した。(15) Next, both sides of the substrate 1 on which the upper conductive circuit 5 and the field via 7 are formed are alkali-degreased and soft-etched, and then immersed in an activating solution containing 10% by volume sulfuric acid. The potential of the surface of the conductor circuit (including the field via) was adjusted. Separately, benzo-1,4-oxazine was dissolved in TMDG to give a concentration of 3
A 0 wt% oxazine solution was prepared.

【０２７１】得られたオキサジン溶液の温度を５５℃に
調整した後、該溶液中に上記導体回路表面の電位を調整
した基板を１分間浸漬することにより、導体回路表面に
ベンゾ−１，４−オキサジンの中間層を形成した。さら
に、中間層を形成した基板を１５０℃で３０分間加熱処
理し、接着性中間層（図示せず）を形成した。After adjusting the temperature of the obtained oxazine solution to 55 ° C., the substrate whose potential was adjusted on the surface of the conductor circuit was immersed in the solution for 1 minute, so that the benzo-1,4-benzene was added to the surface of the conductor circuit. An intermediate layer of oxazine was formed. Further, the substrate on which the intermediate layer was formed was subjected to a heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes to form an adhesive intermediate layer (not shown).

【０２７２】（１６）更に、上記した上層の導体回路５
の処理とは別に、実施例１と同様の方法によりソルダー
レジスト組成物を調製した。 （１７）次に、接着性中間層を形成した基板の両面に、
上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布
し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥
処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚
さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形
成した。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で
１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で
それぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層
を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが
２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。さら
に、半田バンプ形成用開口内に露出した上層の導体回路
５の表面の接着性中間層をＯ2 プラズマで２分間処理す
ることにより除去した。(16) Further, the above-described conductor circuit 5 in the upper layer
In addition to the above treatment, a solder resist composition was prepared in the same manner as in Example 1. (17) Next, on both surfaces of the substrate on which the adhesive intermediate layer is formed,
After applying the solder resist composition in a thickness of 20 μm and performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a solder pad pattern is drawn is applied. Exposure to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 in close contact with the layer of the solder resist composition,
An opening having a diameter of 200 μm was formed by developing with a DMTG solution. Then, the solder resist composition is further heated at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 1 hour, and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist composition layer. The solder resist layer 14 having an opening and having a thickness of 20 μm was formed. Further, the adhesive intermediate layer on the surface of the upper conductive circuit 5 exposed in the solder bump forming opening was removed by treatment with O 2 plasma for 2 minutes.

【０２７３】（１８）次に、この基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚
さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、
その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ
／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／
ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３
μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。(18) Next, this substrate was treated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 10 -1 mol / l) and sodium citrate (2.3 × 10 -1 mol / l). It was immersed in an electroless nickel plating solution containing 1.6 × 10 -1 mol / l (pH = 4.5) for 20 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm at the opening. further,
The substrate was washed with potassium cyanide (7.6 × 10 −3 mol)
/ L), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol /
l), sodium citrate (1.2 × 10 −1 mol /
l), sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol /
1) is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. in an electroless gold plating solution containing
A gold plating layer 16 of μm was formed to form a solder pad.

【０２７４】（１９）この後、ソルダーレジスト層１４
の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフロー
することにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１
７を有する多層プリント配線板を製造した（図２１
（ｂ）参照）。(19) Thereafter, the solder resist layer 14
The solder bump is formed by printing a solder paste on the opening of the solder bump and reflowing at 200 ° C.
7 was manufactured (FIG. 21).
(B)).

【０２７５】（比較例１）実施例１（１５）の工程にお
いて、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間
層を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエ
ッチングし、次いで、下記の方法を用いて、上層の導体
回路表面に平均粗度３μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からな
る粗化層を形成した以外は実施例１と同様にして多層プ
リント配線板を製造した。上記粗化層の形成は、硫酸銅
（８ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．６ｇ／ｌ）、クエン
酸（１５ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２９ｇ／
ｌ）、ホウ酸（３１ｇ／ｌ）界面活性剤（日信化学工業
社製、サーフィノール４６５）（０．１ｇ／ｌ）を含む
水溶液からなるｐＨ＝９の無電解銅めっき浴に基板を浸
漬し、浸漬１分後に、４秒あたりに１回の割合で縦およ
び横方向に振動させることにより行った。(Comparative Example 1) In the step of Example 1 (15), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, a multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a roughened layer made of a Cu—Ni—P alloy having an average roughness of 3 μm was formed on the upper conductive circuit surface by using the following method. . The roughened layer was formed by copper sulfate (8 g / l), nickel sulfate (0.6 g / l), citric acid (15 g / l), and sodium hypophosphite (29 g / l).
l), the substrate is immersed in an electroless copper plating bath of pH 9 consisting of an aqueous solution containing boric acid (31 g / l) surfactant (Surfynol 465, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) (0.1 g / l). One minute after the immersion, the sample was vibrated vertically and horizontally at a rate of once per 4 seconds.

【０２７６】（比較例２）実施例２（１５）の工程にお
いて、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間
層を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエ
ッチングし、次いで、下記の方法を用いて、上層の導体
回路表面に平均粗度２μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からな
る粗化層を形成した以外は実施例２と同様にして多層プ
リント配線板を製造した。なお、上記粗化層の形成は、
比較例１と同様にして行った。(Comparative Example 2) In the step of Example 2 (15), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, a multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 2 except that a roughened layer made of a Cu—Ni—P alloy having an average roughness of 2 μm was formed on the upper conductive circuit surface using the following method. . The formation of the roughened layer is as follows.
Performed in the same manner as in Comparative Example 1.

【０２７７】（比較例３）実施例６（１４）の工程にお
いて、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間
層を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエ
ッチングし、次いで、下記の方法を用いて、上層の導体
回路表面に平均粗度３μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からな
る粗化層を形成した以外は実施例６と同様にして多層プ
リント配線板を製造した。なお、上記粗化層の形成は、
比較例１と同様にして行った。(Comparative Example 3) In the step of Example 6 (14), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, a multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 6, except that a roughened layer made of a Cu-Ni-P alloy having an average roughness of 3 µm was formed on the upper conductive circuit surface by using the following method. . The formation of the roughened layer is as follows.
Performed in the same manner as in Comparative Example 1.

【０２７８】（比較例４）実施例１（１５）の工程にお
いて、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間
層を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエ
ッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプ
レイで吹きつけ、上層の導体回路表面に平均粗度が２μ
ｍの粗化面を形成した以外は実施例１と同様にして多層
プリント配線板を得た。なお、エッチング液としては、
イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸
７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７
８重量部を混合したものを使用した。(Comparative Example 4) In the step of Example 1 (15), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, and the average roughness of the upper surface of the conductive circuit is 2 μm.
A multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 1 except that a roughened surface of m was formed. In addition, as an etching solution,
10 parts by weight of imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride and 7 parts of ion-exchanged water
A mixture of 8 parts by weight was used.

【０２７９】（比較例５）実施例２（１５）の工程にお
いて、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間
層を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエ
ッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプ
レイで吹きつけ、上層の導体回路表面に平均粗度３μｍ
の粗化面を形成した以外は実施例２と同様にして多層プ
リント配線板を得た。なお、エッチング液としては、比
較例１と同様のものを使用した。(Comparative Example 5) In the step of Example 2 (15), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, and the average roughness of the upper surface of the conductive circuit is 3 μm.
A multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 2 except that the roughened surface was formed. The same etching solution as that used in Comparative Example 1 was used.

【０２８０】（比較例６）実施例６（１４）の工程にお
いて、ベンゾ−１，４−オキサジンを用いた接着性中間
層を形成せず、基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエ
ッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプ
レイで吹きつけ、上層の導体回路表面に平均粗度３μｍ
の粗化面を形成した以外は実施例６と同様にして多層プ
リント配線板を得た。なお、エッチング液としては、比
較例１と同様のものを使用した。(Comparative Example 6) In the step of Example 6 (14), without forming an adhesive intermediate layer using benzo-1,4-oxazine, the substrate was washed with water, acid-degreased, and then soft-etched. Next, an etching solution is sprayed on both surfaces of the substrate by spraying, and the average roughness of the upper surface of the conductive circuit is 3 μm.
A multilayer printed wiring board was obtained in the same manner as in Example 6, except that the roughened surface was formed. The same etching solution as that used in Comparative Example 1 was used.

【０２８１】実施例１〜７および比較例１〜６で得られ
た多層プリント配線板について、下記の評価方法を用い
て、高周波信号伝達時の信号遅延発生の有無、および、
ヒートサイクル試験後のソルダーレジスト層と導体回路
との間での剥離の発生の有無を評価した。The multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 were evaluated for the presence or absence of signal delay during high-frequency signal transmission,
The presence or absence of peeling between the solder resist layer and the conductor circuit after the heat cycle test was evaluated.

【０２８２】評価方法 （１）高周波信号伝達時の信号遅延発生の有無 測定用ＩＣチップを実装した後、ファンクションテスト
を行い、その動作結果により判定した。なお、判定は、
所望の値に対して遅延があるか否かにより行い、以下の
評価基準で評価した。[0282]Evaluation method  (1) The presence or absence of signal delay when transmitting high-frequency signals After the IC chip for measurement is mounted, the function test
Was performed, and judgment was made based on the operation result. The judgment is
Depending on whether there is a delay to the desired value,
The evaluation was based on the evaluation criteria.

【０２８３】評価基準 ○：所望の値に対して遅延がなかった。 △：所望の値に対して若干遅延があったが、製品の品質
に大きな影響を与える程のものではなかった。 ×：所望の値に対して大きな遅延があり、製品として使
用することが難しかった。[0283]Evaluation criteria  ：: No delay with respect to the desired value. Δ: Quality of product was slightly delayed from desired value
Was not so significant as to affect ×: There is a large delay with respect to the desired value.
It was difficult to use.

【０２８４】（２）ソルダーレジスト層と導体回路との
間での剥離の発生の有無 まず、多層プリント配線板を１２５℃の３分間維持した
後、−５５℃の雰囲気下に３分間維持するサイクルを１
０００回および２０００回繰り返した。その後、多層プ
リント配線板をカッターで切断し、切断した断面を顕微
鏡で観察し、以下の評価基準で評価した。結果を表１に
示した。(2) Presence or absence of peeling between the solder resist layer and the conductive circuit First, the multilayer printed wiring board is maintained at 125 ° C. for 3 minutes and then maintained at −55 ° C. for 3 minutes. 1
Repeated 000 times and 2000 times. Thereafter, the multilayer printed wiring board was cut with a cutter, and the cut section was observed with a microscope and evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.

【０２８５】評価基準 ○：ソルダーレジスト層と導体回路との間で剥離は発生
していなかった。 △：ソルダーレジスト層と導体回路との間で若干の剥離
が発生してる部分が見られたが、製品の性能に影響を与
える程のものではなかった。 ×：ソルダーレジスト層と導体回路との間で、製品の性
能低下につながる剥離が発生[0285]Evaluation criteria  ○: Peeling occurred between the solder resist layer and the conductor circuit
I didn't. Δ: Slight peeling between solder resist layer and conductor circuit
Although some parts were observed, it affected the performance of the product.
It was not enough. ×: Product properties between solder resist layer and conductor circuit
Detachment leading to deterioration in performance occurs

【０２８６】[0286]

【表１】 [Table 1]

【０２８７】[0287]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板は、最上層の導体回路上の少なくとも一部に
は、オキサジン骨格を有する化合物、および、オキサゾ
ール骨格を有する化合物からなる群より選択される少な
くとも１種を用いた接着性中間層が形成されているた
め、導体回路とソルダーレジスト層との密着性に優れ、
両者の間に剥離が発生したり、ソルダーレジスト層にク
ラックが発生したりすることがなく、さらに、凹凸の大
きな粗化面が形成されていないため、信号遅延、信号エ
ラー等が発生しにくい。As described above, the multilayer printed wiring board of the present invention has a structure in which at least a part of the uppermost conductive circuit is composed of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. Since the adhesive intermediate layer using at least one selected is formed, the adhesiveness between the conductor circuit and the solder resist layer is excellent,
There is no separation between the two, no cracks in the solder resist layer, and no roughened surface with large irregularities, so that signal delay, signal error, and the like hardly occur.

【０２８８】また、第一および第二の本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法は、オキサジン骨格を有する化合
物、および、オキサゾール骨格を有する化合物からなる
群より選択される少なくとも１種からなる中間層を導体
回路上に形成した後、該中間層に加熱処理を施して、接
着性中間層とするため、導体回路と接着性中間層とを該
接着性中間層が分子内に有する酸素原子や窒素原子を介
して化学的に結合させることができ、両者が強固に接着
した多層プリント配線板を製造することができる。ま
た、この接着性中間層の上にソルダーレジスト層を形成
させるため、両者は、酸素原子等を介して、または、樹
脂同士の親和性により、両者は強固に接着する。従っ
て、接着性中間層を介して、導体回路とソルダーレジス
ト層とが強固に接着した多層プリント配線板を製造する
ことができる。Further, the first and second methods for producing a multilayer printed wiring board of the present invention are directed to a method for producing an intermediate layer comprising at least one selected from the group consisting of a compound having an oxazine skeleton and a compound having an oxazole skeleton. Is formed on a conductive circuit, and then the intermediate layer is subjected to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer. Therefore, the conductive circuit and the adhesive intermediate layer are bonded to oxygen atoms or nitrogen atoms in the molecule. Chemical bonding can be achieved through atoms, and a multilayer printed wiring board in which both are firmly bonded can be manufactured. In addition, in order to form a solder resist layer on the adhesive intermediate layer, the two are firmly bonded to each other via an oxygen atom or the like or due to affinity between resins. Therefore, it is possible to manufacture a multilayer printed wiring board in which the conductor circuit and the solder resist layer are firmly bonded via the adhesive intermediate layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板に接着性中間層を形成する方法を模式的に示す断面図
である。FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views schematically showing a method for forming an adhesive intermediate layer on a multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 10A to 10C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 12A to 12D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 13A to 13D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 14A to 14D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 15A to 15C are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 16A to 16C are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 17A to 17D are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 18A to 18D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図１９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 19A to 19D are cross-sectional views illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図２０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。20 (a) to (c) are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【図２１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。FIGS. 21A and 21B are cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 基板 ２ 層間樹脂絶縁層 ３ めっきレジスト ４ 下層導体回路 ４ａ 粗化面 ５、１０５ 導体回路 ６ バイアホール用開口 ７ バイアホール ８ 銅箔 ９ ２９ スルーホール ９ａ 粗化面 １０ 樹脂充填剤 １２ 無電解銅めっき層 １３ 電気めっき層 １４、１１４ ソルダーレジスト層 １５ ニッケルめっき層 １６ 金めっき層 １７ 半田バンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Interlayer resin insulation layer 3 Plating resist 4 Lower conductor circuit 4a Roughened surface 5, 105 Conductor circuit 6 Via hole opening 7 Via hole 8 Copper foil 9 29 Through hole 9a Roughened surface 10 Resin filler 12 Electroless copper Plating layer 13 Electroplating layer 14, 114 Solder resist layer 15 Nickel plating layer 16 Gold plating layer 17 Solder bump

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E314 AA27 DD01 DD02 GG11 5E346 AA02 AA04 AA12 AA13 AA15 AA16 AA23 AA29 AA32 AA43 CC05 CC08 CC21 CC32 CC37 DD03 DD25 EE12 EE13 EE14 EE18 EE19 EE20 FF01 FF07 FF13 FF14 FF17 FF27 GG15 GG19 GG22 GG27 GG28 HH11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E314 AA27 DD01 DD02 GG11 5E346 AA02 AA04 AA12 AA13 AA15 AA16 AA23 AA29 AA32 AA43 CC05 CC08 CC21 CC32 CC37 DD03 DD25 EE12 EE13 EE14 EE18 EE19 EE20 FF13 FF17 GG17 GG27 GG28 HH11

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、最上層の導体回路上にソルダーレジスト
層が積層された多層プリント配線板であって、前記最上
層の導体回路は、その表面の少なくとも一部に、オキサ
ジン骨格を有する化合物、および、オキサゾール骨格を
有する化合物からなる群より選択される少なくとも１種
を用いた接着性中間層が形成されていることを特徴とす
る多層プリント配線板。1. A multilayer printed wiring board in which a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer is laminated on an uppermost conductive circuit, wherein the uppermost conductive circuit is A multilayer having a compound having an oxazine skeleton and at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton formed on at least a part of the surface thereof; Printed wiring board. 【請求項２】 前記オキサジン骨格を有する化合物は、
ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，２
−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジン、
５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、および、これら
の誘導体である請求項１に記載の多層プリント配線板。2. The compound having an oxazine skeleton,
Benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2
-Oxazine, 4,5-benzo-1,3-oxazine,
The multilayer printed wiring board according to claim 1, which is 5,6-benzo-1,3-oxazine or a derivative thereof. 【請求項３】 前記オキサゾール骨格を有する化合物
は、ベンゾオキサゾールおよびその誘導体である請求項
１に記載の多層プリント配線板。3. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the compound having an oxazole skeleton is benzoxazole and a derivative thereof. 【請求項４】 前記最上層の導体回路は、その表面が粗
化面である請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリ
ント配線板。4. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the uppermost conductive circuit has a roughened surface. 【請求項５】 前記接着性中間層の厚さは、０．００１
〜３μｍである請求項１〜４のいずれか１に記載の多層
プリント配線板。5. The thickness of the adhesive intermediate layer is 0.001.
The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness is from 3 μm to 3 μm. 【請求項６】 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、最上層の導体回路上にソルダーレジスト
層が形成された多層プリント配線板の製造方法であっ
て、少なくとも下記（Ａ）〜（Ｄ）の工程を含むことを
特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 （Ａ）前記層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路を形成
する導体回路形成工程、（Ｂ）前記工程で形成された最
上層の導体回路表面の少なくとも一部に、オキサジン骨
格を有する化合物、および、オキサゾール骨格を有する
化合物からなる群より選択される少なくとも１種からな
る中間層を形成する中間層形成工程、（Ｃ）前記中間層
に加熱処理を施し、接着性中間層とする加熱処理工程、
および、（Ｄ）前記接着性中間層上にソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程。6. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising: a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer sequentially laminated on a substrate; and a solder resist layer formed on the uppermost conductor circuit. A) a method for producing a multilayer printed wiring board, comprising the steps of: (A) a conductor circuit forming step of forming an uppermost conductive circuit on the interlayer resin insulating layer, (B) a compound having an oxazine skeleton on at least a part of the surface of the uppermost conductive circuit formed in the step, And an intermediate layer forming step of forming at least one type of intermediate layer selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton; and (C) a heat treatment step of subjecting the intermediate layer to a heat treatment to form an adhesive intermediate layer. ,
And (D) a step of forming a solder resist layer on the adhesive intermediate layer. 【請求項７】 基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが
順次積層され、最外層にソルダーレジスト層が形成され
た多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも
下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを特徴とする多層
プリント配線板の製造方法。 （ａ）前記層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路を形成
する導体回路形成工程、（ｂ）前記工程で形成された最
上層の導体回路に活性化処理を施す活性化処理工程、
（ｃ）前記活性化処理が施された最上層の導体回路表面
の少なくとも一部に、オキサジン骨格を有する化合物、
および、オキサゾール骨格を有する化合物からなる群よ
り選択される少なくとも１種からなる中間層を形成する
中間層形成工程、（ｄ）前記中間層に加熱処理を施し、
接着性中間層とする加熱処理工程、および、（ｅ）前記
接着性中間層上にソルダーレジスト層を形成するソルダ
ーレジスト層形成工程。7. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising: a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer sequentially laminated on a substrate, and a solder resist layer formed on an outermost layer, wherein at least the following (a) to (e) A) producing a multilayer printed wiring board. (A) a conductor circuit forming step of forming an uppermost conductive circuit on the interlayer resin insulating layer; (b) an activation processing step of activating the uppermost conductive circuit formed in the above step;
(C) a compound having an oxazine skeleton on at least a part of the surface of the uppermost conductive circuit subjected to the activation treatment;
And an intermediate layer forming step of forming an intermediate layer made of at least one selected from the group consisting of compounds having an oxazole skeleton; (d) subjecting the intermediate layer to a heat treatment;
A heat treatment step of forming an adhesive intermediate layer; and (e) a solder resist layer forming step of forming a solder resist layer on the adhesive intermediate layer. 【請求項８】 前記オキサジン骨格を有する化合物は、
ベンゾ−１，４−オキサジン、５，６−ベンゾ−１，２
−オキサジン、４，５−ベンゾ−１，３−オキサジン、
５，６−ベンゾ−１，３−オキサジン、および、これら
の誘導体である請求項６または７に記載の多層プリント
配線板。8. The compound having an oxazine skeleton,
Benzo-1,4-oxazine, 5,6-benzo-1,2
-Oxazine, 4,5-benzo-1,3-oxazine,
The multilayer printed wiring board according to claim 6, which is 5,6-benzo-1,3-oxazine, or a derivative thereof. 【請求項９】 前記オキサゾール骨格を有する化合物
は、ベンゾオキサゾールおよびその誘導体である請求項
６または７に記載の多層プリント配線板。9. The multilayer printed wiring board according to claim 6, wherein the compound having an oxazole skeleton is benzoxazole or a derivative thereof. 【請求項１０】 前記加熱処理工程における加熱は、１
２０〜１９０℃で行なう請求項６〜９のいずれか１に記
載の多層プリント配線板の製造方法。10. The heating in the heat treatment step is performed as follows.
The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 6 to 9, which is performed at 20 to 190 ° C.
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